JP2002368087A - Semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents

Semiconductor device and method of manufacturing the same

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JP2002368087A
JP2002368087A JP2001168494A JP2001168494A JP2002368087A JP 2002368087 A JP2002368087 A JP 2002368087A JP 2001168494 A JP2001168494 A JP 2001168494A JP 2001168494 A JP2001168494 A JP 2001168494A JP 2002368087 A JP2002368087 A JP 2002368087A
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JP
Japan
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repeater
wirings
wiring
repeaters
semiconductor device
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Application number
JP2001168494A
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Takeshi Inoue
武 井上
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can suppress fluctuations in signal delay while preventing increase of a chip size, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device. SOLUTION: A plurality of parallel wiring lines 3a to 2c connected between elements via repeaters 14a to 14c, 15a to 15c, and 16a to 16c are formed, input/ output characteristics are inversed in logic between the repeaters at corresponding positions between the adjacent wiring lines.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リピータが介在さ
れた配線が複数本並列して形成された半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a plurality of wirings with a repeater interposed are formed in parallel and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIの階層設計において、半導体チッ
プ上に形成された回路全体を扱いやすいサイズの部分回
路の組み合わせで表現することがよくあり、その場合の
部分回路をブロックとよぶ。図4は、従来におけるブロ
ック間の配線図を示す。各ブロックB1、B2は、それ
ぞれ、複数の素子(例えばMOSトランジスタ)1a〜
1c、2a〜2cを有し、これらブロックB1、B2間
でそれぞれの素子1a〜1c、2a〜2cは配線3a、
3b、3cで接続されている。このように、ブロックB
1、B2間には複数の配線3a、3b、3cが並列して
形成されている。
2. Description of the Related Art In an LSI hierarchical design, an entire circuit formed on a semiconductor chip is often represented by a combination of easy-to-handle partial circuits. In this case, the partial circuits are called blocks. FIG. 4 shows a conventional wiring diagram between blocks. Each of the blocks B1 and B2 includes a plurality of elements (eg, MOS transistors) 1a to 1a.
1c, 2a to 2c, and the elements 1a to 1c, 2a to 2c are interconnected between these blocks B1 and B2.
3b and 3c are connected. Thus, block B
A plurality of wirings 3a, 3b, 3c are formed in parallel between 1 and B2.

【0003】また、ブロックB1、B2間の距離が長い
場合(すなわち各配線3a、3b、3cの配線長が長い
場合)には、ブロックB1、B2間を伝送する信号(パ
ルス信号)pの波形劣化や遅延を引き起こすので、各配
線3a、3b、3c中にリピータ4a〜4c、5a〜5
c、6a〜6cが介在されることがある。リピータ4a
〜4c、5a〜5c、6a〜6cはパルス信号pの増幅
及び再生(波形の修復)を行うものであり、例えばリピ
ータ4a〜4c、5a〜5c、6a〜6cとしてMOS
トランジスタが用いられる。
When the distance between the blocks B1 and B2 is long (that is, when the wiring length of each of the wirings 3a, 3b and 3c is long), the waveform of the signal (pulse signal) p transmitted between the blocks B1 and B2. Since it causes deterioration and delay, the repeaters 4a-4c, 5a-5
c, 6a to 6c may be interposed. Repeater 4a
4a to 5c, 5a to 5c, and 6a to 6c perform amplification and reproduction (waveform restoration) of the pulse signal p. For example, MOSs are used as the repeaters 4a to 4c, 5a to 5c, and 6a to 6c.
A transistor is used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年のLSIの小型
化、高集積化に伴い配線間の距離は非常に狭くなってき
ており、このように配線が近接して形成される場合には
配線間容量などに起因する信号のクロストーク(近接し
ている配線間の電気的なエネルギー結合)の問題があ
る。特に、隣り合う配線間で信号が同相あるいは逆相で
動作するときにクロストークの影響が大きくなり、信号
の遅延値(遅延時間)の変動が生じる。すなわち、LS
Iのレイアウト設計時には例えばCADを用いたシミュ
レーションで信号の遅延値を求めるが、このシミュレー
ション値に対して、実際につくられる回路上での遅延値
がずれてくる。
The distance between wirings has become very narrow with the recent miniaturization and high integration of LSIs. There is a problem of signal crosstalk (electrical energy coupling between adjacent wirings) due to capacitance and the like. In particular, when signals operate between in-phase or out-of-phase between adjacent wirings, the influence of crosstalk increases, and the delay value (delay time) of the signal fluctuates. That is, LS
At the time of layout design of I, for example, a delay value of a signal is obtained by a simulation using CAD.

