JP2002357664A - 放射線撮影装置およびその制御方法 - Google Patents

放射線撮影装置およびその制御方法

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JP2002357664A
JP2002357664A JP2001165505A JP2001165505A JP2002357664A JP 2002357664 A JP2002357664 A JP 2002357664A JP 2001165505 A JP2001165505 A JP 2001165505A JP 2001165505 A JP2001165505 A JP 2001165505A JP 2002357664 A JP2002357664 A JP 2002357664A
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Tatsuya Yamazaki
達也 山崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】放射線検出器に加わる荷重を検出可能とし、過
荷重の負荷による装置の破壊を防止する。 【解決手段】放射線撮影装置は、検出面と該検出面上に
到達した放射線に基づいて放射線画像を得る放射線平面
検出器(FPD)4の、上記検出面上に加わる荷重を検
出する荷重センサ3が設けられる。曝射スイッチ9を操
作すると、荷重センサ3からの信号がチェックされ、許
容値を越えている場合は、放射線発生装置8による曝射
を禁止し、警告ユニット5より音響あるいは可視光を用
いて過荷重が検出面に加わっている旨の警告を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線撮影装置およ
びその制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】被写体を透過した放射線像を撮影する放
射線撮影装置として、従来は放射線を蛍光に変換する増
感紙と蛍光で感光するフィルムを密着させた、スクリー
ン・フィルム系(S/F系)と呼ばれる撮影装置が使用
されてきた。また蛍光体とイメージ・インテンシファイ
ア(I.I.)を組み合わせて放射線画像の増倍を行い、こ
の増倍された画像を光学系を介して撮像管で撮影するI.
I.-TV撮影装置も使用されてきた。前者は一般撮影と呼
ばれる静止画撮影に、また後者は透視撮影やアンギオ撮
影と呼ばれる動画撮影に主に使用されてきた。
【0003】また、最近では画像デジタル化の要求か
ら、デジタル画像出力を有するデジタル撮影装置が使用
され始めている。一般撮影では、S/F系に代わって、
放射線像を潜像として蓄積するイメージングプレートを
使用し、このイメージングプレートをレーザ走査するこ
とにより潜像を励起し、発生する蛍光を光電子増倍管で
読み取る、コンピューテッド・ラジオグラフィ(CR)
装置も使用されている。また動画撮影では、撮像管の代
わってCCD等の固体撮像素子を使用するI.I.-DR撮影
装置も使用されている。CR装置とI.I.-DR撮影装置の
両者はデジタル画像出力を有しており、医療画像のデジ
タル化に貢献し始めている。
【0004】さらに最近では、蛍光体と大面積アモルフ
ァスシリコン(a-Si)センサを密着させた放射線平面検
出器、いわゆるフラットパネルディテクタ(FPD)を
使用し、光学系等を介さずに放射線像を直接デジタル化
するデジタル撮影装置が実用化されている。またアモル
ファスセレン(a-Se)、ガリウムヒ素(GaAs)、カドミ
ウム化テルル(CdTe)、よう化鉛(PbI2)およびよう化
水銀(HgI2)等を使用して放射線を直接光電変換して電
子に変換し、該電子を大面積アモルファスシリコンセン
サで検出するFPDも同様に実用化されている。これら
FPDは、原理的に静止画のみならず動画も撮影可能な
ことから、次世代のデジタル撮影装置として期待されて
いる。
【0005】ここでFPDの原理について図7および図
8を用いて簡単に説明する。図7はFPDのセンサを構
成する1画素の断面図である。図7において40はFP
D、41は放射線を捕捉して蛍光に変換する蛍光スクリ
ーン、42はa-Siセンサが形成されているガラス基板、
43は信号電荷を生成する光電変換部、44は光電変換
部43が生成した電荷を信号線に伝達するスイッチとし
て機能する薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Tran
sistor)部、45はセンサを機械的磨耗や湿度から守る
保護層、46−1、2は光電変換部43にバイアス電圧
を伝達する上部電極(D電極)、47は上部電極46−
1、2と同電位でありa-Si真性半導体i層48へのホー
ル注入を阻止するn+ドープ層、48は光電変換を行う
a-Si真性半導体i層、49は電子・ホールの両者の移動
を阻止する絶縁層、50は下部電極(G電極)である。
【0006】図7において上方から照射された放射線は
蛍光スクリーン41で捕捉され蛍光に変換される。この
蛍光は透明な保護層45およびn+ドープ層47を通過
してa-Si真性半導体i層48で捕捉され、さらに電子正
孔対に変換される。この電子正孔対の数に比例した電荷
量がTFT部44を通じて信号線に伝達される。
【0007】図8はセンサ読み取り動作原理を説明する
図面であり、簡単のために9画素からなるセンサを示し
