JP2002356777A - 線材配置方法およびそれを用いた触媒化学気相堆積法ならびに触媒化学気相堆積装置 - Google Patents
線材配置方法およびそれを用いた触媒化学気相堆積法ならびに触媒化学気相堆積装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】線状触媒の加熱による垂れ下りを抑制し、触媒
ＣＶＤによる大面積で均一な薄膜の形成に適した線材の
保持方法を提供することを目的とする。 【解決手段】複数の屈折部を有し加熱される線材を、屈
折部を除いた複数部分を直接にまたは線材保持部材を介
して間接に支持部材に接続して所定の位置に保持する。
ＣＶＤによる大面積で均一な薄膜の形成に適した線材の
保持方法を提供することを目的とする。 【解決手段】複数の屈折部を有し加熱される線材を、屈
折部を除いた複数部分を直接にまたは線材保持部材を介
して間接に支持部材に接続して所定の位置に保持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱される線材を
所定の位置に保持する方法に関するものであって、特
に、触媒化学気相堆積法（Catalytic Chemical Vapor D
eposition 以下、触媒ＣＶＤとする)において線状触媒
を反応槽内に保持する方法に関する。
所定の位置に保持する方法に関するものであって、特
に、触媒化学気相堆積法（Catalytic Chemical Vapor D
eposition 以下、触媒ＣＶＤとする)において線状触媒
を反応槽内に保持する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体業界において、非晶質シリコン、
多結晶シリコン、窒化シリコン等からなる薄膜は、広く
プラズマＣＶＤ（以下、ＰＣＶＤとする）により形成し
ていた。しかしながら、ＰＣＶＤによると、薄膜を形成
しようとする下地層にダメージを与えるなどの問題点を
有する。そこで、たとえばJapanese Journal of Applie
d Physics（１９９８年、第３７号、第３１７５〜３１
８７頁）には、いわゆる触媒ＣＶＤが提案されている。
触媒ＣＶＤでは、反応槽内に薄膜を形成しようとする基
板と対峙して配されたタングステン、タンタル等からな
る触媒に向けてシラン等の原料ガスを供給しながら、触
媒を抵抗加熱等によって加熱することにより、原料ガス
を触媒反応により分解して基板の表面に薄膜を形成す
る。触媒ＣＶＤによると、ＰＣＶＤと比べて、水素化非
晶質シリコン膜の高速形成、多結晶シリコン膜の結晶性
の向上、窒化シリコン膜形成時の下地層へ与えるダメー
ジの低減等、多くの利点を有する。さらに触媒ＣＶＤ
は、原料ガスの利用効率が高いといった利点もある。た
とえば、非晶質シリコン膜の形成においてシランガスの
利用効率は約５倍にもなる。
多結晶シリコン、窒化シリコン等からなる薄膜は、広く
プラズマＣＶＤ（以下、ＰＣＶＤとする）により形成し
ていた。しかしながら、ＰＣＶＤによると、薄膜を形成
しようとする下地層にダメージを与えるなどの問題点を
有する。そこで、たとえばJapanese Journal of Applie
d Physics（１９９８年、第３７号、第３１７５〜３１
８７頁）には、いわゆる触媒ＣＶＤが提案されている。
触媒ＣＶＤでは、反応槽内に薄膜を形成しようとする基
板と対峙して配されたタングステン、タンタル等からな
る触媒に向けてシラン等の原料ガスを供給しながら、触
媒を抵抗加熱等によって加熱することにより、原料ガス
を触媒反応により分解して基板の表面に薄膜を形成す
る。触媒ＣＶＤによると、ＰＣＶＤと比べて、水素化非
晶質シリコン膜の高速形成、多結晶シリコン膜の結晶性
の向上、窒化シリコン膜形成時の下地層へ与えるダメー
ジの低減等、多くの利点を有する。さらに触媒ＣＶＤ
は、原料ガスの利用効率が高いといった利点もある。た
とえば、非晶質シリコン膜の形成においてシランガスの
利用効率は約５倍にもなる。
【０００３】触媒ＣＶＤによる薄膜形成装置を図４に示
