JP2002371351A - Film forming apparatus - Google Patents
Film forming apparatusInfo
- Publication number
- JP2002371351A JP2002371351A JP2001180151A JP2001180151A JP2002371351A JP 2002371351 A JP2002371351 A JP 2002371351A JP 2001180151 A JP2001180151 A JP 2001180151A JP 2001180151 A JP2001180151 A JP 2001180151A JP 2002371351 A JP2002371351 A JP 2002371351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- arc discharge
- sputtering
- forming apparatus
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、アーク放電式蒸発
源およびスパッタリング用電極を用いて、被覆基体の表
面に皮膜を形成する皮膜形成装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on the surface of a coated substrate using an arc discharge evaporation source and a sputtering electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、切削工具、金型、摺動部材等への
保護皮膜の形成には、アーク放電式イオンプレーティン
グ装置、スパッタリング装置が広く用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, an arc discharge type ion plating apparatus and a sputtering apparatus have been widely used for forming a protective film on a cutting tool, a mold, a sliding member and the like.
【０００３】アーク放電式イオンプレーティング装置
は、アーク放電によって皮膜の金属源である陰極を溶
解、蒸発させ、これによって生成したプラズマ中の正イ
オンを、負のバイアス電圧を印加した被覆基体に引き込
み、被覆基体の表面に皮膜を形成する装置である。上記
アーク放電式イオンプレーティング装置によって形成さ
れる皮膜は、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＣｒＮ、ＴｉＡｌＮと
いった硬質皮膜が主体であるが、密度および密着性に優
れているため、皮膜の密着性、耐酸化性、耐摩耗性が高
い次元で要求される切削工具への適用が中心である。The arc discharge type ion plating apparatus dissolves and evaporates a cathode which is a metal source of a film by arc discharge, and draws positive ions in plasma generated by the dissolution into a coated substrate to which a negative bias voltage is applied. This is an apparatus for forming a film on the surface of a coated substrate. The film formed by the arc discharge type ion plating apparatus is mainly a hard film such as TiN, TiCN, CrN, and TiAlN. However, since the film has excellent density and adhesion, the adhesion, oxidation resistance, It is mainly applied to cutting tools that require high wear resistance.
【０００４】一方、スパッタリング装置によって形成さ
れる皮膜は、密度および密着性はアーク放電式イオンプ
レーティングに及ばないものの、皮膜表面の平滑性が優
れるため、被覆面に平滑性が要求される用途に適用され
ている。また、アーク放電式イオンプレーティング装置
では、固体潤滑材料として知られているＭｏＳ２、Ｆｅ
Ｓを代表とする硫化物系皮膜の形成が不可能であるた
め、上記硫化物系皮膜の形成には、スパッタリング装置
が使用されている。[0004] On the other hand, a film formed by a sputtering apparatus has a density and an adhesion that are not as good as those of an arc discharge type ion plating, but is excellent in the smoothness of the surface of the film, so that it is used in applications where the coated surface requires smoothness. Have been applied. Further, in an arc discharge type ion plating apparatus, MoS 2 , Fe
Since it is impossible to form a sulfide-based film represented by S, a sputtering apparatus is used to form the sulfide-based film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】近年、加工効率の向
上、被加工製品の高精度化、ニアネットシェイプ化、潤
滑剤の低減もしくは無潤滑加工といった背景から、切削
工具、金型等の使用環境はますます過酷化しつつあるた
め、耐摩耗性ならびに耐焼付き性の両特性を兼備させる
ことが必要となってきた。In recent years, the use environment of cutting tools, dies, and the like has been increased due to the background of improvement of machining efficiency, high precision of a workpiece, near net shape, reduction of lubricant or non-lubrication. As they are becoming increasingly severe, it has become necessary to have both abrasion resistance and seizure resistance.
【０００６】そこで発明者は、切削工具、金型等におけ
る耐摩耗性、耐焼付き性に及ぼす皮膜の層構造の影響に
ついて検討を行った結果、アーク放電式イオンプレーテ
ィング装置にて、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＣｒＮ、ＴｉＡｌ
Ｎ等の硬質皮膜を形成し、その上にマグネトロンスパッ
タリング装置にて、固体潤滑材としてしられるＭｏＳ ２
を代表とする硫化物系皮膜を形成することで、上記要求
を満足できるという結論に達した。そこで３０×３０×
５ｍｍに切出したＪＩＳ ＳＫＨ５１（硬さ６２ＨＲ
Ｃ）を被覆基体に用い、アーク放電式イオンプレーティ
ング専用装置により、基体温度５００℃にてＣｒＮを４
μｍ被覆後、Ｎ２雰囲気中の同減圧容器内で被覆基体温
度２００℃まで冷却した後、一旦大気中に持ち出し、別
に用意したマグネトロンスパッタリング専用装置にて、
ＭｏＳ２を２μｍ被覆した。その後、３０×３０ｍｍの
被覆面にて、ＨＲＣスケールによる厚痕試験を行い、皮
膜の密着性を評価した。その結果、最表層に被覆したＭ
ｏＳ２皮膜とＣｒＮの界面から剥離が生じ、ＭｏＳ２皮
膜の密着性が十分でないことが認められた。Accordingly, the inventor of the present invention has found that
The effect of the layer structure of the coating on the wear and seizure resistance
As a result of investigation, the arc discharge ion plate
TiN, TiCN, CrN, TiAl
N, etc., and a magnetron spatter
MoS used as a solid lubricant in a tarring device 2
By forming a sulfide-based film represented by
Was reached. So 30 × 30 ×
JIS SKH51 (hardness 62 HR) cut into 5 mm
C) is used for the coated substrate, and an arc discharge ion plating
With CrN at 500 ° C substrate temperature
μm coating, N2Temperature of the coated substrate in the same vacuum vessel in the atmosphere
After cooling to 200 ° C, take it out to the atmosphere
With the magnetron sputtering dedicated device prepared in
MoS2Was coated at 2 μm. Then, 30x30mm
On the coated surface, perform a thick mark test using the HRC scale,
The adhesion of the film was evaluated. As a result, M coated on the outermost layer
oS2Peeling occurs from the interface between the coating and CrN, and MoS2leather
It was recognized that the adhesion of the film was not sufficient.