ている。図8において51は蛍光を電子に変換する光電
変換部(図7の光電変換部43に対応する)、52は光
電変換部51で発生した電子を転送するためのTFT
(TFT部44に対応する)、53は光電変換部51に
バイアス電圧を与えるバイアス線、54a、54b、5
4cはTFT52にスイッチング信号を伝達するゲート
線、55a、55b、55cはTFT52を通過した電
子を転送する信号線、56は信号線55a、55b、5
5cから一つの信号線を選択し信号電子を増幅する読み
取りIC(読み取りデバイス)、57は増幅されたアナ
ログ信号をデジタル信号に変換するアナログ-デジタル
変換器(A/D:Analog-to-digital converter)、5
8はTFT52のスイッチング動作を制御するゲート駆
動装置である。
【0008】図8において、センサ画素全面を覆う図示
されていない蛍光体に放射線が照射されると、蛍光体は
その強度に比例した蛍光を発する。光電変換部51はこ
の蛍光を捕捉し信号電子正孔対に変換する。ゲート駆動
装置58がゲート線54aをHighにすると、このゲート
線54aに接続された横一列のTFT全てがONにな
る。すると光電変換部51に蓄積された信号電子正孔対
は信号線55a、55b、55cに転送される。そして
読み取りIC56が信号線55aを選択すると、この信
号線55aに転送されている電子(図8の左上のTFT
部52から転送された電子)が増幅されて読み取られ、
A/D57でデジタル信号に変換される。続いて読み取
りIC56は55bおよび55cを順次選択し、それぞ
れの信号線に転送されている電子が順次読み取られる。
この動作によって図8においてゲート線54aに接続さ
れた横一列分の3画素の信号電子が読み取られ、デジタ
ル信号に変換される。次にゲート線54bおよび54c
が順次選択され、同様にゲート線54bおよび54cに
接続された横一列分のそれぞれ3画素の信号電子が順次
読み取られ、デジタル信号に変換される。
【0009】以上では蛍光体を用いたFPDの動作原理
について説明したが、アモルファスセレン等を使用した
FPDの動作原理もほぼ同様である。両者の相違は、蛍
光を光電変換する代わりにアモルファスセレン等が放射
線を直接光電変換して電子正孔対を生成することであ
り、この電子正孔対の数を信号として読み出す動作はま
ったく同様である。
【0010】ところでFPDに使用されるセンサは数百
万画素からなっているが、各画素の特性は微妙に異なっ
ている。特に画像センサとして重要な特性は、暗電流特
性と感度特性である。そこでFPDではこれらの特性を
補正する処理を実施し、実質上各画素の特性が均一なセ
ンサとして使用している。この補正処理は蛍光体を用い
た方式や、アモルファスセレン等を使用する方式に共通
である。以下に暗電流特性と感度特性の補正方法につい
て説明する。
【0011】暗電流特性の補正方法について説明する。
ここで暗電流とはセンサへの入力がないときに測定され
る電流であり、ランダム成分と定常的なオフセット成分
からなるとする。暗電流がセンサ入力に依存しないと仮
定すると、センサに信号を入力したときの画像からセン
サに信号を入力しないときの画像を引くことで、画素毎
に異なるオフセット成分の補正が可能となる。センサに
信号を入力したときの放射線画像をX0(x,y)、その直後
に測定される暗電流画像をD1(x,y)とすると、暗電流補
正後の1次暗電流補正画像C1X(x、y)は次式で表され
る。ただしx,yは2次元配列した画素のアドレスであ
る。また前記ランダム成分をR(x,y)、定常的なオフセ
ット成分をF(x,y)としている。
【0012】次に感度特性の補正について説明する。感
度補正はセンサを構成する画素の感度特性ばらつきを補
正する処理である。感度特性が定常的であると仮定する
と、センサに信号を入力したときの画像をセンサに一様
な入力を与えたときの画像で割ることで、画素毎に異な
る感度特性の補正が可能となる。センサに一様な入力を
与えたときの出力をW(x,y)とすると、感度補正後の補
正画像C1(x,y)は次式で表される。
【0013】次に放射線撮影装置の機械的構成について
説明する。放射線撮影装置の機械的構成は3種類に大別
される。一番目は据え置き型撮影装置でありスタンドや
ベッドに放射線撮影装置を組み込んだ装置である。放射
線発生装置と放射線撮影装置を機械的に一体化する装置
も存在する。二番目は移動型撮影装置であり、放射線発
生装置と放射線撮影装置を機械的に一体化すると共に、
その両者を台車に載せて移動を可能にした装置である。
三番目はカセッテと呼ばれる可搬型撮影装置であり、蛍
光スクリーンとフィルムを軽量な暗箱に収納し、据え置
き型撮影装置では撮影が困難な撮影手法や病室撮影等に
利用されている。カセッテは日本工業規格(JIS)Z
4905にその規格が制定されている。近年では蛍光ス
クリーンとフィルムの代わりにイメージングプレートを
暗箱内に挿入したCR装置もカセッテと呼ばれている。
さらに可搬型FPDが開発されようとしており、カセッ
テと同様の使用形態が期待されることから、可搬型FP
Dも広義のカセッテと呼ぶことができる。
【0014】従来のS/F系を用いたカセッテの構造を
図9を用いて説明する。図9において60はカセッテ、
61は暗箱の一部を構成する裏ぶた、62は蛍光スクリ
ーンとフィルムを一体的に保持し密着させるためのクッ
ション、63は放射線吸収が少なくかつ遮光性を有する
