JP2003017456A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate

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JP2003017456A
JP2003017456A JP2001196282A JP2001196282A JP2003017456A JP 2003017456 A JP2003017456 A JP 2003017456A JP 2001196282 A JP2001196282 A JP 2001196282A JP 2001196282 A JP2001196282 A JP 2001196282A JP 2003017456 A JP2003017456 A JP 2003017456A
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JP
Japan
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substrate
ozone
hydrogen peroxide
peroxide solution
processing apparatus
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Application number
JP2001196282A
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Japanese (ja)
Inventor
Sozo Nagami
宗三 永見
Masato Tanaka
眞人 田中
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for treating a substrate, capable of rapidly decomposing and removing organic matters adhered to the substrate. SOLUTION: The apparatus for treating the substrate holds the substrate W, in which the organic matter is adhered at a rotor 10 by a fixed substrate- holding member 12 and a movable substrate-holding member 15, provided at the rotor 10 and rotates the substrate in the direction of arrow A at a rotor shaft 18 as the axis. In the apparatus, a step of discharging a hydrogen peroxide water (in a spray state) from a hydrogen peroxide discharging mechanism 20 to the substrate W and thinning the water on the upper surface of the substrate W, and a step of thereafter simultaneously supplying ozone gas and pure water (spray state) from an ozone gas supply nozzle 30 and a pure water discharge mechanism 50 are repeated. Then, a large quantity of the ozone is supplied to the thinned peroxide water, to generate a large quantity of oxygen radicals, the large quantity of the radicals are supplied instantaneously to the organic matter, and matters adhered to the substrate W can be decomposed and removed rapidly.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板の如きFPD(FlatPane
l Display)用基板、フォトマスク用ガラス基
板および光ディスク用基板など(以下、単に「基板」と
称する)にオゾンを供給することによって当該基板の処
理、例えば基板に付着した有機物の除去処理等を行う基
板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an FPD (FlatPane) such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal display device.
l Display) substrate, photomask glass substrate, optical disc substrate, etc. (hereinafter, simply referred to as “substrate”) by supplying ozone to the substrate, for example, to remove organic substances attached to the substrate. The present invention relates to a substrate processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
基板の洗浄処理が不可欠であり、例えば、半導体デバイ
ス製造工程におけるフォトリソグラフィ工程のレジスト
剥離などの有機物の分解・除去には、湿式洗浄装置で硫
酸と過酸化水素水の混合液(以下、SPMと称す)が用
いられてきた。しかし、SPMは劇物であるとともに高
温で使用されるため、安全性の確保に多大な労力を払っ
ている。さらに、基板処理後のSPMの排液処理が難し
く、排液処理にかかる設備、費用の負担が大きな状況で
ある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate manufacturing process,
A substrate cleaning process is indispensable. For example, for decomposition and removal of organic substances such as resist stripping in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a wet cleaning device is used to mix a sulfuric acid and hydrogen peroxide solution (hereinafter referred to as SPM). Has been used. However, since SPM is a deleterious substance and is used at high temperatures, a great deal of work is done to ensure safety. Further, it is difficult to treat the drainage of SPM after the substrate treatment, and the equipment and cost for drainage treatment are large.

【0003】そこで、近年、環境への配慮のために、レ
ジスト等の有機物の分解・除去を行う簡便かつ安全な洗
浄装置としてオゾン水を用いた装置が提案されている。
この装置は、基板の表面にオゾン水を供給し、オゾンに
よってレジスト等の有機物を酸化することにより、その
有機物を分解・除去して基板の表面洗浄を行う装置であ
る。周知のようにオゾンは極めて強力な酸化力を有して
おり、そのようなオゾンの強力な酸化力を利用して基板
の洗浄処理を行うのである。
Therefore, in recent years, in consideration of the environment, a device using ozone water has been proposed as a simple and safe cleaning device for decomposing and removing organic substances such as resist.
This apparatus is an apparatus that supplies ozone water to the surface of a substrate and oxidizes organic substances such as resist by ozone to decompose and remove the organic substances to clean the surface of the substrate. As is well known, ozone has an extremely strong oxidizing power, and such a strong oxidizing power of ozone is used for cleaning the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オゾン
水によるレジスト等の有機物の酸化分解反応の速度は、
そのオゾン水中のオゾン濃度に依存することが知られて
いるが、オゾンの溶解度は温度・圧力によって一義的に
決まるものである。このため、飽和オゾン水を用いたと
してもそのオゾン濃度には一定の限界があり、有機物の
分解・除去速度を一定以上に大きくすることはできなか
った。
However, the rate of oxidative decomposition reaction of organic substances such as resist by ozone water is
It is known to depend on the ozone concentration in the ozone water, but the solubility of ozone is uniquely determined by temperature and pressure. Therefore, even if saturated ozone water is used, there is a certain limit to the ozone concentration, and the decomposition / removal rate of organic substances cannot be increased beyond a certain level.

【0005】また、オゾン水による有機物の酸化分解反
応が進行するとき、オゾンが分解して生成するOラジカ
ルおよびOHラジカル(以下、酸素ラジカルと称す)が
有機物の酸化分解反応の速度を律速していることが知ら
れているが、従来のオゾン水を用いた洗浄装置において
は、基板の表面に対してただ単にオゾン水を供給するだ
けであったため、オゾンが分解して生成する酸素ラジカ
ルを大量に基板の表面に対して瞬時に供給することがで
きなかった。
When the oxidative decomposition reaction of an organic substance by ozone water proceeds, O radicals and OH radicals (hereinafter referred to as oxygen radicals) generated by the decomposition of ozone control the rate of the oxidative decomposition reaction of the organic substance. However, in conventional cleaning equipment using ozone water, ozone water is simply supplied to the surface of the substrate, so a large amount of oxygen radicals generated by decomposition of ozone are generated. Moreover, it was not possible to instantaneously supply it to the surface of the substrate.

【0006】以上のような種々の事情に起因して、従来
のオゾン水洗浄においては、有機物の分解・除去速度を
一定以上に大きくすることができず、その結果洗浄処理
にも比較的長時間を要し、装置のスループットが低下す
るという問題が生じていたのである。
Due to various circumstances as described above, in the conventional ozone water cleaning, the decomposition / removal rate of organic substances cannot be increased to a certain level or higher, and as a result, the cleaning process takes a relatively long time. Therefore, there is a problem that the throughput of the apparatus is lowered.

【0007】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板に付着した有機物を迅速に分解・除去する
ことができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of rapidly decomposing and removing organic substances attached to a substrate.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板に所定の処理を行う基板処
理装置であって、(a)前記基板を保持する保持手段
と、(b)前記保持手段に保持された前記基板に、オゾ
ンを供給するオゾン供給手段と、(c)前記保持手段に
保持された前記基板に、過酸化水素水を含む溶液を供給
する過酸化水素水供給手段と、(d)前記保持手段に保
持された前記基板に、前記過酸化水素水供給手段によっ
て前記過酸化水素水を供給させて、前記保持手段に保持
された前記基板上で前記過酸化水素水を薄膜化させる第
1ステップと、前記保持手段に保持された前記基板上に
おいて薄膜化された前記過酸化水素水の上から、前記オ
ゾン供給手段によって前記オゾンを供給させる第2ステ
ップとを含む組合せプロセス、を繰り返えさせる制御手
段とを備える。
In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, comprising: (a) holding means for holding the substrate; (B) ozone supply means for supplying ozone to the substrate held by the holding means, and (c) hydrogen peroxide for supplying a solution containing hydrogen peroxide solution to the substrate held by the holding means. The hydrogen peroxide solution is supplied to the water supply means and (d) the substrate held by the holding means so that the hydrogen peroxide solution is supplied on the substrate held by the holding means. A first step of thinning the hydrogen oxide water, and a second step of supplying the ozone by the ozone supplying means from the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate held by the holding means. Combination process including And a control means for repeating the operation.

【0009】また、請求項2の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置であって、前記オゾン供給手段は、前記
保持手段に保持された前記基板に、オゾンガスを供給す
るオゾンガス供給手段を含む。
The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ozone supply means comprises ozone gas supply means for supplying ozone gas to the substrate held by the holding means. Including.

【0010】また、請求項3の発明は、請求項2に記載
の基板処理装置であって、前記オゾン供給手段は、前記
保持手段に保持された前記基板に、純水を供給する純水
供給手段をさらに備え、前記第2ステップは、前記オゾ
ンガス供給手段および前記純水供給手段によって前記オ
ゾンガスおよび前記純水を同時に供給させる。
Further, the invention of claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the ozone supply means supplies pure water to the substrate held by the holding means. In the second step, the ozone gas supply unit and the pure water supply unit simultaneously supply the ozone gas and the pure water in the second step.

【0011】また、請求項4の発明は、請求項3に記載
の基板処理装置であって、前記純水供給手段は、前記保
持手段に保持された前記基板に、前記純水をミストまた
はスチームの状態にて供給する手段を含む。
Further, the invention of claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the deionized water supply means mist or steam the deionized water on the substrate held by the holding means. Means for supplying in the state of.

【0012】また、請求項5の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置であって、前記オゾン供給手段は、前記
保持手段に保持された前記基板に、オゾン水を供給する
オゾン水供給手段を含む。
The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ozone supply means supplies ozone water to the substrate held by the holding means. Including means.

【0013】また、請求項6の発明は、請求項5に記載
の基板処理装置であって、前記オゾン供給手段は、前記
保持手段に保持された前記基板に、前記オゾンガスを供
給する前記オゾンガス供給手段をさらに備え、前記第2
ステップは、前記第1ステップの後、前記保持手段に保
持された前記基板上において薄膜化された前記過酸化水
素水の上から、前記オゾン水供給手段および前記オゾン
ガス供給手段によって前記オゾン水および前記オゾンガ
スを同時に供給させる。
The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the ozone supply means supplies the ozone gas to the substrate held by the holding means. Means further comprising the second
In the step, after the first step, the ozone water supply unit and the ozone gas supply unit perform the ozone water supply and the ozone water supply from the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate held by the holding unit. Ozone gas is supplied at the same time.

【0014】また、請求項7の発明は、請求項5または
請求項6のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記オゾン水供給手段は、前記保持手段に保持された前記
基板に、前記オゾン水をミストまたはスチームの状態に
て供給する手段を含む。
Further, the invention of claim 7 is the substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the ozone water supply means is provided on the substrate held by the holding means. A means for supplying the ozone water in the state of mist or steam is included.

【0015】また、請求項8の発明は、請求項1から請
求項7のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記
過酸化水素水供給手段は、前記保持手段に保持された前
記基板に、前記過酸化水素水を含む溶液をミストまたは
スチームの状態にて供給する手段を含む。
The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the hydrogen peroxide solution supply means is the substrate held by the holding means. And means for supplying the solution containing the hydrogen peroxide solution in the state of mist or steam.

【0016】また、請求項9の発明は、請求項1から請
求項8のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記
保持手段に保持された前記基板を回転させる回転手段を
さらに備え、前記制御手段は、前記組合せプロセスを繰
り返す際に、前記回転手段を駆動して、前記保持手段に
保持された前記基板を回転させる。
The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, further comprising rotating means for rotating the substrate held by the holding means, The control means drives the rotation means to rotate the substrate held by the holding means when repeating the combination process.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0018】<第1実施形態>図1は本発明に係る第1
実施形態の基板処理装置の要部構成を示す正面図であ
り、図2は基板処理装置の第1実施形態の要部構成を示
す平面図である。なお、図1および図2には、それらの
方向関係を明確にするため、XYZ直交座標系を付して
いる。
<First Embodiment> FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view showing a main part configuration of the substrate processing apparatus of the embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing a main part configuration of the substrate processing apparatus of the first embodiment. 1 and 2, an XYZ orthogonal coordinate system is attached in order to clarify their directional relationship.

【0019】第1実施形態の基板処理装置は、基板に過
酸化水素水を供給し、基板上で過酸化水素水を薄膜化さ
せる第1ステップと、基板上において薄膜化された過酸
化水素水の上からオゾンガスおよび純水を同時に供給す
る第2ステップとを含む組合せプロセスを繰り返すこと
によって基板Wに付着したレジスト等の有機物を除去す
る基板洗浄装置であり、チャンバー5の内部は、ロータ
10と、過酸化水素水吐出機構20と、オゾンガス供給
ノズル30と、純水吐出機構50とを備えている。な
お、この発明に対応する装置では、上記の組合せプロセ
ス以外にも後述するように他の態様でのプロセスが可能
であるため、ここでの組合せプロセスを「組合せプロセ
ス(タイプ1)」と呼ぶことにする。
The substrate processing apparatus of the first embodiment is the first step of supplying hydrogen peroxide solution to the substrate to thin the hydrogen peroxide solution on the substrate, and the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate. Is a substrate cleaning apparatus that removes organic substances such as resist adhering to the substrate W by repeating a combination process including a second step of simultaneously supplying ozone gas and pure water from above. A hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20, an ozone gas supply nozzle 30, and a pure water discharge mechanism 50 are provided. In addition, in the device corresponding to the present invention, processes in other modes besides the above-described combination process are possible as described later, and therefore the combination process here is referred to as “combination process (type 1)”. To

【0020】チャンバー5は、その軸を水平方向(Y方
向)とする略円筒形状の処理室である。チャンバー5の
上部には、図示を省略する開閉手段によってZ方向に昇
降し、X方向に水平移動することによって、開閉自在と
されたオートカバー6が設けられている。オートカバー
6が閉められた状態(図1に示す状態)において、オー
トカバー6とチャンバー5との間にはシール部材6aが
設けられており、チャンバー5内部の気密性が保たれ
る。すなわち、チャンバー5は密閉型のチャンバーであ
る。
The chamber 5 is a substantially cylindrical processing chamber whose axis is horizontal (Y direction). On the upper part of the chamber 5, there is provided an auto cover 6 which can be opened and closed by moving up and down in the Z direction and horizontally moving in the X direction by an opening and closing means (not shown). In the state where the auto cover 6 is closed (the state shown in FIG. 1), the seal member 6a is provided between the auto cover 6 and the chamber 5, and the airtightness inside the chamber 5 is maintained. That is, the chamber 5 is a closed chamber.

【0021】チャンバー5の内部には、ロータ10が設
けられている。図示の如く、ロータ10は1対の「X字
型」のエンドプレート11間に2つの固定式基板保持部
材12および2つの可動式基板保持部材15を架設した
構造とされている。固定式基板保持部材12は、その両
端が2枚のエンドプレート11に固設されるとともに、
それぞれが1枚の基板Wを保持する溝が複数刻設されて
いる。一方、可動式基板保持部材15は、その両端が2
枚のエンドプレート11に回動軸15aを中心として回
動自在に接続されるとともに、それぞれが1枚の基板W
を保持する溝が複数刻設されている。可動式基板保持部
材15は、図示を省略するリンク機構によって回動する
ように構成されており、基板Wの端縁を押圧・保持する
位置(図1の実線位置)と基板Wを解放する位置(図1
の2点鎖線位置)との間で回動する。したがって、ロー
ター10の回転時においても当該リンク機構によって基
板Wを確実に保持することが可能である。
A rotor 10 is provided inside the chamber 5. As shown in the figure, the rotor 10 has a structure in which two fixed substrate holding members 12 and two movable substrate holding members 15 are provided between a pair of "X-shaped" end plates 11. The fixed substrate holding member 12 has both ends fixed to the two end plates 11, and
A plurality of grooves each holding one substrate W are engraved. On the other hand, the movable substrate holding member 15 has two ends
The substrate W is connected to the end plates 11 so as to be rotatable about a rotation shaft 15a, and each of the end plates 11 includes one substrate W.
A plurality of grooves for holding are engraved. The movable substrate holding member 15 is configured to rotate by a link mechanism (not shown), and a position for pressing and holding the edge of the substrate W (solid line position in FIG. 1) and a position for releasing the substrate W. (Fig. 1
(The position indicated by the chain double-dashed line). Therefore, the substrate W can be reliably held by the link mechanism even when the rotor 10 rotates.

【0022】2枚のエンドプレート11のそれぞれの中
心部にはローター軸18が固設されている。ロータ軸1
8は、シール部材19を介してチャンバー5に対して回
転自在に設けられている。すなわち、シール部材19は
チャンバー5内部の気密性を維持するとともに、ロータ
ー軸18はその一方側端部(エンドプレート11に固設
されているのと反対側の端部)がチャンバー5の外部に
設けられたモータMに接続されている。このような機構
により、モータMの回転によって、ロータ10およびロ
ータ10に保持された複数の基板Wを回転させることが
可能である。なお、2枚のエンドプレート11のそれぞ
れには、バランサー13が設けられており、ロータ10
回転時の回転バランスが保たれている。
A rotor shaft 18 is fixed to the center of each of the two end plates 11. Rotor shaft 1
8 is rotatably provided with respect to the chamber 5 via a seal member 19. That is, the seal member 19 maintains the airtightness inside the chamber 5, and the rotor shaft 18 has its one end (the end opposite to the end fixed to the end plate 11) outside the chamber 5. It is connected to the provided motor M. With such a mechanism, the rotation of the motor M can rotate the rotor 10 and the plurality of substrates W held by the rotor 10. A balancer 13 is provided on each of the two end plates 11, and the rotor 10
The rotation balance during rotation is maintained.

【0023】図中では省略したが、チャンバー5の下方
には、洗浄処理の開始前と終了後にオートカバー6を介
して基板搬送ロボットと基板Wの受け渡しを行う基板昇
降機構が設けられており、また、基板処理後に発生する
汚染された処理液を排液するするために、チャンバー5
の下方には排液口7が設けられ、排液口7の外側には図
中では省略する排液処理機構が設けられている。
Although not shown in the figure, below the chamber 5, there is provided a substrate elevating mechanism for delivering the substrate W to the substrate transfer robot via the auto cover 6 before and after the cleaning process is started. Further, in order to drain the contaminated processing liquid generated after the substrate processing, the chamber 5
A drainage port 7 is provided below, and a drainage processing mechanism, which is omitted in the figure, is provided outside the drainage port 7.

【0024】チャンバー5内部の上方には、過酸化水素
水吐出機構20と、オゾンガス供給ノズル30と、純水
吐出機構50とが設けられている。過酸化水素水吐出機
構20は、過酸化水素水供給源22と第1配管25を介
して接続されており、その第1配管25の途中には第1
ポンプ23と第1バルブ24とが設けられている。オゾ
ンガス供給ノズル30は、オゾンガス供給源32と第2
配管35を介して接続されており、その第2配管35の
途中には第2バルブ34が設けられている。また、純水
吐出機構50は、純水供給源52と第3配管55を介し
て接続されており、その第3配管55の途中には第3ポ
ンプ53と第3バルブ54とが設けられている。
Above the inside of the chamber 5, a hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20, an ozone gas supply nozzle 30, and a pure water discharge mechanism 50 are provided. The hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 is connected to the hydrogen peroxide solution supply source 22 via a first pipe 25, and the first pipe 25 is provided with a first
A pump 23 and a first valve 24 are provided. The ozone gas supply nozzle 30 includes an ozone gas supply source 32 and a second
It is connected via a pipe 35, and a second valve 34 is provided in the middle of the second pipe 35. The pure water discharge mechanism 50 is connected to a pure water supply source 52 via a third pipe 55, and a third pump 53 and a third valve 54 are provided in the middle of the third pipe 55. There is.

【0025】過酸化水素水吐出機構20は、ロータ10
に保持された基板Wに過酸化水素水を吐出する機構であ
り、過酸化水素水吐出ノズル21を備えている。過酸化
水素水吐出ノズル21は、Y方向に沿って伸びる中空の
管状部材であり、Y方向に等間隔にて配列された複数の
過酸化水素水吐出孔21aを備えている。複数の過酸化
水素水吐出孔21aが配列されている間隔は、固定式基
板保持部材12および可動式基板保持部材15に刻設さ
れている保持溝の間隔、すなわちロータ10に保持され
た複数の基板Wの配列間隔と等しい間隔である。
The hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 includes the rotor 10
It is a mechanism for ejecting hydrogen peroxide solution onto the substrate W held by, and is provided with a hydrogen peroxide solution ejection nozzle 21. The hydrogen peroxide solution discharge nozzle 21 is a hollow tubular member extending along the Y direction and has a plurality of hydrogen peroxide solution discharge holes 21a arranged at equal intervals in the Y direction. The intervals at which the plurality of hydrogen peroxide discharge holes 21a are arranged are the intervals between the holding grooves formed in the fixed substrate holding member 12 and the movable substrate holding member 15, that is, the plurality of holding grooves held by the rotor 10. The interval is equal to the array interval of the substrates W.

【0026】過酸化水素水吐出ノズル21は、ロータ1
0に保持された複数の基板Wのそれぞれ1枚ずつの主面
に対して噴霧状に過酸化水素水を吐出するスプレイタイ
プのノズルである。なお、過酸化水素水吐出ノズル21
は、スプレイタイプのノズルに限定されるものではな
く、直線状(棒状)に過酸化水素水を吐出するストレー
トタイプのノズルであっても良いし、過酸化水素水をシ
ャワー状に吐出するシャワータイプのノズルであっても
良いし、過酸化水素水を蒸気状に吐出するスチームタイ
プのノズルであっても良い。また、過酸化水素水吐出孔
21aが配列されている間隔は、ロータ10に保持され
た複数の基板Wの配列間隔と等しい間隔に限定されるも
のではなく、ロータ10に保持された複数の基板Wのす
べての主面に対して過酸化水素水を供給できるものであ
れば、異なる間隔であっても良い。
The hydrogen peroxide discharge nozzle 21 is the rotor 1
It is a spray type nozzle that sprays hydrogen peroxide solution onto the main surface of each of the plurality of substrates W held at 0. The hydrogen peroxide solution discharge nozzle 21
Is not limited to a spray type nozzle, and may be a straight type nozzle that discharges hydrogen peroxide solution in a straight line (rod shape) or a shower type nozzle that discharges hydrogen peroxide solution in a shower shape. It may be a nozzle or a steam type nozzle that discharges hydrogen peroxide solution in a vapor state. Further, the interval at which the hydrogen peroxide solution discharge holes 21a are arranged is not limited to the same interval as the arrangement interval of the plurality of substrates W held by the rotor 10, and the plurality of substrates held by the rotor 10 are not limited to the same. Different intervals may be used as long as hydrogen peroxide water can be supplied to all the main surfaces of W.

【0027】オゾンガス供給ノズル30は、ロータ10
に保持された基板Wにオゾンガスを供給する機構であ
る。オゾンガス供給ノズル30は、Y方向に沿って伸び
る中空の管状部材であり、Y方向に等間隔にて配列され
た複数のオゾンガス吐出孔30aを備えている。複数の
オゾンガス吐出孔30aが配列されている間隔は、固定
式基板保持部材12および可動式基板保持部材15に刻
設されている保持溝の間隔、すなわちロータ10に保持
された複数の基板Wの配列間隔と等しい間隔である。
The ozone gas supply nozzle 30 is used for the rotor 10.
This is a mechanism for supplying the ozone gas to the substrate W held by. The ozone gas supply nozzle 30 is a hollow tubular member extending along the Y direction, and has a plurality of ozone gas discharge holes 30a arranged at equal intervals in the Y direction. The intervals at which the plurality of ozone gas discharge holes 30a are arranged are the intervals between the holding grooves formed in the fixed substrate holding member 12 and the movable substrate holding member 15, that is, the plurality of substrates W held by the rotor 10. The interval is equal to the array interval.

【0028】オゾンガス供給ノズル30は、ロータ10
に保持された複数の基板Wのそれぞれ1枚ずつの主面に
対してオゾンガスを吐出するノズルである。なお、オゾ
ンガス吐出孔30aの間隔は、ロータ10に保持された
複数の基板Wの配列間隔と等しい間隔に限定されるもの
ではなく、ロータ10に保持された複数の基板Wのすべ
ての主面に対してオゾンガスを供給できるものであれ
ば、異なる間隔であっても良い。
The ozone gas supply nozzle 30 includes the rotor 10
It is a nozzle that discharges ozone gas onto the main surface of each of the plurality of substrates W held by the. The intervals of the ozone gas discharge holes 30a are not limited to the intervals equal to the arrangement intervals of the plurality of substrates W held by the rotor 10, but all the main surfaces of the plurality of substrates W held by the rotor 10 are arranged. On the other hand, different intervals may be used as long as ozone gas can be supplied.

【0029】純水吐出機構50は、ロータ10に保持さ
れた基板Wに純水を吐出する機構であり、純水吐出ノズ
ル51を備えている。純水吐出ノズル51は、Y方向に
沿って伸びる中空の管状部材であり、Y方向に等間隔に
て配列された複数の純水吐出孔51aを備えている。複
数の純水吐出孔51aが配列されている間隔は、固定式
基板保持部材12および可動式基板保持部材15に刻設
されている保持溝の間隔、すなわちロータ10に保持さ
れた複数の基板Wの配列間隔と等しい間隔である。
The pure water discharge mechanism 50 is a mechanism for discharging pure water onto the substrate W held by the rotor 10, and includes a pure water discharge nozzle 51. The pure water discharge nozzle 51 is a hollow tubular member extending along the Y direction and has a plurality of pure water discharge holes 51a arranged at equal intervals in the Y direction. The intervals at which the plurality of pure water discharge holes 51a are arranged are the intervals between the holding grooves formed in the fixed substrate holding member 12 and the movable substrate holding member 15, that is, the plurality of substrates W held by the rotor 10. The interval is equal to the array interval of.

【0030】純水吐出ノズル51は、ロータ10に保持
された複数の基板Wのそれぞれ1枚ずつの主面に対して
噴霧状にオゾン水を吐出するスプレイタイプのノズルで
ある。なお、純水吐出ノズル51は、スプレイタイプの
ノズルに限定されるものではなく、直線状(棒状)に純
水を吐出するストレートタイプのノズルであっても良い
し、純水をシャワー状に吐出するシャワータイプのノズ
ルであっても良いし、純水を蒸気状に吐出するスチーム
タイプのノズルであっても良い。また、純水吐出孔51
aが配列されている間隔は、ロータ10に保持された複
数の基板Wの配列間隔と等しい間隔に限定されるもので
はなく、ロータ10に保持された複数の基板Wのすべて
の主面に対して純水を供給できるものであれば、異なる
間隔であっても良い。
The deionized water discharge nozzle 51 is a spray type nozzle that discharges ozone water in the form of a spray onto the main surface of each of the plurality of substrates W held by the rotor 10. The pure water discharge nozzle 51 is not limited to a spray type nozzle, and may be a straight type nozzle that discharges pure water in a straight line (rod shape) or may discharge pure water in a shower shape. It may be a shower type nozzle or a steam type nozzle that discharges pure water in a vapor state. In addition, the pure water discharge hole 51
The intervals at which a is arranged are not limited to the intervals equal to the arrangement intervals of the plurality of substrates W held by the rotor 10, but for all the main surfaces of the plurality of substrates W held by the rotor 10. Different intervals may be used as long as pure water can be supplied.

【0031】本実施形態の基板処理装置には、制御部1
が設けられている。制御部1は、第1バルブ24、第2
バルブ34、第3バルブ54、モータMと電気的に接続
されている。制御部1は、メモリやCPU等を備えたコ
ンピュータを用いて構成されている。制御部1は、所定
の処理手順を記述した処理用ソフトウェアにしたがっ
て、有機物の付着した基板Wへの過酸化水素水と、純水
と、オゾンガスの供給を制御するとともに基板Wの回転
を制御する。より正確には、制御部1は、上記処理用ソ
フトウェアに記述された処理手順にしたがって、第1バ
ルブ24と、第2バルブ34と、第3バルブ54の開閉
を制御することにより、有機物の付着した基板Wへの過
酸化水素水と、純水と、オゾンガスの供給を管理すると
ともに、モータMの回転を制御することにより、モータ
Mの回転によって回転可能であるロータ10に設けられ
た固定式基板保持部材12および可動式基板保持部材1
5に保持された基板Wの回転を管理する。
The substrate processing apparatus of this embodiment includes the control unit 1
Is provided. The control unit 1 includes a first valve 24, a second valve
The valve 34, the third valve 54, and the motor M are electrically connected. The control unit 1 is configured by using a computer including a memory and a CPU. The control unit 1 controls the supply of hydrogen peroxide solution, pure water, and ozone gas to the substrate W to which the organic substance adheres, and also controls the rotation of the substrate W according to the processing software describing a predetermined processing procedure. . More precisely, the control unit 1 controls the opening and closing of the first valve 24, the second valve 34, and the third valve 54 in accordance with the processing procedure described in the above-mentioned processing software, thereby adhering the organic matter. The fixed type provided on the rotor 10 that is rotatable by the rotation of the motor M by controlling the rotation of the motor M while controlling the supply of hydrogen peroxide solution, pure water, and ozone gas to the substrate W Substrate holding member 12 and movable substrate holding member 1
The rotation of the substrate W held at 5 is controlled.

【0032】なお、本実施形態においては、ロータ10
に設けられた固定式基板保持部材12および可動式基板
保持部材15が基板Wを保持する保持手段に相当し、オ
ゾンガス供給ノズル30が保持手段に保持された基板W
にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段に相当し、
過酸化水素水吐出機構20が保持手段に保持された基板
Wに過酸化水素水を含む溶液を供給する過酸化水素水供
給手段に相当し、純水吐出機構50が保持手段に保持さ
れた基板Wに純水を供給する純水供給手段に相当し、オ
ゾンガス供給ノズル30と純水吐出機構50とが保持手
段に保持された基板Wにオゾンを供給するオゾン供給手
段に相当する。また、制御部1が、既述した組合せプロ
セス(タイプ1)を繰り返す制御手段に相当する。さら
に、制御部1は、組合せプロセス(タイプ1)を繰り返
す際に、保持手段に保持された基板Wの回転手段による
回転を制御する手段にも相当し、モータMの回転によっ
て回転駆動されるロータ10が回転手段に相当する。
In the present embodiment, the rotor 10
The fixed-type substrate holding member 12 and the movable-type substrate holding member 15 provided on the substrate correspond to holding means for holding the substrate W, and the ozone gas supply nozzle 30 is held by the holding means.
Corresponds to ozone gas supply means for supplying ozone gas to
The hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 corresponds to a hydrogen peroxide solution supply means for supplying a solution containing hydrogen peroxide solution to the substrate W held by the holding means, and the pure water discharge mechanism 50 is held by the holding means. It corresponds to pure water supply means for supplying pure water to W, and ozone gas supply nozzle 30 and pure water discharge mechanism 50 correspond to ozone supply means for supplying ozone to the substrate W held by the holding means. Moreover, the control unit 1 corresponds to a control unit that repeats the above-described combination process (type 1). Further, the control unit 1 also corresponds to a unit that controls the rotation of the substrate W held by the holding unit by the rotating unit when repeating the combination process (Type 1), and is rotated by the rotation of the motor M. 10 corresponds to a rotating means.

【0033】次に、本実施形態の基板処理装置における
レジスト等の有機物が付着した基板Wの洗浄処理手順に
ついて説明する。まず、図中では省略しているが、チャ
ンバー5の上方に設けてあるオートカバー6を介して基
板搬送ロボットと基板Wの受け渡しを行う基板昇降機構
により、レジスト等の有機物が付着した基板Wがロータ
10に渡される。このときには、ロータ10の2つの固
定式基板保持部材12に刻設された溝に基板Wの端縁が
はまり込み、複数の基板Wが相互に所定の間隔を隔てた
起立姿勢にて保持される。
Next, the procedure for cleaning the substrate W to which organic substances such as resist adhere in the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. First, although not shown in the drawing, the substrate W on which the organic substances such as resist are attached is removed by the substrate transfer robot and the substrate elevating mechanism that transfers the substrate W through the auto cover 6 provided above the chamber 5. It is passed to the rotor 10. At this time, the end edges of the substrates W fit into the grooves formed in the two fixed substrate holding members 12 of the rotor 10, and the plurality of substrates W are held in a standing posture with a predetermined space therebetween. .

【0034】その後、2つの固定式基板保持部材12に
保持された複数の基板Wは、2つの可動式基板保持部材
15の回動によってロータ10に確実に保持される。す
なわち、2つの可動式基板保持部材15が図1の2点鎖
線位置から実線位置に回動することにより、可動式基板
保持部材15に刻設された溝に基板Wの端縁がはまり込
み、複数の基板Wが2つの固定式基板保持部材12およ
び2つの可動式基板保持部材15によって4点で確実に
保持される。
After that, the plurality of substrates W held by the two fixed substrate holding members 12 are reliably held by the rotor 10 by the rotation of the two movable substrate holding members 15. That is, by rotating the two movable substrate holding members 15 from the two-dot chain line position in FIG. 1 to the solid line position, the edge of the substrate W fits into the groove formed in the movable substrate holding member 15, The plurality of substrates W are reliably held at four points by the two fixed substrate holding members 12 and the two movable substrate holding members 15.

【0035】その後、オートカバー6が閉じられて、チ
ャンバー5内部の気密性が十分な状態とされた後、制御
部1の所定の処理手順を記述した処理用ソフトウェアに
したがって、基板WはモータMの回転によってロータ1
0の矢印Aの方向への回転を開始する。
After that, after the auto cover 6 is closed and the airtightness inside the chamber 5 is made sufficient, the substrate W is rotated by the motor M according to the processing software describing the predetermined processing procedure of the controller 1. Rotation of rotor 1
The rotation of 0 in the direction of arrow A is started.

【0036】次に、制御部1の所定の処理手順を記述し
た処理用ソフトウェアにしたがって、過酸化水素水と、
オゾンガスと、純水とを基板Wへ供給する。この過酸化
水素水と、オゾンガスと、純水とが基板Wへ供給される
手順については基板Wの主面近傍を示した図3から図5
を参照しつつ説明する。
Next, according to the processing software describing the predetermined processing procedure of the control unit 1, hydrogen peroxide solution and
Ozone gas and pure water are supplied to the substrate W. Regarding the procedure for supplying the hydrogen peroxide solution, the ozone gas, and the pure water to the substrate W, FIGS.
Will be described with reference to.

【0037】図3は、レジストRが付着している基板W
の表面を示しており、レジストRが付着した基板Wはモ
ータMの回転によって図1においても示しているロータ
10の矢印Aの方向へ回転されている。
FIG. 3 shows the substrate W on which the resist R is attached.
The surface of the substrate W on which the resist R is attached is rotated by the rotation of the motor M in the direction of arrow A of the rotor 10 which is also shown in FIG.

【0038】次に、図4に示すように、回転している基
板Wの主面(つまり、レジストRの上面)へ過酸化水素
水吐出機構20から過酸化水素水HP(噴霧状)が吐出
され、レジストRの上面に吐出された過酸化水素水HP
は基板Wの回転による遠心力によってレジストRの上面
で薄膜化される。その後、過酸化水素水吐出機構20か
らの過酸化水素水HPの吐出が停止される。
Next, as shown in FIG. 4, hydrogen peroxide solution HP (spray) is discharged from the hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 onto the main surface of the rotating substrate W (that is, the upper surface of the resist R). Hydrogen peroxide solution HP discharged onto the upper surface of the resist R
Is thinned on the upper surface of the resist R by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. Then, the discharge of the hydrogen peroxide solution HP from the hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 is stopped.

【0039】次に、図5に示すように、オゾンガス供給
ノズル30および純水吐出機構50から回転している基
板Wの主面(つまり、レジストRの上面で薄膜化された
過酸化水素水HPの上面)へオゾンガスOGと純水(噴
霧状)WMが同時に供給される。なお、オゾンガスOG
と純水(噴霧状)WMが同時に供給されると、オゾンガ
スOGは純水(噴霧状)WM中に溶け込みオゾン水OW
となる。したがって、オゾンはオゾン水OWの状態と、
オゾンガスOGのままの状態との2つの状態にて薄膜化
された過酸化水素水HPの上面に供給される。
Next, as shown in FIG. 5, the main surface of the substrate W rotating from the ozone gas supply nozzle 30 and the pure water discharge mechanism 50 (that is, the hydrogen peroxide solution HP thinned on the upper surface of the resist R). Ozone gas OG and pure water (sprayed) WM are simultaneously supplied to the upper surface). In addition, ozone gas OG
When the pure water (spray state) WM and the pure water (spray state) WM are simultaneously supplied, the ozone gas OG dissolves in the pure water (spray state) WM and the ozone water OW
Becomes Therefore, ozone is the state of ozone water OW,
The ozone gas OG is supplied to the upper surface of the hydrogen peroxide solution HP thinned in two states, that is, the state in which the ozone gas OG remains as it is.

【0040】そして、図3から図5で示したように、レ
ジストRの上面に対して過酸化水素水吐出機構20から
過酸化水素水HP(噴霧状)を吐出してレジストRの上
面で過酸化水素水HPを薄膜化させるステップと、その
後レジストRの上面で薄膜化された過酸化水素水HPの
上面に対して純水吐出機構50とオゾンガス供給ノズル
30とから純水(噴霧状)WMとオゾンガスOGを同時
に供給するステップとを繰り返し、基板Wに付着したレ
ジストRを酸化により分解・除去し、基板Wを洗浄す
る。
Then, as shown in FIGS. 3 to 5, hydrogen peroxide solution HP (spray) is ejected from the hydrogen peroxide solution ejecting mechanism 20 onto the upper surface of the resist R so that the upper surface of the resist R is not exposed. A step of thinning the hydrogen oxide water HP, and then pure water (sprayed) WM from the pure water discharge mechanism 50 and the ozone gas supply nozzle 30 to the upper surface of the hydrogen peroxide solution HP thinned on the upper surface of the resist R. And the step of simultaneously supplying the ozone gas OG are repeated, and the resist R attached to the substrate W is decomposed and removed by oxidation, and the substrate W is washed.

【0041】図6に本実施形態における過酸化水素水H
P(噴霧状)と、オゾンガスOGと、純水(噴霧状)W
Mとが基板Wへ供給されるタイミングチャートを示す。
時刻t1から時刻t2まで、レジストRの付着した回転
する基板Wの主面(回転するレジストRの上面)に対し
て、過酸化水素水吐出機構20から過酸化水素水HP
(噴霧状)が吐出され、レジストRの上面で過酸化水素
水HPが回転によって薄膜化される。その後、時刻t2
から時刻t3まで、レジストRの上面で薄膜化された過
酸化水素水HPの上面に対して、純水吐出機構50とオ
ゾンガス供給ノズル30とから純水(噴霧状)WMとオ
ゾンガスOGが同時に供給される。
FIG. 6 shows the hydrogen peroxide solution H in this embodiment.
P (spray), ozone gas OG, pure water (spray) W
7 shows a timing chart in which M and M are supplied to the substrate W.
From time t1 to time t2, the hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 discharges hydrogen peroxide solution HP onto the main surface of the rotating substrate W to which the resist R is attached (the upper surface of the rotating resist R).
(Sprayed) is discharged, and the hydrogen peroxide solution HP is thinned on the upper surface of the resist R by rotation. After that, time t2
From time t3 to time t3, pure water (spray) WM and ozone gas OG are simultaneously supplied to the upper surface of the hydrogen peroxide solution HP thinned on the upper surface of the resist R from the pure water discharge mechanism 50 and the ozone gas supply nozzle 30. To be done.

【0042】次に、時刻t3から時刻t4まで、回転す
るレジストRの上面に対して、過酸化水素水吐出機構2
0から過酸化水素水HP(噴霧状)が吐出される。そし
て、時刻t4から時刻t5まで、レジストRの上面で回
転によって薄膜化された過酸化水素水HPの上面に対し
て、純水吐出機構50とオゾンガス供給ノズル30とか
ら純水(噴霧状)WMとオゾンガスOGが同時に供給さ
れる。このように、回転するレジストR等の有機物が付
着した基板Wの上面に対して、過酸化水素水HP(噴霧
状)が吐出されてレジストRの上面で過酸化水素水HP
が薄膜化されるステップと、その後、純水(噴霧状)W
MとオゾンガスOGが同時に供給されるステップとが複
数回繰り返されて、基板Wに付着したレジストRが分解
・除去される。
Next, from time t3 to time t4, the hydrogen peroxide solution discharge mechanism 2 is applied to the upper surface of the rotating resist R.
Hydrogen peroxide solution HP (spray state) is discharged from 0. Then, from time t4 to time t5, pure water (sprayed) WM is applied from the pure water discharge mechanism 50 and the ozone gas supply nozzle 30 to the upper surface of the hydrogen peroxide solution HP thinned by rotation on the upper surface of the resist R. And ozone gas OG are simultaneously supplied. In this way, the hydrogen peroxide solution HP (sprayed) is discharged onto the upper surface of the substrate W on which the organic matter such as the rotating resist R adheres, and the hydrogen peroxide solution HP is discharged on the upper surface of the resist R.
Is thinned and then pure water (sprayed) W
The step of simultaneously supplying M and ozone gas OG is repeated a plurality of times to decompose and remove the resist R attached to the substrate W.

【0043】従来であれば、レジスト等の有機物が付着
した基板の上面へ単にオゾン水を供給するだけなので、
オゾンが分解して生成する酸素ラジカルを大量に基板に
対して瞬時に供給することができなかったことは既述の
とおりである。
Conventionally, since ozone water is simply supplied to the upper surface of the substrate on which organic substances such as resist are attached,
As described above, it was not possible to instantaneously supply a large amount of oxygen radicals generated by the decomposition of ozone to the substrate.

【0044】これに対して、本実施例では、回転するレ
ジストRの上面に対して過酸化水素水吐出機構20から
過酸化水素水HP(噴霧状)を吐出してレジストRの上
面で過酸化水素水HPを薄膜化させるステップと、その
後、純水吐出機構50とオゾンガス供給ノズル30とか
ら純水(噴霧状)WMとオゾンガスOGを同時に供給す
るステップとが繰り返され、レジストRの上面で薄膜化
されている過酸化水素水HPの上面にオゾンが供給され
る。その結果、過酸化水素水HPと接触したオゾンの分
解が促進されて瞬時に大量の酸素ラジカルを生成し、基
板Wに付着したレジストRに対して瞬時に大量の酸素ラ
ジカルが供給される。したがって、レジストRの上面近
傍において瞬時に大量の酸素ラジカルが供給されるた
め、レジストRの上面に対しても瞬時に大量の酸素ラジ
カルが供給されることとなり、基板Wに付着したレジス
トR等の有機物を迅速に分解・除去することができる。
On the other hand, in this embodiment, hydrogen peroxide solution HP (spray) is ejected from the hydrogen peroxide solution ejecting mechanism 20 onto the upper surface of the rotating resist R so that the upper surface of the resist R is peroxidized. The step of thinning the hydrogen water HP and the step of simultaneously supplying pure water (sprayed) WM and ozone gas OG from the pure water discharge mechanism 50 and the ozone gas supply nozzle 30 are repeated, and the thin film is formed on the upper surface of the resist R. Ozone is supplied to the upper surface of the hydrogenated aqueous solution HP. As a result, the decomposition of ozone in contact with the hydrogen peroxide solution HP is promoted to instantly generate a large amount of oxygen radicals, and a large amount of oxygen radicals are instantaneously supplied to the resist R attached to the substrate W. Therefore, since a large amount of oxygen radicals are instantaneously supplied near the upper surface of the resist R, a large amount of oxygen radicals are instantaneously supplied to the upper surface of the resist R as well. Organic matter can be decomposed and removed quickly.

【0045】以上のように、本実施形態においては、基
板Wに付着した有機物の上面に対してただ単にオゾン水
のみを供給したときに比較して、レジストR等の有機物
の分解・除去速度が著しく大きく、基板Wに付着したレ
ジストR等の有機物を迅速に除去することができる。
As described above, in the present embodiment, the decomposition / removal rate of organic substances such as the resist R is higher than that when only ozone water is simply supplied to the upper surface of the organic substances attached to the substrate W. Remarkably large organic substances such as the resist R attached to the substrate W can be quickly removed.

【0046】また、オゾンが分解して酸素ラジカルを生
成した後、レジスト等の有機物と反応せずとも酸素ラジ
カルは短時間で自然に減少していく。つまり、酸素ラジ
カルの寿命が非常に短いため、基板Wに付着したレジス
トR等の有機物に対して、予め過酸化水素水とオゾンと
を混合して供給したときには、過酸化水素水とオゾンと
を混合したときに生成した酸素ラジカルがレジストR等
の有機物の上面へ到達するまでに減少する。その結果、
レジストR等の有機物の上面に対して大量の酸素ラジカ
ルを瞬時に供給することができない。したがって、基板
Wに付着したレジストR等の有機物に対して、予め過酸
化水素水とオゾンとを混合して供給したときに比較して
も、本実施形態においては基板Wに付着したレジストR
等の有機物を迅速に分解・除去することができる。
After ozone is decomposed to generate oxygen radicals, the oxygen radicals naturally decrease in a short time without reacting with organic substances such as resist. That is, since the life of oxygen radicals is very short, when the hydrogen peroxide solution and ozone are mixed and supplied to the organic substance such as the resist R attached to the substrate W in advance, the hydrogen peroxide solution and ozone are mixed. Oxygen radicals generated when mixed are reduced by the time they reach the upper surface of the organic material such as the resist R. as a result,
A large amount of oxygen radicals cannot be instantaneously supplied to the upper surface of the organic material such as the resist R. Therefore, even if the hydrogen peroxide solution and ozone are mixed and supplied to the organic substances such as the resist R attached to the substrate W in advance, the resist R attached to the substrate W in the present embodiment is compared.
It is possible to quickly decompose and remove organic substances such as.

【0047】<第2実施形態>次に、本発明の第2実施
形態について説明する。図7と図8は、本発明の第2実
施形態の基板洗浄装置の要部構成を示す正面図と平面図
である。第2実施形態の基板洗浄装置では、レジスト等
の有機物の付着した回転する基板Wの上面(有機物の上
面)へ過酸化水素水を供給し有機物の上面で過酸化水素
水を薄膜化させる第1ステップと、薄膜化された過酸化
水素水の上面に対して予めオゾンと純水とを混合させた
オゾン水を供給する第2ステップとを含む組合せプロセ
ス(タイプ2)を繰り返す。
<Second Embodiment> Next, a second embodiment of the present invention will be described. 7 and 8 are a front view and a plan view showing the main configuration of the substrate cleaning apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the substrate cleaning apparatus of the second embodiment, the hydrogen peroxide solution is supplied to the upper surface (upper surface of the organic material) of the rotating substrate W to which the organic material such as resist adheres, and the hydrogen peroxide solution is thinned on the upper surface of the organic material. A combination process (type 2) including steps and a second step of supplying ozone water in which ozone and pure water are mixed in advance to the upper surface of the thinned hydrogen peroxide solution is repeated.

【0048】第2実施形態の基板処理装置が第1実施形
態の基板処理装置と異なるのは、第1実施形態において
設けられているオゾンガス供給ノズル30と、オゾンガ
ス吐出孔30aと、オゾンガス供給源32と、第2バル
ブ34と、第2配管35および純水吐出機構50と、純
水吐出ノズル51と、純水吐出孔51aと、純水供給源
52と、第3ポンプ53と、第3バルブ54と、第3配
管55がなくなり、それに代わって、第2実施形態で
は、チャンバー5の上方にオゾン水吐出機構70と、オ
ゾン水吐出ノズル71と、オゾン水吐出孔71aと、オ
ゾン水供給源72と、第7ポンプ73と、第7バルブ7
4と、第7配管75とが設けられている点である。
The substrate processing apparatus of the second embodiment differs from the substrate processing apparatus of the first embodiment in that the ozone gas supply nozzle 30, the ozone gas discharge hole 30a, and the ozone gas supply source 32 provided in the first embodiment are used. A second valve 34, a second pipe 35, a pure water discharge mechanism 50, a pure water discharge nozzle 51, a pure water discharge hole 51a, a pure water supply source 52, a third pump 53, and a third valve. 54 and the third pipe 55 are eliminated, and instead, in the second embodiment, an ozone water discharge mechanism 70, an ozone water discharge nozzle 71, an ozone water discharge hole 71a, and an ozone water supply source are provided above the chamber 5. 72, the seventh pump 73, and the seventh valve 7
4 and the seventh pipe 75 are provided.

【0049】オゾン水吐出機構70は、オゾン水供給源
72と第7配管75を介して接続されており、その第7
配管75の途中に第7ポンプ73と第7バルブ74とが
設けられている。
The ozone water discharge mechanism 70 is connected to an ozone water supply source 72 via a seventh pipe 75, and its seventh
A seventh pump 73 and a seventh valve 74 are provided in the middle of the pipe 75.

【0050】オゾン水吐出機構70は、ロータ10に保
持された基板Wにオゾン水を吐出する機構であり、オゾ
ン水吐出ノズル71を備えている。オゾン水吐出ノズル
71は、Y方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、
Y方向に等間隔にて配列された複数のオゾン水吐出孔7
1aを備えている。複数のオゾン水吐出孔71aが配列
されている間隔は、固定式基板保持部材12および可動
式基板保持部材15に刻設されている保持溝の間隔、す
なわちロータ10に保持された複数の基板Wの配列間隔
と等しい間隔である。
The ozone water discharge mechanism 70 is a mechanism for discharging ozone water onto the substrate W held by the rotor 10, and is provided with an ozone water discharge nozzle 71. The ozone water discharge nozzle 71 is a hollow tubular member extending along the Y direction,
A plurality of ozone water discharge holes 7 arranged at equal intervals in the Y direction
1a is provided. The interval at which the plurality of ozone water discharge holes 71a are arranged is the interval between the holding grooves formed in the fixed substrate holding member 12 and the movable substrate holding member 15, that is, the plurality of substrates W held by the rotor 10. The interval is equal to the array interval of.

【0051】オゾン水吐出ノズル71は、ロータ10に
保持された複数の基板Wのそれぞれ1枚ずつの主面に対
して噴霧状にオゾン水を吐出するスプレイタイプのノズ
ルである。なお、オゾン水吐出ノズル71は、スプレイ
タイプのノズルに限定されるものではなく、直線状(棒
状)にオゾン水を吐出するストレートタイプのノズルで
あっても良いし、オゾン水をシャワー状に吐出するシャ
ワータイプのノズルであっても良いし、オゾン水を蒸気
状に吐出するスチームタイプのノズルであっても良い。
また、オゾン水吐出孔71aが配列されている間隔は、
ロータ10に保持された複数の基板Wの配列間隔と等し
い間隔に限定されるものではなく、ロータ10に保持さ
れた複数の基板Wのすべての主面に対してオゾン水を供
給できるものであれば、異なる間隔であっても良い。
The ozone water discharge nozzle 71 is a spray type nozzle that discharges ozone water in the form of a spray onto the main surface of each of the plurality of substrates W held by the rotor 10. The ozone water discharge nozzle 71 is not limited to a spray type nozzle, and may be a straight type nozzle that discharges ozone water in a straight line (rod shape) or may discharge ozone water in a shower shape. It may be a shower type nozzle or a steam type nozzle that discharges ozone water in a vapor state.
The interval at which the ozone water discharge holes 71a are arranged is
The interval is not limited to the same as the arrangement interval of the plurality of substrates W held by the rotor 10, and any ozone water can be supplied to all the main surfaces of the plurality of substrates W held by the rotor 10. For example, the intervals may be different.

【0052】上記以外の構成(例えばロータ10)につ
いては第1実施形態と同じであり、その説明は省略す
る。
The configuration other than the above (for example, the rotor 10) is the same as that of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

【0053】なお、第2実施形態においては、オゾン水
吐出機構70が保持手段によって保持された基板Wにオ
ゾン水を供給するオゾン水供給手段および保持手段によ
って保持された基板Wにオゾンを供給するオゾン供給手
段に相当するため、第2実施形態の基板処理装置におけ
るレジスト等の有機物が付着した基板Wの洗浄処理手順
は、第1実施形態の基板処理装置におけるレジスト等の
有機物が付着した基板Wの洗浄処理手順と若干異なる。
以下、第2実施形態の基板処理装置におけるレジスト等
の有機物が付着した基板Wの洗浄処理手順について、第
1実施形態の基板処理装置におけるレジスト等の有機物
が付着した基板Wの洗浄処理手順(図3から図6)を参
考にしつつ説明する。
In the second embodiment, the ozone water discharge mechanism 70 supplies ozone water to the substrate W held by the holding means and supplies ozone to the ozone water supply means and the substrate W held by the holding means. Since it corresponds to ozone supply means, the procedure for cleaning the substrate W to which organic substances such as resist adhere in the substrate processing apparatus of the second embodiment is the same as the substrate W to which organic substances such as resist adhere in the substrate processing apparatus of the first embodiment. The procedure is slightly different from the cleaning procedure.
Hereinafter, regarding the cleaning processing procedure of the substrate W to which the organic matter such as resist adheres in the substrate processing apparatus of the second embodiment, the cleaning processing procedure of the substrate W to which the organic matter such as resist adheres in the substrate processing apparatus of the first embodiment (Fig. 3 to FIG. 6) for reference.

【0054】制御部1の所定の処理手順を記述した処理
用ソフトウェアにしたがって、最初に過酸化水素水を基
板Wへ供給する前までは、第1実施形態の処理手順と同
じであるため、その説明は省略する。
According to the processing software describing the predetermined processing procedure of the controller 1, the processing procedure is the same as that of the first embodiment until before the hydrogen peroxide solution is first supplied to the substrate W. The description is omitted.

【0055】第2実施形態においては、制御部1の所定
の処理手順を記述した処理用ソフトウェアにしたがっ
て、過酸化水素水吐出機構20とオゾン水吐出機構70
とから過酸化水素水(噴霧状)とオゾン水(噴霧状)と
をレジスト等の有機物が付着した基板Wへ供給する。過
酸化水素水吐出機構20から過酸化水素水が基板Wへ吐
出される手順については、第1実施形態(図3から図6
の形態)と同じであり、また、オゾン水吐出機構70か
らオゾン水が基板Wへ吐出される手順については、第1
実施形態(図3から図6の形態)における純水が基板W
へ吐出される手順と同じである。つまり、第1実施形態
(図3から図6の形態)において純水とオゾンガスが同
時に供給されるステップが、第2実施形態においてはオ
ゾン水が供給されるステップとなる。すなわち、第2実
施形態の基板処理装置では、レジスト等の有機物が付着
した基板Wを回転させ、レジスト等の有機物が付着した
基板Wの上面に対して過酸化水素水を吐出し、過酸化水
素水を基板W上で薄膜化させるステップと、その後、オ
ゾン水を供給するステップとを複数回繰り返して、基板
Wに付着したレジスト等の有機物を分解・除去する。
In the second embodiment, the hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20 and the ozone water discharge mechanism 70 are processed according to the processing software describing the predetermined processing procedure of the control unit 1.
From this, hydrogen peroxide water (spray) and ozone water (spray) are supplied to the substrate W to which organic substances such as resist adhere. Regarding the procedure of discharging the hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution discharging mechanism 20 to the substrate W, the first embodiment (FIGS. 3 to 6) will be described.
Form), and the procedure for ejecting ozone water from the ozone water ejection mechanism 70 to the substrate W is as follows.
Pure water in the embodiment (forms of FIGS. 3 to 6) is the substrate W.
The procedure is the same as that of discharging to. That is, the step of supplying pure water and ozone gas at the same time in the first embodiment (the embodiment of FIGS. 3 to 6) is the step of supplying ozone water in the second embodiment. That is, in the substrate processing apparatus of the second embodiment, the substrate W on which organic substances such as resist adhere is rotated, and hydrogen peroxide solution is discharged onto the upper surface of the substrate W on which organic substances such as resist adhere to generate hydrogen peroxide. The step of thinning water on the substrate W and the step of supplying ozone water thereafter are repeated a plurality of times to decompose and remove organic substances such as resist adhered to the substrate W.

【0056】第1実施形態においては、レジスト等の有
機物が付着した基板Wに対してオゾンガス供給ノズル3
0と純水吐出機構50とからオゾンガスと純水を同時に
供給することによってオゾンを基板Wに供給するが、第
2実施形態においては、レジスト等の有機物が付着した
基板Wに対してオゾン水吐出機構70から予めオゾンと
純水を混合させたオゾン水を供給する。したがって、予
めオゾン濃度の高いオゾン水を生成し、基板Wに供給す
ることによって、第1実施形態よりも高いオゾン濃度の
オゾン水によって酸化分解反応を行うことができ、基板
Wに付着したレジスト等の有機物をより迅速に分解・除
去することができる。
In the first embodiment, the ozone gas supply nozzle 3 is attached to the substrate W to which organic substances such as resist adhere.
0 and the pure water discharge mechanism 50 simultaneously supply ozone gas and pure water to supply ozone to the substrate W. In the second embodiment, ozone water is discharged onto the substrate W to which organic substances such as resist adhere. Ozone water in which ozone and pure water are mixed in advance is supplied from the mechanism 70. Therefore, by generating ozone water having a high ozone concentration in advance and supplying it to the substrate W, the oxidative decomposition reaction can be performed by the ozone water having a higher ozone concentration than the first embodiment, and the resist or the like attached to the substrate W The organic substances can be decomposed and removed more quickly.

【0057】<変形例>以上、本発明の実施の形態につ
いて説明したが、本発明は上記の例に限定されるもので
はない。例えば、第1実施形態において、純水吐出機構
50と、純水吐出ノズル51と、純水吐出孔51aと、
純水供給源52と、第3ポンプ53と、第3バルブ54
と、第3配管55とをなくし、オゾン供給手段をオゾン
ガス供給ノズル30のみとしても良いし、第1実施形態
において純水吐出機構50から純水を供給するのにかえ
て、オゾン水を供給するようにしても良い。
<Modification> The embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above example. For example, in the first embodiment, a pure water discharge mechanism 50, a pure water discharge nozzle 51, a pure water discharge hole 51a,
Pure water supply source 52, third pump 53, third valve 54
Alternatively, the third pipe 55 may be omitted, and the ozone supply means may be only the ozone gas supply nozzle 30. Instead of supplying pure water from the pure water discharge mechanism 50 in the first embodiment, ozone water is supplied. You may do it.

【0058】また、第1実施形態または第2実施形態の
いずれであっても、レジスト等の有機物が付着した基板
WがモータMの回転によってロータ10の矢印Aの方向
へ回転されるようにしていたが、これに限らずレジスト
等の有機物が付着した基板Wの主面(すなわち、レジス
ト等の有機物の上面)に過酸化水素水が吐出されて、レ
ジスト等の有機物の上面に過酸化水素水が薄膜化される
のであれば、基板Wを回転させなくても良い。すなわ
ち、第1実施形態または第2実施形態のいずれであって
も、レジスト等の有機物が付着した基板Wの上面(レジ
スト等の有機物の上面)に過酸化水素水が薄膜化される
ように過酸化水素水が吐出される第1ステップと、その
後、レジスト等の有機物の上面で薄膜化された過酸化水
素水の上面にオゾンが供給される第2ステップとを含む
組合せプロセスを繰り返すような形態のものであれば良
い。
Further, in either the first embodiment or the second embodiment, the substrate W to which the organic substance such as resist is attached is rotated by the rotation of the motor M in the direction of arrow A of the rotor 10. However, not limited to this, the hydrogen peroxide solution is discharged onto the main surface of the substrate W (that is, the upper surface of the organic material such as the resist) to which the organic material such as the resist adheres, and the hydrogen peroxide solution is discharged onto the upper surface of the organic material such as the resist. If W is thinned, the substrate W may not be rotated. That is, in either the first embodiment or the second embodiment, the hydrogen peroxide solution is thinned on the upper surface of the substrate W (the upper surface of the organic material such as the resist) on which the organic material such as the resist adheres. A form in which a combination process including a first step of discharging hydrogen oxide water and a second step of supplying ozone to the upper surface of hydrogen peroxide solution thinned on the upper surface of an organic material such as a resist is repeated Anything will do.

【0059】また、第1実施形態または第2実施形態の
いずれであっても、過酸化水素水吐出機構20から過酸
化水素水を吐出していたが、これに限られるものではな
く、過酸化水素水吐出機構20から吐出する液は、過酸
化水素水を含む溶液であれば良い。
Further, in either the first embodiment or the second embodiment, the hydrogen peroxide solution was discharged from the hydrogen peroxide solution discharge mechanism 20, but the invention is not limited to this, and the peroxide solution is not used. The liquid discharged from the hydrogen water discharging mechanism 20 may be a solution containing hydrogen peroxide water.

【0060】また、第1実施形態または第2実施形態の
いずれであっても、ロータ10のエンドプレート11の
形状を「X字型」とし、ロータ10に設けられている2
つの固定式基板保持部材12および2つの可動式基板保
持部材15によって4点で基板Wが保持されていたが、
これに限られるものではない。エンドプレート11の形
状は、例えば、「Y字型」の形状であって、3点で基板
Wを保持する形状であっても良いし、5点以上の点で基
板Wを支持する形状であっても良い。換言すれば、エン
ドプレート11に最低限要求されるのは、ロータ軸18
が固設されている回転中心と、保持手段(固定式基板保
持部材12および可動式基板保持部材15)が架設され
る架設位置とを連結する連結部材であり、そのような連
結部材を用いて形成されているものであれば本発明に係
る基板処理装置に適用可能である。
Further, in either the first embodiment or the second embodiment, the shape of the end plate 11 of the rotor 10 is “X-shaped”, and the end plate 11 is provided on the rotor 10.
The substrate W was held at four points by one fixed substrate holding member 12 and two movable substrate holding members 15,
It is not limited to this. The shape of the end plate 11 may be, for example, a “Y-shaped” shape, and may be a shape that holds the substrate W at three points, or a shape that supports the substrate W at five or more points. May be. In other words, the minimum requirement for the end plate 11 is the rotor shaft 18
Is a connecting member that connects the rotation center where is fixedly installed and the erected position where the holding means (the fixed substrate holding member 12 and the movable substrate holding member 15) are erected, and using such a connecting member If it is formed, it can be applied to the substrate processing apparatus according to the present invention.

【0061】また、第1実施形態または第2実施形態の
いずれであっても、基板Wの保持・処理時においては、
複数の基板Wは起立状態(略垂直)に保持されている
が、これに限定されるものではなく、傾けて保持しても
良いし、略水平に保持しても良い。
Further, in either the first embodiment or the second embodiment, during the holding / processing of the substrate W,
The plurality of substrates W are held in an upright state (substantially vertical), but the present invention is not limited to this, and may be held at an angle or may be held substantially horizontal.

【0062】また、第1実施形態または第2実施形態の
いずれであっても、基板Wをロータ10に保持し、チャ
ンバー5内部の気密性が十分な状態とされた後に、基板
Wの洗浄処理を行っているが、これに限定されるもので
はなく、チャンバー5内部の気密性が十分な状態とされ
ない形態のものであっても良い。
Further, in either the first embodiment or the second embodiment, the cleaning process of the substrate W is performed after the substrate W is held by the rotor 10 and the airtightness inside the chamber 5 is made sufficient. However, the present invention is not limited to this, and may be such that the airtightness inside the chamber 5 is not sufficient.

【0063】また、第1実施形態または第2実施形態の
いずれであっても、複数の基板Wが一括して処理されて
いるが、これに限定されるものではなく、基板Wを1枚
ずつ処理する形態のものであっても良い。
Further, in either the first embodiment or the second embodiment, a plurality of substrates W are collectively processed, but the present invention is not limited to this, and each substrate W is processed one by one. It may be in the form of processing.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上、説明したように、請求項1の発明
によれば、保持手段に保持された基板に過酸化水素水供
給手段によって過酸化水素水を供給させて、保持手段に
保持された基板上において過酸化水素水を薄膜化させる
第1ステップと、保持手段に保持された基板上において
薄膜化された過酸化水素水の上からオゾン供給手段によ
ってオゾンを供給させる第2ステップとを含む組合せプ
ロセスを繰り返すことによって、基板上において薄膜化
された過酸化水素水にオゾンが接触して、オゾンの分解
が促進されて、大量の酸素ラジカルを生成し、基板に付
着した有機物に対して大量の酸素ラジカルを瞬時に供給
することができるため、基板に付着した有機物を迅速に
分解・除去することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the substrate held by the holding means is supplied with the hydrogen peroxide solution by the hydrogen peroxide solution supply means and is held by the holding means. The first step of thinning the hydrogen peroxide solution on the substrate, and the second step of supplying ozone by the ozone supply means from the thinned hydrogen peroxide solution on the substrate held by the holding means. By repeating the combination process including ozone, ozone is brought into contact with the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate, the decomposition of ozone is promoted, a large amount of oxygen radicals are generated, and the organic substances attached to the substrate are removed. Since a large amount of oxygen radicals can be instantaneously supplied, organic substances attached to the substrate can be rapidly decomposed and removed.

【0065】また、請求項2の発明によれば、オゾン供
給手段として、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手
段を設け、基板上において薄膜化された過酸化水素水の
上からオゾンガスによってオゾンを供給することによ
り、オゾンを供給することによって、基板上において薄
膜化された過酸化水素水を洗い流すことなく、基板上に
おいて薄膜化された過酸化水素水の上から大量のオゾン
を供給することができる。
According to the second aspect of the present invention, ozone supply means for supplying ozone gas is provided as ozone supply means, and ozone is supplied by ozone gas from above the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate. By supplying ozone, a large amount of ozone can be supplied from above the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate without washing away the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate.

【0066】また、請求項3の発明によれば、オゾン供
給手段として、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手
段と、純水を供給する純水供給手段とを設け、基板上に
おいて薄膜化された過酸化水素水の上からオゾンガスと
純水とを同時に供給させることにより、純水中にオゾン
が溶け込みながら基板上において薄膜化された過酸化水
素水の上から供給され、オゾン水が過酸化水素水と混ざ
り合い、過酸化水素水とオゾンとが接触する頻度が高く
なるため、瞬時に大量の酸素ラジカルを生成することが
できる。
According to the third aspect of the invention, as the ozone supply means, an ozone gas supply means for supplying ozone gas and a pure water supply means for supplying pure water are provided, and the peroxidation thinned on the substrate is performed. By simultaneously supplying ozone gas and pure water from above the hydrogen water, ozone is dissolved in the pure water and supplied from above the hydrogen peroxide solution that is thinned on the substrate. Since the frequency of mixing and contact between the hydrogen peroxide solution and ozone increases, a large amount of oxygen radicals can be instantly generated.

【0067】また、請求項4の発明によれば、オゾン供
給手段として、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手
段と、純水を供給する純水供給手段とを設け、さらに、
純水供給手段は、純水をミストまたはスチームの状態に
て供給するために、基板上において薄膜化された過酸化
水素水の上からオゾンガスと純水とを同時に供給すると
きに、ミストまたはスチームの状態の純水中へオゾンが
素早く溶け込んで、オゾンが大量に溶け込んだミストま
たはスチームの状態のオゾン水を基板上において薄膜化
された過酸化水素水の上から供給することにより、オゾ
ンを供給することによって、基板上において薄膜化され
た過酸化水素水をほとんど洗い流すことなく、より大量
のオゾンを基板上において薄膜化された過酸化水素水に
瞬時に供給することができる。
Further, according to the invention of claim 4, as the ozone supply means, an ozone gas supply means for supplying ozone gas and a pure water supply means for supplying pure water are provided.
The pure water supply means supplies the pure water in the form of mist or steam, and when supplying ozone gas and pure water simultaneously from the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate, the mist or steam is supplied. Ozone is quickly dissolved in pure water in the state of, and ozone is supplied by supplying ozone water in the state of mist or steam in which a large amount of ozone is dissolved from above the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate. By doing so, a large amount of ozone can be instantaneously supplied to the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate, while the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate is hardly washed away.

【0068】また、請求項5の発明によれば、オゾン供
給手段として、オゾン水を供給するオゾン水供給手段を
設け、基板上において薄膜化された過酸化水素水の上か
らオゾン濃度の高いオゾン水を供給することにより、基
板上において薄膜化された過酸化水素水に対して、さら
に大量のオゾンを瞬時に供給することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, ozone water supply means for supplying ozone water is provided as ozone supply means, and ozone having a high ozone concentration is formed on the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate. By supplying water, a larger amount of ozone can be instantaneously supplied to the hydrogen peroxide solution formed into a thin film on the substrate.

【0069】また、請求項6の発明によれば、オゾン供
給手段として、オゾン水を供給するオゾン水供給手段と
オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段とを設けるこ
とにより、さらに大量のオゾンを瞬時に基板上において
薄膜化された過酸化水素水の上から供給することができ
る。
Further, according to the invention of claim 6, as the ozone supply means, the ozone water supply means for supplying the ozone water and the ozone gas supply means for supplying the ozone gas are provided, so that a larger amount of ozone is instantaneously added to the substrate. It can be supplied from above the hydrogen peroxide solution thinned.

【0070】また、請求項7の発明によれば、オゾン供
給手段として、オゾン水を供給するオゾン水供給手段の
み、または、オゾン水供給手段とオゾンガスを供給する
オゾンガス供給手段とを設け、さらに、オゾン水供給手
段は、オゾン水をミストまたはスチームの状態にて供給
するために、オゾンを供給することによって、基板上に
おいて薄膜化された過酸化水素水をほとんど洗い流すこ
となく、大量のオゾンを基板上において薄膜化された過
酸化水素水に瞬時に供給することができる。
Further, according to the invention of claim 7, as the ozone supply means, only ozone water supply means for supplying ozone water, or only ozone water supply means and ozone gas supply means for supplying ozone gas are provided. The ozone water supply means supplies the ozone water in the state of mist or steam. By supplying the ozone water, a large amount of ozone is supplied to the substrate without washing away the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate. It is possible to instantly supply to the hydrogen peroxide solution that has been thinned above.

【0071】また、請求項8の発明によれば、過酸化水
素水供給手段は、過酸化水素水をミストまたはスチーム
の状態にて供給するために、基板上へ過酸化水素水を均
一に供給し、基板上において過酸化水素水を均一に薄膜
化させることが可能であり、基板上において均一に薄膜
化された過酸化水素水にオゾンを供給することによっ
て、大量の酸素ラジカルを基板に付着した有機物に対し
て均一かつ瞬時に供給することができる。
Further, according to the invention of claim 8, the hydrogen peroxide solution supply means uniformly supplies the hydrogen peroxide solution onto the substrate in order to supply the hydrogen peroxide solution in the state of mist or steam. However, it is possible to form a thin film of hydrogen peroxide solution uniformly on the substrate, and by supplying ozone to the hydrogen peroxide solution that is uniformly thinned on the substrate, a large amount of oxygen radicals are attached to the substrate. It is possible to uniformly and instantly supply the formed organic matter.

【0072】また、請求項9の発明によれば、有機物の
付着した基板を回転させる回転手段を備え、回転手段に
よって基板を回転させることによって、基板上に供給さ
れた過酸化水素水をより均一かつ極めて薄く薄膜化させ
ることが可能であり、基板上で均一かつ極めて薄く薄膜
化された過酸化水素水にオゾンを供給することによっ
て、大量の酸素ラジカルを基板に付着した有機物に対し
てより均一かつ極めて瞬時に供給することができ、基板
に付着した有機物をさらに迅速に分解・除去することが
できる。
Further, according to the invention of claim 9, it is provided with a rotating means for rotating the substrate on which the organic substance is adhered, and by rotating the substrate by the rotating means, the hydrogen peroxide solution supplied onto the substrate is made more uniform. And it is possible to make the film extremely thin, and by supplying ozone to the hydrogen peroxide solution that is uniformly and extremely thin on the substrate, a large amount of oxygen radicals can be made more uniform with respect to the organic substances attached to the substrate. Moreover, it can be supplied very instantly, and the organic substances attached to the substrate can be decomposed and removed more quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る第1実施形態の基板処理装置の要
部構成を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a main configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板処理装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG.

【図3】第1実施形態において、レジストの付着した基
板を回転させた状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state in which a substrate to which a resist is attached is rotated in the first embodiment.

【図4】第1実施形態において、回転させたレジストの
付着した基板に過酸化水素水を供給している状態を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a state in which hydrogen peroxide solution is being supplied to a substrate on which a rotated resist is attached in the first embodiment.

【図5】第1実施形態において、回転させたレジストの
付着した基板にオゾンガスと純水とを供給している状態
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state in which ozone gas and pure water are being supplied to a substrate on which a resist is rotated, in the first embodiment.

【図6】第1実施形態において、過酸化水素水とオゾン
ガスと純水とが基板へ供給されるタイミングチャートで
ある。
FIG. 6 is a timing chart in which hydrogen peroxide solution, ozone gas, and pure water are supplied to the substrate in the first embodiment.

【図7】本発明に係る第2実施形態の基板処理装置の要
部構成を示す正面図である。
FIG. 7 is a front view showing a main configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図8】図7の基板処理装置の平面図である。8 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 制御部 5 チャンバー 10 ロータ 11 エンドプレート 12 固定式基板保持部材 15 可動式基板保持部材 20 過酸化水素水吐出機構 30 オゾンガス供給ノズル 50 純水吐出機構 70 オゾン水吐出機構 M モータ W 基板 R レジスト HP 過酸化水素水 OG オゾンガス WM 純水(噴霧状) OW オゾン水 1 control unit 5 chambers 10 rotor 11 End plate 12 Fixed type substrate holding member 15 Movable substrate holding member 20 Hydrogen peroxide water discharge mechanism 30 Ozone gas supply nozzle 50 Pure water discharge mechanism 70 Ozone water discharge mechanism M motor W board R resist HP Hydrogen peroxide water OG ozone gas WM Pure water (spray) OW ozone water

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 眞人 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA21 FA30 MA20 2H090 JB02 JC19 3B201 AA01 AB33 AB44 BB11 BB21 BB92 BB93 BB96    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Masato Tanaka             4-chome Tenjin, which runs up to Teranouchi, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto             1 Kitamachi No. 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd.             Inside the company F-term (reference) 2H088 FA21 FA30 MA20                 2H090 JB02 JC19                 3B201 AA01 AB33 AB44 BB11 BB21                       BB92 BB93 BB96

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に所定の処理を行う基板処理装置で
あって、 (a)前記基板を保持する保持手段と、 (b)前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンを
供給するオゾン供給手段と、 (c)前記保持手段に保持された前記基板に、過酸化水
素水を含む溶液を供給する過酸化水素水供給手段と、 (d)前記保持手段に保持された前記基板に、前記過酸
化水素水供給手段によって前記過酸化水素水を供給させ
て、前記保持手段に保持された前記基板上で前記過酸化
水素水を薄膜化させる第1ステップと、前記保持手段に
保持された前記基板上において薄膜化された前記過酸化
水素水の上から、前記オゾン供給手段によって前記オゾ
ンを供給させる第2ステップとを含む組合せプロセスを
繰り返えさせる制御手段と、を備えることを特徴とする
基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, comprising: (a) holding means for holding the substrate; and (b) ozone for supplying ozone to the substrate held by the holding means. Supply means, (c) a hydrogen peroxide solution supply means for supplying a solution containing hydrogen peroxide solution to the substrate held by the holding means, and (d) the substrate held by the holding means, A first step of supplying the hydrogen peroxide solution by the hydrogen peroxide solution supply means to form a thin film of the hydrogen peroxide solution on the substrate held by the holding means; Control means for repeating a combination process including a second step of supplying the ozone by the ozone supply means on the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate. Group Processing apparatus.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置であっ
て、 前記オゾン供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンガスを供
給するオゾンガス供給手段を含むことを特徴とする基板
処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ozone supply unit includes an ozone gas supply unit that supplies ozone gas to the substrate held by the holding unit. Processing equipment.
【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置であっ
て、 前記オゾン供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、純水を供給する
純水供給手段をさらに備え、 前記第2ステップは、 前記オゾンガス供給手段および前記純水供給手段によっ
て前記オゾンガスおよび前記純水を同時に供給させるこ
とを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the ozone supply means further comprises pure water supply means for supplying pure water to the substrate held by the holding means, In the second step, the ozone gas supply unit and the pure water supply unit simultaneously supply the ozone gas and the pure water, respectively.
【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置であっ
て、 前記純水供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、前記純水をミス
トまたはスチームの状態にて供給する手段を含むことを
特徴とする基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the pure water supply means supplies the pure water in a mist or steam state to the substrate held by the holding means. A substrate processing apparatus comprising:
【請求項5】 請求項1に記載の基板処理装置であっ
て、 前記オゾン供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、オゾン水を供給
するオゾン水供給手段を含むことを特徴とする基板処理
装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ozone supply means includes ozone water supply means for supplying ozone water to the substrate held by the holding means. Substrate processing equipment.
【請求項6】 請求項5に記載の基板処理装置であっ
て、 前記オゾン供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、前記オゾンガス
を供給する前記オゾンガス供給手段をさらに備え、 前記第2ステップは、 前記第1ステップの後、前記保持手段に保持された前記
基板上において薄膜化された前記過酸化水素水の上か
ら、前記オゾン水供給手段および前記オゾンガス供給手
段によって前記オゾン水および前記オゾンガスを同時に
供給させることを特徴とする基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the ozone supply means further comprises the ozone gas supply means for supplying the ozone gas to the substrate held by the holding means, In the second step, after the first step, the ozone water supply means and the ozone gas supply means generate the ozone water and the ozone water from the hydrogen peroxide solution thinned on the substrate held by the holding means. A substrate processing apparatus, wherein the ozone gas is supplied at the same time.
【請求項7】 請求項5または請求項6のいずれかに記
載の基板処理装置であって、 前記オゾン水供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、前記オゾン水を
ミストまたはスチームの状態にて供給する手段を含むこ
とを特徴とする基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the ozone water supply unit mist or steam the ozone water on the substrate held by the holding unit. A substrate processing apparatus comprising: a supply unit in the state of.
【請求項8】 請求項1から請求項7のいずれかに記載
の基板処理装置であって、 前記過酸化水素水供給手段は、 前記保持手段に保持された前記基板に、前記過酸化水素
水を含む溶液をミストまたはスチームの状態にて供給す
る手段を含むことを特徴とする基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the hydrogen peroxide solution supply unit is configured to apply the hydrogen peroxide solution to the substrate held by the holding unit. A substrate processing apparatus, characterized in that it includes means for supplying a solution containing the above in the state of mist or steam.
【請求項9】 請求項1から請求項8のいずれかに記載
の基板処理装置であって、 前記保持手段に保持された前記基板を回転させる回転手
段をさらに備え、 前記制御手段は、 前記組合せプロセスを繰り返す際に、前記回転手段を駆
動して、前記保持手段に保持された前記基板を回転させ
ることを特徴とする基板処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a rotating unit that rotates the substrate held by the holding unit, wherein the control unit includes the combination. A substrate processing apparatus, characterized in that, when the process is repeated, the rotating means is driven to rotate the substrate held by the holding means.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5384106B2 (en) * 2006-05-30 2014-01-08 Hoya株式会社 Resist film peeling method, mask blank manufacturing method, and transfer mask manufacturing method

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