JP2003007585A - Optical component and projection aligner - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、レンズ基板上に
多層膜よりなる光学薄膜を有する光学部品及びこの光学
部品を有する投影露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical component having an optical thin film composed of a multilayer film on a lens substrate and a projection exposure apparatus having this optical component.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、レンズ基板上に積層させる多層膜
よりなる光学薄膜の膜厚分布を高精度に均一にする装置
として、図9に示す光学薄膜成膜装置が存在する。この
光学薄膜成膜装置は、真空槽50中に複数個の蒸発源5
2,54を配置すると共に、各蒸発源から蒸発する蒸発
粒子の一部を遮蔽する遮蔽板56を配置して、レンズ基
板58,60上に成膜される膜厚分布を制御する。即
ち、この光学薄膜成膜装置においては、レンズ基板ホル
ダ62に装着されたレンズ基板58,60を公転及び自
転させると共に、各蒸発源から蒸発する蒸発粒子の量を
制御し、蒸発粒子を遮蔽板56に設けられた開口56
a,56bを介してレンズ基板58,60に到達させる
ことにより、レンズ基板58,60上に積層される光学
薄膜の膜厚が均一になるように制御している。2. Description of the Related Art Conventionally, there is an optical thin film forming apparatus shown in FIG. 9 as an apparatus for making the film thickness distribution of an optical thin film composed of a multilayer film laminated on a lens substrate with high accuracy. This optical thin film forming apparatus has a plurality of evaporation sources 5 in a vacuum chamber 50.
2 and 54 are arranged, and a shielding plate 56 that shields a part of the evaporation particles evaporated from each evaporation source is arranged to control the film thickness distribution formed on the lens substrates 58 and 60. That is, in this optical thin film forming apparatus, the lens substrates 58 and 60 mounted on the lens substrate holder 62 are revolved and rotated, and the amount of evaporated particles evaporated from each evaporation source is controlled to shield the evaporated particles. Opening 56 in 56
By reaching the lens substrates 58 and 60 via a and 56b, the film thickness of the optical thin film laminated on the lens substrates 58 and 60 is controlled to be uniform.
【0003】この図9に示す光学薄膜成膜装置において
は、2個の蒸発源52,54からの蒸発粒子の量を同量
にすることにより、例えば有効径235mm、曲率152.6mmの
レンズに対し、膜厚が均一な光学薄膜を形成することが
できる。この場合の2個の蒸発源52,54のレンズ基
板上の各位置での成膜への寄与率は、図10に示すよう
に、レンズ基板上の位置により異なっているが、2個の
蒸発源52,54に基づく膜厚の合計により膜厚のばら
つきを3%以下にすることができる。即ち略均一な膜厚
を有する光学薄膜を形成することができる。ここで寄与
率とは、各蒸発源により成膜された膜厚の割合をいう。
なお、図10においては、蒸発源52と蒸発源54から
の蒸発量を同一とした場合の、蒸発源52のレンズ基板
上の各位置での成膜への寄与率をRH1、蒸発源54の
レンズ基板上の各位置での成膜への寄与率をRH2で示
す。In the optical thin film forming apparatus shown in FIG. 9, by making the amount of evaporated particles from the two evaporation sources 52 and 54 equal, for example, for a lens having an effective diameter of 235 mm and a curvature of 152.6 mm. An optical thin film having a uniform film thickness can be formed. In this case, the rate of contribution of the two evaporation sources 52 and 54 to the film formation at each position on the lens substrate is different depending on the position on the lens substrate as shown in FIG. The total film thickness based on the sources 52 and 54 can reduce the film thickness variation to 3% or less. That is, an optical thin film having a substantially uniform film thickness can be formed. Here, the contribution ratio refers to the ratio of the film thickness formed by each evaporation source.
In FIG. 10, when the evaporation amounts from the evaporation source 52 and the evaporation source 54 are the same, the contribution rate of the evaporation source 52 to the film formation at each position on the lens substrate is RH1 and the evaporation source 54. The contribution rate to the film formation at each position on the lens substrate is indicated by RH2.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、レンズ基板
上の位置と光線の入射角度との関係を考えると、一般的
には、レンズ中心部への光線の入射角度とレンズ周辺部
への光線の入射角度が異なる。図11に示すように、レ
ンズ2上のA,B,Cから射出される光線は、所定の角
度の広がりをもっているため、レンズ1上のa(レンズ
基板上中心)にはレンズ2のA,Bから射出される光線
は入射するが、Cから射出される光線は入射しない。こ
のためレンズ1のaにおける光線の入射角度範囲は0°
〜θ1となる。一方、レンズ1上のb(レンズ基板上周
辺部)ではレンズ2のB,Cから射出される光線は入射
するが、レンズ2のAから射出される光線は入射しな
い。ここでレンズ1のbにおける光線の入射角度は、レ
ンズ1のbにおけるレンズ面の法線方向を基準として規
定されるため、レンズ1のbにおける光線の入射角度範
囲はθ3〜θ2となる。By the way, considering the relationship between the position on the lens substrate and the incident angle of the light beam, in general, the incident angle of the light beam to the center part of the lens and the incident angle of the light beam to the peripheral part of the lens are considered. Incident angle is different. As shown in FIG. 11, since the light rays emitted from A, B, and C on the lens 2 have a spread of a predetermined angle, A on the lens 1 (center on the lens substrate) is The ray emitted from B is incident, but the ray emitted from C is not incident. Therefore, the incident angle range of the light ray at a of the lens 1 is 0 °.
~ Θ1. On the other hand, at b on the lens 1 (peripheral portion on the lens substrate), the light rays emitted from B and C of the lens 2 are incident, but the light rays emitted from A of the lens 2 are not incident. Here, since the incident angle of the light beam on the b of the lens 1 is defined with reference to the normal direction of the lens surface of the b of the lens 1, the incident angle range of the light beam on the b of the lens 1 is θ3 to θ2.
【0005】従って、レンズ基板上の全ての位置におけ
る光学性能(ここでは反射防止性能)を一様にするため
には、レンズ基板上の位置により光学特性の異なる光学
薄膜を形成する必要がある。Therefore, in order to make the optical performance (here, antireflection performance) uniform at all positions on the lens substrate, it is necessary to form an optical thin film having different optical characteristics depending on the position on the lens substrate.