表板、64はカセッテ60を保持するための側溝であ
る。一般にカセッテ筐体はAl等の軽合金をフレームと
し、表板には放射線吸収が少なく遮光性を有しかつ強度
に優れるAl合金あるいは強化炭素繊維板(CFRP)
などが使用され、軽量でありながら堅牢な構造となって
いる。特に表板63には患者の体重が負荷されることが
多いため、図9の上下方向の荷重に対して十分な強度を
有することが必要とされている。
【0015】以下に詳しく述べるように、S/F系に使
用される蛍光スクリーンは荷重に対して十分な強度を有
する。またフィルムも局所的な負荷が掛からない限り
は、荷重に対し画質が変化しない特性を有している。そ
してカセッテ自体は堅牢に作成されている。以上からS
/F系のカセッテにおいては、患者体重程度の荷重負荷
に対して十分な強度と画質が保証されている。このこと
はCR装置のカセッテも同様である。
【0016】次にFPDカセッテの構造を図10を用い
て説明する。図10において、71はFPDであり、基
本的に蛍光スクリーン71aとa-Siセンサ71bと基板
71cで構成されている。基板71cは、半導体素子と
の化学作用のないこと、半導体プロセスの温度に耐える
こと、寸法安定性などの必要性からガラス板が多く用い
られる。結晶Si基板を用いる場合もある。このような
ガラス基板71c上にa-Siセンサ71bが半導体プロセ
スにより2次元配列的に形成される。蛍光スクリーン7
1aは基板71cと接着によって一体化されている。そ
してこれらはFPD71として金属製の基台72に固定
されている。FPD71を基台72に固定する際は、基
台72の寸法基準である4角部(不図示)に対して、P
DF71に形成される検出器の2次元的配列パターンが
所望の相対位置関係にあるように不図示の工具で規制さ
れる。73は光電変換された電気信号を処理する電子部
品(不図示)を搭載した回路基板であり、フレキシブル
回路基板74によってa-Siセンサ71bと接続されてお
り、基台72の裏側に設けられた突起(不図示)に対し
て固定されている。
【0017】フレキシブル回路基板74はa-Siセンサ7
1bからの電気信号を読み出すための信号線および制御
線が配線されており、基板71cの外周に対して複数配
置されている。各フレキシブル回路基板74は基台72
の側方を通り基台72の裏面に配置された回路基板73
まで引き回されている。そしてこれらの放射線画像検出
ユニットは筐体本体75a内部に内包され、基台72を
介して筐体に固定される。更に放射線透過性の筐体蓋7
5bで密閉され放射線像撮影装置(FPDカセッテ)が
構成される。
【0018】以上説明したように、FPDカセッテでは
センサにガラス基板71cを使用しているが、金属製の
基台72がガラス基板71cの背面全体から保持してい
るため、S/F系カセッテと同様に図10の上下方向の
荷重に対して基本的に強い構造となっている。ただし設
計値を超えて荷重が負荷された場合は、加重によって筐
体蓋75bが変形してFPD71に接触し、センサ破壊
が生じる恐れがある。そこでユーザーズマニュアル等に
荷重許容値を明記し、許容値以上の荷重が負荷されない
ようにしている。なおアモルファスセレン等を使用した
FPDカセッテも同様の構造が考えられる。
【0019】FPDに使用される蛍光体について説明す
る。FPDに使用される蛍光体は、大きく分けて2種類
が使用される。一つは従来のS/F系で使用されていた
ZnCdS:Ag、CaWO4およびGd2O2S:Tbに代表される粉体蛍光
体を樹脂等のバインダで固め、紙およびPET(Polyet
helene terephthalate)等の基板に塗布した蛍光スクリ
ーンである。図11は粉体蛍光体からなる蛍光スクリー
ンの断面図であり、20は蛍光スクリーン、21は蛍光
体層を機械的磨耗から保護する透明な保護層、22は蛍
光体層、23は基板である。これら蛍光スクリーンの機
械的特徴は図11において上下方向、すなわち板状の蛍
光スクリーン面に垂直方向の荷重に対して強い構造を有
することである。これは機械的強度に優れる直径10μ
m程度の微粒子蛍光体結晶をバインダで強固に固めてい
るからである。さらに塗布層内に精密な構造を有さない
ことも寄与している。
【0020】もう一つはCsI:Tl、CsBr、RbBr:Tl+に代表
される柱状化結晶蛍光体である。針状化結晶と呼ばれる
こともある。図12は柱状化結晶蛍光体からなる蛍光ス
クリーンの断面図であり、30は蛍光スクリーン、31
は蛍光体層を機械的磨耗および湿度から保護する透明な
保護層、32は柱状化結晶、および33はガラスまたは
Alからなる基板である。Ia-VIIb化合物、すなわちハ
ロゲン化アルカリの一部は蒸着等の手法を使用して真空
中で結晶成長させると、柱状に結晶が成長することが知
られている。CsI:Tlの場合、直径約10μm、高さ50
0μm以上の柱状化結晶を成長させることが可能であ
る。放射線励起により柱内部で発光した蛍光は、光ファ
イバと同様に柱状化結晶内で導光される。このため柱状
化結晶蛍光体は蛍光体層を厚くしても、粉体蛍光体に比
較して鮮鋭度の劣化が少ない。また蛍光体層を厚くする
と放射線を効率よく捕捉できるため、鮮鋭度を損なうこ
となく被曝線量軽減および画質、特に粒状性改善が可能
となる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】ところがFPDでは一
般にガラス基板あるいは結晶Si基板を使用しているた
め、荷重負荷に対して破壊点が存在し、設計値を大きく
超える荷重が負荷されると不可逆的な破壊が発生する恐
れがある。また柱状化結晶蛍光体の機械的強度は粉体蛍
光体に比較して弱い。たとえば、図12の上下方向に荷
重を加えた場合、柱状構造が破壊される恐れがある。ま
た斜め方向に荷重が負荷されると柱状化結晶と基板の蒸
着面が剥離する恐れがある。これらの現象が起きると鮮
鋭度が悪化する、あるいは発光量が周囲と大きく異なる
など、画質に影響を与える可能性がある。またハロゲン
化アルカリ蛍光体は一般に水溶性が高く、水分を吸収す
ることでその特性が変化する。このため、もし荷重負荷
によって保護層31が破断すると蛍光体が水分を吸収し
て劣化する可能性がある。
【0022】またFPDではセンサを構成する画素毎の
特性ばらつきを補償するために、暗電流補正と感度補正
が行われている。ところがFPDに荷重が負荷される
と、信号電荷を蓄積する静電容量が変化するため、暗電
流特性および感度特性が変化する可能性がある。また蛍
光体によっては荷重負荷により発光量が変化し、結果と
して感度が局所的に変動する可能性がある。同様にアモ
ルファスセレン等の光電変換媒体では荷重負荷によって
バイアス電界強度が変化し、感度の一部をなす電荷収集
効率が局所的に変動する可能性がある。
【0023】このような荷重負荷による破壊および画質
変化の可能性はカセッテに顕著であるが、据え置き型放
射線撮影装置あるいは移動型放射線撮影装置においても
同様の可能性はある。もちろんすでに述べたようにユー
ザーズマニュアル等に荷重許容値が明記されているが、
実際に使用する際に患者が与えようとしている負荷を見
積もることは難しい。したがってガラス基板あるいは結
晶Si基板を使用したFPD、あるいはFPDに限らず
微細な構造を有する蛍光体を使用した放射線撮影装置に
対して、荷重負荷を制御することが課題として挙げられ
る。
【0024】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、放射線検出器に加わ
る荷重を検出して、過荷重の負荷による装置の破壊を防
止可能とすることにある。
【0025】また、本発明の他の目的は、荷重負荷によ
る画質変化を補償し、高画質な放射線撮影画像を提供可
能とすることにある。
【0026】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による放射線撮影装置は、検出面と該検出面
上に到達した放射線に基づいて放射線画像を得る放射線
検出手段と、前記検出面上に加わる荷重を検出する荷重
検出手段とを備える。
【0027】また、好ましくは、上記放射線撮影装置に
おいて、前記荷重検出手段によって検出された荷重量に
応じて警告を発する警告手段を更に備える。
【0028】また、好ましくは、上記放射線撮影装置に
おいて、前記荷重検出手段によって検出された前記検出
面上への荷重に基づいて前記放射線検出手段によって得
られた放射線画像を補正する補正手段を更に備える。
【0029】また、上記の目的を達成するための本発明
による放射線撮影装置の制御方法は、検出面と該検出面
上に到達した放射線を検出して放射線画像を得る放射線
検出手段を有する放射線撮影装置の制御方法であって、
前記検出面上に加わる荷重を検出する荷重検出工程と、
前記荷重検出工程で検出された荷重が所定値を越える場
合に、前記放射線検出手段による放射線画像の撮影を禁
止し、警告を行う警告工程とを備える。
【0030】また、上記の目的を達成するための本発明
の他の態様による放射線撮影装置の制御方法は、検出面
と該検出面上に到達した放射線を検出して放射線画像を
得る放射線検出手段を有する放射線撮影装置の制御方法
であって、前記検出面上に加わる荷重を検出する荷重検
出工程と、前記荷重検出工程において検出された前記検
出面上への荷重に基づいて前記放射線検出手段によって
得られた放射線画像を補正する補正工程とを備える。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好適な実施形態を説明する。
【0032】[第1の実施形態]図1は、第1の実施形
態による放射線撮影装置の構成を示すブロック図であ
る。図1において1は放射線撮影装置であるFPDカセ
ッテ、2は放射線を通過させるが外光を遮断する筐体、
3はFPDカセッテ1に負荷されている荷重を検出し荷
重信号を出力する荷重センサ、4は放射線画像を検出す
るFPD、5は負荷されている荷重が規定値を超えたと
きに操作者に警告を発する警告ユニット、6は放射線撮
影装置の動作を制御するCPU、7は放射線撮影装置の
バスライン、8は放射線発生装置、9は操作者が放射線
曝射要求を出力する曝射スイッチ、10は画像および情
報を保存する保存ユニット、11は操作画面表示のため
の表示ユニットである。
【0033】荷重センサ3として例えば次の構成が考え
られる。まずピエゾ素子に代表される圧電素子(電歪素
子)を使用した荷重センサが利用可能である。ピエゾ素
子は圧力に応じた起電力特性を有しているため、筐体2
とFPD4の間にピエゾ素子を設け、ピエゾ素子の起電
力を測定することで、FPDカセッテ1に負荷されてい
る荷重を検出することが可能となる。同様に、ばね構造
+スイッチからなる変位計や、あるいはload cellも利
用可能である。さらに、これらの素子を2次元的に配置
することで、荷重分布も検出可能となる。なお、素子を
2時限的に配列しても放射線画像への影響は防止するこ