す。ステンレス鋼等からなる反応槽１０内には、基板６
を保持するためのサセプタ１１が配されている。基板６
は、サセプタ１１上にその薄膜が形成される表面を水平
にして保持される。サセプタ１１に接続されたヒータ１
２は、基板加熱手段１３の出力によって基板６を加熱す
る。基板６の上方には、タングステン、タンタル等から
なる線状触媒１が配されている。線状触媒１の一対の端
部は、交流電源を備えた触媒加熱手段１５に接続されて
いて、線状触媒１は、触媒加熱手段１５の出力による抵
抗加熱によって加熱される。
す。ステンレス鋼等からなる反応槽１０内には、基板６
を保持するためのサセプタ１１が配されている。基板６
は、サセプタ１１上にその薄膜が形成される表面を水平
にして保持される。サセプタ１１に接続されたヒータ１
２は、基板加熱手段１３の出力によって基板６を加熱す
る。基板６の上方には、タングステン、タンタル等から
なる線状触媒１が配されている。線状触媒１の一対の端
部は、交流電源を備えた触媒加熱手段１５に接続されて
いて、線状触媒１は、触媒加熱手段１５の出力による抵
抗加熱によって加熱される。
【０００４】原料ガスは、外部よりマスフローコントロ
ーラ１４を介して反応槽１０内に、線状触媒１の上方よ
り供給される。非晶質シリコン膜を形成する場合には、
原料ガスにはシランおよび水素が用いられる。窒化シリ
コン膜を形成する場合には、シランとともにアンモニア
等が用いられる。減圧ポンプ１６は、反応槽の１０内部
を減圧する。反応槽１０内の圧力は、マスフローコント
ローラ１４と、コンダクタンス制御バルブ１７により制
御される。線状触媒１の温度は、反応槽１０に設けられ
た観測窓１０ａを介して外部の放射温度計１８によって
測定されるか、触媒加熱手段１５内に配された電流計お
よび電圧計の値と、あらかじめ求められた線状触媒１の
抵抗値と温度との関係式とに基づいて導出される。この
触媒ＣＶＤに用いられる線状触媒１は、一般にその直径
が約０．５ｍｍであって、屈折部間の線分が同一平面上
に位置するように略Ｗ状につづら折りされている。線状
触媒１は、その線分により構成される面が基板６の表面
と平行になるように配される。
ーラ１４を介して反応槽１０内に、線状触媒１の上方よ
り供給される。非晶質シリコン膜を形成する場合には、
原料ガスにはシランおよび水素が用いられる。窒化シリ
コン膜を形成する場合には、シランとともにアンモニア
等が用いられる。減圧ポンプ１６は、反応槽の１０内部
を減圧する。反応槽１０内の圧力は、マスフローコント
ローラ１４と、コンダクタンス制御バルブ１７により制
御される。線状触媒１の温度は、反応槽１０に設けられ
た観測窓１０ａを介して外部の放射温度計１８によって
測定されるか、触媒加熱手段１５内に配された電流計お
よび電圧計の値と、あらかじめ求められた線状触媒１の
抵抗値と温度との関係式とに基づいて導出される。この
触媒ＣＶＤに用いられる線状触媒１は、一般にその直径
が約０．５ｍｍであって、屈折部間の線分が同一平面上
に位置するように略Ｗ状につづら折りされている。線状
触媒１は、その線分により構成される面が基板６の表面
と平行になるように配される。
【０００５】従来は、図５に示すように、線状触媒１の
屈折部１ａのそれぞれが、その軸方向を互いに平行にし
て配されたセラミクス、表面がセラミクスにより被覆さ
れたステンレス鋼等からなる一対の支持棒４に高融点金
属線材からなる線材保持部材５を介して接続されてい
た。線材保持部材５に水平方向の張力を持たせることに
より、線状触媒１は、その屈折部１ａ間の線分の軸のな
す面が平坦に、すなわち基板６に対して平行になるよう
配置されていた。
屈折部１ａのそれぞれが、その軸方向を互いに平行にし
て配されたセラミクス、表面がセラミクスにより被覆さ
れたステンレス鋼等からなる一対の支持棒４に高融点金
属線材からなる線材保持部材５を介して接続されてい
た。線材保持部材５に水平方向の張力を持たせることに
より、線状触媒１は、その屈折部１ａ間の線分の軸のな
す面が平坦に、すなわち基板６に対して平行になるよう
配置されていた。
【０００６】しかしながら、上記のような従来の触媒Ｃ