【0006】この発明の課題は、レンズ基板上の位置に
より光学特性の異なる光学薄膜を有する光学部品及びこ
の光学部品を有する投影露光装置を提供することであ
る。An object of the present invention is to provide an optical component having an optical thin film having different optical characteristics depending on the position on the lens substrate, and a projection exposure apparatus having this optical component.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の光学部品
は、レンズ基板上に多層膜よりなる光学薄膜を有する光
学部品において、前記光学薄膜を構成する各層は、前記
レンズ基板の中心からの距離に依存した同心円状の膜厚
分布を有し、前記各層を構成する少なくとも1つの層の
前記膜厚分布を他の層の前記膜厚分布と異ならせること
を特徴とする。An optical component according to claim 1 is an optical component having an optical thin film made of a multilayer film on a lens substrate, wherein each layer constituting the optical thin film is formed from a center of the lens substrate. It is characterized in that it has a concentric film thickness distribution depending on the distance, and that the film thickness distribution of at least one layer constituting each layer is different from the film thickness distribution of other layers.
【0008】この請求項1記載の光学部品によれば、光
学薄膜を構成する各層の中の少なくとも1つの層の膜厚
分布を他の層の膜厚分布と異ならせることにより、レン
ズ基板上の全ての位置における光学薄膜の光学特性を一
様なものとすることができる。According to the optical component of the present invention, the film thickness distribution of at least one layer among the layers forming the optical thin film is made different from the film thickness distribution of the other layers, so that the film thickness on the lens substrate is increased. The optical characteristics of the optical thin film at all positions can be made uniform.
【0009】また、請求項2記載の光学部品は、前記少
なくとも1つの層の前記レンズ基板の周辺部における膜
厚を、前記レンズ基板に対する光線の入射角度に応じて
他の層の膜厚に比較して厚くしたことを特徴とする。こ
の請求項2記載の光学部品によれば、レンズ基板上の全
ての位置における光学特性を、光線の入射角度を考慮し
た一様なものとすることができる。In the optical component according to a second aspect of the present invention, the film thickness of the at least one layer in the peripheral portion of the lens substrate is compared with the film thicknesses of other layers according to the incident angle of the light beam on the lens substrate. It is characterized by being thickened. According to the optical component of the second aspect, the optical characteristics at all positions on the lens substrate can be made uniform in consideration of the incident angle of the light ray.
【0010】また、請求項3記載の光学部品は、前記光
学薄膜を構成する各層がフッ化物薄膜により構成されて
いることを特徴とする。この請求項3記載の光学部品に
よれば、露光光として真空紫外線を用いる場合において
も、レンズ基板上の全ての位置間における光学特性を、
光線の入射角度を考慮した一様なものとすることができ
る。Further, the optical component according to a third aspect is characterized in that each layer forming the optical thin film is formed of a fluoride thin film. According to the optical component of the third aspect, even when vacuum ultraviolet rays are used as the exposure light, the optical characteristics between all positions on the lens substrate are:
It can be uniform considering the incident angle of the light beam.
【0011】また、請求項4記載の光学部品は、凸レン
ズ基板上に成膜された膜の厚さの分布が、レンズ基板の
光軸を中心にして同心円状である光学部品において、前
記多層に成膜された少なくとも1つの層内の中心部の膜
厚(a)と周辺部の膜厚(b)との比率(a/b)が1
未満であることを特徴とする。The optical component according to a fourth aspect is an optical component in which the thickness distribution of the film formed on the convex lens substrate is concentric with the optical axis of the lens substrate as the center, The ratio (a / b) of the thickness (a) of the central portion and the thickness (b) of the peripheral portion in at least one layer formed is 1
It is characterized by being less than.
【0012】また、請求項5記載の光学部品は、凹レン
ズ基板上に成膜された膜の厚さの分布が、レンズ基板の
光軸を中心にして同心円状である光学部品において、前
記多層に成膜された少なくとも1つの層内の中心部の膜
厚(a)と周辺部の膜厚(b)との比率(b/a)が1
未満であることを特徴とする。The optical component according to a fifth aspect is an optical component in which the thickness distribution of the film formed on the concave lens substrate is concentric with the optical axis of the lens substrate as the center. The ratio (b / a) of the film thickness (a) of the central portion and the film thickness (b) of the peripheral portion in at least one formed layer is 1
It is characterized by being less than.
【0013】また、請求項6記載の投影露光装置は、投
影光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露
光する投影露光装置であって、真空紫外線を露光光とし
てマスクを照明する照明光学系と、請求項3〜請求項5
の何れか一項に記載の光学部品を含み前記マスクのパタ
ーン像を基板上に形成する投影光学系とを備えることを
特徴とする。A projection exposure apparatus according to a sixth aspect is a projection exposure apparatus which projects and exposes a pattern image of a mask onto a substrate by using a projection optical system, and which illuminates the mask using vacuum ultraviolet rays as exposure light. An optical system and claims 3 to 5.
And a projection optical system that includes the optical component according to any one of items 1 to 5 and forms a pattern image of the mask on a substrate.
【0014】また、請求項7記載の投影露光装置は、投
影光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露
光する投影露光装置であって、請求項3〜請求項5の何
れか一項に記載の光学部品を含み真空紫外線を露光光と
してマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパタ
ーン像を基板上に形成する投影光学系とを備えることを
特徴とする。A projection exposure apparatus according to a seventh aspect is a projection exposure apparatus which projects and exposes a pattern image of a mask onto a substrate by using a projection optical system, and the projection exposure apparatus according to any one of the third to fifth aspects. And a projection optical system that forms a pattern image of the mask on a substrate.
【0015】この請求項6及び請求項7記載の投影露光
装置によれば、請求項3〜請求項5の何れか一項に記載
の光学部品を投影光学系又は照明光学系に含んでいるた
め、光源からの露光光としての真空紫外線を効率よく基
板上に導くことができる。According to the projection exposure apparatus of the sixth and seventh aspects, the projection optical system or the illumination optical system includes the optical component according to any one of the third to fifth aspects. The vacuum ultraviolet rays as the exposure light from the light source can be efficiently guided onto the substrate.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態にかかる光学部品について説明する。図1
は、この発明の実施の形態にかかるレンズの直径方向の
断面図である。このレンズは、レンズ中心を通る断面が
半円形状を有する石英基板よりなるレンズ基板2上に多
層膜よりなる光学薄膜4を有している。この光学薄膜4
は、レンズ基板2側より、一層目(MgF2)4a,二
層目(LaF3)4b,三層目(MgF2)4cの3層構
造により構成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An optical component according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 1
FIG. 4 is a diametrical sectional view of a lens according to an embodiment of the present invention. This lens has an optical thin film 4 made of a multilayer film on a lens substrate 2 made of a quartz substrate having a semicircular cross section passing through the center of the lens. This optical thin film 4
Has a three-layer structure including a first layer (MgF 2 ) 4a, a second layer (LaF 3 ) 4b, and a third layer (MgF 2 ) 4c from the lens substrate 2 side.
【0017】また、光学薄膜4を構成する各層(4a,
4b,4c)は、レンズ基板2の中心からの距離に依存
した同心円状の膜厚分布を有しいる。即ち、光学薄膜4
の一層目4a及び三層目4cは、レンズ基板2の中心部
の膜厚とレンズ基板2の周辺部の膜厚が同一になるよう
に形成されている。従って、一層目4a及び三層目4c
は、レンズ基板2の中心からの距離がどのような距離の
部分に対しても、即ちレンズ基板2の全体に対して同一
の膜厚で形成されている。Further, each layer (4a, 4a,
4b and 4c) have a concentric film thickness distribution depending on the distance from the center of the lens substrate 2. That is, the optical thin film 4
The first layer 4a and the third layer 4c are formed such that the film thickness of the central portion of the lens substrate 2 and the film thickness of the peripheral portion of the lens substrate 2 are the same. Therefore, the first layer 4a and the third layer 4c
Are formed with the same film thickness for any distance from the center of the lens substrate 2, that is, for the entire lens substrate 2.
【0018】また、光学薄膜4の二層目4bは、レンズ
基板2の中心部の膜厚に対してレンズ基板2の周辺部の
膜厚が2倍の膜厚になるように形成されている。従っ
て、二層目4bは、レンズ基板2の中心部からレンズ基
板2の周辺部に向かって、レンズ基板2の中心からの距
離に依存して、次第に膜厚が増すよう形成されている。
ここで、二層目4bのレンズ基板2の周辺部における膜
厚は、レンズ基板2に対する光線の入射角度に応じて、
一層目4a及び三層目4cの膜厚に比較して厚い膜厚で
形成されている。The second layer 4b of the optical thin film 4 is formed so that the film thickness at the peripheral portion of the lens substrate 2 is twice the film thickness at the central portion of the lens substrate 2. . Therefore, the second layer 4b is formed so that the film thickness gradually increases from the center portion of the lens substrate 2 toward the peripheral portion of the lens substrate 2 depending on the distance from the center of the lens substrate 2.
Here, the film thickness in the peripheral portion of the lens substrate 2 of the second layer 4b is determined according to the incident angle of the light ray on the lens substrate 2.
It is formed to have a larger film thickness than the film thicknesses of the first layer 4a and the third layer 4c.
【0019】この図1に示すレンズにおいては、凸レン
ズ基板上に成膜された膜の厚さの分布が、レンズ基板の
光軸を中心にして同心円状であり、多層に成膜された少
なくとも1つの層内の中心部の膜厚(a)と周辺部の膜
厚(b)との比率(a/b)が1未満となっている。な
お、凹レンズ基板上に多層膜を成膜する場合には、凹レ
ンズ基板上に成膜された膜の厚さの分布が、レンズ基板
の光軸を中心にして同心円状であり、多層に成膜された
少なくとも1つの層内の中心部の膜厚(a)と周辺部の
膜厚(b)との比率(b/a)を1未満とする。In the lens shown in FIG. 1, the thickness distribution of the film formed on the convex lens substrate is concentric with respect to the optical axis of the lens substrate, and at least one film is formed in multiple layers. The ratio (a / b) of the film thickness (a) at the central part and the film thickness (b) at the peripheral part in one layer is less than 1. When a multilayer film is formed on the concave lens substrate, the thickness distribution of the film formed on the concave lens substrate is concentric with the optical axis of the lens substrate as the center, and the multilayer film is formed. The ratio (b / a) of the film thickness (a) of the central portion and the film thickness (b) of the peripheral portion in the formed at least one layer is less than 1.
【0020】次に、この発明の実施の形態にかかる光学
部品を製造するための光学薄膜成膜装置について説明す
る。図2は、光学薄膜成膜装置10の概略構成を示す図
である。この光学薄膜成膜装置10は、密閉されて真空
排気可能な真空チャンバ12を有しており、この真空チ
ャンバ12内には自公転自在に基板ホルダ14が配置さ
れている。Next, an optical thin film forming apparatus for manufacturing an optical component according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the optical thin film deposition apparatus 10. The optical thin film forming apparatus 10 has a vacuum chamber 12 which is hermetically sealed and capable of being evacuated, and a substrate holder 14 is arranged in the vacuum chamber 12 so as to be rotatable and revolving.
【0021】図3に示すように、基板ホルダ14は基板
自転機構を備えて構成され、4つのレンズ基板2が保持
されている。基板ホルダ14の中心にある円形の穴14
aは膜厚モニタ用の穴であり、この穴14aに取付けら
れた水晶振動子により、レンズ基板2に成膜された膜厚
の変化を水晶振動子の振動数の変化として検出すること
ができる。As shown in FIG. 3, the substrate holder 14 has a substrate rotating mechanism and holds four lens substrates 2. Circular hole 14 in the center of substrate holder 14
Reference numeral a denotes a film thickness monitor hole, and a crystal oscillator attached to the hole 14a can detect a change in the film thickness formed on the lens substrate 2 as a change in the frequency of the crystal oscillator. .
