JP2002527742A - 薄膜材料を光学的に測定する装置 - Google Patents
薄膜材料を光学的に測定する装置Info
- Publication number
- JP2002527742A JP2002527742A JP2000576265A JP2000576265A JP2002527742A JP 2002527742 A JP2002527742 A JP 2002527742A JP 2000576265 A JP2000576265 A JP 2000576265A JP 2000576265 A JP2000576265 A JP 2000576265A JP 2002527742 A JP2002527742 A JP 2002527742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measuring
- raman
- thin film
- film material
- excitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 27
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 1
- 238000001530 Raman microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N2021/653—Coherent methods [CARS]
- G01N2021/656—Raman microprobe
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
この発明は、フレームと、単色光励起レーザ光源（２１）と、前記励起光源（２１）によって射出された光束を測定すべき材料に向けて導き、数十平方ミクロンの最小面積にわたって単位表面当りのエネルギ分布を均一にする手段（２２）を備えた光学手段（２３、２４）、および、ラマン効果によって散乱された光を集める（２４）と共に選択する（２７、２８）手段とからなる後方散乱ラマン分光測光法によって薄膜材料を光学的に測定する装置に関する。装置は、さらに、反射計的測定のための手段（３−１４）をラマン測定手段と一体的に設け、これに対して、前記反射計的測定のための手段が、前記ラマン励起手段と試料の同じ領域に向けられる反射計的励起手段（３−９）を備えている。
Description
【０００１】
この発明は、薄膜材料を光学的に測定する装置に関する。
【０００２】
このような測定は非破壊的なものであるとともに製造中にもあるいは最終製品
の検査のためにも原位置において使えるので、分析すべき材料を構成している少
なくとも或る部材についての測定が行なえるとともにその濃度も測定できる。ま
た、薄膜の厚さに対応することもできる。
の検査のためにも原位置において使えるので、分析すべき材料を構成している少
なくとも或る部材についての測定が行なえるとともにその濃度も測定できる。ま
た、薄膜の厚さに対応することもできる。
【０００３】 測定を行なうために、現在までに、一面では、ラマン分光測定装置が、他面で
は、反射計、測光器、あるいは、分光計であることができる楕円偏光計が知られ
ている。
は、反射計、測光器、あるいは、分光計であることができる楕円偏光計が知られ
ている。
【０００４】 ラマン効果が、照明光束としての波長λｅで拡散されるレイリー光の強度に関
して非常に小さな強度を有する波長λｅに近い波長λｒにおいてラマン光束を拡
散する所定の波長λｅにおいて照明される試料により発生するは、公知である。
ラマン分光計が顕微鏡と組み合わせられるとき、照明光束は、試料に関して直角
に入射し、従って、ラマン散乱が、一定の広角度でその強度およびそのスペクト
ルによって測定される。
して非常に小さな強度を有する波長λｅに近い波長λｒにおいてラマン光束を拡
散する所定の波長λｅにおいて照明される試料により発生するは、公知である。
ラマン分光計が顕微鏡と組み合わせられるとき、照明光束は、試料に関して直角
に入射し、従って、ラマン散乱が、一定の広角度でその強度およびそのスペクト
ルによって測定される。
【０００５】 また、反射計測定も公知である。その目的は、通常、小さな（試料に対して直
交することから大きく外れている）角度で試料を照明することにあり、試料によ
って鏡面のように反射される光を分析することにある。次ぎに、測光的測定にお
ける光束強度と、楕円偏光計的測定における偏光の様々な成分の振幅とが、特に
興味深い。
交することから大きく外れている）角度で試料を照明することにあり、試料によ
って鏡面のように反射される光を分析することにある。次ぎに、測光的測定にお
ける光束強度と、楕円偏光計的測定における偏光の様々な成分の振幅とが、特に
興味深い。
【０００６】 特に、変調器が入射光束の偏光状態に作用する位相変調楕円偏光計、反射光の
波長スペクトルが分析される分光計的楕円偏光計、および、例えば、試料に作用
する電気的なあるいは光学的な励起である周期的な外部励起により発生される変
調の効果を考慮した変調された反射計が、周知である。変調された分光計的楕円
偏光計的測定は、例えば、参考文献であるヨーロッパ特許ＥＰ−０６６３５９０
に開示されている。
波長スペクトルが分析される分光計的楕円偏光計、および、例えば、試料に作用
する電気的なあるいは光学的な励起である周期的な外部励起により発生される変
調の効果を考慮した変調された反射計が、周知である。変調された分光計的楕円
偏光計的測定は、例えば、参考文献であるヨーロッパ特許ＥＰ−０６６３５９０
に開示されている。
【０００７】 試料の光学的な測定におけるそれらの大きな変形のそれぞれが、それ自身の利
点を持っている。
点を持っている。
【０００８】 一般的に、ωを電磁的な励起の周波数としたとき、テンソルε（ω）による電
磁的な励起に対する薄膜材料の巨視的応答がある。等方性固体の場合、このテン
ソルε（ω）は、スカラに落され、ε０を真空の電気的な誘電率とし、Ｄを電気
的な変位ベクトルとし、および、Ｅを加えられた電場としたとき、関係Ｄ＝ε０ εＥが得られる。
磁的な励起に対する薄膜材料の巨視的応答がある。等方性固体の場合、このテン
ソルε（ω）は、スカラに落され、ε０を真空の電気的な誘電率とし、Ｄを電気
的な変位ベクトルとし、および、Ｅを加えられた電場としたとき、関係Ｄ＝ε０ εＥが得られる。
【０００９】 分極率αが、次いで、ローカルバイポーラモーメントｐ（原子あるいは原子群
当り）に基づいて定められる。実際には、ｐはローカルな電場Ｅｌｏｃに関連し
ている（それ自身、関係Ｐ＝αε０Ｅｌｏｃによる外部の電場Ｅの関数である）
当り）に基づいて定められる。実際には、ｐはローカルな電場Ｅｌｏｃに関連し
ている（それ自身、関係Ｐ＝αε０Ｅｌｏｃによる外部の電場Ｅの関数である）
【００１０】 容積単位当りの巨視的ダイポーラモーメントあるいは偏光ベクトルは、Ｎをダ
イポールにおける空間密度としたとき、Ｐ＝Ｎｐにより与えられる。偏光は、関
係Ｐ＝ε０（ε−１）Ｅによってその他の巨視的な量に関連させられる。
イポールにおける空間密度としたとき、Ｐ＝Ｎｐにより与えられる。偏光は、関
係Ｐ＝ε０（ε−１）Ｅによってその他の巨視的な量に関連させられる。
【００１１】 反射計的測定、さらに詳しくは、分光計的楕円偏光計的測定は、誘電体関数ε
（ω）を取り扱うことができる。紫外線から可視光線の波長範囲において、吸収
は、しばしば、電子的な転移に優位を占められる（例えば、半導体の場合におい
て）。赤外線の範囲において、楕円偏光計的測定は、振動吸収、すなわち、ダイ
ポール励起に感度を有する。調べられた厚さは、通常、紫外線において大きな吸
収を有し、赤外線において準透明である半導体の場合におけるように波長に関係
して非常に変化する。
（ω）を取り扱うことができる。紫外線から可視光線の波長範囲において、吸収
は、しばしば、電子的な転移に優位を占められる（例えば、半導体の場合におい
て）。赤外線の範囲において、楕円偏光計的測定は、振動吸収、すなわち、ダイ
ポール励起に感度を有する。調べられた厚さは、通常、紫外線において大きな吸
収を有し、赤外線において準透明である半導体の場合におけるように波長に関係
して非常に変化する。
【００１２】 ラマン散乱それ自身は、励起Δα（ω）の存在するとき分極性変化に感度を有
している。
している。
【００１３】 関係する物理値の決定に関して、楕円偏光計的測定およびラマン散乱が、性質
の異なる技術であることに留意すべきである。特に、量子力学の観点から、ある
種の振動の有効部分が、ケースバイケースで非常に異なっている。
の異なる技術であることに留意すべきである。特に、量子力学の観点から、ある
種の振動の有効部分が、ケースバイケースで非常に異なっている。
【００１４】 反射計的な測定は、一般的に反射を用いて、スペクトル的におよび弾性的に実
行される（波長の保存）。結果として、薄膜の厚さ測定を可能にする干渉原理に
感度を有している。さらに一般的に、楕円偏光計的測定は、多層膜材料（厚さ発
散度を示す）を測定するのに特に適している。楕円偏光計的測定の通常のアプリ
ケーションにおいて、入射角度は、約５５°〜８０°の間を変化し、これは、ほ
とんどの材料のブルースター角度に相当し、最適の感度を与える。通常、二つの
波長範囲が使われ、その第１の波長は、近紫外線（０．２５μｍ）から近赤外線
（１．７μｍ）までのいわゆる「可視紫外線」であり、第２の波長は、約２．５
から１２あるいは１６μｍまでのより離れた赤外線であるいわゆる「赤外線」で
ある。より大きな波長を用いた測定は、光源とディテクタによる実験室的な制約
のために困難である。
行される（波長の保存）。結果として、薄膜の厚さ測定を可能にする干渉原理に
感度を有している。さらに一般的に、楕円偏光計的測定は、多層膜材料（厚さ発
散度を示す）を測定するのに特に適している。楕円偏光計的測定の通常のアプリ
ケーションにおいて、入射角度は、約５５°〜８０°の間を変化し、これは、ほ
とんどの材料のブルースター角度に相当し、最適の感度を与える。通常、二つの
波長範囲が使われ、その第１の波長は、近紫外線（０．２５μｍ）から近赤外線
（１．７μｍ）までのいわゆる「可視紫外線」であり、第２の波長は、約２．５
から１２あるいは１６μｍまでのより離れた赤外線であるいわゆる「赤外線」で
ある。より大きな波長を用いた測定は、光源とディテクタによる実験室的な制約
のために困難である。
【００１５】 ε（ω）は、楕円偏光計的測定において実行できる二つの独立したパラメータ
の測定をその決定に必要とする複素数によって表現される。しかしながら、いわ
ゆるクレーマーズケーニッヒ関係の使用に依存している測光的測定は、また、ε
（ω）を可能にしている。変調された反射計的測定技術は、相補的な情報をもた
らす外部励起の存在においてε（ω）の変化を測定する。特に半導体材料におい
て、変調された外部励起は、その測定に同調する負荷キャリヤを発生させる。
の測定をその決定に必要とする複素数によって表現される。しかしながら、いわ
ゆるクレーマーズケーニッヒ関係の使用に依存している測光的測定は、また、ε
（ω）を可能にしている。変調された反射計的測定技術は、相補的な情報をもた
らす外部励起の存在においてε（ω）の変化を測定する。特に半導体材料におい
て、変調された外部励起は、その測定に同調する負荷キャリヤを発生させる。
【００１６】 逆に、ラマン散乱は、非弾性的である。測定は、通常、直角入射において行な
われ、紫外線、可視光線あるいは近赤外線範囲にある光線を発生させるレーザが
、励起を行なう。ラマンフォトンが、入射光の波長に近い波長で一定の広角度で
集められる。従って、励起光とラマンスペクトル間の波長における正の差あるい
は負の差を分光計的に測定できる。比較から、遠隔反射計の赤外線は、ラマンに
おける励起波長に最も近い波長に対応することがわかる。このような測定は、従
って、ラマン分光法において技術的に容易に測定できる。測定された厚さは、所
定の材料についてラマンにおいてはほとんど変調できない入射光の波長において
材料の吸収に関係していることに注目すべきである。
われ、紫外線、可視光線あるいは近赤外線範囲にある光線を発生させるレーザが
、励起を行なう。ラマンフォトンが、入射光の波長に近い波長で一定の広角度で
集められる。従って、励起光とラマンスペクトル間の波長における正の差あるい
は負の差を分光計的に測定できる。比較から、遠隔反射計の赤外線は、ラマンに
おける励起波長に最も近い波長に対応することがわかる。このような測定は、従
って、ラマン分光法において技術的に容易に測定できる。測定された厚さは、所
定の材料についてラマンにおいてはほとんど変調できない入射光の波長において
材料の吸収に関係していることに注目すべきである。
【００１７】 薄膜は、６０年代の末期にラマン分光法による検討を受けた。第一に、金属面
上に付着させられた薄膜の研究が提案された。７０°以下の入射角度で照明され
て、得られたラマン光束は、６０°付近で最大の強度を示した。光束がプリズム
あるいは格子により結合される光学的な導波路として薄膜を用いることが提案さ
れた。入射角度と偏光のきびしい条件の下で、一つあるいは複数の電気的なある
いは磁気的な横モードが、後方散乱によって通常発生される光束強度の２千倍に
相当する強度のラマン光束を発生させつつ、薄膜内を伝播可能である。このよう
な場合、励起波長に関係する薄膜の最小厚さは、数ナノメータよりも薄くはでき
ない。多層構造とすることでのみ、この限界を下げることができる。いずれにし
ても、すべてのこれらの方法は、薄膜の特別の準備を必要とするもので、これは
、製造の手順を進めている間に、産業材料の調査、および、その場所における測
定あるいはリアルタイム測定と両立しない道具の整備や調節における特別の支援
を意味している。
上に付着させられた薄膜の研究が提案された。７０°以下の入射角度で照明され
て、得られたラマン光束は、６０°付近で最大の強度を示した。光束がプリズム
あるいは格子により結合される光学的な導波路として薄膜を用いることが提案さ
れた。入射角度と偏光のきびしい条件の下で、一つあるいは複数の電気的なある
いは磁気的な横モードが、後方散乱によって通常発生される光束強度の２千倍に
相当する強度のラマン光束を発生させつつ、薄膜内を伝播可能である。このよう
な場合、励起波長に関係する薄膜の最小厚さは、数ナノメータよりも薄くはでき
ない。多層構造とすることでのみ、この限界を下げることができる。いずれにし
ても、すべてのこれらの方法は、薄膜の特別の準備を必要とするもので、これは
、製造の手順を進めている間に、産業材料の調査、および、その場所における測
定あるいはリアルタイム測定と両立しない道具の整備や調節における特別の支援
を意味している。
【００１８】 一方でラマン効果によるおよび他方で反射計的測定、楕円偏光計的測定あるい
は測光的測定による測定のこれらのプレゼンテーションは、これらが異なる効果
、従って、異なる光源の知識および測定が得られるように構成されており、材料
が薄膜化されているときは特に困難に遭遇する。
は測光的測定による測定のこれらのプレゼンテーションは、これらが異なる効果
、従って、異なる光源の知識および測定が得られるように構成されており、材料
が薄膜化されているときは特に困難に遭遇する。
【００１９】 反射計的測定およびラマン分光測光による同一の試料に対する測定の実施は、
その他の困難を示している。実際のところ、これらの測定におけるそれぞれの入
射角度の相違、波長の相違は、技術のそれぞれに対して特に適合している光学的
な装置を必要とし、照明のために同じ光源の使用を可能にしないばかりかそれぞ
れの場合において受光に同じ波長の検出システムの使用を可能にしない。
その他の困難を示している。実際のところ、これらの測定におけるそれぞれの入
射角度の相違、波長の相違は、技術のそれぞれに対して特に適合している光学的
な装置を必要とし、照明のために同じ光源の使用を可能にしないばかりかそれぞ
れの場合において受光に同じ波長の検出システムの使用を可能にしない。
【００２０】 その上、長い間、これらの両技術の同時展開がそれぞれの測定の質にダメージ
を与える傾向にあることが考察されてきた。このようにして、後方散乱ラマン分
光測定は、反射計的測定をアニールされ、結晶化され、あるいは、融解される（
例えば、水素原子の抽出）故障や危険に曝しつつ、試料を変調できる光束強度で
照明するものである。
を与える傾向にあることが考察されてきた。このようにして、後方散乱ラマン分
光測定は、反射計的測定をアニールされ、結晶化され、あるいは、融解される（
例えば、水素原子の抽出）故障や危険に曝しつつ、試料を変調できる光束強度で
照明するものである。
【００２１】 これらのいずれかの測定中に試料によって照明される領域の大きさが非常に異
なることに特に注目すべきである。
なることに特に注目すべきである。
【００２２】 単一のタイプの測定を行なうことは、例えば、光学的なマイクロサンプルと材
料のスペクトル分析方法に関する文献ＷＯ−９７／０５４７３に記述されている
。特別な実施例において、マルチモードの光学繊維が、光源と試料を切り離して
いる。試料は、また、光の方向に関して所定の角度により照明された試料によっ
て反射された光を検出するセンサに接続されている。
料のスペクトル分析方法に関する文献ＷＯ−９７／０５４７３に記述されている
。特別な実施例において、マルチモードの光学繊維が、光源と試料を切り離して
いる。試料は、また、光の方向に関して所定の角度により照明された試料によっ
て反射された光を検出するセンサに接続されている。
【００２３】 薄膜に重ね合わされた領域におけるラマン−反射計的測定の実現は、一方で、
測定材料に関して直接に大きな利点があり、他方で、このような測定モードを実
行できる検査準備方法に関して大きな利点がある。測定はリアルタイムに同時に
実行できるので、測定されるパラメータの速度に対する変形と改善が引き続いて
可能になる。以下に述べるように、非常に詳細な物理化学的な層に関する説明が
行なえるようになった。
測定材料に関して直接に大きな利点があり、他方で、このような測定モードを実
行できる検査準備方法に関して大きな利点がある。測定はリアルタイムに同時に
実行できるので、測定されるパラメータの速度に対する変形と改善が引き続いて
可能になる。以下に述べるように、非常に詳細な物理化学的な層に関する説明が
行なえるようになった。
【００２４】
この発明の目的は、従って、測定中に層を変調するという危険を冒さずに、上
述した種々の困難を解決し、後方散乱ラマン効果によって薄膜の測定を可能にす
る装置を提案することにある。
述した種々の困難を解決し、後方散乱ラマン効果によって薄膜の測定を可能にす
る装置を提案することにある。
【００２５】 この発明のその他の目的は、ラマン効果および反射計的測定による同時測定を
可能にした装置を提案することにある。
可能にした装置を提案することにある。
【００２６】 上述したように、反射計的測定は、光束エネルギのみが測定される測光的測定
と、光束の異なる偏光成分が考慮される楕円偏光計的測定を包含するものである
。両方の場合において、反射計的測定は、分光計的測定であることができ、すな
わち、測定される光束のスペクトル分析が実行されることができる。
と、光束の異なる偏光成分が考慮される楕円偏光計的測定を包含するものである
。両方の場合において、反射計的測定は、分光計的測定であることができ、すな
わち、測定される光束のスペクトル分析が実行されることができる。
【００２７】 この目的のために、この発明は、フレーム、単色励起レーザ光源、測定される
べき材料に向けて光束を導く光学手段、および、ラマン効果によって散乱された
光を集めるとともに選択する手段を有している後方散乱ラマン分光測定により薄
膜材料を測定する装置に関するものである。
べき材料に向けて光束を導く光学手段、および、ラマン効果によって散乱された
光を集めるとともに選択する手段を有している後方散乱ラマン分光測定により薄
膜材料を測定する装置に関するものである。
【００２８】 試料に向けて励起レーザ光束を導く光学手段において、前記レーザおよび前記
試料の間に数十平方ミクロンの最小面積にわたって、単位表面当りのエネルギ分
布を均一にする手段が、配置されている
試料の間に数十平方ミクロンの最小面積にわたって、単位表面当りのエネルギ分
布を均一にする手段が、配置されている
【００２９】 この発明によれば、装置は、反射計的測定のための手段をラマン測定手段と一
体的に設け、これに対して、この反射計的測定のための手段が、ラマン励起手段
と試料の同じ領域に向けられる反射率計測定励起手段を備えている。
体的に設け、これに対して、この反射計的測定のための手段が、ラマン励起手段
と試料の同じ領域に向けられる反射率計測定励起手段を備えている。
【００３０】 この発明の装置は、以下のように使える。 ・純正なラマン分光測定、 ・あるいは、純正な反射計的測定のいずれか、 ・あるいは、ラマン分光測定と反射計的測定の組み合わせ
【００３１】 異なる特定の実施例において、それぞれは、多数の技術的に可能な組み合わせ
において展開されるそれら自身の利点および傾向を示している。 −反射計的測定手段は、測光的な測定手段である。 −反射計的測定手段は、楕円偏光計的測定手段である。 −エネルギ分布を均一化する手段は、マルチモード光学繊維を有している。 −光学繊維の直径は、照明される試料の表面に適応する。 −光学繊維は交換可能であるので、直径の異なる光学繊維を用いて交換できる
。 −装置は、分光計のスロットにわたる焦点調節可能な領域上で試料を照明する
ことを可能にするかあるいは測光法により分析される表面に対してラマン励起面
を適応させることを可能にする数本の光学繊維を備える。 −反射計的測定手段は、変調された反射計的測定手段である。 −前記変調が、光学的である。 −前記変調が、電気的である。 −前記変調が、ラマン励起光源により保証されている。 −反射計的測定光源は、光学繊維によって装置のその他に接続されている。 −ラマンおよび反射計的測定受光手段の少なくとも一方が、光学繊維によって
装置のその他に接続されている。
において展開されるそれら自身の利点および傾向を示している。 −反射計的測定手段は、測光的な測定手段である。 −反射計的測定手段は、楕円偏光計的測定手段である。 −エネルギ分布を均一化する手段は、マルチモード光学繊維を有している。 −光学繊維の直径は、照明される試料の表面に適応する。 −光学繊維は交換可能であるので、直径の異なる光学繊維を用いて交換できる
。 −装置は、分光計のスロットにわたる焦点調節可能な領域上で試料を照明する
ことを可能にするかあるいは測光法により分析される表面に対してラマン励起面
を適応させることを可能にする数本の光学繊維を備える。 −反射計的測定手段は、変調された反射計的測定手段である。 −前記変調が、光学的である。 −前記変調が、電気的である。 −前記変調が、ラマン励起光源により保証されている。 −反射計的測定光源は、光学繊維によって装置のその他に接続されている。 −ラマンおよび反射計的測定受光手段の少なくとも一方が、光学繊維によって
装置のその他に接続されている。
【００３２】
この発明の装置は、試料２の点１におけるラマン測定の実行を可能にするもの
である。そのために、光源２１が、マルチモード光学繊維２２によって射出され
るラマン励起波長λｅにおける光束を発生させる。光束は、ブレード２３によっ
て反射され、レンズ２４方向に導かれ、試料の点１において焦点調節される。ラ
マン効果による後方散乱光束２６の一部分は、波長λｒを有している。フィルタ
２７が、波長λｒにおけるこのラマン光束を選択し、励起波長λｅにおいて散乱
される光束を除外する。かくして、フィルタ２７から出た光束は、励起波長λｅ におけるいかなるコンポーネントも含まない。この光束は、センサ２９に接続さ
れた分光計２８によって分析される。制御ユニット３０が、分光計２８を作動さ
せてセンサ２９によって発生された情報を受ける。
である。そのために、光源２１が、マルチモード光学繊維２２によって射出され
るラマン励起波長λｅにおける光束を発生させる。光束は、ブレード２３によっ
て反射され、レンズ２４方向に導かれ、試料の点１において焦点調節される。ラ
マン効果による後方散乱光束２６の一部分は、波長λｒを有している。フィルタ
２７が、波長λｒにおけるこのラマン光束を選択し、励起波長λｅにおいて散乱
される光束を除外する。かくして、フィルタ２７から出た光束は、励起波長λｅ におけるいかなるコンポーネントも含まない。この光束は、センサ２９に接続さ
れた分光計２８によって分析される。制御ユニット３０が、分光計２８を作動さ
せてセンサ２９によって発生された情報を受ける。
【００３３】 従来公知の固有のやり方において、分光計２８の制御情報およびセンサ２９に
よって供給された情報を処理して、制御ユニット３０は、試料２のラマン測定デ
ータの準備を可能にする。
よって供給された情報を処理して、制御ユニット３０は、試料２のラマン測定デ
ータの準備を可能にする。
【００３４】 マルチモード光学繊維２２のこのような使用が、光源２１から到達する光束に
含まれている光エネルギの横方向への分布を大きく変調することが指摘されてい
る。
含まれている光エネルギの横方向への分布を大きく変調することが指摘されてい
る。
【００３５】 通常、レーザである光源２１の出力において光分布の形状は、ガウス分布であ
ることが知られている。これは、試料の比較的大きな表面を照射しようとしたと
きの後方散乱ラマン分光計的測定に問題を生じる。顕微鏡レンズによりガウス光
束を焦点調節することは、その直径が回折限界、すなわち、１．２λ／ｎａに近
い光点を発生させる。ここで、λは、波長であり、ｎａはレンズのデジタル開口
であり、すなわち、レンズのｎａ＝０．９およびλ＝０．５μｍを用いてサブミ
クロン点を発生させ、試料が薄膜であるとき、試料に損傷を与えるか破壊するよ
うな単位面積当りで非常に高い強度を発生させる。
ることが知られている。これは、試料の比較的大きな表面を照射しようとしたと
きの後方散乱ラマン分光計的測定に問題を生じる。顕微鏡レンズによりガウス光
束を焦点調節することは、その直径が回折限界、すなわち、１．２λ／ｎａに近
い光点を発生させる。ここで、λは、波長であり、ｎａはレンズのデジタル開口
であり、すなわち、レンズのｎａ＝０．９およびλ＝０．５μｍを用いてサブミ
クロン点を発生させ、試料が薄膜であるとき、試料に損傷を与えるか破壊するよ
うな単位面積当りで非常に高い強度を発生させる。
【００３６】 この欠点を補正するために、エネルギは維持するが、試料に対する焦点を外す
ということが考えられた。このようにして、エネルギの横方向の分布は、増強さ
れたが、常に均一ではなく、上述したガウス光束と同じ問題を発生させる山と谷
を有している。
ということが考えられた。このようにして、エネルギの横方向の分布は、増強さ
れたが、常に均一ではなく、上述したガウス光束と同じ問題を発生させる山と谷
を有している。
【００３７】 この事実は、Ｂｏｒｎ Ｗｏｌｆによる書籍“Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ
Ｏｐｔｉｃｓ”Ｐｅｒｇａｎｏｎ Ｐｒｅｓｓ−ＮＹ１９９３において分析され
ている。実際には、球面、円筒、あるいは、非球面光学系によるガウス光束の焦
点外しは、発散であり、従って、層の変調はもはや中心においては自動的には行
なわれず、層は、やはり、破壊されるか部分的に変化させられる。
Ｏｐｔｉｃｓ”Ｐｅｒｇａｎｏｎ Ｐｒｅｓｓ−ＮＹ１９９３において分析され
ている。実際には、球面、円筒、あるいは、非球面光学系によるガウス光束の焦
点外しは、発散であり、従って、層の変調はもはや中心においては自動的には行
なわれず、層は、やはり、破壊されるか部分的に変化させられる。
【００３８】 この欠点を補正し、検討される薄膜の一体性を維持するために、マルチモード
光学繊維が、単色光源と薄膜の間に挿入される。このマルチモード光学繊維の挿
入は、エネルギのガウス分布を破壊しつつ、照明光束点の中心と周辺とでほぼ同
一である光学繊維による均一なエネルギ密度分布の出力の獲得を可能にする。
光学繊維が、単色光源と薄膜の間に挿入される。このマルチモード光学繊維の挿
入は、エネルギのガウス分布を破壊しつつ、照明光束点の中心と周辺とでほぼ同
一である光学繊維による均一なエネルギ密度分布の出力の獲得を可能にする。
【００３９】 図２は、光束を介したこの光エネルギ密度Ｅ／ΔＳの分布比較を示すもので、
それぞれ、レーザから出力されたガウス光束による分布（図２ａ）と、マルチモ
ード光学繊維の出力における同じ光束の分布（図２ｂ）を示している。
それぞれ、レーザから出力されたガウス光束による分布（図２ａ）と、マルチモ
ード光学繊維の出力における同じ光束の分布（図２ｂ）を示している。
【００４０】 マルチモード光学繊維は、１００ミクロンのオーダの直径Ｄと、少なくとも数
十センチメートルの長さを備えていることが好ましい。
十センチメートルの長さを備えていることが好ましい。
【００４１】 ラマン顕微鏡法において、×５０レンズを用いてほぼ２０ミクロンの直径Ｄを
備えた円板上の試料を励起できる。
備えた円板上の試料を励起できる。
【００４２】 従って、１ｍＷオーダの電力でこの試料に対して３．３Ｗ／ｍｍ２のオーダの
レーザエネルギ密度が得られる。
レーザエネルギ密度が得られる。
【００４３】 光学繊維の直径を変化させると、エネルギ密度が変調できる。
【００４４】 数本の光学繊維を用いてエネルギを生じさせることも可能であり、このとき、
励起点は、直線的に配分され、集められた光束は、分析分光計の入力スロットに
焦点調節される。
励起点は、直線的に配分され、集められた光束は、分析分光計の入力スロットに
焦点調節される。
【００４５】 目的は、試料２の領域１を測定することである。この測定は、楕円偏光計的測
定によって実行できる。楕円偏光計的測定光源３は、カプラ４によって光学繊維
５に接続され、この光学繊維は、光源によって発生された光束を搬送してカプラ
６を介して入射角度αで試料１に送られる光束８を発生させるポラライザに導く
。
定によって実行できる。楕円偏光計的測定光源３は、カプラ４によって光学繊維
５に接続され、この光学繊維は、光源によって発生された光束を搬送してカプラ
６を介して入射角度αで試料１に送られる光束８を発生させるポラライザに導く
。
【００４６】 ポラライザ７と試料の間には、従来周知のように、光束８の偏光状態を変調す
る位相変調器９が配置されている。
る位相変調器９が配置されている。
【００４７】 光束８は試料２によって反射され、ポラライザ１１によって分析されるととも
に光学系１２によって光学繊維１３に接続される反射光１０となり、この光は、
波長に関係する選択構成である受光手段１４に導かれる。制御ユニット１５が、
接続１６を介して位相変調器９を動作させる。この制御ユニット１５は、ライン
１７を介して受光手段１４により発生された信号を受け取る。
に光学系１２によって光学繊維１３に接続される反射光１０となり、この光は、
波長に関係する選択構成である受光手段１４に導かれる。制御ユニット１５が、
接続１６を介して位相変調器９を動作させる。この制御ユニット１５は、ライン
１７を介して受光手段１４により発生された信号を受け取る。
【００４８】 このデータを処理することによって、制御ユニット１５は、試料２に重要な楕
円偏光計的測定情報を供給することができ、その楕円偏光計的測定を可能にする
。
円偏光計的測定情報を供給することができ、その楕円偏光計的測定を可能にする
。
【００４９】 一方の楕円偏光計的測定制御ユニットと他方のラマン制御ユニット３０は、装
置全体を使用するインターフェースであるとともに試料２の点１の完全な物理化
学的な測定を可能にするグローバル制御コンピュータ４０にデータに電気的に接
続されている。
置全体を使用するインターフェースであるとともに試料２の点１の完全な物理化
学的な測定を可能にするグローバル制御コンピュータ４０にデータに電気的に接
続されている。
【００５０】 上述した楕円偏光計的測定手段は、位相変調楕円偏光計であり、この発明の装
置は、楕円偏光計、分光計、反射された光束１０をその偏光状態とは関係なく分
析する測光計などのいかなるタイプのものとも波長との関係において協働できる
。位相変調楕円偏光計は、測光計と楕円偏光計の同時測定を可能にする。
置は、楕円偏光計、分光計、反射された光束１０をその偏光状態とは関係なく分
析する測光計などのいかなるタイプのものとも波長との関係において協働できる
。位相変調楕円偏光計は、測光計と楕円偏光計の同時測定を可能にする。
【００５１】 楕円偏光計的測定手段は、所定の周波数において試料に電気的、光学的あるい
は温度的な効果を生じさせる外部の変調手段と有利に協働する。これらの手段は
、例えば、変調周波数および位相を決定するその位置がライン４４を介しての制
御ユニット１５によって作動される回転スクリーンあるいはシャッタ４３である
ことができる。
は温度的な効果を生じさせる外部の変調手段と有利に協働する。これらの手段は
、例えば、変調周波数および位相を決定するその位置がライン４４を介しての制
御ユニット１５によって作動される回転スクリーンあるいはシャッタ４３である
ことができる。
【００５２】 好都合なことに、ラマン励起手段、すなわち、ラマン励起光源２１によって発
生される光束２５は、楕円偏光計的変調手段を構成する。
生される光束２５は、楕円偏光計的変調手段を構成する。
【００５３】 ラマン測定中に測定される試料の領域は、正確に位置決めされるとともに楕円
偏光計的測定によって定められる範囲に位置していることが望ましい。これらの
二つの測定は、同時に実行される。
偏光計的測定によって定められる範囲に位置していることが望ましい。これらの
二つの測定は、同時に実行される。
【００５４】 この発明の装置は、これまで困難とされてきた測定動作を実行できる以下のア
プリケーションに特に適している。
プリケーションに特に適している。
【００５５】 ａ）薄膜化された多結晶（あるいはマイクロ結晶）シリコン 部分的に結晶化されたシリコンは、半導体産業において極めて多く使われてい
る。これは、非晶質利得接続に関連した種々の大きさの結晶である。
る。これは、非晶質利得接続に関連した種々の大きさの結晶である。
【００５６】 この材料は、しばしば厚さにばらつきを生じ、特に、結晶の大きさに関連した
面粗さを示す。紫外線から可視域に延びている波長の範囲における楕円偏光計的
測定は、ラマン測定では到底得られない全体の厚さと粗さ（≦５０ｎｍ）の非常
な精度（約１％）を与える。一般的に、ＵＶ−可視域楕円偏光計的測定は、層の
形態（密度、．．．）に対して非常に感度が高い。
面粗さを示す。紫外線から可視域に延びている波長の範囲における楕円偏光計的
測定は、ラマン測定では到底得られない全体の厚さと粗さ（≦５０ｎｍ）の非常
な精度（約１％）を与える。一般的に、ＵＶ−可視域楕円偏光計的測定は、層の
形態（密度、．．．）に対して非常に感度が高い。
【００５７】 両方の技術は、層の平均的な構成（結晶片）の測定を可能にするが、楕円偏光
計的測定は、どのような厚さにおける発散度の測定でも可能である。
計的測定は、どのような厚さにおける発散度の測定でも可能である。
【００５８】 逆に、粒子の大きさは、ラマン分光計測定によって決定できるが、反射計的測
定ではほとんど測定できない。同様に、ラマン分光計測定は、測定光線の波長の
ずれに基づいて材料内に存在している応力を測定できる。これらの応力には、反
射計的測定によってはほとんど取り扱うことができず、例えば、楕円偏光計的測
定はほとんど使えない。
定ではほとんど測定できない。同様に、ラマン分光計測定は、測定光線の波長の
ずれに基づいて材料内に存在している応力を測定できる。これらの応力には、反
射計的測定によってはほとんど取り扱うことができず、例えば、楕円偏光計的測
定はほとんど使えない。
【００５９】 楕円偏光計的測定（ここでは主としてＵＶ−可視域範囲）およびラマン測定は
、従って、相補的なものである。
、従って、相補的なものである。
【００６０】 ｂ）薄膜化された炭素 炭素薄膜は、多くのアプリケーションを有する。上述の実施例に関連して展開
された考察は、厚さおよび形態（密度、粗さ）に関して明らかに薄膜化された炭
素の場合にも同様に当てはまる。
された考察は、厚さおよび形態（密度、粗さ）に関して明らかに薄膜化された炭
素の場合にも同様に当てはまる。
【００６１】 炭素は、結晶およびアモルファスであることができる。二つの結晶形が、天然
に存在しており、非常に異なる性質（硬度、．．．）を持ったダイヤモンド（混
成ＳＰ３）あるいは黒鉛（混成ＳＰ２）である。これらをラマン分光測定および
楕円偏光計的測定によって識別することが可能である。
に存在しており、非常に異なる性質（硬度、．．．）を持ったダイヤモンド（混
成ＳＰ３）あるいは黒鉛（混成ＳＰ２）である。これらをラマン分光測定および
楕円偏光計的測定によって識別することが可能である。
【００６２】 アモルファス形において、実際の性質（硬度、．．．）に非常に影響を与える
二つの相が共存する。“アダマンタン”炭素は、例えば、相ＳＰ３が豊富である
。しかしながら、これらの相の両方は、前述の場合のように全体を識別可能にし
ないで原子スケールで互いに連携しているように見える。これらの薄い層は、し
ばしば、プラズマによって付着され、同様に性質（これにより層はしばしば重合
体に見える）に影響を与える水素を大きな比率で含む。
二つの相が共存する。“アダマンタン”炭素は、例えば、相ＳＰ３が豊富である
。しかしながら、これらの相の両方は、前述の場合のように全体を識別可能にし
ないで原子スケールで互いに連携しているように見える。これらの薄い層は、し
ばしば、プラズマによって付着され、同様に性質（これにより層はしばしば重合
体に見える）に影響を与える水素を大きな比率で含む。
【００６３】 ＣＨｎ振動は、有効な部分における差のためにラマン分光測定よりも赤外線楕
円偏光計的測定によってより容易に識別される。さらに、一般に、水素は、相Ｓ
Ｐ３に本質的に一体化される。ＩＲ楕円偏光計的測定は、従って、相ＳＰ３の測
定に非常に適している。前述の例のように、ラマン分光測定および反射計的測定
によってリアルタイムで、同じ点における測定を可能にするこの発明の装置は、
このような試料の完全な測定を保証する。
円偏光計的測定によってより容易に識別される。さらに、一般に、水素は、相Ｓ
Ｐ３に本質的に一体化される。ＩＲ楕円偏光計的測定は、従って、相ＳＰ３の測
定に非常に適している。前述の例のように、ラマン分光測定および反射計的測定
によってリアルタイムで、同じ点における測定を可能にするこの発明の装置は、
このような試料の完全な測定を保証する。
【００６４】 ｃ）ポリマ ポリマの場合、ＩＲ楕円偏光計的測定およびラマン分光測定の相補性は、発散
振動における二つの技術の様々な感度によるが、ラマン分光測定は、Ｃ＝Ｃグル
ーピングに非常に鋭敏であり、ＩＲ楕円偏光計的測定は、ポリカーボネートのよ
うな種々のポリマに存在するＣ＝０グルーピングに非常に鋭敏である。これら二
つのタイプにおける実施を可能にするこの発明の装置は、同時にかつ同一点にお
いて、この相補性の完全な利点を享受することができる。一般的に言って、ラマ
ン分光測定は、ベンゼンコア変形検出測定を可能にしつつ、遠隔ＩＲ楕円偏光計
的測定に対して相補的である。
振動における二つの技術の様々な感度によるが、ラマン分光測定は、Ｃ＝Ｃグル
ーピングに非常に鋭敏であり、ＩＲ楕円偏光計的測定は、ポリカーボネートのよ
うな種々のポリマに存在するＣ＝０グルーピングに非常に鋭敏である。これら二
つのタイプにおける実施を可能にするこの発明の装置は、同時にかつ同一点にお
いて、この相補性の完全な利点を享受することができる。一般的に言って、ラマ
ン分光測定は、ベンゼンコア変形検出測定を可能にしつつ、遠隔ＩＲ楕円偏光計
的測定に対して相補的である。
【００６５】 ある種のポリマ処理は、例えば、プラズマによって、ラマン分光測定およびＵ
Ｖ−可視域楕円偏光計的測定の相補正をさらに説明するものである。クロスリン
ク現象は、増加した屈折率（高密度化）あるいはＵＶ（発色団の出現）範囲にお
ける吸収によって、楕円偏光計的測定によって容易に証明される。アナログ的に
は、デグラデーション処理を明確に施すことができよう。変調に関連したポリマ
厚さは、多層形式のために楕円偏光計的測定によって処理できる。逆に、ＵＶ−
可視域楕円偏光計的測定は、材料の構造にはほとんど感度を持たず、クロスリン
クあるいはデグラデーション顕微鏡的メカニズムを説明するのには向いていない
。ポリマあるいはポリマ化状態の構造的な変調は、ラマン分光測定によって容易
に測定できよう。
Ｖ−可視域楕円偏光計的測定の相補正をさらに説明するものである。クロスリン
ク現象は、増加した屈折率（高密度化）あるいはＵＶ（発色団の出現）範囲にお
ける吸収によって、楕円偏光計的測定によって容易に証明される。アナログ的に
は、デグラデーション処理を明確に施すことができよう。変調に関連したポリマ
厚さは、多層形式のために楕円偏光計的測定によって処理できる。逆に、ＵＶ−
可視域楕円偏光計的測定は、材料の構造にはほとんど感度を持たず、クロスリン
クあるいはデグラデーション顕微鏡的メカニズムを説明するのには向いていない
。ポリマあるいはポリマ化状態の構造的な変調は、ラマン分光測定によって容易
に測定できよう。
【００６６】 この発明の装置におけるこれらの実施例は、その利点を説明するためのもので
あり、これに限定されるものではない。
あり、これに限定されるものではない。
この発明は、添付の図面に従って詳細に説明される。
【図１】 この発明による装置の概略図である。
【図２ａ】 この発明によるガウス光束を用いた、および、マルチモード光学繊維による変
調後の単色光束におけるエネルギの横方向の分布を示す。
調後の単色光束におけるエネルギの横方向の分布を示す。
【図２ｂ】 この発明によるガウス光束を用いた、および、マルチモード光学繊維による変
調後の単色光束におけるエネルギの横方向の分布を示す。
調後の単色光束におけるエネルギの横方向の分布を示す。
３−１４ 反射率測定手段 ２１ 単色光励起レーザ光源 ２２ エネルギ分布を均一化する手段 ２３ 光学手段 ２４ 集光光学手段 ２７、２８ 選択光学手段
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１２月２６日（２０００．１２．２６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 反射計的な測定は、一般的に反射を用いて、スペクトル的におよび弾性的に実
行される（波長の保存）。結果として、薄膜の厚さ測定を可能にする干渉原理に
感度を有している。さらに一般的に、楕円偏光計的測定は、多層膜材料（厚さ発
散度を示す）を測定するのに特に適している。楕円偏光計的測定の通常のアプリ
ケーションにおいて、入射角度は、約５５°〜８０°の間を変化し、これは、ほ
とんどの材料のブルースター角度に相当し、最適の感度を与える。通常、二つの
波長範囲が使われ、その第１の波長は、近紫外線（０．２５μｍ）から近赤外線
（１．７μｍ）までのいわゆる「可視紫外線」であり、第２の波長は、約２．５
から１２あるいは１６μｍまでのより離れた赤外線であるいわゆる「赤外線」で
ある。より大きな波長を用いた測定は、光源とディテクタによる実験室的な制約
のために困難である。ヨーロッパ特許出願ＥＰ−０６６３５９０は、特に、変調
された分光計的楕円偏光計的測定を開示している。
行される（波長の保存）。結果として、薄膜の厚さ測定を可能にする干渉原理に
感度を有している。さらに一般的に、楕円偏光計的測定は、多層膜材料（厚さ発
散度を示す）を測定するのに特に適している。楕円偏光計的測定の通常のアプリ
ケーションにおいて、入射角度は、約５５°〜８０°の間を変化し、これは、ほ
とんどの材料のブルースター角度に相当し、最適の感度を与える。通常、二つの
波長範囲が使われ、その第１の波長は、近紫外線（０．２５μｍ）から近赤外線
（１．７μｍ）までのいわゆる「可視紫外線」であり、第２の波長は、約２．５
から１２あるいは１６μｍまでのより離れた赤外線であるいわゆる「赤外線」で
ある。より大きな波長を用いた測定は、光源とディテクタによる実験室的な制約
のために困難である。ヨーロッパ特許出願ＥＰ−０６６３５９０は、特に、変調
された分光計的楕円偏光計的測定を開示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】 薄膜は、６０年代の末期にラマン分光法による検討を受けた。第一に、金属面
上に付着させられた薄膜の研究が提案された。７０°以下の入射角度で照明され
て、得られたラマン光束は、６０°付近で最大の強度を示した。光束がプリズム
あるいは格子により結合される光学的な導波路として薄膜を用いることが提案さ
れた。入射角度と偏光のきびしい条件の下で、一つあるいは複数の電気的なある
いは磁気的な横モードが、後方散乱によって通常発生される光束強度の２千倍に
相当する強度のラマン光束を発生させつつ、薄膜内を伝播可能である。このよう
な場合、励起波長に関係する薄膜の最小厚さは、数ナノメータよりも薄くはでき
ない。多層構造とすることでのみ、この限界を下げることができる。いずれにし
ても、すべてのこれらの方法は、薄膜の特別の準備を必要とするもので、これは
、製造の手順を進めている間に、産業材料の調査、および、その場所における測
定あるいはリアルタイム測定と両立しない道具の整備や調節における特別の支援
を意味している。ヨーロッパ特許出願ＥＰ−０５０８２５７は、測定により影響
を受けたサンプルの点を可視化することのできる共焦点顕微鏡（ｃｏｎｆｏｃａ
ｌ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を備えたラマン分光法測定装置を開示している。
上に付着させられた薄膜の研究が提案された。７０°以下の入射角度で照明され
て、得られたラマン光束は、６０°付近で最大の強度を示した。光束がプリズム
あるいは格子により結合される光学的な導波路として薄膜を用いることが提案さ
れた。入射角度と偏光のきびしい条件の下で、一つあるいは複数の電気的なある
いは磁気的な横モードが、後方散乱によって通常発生される光束強度の２千倍に
相当する強度のラマン光束を発生させつつ、薄膜内を伝播可能である。このよう
な場合、励起波長に関係する薄膜の最小厚さは、数ナノメータよりも薄くはでき
ない。多層構造とすることでのみ、この限界を下げることができる。いずれにし
ても、すべてのこれらの方法は、薄膜の特別の準備を必要とするもので、これは
、製造の手順を進めている間に、産業材料の調査、および、その場所における測
定あるいはリアルタイム測定と両立しない道具の整備や調節における特別の支援
を意味している。ヨーロッパ特許出願ＥＰ−０５０８２５７は、測定により影響
を受けたサンプルの点を可視化することのできる共焦点顕微鏡（ｃｏｎｆｏｃａ
ｌ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を備えたラマン分光法測定装置を開示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｂ 11/06 Ｇ０１Ｂ 11/06 Ｚ (72)発明者 ベンフルハット ラムダン フランス共和国 エフ−91490 オンシ ス エコル チェミン デ トゥソン Ｆターム(参考） 2F065 AA30 CC17 CC31 FF41 FF49 GG04 HH10 HH11 LL02 LL22 LL30 LL31 NN05 NN08 2G020 AA03 AA04 AA05 BA03 BA18 CA04 CA15 CB04 CB23 CB36 CC01 CC26 CC47 CD12 CD14 CD15 CD22 CD56 2G043 AA04 CA07 EA03 FA02 GA01 GB01 HA05 HA06 HA07 HA09 JA01 JA02 KA01 KA02 KA03 KA07 KA09 LA01 2G059 AA03 AA05 BB08 BB16 DD13 EE03 EE04 GG01 GG07 HH01 HH02 HH03 JJ02 JJ17 JJ19 JJ24 KK01 MM01
Claims (13)
- 【請求項１】 フレームと、単色光励起レーザ光源（２１）と、前記励起光
源（２１）によって射出された光束を測定すべき材料に向けて導く光学手段（２
３、２４）と、ラマン効果によって散乱された光を集める（２４）と共に選択す
る（２７、２８）手段とを備え、励起レーザ光束を試料に向けて導く前記光学手
段内で、前記レーザと前記試料の間に、数十平方ミクロンの最小面積にわたって
単位表面当りのエネルギ分布を均一にする手段（２２）が配置された後方散乱ラ
マン分光測光法によって薄膜材料を測定する装置において、反射計的測定のため
の手段（３−１４）がラマン測定手段と一体的に設けられ、前記反射計的測定の
ための手段が、前記ラマン励起手段と試料の同じ領域に向けられる反射計的測定
手段（３−５）を備えていることを特徴とする薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項２】 前記反射計的測定手段が、測光的測定手段である請求項１に
記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項３】 前記反射計的測定手段が、楕円偏光計的測定手段である請求
項１に記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項４】 エネルギ分布を均一にする手段が、マルチモード光学繊維（
２２）である請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項５】 前記光学繊維（２２）の直径が、照明されるべき試料の表面
に適応するようにした請求項４に記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項６】 前記光学繊維（２２）が、交換可能であるようにした請求項
４および５のいずれかに記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項７】 前記分光計のスロットにわたる焦点調節可能な領域上で試料
を照明することを可能にするか、あるいは測光法により分析される表面に対して
ラマン励起面を適応させることを可能にする数本の光学繊維を備えるようにした
請求項４〜６のいずれかに記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項８】 前記反射計的測定手段が、変調された反射計的測定手段であ
る請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項９】 前記変調が、光学的に行なわれる請求項８に記載の薄膜材料
を測定する装置。 - 【請求項１０】 前記変調が、電気的に行なわれる請求項８に記載の薄膜材
料を測定する装置。 - 【請求項１１】 前記変調が、前記ラマン励起光源によって保証されるよう
にした請求項９に記載の薄膜材料を測定する装置。 - 【請求項１２】 反射計的測定光源が、光学繊維によって、請求項１〜３の
いずれかに記載の前記装置のその他の部分に接続されているようにした薄膜材料
を測定する装置。 - 【請求項１３】 前記ラマン受光手段および前記反射計的受光手段の少なく
とも一方が、光学繊維によって、請求項１〜１２のいずれかに記載の前記装置の
その他の部分に接続されているようにした薄膜材料を測定する装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR98/12886 | 1998-10-14 | ||
| FR9812886A FR2784749B1 (fr) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | Appareil de caracterisation optique de materiau en couche mince |
| PCT/FR1999/002460 WO2000022416A1 (fr) | 1998-10-14 | 1999-10-12 | Appareil de caracterisation optique de materiau en couche mince |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002527742A true JP2002527742A (ja) | 2002-08-27 |
| JP4653311B2 JP4653311B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=9531561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000576265A Expired - Lifetime JP4653311B2 (ja) | 1998-10-14 | 1999-10-12 | 薄膜材料を光学的に測定する装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6657708B1 (ja) |
| EP (1) | EP1121580B1 (ja) |
| JP (1) | JP4653311B2 (ja) |
| KR (1) | KR100781745B1 (ja) |
| DE (1) | DE69930651T2 (ja) |
| FR (1) | FR2784749B1 (ja) |
| WO (1) | WO2000022416A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005233928A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Horiba Ltd | 基板検査装置 |
| JP2010286493A (ja) * | 2004-01-23 | 2010-12-24 | Horiba Ltd | 基板検査装置 |
| WO2011126141A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 日清紡メカトロニクス株式会社 | 太陽電池の検査方法および検査装置 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5910854A (en) | 1993-02-26 | 1999-06-08 | Donnelly Corporation | Electrochromic polymeric solid films, manufacturing electrochromic devices using such solid films, and processes for making such solid films and devices |
| US5668663A (en) | 1994-05-05 | 1997-09-16 | Donnelly Corporation | Electrochromic mirrors and devices |
| US6891563B2 (en) | 1996-05-22 | 2005-05-10 | Donnelly Corporation | Vehicular vision system |
| US6124886A (en) | 1997-08-25 | 2000-09-26 | Donnelly Corporation | Modular rearview mirror assembly |
| US6326613B1 (en) | 1998-01-07 | 2001-12-04 | Donnelly Corporation | Vehicle interior mirror assembly adapted for containing a rain sensor |
| US6172613B1 (en) | 1998-02-18 | 2001-01-09 | Donnelly Corporation | Rearview mirror assembly incorporating vehicle information display |
| US6445287B1 (en) | 2000-02-28 | 2002-09-03 | Donnelly Corporation | Tire inflation assistance monitoring system |
| US6329925B1 (en) | 1999-11-24 | 2001-12-11 | Donnelly Corporation | Rearview mirror assembly with added feature modular display |
| US6693517B2 (en) | 2000-04-21 | 2004-02-17 | Donnelly Corporation | Vehicle mirror assembly communicating wirelessly with vehicle accessories and occupants |
| US6477464B2 (en) | 2000-03-09 | 2002-11-05 | Donnelly Corporation | Complete mirror-based global-positioning system (GPS) navigation solution |
| EP1263626A2 (en) | 2000-03-02 | 2002-12-11 | Donnelly Corporation | Video mirror systems incorporating an accessory module |
| US7167796B2 (en) | 2000-03-09 | 2007-01-23 | Donnelly Corporation | Vehicle navigation system for use with a telematics system |
| US6396408B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-28 | Donnelly Corporation | Digital electrochromic circuit with a vehicle network |
| US7255451B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-14 | Donnelly Corporation | Electro-optic mirror cell |
| DE60220379T2 (de) | 2001-01-23 | 2008-01-24 | Donnelly Corp., Holland | Verbessertes fahrzeugbeleuchtungssystem |
| US6918674B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-19 | Donnelly Corporation | Vehicle rearview mirror system |
| US7329013B2 (en) | 2002-06-06 | 2008-02-12 | Donnelly Corporation | Interior rearview mirror system with compass |
| EP1514246A4 (en) | 2002-06-06 | 2008-04-16 | Donnelly Corp | COMPASS INTERIOR COURTESY MIRROR SYSTEM |
| US7310177B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-12-18 | Donnelly Corporation | Electro-optic reflective element assembly |
| WO2004103772A2 (en) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Donnelly Corporation | Mirror assembly for vehicle |
| EP1543358A2 (en) | 2002-09-20 | 2005-06-22 | Donnelly Corporation | Mirror reflective element assembly |
| US7446924B2 (en) | 2003-10-02 | 2008-11-04 | Donnelly Corporation | Mirror reflective element assembly including electronic component |
| US7308341B2 (en) | 2003-10-14 | 2007-12-11 | Donnelly Corporation | Vehicle communication system |
| US8545030B2 (en) * | 2004-07-12 | 2013-10-01 | Gentex Corporation | Rearview mirror assemblies with anisotropic polymer laminates |
| US7502156B2 (en) * | 2004-07-12 | 2009-03-10 | Gentex Corporation | Variable reflectance mirrors and windows |
| GB0510497D0 (en) * | 2004-08-04 | 2005-06-29 | Horiba Ltd | Substrate examining device |
| EP1949666B1 (en) | 2005-11-01 | 2013-07-17 | Magna Mirrors of America, Inc. | Interior rearview mirror with display |
| JOP20080381B1 (ar) | 2007-08-23 | 2023-03-28 | Amgen Inc | بروتينات مرتبطة بمولدات مضادات تتفاعل مع بروبروتين كونفيرتاز سيتيليزين ككسين من النوع 9 (pcsk9) |
| KR100917913B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2009-09-16 | 한국표준과학연구원 | Ｃａｒｓ 현미경을 이용한 유기 박막의 화학종 및 두께동시 광학분석장치 |
| US8154418B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-04-10 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Interior rearview mirror system |
| US9254789B2 (en) | 2008-07-10 | 2016-02-09 | Gentex Corporation | Rearview mirror assemblies with anisotropic polymer laminates |
| US20100220316A1 (en) * | 2008-07-14 | 2010-09-02 | Moshe Finarov | Method and apparatus for thin film quality control |
| US9487144B2 (en) | 2008-10-16 | 2016-11-08 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Interior mirror assembly with display |
| DE102009015909A1 (de) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Microlmaging Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung einer dünnen Siliziumschicht auf einem lichtdurchlässigen Substrat |
| JP5444457B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2014-03-19 | コリア リサーチ インスティテュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | 非線形光学顕微鏡を用いた血管内脂質の非破壊的病理的変化診断プログラム |
| FR2978255B1 (fr) | 2011-07-22 | 2014-02-21 | Horiba Jobin Yvon Sas | Dispositif optique d'eclairage conoscopique a cone creux pour microscope optique et procede de microscopie optique en conoscopie |
| US8902428B2 (en) | 2012-03-15 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers |
| KR101831383B1 (ko) | 2013-05-21 | 2018-02-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사 방법 및 장치, 검사 방법 및 장치에서 사용되는 기판, 및 디바이스 제조 방법 |
| US10254107B1 (en) | 2016-04-12 | 2019-04-09 | Falex Corporation | Ellipsometer apparatus having measurement compensation |
| FR3075377B1 (fr) * | 2017-12-19 | 2020-10-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de caracterisation et de controle de l'homogeneite de pieces metalliques fabriquees par frittage laser |
| IL280200B2 (en) * | 2018-07-25 | 2024-02-01 | Nova Ltd | Optical technique for material characterization |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005473A1 (en) * | 1995-08-01 | 1997-02-13 | Medispectra, Inc. | Optical microprobes and methods for spectral analysis of materials |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01295135A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Shimadzu Corp | 原子吸光分光分析装置 |
| DE4111903A1 (de) * | 1991-04-12 | 1992-10-15 | Bayer Ag | Spektroskopiekorrelierte licht-rastermikroskopie |
| JPH0579979A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電分離型減光式煙感知器 |
| JPH0712714A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体のカーボン保護膜の評価方法 |
| FR2714970B1 (fr) * | 1994-01-12 | 1996-03-29 | Centre Nat Rech Scient | Ellipsomètre spectroscopique modulé. |
| JP3311497B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2002-08-05 | 日本電子株式会社 | フーリエ変換分光位相変調偏光解析法 |
| FR2731074B1 (fr) * | 1995-02-27 | 1997-05-16 | Instruments Sa | Procede de mesure ellipsometrique, ellipsometre et dispositif de controle d'elaboration de couches les mettant en oeuvre |
| JPH08285820A (ja) * | 1995-04-17 | 1996-11-01 | Nippon Steel Corp | レーザー超音波検査装置 |
| JPH09213652A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーアニール装置 |
| JPH10115573A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Hitachi Ltd | ３次非線形感受率測定方法及び装置 |
-
1998
- 1998-10-14 FR FR9812886A patent/FR2784749B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-12 JP JP2000576265A patent/JP4653311B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-12 EP EP99947552A patent/EP1121580B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-12 US US09/807,581 patent/US6657708B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-12 WO PCT/FR1999/002460 patent/WO2000022416A1/fr not_active Application Discontinuation
- 1999-10-12 KR KR1020017004750A patent/KR100781745B1/ko active IP Right Grant
- 1999-10-12 DE DE69930651T patent/DE69930651T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005473A1 (en) * | 1995-08-01 | 1997-02-13 | Medispectra, Inc. | Optical microprobes and methods for spectral analysis of materials |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005233928A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Horiba Ltd | 基板検査装置 |
| JP2010286493A (ja) * | 2004-01-23 | 2010-12-24 | Horiba Ltd | 基板検査装置 |
| WO2011126141A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 日清紡メカトロニクス株式会社 | 太陽電池の検査方法および検査装置 |
| JP2011222735A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Nisshinbo Mechatronics Inc | 太陽電池の検査方法および検査装置 |
| KR101791719B1 (ko) | 2010-04-09 | 2017-10-30 | 닛신보 메카트로닉스 가부시키가이샤 | 태양전지의 검사방법 및 검사장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2784749A1 (fr) | 2000-04-21 |
| KR20010110293A (ko) | 2001-12-12 |
| US6657708B1 (en) | 2003-12-02 |
| FR2784749B1 (fr) | 2000-12-29 |
| EP1121580A1 (fr) | 2001-08-08 |
| WO2000022416A1 (fr) | 2000-04-20 |
| DE69930651T2 (de) | 2007-02-08 |
| EP1121580B1 (fr) | 2006-03-29 |
| KR100781745B1 (ko) | 2007-12-04 |
| DE69930651D1 (de) | 2006-05-18 |
| JP4653311B2 (ja) | 2011-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4653311B2 (ja) | 薄膜材料を光学的に測定する装置 | |
| US9952140B2 (en) | Small spot size spectroscopic ellipsometer | |
| US5442448A (en) | Device for the laterally resolved investigation of a laterally heterogeneous ultrathin object layer | |
| US6408048B2 (en) | Apparatus for analyzing samples using combined thermal wave and X-ray reflectance measurements | |
| De Maria et al. | Fiber-optic sensor based on surface plasmon interrogation | |
| JP2015509591A (ja) | 磁場向上要素を備えたターゲットを使用した光計測 | |
| US7760364B1 (en) | Systems and methods for near-field heterodyne spectroscopy | |
| JP2011191311A (ja) | 自己較正機能を備える表面特性解析用システム | |
| US7684039B2 (en) | Overlay metrology using the near infra-red spectral range | |
| EP0663590A1 (fr) | Ellipsomètre spectroscopique modulé | |
| CN110312925A (zh) | 使用宽带红外辐射的检验及计量 | |
| JP2004117298A (ja) | 全反射減衰を利用した測定方法および測定装置 | |
| TW202138750A (zh) | 光學臨界尺寸與光反射組合裝置、系統及方法 | |
| CN113739919B (zh) | 反射式近场光学偏振光谱仪 | |
| JP2005127748A (ja) | 光熱変換測定装置及びその方法 | |
| CN115290571A (zh) | 测量设备和测量方法 | |
| Räty et al. | Measurement of refractive index of liquids using s-and p-polarized light | |
| Ilchenko et al. | Wide Line Surface‐Enhanced Raman Scattering Mapping | |
| JP4119385B2 (ja) | 光熱変換測定装置 | |
| JPH07208937A (ja) | 膜厚及び誘電率の測定装置及びその測定方法 | |
| JP2007192841A (ja) | 全反射減衰を利用した測定方法および測定装置 | |
| JP4895436B2 (ja) | リジェクションフィルタの光学特性測定方法及びその装置 | |
| US20040246485A1 (en) | Far-field measurement of properties of metallic thin films | |
| Chopra et al. | Characterization Techniques for Optical Thin Films | |
| JP2004157031A (ja) | エバネッセント波を利用した光吸収分光顕微鏡 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060815 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100309 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101029 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101217 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4653311 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |