JP2002543560A - フラットディスプレイへの水素導入デバイスおよび方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電界放出もしくはプラズマアドレス液晶型のフラットディスプレイ（１４）に水素を導入するためのデバイスが記載され、それは温度の関数として水素ガスを透過しうる壁によりディスプレイの内部空間（１３）に連結された水素吸蔵材料（２１）を含む貯蔵部（１１）から形成されている。このデバイスは、壁および吸蔵材料を所望の温度にそれぞれするためにヒーター（１９）およびヒーター（２２）、または２つの機能を実行する１つのヒーター、を含む。さらに、フラットディスプレイが作動するときはいつでもデバイスが作動する方法をも記載し、該ヒーターのスイッチ・オンは壁自体を予め計算された温度にするために配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、フラットディスプレイに水素を導入するためのデバイスおよび方法
に関する。

【０００２】 特に、本発明は、電界放出ディスプレイ（“Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ
Ｄｉｓｐｌａｙｓ”もしくはＦＥＤとしてこの分野で一般的に知られている）お
よび液晶ディスプレイに水素を導入するためのデバイスおよび方法に関し、液晶
の配向は、プラズマによって制御され（「プラズマアドレス液晶」（“Ｐｌａｓ
ｍａ Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”）ディスプレイも
しくはＰＡＬＣとしてこの分野で一般に知られている）、これらの水素分圧を所
望の値内に保持している。これらの型のディスプレイの主要な用途は、比較的重
くて、場所もとられる陰極管にもとづく従来のテレビジョンスクリーンに代替す
ることである。特にＰＡＬＣの場合、他の用途は、鉄道駅もしくは空港における
交通情報を提供するためのボードである。

【０００３】 原則として、ＦＥＤの内部空間は真空に保持されるべきであり、ＰＡＬＣプラ
ズマチャンバのそれはプラズマ形成に必要な希ガスのみ、通常、約５０〜５００
mbarの圧力のヘリウム、を含むべきである。しかしながら、両方のデバイスは、
もし少量の水素がそれらの内部に存在すると、もっと良好に働き、しかももっと
長い時間、その機能性をとくに保持することが知られている。

【０００４】 「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉ
ｃｅｓ」３８巻１０号（１９９１）２３５５〜２３６３頁におけるＳｐｉｎｄｔ
ら、ならびに「Ｖａｃｕｕｍ」４５巻２−３号（１９９４）２３５〜２３９頁に
おけるＭｏｕｓａの記事に説明されているように、ＦＥＤにおいて、水素は金属
電子放出マイクロチップスの酸化を防止する機能を有する；最適水素圧は約１０ ^-5 〜２×１０^-1mbarである。

【０００５】 ＰＡＬＣにおいて、水素は、「スイッチ・オン」から「スイッチ・オフ」への
ディスプレイを形成するシングルスポット（「ピクセル」（“ｐｉｘｅｌ”）と
いわれる）の復帰を加速することにより、ヘリウムプラズマの衰退時間（ｄｅｃ
ａｙ ｔｉｍｅ）を加速する機能を有する；この変化の高速度は、高鮮鋭度（ｈ
ｉｇｈ ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）のテレビジョン映像の伝送に必要である。特許
出願ＥＰ８１６８９８には、ＰＡＬＣの作用のメカニズムおよび問題について詳
細に説明されている；約０．１〜１００mbar、好適には１〜１０mbarの水素分圧
はＰＡＬＣの作用に最適である。

【０００６】 これらのデバイスに所望量の水素を導入することは、製造の間、たとえばＦＥ
Ｄの内部空間、もしくはＰＡＬＣの場合のプラズマチャンバ、の排気の後に、水
素ガスを満たすことにより実施されうる；この充てん操作は、排気に用いられる
のと同一の管状化（通常ガラス）を用いて実施され得、それは後に熱圧縮（「チ
ップオフ」（“ｔｉｐ−ｏｆｆ”）として知られる方法）により密封されうる。

【０００７】 しかしながら、水素はこれらのディスプレイの寿命の間、消費される。特に、
水素消費速度は、ディスプレイがオフのときに無視しうるのに対し、オンのとき
に顕著であることが観察されている。この挙動の理由は、水素のイオン化による
と考えられ、それはディスプレイがスイッチをオンされると、ＦＥＤでは電子線
の相互作用により、そしてＰＡＬＣではプラズマ生成により、Ｈ⁺ イオンが生成
するためである；このように生成されたＨ⁺ イオンは、電場により加速され、ス
イッチをオンされたディスプレイとともに、その内部の部分、主としてＦＥＤの
金属マイクロチップもしくはＰＡＬＣの電極、に向かって存在し、これらの部分
により吸収される。

【０００８】 したがって、必要なときに、これらのディスプレイの寿命の間、ディスプレイ
の内部空間にガスを供給する可能性を備えておくことが必要である。この目的の
ために今まで工夫されたシステムは、水素吸蔵材料、通常ジルコニウムもしくは
チタン系合金、を使用することに基づき、それらは各合金の特性である平衡条件
に従って水素を吸収し放出しうる。これらの合金は、約１０^-4〜２bar の圧力で
水素に同時にさらして、約５０〜２００℃の温度に加熱されることにより、それ
らの質量の数％までの量の水素で「吸蔵され」（“ｃｈａｒｇｅｄ”）うる。吸
蔵された水素は、特定の温度で特定の合金に対する平衡分圧よりも低い水素分圧
にされると、合金からついで放出されうる。水素を吸蔵する合金の種類は、内部
空間と通信するディスプレイの内側に配置され得、ＦＥＤおよびＰＡＬＣのため
に指示されたよりも大きい値で水素分圧が低下するときに約４０〜５００℃の温
度まで加熱され得、デバイスで最適作動雰囲気を再定着する。水素吸蔵および放
出平衡特性にもとづいて、ジルコニウムもしくはチタン合金を使用することは、
たとえば、ＦＥＤ型ディスプレイに関して特許出願ＥＰ７１６７７２およびＥＰ
８３８８３２ならびに特開平１０−１９９４５４、そしてＰＡＬＣ型ディスプレ
イに関して特許出願ＥＰ−８１６８９８，ＥＰ８３３６３およびＷＯ９８／５７
２１９に記載されている。

【０００９】 従来技術のシステムは、原則として、望ましいレベルで水素を保持するのに有
効であるが、実施が困難である。なぜなら、ディスプレイの内側で所望の水素圧
を発生しうる温度の関数として水素平衡圧力を有する特定の合金を明確にするこ
とは困難であるからである。特に、これらのシステムにみられる主な困難は、こ
れらの合金は室温付近（ＦＥＤおよびＰＡＬＣの作動温度）で非常に低い水素平
衡圧を有するのが通常であることであり、その結果、合金を加熱することにより
放出される水素の大部分は、冷却されると合金自体によりすぐに再吸収される；
室温近辺の温度で、合金は水素の源であるよりも水素ゲッターとして作用する。
なぜなら、製造段階でディスプレイに意図的に供給された水素をも合金は吸収し
うるからである。

【００１０】 特許出願ＭＩ９９−０００５３４において、出願人は、プロトン導体材料で形
成された、水素供給とフラットディスプレイの間の通路壁の一部の使用にもとづ
いて、フラットデバイスへ水素を導入するためのデバイスおよび方法を提供しよ
うとした。該壁による水素ガスの流通は、２つの電極により制御され、そして第
１の電極は貯蔵部内側に面するプロトン導体材表面に連結され、第２の電極はデ
ィスプレイ内部空間に面する表面に連結される。さらに、その方法は、２つの電
極間に適切な電位差を印加するのを可能にするために、水素分圧が所予の臨界値
未満に低下するときにディスプレイにそれを連続してモニターするか、もしくは
少くともそれを検出することを必然的に含む。

【００１１】 本発明の目的は、フラットディスプレイに水素を導入するデバイスおよび方法
を提供することであり、プロトン導体材料の２つの面に連結された電極に、望ま
しい意味で、印加される電位差を制御しうる圧力検出器を必要とせず、外部から
の介入なしに自己調整システムを提供するものである。 この目的は、請求項１に記載されたデバイスおよび請求項７に記載された方法
を用いて、本発明により達成される。

【００１２】 該デバイスおよび方法に関するこれらの、そして他の目的、利点および特徴は
、図面を伴っていくつかの異なる態様について与えられる次の詳細な説明からも
っと明らかになろう。 本発明によるデバイスは、温度の関数として水素を吸蔵し、放出することので
きる材料を含む貯蔵部からなる；その貯蔵部の壁は、水素を通さない（ｈｙｄｒ
ｏｇｅｎ−ｔｉｇｈｔ）材料からなるが、一部は、温度の関数として水素を透過
しうる材料からなる膜であり、好適にはパラジウムもしくはその合金または鉄も
しくはその合金である；その膜は、ディスプレイの内部空間で貯蔵部と連結する
。該膜を透過することのできる水素ガスの流動Ｆは周知の式から与えられる：

【００１３】

【数１】

【００１４】 ここでＡは膜の面積、ｄはその厚さ、ｋｏおよびＥｋはそれぞれ透過についての
プレ指数因子および活性化エネルギーであり、それらは膜を形成する材料に依存
し、そしてＰ₁ およびＰ₂ は膜に向かう面についての水素圧の値である。Ｐ₂ で
、貯蔵部の側の圧力値を、そしてＰ₁ でディスプレイの側の圧力値を定義するこ
とにより、流動はＰ₂ ＞Ｐ₁ のときに、貯蔵部よりディスプレイに向けられ、Ｐ ₂ ＜Ｐ₁ のとき反対方向である；Ｐ₂ ＝Ｐ₁ のとき、平衡に達し、膜を通る正味
の流動は無い。流動方向とは無関係に、その速度は膜の温度につれて増加する。

【００１５】 図面に関して、図１において、本発明デバイスは模式的に、そして一般的な態
様により示される。デバイス１０は、通常、膜１２として示される、壁の集合に
より境界を定められる貯蔵部１１よりなる。デバイスは、温度の関数として水素
ガスを透過しうる材料１６からなる膜１５で形成される壁（もしくはその１部）
により、ＦＥＤもしくはＰＡＬＣ型のフラットディスプレイ１４の内部空間に連
結されており、貯蔵部１１に面する表面１７および空間１３に面する表面１８を
備えている。該膜１５のまわり、もしくはどのようにでもそれに接して、いかな
る型でもよいヒーター１９が備えられており、該膜１５の温度をチェックするの
に適切であり、たとえば外側から供給される電気抵抗器で形成されているが、ほ
んの少数の形が部分的に図に模式的に示されている。加熱により水素を吸蔵、放
出しうる材料２１は、貯蔵部１１に備えられる；材料２１は、「バッファー」（
ｂｕｆｆｅｒ）ともいわれ、前述の公知文献に記載されたチタン−もしくはジル
コニウム系合金の１つであってもよく、とくにＺｒＣｏ，ＺｒＮｉ，ＺｒＣｏ_{1- x} Ｎｉ_x 、もしくは三元Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金、そしてＬａＮｉ₅ もしくはＬａＮ
ｉ_5-x Ａｌ_x である。該材料は、デバイス内で容易に達成しうる温度Ｔｉで、そ
の平衡水素圧が、ディスプレイの空間１３内で保持されるのが望ましく、そして
該空間に製造段階ですでに装入されうるような、水素圧値Ｐ_s に等しくなるよう
に選ばれる。温度Ｔ₁ は室温と約４００℃の間に含まれるのが通常である；これ
より低温は、通常、組み立て、使用が容易ではない、デバイスの冷却システムを
必要とし、一方これより高い温度はそれを達成するのに比較的大きな動力を必要
とし、デバイス自体を損傷しかねない。通常、材料２１は、その平衡圧がＰ_s に
等しい温度が約１５０〜３００℃であるように選ばれる。加熱部材は貯蔵部１１
の内側に直接に配置された抵抗器２２のような、加熱材料２１のために備えられ
得、そして示されるようにコネクター２３により、もしくはその外側で供給され
得る。

【００１６】 前述のように、圧力Ｐ_s を有する水素（ＦＥＤでは全体、そしてＰＡＬＣでは
部分的）が、ディスプレイ１４の製造段階の間に空間１３の内側に導入される。
ディスプレイの寿命の間、水素は消費され、その圧力はＰ_x ＜Ｐ_s の値に減少さ
れる。ディスプレイ内の望ましい圧力を再確保するために、材料２１は、ヒータ
ー２２により温度Ｔ₁ にされ、貯蔵部圧力は値Ｐ_s に到達し、そして式（Ｉ）に
より、貯蔵部から空間１３への流動が確保され、空間内の圧力が再び望ましい値
Ｐ_s に達すると、停止する。該条件の到達は、空間１３内に配置された適切なセ
ンサーで検出されうるが、ディスプレイの組み立てを簡易にするために、ディス
プレイがオンのときにいつもデバイス１０が加熱されているようにするのが好適
であり、その結果、圧力は連続的に値Ｐ_s に自己調整される。水素の輸送を促進
するために、できるだけ高い値Ｔ₂ と同一に保持することによって、膜温度に作
用することが可能である；しかし、この値は、ディスプレイの他の要求を損傷す
るのを避けるために、約４００℃を超えて上昇できない。同一の目的のために、
できる限り小さい厚さを有する膜を用いるのも好適である。

【００１７】 ディスプレイがオフのとき、とくにエネルギーを節約するために、デバイス１
０も供給されないのが好適である。これらの条件において、ディスプレイおよび
デバイス１０の全ての要素、その中で材料２１、は室温にされ、ディスプレイが
交通信号もしくは他の環境に使用される場合には、約０〜５０℃の範囲で変動し
うる。これらの温度で、材料２１は非常に低い平衡圧を有するのが通常であり、
その結果、式（Ｉ）により、流動は貯蔵部の方へ向かい、そしてデバイス１０は
存在するすべての水素を実質的に吸収する傾向がある。したがって、膜１５はＴ _a でできるかぎり最小の透過性値を有することが必要である。この場合、温度は
一定であるので、流動の制御は、できるかぎり大きくなければならない膜の厚さ
によってのみ実施されうる。

【００１８】 したがって、膜１５の厚さｄは、その温度がＴ₂ のときには良好な透過性を有
し、一方その温度がＴ_a のときには減少した透過性を有するという相反する要求
を考慮することにより決定される。厚さｄを決定するために、図２のグラフに示
された曲線を参考にするのが便利であり、それは、℃で示される膜温度Ｔの関数
として異なる厚さを有するパラジウム膜を通過する流動Ｆ（mbar・ｌ／ｓ）で表
わされる）を示す；１〜４の番号を付された図２の曲線はそれぞれ０．１mm，０
．２５mm，０．５mmおよび１mmの厚さの膜を意味し、面積０．２５cm² を有する
膜について、そして２つの膜面間の水素圧差ΔＰ＝Ｐ₂ −Ｐ₁ が５mbarのときに
、有効である。膜面積の値は、ディスプレイにおける代表的な使用の典型であり
、そこでは内部空間１３の表面はその作動要素によって主に占められており、膜
のために利用しうる面積は減少される。ΔＰについての５mbarの値は、５mbarが
ＰＡＬＣ型ディスプレイの内側で保持されるべき水素分圧値であるとすれば、該
ＰＡＬＣ型ディスプレイにおいて生じうる最悪の条件の典型として、代わりに選
ばれる。最悪の条件下でのディスプレイ操作の作動中に、空間１３は水素を十分
に排出されるので、先に定義された数値Ｐ_s およびＰ_x はそれぞれ５および０mb
ars に等しく、ΔＰ＝５mbarである；ディスプレイがオフであり、Ｔ＝Ｔ_a であ
るとき、貯蔵部１１の内側の水素圧は０mbarに近づきうるが、一方空間１３の分
圧は５mbarより高くないので、２つの膜面での５mbarの圧力差が再び得られる（
先述と反対のしるしであるが）。最悪の場合にＴ_a ＝５０℃でＴ₂ が知られてい
る（膜１５が受ける最も高い温度としてディスプレイ製造者により定義される）
とすると、図２の曲線から、デバイス１０およびディスプレイ１４にみられるす
べての条件に適合する膜圧を選ぶことができる。図２に示されるのと同様な曲線
は、所望の用途がＦＥＤであり、パラジウム以外の材料の膜の場合に、５mbarよ
り低い、たとえば約１０^-1mbarのΔＰ値に関して得ることができる。

【００１９】 デバイス１０の作動中に、材料２１および膜１５のそれぞれの温度Ｔ₁ および
Ｔ₂ が異なることを予測することはできるが、デバイスの組み立ておよび作動は
、Ｔ_i ＝Ｔ₂ 条件が選ばれるとき、かなり簡易化される；この条件は２つの１９
および２２に代えて１つのヒーターを採用することだけで達成しうる。この状況
は、製造者により選択されるが、膜１５の厚みｄの選択についてさらなる制約を
課する。なぜなら、この場合、その温度は上に示された制限内で望まれるできる
限り高く選ばれることは、貯蔵部１１における高過ぎる水素平衡圧を避けるため
に、できないからである。とくにＰ_s より高い圧力は、ガスで空間１３に負担を
かけ過ぎるからである。

【００２０】 本発明デバイスの使用は、さらに、フラットディスプレイの製造工程に必要な
適合性の観点からも有利である。実際に、吸蔵材料（バッファー）は、デバイス
に搭載する前に要請された濃度で水素をすでに吸蔵されているべきである。製造
工程の間に組み立て物が受ける熱サイクルは、作動しているデバイスよりも高い
温度をもたらすことができ、吸蔵材料からの水素放出および製造段階の間のガス
のポンピングによるガス損失を生じさせる。吸蔵材料がディスプレイ内部空間と
直接接触する従来法システムにより、Ｈ₂ 損失を最小とするために、４５０℃で
、もしくはこの段階の間に冷却を維持して行なわれるフリット密封操作の後に、
吸蔵材料を配置する必要があるが、これら解決策はともに同じ困難さを含む。た
とえばＺｒＣｏに基づく本発明デバイスは、ポンピングの間３００℃までの加熱
に１５０分間、他の側で容易に耐えることができ、水素損失は約３mbar・ｌに限
定される。これは、材料中に約８０（mbar・ｌ）／ｇのオーダーで含まれる全水
素量に関して絶対的に許容範囲内の数値である。

【００２１】 本発明デバイスの膜の厚さ寸法および作動の実施例が以下に説明される。実施例１ この実施例において、図１の番号付けについて言及される。内部容積１５０cc
を有するＰＡＬＣ型のディスプレイが本発明の水素放出デバイスに連結され、そ
れは公知の方法により８mgの水素を予め吸蔵されたＺｒＣｏ化合物１ｇを含む、
鋼壁を有する貯蔵部から主に形成される。ＰＡＬＣの内部および貯蔵部は、０．
２５cm² の表面を有するパラジウム膜により互いに連結されている。膜および、
貯蔵部壁を通して化合物ＺｒＣｏ、を加熱するために、１つの抵抗が使用され、
その結果、作動条件下で化合物および膜は同一温度である。ＰＡＬＣはガラス管
状化により、全圧１５０mbarを有するヘリウム／水素混合物を装入され、そこで
は水素は点線で図３に示されるように５mbarの分圧で存在する。ガス混合物を装
入する作業に使用される管状化は、ガス・サンプリング系に連結されており、そ
れはＰＡＬＣに含まれるガス化学組成を測定するための質量分析計に、拡大チャ
ンバにより順番に連結されている。膜の厚さは、ＰＡＬＣ製造者により知らされ
た以下の条件を、図２の曲線と比較することにより決定される。すなわち、ディ
スプレイがオンのとき、水素消費量は約３×１０^-7（mbar・ｌ）／ｓであり、デ
ィスプレイがオフのとき、受け入れられうる最大水素損失は、５０℃で、１００
日間で約１mbarであり、これは上述のデバイスの約６×１０^-8（mbar・ｌ）／ｓ
の透過流動に等しい；除去流動Ｆ_r のこの値は、第１の点線により図に示される
。ディスプレイがオンのとき、空間１３への水素流動は上述の水素消費速度に少
くとも等しいこと、好ましくは１桁大きいことが要請される；この場合において
３×１０^-6（mbar・ｌ）／ｓである好適な流動値Ｆ_H は、２番目の点線により図
示される。材料ＺｒＣｏは約１８０℃で５mbarの水素圧で平衡であり、本発明の
好適な態様により、該温度は膜１５にも課される。膜が５０℃で６×１０^-8（mb
ar・ｌ）／ｓより低い透過流動、そして１８０℃で３×１０^-6（mbar・ｌ）／ｓ
より高い透過流動を有する条件は、０．３５mmの膜厚を限定する。膜１５および
材料ＺｒＣｏは１８０℃まで加熱され、ディスプレイは、スイッチをオンされ、
数時間、作動状態のままにされる：スクリーンに含まれる水素分圧は、０．５cc
の容積を有する管状化ガス試料により抜き取り、質量分析計でそれらを分析する
ことにより、毎時間測定される。時間とともに（毎時）の、そのように測定され
た水素分圧（mbars で表示される）の変動傾向は図３に曲線５として示される。
実施例２（比較） 実施例１の試験が、ＰＡＬＣについてくり返えされるが、本発明の水素放出デ
バイスはそれに連結されない。時間とともに水素分圧の傾向は図３に曲線６とし
て示される。

【００２２】 図３において曲線５と６の比較から明らかなように、本発明によるデバイスお
よび方法は、水素分圧を、ＰＡＬＣ内でわずかな変動を除けば、本質的に一定に
維持させるが、一方、該デバイスのないＰＡＬＣにおいては、水素分圧は最初の
１００耐久時間において初期値の１４％が減少する。 したがって、本発明デバイスおよび方法により、フラットディスプレイにおけ
る水素分圧の十分な自己調整を、要求される外部からの制御なしに、得るために
、バッファー材料および膜のヒーターを十分に供給しうる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明によるデバイスの一態様を模式的に示す。

【図２】 本発明によるデバイスの、透過しうるパラジウム壁による水素ガスの流通が、
４つの異なる厚さの値について壁温に対してプロットされるグラフを示す。

【図３】 本発明のデバイスを備えたフラットディスプレイおよび該デバイスを備えてい
ないフラットディスプレイにおける、水素分圧の変動傾向をグラフで示す。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 −水素を放出しうる材料（２１）を含む貯蔵部（１１）であ
   り、その壁（１２）は水素を通さない材料からなるが、部分（１５）は、温度の
   関数として水素ガスを透過し得、該貯蔵部（１１）に面する１つの表面（１７）
   およびフラットディスプレイの内部空間（１３）に面する反対側の面を有する、
   貯蔵部（１１）ならびに； −温度の関数として水素を透過しうる材料を有してなる該部分（１５）を加熱
   するための手段（１９）、 からなるフラットディスプレイ（１４）に水素を導入するためのデバイス（１０
   ）。
2. 【請求項２】 貯蔵部（１１）の壁（１２）が金属、セラミックもしくはガ
   ラスからなる請求項１記載のデバイス。
3. 【請求項３】 温度の関数として水素を透過しうる該材料（１６）がパラジ
   ウムおよびその合金、または鉄およびその合金から選ばれる請求項１記載のデバ
   イス。
4. 【請求項４】 該水素放出材料（２１）がジルコニウム−、チタン−もしく
   はランタン−系合金から選ばれる請求項１記載のデバイス。
5. 【請求項５】 該水素放出材料（２１）が、ＺｒＣｏ，ＺｒＮｉ，ＺｒＣｏ _1-x Ｎｉ_x もしくはＺｒ−Ｖ−Ｆｅの三元合金から選ばれる請求項４記載のデバ
   イス。
6. 【請求項６】 該水素放出材料（２１）が、ＬａＮｉ₅ および合金ＬａＮｉ _5-x Ａｌ_x から選ばれる請求項４記載のデバイス。
7. 【請求項７】 該貯蔵部とフラットディスプレイの内部空間の間に配置され
   、そして温度の関数として水素を透過しうる部分を少くとも、加熱する段階を含
   む請求項１記載のデバイスによってフラットディスプレイに水素を導入する方法
   。
8. 【請求項８】 水素放出材料も加熱される請求項７記載の方法。
9. 【請求項９】 該透過しうる壁部分および該水素放出材料が、ともに同一温
   度Ｔに加熱される請求項７もしくは８記載の方法。
10. 【請求項１０】 水素を透過しうる材料からなる部分が水素放出材料の加熱
    温度よりも高い温度で加熱される請求項７もしくは８記載の方法。
11. 【請求項１１】 フラットディスプレートの作動に、水素を透過しうる材料
    からなる該部分を少くとも加熱して、デバイスの同時作動を一致させる請求項７
    記載の方法。