JP4171642B2 - Substrate surface treatment equipment - Google Patents
Substrate surface treatment equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP4171642B2 JP4171642B2 JP2002344551A JP2002344551A JP4171642B2 JP 4171642 B2 JP4171642 B2 JP 4171642B2 JP 2002344551 A JP2002344551 A JP 2002344551A JP 2002344551 A JP2002344551 A JP 2002344551A JP 4171642 B2 JP4171642 B2 JP 4171642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate surface
- nozzle plate
- surface treatment
- treatment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板表面処理装置に係り、より詳細には、IC、LSI等に代表される半導体基板やガラス基板、プリント基板における例えばフォトレジスト膜や有機化合物あるいは無機化合物などの被処理物を除去して洗浄する基板表面処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
【特許文献1】
特開2001−223206号公報(第4−6頁、第1図)
【0003】
従来、基板表面処理装置は、例えば、IC、LSI等の半導体装置の製造工程をはじめとする微細加工工程において、半導体基板(シリコンウェハ等)やガラス基板(LCD)、プリント基板におけるフォトレジスト膜や有機化合物あるいは無機化合物などの被処理物を除去して洗浄する操作に採用されており、通常、薬剤による湿式法(例えば、特許文献1参照。)あるいは酸素プラズマ等による乾式法が用いられている。図6は、このような薬剤の湿式法による従来の基板表面処理装置の一実施形態を示す構成図である。
【0004】
図6に示すように、従来の基板表面処理装置の一実施形態は、基板1を収容する処理槽30と、この処理槽30内で平板ヒータ34を介して基板1を載置する基台36と、処理槽30内でガスの流れを制御して湿潤したオゾン(O3 )ガスを基板1の処理面に均一に供給するノズル板32とを備えている。このノズル板32は、図示していないが例えば温水を流通したり、あるいはヒータ等の加熱機構が設けられている。また、ノズル板32は、処理槽30の外部からオゾンガスを加湿する加湿器41と、オゾンガスを発生させるオゾンガス発生器42とを送気管39により接続しており、この送気管39をリボンヒータ43により加熱してオゾンガスを供給するように形成している。また、送気管39には、圧力を加える窒素タンク46と、基板1のオゾン処理後に純水を供給する純水タンク44と、送水のためのポンプ45とを各々接続している。そして、処理槽30には、オゾンガスを排気する排気管37、排気量を調整する為のバルブ38が設けられている。尚、各部材のオゾンガスに直接曝される部分には耐オゾン性の高い材料、例えば石英ガラスやフッ素樹脂等が用いられている。また、図示していないが、排気管37にはオゾン分解装置が結合されている。
【0005】
このように形成した従来の基板表面処理装置の一実施形態は、まず、基板1を基台36上に平板ヒータ34を介して載置し、この平板ヒータ34により所定の温度まで加熱する。また、加湿器41、送気管39、ノズル板32も予め加熱し基板1の温度設定値以上の温度に安定化させておく。基板1の温度が安定した時点で、オゾンガスを加湿器41内に通過させて湿度を混入し、この湿潤したオゾンガスを基板1の表面に供給(噴射)して表面の被処理物を分解する薬液処理を行う。そして、所定時間の処理によって被処理物が分解された後は、湿潤したオゾンガスの供給を停止し、ポンプ45および純水タンク44を用いて基板1の表面をリンスする洗浄処理を行って分解物等を除去する。次いで、窒素ボンベ46より窒素ガスを供給して基板1の乾燥を行う。
【0006】
このように従来の基板表面処理装置は、基板1の表面を処理する薬剤にオゾン(O3 )ガスを用いることで薬液廃棄による環境汚染を低減するとともに、平板ヒータ34及びリボンヒータ43などの加熱源により処理槽30内及びオゾンガス等の温度を一定条件に調整することで、良好な処理を実現していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板表面処理装置では、処理槽30内のノズル板32を固定しているため、例えば、処理槽30内でのオゾンガスによる薬液処理時にノズル板32と基板1との距離が離れた状態で固定されると、薬剤を多く使用するとともに、処理に時間かかるという不具合があった。
また、従来の基板表面処理装置では、前述したように処理槽30内にノズル板32を固定しているため、例えば、純水による洗浄(リンス)処理時に基板1とノズル板32とを一定の距離で離すことが好ましく、この距離が前述した薬液処理用に狭い状態で固定されると、基板1の表面を全体的に洗浄することが困難になるとともに、ノズル板32表面の汚染が水を介して基板1に伝わるという不具合が考えられる。又、液の粘性によって回転時の負荷抵抗が増し、基板1の保持力が損なわれ、基台36から外れる場合もある。
本発明はこのような課題を解決し、処理槽内でオゾンまたは純水等の各処理工程に応じて基板とノズル板との距離を調整して良好に処理できる基板表面処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、オゾンを含んだ薬剤による基板表面の薬液処理及び洗浄液による前記基板の洗浄処理を行う基板表面処理装置であって、基板を保持する保持部を回転可能に軸支した下部基台と、この下部基台の上部に配置されて上下に昇降する上部基台と、この上部基台に支持されて基板上に延在して薬剤及び洗浄液を各々噴出するノズル板とを備え、上部基台及び下部基台に支持した保持部またはノズル板のいずれか一方或いは両方を上下動可能にすることでノズル板と基板との距離を薬液処理または洗浄処理に応じて調節可能に設けるとともに、ノズル板は、オゾンガス及びホットエアを供給する第1供給口と、アンモニアガス及びホットDIWを供給する第2供給口とを備え、この各供給口から裏側に貫通する複数の噴出孔を設けて基板に対向させる。
【0009】
ここで、下部基台は、上部基台が昇降動作することでお互いに嵌合して基板を内部に密閉することが好ましい。また、基板は、ノズル板または保持部の上下動により、ノズル板及び基板間の距離を狭めて隙間内の容積を縮小した状態で薬液処理し、その後、この距離を広げて容積を拡大した状態で洗浄処理することが好ましい。また、保持部は、基板を保持して回転する回転数を調節可能に設けることが好ましい。また、ノズル板は、基板の薬液処理時に薬剤として第1供給口からのオゾンガスと第2供給口からのアンモニアガスとを同時または交互に供給して処理した後、ホットエア及びホットDIWを供給して噴出孔をフラッシングし、この動作を少なくとも1回以上行うことが好ましい。また、ノズル板の他の実施例は、基板の薬液処理時に薬剤として第1供給口からのオゾンガスのみを供給して処理した後、ホットエアを供給して噴出孔をフラッシングし、この動作を少なくとも1回以上行うことが好ましい。また、ノズル板は、薬液処理後の洗浄処理時に洗浄液として第2供給口からホットDIWを供給して洗浄処理することが好ましい。また、ノズル板は、洗浄処理後に第1供給口からホットエアを供給して基板を乾燥することが好ましい。また、ノズル板には、加熱源を設けることが好ましい。また、ノズル板は、基板に対向する裏面に中心から外側に向かって放射状に延在して水滴を外周に誘導する水滴防止用の溝を複数形成することが好ましい。また、上部基台は、ノズル板が上下動する下端に外側に向かって球面状に形成した曲面を有し、前記ノズル板から水滴を外側の内周壁に誘導することが好ましい。また、下部基台は、ホットエアを供給可能に設けることが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による基板表面処理装置の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明による基板表面処理装置の一実施形態を示す構成図である。また、図2は、図1に示したA−A線の断面を示す図である。また、図3は、図1に示したノズル板14の底面を示す図である。また、図4は、図3に示したノズル板14の溝14bによる水滴の除去動作を示す図である。また、図5は、図1に示した基板表面処理装置の処理動作を示す図であり、図5(a)は薬液処理時の動作を、図5(b)は洗浄処理時の動作を各々示している。
【0011】
図1に示すように、本発明による基板表面処理装置の一実施形態は、図6に示した従来技術と同様に、オゾンを含んだ薬剤による薬液処理及び基板の純水による洗浄処理を行う湿式法の処理装置に採用しており、基板1を真空吸着パットで保持する保持部22を回転可能に軸支した下部基台20と、この下部基台20の上部に配置されて上下に昇降する上部基台10と、この上部基台10に支持されて基板1上に延在してオゾンガス及び純水の流れを制御して均一に各々噴出するノズル板14とを備えている。
【0012】
ここで、本実施の形態は、図6に示した従来技術とは異なり、上部基台10及び下部基台20に支持した保持部22及びノズル板14の両方を上下動可能にすることで、ノズル板14と基板1との距離を薬液処理または洗浄処理に応じて調節可能に設けている。この保持部22とノズル板14とは、両方を上下動可能にすることに限定されるものではなく、例えば、いずれか一方のみを上下動可能にしてノズル板14と基板1との距離を調節しても良い。また、ノズル板14は、伝導熱の高い材質で形成して上部に加熱源12を設けるとともに、湿潤したオゾン(O3 )ガス及びホットエアを供給する第1供給口16と、湿潤したアンモニア(NH3 )ガス及びホットDIW(純水)を供給する第2供給口18とを備えている。
【0013】
この第1供給口16と第2供給口18とは、図2及び3に示すように、ノズル板14の裏側に向かって貫通する複数の噴出孔14aを設けて基板1に対向させている。また、ノズル板14は、図2に示したように、基板1の薬液処理時に薬剤として第1供給口16からのオゾンガスと第2供給口18からのアンモニアガスとを同時または交互に供給して処理した後、ホットエア及びホットDIWを供給して噴出孔14aに残留する生成物をフラッシングし、この動作を少なくとも1回以上行って処理する。ここで、薬剤の供給は、第1供給口16及び第2供給口18からオゾンガスとアンモニアガスとを供給することに限定されず、例えば、アルカリ性に対して弱い処理体に対してはオゾンガスのみを供給して処理しても良い。また、ノズル板14は、薬液処理後の洗浄処理時に第2供給口18からホットDIWを供給して処理するとともに、この洗浄処理後に第1供給口16からホットエアを供給して基板1を乾燥する。また、ノズル板14は、図3に示したように、基板1に対向する裏面に中心から外側に向かって放射状に延在して水滴を外周に誘導する水滴防止用の溝14bを複数形成している。この溝14bは、ノズル板14の中心から外周に向かって段階的に溝数が増えるように形成されている。従って、ノズル板14は、図4に示すように、底面に付着する水滴2を溝14aによる毛細管現象により外側に誘導して排出できる構造を備えている。また、ノズル板14は、第1供給口16及び第2供給口18から各々底部に貫通する中心側の噴出孔14aを中心に傾けて形成しており、保持部22の軸回転により基板1の表面で薬剤が中心から外側に拡散する中心に向けて噴出可能に形成している。
【0014】
再び、図2を参照して、下部基台20は、上部基台10が昇降動作することで、お互いに嵌合して基板1を内部に密閉できるように形成している。この密閉した内部で基板1は、ノズル板14または保持部22の上下動により、ノズル板14及び基板1間の距離を狭めて隙間内の容積を縮小した状態で薬液処理し、その後、この距離を広げて容積を拡大した状態で洗浄処理する。従って、本実施の形態では、図6に示した従来技術のようにノズル板14及び保持部22を固定しないため、薬液処理または洗浄処理等の各処理工程に応じて基板1とノズル板14との距離を調整して良好に処理することができる。また、保持部22は、基板1を保持して回転する回転数を調節可能に設けている。そして、下部基台20には、外側から保持部22の外側を介してホットエアを供給する供給口20aを設けており、ホットエアの供給で内部を一定の温度に保つとともに、薬液処理時にオゾンガスまたはアンモニアガスなどの薬剤が基板1の底部に逃げることを防止している。また、下部基台20には、処理終了後に内部に残留するガスなどの薬剤または純水などの水滴を排気または廃液するための排出口20bを設けている。さらに、上部基台10は、図4に示したノズル板14が上下動する下端に外側に向かって球面状に形成した曲面10aを有し、この曲面10aによりノズル板14から水滴2を受けて外側の内周壁に誘導し易く設けている。従って、水滴2は、基板1上に付着することなく上部基台10の内壁に沿って下端に誘導され、図2に示した下部基台20の排出口20bから廃液される。
【0015】
このように形成した本発明による基板表面処理装置の一実施形態は、まず、上部基台10と下部基台20とが離れた状態で基板1を保持部22の真空吸着パットで保持した後、上部基台10を降下させて下部基台20に嵌合させることで基板1を内部に密閉(封止)する。そして、ノズル板14に第1供給口16と下部基台20の供給口20aとからホットエアを供給して内部を予め加熱し、基板1の温度設定値以上の温度に安定化させておく。この際、密閉した内部において、ノズル板14または保持部22いずれか一方或いは両方を上下動することで、基板1とノズル板14との間の距離を狭めて薬液処理を良好に行える状態に設定する。
【0016】
ここで、例えば、ノズル板14を降下させた場合、図5(a)に示すように、基板1との距離を狭めて隙間内の容積が縮小するように近接して薬液処理し易い状態に設定される。そして、基板1の温度が安定した時点で、保持部22を所定の回転数で回転させ、第1供給口16と第2供給口18とから湿潤したオゾンガス及びアンモニアガスを基板1の表面に供給(噴射)して回転により表面の被処理物を分解する薬液処理を行う。また、所定時間の処理を終えて被処理物を分解した後は、オゾンガス及びアンモニアガスの供給を停止するとともに、第1供給口16と第2供給口18とからホットエア及びホットDIWを供給して噴出孔14a内に残留する生成物をフラッシングする。そして、前述の動作を基板1の被処理物が分解する状況に応じて、少なくとも1回以上繰り返すことで確実に処理する。
【0017】
また、薬液処理が終了すると、図5(b)に示すように、ノズル板14を上昇させることで、基板1とノズル板14との間の距離を広めて洗浄処理を良好に行える状態に設定する。その後、ノズル板14は、第2供給口18からホットDIWを供給することで、基板1の表面をリンスする洗浄処理を行って薬液処理での分解物等を除去する。この際、基板1を処理した純水は、下部基台20内を介して排出口20bから排液されて廃棄される。また、洗浄処理が終了すると、ホットDIWの供給を停止し、第1供給口16及び下部基台20の供給口20aから同時にホットエアを供給することで乾燥処理を行う。
【0018】
このように、本発明による基板表面処理装置の一実施形態によると、図5(a)に示すように、上部基台10のノズル板14(或いは保持部22)を上下動可能に設けて薬液処理時に基板1との距離を狭めた状態に設定できるため、オゾンガス及びアンモニアガスなどの薬剤の使用を低減でき、基板表面の被処理物を短時間で分解することが可能になる。また、本実施の形態では、ノズル板14を降下させることで上部基台10と下部基台20との密閉した内部容積を同時に縮小できるため、より効果的に薬剤の使用量を低減できる。
また、本発明による基板表面処理装置の一実施形態によると、図5(b)に示すように、ノズル板14を上昇(或いは保持部22を降下)させて純水による洗浄処理時に基板1との距離を広げた状態に設定できるため、基板1の表面を全体的に洗浄でき、ノズル板14表面の汚染が水を介して基板1に伝わることがなく、且つ、液の粘性によって基板1が保持部22から外れることがなくなる。
【0019】
以上、本発明による基板表面処理装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、薬剤に湿潤したオゾンガス及びアンモニアガスを用いた実施例を説明したが、これに限定されるものではなく、オゾンを含む液体の薬剤を直接ノズル板から噴出させて湿式処理することもできる。
また、洗浄処理時に純水による洗浄液を用いた実施例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、アルコール、酸性水溶液、アルカリ性溶液などの洗浄液でもよい。
【0020】
【発明の効果】
このように本発明による基板表面処理装置によれば、処理槽内でオゾンまたは純水等の各処理工程に応じて基板とノズル板との距離を調整して良好に処理することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板表面処理装置の一実施形態を示す構成図。
【図2】図1に示したA−A線の断面を示す図。
【図3】図1に示したノズル板の底面を示す図。
【図4】図3に示したノズル板の溝による水滴の除去動作を示す図。
【図5】図1に示した基板表面処理装置の処理動作を示す図。
【図6】従来の基板表面処理装置の一実施形態を示す構成図。
【符号の説明】
1 基板
10 上部基台
10a 曲面
12 加熱源
14 ノズル板
14a 噴出孔
14b 溝
16 第1供給口
18 第2供給口
20 下部基台
20a 供給口
20b 排出口
22 保持部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate surface treatment apparatus, and more specifically, removes an object to be processed such as a photoresist film, an organic compound, or an inorganic compound on a semiconductor substrate, a glass substrate, or a printed board represented by IC, LSI, or the like. The present invention relates to a substrate surface processing apparatus for cleaning.
[0002]
[Prior art]
[Patent Document 1]
JP 2001-223206 A (page 4-6, FIG. 1)
[0003]
2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate surface processing apparatus is used in, for example, a microfabrication process including a manufacturing process of a semiconductor device such as an IC or LSI, a photoresist film on a semiconductor substrate (silicon wafer, etc.), a glass substrate (LCD), a printed circuit board, or the like. It is employed for the operation of removing an object to be treated such as an organic compound or an inorganic compound, and a wet method using a chemical (for example, refer to Patent Document 1) or a dry method using oxygen plasma or the like is usually used. . FIG. 6 is a block diagram showing an embodiment of a conventional substrate surface processing apparatus using such a chemical wet method.
[0004]
As shown in FIG. 6, an embodiment of a conventional substrate surface treatment apparatus includes a
[0005]
In one embodiment of the conventional substrate surface treatment apparatus formed as described above, the
[0006]
As described above, the conventional substrate surface treatment apparatus reduces the environmental pollution due to the chemical solution disposal by using ozone (O 3 ) gas as the chemical for treating the surface of the
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional substrate surface treatment apparatus, since the
In the conventional substrate surface processing apparatus, since the
The present invention solves such problems, and provides a substrate surface treatment apparatus that can perform good treatment by adjusting the distance between the substrate and the nozzle plate in accordance with each treatment step such as ozone or pure water in a treatment tank. With the goal.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a substrate surface processing apparatus that performs chemical processing of a substrate surface with a chemical containing ozone and cleaning processing of the substrate with a cleaning liquid, and a holding unit that holds the substrate can be rotated. A lower base that is pivotally supported on the upper base, an upper base that is disposed above and below the lower base, and that is supported by the upper base and that extends on the substrate and ejects a medicine and a cleaning liquid, respectively. A nozzle plate is provided, and the distance between the nozzle plate and the substrate can be adjusted according to the chemical treatment or the cleaning treatment by making it possible to move up and down either one or both of the holding part and the nozzle plate supported by the upper base and the lower base. with adjustably provided Te, the nozzle plate comprises a first supply port for supplying the ozone gas and hot air, and a second supply port for supplying the ammonia gas and hot DIW, penetrating to the back side from the respective supply ports It is opposed to the substrate by providing a number of ejection holes.
[0009]
Here, it is preferable that the lower bases are fitted to each other by the upper bases moving up and down to seal the substrate inside. In addition, the substrate is treated with a chemical solution in a state where the distance between the nozzle plate and the substrate is reduced by reducing the distance between the nozzle plate and the substrate by the vertical movement of the nozzle plate or the holding unit, and then the distance is increased to increase the volume. It is preferable to wash with Further, it is preferable that the holding portion is provided so that the number of rotations for holding and rotating the substrate can be adjusted . Also, the nozzle plate, after treatment by supplying simultaneously or alternately with ammonia gas from the ozone gas and a second supply port from the first supply port as a medicament when chemical processing of the substrate, supplying hot air and hot DIW It is preferable to flush the ejection hole and perform this operation at least once. In another embodiment of the nozzle plate, only ozone gas from the first supply port is supplied as a chemical during the chemical treatment of the substrate, and then hot air is supplied to flush the ejection hole. It is preferable to perform more than once. The nozzle plate is preferably cleaned by supplying hot DIW from the second supply port as a cleaning liquid during the cleaning process after the chemical processing. Moreover, it is preferable that a nozzle plate supplies a hot air from a 1st supply port after a washing process, and dries a board | substrate. The nozzle plate is preferably provided with a heat source. In addition, the nozzle plate preferably has a plurality of water droplet prevention grooves that extend radially from the center toward the outside on the back surface facing the substrate and guide water droplets to the outer periphery. Moreover, it is preferable that an upper base has the curved surface formed in spherical shape toward the outer side at the lower end where a nozzle plate moves up and down, and it guide | induces a water droplet from the said nozzle plate to an outer peripheral wall. The lower base is preferably provided so that hot air can be supplied.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, an embodiment of a substrate surface treatment apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a substrate surface treatment apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a view showing a cross section taken along line AA shown in FIG. FIG. 3 is a view showing the bottom surface of the
[0011]
As shown in FIG. 1, one embodiment of the substrate surface treatment apparatus according to the present invention is a wet type that performs chemical treatment with a chemical containing ozone and cleaning treatment with pure water of a substrate, as in the prior art shown in FIG. The
[0012]
Here, this embodiment differs from the prior art shown in FIG. 6 by allowing both the holding
[0013]
As shown in FIGS. 2 and 3, the
[0014]
Referring to FIG. 2 again, the
[0015]
In one embodiment of the substrate surface treatment apparatus according to the present invention thus formed, first, after holding the
[0016]
Here, for example, when the
[0017]
Further, when the chemical treatment is completed, as shown in FIG. 5 (b), the
[0018]
Thus, according to one embodiment of the substrate surface treatment apparatus of the present invention, as shown in FIG. Since the distance from the
In addition, according to one embodiment of the substrate surface processing apparatus of the present invention, as shown in FIG. 5B, the
[0019]
The embodiment of the substrate surface treatment apparatus according to the present invention has been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed without departing from the gist thereof.
For example, an embodiment using ozone gas and ammonia gas wetted with a chemical agent has been described. However, the present invention is not limited to this, and a wet chemical treatment can also be performed by ejecting a liquid chemical agent containing ozone directly from a nozzle plate.
Moreover, although the Example using the cleaning liquid by a pure water was demonstrated at the time of a cleaning process, it is not limited to this, For example, cleaning liquids, such as alcohol, acidic aqueous solution, alkaline solution, may be sufficient.
[0020]
【The invention's effect】
As described above, according to the substrate surface treatment apparatus of the present invention, it is possible to perform good treatment by adjusting the distance between the substrate and the nozzle plate in accordance with each treatment step such as ozone or pure water in the treatment tank. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a substrate surface treatment apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a view showing a cross section taken along line AA shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a view showing a bottom surface of the nozzle plate shown in FIG. 1;
4 is a view showing a water droplet removing operation by a groove of the nozzle plate shown in FIG. 3;
FIG. 5 is a view showing a processing operation of the substrate surface processing apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a configuration diagram showing an embodiment of a conventional substrate surface treatment apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基板を保持する保持部を回転可能に軸支した下部基台と、
前記下部基台の上部に配置されて上下に昇降する上部基台と、
前記上部基台に支持されて前記基板上に延在して前記薬剤及び洗浄液を各々噴出するノズル板とを備え、
前記上部基台及び下部基台に支持した前記保持部またはノズル板のいずれか一方或いは両方を上下動可能にすることで、前記ノズル板と前記基板との距離を前記薬液処理または洗浄処理に応じて調節可能に設けるとともに、前記ノズル板は、オゾン(O 3 )ガス及びホットエアを供給する第1供給口と、アンモニア(NH 3 )ガス及びホットDIWを供給する第2供給口とを備え、この各供給口から裏側に貫通する複数の噴出孔を設けて前記基板に対向させたことを特徴とする基板表面処理装置。In a substrate surface treatment apparatus for performing chemical treatment of a substrate surface with a chemical containing ozone and cleaning treatment of the substrate with a cleaning liquid,
A lower base that pivotally supports a holding portion for holding the substrate;
An upper base disposed above and below the lower base and moving up and down;
A nozzle plate that is supported by the upper base and extends on the substrate to eject each of the medicine and the cleaning liquid,
By enabling either or both of the holding part and the nozzle plate supported on the upper base and the lower base to move up and down, the distance between the nozzle plate and the substrate can be adjusted according to the chemical treatment or cleaning treatment. adjustably provided Te Rutotomoni, said nozzle plate, ozone (O 3 ) First supply port for supplying gas and hot air; ammonia (NH 3) And a second supply port for supplying gas and hot DIW, and a plurality of ejection holes penetrating from the supply ports to the back side are provided to face the substrate.
前記下部基台は、前記上部基台が昇降動作することでお互いに嵌合して前記基板を内部に密閉(封止)することを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to claim 1,
The lower surface base is a substrate surface treatment apparatus characterized in that the upper base moves up and down to fit each other and seal (seal) the substrate inside.
前記基板は、前記ノズル板または前記保持部の上下動により、前記ノズル板及び基板間の距離を狭めて隙間内の容積を縮小した状態で薬液処理し、その後、この距離を広げて前記容積を拡大した状態で洗浄処理することを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to claim 2,
The substrate is treated with a chemical solution in a state in which the distance between the nozzle plate and the substrate is reduced and the volume in the gap is reduced by the vertical movement of the nozzle plate or the holding portion, and then the distance is increased to reduce the volume. A substrate surface processing apparatus characterized by performing a cleaning process in an enlarged state.
前記保持部は、前記基板を保持して回転する回転数を調節可能に設けたことを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The substrate surface processing apparatus, wherein the holding unit is provided so as to be capable of adjusting a rotation speed of holding and rotating the substrate.
前記ノズル板は、前記基板の薬液処理時に薬剤として前記第1供給口からのオゾンガスと前記第2供給口からのアンモニアガスとを同時または交互に供給して処理した後、前記ホットエア及びホットDIWを供給して前記噴出孔をフラッシングし、この動作を少なくとも1回以上行うことを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to claim 1 ,
The nozzle plate performs processing by supplying ozone gas from the first supply port and ammonia gas from the second supply port simultaneously or alternately as chemicals during chemical treatment of the substrate, and then processing the hot air and hot DIW. A substrate surface treatment apparatus characterized in that the substrate surface is flushed by supplying and flushing the ejection holes at least once.
前記ノズル板は、前記基板の薬液処理時に薬剤として前記第1供給口からオゾンガスのみを供給して処理した後、前記ホットエアを供給して前記噴出孔をフラッシングし、この動作を少なくとも1回以上行うことを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to claim 1 ,
The nozzle plate supplies and processes only ozone gas from the first supply port as a chemical during chemical treatment of the substrate, and then supplies the hot air to flush the ejection hole, and performs this operation at least once. A substrate surface processing apparatus.
前記ノズル板は、前記薬液処理後の洗浄処理時に前記洗浄液として前記第2供給口からホットDIWを供給して洗浄処理することを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to claim 5 or 6 ,
The substrate surface processing apparatus, wherein the nozzle plate performs a cleaning process by supplying hot DIW from the second supply port as the cleaning liquid during the cleaning process after the chemical process.
前記ノズル板は、前記洗浄処理後に前記第1供給口からホットエアを供給して前記基板を乾燥することを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to claim 5 or 6 ,
The substrate surface processing apparatus, wherein the nozzle plate dries the substrate by supplying hot air from the first supply port after the cleaning process.
前記ノズル板には、加熱源(ヒータ等)を設けたことを特徴とする基板表面処理装置。In the substrate surface treating apparatus according to any one of claims 1 to 8,
A substrate surface processing apparatus, wherein a heating source (a heater or the like) is provided on the nozzle plate.
前記ノズル板は、前記基板に対向する裏面に中心から外側に向かって放射状に延在して水滴を外周に誘導する水滴防止用の溝を複数形成したことを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 9 ,
The substrate surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the nozzle plate has a plurality of grooves for preventing water droplets that radially extend from the center toward the outer surface on the back surface facing the substrate to guide water droplets to the outer periphery.
前記上部基台は、前記ノズル板が上下動する下端に外側に向かって球面状に形成した曲面を有し、前記ノズル板から水滴を外側の内周壁に誘導することを特徴とする基板表面処理装置。In the substrate surface treating apparatus according to any one of claims 1 to 1 0,
The upper base has a curved surface formed in a spherical shape toward the outside at a lower end where the nozzle plate moves up and down, and guides water droplets from the nozzle plate to an outer peripheral wall on the outside. apparatus.
前記下部基台は、ホットエアを供給可能に設けたことを特徴とする基板表面処理装置。The substrate surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 11,
The substrate surface processing apparatus, wherein the lower base is provided so as to be able to supply hot air.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002344551A JP4171642B2 (en) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | Substrate surface treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002344551A JP4171642B2 (en) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | Substrate surface treatment equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004179429A JP2004179429A (en) | 2004-06-24 |
JP4171642B2 true JP4171642B2 (en) | 2008-10-22 |
Family
ID=32706005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002344551A Expired - Fee Related JP4171642B2 (en) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | Substrate surface treatment equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4171642B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100811824B1 (en) | 2006-08-01 | 2008-03-10 | 세메스 주식회사 | Apparatus for cleaning substrates |
KR100732520B1 (en) * | 2006-08-01 | 2007-06-28 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrates |
KR100749548B1 (en) | 2006-08-01 | 2007-08-14 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrates |
KR100749547B1 (en) | 2006-08-01 | 2007-08-14 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrates |
KR100831989B1 (en) | 2006-08-30 | 2008-05-23 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrates |
KR101398436B1 (en) | 2008-05-19 | 2014-05-26 | 주식회사 케이씨텍 | Method and apparatus for cleaning the lower part of a substrate |
JP5478586B2 (en) * | 2011-11-16 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium |
JP6577385B2 (en) * | 2016-02-12 | 2019-09-18 | 株式会社荏原製作所 | Substrate holding module, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
-
2002
- 2002-11-27 JP JP2002344551A patent/JP4171642B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004179429A (en) | 2004-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101187104B1 (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
JP4005326B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US6692165B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP3786549B2 (en) | Semiconductor wet etching equipment | |
JP2008198958A (en) | Device and method for treating substrate | |
KR19980019104A (en) | COATING METHDO AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESS | |
JP4358486B2 (en) | High pressure processing apparatus and high pressure processing method | |
KR20010062439A (en) | Coating film and forming apparatus | |
JP4171642B2 (en) | Substrate surface treatment equipment | |
KR101055465B1 (en) | Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus | |
JP4145110B2 (en) | Slit nozzle cleaning device and cleaning method | |
JP3777542B2 (en) | NOZZLE DEVICE, COATING DEVICE, AND COATING METHOD | |
JP4187540B2 (en) | Substrate processing method | |
JPH1057877A (en) | Substrate treating device and substrate treating method | |
JP2001070861A (en) | Treatment of liquid and liquid treating device | |
JP3676263B2 (en) | Coating film forming apparatus and coating film forming method | |
JPH088222A (en) | Spin processor | |
JPH11330041A (en) | Device for processing substrate by etching liquid | |
JP2003092244A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP3979595B2 (en) | Treatment liquid supply nozzle, treatment liquid supply apparatus, and nozzle cleaning method | |
JP4503426B2 (en) | Cleaning device | |
JP7245059B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP4036331B2 (en) | Treatment liquid supply nozzle, treatment liquid supply apparatus, and nozzle cleaning method | |
JP3359874B2 (en) | Nozzle structure of cleaning device and cleaning method | |
JP2005217138A (en) | Spin treating device and spin treatment method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080805 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080811 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |