JP2002542477A - 磁気弾性ロードセル - Google Patents
磁気弾性ロードセルInfo
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Abstract
Description
,614号に優先することを主張する。
磁気弾性ロードセルに関する。
与えられる力に、変形を伴って反応する正確に機械化された構造をしている。変
形可能な要素に接着された歪みゲージは、変形の度合に応じて、抵抗値に変化を
示し、その結果として、加えられた力の大きさを示す電気信号が生じる。しかし
ながら、歪みゲージはロードセルに直接付けられるので、測定電子回路に対する
ロードセルの回転が不可能となる。スリップリングや何かしらの分離した電子回
路が利用できなければ、歪みゲージロードセルで、回転する軸上の軸方向の負荷
を測定するのは不可能である。さらに、歪みゲージは非常に高価で、それゆえ、
多くのロードセルの応用に競合する用途としては、商業的に実用的ではない。
れている。このような理由で、磁気弾性的に活性な鉄鋼で製造され、コイルを形
成するワイヤの軸の周りに磁化されたソレノイドコイルばねに軸方向の負荷がか
けられた場合、コイルのワイヤはねじれ、その結果、ワイヤの磁化が再配向し、
磁化方向の負荷が増大するとともに、磁化はますますらせん状になる。結果とし
て、らせん磁化は周成分と軸成分、すなわちコイルのワイヤに平行な方向の成分
の両方を持つ。磁化の軸成分は、磁場をコイルばねの軸に平行な方向に広がるよ
うに発生させる。この磁場は検出することができ、軸方向の負荷の大きさに理想
的に比例する電気信号が発生する。しかしながら、まっすぐなワイヤをコイルば
ねに形成する工程のため、内部残留応力がコイル内に生じる。その応力は、磁場
を発生させ、磁場センサによって測定される磁場に含まれてしまう。結果として
、発生した電気信号は、加えられた軸方向の負荷の関数だけではなく、製造工程
で発生する内部残留ストレスの寄与も反映する。したがって、そのようなソレノ
イドコイルばねは本質的に正確で再現性のある結果をもたらさず、ロードセルに
おけるように、軸の負荷を測定するには良い選択ではない。
加えられた負荷に正確に相関した出力信号を与える磁気弾性ロードセルを提供す
ることである。
立された円周方向に戻すための異方性の一次供給源として、シャフト自体の磁気
結晶の異方性に依存する磁気弾性ロードセルを提供することである。
た負荷がゼロのとき本来的にゼロとなる高精度の検出により、計測される負荷に
相関関係のある方法で両方向に変化する磁気弾性ロードセルを提供することであ
る。
、存在する電流もコイルも要しない磁気弾性ロードセルを提供することである。
印加されるディスク状の部材であって、上面および下面を持ち、中心ハブおよび
環状リムを有し、その部材の上面と下面との間に少なくとも2つの螺旋状スポー
クを形成する少なくとも2つのスリットが形成され、各スポークは、ハブでの始
点とリムでの終端との間でほぼ360°回転し、スポークは1つの周方向に磁気
的に分極されており、表面に力が加わった後、その力がゼロまで減少したときに
、1つの周方向にスポークを再び磁化させるための十分な磁気異方性を持つ部材
を用意し、表面に力を加えた結果としてその部材から磁界を発生させ、表面に加
えられた力の大きさの表示として、磁気弾性活性領域に近接した位置における磁
界の大きさを検出し、磁気弾性活性領域が、局所磁化分布の少なくとも50%が
前記1つの周方向周り対称的に配置された90°の四分円内にある多結晶材料で
形成され、かつ、磁気弾性活性領域から生じる磁界が、磁気弾性活性領域の近傍
の前記部材を磁化しないように、力を検出するために前記磁場センサ手段が検出
した正味の磁界の有効性を無効にするのに十分な郷土の寄生磁界を生じさせるよ
うな十分に高い保磁力であるステップを有する、表面に印加された力を測定する
ための非接触の方法を提供することである。
有する強磁性磁気ひずみディスク状部材であって、リムとハブとの間に、上面と
下面との間に延びる少なくとも2つのほぼ螺旋状のスポークを形成する少なくと
も2つのスロットを有する部材を含む磁気弾性活性領域を有している。
°に渡って旋回しており、スポークは、1つの周方向に磁気的に分極されており
、上述の領域に力が加わった後、その力がゼロまで減少したときに、1つの周方
向にスポークを再び磁化させるための十分な磁気異方性を有している。フラック
スゲートインダクタのような磁場センサがその部材の近傍に搭載されており、上