【０００７】そこで原因を調査した結果、アーク放電式
イオンプレーティング装置にて被覆したＣｒＮ皮膜の最
表面部に極微量の酸化が認められ、これによって、その
上部に被覆したＭｏＳ２皮膜の密着性が低下し、剥離が
発生していることを確認した。[0007] As a result of investigating the cause, a very small amount of oxidation was observed on the outermost surface of the CrN film coated by the arc discharge type ion plating apparatus, and the adhesion of the MoS 2 film coated on the upper portion was confirmed. Was confirmed and peeling occurred.
【０００８】上記ＣｒＮ皮膜の最表面における酸化は、
アーク放電式イオンプレーティング装置による皮膜形成
後、同装置内Ｎ２雰囲気中にて冷却を行った際、チャン
バーの壁に吸着した微量の酸素による酸化と、その後、
大気中に持ち出した際の酸化によるものと推測された。The oxidation on the outermost surface of the CrN film is as follows:
After film formation by arc discharge type ion plating apparatus, when performing the cooling C. in the same apparatus N 2 atmosphere, and oxidation by traces of oxygen adsorbed on the wall of the chamber, then,
It was presumed to be due to oxidation when taken out into the atmosphere.
【０００９】上記不具合を解消するためには、アーク放
電式イオンプレーティングによって形成した後、高真空
で冷却を行うことと、大気中に持ち出す温度を、皮膜表
面に極微量な酸化が発生しない１００℃以下の温度に管
理するといった両対策を行うことが有効と考えられる。
しかしながら、高真空下で冷却を行うことは、冷却時間
の増大につながり、かつその状態で被覆材温度１００℃
以下にまで冷却することは、更に冷却時間が必要となる
ため、実用性、生産性に乏しい作業となる。In order to solve the above-mentioned problem, after forming by arc discharge ion plating, cooling is performed in a high vacuum, and the temperature brought to the atmosphere is controlled so that a very small amount of oxidation is not generated on the film surface. It is considered effective to take both measures, such as controlling the temperature to below ℃.
However, performing cooling under a high vacuum leads to an increase in cooling time, and in that state, a coating material temperature of 100 ° C.
Cooling down to below is a work that is poor in practicality and productivity because a further cooling time is required.
【００１０】本発明は、上記のような問題を解消するこ
とを目的とし、アーク放電式イオンプレーティング法に
よる皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成
が、それぞれ高い密着性を有す状態で、連続して繰返し
行えることが可能である皮膜形成装置を提供することで
ある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to form a film by an arc discharge type ion plating method and a film by a sputtering method in a state having high adhesion. It is an object of the present invention to provide a film forming apparatus which can be continuously and repeatedly performed.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決できた本
発明に係る皮膜形成装置は、アーク放電によって陰極を
溶解させ陰極物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およ
びスパッタリングによって陰極物質を放出させるスパッ
タリング用電極を同一容器内に備え、物理蒸着法により
容器内の被覆基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であっ
て、前記アーク放電式蒸発源にて皮膜を形成する際は、
前記スパッタリング用電極の陰極部前面が遮へいされる
機構を有し、前記スパッタリング用電極にて皮膜を形成
する際は、前記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へ
いされる機構を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電
圧を印加するバイアス電源を備え、アーク放電式イオン
プレーティング法による皮膜の形成と、スパッタリング
法による皮膜の形成が、連続して繰返し行えることを特
徴とする皮膜形成装置である。According to the present invention, there is provided an apparatus for forming a film, comprising: an arc discharge type evaporation source for dissolving a cathode by arc discharge and evaporating a cathode material; and a sputtering apparatus for discharging a cathode material by sputtering. An electrode for the coating in the same container, a film forming apparatus for forming a film on the coating substrate in the container by physical vapor deposition, when forming a film with the arc discharge evaporation source,
Having a mechanism in which the cathode front surface of the sputtering electrode is shielded, and having a mechanism in which the cathode front surface of the arc discharge evaporation source is shielded when forming a film with the sputtering electrode, further comprising: A film forming apparatus comprising: a bias power supply for applying a bias voltage to the coated substrate; and a film formation by an arc discharge ion plating method and a film formation by a sputtering method can be continuously and repeatedly performed. .
【００１２】また、前記スパッタリング用電極は、非平
衡な磁場の分布を形成するアンバランスドマグネトロン
スパッタリング用電極であることが望ましい。It is preferable that the sputtering electrode is an unbalanced magnetron sputtering electrode that forms a non-equilibrium magnetic field distribution.
【００１３】更にアーク放電式イオンプレーティング法
による皮膜の形成時に発生し、被覆基体表面を溶融させ
るアーキング現象を抑制する目的で、被覆基体に少なく
とも負のパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス
電源を備えることも可能である。Further, a pulse bias power supply for applying at least a negative pulse bias voltage to the coated substrate is provided for the purpose of suppressing an arcing phenomenon that occurs when the coating is formed by the arc discharge ion plating method and melts the surface of the coated substrate. It is also possible.
【００１４】また、本発明の皮膜形成装置は、アーク放
電式イオンプレーティング法による皮膜と、スパッタリ
ング法による皮膜が、繰返し多層に被覆された冷間なら
びに温熱間加工用金型の製造に使用されることが望まし
い。Further, the film forming apparatus of the present invention is used for manufacturing a mold for cold and hot working in which a film formed by an arc discharge type ion plating method and a film formed by a sputtering method are repeatedly coated in multiple layers. Is desirable.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る皮膜形成装
置の一例を示す垂直断面図である。図２は、図１の装置
の水平断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a film forming apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a horizontal sectional view of the apparatus of FIG.
【００１６】この皮膜形成装置は、図示していない排気
設備によって排気される減圧容器１４に、被覆基体１１
を保持するホルダー１２が設けられている。このホルダ
ー１２は図１、図２中で、円盤状をしているが、被覆基
体１１の形状によって任意に変更可能である。また、ホ
ルダー１２は駆動部１３によって例えばＡ方向に回転す
る機構を備え同時に被覆基体１１の各々が例えば図３に
示すＤ方向に自転することもできる。またホルダー１２
の軸部は、シール機能および絶縁機能を有す軸受け部２
１によって支持されている。ホルダー１２ならびに保持
される被覆基体１１は、バイアス電源２０にて、−数十
〜１０００Ｖのバイアス電圧が印加される。The film forming apparatus includes a coating substrate 11 in a decompression container 14 evacuated by an exhaust system (not shown).
Is provided. The holder 12 has a disk shape in FIGS. 1 and 2, but can be arbitrarily changed depending on the shape of the covering substrate 11. Further, the holder 12 is provided with a mechanism that is rotated in the direction A by the drive unit 13, for example. At the same time, each of the coated substrates 11 can also rotate in the direction D shown in FIG. Holder 12
Is a bearing part 2 having a sealing function and an insulating function.
1 supported. A bias voltage of −several tens to 1000 V is applied to the holder 12 and the coated substrate 11 held by the bias power supply 20.
【００１７】減圧容器１４内へは、ガス１９として、Ａ
ｒ等の不活性ガスおよび陰極物質と反応し化合物を形成
するのに必要な反応ガスが導入される。反応ガスは、例
えばＮ２ガス、ＣＨ４ガス等である。これらガス種によ
り減圧容器１４内の圧力が調整されるが、特に皮膜形成
中の圧力については、スパッタリングによる皮膜の形成
が安定して行えるのが、０．１〜２．０Ｐａの範囲であ
り、アーク放電式イオンプレーティングによる皮膜の形
成が安定して行えるのが、２．０〜２０Ｐａの範囲であ
ることから、皮膜形成中の減圧容器１４内の圧力は０．
１〜２０Ｐａに減圧調整されることが好ましい。A gas 19 is introduced into the decompression vessel 14 as gas 19.
An inert gas such as r and a reaction gas required to react with the cathode material to form a compound are introduced. The reaction gas is, for example, N 2 gas, CH 4 gas or the like. The pressure in the depressurized container 14 is adjusted by these gas species. In particular, the pressure during the film formation is in the range of 0.1 to 2.0 Pa so that the film can be stably formed by sputtering. Since the formation of the film by the arc discharge ion plating can be performed stably in the range of 2.0 to 20 Pa, the pressure in the decompression container 14 during the film formation is 0.1 mm.
The pressure is preferably adjusted to 1 to 20 Pa.
【００１８】シール機能および電気絶縁機能を有す絶縁
物２４によって、減圧容器１４と絶縁された熱フィラメ
ント１５と、シール機能および電気絶縁機能を有す絶縁
物２５によって減圧容器１４と絶縁された陽極１６は、
フィラメント加熱電源１７とフィラメント放電電源１８
を作動させることで、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中にて
被覆基体表面の洗浄および活性化を行うのに使用する。A hot filament 15 insulated from the decompression vessel 14 by an insulator 24 having a sealing function and an electric insulation function, and an anode insulated from the decompression vessel 14 by an insulator 25 having a sealing function and an electric insulation function. 16 is
Filament heating power supply 17 and filament discharge power supply 18
Is used to clean and activate the surface of the coated substrate in an inert gas atmosphere such as Ar.
【００１９】アーク放電式蒸発源１は、アーク放電用電
源３により、陰極物質２を溶解、蒸発させ、被覆基体１
１の表面に皮膜を形成する。アーク放電式蒸発源１は、
シール機能および電気絶縁機能を有す絶縁物２２によっ
て、減圧容器１４と絶縁されている。アーク放電式蒸発
源１を使用し皮膜を形成する際、ガス１９として、Ｎ ２
ガスの導入により窒化物が形成でき、Ａｒ等の不活性ガ
スの導入により、陰極物質２を主体とした金属材料の皮
膜を形成することができる。また、図示はしていない
が、アーク放電式蒸発源近傍には、アークを点火するた
めの点火機構が設置されている。The arc discharge type evaporation source 1 comprises an arc discharge power source.
The cathode material 2 is dissolved and evaporated by the source 3 to form the coated substrate 1.
1 to form a film on the surface. The arc discharge type evaporation source 1
The insulator 22 having a sealing function and an electric insulating function
And is insulated from the decompression container 14. Arc discharge evaporation
When a film is formed using the source 1, the gas 19 is N 2
Nitride can be formed by the introduction of gas, and inert gas such as Ar
Of metal material mainly composed of cathode material 2
A film can be formed. Also not shown
However, an arc is ignited near the arc discharge evaporation source.
An ignition mechanism is installed.
【００２０】スパッタリング用電極６は、スパッタリン
グ用放電電源８により、陰極物質７をスパッタ現象によ
り放出させ、被覆基体１１表面に皮膜を形成する。スパ
ッタリング用電極６は、シール機能および電気絶縁機能
を有す絶縁物２３によって、減圧容器１４と絶縁されて
いる。スパッタリング用電極６を使用し皮膜を形成する
際、アーク放電電源１使用時と同様に、ガス１９とし
て、Ｎ２ガスもしくはＮ ２ガスとＡｒガスの混合ガスの
導入によって窒化物が形成でき、Ａｒ等の不活性ガスの
導入により、陰極物質７を主体とする皮膜を形成でき
る。The sputtering electrode 6 is made of sputtering
The cathode material 7 is sputtered by the discharge power source 8 for sputtering.
To form a film on the surface of the coated substrate 11. spa
The electrode for sputtering 6 has a sealing function and an electric insulating function.
Is insulated from the pressure reducing container 14 by an insulator 23 having
I have. Forming a film using the sputtering electrode 6
At this time, as in the case of using the arc discharge power supply 1, the gas 19 is used.
And N2Gas or N 2Gas and Ar gas mixed gas
Nitride can be formed by introduction, and inert gas such as Ar
By introduction, a film mainly composed of the cathode material 7 can be formed.
You.
【００２１】アーク放電用陰極物質２の前面に備えられ
た遮へい板４は、シール機能および電気絶縁機能を有す
る軸受け部２６によって支持されており、駆動部５によ
り図２中のＢ方向へ可動する。また、スパッタリング用
陰極物質７の前に備えられた遮へい板９も、遮へい板４
と同様な構造を有し、シール機能および電気絶縁機能を
有す軸受け部２７によって支持され、駆動部１０により
図２中のＣ方向へ可動する。上記遮へい板４および９の
動作は、皮膜形成の工程と合わせ後述する。また、図示
はしていないが、減圧容器１４内には、被覆基体１１を
過熱するヒーターが設置されている。The shielding plate 4 provided on the front surface of the cathode material 2 for arc discharge is supported by a bearing 26 having a sealing function and an electric insulating function, and is movable in the direction B in FIG. . In addition, the shielding plate 9 provided in front of the sputtering cathode material 7 is also used as the shielding plate 4.
It is supported by a bearing 27 having a sealing function and an electric insulating function, and is movable by a driving unit 10 in a direction C in FIG. The operation of the shielding plates 4 and 9 will be described later together with the step of forming a film. Although not shown, a heater for heating the coated substrate 11 is provided in the decompression container 14.
【００２２】図３は、被覆基体１１の加熱工程もしくは
熱フィラメント１５による被覆基体表面の洗浄、活性化
工程における、各陰極前面に設置された遮へい板４およ
び９の状態を示したものである。上記両工程中は、各陰
極表面の汚染を防ぐために、各遮へい板は各陰極を覆う
位置にある。FIG. 3 shows the state of the shielding plates 4 and 9 installed on the front surface of each cathode in the step of heating the coated substrate 11 or the step of cleaning and activating the coated substrate surface by the hot filament 15. During both steps, each shielding plate is located at a position covering each cathode in order to prevent contamination of the surface of each cathode.
【００２３】図４は、アーク放電式蒸発源１にて皮膜形
成する際の、遮へい板４および９の状態を示したもので
ある。アーク放電用陰極物質２の前面に設置された遮へ
い板４は、陰極物質２から発生する金属イオン２８の軌
道を邪魔しない位置に移動し、かつスパッタリング用陰
極物質７前面の遮へい板９は、アーク放電用陰極物質２
より発生した金属イオンによって、スパッタリング用陰
極物質７が汚染されないよう、スパッタリング用陰極物
質７の前面を覆う位置にある。これにより、この後スパ
ッタリングによって形成される皮膜は、形成初期の段階
であっても皮膜組成の純度が高くなり、また、予期しな
い皮膜組成の変化が生じなくなるため、密着性の高い皮
膜が形成できる。FIG. 4 shows the state of the shielding plates 4 and 9 when forming a film with the arc discharge type evaporation source 1. The shielding plate 4 installed on the front surface of the cathode material 2 for arc discharge moves to a position where it does not obstruct the trajectory of the metal ions 28 generated from the cathode material 2, and the shielding plate 9 on the front surface of the cathode material 7 for sputtering removes the arc. Cathode material for discharge 2
It is located at a position covering the front surface of the cathode material for sputtering 7 so as not to contaminate the cathode material for sputtering 7 with the generated metal ions. As a result, the film formed by sputtering thereafter has a high purity of the film composition even in the early stage of the formation, and also, since an unexpected change in the film composition does not occur, a film having high adhesion can be formed. .
【００２４】図５は、スパッタリング用電極６にて皮膜
形成する際の、遮へい板４および９の状態を示したもの
である。スパッタリング用陰極物質７の前面に設置され
た遮へい板９は、陰極物質７から放出される金属イオン
２９の軌道を邪魔しない位置に移動し、かつアーク放電
用陰極物質２前面の遮へい板４は、スパッタリング用電
極６より放出された金属イオンによって、アーク放電用
陰極２が汚染されないよう、アーク放電用陰極物質２の
前面を覆う位置にある。これにより、スパッタリングに
よって皮膜形成後、更に連続してアーク放電式蒸発源１
によって皮膜の形成が行われても、皮膜形成初期の皮膜
組成は純度が高く、かつ予期しない皮膜組成の変化が生
じることが無くなるため、皮膜の密着性は大幅に向上す
る。FIG. 5 shows the state of the shielding plates 4 and 9 when a film is formed on the sputtering electrode 6. The shielding plate 9 installed on the front surface of the cathode material 7 for sputtering moves to a position that does not interfere with the trajectory of the metal ions 29 emitted from the cathode material 7, and the shielding plate 4 on the front surface of the cathode material 2 for arc discharge is The arc discharge cathode 2 is located at a position covering the front surface of the arc discharge cathode material 2 so that the metal ions emitted from the sputtering electrode 6 do not contaminate the arc discharge cathode 2. Thus, after the film is formed by sputtering, the arc discharge type evaporation source 1 is further continuously.
Even when a film is formed, the film composition in the initial stage of film formation has a high purity and no unexpected change in the film composition is caused, so that the adhesion of the film is greatly improved.
【００２５】図６は、更に使用中陰極からの汚染を防ぐ
ために、アーク放電式蒸発源側には、遮へい容器３０、
スパッタリング用電極側には、遮へい容器３２をそれぞ
れ絶縁物質３１、３３によって減圧容器１４と絶縁した
状態で装着した例である。この構造にすることで、各陰
極の周囲から巻き込まれる微量な汚染物質も、十分に抑
制可能となり、更に皮膜の清浄度が向上し、密着性も良
好となる。FIG. 6 further shows a shielding container 30 on the arc discharge type evaporation source side to prevent contamination from the cathode during use.
In this example, a shielding container 32 is mounted on the sputtering electrode side in a state where the shielding container 32 is insulated from the decompression container 14 by insulating materials 31 and 33, respectively. By adopting this structure, a trace amount of contaminants entrained from the periphery of each cathode can be sufficiently suppressed, the cleanliness of the film is further improved, and the adhesion is improved.
