JP2002519706A - 第１の測定量の第２の測定量に対する依存性を決定するための方法および装置 - Google Patents
第１の測定量の第２の測定量に対する依存性を決定するための方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
第１の測定量（Ｙ）の第２の測定量（Ｐ）に対する依存性を決定するために、第２の測定量（Ｐ）は周波数（ｆ0）によって周期的に変化される。これに応じて変化する第１の測定量（Ｙ）が測定される。第１の測定量（Ｙ）の第１の測定信号から、少なくとも複数の周波数によって第１の測定量（Ｙ）の成分が決定される。このようにして決定された成分から、第２の測定量（Ｐ）の少なくとも複数の値に関して、第１の測定量（Ｙ）が信号処理により再決定される。
Description
【０００１】
本発明は、第１測定量の第２の測定量に対する依存性を決定するための方法に
関する。
関する。
【０００２】
本発明の用途の一例は、第１の測定量としての材料の光電面電圧の、第２の測
定量としての励起光の波長に対する依存性を測定することである。半導体表面が
光にさらされると、光電面電圧が材料の表面に発生し、この光電面電圧はとりわ
け、材料の荷電粒子の拡散距離の関数であり、かつそれを示すものである。光電
面電圧はまた、励起光の波長の関数でもある。光の波長が長いほど光を伝達する
材料の能力は高く、光は材料の中へとより深く侵入する。拡散距離と光電面電圧
との関係は複雑である。しかしながら、光の強度が一定であるかまたは出力信号
が一定である状況で動作する場合にはこの関係はほぼ線形であり、これは規定さ
れた動作点において測定が行なわれる場合を意味する。光電面電圧の測定はたと
えば半導体ウェハの材料の凹凸を検出するために使用され得る。この目的のため
に、材料の光電面電圧は材料の表面にわたって点ごとに検査される。
定量としての励起光の波長に対する依存性を測定することである。半導体表面が
光にさらされると、光電面電圧が材料の表面に発生し、この光電面電圧はとりわ
け、材料の荷電粒子の拡散距離の関数であり、かつそれを示すものである。光電
面電圧はまた、励起光の波長の関数でもある。光の波長が長いほど光を伝達する
材料の能力は高く、光は材料の中へとより深く侵入する。拡散距離と光電面電圧
との関係は複雑である。しかしながら、光の強度が一定であるかまたは出力信号
が一定である状況で動作する場合にはこの関係はほぼ線形であり、これは規定さ
れた動作点において測定が行なわれる場合を意味する。光電面電圧の測定はたと
えば半導体ウェハの材料の凹凸を検出するために使用され得る。この目的のため
に、材料の光電面電圧は材料の表面にわたって点ごとに検査される。
【０００３】 光電面電圧は非常に低く強いノイズを受けやすい。したがって、測定は「ロッ
クイン」技術によって行なわれる。励起光の強度は変調周波数および変調位相に
よって変調される。これにより、光の励起によってそれが起こる限り、測定信号
が応じて変調される。測定信号をフーリエ変換することにより、測定信号の成分
が決定し、この成分は、周波数および位相に関していえば、変調周波数および変
調位相に相当する。よって、非常に弱い信号でも検出できるようにノイズが抑制
される。この場合、励起光のさまざまな波長で材料の検査点ごとに測定が行なわ
れる。
クイン」技術によって行なわれる。励起光の強度は変調周波数および変調位相に
よって変調される。これにより、光の励起によってそれが起こる限り、測定信号
が応じて変調される。測定信号をフーリエ変換することにより、測定信号の成分
が決定し、この成分は、周波数および位相に関していえば、変調周波数および変
調位相に相当する。よって、非常に弱い信号でも検出できるようにノイズが抑制
される。この場合、励起光のさまざまな波長で材料の検査点ごとに測定が行なわ
れる。
【０００４】 この測定方法には非常に長い時間がかかる。ロックイン技術を用いる場合、た
とえば５周期といった、ある数の変調周波周期が測定ごとに要求される。変調周
波数は材料によって制限を受ける。すなわち、光にさらされると、材料が均衡状
態に達して光電面電圧の測定が有効になるまである時間がかかる。その後種々の
波長で表面の走査点ごとに測定を行ない表面の多数の点を走査する必要があるの
で、非常に長い測定時間がかかる。よって、実際には、光電面電圧によって半導
体ウェハをテストする場合には、非常に限定された数の波長で非常に限定された
数の測定点しか測定されない。
とえば５周期といった、ある数の変調周波周期が測定ごとに要求される。変調周
波数は材料によって制限を受ける。すなわち、光にさらされると、材料が均衡状
態に達して光電面電圧の測定が有効になるまである時間がかかる。その後種々の
波長で表面の走査点ごとに測定を行ない表面の多数の点を走査する必要があるの
で、非常に長い測定時間がかかる。よって、実際には、光電面電圧によって半導
体ウェハをテストする場合には、非常に限定された数の波長で非常に限定された
数の測定点しか測定されない。
【０００５】 本発明の目的は、これらの場合、および第１の測定量（Ｙ）の第２の測定量（
Ｐ）に対する依存性を決定するための方法の場合に、測定時間を短縮化すること
であり、この方法にも同様の問題があり、ノイズが同様に抑制される。
Ｐ）に対する依存性を決定するための方法の場合に、測定時間を短縮化すること
であり、この方法にも同様の問題があり、ノイズが同様に抑制される。
【０００６】 本発明によると、この目的は上記タイプの方法によって達成される。上記方法
において、 （ａ） 第２の測定量（Ｐ）が周波数（ｆ0）によって周期的に変化し、 （ｂ） これに応じて変化する第１の測定量（Ｙ）が測定され、 （ｃ） 第１の測定量（Ｙ）に関する得られた測定信号から、少なくとも複数
の周波数によって第１の測定量（Ｙ）の成分が決定され、 （ｄ） このようにして決定した成分から、信号処理によって第２の測定量（
Ｐ）の少なくとも複数の値に関して第１の測定量（Ｙ）が再決定される。
において、 （ａ） 第２の測定量（Ｐ）が周波数（ｆ0）によって周期的に変化し、 （ｂ） これに応じて変化する第１の測定量（Ｙ）が測定され、 （ｃ） 第１の測定量（Ｙ）に関する得られた測定信号から、少なくとも複数
の周波数によって第１の測定量（Ｙ）の成分が決定され、 （ｄ） このようにして決定した成分から、信号処理によって第２の測定量（
Ｐ）の少なくとも複数の値に関して第１の測定量（Ｙ）が再決定される。
【０００７】 光電面電圧の例に鑑みて、本発明によると、励起光の変調は予め定められた波
長では行なわれず、これにより「第１の測定量」として光電面電圧が変調される
ことになる。励起光の波長は周波数ｆ0によって走査範囲にわたって周期的に「
第２の測定量」として変化する。この結果、周期的な測定信号が得られる。周波
数ｆ0および上限周波数Ｎｆ0までの高調波２ｆ0，３ｆ0…の成分がこの測定信号
から得られる。これによってもノイズが抑制される。この場合、逆フーリエ変換
により、このときノイズのない第１の測定量（たとえば光電面電圧）が、このよ
うにして決定された成分から、第２の測定量の少なくとも複数の値に関して第２
の測定量（たとえば波長）に依存するよう再決定され得る。
長では行なわれず、これにより「第１の測定量」として光電面電圧が変調される
ことになる。励起光の波長は周波数ｆ0によって走査範囲にわたって周期的に「
第２の測定量」として変化する。この結果、周期的な測定信号が得られる。周波
数ｆ0および上限周波数Ｎｆ0までの高調波２ｆ0，３ｆ0…の成分がこの測定信号
から得られる。これによってもノイズが抑制される。この場合、逆フーリエ変換
により、このときノイズのない第１の測定量（たとえば光電面電圧）が、このよ
うにして決定された成分から、第２の測定量の少なくとも複数の値に関して第２
の測定量（たとえば波長）に依存するよう再決定され得る。
【０００８】 波長の関数として励起光の光子密度を付加的に測定して計算時に考慮に入れる
ことができる。この光子密度はおそらく一度測定されて校正され得る。しかしな
がら、光子密度およびその波長に対する依存性の決定は、必ずしも変調周波数に
よるわけではなく、ある時間間隔をおいて繰返され得る。しかしながら、さまざ
まな測定点および波長においてこの光子密度を物理的に一定の値にする必要はな
い。
ことができる。この光子密度はおそらく一度測定されて校正され得る。しかしな
がら、光子密度およびその波長に対する依存性の決定は、必ずしも変調周波数に
よるわけではなく、ある時間間隔をおいて繰返され得る。しかしながら、さまざ
まな測定点および波長においてこの光子密度を物理的に一定の値にする必要はな
い。
【０００９】 方法を実施するための好ましい装置は請求項９の主題である。 発明の変形例は従属項の主題である。
【００１０】 発明の実施例を以下に添付の図面を参照してより詳細に説明する。 図１において、参照番号１０はサンプルテーブルを示す。検査の対象となる半
導体ウェハといった半導体材料のサンプル１２がサンプルテーブル１０の上に取
付けられる。プローブ１４はサンプルの表面のさまざまな測定点における光電面
電圧ＳＰＶを測定する役割を果たす。プローブ１４は接地に対する光電面電圧Ｓ
ＰＶを測定する。非常に弱い信号がフィルタリングされ、ここでは増幅器１６と
して示される信号事前処理装置によって増幅される。
導体ウェハといった半導体材料のサンプル１２がサンプルテーブル１０の上に取
付けられる。プローブ１４はサンプルの表面のさまざまな測定点における光電面
電圧ＳＰＶを測定する役割を果たす。プローブ１４は接地に対する光電面電圧Ｓ
ＰＶを測定する。非常に弱い信号がフィルタリングされ、ここでは増幅器１６と
して示される信号事前処理装置によって増幅される。
【００１１】 光電面電圧ＳＰＶを発生するために、材料の表面のある領域に光が照射される
。光はここでは光ビーム１８として示される。光はモノクロメータ２０によって
与えられる。モノクロメータ２０は光学部材２２を備え、これはたとえば振動格
子であり、周波数ｆ0によって調波的に振動する。よって、励起光の波長λはこ
の周波数ｆ0によって周期的に変化する。かくして得られた測定信号はこのとき
、図４に示される経過時間をほぼ示す。増幅器１６によって増幅された測定信号
はフーリエ変換手段２４に与えられる。これらにより測定信号のフーリエ変換が
もたらされる。このフーリエ変換は増幅器１６の周波数応答および位相応答に対
して訂正手段２６によって訂正される。光電面電圧ＳＰＶを表わす第１の測定量
の、励起光の波長λを表わす第２の測定量に対する依存性Ｙ（λ）が、信号処理
装置によってこの訂正済フーリエ変換から得られる。この依存性は出力３０に与
えられる。かくして得られた依存性はほぼ図６に対応する。
。光はここでは光ビーム１８として示される。光はモノクロメータ２０によって
与えられる。モノクロメータ２０は光学部材２２を備え、これはたとえば振動格
子であり、周波数ｆ0によって調波的に振動する。よって、励起光の波長λはこ
の周波数ｆ0によって周期的に変化する。かくして得られた測定信号はこのとき
、図４に示される経過時間をほぼ示す。増幅器１６によって増幅された測定信号
はフーリエ変換手段２４に与えられる。これらにより測定信号のフーリエ変換が
もたらされる。このフーリエ変換は増幅器１６の周波数応答および位相応答に対
して訂正手段２６によって訂正される。光電面電圧ＳＰＶを表わす第１の測定量
の、励起光の波長λを表わす第２の測定量に対する依存性Ｙ（λ）が、信号処理
装置によってこの訂正済フーリエ変換から得られる。この依存性は出力３０に与
えられる。かくして得られた依存性はほぼ図６に対応する。
【００１２】 図２に示される変形例において、コームフィルタ(comb filter)３２に測定信
号が与えられる。コームフィルタ３２は高いフィルタ品質で、変調周波数ｆ0な
らびに調波２ｆ0および３ｆ0などの、測定信号（図４）のさまざまな成分を与え
る。これを図７に概略的に示す。これらの成分から、たとえば光電面電圧である
第１の測定量を表わす値Ｆnが、信号処理装置３４によって第２の測定量「波長
」のさまざまな別個の値λnに関して決定される。
号が与えられる。コームフィルタ３２は高いフィルタ品質で、変調周波数ｆ0な
らびに調波２ｆ0および３ｆ0などの、測定信号（図４）のさまざまな成分を与え
る。これを図７に概略的に示す。これらの成分から、たとえば光電面電圧である
第１の測定量を表わす値Ｆnが、信号処理装置３４によって第２の測定量「波長
」のさまざまな別個の値λnに関して決定される。
【００１３】 図３の測定構造の変形例では、周期的に変化し得る波長を有する励起光は図１
の場合のように振動光学部材を有するモノクロメータによって発生されない。そ
の代わりに白色光源３６が設けられ、この光が音響光学透過フィルタ３８に案内
される。音響光学透過フィルタ３８は正弦信号によって制御され、これにより音
響光学透過フィルタの伝達範囲がこの信号に応じて変化する。この結果、光の波
長が周期的に正弦波形状で変調されるようになる。
の場合のように振動光学部材を有するモノクロメータによって発生されない。そ
の代わりに白色光源３６が設けられ、この光が音響光学透過フィルタ３８に案内
される。音響光学透過フィルタ３８は正弦信号によって制御され、これにより音
響光学透過フィルタの伝達範囲がこの信号に応じて変化する。この結果、光の波
長が周期的に正弦波形状で変調されるようになる。
【００１４】 図４は、励起光の波長が段階的フィルタによって変化し得る構造を概略的に示
す。段階的フィルタは空間に依存する伝達領域を有する。図４の場合、段階的フ
ィルタはディスク４０であり、これは二重矢印で示される軸４２を中心として振
動するようにされる。ディスクのさまざまなセクタの透過率は円周角の関数であ
る。透過率は円周領域にわたって波長λ1から波長λ2まで変化する。振動運動に
よりこれらの領域は励起放射線ビームに対してλ1からλ2まで移動する。
す。段階的フィルタは空間に依存する伝達領域を有する。図４の場合、段階的フ
ィルタはディスク４０であり、これは二重矢印で示される軸４２を中心として振
動するようにされる。ディスクのさまざまなセクタの透過率は円周角の関数であ
る。透過率は円周領域にわたって波長λ1から波長λ2まで変化する。振動運動に
よりこれらの領域は励起放射線ビームに対してλ1からλ2まで移動する。
【００１５】 図５の実施例では、伝達領域は波長λ1とλ2との間で右から左へと１８０°変
化する。よって、ディスク４０は振動運動を行なう必要はなく連続して回転し得
る。
化する。よって、ディスク４０は振動運動を行なう必要はなく連続して回転し得
る。
【００１６】 サンプルテーブルを移動させると、サンプル１２がそれぞれプローブ１４およ
び光源２０，２２および３６，３８に対して移動し得、これによりサンプルのさ
まざまな点が連続して走査されるようになる。
び光源２０，２２および３６，３８に対して移動し得、これによりサンプルのさ
まざまな点が連続して走査されるようになる。
【図１】 第１の測定量（光電面電圧）の第２の測定量（励起光の波長）に
対する依存性を測定するための装置を示す概略図である。
対する依存性を測定するための装置を示す概略図である。
【図２】 コームフィルタを有する図１の装置の変形例を示す概略図である
。
。
【図３】 第２の測定量、すなわち励起光の波長を周期的に変化させるため
の手段の変形例を示す図である。
の手段の変形例を示す図である。
【図４】 波長を周期的に変化させるための手段、すなわち段階的フィルタ
による手段のさらなる変形例を示す図である。
による手段のさらなる変形例を示す図である。
【図５】 図４の実施例の変形例を示す図である。
【図６】 図１の装置によって得られる測定信号を示す概略図である。
【図７】 図４の測定信号のフーリエ変換を示す図である。
【図８】 図５のフーリエ変換によって再決定された、第１の測定量Ｙ（光
電面電圧）の、第２の測定量Ｐ（励起光の波長）に対する依存性を示す概略図で
ある。
電面電圧）の、第２の測定量Ｐ（励起光の波長）に対する依存性を示す概略図で
ある。
【図９】 変調周波数のさまざまな調波のためのコームフィルタによる、変
形された測定構造によって得られた成分を示す概略図である。
形された測定構造によって得られた成分を示す概略図である。
【図１０】 第２の測定量（波長）のさまざまな値に関してそれから再決定
された第１の測定量（光電面電圧）の値を概略的に示す図である。
された第１の測定量（光電面電圧）の値を概略的に示す図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年７月１０日（２０００．７．１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の分野】 本発明は、第１測定量の第２の測定量に対する依存性を決定するための方法に
関し、この方法では、 （ａ)第２の測定量が周波数によって周期的に変化し、 （ｂ)これに応じて変化する第１の測定量が測定される。
関し、この方法では、 （ａ)第２の測定量が周波数によって周期的に変化し、 （ｂ)これに応じて変化する第１の測定量が測定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】 光電面電圧は非常に低く強いノイズを受けやすい。したがって、測定は「ロッ
クイン」技術によって行なわれる。励起光の強度は変調周波数および変調位相に
よって変調される。これにより、光の励起によってそれが起こる限り、測定信号
が応じて変調される。測定信号をフーリエ変換することにより、測定信号の成分
が決定し、この成分は、周波数および位相に関していえば、変調周波数および変
調位相に相当する。よって、非常に弱い信号でも検出できるようにノイズが抑制
される。この場合、励起光のさまざまな波長で材料の検査点ごとに測定が行なわ
れる。 ＥＰ‐Ａ‐０ ０７７ ０２１から、ＳＰＶ法によって半導体ウエハの特性を
非破壊的に測定するための装置が公知である。ウエハは光源からのパルス光ビー
ムによって照射される。光ビームのパルス周波数は振動子によって変化し得る。
光ビームはウエハの表面で光電圧を発生する。この光電圧は容量結合によって電
極でピックアップされる。ノイズの抑制のために、容量結合によってピックアッ
プされた光電圧はロックイン増幅器によって増幅される。信号処理装置によって
、振動子の周波数（およびしたがって光ビームのパルス周波数）が決定されてモ
ニタリングされる。さらに、信号処理装置は。パルス周波数に依存して測定光電
圧を決定する。パルス周波数は連続的に上昇し、光電圧が測定される。対数関数
Ｖphは表示装置における対数関数ｆの関数として示される。臨界周波数では、光
電圧のパルス周波数に対する依存性は特徴的な態様で変化する。この臨界周波数
とは、測定されるべきキャリアの期間を示し、キャリアは光ビームによって発生
する。 ＵＳ−Ａ−５ ６６３ ６５７にもまた半導体ウエハを検査するためのＳＰＶ
法が開示されており、ここでは少数キャリアの拡散距離が決定される。いくつか
の工程でウエハの領域が異なった波長の光にさらされ、結果として生じた光電圧
が測定される。光電圧は励起光の侵入深さの関数として決定され、侵入深さは光
の波長の関数である。
クイン」技術によって行なわれる。励起光の強度は変調周波数および変調位相に
よって変調される。これにより、光の励起によってそれが起こる限り、測定信号
が応じて変調される。測定信号をフーリエ変換することにより、測定信号の成分
が決定し、この成分は、周波数および位相に関していえば、変調周波数および変
調位相に相当する。よって、非常に弱い信号でも検出できるようにノイズが抑制
される。この場合、励起光のさまざまな波長で材料の検査点ごとに測定が行なわ
れる。 ＥＰ‐Ａ‐０ ０７７ ０２１から、ＳＰＶ法によって半導体ウエハの特性を
非破壊的に測定するための装置が公知である。ウエハは光源からのパルス光ビー
ムによって照射される。光ビームのパルス周波数は振動子によって変化し得る。
光ビームはウエハの表面で光電圧を発生する。この光電圧は容量結合によって電
極でピックアップされる。ノイズの抑制のために、容量結合によってピックアッ
プされた光電圧はロックイン増幅器によって増幅される。信号処理装置によって
、振動子の周波数（およびしたがって光ビームのパルス周波数）が決定されてモ
ニタリングされる。さらに、信号処理装置は。パルス周波数に依存して測定光電
圧を決定する。パルス周波数は連続的に上昇し、光電圧が測定される。対数関数
Ｖphは表示装置における対数関数ｆの関数として示される。臨界周波数では、光
電圧のパルス周波数に対する依存性は特徴的な態様で変化する。この臨界周波数
とは、測定されるべきキャリアの期間を示し、キャリアは光ビームによって発生
する。 ＵＳ−Ａ−５ ６６３ ６５７にもまた半導体ウエハを検査するためのＳＰＶ
法が開示されており、ここでは少数キャリアの拡散距離が決定される。いくつか
の工程でウエハの領域が異なった波長の光にさらされ、結果として生じた光電圧
が測定される。光電圧は励起光の侵入深さの関数として決定され、侵入深さは光
の波長の関数である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】 本発明によると、この目的は上記タイプの方法によって達成される。上記方法
において、 （ｃ） 第１の測定量に関する得られた測定信号から、少なくとも複数の周波
数によって第１の測定量の成分が決定され、 （ｄ） このようにして決定した成分から、信号処理によって第２の測定量の
少なくとも複数の値に関して第１の測定量が再決定される。
において、 （ｃ） 第１の測定量に関する得られた測定信号から、少なくとも複数の周波
数によって第１の測定量の成分が決定され、 （ｄ） このようにして決定した成分から、信号処理によって第２の測定量の
少なくとも複数の値に関して第１の測定量が再決定される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スロッカ，ベルンド ドイツ連邦共和国、デー−13053 ベルリ ン、アム・ファウレン・ゼー、59 Ｆターム(参考） 2F063 AA43 BA30 CA11 JA04 LA30 2G003 AA10 AB00 AG00 AH05 AH09 4M106 AA01 BA04 CA17 CA38 DH31 DJ11
Claims (17)
- 【請求項１】 第１の測定量（Ｙ）の第２の測定量（Ｐ）に対する依存性を
決定するための方法であって、 （ａ） 前記第２の測定量（Ｐ）は周波数（ｆ0）によって周期的に変化し、 （ｂ） これに応じて変化する前記第１の測定量（Ｙ）が測定され、 （ｃ） 前記第１の測定量（Ｙ）に関する得られた測定信号から、少なくとも
複数の周波数によって前記第１の測定量（Ｙ）の成分が決定され、 （ｄ） このようにして決定した成分から、信号処理によって前記第２の測定
量（Ｐ）の少なくとも複数の値に関して前記第１の測定量（Ｙ）が再決定される
ことを特徴とする、方法。 - 【請求項２】 前記第２の測定量の変化が、正弦関数によって行なわれるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記第１の測定量の成分を達成するために、 （ａ） 前記測定信号にフーリエ変換が施され、 （ｂ） 前記測定信号のフーリエ変換が、測定構造の周波数応答および位相応
答に対して訂正されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記測定量の成分を達成するために、前記測定信号がコーム
フィルタに与えられることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記第１の測定量が、光による励起時の材料の光電面電圧で
あり、前記第２の測定量は前記励起光の波長であることを特徴とする、請求項１
から４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 前記励起が、周期的に波長を変化させる振動光学部材を有す
るモノクロメータからの光によって行なわれることを特徴とする、請求項５に記
載の方法。 - 【請求項７】 前記励起光の波長が、音響光学透過フィルタ（３８）によっ
て周期的に変化することを特徴とする、請求項５に記載の方法。 - 【請求項８】 前記励起光の波長が、前記励起光に対してずらして配置され
た段階的フィルタによって変化することを特徴とする、請求項５に記載の方法。 - 【請求項９】 （ａ） 周波数（ｆ0）によって前記第２の測定量（Ｐ）を
周期的に変化するための手段と、 （ｂ） これに応じて変化する前記第１の測定量（Ｙ）を測定するための手段
と、 （ｃ） 前記第１の測定量（Ｙ）に関する得られた測定信号から、少なくとも
複数の周波数によって前記第１の測定量（Ｙ）の成分を決定するための手段と、 （ｄ） このようにして決定した成分から、前記第２の測定量（Ｐ）の少なく
とも複数の値に関する前記第１の測定量（Ｙ）を再決定するための信号処理手段
（２８；３４）とを特徴とする、請求項１に記載の方法を行なうための装置。 - 【請求項１０】 前記第２の測定量が、正弦関数によって変化するようにさ
れることを特徴とする、請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 （ａ） 前記第１の測定量（Ｙ）に関する得られた測定信
号から、少なくとも複数の周波数によって前記第１の測定量（Ｙ）の成分を決定
するための手段が、前記測定信号に対するフーリエ変換のための手段（２４）を
含み、さらに （ｂ） 測定構造の周波数応答に対して前記測定信号のフーリエ変換を訂正す
るための手段（２６）が設けられることを特徴とする、請求項９または１０に記
載の装置。 - 【請求項１２】 前記測定信号が、前記測定量の成分を達成するためにコー
ムフィルタ（３２）に与えられることを特徴とする、請求項９または１０に記載
の装置。 - 【請求項１３】 前記第１の測定量が、光による励起時の材料の光電面電圧
であり、前記第２の測定量が前記励起光の波長であることを特徴とする、請求項
１１または１２に記載の装置。 - 【請求項１４】 前記励起光を発生するために、前記波長を周期的に変化さ
せるための振動光学部材（２２）を有するモノクロメータ（２０）が設けられる
ことを特徴とする、請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記励起光の波長を周期的に変化させるために音響光学透
過フィルタが設けられることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１６】 前記励起光の波長を周期的に変化させるために段階的フィ
ルタが使用され、前記段階的フィルタは前記励起光に対してずらして配置される
ことを特徴とする、請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１７】 整調可能な単色光源が励起に使用されることを特徴とする
、請求項１３に記載の装置。
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