JP2003017486A

JP2003017486A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2003017486A
Application number: JP2001198965A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Oku; 良彰奥
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電率が低くかつ機械的強度の強い絶縁膜を
提供する。【解決手段】基板表面に形成され、前記基板表面に平
行となるように配向せしめられたあるいは層状の円柱状
の空孔を含む周期的ポーラス構造を具備してなる無機絶
縁膜を具えたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法に係り、特に低誘電率の無機誘電体膜に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高速化・低消費電力化に
は、層間絶縁膜の低誘電率化が重要な課題である。そし
て低誘電率化を目的として種々の工夫がなされている
が、従来の半導体装置では、（１）無機絶縁膜であるシリカ膜にフッ素を添加する。（２）母体材料として低誘電率である有機絶縁材料を形
成する。（３）意図的にポーラスな膜を形成する。などの方法が提案されている。

【０００３】しかしながら、（１）の方法の場合、絶縁
膜の耐熱性が劣化するために、元素比でせいぜい数％し
か添加できないため、比誘電率は従来のシリカ系層間絶
縁膜よりも１０％から１５％しか低減することが出来な
いと言う問題がある。

【０００４】また（２）の方法の場合、有機材料である
ために耐熱性および機械的強度が従来のシリカ系層間絶
縁膜よりも格段に劣化し、半導体素子の信頼性を低下さ
せることにつながると言う問題がある。

【０００５】さらにまた（３）の場合、ポーラスな構造
がランダムであるために層間絶縁膜の機械的強度が著し
く低下し、パッケージングに際し、破損しやすく、半導
体素子の信頼性低下の原因となっていた。

【０００６】また、ポーラスな構造が閉じていない場合
が多く、閉じていないと層間絶縁膜の耐湿性が著しく低
下し、半導体素子の信頼性低下の原因となっていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このように従来の絶縁
膜では、十分に誘電率を下げることができず、また、機
械的強度も充分でないという問題があった。

【０００８】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、誘電率が低くかつ機械的強度の強い絶縁膜を提供す
ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、基板
表面に形成され、空孔率５０％以上の無機絶縁膜を含む
ことを特徴とする。

【００１０】かかる構成によれば、空気の誘電率は低い
ためフッ素を添加したりするよりもさらに誘電率を低下
せしめることができ、絶縁膜の極限的な低誘電率化をは
かることが可能となる。

【００１１】望ましくは、基板表面に形成され、前記無
機絶縁膜の空孔が配向性を具備していることを特徴とす
る。

【００１２】かかる構成によれば、空孔が配向性をも
ち、周期的なポーラス構造をもつため、機械的強度を高
めることができ、信頼性の高い絶縁膜を得ることが可能
となる。

【００１３】また望ましくは、前記無機絶縁膜は、基板
表面に形成され、前記基板表面に平行となるように配向
せしめられた円柱状の空孔を含む周期的ポーラス構造を
具備してなることを特徴とする。

【００１４】かかる構成によれば、基板表面に平行とな
るように空孔が配向せしめられているため、基板表面に
垂直な方向で均一に低誘電率をもつことになり、特に層
間絶縁膜として用いる場合には、上層配線および下層配
線に対して開口部を持たない閉じた構造をとることがで
き、耐湿性に優れ信頼性の高い有効な低誘電率薄膜とし
ての役割を奏効する。

【００１５】望ましくは、基板表面に形成され、前記基
板表面に平行となるように一方向に配向せしめられた円
柱状の空孔を含む周期的ポーラス構造ドメインが複数含
まれており、隣接する各ポーラス構造ドメインは互いに
異なる方向に配向していることを特徴とする。

【００１６】かかる構成によれば、ドメイン毎に異なる
方向にポーラス構造が配向しているため、空孔の開口部
を互いに閉じることが可能になり、緻密な膜の耐湿性と
同程度の優れた耐湿性を有し、かつ周期構造により機械
的強度にも優れた究極的に低い誘電率をもつ低誘電率薄
膜を得ることが可能となる。さらにまた、層間の空間を
隣接する層が支えることで、通常不安定と考えられる層
状の周期的ポーラス形状を安定かつ優れた機械的強度で
構築することが可能となる。

