JP2003015140A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像表示領域に形成されている分厚い感光性
樹脂層を有効利用して基板間距離のばらつきを緩和し
て、表示品位の向上を図った電気光学装置、およびそれ
を用いた電子機器を提供すること。 【解決手段】 液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ
基板１０の画像表示領域１０ａには、光反射膜８ａの下
層側に感光性樹脂１３、７からなる凹凸形成層１３ａお
よび上層膜７ａが形成されている。画像表示領域１０ａ
とシール材５２との間には駆動回路形成領域１１０が形
成されており、この領域に存在する低所領域１４０およ
び高所領域１２０については、感光性樹脂７、１３を選
択して形成することにより高低差を緩和する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に電気光学物
質が保持された電気光学装置、およびそれを用いた電子
機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶装置などの電気光学装置は、各種機
器の直視型あるいは投射型の表示装置として用いられて
いる。このような電気光学装置のうち、例えば、アクテ
ィブマトリクス型の液晶装置では、図１９に示すよう
に、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とがシール材５２で貼り合わされているとともに、基
板間でシール材５２で区画された領域内に電気光学物質
としての液晶５０が保持されている。また、ＴＦＴアレ
イ基板１０と対向基板２０との間には、これらの基板間
隔を制御するギャップ材（図示せず）が介在している。

【０００３】また、反射型あるいは半透過・半反射型の
アクティブマトリクス型の液晶装置１００では、ＴＦＴ
アレイ基板１０の表面のうち、シール材５２で区画され
た領域内の画像表示領域１０ａに、対向基板２０の側か
ら入射してきた外光を対向基板２０の方に向けて反射す
るための光反射膜８ａが透明な画素電極９ａの下層側に
形成されており、対向基板２０側から入射した光をＴＦ
Ｔアレイ基板１０の側で反射し、対向基板１０の側から
出射された光によって画像を表示する。

【０００４】このような反射型あるいは半透過・半反射
型の液晶装置１００において、光反射膜８ａで反射され
た光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異な
るなどの視野角依存性が顕著に出てくる。そこで、液晶
装置１００を製造する際、図２０（Ａ）に示すように、
第２層間絶縁膜５（表面保護膜）の表面に、アクリル樹
脂などといった第１の感光性樹脂１３を厚めに塗布した
後、露光マスク５１０を介して第１の感光性樹脂１３を
露光し、現像することによって、図２０（Ｂ）に示すよ
うに、所定パターンの凹凸形成層１３ａを形成し、その
上層側に形成される光反射膜８ａの表面に凹凸パターン
８ｇを形成している（図１９を参照）。また、図２０
（Ｃ）に示すように、凹凸形成層１３ａの上層側に、同
じくアクリル樹脂などの第２の感光性樹脂層７を塗布し
た後、露光マスク５２０を介して第２の感光性樹脂７を
露光し、現像ベークすることによって、図２０（Ｄ）に
示すように、コンタクトホールを備えた上層膜７ａを形
成し、図１９に示すように、凹凸形成層１３ａのエッジ
などが凹凸パターン８ｇに出ないようにしている。

【０００５】ここで、凹凸形成層１３ａに用いられた第
１の感光性樹脂１３、および上層膜７ａに用いられた第
２の感光性樹脂７は、画像表示領域１０ａにおいて画素
スイッチング用のＴＦＴ３０の層間絶縁膜としても残さ
れている。但し、画像表示領域１０ａとシール材５２と
の間の領域には、凹凸形成層１３ａに用いられた第１の
感光性樹脂１３、および上層膜７ａに用いられた第２の
感光性樹脂７のいずれもが残されていない。

【０００６】また、液晶装置１００では、画像表示領域
１０ａとシール材５２の形成領域との間の領域が、画素
スイッチング用のＴＦＴ３０を駆動する走査線駆動回路
１０４などを形成した駆動回路形成領域１１０として利
用されることがある。このような走査線駆動回路１０４
では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の形成工程を利
用して駆動回路用のＴＦＴが形成されてり、このような
駆動回路用のＴＦＴは相補回路を構成している。ここ
で、走査線駆動回路１０４では、相補型のＴＦＴから構
成されるが、図１９には１つのＴＦＴ３０′のみを表し
てある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶装置１００のように、画像表示領域１０ａとシール
材５２の形成領域との間の領域を駆動回路形成領域１１
０として利用した場合には、ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との基板間隔が面内方向でばらついてしま
い、その結果、液晶５０の厚さの均一性が損なわれてし
まい、表示ムラや色ずれが発生しやすくなるという問題
点がある。その理由は以下のとおりである。

【０００８】まず、駆動回路形成領域１１０において、
ＴＦＴ３０′が存在する領域は、下地保護膜１１、半導
体膜１′、ゲート絶縁膜２、ゲート電極３ａ′、第１層
間絶縁膜４、ソース配線６ａ′、ドレイン配線６ｂ′、
第２層間絶縁膜５、配向膜１２がこの順に積層された高
所領域１２０となっているのに対して、ＴＦＴ３０′が
存在しない領域は、下地保護膜１１、ゲート絶縁膜２、
第１層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜５、配向膜１２はあ
るが、半導体膜１′、ゲート電極３ａ′、ソース配線６
ａ′、ドレイン配線６ｂ′がない低所領域１４０になっ
ており、このような高低差があると、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間にギャップ材を介在させて
も、その基板間隔制御機能が有効に作用しないからであ
る。

【０００９】次に、画像表示領域１０ａには、凹凸形成
層１３ａに用いられた第１の感光性樹脂１３、および上
層膜７ａに用いられた第２の感光性樹脂７が形成されて
いるのに対して、駆動回路形成領域１１０には、これら
の感光性樹脂７、１３が除去されている。このため、両
領域間に高低差があり、このような高低差があると、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間にギャップ材
を介在させても、その基板間隔制御機能が有効に作用し
ないからである。

