【発明の詳細な説明】
１．発明の名称
ガス供給設備
２．技術分野
本発明は、例えば半導体デバイスの製造の際に使用される原料ガスを供給する
ためのガス供給設備に関するものである。
３．従来技術
近年、ＩＣなどの半導体集積回路の集積度は一層高くなる傾向にある。４Ｍｂ
ｉｔ〜６４Ｍｂｉｔの集積度を備えた半導体集積回路の製造はもちろん、２５６
Ｍｂｉｔの高集積度を備えた半導体集積回路の製造までも可能となっている。こ
のような高集積度の半導体集積回路を製造する際には、使用される原料ガスが高
純度であることが要求される。
従来から、半導体集積回路の製造に使用されるガス供給設備は、半導体製造工
場内に設置され、半導体製造工場内のガス供給室に設置されて原料ガスを貯蔵す
るガス容器と、このガス容器から延びるガス供給ラインとを備えている。原料ガ
スは、シラン等の危険性を有するものであるので、ガス容器は、一般にシリンダ
キャビネット内に収容されて使用される。ガス供給ラインは、ガス供給室とは離
れた場所にあるクリーンルーム内に設置された半導体製造ユニットに接続され、
半導体製造時には、ガス容器からの原料ガスを半導体製造ユニットに供給してい
る。
このようなガス供給設備は、通常、ガス供給室内に複数のシリンダキャビネッ
トを備えており、各シリンダキャビネット毎にガス容器が収容されている。これ
らのガス容器には、それぞれ、異なる種類の原料ガスが貯蔵されている。従って
、ある種類の原料ガスが使用された後は、ガス供給ライン内にその原料ガスが残
留している。このため、この残留する原料ガスによって次に使用される原料ガス
の純度が低下されないように、窒素などの不活性ガスからなるパージガスがガス
供給ライン内に導入されるようになっている。更に、このパージガスによって排
出された排ガスを処理するため、通常、ガス供給室及びクリーンルーム内に、そ
れぞれ排ガス処理ユニットが設置されている。
ところで、パージガスは、完成後の半導体デバイスを半導体製造ユニットから
取り出す際にも、ガス供給ライン内に導入され続ける。このような運転をするの
は、パージガスを供給することによって半導体製造ユニット内を正圧とし、それ
によって、開放された半導体製造ユニット内に外気中のパーティクルが侵入する
ことを抑制するためである。また、クリーンルーム内のガス供給ラインの管壁に
取り付けられた流量調整器などの部品を交換する際にも、ガス供給ラインにパー
ジガスが導入される。このパージガスは、半導体製造ユニット内を通り、クリー
ンルーム内の排ガス処理ユニットを経て大気中に放出される。
更に、半導体製造工場を長期間休止させる場合には、毒性のある原料ガスをガ
ス供給ライン内に残留させておくことは好ましくない。このため、このように長
期間休止させる場合には、ガス供給ライン内にパージガスを導入しておくことが
好ましい。このような場合、ガス供給ラインの全体に渡って原料ガスをパージガ
スにより置換しておく必要がある。パージガスにより原料ガスを置換する際、ガ
ス供給ラインの上流側からパージガスを導入するのが効果的である。このとき、
このパージガスは、半導体製造ユニットを通り、クリーンルーム内の排ガス処理
ユニットを経て大気中に放出される。
なお、クリーンルーム内のガス供給ラインに取り付けられた流量調整器などの
部品を交換する際、半導体製造ユニット内が外気によって汚染されないよう、ガ
ス供給ラインの下流側からパージガスを分岐させ、このパージガスを用いて、ク
リーンルーム内に設置された別の排ガス処理ユニットで排ガスを処理することも
考えられている。
しかしながら、以上のようなガス供給設備は、ガス供給ラインにパージガスが
導入される際、以下に述べる問題点を有している。
先ず第一に、クリーンルーム内で流量調整器などの部品を交換する際、ガス供
給ラインの一部が外気と連通するので、たとえパージガスを流していても、外気
中のパーティクルがガス供給ライン内に混入し、それによって、流量調整器より
も下流側に位置する半導体製造装置内が汚染される可能性がある。この様な場合
、半導体製造ユニット内での原料ガスの純度が低下し、将来において要求される
２５６Ｍｂｉｔ〜４Ｇｂｉｔといった高い集積度を有する半導体デバイスの製造