ＶＤによると、大面積で均一な薄膜を形成することが困
難であった。図５に示す線状触媒の固定によると、室温
下では図６（ａ）に示すように線状触媒１の自重による
弛みは実質上無視できるものの、薄膜の形成において線
状触媒１が１６００〜２０００℃にまで加熱されると、
図６（ｂ）に示すように、その熱膨張と機械的強度の低
下によって線状触媒１は弛んで垂れ下ってしまう。した
がって、線状触媒１と基板６との距離は、線状触媒１の
線材保持部材５により支持された屈折部１ａからの距離
が大きくなるにつれて小さくなる。線状触媒１と基板６
との距離すなわち堆積種の輸送距離に不均一が生じる
と、形成される膜の厚さにばらつきが生じる。すなわ
ち、形成される膜の線状触媒１との距離が小さくなる基
板６の中央部における厚さは、周縁部におけるそれと比
べて大きくなる。この屈折部１ａの間隔が大きくなるほ
ど、線状触媒１の弛みは大きくなり線状触媒１と基板６
との距離のばらつきも大きくなる。そこで、触媒ＣＶＤ
によって大面積で厚さが均一な薄膜を形成するために、
この線状触媒１の垂れ下りを小さくする方法が求められ
ていた。
ＶＤによると、大面積で均一な薄膜を形成することが困
難であった。図５に示す線状触媒の固定によると、室温
下では図６（ａ）に示すように線状触媒１の自重による
弛みは実質上無視できるものの、薄膜の形成において線
状触媒１が１６００〜２０００℃にまで加熱されると、
図６（ｂ）に示すように、その熱膨張と機械的強度の低
下によって線状触媒１は弛んで垂れ下ってしまう。した
がって、線状触媒１と基板６との距離は、線状触媒１の
線材保持部材５により支持された屈折部１ａからの距離
が大きくなるにつれて小さくなる。線状触媒１と基板６
との距離すなわち堆積種の輸送距離に不均一が生じる
と、形成される膜の厚さにばらつきが生じる。すなわ
ち、形成される膜の線状触媒１との距離が小さくなる基
板６の中央部における厚さは、周縁部におけるそれと比
べて大きくなる。この屈折部１ａの間隔が大きくなるほ
ど、線状触媒１の弛みは大きくなり線状触媒１と基板６
との距離のばらつきも大きくなる。そこで、触媒ＣＶＤ
によって大面積で厚さが均一な薄膜を形成するために、
この線状触媒１の垂れ下りを小さくする方法が求められ
ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためのものであり、線状触媒の加熱による垂れ
下りを抑制し、触媒ＣＶＤによる大面積で均一な薄膜の
形成に適した線材の配置方法を提供することを目的とす
る。
解決するためのものであり、線状触媒の加熱による垂れ
下りを抑制し、触媒ＣＶＤによる大面積で均一な薄膜の
形成に適した線材の配置方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の線材保持方法で
は、複数の屈折部を有し加熱される線材を、屈折部を除
いた複数の部分を直接にまたは線材保持部材を介して間
接に支持部材に接続して所定の位置に配置する。好まし
くは、線材と外部との電気的な短絡を防ぐため、絶縁体
からなる支持部材または表面に絶縁性を有する支持部材
を用いる。線材は、たとえば線材からなる保持部材によ
って支持部材より吊持する。本発明の線材保持方法は、
触媒ＣＶＤにおける線状触媒の固定に有用である。
は、複数の屈折部を有し加熱される線材を、屈折部を除
いた複数の部分を直接にまたは線材保持部材を介して間
接に支持部材に接続して所定の位置に配置する。好まし
くは、線材と外部との電気的な短絡を防ぐため、絶縁体
からなる支持部材または表面に絶縁性を有する支持部材
を用いる。線材は、たとえば線材からなる保持部材によ
って支持部材より吊持する。本発明の線材保持方法は、
触媒ＣＶＤにおける線状触媒の固定に有用である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、触媒ＣＶＤにおける線状触媒の固定手段を例に、
図面を用いて詳細に説明する。触媒ＣＶＤにおいては、
たとえば図１（ａ）に示すように、線状触媒１は、屈折
部１間の線分の軸を同一平面上に配した略Ｗ状につづら
