JP2003017614A - ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 - Google Patents

ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置

Info

Publication number
JP2003017614A
JP2003017614A JP2001197639A JP2001197639A JP2003017614A JP 2003017614 A JP2003017614 A JP 2003017614A JP 2001197639 A JP2001197639 A JP 2001197639A JP 2001197639 A JP2001197639 A JP 2001197639A JP 2003017614 A JP2003017614 A JP 2003017614A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pin
diameter portion
diameter
solder
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001197639A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Nakamura
憲志 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2001197639A priority Critical patent/JP2003017614A/ja
Publication of JP2003017614A publication Critical patent/JP2003017614A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードピンが容易に取れることがなく、搭載
する電子部品を外部電気回路に正常に接続することがで
きるピン付き配線基板および電子装置を提供すること。 【解決手段】 配線導体2を有する有機材料系の絶縁基
板1の下面に配線導体2と電気的に接続されたピン付け
パッド2bを設けるとともにこのピン付けパッド2b
に、略円柱状の軸部3aの上端に略円板状の径大部3b
を形成した銅合金から成るリードピン3を径大部3bと
ピン付けパッド2bとの間に半田9を介在させて立設し
て成るピン付き配線基板であって、軸部3aの直径を
A、径大部3bの直径をB、径大部3bの厚みをCとし
たときに、1.8≦B/A≦2.5であり、かつ3.4≦B/C
≦4.4である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品を搭載するために用いられるピン付き配線基板お
よびこのピン付き配線基板上に半導体素子等の電子部品
を搭載して成る電子装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近時、半導体素子等の電子部品を搭載す
るために用いられるピン付き配線基板として、例えばガ
ラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等か
ら成る絶縁層を複数層積層して成る絶縁基板の上面から
下面にかけて銅箔等から成る複数の配線導体を設けると
ともにこれらの配線導体の絶縁基板下面に導出した部位
に複数のピン付けパッドを形成し、これらのピン付けパ
ッドに、円柱状の軸部の上端に厚みがこの軸部の直径の
半分程度で直径が厚みの3倍程度の円板状の径大部を設
けて成るリードピンをその径大部を突き当てて半田付け
することにより立設して成る有機材料系のピン付き配線
基板が採用されるようになってきている。このような有
機材料系のピン付き配線基板は、セラミック材料系のピ
ン付き配線基板と比較して軽量であり、かつ配線導体の
電気抵抗が小さいという有利な面を有している。そし
て、このような有機材料系のピン付き配線基板において
は絶縁基板の上面に電子部品を搭載するとともに電子部
品の電極と配線導体とを半田バンプやボンディングワイ
ヤ等を介して電気的に接続した後、電子部品を金属やセ
ラミックから成る蓋体やポッティング樹脂等から成る封
止部材により封止することによって製品としての電子装
置となり、この電子装置においては、絶縁基板下面のリ
ードピンを外部電気回路基板の配線導体にソケットや半
田等を介して接続することにより外部電気回路基板上に
実装されるとともに搭載する電子部品が外部電気回路に
電気的に接続されることとなる。
【0003】なお、このような配線基板におけるリード
ピンとしては、樹脂製の絶縁基体と熱膨張係数が近い銅
合金製のリードピンが使用されるようになってきてお
り、またリードピンとピン付けパッドとを半田付けする
半田としては、樹脂製の絶縁基体に半田付け時の熱によ
るダメージを与えないために、さらに外部リードピンに
外力が印加された際等に外部リードピンからの応力が半
田を介して半田付けパッドに大きく印加されて半田付け
パッドが剥離するのを防止するために例えば鉛−錫−ア
ンチモン合金等の融点が270℃以下で弾性率が50GPa
以下の半田が使用されるようになってきている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の有機材料系のピン付き配線基板およびこれを用いた
