JP2002365465A - 光ファイバ・アレイ - Google Patents

光ファイバ・アレイ

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JP2002365465A
JP2002365465A JP2002125218A JP2002125218A JP2002365465A JP 2002365465 A JP2002365465 A JP 2002365465A JP 2002125218 A JP2002125218 A JP 2002125218A JP 2002125218 A JP2002125218 A JP 2002125218A JP 2002365465 A JP2002365465 A JP 2002365465A
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faceplate
array
diameter
channel
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JP2002125218A
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Arthur D Bauer
デー.バウアー アーサー
Philip A Dimascio
エー.デマスシオ フィリップ
Robin M Kearns
エム.カーンズ ロビン
Edward T Warych
テー.ワリッヒ エドワード
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Furukawa Electric North America Inc
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Fitel USA Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 容易に製造できる高精度のファイバ・アレイ
を提供する。 【解決手段】 各ファイバの端部は、被覆層が剥がさ
れ、ファイバのクラッド層を露出する。各フェースプレ
ート穴の最小内径は、ファイバのクラッド層の最大外径
より大きく、各ファイバのクラッド層が任意の穴を通じ
て完全に挿入されることを可能にする。プロセスが完成
したとき、コア層の完全な断面が、フェースプレートの
前側に確実に露出されるために、光ファイバは、一方
(後)のフェースプレート表面に挿入され、穴を通り、
剥がされたファイバ端部の十分なセグメントが反対側
(前表面)のフェースプレート表面を越えて延びる。い
ったん挿入されると、ファイバは、所定位置に固定さ
れ、フェースプレート前表面を超えて延びるファイバの
部分は取り除かれる。ファイバ端面はフェースプレート
の前表面と実質的に同一平面のままにされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ファイバ光学アレ
イに関し、特に、高精度ファイバ光学アレイおよび高精
度ファイバ光学アレイを作る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】雑音免疫性(noise immuni
ty)および非常に高い帯域幅容量は、電子的伝送を介
して享受される、特に光ファイバおよび集積された光導
波路などの導波路内における光信号伝送の数多くの利点
のほんのわずかなものである。その結果、光学構成部品
は、通信および他のシステムにおけるそれらの電子的な
対応する構成部品を急速に置き換えている。しかし、光
学的動作に得られる多くの利点にもかかわらず、多くの
電子的通信構成部品は、対応する光学構成部品によって
なお置き換えられるべきである。例えば、光交差接続
(opticalcross−connect)は、マ
イクロエレクトロメカニカル・ミラー・アレイなどの光
スイッチング装置からの光を、受信ファイバに結合する
ために、光ファイバ端面の正確な配置を必要とする。光
クロスバー・スイッチのための2次元ファイバ光アレイ
は、例えば、Anthony L.Lentineらの
「High−Speed Optoelectroni
c VLSI Switching Chip wit
h > 4000 Optical I/O Base
d on Flip Chip Bonding of
MQW Modulators and Detec
tors to Silicon CMOS(シリコン
CMOSに対するMQWモジュレータおよび検出器のフ
リップ・チップ・ボンディングに基づく、4000個を
超える光I/Oを有する高速光電子VLSIスイッチン
グ・チップ)」IEEE Journal of Se
lected Topics in Quantum