折りされてセラミクス製の支持棒４に吊持される。線状
触媒１は、タングステン、タンタル、モリブデン等の高
融点金属またはこれらの合金からなる。
態を、触媒ＣＶＤにおける線状触媒の固定手段を例に、
図面を用いて詳細に説明する。触媒ＣＶＤにおいては、
たとえば図１（ａ）に示すように、線状触媒１は、屈折
部１間の線分の軸を同一平面上に配した略Ｗ状につづら
折りされてセラミクス製の支持棒４に吊持される。線状
触媒１は、タングステン、タンタル、モリブデン等の高
融点金属またはこれらの合金からなる。
【００１０】線状触媒１は、図１（ｂ）に示すように、
同じくタングステン等の高融点金属からなる線材保持部
材５によって、支持棒４から吊持されている。常温下で
図１（ａ）および（ｂ）に示すように線状触媒１を配置
したのち、薄膜の形成のためにこれを加熱すると、線状
触媒１は膨張する。線状触媒１と線材保持部材５が固定
されていると、同一の支持棒４に接続された二つ固定点
１ｂ間、すなわち図１（ｂ）に示す領域Ａの線状触媒１
の長さ方向の膨張は規制されず、この領域においては屈
折部分が室温状態の位置より外側に移動するため、線状
触媒１はほとんど垂れ下がることが無い。また、領域Ｂ
においては、線状触媒１の長さ方向の膨張によって一対
の固定点１ｂの間隔がδｘ1だけ大きくなっても、両固
定点１ｂの位置が相対的に固定されていないために、図
２（ａ）に示すようにその増加分に対応して線状触媒１
と線材保持部材５のなす角度θの大きさが変化すること
により、線状触媒１の垂れ下がりはほとんど発生しな
い。もちろん、線状触媒１が線材保持部材５と強固に、
すなわち角度θが一定に固定されている場合や、支持棒
４に直接固定されている場合においても、領域Ａにおい
てはその垂れ下がりが抑制される。
同じくタングステン等の高融点金属からなる線材保持部
材５によって、支持棒４から吊持されている。常温下で
図１（ａ）および（ｂ）に示すように線状触媒１を配置
したのち、薄膜の形成のためにこれを加熱すると、線状
触媒１は膨張する。線状触媒１と線材保持部材５が固定
されていると、同一の支持棒４に接続された二つ固定点
１ｂ間、すなわち図１（ｂ）に示す領域Ａの線状触媒１
の長さ方向の膨張は規制されず、この領域においては屈
折部分が室温状態の位置より外側に移動するため、線状
触媒１はほとんど垂れ下がることが無い。また、領域Ｂ
においては、線状触媒１の長さ方向の膨張によって一対
の固定点１ｂの間隔がδｘ1だけ大きくなっても、両固
定点１ｂの位置が相対的に固定されていないために、図
２（ａ）に示すようにその増加分に対応して線状触媒１
と線材保持部材５のなす角度θの大きさが変化すること
により、線状触媒１の垂れ下がりはほとんど発生しな
い。もちろん、線状触媒１が線材保持部材５と強固に、
すなわち角度θが一定に固定されている場合や、支持棒
４に直接固定されている場合においても、領域Ａにおい
てはその垂れ下がりが抑制される。
【００１１】また、線状触媒１が線材保持部材５に吊持
されているのみであって、図中水平方向に移動自在であ
れば、いずれの領域においても加熱による線状触媒１の
長さ方向の膨張は、水平面上で進行する。すなわち、図
２（ｂ）に示すように、線状触媒１が熱により膨張して
も、屈折部１ａがＣからＣ’に、隣接する他の固定点屈
折部１ａがＤからＤ’に変化して、これら屈折部１ａ間
の間隔ｘがその増加分δｘ大きくなるのみであって、垂
れ下りはほとんど発生しない。以上のように、屈折部を
除いた部分の複数を直接にまたは線材保持部材を介して
間接に支持部材に接続して所定の位置に配置することに
より、配された線材の熱膨張に起因した垂れ下がりを抑
制することができる。
されているのみであって、図中水平方向に移動自在であ
れば、いずれの領域においても加熱による線状触媒１の
長さ方向の膨張は、水平面上で進行する。すなわち、図
２（ｂ）に示すように、線状触媒１が熱により膨張して
も、屈折部１ａがＣからＣ’に、隣接する他の固定点屈
折部１ａがＤからＤ’に変化して、これら屈折部１ａ間
の間隔ｘがその増加分δｘ大きくなるのみであって、垂
