JP2002537662A - 同調可能なレーザーの波長をロックし、モードをモニタする方法 - Google Patents
同調可能なレーザーの波長をロックし、モードをモニタする方法Info
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
(57)【要約】
注入電流を変更できる２つ以上の同調可能な部分（１５）を含み、前記同調可能な部分が少なくとも１つの反射器部分と１つの位相部分とを含み、前記同調可能なレーザー（１５）が、異なるレーザー部分を通過する異なる電流の組み合わせによって決定された適当なレーザー作動ポイントを特徴とし、前記レーザーが選択された所定の作動ポイントで作動するようになっている、同調可能なレーザー（１５）の波長をロックし、モードをモニタする方法であって、この方法は、波長選択フィルタを用い、レーザーから放出される光の波長を検出する工程と、前記レーザーの反射器部分（１７）および使用可能な場合にはそのカプラー部分（１９）を通過する交流電流および前記レーザーの位相部分（１８）を通過する電流を調節する繰り返し方法で前記レーザーを制御する工程と、後方へのパワー（Ｉ３）と前方へのパワー（Ｉ２）との比に関する最小値が得られるよう、反射器部分およびカプラー部分を通過する電流を調節する工程と、波長基準手段（３２）に対して測定される波長を一定に保持するように、レーザーの位相部分（１８）を通過する電流を調節する工程とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】 本発明は、同調可能なレーザーの波長をロックし、モードをモニタする方法に
関し、更にレーザーの劣化を補償する方法にも関する。
関し、更にレーザーの劣化を補償する方法にも関する。
【０００２】 同調可能な半導体レーザーは注入電流が通過する多数の異なる部分、一般に３
つまたは４つのかかる部分を有する。レーザーの波長、パワーおよびモードの純
度は種々の部分における電流を調節することによって制御できる。モード純度と
は、レーザーが作動点にあること、すなわち、いわゆるモードジャンプが生じ、
レーザーの発生が安定し、サイドモード抑制が大きい駆動電流の組み合わせから
レーザーが離れていることを特徴とする３つまたは４つの駆動電流の組み合わせ
内にあることを意味する。
つまたは４つのかかる部分を有する。レーザーの波長、パワーおよびモードの純
度は種々の部分における電流を調節することによって制御できる。モード純度と
は、レーザーが作動点にあること、すなわち、いわゆるモードジャンプが生じ、
レーザーの発生が安定し、サイドモード抑制が大きい駆動電流の組み合わせから
レーザーが離れていることを特徴とする３つまたは４つの駆動電流の組み合わせ
内にあることを意味する。
【０００３】 異なる用途では、特殊な波長制御が必要である。通信アプリケーションのケー
スでは、駆動電流および温度を設定した後でも、レーザは長時間にわたって波長
を極めて高い精度に維持できなければならない。この点に関する代表的な精度は
０.１ナノメータであり、代表的な時間は２０年である。
スでは、駆動電流および温度を設定した後でも、レーザは長時間にわたって波長
を極めて高い精度に維持できなければならない。この点に関する代表的な精度は
０.１ナノメータであり、代表的な時間は２０年である。
【０００４】 レーザーを制御できるようにするには、種々の駆動電流に応じたレーザーの特
性をマッピングする必要がある。このことは、製造後にレーザーを使用する前に
行わなければならない。
性をマッピングする必要がある。このことは、製造後にレーザーを使用する前に
行わなければならない。
【０００５】 レーザーの波長をロックし、更にレーザーが長時間にわたって意図するように
作動できるよう、レーザーが作動するモードを制御できるように保証することも
極めて有益である。モード制御とは、レーザーが連続的または一定のインターバ
ルで使用される際に、他の別のキャビティモードにモードジャンプする可能性が
生じないように、レーザーの作動ポイントを最適にできるようにすることを意味
する。レーザーの劣化に関して、動作中のレーザーを補償することも極めて有益
である。
作動できるよう、レーザーが作動するモードを制御できるように保証することも