【0005】例えば、図4において、配線3a及び3c
でパルス信号pが立ち下がるタイミングのときに配線3
bでは立ち上がり、配線3a及び3cでパルス信号pが
立ち上がるタイミングのときに配線3bでは立ち下がる
というように、隣り合う各配線3a〜3c間でパルス信
号pが逆相で動作する場合には信号遅延の増加を引き起
こす。すなわち、シミュレーション値に対して実際の遅
延値が大きくなる。また、隣り合う各配線3a〜3c間
でパルス信号pが同相で動作する場合には信号遅延の減
少を引き起こす。すなわち、シミュレーション値に対し
て実際の遅延値が小さくなる。
For example, in FIG. 4, wirings 3a and 3c
At the timing when the pulse signal p falls
b, the signal delays when the pulse signal p rises at the wirings 3a and 3c and falls at the timing when the pulse signal p rises at the wiring 3b. Cause an increase. That is, the actual delay value becomes larger than the simulation value. When the pulse signal p operates in the same phase between the adjacent wirings 3a to 3c, the signal delay is reduced. That is, the actual delay value becomes smaller than the simulation value.

【0006】回路における入力信号印加タイミング条件
などは、シミュレーションで求めた遅延値を考慮して決
められるので、上述したような原因で実際の回路におい
て遅延値の変動が大きくなり、シミュレーション値との
誤差が大きくなると、回路の正常な動作を保証できず不
具合を起こすことがあった。
Since the input signal application timing conditions in the circuit are determined in consideration of the delay value obtained by the simulation, the fluctuation of the delay value in the actual circuit becomes large due to the above-mentioned causes, and the error from the simulation value becomes large. When the size of the circuit becomes large, normal operation of the circuit cannot be guaranteed, and a problem may occur.

【0007】また、配線間隔を広げれば配線間容量は小
さくなり、クロストークの影響を小さくして遅延の変動
も小さくできる。しかし、この方法はチップサイズの増
大を招いてしまう。
Further, if the wiring interval is increased, the capacitance between the wirings is reduced, and the influence of crosstalk is reduced, so that the fluctuation of delay can be reduced. However, this method causes an increase in chip size.

【0008】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、チッ
プサイズを増大させることなく信号の遅延値変動を抑制
できる半導体装置及びその製造方法を提供することを課
題とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, which can suppress a signal delay value fluctuation without increasing a chip size.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置で
は、リピータを介在させて素子間を接続した配線が、複
数本並列して形成されており、隣り合う配線間で対応す
る位置のリピータ間で入出力特性の論理を逆にした。
In a semiconductor device according to the present invention, a plurality of wirings connecting elements with a repeater interposed therebetween are formed in parallel, and between adjacent wirings, a corresponding position between the repeaters is set. Reversed the logic of input / output characteristics.

【0010】本発明の半導体装置の製造方法では、隣り
合う配線間で対応する位置のリピータ間で入出力特性の
論理が逆になるようにリピータを配線に介在させる。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a repeater is interposed between wirings so that the logic of input / output characteristics is reversed between repeaters at corresponding positions between adjacent wirings.

【0011】すなわち、本発明では、隣り合う配線間で
信号が逆相のときと同相のときとが交互になるようにし
て、遅延値の増加と減少とが互いに打ち消し合うように
している。
In other words, according to the present invention, an increase and a decrease in the delay value cancel each other out by making the signal of the opposite phase and the signal of the same phase alternate between adjacent wirings.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、従来と同じ構成部分
には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those in the related art are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0013】図1は、本発明の実施の形態によるブロッ
ク間配線図を示す。半導体チップ上に形成された部分回
路を表す各ブロックB1、B2は、それぞれ、複数の素
子(例えばMOSトランジスタ)1a〜1c、2a〜2
cを有し、これらブロックB1、B2間でそれぞれの素
子1a〜1c、2a〜2cは配線3a、3b、3cで接
続されている。各配線3a、3b、3cは並列して、且
つ近接して形成され、ブロックB1、B2間を接続して
いる。なお、図示では3本の配線3a、3b、3cのみ
しか示されていないが、一般的にブロック間は数十本の
配線で接続されることが多い。
FIG. 1 shows a wiring diagram between blocks according to an embodiment of the present invention. Each of the blocks B1 and B2 representing a partial circuit formed on the semiconductor chip includes a plurality of elements (for example, MOS transistors) 1a to 1c and 2a to 2
c, and the elements 1a to 1c and 2a to 2c are connected between the blocks B1 and B2 by wirings 3a, 3b, and 3c. The wirings 3a, 3b, 3c are formed in parallel and close to each other, and connect the blocks B1, B2. Although only three wires 3a, 3b, and 3c are shown in the figure, blocks are generally connected by tens of wires.

【0014】配線3aには3個のリピータ14a、15
a、16aが直列的に介在されている。パルス信号pの
伝送方向に見て、リピータ14aが1段目のリピータ
を、リピータ15aが2段目のリピータを、リピータ1
6aが3段目のリピータを構成する。これらリピータ1
4a、15a、16aは、何れもパルス信号pの増幅及
び再生(波形の修復)を行う機能を有し、例えばMOS
トランジスタが用いられる。これと同じことが後述する
リピータ14b、15b、16b、14c、15c、1
6cについても言える。
The wiring 3a has three repeaters 14a, 15
a and 16a are interposed in series. When viewed in the transmission direction of the pulse signal p, the repeater 14a refers to the first-stage repeater, the repeater 15a refers to the second-stage repeater, and the repeater 1
6a constitutes a third-stage repeater. These repeaters 1
Each of 4a, 15a, and 16a has a function of amplifying and reproducing (recovering a waveform) the pulse signal p.
A transistor is used. The same is true for repeaters 14b, 15b, 16b, 14c, 15c, 1
6c.

【0015】1段目と3段目のリピータ14a、16a
は正転特性の入出力特性を有し、2段目のリピータ15
aは反転特性の入出力特性を有する。
First and third stage repeaters 14a, 16a
Has the input / output characteristic of the forward rotation characteristic, and has the second-stage repeater 15.
“a” has input / output characteristics of inversion characteristics.

【0016】配線3bには3個のリピータ14b、15
b、16bが直列的に介在されている。パルス信号pの
伝送方向に見て、リピータ14bが1段目のリピータ
を、リピータ15bが2段目のリピータを、リピータ1
6bが3段目のリピータを構成する。1段目と3段目の
リピータ14b、16bは反転特性の入出力特性を有
し、2段目のリピータ15bは正転特性の入出力特性を
有する。
The wiring 3b has three repeaters 14b, 15
b and 16b are interposed in series. When viewed in the transmission direction of the pulse signal p, the repeater 14b is the first-stage repeater, the repeater 15b is the second-stage repeater,
6b constitutes a third-stage repeater. The first and third-stage repeaters 14b and 16b have input / output characteristics of inversion characteristics, and the second-stage repeater 15b has input / output characteristics of normal rotation characteristics.

【0017】配線3cには3個のリピータ14c、15
c、16cが直列的に介在されている。パルス信号pの
伝送方向に見て、リピータ14cが1段目のリピータ
を、リピータ15cが2段目のリピータを、リピータ1
6cが3段目のリピータを構成する。1段目と3段目の
リピータ14c、16cは正転特性の入出力特性を有
し、2段目のリピータ15cは反転特性の入出力特性を
有する。
The wiring 3c has three repeaters 14c and 15
c and 16c are interposed in series. As viewed in the transmission direction of the pulse signal p, the repeater 14c is the first-stage repeater, the repeater 15c is the second-stage repeater,
6c constitutes a third-stage repeater. The first and third-stage repeaters 14c and 16c have input / output characteristics of normal rotation characteristics, and the second-stage repeater 15c has input / output characteristics of inversion characteristics.

【0018】すなわち、本実施の形態では、隣り合う配
線間で対応する各位置(1段目、2段目、3段目)にお
けるリピータ間で信号の入出力特性の論理が逆になるよ
うにしている。
That is, in the present embodiment, the logic of the input / output characteristic of the signal is reversed between the repeaters at the corresponding positions (first, second, third) between the adjacent wirings. ing.

【0019】このように構成されるブロックB1、B2
間の配線3a〜3cを介して、例えばブロックB1から
ブロック2Bへ図示のようなパルス信号pが伝送される
とする。
The blocks B1 and B2 thus configured
It is assumed that, for example, a pulse signal p as shown in the figure is transmitted from the block B1 to the block 2B via the wirings 3a to 3c therebetween.

【0020】素子1a〜1cと1段目のリピータ14a
〜14cとの間では、隣り合う配線間でパルス信号pは
逆相である(配線31bで立ち上がるタイミングで配線
31a、31cでは立ち下がり、配線31bで立ち下が
るタイミングで配線31a、31cでは立ち上がる)。
そして、配線31aを伝送するパルス信号pはリピータ
14aに入力し、正転増幅される。配線31bを伝送す
るパルス信号pはリピータ14bに入力し、反転増幅さ
れる。配線31cを伝送するパルス信号pはリピータ1
4cに入力し、正転増幅される。これにより、1段目の
リピータ14a〜14cと2段目のリピータ15a〜1
5cとの間の配線32a〜32cでは、隣り合う配線間
でパルス信号pが同相となる。
Elements 1a-1c and first-stage repeater 14a
Between 14c and 14c, the pulse signal p has an opposite phase between adjacent wirings (falls at the wirings 31a and 31c at the rising timing of the wiring 31b and rises at the timing of falling at the wiring 31b).
Then, the pulse signal p transmitted through the wiring 31a is input to the repeater 14a and is forward-amplified. The pulse signal p transmitted through the wiring 31b is input to the repeater 14b and is inverted and amplified. The pulse signal p transmitted through the wiring 31c is the repeater 1
4c and is forward amplified. Thereby, the first-stage repeaters 14a to 14c and the second-stage repeaters 15a to 15a
In the wirings 32a to 32c between the adjacent wirings, the pulse signal p has the same phase.

【0021】次いで、配線32aを伝送するパルス信号
pはリピータ15aに入力し、反転増幅される。配線3
2bを伝送するパルス信号pはリピータ15bに入力
し、正転増幅される。配線32cを伝送するパルス信号
pはリピータ15cに入力し、反転増幅される。これに
より、2段目のリピータ15a〜15cと3段目のリピ
ータ16a〜16cとの間の配線33a〜33cでは、
隣り合う配線間でパルス信号pが逆相となる。
Next, the pulse signal p transmitted through the wiring 32a is input to the repeater 15a and is inverted and amplified. Wiring 3
The pulse signal p transmitting 2b is input to the repeater 15b and is forward-amplified. The pulse signal p transmitted through the wiring 32c is input to the repeater 15c and is inverted and amplified. Accordingly, in the wirings 33a to 33c between the second-stage repeaters 15a to 15c and the third-stage repeaters 16a to 16c,
The phase of the pulse signal p is reversed between adjacent wirings.

【0022】次いで、配線33aを伝送するパルス信号
pはリピータ16aに入力し、正転増幅される。配線3
3bを伝送するパルス信号pはリピータ16bに入力
し、反転増幅される。配線33cを伝送するパルス信号
pはリピータ16cに入力し、正転増幅される。これに
より、3段目のリピータ16a〜16cと素子2a〜2
cとの間の配線34a〜34cでは、隣り合う配線間で
パルス信号pが同相となる。
Next, the pulse signal p transmitted through the wiring 33a is input to the repeater 16a and is forward-amplified. Wiring 3
The pulse signal p transmitting 3b is input to the repeater 16b and is inverted and amplified. The pulse signal p transmitted through the wiring 33c is input to the repeater 16c and is forward-amplified. Thereby, the third-stage repeaters 16a to 16c and the elements 2a to 2
In the wirings 34a to 34c between the adjacent wirings, the pulse signal p has the same phase between the adjacent wirings.

【0023】以上述べたように、本実施の形態では、隣
り合う配線間で信号が逆相、同相交互に動作(伝送)す
るので遅延値の増加と減少が互いに打ち消し合う。これ
によって、遅延値の変動が抑制できるので、シミュレー
ション値との誤差を小さくでき回路の誤動作を防げる。
また、従来に比べ、単にリピータの入出力特性の論理変
更だけでよいため、工程数や作業時間、チップサイズの
増大を招かない。
As described above, in this embodiment, the signals operate (transmit) alternately in phase and in phase alternately between adjacent wires, so that the increase and decrease of the delay value cancel each other. As a result, the fluctuation of the delay value can be suppressed, so that the error from the simulation value can be reduced and the malfunction of the circuit can be prevented.
Further, as compared with the related art, only the logical change of the input / output characteristics of the repeater is required, so that the number of steps, the operation time, and the chip size are not increased.

【0024】また、配線1本当たりのリピータの個数が
奇数であることによって、同相で動作する配線32a〜
32c、34a〜34cと、逆相で動作する配線31a
〜31c、33a〜33cとの数が等しくなり、打ち消
し合うことができなくなる配線がなく、全ての配線が互
いに遅延変動を打ち消し合うことができる。これによっ
て、遅延変動の抑制効果はより高まる。
Further, since the number of repeaters per wiring is odd, the wirings 32a to
32c, 34a to 34c, and wiring 31a operating in opposite phase
To 31c and 33a to 33c are equal to each other, and there is no wiring that cannot be canceled out, and all the wirings can cancel out the delay variation. Thereby, the effect of suppressing the delay fluctuation is further enhanced.

【0025】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is, of course, not limited thereto, and various modifications can be made based on the technical concept of the present invention.

【0026】上記実施の形態では、各配線3a〜3cご
とのリピータ数は3段としたがこれに限らない。リピー
タが何段になっても、隣り合う配線間で対応する段のリ
ピータ間で入出力特性の論理が逆になるようにすればよ
い。また、チップ内にはブロックB1、B2以外のその
他複数のブロックが存在していてもよい。そして、その
ブロック間を接続する配線が複数本並列して形成されて
いれば本発明が適用できる。
In the above embodiment, the number of repeaters for each of the wirings 3a to 3c is three, but is not limited to this. Regardless of the number of stages of the repeaters, the logic of the input / output characteristics may be reversed between the repeaters of the corresponding stages between the adjacent wirings. Further, a plurality of blocks other than the blocks B1 and B2 may exist in the chip. The present invention can be applied if a plurality of wirings connecting the blocks are formed in parallel.

【0027】また上記実施の形態では、配線31a〜3
1c及び33a〜33cでは隣り合う配線間でパルス信
号pが逆相、配線32a〜32c及び34a〜34cで
は隣り合う配線間でパルス信号pが同相としたが、図2
に示すように、配線31a〜31c及び33a〜33c
では隣り合う配線間でパルス信号pが同相、配線32a
〜32c及び34a〜34cでは隣り合う配線間でパル
ス信号pが逆相としてもよい。
In the above embodiment, the wirings 31a to 31a
In FIGS. 1c and 33a to 33c, the pulse signal p has an opposite phase between adjacent wirings, and in the wirings 32a to 32c and 34a to 34c, the pulse signal p has the same phase between adjacent wirings.
As shown in the figure, wirings 31a to 31c and 33a to 33c
Then, the pulse signal p is in phase between adjacent wirings, and the wiring 32a
32c and 34a to 34c, the phase of the pulse signal p may be reversed between adjacent wirings.

【0028】更に、上記実施の形態で示した2段目リピ
ータ15a〜15c、3段目リピータ16a〜16cそ
れぞれの入出力特性の論理を逆にして、図3に示すよう
な2段目リピータ25a〜25c、3段目リピータ26
a〜26cとしても、同様な効果が得られる。
Further, the logic of the input / output characteristics of each of the second-stage repeaters 15a to 15c and the third-stage repeaters 16a to 16c shown in the above embodiment is reversed, and the second-stage repeater 25a as shown in FIG. ~ 25c, 3rd stage repeater 26
Similar effects can be obtained for a to 26c.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明の請求項1、3によれば、隣り合
う配線間での信号のクロストークによる遅延変動を抑制
して回路の信頼性を向上させることができる。
According to the first and third aspects of the present invention, it is possible to suppress the delay variation due to the crosstalk of the signal between the adjacent wirings and improve the reliability of the circuit.

【0030】本発明の請求項2、4によれば、より一層
の信号の遅延変動抑制効果が得られる。
According to the second and fourth aspects of the present invention, a further effect of suppressing signal delay fluctuation can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態によるブロック間の配線図
である。
FIG. 1 is a wiring diagram between blocks according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の配線図において、交互に繰り返される隣
り合う配線間での信号の同相、逆相の順番を変えた図で
ある。
FIG. 2 is a diagram in which the order of in-phase and out-of-phase signals between adjacent wirings that are alternately repeated in the wiring diagram of FIG. 1 is changed.

【図3】本発明の変形例によるブロック間の配線図であ
る。
FIG. 3 is a wiring diagram between blocks according to a modified example of the present invention.

【図4】従来のブロック間の配線図である。FIG. 4 is a wiring diagram between conventional blocks.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1c……素子、2a〜2c……素子、3a〜3c
……配線、14a〜14c……リピータ、15a〜15
c……リピータ、16a〜16c……リピータ、25a
〜25c……リピータ、26a〜26c……リピータ、
B1……ブロック、B2……ブロック。
1a to 1c: Element, 2a to 2c: Element, 3a to 3c
... Wiring, 14a to 14c ... Repeater, 15a to 15
c: repeater, 16a to 16c: repeater, 25a
~ 25c ... repeater, 26a ~ 26c ... repeater,
B1 ... block, B2 ... block.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リピータを介在させて素子間を接続した
配線が、複数本並列して形成された半導体装置であっ
て、 隣り合う前記配線間で対応する位置の前記リピータ間で
入出力特性の論理を逆にしたことを特徴とする半導体装
置。
1. A semiconductor device in which a plurality of interconnects connected between elements with a repeater interposed are formed in parallel, and the input / output characteristics of the repeaters at corresponding positions between the adjacent interconnects are reduced. A semiconductor device having inverted logic.
【請求項2】 前記配線1本当たりの前記リピータの個
数を奇数個としたことを特徴とする請求項1に記載の半
導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the number of said repeaters per said wiring is an odd number.
【請求項3】 素子間をリピータを介在させた配線で接
続すると共に、前記配線を複数本並列して形成する半導
体装置の製造方法であって、 隣り合う前記配線間で対応する位置の前記リピータ間で
入出力特性の論理が逆になるように前記リピータを前記
配線に介在させることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
3. A method of manufacturing a semiconductor device in which elements are connected by wiring with a repeater interposed therebetween and a plurality of the wirings are formed in parallel, wherein the repeater at a corresponding position between the adjacent wirings A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: interposing the repeater in the wiring so that the logic of input / output characteristics is reversed between the wirings.
【請求項4】 前記配線1本当たりの前記リピータの個
数を奇数個とすることを特徴とする請求項3に記載の半
導体装置の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the number of said repeaters per said wiring is an odd number.
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