JP2003021821A - 液晶ユニットおよびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】色純度が高い液晶ユニットを提供する。また、
小型の液晶ユニットおよびその駆動方法を提供する。 【解決手段】 電流注入により紫外光を放射する半導体
発光素子と、前記紫外光により励起されて青色光を放射
する青色蛍光体と、前記紫外光により励起されて緑色光
を放射する緑色蛍光体と、前記紫外光により励起されて
赤色光を放射する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装
置と、前記青色光の特性に対応した透過特性を有する青
色フィルタを備える青色画素と、前記緑色光に対応した
透過特性を有する緑色フィルタを備える緑色画素と、前
記赤色光に対応した透過特性を有する赤色フィルタを備
える赤色画素と、を用いて表示を行う液晶パネルと、を
備えることを特徴とする。また、同期信号に基づいて画
像表示を行う液晶パネルと、前記液晶パネルの光源とな
り、前記同期信号に基づいて一定期間毎に消灯するもの
として構成された発光装置と、前記発光装置の輝度を調
整するために前記発光装置が消灯している間に周囲の照
度に対応する照度信号を検出する照度検出センサと、を
備えることを特徴とする。
小型の液晶ユニットおよびその駆動方法を提供する。 【解決手段】 電流注入により紫外光を放射する半導体
発光素子と、前記紫外光により励起されて青色光を放射
する青色蛍光体と、前記紫外光により励起されて緑色光
を放射する緑色蛍光体と、前記紫外光により励起されて
赤色光を放射する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装
置と、前記青色光の特性に対応した透過特性を有する青
色フィルタを備える青色画素と、前記緑色光に対応した
透過特性を有する緑色フィルタを備える緑色画素と、前
記赤色光に対応した透過特性を有する赤色フィルタを備
える赤色画素と、を用いて表示を行う液晶パネルと、を
備えることを特徴とする。また、同期信号に基づいて画
像表示を行う液晶パネルと、前記液晶パネルの光源とな
り、前記同期信号に基づいて一定期間毎に消灯するもの
として構成された発光装置と、前記発光装置の輝度を調
整するために前記発光装置が消灯している間に周囲の照
度に対応する照度信号を検出する照度検出センサと、を
備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ユニットおよび
その駆動方法に関する。
その駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話などの携帯機器においては、液
晶ユニットが用いられている。図１５は、この液晶ユニ
ットを示す図である。液晶フレーム３１は、メイン基板
３２に搭載されており、この液晶フレーム３１に、液晶
パネル３３が設けられている。この液晶パネル３３は、
その裏側から、白色半導体発光装置３４の白色光によっ
て照らされる。ここで、この白色半導体発光装置３４と
しては、従来、ＧａＮ系半導体発光素子からの青色光
と、蛍光体からの黄色光と、により白色の発光を得る発
光装置が用いられていた。液晶パネル３３は、液晶ドラ
イバー３５により駆動される。この液晶パネル３３は、
赤色光を透過させる赤色フィルタを備える赤色画素、緑
色光を透過させる緑色フィルタを備える緑色画素、青色
光を透過させる青色フィルタを備える青色画素、を有
し、この３色の画素を調整することによりフルカラーを
得る。ここで、図１５の装置では、Ｎｉ−Ｃｄなどの二
次電池が用いられることが多く、その二次電池の電圧は
３．７Ｖ程度である。上記の白色半導体発光装置３４の
ＧａＮ系半導体発光素子の動作電圧は３．７Ｖ程度であ
るため、この白色半導体発光装置３４には、二次電池か
らの電力をメイン基板３２上に設けられた昇圧電源３６
により昇圧して供給する。この際には、消費電力を低く
するため、メイン基板３２上に設けられた照度検出セン
サ３６によって周囲の照度を検出し、その照度に応じて
白色半導体発光装置３４に供給する電流を調整してい
る。
晶ユニットが用いられている。図１５は、この液晶ユニ
ットを示す図である。液晶フレーム３１は、メイン基板
３２に搭載されており、この液晶フレーム３１に、液晶
パネル３３が設けられている。この液晶パネル３３は、
その裏側から、白色半導体発光装置３４の白色光によっ
て照らされる。ここで、この白色半導体発光装置３４と
しては、従来、ＧａＮ系半導体発光素子からの青色光
と、蛍光体からの黄色光と、により白色の発光を得る発
光装置が用いられていた。液晶パネル３３は、液晶ドラ
イバー３５により駆動される。この液晶パネル３３は、
赤色光を透過させる赤色フィルタを備える赤色画素、緑
色光を透過させる緑色フィルタを備える緑色画素、青色
光を透過させる青色フィルタを備える青色画素、を有
し、この３色の画素を調整することによりフルカラーを
得る。ここで、図１５の装置では、Ｎｉ−Ｃｄなどの二
次電池が用いられることが多く、その二次電池の電圧は
３．７Ｖ程度である。上記の白色半導体発光装置３４の
ＧａＮ系半導体発光素子の動作電圧は３．７Ｖ程度であ
るため、この白色半導体発光装置３４には、二次電池か
らの電力をメイン基板３２上に設けられた昇圧電源３６
により昇圧して供給する。この際には、消費電力を低く
するため、メイン基板３２上に設けられた照度検出セン
サ３６によって周囲の照度を検出し、その照度に応じて
白色半導体発光装置３４に供給する電流を調整してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶ユニットでは、色
純度が高く、鮮明な画像が得られることが望ましい。し
かしながら従来の液晶ユニットには、色純度が低いとい
う問題点があると本発明者は考えていた。即ち、従来の
液晶ユニット３１では、上述の赤色画素、緑色画素、青
色画素のスペクトルのうち、赤色画素、緑色画素のスペ
クトル幅が広かった。この原因の１つは、赤色フィル
タ、緑色フィルタを透過する赤色光、緑色光のスペクト
ル幅が広いことにある。もっともこれは仕方がないこと
と考えられていた。なぜなら、白色半導体発光装置３４
は赤色光、緑色光の強度が弱いので、赤色フィルタ、緑
色フィルタの透過光のスペクトル幅を狭くすると赤色画
素、緑色画素の輝度が極端に低下してしまうと考えられ
ていたからである。また、この輝度の低下を避けるため
に白色半導体発光装置３４への供給電力を増やすと、消
費電力が増えてしまうと考えられていたからである。
純度が高く、鮮明な画像が得られることが望ましい。し
かしながら従来の液晶ユニットには、色純度が低いとい
う問題点があると本発明者は考えていた。即ち、従来の
液晶ユニット３１では、上述の赤色画素、緑色画素、青
色画素のスペクトルのうち、赤色画素、緑色画素のスペ
クトル幅が広かった。この原因の１つは、赤色フィル
タ、緑色フィルタを透過する赤色光、緑色光のスペクト
ル幅が広いことにある。もっともこれは仕方がないこと
と考えられていた。なぜなら、白色半導体発光装置３４
は赤色光、緑色光の強度が弱いので、赤色フィルタ、緑
色フィルタの透過光のスペクトル幅を狭くすると赤色画
素、緑色画素の輝度が極端に低下してしまうと考えられ
ていたからである。また、この輝度の低下を避けるため
に白色半導体発光装置３４への供給電力を増やすと、消
費電力が増えてしまうと考えられていたからである。
【０００４】また、液晶ユニットは、小型で、消費電力
が少ないことが望ましい。図１５の液晶ユニットでは、
光源として一辺の長さが数ｍｍの白色半導体発光装置３
４を用いることにより、液晶ユニットを小型化してい
た。また上述のように、図１５の液晶ユニットでは、照
度センサ３６により白色半導体発光装置３４への供給電
力を調整することにより、消費電力を少なくしていた。
しかしながら、本発明者は、液晶ユニットをさらに小型
化することができると考えていた。即ち、照度センサ３
７および昇圧電源３６を液晶フレーム３１に搭載し、メ
イン基板３２をなくすことで、液晶ユニットをさらに小
型化できると考えていた。もっとも、このような方法に
より小型化することは、従来、困難であると考えられて
いた。なぜなら、照度センサ３７を液晶フレーム３１上
に搭載すると、照度センサ３７に白色半導体発光装置３
４からの直接光や反射光が入射してしまい、照度センサ
３４が周囲の照度を正しく検出できなくなってしまうか
らである。また、この入射を避けるために構造を複雑に
すると、コストが高くなってしまうからである。
が少ないことが望ましい。図１５の液晶ユニットでは、
光源として一辺の長さが数ｍｍの白色半導体発光装置３
４を用いることにより、液晶ユニットを小型化してい
た。また上述のように、図１５の液晶ユニットでは、照
度センサ３６により白色半導体発光装置３４への供給電
力を調整することにより、消費電力を少なくしていた。
しかしながら、本発明者は、液晶ユニットをさらに小型
化することができると考えていた。即ち、照度センサ３
７および昇圧電源３６を液晶フレーム３１に搭載し、メ
イン基板３２をなくすことで、液晶ユニットをさらに小
型化できると考えていた。もっとも、このような方法に
より小型化することは、従来、困難であると考えられて
いた。なぜなら、照度センサ３７を液晶フレーム３１上
に搭載すると、照度センサ３７に白色半導体発光装置３
４からの直接光や反射光が入射してしまい、照度センサ
３４が周囲の照度を正しく検出できなくなってしまうか
らである。また、この入射を避けるために構造を複雑に
すると、コストが高くなってしまうからである。
【０００５】本発明は、かかる課題の認識に基づくもの
である。すなわち、本発明の目的は、色純度が高い液晶
ユニットを提供することにある。また、本発明の目的
は、小型の液晶ユニットおよびその駆動方法を提供する
ことである。
である。すなわち、本発明の目的は、色純度が高い液晶
ユニットを提供することにある。また、本発明の目的