れ下りはほとんど発生しない。以上のように、屈折部を
除いた部分の複数を直接にまたは線材保持部材を介して
間接に支持部材に接続して所定の位置に配置することに
より、配された線材の熱膨張に起因した垂れ下がりを抑
制することができる。
【００１２】また、線状触媒１を支持棒４より吊り下げ
ることにより、図３の（ａ）および（ｂ）に示すよう
に、一対の支持棒４の間にさらに支持棒４ａを配するこ
とができる。したがって、固定点の間隔を小さくして、
より効果的に弛みすなわち垂れ下りを抑制することがで
きる。
ることにより、図３の（ａ）および（ｂ）に示すよう
に、一対の支持棒４の間にさらに支持棒４ａを配するこ
とができる。したがって、固定点の間隔を小さくして、
より効果的に弛みすなわち垂れ下りを抑制することがで
きる。
【００１３】従来の線材保持方法によると、固定点間の
間隔が一定であるためにその間の線材が膨張すると、そ
の水平方向の膨張が規制されることから垂れ下りが生じ
る。それに対して、本発明によると、線材の水平方向の
膨張がほとんど規制されないため、線材の垂れ下りを抑
制することができる。
間隔が一定であるためにその間の線材が膨張すると、そ
の水平方向の膨張が規制されることから垂れ下りが生じ
る。それに対して、本発明によると、線材の水平方向の
膨張がほとんど規制されないため、線材の垂れ下りを抑
制することができる。
【００１４】
【実施例】図３に示すように配置された線状触媒１を用
いて薄膜を形成し、そのときの線状触媒１の垂れ下りす
なわち図６に示すδｙを目視により観測した。４０ｃｍ
ごとに屈折部を設けた直径が０．５ｍｍのタングステン
線からなる線状触媒１を、セラミクス製の支持棒４およ
び４ａに吊持したのち、図４に示す触媒ＣＶＤ装置内に
配置した。原料ガスとしてシラン及び水素を反応槽１０
内に導入しながら、線状触媒１を２０００℃まで加熱し
たところ、垂下量δｙは５ｍｍ以下であった。一方、図
５に示す従来の方法により固定された線状触媒１を同様
に加熱したところ、約２ｃｍの垂れ下りが確認された。
なお、以上のようにして形成された非晶質シリコン膜
は、従来のそれと比べて同等の特性を有することが確認
された。すなわち、本発明によると、大面積の薄膜を形
成するために屈折部の間隔をより大きくしても、線状触
媒の垂れ下がり（弛み）を抑制することができる。した
がって、より大面積の薄膜を形成することが可能にな
る。
いて薄膜を形成し、そのときの線状触媒１の垂れ下りす
なわち図６に示すδｙを目視により観測した。４０ｃｍ
ごとに屈折部を設けた直径が０．５ｍｍのタングステン
線からなる線状触媒１を、セラミクス製の支持棒４およ
び４ａに吊持したのち、図４に示す触媒ＣＶＤ装置内に
配置した。原料ガスとしてシラン及び水素を反応槽１０
内に導入しながら、線状触媒１を２０００℃まで加熱し
たところ、垂下量δｙは５ｍｍ以下であった。一方、図
５に示す従来の方法により固定された線状触媒１を同様
に加熱したところ、約２ｃｍの垂れ下りが確認された。
なお、以上のようにして形成された非晶質シリコン膜
は、従来のそれと比べて同等の特性を有することが確認
された。すなわち、本発明によると、大面積の薄膜を形
成するために屈折部の間隔をより大きくしても、線状触
媒の垂れ下がり（弛み）を抑制することができる。した
がって、より大面積の薄膜を形成することが可能にな
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明によると、熱膨張による垂れ下り
を抑制することができる線材配置方法を提供することが
できる。また、この方法を触媒ＣＶＤに応用することに
より、大面積で均一な薄膜を形成することが可能にな
る。したがって、高い原料ガス（たとえばシランガス）
の使用効率で、すなわち大気等の系外へ放出される原料
ガスを大幅に低減して大面積の薄膜を形成することがで
き、地球環境・宇宙環境に優しい薄膜の形成方法を提供
することができる。
を抑制することができる線材配置方法を提供することが
できる。また、この方法を触媒ＣＶＤに応用することに
より、大面積で均一な薄膜を形成することが可能にな