【0022】真空チャンバ12内の底部には蒸発源16
が配設されており、この蒸発源16は、第一蒸発源16
a、第二蒸発源16b及び第三蒸発源16cから構成さ
れている。蒸発源16のうち基板ホルダ14の中心位
置、即ち、レンズ基板2の公転軸Ca上には第一蒸発源
16aが配置され、レンズ基板2の中心の軌道上、即ち
レンズ基板2の自転軸軌道Cb,Cc上には第二蒸発源
16b及び第三蒸発源16cが配置されている。即ち、
第二蒸発源16bと第三蒸発源16cとの位置関係は、
第一蒸発源16aを中心に点対称の関係にある。An evaporation source 16 is provided at the bottom of the vacuum chamber 12.
Is provided, and the evaporation source 16 is the first evaporation source 16
a, a second evaporation source 16b and a third evaporation source 16c. The first evaporation source 16a is arranged at the center position of the substrate holder 14 of the evaporation source 16, that is, on the revolution axis Ca of the lens substrate 2, and on the trajectory of the center of the lens substrate 2, that is, the rotation axis trajectory of the lens substrate 2. The second evaporation source 16b and the third evaporation source 16c are arranged on Cb and Cc. That is,
The positional relationship between the second evaporation source 16b and the third evaporation source 16c is
There is a point-symmetrical relationship with the first evaporation source 16a as the center.
【0023】蒸発源16と基板ホルダ14との間には、
蒸発源16からの蒸発流を制御するため絞り板18が配
置されている。絞り板18には、図4に示すように各蒸
発源16a,16b,16cに対応して円形の開口18
a,18b,18cが形成されている。第一蒸発源16
aに対応して形成された中央部の第一開口18aは、第
二蒸発源16b及び第三蒸発源16cに対応して形成さ
れた第二開口18b及び第三開口18cよりも小さい径
で形成されている。Between the evaporation source 16 and the substrate holder 14,
A diaphragm plate 18 is arranged to control the evaporation flow from the evaporation source 16. As shown in FIG. 4, the diaphragm plate 18 has circular openings 18 corresponding to the evaporation sources 16a, 16b, 16c.
a, 18b, 18c are formed. First evaporation source 16
The first opening 18a in the central portion formed corresponding to a is formed with a smaller diameter than the second opening 18b and the third opening 18c formed corresponding to the second evaporation source 16b and the third evaporation source 16c. Has been done.
【0024】従って、第一蒸発源16aから蒸発する蒸
発試料の蒸発流は、中心軸Caを中心に各々θaづつ上
方に向かって広がるように制限され、第二蒸発源16
b、第三蒸発源16cから蒸発する蒸発試料の蒸発流
は、中心軸Cb,Ccを中心にθaよりも大きい角度で
あるθb及びθcづつ上方に向かって広がるように制限
される。Therefore, the evaporation flow of the evaporation sample evaporated from the first evaporation source 16a is limited so as to spread upward by θa about the central axis Ca, and the second evaporation source 16a.
b, the evaporation flow of the evaporation sample evaporated from the third evaporation source 16c is limited so as to spread upward by θb and θc which are angles larger than θa about the central axes Cb and Cc.
【0025】これにより、各レンズ基板2に対してレン
ズ基板2の中央部への蒸発粒子の付着量をある程度制限
し、レンズ基板2の周辺部近傍への蒸発粒子の付着量に
ついては制限を小さくしいる。As a result, the amount of vaporized particles attached to the central portion of the lens substrate 2 is limited to some extent for each lens substrate 2, and the amount of vaporized particles attached to the vicinity of the peripheral portion of the lens substrate 2 is limited. I am.
【0026】各蒸発源16a〜16cは、その平面形状
を図5に示すように、蒸発試料を保持する試料保持部材
17と、この試料保持部材17内に保持されている蒸発
試料を加熱蒸発させるための電子銃20とから構成され
ている。なお、各蒸発源16a〜16cはいずれも同一
構成であるため、図5には1個の蒸発源16のみを表し
ている。Each of the evaporation sources 16a to 16c, as shown in FIG. 5 in plan view, heats and evaporates the sample holding member 17 for holding the evaporation sample and the evaporation sample held in the sample holding member 17. And an electron gun 20 for Since each of the evaporation sources 16a to 16c has the same configuration, only one evaporation source 16 is shown in FIG.
【0027】試料保持部材17は、複数種類の蒸発試料
を保持することができるように複数の保持室(図5に示
す試料保持部材17においては、3つの保持室、即ちM
gF 2を保持する保持室17a,LaF3を保持する保持
室17b,MgF2を保持する保持室17c)に分かれ
て形成されている。試料保持部材17は、中心位置Pを
中心として回転自在(図5においては右回転)に構成さ
れている。そして、電子銃20は、試料保持部材17の
中心位置Pに対して偏心した位置Oを加熱するように配
設されている。このため、一箇所の保持室(例えば17
a)内の蒸発試料を加熱蒸発させているときは、他の保
持室(17b,17c)内の蒸発試料は加熱蒸発されな
い。The sample holding member 17 is composed of a plurality of kinds of evaporated samples.
To hold a plurality of holding chambers (shown in FIG. 5).
In the sample holding member 17, three holding chambers, that is, M
gF 2Holding chamber 17a, LaF for holding3Hold hold
Chamber 17b, MgF2Divided into a holding chamber 17c)
Is formed. The sample holding member 17 has a center position P.
It is configured to rotate freely (right rotation in Fig. 5) as the center.
Has been. Then, the electron gun 20 is mounted on the sample holding member 17.
Arranged to heat the position O, which is eccentric to the center position P.
It is set up. For this reason, one holding chamber (for example, 17
When the evaporation sample in a) is being heated and evaporated, another
The evaporation sample in the holding chamber (17b, 17c) should not be heated and evaporated.
Yes.
【0028】このように構成された光学薄膜成膜装置1
0においては、まず、各蒸発源16a〜16cの第一保
持室17aに保持された第一蒸発試料を電子銃20よっ
て加熱蒸発させる。この場合に各蒸発源16a〜16c
からの蒸発量が同一になるように各蒸発源の16a〜1
6cからの蒸発時間を制御することにより、レンズ基板
2の全体に対して均一な膜厚を有する一層目4aの薄膜
が蒸着される。Optical thin film deposition apparatus 1 having the above structure
At 0, first, the first evaporation sample held in the first holding chamber 17a of each evaporation source 16a to 16c is heated and evaporated by the electron gun 20. In this case, the evaporation sources 16a to 16c
16a-1 of each evaporation source so that the amount of evaporation from
By controlling the evaporation time from 6c, a thin film of the first layer 4a having a uniform film thickness is deposited on the entire lens substrate 2.
