JP2002371262A - Self-adhesive for wafer-processing self-adhesive sheet and wafer-processing self-adhesive sheet - Google Patents

Self-adhesive for wafer-processing self-adhesive sheet and wafer-processing self-adhesive sheet

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JP2002371262A
JP2002371262A JP2001179932A JP2001179932A JP2002371262A JP 2002371262 A JP2002371262 A JP 2002371262A JP 2001179932 A JP2001179932 A JP 2001179932A JP 2001179932 A JP2001179932 A JP 2001179932A JP 2002371262 A JP2002371262 A JP 2002371262A
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JP
Japan
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wafer
pressure
sensitive adhesive
molecular weight
adhesive sheet
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Application number
JP2001179932A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Hashimoto
浩一 橋本
Yoshihide Kawaguchi
佳秀 川口
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a self-adhesive for a wafer-processing self-adhesive sheet hardly generating a transferred contaminant and to provide a wafer-processing self-adhesive sheet provided with a self-adhesive layer formed of the self-adhesive. SOLUTION: The self-adhesive for a wafer-processing self-adhesive sheet comprises as a main component a base polymer having a weight-average molecular weight of at least 100,000 and a molecular weight distribution (weight- average molecular weight/number-average molecular weight) of 1-2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ加工用粘着
シート用粘着剤および当該粘着剤により形成された粘着
剤層が設けられているウエハ加工用粘着シートに関す
る。ウエハ加工用粘着シートは、各種半導体の製造工程
のうち半導体ウエハの裏面を研削する研削工程において
ウエハの表面を保護するために用いる表面保護用粘着シ
ートや、半導体ウエハを素子小片に切断・分割し、該素
子小片をピックアップ方式で自動回収するダイシング工
程においてウエハの裏面に貼付する固定支持用粘着シー
トなどとして有用である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive for a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet and a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet provided with a pressure-sensitive adhesive layer formed of the pressure-sensitive adhesive. Adhesive sheet for wafer processing is a surface protection adhesive sheet used to protect the surface of the wafer in the grinding process of grinding the back surface of the semiconductor wafer in various semiconductor manufacturing processes, and the semiconductor wafer is cut and divided into element pieces. It is useful as an adhesive sheet for fixed support to be attached to the back surface of a wafer in a dicing step of automatically collecting the element pieces by a pickup method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ加工用粘着シートとしてこ
れまで様々な粘着シートが提案されている。また半導体
ウエハの大型化、ICカード用途などのウエハの薄型化
が進んでおり、これを加工する際に使用する前記保護シ
ートとしては軽剥離化のため、放射線硬化型粘着シート
を用いる場合が増えてきている。
2. Description of the Related Art Various adhesive sheets have been proposed as adhesive sheets for processing semiconductor wafers. In addition, semiconductor wafers are becoming larger and IC wafers are becoming thinner. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive sheet is increasingly used as the protective sheet used for processing the wafer because it is lightly peeled. Is coming.

【0003】このようなウエハ加工用粘着シートから
は、通常、半導体素子に対して若干の転写汚染物(糊残
り)が発生する。かかる転写汚染物は、例えば、表面保
護用粘着シートでは、その後の工程でワイヤボンディン
グ不良を招き、また固定支持用粘着シートでは、樹脂封
止工程(パッケージング工程)でのパッケージクラック
という問題を引き起こすことが明らかになっている。そ
のため近年では、転写汚染物の発生の少ない高品質なウ
エハ加工用粘着シートが求められている。
[0003] From such an adhesive sheet for processing a wafer, some transfer contaminants (adhesive residue) are usually generated on a semiconductor element. Such transfer contaminants, for example, cause a wire bonding failure in a subsequent step in a surface protection adhesive sheet, and cause a problem of a package crack in a resin sealing step (packaging step) in a fixed support adhesive sheet. It is clear that Therefore, in recent years, there has been a demand for a high-quality pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer which is free from transfer contaminants.

【0004】一般に、転写汚染物は粘着剤中に含まれる
分子量10万未満の低分子量成分であることが知られて
いる。低分子量成分は粘着剤の主成分であるベースポリ
マーと呼ばれる高分子化合物中にもともと含まれてお
り、精製により取り除くことも可能である。低分子量成
分を低減するには、たとえば、汎用のラジカル重合など
により分散度の大きいポリマーを製造し、これを再沈殿
法などにより精製するという方法がある。しかしなが
ら、この方法では分子量10万未満の低分子量成分を1
回の操作で完全に除去することは難しく、その操作が煩
雑である。
In general, it is known that transfer contaminants are low molecular weight components having a molecular weight of less than 100,000 contained in an adhesive. The low molecular weight component is originally contained in a polymer compound called a base polymer, which is a main component of the pressure-sensitive adhesive, and can be removed by purification. In order to reduce low molecular weight components, for example, there is a method in which a polymer having a high degree of dispersion is produced by general-purpose radical polymerization or the like, and the polymer is purified by a reprecipitation method or the like. However, in this method, a low molecular weight component having a molecular weight of less than 100,000
It is difficult to completely remove by a single operation, and the operation is complicated.

【0005】また、一般に放射線硬化型粘着シートの粘
着剤層を形成する放射線硬化型粘着剤は、ベースポリマ
ーと呼ばれる高分子化合物に、分子内に炭素−炭素二重
結合を有する放射線重合性化合物(放射線反応性オリゴ
マー等)、放射線重合性開始剤、さらには架橋剤などの
種々の添加剤を適宜に加えて調製される。そして、通
常、放射線照射後に粘着力が大きく低下するという特性
を付与するため、放射線重合性化合物としては、1分子
内に炭素−炭素二重結合を2個以上有するいわゆる多官
能化合物が多く用いられている。このような放射線硬化
型粘着剤に放射線を照射すると、放射線重合性化合物が
反応して三次元網状構造が速やかに形成され、粘着剤全
体が急激に反応・硬化し、粘着力が低下するものとされ
ている。しかしながら、このような多官能化合物は分子
量10万未満のオリゴマーまたはモノマーの低分子量成
分である場合が多く、前述の理由により転写汚染物の問
題は解消できない。
In general, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive for forming a pressure-sensitive adhesive layer of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive sheet comprises a polymer compound called a base polymer and a radiation-polymerizable compound having a carbon-carbon double bond in the molecule ( It is prepared by appropriately adding various additives such as a radiation-reactive oligomer, a radiation-polymerizable initiator, and a crosslinking agent. Usually, so-called polyfunctional compounds having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule are often used as the radiation-polymerizable compound in order to impart the property that the adhesive strength is greatly reduced after irradiation. ing. When radiation is applied to such a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the radiation-polymerizable compound reacts to quickly form a three-dimensional network structure, and the entire pressure-sensitive adhesive rapidly reacts and cures, and the adhesive strength decreases. Have been. However, such polyfunctional compounds are often low molecular weight components of oligomers or monomers having a molecular weight of less than 100,000, and the problem of transfer contaminants cannot be solved for the above-mentioned reasons.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、転写汚染物
の発生の少ないウエハ加工用粘着シート用粘着剤を提供
すること、さらには当該粘着剤により形成された粘着剤
層が設けられているウエハ加工用粘着シートを提供する
ことを目的とする。また、本発明は当該ウエハ加工用シ
ートを用いる半導体ウエハの製造方法、当該製造方法で
製造された半導体素子を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a pressure-sensitive adhesive for a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet with less transfer contaminants, and further includes a pressure-sensitive adhesive layer formed by the pressure-sensitive adhesive. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet for processing a wafer. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor wafer using the wafer processing sheet, and a semiconductor element manufactured by the manufacturing method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示すウエハ加工
用粘着シート用粘着剤および加工用粘着シートにより、
上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成する
に至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, the following pressure-sensitive adhesive for wafer processing adhesive sheet and pressure-sensitive adhesive sheet for processing have been developed.
The inventors have found that the above object can be achieved, and have completed the present invention.