とができる。なぜなら、比較的X線透過率の高い素子を
用いた場合、素子でX線が多少遮られた部分はセンサの
感度低下と同じと見なすことができ、上記(1)〜
(6)式を用いて示した感度補正等によってあたかも素
子がないかのように扱うことができるからである。
【0034】また筐体2とFPD4の間に気体等の流体
を封止した風船を挿入し、FPD4の有効撮影領域外で
風船の変位あるいは圧力を測定することで、FPDカセ
ッテ1に負荷されている荷重を測定することが可能であ
る。この構成では筐体2とFPD4の間に存在する物質
は風船を構成する薄膜と気体のみであるため、高い放射
線透過率が期待できる。またFPD4の有効撮影領域内
に機械的構造を有しないため、荷重センサ3の構造が放
射線画像に写り込む可能性が低く、荷重センサとして好
適である。さらに荷重センサ3としてタッチパネルや歪
ゲージ等の利用も可能である。
【0035】図2は本実施形態による放射線撮影装置の
動作を説明するフローチャートである。
【0036】まずFPDカセッテ1に荷重が負荷されて
いないときのFPDカセッテ1の動作について説明す
る。操作者が放射線曝射スイッチ9を押すと、CPU6
は荷重センサ3の出力を検出するよう動作し、荷重が負
荷されていないことを確認する(ステップS10、S1
1、S12)。するとCPU6は放射線発生装置8に曝
射許可信号を送信し(ステップS14)、放射線が曝射
される。被写体を透過した放射線は、筐体2を構成する
CFRPを通過して荷重センサ3に至る。荷重センサ3
は放射線に対して高い透過性を有していることから、放
射線は殆ど吸収されることなくFPD4に到達する。F
PD4はCPU6の命令を基に放射線画像を読み取り、
保存ユニット10に画像信号を送る。
【0037】次にFPDカセッテ1に荷重が負荷された
場合を説明する。操作者が放射線曝射スイッチ9を押す
と、CPU6は荷重センサ3から出力される荷重の大き
さに応じた荷重信号を検出する(ステップS10、S1
1)。CPU6は荷重信号と予め設定された荷重許容値
を比較し(ステップS12、S13)、許容値以下であ
れば放射線発生装置8の曝射許可信号を送信し(ステッ
プS14)、放射線が曝射される。もし荷重信号が荷重
許容値を超えた場合は、CPU6は当該操作による曝射
を禁止し、警告ユニット5を動作させて、操作者に対し
許容値を超えた荷重が負荷されていることを知らせる
(ステップS13、S15)。そこで操作者は荷重負荷
が許容値を超えないように患者の体位あるいはFPDカ
セッテ1の位置を修正する。再び操作者が放射線曝射ス
イッチ9を押し、放射線曝射が開始され撮影動作が完遂
される。
【0038】警告ユニット5が発する警告としては、例
えばランプの点灯および点滅など光を用いることが可能
である。またブザーの発令および間歇発令など音響を用
いた信号も利用可能であり、もちろん光と音響を組み合
わせた警告も利用可能である。さらには放射線撮影装置
に組み込まれている表示ユニット11に警告画面を表示
するようにしてもよい。
【0039】なお、以上に説明した実施形態では、曝射
スイッチ9による放射線曝射要求信号に連動して、CP
U6は荷重センサ3の荷重信号を確認していた。しかし
ながら、放射線曝射要求信号に関わらず定期的に荷重信
号を確認するようにしてもよい。このように構成すれ
ば、実質的に荷重信号を常時確認することが可能とな
り、より迅速に過荷重を検出することができ、より確実
な放射線撮影装置の保護を実現できる。
【0040】また、CPU6に設定される荷重許容値は
単一値のみでなく複数値を設定可能である。そして荷重
許容値のレベルに応じて、警告ユニット5が発令する警
告の内容を異ならせるべく設定することも可能である。
例えば低レベル許容値を超えた場合は低音量の間歇音響
発令を行い、高レベル許容値を超えた場合は大音量の連
続音響発令を行うことも可能である。また、FPDカセ
ッテ1に現在負荷されている荷重値(荷重値の分布)を
表示ユニット11に表示することも可能である。このよ
うなレベル別の荷重許容値とそれに応じた警告発令ある
いは表示を行うことで、操作者は現在負荷されている荷
重値を知ることができるため、荷重負荷によるセンサ破
壊あるいは画質劣化を未然に防止することが可能にな
る。
【0041】[第2の実施形態]上記の第1の実施形態
では、FPD4と荷重面との間に荷重センサ3を介在さ
せる構成を説明した。第2の実施形態では、FPD4そ
のものを荷重センサとしても利用する。一般にFP4D
の画質は荷重を負荷すると変化する。これはFPDに荷
重が負荷されると、暗電流特性および感度特性が変化す
る可能性があるためである。これらの特性を利用してF
PDそのものを荷重センサとして利用することができ
る。
【0042】図3は第2の実施形態による放射線撮影装
置の構成を示すブロック図である。第1の実施形態によ
る構成(図1)との相違点は、筐体2内に荷重センサ3
が存在しないことと、保存ユニット10に暗電流画像/
荷重分布対応データ10a(後述)が格納されている点
である。
【0043】本実施形態では、FPDの荷重に対する暗
電流特性に注目する。FPDに荷重を負荷すると信号電
荷を蓄積する静電容量が変化するため、暗電流特性が変
化する。荷重が短時間の範囲内で一定の場合は、(1)
式から(3)式に示した暗電流補正方法を用いることで
画質への影響はなくなる。ところが(2)式に示される
暗電流そのものに注目した場合は、静電容量の変化によ