【0029】このように一層目4aの薄膜の蒸着を行っ
た後に、各蒸発源16a〜16cの試料保持部材17
を、試料保持部材17の中心位置Pを中心として120
°右方向に回動させ、第二保持室17bに保持された第
二蒸発試料を電子銃20によって加熱蒸発させる。この
場合に蒸発源16aからの蒸発量を蒸発源16b,16
cからの蒸発量に対して多くなるように、各蒸発源16
a〜16cからの蒸発時間を制御することにより、レン
ズ基板2中心部よりもレンズ基板2の周辺部における膜
厚が厚い、二層目4bの薄膜が蒸着される。After depositing the thin film of the first layer 4a in this manner, the sample holding member 17 of each evaporation source 16a to 16c is formed.
With the center position P of the sample holding member 17 as the center.
Rotate rightward, and the second evaporation sample held in the second holding chamber 17b is heated and evaporated by the electron gun 20. In this case, the amount of evaporation from the evaporation source 16a is determined by the evaporation sources 16b, 16
Each evaporation source 16 so that the amount of evaporation from c increases.
By controlling the evaporation time from a to 16c, the thin film of the second layer 4b, which is thicker in the peripheral portion of the lens substrate 2 than in the central portion of the lens substrate 2, is deposited.
【0030】更に、二層目の薄膜の蒸着を行った後に、
各蒸発源16a〜16c試料保持部材17を、試料保持
部材17の中心位置Pを中心として120°右方向に回
動させ、第三保持室17cに保持された第三蒸発試料を
電子銃20によって加熱蒸発させる。この場合に各蒸発
源16a〜16cからの蒸発量が同一になるように各蒸
発源16a〜16cからの蒸発時間を制御することによ
り、レンズ基板2の全体に対して均一な膜厚を有する三
層目4cの薄膜が蒸着される。このようにして、図1に
示す、多層膜よりなる光学薄膜4を有する光学部品(レ
ンズ)が製造される。Further, after vapor deposition of the second thin film,
Each of the evaporation sources 16a to 16c is rotated rightward by 120 ° about the center position P of the sample holding member 17, and the third evaporation sample held in the third holding chamber 17c is moved by the electron gun 20. Heat and evaporate. In this case, the evaporation time from each evaporation source 16a to 16c is controlled so that the evaporation amount from each evaporation source 16a to 16c becomes the same, so that the lens substrate 2 has a uniform film thickness. The thin film of the layer 4c is deposited. In this way, the optical component (lens) having the optical thin film 4 of the multilayer film shown in FIG. 1 is manufactured.
【0031】この実施の形態にかかる光学薄膜成膜装置
においては、各蒸発源16a〜16cからの蒸発量を制
御することにより、レンズ基板2の中心からの距離に依
存した同心円状の膜厚分布を有する光学薄膜4を容易に
成膜することができる。また、各蒸発源16a〜16c
からの蒸発時間を制御することにより、光学薄膜4の各
層を構成する薄膜の膜厚分布を容易に異ならせることが
できる。即ち、光学薄膜4を構成する各層の中の一層の
みのレンズ基板2の周辺部における膜厚を、レンズ基板
2の周辺部における光線の入射角度に対応させて他の層
の膜厚よりも容易に厚くすることができる。In the optical thin film forming apparatus according to this embodiment, the concentric film thickness distribution depending on the distance from the center of the lens substrate 2 is controlled by controlling the evaporation amount from each evaporation source 16a to 16c. It is possible to easily form the optical thin film 4 having Further, each evaporation source 16a to 16c
By controlling the evaporation time from, the film thickness distribution of the thin films forming each layer of the optical thin film 4 can be easily made different. That is, the film thickness at the peripheral portion of the lens substrate 2 of only one of the layers forming the optical thin film 4 is made easier than the film thickness of other layers by making the incident angle of the light ray at the peripheral portion of the lens substrate 2 correspond. Can be thickened.
【0032】このようにして製造された光学部品は、レ
ンズ基板上の全ての位置において、光線の入射角度を考
慮した一様な反射防止効果等の光学特性を有する。ま
た、光学薄膜を構成する各層がフッ化物薄膜により構成
されているため、露光光として真空紫外線を用いる場合
においても、レンズ基板上の全ての位置における光学特
性を一様なものとすることができる。この結果、光学設
計通りの光学薄膜を有する光学部品を製造することがで
き、光学装置の光学性能を設計値通りに実現できる。The optical component manufactured in this manner has optical characteristics such as a uniform antireflection effect in consideration of the incident angle of a light ray at all positions on the lens substrate. Moreover, since each layer forming the optical thin film is formed of a fluoride thin film, even when vacuum ultraviolet rays are used as the exposure light, the optical characteristics can be made uniform at all positions on the lens substrate. . As a result, it is possible to manufacture an optical component having an optical thin film according to the optical design, and it is possible to realize the optical performance of the optical device as designed.
【0033】なお、上述の実施の形態においては、光学
薄膜が三層の薄膜により構成され、各薄膜がフッ化物材
料(2物質)により形成されているが、これに限定される
ものではなく、更に多くの膜材料を用いると共に、更に
多くの層により、レンズ基板上の全ての位置において光
学特性が一様な光学薄膜を形成してもよい。In the above embodiment, the optical thin film is composed of three layers of thin films, and each thin film is formed of the fluoride material (2 substances), but the invention is not limited to this. More film materials may be used and more layers may be used to form an optical thin film with uniform optical properties at all locations on the lens substrate.
