JP2003017544A - 基板搬送装置およびこれを備えた気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板出し入れによっても、原材料ガスの流れ
が変わらず、成膜条件の再現性が良い基板搬送装置およ
び気相成長装置を提供する。 【解決手段】 基板搬送装置は、基板を保持するための
基板保持部と、上記基板保持部を支持し、原材料ガスを
流すための反応炉管５内を通って前後運動できる程度の
薄さに構成されたアーム９と、アーム９を反応炉管５内
で反応炉管５の長手方向に沿って移動させるための管長
手方向駆動手段と、反応炉管５内で上記基板保持部に対
して上記基板を着脱するための着脱制御手段とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ（Light Em
itting Diode）、半導体レーザなどの半導体素子の製造
に用いられる化合物半導体の気相成長のための気相成長
装置およびこの気相成長装置においてウエハなどの基板
の搬送に用いられる基板搬送装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＭＯＣＶＤ法（metallorganic chemical
vapor deposition：有機金属気相化学成長法）は、良
好な結晶の各種化合物半導体を量産できる技術として、
今日幅広く用いられている。ウエハに対してＭＯＣＶＤ
法を行なう装置のウエハ搭載部分の構成としては、ま
ず、図９に示すように、高温に加熱した回転テーブル３
０にウエハ１を数枚載せ、回転テーブル３０を回転させ
た状態で、原材料ガスを一定方向に流す方式のものがあ
る。また、図１０に示すように、高温に加熱した回転テ
ーブル３０にウエハ１を数枚載せ、回転テーブル３０を
回転させ、さらに各ウエハ１自体も回転させた状態で、
回転テーブル３０の中心から周囲に広がる向きに原材料
ガスを流す方式のものがある。あるいは、図１０に示し
た回転テーブル３０とウエハ１の動きで、原材料ガスを
一定方向から流す方式のものもある。しかし、均一な気
相成長を得るには、原材料ガスを均一に流す必要があ
り、上述の各方式では、原材料ガスを均一に流すことが
技術的に難しい。

【０００３】そこで、たとえば、ＧａＮ膜の成膜装置に
おいては、図１１に示すような反応炉管５を用いる方法
がある。図１１は上から見たところを示す。反応炉管５
は、一般に石英で作製される。ウエハ１は、１０００℃
以上の所定の温度まで加熱され、ウエハ１自体が回転す
る。原材料ガスであるＧａ（ＣＨ₃）₃とＮＨ₃の２種類
のガスをガス導入管２６から反応炉管５に向けて別々に
流し込む。原材料ガスは、反応炉管５の上流部６、中流
部７、下流部８の順に流れる。原材料ガスは、ウエハ１
に至る前に化学的結合反応し、ウエハ１に至ることによ
ってウエハ１の表面に化合物半導体の気相成長膜が形成
される。

【０００４】このような反応炉管５を用いれば、上述の
図９、図１０に示した機構による場合よりも膜の均一性
に優れる。したがって、１枚のウエハ１から取り出せる
ＬＥＤの数で算出した良品率で比較すれば、上述の図
９、図１０に示した機構で成膜した場合に比べて、図１
１に示した反応炉管５を用いて成膜した場合の方が、良
品率は高くなる。

【０００５】図１１に示した反応炉管５において、成膜
後にウエハ１を取り出す方法としては、反応炉管５の上
から取り出す方法と、下から取り出す方法とがある。

【０００６】まず、反応炉管５の上から取り出す方法
を、図１２、図１３を参照して説明する。図１２に示す
ように、反応炉管５の上蓋部分５ａには反応炉管の幅よ
り大き目のつば５ｂが設けられている。反応炉管５の下
側からピン２７でつば５ｂを押し上げることによって上
蓋部分５ａを持ち上げた状態にし、図１３に示すよう
に、上蓋部分５ａと反応炉管５との間に、搬送アーム９
が進入し、ウエハ１を取り出す。

【０００７】次に、反応炉管５の下から取り出す方法
を、図１４を参照して説明する。反応炉管５内のウエハ
１は円板状のサセプタ１１に載せられており、サセプタ
１１の下側にはサセプタ１１を加熱するためのヒータ１
２が配置されている。サセプタ１１およびヒータ１２が
反応炉管５から外れて下降する。反応炉管５の下側で反
応炉管５とサセプタ１１との間に、搬送アーム９が進入
し、サセプタ１１上面からウエハ１を取り出す。

【０００８】これら両方法においては、新しいウエハ１
をサセプタ１１上に設置する場合も、成膜済みのウエハ
１を取り出したのと同様に、上から、あるいは下から、
搬送アーム９がウエハ１を持ちこむことによって行な
う。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示した反応炉
管５において、良品率をさらに向上させようとした場
合、以下のような問題点がある。

【００１０】ウエハ１を反応炉管５の上から出し入れす
る方法では、上蓋部分５ａと上流部６との嵌合部分には
隙間を完全にゼロにすることは不可能であるので、いく
らか隙間を設けている。この隙間からは原材料ガスがわ
ずかに漏れ出る。上から出し入れする方法では、上蓋部
分５ａは毎回着脱を繰り返すが、一旦持ち上げた上蓋部
分５ａを反応炉管５に戻す際には、位置の再現性が十分
でない。上蓋部分５ａを着脱する度に上蓋部分５ａの位
置が変わってしまうことから、原材料ガスの漏れ量も変
動する。このことは、原材料ガスの流れに影響を与える
ことから問題となる。

【００１１】ウエハ１を反応炉管５の下から出し入れす
る方法では、ヒータ１２を昇降させる際の位置の再現性
が問題となる。原材料ガスの漏れ量を抑えるために、ヒ
ータ１２と中流部７との間の隙間はできるだけ小さい方
が好ましく、現状では、ヒータ１２と中流部７との隙間
は片側０．２ｍｍとなるように組み立てられている。さ
らに、ヒータ１２を回転させても中流部７に接触しない
ように、ヒータ１２と中流部７との相対的な傾きも含め
て微調整を行なっている。このように高精度な位置決め
を要するヒータ１２を、位置の再現性良く昇降させるの
は困難である。

【００１２】従来は、上述のような理由から原材料ガス
の漏れ量を一定に保つことができなかったため、毎回の
気相成長時に２種類の原材料ガスの流れ具合を細かく制
御する必要があり、結果的には成膜条件の再現性が劣化
し、良品率の向上の妨げとなっていた。

【００１３】そこで、本発明では、ウエハを反応炉管の
上や下から出し入れする方法における、基板出し入れの
度に原材料ガスの流れが変わってしまうという欠点を解
消し、成膜条件の再現性を良くした基板搬送装置および
気相成長装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づく基板搬送装置は、基板を保持するた
めの基板保持部と、上記基板保持部を支持し、原材料ガ
スを流すための反応炉管内を通って前後運動できる程度
の薄さに構成されたアームと、上記アームを上記反応炉
管内で上記反応炉管の長手方向に沿って移動させるため
の管長手方向駆動手段と、上記反応炉管内で上記基板保
持部に対して上記基板を着脱するための着脱制御手段と
を備える。この構成を採用することにより、アームは、
反応炉管の開口部から進入させて反応炉管内を長手方向
に沿って所望位置まで前進させることができる。また、
着脱制御手段を備えているので、所望位置まで前進させ
た後に基板の着脱を行なうことができる。したがって、
反応炉管自体を開閉する必要がなくなるため、基板の出
し入れを行なうことによって反応炉管自体の形状には影
響を与えない。よって、再現性良く成膜を行なうことが
できる。

【００１５】上記発明において好ましくは、上記アーム
は、上から異物が落下してきても上記異物が上記基板に
直接触れないように上記基板保持部の少なくとも一部を
覆うカバーを含む。この構成を採用することにより、反
応炉管内部に付着しているフレークなどの異物がアーム
の上に落下してきたとしても、カバーがあることによっ
て、異物が基板に直接接触することを防ぐことができ
る。その結果、基板の良品率を上げることができる。

【００１６】上記発明において好ましくは、上記着脱制
御手段は、上記アーム内を上記アームの長手方向に沿っ
て前後運動可能に配置されたフォーク部と、上記フォー
ク部の前後運動を上記アームの長手方向に略垂直な上下
運動に変換する運動変換部とを含む。この構成を採用す
ることにより、厚みの限られるアーム先端部において、
基板を保持する部分を必要に応じて上下運動させる機構
を、簡単な機構で実現できる。

【００１７】上記目的を達成するため、本発明に基づく
気相成長装置は、気相成長用チャンバと、上記気相成長
用チャンバ内に配置され、原材料ガスを流すための反応
炉管と、搬送用チャンバと、上記搬送用チャンバ内に配
置され、基板を搬送するための基板搬送装置とを備え、
上記基板搬送装置は、上記基板を保持するための基板保
持部と、上記基板保持部を支持し、上記反応炉管内を通
って前後運動できる程度の薄さに構成されたアームと、
上記アームを上記反応炉管内で上記反応炉管の長手方向
に沿って移動させるための管長手方向駆動手段と、上記
反応炉管内で上記基板保持部に対して上記基板を着脱す
るための着脱制御手段とを含む。この構成を採用するこ
とにより、アームは、気相成長用チャンバ内の反応炉管
の開口部から進入させて反応炉管内を長手方向に沿って
所望位置まで前進させることができる。また、着脱制御
手段を備えているので、所望位置まで前進させた後に基
板の着脱を行なうことができる。したがって、反応炉管
自体を開閉する必要がなくなるため、基板の出し入れを
行なうことによって反応炉管自体の形状には影響を与え
ない。よって、再現性良く成膜を行なうことができる。

【００１８】上記発明において好ましくは、上記アーム
は、上記反応炉管に対して上記原材料ガスを排気するた
めの端部から挿入されるためのものである。この構成を
採用することにより、排気側の端部は元々開口している
ため、成膜時のガスの流れに影響を与えることなく、ア
ームの出し入れを行なうことができる。

【００１９】上記発明において好ましくは、上記アーム
は、上から異物が落下してきても上記異物が上記基板に
直接触れないように上記基板保持部の少なくとも一部を
覆うカバーを有する。この構成を採用することにより、
反応炉管内部に付着しているフレークなどの異物がアー
ムの上に落下してきたとしても、カバーがあることによ
って、異物が基板に直接接触することを防ぐことができ
る。その結果、基板の良品率を上げることができる。

【００２０】上記発明において好ましくは、上記着脱制
御手段は、上記アーム内を上記アームの長手方向に沿っ
て前後運動可能に配置されたフォーク部と、上記フォー
ク部の前後運動を上記アームの長手方向に略垂直な上下
運動に変換する運動変換部とを有する。この構成を採用
することにより、厚みの限られるアーム先端部におい
て、基板を保持する部分を必要に応じて上下運動させる
機構を、簡単な機構で実現できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】（実施の形態１） （構成）図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の
形態１における基板搬送装置および気相成長装置の構成
について説明する。この気相成長装置の断面図を、図１
に示す。この気相成長装置は、ＭＯＣＶＤ装置であり、
成長用チャンバ２と搬送用チャンバ１３とを備えてい
る。成長用チャンバ２と搬送用チャンバ１３とは、ゲー
トバルブ１６を介してつながっている。成長用チャンバ
２内には、上流部６、中流部７および下流部８と３つの
部分からなる反応炉管５が配置されている。上流部６、
中流部７下流部８はそれぞれ石英で別個に作製され、組
み合わせられている。成長用チャンバ２内に設けられた
反応炉管固定フレーム１４にまず中流部７が水平に固定
され、続いて中流部７を基準にして上流部６、下流部８
が水平に固定される。中流部７の底面の中央部には、サ
セプタ１１が入るための円形の穴が設けられている。サ
セプタ１１の上面には、ウエハ１を設置するための凹部
が設けられている。サセプタ１１は、１０００℃以上の
高温に加熱されることから、耐熱性の高いモリブデンや
カーボンで作製されている。サセプタ１１の下側には、
サセプタ１１を加熱するためのヒータ１２が設けられて
いる。ヒータ１２の下側には、サセプタ１１を回転させ
るための回転機構（図示省略）が回転軸２１を通じて接
続されている。回転軸２１にはヒータ１２の熱が伝わら
ないように回転軸２１自体を冷却するための冷却水が流
れる。回転軸２１に沿う成長用チャンバ２の内外は、磁
気シール（図示省略）によって真空環境と大気環境に区
切られており、磁気シールにも冷却水が流れている。

【００２２】搬送用チャンバ１３には、基板搬送装置３
が収められている。この基板搬送装置３は、反応炉管５
の下流部８の端からサセプタ１１に対するウエハなどの
基板の出し入れを行なうためのものである。基板搬送装
置３に対する基板の受渡しは、図示しないグローブボッ
クスから、基板搬送装置３とは垂直な方向に基板を移送
するように設置された他の基板搬送装置４によって行な
われる。

【００２３】基板搬送装置３は、スライダテーブル２９
と、アーム９とを含む。スライダテーブル２９は、４本
のチルト調整用ボルト２８を介して固定テーブル２０上
に設置されており、固定テーブル２０は、搬送用チャン
バ１３の下面に設置されている。スライダテーブル２９
は、ベースプレート２２を前後方向（図１における左右
方向）に移動させるためのものであり、管長手方向駆動
手段としてのアーム駆動用モータ１８でボールネジ２５
を回すことによって、ベースプレート２２が前後方向に
移動する。ベースプレート２２には、アーム９が固定さ
れている。アーム９の先端には、真空チャック機構が設
けられている。この真空チャック機構によってサセプタ
１１の凹部に置かれたウエハ１を取り出すには、サセプ
タ１１側にピンを設けてウエハ１を突き上げるようにす
る機構も考えられ、この機構を採用すれば簡単である
が、実際には、サセプタ１１側にピン用の穴を設けた場
合、その穴がサセプタ１１上の温度分布に悪影響を与
え、その上に置かれるウエハ１にも不所望な温度分布を
生じ、結果的に成膜の均一性を損なうこととなる。サセ
プタ１１側にピンによる突き上げ機構を設けられないと
なると、アーム９側に昇降する機構が必要となる。

【００２４】一方、アーム９は、扁平な管形状の反応炉
管５内を通過する必要があるため、厚みを制限される。
アーム９自体の厚みも、アーム９の先端部の昇降機構の
厚みも、反応炉管５内の内部空間の高さ以下に抑える必
要がある。基盤搬送装置３全体を上下に移動させる機構
も考えられるが、そうすると、昇降機構がかなり大きな
装置となってしまい、搬送用チャンバ１３のサイズが大
きくなりすぎる。

【００２５】そこで、図２に示すように、アーム９の先
端部に４枚の板ばね２３を介して真空チャック機構１０
を取り付け、真空チャック機構１０の側面に斜面１０ａ
を設ける。一方、アーム９内に、昇降用モータ（図示省
略）によって前後方向に移動可能なフォーク２４を設
け、フォーク２４の先端には、斜面１０ａと対応する斜
面２４ａを設けておく。

【００２６】図３〜図６を参照して、ウエハ１を取り出
すまでのアーム９の先端近傍での動作を説明する。図３
に示すように、アーム９が、反応炉管５に対して下流側
の端から進入する。図４に示すように、真空チャック機
構１０の中心がウエハ１の中心にほぼ一致する位置で停
止する。図５に示すように、アーム９の内部でフォーク
２４が前進し、フォーク２４の先端の斜面２４ａが斜面
１０ａに誘導されて、真空チャック機構１０の上側に入
りこみ、板ばね２３の付勢に抗して真空チャック機構１
０を下へ押し下げる。この状態で、真空チャック機構１
０の下面は、ウエハ１に接近するので、ウエハ１を吸着
することができる。次に、図６に示すように、フォーク
２４は後退し、真空チャック機構１０は、板ばね２３の
付勢によって上に戻る。こうして、アーム９は、後退
し、反応炉管５内から出る。

【００２７】なお、昇降用モータによるフォーク２４の
駆動は、たとえば、昇降用モータの先端にピニオンを取
り付け、フォーク２４の一部にラックを設けることによ
り可能である。

【００２８】（作用・効果）上述のような構成の基板搬
送装置または気相成長装置であれば、アーム９は、フォ
ーク２４の動きによって、先端部に取り付けられた真空
チャック機構１０を上下動させることとしているため、
上下動を行なうための構造が比較的簡単であり、アーム
９自身の厚みを薄くすることができる。アーム９自身の
厚みが十分薄いため、元々開口している下流側の端から
進入して扁平な管形状の反応炉管５内を通過することが
できる。したがって、反応炉管５自体には新たに着脱な
いし開閉する部分を必要としない。よって、従来の上か
ら出し入れする方式の基板搬送装置または気相成長装置
において問題となっていたような蓋などの位置の再現性
は問題とならない。また、従来の下から出し入れする方
式のように、サセプタ１１を毎回移動させるわけではな
いので、サセプタ１１の位置は最初に位置決めしておけ
ば足りる。アーム９は反応炉管５内部を反応炉管５の形
状に沿って移動すればよいので、従来の下から出し入れ
する方式のように、可動部分が反応炉管に接触しないよ
うに精密に制御する必要もない。

【００２９】以上より、効率良く基板の出し入れが行な
え、基板の出し入れを行なうことによって反応炉管５自
体の形状には影響を与えないため、再現性良く成膜を行
なうことができる。

【００３０】（実施の形態２） （構成）図７、図８を参照して、本発明に基づく実施の
形態２における基板搬送装置および気相成長装置の構成
について説明する。この基板搬送装置および気相成長装
置は、実施の形態１で説明したものと基本的に同じであ
る。ただし、アーム９の先端部に違いがある。

【００３１】実施の形態１で説明したウエハ取り出しの
工程においては、アーム９が往復することによって真空
チャック機構１０は、反応炉管５の下流部８の内部を通
過することになるが、下流部８は、原材料ガスが排気さ
れる部分でもあることから、下流部８内部には、ウエハ
１表面に気相成長されずに反応炉管５内部に気相成長さ
れた膜がフレーク状に付着している。以下、この付着物
を「フレーク」というものとする。この中をアーム９が
通過すると、アーム９の運動によって生じる気流によっ
て下流部８の天井からフレークが剥がれ落ちたり、突出
して付着していたフレークがアーム９に接触することで
剥がれ落ちたりする場合がある。そのようなことがある
と、フレークが真空チャック機構１０の上に落下し、ウ
エハ１の表面に付着するおそれがある。ウエハ１の表面
にフレークなどの異物が付着することは、膜の均一性を
損なう要因となる。

【００３２】そこで、図７に示すように、アーム９の先
端部の真空チャック機構１０の上側を覆うように保護カ
バー３３を設ける。なお、保護カバー３３を外した状態
を、図８に示す。保護カバー３３は、真空チャック機構
１０を覆うだけでなく、真空チャック機構１０に保持さ
れる予定の基板の大きさを考慮して、基板の全面を被覆
できる程度の大きさのものとする。

【００３３】（作用・効果）本実施の形態における基板
搬送装置および気相成長装置では、実施の形態１で説明
した効果に加えて、反応炉管５内部に付着しているフレ
ークがアーム９の上に落下してきたとしても、保護カバ
ー３３があることによって、フレークが基板に直接接触
することを防ぐことができる。その結果、フレークが成
膜前の表面および成膜後の表面を不均一化することを防
止でき、成膜した基板をより高品質に保つことができ、
良品率を上げることができる。

【００３４】（使用例）以下、この基板搬送装置および
気相成長装置を用いてウエハ１の成膜を行なう例を示
す。

【００３５】搬送用チャンバ１３内で、他の基板搬送装
置４によって搬送されてきたウエハ１を、本発明に基づ
く基板搬送装置３のアーム９の真空チャック機構１０に
保持する。アーム９は、アーム駆動用モータ１８によっ
て、先端部が中流部７の底面と同じ高さに予め調整され
たサセプタ１１の上に至るまで移動する。フォーク２４
を約１０ｍｍ前に突き出す。その結果、ウエハ１を保持
した真空チャック機構１０は、ウエハ１がサセプタ１１
に接触するまで下がる。サセプタ１１上には、深さが
０．５ｍｍで、直径がウエハの直径＋１ｍｍの凹部が設
けられており、ウエハ１はこの凹部に設置される。設置
後、フォーク２４は後退し、板ばね２３の復元力で、真
空チャック機構１０は元の高さに戻る。アーム駆動用モ
ータ１８によって、アーム９は搬送用チャンバ１３まで
後退する。

【００３６】ゲートバルブ１６が閉められ、成長用チャ
ンバ２の真空引きが行なわれる。回転軸２１によってサ
セプタ１１が回転させられると同時にヒータ１２によっ
てウエハ１の加熱が行なわれる。所定の温度である１０
００℃以上の温度まで昇温後、反応炉管５の上流部６の
先端に接続された各ガス導入管２６から、原材料ガスで
あるＧａ（ＣＨ₃）₃とＮＨ₃の２種類のガスを反応炉管
５内に向けて別々に流し込む。２種類のガスは、反応炉
管５内に形成された流路を流れ、サセプタ１１の手前で
化学的結合反応し、ウエハ１に至ることによってウエハ
１の表面に化合物半導体の気相成長膜が形成される。

【００３７】膜の形成後、ヒータ１２を５００℃まで下
げ、成長用チャンバ２の内部に窒素パージを行ないなが
ら、真空から常圧に戻す。そして、ゲートバルブ１６が
開けられる。アーム９が、アーム駆動用モータ１８によ
って再び前進し、先端部がサセプタ１１の上に至るまで
移動する。フォーク２４が突き出され、真空チャック機
構１０が下がり、サセプタ１１上のウエハ１を吸着す
る。続いてフォーク２４を後退させることにより、板ば
ね２３の力で真空チャック機構１０はウエハ１を吸着し
たままアーム９内の当初の位置まで上がる。アーム駆動
用モータ１８によってアーム９を後退させることによ
り、成長用チャンバ２からのウエハ１の取りだしを完了
する。

【００３８】（他の形態）上述の例では、真空チャック
機構１０はウエハ１表面を真空吸着して搬送を行なって
いるが、搬送対象はウエハ１だけでなく、サセプタ１１
がヒータ１２から外れる機構として、ウエハ１を載せた
サセプタ１１ごと搬送することとしてもよい。

【００３９】また、上述の例では、ウエハ１を保持する
手段として、真空チャック機構１０を用いたが、真空チ
ャック方式の代わりにメカチャック方式として、たとえ
ば、サセプタ１１の外径を機械的にクランプすることと
してもよい。この場合、真空チャック方式と異なり、真
空環境中でも保持することができるので、上述の例のよ
うに出し入れの度に成長用チャンバ２内を常圧に戻すこ
とが必要なくなる。

【００４０】なお、各上記実施の形態では、ウエハ１を
例に説明しているが、基板はウエハに限らず、ガラス基
板など、他の種類の基板であってもよい。

【００４１】なお、各上記実施の形態では、基板保持部
である真空チャック機構の上下運動を行なわせるため
に、フォークの前後運動を斜面によって基板保持部の上
下運動に変換する方式としているが、アームの厚みが反
応炉管内部を通過するのに支障がない程度に薄く抑えら
れるのであれば、他の機構によって基板保持部の上下運
動を行なわせてもよい。

【００４２】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、アームは十分薄く構成
されているので、反応炉管の下流側の端の開口部から進
入させて反応炉管内を長手方向に沿って所望位置まで前
進させることができる。また、フォークなどの簡単な構
成で着脱制御手段を備えることができるので、所望位置
まで前進させた後に基板の着脱を行なうことができる。
したがって、反応炉管自体を開閉する必要がなくなるた
め、基板の出し入れを行なうことによって反応炉管自体
の形状には影響を与えない。よって、再現性良く成膜を
行なうことができ、良品率を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に基づく実施の形態１における気相成
長装置の断面図である。

【図２】 本発明に基づく実施の形態１における基板搬
送装置のアームの先端部の断面図である。

【図３】 本発明に基づく実施の形態１における基板搬
送装置のアームの先端近傍での動作の第１の説明図であ
る。

【図４】 本発明に基づく実施の形態１における基板搬
送装置のアームの先端近傍での動作の第２の説明図であ
る。

【図５】 本発明に基づく実施の形態１における基板搬
送装置のアームの先端近傍での動作の第３の説明図であ
る。

【図６】 本発明に基づく実施の形態１における基板搬
送装置のアームの先端近傍での動作の第４の説明図であ
る。

【図７】 本発明に基づく実施の形態２における基板搬
送装置のアームの先端部の斜視図である。

【図８】 本発明に基づく実施の形態２における基板搬
送装置のアームの先端部の保護カバーを外した状態での
斜視図である。

【図９】 従来技術に基づく気相成長装置のウエハ搭載
部分の第１の例の説明図である。

【図１０】 従来技術に基づく気相成長装置のウエハ搭
載部分の第２の例の説明図である。

【図１１】 従来技術に基づく気相成長装置の反応炉管
の説明図である。

【図１２】 従来技術に基づく気相成長装置の反応炉管
の上から基板を取り出す作業の斜視図である。

【図１３】 従来技術に基づく気相成長装置の反応炉管
の上から基板を取り出す作業の側面図である。

【図１４】 従来技術に基づく気相成長装置の反応炉管
の下から基板を取り出す作業の側面図である。

【符号の説明】

１ ウエハ、２ 成長用チャンバ、３，４ 基板搬送装
置、５ 反応炉管、５ａ 上蓋部分、５ｂ つば、６
上流部、７ 中流部、８ 下流部、９ アーム、１０
真空チャック機構、１０ａ 斜面、１１ サセプタ、１
２ ヒータ、１３ 搬送用チャンバ、１４ 反応炉管固
定フレーム、１６ ゲートバルブ、１８アーム駆動用モ
ータ、２０ 固定テーブル、２１ 回転軸、２２ ベー
スプレート、２３ 板ばね、２４ フォーク、２４ａ
斜面、２５ ボールネジ、２６ガス導入管、２７ ピ
ン、２８ チルト調整用ボルト、２９ スライダテーブ
ル、３０ 回転テーブル、３３ 保護カバー。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE15 DB08 EG13 TA04 TA11 4K030 GA12 KA12 LA12 LA18 5F031 CA02 CA05 FA01 FA05 FA07 FA12 GA08 GA15 GA35 HA02 HA12 HA37 HA59 HA60 LA01 LA11 LA12 LA14 MA28 NA18 5F045 AA04 AB14 AC08 AC12 AD14 BB14 CA11 CA12 DP15 EK07 EN05

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を保持するための基板保持部と、 前記基板保持部を支持し、原材料ガスを流すための反応
   炉管内を通って前後運動できる程度の薄さに構成された
   アームと、 前記アームを前記反応炉管内で前記反応炉管の長手方向
   に沿って移動させるための管長手方向駆動手段と、 前記反応炉管内で前記基板保持部に対して前記基板を着
   脱するための着脱制御手段とを備える、 基板搬送装置。
2. 【請求項２】 前記アームは、上から異物が落下してき
   ても前記異物が前記基板に直接触れないように前記基板
   保持部の少なくとも一部を覆うカバーを含む、請求項１
   に記載の基板搬送装置。
3. 【請求項３】 前記着脱制御手段は、 前記アーム内を前記アームの長手方向に沿って前後運動
   可能に配置されたフォーク部と、 前記フォーク部の前後運動を前記アームの長手方向に略
   垂直な上下運動に変換する運動変換部とを含む、請求項
   １または２に記載の基板搬送装置。
4. 【請求項４】 気相成長用チャンバと、 前記気相成長用チャンバ内に配置され、原材料ガスを流
   すための反応炉管と、 搬送用チャンバと、 前記搬送用チャンバ内に配置され、基板を搬送するため
   の基板搬送装置とを備え、 前記基板搬送装置は、 前記基板を保持するための基板保持部と、 前記基板保持部を支持し、前記反応炉管内を通って前後
   運動できる程度の薄さに構成されたアームと、 前記アームを前記反応炉管内で前記反応炉管の長手方向
   に沿って移動させるための管長手方向駆動手段と、 前記反応炉管内で前記基板保持部に対して前記基板を着
   脱するための着脱制御手段とを含む、気相成長装置。
5. 【請求項５】 前記アームは、前記反応炉管に対して前
   記原材料ガスを排気するための端部から挿入されるため
   のものである、請求項４に記載の気相成長装置。
6. 【請求項６】 前記アームは、上から異物が落下してき
   ても前記異物が前記基板に直接触れないように前記基板
   保持部の少なくとも一部を覆うカバーを有する、請求項
   ４または５に記載の気相成長装置。
7. 【請求項７】 前記着脱制御手段は、 前記アーム内を前記アームの長手方向に沿って前後運動
   可能に配置されたフォーク部と、 前記フォーク部の前後運動を前記アームの長手方向に略
   垂直な上下運動に変換する運動変換部とを有する、請求
   項４から６のいずれかに記載の気相成長装置。