は、小型の液晶ユニットおよびその駆動方法を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶ユニット
は、電流注入により紫外光を放射する半導体発光素子
と、前記紫外光により励起されて青色光を放射する青色
蛍光体と、前記紫外光により励起されて緑色光を放射す
る緑色蛍光体と、前記紫外光により励起されて赤色光を
放射する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置と、前
記青色光の特性に対応した透過特性を有する青色フィル
タを備える青色画素と、前記緑色光に対応した透過特性
を有する緑色フィルタを備える緑色画素と、前記赤色光
に対応した透過特性を有する赤色フィルタを備える赤色
画素と、を用いて表示を行う液晶パネルと、を備えるこ
とを特徴とする。
は、電流注入により紫外光を放射する半導体発光素子
と、前記紫外光により励起されて青色光を放射する青色
蛍光体と、前記紫外光により励起されて緑色光を放射す
る緑色蛍光体と、前記紫外光により励起されて赤色光を
放射する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置と、前
記青色光の特性に対応した透過特性を有する青色フィル
タを備える青色画素と、前記緑色光に対応した透過特性
を有する緑色フィルタを備える緑色画素と、前記赤色光
に対応した透過特性を有する赤色フィルタを備える赤色
画素と、を用いて表示を行う液晶パネルと、を備えるこ
とを特徴とする。
【０００７】また、本発明の液晶ユニットは、同期信号
に基づいて画像表示を行う液晶パネルと、前記液晶パネ
ルの光源となり、前記同期信号に基づいて一定期間毎に
消灯するものとして構成された発光装置と、前記発光装
置の輝度を調整するために前記発光装置が消灯している
間に周囲の照度に対応する照度信号を検出する照度検出
センサと、を備えることを特徴とする。
に基づいて画像表示を行う液晶パネルと、前記液晶パネ
ルの光源となり、前記同期信号に基づいて一定期間毎に
消灯するものとして構成された発光装置と、前記発光装
置の輝度を調整するために前記発光装置が消灯している
間に周囲の照度に対応する照度信号を検出する照度検出
センサと、を備えることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の液晶ユニットの駆動方法
は、同期信号に基づいて画像表示を行う液晶パネルと、
前記液晶パネルの光源となる発光装置と、前記発光装置
の輝度を調整するために周囲の照度に対応する照度信号
を検出する照度検出センサと、を備える液晶ユニットの
駆動方法であって、前記発光装置を前記同期信号に合わ
せて一定期間毎に消灯させ、前記発光装置が消灯してい
る間に前記照度検出センサに前記照度信号を検出させる
ことを特徴とする。
は、同期信号に基づいて画像表示を行う液晶パネルと、
前記液晶パネルの光源となる発光装置と、前記発光装置
の輝度を調整するために周囲の照度に対応する照度信号
を検出する照度検出センサと、を備える液晶ユニットの
駆動方法であって、前記発光装置を前記同期信号に合わ
せて一定期間毎に消灯させ、前記発光装置が消灯してい
る間に前記照度検出センサに前記照度信号を検出させる
ことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照にしつつ、本
発明の第１および第２の実施の形態について説明する。
発明の第１および第２の実施の形態について説明する。
【００１０】（第１の実施の形態）第１の実施の形態の
液晶ユニットの特徴の１つは、図１から分かるように、
白色半導体発光装置４を、をＲＧＢの混色により白色を
得るタイプのものにしたことである。第１の実施の形態
の液晶ユニットでは、色純度が高い表示が得られる。
液晶ユニットの特徴の１つは、図１から分かるように、
白色半導体発光装置４を、をＲＧＢの混色により白色を
得るタイプのものにしたことである。第１の実施の形態
の液晶ユニットでは、色純度が高い表示が得られる。
【００１１】図１は本発明の第１の実施の形態に係わる
液晶ユニットを示す図である。液晶フレーム１は、メイ
ン基板２に搭載されており、この液晶フレーム１に、液
晶パネル３が設けられている。白色半導体発光装置４は
液晶パネル３の光源となる。図１の液晶ユニットでは、
白色半導体発光装置４から発光された光は、液晶パネル
３の裏側の反射板により反射され、液晶パネル３を裏側
から照らす。この白色半導体発光装置４は、後述するよ
うに、赤色光、緑色光、青色光の混色により、白色光を
得る。液晶パネル３は、液晶ドライバー５により駆動さ
れ、この白色半導体発光装置４からの光を用いて、フル
カラーを得る。即ち、液晶パネル３は、上記の赤色光を
透過させるフィルタを有する赤色画素、緑色光を透過さ
せるフィルタを有する緑色画素、青色光を透過させるフ
ィルタを有する青色画素、を有しており、光の３原色で
あるこの赤緑青（ＲＧＢ）の各色の画素を用いて、フル
カラー表示を行う。
液晶ユニットを示す図である。液晶フレーム１は、メイ
ン基板２に搭載されており、この液晶フレーム１に、液
晶パネル３が設けられている。白色半導体発光装置４は
液晶パネル３の光源となる。図１の液晶ユニットでは、
白色半導体発光装置４から発光された光は、液晶パネル
３の裏側の反射板により反射され、液晶パネル３を裏側
から照らす。この白色半導体発光装置４は、後述するよ
うに、赤色光、緑色光、青色光の混色により、白色光を
得る。液晶パネル３は、液晶ドライバー５により駆動さ
れ、この白色半導体発光装置４からの光を用いて、フル
カラーを得る。即ち、液晶パネル３は、上記の赤色光を
透過させるフィルタを有する赤色画素、緑色光を透過さ
せるフィルタを有する緑色画素、青色光を透過させるフ
ィルタを有する青色画素、を有しており、光の３原色で
あるこの赤緑青（ＲＧＢ）の各色の画素を用いて、フル
カラー表示を行う。
【００１２】図１の液晶ユニットでは、携帯機器などで
通常用いられるＮｉ−Ｃｄなどの二次電池を用いること
ができる。この二次電池の電圧は３．７Ｖ程度である。
図１の液晶ユニットでは、白色半導体発光装置４の動作
電圧が３．７Ｖ程度であるため、この白色半導体発光装
置４にはメイン基板６上に設けられた昇圧電源３により
昇圧された電圧を供給する。また、消費電力を低くする
ためにメイン基板２上に設けられた照度検出センサ７に
よって周囲の照度を検出し、その照度に応じて、白色半
導体発光装置４への供給電力を調整する。
通常用いられるＮｉ−Ｃｄなどの二次電池を用いること
ができる。この二次電池の電圧は３．７Ｖ程度である。
図１の液晶ユニットでは、白色半導体発光装置４の動作
電圧が３．７Ｖ程度であるため、この白色半導体発光装
置４にはメイン基板６上に設けられた昇圧電源３により
昇圧された電圧を供給する。また、消費電力を低くする
ためにメイン基板２上に設けられた照度検出センサ７に
よって周囲の照度を検出し、その照度に応じて、白色半
導体発光装置４への供給電力を調整する。
【００１３】図２は、図１の白色半導体発光装置４の構
造を示す断面図である。紫外光を放射する半導体発光素
子(ＬＥＤ)１１は、フレーム１２の反射板内に、接着剤
１３で固定されている。半導体発光素子１１は、ＧａＮ
系の材料からなり、活性層に電流を注入することにより
紫外光を放射する。半導体発光素子１１の２つの電極
は、ボンディングワイヤー１４によって、電極導出用リ
ード１５、１６につながれている。フレーム１２の反射
坂内は透明樹脂１７で充填されており、この透明樹脂１
７に、紫外光により励起されて青色光を放射する青色蛍
光体１８Ｂと、紫外光により励起されて緑色光を放射す
る緑色蛍光体１８Ｇと、紫外光により励起されて赤色光
を放射する赤色蛍光体１８Ｒと、が混入されている。青
色光蛍光体１８Ｂとしては、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ＋Ｐｉｇｍｅｎｔ、ＺｎＳ：Ａｇ,Ａｌ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ,Ｃｕ,Ｇａ,Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、Ｚｎ
Ｓ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｂａ,Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ
１７、（Ｓｒ,Ｃａ,Ｂａ,Ｍｇ） １０（ＰＯ４）６Ｃｌ
２：Ｅｕ、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂ
ａ,Ｓｒ,Ｅｕ）（Ｍｇ,Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、１０
（Ｓｒ,Ｃａ,Ｂａ,Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、ＢａＭ
ｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕなどを用いることができる。
緑色光蛍光体１８Ｇとしては、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ、Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ＋Ｐｉｇｍｅｎｔ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：
Ｃｕ,Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｕ,Ａｌ＋Ｐｉｍｅｎｔ、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ,Ｇａ）
５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ ５：Ｔｂ、Ｚｎ２Ｓｉ
Ｏ４：Ｍｎ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：
Ｔｂ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ、Ｙ
２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３（Ｚ
ｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｚｎ,Ｍｎ）２Ｓｉ
Ｏ４、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、（Ｂａ,Ｓｒ,Ｍｇ）
Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：ＭｎＬａＰＯ４：Ｃｅ,Ｔｂ、Ｚｎ
２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ・３（Ｂａ,Ｍｇ,Ｅ
ｕ,Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３・０．２Ｓｉ
Ｏ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ,Ｔｂ、ＣｅＭｇＡｌ１１
Ｏ１９：Ｔｂなどを用いることができる。赤色光蛍光体
１８Ｒとしては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
＋Ｐｉｇｍｅｎｔ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｚｎ３（ＰＯ４）
２：Ｍｎ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｙ,
Ｇｄ,Ｅｕ）ＢＯ３、（Ｙ,Ｇｄ,Ｅｕ）２Ｏ３、ＹＶＯ
４：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ,Ｓｍ、などを用いるこ
とができる。白色半導体発光装置４の一辺の長さは数ｍ
ｍである。
造を示す断面図である。紫外光を放射する半導体発光素
子(ＬＥＤ)１１は、フレーム１２の反射板内に、接着剤
１３で固定されている。半導体発光素子１１は、ＧａＮ
系の材料からなり、活性層に電流を注入することにより
紫外光を放射する。半導体発光素子１１の２つの電極
は、ボンディングワイヤー１４によって、電極導出用リ
ード１５、１６につながれている。フレーム１２の反射
坂内は透明樹脂１７で充填されており、この透明樹脂１
７に、紫外光により励起されて青色光を放射する青色蛍
光体１８Ｂと、紫外光により励起されて緑色光を放射す
る緑色蛍光体１８Ｇと、紫外光により励起されて赤色光
を放射する赤色蛍光体１８Ｒと、が混入されている。青
色光蛍光体１８Ｂとしては、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ＋Ｐｉｇｍｅｎｔ、ＺｎＳ：Ａｇ,Ａｌ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ,Ｃｕ,Ｇａ,Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、Ｚｎ
Ｓ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｂａ,Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ
１７、（Ｓｒ,Ｃａ,Ｂａ,Ｍｇ） １０（ＰＯ４）６Ｃｌ
２：Ｅｕ、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂ
ａ,Ｓｒ,Ｅｕ）（Ｍｇ,Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、１０
（Ｓｒ,Ｃａ,Ｂａ,Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、ＢａＭ
ｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕなどを用いることができる。
緑色光蛍光体１８Ｇとしては、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ、Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ＋Ｐｉｇｍｅｎｔ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：
Ｃｕ,Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｕ,Ａｌ＋Ｐｉｍｅｎｔ、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ,Ｇａ）
５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ ５：Ｔｂ、Ｚｎ２Ｓｉ
Ｏ４：Ｍｎ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：
Ｔｂ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ、Ｙ
２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ,Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３（Ｚ
ｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｚｎ,Ｍｎ）２Ｓｉ
Ｏ４、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、（Ｂａ,Ｓｒ,Ｍｇ）
Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：ＭｎＬａＰＯ４：Ｃｅ,Ｔｂ、Ｚｎ
２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ・３（Ｂａ,Ｍｇ,Ｅ
ｕ,Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３・０．２Ｓｉ
Ｏ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ,Ｔｂ、ＣｅＭｇＡｌ１１
Ｏ１９：Ｔｂなどを用いることができる。赤色光蛍光体
１８Ｒとしては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ
＋Ｐｉｇｍｅｎｔ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｚｎ３（ＰＯ４）
２：Ｍｎ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｙ,
Ｇｄ,Ｅｕ）ＢＯ３、（Ｙ,Ｇｄ,Ｅｕ）２Ｏ３、ＹＶＯ
４：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ,Ｓｍ、などを用いるこ
とができる。白色半導体発光装置４の一辺の長さは数ｍ
ｍである。
【００１４】図３（ａ）は、この白色半導体発光装置４
の発光特性を示す図である。横軸は波長を、縦軸は発光
強度を示している。図中には大きく３つのピークがあ
り、左側のピークが主に青色蛍光体１８Ｂからの青色
光、中央のピークが主に緑色蛍光体１８Ｇからの緑色
光、右側のピークが主に赤色蛍光体１８Ｒからの赤色光
である。図２の白色半導体発光装置４は、この赤緑青の
混色により白色光を得る。
の発光特性を示す図である。横軸は波長を、縦軸は発光
強度を示している。図中には大きく３つのピークがあ
り、左側のピークが主に青色蛍光体１８Ｂからの青色
光、中央のピークが主に緑色蛍光体１８Ｇからの緑色
光、右側のピークが主に赤色蛍光体１８Ｒからの赤色光
である。図２の白色半導体発光装置４は、この赤緑青の
混色により白色光を得る。
【００１５】図４（ａ）は、図１の液晶パネル３に用い
られているフィルタの透過特性を示す図である。横軸は
波長を、縦軸は透過率を示している。図１の液晶パネル
３には、３種類のフィルタが用いられている。図４
（ａ）中、左側にピークを持つ線は、青色画素に用いら
れているフィルタＢの透過特性を示している。フィルタ
Ｂは、主に５００ｎｍ以下の波長の光を透過させる。図
４（ａ）中、中央にピークを持つ線は、緑色画素に用い
られているフィルタＧの透過特性を示している。フィル
タＧは、主に４５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光
を透過させる。図４（ａ）中、右側にピークを持つ線
は、赤色画素に用いられているフィルタＲの透過特性を
示している。フィルタＲは、主に５７０ｎｍ以上の波長
の光を透過させる。
られているフィルタの透過特性を示す図である。横軸は
波長を、縦軸は透過率を示している。図１の液晶パネル
３には、３種類のフィルタが用いられている。図４
（ａ）中、左側にピークを持つ線は、青色画素に用いら
れているフィルタＢの透過特性を示している。フィルタ
Ｂは、主に５００ｎｍ以下の波長の光を透過させる。図
４（ａ）中、中央にピークを持つ線は、緑色画素に用い
られているフィルタＧの透過特性を示している。フィル
タＧは、主に４５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光
を透過させる。図４（ａ）中、右側にピークを持つ線
は、赤色画素に用いられているフィルタＲの透過特性を
示している。フィルタＲは、主に５７０ｎｍ以上の波長
の光を透過させる。
【００１６】図５（ａ）は、図１の液晶パネル３の画素
の色純度を示す図である。図中左側にピークを持つ線は
図４（ａ）のフィルタＢを備えた青色画素Ｂの発光のス
ペクトルを示している。このスペクトルは、主に、白色
半導体発光装置４からの青色光（図３左側）がフィルタ
Ｂを透過することにより得られる。図５（ａ）の中央に
ピークを持つ線は図４（ａ）のフィルタＧを備えた緑色