り暗電流画像は局所的な変化を示す。したがって、暗電
流画像の変化と負荷される荷重の関係を予め測定してお
くことで、暗電流画像と荷重分布は一義に対応付けが可
能になる。
【0044】そこで第2の実施形態では、予め暗電流画
像の変化と負荷される荷重の関係を測定して、当該関係
を示す暗電流画像/荷重分布対応データ10aを保存ユ
ニット10に保存しておく。例えば、図13に示すよう
な暗電流変動ΔDarkと荷重変動ΔWeightの関
係をLUTとして保持する。そして、CPU6を用い
て、撮影有無に関わらず定期的にFPD4の暗電流画像
を検出および解析する(無荷重時の暗電流画像との差分
に基づいて荷重変動が得られる)ことで、荷重分布の検
出が可能になる。この方法を用いると荷重センサ3が不
要になるため、コスト的に有利である。また筐体2とF
PD4の間に放射線を散乱および吸収する物質がなくな
るため、画質および被曝線量に有利である。
【0045】[第3の実施形態]次に荷重負荷に起因す
る感度特性変動よる画質変化を補償する放射線撮影装置
について説明する。図4は、第3の実施形態による放射
線撮影装置の構成を示すブロック図である。図4におい
て、1は放射線撮影装置であるFPDカセッテ、2は放
射線を通過させるが外光を遮断する筐体、3はFPDカ
セッテ1に負荷されている荷重を検出し荷重信号を出力
する荷重センサ、4は放射線画像を検出するFPD、5
は負荷されている荷重が規定値を超えたときに操作者に
警告を発する警告ユニット、6は放射線撮影装置の動作
を制御するCPU、7は放射線撮影装置のバスライン、
8は放射線発生装置、9は操作者が放射線曝射要求を出
力する曝射スイッチ、10は画像および情報を保存する
保存ユニット、11は操作画面表示のための表示ユニッ
ト、80は画質変化を補償する画像処理ユニットであ
る。画像処理ユニット80の詳細な構成、動作について
は図5および図6を参照して後述する。
【0046】図5は第3の実施形態による放射線撮影装
置の動作を説明するフローチャートである。また、図6
は第3の実施形態による放射線撮影装置の画像処理ユニ
ットの構成を示すブロック図である。
【0047】まず、予め暗電流画像と荷重分布の関係、
荷重分布と感度分布の関係、あるいは直接に暗電流画像
と感度分布の関係を測定し、暗電流画像と感度分布の関
係を示す暗電流画像/感度分布対応データ1100を保
存ユニット10に記憶する(ステップS21)。またF
PD4の感度補正に使用するために、FPD4に一様な
入力を与えたときの白画像1101を保存ユニット10
に記憶する(ステップS22)。
【0048】放射線撮影時において、CPU6は荷重セ
ンサ3を用いて、FPD4に負荷される荷重をモニタし
ている。荷重が許容値を越えた場合は、第1の実施形態
で説明したように警告ユニット5を用いて所定の警告を
行う(ステップS24、S32)。なお、第2の実施形
態で説明したように、FPD4の暗電流画像を検出する
ことにより荷重センサ3を省略することも可能である。
この場合、CPU6はFPD4を定期的に駆動してその
暗電流画像を検出し、FPDカセッテ1に負荷される荷
重をモニタする。
【0049】操作者が曝射スイッチ9を押して放射線曝
射要求が出力されると、CPU6は直ちに暗電流画像1
102を撮影し保存ユニット11に保存する(ステップ
S25、S26)。続いてCPU6は放射線曝射許可信
号を放射線発生装置8に発令する。放射線発生装置8は
この許可信号に従って放射線をFPDカセッテ1に向か
って放射する。患者を透過してFPD4に到達した放射
線は、CPU6に制御されたFPD4によって放射線画
像1103として読み出され、保存ユニット10に一次
的に記憶される(ステップS27)。
【0050】次に、ステップS28〜S30において画
像処理ユニット80による放射線画像1103の補正を
行う。CPU6は、まずステップS26で得た暗電流画
像1102と、ステップS21で予め測定され、保存さ
れた暗電流画像/感度分布対応データ1100を用い
て、荷重分布によって生じた感度特性変動分画像を作成
する(ステップS28、感度特性変動分画像生成部11
10)。次にCPU6は、ステップS22で予め記憶し
た白画像1101とステップS28で得た感度特性変動
分画像を乗算することで、放射線撮影を実行した時点で
の感度分布画像を作成する(ステップS29、感度分布
画像生成部1111)。そして放射線画像を感度分布画
像で割算することで補正後の放射線画像1101を得る
(ステップS30、画像補正部1112)。ステップS
30で得られた補正後画像1101は、たとえば保存ユ
ニット10に保存するべく出力される(ステップS3
1)。こうして得られた補正後画像1101は、荷重分
布による感度分布の変化が排除されたものとなるので、
荷重分布の影響を受けない放射線撮影を行うことが可能
になる。
【0051】まず荷重の掛からない状態の暗電流画像を
保存する。より正確には(6)式ののDW(x,y)である。
また荷重と暗電流画像変動分の関係を示すLUTおよび
暗電流画像変動分と感度特性変動分の関係を示すLUT
を作成する。このLUTを図13に示す。図13におい
て、ΔDarkとΔWeightの関係が荷重と暗電流
画像変動分の関係を示すLUTであり、ΔDarkとΔ
Sensitivityが暗電流画像変動分と感度特性
変動分の関係を示すLUTである。あるいは暗電流画像
を介さずに荷重と感度特性変動分の関係を直接示すLU
Tを作成することも可能である(図13の第3象限)。
このLUTを用いて、荷重分布より感度特性変動分画像
を得る。以上で得られた感度特性変動分画像を画素毎に
(6)式で得られたCW(x,y)に加算して新たなC'W(x,
y)を作成し、これを用いて(6)式に示す感度特性の補
正を行うことで荷重変動による感度変化に対応した画像
処理が行われる。なお、これらの処理は(x,y)単位で、
すなわち画素毎で行われる。
【0052】なお本実施形態では暗電流画像から撮影時
の荷重分布を得たが(ステップS26)、これに限られ
るものではない。荷重分布による感度特性変動分画像が
作成可能であればよく、荷重分布検出の方式は問われる
ものではない。また本実施形態では荷重分布による画質
変化として感度変化に着目したが、荷重分布による暗電
流変化を補正する構成を設けてもよい。例えば前述のピ
エゾ素子を利用した2次元荷重分布検出機構を用いて暗
電流特性変動分画像を取得し、この暗電流特性変動分画
像を使用して正確な暗電流補正を行うことが可能であ
る。この方法は荷重負荷が時間的に変動し、(3)式に
示す暗電流補正が一部破綻する場合((3)式が成立す
る仮定として完全には同一でないタイミングで撮影され
る暗電流画像D0とDnがほぼ等しいことがある。ところ
が荷重分布が時間的に変動するとこの仮定は破綻する。
つまり(3)式に示す演算を行っても暗電流特性の補正
を正確に行うことができなくなる)に有効である。
【0053】以上の各実施形態においてFPDカセッテ
を例に挙げて説明したが、本発明の範囲はFPDカセッ
テに限定するものではない。据え置き型放射線撮影装置
あるいは移動型放射線撮影装置においても撮影部に荷重
負荷が掛かる可能性はある。ガラス基板あるいは結晶Si
基板を使用したすべてのFPD、あるいはFPDに限ら
ず微細な構造を有する蛍光体を使用した放射線撮影装置
に対して、荷重負荷を制御する必要のある放射線撮影装
置に適用が可能である。
【0054】以上説明したように、上記各実施形態の放
射線撮影装置によれば、放射線撮影装置に、FPDに加
わる荷重負荷を検出する構成を設けることで、放射線撮
影装置に負荷されている荷重を検出し、かつ荷重許容値
を超える負荷が掛かった場合に操作者に警告を与えるの
で、放射線撮影装置の荷重負荷による破壊を未然に防ぐ
ことができる。
【0055】また、上記各実施形態の放射線撮影装置に
よれば、上述の荷重負荷検出機構によって現在負荷され
ている荷重を検出し、これを操作者に表示することが可
能となる。これにより、放射線撮影装置の荷重負荷によ
る破壊を未然に防ぐことができる。同時に操作者は放射
線撮影装置に現在掛かっている荷重負荷を知ることがで
きるため、荷重破壊の不安なく撮影作業を遂行すること
ができる。
【0056】また、第2の実施形態の放射線撮影装置に
よれば、放射線検出機構を用いて荷重負荷の検出が行わ
れる。放射線検出機構と荷重負荷検出機構とを兼用する
ことにより、放射線撮影装置の荷重負荷による破壊を未
然に防ぐことができると同時に、特別な荷重負荷検出機
構を不要としたことによって低価格化を実現でき、かつ
画質および被曝線量低減に優れる放射線撮影装置を実現
できる。
【0057】また、第3の実施形態によれば、荷重によ
って変化する画質を補償する機構を設けたので、放射線
撮影装置の荷重負荷による破壊を未然に防ぐことができ
ると同時に、荷重負荷による画質変化の影響を受けない
高画質の放射線撮影装置を実現できる。
【0058】なお、上記各実施形態の構成において、C
PU6によって実行される処理の一部を外部コンピュー
タによって行うようにしてもよい。たとえば、荷重セン
サ3による出力やPDF4による放射線撮影画像の出力
を外部のコンピュータに出力するようにして、外部コン
ピュータ上で警告、画像補償等の処理を行うようにして
もよい。
【0059】特に放射線検出器として放射線平面検出器
(フラットパネルディテクタ)を用いた放射線撮影装
置、および蛍光体に微細な構造を有するCsI:Tl等を用い
た放射線撮影装置において、過荷重による破壊の防止、
荷重による画質変化を補償することができる。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
放射線検出器に加わる荷重を検出することが可能とな
り、過荷重の負荷による装置の破壊を防止することが可
能となる。また、本発明によれば、荷重負荷による放射
線撮影画像の画質変化を補償し、高画質な放射線撮影画
像を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態による放射線撮影装置の構成を
示すブロック図である。
【図2】本実施形態による放射線撮影装置の動作を説明
するフローチャートである。
【図3】第2の実施形態による放射線撮影装置の構成を
示すブロック図である。
【図4】第3の実施形態による放射線撮影装置の構成を
示すブロック図である。
【図5】第3の実施形態による放射線撮影装置の動作を
説明するフローチャートである。
【図6】第3の実施形態による放射線撮影装置の画像処
理ユニットの構成を示すブロック図である。
【図7】FPDのセンサを構成する1画素の断面図であ
る。
【図8】FPDセンサにおけるセンサ読み取りの動作原
理を説明する図である。
【図9】一般的なS/F系を用いたカセッテの構造を示
す図である。
【図10】一般的なFPDカセッテの構造を説明する図
である。
【図11】粉体蛍光体からなる蛍光スクリーンの断面図
である。
【図12】柱状化結晶蛍光体からなる蛍光スクリーンの
断面図である。
【図13】荷重変動分と暗電流画像変動分の関係、およ
び暗電流画像変動分と感度特性変動分の関係を示す図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01T 1/164 G01T 1/24 1/24 H04N 5/32 H04N 5/32 A61B 6/00 350Z Fターム(参考) 2G088 EE01 FF02 GG19 GG21 JJ05 LL30 MM09 4C093 AA01 CA01 CA38 EB13 EB17 EB30 FB12 FC18 FF01 5C024 AX12 CX32 CX33 CY50 GY31 HX29

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検出面と該検出面上に到達した放射線に
    基づいて放射線画像を得る放射線検出手段と、 前記検出面上に加わる荷重を検出する荷重検出手段とを
    備えることを特徴とする放射線撮影装置。
  2. 【請求項2】 前記荷重検出手段によって検出された荷
    重量に応じて警告を発する警告手段を更に備えることを
    特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。
  3. 【請求項3】 前記荷重検出手段によって検出された荷
    重量を表示する表示手段を更に備えることを特徴とする
    請求項1の放射線撮影装置。
  4. 【請求項4】 前記荷重検出手段は、荷重検出用の素子
    を前記検出面上に2次元的に配置したものであることを
    特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。
  5. 【請求項5】 前記荷重検出手段は、前記検出面上に流
    体を封入した風船を有し、該風船の変位あるいは圧力を
    測定することで荷重量を検出することを特徴とする請求
    項1に記載の放射線撮影装置。
  6. 【請求項6】 前記放射線検出手段は光電変換素子を備
    え、 前記荷重検出手段は、前記光電変換素子の暗電流の変化
    に基づいて前記検出面への荷重量を検出することを特徴
    とする請求項1に記載の放射線撮影装置。
  7. 【請求項7】 前記荷重検出手段によって検出された前
    記検出面上への荷重に基づいて前記放射線検出手段によ
    って得られた放射線画像を補正する補正手段を更に備え
    ることを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。
  8. 【請求項8】 前記補正手段は、前記放射線検出手段に
    よる放射線画像の撮影時に該放射線検出手段より暗電流
    画像を取得し、該暗電流画像に基づいて外報斜線検出手
    段の前記検出面における感度分布を取得し、該感度分布
    を用いて前記放射線画像を補正することを特徴とする請
    求項7に記載の放射線撮影装置。
  9. 【請求項9】 前記放射線検出手段が可搬型カセッテを
    構成することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影
    装置。
  10. 【請求項10】 前記放射線検出手段が放射線平面検出
    器を備えることを特徴とする請求項1に記載の放射線撮
    影装置。
  11. 【請求項11】 前記放射線検出手段は、柱状結晶構造
    を有する蛍光体を備えることを特徴とする請求項1に記
    載の放射線撮影装置。
  12. 【請求項12】 前記警告手段は光、音、画像の少なく
    とも一つを用いて警告を発することを特徴とする請求項
    2に記載の放射線撮影装置。
  13. 【請求項13】 検出面と該検出面上に到達した放射
    線を検出して放射線画像を得る放射線検出手段を有する
    放射線撮影装置の制御方法であって、 前記検出面上に加わる荷重を検出する荷重検出工程と、 前記荷重検出工程で検出された荷重が所定値を越える場
    合に、前記放射線検出手段による放射線画像の撮影を禁
    止し、警告を行う警告工程とを備えることを特徴とする
    放射線撮影装置の制御方法。
  14. 【請求項14】 検出面と該検出面上に到達した放射
    線を検出して放射線画像を得る放射線検出手段を有する
    放射線撮影装置の制御方法であって、 前記検出面上に加わる荷重を検出する荷重検出工程と、 前記荷重検出工程において検出された前記検出面上への
    荷重に基づいて前記放射線検出手段によって得られた放
    射線画像を補正する補正工程とを備えることを特徴とす
    る放射線撮影装置の制御方法。
  15. 【請求項15】 前記補正工程は、前記放射線検出手段
    による放射線画像の撮影時に該放射線検出手段より暗電
    流画像を取得する工程と、該暗電流画像に基づいて外報
    斜線検出手段の前記検出面における感度分布を取得する
    工程と、該感度分布を用いて前記放射線画像を補正する
    工程とを備えることを特徴とする請求項14に記載の放
    射線撮影装置の制御方法。
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