Electronics Vol.2、No.1、77
頁、1996年4月、および、Geoff M.Pro
udly、Henry Whiteの「Fabrica
tion of TwoDimensional Fi
ber Optic Arrays for an O
ptical Crossbar Switch(光ク
ロスバー・スイッチのための2次元ファイバ光アレイの
製造)」、Optical Engineering、
1994年2月、Vol.33 No.2、 627〜
635頁、ならびに、Shermanらへの1999年
5月25日に発行された米国特許第5,907,650
号に議論されており、これらは全て参照によって、本明
細書に組み込まれる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上で参照された刊行物
に記載されたプロセスにもかかわらず、容易に製造でき
る高精度のファイバ・アレイに関する必要がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の原理による光フ
ァイバ・アレイは、フェースプレートを完全に通って前
表面から後表面へ延びる複数の正確に配置された孔を有
するフェースプレートを含む。各穴は、穴を通じて挿入
された光ファイバを有し、各ファイバは、コア層、クラ
ッド層、および被覆層を含む。各ファイバの端部は、被
覆層が剥がされ、ファイバのクラッド層を露出する。各
フェースプレート穴の最小内径は、ファイバのクラッド
層の最大外径より大きく、各ファイバクラッド層が任意
の穴を通じて完全に挿入されることを可能にする。今日
幅広く使用される光ファイバは、一般にガラス・コアを
含むが、本発明の原理による光アレイは、中空のコアを
特徴とするフォトニック・クリスタル・ファイバ(ph
otonic crystal fiber)などの他
のファイバを用いることができる。本明細書における
「クラッド層」の用語の使用は、フォトニック・クリス
タル・ファイバの中空のコアを包囲するバンドギャップ
材料を取り囲むものを意味する。
【0005】図示された実施形態において、各穴は、電
気化学エッチング、ディープ反応性イオン・エッチン
グ、レーザ・アブレーション、またはそのような方法の
任意の組み合わせを使用して形成されることができる。
フェースプレート穴を形成し、光ファイバ端部から被覆
層を剥がした後、プロセスが完成したとき、コア層の完
全な断面が、フェースプレートの前側に確実に露出され
るために、光ファイバは、一方(後表面)のフェースプ
レート表面に挿入され、穴を通り、剥がされたファイバ
端部の十分なセグメントが反対側(前表面)のフェース
プレート表面を越えて延びる。いったん挿入されると、
ファイバは、所定位置に固定され、フェースプレート前
表面を超えて延びるファイバの部分は、レーザ切断また
は機械的なせん断プロセスを使用して取り除かれる。こ
のせん断プロセスは、ファイバ端面をフェースプレート
の前表面と実質的に同一平面にされる。その後、ファイ
バ端面は研磨され、反射防止被覆が付けられる。
【0006】本発明の上記およびさらなる特徴、態様、
および利点は、添付の図面とともになされる以下の詳細
な記載から当業者には明らかとなるであろう。
【0007】
【発明の実施の形態】図1Aの上面図は、本発明の原理
による光ファイバ・アレイ100を示す。アレイ100
は、前表面から後表面へフェースプレートを通って延び
る、複数の正確に配置された穴104を有するフェース
プレート102を含む。アレイは、例えば4×20ファ
イバの矩形アレイとして、あるいは4×4、9×9、1
9×19、36×36、または38×38ファイバの正
方形アレイとして、様々な幾何構成で編成されることが
できる。集積回路製造プロセスを用いて、穴中心間の間
隔CCの精度は、±1ミクロンメートルに保つことがで
きる。以下の図面に関連する議論でより詳細に説明され
るように、穴104の径Dは、穴を通して挿入される光
ファイバのクラッド層の外径より大きい。
【0008】図1Bの断面図により詳細に示されるよう
に、各穴104は、穴を通して挿入された光ファイバ1
06を有する。フェースプレートの厚みFTは、例とし
て300〜500ミクロンメートルの範囲にある。フェ
ースプレート102は、集積回路工業において広く用い
られ、集積回路工業の製造技術に従うシリコンなどの材
料で構成されることができる。特に、フェースプレート
は、切断されかつ研磨された集積回路シリコン「ウェ
ハ」の全体または一部からなることができる。容易に入
手でき、集積回路製造において使用がよく知られている
ことに加えて、シリコン・ウェハは、光ファイバ106
の熱膨張率に接近して匹敵する熱膨張率という追加の利
点を提供する。それにもかかわらず、価格または他の理
由のために、ジルコニア、アルミナ、カプトン・ポリイ
ミド、またはステンレス鋼などの他の材料が、フェース
プレート材料として用いられることができる。示された
実施形態において、各穴は、電気化学エッチング、ディ
ープ反応性イオン・エッチング、レーザ切断、またはそ
のような方法の任意の組み合わせを用いて形成されるこ
とができる。例えば、細長いチャネルの形成は、シリコ
ンなどの基板材料であり、これは、参照によって本明細
書にその全体が組み込まれる、Beetz,Jr.らに
1999年12月7日に発行された米国特許第5,99
7,713号「Silicon Etching Pr
ocessing for Making Micro
channel Plate(マクロチャネル・プレー
トを作るためのシリコン・エッチング・プロセス)」か
ら知られ、かつそこに記載されている。
【0009】図2の断面図に示されるように、各ファイ
バ106は、コア層200、クラッド層202、および
被覆またはバッファ204層を含む。各ファイバの端部
は、被覆層を剥がされ、ファイバのクラッド層の長さT
L+BDを露出する。高温硫酸ストリップは、ほとんど
のジャケットを剥がすのに用いることができる。各フェ
ースプレート穴の最小内径は、ファイバのクラッド層の
最大外径CDより大きく、各ファイバ・クラッド層を任
意の穴を通して完全に挿入することを可能にする。クラ
ッド外径CDは、一般に125マイクロメートルであ
る。露出されたファイバの全長が径CDを有し、ファイ
バ106を、剥がした後で穴104を通して挿入するこ
とができるが、ファイバ端部を、穴104内へのファイ
バの挿入を容易にするために、長さTLを有するテーパ
が付けられた先端206に形成することができる。光フ
ァイバのテーパが付けられた先端を形成するためのエッ
チング処置は、例えば、参照により本明細書にその全体
が組み込まれる、Turnerへ1984年9月4日に
発行された米国特許第4,469,554号「Etch
Procedure For Optical Fi
bers(光ファイバのためのエッチング処置)」から
知られ、かつそこに記載されている。このプロセスを用
いて、テーパが付けられた先端206を形成することが
でき、ファイバ・コア206の長さCLを露出すること
ができる。テーパが付けられたファイバの長さTLは、
ファイバのクラッド径の約10倍であり、露出されたコ
アの長さは、クラッド径の長さの約2倍から3倍であ
り、長さBDは十分に長く、ファイバの剥がされたセク
ション(BD+TL+CL)は、フェースプレートと、
フェースプレートの前表面および後表面の接着層を通し
て完全に挿入されることができ、フェースプレートの前
表面で、またはフェースプレートの前表面に加えらえる
ことができる任意の接着剤の前表面で、ファイバ・コア
の十分な断面を露出する。
【0010】図3Aの断面において、2つの穴300お
よび302が、フェースプレート102に形成される、
図1の穴104のような穴の詳細な断面図を提供する。
フェースプレート102は、前表面304と後表面30
6との間を連絡する、穴300および302を有する前
表面304および後表面306を有する。各穴は、フェ
ースプレート前径FFDおよびフェースプレート後径を
有して形成される。ファイバ端部の挿入を容易にするた
めに、径FFDおよびFRDは等しいことが可能である
が、後径FRDを、前径FFDより大きく作ることがで
きる。すなわち、より大きいフェースプレート後径にす
ると、ファイバを、より大きいターゲット穴、および
「じょうご状の」正確に配置されぴったり嵌る前穴に挿
入することができる。さらに、穴内のエポキシが、ファ
イバが穴内に挿入されたとき、ファイバのための誘導、
支持、および「ルース・ホールド(loose hol
d)」を提供する機能をする。いったん硬化されると、
フェースプレートの前表面および後表面でファイバを囲
みかつ接着するエポキシに加えて、穴内のファイバを囲
むエポキシは、所定位置にファイバを固定するだけでな
く、挿入されたファイバに関して引っ張りおよび曲げの
軽減を提供する。
【0011】両方の径FFDおよびFRDは、各穴に挿
入されるファイバの外側クラッド径CDより大きく、そ
のジャケット層が剥がされたファイバが、フェースプレ
ート102に挿入されたとき、フェースプレート102
を完全に通過することを可能にする。前述したように、
外側クラッド径CDは、一般に125マイクロメートル
にほぼ等しい。FFDであれFRDであれ、最小内径、
または中間位置の穴壁内の径は、外側クラッド径より大
きい。示された実施形態において、最小内径はクラッド
径よりほぼ1マイクロメートル大きく、126マイクロ
メートルの内径を生じる。以下のより詳細に説明するよ
うに、クラッド層を囲むエポキシの層とともに、クラッ
ド層と内側穴径との間のぴったりとしたはめ込みは、封
入されるファイバの支持を与え、ファイバの完全な挿入
を(すなわち、ファイバ・コアの十分な断面が、フェー
スプレートの前側に露出するまでのファイバの挿入)妨
げることなく、ファイバ・コアの正確な配置を助長す
る。
【0012】穴は、軸308などの軸に沿って形成さ
れ、示された実施形態の軸308は、フェースプレート
の前表面304および後表面306に対して垂直である
が、穴を、垂直に対してある角度、例えば図3Bにおけ
るように8°の角度で形成することができる。ファイバ
端面上に直接投射される光の大部分は、反射されて光源
に戻ることができる。光交差接続において、例えば、マ
イクロエレクトロメカニカル・ミラーからファイバ端面
へ反射された光の大部分は、ミラーへ反射されて戻るこ
とができ、したがって、入力ファイバから出力ファイバ
へ結合される信号パワーを低減し、かつ光交差接続の効
率を低下させる。ファイバ端部を軸からずらすことによ
って、より少ない光が、ファイバ端部で反射され、より
多く割合の光がファイバに結合される。正確に配置さ
れ、同一の楕円断面を呈する光ファイバのアレイを、例
えば、光交差接続に好都合に用いることができる。角度
付けられた穴を、結晶格子が例えば「軸がずれた(of
f−axis)」シリコンの角度などに沿って整列され
た、結晶基板材料の電気化学的エッチングによって形成
することができる。
【0013】図4の断面図は、前述されたように、穴1
04内に挿入されたファイバの断面図を示す。ファイバ
・コア200、ファイバ・クラッド202、ファイバ被
覆204、ファイバ・テーパ206、およびフェースプ
レート102は、同様に前述されている。示された実施
形態において、挿入されたファイバは、フェースプレー
ト102の後表面に付けられた紫外線または熱硬化エポ
キシ400、フェースプレート102の前表面に付けら
れた接着剤層402、およびファイバを実質的に封入す
る接着充填剤404によって、その貫通穴位置に取り付
けられる。ファイバは、ファイバ・コア200が、フェ
ースプレートの前側に露出されることを確実にするため
に、穴を通って十分な距離を伸びる。
【0014】以下により詳細に記載するように、低粘度
接着剤を穴内に射出し、フェースプレート穴内の空間を
充填し、かつフェースプレート前表面上にフィルムを形
成することができる。Epoxy technolog
ies,Incから入手できるEpo−tec301な
どのエポキシを、この適用に関して用いることができ
る。エポキシを穴内に「プレショット(presho
t)」した後、ファイバを穴内に挿入する。エポキシ
は、ファイバが挿入されたとき、およびエポキシは、光
ファイバ・クラッド層の外径よりわずかに大きい穴内の
ファイバ・クラッドを囲むため、ファイバ上に「ソフト
・ホールド(soft hold)」を与え、穴を通り
フェースプレートの前表面の外部へのファイバの案内を
助長する。Epo−tec302−3の追加の層で、よ
り良好な研磨表面を与えるために、フィルム・エポキシ
層上を覆うことができる。ファイバが挿入された後、他
のエポキシ層をフェースプレートの後表面に付ける。そ
の後、エポキシが硬化され、機械的またはレーザ切断手
段によって、突出するファイバ先端が切り取られ、ファ
イバ端面およびファースプレート前表面が研磨され、反
射防止被覆を付けることができる。フェースプレートの
前表面に付けられる接着剤を、ファイバ・コアの十分な
断面がフェースプレートの前側に露出されることを確実
にするために、研磨することができる。前述したよう
に、ファイバ端部を、円筒形、または穴を通して挿入を
容易にするためにテーパに形成することができる。穴も
同様に円筒形またはテーパであることができるが、穴の
最も狭い径は、ファイバ・クラッド層の最大径よりも大
きく、ファイバがフェースプレートを通して完全に挿入
されることを可能にし、穴を、戻る反射を低減するため
にフェースプレートを通してある角度に形成することが
できる。ファイバは、全てのファイバ端面が実質的に同
一面であるアレイを形成するために、切り取られかつ研
磨される。一般に、標準的な切断、研削、および研磨プ
ロセスを使用することができる。
【0015】図5Aの断面は、本発明の原理によるフェ
ースプレートを示し、広いセクション504および狭い
セクション506を含むファイバ貫通穴502が、フェ
ースプレート500に形成される。示された実施形態に
おいて、フェースプレート500から大部分の穴材料を
除去するために、例えば電気化学的なエッチング、また
はディープ反応性イオン・エッチング・プロセスを用い
て、広いセクション504がまず形成される(図5Bに
示されるように)。このように大部分の材料を除去した
後、レーザ切断などのより正確な穴形成プロセスを、フ
ェースプレートの前面に存在する狭いセクション506
を形成するために用いることができる。フェースプレー
トの後面の穴径RHD、すなわちファイバが穴内に挿入
される面は、フェースプレートの前の径FFHDよりか
なり大きい。前述したように、この示された実施形態に
おいて、126マイクロメートルの狭いセクション50
6内の穴502の最も狭い領域は、穴に挿入されるファ
イバのもっとも広いクラッド径よりも広い。500マイ
クロメートルのフェースプレートの後穴の径RHDは、
ファイバの被覆またはバッファ層を収容するのに十分に
大きくすることができる。穴の広いセクション504
は、穴内へのファイバの挿入を容易にするために、示さ
れるように実質的に円錐であることができる。狭いセク
ション506は、実質的に円筒形として示されている
が、図3に関連する議論で記載されたように、円錐形状
とすることもできる。
【0016】図6の断面図は、図5に関連する議論で記
載されたような2セクション穴を示し、光ファイバ・ア
レイが複数の2セクション穴を含む。コア層200、ク
ラッド層202、およびバッファ層204を含む光ファ
イバは、フェースプレート606の穴600(広いセク
ション602および狭いセクション604を含む)内の
所定位置に固定される。この示された実施形態におい
て、ファイバ600が、エポキシ610などの接着剤に
よって所定位置に保持され、接着剤は、広いセクション
602内でファイバを囲み、クラッド層202と狭いセ
クション604の壁との間の間隙を実質的に充填する。
所定位置へのファイバの固定に加えて、接着剤は、ファ
イバに関する引っ張りおよび曲げの軽減を与える。フェ
ースプレートの前表面の接着剤層、およびフェースプレ
ートの後表面の接着剤層608は、挿入されたファイバ
の追加の支持を提供することができる。挿入されたファ
イバに関する引っ張りおよび曲げを実質的に軽減を与え
るために、フェースプレートの後表面の接着剤層608
を、例えばフェースプレートの2倍の厚みよりも実質的
に厚くできる。この示された実施形態において、ファイ
バは、クラッド層204を囲み、物理的損傷からクラッ
ド層204を遮蔽するジャケット612を含む。ジャケ
ット612は、一般にナイロンなどの合成材料からな
り、径が約900マイクロメートルである。光ファイバ
のクラッド層の遮蔽に加えて、ジャケットは、フェース
プレート後表面に対して当ることによってストップとし
て動作することができ、それによって、フェースプレー
ト穴内へのファイバの前進を終わらせる。ジャケット
は、ファイバの関する引っ張りおよび曲げの軽減を与え
るために、後接着剤層608によって包まれることがで
きる。
【0017】図7Aの断面図は、本発明の原理によるフ
ァイバ・アレイを形成するために、図7Bのフェースプ
レートなどのフェースプレートに挿入するためのフェル
ールに収容された(ferrule−housed)光
ファイバを示す。フェルール700は、長さFLだけ延
び、長さFLは、封入された光ファイバの遠位端から、
被覆層が剥がされたファイバのセクションを越えるまで
延びる。ファイバ・コア200、クラッド202、バッ
ファ204、およびジャケット612は、前述されたも
のである。実質的に円筒形のフェルールの遠位端は、フ
ェースプレート702の前表面708に形成されたスト
ップ706と当るために、部分的な円錐セクション70
1などのメイティング・セグメント(mating s
egment)を含むことができる。図7Bに示される
実施形態において、穴704を、従来の成形または機械
加工技術を用いてフェースプレート702に形成するこ
とができる。穴704の内径は、全てのファイバ層の外
径より大きいが、ファイバを収容するフェルールのメイ
ティング・セグメント701とかみ合うために形成され
たストップ706を含むことができる。
【0018】図7Cは、本発明の原理による光ファイバ
・アレイの一部を形成するために、フェースプレート7
02穴704に挿入されるフェルールに収容された光フ
ァイバ(ファイバ・コア200、クラッド202、バッ
ファ204、ジャケット612、およびフェルール70
0を含む)の断面図を提供する。接着剤層710は、フ
ェースプレート702の後表面(挿入側)に形成され、
所定位置にフェルールを保持する。接着剤は、例えば紫
外線硬化または熱硬化されるエポキシであることがで
き、接着剤層(図示せず)は、同様に穴の内側でフェル
ールを囲むことができる。この示された実施形態におい
て、フェースプレートの厚みは、一般に13マイクロメ
ートルから25マイクロメートルの範囲にあるフェルー
ルの長さに実質的に等しく、全穴径は、一般に0.75
ミリメートルから1ミリメートルの範囲にあるフェルー
ルの外径よりわずかに大きい。ファイバ・アレイのこの
実施形態を製造する途中において、接着剤が穴内にプレ
ショットされ、フェルールに収容されたファイバは穴内
に挿入される。硬化されていないエポキシで例示される
接着剤は、所定位置にフェルールを「フロート(flo
at)」する機能をする。信号を個々のファイバに放射
するための光源と、ファイバに結合された光量を測定す
るための光受信器と、サーボ・ループに組み合わされ
た、集積回路製造工業で用いられるなどの3次元位置合
わせ装置とを含む、光マイクロポジショニング・システ
ムを、フェルールを正確に配置するために用いることが
できる。フェルールを所定位置にフロートするために、
エポキシおよびマイクロポジショニング・システムを用
いた後、エポキシが、ファイバの最終位置にファイバを
固定するために硬化される。
【0019】本発明の原理による光ファイバ・アレイが
製造されるプロセスは、図8のフローチャートに概略が
示されている。プロセスは、ステップ800で開始し、
ステップ800からステップ802へ進み、ステップ8
02で、アレイに使用される光ファイバは、任意に、例
えば前述されかつ組み込まれた方法、Turnerへ1
984年9月4日に発行された、米国特許第4,46
9,554号「EtchProcedure For
Optical Fibers(光ファイバのためのエ
ッチ手順)」を使用してテーパ付けられることができ
る。この示された手順において、テーパは、比較的長い
テーパ、すなわちファイバ・クラッド径の10倍の長さ
を有するテーパを作るためにフッ化水素酸を用いて形成
される。ステップ802から、プロセスはステップ80
4に進み、ステップ804で、比較的低い粘度のエポキ
シなどの接着剤、例えば、Epoxy Technol
ogyから入手できるEpo Tec302−3などの
水と同程度の粘度を有するエポキシが、フェースプレー
ト穴内に射出される。接着剤は、製造プロセスの間にフ
ァイバに対する「ルース・ホールド」を提供する。
【0020】ステップ804から、プロセスは直接ステ
ップ806へ進むか、またはフレームが、フェースプレ
ート穴内にファイバを案内するために用いられるなら、
プロセスはステップ808へ進む。ステップ808で、
フレームは、プロセスがステップ806へ進んだ後、フ
ェースプレートの後に配置されかつ固定される。フレー
ムおよびフェースプレートは、フェースプレートにフレ
ームを容易に取り付けるために、垂直の向きに保持され
ることができる。ステップ806において、遠位ファイ
バ端、例えばファイバがステップ802においてテーパ
付けられた場合はテーパ付けられた端は、1つが1つの
穴、光ファイバ・アレイ・フェースプレート穴に挿入さ
れる。光ファイバは、穴を通して後フェースプレートに
挿入され、剥がされたファイバ端部の十分なセグメント
は、フェースプレート前表面を越えて延び、プロセスが
完成したとき、各ファイバ・コア層の完全な断面が、フ
ェースプレートの前側に露出されることを確実にする。
フェースプレートの前表面のエポキシ層を含むことがで
きる、ステップ804で付けられたプレショット・エポ
キシ、および穴内のファイバを囲むエポキシは、ステッ
プ810で硬化される。
【0021】ステップ810から、プロセスはステップ
812に進み、ステップ812で、フェースプレート前
表面を越えて延びるファイバ部分(フェースプレートに
存在する場合にはエポキシ層も)がせん断され、フェー
スプレートの前表面とほぼ同一面のファイバ端面はその
ままにする。せん断を、例えばレーザ切断プロセスを用
いて達成することができる。ファイバがステップ812
で切り取られた後、プロセスはステップ814に進む
か、またはフレームが、ステップ808で垂直方向にフ
ェースプレートに取り付けられている場合は、プロセス
はまずステップ816に進み、ステップ816で、フェ
ースプレート・アセンブリ(フェースプレートおよびフ
レームを含む)は、水平方向に動かされる。ステップ8
16から、それともステップ812から到達したかに関
わらず、ステップ814において、エポキシがフェース
プレートの後に付けられ、ファイバを光ファイバ・アレ
イ内の所定位置に確実に保持するために硬化される。ス
テップ814から、プロセスはステップ818に進み、
ステップ818で、ファイバ端面は、研磨され反射防止
被覆で被覆される。ステップ818から、プロセスはス
テップ820に進み終了する。
【0022】本発明の特定の実施形態の前述の記載は、
例示および説明の目的のために示されたものである。開
示されたまさにその形態は、完全なものであり本発明を
限定することを意図するものではなく、多くの修正およ
び変形が上記教示から可能である。実施形態は、本発明
の原理およびその実際の適用を最も良く説明するため
に、かつそれによって当業者が本発明を最も良く使用す
ること可能するために、選択されかつ記載された。本発
明の範囲は、特許請求の範囲だけによって限定されるも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1A】本発明の原理による光ファイバ・アレイの上
面図である。
【図1B】本発明の原理による光ファイバ・アレイの断
面図である。
【図2】本発明の原理による光ファイバ・アレイに含ま
れることができるような光ファイバの断面図である。
【図3A】本発明の原理による光ファイバ・アレイを形
成するために、複数の光ファイバと結合されることがで
きるフェースプレートの断面図である。
【図3B】本発明の原理による光ファイバ・アレイを形
成するために、複数の光ファイバと結合されることがで
きるフェースプレートの断面図である。
【図4】本発明の原理による光ファイバが挿入されたフ
ェースプレートの断面図である。
【図5A】本発明の原理による製造の様々な段階におけ
るフェースプレートの断面図である。
【図5B】本発明の原理による製造の様々な段階におけ
るフェースプレートの断面図である。
【図6】本発明の原理による光ファイバのアレイにおけ
る複数の正確に配置された光ファイバの1つを形成する
ために、フェースプレート穴内に挿入された光ファイバ
の断面図である。
【図7A】本発明の原理による光ファイバ・アレイのフ
ェルールに収容された光ファイバの実施形態の断面図で
ある。
【図7B】本発明の原理による光ファイバ・アレイのフ
ェルールに収容された光ファイバの実施形態の断面図で
ある。
【図7C】本発明の原理による光ファイバ・アレイのフ
ェルールに収容された光ファイバの実施形態の断面図で
ある。
【図8】本発明の原理による光ファイバ・アレイを製造
するプロセスを示すフローチャートである。
フロントページの続き (72)発明者 フィリップ エー.デマスシオ アメリカ合衆国 06776 コネチカット, ニューミルフォード,ヒップ ロード 13 (72)発明者 ロビン エム.カーンズ アメリカ合衆国 06001 コネチカット, エイボン,ブルーベリー レーン 4 (72)発明者 エドワード テー.ワリッヒ アメリカ合衆国 06010 コネチカット, ブリストル,ナンバー18,レッドストーン ヒル ロード 536 Fターム(参考) 2H036 KA02 KA03 LA07 2H038 AA21 CA05 2H050 AC83

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フェースプレートと、複数の光ファイバ
    とを備える光ファイバ・アレイであって、 前記フェースプレートは、後面および前面と、前記後面
    と前面との間にチャネルを形成する、前記後面および前
    面を通って連絡する複数の開口とを有し、前記フェース
    プレートの前記後面および前面の前記開口は、それぞれ
    後径および前径を有する実質的に円形の開口であり、 前記複数の光ファイバは、それぞれ、コア層、クラッド
    層、および被覆層を有し、各ファイバの前記コアおよび
    クラッド層は、前記クラッド層を露出するために、一端
    部で前記ファイバの被覆層を超えて延び、前記後および
    前開口径、およびそれらの間に形成されるチャネルの径
    は全て、それらを通して挿入されるファイバの前記クラ
    ッド径より大きく、前記ファイバのそれぞれの端部は、
    それぞれフェースプレート後開口、およびフェースプレ
    ートの前面に延びるコア層に延びる露出されたクラッド
    層を有する光ファイバ・アレイ。
  2. 【請求項2】 各ファイバ・コアの全断面が、前記フェ
    ースプレートの前面を通して露出される、請求項1に記
    載のアレイ。
  3. 【請求項3】 前記ファイバそれぞれの遠位端が、実質
    的に円錐形状を形成するためにテーパ付けられている、
    請求項1に記載のアレイ。
  4. 【請求項4】 それぞれ挿入されたファイバ端部が、前
    記フェースプレートの前記前面に延びる露出されたクラ
    ッド層を含む、請求項1に記載のアレイ。
  5. 【請求項5】 前記フェースプレートの後面および前面
    間の各チャネルが、前記フェースプレートの前記前面お
    よび後面間の垂直方向に対してある角度で形成され、前
    記角度が、前記露出された光ファイバ・コアに戻る反射
    を実質的に低減するために予め決められる、請求項1に
    記載のアレイ。
  6. 【請求項6】 前記角度が、実質的に8°に等しい、請
    求項5に記載のアレイ。
  7. 【請求項7】 前記フェースプレートの後面および前面
    間のチャネルが、第1のセクションと第2のセクション
    とを含み、前記第1のセクションの径が、それらの中に
    挿入される光ファイバのクラッド層より3マイクロメー
    トル小さく、前記第2のセクションの径が、前記第1の
    セクションの径から、前記第1のセクションの径より大
    きい径までテーパが作られている、請求項1に記載のア
    レイ。
  8. 【請求項8】 前記アレイ内の所定位置に前記ファイバ
    を固定する接着剤をさらに含む、請求項1に記載のアレ
    イ。
  9. 【請求項9】 前記接着剤が、前記挿入された光ファイ
    バを実質的に囲むエポキシである、請求項8のアレイ。
  10. 【請求項10】 各ファイバが、フェルール内に収容さ
    れ、前記フェルールが、前記フェースプレートの後開口
    および前開口間に形成されたチャネルの1つの中に収容
    される、請求項1に記載のアレイ。
  11. 【請求項11】 光ファイバ・アレイを作る方法であっ
    て、 (A)後面および前面と、前記後面と前面との間にチャ
    ネルを形成する前記後面および前面を通して連絡する複
    数の間隔を空けた開口とを有するフェースプレートを形
    成し、前記フェースプレートの前記後面および前面の前
    記開口が、それぞれ後径および前径を有する実質的に円
    形の開口であるステップと、 (B)クラッド層を露出するために、コア層、クラッド
    層、および被覆層を有する複数の光ファイバの端部から
    前記被覆層を剥がすステップと、 (C)前記フェースプレートの前記前表面に対して各フ
    ァイバの断面を露出するために、前記フェースプレート
    の前記後開口に前記剥がされたファイバ端部を挿入する
    ステップとを含み、前記後および前開口径、およびそれ
    らの間に形成されるチャネル径の全てが、それらを通し
    て挿入されるファイバの前記クラッド径より大きい方
    法。
  12. 【請求項12】 (D)ファイバを前記後開口に挿入す
    る前に、前記ファイバの遠位端をテーパ付けるステップ
    をさらに含む、請求項11に記載の方法。
  13. 【請求項13】 (E)前記ファイバを前記ファイバ・
    アレイ内の所定位置に固定するために接着剤を用いるス
    テップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記ファイバを前記アレイ内の所定位
    置に固定するステップ(E)が、 (E1)開口に挿入される光ファイバが有する各チャネ
    ルの前記開口の1つにエポキシを射出するステップをさ
    らに含む、請求項13に記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記ファイバを前記アレイ内に固定す
    るステップ(E1)が、 (E1a)前記フェースプレートの前記前表面にエポキ
    シの層を付けるステップをさらに含む、請求項14に記
    載の方法。
  16. 【請求項16】 前記ファイバを前記アレイ内に固定す
    るステップ(E1)が、 (E2)前記フェースプレートの前記後表面にエポキシ
    の層を付け、かつ前記エポキシを硬化するステップをさ
    らに含む、請求項14に記載の方法。
  17. 【請求項17】 ステップ(A)が、 (A1)前記フェースプレート内に複数の第1のチャネ
    ル・セクションを形成するために、あるプロセス技術を
    用い、前記第1のチャネル・セクションが、前記フェー
    スプレートの前記後面に開口を有し、その後、第2のチ
    ャネル・セクションを形成するために、第2のより正確
    なプロセス技術を用い、各第2のチャネル・セクション
    が、前記フェースプレートの前記前面に開口を有し、か
    つ対応する第1のチャネル・セクションに対する開口を
    有するステップをさらに含む、請求項11に記載の方
    法。
  18. 【請求項18】 ステップ(A)が、 (A2)チャネルを形成し、前記チャネルの中央軸が、
    前記フェースプレートの前記後面および前面間の垂直方
    向に対してある角度であるステップをさらに含む、請求
    項11に記載の方法。
  19. 【請求項19】 ステップ(A)が、 (A3)テーパが付けられたチャネルを形成し、前記チ
    ャネルの前記後開口が、前記前開口の径より大きな径で
    ある、請求項11に記載の方法。
  20. 【請求項20】 ステップ(C)が、 (C1)前記フェースプレート開口内に剥がされたファ
    イバ端部を挿入する前に、前記剥がされたファイバ端部
    にテーパを付けるステップをさらに含む、請求項11に
    記載の方法。
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