る。したがって、高い原料ガス（たとえばシランガス）
の使用効率で、すなわち大気等の系外へ放出される原料
ガスを大幅に低減して大面積の薄膜を形成することがで
き、地球環境・宇宙環境に優しい薄膜の形成方法を提供
することができる。
【図１】本発明の一実施例において保持された線材を示
す図であって、（ａ）は概略した平面図であり、（ｂ）
は概略した縦断面図である。
す図であって、（ａ）は概略した平面図であり、（ｂ）
は概略した縦断面図である。
【図２】同実施例の線材およびそれを吊持する部材の熱
膨張による変化を示す概略した縦断面図であって、
（ａ）は線材と部材とが固定された場合を示し、（ｂ）
は線材が水平方向に移動自在な場合を示す。
膨張による変化を示す概略した縦断面図であって、
（ａ）は線材と部材とが固定された場合を示し、（ｂ）
は線材が水平方向に移動自在な場合を示す。
【図３】本発明の他の実施例において保持された線材を
示す図であって、（ａ）は概略した平面図であり、
（ｂ）は概略した縦断面図である。
示す図であって、（ａ）は概略した平面図であり、
（ｂ）は概略した縦断面図である。
【図４】触媒化学気相堆積装置の構成を示す概略した縦
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の触媒化学気相堆積装置において固定され
た線状触媒を示す概略した平面図である。
た線状触媒を示す概略した平面図である。
【図６】同線状触媒の状態を示す概略した縦断面図であ
って、（ａ）は室温時の状態を示し、（ｂ）は加熱時の
状態を示す。
って、（ａ）は室温時の状態を示し、（ｂ）は加熱時の
状態を示す。
１ 線状触媒 １ａ 屈折部 １ｂ 固定点 ４、４ａ 支持棒 ５ 線材保持部材 ６ 基板 １０ 反応槽 １０ａ 観測窓 １１ サセプタ １２ ヒータ １３ 基板加熱手段 １４ マスフローコントローラ １５ 触媒加熱手段 １６ 減圧ポンプ １７ コンダクタンス制御バルブ １８ 放射温度計
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の屈折部を有し加熱される線材を、
前記屈折部を除いた複数の部分を直接にまたは線材保持
部材を介して間接に支持部材に接続して所定の位置に配
置する線材配置方法。 - 【請求項２】 前記支持部材が少なくとも表面に絶縁性
を有し、前記線材を前記線材保持部材によって前記支持
部材より吊持する請求項１記載の線材配置方法。 - 【請求項３】 前記線材を、前記線材保持部材によって
水平方向に移動自在に吊持する請求項２記載の線材配置
方法。 - 【請求項４】 複数の屈折部を有する線状触媒を、前記
屈折部を除いた複数の部分を直接にまたは線材保持部材
を介して間接に支持部材に接続して反応槽内の所定の位
置に保持する触媒化学気相堆積法。 - 【請求項５】 前記支持部材が少なくとも表面に絶縁性
を有し、前記線状触媒を前記線材保持部材によって前記
支持部材より吊持する請求項４記載の触媒化学気相堆積
法。 - 【請求項６】 前記線状触媒を、前記線材保持部材によ
って水平方向に移動自在に吊持する請求項５記載の触媒
化学気相堆積法。 - 【請求項７】 前記線状触媒が、タングステン、タンタ
ルおよびモリブデンからなる群より選択される金属、ま
たは前記金属の複数を含む合金からなる請求項４記載の
触媒化学気相堆積法。 - 【請求項８】 密閉可能な反応槽、薄膜を形成しようと
する基板を前記反応槽内に保持する手段、複数の屈折部
を有する線状触媒、前記線状触媒を加熱する手段、前記
反応槽内を減圧する手段、前記反応槽内に系外よりガス
を供給する手段、および前記線状触媒を前記屈折部を除
いた部分の複数を直接にまたは線材保持部材を介して間
接に支持部材に接続して前記反応槽内の所定の位置に保
持する触媒固定手段を具備する触媒化学気相堆積装置。 - 【請求項９】 前記支持部材が少なくとも表面に絶縁性
を有し、前記線状触媒が前記線材保持部材によって前記
支持部材より吊持された請求項８記載の触媒化学気相堆
積装置。 - 【請求項１０】 前記線状触媒が、前記線材保持部材に