【0034】次に、この発明の実施の形態にかかる露光
装置の一例を説明する。図6は、上述の光学薄膜成膜装
置で得られたフッ化物薄膜を有する光学部品(光学素
子)を用いた露光装置の基本構造であり、フォトレジス
トでコートされたウエハ上にレチクルのパターンのイメ
ージを投影するための、ステッパと呼ばれるような投影
露光装置に特に応用される。Next, an example of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 shows a basic structure of an exposure apparatus using an optical component (optical element) having a fluoride thin film obtained by the above-described optical thin film deposition apparatus, which shows a reticle pattern on a wafer coated with photoresist. It has particular application to projection exposure apparatus, such as steppers, for projecting images.
【0035】図6に示すように、この露光装置は少なく
とも、感光剤を塗布した基板Wを表面301aに置くこ
とのできるウェハーステージ301,露光光として用意
された波長の真空紫外光を照射し、用意されたマスクの
パターン(レチクルR)を基板W上に転写するための照
明光学系101,照明光学系101に露光光を供給する
ための光源100,基板W上にマスクRのパターンのイ
メージを投影するためのマスクRが配された最初の表面
P1(物体面)と基板Wの表面と一致させた二番目の表
面(像面)との間に置かれた投影光学系500を含む。As shown in FIG. 6, this exposure apparatus irradiates at least a wafer stage 301 on which a substrate W coated with a photosensitizer can be placed on the surface 301a, and vacuum ultraviolet light having a wavelength prepared as exposure light. An illumination optical system 101 for transferring the prepared mask pattern (reticle R) onto the substrate W, a light source 100 for supplying exposure light to the illumination optical system 101, and an image of the pattern of the mask R on the substrate W It includes a projection optical system 500 placed between a first surface P1 (object plane) on which a mask R for projection is arranged and a second surface (image plane) matched with the surface of the substrate W.
【0036】照明光学系101は、マスクRとウエハW
との間の相対位置を調節するための、アライメント光学
系110も含んでおり、マスクRはウエハステージ30
1の表面に対して平行に動くことのできるレチクルステ
ージ201に配置される。レチクル交換系200は、レ
チクルステージ201にセットされたレチクル(マスク
R)を交換し運搬する。レチクル交換系200はウエハ
ステージ301の表面301aに対してレチクルステー
ジ201を平行に動かすためのステージドライバを含ん
でいる。投影光学系500は、スキャンタイプの露光装
置に応用されるアライメント光学系を持っている。な
お、光源100、レチクル交換系200、ステージ制御
系300は、主制御部400により制御されている。The illumination optical system 101 includes a mask R and a wafer W.
It also includes an alignment optical system 110 for adjusting the relative position between the mask R and the wafer R.
It is arranged on a reticle stage 201 which can move parallel to the surface of the first unit. The reticle exchange system 200 exchanges and carries the reticle (mask R) set on the reticle stage 201. The reticle exchange system 200 includes a stage driver for moving the reticle stage 201 in parallel with the surface 301a of the wafer stage 301. The projection optical system 500 has an alignment optical system applied to a scan type exposure apparatus. The light source 100, the reticle exchange system 200, and the stage control system 300 are controlled by the main controller 400.
【0037】そして、この露光装置は、上述の光学薄膜
成膜装置で成膜されたフッ化物薄膜を含む光学部品(光
学素子)を使用したものである。具体的には、図6に示
す露光装置は、照明光学系101の光学レンズ90およ
び/または投影光学系500の光学レンズ92として本
発明にかかる光学部品(光学レンズ)を備えることが可能
である。This exposure apparatus uses an optical component (optical element) including the fluoride thin film formed by the above-mentioned optical thin film forming apparatus. Specifically, the exposure apparatus shown in FIG. 6 can include an optical component (optical lens) according to the present invention as the optical lens 90 of the illumination optical system 101 and / or the optical lens 92 of the projection optical system 500. .
【0038】この露光装置においては、レンズ基板上の
全ての位置において反射防止効果等の光学特性が一様で
ある光学部品を投影光学系500又は照明光学系101
に含んでいるため、光源100からの露光光としての真
空紫外線を効率よく基板W上に導くことができる。In this exposure apparatus, the projection optical system 500 or the illumination optical system 101 is provided with an optical component having uniform optical characteristics such as antireflection effect at all positions on the lens substrate.
Therefore, the vacuum ultraviolet rays as the exposure light from the light source 100 can be efficiently guided onto the substrate W.
【0039】[0039]
【実施例】この発明の実施例を以下に示す。この実施例
では主波長が193.4nmである光学系に用いられる光学部
品であるレンズついて説明する。このレンズは、レンズ
基板材料として石英を用い、基板側よりMgF2、La
F3、MgF2の3層構造を有する。レンズ形状は有効
径:235mm、曲率半径:152.3mmとする。EXAMPLES Examples of the present invention are shown below. In this embodiment, a lens which is an optical component used in an optical system having a main wavelength of 193.4 nm will be described. This lens uses quartz as the lens substrate material, and MgF 2 , La is added from the substrate side.
It has a three-layer structure of F 3 and MgF 2 . The lens shape has an effective diameter of 235 mm and a radius of curvature of 152.3 mm.
【0040】このレンズをある光学系に用いると、レン
ズ中心部aへの光線の入射角度が0〜25°の範囲である
のに対し、レンズ周辺部bでは光線の入射角度が20°〜
40°となった。これらの入射角度範囲の光線に対して反
射防止の効果(反射率0.3%以下)を有するためには3層
の膜厚構成を表1に示すようにする必要がある。表1は
レンズ中心部のa及びレンズ周辺部のbにおける、それ
ぞれの反射防止膜の膜厚構成を示している。このときの
反射率角度特性、即ちレンズ中心部aとレンズ周辺部b
における光線に対する光学薄膜の反射率角度特性を図7
に示す。When this lens is used in an optical system, the angle of incidence of the light ray on the central portion a of the lens is in the range of 0 to 25 °, whereas the incident angle of the light ray on the peripheral portion b of the lens is 20 ° to 20 °.
It became 40 °. In order to have an effect of preventing reflection (reflectance of 0.3% or less) with respect to light rays in these incident angle ranges, it is necessary to set the film thickness constitution of three layers as shown in Table 1. Table 1 shows the film thickness constitutions of the respective antireflection films in a at the center of the lens and b at the peripheral of the lens. At this time, the reflectance angle characteristic, that is, the lens central portion a and the lens peripheral portion b
FIG. 7 shows the reflectance angle characteristics of the optical thin film with respect to the light rays in FIG.
Shown in.
【0041】[0041]
【表1】 [Table 1]
【0042】レンズ基板上の各位置において、表1に示
すような膜構成を実現させるために、図2に示す光学薄
膜成膜装置10を用いる。表1に示すように一層目、三
層目のMgF2の膜厚はレンズ中心部、周辺部共に同じ
膜厚であるため蒸発源16a〜16cの蒸発量は同量に
する。第二層目のLaF3の膜厚は、レンズ中心部に対
してレンズ周辺部の膜厚が約1.1倍となっている。こ
の膜厚差を実現するために蒸発源16b,16cからの
蒸発量を蒸発源16aからの蒸発量の1.45倍にす
る。これにより、図8に示すように、レンズ周辺部の膜
厚をレンズ中心部の膜厚の1.1倍にすることができ
る。なお、図8においては、蒸発源16aのレンズ基板
上の各位置での成膜への寄与率をRH1、蒸発源16
b,16cのレンズ基板上の各位置での成膜への寄与率
をRH2で示す。At each position on the lens substrate, the optical thin film forming apparatus 10 shown in FIG. 2 is used in order to realize the film structure shown in Table 1. As shown in Table 1, the film thicknesses of the first and third layers of MgF 2 are the same in both the central part and the peripheral part of the lens, so the evaporation amounts of the evaporation sources 16a to 16c are the same. Regarding the film thickness of LaF 3 of the second layer, the film thickness in the lens peripheral portion is about 1.1 times that in the lens central portion. In order to realize this film thickness difference, the evaporation amount from the evaporation sources 16b and 16c is set to 1.45 times the evaporation amount from the evaporation source 16a. As a result, as shown in FIG. 8, the film thickness in the lens peripheral portion can be made 1.1 times the film thickness in the lens central portion. In FIG. 8, the contribution rate of the evaporation source 16a to the film formation at each position on the lens substrate is RH1, and the evaporation source 16 is
The contribution rate of b and 16c to the film formation at each position on the lens substrate is indicated by RH2.
【0043】このレンズにおいては、レンズ中心部では
入射角度が0〜35°の範囲の光線に対する反射率が0.3%
以下の特性となり、レンズ周辺部では入射角度が10〜40
°の範囲の光線に対する反射率が0.3%以下となる。こ
こでレンズ1上の点a,b(図11参照)における設計
光学特性と本実施例及び従来技術における光学薄膜の光
学性能を表2にまとめて示す。In this lens, the reflectance at the center of the lens is 0.3% with respect to a light ray having an incident angle in the range of 0 to 35 °.
The characteristics are as follows, and the incident angle is 10 to 40 at the periphery of the lens.
The reflectance for light rays in the range of ° is 0.3% or less. Table 2 shows the design optical characteristics at the points a and b (see FIG. 11) on the lens 1 and the optical performances of the optical thin films in the present embodiment and the prior art.
【0044】[0044]
【表2】 [Table 2]
【0045】図2に示す光学薄膜成膜装置を用いること
により、第一層から第三層までを連続的に成膜すること
ができ、層ごとに膜厚分布を制御することによりレンズ
基板上の位置の全てにおいて所望の光学特性を実現する
ことができる。By using the optical thin film forming apparatus shown in FIG. 2, the first to third layers can be continuously formed, and by controlling the film thickness distribution for each layer, the lens substrate can be formed. It is possible to realize desired optical characteristics at all the positions.
【0046】なお、レンズ中心aとレンズ周辺b(aか
らの水平距離117.5mm)との間の位置における光線の入射
角度はaの角度範囲からbの角度範囲へ、aからbに近
づくに従い徐々にシフトしていく。また本実施例に示す
ように膜厚変化も徐々に生じる。この結果、レンズ基板
上の何れの位置においても光線の入射角度に対して反射
防止効果を有する薄膜が形成できる。The incident angle of the light ray at the position between the lens center a and the lens periphery b (horizontal distance 117.5 mm from a) gradually changes from the angular range of a to the angular range of b, and gradually approaches from a to b. Shift to. Further, as shown in this embodiment, the film thickness gradually changes. As a result, at any position on the lens substrate, a thin film having an antireflection effect with respect to the incident angle of the light beam can be formed.
【0047】この実施例で説明したレンズは、レンズ基
板上の位置により異なる光線の入射角度を考慮した光学
薄膜を有しているため、光学薄膜が設計通りの性能を有
するものとなり、光学装置の光学性能を設計値通りに実
現できる。Since the lens described in this embodiment has the optical thin film in consideration of the incident angle of the light beam which differs depending on the position on the lens substrate, the optical thin film has the performance as designed, and the optical device Optical performance can be achieved as designed.
【0048】[0048]
【発明の効果】この発明の光学部品によれば、光学薄膜
を構成する各層の中の少なくとも1つの層の膜厚分布を
他の層の膜厚分布と異ならせることにより、レンズ基板
上の全ての位置における光学薄膜の光学特性を一様なも
のとすることができる。また、光線の入射角度が異なる
レンズ基板上の全ての位置における光学特性を、光線の
入射角度を考慮した一様なものとすることができる。更
に、露光光として真空紫外線を用いる場合においても、
レンズ基板上の全ての位置における光学特性を、光線の
入射角度を考慮した一様なものとすることができる。According to the optical component of the present invention, by making the film thickness distribution of at least one layer among the layers constituting the optical thin film different from the film thickness distribution of the other layers, all of the layers on the lens substrate can be obtained. The optical characteristics of the optical thin film at the position of can be made uniform. Further, the optical characteristics at all positions on the lens substrate where the incident angles of the light rays are different can be made uniform in consideration of the incident angles of the light rays. Furthermore, even when using vacuum ultraviolet rays as the exposure light,
The optical characteristics at all positions on the lens substrate can be made uniform in consideration of the incident angle of light rays.
【0049】また、この発明の投影露光装置によれば、
この発明の光学部品を投影光学系又は照明光学系に含ん
でいるため、光源からの露光光としての真空紫外線を効
率よく基板上に導くことができる。According to the projection exposure apparatus of the present invention,
Since the optical component of the present invention is included in the projection optical system or the illumination optical system, vacuum ultraviolet rays as the exposure light from the light source can be efficiently guided onto the substrate.
【図1】この発明の実施の形態にかかる光学部品を説明
するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an optical component according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施の形態にかかる光学部品を製造
するための光学薄膜成膜装置の概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an optical thin film deposition apparatus for manufacturing an optical component according to an embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施の形態にかかる光学薄膜成膜装
置の基板ホルダの構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a substrate holder of the optical thin film forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図4】この発明の実施の形態にかかる光学薄膜成膜装
置の絞り板の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a diaphragm plate of an optical thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図5】この発明の実施の形態にかかる光学薄膜成膜装
置の蒸発源の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of an evaporation source of the optical thin film forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図6】この発明の実施の形態にかかる露光装置の基本
構成図である。FIG. 6 is a basic configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図7】この発明の実施例にかかる光学部品のレンズの
中心と周辺における反射率角度特性を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing reflectance angle characteristics at the center and the periphery of the lens of the optical component according to the example of the present invention.
【図8】この発明の実施例にかかる光学部品の膜厚分布
を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a film thickness distribution of an optical component according to an example of the present invention.
【図9】従来の光学薄膜成膜装置の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a conventional optical thin film deposition apparatus.
【図10】従来の光学部品の膜厚分布を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a film thickness distribution of a conventional optical component.
【図11】レンズの位置と光線の入射角度を説明するた
めの図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a position of a lens and an incident angle of a light ray.
2…レンズ基板、4…光学薄膜、10…光学薄膜成膜装
置、12…真空チャンバ、14…基板ホルダ、16…蒸
発源、18…絞り板、90,92…光学レンズ、100
…光源、101…照明光学系、500…投影光学系、R
…マスク、W…基板。2 ... Lens substrate, 4 ... Optical thin film, 10 ... Optical thin film deposition apparatus, 12 ... Vacuum chamber, 14 ... Substrate holder, 16 ... Evaporation source, 18 ... Aperture plate, 90, 92 ... Optical lens, 100
... light source, 101 ... illumination optical system, 500 ... projection optical system, R
… Mask, W… Substrate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H048 GA07 GA11 GA33 GA51 GA60 GA61 2K009 AA01 AA06 BB02 CC06 DD03 DD09 5F046 BA04 BA05 CA04 CB12 CB23 CB25 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 2H048 GA07 GA11 GA33 GA51 GA60 GA61 2K009 AA01 AA06 BB02 CC06 DD03 DD09 5F046 BA04 BA05 CA04 CB12 CB23 CB25
Claims (7)
を有する光学部品において、 前記光学薄膜を構成する各層は、前記レンズ基板の中心
からの距離に依存した同心円状の膜厚分布を有し、前記
各層を構成する少なくとも1つの層の前記膜厚分布を他
の層の前記膜厚分布と異ならせることを特徴とする光学
部品。1. An optical component having an optical thin film made of a multilayer film on a lens substrate, wherein each layer forming the optical thin film has a concentric film thickness distribution depending on a distance from the center of the lens substrate. An optical component, wherein the film thickness distribution of at least one layer constituting each of the layers is different from the film thickness distribution of other layers.
板の周辺部における膜厚を、前記レンズ基板に対する光
線の入射角度に応じて他の層の膜厚に比較して厚くした
ことを特徴とする請求項1記載の光学部品。2. The film thickness of the at least one layer in the peripheral portion of the lens substrate is made thicker than the film thicknesses of other layers in accordance with the incident angle of the light beam to the lens substrate. The optical component according to claim 1.
物薄膜により構成されていることを特徴とする請求項1
又は請求項2に記載の光学部品。3. The respective layers forming the optical thin film are formed of a fluoride thin film.
Alternatively, the optical component according to claim 2.
分布が、レンズ基板の光軸を中心にして同心円状である
光学部品において、 前記多層に成膜された少なくとも1つの層内の中心部の
膜厚(a)と周辺部の膜厚(b)との比率(a/b)が
1未満であることを特徴とする光学部品。4. An optical component in which the thickness distribution of a film formed on a convex lens substrate is concentric with the optical axis of the lens substrate as a center, and in at least one layer formed in the multiple layers. The optical component, wherein the ratio (a / b) of the film thickness (a) in the central part to the film thickness (b) in the peripheral part is less than 1.
分布が、レンズ基板の光軸を中心にして同心円状である
光学部品において、 前記多層に成膜された少なくとも1つの層内の中心部の
膜厚(a)と周辺部の膜厚(b)との比率(b/a)が
1未満であることを特徴とする光学部品。5. An optical component in which the thickness distribution of a film formed on a concave lens substrate is concentric with the optical axis of the lens substrate as a center, and in at least one layer formed in the multiple layers. The optical component, wherein the ratio (b / a) of the film thickness (a) in the central part to the film thickness (b) in the peripheral part is less than 1.
を基板上に投影露光する投影露光装置であって、 真空紫外線を露光光としてマスクを照明する照明光学系
と、 請求項3〜請求項5の何れか一項に記載の光学部品を含
み前記マスクのパターン像を基板上に形成する投影光学
系と、を備えることを特徴とする投影露光装置。6. A projection exposure apparatus for projecting a pattern image of a mask onto a substrate using a projection optical system, the illumination optical system illuminating the mask using vacuum ultraviolet rays as exposure light. 6. A projection exposure system including the optical component according to any one of 5 to form a pattern image of the mask on a substrate.
を基板上に投影露光する投影露光装置であって、 請求項3〜請求項5の何れか一項に記載の光学部品を含
み真空紫外線を露光光としてマスクを照明する照明光学
系と、 前記マスクのパターン像を基板上に形成する投影光学系
と、を備えることを特徴とする投影露光装置。7. A projection exposure apparatus for projecting a pattern image of a mask onto a substrate using a projection optical system, the vacuum exposure apparatus including the optical component according to any one of claims 3 to 5. A projection exposure apparatus comprising: an illumination optical system for illuminating a mask with the exposure light as an exposure light; and a projection optical system for forming a pattern image of the mask on a substrate.
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