JP2002505803A

JP2002505803A - Manufacturing method of parylene coating

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Publication number: JP2002505803A
Application number: JP52062698A
Authority: JP
Inventors: ウェリー、ジョン; オルソン、ロジャー、エイ; ビーチ、ウイリアム、エフ
Original assignee: スペシャルティ、コーティング、システムズ、インコーポレイテッド
Priority date: 1996-10-25
Filing date: 1997-10-24
Publication date: 2002-02-19
Also published as: AU5087198A; CN1244143A; DE69707005D1; KR20000052803A; DE69707005T2; WO1998018570A1; KR100517008B1; EP0934127B1; CN1089281C; EP0934127A1

Abstract

(57)【要約】第１層と、その上に蒸着させたパリレンポリマー層とを包含する多重レベル構造並びにその製造方法。このパリレンポリマー層は密着性及び／又は強度のような高められた諸性質を発揮することができる。このパリレン層は比較的低いレベルの不純物を有することが可能である。或る種の実施態様においては、このパリレンポリマー層は、パルスプラズマ処理を使用して形成させる。 (57) [Summary] A multi-level structure including a first layer and a parylene polymer layer deposited thereon, and a method of making the same. The parylene polymer layer can exhibit enhanced properties such as adhesion and / or strength. The parylene layer can have a relatively low level of impurities. In certain embodiments, the parylene polymer layer is formed using a pulsed plasma process.

Description

【発明の詳細な説明】パリレンコーティングの製造方法関連特許出願本出願は「パリレンポリマー層」と題し、１９９６年１０月２５日出願の米国特許出願番号第０８／７３８３１９号の３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１２０による継続出願である「パリレンポリマー層」と題し、１９９７年１月３１日出願の米国特許出願第０８／７９１６０９号の３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１２０による継続出願である。発明の背景 1. 発明の分野本発明は、概して、改良したパリレンポリマー（重合体）層、その製造方法及びその使用方法に関する。 2. 関連技術の開示半導体はコンピューター及びテレビジョン等の電子製品システム用の集積回路に広く使用されている。これらの集積回路は、典型的には、単結晶シリコンチップ上で多くのトランジスターと結合して複雑な機能を果しデータを記憶するものである。半導体及ひエレクトロニクス製造業者並びにそのエンドユーザ等は消費電力が少ないにもかかわらずより小さいパッケージ内に時間をかけずに完成できる集積回路を望んでいる。しかしながら、これらの希望の幾つかは相互に反するものでもある。例えば、所定回路上の特徴寸法を０.５ミクロンから０.２５ミクロンに単に減縮することによって、電力消費は３０％も増加してしまうのである。同様に、演算速度を倍にすると一般に電力消費も２倍となる。又、小型化することは、チップを横切って信号を伝える導電体間の容量的結合、即ち漏話の増加を招くのが一般的である。これは、達成可能な速度を制限したり、適切なデバイス演算を確実にするのに用いる雑音マージンを劣化させたりもするのである。電力消費及び漏話効果を低減する一つの方法は、集積回路内で導電性材料層を分離する電気絶縁層の誘電率を低減することである。なお、演算条件には高温度が含まれるので、相対的に高い熱安定性を有する材料を用いて絶縁層を形成することが有利である。二酸化ケイ素は集積回路用の絶縁層に用いる最も一般的な材料の一つである。しかし、二酸化ケイ素は、その誘電率が比較的高く、約３.９であるので理想的なものではない。集積回路内の絶縁層として使用するうえでパリレンポリマーから形成した層が提案されているが、それはこれらの材料は誘電率が相対的に低く融点が比較的高いからである。パリレンポリマーとは、下記構造：（式中、Ｘは典型的には水素又はハロゲンである）を有するダイマー（二量体）から開始して調製できるポリ−Ｐ−キシレン類である。パリレンダイマーの最も普通の形態は下記のものを含んでいる。これらのパリレンダイマーから形成したポリマーフィルムは比較的低い誘電率と相対的に高い融点を有しているはずである。しかしながら、これらのパリレンポリマーフィルムは誘電率が相対的に高いが、熱安定性が劣るために、集積回路における使用を魅力のないものにしている。典型的には、パリレンダイマーからパリレンポリマー層を形成するのに蒸着法が用いられる。この種の蒸着法の一つは、ジャーナル、オブ、アプライドポリマーサイエンス第１３巻第２３２５頁（１９６９年）に開示されている。この方法、即ち一般にはゴーハンプロセスと称する方法によれば、パリレンダイマーを高められた温度で分解して、下記構造：を有するパリレンモノマー（単量体）を製造している。パリレンモノマーは、基板上で、ほぼ室温から約−３５℃の温度で凝縮する。これらの条件の下に、パリレンモノマーは同時に基板上にて重合して基板に接着したパリレンポリマーの層を形成する。米国特許第５,２６８,２０２号（発明者ユーYou）には、パリレンダイマー以外からポリ−ｐ−キシレンフィルムを形成する蒸着プロセスが開示されている。ここに参考として開示したこの方法は、蒸着か起こる真空室内にてモノマー蒸気を形成するものであるが、基板上への蒸着の前にパリレンダイマープロセスで与えられる精製の好機を排除している。従って、生じるポリ−ｐ−キシレン層は不純物レベルが相対的に高いのである。例えば、ジャーナル・オブ・バキュームサイエンス・アンド・テクノロジーＡ１１（６）巻、３０５７頁（１９９３年）に、ユー（You）の方法で形成したポリ−ｐ−キシレンフィルムは亜鉛不純物レベルが約３％であることが示されている。このような比較的高いレベルの亜鉛不純物のために、ポリ−ｐ−キシレンフィルムを多重レベル構造に用いた場合、例えば、誘電率が増加したり、表面抵抗率が低下したり、層内のイオン移動、フィルム表面充電効果及び／又は電子ストーム形成等に関するポリ−ｐ−キシレンフィルムによる問題が生じている。結果として、これらのポリ−ｐ−キシレンフィルムは集積回路に使用することはできない。気体種の蒸着にプラズマの使用を組み合わせることが多くのシステムで利用されてきた。例えば、ＤＵＭＩＣ会議（１９９７年２月１１日）のＩＳＭＩＣ− ２２２Ｄ／９７／００９８−１０５（以下ＤＵＭＩＣと称す）によれば、パルスプラズマを使用してシリコン上の過フッ化炭化水素薄膜の制御を行うことが開示されている。この参考方法は、生じる表面の蒸着速度、蒸着効率又は接着に対する影響よりは、ＣＦ₃、ＣＦ₂及びＣＦの相対量を制御することに努めている。なお、ＤＵＭＩＣは、パリレンポリマーフィルム形成に関連してパルス（脈動）プラズマを用いることは開示していない。当業者にとって公知のようにパルスプラズマに関して用いるパラメータ（例えば、ピーク電力振幅、ピーク電力周波数及び使用率等）の変化量は、蒸着中に創造される表面に依存している。従って、電子デバイスの集積回路用の、相対的に低い誘電率と比較的高い融点を有する電気絶縁層を提供せんとする当該分野の課題が残っている。また、パリレンポリマーから形成するこの種の絶縁層を提供することが、当該分野のもう一つの課題である。発明の要約最も広い態様では、本発明は、改良したパリレンポリマー層、これらの層の製造方法及びこれらの層の使用方法に関する。一つの態様では、改良したパリレンポリマー層は、例えば亜鉛等の不純物が相対的に低いレベル（水準）である。他の態様においては、パルスプラズマ処理を用いて改良したパリレンポリマー層を形成させる。別な態様では、改良したパリレンポリマーは他の化学種が混合している。更に別な態様においては、上述の態様を様々に組み合わせて、不純物が相対的に低いレベルにあったり、パルスプラズマ処理を用いて形成されたり、及び／又は他の化学種を混合している改良したパリレンポリマー層を形成させる。一つの例証となる実施の形態において、本発明はパリレンポリマー層の形成方法を提供する。この方法は、基板（基体）表面にパリレンのモノマー蒸着（沈着）して層を形成し、そしてこの層をパルスプラズマ処理によって処理することから成るものである。他の例証となる実施の形態においては、本発明は多重レベル構造を提供する。この構造は第１の層、パリレンポリマー層それに接着促進材料（物質）から構成されている。パリレンポリマー層は第１層に沿って配置され、接着促進材料層はパリレンポリマー層に沿って配置される。パリレンポリマー層は、下記構造：〔式中、ｍは０、１、２、３又は４の値を有する整数であり、ｚは１より大きい、Ｇはハロゲン、アルキル基、シクロ炭化水素、アルキレン基又は一般式：Ｃ_nＨ_yＸ_w （式中Ｘはハロゲンであり、ｎは０より大きい整数で、ｙとｗの合計は多くとも２ｎと１との合計に等しい）を有するアルキリン基である〕を有する物質から形成される。なお、パリレンポリマー層は亜鉛不純物レベル（水準）が多くとも約６６ｐｐｂ（parts per billion）である。更に他の例証となる実施の形態では、本発明は多重レベル構造の製造方法を提供する。この方法は、基板表面にモノマーを蒸着させ、そしてこの層をパルスプラズマ処理によって処理して、第１層の表面上にパリレンポリマーフィルムを形成することから成っている。パリレンポリマーは、下記構造：〔式中、ｍは０、１、２、３又は４の値を有する整数であり、ｚは１より大きく、Ｇはハロゲン、アルキル基、シクロ炭化水素、アルキレン基又は一般式：Ｃ_nＨ_yＸ_w （式中Ｘはハロゲンであり、ｎは０より大きい整数で、ｙとｗの合計は多くとも２ｎと１との合計に等しい）を有するアルキリン基である〕を有している。なお、パリレンポリマー層は亜鉛不純物レベル（水準）が多くとも約６６ｐｐｂである。別の例証となる実施の形態においては、本発明は、多重レベル構造を提供する。この構造は、第１の層と、この第１層の表面に沿って配置したパリレンポリマー層とから構成される。パリレンポリマー層は、下記構造：〔式中、ｍは０、１、２、３又は４の値を有する整数であり、ｚは１より大きく、Ｇはハロゲン、アルキル基、シクロ炭化水素、アルキレン基又は一般式：Ｃ_nＨ_yＸ_w （式中Ｘはハロゲン、ｎは０より大きい整数で、ｙとｗの合計は多くとも２ｎと１との合計に等しい）を有するアルキリン基である〕を有する物質から形成される。なお、パリレンポリマー層は亜鉛不純物レベル（水準）が多くとも約６６ｐｐｂである。このパリレンポリマー層は、パリレンのモノマーを基板の表面に蒸着して層を形成し、そしてこの層をパルスプラズマ処理によって処理する工程を含む方法によって形成している。尚、更に例証となる実施の形態では、本発明は、多重レベル構造を提供する。この構造は、第１の層と、この第１層の表面に沿って配置したパリレンポリマー層とから構成される。パリレンポリマーはパリレンのモノマーを基板表面に蒸着して層を形成し、そしてこの層をパルスプラズマ処理によって処理する工程を含む方法によって形成している。図面の簡単な説明本発明の利点及び特徴は、下記の詳細な説明を図面に関連して考慮すればより明白に理解されよう。第１図は、本発明による多重レベル構造の１つの実施の形態の断面図である。第２図は、本発明による多重レベル構造の他の実施の形態の断面図である。第３図は、本発明によるパリレンポリマー層の形成に使用可能な真空蒸着システムの１つの実施の形態の構成図である。第４図は、本発明による多重レベル構造を含む集積回路の一つの実施の形態の一部分の断面図である。そして第５図は、本発明によるパリレンポリマー層の形成に使用可能な真空室の一つの実施の形態の構成図である。詳細な説明第１図は、本発明による多重レベル構造１０を示す。構造１０は基板層１２とパリレンポリマー層１４を包含している。ここでは、用語「パリレンポリマー」はポリ−ｐ−キシレンを指すものとする。典型的には、パリレンポリマーはパリレンダイマーから生成される。基板層１２は、パリレンポリマー層１４が蒸着可能な任意の材料から形成することができる。これらの材料には、導電性及び非導電性物質が含まれる。基板１２が応用面に応じて形成される特定の物質並びにこの種の物質は当業者にとっては公知である。例えば、限定するものではないが、アルミニウム、鉄、スチール、モリブデン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化鉛、酸化銅、酸化鉄、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化バナジウム、シリコーン、天然ゴム、プラスチック、プラスチック複合体、セルロース物質、エポキシ含有化合物、熱硬化性化合物、熱可塑性化合物、ケイ素の酸化物（例えば、フライアッシュ、水和シリカ、シリカ、石英、エーロゲル、キセロゲル及びフュームドシリカ）等を含む有機材料或いは無機材料から基板層１２を形成することができる。更に、基板層１２はヒ化ガリウムや他の二成分半導体であってもよい。また、基板層１２は、真空融和性の液体からも形成することができる。用語「真空融和性の」は、ここでは使用した真空室の運転温度で蒸気圧を有する物質を指すものとし、そのため真空室をポンピングできる最低圧力はこの真空融和性物質の存在とは無関係である。真空融和性液体の一例はγ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランである。幾つかの実施の形態では、基板層１２は、プリント回路板、シリコン基板、グラスファイバー背板、シリコンウエハ、紙、キーパット、カテーテル、ペースメーカカバー、皮下プローブ、バードフェザー、シリコーンＯ−リング、自動車等の機械装置の部品等であってもよい。パリレンポリマー層１４は、下記構造：〔式中、ｍは０、１、２、３又は４の値を有する整数であり、ｚは１より大きく、Ｇはハロゲン、アルキル基、シクロ炭化水素、アルキレン基又は一般式：Ｃ_nＨ_yＸ_w （式中Ｘはハロゲン、ｎは０より大きい整数で、ｚは１である）を有するアルキリン基である〕を有する物質から形成される。Ｇがアルキル基（即ち、飽和したもの）であれば、ｙ＋ｗ＝２ｎ＋１である。またＧがシクロ炭化水素、アルキレン又アルキリン基（即ち、不飽和度が少なくとも１のもの）であれば、ｙ＋ｗは不飽和度の２倍の因数だけ２ｎ＋１未満である。第２図は、本発明による他の多重レベル構造２０を示す。この構造２０は、第１材料層１６と第２材料層１８との間に配置したパリレンポリマー層１４を含んでいる。これらの材料に限定されることはないが第１層及び第２層１６、１８は基板層１２に関して上に列挙したいずれの材料からも形成することができる。更に、層１６及び／又は層１８は、基板基１２の上述の形状のうちどの形状もとることができる。層１６及び／又は層１８は同様に他の形状にしてもよい。また、ある実施の形態においては、層１６及び１８はそれぞれ少なくとも部分的に導電性である材料から形成することもできる。この様な実施の形態では、層１６及び１８、標準的な写真技法及びエッチング技法を用いて金属から形成してもよい。これらの実施の形態については、層１６及び１８はそれぞれ電力面、接地面或いは金属相互接続トレース層に対応していてもよい。層１６及び１８を形成する他の方法は、当業者にとって公知であり、本発明の範囲内にはいるものとする。幾つかの実施の形態においては、パリレンポリマー層１４は幾つかの他の材料に対する接着は相対的に困難であるかもしれない。これらの実施の形態については、層１４の他の表面に対する接着を促進させることが望ましい。したがって、パリレンポリマー層１４は、ある表面処理を受けて、他の表面に接着する可能性を高めるようにしてもよい。この種の処理には、例えば、連続プラズマ処理〔即ち、実質的に１００％の使用サイクル（使用率）duty cycle〕、コロナ処理、荷電処理及び／又は他の表面粗面化処理が含まれる。これらの処理は当業者にとっては公知であり、本発明の範囲内である。例えば、連続プラズマ処理では、プラズマを発生さえるため１種又はそれ以上の気体のバックグランド圧に関連して高周波（ＲＦ）発生器を用いることができる。パリレンモノマーの蒸着中、パルスプラズマ処理がパリレンモノマーの接着を促進することがわかっている。用語「パルスプラズマ処理」は、ここでは、使用率(duty cycle)(即ち、処理中、プラズマが発生している時間の百分率)がおよそ１００％未満のプラズマ処理を指すものである。典型的には、パルスプラズマ処理の使用率は多くとも約５０％である。また、パルスプラズマ処理の使用率（ディュウティ・サイクル）としては、約０.１％から約５０％が好ましく、約０.１％から約１０％がより好ましいが、最も好ましいのは約０.２％である。第３図は、本発明によるパリレンポリマー層の形成に使用するのに適したパルスプラズマ源を有する真空システム８０の一つの実施の形態を示す構成図である。システム８０は、パリレンモノマー源８２、蒸着室８４、基板８６及びプラテン８８（下記の検討を参照のこと）を含んでいる。更に、システム８０は、蒸着室８４に接続され、基板８６上に配置したパリレンポリマー層がパルスプラズマ処理を受けられるようにしたパルスプラズマ源９０を含んでいる。そのパルスプラズマ源９０はＲＦ発生器９２〔テクニクス、カンパニー（バージニア州アレクサンドリア市在）から入手可能な形式３００−ＩＲＦ発生器〕を含んでいる。タイミングモジュール９３（ダイナトロニクス、インコーポレイテッド（ウエスドインジアナ州アメリー市在）から入手可能な型式ＤＭＰ１０−１−４）が、パルスプラズマ源９２をタイミング回路９４にインターフェースして、パルスプラズマ処理の使用率を制御している。この種のタイミング回路９４は当業者にとっては公知である。なお、ＲＦ発生器及びタイミングモジュールの特定の例をここに開示したけれども、この種の他の装置もまた当業者にとっては公知であり、本発明の範囲内にあるものとする。パルスプラズマ処理中、蒸着室８４には、パリレンモノマーのバックグランド圧（例えば約１０から約１５ミリトル）が存在している。パリレンモノマーを基板８６の表面に蒸着するにつれて、パルスプラズマ処理がこのように生じる。例えば、パルスプラズマの使用率が約０.２％であれば、ＲＦ発生器はパリレンモノマーが基板８６の表面に蒸着している時間の約０.２％作動する。プラズマ内では、各種のイオン、ラジカル及びその他の種がパリレンモノマーガスから生成している。一般には、これらの種は固着率（係数）が高いので、高効率で基板８６の表面に蒸着し、ここに記載したように、増強した性質を有するパリレンポリマー層を生み出している。パルスプラズマ処理中、ＲＦ発生器９２のピーク電力９２は、生じるパリレンポリマー層の所望の性質によって変更することができる。一般に、ピーク電力は蒸着室の容積に依存していて、蒸着室の容積が増えるにつれてピーク電力は増大する。発生器９２のピーク電力が低すぎると、パルスプラズマ処理はパリレンポリマー層の性質を改善する際にその効果は最低である。しかしながら、発生器９２のピーク電力が高すぎると、生じるパリレンポリマー層は脆弱で不透明であって、他にも望ましくない性質を有している。従って、蒸着室の容積に対するパルスプラズマ処理中のＲＦ発生器９２のピーク電力は、約０.０５watts/inch³から約１００watts/inch³が好ましく、約０.１watts/inch³から約２０watts/inch³がより好ましく、また、約０.１watts/inch³から約１０watts/inch³が最も好ましい。パリレンモノマーの蒸着中パルスプラズマ処理を用いて得られる接着が増大することによって、生じるパリレンポリマーフィルムの厚さは増加し、パリレンモノマーの蒸着率は増大している。他の変数を一定に保持しながらもパルスプラズマ処理を用いずに形成したパリレンポリマーフィルムに対して、パルスプラズマ処理を用いて形成したパリレンポリマー層は厚さが約１．５倍であることが好ましく、少なくとも約２倍であることがより好ましく、少なくとも約３倍であれば最も好ましい。また、他の変数を一定に保持しながら、パルスプラズマ処理を用いずに形成したパリレンポリマーフィルムに対して、パルスプラズマ処理を用いて形成したパリレンポリマー層の蒸着速度は少なくとも約１.５倍速いことが好ましく、少なくとも約２倍速いことがより好ましく、少なくとも約３倍速いことが最も好ましい。驚くべきことに、接着を促進させることに加えて、パリレンポリマー層の表面をパルスプラズマ処理することによって、他の利点が生じることが判明した。