【0008】すなわち本発明は、重量平均分子量が10
万以上であり、かつ分子量の分散度(重量平均分子量/
数平均分子量)が1〜2のベースポリマーを主成分とし
て含有してなることを特徴とするウエハ加工用粘着シー
ト用粘着剤、に関する。
That is, according to the present invention, the weight average molecular weight is 10
And the degree of dispersion of the molecular weight (weight average molecular weight /
A pressure-sensitive adhesive for a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet, comprising a base polymer having a number average molecular weight of 1 to 2 as a main component.

【0009】上記本発明の粘着剤は、ベースポリマーと
して、前記所定量以上の重量平均分子量を有し、かつ単
分散性の分散度を有するものを用いることにより、ベー
スポリマー中の低分子量成分を低減して、転写汚染物の
発生を抑えたものである。重量平均分子量は10万以
上、さらには30〜150万であるのが好ましい。また
分散度は1〜2、さらには1.05〜1.70であるの
が好ましい。
In the pressure-sensitive adhesive of the present invention, a low-molecular-weight component in the base polymer is reduced by using a base polymer having a weight-average molecular weight not less than the above-mentioned predetermined amount and a monodisperse degree of dispersion. This reduces the generation of transfer contaminants. The weight average molecular weight is preferably 100,000 or more, more preferably 300,000 to 1,500,000. The degree of dispersion is preferably from 1 to 2, and more preferably from 1.05 to 1.70.

【0010】なお、重量平均分子量、分散度の測定は、
GPC(ゲルーパーミション・クロマトグラフ)にて測
定し、「TSK標準ポリスチレン」換算値とした。 GPC装置:東ソー社製HLC−8120GPC カラム:TSKgel SuperHM−H/H400
0/H3000/H2000 流量:0.6ml/min 濃度:0.3wt% 注入量:20μl カラム温度:40℃ 溶離液:テトラヒドロフラン。
The measurement of the weight average molecular weight and the degree of dispersion are as follows.
It was measured by GPC (Gel-Permeation Chromatograph) and defined as "TSK standard polystyrene" converted value. GPC device: Tosoh HLC-8120GPC Column: TSKgel SuperHM-H / H400
0 / H3000 / H2000 Flow rate: 0.6 ml / min Concentration: 0.3 wt% Injection volume: 20 μl Column temperature: 40 ° C. Eluent: tetrahydrofuran

【0011】前記ウエハ加工用粘着シート用粘着剤にお
いて、ベースポリマーが放射線硬化型ポリマーであるこ
とが好ましい一態様である。
In a preferred embodiment of the pressure-sensitive adhesive for a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet, the base polymer is a radiation-curable polymer.

【0012】ベースポリマー自体を放射線硬化型ポリマ
ーとすることにより、放射線反応性オリゴマー等の放射
線重合性化合物を使用することなく粘着剤を放射線硬化
型とすることができる。
By making the base polymer itself a radiation-curable polymer, the pressure-sensitive adhesive can be made radiation-curable without using a radiation-polymerizable compound such as a radiation-reactive oligomer.

【0013】また本発明は、前記ウエハ加工用粘着シー
ト用粘着剤により形成された粘着剤層が設けられている
ことを特徴とするウエハ加工用粘着シートに関する。さ
らに本発明は、前記ウエハ加工用シートを用いる半導体
ウエハの製造方法に関する。また当該製造方法で製造さ
れた半導体素子に関する。
[0013] The present invention also relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing, comprising a pressure-sensitive adhesive layer formed of the pressure-sensitive adhesive for a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer using the wafer processing sheet. The present invention also relates to a semiconductor device manufactured by the manufacturing method.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】ウエハ加工用粘着シート用粘着剤
の主成分であるベースポリマーとしては、一般的な感圧
性粘着剤、たとえば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤
等に用いられているものを使用できる。なかでも、半導
体ウエハヘの粘着性などの点から、アクリル系粘着剤の
ベースポリマーであるアクリル系ポリマーが好ましい。
これらベースポリマーは2種以上を混合して使用しても
よい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As a base polymer which is a main component of the pressure-sensitive adhesive for a wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet, a general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber pressure-sensitive adhesive or the like is used. Anything can be used. Above all, an acrylic polymer, which is a base polymer of an acrylic adhesive, is preferable from the viewpoint of adhesiveness to a semiconductor wafer.
These base polymers may be used as a mixture of two or more kinds.

【0015】前記アクリル系ポリマーとしては、例え
ば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イ
ソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエス
テル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペン
チルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステ
ル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチル
ヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエス
テル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシ
ルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、
テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタ
デシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基
の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分
岐鎖状のアルキルエステルなど)及び(メタ)アクリル
酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエ
ステル、シクロヘキシルエステルなど)の1種又は2種
以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなど
があげられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルとは
アクリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステ
ルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味であ
る。
Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (eg, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, Pentyl ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester,
Linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, such as alkyl groups such as tetradecyl ester, hexadecyl ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid An acrylic polymer using one or more of cycloalkyl esters (for example, cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) as a monomer component is exemplified. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) in the present invention has the same meaning.

【0016】前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱
性などの改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)
アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステ
ルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含
んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メ
タ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリ
レート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン
酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)
アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸
2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒド
ロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキ
シル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、
(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)
アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキ
シメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート
などのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン
酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−
2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミ
ドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリ
レート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホ
ン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシ
エチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モ
ノマー;アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげ
られる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は
2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使
用量は、全モノマー成分の50重量%以下が好ましい。
The above-mentioned acrylic polymer may be used, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive strength, heat resistance, etc.
It may contain a unit corresponding to another monomer component copolymerizable with the alkyl acrylate or the cycloalkyl ester. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid; and maleic anhydride. , Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; (meth)
2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate,
10-hydroxydecyl (meth) acrylate, (meth)
Hydroxyl group-containing monomers such as 12-hydroxylauryl acrylate and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-
Sulfonic acid group-containing monomers such as 2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid; phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate Monomer: acrylamide, acrylonitrile and the like. One or two or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 50% by weight or less of all the monomer components.

【0017】さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋
させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共
重合用モノマー成分として含むことができる。このよう
な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオール
ジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコール
ジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコー
ルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メ
タ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)
アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエ
ステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリ
レートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも
1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマ
ーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の
30重量%以下が好ましい。
Further, the acrylic polymer may contain a polyfunctional monomer or the like as a monomer component for copolymerization, if necessary, for crosslinking. Such polyfunctional monomers include, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate
Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth)
Examples include acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. One or more of these polyfunctional monomers can be used. The amount of the polyfunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

【0018】本発明のベースポリマーの重量平均分子量
は10万以上であり、かつ分子量の分散度1〜2であ
る。このようなベースポリマーは、例えば金属の酸化・
還元反応を利用したリビングラジカル重合、サマリウム
錯体を開始剤とする配位重合などの開始、成長反応が完
全に制御されながら重合反応が進行する、いわゆるリビ
ング重合法を採用することができる。かかる重合法によ
れば分子量の設定が容易であるとともに、分子量の分散
度を小さく設定できポリマーの重合反応が終了した時点
ですでに分子量10万以下の低分子量物の生成を抑える
ことができる。
The weight average molecular weight of the base polymer of the present invention is 100,000 or more, and the degree of dispersion of the molecular weight is 1-2. Such base polymers, for example, can be used to oxidize metals.
A so-called living polymerization method, in which the polymerization reaction proceeds while the growth reaction is completely controlled, such as the initiation of living radical polymerization utilizing a reduction reaction or coordination polymerization using a samarium complex as an initiator, can be employed. According to such a polymerization method, the molecular weight can be easily set, and the degree of dispersion of the molecular weight can be set small, so that the production of a low-molecular-weight substance having a molecular weight of 100,000 or less can be suppressed when the polymerization reaction of the polymer is completed.

【0019】また、本発明のベースポリマーとしては放
射線硬化型ポリマーを用いることができる。放射線硬化
型ポリマーとした場合にもその重量平均分子量は10万
以上であり、かつ分子量の分散度1〜2である。放射線
硬化型ポリマーは、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖
または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものであり、低
分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がな
く、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成
分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造
の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
A radiation-curable polymer can be used as the base polymer of the present invention. Even when a radiation-curable polymer is used, the weight-average molecular weight is 100,000 or more and the degree of dispersion of the molecular weight is 1-2. The radiation-curable polymer has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or in the main chain or at the main chain terminal, and does not need to contain, or does not contain, many low molecular components such as oligomer components. Therefore, it is preferable because the pressure-sensitive adhesive layer having a stable layer structure can be formed without the oligomer component and the like moving in the pressure-sensitive adhesive over time.

【0020】前記放射線硬化型ポリマーは、炭素−炭素
二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限な
く使用できる。このようなベースポリマーとしては、ア
クリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。ア
クリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したア
クリル系ポリマーがあげられる。
As the radiation-curable polymer, those having a carbon-carbon double bond and having tackiness can be used without any particular limitation. As such a base polymer, a polymer having an acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

【0021】前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二
重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用で
きるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入する
のが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル
系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、
この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結
合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化
性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげ
られる。
The method of introducing a carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the introduction of the carbon-carbon double bond into the polymer side chain requires a molecular design. Easy. For example, after previously copolymerizing a monomer having a functional group in an acrylic polymer,
There is a method in which a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is subjected to a condensation or addition reaction while maintaining the radiation curability of the carbon-carbon double bond.

【0022】これら官能基の組合せの例としては、カル
ボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、
ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。
これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さか
ら、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好
適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上
記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生
成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリ
マーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記
の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒド
ロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有
する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合
を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メ
タクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキ
シエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α
−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。
また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロ
キシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエー
テル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレ
ングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物な
どを共重合したものが用いられる。
Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group,
Examples include a hydroxyl group and an isocyanate group.
Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracing of the reaction. In addition, as long as the combination of these functional groups produces an acrylic polymer having the carbon-carbon double bond, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound. In the above preferred combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, as the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond, for example, methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α
-Dimethylbenzyl isocyanate.
Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-described hydroxy group-containing monomer, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, and the like are used.

【0023】ベースポリマー中の炭素−炭素二重結合の
量は、粘着剤の保存性を考慮すると、JIS K−00
70によるヨウ素価で30以下、さらにはヨウ素価0.
5〜20とするのが好ましい。
The amount of carbon-carbon double bonds in the base polymer is determined according to JIS K-00 in consideration of the storage stability of the pressure-sensitive adhesive.
An iodine value of 30 or less, and an iodine value of 0.
It is preferably 5 to 20.

【0024】ベースポリマーとして放射線硬化型ポリマ
ーを用いた場合には、X線、紫外線、電子線等の放射線
により粘着剤層を硬化させるが、粘着剤層を紫外線等に
より硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光
重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒドロキシエ
トキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケ
トン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチルアセトフェ
ノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、
1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα
−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2
−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−
ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−
(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン
−1などのアセトフェノン系化合物;べンゾインエチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソイ
ンメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物;
ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物;2
−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニ
ルクロリド系化合物;1−フェノン−1,1―プロパン
ジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシムなど
の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイ
ル安息香酸、3,3′−ジメチル−4−メトキシベンゾ
フェノンなどのベンゾフェノン系化合物;チオキサンソ
ン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサン
ソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピル
チオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、
2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロ
ピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物;カ
ンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノ
キシド;アシルホスフォナートなどがあげられる。
When a radiation-curable polymer is used as the base polymer, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by radiation such as X-rays, ultraviolet rays, and electron beams. Initiator is included. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, and 2-methyl-2-hydroxypropion. Phenon,
Α such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone
-Ketol compounds; methoxyacetophenone, 2, 2
-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-
Diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4-
Acetophenone compounds such as (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether;
Ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2
Aromatic sulfonyl chloride compounds such as -naphthalenesulfonyl chloride; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3 Benzophenone compounds such as'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxan Song,
Thioxanthone compounds such as 2,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketones; acylphosphinoxides; acylphosphonates.