【００１０】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
画像表示領域に形成されている分厚い感光性樹脂層を有
効利用して基板間距離のばらつきを緩和して、表示品位
の向上を図った電気光学装置、およびそれを用いた電子
機器を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、画素電極、および該画素電極に接続す
る画素スイッチング用素子がマトリクス状に配置された
画像表示領域を備えた第１の基板と、該第１の基板に対
して所定の間隙を介してシール材で貼り合わされた第２
の基板と、前記シール材で区画された間隙内に保持され
た電気光学物質と、前記シール材で区画された領域内で
前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在して当該
基板間の間隙を制御するギャップ材とを有する電気光学
装置において、前記第１の基板上には、前記画像表示領
域内に感光性樹脂層が形成され、前記第１の基板上に
は、前記画像表示領域と前記シール材との間の領域に高
さの異なる高所領域および低所領域が存在するととも
に、前記低所領域と前記高所領域との高低差が前記画像
表示領域と前記シール材との間の領域に形成された前記
感光性樹脂層によって緩和されていることを特徴とす
る。

【００１２】本発明では、画像表示領域に形成された感
光性樹脂を利用して高低差の緩和を行っているため、基
板間距離の面内方向におけるばらつきが極めて小さい。
従って、液晶などといった電気光学物質の層厚が面内方
向でばらつかないので、表示ムラや色ずれが発生せず、
品位の高い表示を行うことができる。ここで、感光性樹
脂は、露光、現像によって任意に場所に形成できるの
で、工程数を増やさなくても高低差の緩和を行うことが
できる。

【００１３】また、前記画像表示領域と前記シール材と
の間の領域の高低差を解消できるのであれば、前記第１
の基板上には前記画像表示領域と前記シール材との間の
領域に、前記画素スイッチング用素子を駆動する駆動回
路を備えた駆動回路形成領域を形成することができる。
特に駆動回路形成領域に高低差がある場合には、それを
解消することを目的にダミーの配線を設けるなどの対策
をとることができないが、画像表示領域に形成する感光
性樹脂を利用するのであれば、駆動回路形成領域におい
ても高低差を容易に緩和することができる。

【００１４】本発明において、前記低所領域と前記高所
領域との高低差を前記感光性樹脂層によって緩和するに
あたっては、例えば、前記高所領域と比較して前記低所
領域に前記感光性樹脂層が厚く形成する。

【００１５】本発明において、前記低所領域と前記高所
領域との高低差を前記感光性樹脂層によって緩和するに
あたって、前記画像表示領域では前記感光性樹脂層が多
層に形成されている場合には、前記高所領域と比較して
前記低所領域で前記感光性樹脂層の積層数を多くしても
よい。

【００１６】本発明において、前記低所領域と前記高所
領域との高低差を前記感光性樹脂層によって緩和するに
あたっては、前記感光性樹脂層が前記低所領域に形成さ
れているのに対して前記高所領域に形成されていない構
成であってもよい。

【００１７】本発明において、前記画像表示領域と前記
シール材との間の領域では、前記感光性樹脂層が島状に
形成されていてもよい。

【００１８】本発明において、前記第１の基板上の前記
画像表示領域と前記シール材との間の領域は、前記画像
表示領域と略同一の高さになっていることが好ましい。
すなわち、前記第１の基板上の前記画像表示領域と前記
シール材との間の領域、および前記画像表示領域の双方
に感光性樹脂層を形成して双方の高低差を解消すれば、
基板間隔のばらつきを緩和できるので、表示品位をさら
に向上することができる。

【００１９】本発明において、前記第１の基板上の前記
画像表示領域内には、当該基板の表面側に入射した光を
反射するための光反射膜が形成される場合があり、この
場合、前記感光性樹脂層は、前記画像表示領域内で前記
光反射膜の下層側に、当該光反射膜の表面に光散乱用の
凹凸パターンを付与する凹凸形成層として形成される。
このような凹凸形成層を形成するための感光性樹脂層で
あれば分厚いので、かなりの高低差であっても容易に解
消できる。

【００２０】また、本発明において、前記第１の基板上
の前記画像表示領域内には、当該基板の表面側に入射し
た光を反射する光反射膜が形成される場合があり、この
場合、前記感光性樹脂層は、前記画像表示領域内で前記
光反射膜の下層側に、当該光反射膜の表面に光散乱用の
凹凸パターンを付与する凹凸形成層、および前記凹凸形
成層の表面側を覆う上層膜として形成してもよい。分厚
い感光性樹脂層が２層あれば、かなりの高低差であって
も容易に解消でき、かつ、高低差に応じて２層の感光性
樹脂層のいずれを用いるかを選択できるので、いろいろ
な高低差を解消できる。

【００２１】本発明において、前記画素スイッチング素
子は、例えば、薄膜トランジスタであり、この場合、前
記駆動回路では、薄膜トランジスタによって相補回路が
構成される。

【００２２】本発明は、前記電気光学物質として液晶を
用いた場合、特に有効である。すなわち、電気光学物質
として液晶を用いた場合、基板間距離のばらつきが表示
品位に大きな影響を及ぼすので、本発明によって、基板
間距離のばらつきを解消すれば、液晶装置において表示
品位を顕著に向上することができる。

【００２３】本発明を適用した電気光学装置は、携帯電
話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表
示装置として用いることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。