が困難になるおそれがある。
第二に、半導体製造工場を長期間休止させる場合に備えて、ガス供給ライン内
にパージガスを導入する際、ガス供給室とクリーンルームとが互いに離れた場所
にあるので、ガス供給室内の作業者とクリーンルーム内の作業者とが互いに連絡
を取り合わなければならない。これは、必ずしも効率が良い作業とは言えない。
更に、クリーンルーム内のガス供給ラインに取り付けられた流量調整器などの
部品を交換するために、ガス供給ラインの下流側からパージガスを分岐させて、
このパージガスで排ガスを運び、クリーンルーム内に別に設置された排ガス処理
ユニットで処理する場合、クリーンルーム内のスペースが占められるばかりでは
なく、上記排ガス処理ユニットを増設するためにかなりのコストが掛かるという
問題もある。
本発明は、以上の様な事情に鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、高
い集積度の半導体集積デバイスの製造に対応することができ、かつ、作業効率を
向上させることができるガス供給設備を提供することにある。
４．発明の開示
上記目的を達成するため、本願の請求項１に係るガス供給設備は、
ガス容器と、
前記ガス容器に貯蔵されたガスを消費するガス消費装置と、
前記ガス容器から前記ガス消費装置に前記ガスを供給するガス供給ラインと、
パージガスを供給するためのバージガス供給源と、
一端が前記パージガス供給源に接続され、他端が前記ガス供給ラインの所定の
位置に接続されたパージガス導入ラインと、
前記ガス容器に隣接する位置において前記ガス供給ラインの上流部分に接続さ
れ、前記パージガス供給源からのパージガスによって、前記ガス供給ラインの前
記上流部分から排出される排ガスを処理する排ガス処理ユニットと、
を備えたガス供給設備において、
一端が、前記ガス消費装置に隣接する位置において前記ガス供給ラインの下流
部分に接続され、他端が、前記排ガス処理ユニットに接続されている開閉可能な
帰還ベントラインと、
前記帰還ベントラインと前記ガス消費装置の間で前記ガス供給ラインに設けら
れた弁と、
を備えたことを特徴とする。
上記のガス供給設備によれば、パージガス供給源からガス供給ラインにパージ
ガスを導入し、弁を閉状態にすると、パージガスを、半導体製造ユニット等のガ
ス消費装置内を通過させることなく、帰還ベントラインを介してガス容器近傍の
排ガス処理ユニットへ送り、そこで処理することが可能となる。従って、例えば
、交換を要する流量調整器などの部品を、帰還ベントラインとガス供給ラインと
の接続点よりも上流側に設けておけば、当該部品の交換時にパージガスがガス消
費装置側に流入することが防止される。
また、半導体製造工場が長期間休止される場合に備えて、ガス供給ライン内に
パージガスを導入する際、パージガス供給源によりガス供給ラインの上流側から
パージガスを導入し、弁を閉じると、ガス供給ライン全体に渡ってパージガスに
よる原料ガスの置換作業を行うことができる。同時に、パージガスを、帰還ベン
トラインを通して排ガス処理ユニットに送ることができる。この場合、作業者は
、ガス供給ラインの上流側、あるいは、ガス容器及び排ガス処理ユニットの近傍
で作業を行うことができる。
更に、原料ガスとして液化ガスを使用する場合において、液化ガスの供給が停
止された時に弁を閉じると、原料ガスが帰還ベントラインの容積分だけ膨張して
その圧力が減小し、液化ガスを飽和蒸気圧の状態から非飽和蒸気圧の状態に移行
させることができる。その結果、一旦気化した液化ガスが、ガス供給ライン内で
再液化しにくくなる。
また、本願の請求項２に係るガス供給設備は、
ガス容器と、
前記ガス容器に貯蔵されたガスを消費するガス消費装置と、
前記ガス容器から前記ガス消費装置に前記ガスを供給するガス供給ラインと、
パージガスを供給するためのバージガス供給源と、
一端が前記パージガス供給源に接続され、他端が前記ガス供給ラインの所定の
位置に接続されたパージガス導入ラインと、
前記ガス容器に隣接する位置において前記ガス供給ラインの上流部分に接続さ
れ、前記パージガス供給源からのパージガスによって、前記ガス供給ラインの前
記上流部分から排出される排ガスを処理する排ガス処理ユニットと、
を備えたガス供給設備において、
一端が前記パージガス導入ラインに接続され、他端が前記排ガス処理ユニット
に接続されている開閉可能なベントラインと、
前記ベントラインと前記パージガス供給源の間で前記パージガス導入ラインに
設けられた弁と、
を備えたことを特徴とする。
上記の構成においても、ガス供給ライン内にある残留ガスとパージガスとから
なる混合ガスを、ガス容器の近傍に設けられた排ガス処理ユニットで処理するこ
とが可能となる。
５．図面の簡単な説明
図１は、本発明に基づくガス供給設備の第一の実施形態を示す概略図である。
図２は、本発明に基づくガス供給装置の第二の実施形態を示す概略図である。
６．発明を実施するための最良の形態
以下、図面を用いて、本発明に基づくガス供給設備の好適な実施形態について
詳細に説明する。なお、図中、同一または相当部分に対しては同一符号を付する
こととする。
図１は、本発明に基づくガス供給設備を、半導体製造工場に適用した場合の一
実施形態を示す概略図である。同図に示すように、半導体製造工場内には、空気
の清浄度を高めたクリーンルーム１が設置されている。このクリーンルーム１内
には、複数のガス制御ボックス２が設置されている（同図では３台のみが示され
ている）。このガス制御ボックス２は、それぞれ、半導体製造ユニット（ガス消
費設備）３の直近または内部に設置されている。この半導体製造ユニット３は、
作業者が、完成後の半導体製造デバイスの取出しなどの作業を行えるように構成
されいる。各半導体製造ユニット３には、当該半導体製造ユニット３から排出さ
れた排ガスを処理するための排ガス処理ユニット４が接続されている。これらの
排ガス処理ユニット４は、後述する各シリンダキャビネット６Ａ，６Ｂ，６Ｃか
ら送られて半導体製造ユニット３において使用された後の残留原料ガスを処理（
無害化）することができる。
このような半導体製造ユニット３に原料ガスを供給するための本実施形態のガ
ス供給設備は、ガス供給室５を有している。このガス供給室５内には、複数のシ
リンダキャビネット６Ａ，６Ｂ，６Ｃが設置され（同図では３台のみが示されて
いる）、これらのシリンダキャビネットから、半導体製造ユニット３に半導体デ
バイスの製造に必要な原料ガスが供給される。各シリンダキャビネット６Ａ，６
Ｂ，６Ｃの内部には、シリンダ（ガス容器）７が収納され、各シリンダ７にはそ
れぞれ異なる種類の原料ガスが貯蔵されている。原料ガスとしては、シラン、ホ
スフィン、臭化水素等の有害ガスが使用される。更に、シリンダキャビネット６
Ａ，６Ｂ，６Ｃは、通常、同一の構成となっている。従って、以下において、シ
リンダキャビネット６Ａのみについて説明することにする。
シリンダキャビネット６Ａ内のシリンダ７から、ガス供給ライン８の主供給ラ
イン８ａが延びており、この主供給ライン８ａには、パージガス導入ライン９が
接続されている。更に、この主供給ライン８ａには、ベントライン１１の一端も
接続されている。このベントライン１１の一端は、ガス供給室５内に配置された
排ガス処理ユニット１０に接続されている。従って、パージガス供給源（図示せ
ず）からパージガス導入ライン９を通って、窒素などの不活性ガスからなるパー
ジガスが導入されたとき、弁を適宜操作することによって、ガス供給ライン８の
主供給ライン８ａ内に残留している原料ガスが、パージガスによって運ばれて、
ベントライン１１を通って排ガス処理ユニット１０に送り込まれる。
更に、ガス供給ライン８の主供給ライン８ａは、ガス供給室５の外部に設置さ
れた分岐ボックス１２内で、ガス制御ボックス２の数に応じて３本の分岐供給ラ
イン８ｂに分岐されている。各分岐供給ライン８ｂの端部は、クリーンルーム１
内を通り、３台のガス制御ボックス２を経由して、各半導体製造ユニット３に接
続されている。更に、分岐ボックス１２内には、途中で３本に分岐されたパージ
ガス導入ライン１６が設けられている。主供給ライン８ａから分岐された各分岐
供給ライン８ｂの基部には、弁Ｖ5が取り付けられている。一方、パージガス導
入ライン１６から３本に分岐された各分岐導入ライン１６ａの先端にも、弁Ｖ6
が取り付けられている。これらの弁Ｖ5，Ｖ6を適宜操作することによって、分岐
ボックス１２の外部のパージガス供給源（図示せず）から、パージガス導入ライ
ン１６を介して、各分岐供給ライン８ｂにパージガスを導入することが可能にな
っている。
この各分岐供給ライン８ｂの端部には、ガス制御ボックス２内に取り付けられ
た弁Ｖ1の上流側の位置から帰還ベントライン１３が延びている。ここで、ガス
供給ライン８の全体に渡ってパージガスを通すという観点から、帰還ベントライ
ン１３と分岐供給ライン８ｂとを互いに接続する位置を、できる限り半導体製造
ユニット３に近くにすることが好ましい。各帰還ベントライン１３の一端には、
各帰還ベントライン１３の当該一端と各分岐供給ライン８ｂとを互いに接続する
位置の近傍に、弁Ｖ2が取り付けられている。また、各帰還ベントライン１３の
他端は、ガス供給室５内の排ガス処理ユニット１０に接続されている。排ガス処
理ユニット１０は、真空排気装置２１によって吸引されている。ガス供給室５内
の各帰還ベントライン１３には、原料ガスの濃度をｐｐｔオーダーで測定可能な
分析装置（図示せず）が取り付けられている。この分析装置によって検出された
原料ガスの濃度の値に基づいて、パージガスによる原料ガスの置換作業をモニタ
ーすることができる。
各ガス制御ボックス２内の各分岐供給ライン８ｂには、帰還ベントライン１３
が接続される位置の上流側に、流量調整器１４（例えば、減圧弁またはマスフロ
ーメータなど）が取り付けられ、更にその上流側に、弁Ｖ3が取り付けられてい
る。この弁Ｖ3と流量調整器１４との間には、パージガス導入ライン１５から３
本に分岐された各分岐導入ライン１５ａが接続され、各分岐導入ライン１５ａに
は弁Ｖ4が取り付けられている。これにより、弁Ｖ3，Ｖ4を適宜操作すること
によって、各パージガス導入ライン１５を介して、各半導体製造ユニット３にパ
ージガスを導入することが可能になっている。
なお、詳細については図示していないが、他の２つのシリンダキャビネット６
Ｂ，６Ｃについても同様に、途中で３本に分岐されるガス供給ラインが設けられ
ている。各ガス供給ラインの各分岐供給ラインは、クリーンルーム１内の各ガス
制御ボックス２を経由して、半導体製造ユニット３に接続されている。
上記の様な構成を備えたガス供給設備において、ガス制御ボックス２内で流量
調整器１４などの部品を交換する場合、弁Ｖ1，Ｖ3を閉状態、弁Ｖ2，Ｖ4を開状
態にする。これによって、ガス供給ライン８の分岐供給ライン８ｂにパージガス
が導入される。このパージガスは、半導体製造ユニット３内を通過することなく
、帰還ベントライン１３を通ってガス供給室５内の排ガス処理ユニット１０に送
られ、そこで処理される。従って、部品を交換する際、半導体製造ユニット３が
外気によって汚染されることがなく、半導体製造の際の原料ガスの純度が向上す
る。即ち、上記のガス供給設備は、将来要求されるより高い集積度の半導体製造
デバイスの製造に対応することができる。
また、半導体製造工場が長期間休止される場合、弁Ｖ2，Ｖ3，Ｖ5を開状態と
し、弁Ｖ1，Ｖ4，Ｖ6を閉状態とする。これによって、ガス供給ライン８の上流
側、即ちガス供給室５側のガス供給ライン８からパージガスが導入され、ガス供
給ライン８のほぼ全体に渡ってパージガスによる原料ガスの置換作業を行うこと
ができる。同時に、パージガスを各帰還ベントライン１３に一方向の流れとして
通過させ、ガス供給室５内に設けられた真空排気装置２１によって真空排気する
ことができる。従って、作業員は、半導体製造ユニット３を操作することなく、
最も高いパージ効率を有する一方向のフラッシングパージ法によってパージガス
による置換作業を行うことができる。これによって、パージガスによる置換作業
の効率が著しく向上すると共に、ガス供給ライン８内の原料ガスを短時間に排除
することが可能になり、その結果、コストの低減を図ることができる。
上記のガス供給設備は、更に、ガス供給室５内の各排ガス処理ユニット１０が
有効に利用されるように構成されているので、クリーンルーム１内の各ガス制御
ボックス２毎に、別の排ガス処理ユニットをそれぞれ新たに設置する場合と比べ
て、コストが掛からない。更に、クリーンルーム１内の各ガス制御ボックス２毎
に、別の排ガス処理ユニットをそれぞれ新たに設置する必要がなくなるので、ク
リーンルーム１内のスペースを節約することができる。
原料ガスとして、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）またはジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃ
ｌ2）等の液化ガスが使用される場合、原料ガスの供給を停止する際、弁Ｖ2を適
宜開状態とする。これによって、ガス供給ライン８内の原料ガスが各帰還ベント
ライン１３の容積まで膨張して圧力が低下し、飽和蒸気圧の状態から非飽和の蒸
気圧状態に変わる。このため、ガス供給ライン８が外気によって多少冷却された
としても、原料ガスが液化されにくくなり、その結果、原料ガスのガス供給ライ
ン内での液化に起因する金属汚染などを防止することができる。
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態
では、例えば、帰還ベントライン１３は、ガス制御ボックス２内の分岐供給ライ
ン８ｂから延びて、シリンダキャビネット６側の排ガス処理ユニット１０に接続
されるように設けられているが、帰還ベントライン１３は、ガス制御ボックス２
の外部にある分岐供給ライン８ｂから延びるようにしてもよい。更に、本発明に
基づくガス供給設備を、ガス制御ボックス２を備えていない半導体製造ユニット
に対して適用することも、当然、可能である。更に、プラズマ発生装置や液晶デ
バイスのようなマイクロデバイスの製造装置等、半導体製造装置以外のガス消費
装置に対して適用することも可能である。
図２に、本発明に基づくガス供給設備の第二の実施形態を示す。この実施形態
は、図１に示した実施形態と実質的に同じ構成となっている。その相違点は、こ
の実施形態では、帰還ベントライン１３が設けられておらず、その代りに、ベン
トライン２０が設けられているところにある。このベントライン２０の一端は、
パージガス導入ライン１６の途中に接続され、他端は、ガス供給室５内の排ガス
処理ユニット１０に接続されている。更に、図２の構成においては、パージガス
導入ライン１６には、ベントライン２０との接続位置よりも上流側の適切な位置
に弁Ｖ7が設けられている。また、ベントライン２０にも弁Ｖ8が設けられている
。
上記のような構成において、例えば、弁Ｖ5と弁Ｖ1との間のガス供給ライン
８ｂ内の原料ガスをパージガスで置換する場合、弁Ｖ1，Ｖ4，Ｖ5，Ｖ8を閉じ、
弁Ｖ3，Ｖ6，Ｖ7を開く。これによって、パージガスを、パージガス導入ライン
１６を介してガス供給ライン８ｂに導入する。次いで、弁Ｖ7を閉じ、弁Ｖ8を開
くと、ガス供給ライン８ｂ内にあるパージガスと原料ガスとからなる混合ガスが
、パージガス導入ライン１６を逆流し、ベントライン２０を通って、排ガス処理
ユニット１０に送られる。この時、排ガス処理ユニット１０は、真空排気装置２
１によってガス供給ライン８内の圧力と比べて負圧になっているので、圧力差に
よってガス供給ライン８内の混合ガスが排ガス処理ユニット１０内に流入する。
この作業を数回繰り返すことによって、ガス供給ライン８内の原料ガスの濃度が
所定の値よりも低くなる。この様にして、ガス置換作業が終了する。
この作業の後、流量調整器１４などの部品を交換したとしても、半導体製造ユ
ニット３が外気に対して開放されることはない。このため、従来の方法の場合と
同様に、半導体製造ユニット３の内部の汚染が防止される。
ここで、この第二の実施形態では、排ガスを排ガス処理ユニット１０に流すた
めに１本のベントラインが設けられている。従って、第二の実施形態は、図１に
示された実施形態と比べて、設備構成が簡略化されている。なお、後者の実施形
態では、帰還ベントライン１３が半導体製造ユニット３に対応する本数だけ必要
になる。
７．産業上の利用性
以上述べたように、本発明によれば、ガス供給ラインに残留しているガスをパ
ージガスによって追い出す場合、パージガスを、半導体製造ユニットなどのよう
なガス消費ユニットをバイパスさせて、当該ガス消費ユニットの上流側に設けら
れている排ガス処理ユニットへ送り、そこで処理することができる。これに対し
て、従来の方法では、パージガスをガス消費ユニットを通していた。
従って、本発明によれば、ガス供給ラインに設けられている部品を交換する際
にも、外気に触れたパージガスがガス消費ユニット内に導入されることはない。
このことは、ガス消費ユニットが、パーティクルによって汚染され易い半導体製
造ユニットである場合に特に有効である。従って、本発明によるガス供給設備は
、将来要求されるより高い集積度を備えた半導体製造デバイスの製造に対応する
ことができる。
また、本発明によれば、ガス供給ライン内にパージガスを導入する際、置換作
業を、ガス容器あるいはその近傍の排ガス処理ユニットの周辺で行うことができ
る。従って、パージガスによる置換作業の効率を著しく向上させ、ガス供給ライ
ン内の原料ガスを短時間で除去することが可能になり、その結果、コストを減ら
すことができる。
また、ガス容器に貯蔵されるガスとして液化ガスが使用される場合、液化ガス
の供給が停止された時、ガス供給ラインが外気によって多少冷却されたとしても
、ガスが液化しにくくなる。その結果、ガス供給ライン内での上記ガスの液化に
起因する金属汚染を防止することができる。
更に、本発明によるガス供給設備を建設する際、当該ガス供給設備の運転開始
の際に要求されるユニット内部あるいは配管内部のクリーンアップに要する作業
日数を、大幅に短縮することができる。
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項
【提出日】平成１１年１月１８日（１９９９．１．１８）
【補正内容】
も下流側に位置する半導体製造装置内が汚染される可能性がある。この様な場合
、半導体製造ユニット内での原料ガスの純度が低下し、将来において要求される
２５６Ｍｂｉｔ〜４Ｇｂｉｔといった高い集積度を有する半導体デバイスの製造
が困難になるおそれがある。
第二に、半導体製造工場を長期間休止させる場合に備えて、ガス供給ライン内
にパージガスを導入する際、ガス供給室とクリーンルームとが互いに離れた場所
にあるので、ガス供給室内の作業者とクリーンルーム内の作業者とが互いに連絡
を取り合わなければならない。これは、必ずしも効率が良い作業とは言えない。
更に、クリーンルーム内のガス供給ラインに取り付けられた流量調整器などの
部品を交換するために、ガス供給ラインの下流側からパージガスを分岐させて、
このパージガスで排ガスを運び、クリーンルーム内に別に設置された排ガス処理
ユニットで処理する場合、クリーンルーム内のスペースが占められるばかりでは
なく、上記排ガス処理ユニットを増設するためにかなりのコストが掛かるという
問題もある。
本発明は、以上の様な事情に鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、高
い集積度の半導体集積デバイスの製造に対応することができ、かつ、作業効率を
向上させることができるガス供給設備を提供することにある。
４．発明の開示
上記目的を達成するため、本願の請求項１に係るガス供給設備は、
ガス容器（７）と、
前記ガス容器（７）からガス消費装置（３）に前記ガスを供給するガス供給ラ
イン（８）と、
前記ガス供給ライン（８）の途中に設けられた流量調節装置（１４）と、
前記流量調節装置（１４）の上流側で、前記ガス供給ライン（８）に合流する
パージガス導入ライン（１５）と、
前記パージガス導入ライン（１５）上に設けられた弁（Ｖ４）と、
前記パージガス導入ライン（１５）からの合流部よりも上流側において、前記
ガス供給ライン（８）上に設けられた弁（Ｖ３）と、
前記パージガス導入ライン（１５）の元端に接続されたパージガス供給源と、
前記ガス容器（７）の近傍で、前記ガス供給ライン（８）から分岐するベント
ライン（１１）と、
前記ベントライン（１１）の先端に接続され、前記パージガス供給源からのパ
ージガスによって、前記ガス供給ライン（８）の内、前記パージガス導入ライン
（１５）からの合流部よりも上流部分から排出される排ガスを処理する排ガス処
理装置（１０）と、
を備えたガス供給設備において、
前記流量調節装置（１４）の下流側において、前記ガス供給ライン（８）から
分岐し、先端が前記排ガス処理装置（１０）に接続された帰還ベントライン（１
３）と、
前記帰還ベントライン（１３）上に設けられた弁（Ｖ２）と、
前記帰還ベントライン（１３）への分岐部よりも下流側において、前記ガス供
給ライン（８）上に設けられた弁（Ｖ１）と、
を備えたことを特徴とする。
上記のガス供給設備によれば、パージガス供給源からガス供給ラインにパージ
ガスを導入し、弁を閉状態にすると、パージガスを、半導体製造ユニット等のガ
ス消費装置内を通過させることなく、帰還ベントラインを介してガス容器近傍の
排ガス処理ユニットへ送り、そこで処理することが可能となる。従って、例えば
、交換を要する流量調整器などの部品を、帰還ベントラインとガス供給ラインと
の接続点よりも上流側に設けておけば、当該部品の交換時にパージガスがガス消
費装置側に流入することが防止される。
また、半導体製造工場が長期間休止される場合に備えて、ガス供給ライン内に
パージガスを導入する際、パージガス供給源によりガス供給ラインの上流側から
パージガスを導入し、弁を閉じると、ガス供給ライン全体に渡ってパージガスに
よる原料ガスの置換作業を行うことができる。同時に、パージガスを、帰還ベン
トラインを通して排ガス処理ユニットに送ることができる。この場合、作業者は
、ガス供給ラインの上流側、あるいは、ガス容器及び排ガス処理ユニットの近傍
で作業を行うことができる。
更に、原料ガスとして液化ガスを使用する場合において、液化ガスの供給が停
止された時に弁を閉じると、原料ガスが帰還ベントラインの容積分だけ膨張して
その圧力が減小し、液化ガスを飽和蒸気圧の状態から非飽和蒸気圧の状態に移行
させることができる。その結果、一旦気化した液化ガスが、ガス供給ライン内で
再液化しにくくなる。
また、本願の請求項２に係るガス供給設備は、
ガス容器（７）と、
前記ガス容器（７）からガス消費装置（３）に前記ガスを供給するガス供給ラ
イン（８）と、
前記ガス供給ライン（８）の途中に設けられた流量調節装置（１４）と、
前記流量調節装置（１４）の上流側で、前記ガス供給ライン（８）に合流する
パージガス導入ライン（１６）と、
前記パージガス導入ライン（１６）からの合流部よりも上流側において、前記
ガス供給ライン（８）上に設けられた弁（Ｖ５）と、
前記合流部よりも下流側において、前記ガス供給ライン（８）上に設けられた
弁（Ｖ３）と、
前記パージガス導入ライン（１６）の元端に接続されたパージガス供給源と、
前記ガス容器（７）の近傍で、前記ガス供給ライン（８）から分岐するベント
ライン（１１）と、
前記ベントライン（１１）の先端に接続され、前記パージガス供給源からのパ
ージガスにより、前記ガス供給ライン（８）の内、前記パージガス導入ライン（
１６）からの合流部よりも上流部分から排出される排ガスを処理する排ガス処理
装置（１０）と、
を備えたガス供給設備において、
前記前記パージガス導入ライン（１６）の途中から分岐し、先端が前記排ガス
処理装置（１０）に接続された第二ベントライン（２０）と、
前記第二ベントライン（２０）上に設けられた弁（Ｖ８）と、
前記第二ベントライン（２０）への分岐部の下流側において、前記パージガス
導入ライン（１６）上に設けられた弁（Ｖ６）と、
前記第二ベントライン（２０）への分岐部の上流側において、前記パージガス
導入ライン（１６）上に設けられた弁（Ｖ７）と、
を備えたことを特徴とする。
上記の構成においても、ガス供給ライン内にある残留ガスとパージガスとから
なる混合ガスを、ガス容器の近傍に設けられた排ガス処理ユニットで処理するこ
とが可能となる。
５．図面の簡単な説明
図１は、本発明に基づくガス供給設備の第一の実施形態を示す概略図である。
図２は、本発明に基づくガス供給装置の第二の実施形態を示す概略図である。
６．発明を実施するための最良の形態
以下、図面を用いて、本発明に基づくガス供給設備の好適な実施形態について
詳細に説明する。なお、図中、同一または相当部分に対しては同一符号を付する
こととする。
図１は、本発明に基づくガス供給設備を、半導体製造工場に適用した場合の一
実施形態を示す概略図である。同図に示すように、半導体製造工場内には、空気
の清浄度を高めたクリーンルーム１が設置されている。このクリーンルーム１内
には、複数のガス制御ボックス２が設置されている（同図では３台のみが示され
請求の範囲
１． ガス容器（７）と、
前記ガス容器（７）からガス消費装置（３）に前記ガスを供給するガス供給ラ
イン（８）と、
前記ガス供給ライン（８）の途中に設けられた流量調節装置（１４）と、
前記流量調節装置（１４）の上流側で、前記ガス供給ライン（８）に合流する
パージガス導入ライン（１５）と、
前記パージガス導入ライン（１５）上に設けられた弁（Ｖ４）と、
前記パージガス導入ライン（１５）からの合流部よりも上流側において、前記
ガス供給ライン（８）上に設けられた弁（Ｖ３）と、
前記パージガス導入ライン（１５）の元端に接続されたパージガス供給源と、
前記ガス容器（７）の近傍で、前記ガス供給ライン（８）から分岐するベント
ライン（１１）と、
前記ベントライン（１１）の先端に接続され、前記パージガス供給源からのパ
ージガスによって、前記ガス供給ライン（８）の内、前記パージガス導入ライン
（１５）からの合流部よりも上流部分から排出される排ガスを処理する排ガス処
理装置（１０）と、
を備えたガス供給設備において、
前記流量調節装置（１４）の下流側において、前記ガス供給ライン（８）から
分岐し、先端が前記排ガス処理装置（１０）に接続された帰還ベントライン（１
３）と、
前記帰還ベントライン（１３）上に設けられた弁（Ｖ２）と、
前記帰還ベントライン（１３）への分岐部よりも下流側において、前記ガス供
給ライン（８）上に設けられた弁（Ｖ１）と、
を備えたことを特徴とするガス供給設備。
２． ガス容器（７）と、
前記ガス容器（７）からガス消費装置（３）に前記ガスを供給するガス供給ラ
イン（８）と、
前記ガス供給ライン（８）の途中に設けられた流量調節装置（１４）と、
前記流量調節装置（１４）の上流側で、前記ガス供給ライン（８）に合流する
パージガス導入ライン（１６）と、
前記パージガス導入ライン（１６）からの合流部よりも上流側において、前記
ガス供給ライン（８）上に設けられた弁（Ｖ５）と、
前記合流部よりも下流側において、前記ガス供給ライン（８）上に設けられた
弁（Ｖ３）と、
前記パージガス導入ライン（１６）の元端に接続されたパージガス供給源と、
前記ガス容器（７）の近傍で、前記ガス供給ライン（８）から分岐するベント
ライン（１１）と、
前記ベントライン（１１）の先端に接続され、前記パージガス供給源からのパ
ージガスにより、前記ガス供給ライン（８）の内、前記パージガス導入ライン（
１６）からの合流部よりも上流部分から排出される排ガスを処理する排ガス処理
装置（１０）と、
を備えたガス供給設備において、
前記前記パージガス導入ライン（１６）の途中から分岐し、先端が前記排ガス
処理装置（１０）に接続された第二ベントライン（２０）と、
前記第二ベントライン（２０）上に設けられた弁（Ｖ８）と、
前記第二ベントライン（２０）への分岐部の下流側において、前記パージガス
導入ライン（１６）上に設けられた弁（Ｖ６）と、
前記第二ベントライン（２０）への分岐部の上流側において、前記パージガス
導入ライン（１６）上に設けられた弁（Ｖ７）と、
を備えたことを特徴とするガス供給設備。
３． 前記ガス消費装置は、半導体製造装置であることを特徴とする請求項１
又は２に記載のガス供給設備。
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項
【提出日】平成１１年４月１５日（１９９９．４．１５）
【補正内容】
【図１】【図２】
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(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，
ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，Ｌ
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