電子装置によると、銅合金から成るリードピンとピン付
けパッドとを接合する鉛−錫−アンチモン合金等から成
る半田の降伏応力が小さいことから、リードピンを例え
ば30N程度の力で垂直あるいは斜め方向に引っ張ると、
その力がリードピンの径大部を介して半田の表面あるい
は内部に集中して作用して半田に破断が発生してリード
ピンが絶縁基板から取れてしまい、そのようにリードピ
ンが絶縁基板から取れてしまうと搭載する電子部品を外
部電気回路に正常に接続することができなくなってしま
うという問題点を有していた。
【0005】本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、50N程度の力でリードピ
ンを引っ張ったとしてもリードピンが取れることがな
く、搭載する電子部品を外部電気回路に正常に接続する
ことができる信頼性の高いピン付き配線基板および電子
装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のピン付き配線基
板は、配線導体を有する有機材料系の絶縁基板の下面に
配線導体と電気的に接続されたピン付けパッドを設ける
とともにこのピン付けパッドに、略円柱状の軸部の上端
に略円板状の径大部を形成した銅合金から成るリードピ
ンを径大部とピン付けパッドとの間に半田を介在させて
立設して成るピン付き配線基板であって、リードピンの
軸部の直径をA、径大部の直径をB、径大部の厚みをC
としたときに、1.8≦B/A≦2.5であり、かつ3.4≦B
/C≦4.4であることを特徴とするものである。
【0007】また、本発明の電子装置は、配線導体を有
する有機材料系の絶縁基板の下面に配線導体と電気的に
接続されたピン付けパッドを設けるとともにこのピン付
けパッドに、略円柱状の軸部の上端に略円板状の径大部
を形成した銅合金から成る成るリードピンを径大部とピ
ン付けパッドとの間に半田を介在させて立設して成るピ
ン付き配線基板に電子部品を搭載するとともに電子部品
の電極と配線導体とを電気的に接続して成る電子装置で
あって、リードピンの軸部の直径をA、径大部の直径を
B、径大部の厚みをCとしたときに、1.8≦B/A≦2.5
であり、かつ3.4≦B/C≦4.4であることを特徴とする
ものである。
【0008】本発明のピン付き配線基板およびこれを用
いた電子装置によれば、上述の構成としたことから、リ
ードピンにこれを引っ張る力が印加されたとしても、そ
の力による応力がリードピンの径大部を介して半田の表
面や内部の一部に大きく集中して作用することを有効に
防止することができ、その結果、リードピンを絶縁基板
に強固に接合することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を添付の図面に基
づき詳細に説明する。図1は、本発明を半導体素子を搭
載するためのピン付き配線基板およびこれに半導体素子
を搭載した電子装置に適用した場合の実施の形態の一例
を示す断面図であり、1は絶縁基板、2は配線導体、3
はリードピンである。この絶縁基板1と配線導体2とリ
ードピン3とで本発明のピン付き配線基板が構成され、
これに電子部品としての半導体素子4を搭載することに
より本発明の電子装置が形成される。
【0010】絶縁基板1は、例えばガラス繊維を縦横に
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体1aの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成る有機材料系の多層板であ
り、その上面から下面にかけては銅箔や銅めっき膜等か
ら成る複数の配線導体2が形成されている。
【0011】絶縁基板1を構成する芯体1aは、厚みが
0.3〜1.5mm程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.1〜1.0mm程度の複数の貫通孔5を有している。
そして、その上下面および各貫通孔5の内壁には配線導
体2の一部が被着されており、上下面の配線導体2が貫
通孔5を介して電気的に接続されている。
【0012】このような芯体1aは、ガラス織物に未硬
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体1a上下面の配線導体2
は、芯体1a用のシートの上下全面に厚みが3〜50μm
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔5内壁の配線導体2は、芯
体1aに貫通孔5を設けた後に、この貫通孔5内壁に無
電解めっき法および電解めっき法により厚みが3〜50μ
m程度の銅めっき膜を析出させることにより形成され
る。
【0013】さらに、芯体1aは、その貫通孔5の内部
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱6が充填されている。樹脂柱
6は、貫通孔5を塞ぐことにより貫通孔5の直上および
直下に絶縁層1bを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔5内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱6を含む芯体1aの上下面に絶縁層1
bが積層されている。
【0014】芯体1aの上下面に積層された絶縁層1b
は、それぞれの厚みが20〜60μm程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μm程度の複数の貫
通孔7を有している。これらの絶縁層1bは、配線導体
2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものである。そして、上層の配線導体2と下層の配線導
体2とを貫通孔7を介して電気的に接続することにより
高密度配線を立体的に形成可能としている。このような
絶縁層1bは、厚みが20〜60μm程度の未硬化の熱硬化
性樹脂のフィルムを芯体1a上下面に貼着し、これを熱
硬化させるとともにレーザー加工により貫通孔7を穿孔
し、さらにその上に同様にして次の絶縁層1bを順次積
み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層1b
表面および貫通孔7内に被着された配線導体2は、各絶
縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面および貫通
孔7内に5〜50μm程度の厚みの銅めっき膜を公知のセ
ミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形
成法により所定のパターンに被着させることによって形
成される。
【0015】絶縁基板1の上面から下面にかけて形成さ
れた配線導体2は、半導体素子4の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基板
1の上面に設けられた部位の一部が半導体素子4の各電
極に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ8を介し
て接合される電子部品接続パッド2aを、絶縁基板1の
下面に露出した部位の一部が外部接続端子としてのリー
ドピン3を接合するためのピン付けパッド2bを形成し
ており、ピン付けパッド2bにはリードピン3が鉛−錫
−アンチモン合金等の弾性率が50GPa以下の半田9を
介して立設されている。このような電子部品接続パッド
2aおよびピン付けパッド2bは、図2に要部拡大平面
図で示すように、配線導体2に接続された略円形のパタ
ーンの外周部をソルダーレジストと呼ばれる最外層の絶
縁層1bにより15〜150μm程度の幅で被覆してその外
周縁を画定することによりその直径φが、電子部品接続
パッド2aであれば略70〜200μm程度に、ピン付けパ
ッド2bであれば略0.5〜2.5mm程度になるように形成
されている。なお、このようなソルダーレジスト1bに
より電子部品接続パッド2a同士あるいはピン付けパッ
ド2b同士の半田8や9による電気的な短絡が有効に防
止されるとともに電子部品接続パッド2aおよびピン付
けパッド2bの絶縁基板1に対する接合強度が高いもの
となっている。
【0016】また、ピン付けパッド2bに接合されたリ
ードピン3は搭載する半導体素子4を外部電気回路に接
続するための外部接続端子として機能する。
【0017】そして、この配線基板においては、電子部
品接続パッド2aに半導体素子4の各電極を半田バンプ
8を介して接合して半導体素子4を搭載するとともにこ
の半導体素子4を図示しない蓋体やポッティング樹脂に
より封止することによって電子装置となり、この電子装
置におけるリードピン3をソケットや半田を介して外部
電気回路基板の配線導体に接続することにより本発明の
電子装置が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【0018】なお、リードピン3は、図3に要部拡大断
面図で示すように、例えば銅97.57重量%/鉄2.3重量%
/亜鉛0.1重量%/リン0.03重量%を含有する銅合金か
ら成り、直径がAが0.25〜0.5mm程度で長さが1〜3.5
mm程度の略円柱状の軸部3aの上端に直径Bが0.45〜
1.25mmで厚みCが0.05〜0.3mm程度のネールヘッド
と呼ばれる略円板状の径大部3bを形成して成る。そし
て、この径大部3bをピン付けパッド2bに鉛82重量%
/錫10重量%/アンチモン8重量%を含有する弾性率が
50GPa以下の半田を介して接合することによりリード
ピン3がピン付けパッド2bに立設されている。このよ
うに、本発明のピン付き配線基板およびそれを用いた電
子装置によれば、リードピン3が銅合金から成ることか
ら、絶縁基体1とリードピン3の熱膨張係数が15ppm
/℃程度と近似したものとなり、これらの間に熱膨張係
数の相違に起因する大きな応力が発生することを有効に
防止することができる。また、半田9の弾性率が50GP
a以下であり弾性変形しやすいことから、リードピン3
に外力が印加された際にその力によってリードピン3と
ピン付けパッド2bとの間に発生する応力を半田9で良
好に吸収することができる。
【0019】さらに、本発明においては、リードピン3
の軸部3aの直径をA、径大部3bの直径をB、径大部
3bの厚みをCとしたときに、1.8≦B/A≦2.5であ
り、かつ3.4≦B/C≦4.4となっている。そして、その
ことが重要である。このように、リードピン3の軸部3
aの直径をA、径大部3bの直径をB、径大部3bの厚
みをCとしたときに、1.8≦B/A≦2.5であり、かつ3.
4≦B/C≦4.4となっていることから、リードピン3に
引っ張りの力が印加されたときにその引っ張りの力によ
る応力を径大部3bを介して半田9の表面および内部に
略均一に分散させることができ、例えば50N程度の力で
リードピン3を引っ張ったとしても半田9がその表面ま
たは内部から破断されてリードピン3が取れてしまうよ
うなことはなく、搭載する電子部品4を外部電気回路に
正常に接続することができる。
【0020】なお、リードピン3の軸部3aの直径Aと
径大部3bの直径Bとの比率B/Aが1.8未満である
と、リードピン3を垂直あるいは斜めに引っ張ったとき
に、リードピン3を引っ張る力が径大部3bの外周部に
大きく印加され、その結果、その力が径大部3b側面と
ピン付けパッド2bとの間に存在する半田9の表面に大
きく集中して作用し、例えば30N程度の力でリードピン
3を引っ張った場合であっても径大部3b側面とピン付
けパッド2bとの間に存在する半田9の表面から半田9
が破断してしまいやすくなり、他方、B/Aが2.5を超
えるとリードピン3を垂直あるいは斜めに引っ張ったと
きに、リードピン3を引っ張る力が径大部3bの中央部
に大きく印加され、その結果、その力が径大部3b頂面
を介して径大部3b頂面とピン付けパッド2bとの間に
存在する半田9内部に大きく集中して作用し、例えば30
N程度の力でリードピン3を引っ張った場合であっても
径大部3b頂面とピン付けパッド2bとの間に存在する
半田9の内部から半田9が破断してしまいやすくなる。
したがって、リードピン3の軸部3aの直径Aと径大部
3bの直径Bとの比率B/Aは1.8≦B/A≦2.5の範囲
に特定される。
【0021】また、径大部3bの直径Bと径大部3bの
厚みCとの比率B/Cが3.4未満であると、リードピン
3を垂直あるいは斜めに引っ張ったときに、リードピン
3を引っ張る力が径大部3bの外周部に大きく印加さ
れ、その結果、その力が径大部3b側面とピン付けパッ
ド2bとの間に存在する半田9の表面に大きく集中して
作用し、例えば30N程度の力でリードピン3を引っ張っ
た場合であっても径大部3b側面とピン付けパッド2b
との間に存在する半田9の表面から半田9が破断してし
まいやすくなり、他方B/Cが4.4を超えると、リード
ピン3を垂直あるいは斜めに引っ張ったときに、リード
ピン3を引っ張る力が径大部3bの中央部に大きく印加
され、その結果、その力が径大部3b頂面を介して径大
部3b頂面とピン付けパッド2bとの間に存在する半田
9内部に大きく集中して作用し、例えば30N程度の力で
リードピン3を引っ張った場合であっても径大部3b頂
面とピン付けパッド2bとの間に存在する半田9の内部
から半田9が破断してしまいやすくなる。したがって、
径大部3bの直径Bと径大部3bの厚みCとの比率B/
Cは3.4≦B/C≦4.4の範囲に特定される。
【0022】さらに、径大部3bの直径Bとピン付けパ
ッド2bの露出する外周縁から径大部3bまでの距離D
との比率D/Bが0.01未満であると、ピン付けパッド2
bと半田9との接合面積が狭いものとなり、ピン付けパ
ッド2bと半田9とを強固に接合することが困難となる
とともに、リードピン3に引っ張りの力が印加されたと
きに、この力によって発生する応力がピン付けパッド2
bの外周縁と絶縁基板1との接合部に大きく作用してピ
ン付けパッド2bが絶縁基板1から剥離してしまいやす
くなり、他方、D/Bが0.5を超えると、ピン付けパッ
ド2b上に多量の半田が流れるため、径大部3bとピン
付けパッド2bとの間に適度な大きさの半田9の溜まり
を形成するために多量の半田9が必要となり、そのよう
な多量の半田9を使ってリードピン3とピン付けパッド
2bとを半田付けすると、半田9の一部が径大部3bを
越えてリードピン3の下端部まで流れてしまい、リード
ピン3をソケットや半田を介して外部電気回路基板の配
線導体に電気的に接続する際にその接続が困難となる。
したがって、径大部3bの直径Bとピン付けパッド2b
の外周縁から径大部3bまでの距離Dとの比率D/Bは
0.01≦D/B≦0.5の範囲が好ましい。
【0023】なお、リードピン3をピン付けパッド2b
に半田9を介して接合するには、ピン付けパッド2bに
半田9用の半田ペーストを例えばメタルマスクを用いた
スクリーン印刷法により所定量印刷塗布するとともにそ
の上にリードピン3の径大部3b頂面を突き当てて当接
させ、これらを加熱して半田9を溶融させた後、常温に
冷却する方法が採用される。
【0024】
【実施例】試験用基板としてガラス織物にエポキシ樹脂
を含浸させて成る厚みが0.8mmの芯体上にエポキシ樹
脂から成る厚みが40μmの絶縁層を2層積層するととも
に、最上層の絶縁層上に厚みが15μmの銅めっき層から
成る直径が1.6mmのピン付けパッドを形成し、その上
にエポキシ樹脂から成る厚みが30μmのソルダーレジス
ト層をピン付けパッド上に直径が1.4mmの開口を有す
るように被着させ、さらにソルダーレジスト層の開口か
ら露出したピン付けパッドの表面に厚みが5μmのニッ
ケルめっき層および厚みが0.03μmの金めっき層を順次
被着させたものを用意した。
【0025】また、試験用のリードピンとして、銅97.5
7重量%/鉄2.3重量%/亜鉛0.1重量%/リン0.03重量
%を含有する銅合金から成り、軸部の直径が0.46mm・
軸部の長さが3mmであって、径大部の直径を1.1mm
・径大部の厚みをそれぞれ0.25mm、0.32mmとしたも
の、および径大部の直径を1.15mm・径大部の厚みを0.
3mmとしたもの、ならびに軸部の直径が0.45mm・軸
部の長さが3mmであって、径大部の直径を0.8mm・
径大部の厚みを0.2mmとしたものの表面に厚みが2.5μ
mのニッケルめっき層および厚みが0.03μmの金めっき
層を順次被着させたものを10本ずつ用意し、これらの試
験用リードピンの径大部と試験用基板のピン付けパッド
とを鉛82重量%/錫10重量%/アンチモン8重量%から
成る弾性率が21GPaで体積が0.11mm3の半田を介し
て半田付けすることによって本発明による評価用試料を
得た。
【0026】比較例として、同じく銅97.57重量%/鉄
2.3重量%/亜鉛0.1重量%/リン0.03重量%を含有する
銅合金から成り、軸部の直径が0.46mm・軸部の長さが
3mmであって、径大部の直径を1.2mm・径大部の厚
みを0.32mmとしたもの、径大部の直径を1.1mm・径
大部の厚みをそれぞれ0.24mm、0.35mmとしたもの、
径大部の直径を0.8mm・径大部の厚みを0.2mmとした
ものの表面に厚みが2.5μmのニッケルめっき層および
厚みが0.03μmの金めっき層を順次被着させた試験用の
リードピンを10本ずつ用意し、これらの試験用リードピ
ンの径大部と試験用基板のピン付けパッドとを鉛82重量
%/錫10重量%/アンチモン8重量%から成る弾性率が
21GPaで体積が0.11mm3の半田を介して半田付けす
ることによって比較用の評価用試料を得た。
【0027】かくして得られた各評価用試料を引っ張り
試験機のステージに20゜の角度をつけて固定し、リード
ピンの軸部を引っ張り治具にチャッキングした後、毎分
15mmの速さで引っ張ることにより破断時の荷重を測定
し評価した。その結果を表1に示す。なお、表1におい
て試料番号1・4・6・8は本発明の範囲外の比較例で
ある。
【0028】
【表1】
【0029】表1に示すように、本発明による評価用試
料(試料番号2・3・5・7)では全てのリードピンに
おいて1ピンあたり50〜63Nの接合強度が得られた。ま
た、破断はいずれもリードピンの軸部のチャッキング位
置から発生し、半田から破断されることはなかった。こ
れに対し、比較用の評価試料(試料番号1・4・6・
8)では、いずれの試料番号においても50N未満で半田
から破断されるものがあり、十分な強度が得られなかっ
た。
【0030】かくして、本発明のピン付き配線基板およ
びこれを用いた電子装置によれば、リードピン3を垂直
あるいは斜めに50N程度の力で引っ張ったとしてもリー
ドピン3が絶縁基板1から取れることがなく、搭載する
電子部品を正常に作動させることが可能なピン付き配線
基板および電子装置を提供することができる。
【0031】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでも
ない。
【0032】
【発明の効果】本発明のピン付き配線基板およびこれを
用いた電子装置によれば、リードピンの軸部の直径を
A、径大部の直径をB、径大部の厚みをCとしたとき
に、1.8≦B/A≦2.5であり、かつ3.4≦B/C4.4であ
ることから、リードピンにこれを引っ張る力が印加され
たとしても、その力による応力がリードピンの径大部を
介してリードピンとピン付けパッドとを接合する半田の
表面または内部の一部に大きく集中して作用することを
有効に防止することができ、その結果、リードピンが絶
縁基板に強固に接合され、搭載する電子部品を外部電気
回路に正常に接続することが可能なピン付き配線基板を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のピン付き配線基板および電子装置の実
施形態例の断面図である。
【図2】本発明のピン付き配線基板および電子装置の実
施形態例の要部拡大平面図である。
【図3】本発明のピン付き配線基板および電子装置の実
施形態例の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基体 2・・・・・配線導体 2b・・・・ピン付けパッド 3・・・・・リードピン 3a・・・・軸部 3b・・・・径大部 4・・・・・電子部品としての半導体素子 9・・・・・半田 A・・・・・軸部3aの直径 B・・・・・径大部3bの直径 C・・・・・径大部3bの厚み

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 配線導体を有する有機材料系の絶縁基板
    の下面に前記配線導体と電気的に接続されたピン付けパ
    ッドを設けるとともに該ピン付けパッドに、略円柱状の
    軸部の上端に略円板状の径大部を形成した銅合金から成
    るリードピンを前記径大部と前記ピン付けパッドとの間
    に半田を介在させて立設して成るピン付き配線基板であ
    って、前記軸部の直径をA、前記径大部の直径をB、前
    記径大部の厚みをCとしたときに、1.8≦B/A≦
    2.5であり、かつ3.4≦B/C≦4.4であること
    を特徴とするピン付き配線基板。
  2. 【請求項2】 配線導体を有する有機材料系の絶縁基板
    の下面に前記配線導体と電気的に接続されたピン付けパ
    ッドを設けるとともに該ピン付けパッドに、略円柱状の
    軸部の上端に略円板状の径大部を形成した銅合金から成
    るリードピンを前記径大部と前記ピン付けパッドとの間
    に半田を介在させて立設して成るピン付き配線基板に電
    子部品を搭載するとともに該電子部品の電極と前記配線
    導体とを電気的に接続して成る電子装置であって、前記
    軸部の直径をA、前記径大部の直径をB、前記径大部の
    厚みをCとしたときに、1.8≦B/A≦2.5であ
    り、かつ3.4≦B/C≦4.4であることを特徴とす
    る電子装置。
JP2001197639A 2001-06-29 2001-06-29 ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 Pending JP2003017614A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001197639A JP2003017614A (ja) 2001-06-29 2001-06-29 ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001197639A JP2003017614A (ja) 2001-06-29 2001-06-29 ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003017614A true JP2003017614A (ja) 2003-01-17

Family

ID=19035205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001197639A Pending JP2003017614A (ja) 2001-06-29 2001-06-29 ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003017614A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10639736B2 (en) 2016-07-19 2020-05-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic-metal structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10639736B2 (en) 2016-07-19 2020-05-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic-metal structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3826731B2 (ja) 多層プリント配線基板及び多層プリント配線基板の製造方法
KR20090124916A (ko) 프린트 배선판의 제조방법 및 도전성 접합제
JP2004266074A (ja) 配線基板
JPH10335528A (ja) 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法
JP2001237362A (ja) 半導体装置
JP2019186330A (ja) 配線基板、半導体パッケージ及び配線基板の製造方法
JP2003017611A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2004327743A (ja) 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法
JP2003017614A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
CN108305864B (zh) 端子
JPH0671144B2 (ja) 多層高密度実装モジュール
JP2003133474A (ja) 電子装置の実装構造
US9673063B2 (en) Terminations
JP2003068797A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2004055958A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2003133469A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2003338574A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JPH08316641A (ja) 一括接続法による多層配線基板
JP2000294675A (ja) チップキャリア及び半導体装置並びにチップキャリアの製造方法
JPH1146056A (ja) 電子部品装置
JP2004207534A (ja) 配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2003078060A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2004111843A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2003188311A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2003046030A (ja) ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置