【００２５】［実施の形態１］ （電気光学装置の基本的な構成）図１は、本発明を適用
した電気光学装置としての液晶装置を各構成要素ととも
に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１の
Ｈ−Ｈ′断面図である。図３は、液晶装置の画像表示領
域においてマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本発明
を適用した液晶装置の基本的な構成は、図１９および図
２０を参照して説明したものと同様であるため、共通す
る機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
また、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を
図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００２６】図１および図２において、本形態の液晶装
置１００（電気光学装置）は、ＴＦＴアレイ基板１０
（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシー
ル材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によ
って区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学
物質としての液晶５０が挟持されている。シール材５２
の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見
切り５３が形成され、この周辺見切り５３の内側領域が
画像表示領域１０ａになっている。

【００２７】シール材５２で区画された領域内では、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に多数のギャ
ップ材５５が介在しており、このギャップ材５５は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の間隙を制御
している。ここで、ギャップ材５５は、プラスチックビ
ーズなどといった粒子として図示してあるが、ＴＦＴア
レイ基板１０あるいは対向基板２０の側に、樹脂によっ
て柱状に形成する場合もある。

【００２８】本形態では、シール材５２の外側領域を利
用して、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されてお
り、この一辺に隣接する２辺においては、画像表示領域
１０ａとシール材５２との間の領域を利用して走査線駆
動回路１０４が形成されている。このため、画像の表示
に直接、寄与しない額縁領域を狭めることができる。

【００２９】ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺では、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４の間をつなぐための複数の配線１０５がシール材５
２の下層側を通っている。また、周辺見切り５３の下層
側などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設け
られることもある。また、対向基板２０のコーナー部の
少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と
対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導
通材１０６が形成されている。

【００３０】なお、液晶装置１００では、使用する液晶
５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティッ
ク）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作
モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラック
モードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、
偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは図示
を省略してある。

【００３１】また、液晶装置１００をカラー表示用とし
て構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴア
レイ基板１０の各画素電極（後述する）に対向する領域
にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形成す
る。

【００３２】液晶装置１００において、画像表示領域１
０ａでは、図３に示すように、複数の画素１００ａがマ
トリクス状に構成されているとともに、これらの画素１
００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極
９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０
が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供
給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的
に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ
１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対し
て、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、Ｔ
ＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されて
おり、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走
査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加す
るように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０
のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素
子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とする
ことにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ
１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き
込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き
込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎ
は、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一
定期間保持される。

【００３３】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリー
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大してい
く。その結果、全体として液晶装置１００からは画素信
号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ
光が出射される。

【００３４】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと
対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量
６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時
間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電
荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶装
置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する
方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を
形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する
場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合
もいずれであってもよい。

【００３５】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本形
態の液晶装置１００に用いたＴＦＴアレイ基板１０の相
隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、液晶装
置１００の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位
置で切断したときの断面図である。図６は、本形態の液
晶装置１００の画像表示領域１０ａ、駆動回路形成領
域、およびシール領域の断面図である。

【００３６】図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成
されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、
画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走
査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０
は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続してい
る。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介
してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続
し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ
３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するよう
に走査線３ａが延びている。蓄積容量６０（蓄積容量素
子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するた
めの半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電
極とし、この下電極４１に、走査線３ｂと同層の容量線
３ｂが上電極として重なった構造になっている。

【００３７】このように構成した各画素１００ａにおい
ては、画素電極９ａが形成されている領域のうち、一点
鎖線８′で囲まれた領域は、透過モードで表示を行う透
過領域であり、後述する凹凸形成層および光反射膜が形
成されておらず、その他の領域は、後述する凹凸形成層
および光反射膜を備えた反射領域であり、ここでは反射
モードで表示を行う。

【００３８】この反射領域のＡ−Ａ′線における断面
は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の表面
に、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍのシリコン酸化膜（絶
縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保
護膜１１の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島
状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表
面には、厚さが約５０〜１００ｎｍのシリコン酸化膜か
らなるゲート絶縁膜２ａが形成され、このゲート絶縁膜
２ａの表面に、厚さが５００ｎｍ〜１０００ｎｍのアル
ミニウム膜からなる走査線３ａがゲート電極として通っ
ている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲー
ト絶縁膜２ａを介して対峙する領域がチャネル領域１
ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一
方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領
域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃
度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備
えるドレイン領域が形成されている。

【００３９】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜
３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５
（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４の
表面には、厚さが５００ｎｍ〜１０００ｎｍのアルミニ
ウム膜からなるデータ線６ａが形成され、このデータ線
６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホー
ルを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続してい
る。第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形
成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電
極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホ
ールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続し
ている。

【００４０】第２層間絶縁膜５の上層には、後述するよ
うに、アクリル樹脂などの感光性樹脂からなる凹凸形成
層１３ａおよび上層膜７ａがこの順に形成され、この上
層膜７ａの表面には、厚さが５０ｎｍから２００ｎｍの
アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されて
いる。

【００４１】光反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜からな
る透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａ
は、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９
ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、
画素電極９ａは、上層膜７ａを構成する感光性樹脂層、
凹凸形成層１３ａを構成する感光性樹脂層、および第２
層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホールを介してド
レイン電極６ｂに電気的に接続している。

【００４２】画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。

【００４３】また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａ
と同層の容量線３ｂが上電極として対向することによ
り、蓄積容量６０が構成されている。

【００４４】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、およ
び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの
一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００４５】また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電
極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいは
トリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。

【００４６】（凹凸パターンの構成）図５および図６に
示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０
ａ内の各画素１００ａには、光反射膜８ａの表面のう
ち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域（図４を参
照）に、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン
８ｇが形成されている。