【0025】光重合開始剤の配合量は、放射線硬化型ポ
リマー100重量部に対して、反応性を考慮すると0.
1重量部以上、さらには0.5重量部以上とするのが好
ましい。また、多くなると粘着剤の保存性が低下する傾
向があるため、15重量部以下、さらには5重量部以下
とするのが好ましい。
The amount of the photopolymerization initiator to be added is 0.1 in consideration of reactivity with respect to 100 parts by weight of the radiation-curable polymer.
It is preferably at least 1 part by weight, more preferably at least 0.5 part by weight. In addition, since the preservability of the pressure-sensitive adhesive tends to decrease as the content increases, the content is preferably 15 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less.

【0026】本発明のウエハ加工用粘着シート用粘着剤
には、ベースポリマーに加えて外部架橋剤を適宜に採用
することもできる。外部架橋方法の具体的手段として
は、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジ
リジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤
を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使
用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマー
とのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用
途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポ
リマー100重量部に対して、0.1〜5重量部程度配
合するのが好ましい。これら架橋剤は、一般に低分子成
分ではあるがベースポリマーと反応しうる材料であり、
反応後はそのポリマー鎖の一部として取り込まれるため
転写汚染物源とはならない。
In the pressure-sensitive adhesive for a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer of the present invention, an external crosslinking agent can be appropriately employed in addition to the base polymer. As a specific means of the external cross-linking method, a method of adding a so-called cross-linking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine-based cross-linking agent, and causing a reaction is used. When an external crosslinking agent is used, the amount of the external crosslinking agent is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be crosslinked, and further on the use of the pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable to add about 0.1 to 5 parts by weight to 100 parts by weight of the base polymer. These cross-linking agents are materials that are generally low molecular components but can react with the base polymer,
After the reaction, it is incorporated as a part of the polymer chain and does not become a transfer contamination source.

【0027】以下、本発明のウエハ加工用粘着シートを
図1を参照しつつ詳細に説明する。図1に示すように、
本発明のウエハ加工用粘着シートは、基材フィルム1上
に、粘着剤層2が設けられている。また、必要に応じ
て、粘着剤層2上にはセパレータ3を有する。図1で
は、基材フィルム1の片面に粘着剤層2を有するが、こ
れらは基材フィルム1の両面に形成することもできる。
ウエハ加工用粘着シートは基盤やウエハ等の被切断体の
平面形状に対応した形状や連続シートなどの適宜な形態
とすることができ、またシートを巻いてテープ状とする
こともできる。
Hereinafter, the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG.
In the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer of the present invention, a pressure-sensitive adhesive layer 2 is provided on a base film 1. Further, a separator 3 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2 as necessary. In FIG. 1, the adhesive film 2 is provided on one side of the base film 1, but these may be formed on both sides of the base film 1.
The pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer can be formed into an appropriate shape such as a shape corresponding to the planar shape of the object to be cut such as a base or a wafer, a continuous sheet, or the like, or can be wound into a tape to form a tape.

【0028】基材フィルム1の材料は、特に制限される
ものではないが、所定以上の放射線を少なくとも一部透
過するものを用いるのが好ましい。例えば、一般にウエ
ハ研削用途には、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチ
レン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低
密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブ
ロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリ
ブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレ
ン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)
アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチ
レン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、
ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリ
エステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、
フッ素樹脂、セルロース系樹脂及びこれらの架橋体など
のポリマーがあげられる。またウエハ切断・分離用途に
は、上記の各種フィルムに加えてポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデンを用いた軟質ポリ塩化ビニルが多く用い
られる。
The material of the base film 1 is not particularly limited, but it is preferable to use a material that transmits at least a part of a predetermined or more radiation. For example, for wafer grinding applications in general, low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene , Ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth)
Acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer,
Polyurethane, polyester such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyetheretherketone,
Examples include polymers such as fluororesins, cellulosic resins, and crosslinked products thereof. For wafer cutting / separation applications, in addition to the various films described above, polyvinyl chloride and soft polyvinyl chloride using polyvinylidene chloride are often used.

【0029】基材フィルム1の厚みは、適用用途での操
作性や作業性を損なわない範囲で適宜選択できるが、通
常500μm程度以下、好ましくは3〜300μm程
度、さらに好ましくは5〜250μm程度である。基材
フィルム1は、従来より公知の製膜方法により製膜でき
る。例えば、湿式キャスティング法、インフレーション
押出し法、Tダイ押出し法などが利用できる。基材フィ
ルム1は、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸ま
たは二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。ま
た、基材フィルム1の表面には、必要に応じてクロム酸
処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化
放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤(例え
ば、後述する粘着物質)によるコーティング処理が施さ
れていてもよい。
The thickness of the base film 1 can be appropriately selected within a range that does not impair the operability and workability in the application, but is usually about 500 μm or less, preferably about 3 to 300 μm, more preferably about 5 to 250 μm. is there. The base film 1 can be formed by a conventionally known film forming method. For example, a wet casting method, an inflation extrusion method, a T-die extrusion method, or the like can be used. The base film 1 may be used in a non-stretched state, or may be subjected to a uniaxial or biaxial stretching treatment as necessary. If necessary, the surface of the base film 1 may be subjected to a chemical or physical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. ) May be applied.

【0030】粘着剤層2の厚さは適宜選定してよいが、
一般には1〜300μm程度以下、好ましくは3〜20
0μm、さらに好ましくは5〜100μmである。粘着
剤層の粘着力についても使用目的等に応じて適宜に決定
してよいが、一般には半導体ウエハに対する密着維持性
やウエハよりの剥離性などの点より、放射線照射前の粘
着力(23℃、180゜ピール値、剥離速度300mm
/min)が1N/25mmテープ幅以上、放射線照射
後の粘着力が0.4N/25mmテープ幅以下が好まし
い。
Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be appropriately selected,
Generally, about 1 to 300 μm or less, preferably 3 to 20 μm.
0 μm, more preferably 5 to 100 μm. The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately determined according to the purpose of use and the like. However, in general, the adhesive strength before radiation irradiation (23 ° C.) , 180 ° peel value, peeling speed 300mm
/ Min) is preferably 1 N / 25 mm tape width or more, and the adhesive strength after radiation irradiation is 0.4 N / 25 mm tape width or less.

【0031】本発明のウエハ加工用粘着シートの作製
は、たとえば、基材フィルム1に、粘着剤を塗布して粘
着剤層2を形成する方法により行なうことができる。ま
た、別途、粘着剤層2をセパレータ3に形成した後、こ
れを基材フィルム1に貼り合せる方法等を採用すること
ができる。
The production of the pressure-sensitive adhesive sheet for processing a wafer of the present invention can be carried out, for example, by a method of applying a pressure-sensitive adhesive to the base film 1 to form a pressure-sensitive adhesive layer 2. Alternatively, a method of separately forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the separator 3 and bonding the same to the base film 1 can be employed.

【0032】ウエハ加工用粘着シートの粘着剤層2に
は、保管時や流通時における汚染防止等の点から半導体
ウエハなどの被切断物に接着するまでの間、前記セパレ
ータ3により被覆保護することが好ましい。セパレータ
3の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィル
ム等があげられる。セパレータ3の表面には剥離性を高
めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル
処理、フッ素処理等の離型処理が施されていても良い。
セパレータ3の厚みは、通常10〜200μm、好まし
くは25〜100μm程度である。
The pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing is covered and protected by the separator 3 until the pressure-sensitive adhesive layer 2 adheres to an object to be cut such as a semiconductor wafer in order to prevent contamination during storage and distribution. Is preferred. Examples of the constituent material of the separator 3 include paper, synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. The surface of the separator 3 may be subjected to a release treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, a fluorine treatment, or the like, as necessary, in order to enhance the releasability.
The thickness of the separator 3 is usually about 10 to 200 μm, preferably about 25 to 100 μm.

【0033】[0033]

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0034】実施例1 (サマリウム錯体の調製)アルゴン置換した1リットル
のフラスコに、SmI2を3.9616g、テトラヒドロフ
ラン(THF)を330ml入れ、攪拌しながら、ぺンタメ
チルシクロぺンタジエニルカリウム塩〔(C5(CH3)5)K 〕
45.858gを加えて、室温で反応させた。その後、
THFを減圧除去し、固形物にトルエンを加えて、上澄
みを回収し、減圧乾燥したのち、THFとへキサンによ
り、(C5(CH3)5)2 Sm(THF)2 の再結晶を行った。この(C
5(CH3)5)2 Sm(THF)2 の2.5gをトルエン60mlに
溶解した後、トリメチルアルミニウム2.2mlを加
え、攪拌して反応を行った。沈澱物を除去したのち、再
結晶を行うことにより、(C5(CH3)5)2 Sm(CH3)(THF )を
得た。
[0034] Example 1 (Preparation of samarium complex) 1 liter flask which was purged with argon, the SmI 2 3.9616g, placed 330ml of tetrahydrofuran (THF), with stirring, Bae pointer methylcyclopentadienyl pen Taj enyl potassium salt ((C 5 (CH 3 ) 5 ) K)
45.858 g was added and reacted at room temperature. afterwards,
The THF was removed under reduced pressure, toluene was added to the solid, the supernatant was collected, and dried under reduced pressure, and then (C 5 (CH 3 ) 5 ) 2 Sm (THF) 2 was recrystallized with THF and hexane. Was. This (C
After 2.5 g of 5 (CH 3 ) 5 ) 2 Sm (THF) 2 was dissolved in 60 ml of toluene, 2.2 ml of trimethylaluminum was added, and the mixture was stirred and reacted. After removing the precipitate, recrystallization was performed to obtain (C 5 (CH 3 ) 5 ) 2 Sm (CH 3 ) (THF).

【0035】(トリメチルシリルオキシエチルアクリレ
ートの調製)1リットルの丸底フラスコに乾燥THF3
00mlを量り取り、これに乾燥トリエチルアミン11
1.6mlと乾燥2−ヒドロキシエチルアクリレート8
3.7mlを加えた。10分間程度撹拌した後、外欲を
氷水で冷却し、乾燥トリメチルシリルクロライド76.
1mlをゆっくり加えた。24時間室温で撹拌を続けた
後、THFと過剰のトリエチルアミンとトリメチルシリ
ルクロライドとを減圧留去した。そこに乾燥ヘキサン3
00mlを加え、約2時間撹拌後、ろ過により塩を取り
除き、減圧下ヘキサンを留去したものをモレキュラーシ
ーブで2晩処理し、42℃/0.1mmHgの条件下で
蒸留することによりトリメチルシリルオキシエチルアク
リレートを合成した。
(Preparation of trimethylsilyloxyethyl acrylate) Dry THF 3 was placed in a 1-liter round bottom flask.
Weigh out 00 ml and add dry triethylamine 11
1.6 ml and dry 2-hydroxyethyl acrylate 8
3.7 ml was added. After stirring for about 10 minutes, the greed was cooled with ice water and dried trimethylsilyl chloride.
1 ml was added slowly. After stirring at room temperature for 24 hours, THF, excess triethylamine and trimethylsilyl chloride were distilled off under reduced pressure. There dry hexane 3
After stirring for about 2 hours, the salt was removed by filtration, hexane was distilled off under reduced pressure, and the residue was treated with molecular sieves for 2 nights, and distilled at 42 ° C./0.1 mmHg to obtain trimethylsilyloxyethyl. Acrylate was synthesized.

【0036】(アクリル系共重合ポリマーの調製)アル
ゴン置換した1リットルのフラスコに、上記の(C5(CH3)
5)2 Sm(CH3)(THF)を100.4mg入れ、脱気脱水処
理したトルエン400mlを加えて、−78℃に冷却し
た後、脱気脱水処理したブチルアクリレート80gおよ
びトリメチルシリルオキシエチルアクリレート20g
を、1時間かけて滴下しながら重合反応を行い、さらに
5 時間重合反応を継続した。5時間後、大量のメタノー
ルを加えて重合を終了させ、同時に保護基であるトリメ
チルシリル基を脱離させ末端をOH化した。ろ過、乾燥
後に得られたアクリル系共重合ポリマーにつき、分子量
をGPC法で測定した結果、重量平均分子量が35.3
万、数平均分子量が32.4万、分散度(重量平均分子
量/数平均分子量)が1.09であった。
(Preparation of Acrylic Copolymer) The above-mentioned (C 5 (CH 3 )) was placed in a 1-liter flask purged with argon.
5) 2 Sm (CH 3) (THF) as placed 100.4 mg, deaerated dehydrated by adding toluene 400 ml, was cooled to -78 ° C., degassed dehydrated butyl acrylate 80g and trimethylsilyloxy acrylate 20g
Is added dropwise over 1 hour to carry out a polymerization reaction.
The polymerization reaction was continued for 5 hours. Five hours later, a large amount of methanol was added to terminate the polymerization, and at the same time, a trimethylsilyl group as a protecting group was eliminated to OH-end the terminal. The molecular weight of the acrylic copolymer obtained after filtration and drying was measured by a GPC method, and as a result, the weight average molecular weight was 35.3.
10,000, the number average molecular weight was 3240, and the degree of dispersion (weight average molecular weight / number average molecular weight) was 1.09.

【0037】(ウエハ加工用粘着シートの作製)前記ア
クリル系共重合ポリマーをトルエンに溶解し、このポリ
マー(固形分)100重量部に対して、さらにイソシア
ネート系架橋剤を0.8重量部添加して得られた粘着剤
を、厚さが100μmのポリエチレンフイルム(基材フ
ィルム)上に、乾燥後の厚さが30μmとなるように塗
布することにより粘着剤層を形成してウエハ加工用粘着
シートを得た。
(Preparation of Wafer Processing Adhesive Sheet) The acrylic copolymer was dissolved in toluene, and 0.8 part by weight of an isocyanate-based crosslinking agent was further added to 100 parts by weight of this polymer (solid content). The pressure-sensitive adhesive sheet obtained by applying the pressure-sensitive adhesive obtained on the polyethylene film (base film) having a thickness of 100 μm so as to have a thickness of 30 μm after drying to form a pressure-sensitive adhesive layer. I got

【0038】実施例2 (アクリル系共重合ポリマーの調製)実施例1におい
て、(C5(CH3)5)2 Sm(CH3)(THF )の使用量を100.4
mgから50.7mgに変更したこと以外は、実施例1
と同様の操作を行った。得られたアクリル系共重合ポリ
マーの重量平均分子量は54.5万、数平均分子量が3
8.7万、分散度が1.41であった。
Example 2 (Preparation of acrylic copolymer) In Example 1, the amount of (C 5 (CH 3 ) 5 ) 2 Sm (CH 3 ) (THF) was changed to 100.4%.
Example 1 except that the dose was changed from 5 mg to 50.7 mg.
The same operation as described above was performed. The weight-average molecular weight of the obtained acrylic copolymer is 545,000, and the number-average molecular weight is 3
87,000 and the degree of dispersion was 1.41.

【0039】(放射線硬化型ポリマーの調製)上記アク
リル系共重合ポリマー溶液に、さらに有機スズ触媒と2
−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを5g加
え付加反応させることにより、重量平均分子量が56.
0万、数平均分子量が39.0万、分散度が1.44の
放射線硬化型ポリマー溶液を得た。
(Preparation of radiation-curable polymer) The above-mentioned acrylic copolymer solution was further added with an organotin catalyst and 2
By adding 5 g of methacryloyloxyethyl isocyanate and performing an addition reaction, the weight average molecular weight is 56.
A radiation-curable polymer solution having a molecular weight of 100,000, a number average molecular weight of 3,990,000 and a dispersity of 1.44 was obtained.

【0040】(ウエハ加工用粘着シートの作製)前記放
射線硬化型ポリマー(固形分)100重量部に、さらに
イソシアネート系架橋剤を0.8重量部とアセトフェノ
ン系光重合開始剤を2重量部添加して得られた放射線硬
化型粘着剤を、厚さが100μmのポリエチレンフイル
ムの上に、乾燥後の厚さが30μmとなるように塗布す
ることにより粘着剤層を形成してウエハ加工用粘着シー
トを得た。
(Preparation of pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing) To 100 parts by weight of the radiation-curable polymer (solid content), 0.8 part by weight of an isocyanate-based crosslinking agent and 2 parts by weight of an acetophenone-based photopolymerization initiator were further added. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive obtained as described above is applied on a 100-μm-thick polyethylene film so that the thickness after drying becomes 30 μm to form a pressure-sensitive adhesive layer, thereby forming a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing. Obtained.

【0041】比較例1 実施例1において、(C5(CH3)5)2 Sm(CH3)(THF )の使用
量を100.4mgから300mgに変更したこと以外
は、実施例1と同様の操作を行った。得られたアクリル
系共重合ポリマーの重量平均分子量は9.5万、数平均
分子量が8.2万、分散度が1.15であった。以降は
得られたアクリル系共重合ポリマーを用いて実施例1と
同様にして粘着剤を調製し、ウエハ加工用粘着シートを
得た。
Comparative Example 1 In the same manner as in Example 1, except that the amount of (C 5 (CH 3 ) 5 ) 2 Sm (CH 3 ) (THF) was changed from 100.4 mg to 300 mg. Was performed. The weight average molecular weight of the obtained acrylic copolymer was 950,000, the number average molecular weight was 82,000, and the dispersity was 1.15. Thereafter, an adhesive was prepared in the same manner as in Example 1 using the obtained acrylic copolymer to obtain an adhesive sheet for wafer processing.

【0042】比較例2 窒素置換したフラスコに、ブチルアクリレート100
g、酢酸エチル105g、トルエン45gおよび4 ,4
−アゾビスイソブチロニトリル0.2gを入れ、60℃
で12時間重合反応を行い、重量平均分子量が32.6
万、数平均分子量が7.2万、分散度が4.53のアク
リル系共重合ポリマー溶液を得た。以降は得られたアク
リル系共重合ポリマーを用いて実施例1と同様にして粘
着剤を調製し、ウエハ加工用粘着シートを得た。
Comparative Example 2 In a flask purged with nitrogen, butyl acrylate 100
g, 105 g of ethyl acetate, 45 g of toluene and 4,4
-Add 0.2 g of azobisisobutyronitrile,
For 12 hours, and the weight average molecular weight is 32.6.
An acrylic copolymer solution having a number average molecular weight of 720,000 and a dispersity of 4.53 was obtained. Thereafter, an adhesive was prepared in the same manner as in Example 1 using the obtained acrylic copolymer to obtain an adhesive sheet for wafer processing.

【0043】比施例3 実施例1で得られたアクリル系共重合ポリマー(固形
分)100重量部に対して、分子量10万未満のペンタ
エリスリトールトリアクリレートを50重量部およびア
セトフェノン系光重合開始剤を2重量部添加して得られ
た放射線硬化型粘着剤を、厚さが100μmのポリエチ
レンフイルムの上に、乾燥後の厚さが30μmとなるよ
うに塗布することにより粘着剤層を形成してウエハ加工
用粘着シートを得た。
Comparative Example 3 To 100 parts by weight of the acrylic copolymer (solid content) obtained in Example 1, 50 parts by weight of pentaerythritol triacrylate having a molecular weight of less than 100,000 and an acetophenone-based photopolymerization initiator Of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive obtained by adding 2 parts by weight of was added onto a 100 μm-thick polyethylene film so that the thickness after drying was 30 μm to form a pressure-sensitive adhesive layer. An adhesive sheet for wafer processing was obtained.

【0044】実施例および比較例で得られたウエハ加工
用粘着シートについて以下の評価を行った。実施例2、
比較例3については加工処理後に紫外線を照射した。評
価結果を表1に示す。
The following evaluations were made on the pressure-sensitive adhesive sheets for wafer processing obtained in Examples and Comparative Examples. Example 2,
In Comparative Example 3, ultraviolet rays were irradiated after the processing. Table 1 shows the evaluation results.

【0045】(ウエハ表面の転写汚染物量)ウエハ表面
にウエハ加工用粘着シートを貼り付け、所定の厚さまで
下記条件で裏面研削した後に剥がし、剥がしたウエハ表
面の転写汚染物量を測定した。粘着シート剥離後のウエ
ハ表面の元素比率はXPS(X線光電子分光分析)にて
測定し、粘着シートからの転写汚染物に由来する炭素の
増加量をブランクウエハと比較しAtomic%増加量として
算出した。X線源:MgKα、X線取出角度:9 0 度、
測定面積:1.0mm×3.5mm。
(Amount of Transfer Contaminant on Wafer Surface) A pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing was attached to the wafer surface, the back surface was ground to a predetermined thickness under the following conditions, and then peeled off. The amount of transferred contaminant on the peeled wafer surface was measured. The element ratio on the wafer surface after peeling the adhesive sheet is measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), and the increase in carbon originating from transfer contaminants from the adhesive sheet is calculated as the atomic% increase compared to the blank wafer. did. X-ray source: MgKα, X-ray extraction angle: 90 degrees,
Measurement area: 1.0 mm x 3.5 mm.

【0046】<ウエハ研削条件> 研削装置:ディスコ社製DFG−840 ウエハ:6 インチ径(600μmから100μmに裏面
研削) ウエハの貼りあわせ装置:DR−8500II(日東精機
(株)製) 紫外線(UV)照射装置:NEL UM−110(日東
精機(株)製) 紫外線照射積算光量:500mJ/cm2
<Wafer grinding conditions> Grinding device: DFG-840 manufactured by DISCO Wafer: 6 inch diameter (backside grinding from 600 μm to 100 μm) Wafer bonding device: DR-8500II (manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) ) Irradiation device: NEL UM-110 (manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) UV irradiation integrated light amount: 500 mJ / cm 2 .

【0047】(パッケージクラックの試験)ウエハ加工
用粘着シートをウエハ裏面に貼付け、下記条件で所定サ
イズのチップにダイシングした後、切断チップを日東電
工(株)製の半導体封止樹脂:MP7410TAHに封
止し、85℃/85%RHの条件下で300時間吸湿処
理後、240℃熱版上にて30秒間加熱した後、パッケ
ージクラック発生の有無を調べた。
(Test of Package Crack) An adhesive sheet for processing a wafer was attached to the back surface of the wafer, diced into chips of a predetermined size under the following conditions, and the cut chips were sealed in a semiconductor sealing resin MP7410TAH manufactured by Nitto Denko Corporation. The sample was stopped and subjected to a moisture absorption treatment under the condition of 85 ° C./85% RH for 300 hours, heated on a hot plate at 240 ° C. for 30 seconds, and examined for the occurrence of package cracks.

【0048】<ウエハダイシング条件> ダイシング装置:ディスコ社製DFD2S/8 ダイシング速度:100mm/sec ダイシングブレード:ディスコ社製2050HEDD ダイシングブレード回転数:40000rpm ダイシングテープ切り込み深さ:30μm ウエハチップサイズ:10mm×10mm ウエハ径:6インチ。<Wafer dicing conditions> Dicing device: DFD2S / 8 manufactured by DISCO Dicing speed: 100 mm / sec Dicing blade: 2050 HEDD manufactured by DISCO Number of rotations of dicing blade: 40000 rpm Dicing tape cutting depth: 30 μm Wafer chip size: 10 mm × 10 mm Wafer diameter: 6 inches.

【0049】[0049]

【表1】 実施例1と比較例1から、分散度が1〜2の範囲にあっ
ても重量平均分子量が10万未満の場合にはウエハ研削
時に転写汚染物が多く、クラックが発生することがわか
る。また実施例1と比較例2から、重量平均分子量が1
0万以上であっても分散度が2を超えると場合には前記
同様に転写汚染物が多く、クラックが発生することがわ
かる。また実施例2と比較例3から、放射線硬化型粘着
剤を調製する場合に、分子量10万未満の放射線重合性
化合物を混合するような構成では転写汚染物、クラック
の問題を解消できないことがわかる。
[Table 1] From Example 1 and Comparative Example 1, it can be seen that, even when the degree of dispersion is in the range of 1-2, when the weight average molecular weight is less than 100,000, transfer contaminants are large during wafer grinding and cracks are generated. From Example 1 and Comparative Example 2, the weight average molecular weight was 1
If the degree of dispersion exceeds 2 even if it is not less than 100,000, the transfer contaminants are large and cracks occur as described above. Further, from Example 2 and Comparative Example 3, when preparing a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, it can be understood that the problem of transfer contaminants and cracks cannot be eliminated with a configuration in which a radiation-polymerizable compound having a molecular weight of less than 100,000 is mixed. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ダイシング用粘着シートの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an adhesive sheet for dicing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:基材フィルム 2:粘着剤層 3:セパレータ 1: base film 2: adhesive layer 3: separator

フロントページの続き Fターム(参考) 3C058 AA07 AB04 CA01 DA17 4J004 AA10 AA14 AB06 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CC02 DA02 DA04 DA05 DB02 EA01 FA05 4J040 DF031 EB132 EC002 EF101 EF102 EF282 GA01 HC22 JA09 JB01 JB08 KA16 LA01 LA11 MA02 MA04 MA10 MB03 NA20 PA23 PA30 PA32 Continued on the front page F term (reference) 3C058 AA07 AB04 CA01 DA17 4J004 AA10 AA14 AB06 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CC02 DA02 DA04 DA05 DB02 EA01 FA05 4J040 DF031 EB132 EC002 EF101 EF102 EF282 GA01 HC22 JA09 JB01 MA01 PA23 PA30 PA32

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 重量平均分子量が10万以上であり、か
つ分子量の分散度(重量平均分子量/数平均分子量)が
1〜2のベースポリマーを主成分として含有してなるこ
とを特徴とするウエハ加工用粘着シート用粘着剤。
1. A wafer comprising a base polymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more and a molecular weight dispersity (weight average molecular weight / number average molecular weight) of 1 to 2 as a main component. Adhesive for processing adhesive sheet.
【請求項2】 ベースポリマーが放射線硬化型ポリマー
であることを特徴とする請求項1記載のウエハ加工用粘
着シート用粘着剤。
2. The pressure-sensitive adhesive according to claim 1, wherein the base polymer is a radiation-curable polymer.
【請求項3】 基材フィルム上に、請求項1または2記
載の粘着剤により形成された粘着剤層が設けられている
ことを特徴とするウエハ加工用粘着シート。
3. A pressure-sensitive adhesive sheet for wafer processing, comprising a pressure-sensitive adhesive layer formed of the pressure-sensitive adhesive according to claim 1 on a base film.
【請求項4】 請求項3記載のウエハ加工用シートを用
いる半導体ウエハの製造方法。
4. A method for manufacturing a semiconductor wafer using the wafer processing sheet according to claim 3.
【請求項5】 請求項4記載の製造方法で製造された半
導体素子。
5. A semiconductor device manufactured by the manufacturing method according to claim 4.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004253612A (en) * 2003-02-20 2004-09-09 Nitto Denko Corp Tentative fixing method of semiconductor wafer, electronic component, and circuit board
JP2005023188A (en) * 2003-07-01 2005-01-27 Nitto Denko Corp Adhesive for adhesive sheet for dicing, adhesive sheet for dicing, method for producing semiconductor element, and the resultant semiconductor element
JP2006156754A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond tape
JP2007158025A (en) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The Pressure-sensitive tape for processing semiconductor
JP2008000858A (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Mitsui Chemicals Inc Adhesive film back surface grinding of semiconductor wafer and back surface grinding method of semiconductor wafer using it
JP2010212310A (en) * 2009-03-06 2010-09-24 Nitto Denko Corp Method of dicing element
CN101864249A (en) * 2009-04-17 2010-10-20 古河电气工业株式会社 Adhesive film and wafer processing tape
CN103648716A (en) * 2011-07-11 2014-03-19 3M创新有限公司 Lapping carrier and method of using the same
JP2015124301A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 積水化学工業株式会社 Pressure-sensitive adhesive tape
JP2015124300A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 積水化学工業株式会社 Adhesive tape
JP2017066311A (en) * 2015-09-30 2017-04-06 大日本印刷株式会社 Hard coat film for transfer and manufacturing method therefor, and hard coat layer laminate
WO2017061364A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 リンテック株式会社 Heat-curable resin film and sheet for forming first protective film
JP2018035367A (en) * 2017-10-23 2018-03-08 積水化学工業株式会社 Adhesive composition for processing electronic component and glass substrate, adhesive tape for processing electronic component and glass substrate, and manufacturing method of electronic component and glass substrate
JP2018048343A (en) * 2017-11-24 2018-03-29 積水化学工業株式会社 Adhesive tape
JP2018138682A (en) * 2018-06-18 2018-09-06 積水化学工業株式会社 Adhesive tape
WO2019082977A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 リンテック株式会社 Film for forming protective coating, composite sheet for forming protective coating, and method for manufacturing semiconductor chip
JP2019143022A (en) * 2018-02-20 2019-08-29 大塚化学株式会社 Radiation curable adhesive composition and pressure sensitive adhesive tape

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004253612A (en) * 2003-02-20 2004-09-09 Nitto Denko Corp Tentative fixing method of semiconductor wafer, electronic component, and circuit board
JP4514409B2 (en) * 2003-02-20 2010-07-28 日東電工株式会社 Method for temporarily fixing semiconductor wafer, electronic component, and circuit board
JP2005023188A (en) * 2003-07-01 2005-01-27 Nitto Denko Corp Adhesive for adhesive sheet for dicing, adhesive sheet for dicing, method for producing semiconductor element, and the resultant semiconductor element
JP4518535B2 (en) * 2003-07-01 2010-08-04 日東電工株式会社 Dicing adhesive sheet, dicing adhesive sheet, semiconductor element manufacturing method, semiconductor element
JP2006156754A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond tape
JP2007158025A (en) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The Pressure-sensitive tape for processing semiconductor
JP2008000858A (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Mitsui Chemicals Inc Adhesive film back surface grinding of semiconductor wafer and back surface grinding method of semiconductor wafer using it
JP2010212310A (en) * 2009-03-06 2010-09-24 Nitto Denko Corp Method of dicing element
CN101864249A (en) * 2009-04-17 2010-10-20 古河电气工业株式会社 Adhesive film and wafer processing tape
JP2010265453A (en) * 2009-04-17 2010-11-25 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive film and tape for wafer processing
CN103648716A (en) * 2011-07-11 2014-03-19 3M创新有限公司 Lapping carrier and method of using the same
JP2015124301A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 積水化学工業株式会社 Pressure-sensitive adhesive tape
JP2015124300A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 積水化学工業株式会社 Adhesive tape
JP2017066311A (en) * 2015-09-30 2017-04-06 大日本印刷株式会社 Hard coat film for transfer and manufacturing method therefor, and hard coat layer laminate
WO2017061364A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 リンテック株式会社 Heat-curable resin film and sheet for forming first protective film
JPWO2017061364A1 (en) * 2015-10-08 2018-07-26 リンテック株式会社 Thermosetting resin film and first protective film forming sheet
JP2018035367A (en) * 2017-10-23 2018-03-08 積水化学工業株式会社 Adhesive composition for processing electronic component and glass substrate, adhesive tape for processing electronic component and glass substrate, and manufacturing method of electronic component and glass substrate
WO2019082977A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 リンテック株式会社 Film for forming protective coating, composite sheet for forming protective coating, and method for manufacturing semiconductor chip
JPWO2019082977A1 (en) * 2017-10-27 2020-10-22 リンテック株式会社 Method for manufacturing protective film forming film, protective film forming composite sheet, and semiconductor chip
JP2018048343A (en) * 2017-11-24 2018-03-29 積水化学工業株式会社 Adhesive tape
JP2019143022A (en) * 2018-02-20 2019-08-29 大塚化学株式会社 Radiation curable adhesive composition and pressure sensitive adhesive tape
JP7137315B2 (en) 2018-02-20 2022-09-14 大塚化学株式会社 Radiation-curable adhesive composition and adhesive tape
JP2018138682A (en) * 2018-06-18 2018-09-06 積水化学工業株式会社 Adhesive tape

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