この種の利点の１つは、パリレンポリマー層が形成される表面上の制御が改善されたことである。通常、エレクトロニクス産業用の基板にパリレンポリマー層を形成する際は、パリレンポリマーを実質的に含まない基板縁部まわりは厚さ約１mm の区域を残すことが好ましい。この概念は、当該分野では、俗に「エッジ除外」と呼ばれている。また、基板の裏面（即ち、パリレンモノマーガスに直接面していない側面）では形成するパリレンポリマーの量は最小にすることが有利である。ここに参考に挙げた一般譲渡の米国特許第５,５４６,４７３号に記載されているように、基板を典型的にはプラテンに対して幾つかの選択位置（例えば６ヵ所）で把持する蒸着プロセルの結果として、これらの目標に付随した問題が生じるかもしれない。驚くべきことに、プラズマ処理あるいは連続プラズマ処理を受けないパリレンポリマー層に対して、パリレンポリマー層がパルスプラズマ処理を受ける場合には、基板の裏面においてエッジ除外が促進されパリレンポリマーの生成が低減することが判明した。パリレンポリマー層の形成時にパルスプラズマ処理を用いることに加え他の利点は、生じるパリレンポリマー層の誘電率に関するものである。多くの実施の形態において、例えばエレクトロニクス産業においてパリレンポリマー層を絶縁層として用いるような場合、パリレンポリマー層にとって誘電率が最小であることが有利である。更に、パリレンポリマー層の面内誘電率（即ち、基板の面に対して平行な誘電率）と面外誘電率（即ち、基板に垂直な面における誘電率）はおよそ等しいことがしばしば望ましいことである。意外なことに、パリレンポリマー層のパルスプラズマ処理によって、プラズマ処理を受けずに或いは連続プラズマ処理を受けて形成したパリレンポリマー層の誘電率に対してそのパリレンポリマー層は誘電率が低減しており、又驚くべきことに、パルスプラズマ処理を用いて形成したパリレンポリマー層の面内誘電率及び面外誘電率の値が、プラズマ処理を受けずに或いは連続プラズマ処理を受けて形成したパリレンポリマー層の面内誘電率及び面外誘電率の値よりも、等しい場合に近いことである。従って、パルスプラズマ処理を用いずに形成したパリレンポリマー層に対して、パルスプラズマ処理を用いて形成したパリレンポリマー層は低減した誘電率及び／又はより等方性の誘電率を有することができる。パリレンポリマー層のパルスプラズマ処理又は連続プラズマ処理は、パリレンポリマーの蒸着中或いは蒸着後に行うことができる。又は、プラズマ処理中は、パリレンモノマー以外のガス（即ち、バックグランドガス）のバックグランド圧は存在しているはずである。蒸着室内のバックグランドガスの圧力は約１２５ミリトルから約３７５ミリトルが好ましく、約２００ミリトルから約３００ミリトルがより好ましく、約２４０ミリトルから約２６０ミリトルが最も好ましい。幾つかの実施の形態においては、バックグランドガスは一種又はそれ以上の貴ガスから成るものである。貴ガスの例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン及びキセノンが含まれる。又、他の実施の形態では、バックグランドガスは一種又はそれ以上の炭化水素を含んでいてもよい。この種の炭化水素バックグランドガスには、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、芳香族炭化水素、直鎖炭化水素、分岐鎖炭化水素、環状炭化水素等がある。バックグランドガスとして用いるのに適した炭化水素の模範的リストには、これに限定するものではないが、メタン、エタン、エチレン及びアセチレンが含まれる。幾つかの実施の形態では、バックグランドガスは一種又はそれ以上の貴ガスと一種又はそれ以上の炭化水素ガスから成るものである。１種又はそれ以上の炭化水素ガスを用いることによって、パリレンポリマー層は性質が改善されることがわかった。（以下の検討を参照のこと）。パリレンポリマー層の上述の処理は全パリレンポリマー層で、或いはパリレンポリマー層の一部分で行われることを理解すべきである。なお、パリレンポリマー層の幾つかの処理をここに記載したけれども、パリレンポリマー層の接着や他の性質を強化するこれらの層の他の処理も当業者にとっては明白であり、本発明の範囲内にはいるものとする。パリレンポリマーは、通常高結晶性の線状物質であり、そのためこれらの層の強さや他の物理的性質を制限しているのである。パリレンポリマー層の強さを改善するためにパリレンモノマーの他に追加の化学種（例えば、モノマー類）を当該層にその合成中に添加してもよい。パリレンポリマー層に混入する際、これらの追加成分は架橋が生じるようにし、その得られた層の強さ及び／又は接着を増加することになる。この種の化学種の例証となる非限定リストには、分子式Ｃ_x Ｈ_y（式中、ｘ及びｙはそれぞれ少なくとも１の整数である）を有する種が含まれる。これらの化学種のパリレンポリマー層への混入は、例えば、パリレンモノマーの蒸着中に蒸着室内のこれらの他成分のバックグランド圧を確立することによって果たすことができる。幾つかの実施の形態においては、一種又はそれ以上のこれらの化学種のバックグランド圧が蒸着室内に存在しているとき、パルスプラズマ処理又は連続プラズマ処理を利用することができるが、もっともこの種のパルスプラズマ処理や連続プラズマ処理は必要とされているのではない。パリレンモノマー以外の化学種をパリレンポリマーに混入している本発明の実施の形態においては、パリレンポリマーは、ここに記載した本発明の利点の少なくとも一つが得られるように、パリレンポリマー層の性質を改善するうえでそこに混入した化学種の量を有しているはずである。幾つかの実施の形態では、層１６と層１４の間及び／又は層１８と層１４の間に接着促進材料（物質）の層を設けることによって、増強した接着を得ることができる。その代わりに、層１６及び／又は層１８は接着促進材料から形成してもよい。本発明で使用するのに適した接着促進材料には、これらに限定するものはないが、オルガノシラン化合物、金属、金属酸化物及び半導体酸化物が含まれる。この種のオルガノシラン化合物の例としては、Ａ−１５０（ユニオン、カーバイド、テクノロジーズから入手可能）、Ａ−１７４（ユニオン、カーバイド、テクノロジーズから入手可能）及びＶＭ６５１（デュポンケミカルズから入手可能）がある。この種の他の接着促進材料は、当業者にとって公知であり、本発明の範囲内に入るものとする。これらの実施の形態にとって、層１４は上記表面処理のいずれをも受けてもよいし、或いは受けなくてもよいことを認識すべきである。幾つかの応用面では、パリレンポリマー層１４を介した物質の拡散を防止するということは有利なことである。これらの応用面にとっては、層１６及び／又は層１８は、パリレンポリマー層１４を介した物質の拡散を低減し或いは排除する材料で形成していてもよい。これらの応用面で用いるに適した材料は、例えば米国特許第５４７０８０２号に記載されている。この種の他の材料は当業者にとっては公知であり、本発明の範囲内にある。例えば電子回路のようなある用途面については、相対的に平らな層を形成することが望ましいが、パリレンポリマー層１４は比較的に共形性であるので、層１４は所望の平面度を有していなくてもよい。従って、層１４を研磨したり他に処理してより平らにすることが有利であり、これは当該分野ではしばしば平面加工と呼ばれている。しかしながら、幾つかの実施の形態では、層１４を平面化することは困難なようである。これらの実施の形態については、層１６及び／又は層１８をより容易に平面加工できる材料で形成することができる。典型的には、この種の材料は誘電性物質であるが、幾つかの例では半導体であってもよい。第４図は、本発明による多重レベル電子回路の部分３０を示す。部分３０は、シリコンウエハー基板２２、電気絶縁層２４、電気伝導層２６、電気伝導層２８及び層２６及び２８間に配置したパリレンポリマー層１４を含んでいる。シリコンウエハー基板２２は、エレクトロニクス産業で使用されているところの標準的な基板材料、例えばシリコン背板やファイバーグラス背板等の何れのものからも形成することができる。ウエハー基板２２用の他の適切な構造は当業者にとっては公知であり、本発明の範囲内にはいるものとする。電気絶縁層２４は、典型的には、ウエハー基板２２を電気伝導層２６及び２８から保護する働きをする。層２４は、他の適当な材料を用いることもできるが、通常は二酸化ケイ素から形成している。電気絶縁層２４は、当業者にとっては公知の標準技法の何れによっても形成することができる。又、電気伝導層２６及び２８は、エレクトロニクス産業で使用に適した金属又は他の材料から形成することができる。層２６及び２８は、標準的な写真及びエッチング技法によって形成される金属導体線から構成されていてもよい。このような実施の形態では、層２６及び２８は、電力面、接地面又は相互接続トレース層に対応していてもよい。電気伝導層２６及び２８は、当業者にとっては公知である従来法によってパリレンポリマー層に形成されるブァイアを用いて、或いはホール（図示せず）を介して、パリレンポリマー層１４を通じて相互接続させることもできる。本発明によれば、パリレンポリマー層１４は蒸着プロセスを用いて形成させる。蒸着プロセスは、モノマーが基板に蒸着される前に精製プロセスを受けることができるように、モノマーを真空室の蒸着部外で生成できるようにすることが好ましい。殊に好ましい実施の形態においては、パリレンポリマー層１４は、第５図に図示したように、真空室４０を用いて形成している。真空室４０には、蒸発体４２、熱分解帯４４、後熱分解帯４６及び蒸着帯４８が含まれている。この種の真空室の例は、例えば、参考としてここに挙げた一般譲渡の米国特許第５,５４６,４７３号に開示されている。下記構造：を有するダイマー物質はおよそ室温下で蒸発帯４２内に装入され、その後約７０ ℃から約１５０℃の温度で加熱して、ダイマーを蒸発している。蒸発したダイマーは、約６００℃から約７２０℃の温度に維持した熱分解帯４４内を進んで、ダイマーを熱分解（幾つかの化学結合を開裂）し、そして下記構造：を有するモノマーを生成する。このモノマーは、多くともおよそ室温に維持した後熱分解帯４６を通る。モノマーは一般には後熱分解帯４６の壁に接着することなく、当該帯４６を通過するけれども、この温度では、残留する蒸発ダイマーは後熱分解帯４６の壁に接着することがある。かくして、後熱分解帯４６は最終的に蒸着室４８に入る蒸発ダイマーの量を低減している。幾つかの実施の形態においてはこの特徴は有利なはずであるが、それは蒸発ダイマーがパリレンポリマー層１４の誘電率や他の性質に対して望ましくない局所作用を有しているにちがいない当該層１４内の不純物になり得るからである。後熱分解帯４６を通過した後、モノマーは基板５０がある蒸着室４８に入る。基板５０はプラテン５２上におかれているが、このプラテン５２は当該プラテン５２を加熱及び／又は冷却することによって、その温度を制御する標準的な温度制御装置５４を含んでいる。この装置５４を用いることによって、基板５０及びプラテン５２の温度は、基板５０に対するモノマーの蒸着中、典型的には、およそ室温から約−２５℃の温度に保持される。基板５０及びプラテン５２の温度を低減することによって、幾つもの利点が得られ、モノマーの取扱が増えることを考慮することによって、パリレンポリマー層１４を製造する全プロセスが一層制御できるようになることが判明した。例えば、基板５０及びプラテン５２を冷却することによって、蒸着室４８の壁をモノマー蒸着中加熱してもよいのである。また、モノマー蒸着中基板５０及びプラテン５２の温度を低減することによって、より一層効果的な蒸着プロセスが得られ、パリレンダイマー出発物質をより効果的に使用できるようになる。モノマー蒸着の後、装置５４は、基板５０及びプラテン５２の温度を約１００ ℃から約４００℃の温度に高めてパリレンポリマー層を徐冷するのに用いることもできる。しかしながら、上述の基板５０の温度ではパリレンモノマーの重合が自然に起こることに注意すべきである。ダイマーを蒸発帯４６に装入する前に、ダイマーは始めに精製している。本発明のダイマーは対称度が高いので結晶化によって容易に精製される。典型的には、これらの溶媒は高温溶解係数を有するには相対的に非対称である。しかし、溶媒が対称であり過ぎると、溶媒のダイマーからの分離は困難となり得る。何らかの理論で縛ろうとするものではないが、溶媒／ダイマー分離におけるこの増大した困難は溶媒がダイマー格子内に偶然収容されることから生じるものと考えられる。本発明によるダイマーの結晶化に用いるのに適した溶媒には、これらに限定するものではないが、クロロホルム、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、及びｎ−ヘキサンやｎ−ヘプタン等の線状炭化水素が含まれる。好ましい実施の形態では、溶媒は、ｎ−ヘキサンである。ダイマーを溶媒に溶解させた後、その溶液は典型的には、例えばアルミナ等の極性物質を含むクロマトグラフィー床を通している。クロマトグラフィー床の極性によって、溶液中に存在する多くの極性又はイオン性不純物が除去される。更に、クロマトグラフィー床は溶液中の微細な不純物も濾過によって除去することができる。このプロセスを用いることによって、不純物レベルが低減したパリレンポリマー層が製造できることを見い出した。例えば、本発明によるパリレンポリマー層は亜鉛不純物レベルが６６ｐｐｂ又はそれ以下である。本発明のこの特徴は望ましいものであるのは、パリレンポリマー内の不純物が、例えば、これらに限定するものではないが、パリレンポリマー層の誘電率の増加、パリレンポリマー層の表面抵抗率の低減及び／又は多重レベル構造内の電子ストームの生成等、幾つかの様々な負の作用を生じるからである。パリレンポリマー層１４を製造する特定の装置及び方法をここに記載してきたけれども、当業者においては、これらの装置及び方法の少なくとも幾つかの様態は変形或いは変更してもよいことは理解されるであろう。またこの種の変形或いは変更は本発明の範囲内にあるものとする。例えば、上で検討したように、高めた温度を用いてパリレンダイマー結合を開裂するのに加えて、パリレンダイマーはプラズマを用いて開裂してもよい。この種の方法は、例えばロシア特許第２, ０００,８５０号及び第２,００２,５１９号に開示されている。集積回路に使用する場合或いは他のエレクトロニクス応用面で使用する場合、パリレンポリマー層１４は回路の作動速度を高め電力消費を低減するのに誘電率は最小であるべきである。従って、これらのパリレンポリマー層は誘電率が多くとも約２.６であることが好ましく、多くとも約２.４であることがより好ましく、最も好ましいのは多くとも約２.２である。低い損失係数を有することによって、集積回路における信号損失は低減される。従って、本発明によるパリレンポリマー層は損失係数が約０.００１未満であることが好ましい。本発明によれば、厚さが約１マイクロメータのパリレンポリマー層は降伏電圧が少なくとも約７５０ボルトであることが好ましい。また、パリレンポリマー層１４は、ヤング率か約５ギガパスカルであることが好ましい。本発明によるパリレンポリマー層の破断までの伸びは少なくとも約２０％であることが好ましい。パリレンポリマー層１４は極限引張強さが少なくとも１２２メガパスカルであることが好ましい。本発明によれば、パリレンポリマー層は吸水値が多くとも約０.５重量％であることが好ましく、多くとも約０.２重量％であることがより好ましく、最も好ましいのは多くとも約０.１重量％である。本発明によるパリレンポリマー層は、これらの層が少なくとも約４５０℃の温度下で２時間当たり１％未満の重量損失を示すような熱安定性を有していることが好ましい。パリレンポリマー層１４は結晶融点が約５００℃以上であることが好ましい。本発明によるパリレンポリマー層の表面抵抗率は約１.３×１０¹⁴オームであることが好ましい。パリレンポリマー層１４の体積抵抗率は約５.３×１０¹⁶オームであることが好ましい。本発明によるパリレンポリマー層は密度が約１.５８であることが好ましい。更に、パリレンポリマー層１４の２５℃における熱膨張は多くとも約３５ｐｐｍであることが好ましい。本発明によれば、パリレンポリマー層は摩擦係数が約０.２である。下記は本発明の実施態様の例証的実施例である。これらは本発明を限定するものではない。実施例１下記の工程をジャケット付きソックスレー抽出器（米国ニュージャージー州、バインランド市所在のLab Glass社からカタログナンバーＬＧ−６９５０として、又は米国ニュージャージー州、バインランド市所在のChem Glass社からカタログナンバーＣＧ−１３２８として入手）内において行った。本発明のパリレン重合体層の合成における出発物質として使用される未精製二量体のかなりの量を、底部にフリットガラスの円板を有するガラス製抽出シンブル(thimble。円筒型濾過材）に入れた。微粒アルミナの短いクロマトグラフ床を該シンブルの底部に置いた。該シンブルは直径４１mm及び高さ１３０mmで購入された。より多量の未精製二量体の試料（すなわち約７０ｇまで）を収容させるためにシンブルの高さを１８０mmに増加させた。沸とうｎ−ヘキサンのフラスコをシンブルの下に置き、気体ｎ−ヘキサンをシンブルの上方に設置したコンデンザー内に凝縮させた。凝縮されたｎ−ヘキサンを未精製二量体上に滴下して、ごみ、埃、及び／又は二量体により生成された単量体の重合体又はオリゴマーを含む、凝縮ｎ−ヘキサン、精製二量体及び不純物の浸出溶液を生成させた。該浸出溶液を、クロマトグラフ床及びシンブルの底部におけるフリットガラスを通過させた。クロマトグラフ床はアルミナの極性の作用により、浸出溶液中に存在する多種の極性不純物及びイオン不純物を除去した。その上、クロマトグラフ床は濾過により微細不純物を除去した。シンブルを支えるソックスレ−抽出器から浸出溶液を定期的にあける為にサイフォン機構を使用した。この処置によりｎ−ヘキサンを浸出溶液から沸とうｎ− ヘキサンのフラスコに戻した。約１０ないし約２０時間後に未精製二量体は沸とうｎ−ヘキサンのフラスコに移り終わった。二量体分解操作の速度を上げるために抽出を沸とうｎ−ヘキサンにおいて行った。これを達成するために抽出体積(volume)を導管ジャケットで取り巻いてｎ− ヘキサンの蒸気が沸とうフラスコからコンデンサーに移動する際にｎ−ヘキサンの蒸気により抽出体積を加熱した。この熱濾過方式は、不純物が溶液が熱い間に除去されるので有利ではあるけれど慣用の晶出装置においては、このような熱濾過は可燃性溶剤が使用される場合に困難かつ／又は危険なことがあることに注意すべきである。そのほか、実用的理由から、このような濾過は溶剤の沸点以下の温度において行われることがあり、溶剤の使用量が増加し、かつ二量体の溶解度が減少する結果となる。しかしながら、ソックスレ−装置を使用すれば沸とう溶剤の蒸気はジャケットにより装置内部に保持され、精製工程における効率の増進が考慮される。得られた本発明の精製二量体を気化二量体の誘導連結プラズマ質量分析により試験した。この工程中に、試料を灰化し、測定すべき痕跡の元素類の非揮発性酸化物を残して炭素含有成分を除去した。この灰を緩衝水溶液中に入れた。試料灰の緩衝水溶液を活動プラズマに供給した。プラズマの高熱により痕跡元素が微粒化された。微粒化されたプラズマをそれぞれの特定の不純物元素の定量のために質量分析計の発生源に供給した。結果を表１に示す。表１は亜鉛不純物水準が約６６ｐｐｂ(partsper billion) であることを明らかに証明している。この方法は単量体から生成されたパリレン重合体層の不純物水準の直接測定を包含していない。しかしながらこの方法は、パリレン重合体膜の出発物質（すなわち二量体）の不純物水準を測定することによって本発明のパリレン重合体膜の可能的不純物水準の上限を定めるものである。この方法にしたがって約７０ｇの未精製二量体を精製するためには約３リットルのｎ−ヘキサンが使用されるであろう。この工程実施態様においてはｎ−ヘキサンの約０.７リットルの初期容量の入った１リットルのフラスコが使用された。実施例２パリレン重合体層を、パルスプラズマ処理をすることなく次のようにして形成した。沈着装置は米国特許第５,５４６,４７３号明細書に記載のものであった。０.５ｇのパリレン二量体を、蒸発帯域内のルツボに入れた。該パリレン二量体は次の分子構造式：を有した。ルツボを３０分間１０５℃に加熱し、二量体を気化させた。気化した二量体を６４０℃に保たれた熱分解帯域に通した。二量体を熱分解帯域において熱分解してパリレン単量体を生成させ、次いで該パリレン単量体を１００℃に保持された「後熱分解帯域」を通過させた。−１５℃に保たれたプラテンに取り付けられた６インチのシリコンのウエーハ上にパリレン単量体が沈着（蒸着）した。得られたパリレン重合体層は１ミクロメートルの厚さを有し、沈着速度は１分当たり７００Åであった。実施例３前記実施例２に記載の方法を使用してパリレン重合体層を形成させた。ただしパリレン単量体の沈着の間はパルスプラズマ処理を行った。得られたパリレン重合体層は３ミクロメートルの厚さを有し、沈着速度は１分当たり２１００Åであった。以上、本発明の特定の実施態様を記述したけれど、種々の変更、修正及び改良は当業者に容易である。このような変更、修正及び改良は本発明の一部であり、かつ本発明の精神及び範囲内である。したがって、上記の記述は単なる例示であり、本発明を限定するものではない。本発明は単に、下記の請求の範囲及びそれらに対する均等物に定義された通りに限定される。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Manufacturing method of parylene coating Related patent applications This application is entitled "Parylene Polymer Layer" and is filed on October 25, 1996 35 U.S. Pat. S. Continuation application under C§120 U.S. Patent filed January 31, 1997, entitled "Parylene Polymer Layer" 35 U.S.C. S. This is a continuation application according to C§120. Background of the Invention 1. Field of the Invention The present invention generally relates to an improved parylene polymer (polymer) layer, and a method of making the same. And its use. 2. Disclosure of related technology Semiconductors are integrated circuits for electronic product systems such as computers and televisions. Widely used on roads. These integrated circuits are typically single crystal silicon chips. Combine with many transistors on a chip to perform complex functions and store data It is. Semiconductor and electronics manufacturers and their end users Completed in less time in a smaller package despite low power consumption I want an integrated circuit that can be used. However, some of these hopes are mutually exclusive It is also something. For example, the feature size on a given circuit is reduced from 0.5 microns to 0.25 microns. Simply reducing to cron would increase power consumption by as much as 30%. You. Similarly, doubling the computation speed generally doubles the power consumption. Also, downsizing This increases capacitive coupling between conductors that carry signals across the chip, i.e., increases crosstalk. It is common to invite addition. This limits the achievable speed, and The noise margin used to ensure It is also made. One way to reduce power consumption and crosstalk effects is to add a layer of conductive material within an integrated circuit. The purpose is to reduce the dielectric constant of the electrical insulating layer to be separated. The calculation conditions are high temperature Is included, so that an insulating layer is formed using a material having relatively high thermal stability. It is advantageous. Silicon dioxide is one of the most common materials used for insulating layers for integrated circuits . However, silicon dioxide has a relatively high dielectric constant, about 3.9, and is therefore ideal. It is not typical. Layers formed from parylene polymers for use as insulating layers in integrated circuits However, these materials have a relatively low dielectric constant and a relatively low melting point. Because it is expensive. Parylene polymer has the following structure: (Where X is typically hydrogen or halogen) Poly-P-xylenes that can be prepared starting from Parylene dimer most Common forms include: Polymer films formed from these parylene dimers have relatively low dielectric Should have a relatively high melting point. However, these parilles Polymer films have relatively high dielectric constants, but their thermal stability is poor. Making use on the road unattractive. Typically deposited from parylene dimer to form a parylene polymer layer Method is used. One such deposition method is journal, ob, applied poly Mar Science 13: 2325 (1969). This one According to the method, generally referred to as the Gohan process, parylene dimer is Decomposes at elevated temperature to have the following structure: Is produced. Parylene monomer condenses on the substrate at temperatures from about room temperature to about -35 ° C . Under these conditions, the parylene monomer simultaneously polymerizes on the substrate and contacts the substrate. The deposited parylene polymer layer is formed. U.S. Pat. No. 5,268,202 (inventor You) includes a parylene dimer and the like. A vapor deposition process for forming a poly-p-xylene film from the outside is disclosed. This method, disclosed herein by reference, uses monomer vapor in a vacuum chamber where deposition occurs. Is formed by a parylene dimer process before deposition on the substrate. It eliminates the opportunities for purification that can be obtained. Therefore, the resulting poly-p-xylene layer is not The purity level is relatively high. For example, the Journal of Vacuumsa Jens and Technology A11 (6), 3057 (1993) Poly-p-xylene film formed by the method of You Is shown to be about 3%. Such relatively high levels of zinc impurities For example, if a poly-p-xylene film is used in a multilevel structure for an object, Increase the dielectric constant, decrease the surface resistivity, move ions in the layer, -P-xylene filter related to the charging effect on the battery surface and / or the formation of electron storm Lum has a problem. As a result, these poly-p-xylene fills The system cannot be used for integrated circuits. Combining the use of plasma with the deposition of gaseous species is used in many systems It has been. For example, at the DUMIC Conference (February 11, 1997) ISMIC- According to 222D / 97 / 0098-105 (hereinafter referred to as DUMIC), the pulse Disclosure of using plasma to control fluorocarbon thin films on silicon Have been. This reference method is based on the deposition rate, deposition efficiency or adhesion of the resulting surface. Rather than CF_Three, CF_TwoAnd control the relative amounts of CF. What In addition, DUMIC uses a pulse (pulsation) program in connection with parylene polymer film formation. The use of plasma is not disclosed. As is known to those skilled in the art, The parameters used for the zuma (eg, peak power amplitude, peak power frequency and And usage rate) The amount of change depends on the surface created during deposition. Therefore, a relatively low dielectric constant and a relatively high melting point for integrated circuits in electronic devices. There remains a need in the art to provide an electrically insulating layer having dots. Also, Providing this type of insulating layer formed from a rylene polymer has been described in the art. That is one issue. Summary of the Invention In its broadest aspect, the invention relates to improved parylene polymer layers, the production of these layers. It relates to a method of making and the use of these layers. In one embodiment, the improved parylene The polymer layer has a relatively low level of impurities such as zinc. other In an embodiment, the parylene polymer layer improved using a pulsed plasma treatment is used. Let it form. In another aspect, the improved parylene polymer is blended with other species. I have. In yet another embodiment, the above embodiments may be combined in various ways to remove impurities. On the other hand, at a lower level, formed using pulsed plasma processing, and And / or forming an improved parylene polymer layer incorporating other species. In one exemplary embodiment, the invention relates to a method of forming a parylene polymer layer. Provide the law. This method is based on parylene monomer deposition (deposition) on the substrate (substrate) surface. ) To form a layer and treating this layer by pulsed plasma treatment It consists of: In another illustrative embodiment, the invention provides a multi-level structure. This structure consists of a first layer, a parylene polymer layer and an adhesion promoting material (substance) Have been. The parylene polymer layer is disposed along the first layer, and the adhesion promoting material layer is It is located along the parylene polymer layer. The parylene polymer layer has the following structure: Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. , G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w (Where X is a halogen, n is an integer greater than 0, and the sum of y and w is at most Equal to the sum of 2n and 1) Is an alkyline group having Formed from a substance having The parylene polymer layer has a zinc impurity level ( Level) is at most about 66 ppb (parts per billion). In yet another illustrative embodiment, the invention provides a method for fabricating a multi-level structure. Offer. This method deposits the monomer on the substrate surface and pulse-pumps this layer. Processed by plasma treatment to form a parylene polymer film on the surface of the first layer Consists of: Parylene polymers have the following structure: Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. , G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w (Where X is a halogen, n is an integer greater than 0, and the sum of y and w is at most Equal to the sum of 2n and 1) Is an alkyline group having have. The parylene polymer layer has a high zinc impurity level (level). Is also about 66 ppb. In another illustrative embodiment, the invention provides a multi-level structure . The structure comprises a first layer and a parylene polymer disposed along a surface of the first layer. Layer. The parylene polymer layer has the following structure: Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. , G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w (Where X is a halogen, n is an integer greater than 0, and the sum of y and w is at most 2n Equal to 1) Is an alkyline group having Formed from a substance having The parylene polymer layer has a zinc impurity level ( Level) is at most about 66 ppb. This parylene polymer layer is made of parylene Monomers are deposited on the surface of the substrate to form a layer, and the layer is pulsed plasma treated. It is formed by a method including a step of processing by a process. It should be noted that in a further illustrative embodiment, the present invention provides a multi-level structure. The structure comprises a first layer and a parylene polymer disposed along a surface of the first layer. And layers. Parylene polymer deposits parylene monomer on substrate surface Forming a layer, and treating this layer by pulsed plasma treatment. It is formed by the method of BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES The advantages and features of the present invention will become more apparent when the following detailed description is considered in conjunction with the drawings. It will be clearly understood. FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a multi-level structure according to the present invention. . FIG. 2 is a sectional view of another embodiment of the multi-level structure according to the present invention. FIG. 3 shows a vacuum deposition system that can be used to form a parylene polymer layer according to the present invention. FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of a system. FIG. 4 shows an embodiment of an integrated circuit including a multi-level structure according to the present invention. It is a sectional view of a part. And FIG. 5 shows one of the vacuum chambers that can be used to form a parylene polymer layer according to the present invention. It is a lineblock diagram of an embodiment. Detailed description FIG. 1 shows a multi-level structure 10 according to the present invention. Structure 10 comprises a substrate layer 12 A parylene polymer layer 14 is included. Here, the term "parylene polymer" Refers to poly-p-xylene. Typically, the parylene polymer is Paris Produced from Lendimer. The substrate layer 12 is formed from any material on which the parylene polymer layer 14 can be deposited. be able to. These materials include conductive and non-conductive materials. Substrate 1 The specific substances which are formed depending on the application, as well as such substances, are Is known. For example, but not limited to, aluminum, iron, steel , Molybdenum, aluminum oxide, titanium oxide, lead oxide, copper oxide, iron oxide, oxide Beryllium, magnesium oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, vanadium oxide Um, silicone, natural rubber, plastic, plastic composite, cellulose Substances, epoxy-containing compounds, thermosetting compounds, thermoplastic compounds, oxides of silicon (For example, fly ass And hydrated silica, silica, quartz, airgel, xerogel and fumed silica The substrate layer 12 can be formed from an organic material or an inorganic material including the above. Change Alternatively, the substrate layer 12 may be gallium arsenide or another binary semiconductor. The substrate layer 12 can also be formed from a vacuum compatible liquid. the term" "Vacuum compatible" refers to substances that have a vapor pressure at the operating temperature of the vacuum chamber used here. The minimum pressure at which the vacuum chamber can be pumped is this vacuum compatible material. It has nothing to do with the existence of quality. An example of a vacuum compatible liquid is γ-methacryloxypro. It is pyrtrimethoxysilane. In some embodiments, the substrate layer 12 includes a printed circuit board, a silicon substrate, Lath fiber backboard, silicon wafer, paper, keypad, catheter, pacemaker Cover, subcutaneous probe, bird feather, silicone O-ring, automobile, etc. And the like of the mechanical device. The parylene polymer layer 14 has the following structure: Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. , G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w (Where X is a halogen, n is an integer greater than 0, and z is 1) Which is an alkyline group having the formula: G is an alkyl group ( That is, if it is saturated, y + w = 2n + 1. G is cyclocarbonized A hydrogen, alkylene or alkylin group (ie having at least one degree of unsaturation) If y + w is the degree of unsaturation It is less than 2n + 1 by a factor of two. FIG. 2 shows another multi-level structure 20 according to the present invention. This structure 20 A parylene polymer layer disposed between the first material layer and the second material layer; In. Although not limited to these materials, the first and second layers 16, 18 It can be formed from any of the materials listed above for substrate layer 12. Change In addition, the layer 16 and / or the layer 18 may take any of the above-described shapes of the substrate base 12. be able to. Layer 16 and / or layer 18 may have other shapes as well. Also, in some embodiments, layers 16 and 18 are each at least partially It can also be formed from a material that is electrically conductive. In such an embodiment, the layers 16 and 18, formed from metal using standard photographic and etching techniques Is also good. For these embodiments, layers 16 and 18 are respectively It may correspond to a ground or metal interconnect trace layer. Form layers 16 and 18 Other methods of making are known to those skilled in the art and are deemed to be within the scope of the present invention. I do. In some embodiments, the parylene polymer layer 14 comprises some other material. Adhesion to may be relatively difficult. About these embodiments It is desirable to promote adhesion of the layer 14 to other surfaces. Therefore, Parylene polymer layer 14 may undergo certain surface treatments and adhere to other surfaces May be increased. Examples of this type of processing include continuous plasma processing [immediately Duty cycle of 100%, corona treatment, loading Electrical treatment and / or other surface roughening treatments are included. These processes are known to those skilled in the art. Are well known and within the scope of the present invention. For example, in continuous plasma processing, High in relation to the background pressure of one or more gases to even generate Frequency (RF) generation Vessel can be used. Pulsed plasma treatment during parylene monomer deposition It is known to promote. The term "pulsed plasma treatment" is used here Duty cycle (i.e., the percentage of time plasma is generated during processing) is approximately It refers to a plasma treatment of less than 100%. Typically, pulsed plasma processing The utilization rate of the processing is at most about 50%. In addition, the rate of use of pulsed plasma processing (data The duty cycle is preferably about 0.1% to about 50%, and about 0.1% to about 50%. % To about 10% is more preferred, with about 0.2% being most preferred. FIG. 3 shows a pallet suitable for use in forming a parylene polymer layer according to the present invention. FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a vacuum system 80 having a plasma source. . The system 80 includes a parylene monomer source 82, a deposition chamber 84, a substrate 86, and a platen. 88 (see discussion below). Further, the system 80 may be The parylene polymer layer connected to the chamber 84 and disposed on the substrate 86 is a pulsed plasma. It includes a pulsed plasma source 90 adapted to undergo processing. That pulse The plasma source 90 is an RF generator 92 [Technics, Company (Alex, VA) Type 300-I RF generator available from San d'Oria). Timing Module 93 (Dynatronics, Inc. Model DMP10-1-4) available from Amery, D.D. A pulse plasma source 92 is interfaced to a timing circuit 94 to Controls the usage rate of zuma processing. This type of timing circuit 94 is known to those skilled in the art. Are well known. Specific examples of RF generators and timing modules are described here. Although other devices of this type are also known to those skilled in the art, It is within the scope of the invention. During the pulse plasma processing, the background of the parylene monomer Pressure is present (eg, about 10 to about 15 mTorr). Based on parylene monomer As deposited on the surface of plate 86, a pulsed plasma treatment thus occurs. An example For example, if the pulse plasma usage rate is about 0.2%, the RF generator will be Activates about 0.2% of the time that the nomer has been deposited on the surface of the substrate 86. In the plasma Produces various ions, radicals and other species from parylene monomer gas are doing. In general, these species have a high sticking rate (coefficient), so that the substrate 8 has high efficiency. 6 having the enhanced properties as described herein. It is creating a mer layer. During pulsed plasma processing, the peak power 92 of the RF generator 92 is It can be varied depending on the desired properties of the polymer layer. Generally, the peak power is Depends on deposition chamber volume, peak power increases as deposition chamber volume increases I do. If the peak power of generator 92 is too low, pulsed plasma processing will Its effect in improving the properties of the rimer layer is minimal. However, the generator 9 If the peak power of 2 is too high, the resulting parylene polymer layer will be fragile and opaque. And have other undesirable properties. Therefore, the pallet for the volume of the evaporation chamber The peak power of the RF generator 92 during the plasma processing is about 0.05 watts / inch.^ThreeFrom About 100watts / inch^ThreePreferably about 0.1 watts / inch^ThreeFrom about 20watts / inch^ThreeBut More preferably, about 0.1 watts / inch^ThreeFrom about 10watts / inch^ThreeIs most preferred No. Increased adhesion obtained using pulsed plasma treatment during deposition of parylene monomer The thickness of the resulting parylene polymer film is increased by Nomer deposition rates are increasing. Paris formed without pulsed plasma treatment while keeping other variables constant Pulsed plasma treatment for ren polymer film Preferably, the parylene polymer layer formed using More preferably at least about 2 times, and most preferably at least about 3 times. preferable. Also, forming without using pulsed plasma processing, while keeping other variables constant. Of the parylene polymer film formed by pulsed plasma treatment Preferably, the deposition rate of the rylene polymer layer is at least about 1.5 times faster. More preferably at least about 2 times faster, most preferably at least about 3 times faster No. Surprisingly, in addition to promoting adhesion, the surface of the parylene polymer layer It has been found that pulsed plasma treatment provides other advantages. This One of the advantages of this type is improved control over the surface on which the parylene polymer layer is formed. That is. Usually, a parylene polymer layer is formed on a substrate for the electronics industry. When forming, the thickness around the edge of the substrate substantially not containing parylene polymer is about 1 mm. Is preferably left. This concept is commonly referred to in the art as "edge exclusion". is called. Also, the back side of the substrate (ie, directly facing the parylene monomer gas) On the other hand, it is advantageous to minimize the amount of parylene polymer formed . No. 5,546,473, incorporated herein by reference. As shown, the substrate is typically positioned at some selected location (eg, six locations) relative to the platen. The problems associated with these goals arise as a result of the deposition process gripping in Maybe. Surprisingly, plasma or continuous plasma Parylene polymer layer performs pulsed plasma treatment for non-parylene polymer layer Edge removal on the backside of the substrate is promoted and parylene polymer It has been found that production is reduced. Using pulsed plasma treatment when forming parylene polymer layers Yet another advantage relates to the dielectric constant of the resulting parylene polymer layer. Many In some embodiments, for example, parylene polymers in the electronics industry When the layer is used as an insulating layer, the dielectric constant is the highest for the parylene polymer layer. Advantageously, it is small. Further, the in-plane dielectric constant of the parylene polymer layer (ie, the substrate The dielectric constant parallel to the plane of the plate and the out-of-plane dielectric constant (ie, the dielectric constant in the plane perpendicular to the substrate). It is often desirable that the (electrical powers) be approximately equal. Surprisingly, Paris Pulsed plasma treatment of the ren polymer layer, without plasma treatment or The dielectric constant of the parylene polymer layer formed by continuous plasma The rylene polymer layer has a reduced dielectric constant and, surprisingly, pulsed plasma The value of the in-plane dielectric constant and the out-of-plane dielectric constant of the parylene polymer layer formed by using the treatment, Parylene poly formed without plasma treatment or with continuous plasma treatment It is closer to the equal case than the in-plane permittivity and the out-of-plane permittivity of the mer layer. Therefore, for the parylene polymer layer formed without using the pulsed plasma treatment, Parylene polymer layers formed using pulsed plasma processing have reduced dielectric constant and And / or may have a more isotropic dielectric constant. Pulsed plasma treatment or continuous plasma treatment of the parylene polymer layer This can be done during or after the deposition of the polymer. Or, during plasma processing, Background pressure of gas other than parylene monomer (ie, background gas) Must exist. The pressure of the background gas in the deposition chamber is about 125 Little to about 375 mTorr, preferably about 200 mTorr to about 300 mTorr And more preferably from about 240 mTorr to about 260 mTorr. How many In some embodiments, the background gas is one or more noble gases It consists of. Examples of noble gases include helium, neon, argon, and Contains senone. In another embodiment, the background gas comprises one or more hydrocarbons. May be included. Such hydrocarbon background gases include saturated hydrocarbons, Unsaturated hydrocarbon, aromatic hydrocarbon, straight-chain hydrocarbon, branched-chain hydrocarbon, cyclic hydrocarbon There are elements. Exemplary squirrels of hydrocarbons suitable for use as background gas Include, but are not limited to, methane, ethane, ethylene and acetyl Len is included. In some embodiments, the background gas is one or more. It consists of the above noble gases and one or more hydrocarbon gases. One or By using more hydrocarbon gas, the properties of the parylene polymer layer are modified. I found it to be better. (See discussion below). The above treatment of the parylene polymer layer can be performed on the entire parylene polymer layer or on the parylene polymer layer. It should be understood that this is done on a portion of the polymer layer. In addition, Parylene polymer Although some treatments of the layer have been described here, the adhesion of the parylene polymer layer and other Other treatments for these layers that enhance the properties of Shall fall within the range. Parylene polymers are usually highly crystalline linear materials, and as a result, It limits strength and other physical properties. Improved strength of parylene polymer layer Additional species (e.g., monomers) besides the parylene monomer to improve It may be added to the layer during its synthesis. When incorporated into the parylene polymer layer, Additional components allow cross-linking to occur and increase the strength and / or adhesion of the resulting layer. Will be added. An illustrative, non-limiting list of species of this type includes the molecular formula C_x H_yWherein x and y are each an integer of at least 1. It is. The incorporation of these species into the parylene polymer layer is, for example, a parylene monomer Of these other components in the deposition chamber during the deposition of Can be achieved by establishing a pressure. In some embodiments That background pressure of one or more of these species exists in the deposition chamber When pulsed plasma treatment or continuous plasma treatment can be used However, this type of pulsed plasma treatment or continuous plasma treatment is most needed. Not. The present invention in which a species other than the parylene monomer is mixed into the parylene polymer. In embodiments, the parylene polymer has less of the advantages of the invention described herein. To improve the properties of the parylene polymer layer so that at least one is obtained, Should have the amount of the species mixed in. In some embodiments, between layers 16 and 14 and / or between layers 18 and 14 Can provide enhanced adhesion by providing a layer of adhesion promoting material (substance) it can. Alternatively, layer 16 and / or layer 18 may be formed from an adhesion promoting material. Suitable adhesion-promoting materials for use in the present invention include, but are not limited to, , Organosilane compounds, metals, metal oxides and semiconductor oxides. this Examples of various organosilane compounds include A-150 (Union, Carbide, Available from Technologies), A-174 (Union, Carbide, Technoro Available from Zees) and VM651 (available from DuPont Chemicals) You. Other adhesion promoting materials of this kind are known to those skilled in the art and are within the scope of the present invention. Shall enter. For these embodiments, layer 14 may include any of the above surface treatments. It should be recognized that the user may or may not receive the message. In some applications, preventing diffusion of material through the parylene polymer layer 14 That is an advantage. For these applications, layer 16 and / or Layer 18 reduces or eliminates the diffusion of material through parylene polymer layer 14 It may be formed of a material. Materials suitable for use in these applications include, for example, rice No. 5,470,802. Other materials of this type are known to those skilled in the art. And are within the scope of the present invention. For some applications, such as electronic circuits, form a relatively flat layer Preferably, the parylene polymer layer 14 is relatively conformal, so that layer 1 4 need not have the desired flatness. Therefore, layer 14 may be polished or otherwise processed. It is advantageous to make the surface flatter, which is often is called. However, in some embodiments, layer 14 is planarized. It seems difficult. For these embodiments, layers 16 and / or layers 18 can be formed of a material that can be easily planarized. Typically, this Such materials are dielectric materials, but in some cases may be semiconductors. FIG. 4 shows a part 30 of a multilevel electronic circuit according to the invention. Part 30 is Silicon wafer substrate 22, electrical insulating layer 24, electrical conductive layer 26, electrical conductive layer 28 And a parylene polymer layer 14 disposed between the layers 26 and 28. The silicon wafer substrate 22 is used in the electronics industry. Any of the standard substrate materials such as silicon backboard and fiberglass backboard Can also be formed. Other suitable structures for wafer substrate 22 are known to those skilled in the art. And is within the scope of the present invention. The electrically insulating layer 24 typically provides the wafer substrate 22 with electrically conductive layers 26 and 28. Acts to protect against Layer 24 may comprise any other suitable material Can be used, but is usually formed from silicon dioxide. Electrical insulation layer 2 4 can be formed by any of the standard techniques known to those skilled in the art. . Also, the electrically conductive layers 26 and 28 may be made of metal or metal suitable for use in the electronics industry. Can be formed from other materials. Layers 26 and 28 are standard photographic and It may be composed of a metal conductor line formed by a switching technique. This In such an embodiment, layers 26 and 28 may include a power plane, a ground plane, or interconnect traces. It may correspond to a layer. Electrically conductive layers 26 and 28 are formed by conventional methods known to those skilled in the art. Using vias formed in the polymer layer or through holes (not shown) Thus, they can be interconnected through the parylene polymer layer 14. According to the present invention, the parylene polymer layer 14 is formed using a vapor deposition process. . The deposition process involves undergoing a purification process before the monomer is deposited on the substrate It is preferred that the monomer can be generated outside the deposition section of the vacuum chamber so that Good. In a particularly preferred embodiment, the parylene polymer layer 14 comprises a fifth As shown in the figure, it is formed using a vacuum chamber 40. The vacuum chamber 40 contains A body 42, a pyrolysis zone 44, a post-pyrolysis zone 46, and a deposition zone 48 are included. This species Examples of such vacuum chambers are described, for example, in commonly assigned U.S. Pat. No. 46,473. The following structure: Is charged into the evaporation zone 42 at about room temperature, after which about 70 The dimer is evaporated by heating at a temperature of about 150C to about 150C. The vaporized dimer is subjected to pyrolysis zone 4 maintained at a temperature of about 600 ° C. to about 720 ° C. 4 to pyrolyze the dimer (cleave some chemical bonds), and Construction: To produce a monomer having The monomer passes through pyrolysis zone 46 after at most about room temperature. mono The mer generally passes through the post-pyrolysis zone 46 without adhering to the wall of the zone 46 However, at this temperature, the remaining evaporative dimer adheres to the walls of the post-pyrolysis zone 46. Sometimes. Thus, the post-pyrolysis zone 46 finally evaporates into an evaporation chamber 48. The amount of mer is reduced. This feature may be advantageous in some embodiments However, this is because the evaporating dimer depends on the dielectric constant and other properties of the parylene polymer layer 14. On the other hand, impurities in the layer 14 which must have an undesirable local action Because it can be. After passing through the post-pyrolysis zone 46, the monomer enters the deposition chamber 48 where the substrate 50 is located. The substrate 50 is placed on a platen 52, and the platen 52 A standard temperature that controls its temperature by heating and / or cooling 52 A control device 54 is included. By using this device 54, the substrate 50 and The temperature of the platen 52 is typically reduced during the deposition of the monomer onto the substrate 50. The temperature is maintained at a temperature from room temperature to about -25 ° C. By reducing the temperature of the substrate 50 and the platen 52, By taking into account the benefits and increased handling of monomers. It has been found that the entire process of manufacturing the renpolymer layer 14 becomes more controllable. Revealed. For example, by cooling the substrate 50 and the platen 52, the deposition chamber 4 Wall 8 may be heated during monomer deposition. The substrate 5 during monomer deposition 0 and the temperature of the platen 52, a more effective deposition process is achieved. Process, allowing more effective use of parylene dimer starting materials . After monomer deposition, apparatus 54 increases the temperature of substrate 50 and platen 52 to about 100 Used to slowly cool the parylene polymer layer by increasing the temperature from 400C to about 400C Can also. However, at the temperature of the substrate 50 described above, the polymerization of the parylene monomer Note that it happens naturally. Before charging the dimer to the evaporating zone 46, the dimer is first purified. Departure The light dimer is easily purified by crystallization due to its high degree of symmetry. Typically These solvents are relatively asymmetric to have a high temperature solubility coefficient. However, If the medium is too symmetric, separation of the solvent from the dimer can be difficult. Something Without wishing to be bound by the theory of, this increase in solvent / dimer separations Difficulties are thought to result from the accidental containment of solvents in the dimer lattice. You. Suitable solvents for use in crystallization of the dimer according to the present invention include, but are not limited to: But not limited to chloroform, tetrahydrofuran, methylene chloride, and Linear hydrocarbons such as n-hexane and n-heptane are included. Preferred embodiment In this, the solvent is n-hexane. After dissolving the dimer in the solvent, the solution Is typically passed through a chromatographic bed containing polar substances, e.g., alumina. ing. Depending on the polarity of the chromatographic bed, many polar or Removes ionic impurities. In addition, The chromatographic bed can remove even fine impurities in the solution by filtration. You. Parylene polymer with reduced impurity levels by using this process Layer can be produced. For example, a parylene polymer layer according to the present invention Has a zinc impurity level of 66 ppb or less. This feature of the invention is desirable. It is important that impurities in the parylene polymer are, for example, limited to these. Although not limited, the increase in the dielectric constant of the parylene polymer layer Some, such as reducing surface resistivity and / or generating electron storms in multi-level structures This causes various negative effects. Particular apparatus and methods for making parylene polymer layer 14 have been described herein. However, those skilled in the art will appreciate that at least some aspects of these devices and methods. It will be understood that may be modified or changed. Also this kind of deformation Shall be within the scope of the present invention. For example, as discussed above, In addition to cleaving the parylene dimer bond using temperature May be cleaved using plasma. Such a method is described, for example, in Russian Patent 2, 000,850 and 2,002,519. When used in integrated circuits or in other electronics applications, The parylene polymer layer 14 has a dielectric constant to increase the operating speed of the circuit and reduce power consumption. Should be minimal. Therefore, these parylene polymer layers have a high dielectric constant. Preferably at most about 2.6, more preferably at most about 2.4 The most preferred is at most about 2.2. Having a low loss factor reduces signal loss in integrated circuits . Thus, the parylene polymer layer according to the present invention has a loss factor of less than about 0.001. Preferably. According to the present invention, a parylene polymer layer having a thickness of about 1 micrometer has a breakdown voltage Is preferably at least about 750 volts. The parylene polymer layer 14 may have a Young's modulus of about 5 gigapascal. preferable. The parylene polymer layer according to the invention has an elongation to break of at least about 2 It is preferably 0%. Parylene polymer layer 14 has an ultimate tensile strength of at least 122 megapascals. Preferably. According to the invention, the parylene polymer layer has a water absorption value of at most about 0.5% by weight. It is more preferably at most about 0.2% by weight, most preferably Preferred is at most about 0.1% by weight. Parylene polymer layers according to the present invention may have a thickness of at least about 450 ° C. Thermal stability such that less than 1% weight loss per 2 hours under temperature Is preferred. The parylene polymer layer 14 preferably has a crystal melting point of about 500 ° C. or higher. The parylene polymer layer according to the present invention has a surface resistivity of about 1.3 × 10¹⁴Ohm Preferably. The volume resistivity of the parylene polymer layer 14 is about 5.3 × 10¹⁶Be an ohm preferable. Preferably, the parylene polymer layer according to the present invention has a density of about 1.58. Further, the thermal expansion of the parylene polymer layer 14 at 25 ° C. is at most about 35 pp. m is preferable. According to the present invention, the parylene polymer layer has a coefficient of friction of about 0.2. The following are illustrative examples of embodiments of the present invention. These limit the present invention. Not. Example 1 The following process is performed on a Soxhlet extractor with a jacket (New Jersey, USA, Catalog number LG-6950 from Lab Glass, located in Vineland Or Cataro from Chem Glass, Vineland, NJ, USA G number CG-1328). Parylene weight of the present invention A significant amount of the crude dimer used as starting material in the synthesis of the coalesced layer, Glass extraction thimble with a fritted glass disc at the bottom. Excess material). A short chromatographic bed of fine alumina was placed at the bottom of the thimble. Was. The thimble was purchased with a diameter of 41 mm and a height of 130 mm. More immature The thimble height to accommodate the dimer sample (ie, up to about 70 g) Increased to 180mm. Place the boiling n-hexane flask under the thimble and flush with gaseous n-hexane. It was condensed in a condenser placed above the mumble. Condensed n-hexane Is dropped onto the crude dimer to generate dirt, dust, and / or N-hexane, purified dimers and impurities, including dimeric polymers or oligomers A leaching solution was produced. The leaching solution is applied to the chromatographic bed and the bottom of the thimble. Through the frit glass. The chromatographic bed is made of alumina Removes various polar and ionic impurities present in the leach solution . In addition, the chromatographic bed removed fine impurities by filtration. To remove the leach solution from the soxhlet extractor supporting the thimble regularly, A phone mechanism was used. With this treatment, n-hexane is boiled from the leach solution. Return to the hexane flask. After about 10 to about 20 hours, the crude dimer will boil Transfer to a flask of n-hexane. The extraction was performed in boiling n-hexane to speed up the dimer decomposition operation. Was. To achieve this, the extraction volume is surrounded by a conduit jacket and n- N-hexane as the hexane vapor moves from the boiling flask to the condenser Heated the extraction volume. This hot filtration method is used to remove impurities while the solution is hot. In conventional crystallization equipment, which is advantageous because it is removed, Note that excess can be difficult and / or dangerous if flammable solvents are used Should. In addition, for practical reasons, such filtration is carried out below the boiling point of the solvent. May be carried out at temperature, increases solvent usage, and dimer solubility Is reduced. However, if a soxhlet apparatus is used, The vapors of the chemicals are retained inside the equipment by the jacket, increasing the efficiency of the purification process Is taken into account. The obtained purified dimer of the present invention is obtained by inductively coupled plasma mass spectrometry of a vaporized dimer. Tested. During this process, the sample is ashed and the non-volatile acids of the trace elements to be measured The carbon-containing components were removed leaving the oxide. The ash was placed in a buffered aqueous solution. Sample ash Was supplied to the active plasma. Trace elements are fine particles due to high heat of plasma Was Atomized plasma for quantitative determination of each specific impurity element It was fed to the mass spectrometer source. Table 1 shows the results. Table 1 shows that the zinc impurity level is about 66 ppb (partsper billion) It clearly proves that This method uses parylene produced from monomers It does not include direct measurement of impurity levels in the polymer layer. However, this method To determine the impurity level of the starting material (ie, dimer) of the parylene polymer membrane Therefore, it sets the upper limit of the possible impurity level of the parylene polymer film of the present invention. . To purify about 70 g of crude dimer according to this method, about 3 liters Of n-hexane will be used. In this process embodiment, n-hex A 1 liter flask with an initial volume of about 0.7 liters of Sun was used. . Example 2 Parylene polymer layer is formed as follows without pulse plasma treatment did. The deposition apparatus was as described in U.S. Pat. No. 5,546,473. 0.5 g of parylene dimer was evaporated Put in a crucible in the area. The parylene dimer has the following molecular structure:It had. The crucible was heated to 105 ° C. for 30 minutes to vaporize the dimer. The vaporized dimer Passed through a pyrolysis zone maintained at 640 ° C. Pyrolyze the dimer in the pyrolysis zone To produce a parylene monomer, which was then held at 100 ° C. Passed through the "post-pyrolysis zone". Attached to platen maintained at -15 ° C Parylene monomer was deposited (deposited) on a 6 inch silicon wafer. Obtained The parylene polymer layer has a thickness of 1 micrometer and a deposition rate of 7 per minute. It was 00 $. Example 3 A parylene polymer layer was formed using the method described in Example 2. However Pulsed plasma treatment was performed during the parylene monomer deposition. Parylene weight obtained The coalesced layer has a thickness of 3 micrometers and the deposition rate is 2100 ° per minute. Was. Although specific embodiments of the present invention have been described above, various changes, modifications, and improvements may be made. Is easy for those skilled in the art. Such alterations, modifications, and improvements are part of the present invention, And it is within the spirit and scope of the present invention. Therefore, the above description is merely illustrative. It is not intended to limit the invention. The present invention is merely defined by the following claims and their claims. Limited as defined in their equivalents.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｃ 16/32 Ｃ２３Ｃ 16/32 (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者オルソン、ロジャー、エイアメリカ合衆国、ウィスコンシン州、 54001、アメリー、ジョージ・ストリート、 313番 (72)発明者ビーチ、ウイリアム、エフアメリカ合衆国、ニュージャージー州、 08807、ブリッジウオーター、セベリン・ドライブ 1007番──────────────────────────────────────────────────続き Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C23C 16/32 C23C 16/32 (81) Designated country EP (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE), OA (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, I L, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT , RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW (72) Inventor Olson, Roger, A United States of America, Wisconsin, 54001, Amery, George Street, 313 (72) Inventor Beach, William, F. United States, New Jersey, 08807, Bridgewater, Severin Drive 1007

Claims

[Claims] 1. A process for depositing (depositing) a parylene monomer on the surface of a substrate to form a layer And parylene polymerization including the step of treating the layer by pulsed plasma treatment. A method of forming a body layer. 2. The method of claim 1 wherein the depositing step and the treating step are performed simultaneously. 3. The method of claim 1 wherein the treating step is performed after the depositing step. 4. Enough background gas to deposit background gas on the surface of the substrate The method of claim 1 further comprising the step of establishing a pressure of the round gas. 5. 5. The method of claim 4, wherein the establishing step is performed simultaneously with the depositing step. 6. The background gas pressure ranges from about 125 mTorr to about 375 mTorr. 5. The method of claim 4, wherein 7. 5. The method of claim 4, wherein the background gas is a hydrocarbon. 8. Background gas is methane, ethane, ethylene, acetylene and it 5. The method of claim 4, wherein the method is selected from the combination. 9. The process uses a duty cycle from about 0.1% to about 50% 2. The method of claim 1, comprising: 10. The processing step involves using a utilization of from about 0.2% to about 10%. The method of claim 1. 11. 2. The method of claim 1, wherein the processing step includes using a utilization of from about 0.2%. Law. 12. Processing steps from about 0.05 watts / cubic inch to about 100 watts / cubic inch 2. The method of claim 1 including using peak power up to 10 h. 13. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 20 watts / cubic inch. 2. The method of claim 1 including using peak power at 14． The process steps from about 0.1 watts / cubic inch to about 10 watts / 2. The method of claim 1 including using peak power up to cubic inches. 15. A first layer having a surface; and A parylene polymer layer having a first surface and a second surface, wherein the parylene weight is A first surface of the coalesced layer is opposite the second surface of the parylene polymer layer; The first surface of the polymer layer is disposed along the surface of the first layer, and the parylene polymer comprises Model: Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w (Where X is a halogen, n is an integer greater than zero, and the sum of y and w Is at most equal to the sum of 2n and 1.) Is an alkyline group having And the parylene polymer layer has at most about 66 ppb Having a zinc impurity level of: A layer of an adhesion-promoting substance having a first surface and a second surface, wherein the layer of the adhesion substance is The first surface is disposed along a second surface of the parylene polymer layer. A layer of an adhesion promoter; A multi-level structure that includes 16. 16. The multi-level structure of claim 15, wherein the adhesion promoter is an organosilane. 17． The adhesion promoting substance is composed of an organosilane compound, a metal, a metal oxide and a silicon oxide. 16. The multi-level structure of claim 15, wherein the multi-level structure is selected from the group consisting of: 18. The adhesion promoter is selected from the group consisting of metals, metal oxides and semiconductor oxides; 16. The multi-level structure of claim 15, wherein 19. The method further includes a second layer having a surface, wherein the second layer of the adhesive material is parylene. Disposed along the surface of the second layer such that the polymer layer is disposed between the first and second layers. 16. The multi-level structure of claim 15, wherein the multi-level structure is located. 20. 20. The multi-level structure of claim 19, wherein the first layer is a conductive material. 21. 21. The multi-level structure of claim 20, wherein the second layer is formed from a conductive material. 22. 16. The multiplex of claim 15, wherein the parylene polymer layer has a dielectric constant of at most about 2.6. Level structure. 23. The parylene polymer layer has a zinc impurity level of about 66 ppb. Multi-level structure. 24. Depositing a monomer on the surface of the substrate to form a layer; and The layer is treated by pulsed plasma treatment to form a parylene polymer film on the surface of the first layer. Wherein the parylene polymer has the structural formula: Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w Where X is halogen, n is an integer greater than zero, and y and w are Is at most equal to the sum of 2n and 1) Is an alkyline group having And the parylene polymer layer has a zinc impurity level of at most about 66 ppb. Steps that are to be performed; A method for forming a multi-level structure comprising: 25. Evaporating the parylene dimer; and Pyrolyzing the parylene dimer to form a monomer; 25. The method of claim 24, further comprising: 26. 26. The method of claim 25, wherein the depositing step is performed in a deposition zone of a vacuum chamber. 27. 27. The method of claim 26, wherein the pyrolysis step is performed outside the deposition zone of the vacuum chamber. 28. 28. The method of claim 27, further comprising feeding the monomer into a deposition zone of a vacuum chamber. Method. 29. The polymerization process polymerizes the monomer and has a zinc impurity level of about 66 ppb 28. The method of claim 27, comprising forming a parylene polymer film. 30. 25. The method of claim 24, wherein the depositing step and the treating step are performed simultaneously. 31. 25. The method of claim 24, wherein the treating step occurs after the depositing step. 32. Enough background gas to deposit background gas on the surface of the substrate 25. The method of claim 24, further comprising establishing a pressure of the und gas. 33. 33. The method of claim 32, wherein the establishing step is performed simultaneously with the depositing step. 34. The background gas pressure ranges from about 125 mTorr to about 375 mTorr. 33. The method of claim 32, wherein 35. 33. The method of claim 32, wherein the background gas is a hydrocarbon. 36. Background gas is methane, ethane, ethylene, acetylene and it 33. The method of claim 32, wherein the method is selected from the group consisting of combinations thereof. 37. The processing step involves using a utilization of from about 0.1% to about 50%. 25. The method of claim 24, wherein 38. The process uses a utilization rate of about 0.2% to about 10% 25. The method of claim 24, comprising: 39. 25. The process of claim 24, wherein the processing step comprises using a utilization of from about 0.2%. Method. 40. Processing steps from about 0.05 watts / cubic inch to about 100 watts / cubic inch 25. The method of claim 24, comprising using peak power up to 10 h. 41. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 20 watts / cubic inch. 25. The method of claim 24, comprising using the peak power at. 42. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 10 watts / cubic inch. 25. The method of claim 24, comprising using the peak power at. 43. A first layer having a surface; and A parylene polymer layer disposed along a surface of the first layer, wherein the parylene weight is The coalescing layer has the structural formula:Wherein m is an integer having a value of 0, 1, 2, 3, or 4, and z is greater than 1. G is a halogen, an alkyl group, a cyclohydrocarbon, an alkylene group or a general formula: C_nH_yX_w (Where X is a halogen, n is an integer greater than zero, and the sum of y and w Is at most equal to the sum of 2n and 1.) Is an alkyline group having Wherein the allylene polymer layer comprises at most about 66 ppb of zinc. Having an impurity level, and the allylene polymer layer has a parylene monomer on the surface of the substrate. Depositing on it to form a layer; and And forming the layer by a method including a step of treating by a pulse plasma treatment. Is; A multi-level structure that includes 44. 44. The multi-level of claim 43, wherein the depositing step and the treating step are performed simultaneously. 45. 44. The multi-level of claim 43, wherein the treating step occurs after the depositing step. 46. Enough background gas to deposit background gas on the surface of the substrate 44. The multi-level of claim 43, further comprising the step of establishing a pressure of the round gas. 47. 47. The multi-level of claim 46, wherein the establishing step is performed simultaneously with the depositing step. 48. Background gas pressure from 125 mTorr to about 375 mTorr 47. The multi-level of claim 46, wherein 49. 47. The multi-level according to claim 46, wherein the background gas is a hydrocarbon. 50. Background gas is methane, ethane, ethylene, acetylene and it 47. The multi-level of claim 46, wherein the multi-level is selected from the group consisting of combinations thereof. 51. The processing step involves using a utilization of from about 0.1% to about 50%. 44. The multi-level of claim 43. 52. The process step includes using a utilization of about 0.2% to about 10%. 44. The multi-level of claim 43. 53. 44. The method of claim 43, wherein the processing step comprises using a utilization of from about 0.2%. Multiple levels. 54. Processing steps from about 0.05 watts / cubic inch to about 100 watts / cubic inch 44. The multi-level of claim 43, comprising using peak power up to 10 h. 55. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 20 watts / cubic inch. 44. The multi-level of claim 43, comprising using peak power at. 56. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 10 watts / cubic inch. 44. The multi-level of claim 43, comprising using peak power at. 57. A first layer having a surface; and A parylene polymer layer disposed along the surface of the first layer, wherein the Rylene polymer is Depositing a parylene monomer on the surface of the substrate to form a layer; and Treating said layer by pulsed plasma treatment; Is generated by a method including Multi-level structure. 58. 58. The multi-level of claim 57, wherein the step of depositing and the step of treating are performed simultaneously. 59. 58. The multi-level of claim 57, wherein the treating step occurs after the depositing step. 60. Enough background gas to deposit background gas on the surface of the substrate 58. The multi-level of claim 57, further comprising establishing a pressure of the round gas. 61. 61. The multi-level of claim 60, wherein the establishing step is performed simultaneously with the depositing step. 62. The background gas pressure ranges from about 125 mTorr to about 375 mTorr. 61. The multi-level of claim 60, wherein 63. 61. The multi-level according to claim 60, wherein the background gas is a hydrocarbon. 64. Background gas is methane, ethane, ethylene, acetylene and it 61. The multi-level of claim 60, wherein the multi-level is selected from the group consisting of combinations thereof. 65. The processing step involves using a utilization of about 0.1% to about 50%. 58. The multi-level of claim 57. 66. The process step includes using a utilization of about 0.2% to about 10%. 58. The multi-level of claim 57. 67. 58. The process of claim 57, wherein the processing step comprises using a utilization of from about 0.2%. Multiple levels of. 68. Processing steps from about 0.05 watts / cubic inch to about 100 watts / cubic inch 58. The multi-level of claim 57, comprising using peak powers up to 50 m. 69. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 20 watts / cubic inch. 58. The multi-level of claim 57, comprising using peak power at 70. Processing steps range from about 0.1 watts / cubic inch to about 10 watts / cubic inch. 58. The multi-level of claim 57, comprising using peak power at 71. The parylene polymer layer further includes a chemical species other than the parylene monomer. 5. Multi-level structure. 72. The parylene polymer layer further includes a chemical species other than the parylene monomer. 3. Multi-level structure. 73. The parylene polymer layer further includes a chemical species other than the parylene monomer. 7. Multi-level structure.