極めて有益である。モード制御とは、レーザーが連続的または一定のインターバ
ルで使用される際に、他の別のキャビティモードにモードジャンプする可能性が
生じないように、レーザーの作動ポイントを最適にできるようにすることを意味
する。レーザーの劣化に関して、動作中のレーザーを補償することも極めて有益
である。
【０００６】 本発明はこれら要求を満すものである。
【０００７】 従って、本発明は、注入電流を変更できる２つ以上の同調可能な部分を含み、
前記同調可能な部分が少なくとも１つの反射器部分と１つの位相部分とを含み、
前記同調可能なレーザーが、異なるレーザー部分を通過する異なる電流の組み合
わせによって決定された適当なレーザー作動ポイントを特徴とし、前記レーザー
が選択された所定の作動ポイントで作動するようになっている、同調可能なレー
ザーの波長をロックし、モードをモニタする方法に関し、この方法は波長選択フ
ィルタを用い、レーザーから放出される光の波長を検出する工程と、前記レーザ
ーの反射器部分および使用可能な場合にはそのカプラー部分を通過する交流電流
および前記レーザーの位相部分を通過する電流を調節する繰り返し方法でレーザ
ーを制御する工程と、後方へのパワーと前方へのパワーとの比に関する最小値が
得られるよう、反射器部分およびカプラー部分を通過する電流を調節する工程と
、波長基準手段に対して測定される波長を一定に保持するように、レーザーの位
相部分を通過する電流を調節する工程とを含むことを特徴とする。
前記同調可能な部分が少なくとも１つの反射器部分と１つの位相部分とを含み、
前記同調可能なレーザーが、異なるレーザー部分を通過する異なる電流の組み合
わせによって決定された適当なレーザー作動ポイントを特徴とし、前記レーザー
が選択された所定の作動ポイントで作動するようになっている、同調可能なレー
ザーの波長をロックし、モードをモニタする方法に関し、この方法は波長選択フ
ィルタを用い、レーザーから放出される光の波長を検出する工程と、前記レーザ
ーの反射器部分および使用可能な場合にはそのカプラー部分を通過する交流電流
および前記レーザーの位相部分を通過する電流を調節する繰り返し方法でレーザ
ーを制御する工程と、後方へのパワーと前方へのパワーとの比に関する最小値が
得られるよう、反射器部分およびカプラー部分を通過する電流を調節する工程と
、波長基準手段に対して測定される波長を一定に保持するように、レーザーの位
相部分を通過する電流を調節する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】 次に、一部を本発明の実施例を参照し、一部を添付図面を参照しながら、本発
明についてより詳細に説明する。
明についてより詳細に説明する。
【０００９】 図１には３つの部分、すなわちブラッグ反射器１と、位相部分２と、利得部分
３とを含むＤＢＲレーザーが示されている。それぞれの電線４、５、６を通して
それぞれの部分に電流を注入することによって各部分を制御するようになってい
る。
３とを含むＤＢＲレーザーが示されている。それぞれの電線４、５、６を通して
それぞれの部分に電流を注入することによって各部分を制御するようになってい
る。
【００１０】 図２は、同調可能な格子結合サンプリング反射器（ＧＣＳＲ）レーザーの断面
図である。かかるレーザーは４つの部分、すなわちブラッグ反射器部分７と、位
相部分８と、カプラー部分９と、利得部分１０とを含み、これら部分の各々は、
これら部分に電流を注入することによって制御される。
図である。かかるレーザーは４つの部分、すなわちブラッグ反射器部分７と、位
相部分８と、カプラー部分９と、利得部分１０とを含み、これら部分の各々は、
これら部分に電流を注入することによって制御される。
【００１１】 図３は、サンプリング格子ＤＢＲレーザーの断面図であり、このレーザーは４
つの部分１１、１２、１３、１４も含み、これら部分のうち、部分１１および１
４はブラッグ反射器部分であり、部分１３は位相部分であり、部分１２は利得部
分である。
つの部分１１、１２、１３、１４も含み、これら部分のうち、部分１１および１
４はブラッグ反射器部分であり、部分１３は位相部分であり、部分１２は利得部
分である。