画素Ｇの発光のスペクトルを示している。このスペクト
ルは、主に、白色半導体発光装置４からの緑色光（図３
中央）がフィルタＧを透過することにより得られる。図
５（ａ）の右側にピークを持つ線は赤色フィルタＲを備
えた赤色画素Ｒの発光のスペクトルを示している。この
スペクトルは、主に、白色半導体発光装置４からの赤色
光（図３右側）がフィルタＲを透過することにより得ら
れる。
の色純度を示す図である。図中左側にピークを持つ線は
図４（ａ）のフィルタＢを備えた青色画素Ｂの発光のス
ペクトルを示している。このスペクトルは、主に、白色
半導体発光装置４からの青色光（図３左側）がフィルタ
Ｂを透過することにより得られる。図５（ａ）の中央に
ピークを持つ線は図４（ａ）のフィルタＧを備えた緑色
画素Ｇの発光のスペクトルを示している。このスペクト
ルは、主に、白色半導体発光装置４からの緑色光（図３
中央）がフィルタＧを透過することにより得られる。図
５（ａ）の右側にピークを持つ線は赤色フィルタＲを備
えた赤色画素Ｒの発光のスペクトルを示している。この
スペクトルは、主に、白色半導体発光装置４からの赤色
光（図３右側）がフィルタＲを透過することにより得ら
れる。
【００１７】以上説明した図１の液晶ユニット１では、
白色半導体発光装置４を赤緑青の混色により白色を得る
タイプのものにしたので（図３）、図５に示すように、
液晶ユニット１の赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂ
の発光のスペクトルの幅をいずれも狭くすることがで
き、これにより色純度を高くすることができる。これを
理解するために、以下、従来の液晶ユニットの特性を、
図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）を参照にしつつ、
説明する。
白色半導体発光装置４を赤緑青の混色により白色を得る
タイプのものにしたので（図３）、図５に示すように、
液晶ユニット１の赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂ
の発光のスペクトルの幅をいずれも狭くすることがで
き、これにより色純度を高くすることができる。これを
理解するために、以下、従来の液晶ユニットの特性を、
図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）を参照にしつつ、
説明する。
【００１８】図３（ｂ）は図１５に示す従来の液晶ユニ
ットの半導体発光装置３４の発光特性を示す図である。
従来の液晶ユニットの半導体発光装置３４は、半導体発
光素子からの青色光と、この青色光により励起される蛍
光体からの黄色光と、により白色光を得ている。図３
（ｂ）中左側のピークはこの青色光を、中央から右側の
幅の広いピークはこの黄色光を、示している。
ットの半導体発光装置３４の発光特性を示す図である。
従来の液晶ユニットの半導体発光装置３４は、半導体発
光素子からの青色光と、この青色光により励起される蛍
光体からの黄色光と、により白色光を得ている。図３
（ｂ）中左側のピークはこの青色光を、中央から右側の
幅の広いピークはこの黄色光を、示している。
【００１９】図４（ｂ）は図１５に示す従来の液晶ユニ
ットの液晶パネル３３に用いられているフィルタの透過
特性を示す図である。従来の液晶パネルにも、３種類の
フィルタが用いられている。図４（ｂ）中、左側にピー
クを持つ線は、青色画素に用いられているフィルタＢ２
の透過特性を示している。このフィルタＢ２は、図４
（ａ）に示す本実施形態のフィルタＢと比べ、５００ｎ
ｍ〜５５０ｎｍの長波長の光を多く透過させる。図４
（ｂ）中、中央にピークを持つ線は、緑色画素に用いら
れているフィルタＧ２の透過特性を示している。このフ
ィルタＧ２は、図４（ａ）に示す本実施形態のフィルタ
Ｇと比べ、６００ｎｍ〜６２０ｎｍの長波長の光を多く
透過させる。図４（ｂ）中、右側にピークを持つ線は、
赤色画素に用いられているフィルタＲの透過特性を示し
ている。図４（ａ）に示す本実施形態のフィルタＲは、
これと同じフィルタである。
ットの液晶パネル３３に用いられているフィルタの透過
特性を示す図である。従来の液晶パネルにも、３種類の
フィルタが用いられている。図４（ｂ）中、左側にピー
クを持つ線は、青色画素に用いられているフィルタＢ２
の透過特性を示している。このフィルタＢ２は、図４
（ａ）に示す本実施形態のフィルタＢと比べ、５００ｎ
ｍ〜５５０ｎｍの長波長の光を多く透過させる。図４
（ｂ）中、中央にピークを持つ線は、緑色画素に用いら
れているフィルタＧ２の透過特性を示している。このフ
ィルタＧ２は、図４（ａ）に示す本実施形態のフィルタ
Ｇと比べ、６００ｎｍ〜６２０ｎｍの長波長の光を多く
透過させる。図４（ｂ）中、右側にピークを持つ線は、
赤色画素に用いられているフィルタＲの透過特性を示し
ている。図４（ａ）に示す本実施形態のフィルタＲは、
これと同じフィルタである。
【００２０】図５（ｂ）は、図１５に示す従来の液晶パ
ネル３３の画素の色純度を示す図である。図中左側にピ
ークを持つ線はフィルタＢ２を備えた青色画素Ｂ２の発
光のスペクトルを示している。このスペクトルは、主
に、従来の白色半導体発光装置３４からの青色光（図３
左側）がフィルタＢ２を透過することにより得られる。
図５（ｂ）の中央にピークを持つ線はフィルタＧ２を備
えた緑色画素Ｇ２の発光のスペクトルを示している。こ
のスペクトルは、主に、従来の白色半導体発光装置３４
からの緑色光（図３中央）がフィルタＧ２を透過するこ
とにより得られる。図５（ｂ）の右側にピークを持つ線
は赤色フィルタＲを備えた赤色画素Ｒ２の発光のスペク
トルを示している。この赤色光は、主に、白色半導体発
光装置からの赤色光（図３右側）がフィルタＲを透過す
ることにより得られる。
ネル３３の画素の色純度を示す図である。図中左側にピ
ークを持つ線はフィルタＢ２を備えた青色画素Ｂ２の発
光のスペクトルを示している。このスペクトルは、主
に、従来の白色半導体発光装置３４からの青色光（図３
左側）がフィルタＢ２を透過することにより得られる。
図５（ｂ）の中央にピークを持つ線はフィルタＧ２を備
えた緑色画素Ｇ２の発光のスペクトルを示している。こ
のスペクトルは、主に、従来の白色半導体発光装置３４
からの緑色光（図３中央）がフィルタＧ２を透過するこ
とにより得られる。図５（ｂ）の右側にピークを持つ線
は赤色フィルタＲを備えた赤色画素Ｒ２の発光のスペク
トルを示している。この赤色光は、主に、白色半導体発
光装置からの赤色光（図３右側）がフィルタＲを透過す
ることにより得られる。
【００２１】以上説明した従来の液晶パネル３３の色純
度を示す図５（ｂ）と、本発明の液晶パネル３の色純度
を示す図５（ａ）と、を比較してみれば、図５（ａ）に
示す本発明の液晶ユニット３の方が緑色画素のスペクト
ルＧ、赤色画素のスペクトルＲの幅が狭く、色純度が高
いことが分かる。
度を示す図５（ｂ）と、本発明の液晶パネル３の色純度
を示す図５（ａ）と、を比較してみれば、図５（ａ）に
示す本発明の液晶ユニット３の方が緑色画素のスペクト
ルＧ、赤色画素のスペクトルＲの幅が狭く、色純度が高
いことが分かる。
【００２２】図１の液晶パネル３では、半導体発光装置
１４からの青色光、緑色光のスペクトル（図３（ａ））
に対応した透過特性を有する青色フィルタＢ、緑色フィ
ルタＧ（図４（ａ））を用いたので、図５（ａ）のよう
に、色純度が高い液晶パネルを得ることができる。
１４からの青色光、緑色光のスペクトル（図３（ａ））
に対応した透過特性を有する青色フィルタＢ、緑色フィ
ルタＧ（図４（ａ））を用いたので、図５（ａ）のよう
に、色純度が高い液晶パネルを得ることができる。
【００２３】これに対し、図１の液晶パネル３に、従来
のフィルタであるフィルタＢ２、フィルタＧ２、及びフ
ィルタＲ（図４（ｂ））を用いた場合の画素の色純度を
図６（ａ）に示す。図６（ａ）から分かるように、図１
の液晶パネルにフィルタＢ２を用いると、フィルタＢ２
が透過させるスペクトル幅が広すぎて、青色画素Ｂのス
ペクトル幅が広くなってしまう。また、図１の液晶パネ
ルにフィルタＧ２を用いると、フィルタＧ２が透過させ
るスペクトル幅が広すぎて、緑色画素Ｇのスペクトルに
波長約６３０ｎｍ付近のピークが見られるようになる。
その結果、青色画素、緑色画素の色純度が低下する。
のフィルタであるフィルタＢ２、フィルタＧ２、及びフ
ィルタＲ（図４（ｂ））を用いた場合の画素の色純度を
図６（ａ）に示す。図６（ａ）から分かるように、図１
の液晶パネルにフィルタＢ２を用いると、フィルタＢ２
が透過させるスペクトル幅が広すぎて、青色画素Ｂのス
ペクトル幅が広くなってしまう。また、図１の液晶パネ
ルにフィルタＧ２を用いると、フィルタＧ２が透過させ
るスペクトル幅が広すぎて、緑色画素Ｇのスペクトルに
波長約６３０ｎｍ付近のピークが見られるようになる。
その結果、青色画素、緑色画素の色純度が低下する。
【００２４】また、図１の液晶パネル３に、フィルタ
Ｂ、従来のフィルタＧ２（図４（ｂ））、及びフィルタ
Ｒを用いた場合の画素の色純度を図７に示す。図６の場
合と比較すると、半導体発光素子１４からの青色光の特
性に対応した透過特性を有する青色フィルタＢを用いる
ことで、青色画素Ｇの色純度が高くなることがわかる。
また、この図７と、図５（ａ）と、を比較すると、半導
体発光素子１４からの緑色光の特性に対応した透過特性
を有する緑色フィルタＧを用いることで、緑色画素Ｇの
スペクトルに波長約６３０ｎｍ付近のピークが見られな
くなり、緑色画素Ｇの色純度が高くなることがわかる。
Ｂ、従来のフィルタＧ２（図４（ｂ））、及びフィルタ
Ｒを用いた場合の画素の色純度を図７に示す。図６の場
合と比較すると、半導体発光素子１４からの青色光の特
性に対応した透過特性を有する青色フィルタＢを用いる
ことで、青色画素Ｇの色純度が高くなることがわかる。
また、この図７と、図５（ａ）と、を比較すると、半導
体発光素子１４からの緑色光の特性に対応した透過特性
を有する緑色フィルタＧを用いることで、緑色画素Ｇの
スペクトルに波長約６３０ｎｍ付近のピークが見られな
くなり、緑色画素Ｇの色純度が高くなることがわかる。
【００２５】このように、図１の液晶パネルでは、半導
体発光装置１４の発光スペクトル（図３）に対応した透
過特性を有する青色フィルタＢ、緑色フィルタＧ、赤色
フィルタＲを用いることで、色純度が高い発光を得るこ
とができる。
体発光装置１４の発光スペクトル（図３）に対応した透
過特性を有する青色フィルタＢ、緑色フィルタＧ、赤色
フィルタＲを用いることで、色純度が高い発光を得るこ
とができる。
【００２６】以上説明した本実施形態の液晶ユニットで
は、半導体発光装置４として、図２に示すように、電流
注入により紫外光を放射する半導体発光素子１１と、紫
外光により励起されて青色光を放射する青色蛍光体１８
Ｂと、紫外光により励起されて緑色光を放射する緑色蛍
光体１８Ｇと、紫外光により励起されて赤色光を放射す
る赤色蛍光体１８Ｒと、を有する半導体発光装置を用い
たが、図５（ａ）のようなスペクトルが得られる半導体
発光装置であれば、他の半導体発光装置を用いることも
出来る。例えば、電流注入により青色光を放射する半導
体発光素子と、青色光により励起されて緑色光を放射す
る緑色蛍光体と、青色光により励起されて赤色光を放射
する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置を用いるこ
ともできるし、電流注入によ青色光を放射する半導体発
光素子と、青色光により励起されて緑色光を放射する緑
色蛍光体と、緑色光により励起されて赤色光を放射する
赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置を用いることも
できる。
は、半導体発光装置４として、図２に示すように、電流
注入により紫外光を放射する半導体発光素子１１と、紫
外光により励起されて青色光を放射する青色蛍光体１８
Ｂと、紫外光により励起されて緑色光を放射する緑色蛍
光体１８Ｇと、紫外光により励起されて赤色光を放射す
る赤色蛍光体１８Ｒと、を有する半導体発光装置を用い
たが、図５（ａ）のようなスペクトルが得られる半導体
発光装置であれば、他の半導体発光装置を用いることも
出来る。例えば、電流注入により青色光を放射する半導
体発光素子と、青色光により励起されて緑色光を放射す
る緑色蛍光体と、青色光により励起されて赤色光を放射
する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置を用いるこ
ともできるし、電流注入によ青色光を放射する半導体発
光素子と、青色光により励起されて緑色光を放射する緑
色蛍光体と、緑色光により励起されて赤色光を放射する
赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置を用いることも
できる。
【００２７】（第２の実施の形態）第２の実施の形態の
液晶ユニットの特徴の１つは、図８から分かるように、
照度センサ２７を液晶フレーム２１の内部に搭載するこ
とにより、液晶ユニットを小型化したことである。
液晶ユニットの特徴の１つは、図８から分かるように、
照度センサ２７を液晶フレーム２１の内部に搭載するこ
とにより、液晶ユニットを小型化したことである。
【００２８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係わ
る液晶ユニットを示す図である。液晶フレーム２１、液
晶パネル２３、白色半導体発光装置２４、液晶ドライバ
ー２５等の構造は、第１の実施の形態（図１）と同様で
あり、詳細な説明は省略する。なお、以下では、液晶ド
ライバー２５を、液晶ユニットを動かすための別の回路
であるとして説明する場合がある。
る液晶ユニットを示す図である。液晶フレーム２１、液
晶パネル２３、白色半導体発光装置２４、液晶ドライバ
ー２５等の構造は、第１の実施の形態（図１）と同様で
あり、詳細な説明は省略する。なお、以下では、液晶ド
ライバー２５を、液晶ユニットを動かすための別の回路
であるとして説明する場合がある。
【００２９】図８の装置では、第１の実施の形態（図
１）と同様に、白色半導体発光装置２４に、二次電池か
らの電圧を昇圧電源回路２６によって昇圧して供給す
る。図８の液晶ユニットでは、電圧３．３Ｖの二次電池
を用いた。また、図８の液晶ユニットでは、消費電力を
低くするために照度検出センサ２７によって周囲の照度
を検出し、その照度に応じて、白色半導体発光装置４へ
の供給電力を調整する。図８の液晶ユニットは、この照
度センサ２７、および昇圧電源２６が液晶ユニット２１
上に設けられてことを特徴の１つとする。
１）と同様に、白色半導体発光装置２４に、二次電池か
らの電圧を昇圧電源回路２６によって昇圧して供給す
る。図８の液晶ユニットでは、電圧３．３Ｖの二次電池
を用いた。また、図８の液晶ユニットでは、消費電力を
低くするために照度検出センサ２７によって周囲の照度
を検出し、その照度に応じて、白色半導体発光装置４へ
の供給電力を調整する。図８の液晶ユニットは、この照
度センサ２７、および昇圧電源２６が液晶ユニット２１
上に設けられてことを特徴の１つとする。
【００３０】上記の照度センサ２７の基本回路の一例を
図９に示す。この照度センサのフォトＩＣは、フォトダ
イオードＰＤと、オープンエミッタ回路と、を備える。
オープンエミッタ回路には端子Ｔ１、端子Ｔ２、端子Ｔ
３が設けられており、端子Ｔ３は電源Ｖｃｃに、端子Ｔ
１はグランドＧＮＤにつながれる。ここで、端子Ｔ３
は、Ｖｃｃから供給される電圧を安定させるために、コ
ンデンサＣを介して接地される。また、端子Ｔ２は抵抗
ＲＬを介してグランドＧＮＤにつながれている。この照
度センサでは、フォトＩＣのフォトダイオードＰＤが周
囲の照度ＥＶに応じた照度信号を検出し、この照度信号
がフォトＩＣのオープンエミッタ回路から端子Ｔ２を経
て、Ｖｏｕｔから光電流ＩＬとして出力される。
図９に示す。この照度センサのフォトＩＣは、フォトダ
イオードＰＤと、オープンエミッタ回路と、を備える。
オープンエミッタ回路には端子Ｔ１、端子Ｔ２、端子Ｔ
３が設けられており、端子Ｔ３は電源Ｖｃｃに、端子Ｔ
１はグランドＧＮＤにつながれる。ここで、端子Ｔ３
は、Ｖｃｃから供給される電圧を安定させるために、コ
ンデンサＣを介して接地される。また、端子Ｔ２は抵抗
ＲＬを介してグランドＧＮＤにつながれている。この照
度センサでは、フォトＩＣのフォトダイオードＰＤが周
囲の照度ＥＶに応じた照度信号を検出し、この照度信号
がフォトＩＣのオープンエミッタ回路から端子Ｔ２を経
て、Ｖｏｕｔから光電流ＩＬとして出力される。
【００３１】図１０は、上述の周囲の照度ＥＶと、光電
流ＩＬとの関係を示す図である。図１０からわかるよう
に、周囲の照度ＥＶと、光電流ＩＬと、はほぼ比例関係
にあり、図８の照度検出センサ２７を用いることによ
り、周囲の照度ＥＶに応じた光電流ＩＬを得られること
が分かる。そして、図８の液晶ユニットでは、照度セン
サ２７から出力されたこの光電流ＩＬにより、半導体発
光装置２４の輝度を調整する。
流ＩＬとの関係を示す図である。図１０からわかるよう
に、周囲の照度ＥＶと、光電流ＩＬと、はほぼ比例関係
にあり、図８の照度検出センサ２７を用いることによ
り、周囲の照度ＥＶに応じた光電流ＩＬを得られること
が分かる。そして、図８の液晶ユニットでは、照度セン
サ２７から出力されたこの光電流ＩＬにより、半導体発
光装置２４の輝度を調整する。
【００３２】図８の液晶ユニット２１では、上記の照度
センサ２７が周囲の照度を検出している間に半導体発光
装置２４からの光が入射しないように、照度センサ２７
の駆動時は半導体発光装置２４をオフする駆動回路を用
いている。以下、説明する。
センサ２７が周囲の照度を検出している間に半導体発光
装置２４からの光が入射しないように、照度センサ２７
の駆動時は半導体発光装置２４をオフする駆動回路を用
いている。以下、説明する。
【００３３】図１１は、図８の液晶ユニットの駆動回路
の概略を示すブロック図である。二次電池からの３．３
Ｖの電圧は、昇圧電源回路２６を経て、半導体発光装置
２４と照度検出センサ２７とに切り替えて供給される。
前述のように、二次電池からの３．３Ｖの電圧では半導
体発光装置２４を動作させることができない。このた
め、半導体発光装置２４を点灯させる時は、二次電池か
らの３．３Ｖの電圧は昇圧電源回路２６によって６Ｖに
昇圧され、半導体発光装置２４に供給される。半導体発
光装置２４は、供給された電圧・電流により発光し、液
晶パネル２３（図８）のバックライトとなる。この液晶
パネル２３は液晶スキャン回路（液晶ドライバー）２５
からの垂直同期信号（ＶＳ）、水平同期信号（ＨＳ）に
基づいて画像表示を行う。図１１の液晶ユニットでは一
定期間毎のＶＳに合わせてＴｒｉｇｇｅｒ１が立ち下が
る。このＴｒｉｇｇｅｒ１が昇圧電源回路２６に入力さ
れると、半導体発光装置２４に供給されていた電圧がオ
フされ、電圧供給が切り替えられて、照度検出センサ２
７に電圧が供給される。照度センサ２７に電圧が供給さ
れると、照度センサ２７は周囲の照度に対応する照度信
号を検出し、昇圧電源回路２６に光電流ＩＬを送る。そ
して、Ｔｒｉｇｇｅｒ１の立ち下がりから遅延されたＴ
ｒｉｇｇｅｒ２が立ち上がると、昇圧電源回路２６は、
この光電流をサンプルホールドし、この信号をもとに半
導体発光装置２４への出力電流を設定する。その後、Ｔ
ｒｉｇｇｅｒ２が立ち下がり、Ｔｒｉｇｇｅｒ１が立ち
上がると、照度検出センサ２７に供給されていた電圧は
再びオフされ、電圧供給が切り替えられて、半導体発光
装置２４に電圧が供給される。この時、サンプルホール
ドされた信号を基にして、半導体発光装置２４の輝度が
調整される。即ち、周囲が明るい場合は、液晶パネルを
明るくして見やすくするために、半導体発光装置２４の
輝度は高くされる。逆に周囲が暗い場合は、液晶パネル
は暗くても十分見えるので、消費電力を抑えるため、半
導体発光装置の輝度は低くされる。このように、図９の
液晶ユニット１ではＴｒｉｇｇｅｒ１に合わせて半導体
発光装置２４と照度検出センサ２６に切り替えて電圧を
供給することにより、照度検出センサ２６に半導体発光
装置２４からの光が入射しないようにしている。
の概略を示すブロック図である。二次電池からの３．３
Ｖの電圧は、昇圧電源回路２６を経て、半導体発光装置
２４と照度検出センサ２７とに切り替えて供給される。
前述のように、二次電池からの３．３Ｖの電圧では半導
体発光装置２４を動作させることができない。このた
め、半導体発光装置２４を点灯させる時は、二次電池か
らの３．３Ｖの電圧は昇圧電源回路２６によって６Ｖに
昇圧され、半導体発光装置２４に供給される。半導体発
光装置２４は、供給された電圧・電流により発光し、液
晶パネル２３（図８）のバックライトとなる。この液晶
パネル２３は液晶スキャン回路（液晶ドライバー）２５
からの垂直同期信号（ＶＳ）、水平同期信号（ＨＳ）に
基づいて画像表示を行う。図１１の液晶ユニットでは一
定期間毎のＶＳに合わせてＴｒｉｇｇｅｒ１が立ち下が
る。このＴｒｉｇｇｅｒ１が昇圧電源回路２６に入力さ
れると、半導体発光装置２４に供給されていた電圧がオ
フされ、電圧供給が切り替えられて、照度検出センサ２
７に電圧が供給される。照度センサ２７に電圧が供給さ
れると、照度センサ２７は周囲の照度に対応する照度信
号を検出し、昇圧電源回路２６に光電流ＩＬを送る。そ
して、Ｔｒｉｇｇｅｒ１の立ち下がりから遅延されたＴ
ｒｉｇｇｅｒ２が立ち上がると、昇圧電源回路２６は、
この光電流をサンプルホールドし、この信号をもとに半
導体発光装置２４への出力電流を設定する。その後、Ｔ
ｒｉｇｇｅｒ２が立ち下がり、Ｔｒｉｇｇｅｒ１が立ち
上がると、照度検出センサ２７に供給されていた電圧は
再びオフされ、電圧供給が切り替えられて、半導体発光
装置２４に電圧が供給される。この時、サンプルホール
ドされた信号を基にして、半導体発光装置２４の輝度が
調整される。即ち、周囲が明るい場合は、液晶パネルを
明るくして見やすくするために、半導体発光装置２４の
輝度は高くされる。逆に周囲が暗い場合は、液晶パネル
は暗くても十分見えるので、消費電力を抑えるため、半
導体発光装置の輝度は低くされる。このように、図９の
液晶ユニット１ではＴｒｉｇｇｅｒ１に合わせて半導体
発光装置２４と照度検出センサ２６に切り替えて電圧を
供給することにより、照度検出センサ２６に半導体発光
装置２４からの光が入射しないようにしている。
【００３４】図１１の駆動回路をさらに具体的に示した
例を、図１２に示す。図１２の回路は、ユニット化され
ている汎用の昇圧電源回路２６に各種の素子を外付けし
て構成し、この昇圧電源回路２６がもっている端子（ピ
ン）に各種の信号を加えて所期の動作を行わせるように
したものである。図１２の昇圧電源回路２６は、図中左
下のＩＮ端子から電源が投入されて、動作する（ＳＯＦ
Ｔ ＳＴＡＲＴ）。また、図中右下のＧＮＤ端子により
接地される。この昇圧電源回路２６の図中左上には、こ
の装置が備える二次電池ＶＢＡＴが接続され、ＬＥＤ
（ｉ）の動作電圧より低い電圧ＶＣＣが入力される。こ
の電圧ＶＣＣはスイッチ回路ＳＷに入力される。このス
イッチＳＷの出力ＳＬ、ＳＰはＶ３端子、Ｖ２端子に接
続されている。上記の二次電池の電圧ＶＣＣはスイッチ
回路ＳＷに入力されると同時に、オシレータＯＳＣに入
力されている。このオシレータＯＳＣは図中左側の接地
されたコンデンサＣＯＳＣに接続されている。そして、
オシレータＯＳＣの出力は、増幅器Ａ２を経て、ＳＲフ
リップフロップＦＦのＳ入力に入力される。ここで、増
幅器Ａ２には、電源Ｂが接続されている。フリップフロ
ップＦＦは、このＳ入力への入力とＲ入力への入力に基
づき、ＯＮまたはＯＦＦの信号をＱ出力から出力する。
フリップフロップＦＦのＱ出力からの出力は次段のトラ
ンジスタＴのベースＢに入力されており、フリップフロ
ップＦＦの出力のＯＮ、ＯＦＦに対応して、トランジス
タＴをＯＮ、ＯＦＦにする。このトランジスタＴのエミ
ッタＥは接地されており、コレクタＣはＶ１端子に接続
されている。一方、昇圧電源回路２６の上記スイッチＳ
Ｗには、図中左側の液晶スキャン回路２５からのトリガ
ー信号Ｔｒｉｇｇｅｒ１が加えられている。また、昇圧
電原回路２６のサンプルホールドＳａｍｐｌｅ ｈｏｌ
ｄには、図中左側の照度検出センサ２７からの光電流が
加えられている。このサンプルホールドには上記スイッ
チＳＷからのトリガー信号Ｔｒｉｇｇｅｒ２が加えられ
る。このサンプルホールドからの出力は、比較増幅器Ａ
１の一端に入力されている。このＡ１の他端の入力に
は、後述するフィードバック端子ＦＢからの信号が加え
られている。また、このＡ１の出力は、前述したフリッ
プフロップＦＦのＲ入力端子に加えられる。以上説明し
た昇圧電源回路２６のＶ３端子には、コイルＬが接続さ
れている。このＬの他端はＶ１端子に接続されると共
に、ダイオードＤに接続されている。このダイオードＤ
のカソードは、接地されたコンデンサＣ２を経てＬＥＤ
（ｉ）につながれている。即ち、Ｒ１（１）、ＬＥＤ
（１）、Ｒ２（１）の第１の直列回路と、Ｒ１（２）、
ＬＥＤ（２）、Ｒ２（２）の第２の直列回路とに並列に
接続されている。この第１の直列回路におけるＬＥＤ
（１）の出力は、前述のＦＢ端子に接続されている。
例を、図１２に示す。図１２の回路は、ユニット化され
ている汎用の昇圧電源回路２６に各種の素子を外付けし
て構成し、この昇圧電源回路２６がもっている端子（ピ
ン）に各種の信号を加えて所期の動作を行わせるように
したものである。図１２の昇圧電源回路２６は、図中左
下のＩＮ端子から電源が投入されて、動作する（ＳＯＦ
Ｔ ＳＴＡＲＴ）。また、図中右下のＧＮＤ端子により
接地される。この昇圧電源回路２６の図中左上には、こ
の装置が備える二次電池ＶＢＡＴが接続され、ＬＥＤ
（ｉ）の動作電圧より低い電圧ＶＣＣが入力される。こ
の電圧ＶＣＣはスイッチ回路ＳＷに入力される。このス
イッチＳＷの出力ＳＬ、ＳＰはＶ３端子、Ｖ２端子に接
続されている。上記の二次電池の電圧ＶＣＣはスイッチ
回路ＳＷに入力されると同時に、オシレータＯＳＣに入
力されている。このオシレータＯＳＣは図中左側の接地
されたコンデンサＣＯＳＣに接続されている。そして、
オシレータＯＳＣの出力は、増幅器Ａ２を経て、ＳＲフ
リップフロップＦＦのＳ入力に入力される。ここで、増
幅器Ａ２には、電源Ｂが接続されている。フリップフロ
ップＦＦは、このＳ入力への入力とＲ入力への入力に基
づき、ＯＮまたはＯＦＦの信号をＱ出力から出力する。
フリップフロップＦＦのＱ出力からの出力は次段のトラ
ンジスタＴのベースＢに入力されており、フリップフロ
ップＦＦの出力のＯＮ、ＯＦＦに対応して、トランジス
タＴをＯＮ、ＯＦＦにする。このトランジスタＴのエミ
ッタＥは接地されており、コレクタＣはＶ１端子に接続
されている。一方、昇圧電源回路２６の上記スイッチＳ
Ｗには、図中左側の液晶スキャン回路２５からのトリガ
ー信号Ｔｒｉｇｇｅｒ１が加えられている。また、昇圧
電原回路２６のサンプルホールドＳａｍｐｌｅ ｈｏｌ
ｄには、図中左側の照度検出センサ２７からの光電流が
加えられている。このサンプルホールドには上記スイッ
チＳＷからのトリガー信号Ｔｒｉｇｇｅｒ２が加えられ
る。このサンプルホールドからの出力は、比較増幅器Ａ
１の一端に入力されている。このＡ１の他端の入力に
は、後述するフィードバック端子ＦＢからの信号が加え
られている。また、このＡ１の出力は、前述したフリッ
プフロップＦＦのＲ入力端子に加えられる。以上説明し
た昇圧電源回路２６のＶ３端子には、コイルＬが接続さ
れている。このＬの他端はＶ１端子に接続されると共
に、ダイオードＤに接続されている。このダイオードＤ
のカソードは、接地されたコンデンサＣ２を経てＬＥＤ
（ｉ）につながれている。即ち、Ｒ１（１）、ＬＥＤ
（１）、Ｒ２（１）の第１の直列回路と、Ｒ１（２）、
ＬＥＤ（２）、Ｒ２（２）の第２の直列回路とに並列に
接続されている。この第１の直列回路におけるＬＥＤ
（１）の出力は、前述のＦＢ端子に接続されている。
【００３５】次に、図１２の回路の駆動方法を説明す
る。
る。
【００３６】まず、半導体発光装置２４のＬＥＤ（ｉ）
がＯＮの状態について説明する。上記のスイッチ回路Ｓ
Ｗの出力は、ＳＬ側と、ＳＰ側と、に切り替わるように
なっており、この出力がＳＬ側になると、コイルＬに急
激に電流が流れようとする。
がＯＮの状態について説明する。上記のスイッチ回路Ｓ
Ｗの出力は、ＳＬ側と、ＳＰ側と、に切り替わるように
なっており、この出力がＳＬ側になると、コイルＬに急
激に電流が流れようとする。
【００３７】すると、コイルＬの働きにより、二次電池
からの電圧ＶＢＡＴが昇圧され、この昇圧された電圧が
ダイオードＤを介して半導体発光装置２４のＬＥＤ
（ｉ）に供給される。この時、電流は２つに分けられ，
一方はダイオードＤから抵抗Ｒ１（ｉ）を経てＬＥＤ
（ｉ）に供給され、他方は端子Ｖ１を経てトランジスタ
ＴのコレクタＣからエミッタＥに流れる。一定時間あた
りにトランジスタＴ側に流れる量は、上記のフリップフ
ロップＦＦの出力Ｑにより調整される。この出力ＱがＯ
Ｎの時間が長いと、トランジスタＴがＯＮの時間が長く
なり、一定時間当たりにトランジスタT側に流れる電流
が多くなる。逆にＯＮの時間が短いと、トランジスタＴ
がＯＮの時間が短くなり、一定時間あたりにトランジス
タＴ側に流れる電流が少なくなる。そして、トランジス
タＴに流れる電流が多いときは、ＬＥＤ（ｉ）に流れる
電流は少なくなり、ＬＥＤ（ｉ）は暗くなる。逆に、ト
ランジスタＴに流れる電流が少ないときは、ＬＥＤ
（ｉ）は明るくなる。このようにして、ＬＥＤ（ｉ）
は、供給された電圧・電流により発光する。
からの電圧ＶＢＡＴが昇圧され、この昇圧された電圧が
ダイオードＤを介して半導体発光装置２４のＬＥＤ
（ｉ）に供給される。この時、電流は２つに分けられ，
一方はダイオードＤから抵抗Ｒ１（ｉ）を経てＬＥＤ
（ｉ）に供給され、他方は端子Ｖ１を経てトランジスタ
ＴのコレクタＣからエミッタＥに流れる。一定時間あた
りにトランジスタＴ側に流れる量は、上記のフリップフ
ロップＦＦの出力Ｑにより調整される。この出力ＱがＯ
Ｎの時間が長いと、トランジスタＴがＯＮの時間が長く
なり、一定時間当たりにトランジスタT側に流れる電流
が多くなる。逆にＯＮの時間が短いと、トランジスタＴ
がＯＮの時間が短くなり、一定時間あたりにトランジス
タＴ側に流れる電流が少なくなる。そして、トランジス
タＴに流れる電流が多いときは、ＬＥＤ（ｉ）に流れる
電流は少なくなり、ＬＥＤ（ｉ）は暗くなる。逆に、ト
ランジスタＴに流れる電流が少ないときは、ＬＥＤ
（ｉ）は明るくなる。このようにして、ＬＥＤ（ｉ）
は、供給された電圧・電流により発光する。
【００３８】次に、ＬＥＤ（ｉ）がＯＦＦになり、照度
検出センサがＯＮになった状態について説明する。図中
左側の液晶スキャン回路２５の垂直同期信号（ＶＳ）に
合わせてＴｒｕｇｇｅｒ１が立ち下がると、このＴｒｉ
ｇｇｅｒ１がスイッチ回路ＳＷに入力され、スイッチ回
路ＳＷの出力がＳＰに切り替わる。出力ＳＰからの電圧
は、端子Ｖ２を経て、照度検出センサ２７に入力され
る。電圧が入力されると、照度検出センサ２７はＯＮに
なり、周囲の照度に対応した照度信号を検出し、その明
るさに応じた光電流を出力する。その後、Ｔｒｉｇｇｅ
ｒ１の立ち下がりから遅延されたＴｒｉｇｇｅｒ２が立
ち上がり、スイッチ回路ＳＷからサンプルホールド回路
のコントロール信号として出力される。このＴｒｉｇｇ
ｅｒ２がサンプルホールド回路に送られると、サンプル
ホールド回路はこの時の照度センサ２７からの信号（光
電流）をサンプルホールドする。サンプルホールドされ
た出力は、比較器Ａ１に入力される。
検出センサがＯＮになった状態について説明する。図中
左側の液晶スキャン回路２５の垂直同期信号（ＶＳ）に
合わせてＴｒｕｇｇｅｒ１が立ち下がると、このＴｒｉ
ｇｇｅｒ１がスイッチ回路ＳＷに入力され、スイッチ回
路ＳＷの出力がＳＰに切り替わる。出力ＳＰからの電圧
は、端子Ｖ２を経て、照度検出センサ２７に入力され
る。電圧が入力されると、照度検出センサ２７はＯＮに
なり、周囲の照度に対応した照度信号を検出し、その明
るさに応じた光電流を出力する。その後、Ｔｒｉｇｇｅ
ｒ１の立ち下がりから遅延されたＴｒｉｇｇｅｒ２が立
ち上がり、スイッチ回路ＳＷからサンプルホールド回路
のコントロール信号として出力される。このＴｒｉｇｇ
ｅｒ２がサンプルホールド回路に送られると、サンプル
ホールド回路はこの時の照度センサ２７からの信号（光
電流）をサンプルホールドする。サンプルホールドされ
た出力は、比較器Ａ１に入力される。
【００３９】次に、ＬＥＤ（ｉ）が再び ＯＮになり、
照度検出センサがＯＦＦになった状態について説明す
る。Ｔｒｉｇｇｅｒ２が再び立ち下がり、Ｔｒｉｇｇｅ
ｒ１が再び立ち上がると、スイッチ回路ＳＷの出力がＳ
Ｌに切り替えられ、ＬＥＤ（ｉ）がＯＮになる。この
時、サンプルホールドされた上述の信号に応じて、ＬＥ
Ｄ（ｉ）の明るさを調整する動作を行う。即ち、比較器
Ａ１は、ＦＢ端子を介して入力されるＬＥＤ（１）の電
流と、サンプルホールドされた信号と、を比較しフリッ
プフロップＦＦのリセットＲに信号を送る。フリップフ
ロップＦＦは、リセットＲに送られた信号に応じて出力
ＱをＯＮにする時間を調整する。そして、上述のように
このＯＮの時間を調整することにより、ＬＥＤ（ｉ）の
明るさを調整する。
照度検出センサがＯＦＦになった状態について説明す
る。Ｔｒｉｇｇｅｒ２が再び立ち下がり、Ｔｒｉｇｇｅ
ｒ１が再び立ち上がると、スイッチ回路ＳＷの出力がＳ
Ｌに切り替えられ、ＬＥＤ（ｉ）がＯＮになる。この
時、サンプルホールドされた上述の信号に応じて、ＬＥ
Ｄ（ｉ）の明るさを調整する動作を行う。即ち、比較器
Ａ１は、ＦＢ端子を介して入力されるＬＥＤ（１）の電
流と、サンプルホールドされた信号と、を比較しフリッ
プフロップＦＦのリセットＲに信号を送る。フリップフ
ロップＦＦは、リセットＲに送られた信号に応じて出力
ＱをＯＮにする時間を調整する。そして、上述のように
このＯＮの時間を調整することにより、ＬＥＤ（ｉ）の
明るさを調整する。
【００４０】図１３は、以上で説明した図１２の回路の
タイミングチャートである。液晶スキャン回路２５（図
１１）は、周期的にスキャンの頭出しをする垂直同期信
号ＶＳを出力しており、これに対応して液晶パネル２３
に１フィールドｆｉｅｌｄ毎の表示がされる。この垂直
同期信号ＶＳのうち、一定間隔毎の垂直同期信号ＶＳに
合わせてその前後にブランキングを設け、この時間を利
用して、Ｔｒｉｇｇｅｒ１を発生させる。Ｔｒｉｇｇｅ
ｒ１が立ち下がると、半導体発光装置２４のＬＥＤがＯ
ＦＦになり、照度検出センサ２７のＰｈｏｔｏ ＩＣが
ＯＮになる。この時、Ｐｈｏｔｏ ＩＣは、外光に応じ
た照度信号を検出し、光電流を出力する。その後、Ｔｒ
ｉｇｇｅｒ１の立ち下がりから遅延されたトＴｒｉｇｇ
ｅｒ２が立ち上がると、この光電流がサンプルホールド
される。その後、Ｔｒｉｇｇｅｒ２が立ち下がり、さら
にＴｒｉｇｇｅｒ１が立ち上がると、Ｐｈｏｔｏ ＩＣ
はＯＦＦになり、ＬＥＤがＯＮになる。この時、サンプ
ルホールドされた信号は、前述のように、ＬＥＤの輝度
の調整に用いられる。以下、これが繰り返される。
タイミングチャートである。液晶スキャン回路２５（図
１１）は、周期的にスキャンの頭出しをする垂直同期信
号ＶＳを出力しており、これに対応して液晶パネル２３
に１フィールドｆｉｅｌｄ毎の表示がされる。この垂直
同期信号ＶＳのうち、一定間隔毎の垂直同期信号ＶＳに
合わせてその前後にブランキングを設け、この時間を利
用して、Ｔｒｉｇｇｅｒ１を発生させる。Ｔｒｉｇｇｅ
ｒ１が立ち下がると、半導体発光装置２４のＬＥＤがＯ
ＦＦになり、照度検出センサ２７のＰｈｏｔｏ ＩＣが
ＯＮになる。この時、Ｐｈｏｔｏ ＩＣは、外光に応じ
た照度信号を検出し、光電流を出力する。その後、Ｔｒ
ｉｇｇｅｒ１の立ち下がりから遅延されたトＴｒｉｇｇ
ｅｒ２が立ち上がると、この光電流がサンプルホールド
される。その後、Ｔｒｉｇｇｅｒ２が立ち下がり、さら
にＴｒｉｇｇｅｒ１が立ち上がると、Ｐｈｏｔｏ ＩＣ
はＯＦＦになり、ＬＥＤがＯＮになる。この時、サンプ
ルホールドされた信号は、前述のように、ＬＥＤの輝度
の調整に用いられる。以下、これが繰り返される。
【００４１】以上説明した図８の液晶ユニットでは、周
囲の照度を検出する照度センサ２４がＯＮの時には、液
晶パネル２３のバックライトとなる半導体発光装置２４
がＯＦＦになるようにしたので、照度センサ２４が周囲
の照度を検出している間は、照度検出センサ２４に半導
体発光装置２４の光が入射しないようにすることができ
る。このため、図８の液晶ユニットでは照度検出センサ
２４を半導体発光装置２４の近傍に搭載することが可能
になる。そしてこれにより、液晶ユニット２１を、従来
の液晶ユニット（図１５）に比べて小型化することがで
きる。
囲の照度を検出する照度センサ２４がＯＮの時には、液
晶パネル２３のバックライトとなる半導体発光装置２４
がＯＦＦになるようにしたので、照度センサ２４が周囲
の照度を検出している間は、照度検出センサ２４に半導
体発光装置２４の光が入射しないようにすることができ
る。このため、図８の液晶ユニットでは照度検出センサ
２４を半導体発光装置２４の近傍に搭載することが可能
になる。そしてこれにより、液晶ユニット２１を、従来
の液晶ユニット（図１５）に比べて小型化することがで
きる。
【００４２】また、図８の液晶ユニットでは、図１２に
示したように、ユニット化されている汎用の回路を用い
て照度検出センサ２７と半導体発光装置２４のＯＮ、Ｏ
ＦＦの切り替えを行うことが出来るので、従来の液晶ユ
ニットに比べてコストが高くならない。
示したように、ユニット化されている汎用の回路を用い
て照度検出センサ２７と半導体発光装置２４のＯＮ、Ｏ
ＦＦの切り替えを行うことが出来るので、従来の液晶ユ
ニットに比べてコストが高くならない。
【００４３】また、図８の液晶ユニットでは、照度検出
センサ２７と半導体発光装置２４のＯＮ、ＯＦＦの切り
替えのための信号Ｔｉｇｇｅｒ１を、液晶ユニット２１
の液晶スキャン回路２５の垂直同期信号ＶＳを利用して
作ることができるので、この信号Ｔｒｉｇｇｅｒ１を作
るために別の回路を増設する必要がなく、コストを低く
抑えることができる。
センサ２７と半導体発光装置２４のＯＮ、ＯＦＦの切り
替えのための信号Ｔｉｇｇｅｒ１を、液晶ユニット２１
の液晶スキャン回路２５の垂直同期信号ＶＳを利用して
作ることができるので、この信号Ｔｒｉｇｇｅｒ１を作
るために別の回路を増設する必要がなく、コストを低く
抑えることができる。
【００４４】（第２の実施の形態の変形例）図１４は、
本発明の第２の実施の形態の変形例の液晶ユニットの駆
動回路の概略を示すブロック図であり、第２の実施の形
態の図１１に対応する図である。本実施形態の液晶ユニ
ットの全体図は、図８と同じである。本実施形態の装置
は、図１４に示すように、携帯電話のキーパットを押し
た場合や液晶表面のタッチセンサに触れた場合に、Ｋｅ
ｙ入力時信号やその他の信号が、インターフェースＩ／
Ｆを介して、半導体発光装置２４に送られるようになっ
ている。
本発明の第２の実施の形態の変形例の液晶ユニットの駆
動回路の概略を示すブロック図であり、第２の実施の形
態の図１１に対応する図である。本実施形態の液晶ユニ
ットの全体図は、図８と同じである。本実施形態の装置
は、図１４に示すように、携帯電話のキーパットを押し
た場合や液晶表面のタッチセンサに触れた場合に、Ｋｅ
ｙ入力時信号やその他の信号が、インターフェースＩ／
Ｆを介して、半導体発光装置２４に送られるようになっ
ている。
【００４５】本実施形態のようにすることで、手動で液
晶パネル２３の明るさを調整したり、必要に応じて液晶
パネル２３の明るさを変えるなど、液晶パネル２３をさ
まざまな明るさに制御できる。
晶パネル２３の明るさを調整したり、必要に応じて液晶
パネル２３の明るさを変えるなど、液晶パネル２３をさ
まざまな明るさに制御できる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、液晶パネルと、その光
源になる半導体発光装置と、を用いた液晶ユニットにお
いて、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体を有する半
導体発光装置と、それらの蛍光体からの発光の特性に対
応した透過特性を有するフィルタを用いた液晶パネル
と、を用いたので、色純度が高い液晶ユニットを提供す
ることができる。また、本発明によれば、液晶パネル
と、その液晶パネルの光源になる発光装置と、周囲の照
度を検知してその発光装置の輝度を調整する照度検出セ
ンサと、を備えた液晶ユニットにおいて、発光装置が一
定期間毎に消灯し、この消灯の間に照度検出センサが周
囲の照度を検出するようにしたので、液晶ユニットを小
型化することができる。
源になる半導体発光装置と、を用いた液晶ユニットにお
いて、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体を有する半
導体発光装置と、それらの蛍光体からの発光の特性に対
応した透過特性を有するフィルタを用いた液晶パネル
と、を用いたので、色純度が高い液晶ユニットを提供す
ることができる。また、本発明によれば、液晶パネル
と、その液晶パネルの光源になる発光装置と、周囲の照
度を検知してその発光装置の輝度を調整する照度検出セ
ンサと、を備えた液晶ユニットにおいて、発光装置が一
定期間毎に消灯し、この消灯の間に照度検出センサが周
囲の照度を検出するようにしたので、液晶ユニットを小
型化することができる。
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットを示す図。
ットを示す図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットの半導体発光装置を示す断面図。
ットの半導体発光装置を示す断面図。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットの半導体発光装置の発光スペクトルを示す図
（ａ）、及び従来の液晶ユニットの半導体発光装置の発
光スペクトルを示す図（ｂ）。
ットの半導体発光装置の発光スペクトルを示す図
（ａ）、及び従来の液晶ユニットの半導体発光装置の発
光スペクトルを示す図（ｂ）。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットの液晶パネルのフィルタの透過光のスペクトルを示
す図（ａ）、及び従来の液晶ユニットの液晶パネルのフ
ィルタの透過光のスペクトルを示す図（ｂ）。
ットの液晶パネルのフィルタの透過光のスペクトルを示
す図（ａ）、及び従来の液晶ユニットの液晶パネルのフ
ィルタの透過光のスペクトルを示す図（ｂ）。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットの液晶パネルの画素の色純度を示す図（ａ）、及び
従来の液晶ユニットの液晶パネルの画素の色純度を示す
図（ｂ）。
ットの液晶パネルの画素の色純度を示す図（ａ）、及び
従来の液晶ユニットの液晶パネルの画素の色純度を示す
図（ｂ）。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットの液晶パネルのフィルタＢ及びフィルタＧを、従来
の液晶ユニットの液晶パネルのフィルタＢ２及びフィル
タＧ２に変えた場合の、画素の色純度を示す図。
ットの液晶パネルのフィルタＢ及びフィルタＧを、従来
の液晶ユニットの液晶パネルのフィルタＢ２及びフィル
タＧ２に変えた場合の、画素の色純度を示す図。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態の液晶ユニ
ットの液晶パネルのフィルタＧを、従来の液晶ユニット
の液晶パネルのフィルタＧ２に変えた場合の、画素の色
純度を示す図。
ットの液晶パネルのフィルタＧを、従来の液晶ユニット
の液晶パネルのフィルタＧ２に変えた場合の、画素の色
純度を示す図。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態の液晶ユニ
ットを示す図。
ットを示す図。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態の液晶ユニ
ットの照度センサの回路を示す図。
ットの照度センサの回路を示す図。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態の液晶
ユニットの照度センサの、照度Ｅ Ｖと光電流ＩＬの関係
を示す図。
ユニットの照度センサの、照度Ｅ Ｖと光電流ＩＬの関係
を示す図。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態の液晶
ユニットの駆動回路の概略を示すブロック図。
ユニットの駆動回路の概略を示すブロック図。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態の液晶
ユニットの駆動回路を示す回路図。
ユニットの駆動回路を示す回路図。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態の液晶
ユニットの駆動回路のタイミングチャート。
ユニットの駆動回路のタイミングチャート。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態の変形
例の液晶ユニットの駆動回路の概略を示すブロック図。
例の液晶ユニットの駆動回路の概略を示すブロック図。
【図１５】図１５は、従来の液晶ユニットを示す図。
３、２３、３３ 液晶パネル
４、２４、３４ 半導体発光装置
５、２５、３５ 液晶ドライバー（液晶スキャン回路）
６、２６、３６ 昇圧電源回路
７、２７、３７ 照度検出センサ
１１ 電流流入により紫外光を放射する半導体発光素子
１８Ｂ 紫外光により励起されて青色光を放射する青色
蛍光体 １８Ｇ 紫外光により励起されて緑色光を放射する緑色
蛍光体 １８Ｒ 紫外光により励起されて赤色光を放射する赤色
蛍光体
蛍光体 １８Ｇ 紫外光により励起されて緑色光を放射する緑色
蛍光体 １８Ｒ 紫外光により励起されて赤色光を放射する赤色
蛍光体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H091 FA02Z FA45Z FD24 LA20
MA10
2H093 NC42 NC55 NC62 ND07 ND24
NG20
5F041 AA11 CA40 DA19 DA46 EE22
EE25 FF16
Claims (7)
- 【請求項１】電流注入により紫外光を放射する半導体発
光素子と、前記紫外光により励起されて青色光を放射す
る青色蛍光体と、前記紫外光により励起されて緑色光を
放射する緑色蛍光体と、前記紫外光により励起されて赤
色光を放射する赤色蛍光体と、を有する半導体発光装置
と、 前記青色光の特性に対応した透過特性を有する青色フィ
ルタを備える青色画素と、前記緑色光に対応した透過特
性を有する緑色フィルタを備える緑色画素と、前記赤色
光に対応した透過特性を有する赤色フィルタを備える赤
色画素と、を用いて表示を行う液晶パネルと、 を備えることを特徴とする液晶ユニット。 - 【請求項２】前記青色フィルタが透過させる光の主な波
長が、５００ｎｍ以下であること特徴とする請求項１記
載の液晶ユニット。 - 【請求項３】同期信号に基づいて画像表示を行う液晶パ
ネルと、 前記液晶パネルの光源となり、前記同期信号に基づいて
一定期間毎に消灯するものとして構成された発光装置
と、 前記発光装置の輝度を調整するために前記発光装置が消
灯している間に周囲の照度に対応する照度信号を検出す
る照度検出センサと、 を備えることを特徴とする液晶ユニット。 - 【請求項４】前記同期信号が、垂直同期信号であること
を特徴とする請求項３記載の液晶ユニット。 - 【請求項５】前記発光装置がＧａＮ系の半導体発光装置
であり、前記半導体発光装置に対して電源電圧を昇圧し
て供給するための昇圧電源回路をさらに備えることを特
徴とする請求項３記載の液晶ユニット。 - 【請求項６】前記輝度の調整を、前記昇圧電源回路よっ
て、前記照度検出センサが検知した前記照度信号に応じ
て前記半導体発光装置に供給する電流を制御して行うこ
とを特徴とする請求項５記載の液晶ユニット。 - 【請求項７】同期信号に基づいて画像表示を行う液晶パ
ネルと、前記液晶パネルの光源となる発光装置と、前記
発光装置の輝度を調整するために周囲の照度に対応する
照度信号を検出する照度検出センサと、を備える液晶ユ
ニットの駆動方法であって、 前記発光装置を前記同期信号に合わせて一定期間毎に消
灯させ、 前記発光装置が消灯している間に前記照度検出センサに
前記照度信号を検出させることを特徴とする液晶ユニッ
トの駆動方法。
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| JP2001207576A JP2003021821A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 液晶ユニットおよびその駆動方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001207576A JP2003021821A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 液晶ユニットおよびその駆動方法 |
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-
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- 2001-07-09 JP JP2001207576A patent/JP2003021821A/ja active Pending
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