【００２６】本発明の皮膜形成装置のスパッタリング用
電極は、必要に応じてアンバランスドマグネトロンスパ
ッタリング用電極が選択できる。アンバランスドマグネ
トロンスパッタリング用電極は、陰極から被覆基体方向
へ伸びる磁力線の形成が特徴であり、陰極付近で生成し
たプラズマが、前記磁力線に沿って被覆基体方向へ拡散
し、被覆基体近傍でプラズマの密度が増加する。これに
より、成膜速度の向上のみならず被覆基体へバイアス電
圧を印加した際は、イオン電流密度の増加が達成でき、
皮膜の高密度化、密着性の向上に効果がある。As the sputtering electrode of the film forming apparatus of the present invention, an unbalanced magnetron sputtering electrode can be selected as necessary. The electrode for unbalanced magnetron sputtering is characterized by the formation of magnetic lines of force extending from the cathode toward the coated substrate, and the plasma generated near the cathode diffuses toward the coated substrate along the lines of magnetic force, and the plasma is generated near the coated substrate. Density increases. As a result, when a bias voltage is applied to the coated substrate as well as an improvement in the film forming rate, an increase in ion current density can be achieved,
It is effective in increasing the density of the film and improving the adhesion.
【００２７】更に本発明の皮膜形成装置には、少なくと
も負のパルスバイアス電圧を印加できるパルスバイアス
電源を備えることが望ましい。これは被覆基体表面を局
部的に溶融させるアーキング現象を抑制することを目的
としている他に、熱フィラメント等を用いた不活性ガス
イオンによる被覆基体表面の洗浄ならびに活性化工程に
て、バイアス電圧を数十μ秒で断続的に印加することに
よって、効率良く洗浄ならびに活性化が行えるからであ
る。Furthermore, it is desirable that the film forming apparatus of the present invention is provided with a pulse bias power supply capable of applying at least a negative pulse bias voltage. This is intended not only to suppress the arcing phenomenon that locally melts the surface of the coated substrate, but also to reduce the bias voltage in the step of cleaning and activating the coated substrate surface with an inert gas ion using a hot filament or the like. This is because washing and activation can be efficiently performed by intermittent application in several tens of microseconds.
【０0２８】本発明の皮膜形成装置は、アーク放電式イ
オンプレーティング法による皮膜と、スパッタリング法
による皮膜が、繰返し多層に被覆された冷間ならびに温
熱間加工用金型の製造に使用することが望ましい。例え
ば、アーク放電式イオンプレーティング専用装置と、ス
パッタリング専用装置で上記多層皮膜を形成する場合、
両装置間をプロセスに応じて搬送する必要がある。この
時、切削工具等に比べ、寸法、重量の大きな金型を被覆
する場合は、クレーン等の搬送設備が必要となる。本装
置の用途は特に限定されるものではないが、経済性や安
全性を重視した場合では、比較的寸法、重量の大きな金
型の被覆に使用することが望ましい。The film forming apparatus of the present invention can be used for manufacturing a mold for cold and hot working in which a film formed by an arc discharge type ion plating method and a film formed by a sputtering method are repeatedly coated in multiple layers. desirable. For example, in the case of forming the above-mentioned multilayer coating with an arc discharge ion plating dedicated device and a sputtering dedicated device,
It is necessary to transport between both devices according to the process. At this time, when coating a mold having a larger size and weight than a cutting tool or the like, transport equipment such as a crane is required. The application of the present apparatus is not particularly limited, but when importance is placed on economy and safety, it is desirable to use the apparatus for coating a mold having a relatively large size and weight.
【００２９】[0029]
【実施例】図１および図２に示した構成の皮膜形成装置
を用いて、被覆基体を保持するホルダー１２に、３０×
３０×５ｍｍに切出し、アセトンにて超音波洗浄を行っ
たＪＩＳ ＳＫＨ５１（硬さ６２ＨＲＣ）のテストピー
スを、一辺が４０ｍｍの８角形である断面形状の高さ４
００ｍｍの筒に、８角形の各面につき３個づつ、上記テ
ストピースを高さ方向に均等となるよう磁石で固定し
た。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A film forming apparatus having the structure shown in FIGS.
A test piece of JIS SKH51 (hardness: 62 HRC) cut out to 30 × 5 mm and ultrasonically cleaned with acetone was cut into an octagon with a side length of 40 mm and a height of 4 mm.
The test pieces were fixed to a 00 mm cylinder by magnets, three for each octagonal surface, so as to be even in the height direction.
【００３０】次に減圧容器１４内を圧力０．０１Ｐａま
で排気した後、排気を継続しながら、被覆基体温度が４
００℃になるまで、ホルダー１２を約３ｒｐｍで回転さ
せ、減圧容器１４内に設置したヒーターで加熱を行っ
た。その後、減圧容器１４内にガス１９としてＡｒを導
入し、圧力０．５ＰａのＡｒ雰囲気を得、被覆基体に−
４００Ｖのバイアス電圧をバイアス電源２０で印加し、
熱フィラメント１５と陽極１６により、被覆基体表面の
洗浄と活性化を６０分間行った。Next, after evacuating the interior of the decompression container 14 to a pressure of 0.01 Pa, the temperature of the coated substrate is set to 4
The holder 12 was rotated at about 3 rpm until the temperature reached 00 ° C., and heating was performed by a heater installed in the vacuum container 14. After that, Ar was introduced as the gas 19 into the depressurized container 14 to obtain an Ar atmosphere at a pressure of 0.5 Pa.
A bias voltage of 400 V is applied by a bias power supply 20,
With the hot filament 15 and the anode 16, the surface of the coated substrate was cleaned and activated for 60 minutes.
【００３１】そして、遮へい板４および９を、図４に示
す位置にして、被覆基体には−３０Ｖのバイアス電圧を
バイアス電源２０で印加しながら、反応ガス１９として
Ｎ２ガスを導入し、圧力３．０ＰａのＮ２雰囲気中で、
２台のアーク放電式蒸発源１を動作させることで、陰極
物質２として取付けた純Ｃｒを蒸発させ、ＣｒＮ皮膜を
層厚で５μｍとなるよう形成した。Then, the shield plates 4 and 9 are set to the positions shown in FIG. 4 and N 2 gas is introduced as a reaction gas 19 while applying a bias voltage of −30 V to the coated substrate with a bias power supply 20. In an N 2 atmosphere of 3.0 Pa,
By operating the two arc discharge evaporation sources 1, pure Cr attached as the cathode material 2 was evaporated, and a CrN film was formed to have a thickness of 5 μm.
【００３２】次に、ガス１９としてＡｒを導入し、減圧
容器１４内の圧力を０．８ＰａのＡｒ雰囲気にした後、
遮へい板４および９を図５に示す位置にして、被覆基体
には−１００Ｖのバイアス電圧をバイアス電源２０で印
加しながら、２台のスパッタリング用電極６を作動さ
せ、陰極物質７にＭｏＳ２を用い、スパッタリングによ
りＭｏＳ２皮膜を２μｍとなるように形成した。Next, Ar is introduced as the gas 19, and the pressure in the depressurized vessel 14 is changed to an Ar atmosphere of 0.8 Pa.
With the shielding plates 4 and 9 in the positions shown in FIG. 5, while applying a bias voltage of −100 V to the coated substrate with a bias power supply 20, the two sputtering electrodes 6 are activated to apply MoS 2 to the cathode material 7. A MoS 2 film was formed to a thickness of 2 μm by sputtering.
【００３３】更に遮へい板４および９を図４に示す位置
にし、成膜初期の５分間はバイアス電源２０によって−
１００Ｖのバイアス電圧を被覆基体に印加し、後の３０
分間は０Ｖとして、ガス１９にはＡｒガスを用い、圧力
１３．０ＰａのＡｒ雰囲気中で、２台のアーク放電式蒸
発源１を動作させ、陰極物質２として取付けた純Ｃｒに
て純Ｃｒ皮膜を形成した。Further, the shielding plates 4 and 9 are moved to the positions shown in FIG.
A bias voltage of 100 V is applied to the coated substrate and the
The voltage was set to 0 V, the Ar gas was used as the gas 19, and two arc discharge evaporation sources 1 were operated in an Ar atmosphere at a pressure of 13.0 Pa. Was formed.
【００３４】得られた被覆材の３０×３０ｍｍの面に
て、ＨＲＣスケールによる厚痕試験を行い皮膜の密着性
を評価した結果、いずれの皮膜も剥離は認められず、良
好な密着性が得られていることを確認した。On a 30 × 30 mm surface of the obtained coating material, a thick mark test was performed using an HRC scale to evaluate the adhesion of the films. As a result, no peeling was observed in any of the films, and good adhesion was obtained. Confirmed that
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上のように、本発明の皮膜形成装置を
用いることで、アーク放電式イオンプレーティング法に
よる皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成
が、それぞれ高い密着性を有す状態で、連続して繰返し
行えることが可能となる。As described above, by using the film forming apparatus of the present invention, the formation of the film by the arc discharge type ion plating method and the formation of the film by the sputtering method have a high adhesion. Thus, it is possible to perform the operation continuously and repeatedly.
【図１】本発明に係る皮膜形成装置の一例を示す垂直断
面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a film forming apparatus according to the present invention.
【図２】図１の装置の水平断面図である。FIG. 2 is a horizontal sectional view of the apparatus of FIG.
【図３】本発明に係る皮膜形成装置の一例にて、その加
熱工程もしくは被覆基体表面の洗浄、活性化工程中の遮
へい板の位置を示す水平断面図である。FIG. 3 is a horizontal sectional view showing a position of a shielding plate during a heating step or a cleaning and activation step of a surface of a coated substrate in an example of a film forming apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係る皮膜形成装置の一例にて、そのア
ーク放電式蒸発源使用時の遮へい板の位置を示す水平断
面図である。FIG. 4 is a horizontal sectional view showing a position of a shielding plate when an arc discharge type evaporation source is used in an example of a film forming apparatus according to the present invention.
【図５】本発明に係る皮膜形成装置の一例にて、そのス
パッタリング電極使用時の遮へい板の位置を示す水平断
面図である。FIG. 5 is a horizontal sectional view showing a position of a shielding plate when using a sputtering electrode in an example of a film forming apparatus according to the present invention.
【図６】本発明に係る皮膜形成装置の他の例を示す垂直
断面図である。FIG. 6 is a vertical sectional view showing another example of the film forming apparatus according to the present invention.
１ アーク放電式蒸発源 ２ アーク放電用陰極物質 ３ アーク放電用電源 ４ 遮へい板 ５ 遮へい板駆動部 ６ スパッタリング用電極 ７ スパッタリング用陰極物質 ８ スパッタリング用放電電源 ９ 遮へい板 １０ 遮へい板駆動部 １１ 被覆基体 １２ ホルダー １３ ホルダー用駆動部 １４ 減圧容器 １５ 熱フィラメント １６ 熱フィラメント用陽極 １７ フィラメント加熱電源 １８ フィラメント放電電源 １９ ガス ２０ バイアス電源 ２１ ホルダー軸受け部 ２２ 絶縁物 ２３ 絶縁物 ２４ 絶縁物 ２５ 絶縁物 ２６ 遮へい板軸受け部 ２７ 遮へい板軸受け部 ２８ 金属イオン ２９ 金属イオン ３０ 遮へい容器３０ ３１ 絶縁物 ３２ 遮へい容器３０ ３３ 絶縁物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Arc discharge type evaporation source 2 Arc discharge cathode material 3 Arc discharge power supply 4 Shield plate 5 Shield plate drive unit 6 Sputtering electrode 7 Sputtering cathode material 8 Sputtering discharge power source 9 Shield plate 10 Shield plate drive unit 11 Coated substrate REFERENCE SIGNS LIST 12 Holder 13 Holder drive unit 14 Decompression vessel 15 Hot filament 16 Hot filament anode 17 Filament heating power supply 18 Filament discharge power supply 19 Gas 20 Bias power supply 21 Holder bearing part 22 Insulator 23 Insulator 24 Insulator 25 Insulator 26 Shield plate Bearing part 27 Shield plate bearing part 28 Metal ion 29 Metal ion 30 Shield container 30 31 Insulator 32 Shield container 30 33 Insulator
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１３年７月４日（２００１．７．４）[Submission date] July 4, 2001 (2001.7.4)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of sign
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【符号の説明】 １ アーク放電式蒸発源 ２ アーク放電用陰極物質 ３ アーク放電用電源 ４ 遮へい板 ５ 遮へい板駆動部 ６ スパッタリング用電極 ７ スパッタリング用陰極物質 ８ スパッタリング用放電電源 ９ 遮へい板 １０ 遮へい板駆動部 １１ 被覆基体 １２ ホルダー １３ ホルダー用駆動部 １４ 減圧容器 １５ 熱フィラメント １６ 熱フィラメント用陽極 １７ フィラメント加熱電源 １８ フィラメント放電電源 １９ ガス ２０ バイアス電源 ２１ ホルダー軸受け部 ２２ 絶縁物 ２３ 絶縁物 ２４ 絶縁物 ２５ 絶縁物 ２６ 遮へい板軸受け部 ２７ 遮へい板軸受け部 ２８ 金属イオン ２９ 金属イオン ３０ 遮へい容器 ３１ 絶縁物 ３２ 遮へい容器 ３３ 絶縁物[Description of Signs] 1 Arc discharge evaporation source 2 Arc discharge cathode material 3 Arc discharge power supply 4 Shield plate 5 Shield plate drive unit 6 Sputtering electrode 7 Sputtering cathode material 8 Sputtering discharge power source 9 Shield plate 10 Shield plate Driving unit 11 Coated base 12 Holder 13 Holder driving unit 14 Decompression vessel 15 Hot filament 16 Hot filament anode 17 Filament heating power supply 18 Filament discharge power supply 19 Gas 20 Bias power supply 21 Holder bearing unit 22 Insulator 23 Insulator 24 Insulator 25 Insulator 26 Shield plate bearing 27 Shield plate bearing 28 Metal ion 29 Metal ion 30 Shielding container 31 Insulator 32 Shielding container 33 Insulator
Claims (4)
物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およびスパッタリ
ングによって陰極物質を放出させるスパッタリング用電
極を同一容器内に備え、物理蒸着法により容器内の被覆
基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アー
ク放電式蒸発源にて皮膜を形成する際は、前記スパッタ
リング用電極の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、
前記スパッタリング用電極にて皮膜を形成する際は、前
記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へいされる機構
を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電圧を印加する
バイアス電源を備え、アーク放電式イオンプレーティン
グ法による皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜
の形成が、連続して繰返し行えることを特徴とする皮膜
形成装置。An arc discharge type evaporation source for dissolving a cathode by arc discharge and evaporating a cathode material, and a sputtering electrode for emitting a cathode material by sputtering are provided in the same container, and the coated substrate in the container is formed by physical vapor deposition. A film forming apparatus for forming a film, when forming a film in the arc discharge evaporation source, has a mechanism for shielding the front surface of the cathode portion of the sputtering electrode,
When forming a film with the sputtering electrode, the arc discharge evaporation source has a mechanism for shielding the front surface of the cathode portion, further comprises a bias power supply for applying a bias voltage to the coating substrate, the arc discharge type A film forming apparatus characterized in that formation of a film by an ion plating method and formation of a film by a sputtering method can be continuously and repeatedly performed.
の分布を形成するアンバランスドマグネトロンスパッタ
リング用電極であることを特徴とする請求項１に記載の
皮膜形成装置。2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the sputtering electrode is an unbalanced magnetron sputtering electrode that forms a non-equilibrium magnetic field distribution.
イアス電圧を印加するパルスバイアス電源を備えること
を特徴とする請求項１または２に記載の皮膜形成装置。3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the coating substrate is provided with a pulse bias power supply for applying at least a negative pulse bias voltage.
よる皮膜と、スパッタリング法による皮膜が、繰返し多
層に被覆された冷間ならびに温熱間加工用金型の製造に
使用されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の皮膜形成装置。4. The method according to claim 1, wherein the film formed by the arc discharge type ion plating method and the film formed by the sputtering method are used for manufacturing molds for cold and hot working which are repeatedly coated in multiple layers. 4. The film forming apparatus according to any one of 1 to 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001180151A JP4756434B2 (en) | 2001-06-14 | 2001-06-14 | Film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001180151A JP4756434B2 (en) | 2001-06-14 | 2001-06-14 | Film forming device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002371351A true JP2002371351A (en) | 2002-12-26 |
| JP2002371351A5 JP2002371351A5 (en) | 2008-06-26 |
| JP4756434B2 JP4756434B2 (en) | 2011-08-24 |
Family
ID=19020613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001180151A Expired - Fee Related JP4756434B2 (en) | 2001-06-14 | 2001-06-14 | Film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4756434B2 (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005344148A (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Wear-resistant film, and surface-coated cutting tool using the same |
| JP2006009068A (en) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Hitachi Tool Engineering Ltd | Film forming method and coated member using the film forming method |
| JP2006193803A (en) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Hitachi Tool Engineering Ltd | Hard coating and method for forming hard coating |
| JP2006291324A (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Composite film having excellent adhesion and sliding property, and method for producing the same |
| JP2007035623A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Sandvik Intellectual Property Ab | Apparatus in which plasma activity is raised |
| JP2007505997A (en) * | 2003-09-18 | 2007-03-15 | ゴロコフスキー，ウラディミール，アイ． | Rectangular filter vacuum plasma source and vacuum plasma flow control method |
| JP2008533311A (en) * | 2005-03-24 | 2008-08-21 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | Method of operating pulsed arc deposition source and vacuum processing apparatus having pulsed arc deposition source |
| JP2010159498A (en) * | 2010-03-30 | 2010-07-22 | Hitachi Tool Engineering Ltd | Coating film forming method |
| CN102312196A (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-11 | 中国科学院金属研究所 | Mobile arc discharge ion plating equipment and application thereof |
| EP2578722A1 (en) * | 2010-06-01 | 2013-04-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Ion bombardment treatment device, and method for cleaning of surface of base material using the treatment device |
| EP2597172A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
| JP2013536561A (en) * | 2010-08-24 | 2013-09-19 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | Sputtering target supply system |
| WO2020213979A1 (en) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 주식회사 현대케피코 | Component for fuel injector, and coating method therefor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487768A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Multifunction vacuum plating device |
| JPH0234775A (en) * | 1988-07-21 | 1990-02-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Vacuum film-forming apparatus |
| JPH0385463U (en) * | 1989-12-18 | 1991-08-29 | ||
| JPH08269705A (en) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering device |
-
2001
- 2001-06-14 JP JP2001180151A patent/JP4756434B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487768A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Multifunction vacuum plating device |
| JPH0234775A (en) * | 1988-07-21 | 1990-02-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Vacuum film-forming apparatus |
| JPH0385463U (en) * | 1989-12-18 | 1991-08-29 | ||
| JPH08269705A (en) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering device |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505997A (en) * | 2003-09-18 | 2007-03-15 | ゴロコフスキー，ウラディミール，アイ． | Rectangular filter vacuum plasma source and vacuum plasma flow control method |
| JP2005344148A (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Wear-resistant film, and surface-coated cutting tool using the same |
| JP4541045B2 (en) * | 2004-06-24 | 2010-09-08 | 日立ツール株式会社 | Film forming method and covering member using the film forming method |
| JP2006009068A (en) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Hitachi Tool Engineering Ltd | Film forming method and coated member using the film forming method |
| JP2006193803A (en) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Hitachi Tool Engineering Ltd | Hard coating and method for forming hard coating |
| JP4663336B2 (en) * | 2005-01-17 | 2011-04-06 | 日立ツール株式会社 | Hard coating and method for manufacturing hard coating |
| JP2008533311A (en) * | 2005-03-24 | 2008-08-21 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | Method of operating pulsed arc deposition source and vacuum processing apparatus having pulsed arc deposition source |
| JP2006291324A (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Composite film having excellent adhesion and sliding property, and method for producing the same |
| JP2007035623A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Sandvik Intellectual Property Ab | Apparatus in which plasma activity is raised |
| JP2010159498A (en) * | 2010-03-30 | 2010-07-22 | Hitachi Tool Engineering Ltd | Coating film forming method |
| EP2578722A4 (en) * | 2010-06-01 | 2013-10-16 | Kobe Steel Ltd | Ion bombardment treatment device, and method for cleaning of surface of base material using the treatment device |
| EP2578722A1 (en) * | 2010-06-01 | 2013-04-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Ion bombardment treatment device, and method for cleaning of surface of base material using the treatment device |
| US9211570B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-12-15 | Kobe Steel, Ltd. | Ion bombardment treatment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
| CN102312196A (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-11 | 中国科学院金属研究所 | Mobile arc discharge ion plating equipment and application thereof |
| CN102312196B (en) * | 2010-07-07 | 2013-06-19 | 中国科学院金属研究所 | Mobile arc discharge ion plating equipment and application thereof |
| JP2013536561A (en) * | 2010-08-24 | 2013-09-19 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | Sputtering target supply system |
| CN103132013A (en) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 株式会社神户制钢所 | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
| US20130133690A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
| EP2597172A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
| US9911576B2 (en) | 2011-11-25 | 2018-03-06 | Kobe Steel, Ltd. | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
| WO2020213979A1 (en) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 주식회사 현대케피코 | Component for fuel injector, and coating method therefor |
| US11965475B2 (en) | 2019-04-18 | 2024-04-23 | Hyundai Kefico Corporation | Assembly for fuel injector and coating method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4756434B2 (en) | 2011-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100800223B1 (en) | Arc ion plating apparatus | |
| US5294322A (en) | Electric arc coating device having an additional ionization anode | |
| JP4619464B2 (en) | Method and apparatus for treating a substrate with ions from a low voltage arc discharge | |
| EP0899772B1 (en) | Cathodic arc vapor deposition apparatus | |
| JP2002371351A (en) | Film forming apparatus | |
| US20070071993A1 (en) | Carbon film-coated article and method of producing the same | |
| JP2009068110A (en) | Method and device for depositing film on base material | |
| JP2007138286A (en) | Arc ion plating apparatus | |
| WO2014103318A1 (en) | Method for forming protective film using plasma cvd method | |
| RU2705834C1 (en) | Method of applying coatings on articles made from materials intensely oxidised in air, and plant for its implementation | |
| JP4541045B2 (en) | Film forming method and covering member using the film forming method | |
| SE0004277L (en) | Procedure and systems for arc evaporation under vacuum and cutting tools for rotary machining | |
| JP2004131820A (en) | Method for producing advanced high-speed steel tool | |
| JPH07300665A (en) | Method for forming boron cementation layer and boron film on metallic base material | |
| US11214861B2 (en) | Arrangement for coating substrate surfaces by means of electric arc discharge | |
| JP2590349B2 (en) | Wear-resistant coating method | |
| JP2010159498A (en) | Coating film forming method | |
| KR101234353B1 (en) | Apparatus of physical vapor deposition with multiporous cathode screen, and method of surface treatment using the same | |
| RU2272088C1 (en) | Method of the vacuum-ionic-plasmic deposition of the multilayered composites, containing the complex carbides | |
| RU2122602C1 (en) | Method of vacuum ion-plasma treatment | |
| JP2006161121A (en) | Arc type ion plating device | |
| JP2006104512A (en) | Film deposition method and film deposition apparatus | |
| EP3153258B1 (en) | Method for producing a tool for machining, and tool for machining | |
| JPH1068069A (en) | Formation of metallic boride coating film | |
| JP2022177474A (en) | Organic light emitting element, deposition method and deposition equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080514 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080514 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110509 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4756434 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110522 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |