JP2002530875A - 分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法 - Google Patents
分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法Info
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Abstract
(57)【要約】
分配された帰還レーザ装置の配列(1)における出力変動は、飽和可能な吸収領域内の飽和可能な吸収格子を誘発させることによって減少される。光はDFB領域(2)で結合され、増幅領域(4)で増幅される。帰還ループ(5)は前記増幅された光の一部を反射し、反転分布ビームは、発振出力を抑制する飽和可能な吸収領域内の吸収格子を誘発する。増幅領域(4)はエルビウム注入型ファイバを備えても良く、飽和可能な吸収領域はエルビウム注入型ファイバのポンピングされていない部分、あるいは、長手部分、または平面導波路を備えても良い。
Description
【0001】
本発明は、例えば、分散フィードバック(distributed feedback:DFB)ファイバ
レーザのような分散フィードバックレーザにおけるパルス強度を抑制する方法に
関する。
レーザのような分散フィードバックレーザにおけるパルス強度を抑制する方法に
関する。
【0002】
遠距離通信における光ファイバネットワークの実用化は、その帯域幅の可能性
の高さゆえに益々有力視されている。さらに、最近のエルビウム注入型ファイバ
による増幅(EDFA)の導入により、波長分割多重伝送(WDM)システムは
並列チャンネルの多重化できるものとして紹介されている。WDM密度の増加は
動作原理により厳しい条件を求めるものとなる。これにより、出力変動の低さに
加え、レーザの送信機は正確な波長の選択性と高度な波長安定性が要求される。
の高さゆえに益々有力視されている。さらに、最近のエルビウム注入型ファイバ
による増幅(EDFA)の導入により、波長分割多重伝送(WDM)システムは
並列チャンネルの多重化できるものとして紹介されている。WDM密度の増加は
動作原理により厳しい条件を求めるものとなる。これにより、出力変動の低さに
加え、レーザの送信機は正確な波長の選択性と高度な波長安定性が要求される。
【0003】 一般的なエルビウム注入型DFBファイバレーザのようなファイバレーザは、
結合損失がとても小さいことから典型的に適しているものである。WDMシステ
ムにおいて低ノイズで狭光線幅であるDFBファイバの潜在能力は、デジタル伝
送試験で証明されてきた。さらに、受動的な温度補償パッケージを用いれば、D
FBファイバレーザの波長安定性は、−20/+80℃の温度範囲において1G
Hzより高い値を示す。
結合損失がとても小さいことから典型的に適しているものである。WDMシステ
ムにおいて低ノイズで狭光線幅であるDFBファイバの潜在能力は、デジタル伝
送試験で証明されてきた。さらに、受動的な温度補償パッケージを用いれば、D
FBファイバレーザの波長安定性は、−20/+80℃の温度範囲において1G
Hzより高い値を示す。
【0004】 しかしながら、エルビウム注入型DFBレーザの自己発振により、出力される
レーザ光に出力変動が生じる。自己発振の源は、エルビウム濃度が高い場合にお
けるイオンのクラスター化と関連している(Sanchez et. al. Phys. Rev. A, 48(
3), 2220-2229)。イオンのクラスターは、スイッチング時間を反転分布の回復時
間よりも非常に短くする飽和緩衝材として機能すると共に、最終的にレーザのス
パイキング反応を引き起こす。
レーザ光に出力変動が生じる。自己発振の源は、エルビウム濃度が高い場合にお
けるイオンのクラスター化と関連している(Sanchez et. al. Phys. Rev. A, 48(
3), 2220-2229)。イオンのクラスターは、スイッチング時間を反転分布の回復時
間よりも非常に短くする飽和緩衝材として機能すると共に、最終的にレーザのス
パイキング反応を引き起こす。
【0005】 エルビウム濃度を低下させつつもキャビティの短いDFBファイバレーザで十
分なゲインを供給することは、ポンピング効率を向上させるイッテルビウム(Y
b)の注入によって達成される(Kringlebotn et. al. IEEE Photon. Technology
Letters 5(10), 1162-1164 (1993))。しかしながら、幾つものDFBファイバ
レーザを直列接続する必要がある場合には、上述のイッテルビウムをも注入する
方法はイッテルビウムが多大な量のポンピングエネルギを吸収してしまうという
不利な点を有する。従って、一般的にポンピング源を分離することが必要である
。
分なゲインを供給することは、ポンピング効率を向上させるイッテルビウム(Y
b)の注入によって達成される(Kringlebotn et. al. IEEE Photon. Technology
Letters 5(10), 1162-1164 (1993))。しかしながら、幾つものDFBファイバ
レーザを直列接続する必要がある場合には、上述のイッテルビウムをも注入する
方法はイッテルビウムが多大な量のポンピングエネルギを吸収してしまうという
不利な点を有する。従って、一般的にポンピング源を分離することが必要である
。
【0006】 自己発振に抗してレーザを安定化させることは、共鳴ポンピング(Loh et. al.
Optics Letters, 21(18), 1475-1477(1996))または、準安定状態にあるエルビ
ウムイオンにも直接的にポンピングを行ない、反転分布の発振を減衰させる方法
(Loh et.al. Optics Letters, 22(15), 1174-1176(1997))によって達成される。
しかしながら、この手法には、ポンピングの波長が信号の波長に近くなるという
不利な点があった。現在、一般的に用いられている信号の波長である1480n
m付近に近い波長を有する発振源はとても高価である。
Optics Letters, 21(18), 1475-1477(1996))または、準安定状態にあるエルビ
ウムイオンにも直接的にポンピングを行ない、反転分布の発振を減衰させる方法
(Loh et.al. Optics Letters, 22(15), 1174-1176(1997))によって達成される。
しかしながら、この手法には、ポンピングの波長が信号の波長に近くなるという
不利な点があった。現在、一般的に用いられている信号の波長である1480n
m付近に近い波長を有する発振源はとても高価である。
【0007】
本発明は、分配された帰還領域を有する導波路の構造と、前記分配された帰還
領域の出力を増幅するための信号増幅領域と、飽和可能な吸収領域とを備える分
配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法において、
前記飽和可能な吸収領域における飽和可能な吸収格子を誘発させる分配された帰
還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法を提供する。
領域の出力を増幅するための信号増幅領域と、飽和可能な吸収領域とを備える分
配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法において、
前記飽和可能な吸収領域における飽和可能な吸収格子を誘発させる分配された帰
還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法を提供する。
【0008】 前記方法では、レーザ装置の配列内において、前記飽和可能な吸収領域は、前
記信号増幅領域の一端に配設されていても良い。
記信号増幅領域の一端に配設されていても良い。
【0009】 前記方法では、レーザ装置の配列内において、前記飽和可能な吸収領域は、前
記信号増幅部分の一部をなしていても良い。
記信号増幅部分の一部をなしていても良い。
【0010】 前記方法では、レーザ装置の配列内において、前記信号増幅領域は、前記分配
された帰還領域と共に帰還ループ内に配設されていても良い。
された帰還領域と共に帰還ループ内に配設されていても良い。
【0011】 前記方法では、前記帰還ループは、前記信号増幅領域の出力部を前記分配され
た帰還領域に結合することによって形成されていても良い。
た帰還領域に結合することによって形成されていても良い。
【0012】 前記方法では、前記分配された帰還レーザ領域は、エルビウム注入型ファイバ
から形成されている。
から形成されている。
【0013】 前記方法では、前記信号増幅領域は、エルビウム注入型ファイバから形成され
ている。
ている。
【0014】 前記方法では、前記飽和可能な吸収領域は、エルビウム注入型ファイバから形
成されている。
成されている。
【0015】 前記方法では、前記帰還ループは、前記分配された帰還領域の出力に対して位
相が変調されていても良い。
相が変調されていても良い。
【0016】 前記方法では、前記帰還信号は共鳴ポンピングをもたらすと共に、前記分配さ
れた帰還領域におけるゲインを閾値まで飽和されていても良い。
れた帰還領域におけるゲインを閾値まで飽和されていても良い。
【0017】 前記方法では、幾つかの前記分配された帰還領域は、直列接続されていても良
い。
い。
【0018】 前記方法では、前記配列を構成するために、一の信号増幅領域と、一の飽和吸
収領域と、一の帰還ループとは、前記分配された帰還領域の間に配設されていて
も良い。
収領域と、一の帰還ループとは、前記分配された帰還領域の間に配設されていて
も良い。
【0019】 前記方法では、前記分配された帰還領域は、ブラッグ格子構造を備えていても
良い。
良い。
【0020】 前記方法では、前記ブラッグ格子構造は、チャープド・ブラッグ格子(chirped
Bragg grating)を備えていても良い。
Bragg grating)を備えていても良い。
【0021】 前記方法では、前記ブラッグ格子構造は、標本的なブラッグ格子(sampled Bra
gg grating)を備えていても良い。
gg grating)を備えていても良い。
【0022】 前記方法では、前記ブラッグ格子構造は、位相変調されたブラッグ格子(phase
shifted Bragg grating)を備えていても良い。
shifted Bragg grating)を備えていても良い。
【0023】 前記方法では、前記格子はアポダイスド格子(apodised grating)を備えていて
も良い。
も良い。
【0024】 前記方法では、前記導波路構造は、平面導波路を備えていても良い。
【0025】 前記方法では、前記分配された帰還領域は、平面導波路の形態であっても良い
。
。
【0026】 前記方法では、前記信号増幅領域は、平面導波路の形態であっても良い。
【0027】 前記方法では、前記飽和可能な吸収領域は、平面導波路の形態であっても良い
。
。
【0028】
本発明の視野には他の形態も含まれるのであるが、ここでは好適な形態を、単
に例示的に添付の図面に示して説明する。
に例示的に添付の図面に示して説明する。
【0029】 図1は、本発明の好適な配置1を示しており、エルビウム注入型ファイバ内に
配設された長さ6cmのDFB構造2を示している。DFBは980nmポンプ
3によってポンピングされる。DFB構造2は、発振されるポンピング出力であ
る約0.5mWのうちの約20%しか吸収しない。残りのポンピング出力は、エ
ルビウム注入度の低いファイバ4(以下EDF部分4と称する)の部分をポンピ
ングするために用いられる。このファイバはEDF−2としてオーストラリアの
NSW、レッドファーンにあるレッドファーンファイバーズ・オブ・オーストラ
リアンテクノロジーパークから商業的に入手可能である。EDF部分4はDFB
構造2のレーザ出力を10mWにまで増幅させる出力増幅器として機能する。
配設された長さ6cmのDFB構造2を示している。DFBは980nmポンプ
3によってポンピングされる。DFB構造2は、発振されるポンピング出力であ
る約0.5mWのうちの約20%しか吸収しない。残りのポンピング出力は、エ
ルビウム注入度の低いファイバ4(以下EDF部分4と称する)の部分をポンピ
ングするために用いられる。このファイバはEDF−2としてオーストラリアの
NSW、レッドファーンにあるレッドファーンファイバーズ・オブ・オーストラ
リアンテクノロジーパークから商業的に入手可能である。EDF部分4はDFB
構造2のレーザ出力を10mWにまで増幅させる出力増幅器として機能する。
【0030】 DFB主発振器であるDFB構造2は、増幅部分であるEDF部分4から隔離
されておらず、その性能は、低反射率のループミラー5により意図的に誘発され
る帰還波による影響を受けている。この低反射率のループミラー5は、出力の比
率が3%のカプラによって構成されるカプラ6に基づいて構成されている。この
帰還波は、出力増幅器内で反対向きの増幅波を発生させる。
されておらず、その性能は、低反射率のループミラー5により意図的に誘発され
る帰還波による影響を受けている。この低反射率のループミラー5は、出力の比
率が3%のカプラによって構成されるカプラ6に基づいて構成されている。この
帰還波は、出力増幅器内で反対向きの増幅波を発生させる。
【0031】 出力の発振を抑圧する技術は、EDF部分4の端部における飽和可能な吸収工
程に依存している。
程に依存している。
【0032】 ミラー5からの帰還波がなければ、レーザは自己発振する(図2における線1
00参照)。しかしながら、ミラー5を備えれば、レーザはCWモード(図2に
おける線110参照)で動作する。図3に示すように、出力増幅器4の長手部分
はポンピングされており、即ち、この長手部分では利得(ゲイン)よりも損失が
生じている。従って、好適な形態では、エルビウム注入型ファイバにおける飽和
可能な吸収特性による反対向きの増幅波の干渉パターンによって、出力増幅器の
長手部分において吸収格子が誘発される。しかしながら、代替的にさらに長いエ
ルビウム注入型ファイバまたは他の形態の飽和可能な吸収領域を用いることも可
能であることが認識されるべきである。
00参照)。しかしながら、ミラー5を備えれば、レーザはCWモード(図2に
おける線110参照)で動作する。図3に示すように、出力増幅器4の長手部分
はポンピングされており、即ち、この長手部分では利得(ゲイン)よりも損失が
生じている。従って、好適な形態では、エルビウム注入型ファイバにおける飽和
可能な吸収特性による反対向きの増幅波の干渉パターンによって、出力増幅器の
長手部分において吸収格子が誘発される。しかしながら、代替的にさらに長いエ
ルビウム注入型ファイバまたは他の形態の飽和可能な吸収領域を用いることも可
能であることが認識されるべきである。
【0033】 4つの波を合成する工程により、帰還信号はDFBの出力と位相が合成され、
帰還信号の位相における環境的な振動の影響が排除される。4波合成に含まれる
4つの波は、1)最初にDFBから出射する波、2)前記1)の波と干渉するミ
ラー5からの反射波、3)さらにDFBから出射する波、4)残りの散乱波であ
る。増幅された帰還信号は共鳴ポンピングをもたらすと共に、さらにDFBのゲ
インを閾値まで飽和させ、反転分布における緩和された発振を減衰させる。さら
に、DFBは、常にレーザのロッキングレンジ内にある帰還信号に固定されるよ
うに注入されていても良い。
帰還信号の位相における環境的な振動の影響が排除される。4波合成に含まれる
4つの波は、1)最初にDFBから出射する波、2)前記1)の波と干渉するミ
ラー5からの反射波、3)さらにDFBから出射する波、4)残りの散乱波であ
る。増幅された帰還信号は共鳴ポンピングをもたらすと共に、さらにDFBのゲ
インを閾値まで飽和させ、反転分布における緩和された発振を減衰させる。さら
に、DFBは、常にレーザのロッキングレンジ内にある帰還信号に固定されるよ
うに注入されていても良い。
【0034】 代替的に、レーザは4ミラーキャビティとして見ることもでき、この取り組み
方は、Horowitz, R, Daisy と B. Fischer の文献Opt. Lett., 21(4), 299-301(
1996)において提案されている取り組み方を用いることによって説明されるもの
である。ここでは、フィルター効果は、第一に、吸収格子の位相の識別性と関連
しており、変調の側波帯(図4参照)は位相において送還する必要がないため、
この吸収格子はキャリア周波数に関して変調の側波帯を識別するものである。
方は、Horowitz, R, Daisy と B. Fischer の文献Opt. Lett., 21(4), 299-301(
1996)において提案されている取り組み方を用いることによって説明されるもの
である。ここでは、フィルター効果は、第一に、吸収格子の位相の識別性と関連
しており、変調の側波帯(図4参照)は位相において送還する必要がないため、
この吸収格子はキャリア周波数に関して変調の側波帯を識別するものである。
【0035】 当業者であれば、広く記載された本発明の精神及び視野から逸脱することなく
、特定の形態に示された本発明の様々な変更例及び/又は改良例を想到しうるで
あろう。それゆえ、この形態は例示的に考慮されるべきであり、限定的に考慮さ
れるものではない。
、特定の形態に示された本発明の様々な変更例及び/又は改良例を想到しうるで
あろう。それゆえ、この形態は例示的に考慮されるべきであり、限定的に考慮さ
れるものではない。
【図1】 図1は、好適な形態の配列を概略的に示している。
【図2】 図2は、帰還波有り及び帰還波無しの場合におけるレーザ出力の強弱を示して
いる。
いる。
【図3】 図3は、980nmのポンピング出力を47mWとした出力増幅器の出力依存
特性を示している。
特性を示している。
【図4】 図4は、帰還波有り及び帰還波無しの場合に測定したレーザ光線の幅を示して
いる。
いる。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年10月30日(2000.10.30)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【発明の概要】 本発明は、分配された帰還領域を有する導波路の構造と、前記分配された帰還
領域の出力を増幅するための信号増幅領域と、飽和可能な吸収領域とを備える分
配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法において、 前記分配された帰還領域から照射する光を用いて前記飽和可能な吸収領域内の飽 和可能な吸収格子を誘発する工程を備える 分配された帰還レーザ装置の配列の出
力における変動を低減させる方法を提供する。
領域の出力を増幅するための信号増幅領域と、飽和可能な吸収領域とを備える分
配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法において、 前記分配された帰還領域から照射する光を用いて前記飽和可能な吸収領域内の飽 和可能な吸収格子を誘発する工程を備える 分配された帰還レーザ装置の配列の出
力における変動を低減させる方法を提供する。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】 前記方法では、前記分配された帰還レーザ領域は、エルビウム注入型ファイバ
から形成されていても良い。
から形成されていても良い。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】 前記方法では、前記信号増幅領域は、エルビウム注入型ファイバから形成され
ていても良い。
ていても良い。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】 前記方法では、前記飽和可能な吸収領域は、エルビウム注入型ファイバから形
成されていても良い。
成されていても良い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H047 LA00 LA02 LA12 NA08 RA08 TA11 5F072 AB09 AK06 JJ05 KK07 KK30 PP07 YY17
Claims (21)
- 【請求項1】 分配された帰還領域を有する導波路の構造と、前記分配され
た帰還領域の出力を増幅するための信号増幅領域と、飽和可能な吸収領域とを備
える分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法にお
いて、前記飽和可能な吸収領域における飽和可能な吸収格子を誘発させる分配さ
れた帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項2】 レーザ装置の配列内において、前記飽和可能な吸収領域は、
前記信号増幅領域の一端に配設される請求項1記載の分配された帰還レーザ装置
の配列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項3】 レーザ装置の配列内において、前記飽和可能な吸収領域は、
前記信号増幅部分の一部をなす請求項1記載の分配された帰還レーザ装置の配列
の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項4】 レーザ装置の配列内において、前記信号増幅領域は、前記分
配された帰還領域と共に帰還ループ内に配設される先行するあらゆる請求項に記
載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項5】 前記帰還ループは、前記信号増幅領域の出力部を前記分配さ
れた帰還領域に結合することによって形成される請求項4記載の分配された帰還
レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項6】 前記分配された帰還レーザ領域は、エルビウム注入型ファイ
バから形成される先行するあらゆる請求項記載の分配された帰還レーザ装置の配
列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項7】 前記信号増幅領域は、エルビウム注入型ファイバから形成さ
れる先行するあらゆる請求項記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力にお
ける変動を低減させる方法。 - 【請求項8】 前記飽和可能な吸収領域は、エルビウム注入型ファイバから
形成される先行するあらゆる請求項記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出
力における変動を低減させる方法。 - 【請求項9】 前記帰還ループは、前記分配された帰還領域の出力に対して
位相が変調された帰還信号を提供する請求項4ないし8のいずれか記載の分配さ
れた帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項10】 前記帰還信号は共鳴ポンピングをもたらすと共に、前記分
配された帰還領域におけるゲインを閾値まで飽和させる請求項4ないし9のいず
れか記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方
法。 - 【請求項11】 幾つかの前記分配された帰還領域は、直列接続されている
先行するあらゆる請求項記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における
変動を低減させる方法。 - 【請求項12】 前記配列を構成するために、一の信号増幅領域と、一の飽
和吸収領域と、一の帰還ループとは、前記分配された帰還領域の間に配設されて
いる請求項11記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低
減させる方法。 - 【請求項13】 前記分配された帰還領域は、ブラッグ格子構造を備える先
行するあらゆる請求項記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変
動を低減させる方法。 - 【請求項14】 前記ブラッグ格子構造は、チャープド・ブラッグ格子を備
える請求項13記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低
減させる方法。 - 【請求項15】 前記ブラッグ格子構造は、標本的なブラッグ格子を備える
請求項13または14記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変
動を低減させる方法。 - 【請求項16】 前記ブラッグ格子構造は、位相変調されたブラッグ格子を
備える先行するあらゆる請求項記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力に
おける変動を低減させる方法。 - 【請求項17】 前記格子はアポダイスド格子を備える請求項13ないし1
6のいずれか記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減
させる方法。 - 【請求項18】 前記導波路構造は、平面導波路を備える請求項1記載の分
配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させる方法。 - 【請求項19】 前記分配された帰還領域は、平面導波路の形態である請求
項18又は19記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低
減させる方法。 - 【請求項20】 前記信号増幅領域は、平面導波路の形態である請求項18
又は19記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力における変動を低減させ
る方法。 - 【請求項21】 前記飽和可能な吸収領域は、平面導波路の形態である請求
項18ないし20のいずれか記載の分配された帰還レーザ装置の配列の出力にお
ける変動を低減させる方法。
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