【００４７】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射
膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる
領域には、アクリル樹脂などの感光性樹脂からなる凹凸
形成層１３ａが第２層間絶縁膜５の表面に厚めに、例え
ば２μｍ〜３μｍの厚さに形成され、この凹凸形成層１
３ａの上層には、同じくアクリル樹脂などの感光性樹脂
からなる上層膜７ａが第２の樹脂層として厚めに、例え
ば１μｍ〜２μｍの厚さで積層されている。このため、
光反射膜８ａの表面には、凹凸形成層１３ａの有無に起
因する凹凸によって凹凸パターン８ｇが形成され、この
凹凸パターン８ｇでは、上層膜７ａによって、凹凸形成
層１３ａのエッジなどが出ないようになっている。

【００４８】なお、図６に示すように、シール材５２が
形成されている領域では、走査線３ａと同時形成された
導電膜３ｃ、およびデータ線６ａと同時形成された導電
膜６ｃからなる配線１０５が通っている。また、シール
材５２が形成されている領域では画像表示領域１０ａに
おいて凹凸形成層１３ａを構成する感光性樹脂１３を残
すとともに、上層膜７ａを構成する感光性樹脂７も残し
てある。

【００４９】（駆動回路形成領域の構成）このように構
成したＴＦＴアレイ基板１０では、図６に示すように、
画像表示領域１０ａとシール材５２の形成領域との間の
領域が、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を駆動する走
査線駆動回路１０４を形成した駆動回路形成領域１１０
として利用されている。このような走査線駆動回路１０
４では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の形成工程を
利用して相補型の駆動回路用ＴＦＴが形成されてり、こ
のような駆動回路用ＴＦＴは相補回路を構成している。
ここで、駆動回路１３０では、相補型のＴＦＴから構成
されるが、図６には１つのＴＦＴ３０′のみを表してあ
る。

【００５０】駆動回路形成領域１１０において、駆動回
路用のＴＦＴ３０′の構成は、画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０と同様であるため、詳細な説明を省略するが、
ＴＦＴ３０′が存在する領域は、下地保護膜１１、半導
体膜１′、ゲート絶縁膜２、ゲート電極３ａ′、第１層
間絶縁膜４、ソース配線６ａ′、ドレイン配線６ｂ′、
第２層間絶縁膜５、配向膜１２がこの順に積層された高
所領域１２０となっているのに対して、ＴＦＴ３０′が
存在しない領域は、下地保護膜１１、ゲート絶縁膜２、
第１層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜５、配向膜１２は形
成されているが、半導体膜１′、ゲート電極３ａ′、ソ
ース配線６ａ′、ドレイン配線６ｂ′がない低所領域１
４０になっている。

【００５１】そこで、本形態では、低所領域１４０に
は、画像表示領域１０ａにおいて凹凸形成層１３ａを構
成する厚さが２μｍ〜３μｍの感光性樹脂１３を残すと
ともに、その表面に、上層膜７ａを構成する厚さが１μ
ｍ〜２μｍの感光性樹脂７も残す一方、高所領域１２０
には感光性樹脂１３のみを残してある。このため、低所
領域１４０には厚い感光性樹脂層が形成され、高所領域
１２０には薄い感光性樹脂層が形成された状態にあり、
低所領域１４０と高所領域１２０との高低差が解消され
ている。

【００５２】従って、駆動回路形成領域１１０におい
て、ギャップ材５５の基板間隔制御機能が有効に作用す
るため、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板
間距離は、面内方向におけるばらつきが極めて小さい。
それ故、液晶５０の層厚が面内方向でばらつかないの
で、表示ムラや色ずれが発生せず、品位の高い表示を行
うことができる。しかも、２つの感光性樹脂７、１３の
厚さが異なるので、本形態の組み合わせに限らず、後述
する実施の形態２、３、４のように、感光性樹脂７、１
３を残す組み合わせを変えるだけで高低差をほぼ完全に
解消することもできる。

【００５３】また、本形態では、高低差を解消するのに
画像表示領域１０ａに形成する感光性樹脂７、１３を利
用し、このような感光性樹脂７、１３であれば、後述す
るように、露光、現像によって任意に場所に形成できる
ので、工程数を増やさなくても高低差の緩和を行うこと
ができる。

【００５４】さらに、画像表示領域１０ａとシール材５
２との間の領域の高低差を解消できるので、画像表示領
域１０ａとシール材５２との間に駆動回路形成領域１１
０を形成して、液晶装置１００において表示に直接関与
しない額縁領域を狭めることができる。特に、駆動回路
形成領域１１０に高低差がある場合には、それを解消す
ることを目的にダミーの配線を設けるなどの対策をとる
ことができないが、画像表示領域１０ａに形成する感光
性樹脂７、１３を利用するのであれば、駆動回路形成領
域１１０においても高低差を容易に緩和することができ
る。

【００５５】なお、駆動回路形成領域１１０の高低差を
解消するにあたって、高所領域１２０と低所領域１４０
とが混在しているので、図７に示すように、例えば、低
所領域１４０に対して感光性樹脂層７、１３を島状に形
成してもよい。

【００５６】（対向基板の構成）再び図５において、対
向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されてい
る画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラ
ックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称
せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴ
Ｏ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対
向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜
２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対
してラビング処理が施された膜である。

【００５７】（液晶装置１００の表示動作）このように
構成した液晶装置１００では、画素電極９ａの下層側に
アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されて
いる。このため、対向基板２０側から入射した光をＴＦ
Ｔアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射
することができるので、この間に液晶５０によって各画
素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して画像表
示領域１０ａに所望の画像を表示することができる（反
射モード）。

【００５８】また、液晶装置１００においては、図４で
一点鎖線８′で囲んだ領域を避けるように光反射膜８ａ
が形成されているため、半透過・半反射型の液晶装置と
しても機能する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の側
に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射さ
れた光は、ＴＦＴアレイ基板１０の側に入射した後、各
画素１００ａにおいて画素電極９ａが形成されている領
域のうち、光反射膜８ａが形成されていない透過領域を
介して対向基板２０側に透過する。このため、液晶５０
によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、バックラ
イト装置から出射された光を利用して画像表示領域１０
ａに所望の画像を表示することができる（透過モー
ド）。

【００５９】また、本形態では、光反射膜８ａの下層側
のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に凹凸形成
層１３ａを形成し、この凹凸形成層１３ａによって形成
された凹凸を利用して、光反射膜８ａの表面に光散乱用
の凹凸パターン８ｇを形成してある。また、凹凸パター
ン８ｇでは、上層膜７ａによって、凹凸形成層１３ａの
エッジなどが出ないようになっている。従って、反射モ
ードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示す
ることができるため、視野角依存性が小さい。

【００６０】［液晶装置１００の製造方法］図８ないし
図１２を参照して、本形態の液晶装置１００に用いたＴ
ＦＴアレイ基板１０の製造方法を説明する。図８ないし
図１２はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の製
造方法を示す工程断面図であり、いずれの図において
も、画像表示領域１０ａ（画素スイッチング用のＴＦＴ
形成領域、光反射膜形成領域）、、駆動回路形成領域１
１０（低所領域１４０、高所領域１２０）、およびシー
ル領域の断面を示してある。

【００６１】まず、図８（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、
基板１０′の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護
膜１１をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１００ｎｍ
の厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、たと
えばモノシランと笑気ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと酸
素、あるいはジシランとアンモニアを用いることができ
る。

【００６２】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、基板１０′の全面に、アモルファスシリコ
ン膜からなる半導体膜１をＬＰ−ＣＶＤ法により５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。次に、半導体膜１に
対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その
結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却
固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレ
ーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領
域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同
時に高温に熱せられることがない。それ故、基板１０′
としてガラス基板などを用いても熱による変形や割れ等
が生じない。

【００６３】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を形成し、この
レジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチング
することにより、図８（Ｂ）に示すように、画像表示領
域１０ａおよび駆動回路形成領域１１０の所定領域に島
状の半導体膜１ａ、１′（能動層）を残す。

【００６４】次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板
１０′の全面に、ＣＶＤ法などによりシリコン酸化膜な
どからなるゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚
さに形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯ
Ｓと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここ
で形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えて
シリコン窒化膜であってもよい。

【００６５】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イ
オンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を
構成するための下電極を形成する。

【００６６】次に、図８（Ｃ）に示すように、スパッタ
法などにより、基板１０′の全面に、走査線３ａなどを
形成するためのアルミニウム膜などからなる導電膜３を
５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに形成した後、フォト
リソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成
する。

【００６７】次に、レジストマスク５５２を介して導電
膜３をドライエッチングし、図８（Ｄ）に示すように、
走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ、駆動回路のゲ
ート電極３ａ′、配線１０５を形成するための導電膜３
ｃなどを残す。

【００６８】次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチ
ャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲ
ート電極３ａ′をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃ
ｍ²〜約１０×１０¹³／ｃｍ² のドーズ量で低濃度の不
純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａや
ゲート電極３ａ′に対して自己整合的に低濃度ソース領
域１ｂ、１ｂ′、および低濃度ドレイン領域１ｃ、１
ｃ′を形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置して
いるため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導
体膜１ａ、１′のままのチャネル領域１ａ′、１″とな
る。

【００６９】次に、図９（Ａ）に示すように、走査線３
ａおよびゲート電極３ａ′より幅の広いレジストマスク
５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）
を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ² 〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²
のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１ｂ、１
ｂ′、およびドレイン領域１ｄ、１ｄ′を形成する。

【００７０】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａお
よびゲート電極３ａ′をマスクにして高濃度の不純物を
打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびド
レイン領域を形成してもよいことは勿論である。

【００７１】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレ
ジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０¹⁵／ｃｍ² 〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ² のド
ーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合
的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。こ
の際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極
をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ² 〜約１０×
１０¹³／ｃｍ² のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイ
オン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成
した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃
度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ
² 〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ² のドーズ量で打ち込んで、
ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）の
ソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。ま
た、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極
より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物
（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領
域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオ
ン打ち込み工程によって、相補回路を構成でき、周辺駆
動回路の同一基板内への内蔵が可能となる。

【００７２】次に、図９（Ｂ）に示すように、基板１
０′の全面にＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜など
からなる第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの
厚さに形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥ
ＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。

【００７３】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５４を形成する。

【００７４】次に、レジストマスク５５４を介して第１
層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図９（Ｃ）に
示すように、第１層間絶縁膜４においてソース領域およ
びドレイン領域に対応する部分、および配線１０５を形
成する部分などにコンタクトホールをそれぞれ形成す
る。

【００７５】次に、図９（Ｄ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）など
を構成するためのアルミニウム膜などからなる導電膜６
をスパッタ法などで５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト
マスク５５５を形成する。

【００７６】次に、レジストマスク５５５を介して導電
膜６にドライエッチングを行い、図１０（Ａ）に示すよ
うに、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、ソース電極６
ａ′、ドレイン配線６ｂ′、配線１０５を形成するため
の導電膜６ｃを残す。

【００７７】次に、図１０（Ｂ）に示すように、基板１
０′の全面にＣＶＤ法などにより、シリコン窒化膜など
からなる第２層間絶縁膜５を１００ｎｍ〜３００ｎｍの
膜厚に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、
第２層間絶縁膜５にコンタクトホールなどを形成するた
めのレジストマスク５５６を形成する。

【００７８】次に、レジストマスク５５６を介して第２
層間絶縁膜５にドライエッチングを行い、図１０（Ｃ）
に示すように、第２層間絶縁膜５のうち、ドレイン電極
６ｂに対応する部分にコンタクトホールを形成する。

【００７９】次に、図１１（Ａ）に示すように、基板１
０′の全面にアクリル樹脂などといった第１の感光性樹
脂１３を２μｍ〜３μｍの厚さに塗布した後、感光性樹
脂１３をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニング
し、ベークすることにより角を取り、丸くすることによ
って、図１１（Ｂ）に示すように、光反射膜８ａの下層
側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に凹凸形
成層１３ａを形成する。この際、ＴＦＴ３０の形成領域
にはコンタクトホールを備えた層間絶縁膜として感光性
樹脂１３を残す。また、駆動回路形成領域１１０の低所
領域１４０および高所領域１２０の双方に感光性樹脂１
３を残す。

【００８０】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して凹凸形成層１３ａを形成する際、感光性樹脂１３と
してはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いても
よいが、図１１（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジ
タイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去し
たい部分に対して露光マスク５１０の透光部分５１１を
介して紫外線が照射される。

【００８１】次に、図１１（Ｃ）に示すように、基板１
０′の全面にアクリル樹脂からなる第２の感光性樹脂７
を１μｍ〜２μｍの厚さに塗布した後、感光性樹脂７を
フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすること
によって、図１１（Ｄ）に示すように、上層膜７ａを形
成する。この際、ＴＦＴ３０の形成領域にはコンタクト
ホールを備えた層間絶縁膜として感光性樹脂７を残す。
また、駆動回路形成領域１１０では、低所領域１４０お
よび高所領域１２０のうち、低所領域１４０のみに感光
性樹脂７を残し、高所領域１２０には感光性樹脂７を残
さない。

【００８２】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して上層膜７ａを形成する際も、感光性樹脂７としては
ネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよい
が、図１１（Ｃ）には、感光性樹脂７としてポジタイプ
の場合を例示してあり、感光性樹脂７を除去したい部分
に対して露光マスク５２０の透光部分５２１を介して紫
外線が照射される。

【００８３】ここで、上層膜７ａは、流動性を有する樹
脂材料から形成されるため、上層膜７ａは、凹凸形成層
１３ａの凹凸を適度に打ち消す。このため、、後に形成
される光反射膜８ａの表面には、エッジのない、滑らか
な形状の凹凸パターン８ｇが形成される。

【００８４】次に、図１２（Ａ）に示すように、スパッ
タ法などによって、基板１０′の全面に、アルミニウム
膜などといった反射性を備えた金属膜８を５０ｎｍ〜２
００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術
を用いてレジストマスク５５７を形成する。

【００８５】次に、レジストマスク５５７を介して金属
膜８にエッチングを行い、図１２（Ｂ）に示すように、
所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成し
た光反射膜８ａの表面には、凹凸形成層１３ａ凹凸によ
って５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パ
ターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇ
は、上層膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形
状になっている。

【００８６】次に、図１２（Ｃ）に示すように、光反射
膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴ
Ｏ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。

【００８７】次に、レジストマスク５５８を介してＩＴ
Ｏ膜９にエッチングを行って、図１２（Ｄ）に示すよう
に、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａ
を形成する。

【００８８】しかる後には、図５に示すように、画素電
極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成す
る。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリド
ンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミ
ド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷し
た後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜
を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定
方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配
列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミ
ド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列す
る。

【００８９】［実施の形態２］図１３は、本発明の実施
の形態２に係る液晶装置１００の画像表示領域１０ａ、
駆動回路形成領域、およびシール領域の断面図である。
なお、本形態、および以下に説明する実施の形態３、４
に係る液晶装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様
であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号
を付して、それらの説明を省略する。また、液晶装置１
００の製造方法についても、実施の形態１に対して露光
マスク５１０、５２０のマスクパターンを変えただけで
あるため、製造方法についても説明を省略する。

【００９０】実施の形態１では、駆動回路形成領域１１
０の高低差を緩和することを目的に低所領域１４０に
は、画像表示領域１０ａにおいて凹凸形成層１３ａを構
成する感光性樹脂１３を残すとともに、上層膜７ａを構
成する感光性樹脂７も残す一方、高所領域１２０には感
光性樹脂１３のみを残したが、図１３に示すように、低
所領域１４０には、画像表示領域１０ａにおいて凹凸形
成層１３ａを構成する感光性樹脂１３を残すとともに、
上層膜７ａを構成する感光性樹脂７も残す一方、高所領
域１２０に感光性樹脂７のみを残して、低所領域１４０
と高所領域１２０との高低差を解消してもよい。

【００９１】［実施の形態３］図１４は、本発明の実施
の形態３に係る液晶装置１００の画像表示領域１０ａ、
駆動回路形成領域、およびシール領域の断面図である。

【００９２】実施の形態１では、低所領域１４０には、
画像表示領域１０ａにおいて凹凸形成層１３ａを構成す
る感光性樹脂１３を残すとともに、上層膜７ａを構成す
る感光性樹脂７も残す一方、高所領域１２０には感光性
樹脂１３を残したが、図１４に示すように、低所領域１
４０には、画像表示領域１０ａにおいて凹凸形成層１３
ａを構成する感光性樹脂１３を残す一方、高所領域１２
０に感光性樹脂７、１３のいずれをも残さないことによ
り、低所領域１４０と高所領域１２０との高低差を解消
してもよい。

【００９３】［実施の形態４］図１５は、本発明の実施
の形態４に係る液晶装置１００の画像表示領域１０ａ、
駆動回路形成領域、およびシール領域の断面図である。

【００９４】さらに、図１５に示すように、低所領域１
４０には、画像表示領域１０ａにおいて上層膜７ａを構
成する感光性樹脂７を残す一方、高所領域１２０に感光
性樹脂７、１３のいずれをも残さないことにより、低所
領域１４０と高所領域１２０との高低差を解消してもよ
い。

【００９５】なお、実施の形態３、４において、低所領
域１４０には、画像表示領域１０ａにおいて凹凸形成層
１３ａを構成する感光性樹脂１３を残すとともに、上層
膜７ａを構成する感光性樹脂７も残す一方、高所領域１
２０には感光性樹脂を一切、残さない構成であったもよ
い。

【００９６】［その他の実施の形態］なお、低所領域１
４０には、画像表示領域１０ａにおいて凹凸形成層１３
ａを構成する感光性樹脂１３を残すとともに、上層膜７
ａを構成する感光性樹脂７も残す一方、高所領域１２０
には感光性樹脂を一切、残さない構成であってもよい。

【００９７】また、上記の各形態では、感光性樹脂層が
２層、形成されている場合であったが、上層膜７ａを形
成せず、ベーク工程で凹凸形成層１３ａの形状を滑らか
にする場合には感光性樹脂１３のみが形成される。この
ような場合でも、実施の形態３と同様、低所領域１４０
に感光性樹脂１３を残し、高所領域１２０に感光性樹脂
を残さないことにより、低所領域１４０と高所領域１２
０との高低差を解消することができる。

【００９８】さらに、画像表示領域１０ａに感光性樹脂
が３層、以上、形成される構成においても、その積層し
た層の数によって高低差を解消してもよい。

【００９９】さらにまた、駆動回路形成領域１１０に形
成する感光性樹脂を最適化して、駆動回路形成領域１１
０と画像表示領域１０ａの高低差も解消すれば、ギャッ
プ材５５によって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０との基板間距離のばらつきをほぼ完全に解消すること
ができるので、さらに品位の高い画像を表示することが
できる。

【０１００】なお、上記形態では、画素スイッチング素
子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶
装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴ
ＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、ある
いは液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に本
発明を適用してもよい。

【０１０１】［電気光学装置の電子機器への適用］この
ように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の液
晶装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いる
ことができるが、その一例を、図１６、図１７、および
図１８を参照して説明する。

【０１０２】図１６は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。

【０１０３】図１６において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有す
る。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および
駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述し
た液晶装置１００を用いることができる。

【０１０４】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【０１０５】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【０１０６】図１７は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液
晶装置１００を含んで構成される。

【０１０７】図１８は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した液晶
装置１００からなる表示部とを有している。

【０１０８】

【発明の効果】以上のとおり、本発明では、画像表示領
域に形成された感光性樹脂を利用して高低差の緩和を行
っているため、基板間距離の面内方向におけるばらつき
が極めて小さい。従って、液晶などといった電気光学物
質の層厚が面内方向でばらつかないので、表示ムラや色
ずれが発生せず、品位の高い表示を行うことができる。
ここで、感光性樹脂は、露光、現像によって任意に場所
に形成できるので、工程数を増やさなくても高低差の緩
和を行うことができる。また、画像表示領域とシール材
との間の領域の高低差を解消できるのであれば、第１の
基板上には画像表示領域とシール材との間の領域に駆動
回路形成領域を形成することができる。特に駆動回路形
成領域に高低差がある場合には、それを解消することを
目的にダミーの配線を設けるなどの対策をとることがで
きないが、画像表示領域に形成する感光性樹脂を利用す
るのであれば、駆動回路形成領域においても高低差を容
易に緩和することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置を対向基
板の側からみたときの平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。

【図３】図１に示す液晶装置において、マトリクス状に
配置された複数の画素に形成された各種素子、配線など
の等価回路図である。

【図４】図１に示す液晶装置において、ＴＦＴアレイ基
板に形成された各画素の構成を示す平面図である。

【図５】図１に示す液晶装置を図４のＡ−Ａ′線に相当
する位置での切断したときの断面図である。

【図６】図１に示す液晶装置の画像表示領域、駆動回路
形成領域、およびシール領域の断面図である。

【図７】本発明の実施の形態１の変形例に係る液晶装置
の画像表示領域、駆動回路形成領域、およびシール領域
の断面図である。

【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示す液晶装置のＴＦ
Ｔアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示す液晶装置のＴＦ
Ｔアレイ基板の製造方法において、図８に示す工程に続
いて行う各工程の工程断面図である。

【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１に示す液晶装置のＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法において、図９に示す工程に
続いて行う各工程の工程断面図である。

【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示す液晶装置のＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法において、図１０に示す工程
に続いて行う各工程の工程断面図である。

【図１２】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示す液晶装置のＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法において、図１１に示す工程
に続いて行う各工程の工程断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の画像
表示領域、駆動回路形成領域、およびシール領域の断面
図である。

【図１４】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の画像
表示領域、駆動回路形成領域、およびシール領域の断面
図である。

【図１５】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の画像
表示領域、駆動回路形成領域、およびシール領域の断面
図である。

【図１６】本発明に係る液晶装置を表示装置として用い
た電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１７】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示す説明図である。

【図１８】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【図１９】従来の液晶装置の画像表示領域、駆動回路形
成領域、およびシール領域の断面図である。

【図２０】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１９に示す液晶装置の
製造工程のうち、感光性樹脂層を形成する工程を示す工
程断面図である。

【符号の説明】

１ａ 半導体膜 １ａ′ チャネル形成用領域 １ｂ 低濃度ソース領域 １ｃ 低濃度ドレイン領域 １ｄ 高濃度ソース領域 １ｅ 高濃度ドレイン領域 ２ａ ゲート絶縁膜 ３ａ 走査線 ３ｂ 容量線 ４ 第１層間絶縁膜 ５ 第２層間絶縁膜 ６ａ データ線 ６ｂ ドレイン電極 ７ 上層膜を構成する第２の感光性樹脂 ７ａ 上層膜 ８ａ 光反射膜 ９ａ 画素電極 １０ ＴＦＴアレイ基板 １０ａ 画像表示領域 １１ 下地保護膜 １３ 凹凸形成層を構成する第１の感光性樹脂 １３ａ 凹凸形成層 ２０ 対向基板 ２１ 対向電極 ３０ 画素スイッチング用のＴＦＴ ３０′ 駆動回路用のＴＦＴ ５０ 液晶 ５３ 周辺見切り １００ 液晶装置（電気光学装置） １００ａ 画素 １１０ 駆動回路形成領域 １２０ 駆動回路形成領域の高所領域 １４０ 駆動回路形成領域の低所領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ５Ｇ４３５ ３４９ ３４９Ｄ ３４９Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ａ 29/786 Ｆターム(参考） 2H089 LA01 LA41 QA16 RA05 RA10 TA04 TA09 TA12 TA18 UA05 2H091 FA02Y FA11X FA11Z FA14Z FA41Z FA50X FB04 GA06 GA08 GA13 HA07 HA10 LA30 MA07 2H092 GA12 GA29 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 KA05 KB25 MA05 MA07 MA13 MA15 NA25 PA02 PA03 PA13 QA07 QA10 RA05 5C094 AA03 AA08 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB01 DB04 EA04 EA06 EA07 EB02 EC03 ED11 FB01 5F110 AA18 BB02 BB04 CC02 DD02 DD13 EE03 EE28 EE44 FF02 FF03 FF29 GG02 GG13 GG25 HJ01 HL03 HM14 HM15 NN03 NN04 NN14 NN23 NN24 NN35 NN72 NN73 PP03 QQ19 5G435 AA02 AA04 BB12 EE33 EE37 FF03 FF13 HH12 HH13 HH14

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素電極、および該画素電極に接続する
   画素スイッチング用素子がマトリクス状に配置された画
   像表示領域を備えた第１の基板と、該第１の基板に対し
   て所定の間隙を介してシール材で貼り合わされた第２の
   基板と、前記シール材で区画された間隙内に保持された
   電気光学物質と、前記シール材で区画された領域内で前
   記第１の基板と前記第２の基板との間に介在して当該基
   板間の間隙を制御するギャップ材とを有する電気光学装
   置において、 前記第１の基板上には、前記画像表示領域内に感光性樹
   脂層が形成され、 前記第１の基板上には、前記画像表示領域と前記シール
   材との間の領域に高さの異なる高所領域および低所領域
   が存在するとともに、 前記低所領域と前記高所領域との高低差は、前記画像表
   示領域と前記シール材との間の領域に形成された感光性
   樹脂層によって緩和されていることを特徴とする電気光
   学装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記第１の基板上に
   は前記画像表示領域と前記シール材との間の領域に、前
   記画素スイッチング用素子を駆動する駆動回路を備えた
   駆動回路形成領域が形成され、 該駆動回路形成領域では、前記駆動回路の有無によって
   前記高所領域と前記低所領域とが形成されていることを
   特徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記高所領
   域と前記低所領域との高低差は、前記高所領域と比較し
   て前記低所領域に前記感光性樹脂層が厚く形成されてい
   ることにより緩和されていることを特徴とする電気光学
   装置。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、前記画像表
   示領域では前記感光性樹脂層が多層に形成され、 前記高所領域と前記低所領域との高低差は、前記高所領
   域と比較して前記低所領域で前記感光性樹脂層の積層数
   が多いことにより緩和されていることを特徴とする電気
   光学装置。
5. 【請求項５】 請求項１または２において、前記高所領
   域と前記低所領域との高低差は、前記感光性樹脂層が前
   記低所領域に形成されているのに対して前記高所領域に
   形成されていないことにより緩和されていることを特徴
   とする電気光学装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記画像表示領域と前記シール材との間の領域では、前
   記感光性樹脂層が島状に形成されていることを特徴とす
   る電気光学装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかにおいて、
   前記第１の基板上の前記画像表示領域と前記シール材と
   の間の領域は、前記画像表示領域と略同一の高さになっ
   ていることを特徴とする電気光学装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかにおいて、
   前記第１の基板上の前記画像表示領域内には、当該基板
   の表面側に入射した光を反射するための光反射膜が形成
   され、 前記感光性樹脂層は、前記画像表示領域内で前記光反射
   膜の下層側に、当該光反射膜の表面に光散乱用の凹凸パ
   ターンを付与する凹凸形成層として形成されていること
   を特徴とする電気光学装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし７のいずれかにおいて、
   前記第１の基板上の前記画像表示領域内には、当該基板
   の表面側に入射した光を反射する光反射膜が形成され、 前記感光性樹脂層は、前記画像表示領域内で前記光反射
   膜の下層側に、当該光反射膜の表面に光散乱用の凹凸パ
   ターンを付与する凹凸形成層、および前記凹凸形成層の
   表面側を覆う上層膜として形成されていることを特徴と
   する電気光学装置。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかにおい
    て、前記画素スイッチング素子は、薄膜トランジスタで
    あり、前記駆動回路では、薄膜トランジスタによって相
    補回路が構成されていることを特徴とする電気光学装
    置。
11. 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれかにおい
    て、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする
    電気光学装置。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかに規定
    する電気光学装置を表示部として備えてなることを特徴
    とする電子機器。