【００１２】 これら３つのタイプのレーザーは一般的なものであるが、他のタイプのレーザ
ーも存在する。
ーも存在する。
【００１３】 特に図２に示されたＧＣＳＲレーザーを参照し、以下、本発明について説明す
るが、本発明は特定のタイプの同調可能な半導体レーザーに限定されるものでな
く、従って、添付図面に例として示されているもの以外の他の同調可能なレーザ
ーでも実施できる。
るが、本発明は特定のタイプの同調可能な半導体レーザーに限定されるものでな
く、従って、添付図面に例として示されているもの以外の他の同調可能なレーザ
ーでも実施できる。
【００１４】 図４は、本発明と共に使用される装置のブロック図である。数字１５はＧＣＳ
Ｒレーザーを示すが、番号１６はそれぞれの導線１７、１８および１９を通して
、レーザーの反射器部分、位相部分およびカプラー部分に電流を注入するための
電流発生器を表示するものである。導線２１を介してパワー調節回路２０によっ
て、その利得部分へのレーザーのパワーが制御される。
Ｒレーザーを示すが、番号１６はそれぞれの導線１７、１８および１９を通して
、レーザーの反射器部分、位相部分およびカプラー部分に電流を注入するための
電流発生器を表示するものである。導線２１を介してパワー調節回路２０によっ
て、その利得部分へのレーザーのパワーが制御される。
【００１５】 レーザーはレンズパック２２を介し、正面ミラーから光透過器２３、例えば光
ファイバーへ光を放出する。光導線は光を光分割器、すなわちスプリッター２６
へ透過し、スプリッター２６は光の一部を別の光透過器２４へスイッチングする
。光の他の部分は導線２５を透過する。光分割器、すなわちスプリッター２６は
導線２３からの光の、例えば１０％を導線２４へスイッチングする。
ファイバーへ光を放出する。光導線は光を光分割器、すなわちスプリッター２６
へ透過し、スプリッター２６は光の一部を別の光透過器２４へスイッチングする
。光の他の部分は導線２５を透過する。光分割器、すなわちスプリッター２６は
導線２３からの光の、例えば１０％を導線２４へスイッチングする。
【００１６】 光導線２４は光を別の光スプリッター２７へ透過し、スプリッター２７は２つ
の光導線２８と２９との間に光を等しく分割するように働く。光導線のそれぞれ
の端部にはレンズ３０、３１が設けられている。レンズ３０の下流の光路内には
波長の基準手段として機能する波長フィルタ３２が設けられている。
の光導線２８と２９との間に光を等しく分割するように働く。光導線のそれぞれ
の端部にはレンズ３０、３１が設けられている。レンズ３０の下流の光路内には
波長の基準手段として機能する波長フィルタ３２が設けられている。
【００１７】 レンズ３１の下流側には第１検出器３３が設けられており、他方、ファブリ−
ペローフィルタの下流側には第２検出器３４が設けられている。検出器３３、３
４は光のパワーを測定すると共に、それぞれの増幅器３５、３６を介し、Ａ／Ｄ
コンバータ３７へ対応する検出器の信号を送り出すようになっている。
ペローフィルタの下流側には第２検出器３４が設けられている。検出器３３、３
４は光のパワーを測定すると共に、それぞれの増幅器３５、３６を介し、Ａ／Ｄ
コンバータ３７へ対応する検出器の信号を送り出すようになっている。
【００１８】 Ａ／Ｄコンバータ３７、パワー調節回路２０および電流発生器１６は、いずれ
もデータバス３８を介し、マイクロプロセッサ３９に接続されている。マイクロ
プロセッサはＡ／Ｄコンバータ３７および電力調節回路２０からの信号に応答し
、所望する公知の態様で電流発生器およびパワー調節回路を制御するようになっ
ている。
もデータバス３８を介し、マイクロプロセッサ３９に接続されている。マイクロ
プロセッサはＡ／Ｄコンバータ３７および電力調節回路２０からの信号に応答し
、所望する公知の態様で電流発生器およびパワー調節回路を制御するようになっ
ている。
【００１９】 この装置はモニタダイオード４０も含む。モニタダイオード４０はレーザーの
後部ミラーに設けられており、レーザーによって後方に放出される光を測定する
ようになっている。検出器の信号Ｉ３は増幅器４１を介してＡ／Ｄコンバータ４
２へ送られる。コンバータの出力信号はマイクロプロセッサ３９へ送られる。
後部ミラーに設けられており、レーザーによって後方に放出される光を測定する
ようになっている。検出器の信号Ｉ３は増幅器４１を介してＡ／Ｄコンバータ４
２へ送られる。コンバータの出力信号はマイクロプロセッサ３９へ送られる。
【００２０】 従って、本発明は、同調可能なレーザー１５が、異なるレーザー部分を通過す
る異なる電流の組み合わせによって決定された適当なレーザー作動ポイントを特
徴とし、前記レーザーが選択された所定の作動ポイントで作動するようになって
いる、同調可能なレーザーの波長をロックし、モードをモニタする方法に関する
。
る異なる電流の組み合わせによって決定された適当なレーザー作動ポイントを特
徴とし、前記レーザーが選択された所定の作動ポイントで作動するようになって
いる、同調可能なレーザーの波長をロックし、モードをモニタする方法に関する
。
【００２１】 本発明によれば、前方に放出されるレーザー光および後方に放出されるレーザ
ー光のパワーを測定し、前方に放出されるレーザー光の一部の波長を波長選択フ
ィルタにより検出する。
ー光のパワーを測定し、前方に放出されるレーザー光の一部の波長を波長選択フ
ィルタにより検出する。
【００２２】 本発明によれば、前方に放出されたレーザー光の一部を第１検出器３１に導き
、更に波長選択フィルタ３２を介し、第２検出器３４にも導く。
、更に波長選択フィルタ３２を介し、第２検出器３４にも導く。
【００２３】 本発明によれば、繰り返し方法によりレーザー１５を制御する。この繰り返し
方法では、波長を一定に保持し、レーザーのモードをロックするようにレーザー
の反射器部分および適用可能な場合にはレーザーのカプラー部分を通過する交流
電流と、前記レーザーの位相部分を通過する電流とを調節する。このような繰り
返し方法は、一定の波長を維持するように前記レーザーの位相部分を通過する電
流を調節すると同時に、後方へのパワーＩ３と前方へのパワーＩ４との関係に関
する最小値が得られるよう、反射器部分およびカプラー部分を通過する電流１７
、１９を調節することによって行われる。波長は波長基準手段に対して測定され
る。
方法では、波長を一定に保持し、レーザーのモードをロックするようにレーザー
の反射器部分および適用可能な場合にはレーザーのカプラー部分を通過する交流
電流と、前記レーザーの位相部分を通過する電流とを調節する。このような繰り
返し方法は、一定の波長を維持するように前記レーザーの位相部分を通過する電
流を調節すると同時に、後方へのパワーＩ３と前方へのパワーＩ４との関係に関
する最小値が得られるよう、反射器部分およびカプラー部分を通過する電流１７
、１９を調節することによって行われる。波長は波長基準手段に対して測定され
る。
【００２４】 本明細書における電流制御とは、電流発生器により複数の部分を通過する電流
を制御すること、または複数の部分の両端の電圧を制御することによって複数の
部分を通過する電流を制御することを意味する。 図４の実施例の場合、レーザーの前方ミラーの近くには第１検出器と、第２検
出器と、ファブリ−ペローフィルタとが設けられている。別の例によれば、前記
レーザーの後方ミラーの近くに同じようにこれら部品を設けてもよく、この場合
、前記後方ミラーから放出されるレーザー光を使って波長を測定する。
を制御すること、または複数の部分の両端の電圧を制御することによって複数の
部分を通過する電流を制御することを意味する。 図４の実施例の場合、レーザーの前方ミラーの近くには第１検出器と、第２検
出器と、ファブリ−ペローフィルタとが設けられている。別の例によれば、前記
レーザーの後方ミラーの近くに同じようにこれら部品を設けてもよく、この場合
、前記後方ミラーから放出されるレーザー光を使って波長を測定する。
【００２５】 好ましい実施例によれば、波長基準手段はファブリ−ペローフィルタ３２を含
み、このフィルタは所望する波長を含むチャンネル平面内に含まれる各波長に対
し、所定の透過率を有し、他の波長に関しては前記所定の透過率からずれた透過
率を示す。
み、このフィルタは所望する波長を含むチャンネル平面内に含まれる各波長に対
し、所定の透過率を有し、他の波長に関しては前記所定の透過率からずれた透過
率を示す。
【００２６】 本発明の好ましい実施例によれば、レーザー１５から前方に放出されるレーザ
ー光の一部を、一方で第１検出器３３に導くと共に、他方でファブリ−ペローフ
ィルタ３２を介し、第２検出器３４にも導く。前方に放出されたレーザー光を測
定するために、レーザー１５の後方ミラーにモニタダイオード４０が設けられて
いる。これら検出器３３、３４、４０は公知の態様で光のパワーを測定すると共
に、対応する検出器の信号Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３を送り出すようになっている。第２
検出器３４からの検出器の信号と第１検出器３３からの検出器の信号との比Ｉ１
／Ｉ２が、所定の範囲内に収まり、ファブリ−ペローフィルタ３２が示す多数の
波長の１つの範囲内に放出された光が収まるのと同時に、モニタダイオード４０
から検出器の信号と第１検出器３３からの検出器の信号の比Ｉ３／Ｉ２が最小値
となるように、反射器部分１７とカプラー部分１９とを通過する電流を調節する
。
ー光の一部を、一方で第１検出器３３に導くと共に、他方でファブリ−ペローフ
ィルタ３２を介し、第２検出器３４にも導く。前方に放出されたレーザー光を測
定するために、レーザー１５の後方ミラーにモニタダイオード４０が設けられて
いる。これら検出器３３、３４、４０は公知の態様で光のパワーを測定すると共
に、対応する検出器の信号Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３を送り出すようになっている。第２
検出器３４からの検出器の信号と第１検出器３３からの検出器の信号との比Ｉ１
／Ｉ２が、所定の範囲内に収まり、ファブリ−ペローフィルタ３２が示す多数の
波長の１つの範囲内に放出された光が収まるのと同時に、モニタダイオード４０
から検出器の信号と第１検出器３３からの検出器の信号の比Ｉ３／Ｉ２が最小値
となるように、反射器部分１７とカプラー部分１９とを通過する電流を調節する
。
【００２７】 フィルタはいわゆるファブリ−ペローフィルタであることが好ましい。かかる
フィルタは周知であるので、本ケースでは詳細に説明しない。このファブリ−ペ
ローフィルタは所定の光だけを、すなわち所定の波長の倍数である波長の光だけ
を透過するように設計できる。このファブリ−ペローフィルタは他の波長では上
下にずれた透過率を有する。
フィルタは周知であるので、本ケースでは詳細に説明しない。このファブリ−ペ
ローフィルタは所定の光だけを、すなわち所定の波長の倍数である波長の光だけ
を透過するように設計できる。このファブリ−ペローフィルタは他の波長では上
下にずれた透過率を有する。
【００２８】 少なくとも波長を検出するように、図４に示される態様と異なる態様でファブ
リ−ペローフィルタと第１検出器および第２検出器とを互いに配置することがで
きる。第１および第２検出器は、ファブリ−ペローフィルタを透過した光および
／またはファブリ−ペローフィルタで反射された光を測定し、波長を検出するよ
うに構成できる。
リ−ペローフィルタと第１検出器および第２検出器とを互いに配置することがで
きる。第１および第２検出器は、ファブリ−ペローフィルタを透過した光および
／またはファブリ−ペローフィルタで反射された光を測定し、波長を検出するよ
うに構成できる。
【００２９】 これとは異なり、波長を検出するように公知の態様でフィルタの一方のエッジ
のレベルを検出する場合、広バンド波長フィルタを移用することもできる。
のレベルを検出する場合、広バンド波長フィルタを移用することもできる。
【００３０】 従って、繰り返し方法とは、まず例えばレーザーのモードをロックするように
反射器の電流およびカプラーの電流を調節し、その後、正しい波長を得るように
位相電流を調節し、その後、反射器の電流およびカプラーの電流を再び調節し、
その後、位相電流を調節し、測定された異なるパワーの比が所定の範囲内に収ま
るまで、上記方法を繰り返すことを意味する。レーザーはパワーの比が所定の範
囲内に収まるような正しいモードで正しい波長を送り出すものと見なす。
反射器の電流およびカプラーの電流を調節し、その後、正しい波長を得るように
位相電流を調節し、その後、反射器の電流およびカプラーの電流を再び調節し、
その後、位相電流を調節し、測定された異なるパワーの比が所定の範囲内に収ま
るまで、上記方法を繰り返すことを意味する。レーザーはパワーの比が所定の範
囲内に収まるような正しいモードで正しい波長を送り出すものと見なす。
【００３１】 前方方向に放出されるパワーが一定のままであれば、上記方法を大幅に簡略化
できる。
できる。
【００３２】 従って、第１検出器３３からの信号をパワー制御回路２０へ送ることが好まし
く、このパワー制御回路２０は繰り返し方法中に一定のパワー出力を有する光を
レーザー１５が送り出すようにさせる。
く、このパワー制御回路２０は繰り返し方法中に一定のパワー出力を有する光を
レーザー１５が送り出すようにさせる。
【００３３】 前方に放出されるパワーを一定に保持するには、波長がロック状態に保持され
るサブ条件下で最適な作動ポイント、すなわちモードロックが達成されるように
、後方に放出されるパワーを最小限にする必要がある。
るサブ条件下で最適な作動ポイント、すなわちモードロックが達成されるように
、後方に放出されるパワーを最小限にする必要がある。
【００３４】 前方ミラーと後方ミラーの双方から放出される光を測定する代わりに、利得部
分の両端の電圧を測定すると、これら方向の一方だけに放出される光を測定でき
る。後方ミラーと前方ミラーの双方から放出される光を測定する代わりに、放出
される光のパワーと共にこの電圧を使用することによってレーザーのモードをモ
ニタすることができる。従って、この電圧およびミラーの一方で放出される光の
パワーから、後方に放出されるパワーと前方に放出されるパワーとの比に関する
最小値を得ることができる。
分の両端の電圧を測定すると、これら方向の一方だけに放出される光を測定でき
る。後方ミラーと前方ミラーの双方から放出される光を測定する代わりに、放出
される光のパワーと共にこの電圧を使用することによってレーザーのモードをモ
ニタすることができる。従って、この電圧およびミラーの一方で放出される光の
パワーから、後方に放出されるパワーと前方に放出されるパワーとの比に関する
最小値を得ることができる。
【００３５】 本発明は、レーザーの劣化の測定および劣化したレーザーの異なる作動ポイン
トに対する同調電流の計算に適用できる。
トに対する同調電流の計算に適用できる。
【００３６】 この目的に対して極めて好ましい１つの実施例によれば、最初に設定されたモ
ードにおけるレーザー光の発生と同時に、初期設定された波長をレーザが発生す
るように、同調部分を通過する電流を調節し、その後、それぞれの同調部分に対
する初期電流と当該電流との商を計算する。これによってレーザーの劣化の極め
て良好な測定値が得られる。次にこれら商を使って他のすべての作動ポイントの
電流をスケーリングし直し、調節された作動ポイントを得る。
ードにおけるレーザー光の発生と同時に、初期設定された波長をレーザが発生す
るように、同調部分を通過する電流を調節し、その後、それぞれの同調部分に対
する初期電流と当該電流との商を計算する。これによってレーザーの劣化の極め
て良好な測定値が得られる。次にこれら商を使って他のすべての作動ポイントの
電流をスケーリングし直し、調節された作動ポイントを得る。
【００３７】 従って、本発明は本明細書の導入部に記載した問題を解決するものである。
【００３８】 以上で、種々の実施例を参照し、ＧＣＳＲレーザーに関連して本発明について
説明したが、同じ結果を得ながら、かつ上記装置の構造上の設計を変えることが
できることが明らかとなろう。本発明は異なるタイプのレーザーからＧＣＳＲレ
ーザーまで適用できる。
説明したが、同じ結果を得ながら、かつ上記装置の構造上の設計を変えることが
できることが明らかとなろう。本発明は異なるタイプのレーザーからＧＣＳＲレ
ーザーまで適用できる。
【００３９】 従って、本発明はこれまで述べ、図示した本発明の実施例のみに限定されるも
のでなく、特許請求の範囲内で変更可能である。
のでなく、特許請求の範囲内で変更可能である。
【図１】 ＤＢＲレーザーの一部切り欠き斜視図である。
【図２】 同調可能な格子型結合サンプリング反射器（ＧＣＳＲ）レーザーの断面図であ
る。
る。
【図３】 サンプリング格子型ＤＢＲレーザーの断面図である。
【図４】 本発明に従って使用される装置の略ブロック図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ 【要約の続き】 る電流を調節する工程とを含むことを特徴とする。
Claims (5)
- 【請求項１】 注入電流を変更できる２つ以上の同調可能な部分（１５）を
含み、前記同調可能な部分が少なくとも１つの反射器部分と１つの位相部分とを
含み、前記同調可能なレーザー（１５）が、異なるレーザー部分を通過する異な
る電流の組み合わせによって決定された適当なレーザー作動ポイントを特徴とし
、前記レーザーが選択された所定の作動ポイントで作動するようになっている、
同調可能なレーザー（１５）の波長をロックし、モードをモニタする方法におい
て、 波長選択フィルタを用い、レーザーから放出される光の波長を検出する工程と
、前記レーザーの反射器部分（１７）および使用可能な場合にはそのカプラー部
分（１９）を通過する交流電流および前記レーザーの位相部分（１８）を通過す
る電流を調節する繰り返し方法で前記レーザーを制御する工程と、後方へのパワ
ー（Ｉ３）と前方へのパワー（Ｉ２）との比に関する最小値が得られるよう、反
射器部分およびカプラー部分を通過する電流を調節する工程と、波長基準手段（
３２）に対して測定される波長を一定に保持するように、レーザーの位相部分（
１８）を通過する電流を調節する工程とを含むことを特徴とする、同調可能なレ
ーザーの波長をロックし、モードをモニタする方法。 - 【請求項２】 波長基準手段が、ファブリ−ペローフィルタ（３２）を含み
、このフィルタが、所望する波長を含むチャンネル平面に含まれる各波長に対し
所定の透過率を有し、更に他の波長に対し、前記所望する波長からずれた透過率
を有することを特徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前方に放出されたレーザー光の一部を、一方で第１検出器（
３３）に導くと共に、他方で、いわゆるファブリ−ペローフィルタ（３２）を介
し、第２検出器（３４）へ導く工程と、レーザー（１５）の後方ミラーに設けら
れたモニタダイオード（４０）を用いて後方に放出されたレーザー光を測定する
工程とを備え、前記検出器（３３、３４、４０）がレーザー光のパワーを測定す
ると共に、対応する検出器の信号（Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３）を送り出すようになって
おり、更にモニタダイオード（４０）からの検出器の信号（Ｉ３）と、第１検出
器（３３）からの検出器の信号（Ｉ１）との比が最小値をとるように、反射器部
分およびカプラー部分（１７、１９）を通過する電流を調節する工程と、第２検
出器（３４）からの検出器の信号（Ｉ２）と第１検出器（３３）からの検出器の
信号（Ｉ１）との比（Ｉ１、Ｉ２）が所定の範囲内に収まり、放出された光がフ
ァブリ−ペローフィルタ（３２）が示す多数の波長の１つに収まるよう、位相部
分（１８）を通過する電流を調節する工程とを備えたことを特徴とする、請求項
１または２記載の方法。 - 【請求項４】 パワー制御回路（２０）に第１検出器（３３）からの信号を
印加し、パワー制御回路（２０）がレーザー（１５）を制御し、このレーザーが
繰り返し方法中に一定パワーの光を放出するように機能することを特徴とする、
請求項１、２または３記載の方法。 - 【請求項５】 初期設定されたモードでレーザー動作させると同時に、レー
ザーが初期設定された波長を放出するように、前記同調部分を通過する電流を調
節した後に、それぞれの同調部分に関し、初期電流と当該電流との商を計算する
工程と、これら商を使って他のすべての作動ポイントの電流をスケーリングし直
し、これと共に、調節された作動ポイントを示す工程を特徴とする、請求項１、
２または３記載の方法。
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| US6192058B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-02-20 | Sarnoff Corporation | Multiwavelength actively mode-locked external cavity semiconductor laser |
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