【００１７】望ましくは、前記無機絶縁膜は、基板表面
に形成され、前記基板表面に平行となるように層状の空
孔が周期的に一方向に配向せしめられた周期的ポーラス
構造ドメインを具備してなることを特徴とする。

【００１８】かかる構成によれば、基板表面に平行とな
るように層状の空孔が配向せしめられているため、基板
表面に垂直な方向で均一に低誘電率をもつことになり、
特に層間絶縁膜として用いる場合には、上層配線および
下層配線に対して開口部を持たない閉じた構造をとるこ
とができ、耐湿性に優れ信頼性の高い有効な低誘電率薄
膜としての役割を奏効する。この構造では円筒状の空孔
を有するものに比べてさらに空孔率が高く低誘電率化を
図ることが可能となる。

【００１９】本発明の第2では、シリカ誘導体と界面活
性剤を含む前駆体溶液を生成する工程と、前記前駆体溶
液を昇温し、架橋反応を開始する予備架橋工程と、前記
予備架橋工程で架橋反応の開始された前記前駆体溶液を
基板表面に接触させる接触工程と、前記前駆体溶液が接
触せしめられた基板を焼成し、前記界面活性剤を分解除
去する工程とを含むことを特徴とする。

【００２０】かかる構成によれば、極めて制御性よく機
械的強度に優れ究極的に低い誘電率をもつ絶縁膜を提供
することが可能となる。また低温下での形成が可能であ
るため、集積回路の層間絶縁膜として用いる場合にも下
地に影響を与えることなく信頼性の高い絶縁膜を形成す
ることが可能となる。

【００２１】また、前駆体液の濃度を調整することによ
り空孔率は適宜変更可能であり、極めて作業性よく所望
の誘電率の絶縁体薄膜を形成することが可能となる。

【００２２】望ましくは、前記接触工程は、基板を前駆
体溶液に浸せきする工程であることを特徴とする。

【００２３】かかる構成によれば、生産性よく低誘電率
絶縁膜を形成することが可能となる。

【００２４】また望ましくは、前記接触工程は、基板を
前駆体溶液に浸せきし、所望の速度で引き上げる工程で
あることを特徴とする。

【００２５】かかる構成によれば、生産性よく低誘電率
絶縁膜を形成することが可能となる。

【００２６】望ましくは、前記接触工程は、前駆体溶液
に基板上に塗布する工程であることを特徴とする。

【００２７】かかる構成によれば、生産性よく低誘電率
絶縁膜を形成することが可能となる。

【００２８】望ましくは、前記接触工程は、前駆体溶液
に基板上に滴下し、前記基板を回転させる回転塗布工程
であることを特徴とする。

【００２９】かかる構成によれば、膜厚や空孔率を容易
に調整可能であり、生産性よく低誘電率絶縁膜を形成す
ることが可能となる。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置およびそ
の製造方法の一実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明
する。

【００３１】実施形態１本発明の第１の実施形態として、この低誘電率薄膜を層
間絶縁膜として用いたＦＲＡＭについて説明する。

【００３２】このＦＲＡＭは、図１（ａ）および（ｂ）
に示すように、シリコン基板１表面に形成された素子分
離絶縁膜２で囲まれた素子領域に形成されたスイッチン
グトランジスタと、強誘電体キャパシタとからなるもの
で、本発明ではスイッチングトランジスタと強誘電体キ
ャパシタの下部電極９との間に層間絶縁膜として本発明
の低誘電率薄膜７を用いたことを特徴とするもので、こ
の低誘電率薄膜は、図１（ｂ）に要部拡大斜視図を示す
ように、基板表面に平行となるように一方向に配向せし
められた円柱状の空孔ｈを含む周期的ポーラス構造ドメ
インを複数含むように形成されたメゾポーラスシリカ薄
膜からなるものである。

