JP2003001560A - 基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置 - Google Patents
基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置Info
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＭＰ装置を小型化して占有面積を縮小し、
工場等に設置する際に場所の制約を受けないようにす
る。 【解決手段】 基板１とプラテン２に貼られた研磨布４
とを密着させ、基板１とプラテン２とを共に回転させて
基板１の表面を研磨する基板研磨装置であって、基板１
上にプラテン２を配置し、プラテン２を基板１に対して
水平方向に移動させる移動ガイドとを備える。プラテン
２を基板１に対して相対移動させることにより、装置の
大きさを基板１の大きさと同程度の大きさとすることが
できる。
工場等に設置する際に場所の制約を受けないようにす
る。 【解決手段】 基板１とプラテン２に貼られた研磨布４
とを密着させ、基板１とプラテン２とを共に回転させて
基板１の表面を研磨する基板研磨装置であって、基板１
上にプラテン２を配置し、プラテン２を基板１に対して
水平方向に移動させる移動ガイドとを備える。プラテン
２を基板１に対して相対移動させることにより、装置の
大きさを基板１の大きさと同程度の大きさとすることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板研磨装置及び
基板研磨方法に関し、特に直径３００ｍｍのシリコンウ
エハ等の半導体基板の研磨に適用して好適である。
基板研磨方法に関し、特に直径３００ｍｍのシリコンウ
エハ等の半導体基板の研磨に適用して好適である。
【０００２】
【従来の技術】近時における半導体装置においては、半
導体基板上に積層した層間絶縁膜等の膜の平坦性を向上
させるため、ＣＭＰ（化学機械研磨）法による平坦化技
術が一般的となっている。
導体基板上に積層した層間絶縁膜等の膜の平坦性を向上
させるため、ＣＭＰ（化学機械研磨）法による平坦化技
術が一般的となっている。
【０００３】図９は、従来のＣＭＰ装置の構成を示す模
式図である。図９に示すように従来のＣＭＰ装置におい
ては、研磨布１０４が貼られたプラテン１０２上に、研
磨対象であるシリコン等のウエハ１０１が装着されたキ
ャリアヘッド１０３が配置される。キャリアヘッド１０
３には下向きの力（Down Force）が与えられ、これによ
りウエハ１０１の表面と研磨布１０４とが密着される。
そして、スラリー供給口１０８からスラリー１０５を研
磨布１０４上に供給し、キャリアヘッド１０３、プラテ
ン１０２の双方を回転させることによってウエハ１０１
表面の研磨が行われる。
式図である。図９に示すように従来のＣＭＰ装置におい
ては、研磨布１０４が貼られたプラテン１０２上に、研
磨対象であるシリコン等のウエハ１０１が装着されたキ
ャリアヘッド１０３が配置される。キャリアヘッド１０
３には下向きの力（Down Force）が与えられ、これによ
りウエハ１０１の表面と研磨布１０４とが密着される。
そして、スラリー供給口１０８からスラリー１０５を研
磨布１０４上に供給し、キャリアヘッド１０３、プラテ
ン１０２の双方を回転させることによってウエハ１０１
表面の研磨が行われる。
【０００４】ウエハ１０１はバッキングフィルム１０６
を介してキャリアヘッド１０３に取り付けられている。
バッキングフィルム１０６はウエハ１０１を保持すると
ともに、キャリアヘッド１０３とウエハ１０１の間で振
動を吸収するためのクッションとしての役割を果たして
いる。また、キャリアへッド１０３の周縁部にはウエハ
１０１を囲むようにリテイニングリング１０７が取り付
けられている。リテイニングリング１０７は、研磨中に
ウエハ１０１が外へ飛び出すことを防止するとともに、
ウエハ１０１の端における研磨プロファイルを制御する
役割を果たしている。
を介してキャリアヘッド１０３に取り付けられている。
バッキングフィルム１０６はウエハ１０１を保持すると
ともに、キャリアヘッド１０３とウエハ１０１の間で振
動を吸収するためのクッションとしての役割を果たして
いる。また、キャリアへッド１０３の周縁部にはウエハ
１０１を囲むようにリテイニングリング１０７が取り付
けられている。リテイニングリング１０７は、研磨中に
ウエハ１０１が外へ飛び出すことを防止するとともに、
ウエハ１０１の端における研磨プロファイルを制御する
役割を果たしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＣＭＰ装置では、ウエハ１０１の面積に比べて
プラテン１０２上面の面積を非常に大きくする必要があ
り、結果としてＣＭＰ装置の占有面積が非常に大きくな
ってしまうという問題が生じていた。
た従来のＣＭＰ装置では、ウエハ１０１の面積に比べて
プラテン１０２上面の面積を非常に大きくする必要があ
り、結果としてＣＭＰ装置の占有面積が非常に大きくな
ってしまうという問題が生じていた。
【０００６】特に、直径３００ｍｍのシリコン等のウエ
ハ１０１に対応したＣＭＰ装置では、プラテン１０２の
直径が７４０ｍｍ〜７８０ｍｍ程度となってしまい、直
径２００ｍｍウエハに対応したＣＭＰ装置よりも更に占
有面積が拡大するという問題が生じていた。
ハ１０１に対応したＣＭＰ装置では、プラテン１０２の
直径が７４０ｍｍ〜７８０ｍｍ程度となってしまい、直
径２００ｍｍウエハに対応したＣＭＰ装置よりも更に占
有面積が拡大するという問題が生じていた。
【０００７】また、ＣＭＰ装置による研磨は、プロセス
によっては硬さの異なる複数の研磨布１０４を段階的に
使用して行う場合がある。この場合、複数の硬さの研磨
布１０４に対応した複数のプラテン１０２及びキャリア
ヘッド１０３を用意する必要がある。従って、研磨布１
０４の数に対応してＣＭＰ装置の占有面積が増大すると
いう欠点も抱えていた。
によっては硬さの異なる複数の研磨布１０４を段階的に
使用して行う場合がある。この場合、複数の硬さの研磨
布１０４に対応した複数のプラテン１０２及びキャリア
ヘッド１０３を用意する必要がある。従って、研磨布１
０４の数に対応してＣＭＰ装置の占有面積が増大すると
いう欠点も抱えていた。
【０００８】更に、プラテン１０２の材質としてはステ
ンレス（ＳＵＳ）、セラミックス等の材料が用いられる
が、特に３００ｍｍウエハに対応した装置では直径の大
型化を避けることができないため装置の重量の増加とい
う問題も発生していた。例えば上述した直径７４０ｍｍ
程度のプラテン１０２では、その重量は数トンにもおよ
び、床を補強する必要が生じるなど装置の設置場所に制
約が生じていた。
ンレス（ＳＵＳ）、セラミックス等の材料が用いられる
が、特に３００ｍｍウエハに対応した装置では直径の大
型化を避けることができないため装置の重量の増加とい
う問題も発生していた。例えば上述した直径７４０ｍｍ
程度のプラテン１０２では、その重量は数トンにもおよ
び、床を補強する必要が生じるなど装置の設置場所に制
約が生じていた。
【０００９】また、別の問題として、従来の装置におい
ては装置の稼動に従って多くの消耗品を交換する必要が
あった。例えば、図９に示した装置においては、ウエハ
１０１と研磨布１０４を密着させるためにキャリアヘッ
ド１０３に下向きの力が機械的に加えられる。このた
め、研磨時にウエハ１０１に振動、ブレ等が生じること
を抑止し、研磨の均一性を向上させるため、キャリアヘ
ッド１０３とウエハ１０１の間には必ずバッキングフィ
ルム１０６を配置する必要があった。研磨するウエハ１
０１の枚数に応じてこのバッキングフィルム１０６の耐
久性、振動吸収能力は低下し、研磨の均一性が劣化して
しまう。このため、２００枚程度のウエハ１０１を研磨
する度にバッキングフィルム１０６を交換する必要があ
り、交換の度に部品代として数万円のコストが発生する
とともに、装置の稼動を停止せざるを得ないため製造コ
ストの上昇を引き起こしていた。
ては装置の稼動に従って多くの消耗品を交換する必要が
あった。例えば、図９に示した装置においては、ウエハ
１０１と研磨布１０４を密着させるためにキャリアヘッ
ド１０３に下向きの力が機械的に加えられる。このた
め、研磨時にウエハ１０１に振動、ブレ等が生じること
を抑止し、研磨の均一性を向上させるため、キャリアヘ
ッド１０３とウエハ１０１の間には必ずバッキングフィ
ルム１０６を配置する必要があった。研磨するウエハ１
０１の枚数に応じてこのバッキングフィルム１０６の耐
久性、振動吸収能力は低下し、研磨の均一性が劣化して
しまう。このため、２００枚程度のウエハ１０１を研磨
する度にバッキングフィルム１０６を交換する必要があ
り、交換の度に部品代として数万円のコストが発生する
とともに、装置の稼動を停止せざるを得ないため製造コ
ストの上昇を引き起こしていた。
【００１０】また、キャリアヘッド１０３の周縁に取り
付けられたリテイニングリング１０７も消耗品であり、
交換の度に部品代として数十万円のコストが生じる。そ
して、メンテナンス時には装置を稼動することができな
いため、これに伴い製造コストが増大するという問題が
生じていた。
付けられたリテイニングリング１０７も消耗品であり、
交換の度に部品代として数十万円のコストが生じる。そ
して、メンテナンス時には装置を稼動することができな
いため、これに伴い製造コストが増大するという問題が
生じていた。
【００１１】また、プラテン１０２に貼り付けられた研
磨布１０４も消耗品であるが、３００ｍｍウエハに対応
した装置では、上述したプラテン１０２の大型化に伴っ
て研磨布１０４を大面積にする必要がある。このため、
特に直径３００ｍｍに対応した装置では研磨布１０４の
部品コストが上昇しており、交換の度に更なる部品コス
ト、製造コストの上昇という問題が生じていた。
磨布１０４も消耗品であるが、３００ｍｍウエハに対応
した装置では、上述したプラテン１０２の大型化に伴っ
て研磨布１０４を大面積にする必要がある。このため、
特に直径３００ｍｍに対応した装置では研磨布１０４の
部品コストが上昇しており、交換の度に更なる部品コス
ト、製造コストの上昇という問題が生じていた。
【００１２】更に、研磨布１０４上に供給されたスラリ
ー１０５が研磨の最中にウエハ１０１の表面から裏面に
達してしまうため、ウエハ１０１の裏面がスラリー１０
５で汚染されるという問題が発生していた。ウエハ１０
１の裏面に付着したこのような汚染は、他の処理装置内
におけるパーティクル、コンタミネーション等の発生要
因となっていた。これにより後工程での信頼性劣化とい
う問題を招来していた。また、ウエハ１０１の裏面に付
着したスラリー１０５が搬送中に滴下した場合には、カ
セット内で他のウエハ表面に滴下したり、搬送ロボット
のアームが汚染されることによって他のウエハに汚染が
拡大するという問題が生じていた。
ー１０５が研磨の最中にウエハ１０１の表面から裏面に
達してしまうため、ウエハ１０１の裏面がスラリー１０
５で汚染されるという問題が発生していた。ウエハ１０
１の裏面に付着したこのような汚染は、他の処理装置内
におけるパーティクル、コンタミネーション等の発生要
因となっていた。これにより後工程での信頼性劣化とい
う問題を招来していた。また、ウエハ１０１の裏面に付
着したスラリー１０５が搬送中に滴下した場合には、カ
セット内で他のウエハ表面に滴下したり、搬送ロボット
のアームが汚染されることによって他のウエハに汚染が
拡大するという問題が生じていた。
【００１３】この発明は上述のような問題を解決するた
めになされたものであり、この発明の第１の目的は、Ｃ
ＭＰ装置の小型化を達成することにより装置の占有面積
を縮小し、装置を工場等に設置する際に場所の制約を受
けないようにすることにある。
めになされたものであり、この発明の第１の目的は、Ｃ
ＭＰ装置の小型化を達成することにより装置の占有面積
を縮小し、装置を工場等に設置する際に場所の制約を受
けないようにすることにある。
【００１４】また、この発明の第２の目的は、ＣＭＰ装
置における消耗部品を減らし、消耗部品の交換により生
じていたコストの上昇を最小限に抑えることにある。
置における消耗部品を減らし、消耗部品の交換により生
じていたコストの上昇を最小限に抑えることにある。
【００１５】また、この発明の第３の目的は、研磨を行
った際にウエハ裏面にスラリーが残存することを抑え
て、２次汚染等の弊害が生じることを抑止することにあ
る。
った際にウエハ裏面にスラリーが残存することを抑え
て、２次汚染等の弊害が生じることを抑止することにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明の基板研磨装置
は、基板と研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研
磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面を研磨する
基板研磨装置であって、前記基板上に配置された前記研
磨パッドと、前記研磨パッドを前記基板に対して水平方
向に移動させる移動手段とを備えたものである。
は、基板と研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研
磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面を研磨する
基板研磨装置であって、前記基板上に配置された前記研
磨パッドと、前記研磨パッドを前記基板に対して水平方
向に移動させる移動手段とを備えたものである。
【００１７】また、前記基板を支持する基板支持手段
と、前記基板支持手段に支持される前記基板の下部に設
けられ、前記基板の裏面に向かってガスを噴射するガス
供給手段とを更に備えるものである。
と、前記基板支持手段に支持される前記基板の下部に設
けられ、前記基板の裏面に向かってガスを噴射するガス
供給手段とを更に備えるものである。
【００１８】また、前記ガス供給手段は複数のガス供給
口を有し、前記ガス供給口のガス噴射量を調節するガス
量調節手段を更に備えるものである。
口を有し、前記ガス供給口のガス噴射量を調節するガス
量調節手段を更に備えるものである。
【００１９】また、前記複数のガス供給口が前記基板の
中心に対して同心円状に配置されるものである。
中心に対して同心円状に配置されるものである。
【００２０】また、前記基板の表面における研磨量を検
出する研磨量検出手段を更に備え、前記ガス量調節手段
は、研磨量の少ない領域に対応する前記ガス供給口のガ
ス噴射量を多くするものである。
出する研磨量検出手段を更に備え、前記ガス量調節手段
は、研磨量の少ない領域に対応する前記ガス供給口のガ
ス噴射量を多くするものである。
【００２１】また、前記基板支持手段は前記基板の外縁
を支持し、前記基板支持手段の回転を前記基板に伝達す
ることによって前記基板を回転させるものである。
を支持し、前記基板支持手段の回転を前記基板に伝達す
ることによって前記基板を回転させるものである。
【００２２】また、この発明の基板研磨方法は、基板と
研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研磨パッドと
を共に回転させて前記基板の表面を研磨する方法であっ
て、前記基板の上方に配置した前記研磨パッドと前記基
板の表面とを密着させるステップと、前記基板及び前記
研磨パッドを共に回転させるステップと、前記研磨パッ
ドと前記基板とを密着させた状態で、前記基板の表面の
領域内で前記研磨パッドを水平方向に移動するステップ
とを備えるものである。
研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研磨パッドと
を共に回転させて前記基板の表面を研磨する方法であっ
て、前記基板の上方に配置した前記研磨パッドと前記基
板の表面とを密着させるステップと、前記基板及び前記
研磨パッドを共に回転させるステップと、前記研磨パッ
ドと前記基板とを密着させた状態で、前記基板の表面の
領域内で前記研磨パッドを水平方向に移動するステップ
とを備えるものである。
【００２３】また、前記研磨パッドと前記基板の表面と
を密着させるステップにおいて、前記基板の裏面に向か
ってガスを噴射することにより前記基板の表面と前記研
磨パッドとを密着させるものである。
を密着させるステップにおいて、前記基板の裏面に向か
ってガスを噴射することにより前記基板の表面と前記研
磨パッドとを密着させるものである。
【００２４】また、前記ガスの噴射量を、前記基板の平
面領域内で設定した所定の領域ごとに調整するものであ
る。
面領域内で設定した所定の領域ごとに調整するものであ
る。
【００２５】また、前記所定の領域を前記基板の中心に
対して同心円状に設定するものである。
対して同心円状に設定するものである。
【００２６】また、前記基板の表面における研磨量を検
出するステップを更に備え、前記所定の領域のうち、研
磨量が少ない領域の前記ガスの噴射量を他の領域に比し
て多くするものである。
出するステップを更に備え、前記所定の領域のうち、研
磨量が少ない領域の前記ガスの噴射量を他の領域に比し
て多くするものである。
【００２７】また、この発明の半導体装置は、上記の基
板研磨装置を用いて製造されたものである。また、この
発明の半導体装置は、上記の基板研磨方法を用いて製造
されたものである。
板研磨装置を用いて製造されたものである。また、この
発明の半導体装置は、上記の基板研磨方法を用いて製造
されたものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１であるＣＭＰ装置を示す平面図であり、図
２は図１のＣＭＰ装置の概略断面図である。図１及び図
２に示すように、このＣＭＰ装置は、ウエハ１上に研磨
用のプラテン２が配置され、ウエハ１及びプラテン２を
共に回転させることによってウエハ１表面の研磨を行う
ものである。
実施の形態１であるＣＭＰ装置を示す平面図であり、図
２は図１のＣＭＰ装置の概略断面図である。図１及び図
２に示すように、このＣＭＰ装置は、ウエハ１上に研磨
用のプラテン２が配置され、ウエハ１及びプラテン２を
共に回転させることによってウエハ１表面の研磨を行う
ものである。
【００２９】図２に示すように、プラテン２の下部には
研磨布４が張り付けられており、研磨布４とプラテン２
によって研磨パッドが構成されている。そして、プラテ
ン２はウエハ１の中心上を通るように配置された移動ガ
イド（移動手段）３により、移動ガイド３に沿って移動
可能とされている。従って、ウエハ１及びプラテン２を
共に回転させ、プラテン２をウエハ１の外側から中心、
あるいは中心から外側に向かって移動させることによっ
て、ウエハ１上の全面を研磨することができる。このた
め、実施の形態１の装置では、プラテン２の面積をウエ
ハ１の面積よりも大幅に小さくすることができ、装置全
体の占有面積をウエハ１の面積と同程度に抑えることが
できる。
研磨布４が張り付けられており、研磨布４とプラテン２
によって研磨パッドが構成されている。そして、プラテ
ン２はウエハ１の中心上を通るように配置された移動ガ
イド（移動手段）３により、移動ガイド３に沿って移動
可能とされている。従って、ウエハ１及びプラテン２を
共に回転させ、プラテン２をウエハ１の外側から中心、
あるいは中心から外側に向かって移動させることによっ
て、ウエハ１上の全面を研磨することができる。このた
め、実施の形態１の装置では、プラテン２の面積をウエ
ハ１の面積よりも大幅に小さくすることができ、装置全
体の占有面積をウエハ１の面積と同程度に抑えることが
できる。
【００３０】プラテン２内及び移動ガイド３内には、ス
ラリーライン１０及び研磨量検出手段としてのＥＤＰラ
イン５が設けられている。そして、スラリーライン１０