述の領域に力を加えた結果生ずる活性領域に反応する。部材は、好ましくは、局
所磁化分布の少なくとも50%が、1つの周方向に対称的に配置された90°の
四分円内にある多結晶物質で形成されており、部材から生じる磁界が、部材の近
傍の領域を磁化しないように、磁界センサによって検出された正味磁界の、力の
検出のための有効性を無効にする十分な強さとなる寄生磁界が生じさせるような
十分な高さ、最も好ましくは35Oeを越える高さの保磁力を有している。
示されている。ロードセル10は、中心のハブ14と環状のリム16とを有する
ディスク状の部材12を有しており、ディスク12は、中心のハブ14と環状の
リム16との間で、その上面22と下面24との間に延びる複数のスポーク18
,20が形成されるように機械加工され、または他の方法で形成されている。デ
ィスク12は、磁気的に活性な変換器の要素であり、したがってディスク12を
形成する材料の選択は非常に重要である。選択された材料は、磁気領域が確実に
存在するように強磁性を有している必要があり、磁化の向きを、加える力に伴う
応力によって変えることができるように磁気ひずみ性を有している必要がある。
特に、ディスク12は、より詳細に後述するように特に望ましい結晶構造を有す
る材料から形成してもよい。スポーク18,20は、何らかの有効な方法によっ
て各スポークのほぼ螺旋状の軸の周りに実質的に完全に周方向に磁気的に分極さ
れている。この有効な方法のいくつかは、米国特許第5,520,059号明細
書に開示されており、その内容は参照することによって本明細書に取り入れられ
ている。特に有効な磁化方法の1つは、電流パルスをディスク12を通して、そ
の中心軸26から外縁へと、途中のスポーク18,20を通して流すことを含ん
でいる。図1に示すスポークの数は2つであるが、2つより少なくない幾つのス
ポークを形成してもよいことが分かる。2つを超えるスポークを用いることの不
都合は、機械加工費用が付加的なスポークを形成するのに伴って高くなることで
ある。各スポークは、ハブ14での始点とリムで16の終点の間で約360°に
亘って回転するように延びている。ディスク12の上面22と下面24の間の厚
さは、各スポークの断面がほぼ正方形になるように選択することが好ましい。し
かしながら、スポークの数、ディスクの厚さ、およびロードセルの特定の利用方
法に応じて、スポークの断面は正方形以外であってもよい。
分をスポークの軸方向に持たず、かつ正味の半径方向磁化成分を持たない程度に
実質的に完全に環状である。力をハブ14の中心に、ディスク12の軸26に平
行な方向に加えると、この力は螺旋状のスポーク18,20を通って伝えられ、
ねじれ応力をスポーク内に生じさせる。その結果、各スポークの環状の磁化の方
向が変わり、加える力を強くするにつれて、だんだんと螺旋状になる。この螺旋
状の磁化は、スポークの軸の周方向の成分と軸に沿った成分の両方を有している
。この磁化の軸方向成分の結果として、反対の磁極がハブ14とリム16に形成
され、これらの磁極から半径方向に向いた磁界が発生する。この磁界の強さはハ
ブ14の中心に加える力の大きさに比例する。
から変えることによってディスク12の活性領域の周りの空間に発生する、半径
方向の磁界の大きさと極性を検知するように、ディスク12に対して位置と向き
を決められて設けられている。磁界ベクトルセンサー30は、加えられた力の大
きさに相関する、ねじれ応力の大きさを反映した信号出力を出力する。本発明の
一実施形態では、磁界ベクトルセンサー30は集積回路ホール効果センサである
。磁界ベクトルセンサー30は、ワイヤ32によって直流電源に接続されており
、また磁界ベクトルセンサーの信号出力は、ディスク12が組み込まれたシステ
ムの制御回路または監視回路のような受信装置(不図示)に送られる。磁界ベク
トルセンサーの型式、特性、配置、および機能の詳細な記述が、米国特許第5,
351,555号明細書の6〜9欄、および米国特許第5,520,059号の
7〜11欄および25欄にあり、これらの内容は参照することによって本明細書
に取り入れられている。
14からリム16の間のスポーク18,20に半径方向に亘って延びるソレノイ
ドの形状を有するフラックスゲートインダクタである。その幾何学的構成により
、このフラックスゲートインダクタは、そのコアの隅から隅までの磁界に対して
感度を有している。したがって、単に1点で検知されるのではなく、この好まし
いフラックスゲートインダクタによって、スポークの半径方向の全長に沿って、
センサの軸方向に沿って展開される多くの領域での局所モーメントが平均されて
検知される。このセンサの特性によって、発生するねじれ応力に基づいて生じる
磁界が半径方向に不均一であるために他の場合に生じるマイナスの効果が軽減さ
れる。さらに、ロードセルのハブ14とリム16は、スポークのために生じるど
のような磁界の不均一さもさらに低減する、磁界の均質化部として機能する。
、有利なことに、ハブ14とリム16の間の磁界の半径方向成分を測定するため
に、ディスク12の上方で、ディスクに近接し、軸の周りでハブ14とリム16
の間の半径方向中心にある、1つまたは複数のセンサ30によって、検知可能で
ある。周囲の磁界などのあらゆる低勾配磁界を受け付けなくするために、ディス
ク12によって生成される発散磁界を検知する複数の磁気センサを用いることが
好ましい。複数のセンサを用いるときは、それらを周辺内に対称に、かつディス
クの周りに等角度で分散して置くことが好ましい。したがって、図2に示すよう
に、2個のセンサをディスクの両側で用いる場合、それらは180°離して配置
すべきである。3個のセンサを用いる場合、それらは120°離して配置すべき
である。ハブ14とリム16の間を流れる磁束のうちのできるだけ多くがセンサ
を通過するために、ディスク12とセンサ30の間の磁路がロードセルの作用に
不可欠であることに注目することが肝心である。このため、ロードセル10を取
り付けるときには、ディスク12とセンサ30の間の磁路を迂回する磁束経路が
設けられないように、ハブ14とリム16を支持する非強磁性のスペーサととも
に配置しなければならない。
サ30’の組を、ディスク12の反対側に配置することが特に好ましく、その結
果、一方のセンサ30の組がディスク12の上方に、他方のセンサ30’の組が
ディスク12の下方に配置される。ハブ14の中心に力が加わるとセンサ30,
30’に対するディスク12の相対的な移動を引き起こし易いので、これは特に
有利な構成である。上方のセンサの組のみ、または下方のセンサの組のみを用い
る場合、ディスク12と各センサ30,30’の間の間隔の変動のために、セン
サからの非線形で放物線状の応答が生じるであろう。しかしながら、上方と下方
の両方のセンサの組を用いる場合、上方の組は下方の組と正反対の曲線を描く応
答を生じさせる。磁界センサの両方の組の出力を合わせることによって、問題で
あった、負荷がかかったディスクのゆがみを排除した、実質的に線形の応答を生
じる。
ディスク12にそのまま取り付けられる場合、センサは、ディスク12と同じ大
きさのものに取って代わられ、その結果、センサとディスクの間の間隔が変化し
ない。また別の解決策が図3に示されており、これは、中心ハブ14とリム16
がディスクの上面22の上方に上昇し、センサ30は、上昇したハブ14とリム
16により区画される環状窓34内に配置される。この構成では、立ち上がった
ハブ14とリム16が、磁界を、例えば磁束ゲート誘導子であるようなセンサ3
0の端部に導く。センサ30が窓34内にとどまっている限り、ハブとリムの軸
方向の変位は、磁路の導磁度を変化させない。従って、線形システム応答は維持
される。もちろん、磁界センサ30とディスク12の間の間隔が、負荷がかかっ
たハブとリムの相対的な変位よりも十分大きいこれらの例では、間隔における小
さな相対的な変化は、センサの応答の線形性に無視できる程度の影響しかもたら
さない。
されたときに、各スポークに(極性を付与する工程中に)定められた周方向への
磁化をスポークに復帰させる、いくつかの異方性磁力源を有していなければなら
ない。ディスク磁気歪みλと主引張応力σを持つ製品が、ロードセルの作用の基
になる磁気弾性の異方性の影響をもたらす。スポークにて成長したトルクと関連
する磁気弾性の異方性に起因して、全てのスポークの磁気残留部分が協同して磁
界の放射方向成分の成長に寄与することを確実にするために、静止状態の異方性
はどこであっても周辺の方向から45°以上離れるべきでない。言い換えると、
異方性の必要性とは、環状の残留磁気を、周囲に向けられた90°の四分円内に
閉じこめる必要性を表すものである。局所的な磁化の少なくとも50%が、環状
の残留磁気の方向の周りに対称に配置された90°の四分円内にあるとき、十分
な性能が得られる。
好ましい配列を、結晶構造を特徴づける軸と相関関係にある方向に向ける磁性結
晶にある。静的な異方性が、その主な原因として、例えば、各微結晶が<100
>あるいは<111>の容易軸を備えた立方対称性(歪んだ立方体、例えば、正
方晶を含む)を有する不規則に配列された多結晶質材料、といった多軸対称性の
格子構造の原子配列が組み合わされた磁性結晶の異方性を有する場合、微結晶の
、静的な周方向の残留磁気の50%以上が自動的にこの“45°”の条件を満足
する。鉄および全ての通常の鋼における磁性結晶の異方性がこのような立方対称
性を有することより、鉄および全ての通常の鋼は(単独でこの条件に基づくと)
、全て本発明のロードセルの材料の候補となる。純鉄の異方性の強さは、タング
ステン、および、よりわずかの量ではあるがマンガンは異方性の強さを高めるが
、通常、合金成分により減少する。モリブデン、バナジウム、スズは、比較的少
し下方に変化させ、一方、クロムは、純鉄の異方性から、その異方性を減少させ
るのがわずかに速い。十分な量のNi、Co、Si、あるいはAlは、異方性を
ゼロ(およびゼロ以下)にすることができる。問題点は、負荷が取り除かれると
磁化をその静的な周方向に戻す「スプリング」により、結晶(磁性結晶に対して
短い)異方性の絶対的な強さが非常に低くなってしまうことにある。したがって
、例えば、結晶異方性(Κl)がλσrよりも小さい場合、Κlは、もはや主たる
異方性はなく、また、静的な残留磁気の50%以上は、もはや45°の分布条件
を満足しないであろう。なお、ここで、σrは、前工程による軸の残留応力の強
さである。ここでまず第1に気付くのは、変換器の働きにとってそれぞれが重要
な複数の材料特性の、相互関係の重要性である。Κlとλは構造的な依存(本質
的な)特性であるのに対し、σrおよび他の構造依存特性(例えば、質感、化学
的、あるいは構造処方)は、静的な異方性の強さ、配列、および対称性を決定す
るのに、本質的な特性と呼応するように振る舞う。また、わずかな量のNi、あ
るいはSiは効果的にλを高める一方で、Κlを減少させる傾向にある。したが
って、ディスク12に適当な合金の選定には、合金の含有量の度合いに対して慎
重にならねばならない。
種類の通常のグレードが示されている。 1.マルテンサイトステンレス鋼(好ましくは空気硬化) AISI/SAEグレード:403,410,414,416,420,43
1,440A,440B,440C 2.時効硬化ステンレス鋼(クロムおよびニッケル) AISI/SAEグレード:15−5PH,17−4PH,17−7PH,P
H13−8Mo 3.合金鋼(急冷および焼きなまし、ときには炭化または窒化) AISI/SAEグレード:4140,4320,4330,4340,48
20,9310 代表的呼称:300M,Aermet100,98BV40,9−4−20,
9−4−30 4.工具鋼(好ましくは急冷および焼きなまし、金属的に“清浄な”高合金鋼) AISIグレード:タイプA,D,H,L,M,O,T,W、および高コバル
ト高速工具鋼 5.マルエージング鋼(高ニッケル、低炭素) 代表的呼称:18Ni250,C−250,Vascomax T−300,
NiMark,Marvac 736 6.延性永久磁石材料 代表的呼称:Vicalloy,Remendur,Cunife,Cuni
co,Vacozet 7.磁石鋼 代表的呼称:KS鋼,MT鋼,3.6%Cr,15%Co,タングステン鋼 8.特殊合金および他の材料 代表的呼称:Permendur,Alfer,Alfenol,Kovar
,高引抜ニッケル,高引抜パーマロイ 本ロードセルの動作中は、ディスク12上の活性領域から磁界が生じ、これら
の磁界は、磁界センサが配置された空間だけでなく、非活性の強磁性材料が近く
に存在しうる空間に広がる。非活性材料内で磁化変化が引き起こされると他の磁
界を生じ、さらに、これらの(寄生)磁界は磁界センサが配置された空間の領域
にも広がる。したがって、活性領域の伝達機能を損なわないために、寄生磁界は
、活性領域の磁界がかなり大きな強度を有しているのであればその磁界と比較し
て非常に小さく、理想上はゼロであり、負荷に応じて線形に、かつ非ヒステリシ
ス的に変化し(または全く変化せず)、さらに、経時や、ロードセルが受けるで
あろういかなる動作状態や環境状態に耐えて安定していることが重要である。上
記のように述べたが、生じる全ての寄生磁界は、磁界センサによって検出された
正味の磁界が力を検出するのに有用である活性領域の磁界に比べて十分に小さく
なければならない。したがって、寄生磁界の効果を損なうことを最小にするため
に、磁気弾性活性領域から生じる磁界が磁気弾性活性領域に隣接する非活性の強
磁性領域を磁化させない、十分に大きな保磁力を有するディスク部材を、力を検
出するための有効性を無効とするのに十分な強度の、磁界検出手段によって検出
される正味の磁界である寄生磁界を生じさせるために利用することが重要である
。これは、ディスク12の保磁力が15Oe(エールステッド)よりも大きく、
好ましくは20Oeよりも大きく、最も望ましくは35Oeよりも大きいことを
意味する。
利点を提供する。例えば、本発明のロードセルは、ひずみゲージを取り付けて用
いることが求められる熟練労働者に比べて、比較的容易に機械化することができ
る。加えて、ディスク部材によって生成された磁界を検出するのに必要な電気回
路のコストが、ひずみゲージと組み合わされた電気回路よりもかなり低くなる。
さらに、磁気弾性ロードセルは特に安定しており、無負荷状態でのゼロ値の検出
量は、温度、軸周りを回転する負荷が加えられた部材の角度位置、回転速度、お
よび負荷が加えられた部材と検出手段との間の変化しないエアギャップによる影
響を実質的に受けない。その結果、そのようなロードセルは種々の環境中に比較
的容易に据え付けることができ、種々の環境中において信頼性をもって動作する
であろう。
Claims (24)
- 【請求項1】 ロードセルに加えられた力を示す出力信号を与える磁気弾性
ロードセルであって、 上面および下面を有するとともに中央ハブおよび環状リムを備えた強磁性で磁
気ひずみ性を有するディスク状の部材であって、前記ハブと前記リムとの間に、
前記部材の前記上面と前記下面との間に前記部材を通って延びる少なくとも2つ
のほぼ螺旋状のスポークを形成する少なくとも2つのスロットを有し、前記各ス
ポークは前記ハブでの始点と前記リムでの終点との間でほぼ360°旋回する部
材を有する磁気弾性活性領域を有し、 前記スポークは、その軸回りの1つの周方向に磁気的に分極されているととも
に、前記スポーク内の磁化を、前記ロードセルに力が加えられた後、加えられた
力がゼロに減少したときに前記1つの周方向に戻すのに十分な磁気異方性を持っ
ており、 磁場センサ手段であって、前記磁気弾性活性領域に近接して搭載され、前記セ
ンサ手段での磁界の大きさを検出するように設けられ、それに応じて前記出力信
号を与える磁場センサ手段を有し、 前記部材は、局所磁化分布の少なくとも50%が前記1つの周方向周りに対称
に配置された90°の四分円内にあり、かつ、前記部材から生じる磁界が、前記
部材の近傍の領域を磁化しないように、力を検出するために前記磁場センサが検
出した正味の磁界の有効性を無効にするのに十分な強度の寄生磁界を生させるよ
うな十分に高い保磁度を有する、多結晶材料で形成されている、磁気弾性ロード
セル。 - 【請求項2】 前記部材は、各結晶子が立方対称性を有する多結晶材料で形
成されている、請求項1に記載の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項3】 前記部材は、マルテンサイトステンレス鋼、クロムおよびニ
ッケルを含む時効硬化ステンレス鋼、急冷および焼きなまし合金鋼、工具鋼、高
ニッケルマルエージング鋼、延性永久磁性材料、磁石鋼、パーメンジュール、ア
ルファ、コバー、硬引抜ニッケル、および硬引抜パーマロイからなる群から選択
された材料で形成されている、請求項2に記載の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項4】 前記各スポークの断面はほぼ正方形である、請求項1に記載
の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項5】 前記部材の保磁度は15Oeよりも大きい、請求項1に記載
の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項6】 前記部材の保磁度は20Oeよりも大きい、請求項1に記載
の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項7】 前記部材の保磁度は35Oeよりも大きい、請求項1に記載
の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項8】 前記磁場センサ手段は固体センサを有する、請求項1に記載
の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項9】 前記磁場センサは、フラックスゲートインダクタを有する、
請求項1に記載の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項10】 前記磁場センサは、前記磁界の極性を検出するように前記
磁気弾性活性領域に向けられて搭載されている、請求項1に記載の磁気弾性ロー
ドセル。 - 【請求項11】 前記磁場センサ手段は、前記磁気弾性活性領域に対応しか
つ近接した固定位置に搭載されている、請求項10に記載の磁気弾性ロードセル
。 - 【請求項12】 前記部材の上面および下面のそれぞれはほぼ円形であり、
前記部材は中心軸線を有し、前記センサ手段は、前記部材の前記ハブと前記環状
リムとの間の半径方向中央部に設置されている、請求項10に記載の磁気弾性ロ
ードセル。 - 【請求項13】 前記線さ手段は、前記部材の上面および下面の一方に近接
した少なくとも2つのセンサを有する、請求項12に記載の磁気弾性ロードセル
。 - 【請求項14】 前記センサ手段は、前記部材の上面および下面のそれぞれ
に近接した少なくとも2つのセンサを有する、請求項13に記載の磁気弾性ロー
ドセル。 - 【請求項15】 前記部材の各面に近接した前記センサは、周方向に対称に
前記面の周囲に等角に分布して配置されている、請求項13または14に記載の
磁気弾性ロードセル。 - 【請求項16】 前記センサ手段は前記部材に応じて搭載されている、請求
項1に記載の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項17】 前記ハブおよび前記環状リムは、前記スポークの上面の上
に持ち上げられて、前記ハブと前記リムとの間に環状の窓を形成しており、前記
センサ手段は前記窓内に配置されている、請求項1に記載の磁気弾性ロードセル
。 - 【請求項18】 前記スポークは、前記部材に力が加わらないとき、前記ス
ポークの軸線方向への正味磁化成分を持たない周方向磁気配向を持っている、請
求項1に記載の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項19】 前記スポークは、前記部材に力が加わったとき、前記スポ
ークの周方向の成分および軸線方向の成分を持つ螺旋磁気配向を持っており、前
記磁場センサ手段は、磁化の前記軸線方向の成分から生じる磁界を検出するよう
に向けられて配置されている、請求項18に記載の磁気弾性ロードセル。 - 【請求項20】 (a)力が加えられる表面を含む磁気弾性活性領域を用意
するステップであって、前記領域は、上面と下面とを有する強磁気かつ磁気ひず
み性を有し、かつ中央のハブと環状のリムとを備えたるディスク状の部材を有し
、前記部材は、前記部材の前記上面と前記下面との間に延びる少なくとも2つの
ほぼ螺旋形のスポークを形成するための、前記ハブと前記リムとの間を通して形
成される少なくとも2つのスロットを有し、前記スポークの各々は、前記ハブで
の始点と前記リムでの終端との間をほぼ360°回転し、前記スポークは、その
軸回りの1つの周方向に磁気的に分極されており、力を前記表面に加えた後、加
えられた力がゼロに減少したときに前記スポークにおける磁化を前記1つの周方
向に戻すのに十分な磁気異方性を有しており、前記表面の前記磁気弾性活性領域
は、局所磁化分布の少なくとも50%が前記1つの周方向周りに対称的に配置さ
れた90°の四分円内にある多結晶材料で形成され、かつ、前記磁気弾性活性領
域から生じる磁界が、前記磁気弾性活性領域の近傍の前記部材を磁化しないよう
に、力を検出するために前記磁場センサ手段が検出した正味の磁界の有効性を無
効にするのに十分な郷土の寄生磁界を生じさせるような十分に高い保磁力である
ステップと、 (b)前記表面に力を加える結果として磁界を生成するステップと、 (c)前記表面に加えられた力の大きの表示として、前記磁気弾性活性領域に近
接する位置における磁場の大きさを検出するステップとを有する、力を検出する
方法。 - 【請求項21】 前記表面に力を加えることは、前記磁気弾性活性領域に円
周方向および軸線方向の磁化成分を有する螺旋形の磁気配向を生じさせ、前記検
出するステップは、前記軸線方向の磁化成分から発生する磁界を検出するステッ
プを含む、請求項20に記載の方法。 - 【請求項22】 前記部材は、各結晶子は立方対称性を有する多結晶材料か
ら形成される、請求項21に記載の方法。 - 【請求項23】 前記磁気弾性活性領域の保磁力は15より大きい、請求項
20に記載の方法。 - 【請求項24】 前記検出するステップは、前記磁気弾性活性領域に近接か
つ間隔をあけて磁場センサ装置を少なくとも部分的に位置決めすることにより達
成される、請求項20に記載の方法。
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