【００３３】他は通常の方法で形成される。このスイッ
チングトランジスタはシリコン基板１表面にゲート絶縁
膜３を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極
を挟むように形成されたソース領域５およびドレイン領
域６と、このドレイン領域６にコンタクト８を介して下
部電極９が接続されており、一方ソースドレイン領域は
ビット線ＢＬに接続されている。

【００３４】一方強誘電体キャパシタは下部電極９と上
部電極１１との間にＰＺＴからなる強誘電体薄膜１０を
挟んでなるものである。

【００３５】図２（ａ）乃至（ｄ）にこのＦＲＡＭの製
造工程について説明する。

【００３６】まず、通常の方法で、シリコン基板１表面
にゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極４を形
成するとともに、このゲート電極をマスクとして不純物
拡散を行いソース領域５およびドレイン領域６を形成す
る（図２（ａ））。

【００３７】続いて、本発明の方法で、基板表面に平行
となるように一方向に配向せしめられた円柱状の空孔を
含む周期的ポーラス構造ドメインを複数含むようにメゾ
ポーラスシリカ薄膜を形成する（図２（ｂ））。

【００３８】すなわち、図３（ａ）に示すように、まず
界面活性剤として陽イオン型のセチルトリメチルアンモ
ニウムブロマイド（ＣＴＡＢ：Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｎ⁺（ＣＨ₃）₃
Ｂｒ^-）と、シリカ誘導体としてテトラメトキシシラン
（ＴＭＯＳ：Tetramethoxy Silane）と、酸触媒として
の塩酸（HCl）とを、H₂O/アルコール混合溶媒に溶解
し、混合容器内で、前駆体（プレカーサー）溶液を調整
する。この前駆体溶液の仕込みのモル比は、溶媒を１０
０として、界面活性剤０．０５、シリカ誘導体０．１、
酸触媒２として混合し、この混合溶液内に前記MOSFETの
形成された基板を浸せきし図３（ｂ）に示すように、混
合容器を密閉したのち、３０から１５０℃で１時間乃至
１２０時間保持することによりシリカ誘導体を加水分解
重縮合反応で重合させて（予備架橋工程）、界面活性剤
の周期的な自己凝集体を鋳型とする、メゾポーラスシリ
カ薄膜を形成する。

【００３９】この自己凝集体は図４（ａ）に示すように
C₁₆H₃₃N⁺（CH₃）₃Ｂｒ^-を１分子とする複数の分子が凝
集してなる球状のミセル構造体（図４（ｂ））を形成
し、高濃度化により凝集度が高められるにつれてメチル
基の脱落した部分が空洞化し（図４（ｃ））、円柱状の
空孔が配向してなる円筒体（図４（ｄ））が形成されて
なるものである。

【００４０】そして基板を引き上げ、水洗、乾燥を行っ
た後、４００℃の酸素雰囲気中で３時間加熱・焼成し、
鋳型の界面活性剤を完全に熱分解除去して純粋なメゾポ
ーラスシリカ薄膜を形成する。図７はこの状態での断面
状態を示す写真である。写真からあきらかなように複数
のドメインに別れ、各ドメイン毎に空孔が配向してなる
ポーラスな薄膜となっていることがわかる。

【００４１】このようにして、図２（ｂ）に示すように
本発明実施形態の低誘電率薄膜７が形成されるが、実際
にはビット線ＢＬを形成するため、この低誘電率薄膜は
2回に分けて形成しなければならない。

【００４２】この後、通常の方法で、この低誘電率薄膜
７にコンタクトホール８を形成する。そして、このコン
タクトホール内に高濃度にドープされた多結晶シリコン
層を埋め込みプラグを形成した後、イリジウムをターゲ
ットとし、アルゴンと酸素との混合ガスを用いて、酸化
イリジウム層を形成する。そして更にこの上層にプラチ
ナをターゲットとして用いてプラチナ層を形成する。こ
のようにして図２（ｃ）に示すように、膜厚５０ｎｍ程
度の酸化イリジウム層、および膜厚２００ｎｍ程度のプ
ラチナ層を形成し、これをフォトリソグラフィによりパ
ターニングし、下部電極９を形成する。

【００４３】次に、この下部電極９の上に、ゾルゲル法
によって、強誘電体膜１０としてＰＺＴ膜を形成する。
出発原料として、Pb(CH₃COO)₂・3H₂O,Zr(t-OC₄H₉)₄,Ti(i
-OC₃H₇)₄の混合溶液を用いた。この混合溶液をスピンコ
ートした後、１５０℃で乾燥させ、ドライエアー雰囲気
において４００℃で３０分の仮焼成を行った。これを５
回繰り返した後、Ｏ₂の雰囲気中で、７００℃以上の熱
処理を施した。このようにして、２５０nmの強誘電体膜
１０を形成した。なお、ここでは、PbZr_xTi_1-xO₃におい
て、ｘを０．５２として（以下ＰＺＴ（５２／４８）と
表す）、ＰＺＴ膜を形成している（図２（ｄ））。

【００４４】さらに、強誘電体膜１０の上に、スパッタ
リングにより酸化イリジウムとイリジウムとの積層膜１
１を形成する。この酸化イリジウム層とイリジウム層と
の積層膜を、上部電極１１とする。ここでは、イリジウ
ム層と酸化イリジウム層とをあわせて２００nmの厚さと
なるように形成した。このようにして、強誘電体キャパ
シタを得ることができ、図1に示したＦＲＡＭが形成さ
れる。

【００４５】かかる構成によれば、層間絶縁膜がメゾポ
ーラスシリカ薄膜からなる低誘電率薄膜で構成されてい
るため、層間絶縁膜に起因する容量が低減され、スイッ
チング特性が良好で、高速動作の可能なＦＲＡＭを形成
することが可能となる。

【００４６】また、基板表面に平行となるように空孔が
配向せしめられているため、基板表面に垂直な方向で均
一に低誘電率をもつことになり、特に上層の下部電極お
よび配線、下地基板に対して開口部を持たない閉じた構
造をとることができ、耐湿性に優れ信頼性の高い有効な
低誘電率薄膜となる。従ってリーク電流もなく、長寿命
の層間絶縁膜となる。

【００４７】なお、前駆体溶液の組成については、前記
実施形態の組成に限定されることなく、溶媒を１００と
して、界面活性剤０．０１から０．１、シリカ誘導体
０．０１から０．５、酸触媒０から５とするのが望まし
い。かかる構成の前駆体溶液を用いることにより、円柱
状の空孔を有する低誘電率絶縁膜を形成することが可能
となる。

【００４８】また、前記実施形態では、界面活性剤とし
て陽イオン型のセチルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド（ＣＴＡＢ：Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｎ⁺（ＣＨ₃）₃Ｂｒ^-）を用いた
が、これに限定されることなく、他の界面活性剤を用い
てもよいことは言うまでもない。

【００４９】ただし、触媒としてＮａイオンなどのアル
カリイオンを用いると半導体材料としては、劣化の原因
となるため、陽イオン型の界面活性剤を用い、触媒とし
ては酸触媒を用いるのが望ましい。酸触媒としては、Ｈ
Ｃｌの他、硝酸（ＨＮＯ₃）、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）、燐酸
（Ｈ₃ＰＯ₄）、Ｈ₄ＳＯ₄等を用いてもよい。

【００５０】またシリカ誘導体としては、ＴＭＯＳに限
定されることなく、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：
Tetraethoxy Silane）などのシリコンアルコキシド材料
を用いるのが望ましい。

【００５１】また溶媒としては水H₂O/アルコール混合溶
媒を用いたが、水のみでもよい。

【００５２】さらにまた、焼成雰囲気としては酸素雰囲
気を用いたが、大気中でも、減圧下でも、窒素雰囲気中
でもよい。望ましくは窒素と水素の混合ガスからなるフ
ォーミングガスを用いることにより、耐湿性が向上し、
リーク電流の低減を図ることが可能となる。

【００５３】また、界面活性剤、シリカ誘導体、酸触
媒、溶媒の混合比については適宜変更可能である。

【００５４】さらに、予備重合工程は、３０から１５０
℃で１時間乃至１２０時間保持するようにしたが、望ま
しくは、６０から１２０℃、更に望ましくは９０℃とす
る。

【００５５】また、焼成工程は、４００℃１時間とした
が、３００℃から５００℃で１乃至５時間程度としてみ
ょい。望ましくは３５０℃から４５０℃とする。

【００５６】実施形態２なお、前記第１の実施形態では、メゾポーラスシリカ薄
膜の形成は、前駆体溶液に浸せきすることによって行っ
たが、浸せきに限定されることなく、図５に示すよう
に、ディップコート法を用いてもよい。

【００５７】すなわち、調整された前駆体溶液の液面に
対して基板を垂直に１ｍｍ／ｓ乃至１０ｍ／ｓの速度で
下降させて溶液中に沈め、１秒間乃至１時間静置する。

【００５８】そして所望の時間経過後再び、基板を垂直
に１ｍｍ／ｓ乃至１０ｍ／ｓの速度で上昇させて溶液か
ら取り出す。

【００５９】そして最後に、前記第１の実施形態と同様
に、焼成することにより、界面活性剤を完全に熱分解、
除去して純粋なメゾポーラスシリカ薄膜を形成する。

【００６０】実施形態３なお、前記第１の実施形態では、メゾポーラスシリカ薄
膜の形成は、前駆体溶液に浸せきすることによって行っ
たが、浸せきに限定されることなく、図６に示すよう
に、スピンコート法によってもよい。

【００６１】前記実施形態と同様にして形成された前駆
体溶液をスピナー上に載置された被処理基板表面に滴下
し、５００乃至５０００ｒｐｍで回転し、メゾポーラス
シリカ薄膜を得る。

【００６２】そして最後に、前記第１の実施形態と同様
に、焼成することにより、界面活性剤を完全に熱分解、
除去して純粋なメゾポーラスシリカ薄膜を形成する。

【００６３】かかる構成によれば、周期的なポーラス構
造をもつため、機械的強度を高めることができ、信頼性
の高い絶縁膜を得ることが可能となる。また、基板表面
に平行となるように空孔が配向せしめられているため、
基板表面に垂直な方向で均一に低誘電率をもつことにな
り、層間絶縁膜として用いる場合には、上層配線および
下層配線に対して開口部を持たない閉じた構造をとるこ
とができ、耐湿性に優れ信頼性の高い有効な低誘電率薄
膜としての役割を奏効する。

【００６４】実施形態４なお前記実施形態では、一方向に配向せしめられた円柱
状の空孔を含む周期的ポーラス構造ドメインが複数含ま
れ、隣接する各ポーラス構造ドメインは互いに異なる方
向に配向している絶縁膜について説明したが、図８に示
すように、空孔ｈが基板表面全体にわたって同一方向に
配孔しているように形成してもよい。

【００６５】実施形態５さらにまた、図9（ｆ）に示すように空孔ｈが層状に配
向してなる構造も有効である。ここでは更に前駆体溶液
における界面活性剤の濃度を高めることにより形成した
もので、他の工程については前記第1乃至第4の実施形態
と同様である。

【００６６】図４（ｃ）に示した構造体においてさらに
界面活性剤の濃度を高めると、図９（ｅ）に示すように
分子が層状に配向し、図９（ｆ）に示すような空孔ｈが
層状に配向してなる低誘電率絶縁膜が形成される。この
構造では円筒状の空孔を有するものに比べてさらに空孔
率が高く低誘電率化を図ることが可能となる。

【００６７】なお、前駆体溶液を形成する際に、界面活
性剤とシリカ誘導体の比率により、得られる構造体の構
造が変化することがわかっている。

【００６８】例えばＣＡＴＢ／ＴＥＯＳなど界面活性剤
とシリカ誘導体の分子比が０．３から０．８であるとき
は3次元ネットワーク構造（キュービック）となること
がわかっている。この分子比よりも小さく、０．１から
０．５であるときは筒状の空孔が配向してなる低誘電率
絶縁膜となり、一方この分子比よりも大きく、０．５か
ら２であるときは層状の空孔が配向してなる低誘電率絶
縁膜となる。

【００６９】なお、前記実施形態では、スピナーを用い
た塗布方法について説明したが、刷毛で塗布するいわゆ
る刷毛塗り法も適用可能である。

【００７０】加えて、前記実施形態では、ＦＲＡＭの層
間絶縁膜について説明したが、シリコンを用いた種々の
半導体デバイス、ＨＥＭＴなど化合物半導体を用いたデ
バイスをはじめとする高速デバイス、マイクロ波ＩＣな
どの高周波デバイス、ＭＦＭＩＳ型の高集積強誘電体メ
モリ、フィルムキャリアなどを用いたマイクロ波伝送線
路あるいは多層配線基板、などにも適用可能である。

【００７１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、容易に制御性よく、機械的強度が高く低誘電率の絶
縁膜を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第1の実施形態の方法で形成した絶縁
膜を用いたＦＲＡＭを示す図

【図２】図１のＦＲＡＭの製造工程を示す図

【図３】本発明の第1の実施形態における絶縁膜の形成
工程を示す説明図

【図４】本発明の第1の実施形態における絶縁膜を示す
説明図

【図５】本発明の第２の実施形態における絶縁膜の形成
工程を示す説明図

【図６】本発明の第３の実施形態における絶縁膜の形成
工程を示す説明図

【図７】本発明の第1の実施形態における絶縁膜を示す
写真

【図８】本発明の第４の実施形態における絶縁膜を示す
説明図

【図９】本発明の第５の実施形態における絶縁膜を示す
説明図

【符号の説明】

ｈ空孔１シリコン基板２素子分離絶縁膜３ゲート絶縁膜４ゲート電極５ソース領域６ドレイン領域７絶縁膜８コンタクトホール９下部電極１０強誘電体膜１１上部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に形成され、空孔率５０％以上の
無機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記無機絶縁膜は、基板表面に形成され、
空孔が配向性を具備していることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置。
【請求項３】前記無機絶縁膜は、基板表面に形成され、
前記基板表面に平行となるように配向せしめられた円柱
状の空孔を含む周期的ポーラス構造を具備してなること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】前記無機絶縁膜は、基板表面に形成され、
前記基板表面に平行となるように一方向に配向せしめら
れた円柱状の空孔を含む周期的ポーラス構造ドメインが
複数含まれており、隣接する各ポーラス構造ドメインは
互いに異なる方向に配向していることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置。
【請求項５】前記無機絶縁膜は、基板表面に形成され、
前記基板表面に平行となるように層状の空孔が周期的に
一方向に配向せしめられた周期的ポーラス構造ドメイン
を具備してなることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置。
【請求項６】前記無機絶縁膜は、半導体基板または半導
体基板上に形成された下層配線導体と、上層配線導体と
の間に介在せしめられる層間絶縁膜であることを特徴と
する請求項1乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】シリカ誘導体と界面活性剤を含む前駆体溶
液を生成する工程と、前記前駆体溶液を昇温し、架橋反
応を開始する予備架橋工程と、前記予備架橋工程で架橋
反応の開始された前記前駆体溶液を基板表面に接触させ
る接触工程と、前記前駆体溶液が接触せしめられた基板
を焼成し、前記界面活性剤を分解除去する工程とを含み
絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項８】前記接触工程は、基板を前駆体溶液に浸せ
きする工程であることを特徴とする請求項７に記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項９】前記接触工程は、基板を前駆体溶液に浸せ
きし、所望の速度で引き上げる工程であることを特徴と
する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】前記接触工程は、前駆体溶液を基板上に
塗布する工程であることを特徴とする請求項７に記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】前記接触工程は、前駆体溶液を基板上に
滴下し、前記基板を回転させる回転塗布工程であること
を特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方
法。