よって水平方向に移動自在に吊持される請求項８記載の
触媒化学気相堆積装置。 - 【請求項１１】 前記線状触媒が、タングステン、タン
タルおよびモリブデンからなる群より選択される金属、
または前記金属の複数を含む合金からなる請求項８記載
の触媒化学気相堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001164197A JP2002356777A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 線材配置方法およびそれを用いた触媒化学気相堆積法ならびに触媒化学気相堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001164197A JP2002356777A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 線材配置方法およびそれを用いた触媒化学気相堆積法ならびに触媒化学気相堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002356777A true JP2002356777A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19007048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001164197A Pending JP2002356777A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 線材配置方法およびそれを用いた触媒化学気相堆積法ならびに触媒化学気相堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002356777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082226A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Ulvac Japan Ltd | 触媒化学気相成長装置 |
| US8052795B2 (en) * | 2005-05-13 | 2011-11-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Catalyst enhanced chemical vapor deposition apparatus and deposition method using the same |
| EP2420591A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-22 | Echerkon Technologies Ltd. | Apparatus and methodology for hot wire chemical vapour deposition |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001164197A patent/JP2002356777A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8052795B2 (en) * | 2005-05-13 | 2011-11-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Catalyst enhanced chemical vapor deposition apparatus and deposition method using the same |
| JP2011082226A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Ulvac Japan Ltd | 触媒化学気相成長装置 |
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