を通してウエハ１上にスラリーが供給される。また、Ｅ
ＤＰライン５は光検出により研磨量を検出し、所望のと
ころまで研磨が行われたか否かを判別するために用いら
れる。なお、研磨量の検出は、プラテン２の回転トルク
の変動を検出することにより行っても良い。
ラリーライン１０及び研磨量検出手段としてのＥＤＰラ
イン５が設けられている。そして、スラリーライン１０
を通してウエハ１上にスラリーが供給される。また、Ｅ
ＤＰライン５は光検出により研磨量を検出し、所望のと
ころまで研磨が行われたか否かを判別するために用いら
れる。なお、研磨量の検出は、プラテン２の回転トルク
の変動を検出することにより行っても良い。
【００３１】ウエハ１の周囲には、ウエハ１を支え、ウ
エハ１を回転させるためのウエハ支持部６が３ヶ所設け
られている。図２に示すように、ウエハ支持部６にはウ
エハ１の接触部において直径の小さい溝部（凹部）６ａ
が形成されており、ウエハ１の外周部がこの溝部６ａに
入り込むことによってウエハ１が水平に支持される。そ
して、ウエハ支持部６のシャフト６ｂを回転させること
によりウエハ支持部６の回転がウエハ１に伝えられてウ
エハ１が回転する。
エハ１を回転させるためのウエハ支持部６が３ヶ所設け
られている。図２に示すように、ウエハ支持部６にはウ
エハ１の接触部において直径の小さい溝部（凹部）６ａ
が形成されており、ウエハ１の外周部がこの溝部６ａに
入り込むことによってウエハ１が水平に支持される。そ
して、ウエハ支持部６のシャフト６ｂを回転させること
によりウエハ支持部６の回転がウエハ１に伝えられてウ
エハ１が回転する。
【００３２】図２に示すように、ウエハ１の下部にはエ
ア（ガス）供給手段７が設けられている。図３はエア供
給手段７を上面からみた平面図である。図３に示すよう
に、エア供給手段７には、ウエハ１に向かって上方にエ
ア供給口７ａ〜７ｅが同心円状に設けられている。エア
供給手段７はエア供給口７ａ〜７ｅのそれぞれからエア
をウエハ１に向かって噴射する。これにより、ウエハ１
は上方へ押し上げられ、ウエハ１とプラテン２とが密着
される。更に、移動ガイド３側からプラテン２に下向き
の力（Down Force）を与えることにより、両者の密着性
をより高めることができる。
ア（ガス）供給手段７が設けられている。図３はエア供
給手段７を上面からみた平面図である。図３に示すよう
に、エア供給手段７には、ウエハ１に向かって上方にエ
ア供給口７ａ〜７ｅが同心円状に設けられている。エア
供給手段７はエア供給口７ａ〜７ｅのそれぞれからエア
をウエハ１に向かって噴射する。これにより、ウエハ１
は上方へ押し上げられ、ウエハ１とプラテン２とが密着
される。更に、移動ガイド３側からプラテン２に下向き
の力（Down Force）を与えることにより、両者の密着性
をより高めることができる。
【００３３】このように、エアを用いてウエハ１を押し
上げることにより、ウエハ１と研磨布４とを確実に密着
させることができ、ウエハ１の研磨を確実に行うことが
できる。また、ウエハ１をエアによって上方へ押し上
げ、エア供給手段７とウエハ１の間に構造物が存在しな
い構成としたため、研磨時にウエハ１に発生する振動を
効果的に吸収することができる。
上げることにより、ウエハ１と研磨布４とを確実に密着
させることができ、ウエハ１の研磨を確実に行うことが
できる。また、ウエハ１をエアによって上方へ押し上
げ、エア供給手段７とウエハ１の間に構造物が存在しな
い構成としたため、研磨時にウエハ１に発生する振動を
効果的に吸収することができる。
【００３４】更に、図３に示すように、エア供給手段７
を５つのエア供給口７ａ〜７ｅのそれぞれに分割するよ
うにしたため、研磨布４に対するウエハ１の圧着力を領
域に応じて調節することができる。そして、圧着力に応
じてウエハ１の面内で研磨量を可変することができる。
例えば、エア供給口７ａに対応した領域においてウエハ
１の研磨量を増加させる場合には、エア供給口７ａにお
けるエアの噴射量を他のエア供給口７ｂ〜７ｅにおける
噴射量よりも多くする。これにより、エア供給口７ａに
対応した領域においてウエハ１の研磨量を増大させるこ
とができる。
を５つのエア供給口７ａ〜７ｅのそれぞれに分割するよ
うにしたため、研磨布４に対するウエハ１の圧着力を領
域に応じて調節することができる。そして、圧着力に応
じてウエハ１の面内で研磨量を可変することができる。
例えば、エア供給口７ａに対応した領域においてウエハ
１の研磨量を増加させる場合には、エア供給口７ａにお
けるエアの噴射量を他のエア供給口７ｂ〜７ｅにおける
噴射量よりも多くする。これにより、エア供給口７ａに
対応した領域においてウエハ１の研磨量を増大させるこ
とができる。
【００３５】従って、エア供給口７ａ〜７ｅに対応した
ウエハ１の領域ごとに研磨量を調整することができ、Ｅ
ＤＰライン５による研磨量のプロファイル検出結果に応
じて調整を行うことにより、ウエハ１の全領域で研磨量
を均一にすることができる。なお、エア供給口７ａ〜７
ｅそれぞれにおけるエアの供給量の調節は、不図示のガ
ス量調節手段によって行う。
ウエハ１の領域ごとに研磨量を調整することができ、Ｅ
ＤＰライン５による研磨量のプロファイル検出結果に応
じて調整を行うことにより、ウエハ１の全領域で研磨量
を均一にすることができる。なお、エア供給口７ａ〜７
ｅそれぞれにおけるエアの供給量の調節は、不図示のガ
ス量調節手段によって行う。
【００３６】また、ウエハ１の裏面からエアを供給する
ようにしたため、ウエハ１の裏面にスラリーが回り込む
ことを抑止することができ、パーティクル等の汚染の発
生を抑止することができる。
ようにしたため、ウエハ１の裏面にスラリーが回り込む
ことを抑止することができ、パーティクル等の汚染の発
生を抑止することができる。
【００３７】以上説明したように、この発明の実施の形
態１によれば、ウエハ１上にプラテン２を水平移動可能
に配置し、プラテン２とウエハ１の相対位置を移動させ
ながら研磨を行うようにしたため、プラテン２の面積を
ウエハ１の面積に対して大幅に小さくすることが可能と
なる。従って、ＣＭＰ装置の占有面積をウエハ１の面積
と同程度まで縮小することができ、装置の占有面積を大
幅に縮小することが可能となる。また、プラテン２の縮
小により研磨布４の面積を縮小することができ、消耗品
である研磨布４の部品コストを低減することができる。
態１によれば、ウエハ１上にプラテン２を水平移動可能
に配置し、プラテン２とウエハ１の相対位置を移動させ
ながら研磨を行うようにしたため、プラテン２の面積を
ウエハ１の面積に対して大幅に小さくすることが可能と
なる。従って、ＣＭＰ装置の占有面積をウエハ１の面積
と同程度まで縮小することができ、装置の占有面積を大
幅に縮小することが可能となる。また、プラテン２の縮
小により研磨布４の面積を縮小することができ、消耗品
である研磨布４の部品コストを低減することができる。
【００３８】また、プラテン２の面積を大幅に縮小した
ことにより、ＣＭＰ装置の重力を大幅に低減することが
でき、設置場所について制約を受けることを抑止するこ
とができる。
ことにより、ＣＭＰ装置の重力を大幅に低減することが
でき、設置場所について制約を受けることを抑止するこ
とができる。
【００３９】また、エア供給手段７によってウエハ１を
研磨布４に対して密着させるとともに、エア供給手段７
に複数のエア供給口７ａ〜７ｅを設けたため、研磨のプ
ロファイルに応じてエア供給口７ａ〜７ｅから噴射させ
るエアの量を調節することができ、ウエハ１の面内にお
ける研磨を均一化することができる。
研磨布４に対して密着させるとともに、エア供給手段７
に複数のエア供給口７ａ〜７ｅを設けたため、研磨のプ
ロファイルに応じてエア供給口７ａ〜７ｅから噴射させ
るエアの量を調節することができ、ウエハ１の面内にお
ける研磨を均一化することができる。
【００４０】また、エアを用いてウエハ１と研磨布４と
を密着させるようにしたため、クッションの役割を果た
すバッキングフィルムを特に設ける必要がなくなるとい
う効果も得られる。また、ウエハ１の周囲に復数のウエ
ハ支持部６を設けて水平方向に挟持するようにしたた
め、研磨中にウエハ１が飛び出し等することを抑止で
き、飛び出し防止のために部材を設ける必要がなくなる
という効果も得られる。
を密着させるようにしたため、クッションの役割を果た
すバッキングフィルムを特に設ける必要がなくなるとい
う効果も得られる。また、ウエハ１の周囲に復数のウエ
ハ支持部６を設けて水平方向に挟持するようにしたた
め、研磨中にウエハ１が飛び出し等することを抑止で
き、飛び出し防止のために部材を設ける必要がなくなる
という効果も得られる。
【００４１】更に、ウエハ１の裏面には研磨中常にエア
が噴射されているため、スラリーがウエハ１の裏面に回
り込むことを抑止することができ、他の処理装置に搬入
した際にパーティクル、コンタミネーション等の２次汚
染が発生することを抑止することができる。また、ウエ
ハ１裏面へのスラリーの付着を抑止することができるた
め、処理装置間でウエハ１を搬送する際においても、ス
ラリーが搬送装置や他のウエハに付着してしまうことを
抑止することができる。
が噴射されているため、スラリーがウエハ１の裏面に回
り込むことを抑止することができ、他の処理装置に搬入
した際にパーティクル、コンタミネーション等の２次汚
染が発生することを抑止することができる。また、ウエ
ハ１裏面へのスラリーの付着を抑止することができるた
め、処理装置間でウエハ１を搬送する際においても、ス
ラリーが搬送装置や他のウエハに付着してしまうことを
抑止することができる。
【００４２】なお、エア供給口７ａ〜７ｅの配置として
は、図３に示すような同心円状の配置の他に、ブロック
状、ライン状等、様々な配置をすることができる。
は、図３に示すような同心円状の配置の他に、ブロック
状、ライン状等、様々な配置をすることができる。
【００４３】実施の形態２．次に、この発明の実施の形
態２について図４〜図７に基づいて説明する。実施の形
態２は、実施の形態１のＣＭＰ装置のプラテン２を２つ
用意し、２種類の研磨布４を用いて研磨を行うものであ
る。
態２について図４〜図７に基づいて説明する。実施の形
態２は、実施の形態１のＣＭＰ装置のプラテン２を２つ
用意し、２種類の研磨布４を用いて研磨を行うものであ
る。
【００４４】一般的に、良好な平坦性を得る為には硬い
研磨布を用いて研磨を行う。これにより、研磨布がパタ
ーンの凸部の表面のみに密着して凹部には接触しないた
め、凸部のみを研磨して効率良く段差の解消を達成する
ことができるが、研磨面に傷が生じ易い。
研磨布を用いて研磨を行う。これにより、研磨布がパタ
ーンの凸部の表面のみに密着して凹部には接触しないた
め、凸部のみを研磨して効率良く段差の解消を達成する
ことができるが、研磨面に傷が生じ易い。
【００４５】図４に示すように、実施の形態２に係る装
置は、２つのプラテン２ａ，２ｂを備えている。そし
て、一方のプラテン２ａには比較的硬い研磨布４ａが、
他方のプラテン２ｂには研磨布４ａよりも柔らかい研磨
布４ｂが貼り付けられている。それぞれのプラテン２
ａ，２ｂが接続された移動ガイド３ａ，３ｂ、スラリー
ライン１０、ＥＤＰライン５、ウエハ支持部６、エア供
給手段７の構成は実施の形態１と同様である。
置は、２つのプラテン２ａ，２ｂを備えている。そし
て、一方のプラテン２ａには比較的硬い研磨布４ａが、
他方のプラテン２ｂには研磨布４ａよりも柔らかい研磨
布４ｂが貼り付けられている。それぞれのプラテン２
ａ，２ｂが接続された移動ガイド３ａ，３ｂ、スラリー
ライン１０、ＥＤＰライン５、ウエハ支持部６、エア供
給手段７の構成は実施の形態１と同様である。
【００４６】そして、実施の形態２においては、プラテ
ン２ａ，２ｂが移動ガイド３に沿って移動可能とされる
とともに、移動ガイド３自体が移動ガイド３の延在する
方向と直交方向に移動可能とされている。
ン２ａ，２ｂが移動ガイド３に沿って移動可能とされる
とともに、移動ガイド３自体が移動ガイド３の延在する
方向と直交方向に移動可能とされている。
【００４７】また、移動ガイド３は上下方向にも移動す
ることができ、研磨を行わない場合、ウエハ１を研磨す
るプラテン２ａ，２ｂの位置を相互に入れ換える場合に
は、プラテン２ａ，２ｂを上方向に移動させて研磨布４
ａ，４ｂとウエハ１とを離間させるように構成されてい
る。
ることができ、研磨を行わない場合、ウエハ１を研磨す
るプラテン２ａ，２ｂの位置を相互に入れ換える場合に
は、プラテン２ａ，２ｂを上方向に移動させて研磨布４
ａ，４ｂとウエハ１とを離間させるように構成されてい
る。
【００４８】以下、図４〜図７に基づいて、プラテン２
ａによる研磨を行った後、プラテン２ｂによる研磨を行
う方法について説明する。先ず、図４（ａ）及び図４
（ｂ）に示すように、プラテン２ａが接続されている移
動ガイド３ａをウエハ１の中心上を通るように配置し、
プラテン２ａに貼り付けられた研磨布４ａをウエハ１の
表面と接触させる。一方、プラテン２ｂが接続されてい
る移動ガイド３ｂをウエハ１の中心から離間した位置に
退避させ、移動ガイド３ｂを上方に移動して研磨布４ｂ
とウエハ１とを離間させる。
ａによる研磨を行った後、プラテン２ｂによる研磨を行
う方法について説明する。先ず、図４（ａ）及び図４
（ｂ）に示すように、プラテン２ａが接続されている移
動ガイド３ａをウエハ１の中心上を通るように配置し、
プラテン２ａに貼り付けられた研磨布４ａをウエハ１の
表面と接触させる。一方、プラテン２ｂが接続されてい
る移動ガイド３ｂをウエハ１の中心から離間した位置に
退避させ、移動ガイド３ｂを上方に移動して研磨布４ｂ
とウエハ１とを離間させる。
【００４９】そして、エア供給手段７からエアを噴射す
ることによってウエハ１を上方へ押し上げ、ウエハ１の
表面と研磨布４ａとを確実に密着させる。その後、スラ
リーライン１０からスラリーを供給し、プラテン２ａ及
びウエハ１を共に回転させて、硬い研磨布４ａによって
研磨を行う。そして、ＥＤＰライン５によってエンドポ
イントを検出しながら研磨を行い、所定量研磨を行った
後、研磨を停止させる。なお、実施の形態１で説明した
ように、エンドポイントはＥＤＰライン５を用いて検出
する他、プラテン２ａの回転トルクの変動から検出して
もよい。
ることによってウエハ１を上方へ押し上げ、ウエハ１の
表面と研磨布４ａとを確実に密着させる。その後、スラ
リーライン１０からスラリーを供給し、プラテン２ａ及
びウエハ１を共に回転させて、硬い研磨布４ａによって
研磨を行う。そして、ＥＤＰライン５によってエンドポ
イントを検出しながら研磨を行い、所定量研磨を行った
後、研磨を停止させる。なお、実施の形態１で説明した
ように、エンドポイントはＥＤＰライン５を用いて検出
する他、プラテン２ａの回転トルクの変動から検出して
もよい。
【００５０】次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、硬い研磨布４ａによる研磨が終了した後にエア供
給手段７からのエアの供給を停止し、ウエハ１及びプラ
テン２ａの回転を停止した後、プラテン２ａを移動ガイ
ド３ａとともに上方に移動させる。
うに、硬い研磨布４ａによる研磨が終了した後にエア供
給手段７からのエアの供給を停止し、ウエハ１及びプラ
テン２ａの回転を停止した後、プラテン２ａを移動ガイ
ド３ａとともに上方に移動させる。
【００５１】そして、純水供給口８からウエハ１表面に
純水９を供給して、ウエハ１表面に残存するスラリーを
洗い流す。
純水９を供給して、ウエハ１表面に残存するスラリーを
洗い流す。
【００５２】そして、図５（ｂ）に示すように、移動ガ
イド３ｂをウエハ１の中心上に移動させるとともに、移
動ガイド３ａを退避させて、移動ガイド３ａと移動ガイ
ド３ｂの位置を入れ替える。
イド３ｂをウエハ１の中心上に移動させるとともに、移
動ガイド３ａを退避させて、移動ガイド３ａと移動ガイ
ド３ｂの位置を入れ替える。
【００５３】次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すよ
うに、移動ガイド３ａと移動ガイド３ｂの位置を入れ換
えた後、研磨布４ｂとウエハ１の表面とを接触させ、エ
ア供給手段７からエアを供給することによって両者を密
着させる。そして、スラリーライン１０からスラリーを
供給し、ウエハ１及びプラテン２ｂを回転させて研磨布
４ｂによる研磨を行う。研磨布４ｂによる研磨の際に
は、研磨布４ａによる研磨で用いたスラリーとは異なる
スラリーを用いてもよい。
うに、移動ガイド３ａと移動ガイド３ｂの位置を入れ換
えた後、研磨布４ｂとウエハ１の表面とを接触させ、エ
ア供給手段７からエアを供給することによって両者を密
着させる。そして、スラリーライン１０からスラリーを
供給し、ウエハ１及びプラテン２ｂを回転させて研磨布
４ｂによる研磨を行う。研磨布４ｂによる研磨の際に
は、研磨布４ａによる研磨で用いたスラリーとは異なる
スラリーを用いてもよい。
【００５４】この際、予め研磨布４ａによる研磨量のプ
ロファイルをＥＤＰライン５によって検出しておくこと
により、エア供給口７ａ〜７ｂからのエア供給量を調整
して研磨布４ｂによる研磨を行うことが可能である。
ロファイルをＥＤＰライン５によって検出しておくこと
により、エア供給口７ａ〜７ｂからのエア供給量を調整
して研磨布４ｂによる研磨を行うことが可能である。
【００５５】研磨布４ｂによる研磨が終了した後、図７
（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、プラテン２ｂをウ
エハ１上から退避させて研磨を終了させる。
（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、プラテン２ｂをウ
エハ１上から退避させて研磨を終了させる。
【００５６】以上説明したように実施の形態２では、実
施の形態１と同様にプラテン２をウエハ１の上に配置
し、ウエハ１の面積よりもプラテンの面積を大幅に小さ
くしたことにより、２つのプラテン２ａ，２ｂを備えた
場合であっても実施の形態１と同程度の大きさで装置を
構成することができる。
施の形態１と同様にプラテン２をウエハ１の上に配置
し、ウエハ１の面積よりもプラテンの面積を大幅に小さ
くしたことにより、２つのプラテン２ａ，２ｂを備えた
場合であっても実施の形態１と同程度の大きさで装置を
構成することができる。
【００５７】図８は、実施の形態２のＣＭＰ装置と、比
較例としての従来のＣＭＰ装置を共に示す平面図であ
る。ここで、図８（ａ）は実施の形態２のＣＭＰ装置
を、図８（ｂ）は従来のＣＭＰ装置を示している。
較例としての従来のＣＭＰ装置を共に示す平面図であ
る。ここで、図８（ａ）は実施の形態２のＣＭＰ装置
を、図８（ｂ）は従来のＣＭＰ装置を示している。
【００５８】図８（ａ）に示すように、実施の形態２の
装置では、プラテン２ａ，２ｂをウエハ１の上に配置
し、プラテン２ａ，２ｂをウエハ１に対して相対的に移
動させながら研磨を行うようにしたため、装置全体の大
きさをウエハ１の大きさと同程度とすることができる。
図８（ａ）の例では、直径３００ｍｍのウエハ１に対し
て装置を１辺５００ｍｍ程度の正方形形状で構成するこ
とができる。上述したように、この大きさはプラテンの
数には制約を受けない。従って２つ以上のプラテンを配
置した場合であっても、装置全体の大きさをウエハ１の
大きさと同程度にできる。
装置では、プラテン２ａ，２ｂをウエハ１の上に配置
し、プラテン２ａ，２ｂをウエハ１に対して相対的に移
動させながら研磨を行うようにしたため、装置全体の大
きさをウエハ１の大きさと同程度とすることができる。
図８（ａ）の例では、直径３００ｍｍのウエハ１に対し
て装置を１辺５００ｍｍ程度の正方形形状で構成するこ
とができる。上述したように、この大きさはプラテンの
数には制約を受けない。従って２つ以上のプラテンを配
置した場合であっても、装置全体の大きさをウエハ１の
大きさと同程度にできる。
【００５９】一方、比較例としての従来のＣＭＰ装置
は、図８（ｂ）に示すように、ウエハ１の下でプラテン
２が回転するため、ウエハ１の直径よりもプラテン２の
半径を大きくする必要がある。このため、直径３００ｍ
ｍのウエハ１に対応した装置を構成するためには少なく
ともプラテン２の直径を６００ｍｍ以上とする必要があ
り、装置を一辺９００ｍｍ以上の正方形形状とする必要
がある。しかも、実施の形態２のように２つの研磨布２
ａ，２ｂを用いて研磨を行うためには、図８（ｂ）に示
すように、異なる研磨布を貼り付けたプラテン２を並べ
て用意する必要があり、装置の大きさが２倍（９００ｍ
ｍ×１８００ｍｍ程度）となってしまう。従って、実施
の形態１及び２の構成によれば、ＣＭＰ装置全体の大き
さを大幅に縮小することが可能となる。
は、図８（ｂ）に示すように、ウエハ１の下でプラテン
２が回転するため、ウエハ１の直径よりもプラテン２の
半径を大きくする必要がある。このため、直径３００ｍ
ｍのウエハ１に対応した装置を構成するためには少なく
ともプラテン２の直径を６００ｍｍ以上とする必要があ
り、装置を一辺９００ｍｍ以上の正方形形状とする必要
がある。しかも、実施の形態２のように２つの研磨布２
ａ，２ｂを用いて研磨を行うためには、図８（ｂ）に示
すように、異なる研磨布を貼り付けたプラテン２を並べ
て用意する必要があり、装置の大きさが２倍（９００ｍ
ｍ×１８００ｍｍ程度）となってしまう。従って、実施
の形態１及び２の構成によれば、ＣＭＰ装置全体の大き
さを大幅に縮小することが可能となる。
【００６０】また、ウエハ１の研磨に際して２種類の研
磨布４ａ，４ｂを用いて研磨を行うようにしたため、硬
い研磨布４ａを用いた研磨によって段差を効率良く解消
することができるとともに、柔らかい研磨布４ｂによる
研磨によって特にパターンの凸部の表面に傷が発生する
ことを抑止することができる。
磨布４ａ，４ｂを用いて研磨を行うようにしたため、硬
い研磨布４ａを用いた研磨によって段差を効率良く解消
することができるとともに、柔らかい研磨布４ｂによる
研磨によって特にパターンの凸部の表面に傷が発生する
ことを抑止することができる。
【００６１】また、硬い研磨布４ａで研磨した際に、Ｅ
ＤＰライン５によってウエハ１の面内における研磨量の
分布の情報を得ることができる。そして、柔らかい研磨
布４ｂによる研磨の際に、エア供給口７ａ〜７ｅのそれ
ぞれから供給するエアの量を研磨量の分布情報に基づい
て調整することができる。これにより、ウエハ１の全面
において研磨量を均一化することが可能となる。
ＤＰライン５によってウエハ１の面内における研磨量の
分布の情報を得ることができる。そして、柔らかい研磨
布４ｂによる研磨の際に、エア供給口７ａ〜７ｅのそれ
ぞれから供給するエアの量を研磨量の分布情報に基づい
て調整することができる。これにより、ウエハ１の全面
において研磨量を均一化することが可能となる。
【００６２】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００６３】基板上に研磨パッドを配置し、研磨パッド
を基板に対して相対移動可能としたことにより、研磨パ
ッドの面積を基板に対して大幅に小さくすることがで
き、装置の小型化、軽量化を達成することができる。
を基板に対して相対移動可能としたことにより、研磨パ
ッドの面積を基板に対して大幅に小さくすることがで
き、装置の小型化、軽量化を達成することができる。
【００６４】基板に向かってガスを噴射するガス噴射手
段を基板の下部に設けたことにより、基板と研磨パッド
とを確実に密着させることができ、また、ガスを用いて
密着させることによりクッション材であるバッキングフ
ィルムが不要となる。更に、基板の裏面にスラリーが達
することを抑えることができるため、パーティクル等の
２次汚染の発生を抑止できる。
段を基板の下部に設けたことにより、基板と研磨パッド
とを確実に密着させることができ、また、ガスを用いて
密着させることによりクッション材であるバッキングフ
ィルムが不要となる。更に、基板の裏面にスラリーが達
することを抑えることができるため、パーティクル等の
２次汚染の発生を抑止できる。
【００６５】複数のガス供給口のそれぞれにおけるガス
の噴射量を調節可能としたことにより、領域ごとに基板
と研磨パッドとの圧着力を可変することができる。
の噴射量を調節可能としたことにより、領域ごとに基板
と研磨パッドとの圧着力を可変することができる。
【００６６】複数のガス供給口を基板の中心に対して同
心円状に配置したことにより、基板の径方向で基板と研
磨パッドとの圧着力を可変することができる。
心円状に配置したことにより、基板の径方向で基板と研
磨パッドとの圧着力を可変することができる。
【００６７】研磨量の少ない領域に対応するガス供給口
のガス噴射量を多くすることにより、その領域における
研磨量を増加させて基板の全面において研磨量を均一に
することができる。
のガス噴射量を多くすることにより、その領域における
研磨量を増加させて基板の全面において研磨量を均一に
することができる。
【００６８】基板の外縁を支えるとともに基板に回転を
伝達する複数の基板支持部を備えたことにより、基板の
裏面にガスを噴射しながら基板を回転させることができ
る。
伝達する複数の基板支持部を備えたことにより、基板の
裏面にガスを噴射しながら基板を回転させることができ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る基板研磨装置
の構成を示す概略断面図である。
の構成を示す概略断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る基板研磨装置
の構成を示す概略平面図である。
の構成を示す概略平面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１に係る基板研磨装置
のエア供給手段の構成を示す平面図である。
のエア供給手段の構成を示す平面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る基板研磨装置
の構成及び処理手順を示す模式図である。
の構成及び処理手順を示す模式図である。
【図５】 この発明の実施の形態２に係る基板研磨装置
の構成及び処理手順を示す模式図である。
の構成及び処理手順を示す模式図である。
【図６】 この発明の実施の形態２に係る基板研磨装置
の構成及び処理手順を示す模式図である。
の構成及び処理手順を示す模式図である。
【図７】 この発明の実施の形態２に係る基板研磨装置
の構成及び処理手順を示す模式図である。
の構成及び処理手順を示す模式図である。
【図８】 この発明の実施の形態２に係る基板研磨装置
と比較例の装置との大きさを比較した状態を示す平面図
である。
と比較例の装置との大きさを比較した状態を示す平面図
である。
【図９】 従来の基板研磨装置を示す概略断面図であ
る。
る。
１ ウエハ
２ プラテン
３ 移動ガイド
４，４ａ，４ｂ 研磨布
５ ＥＤＰライン
６ ウエハ支持部
７ エア供給手段
７ａ〜７ｅ エア供給口
８ 純水供給口
９ 純水
１０ スラリーライン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｇ
６２２Ｋ
６２２Ｓ
Claims (13)
- 【請求項１】 基板と研磨パッドとを密着させ、前記基
板と前記研磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面
を研磨する基板研磨装置であって、 前記基板上に配置される前記研磨パッドと、 前記研磨パッドを前記基板に対して水平方向に移動させ
る移動手段とを備えたことを特徴とする基板研磨装置。 - 【請求項２】 前記基板を支持する基板支持手段と、 前記基板支持手段に支持される前記基板の下部に設けら
れ、前記基板の裏面に向かってガスを噴射するガス供給
手段とを更に備えることを特徴とする請求項１記載の基
板研磨装置。 - 【請求項３】 前記ガス供給手段は複数のガス供給口を
有し、前記ガス供給口のガス噴射量を調節するガス量調
節手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２記
載の基板研磨装置。 - 【請求項４】 前記複数のガス供給口が前記基板の中心
に対して同心円状に配置されることを特徴とする請求項
３記載の基板研磨装置。 - 【請求項５】 前記基板の表面における研磨量を検出す
る研磨量検出手段を更に備え、 前記ガス量調節手段は、研磨量の少ない領域に対応する
前記ガス供給口のガス噴射量を多くすることを特徴とす
る請求項３又は４記載の基板研磨装置。 - 【請求項６】 前記基板支持手段は前記基板の外縁を支
持し、前記基板支持手段の回転を前記基板に伝達するこ
とによって前記基板を回転させることを特徴とする請求
項２〜５のいずれかに記載の基板研磨装置。 - 【請求項７】 基板と研磨パッドとを密着させ、前記基
板と前記研磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面
を研磨する方法であって、 前記基板の上方に配置した前記研磨パッドと前記基板の
表面とを密着させるステップと、 前記基板及び前記研磨パッドを共に回転させるステップ
と、 前記研磨パッドと前記基板とを密着させた状態で、前記
基板の表面の領域内で前記研磨パッドを水平方向に移動
するステップとを備えることを特徴とする基板研磨方
法。 - 【請求項８】 前記研磨パッドと前記基板の表面とを密
着させるステップにおいて、 前記基板の裏面に向かってガスを噴射することにより前
記基板の表面と前記研磨パッドとを密着させることを特
徴とする請求項７記載の基板研磨方法。 - 【請求項９】 前記ガスの噴射量を、前記基板の平面領
域内で設定した所定の領域ごとに調整することを特徴と
する請求項８記載の基板研磨方法。 - 【請求項１０】 前記所定の領域を前記基板の中心に対
して同心円状に設定することを特徴とする請求項９記載
の基板研磨方法。 - 【請求項１１】 前記基板の表面における研磨量を検出
するステップを更に備え、 前記所定の領域のうち、研磨量が少ない領域の前記ガス
の噴射量を他の領域に比して多くすることを特徴とする
請求項９又は１０記載の基板研磨方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜６のいずれかに記載の基板
研磨装置を用いて製造されたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項１３】 請求項７〜１１のいずれかに記載の基
板研磨方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001189847A JP2003001560A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置 |
| KR1020020031483A KR20030001252A (ko) | 2001-06-22 | 2002-06-05 | 기판 연마 장치, 기판 연마 방법 및 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001189847A JP2003001560A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003001560A true JP2003001560A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19028706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001189847A Pending JP2003001560A (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003001560A (ja) |
| KR (1) | KR20030001252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111230760A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种抛光垫尾料的利用方法 |
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-
2001
- 2001-06-22 JP JP2001189847A patent/JP2003001560A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-05 KR KR1020020031483A patent/KR20030001252A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030001252A (ko) | 2003-01-06 |
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