JP2002351081A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 １６０ｎｍ以下、特にＦ₂エキシマレーザー
光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジ
スト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎ
ｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現
像欠陥を満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）の構造の繰り返
し単位を少なくとも一つ有する、酸の作用により分解
し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂、及
び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生す
る化合物を含有するポジ型レジスト組成物。 例えば

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩ、高容量
マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープ
ロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセス
に好適に用いられるポジ型レジスト組成物に関するもの
である。更に詳しくは、１６０ｎｍ以下の真空紫外光を
使用して高精細化したパターンを形成し得るポジ型レジ
スト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】集積回路はその集積度を益々高めてお
り、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては、クオ
ーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加
工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化
を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際
に使用される露光光源の短波長化が知られている。この
ことは光学系の解像度（線幅）Ｒを表すレイリーの式、 Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ （ここでλは露光光源の波長、ＮＡはレンズの開口数、
ｋはプロセス定数）で説明することができる。この式よ
り高解像度を達成する、即ちＲの値を小さくする為に
は、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわかる。

【０００３】例えば６４Ｍビットまでの集積度の半導体
素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎ
ｍ）が光源として使用されてきた。この光源に対応する
ポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物とし
てのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多
く開発され、０．３μｍ程度までの線幅の加工において
は十分な成果をおさめてきた。また２５６Ｍビット以上
集積度の半導体素子の製造には、ｉ線に代わりＫｒＦエ
キシマレーザー光（２４８ｎｍ）が露光光源として採用
されてきた。更に１Ｇビット以上の集積度の半導体製造
を目的として、近年より短波長の光源であるＡｒＦエキ
シマレーザー光（１９３ｎｍ）の使用、更には０．１μ
ｍ以下のパターンを形成する為にＦ₂エキシマレーザー
光（１５７ｎｍ）の使用が検討されている。

【０００４】これら光源の短波長化に合わせ、レジスト
材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化してい
る。即ち従来のノボラック樹脂とナフトキノンジアジド
化合物を含むレジストでは、２４８ｎｍの遠紫外領域に
おける吸収が大きいため、光がレジスト底部まで十分に
到達しにくくなり、低感度でテーパー形状のパターンし
か得られなかった。このような問題を解決する為、２４
８ｎｍ領域での吸収の小さいポリ（ヒドロキシスチレ
ン）を基本骨格とし酸分解基で保護した樹脂を主成分と
して用い、遠紫外光の照射で酸を発生する化合物（光酸
発生剤）を組み合わせた組成物、所謂化学増幅型レジス
トが開発されるに至った。化学増幅型レジストは露光部
に発生した酸の触媒分解反応により、現像液に対する溶
解性を変化させる為、高感度で高解像度なパターンを形
成することができる。

【０００５】これらに有効な酸分解性樹脂及び光酸発生
剤については、Polym. Eng. Sci.,２３巻，１０１２頁
（１９８３）、ACS. Sym.,２４２巻，１１頁（１９８
４）、Macromolecules，２１巻，１４７５頁（１９８
８）、有機合成化学協会誌，４９巻，４３７頁（１９９
１）、「微細加工とレジスト」（共立出版、１９８７）
など、多くの論文、特許などで報告されている。またＡ
ｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を使用した場
合、芳香族基を有する化合物が本質的に１９３ｎｍ波長
領域に大きな吸収を有する為、上記化学増幅型レジスト
でも十分な性能は得られなかった。

【０００６】この問題に対し、ポリ（ヒドロキシスチレ
ン）を基本骨格とする酸分解性樹脂を、１９３ｎｍに吸
収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導
入した酸分解性樹脂に代え、化学増幅型レジストの改良
が図られている。これら脂環型の酸分解性樹脂について
は、例えば特開平４−３９６６５号、同７−２３４５１
１号、同９−７３１７３号、同７−１９９４６７号、同
８−２５９６２６号、同９−２２１５１９号、同１０−
１０７３９号、同９−２３０５９５号、同１０−１１１
５６９号、同１０−２１８９４７号、同１０−１５３８
６４号、ＷＯ−９７／３３１９８号等の明細書に記載さ
れている。

【０００７】更にＦ₂エキシマレーザー光（１５７ｎ
ｍ）に対しては、上記脂環型樹脂においても１５７ｎｍ
領域の吸収が大きく、目的とする０．１μｍ以下のパタ
ーンを得るには不十分であることが判明した。これに対
し、フッ素原子（パーフルオロ構造）を導入した樹脂が
１５７ｎｍに十分な透明性を有することがProc. SPIE.V
ol.3678. 13頁（1999）にて報告され、有効なフッ素樹
脂の構造がProc. SPIE.Vol.3999. 330頁（2000）、同35
7頁（2000）、同365頁（2000）、ＷＯ−００／１７７１
２号等に提案されるに至っている。但しこれらフッ素樹
脂を有するレジストは、耐ドライエッチング性は必ずし
も十分とは言えず、またパーフルオロ構造に由来する特
異な撥水、撥油特性の為、塗布性（塗布面の均一性）の
改良、及び現像欠陥の抑制も望まれていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、１６０ｎｍ以下、特にＦ₂エキシマレーザー光（１
５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組
成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光
源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥
を満足するポジ型レジスト組成物を提供することであ
る。更に良好な感度、解像度でパターンを形成し、耐ド
ライエッチング性も優れるポジ型レジスト組成物を提供
することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の組成物を使用することで見事に達成されることを見
出し、本発明に到達した。即ち、本発明は下記構成であ
る。

【００１０】（１）（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される
繰り返し単位を少なくとも一つ有する、酸の作用により
分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹
脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を
発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。

【００１１】

【化７】

【００１２】式中、Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハ
ロアルキル基を表す。Ｒ₂、Ｒ₃は同じでも異なっていて
も良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シ
アノ基、アルコキシ基、アシル基又は置換基を有してい
ても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ₄は水
素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、パー
フルオロアルキル基、シクロアルキル基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル
基、又は式（ＩＩ）の基を表す。

【００１３】

【化８】

【００１４】Ｒ₅、Ｒ₆は同じでも異なっていても良く、
水素原子、置換基を有していても良いアルキル基もしく
はシクロアルキル基を表す。Ｒ₇は置換基を有していて
も良いアルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロア
ルキル基、パーフルオロシクロアルキル基、アラルキル
基もしくはアリール基を表す。またＲ₅〜Ｒ₇の2つが結
合し、環を形成しても良い。 （２）（Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＩＩＩ）で示
される繰り返し単位を少なくとも一つ有することを特徴
とする前記（１）に記載のポジ型レジスト組成物。

【００１５】

【化９】

【００１６】式中、Ｒ₈、Ｒ₉は同じでも異なっていても
良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有
していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表
す。Ｒ ₁₀は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有して
いても良い、アルキル基又はハロアルキル基、もしくは
−Ａ₁−ＣＮ基を表す。Ａ₁は単結合、置換基を有しても
良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロア
ルキレン基もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ
₁₁−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₂−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₃）−Ｒ₁₄
−を表す。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、 Ｒ₁₄は同じでも異なっていて
も良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド
基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２
価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン
基又はアリーレン基を表す。Ｒ₁₃は水素原子、置換基を
有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ラルキル基又はアリール基を表す。 （３）（Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＩＶ）、
（Ｖ）で示される繰り返し単位のうち少なくとも一つ有
することを特徴とする前記（１）又は（２）に記載のポ
ジ型レジスト組成物。

【００１７】

【化１０】

【００１８】式中、Ｒ₁₅は水素原子、置換基を有してい
ても良い、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シク
ロアルキル基、パーフルオロシクロアルキル基、もしく
はアリール基を表す。 （４）（Ａ）の樹脂が、更に一般式（ＶＩ）及び（ＶＩ
Ｉ）で示される繰り返し単位のうち少なくとも一つ有す
ることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記
載のポジ型レジスト組成物。

【００１９】

【化１１】

【００２０】式中、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は、同じでも異なってい
ても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基
を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を
表す。Ｒ₁₈は−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｃ（Ｒ
₁₉）（Ｒ₂₀）（ＯＲ₂₂）、もしくは式（ＶＩＩＩ）で示
される基を表す。Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂は同じでも異なっていても
良く、置換基を有していても良い、アルキル基、単環又
は多環のシクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル
基もしくはアリール基を表す。Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ ₂₁の内の
２つ、又はＲ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₂の内の２つが結合して環を
形成しても良い。式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ₂₃は置換基を有
していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アラルキル基もしくはアリー
ル基を表す。Ｚは炭素原子と伴に単環又は多環の脂環式
基を構成する原子団を表す。Ａ₂は単結合、置換基を有
しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シ
クロアルキレン基もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−Ｃ
Ｏ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₂−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₃）
−Ｒ₁₄−を表す。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、 Ｒ₁₄は同じでも異なっ
ていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、
アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良
い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアル
キレン基又はアリーレン基を表す。Ｒ₁₃は水素原子、置
換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ₁は水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良
い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₂及びＲ₃
は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ヒドロキ
シル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アシ
ル基又は置換基を有していても良いアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはアリ
ール基を表す。

【００２１】

【化１２】 式（ＶＩＩＩ）中Ｒ₂₃は置換基を有していても良い、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｚは炭
素原子と伴に単環又は多環の脂環式基を構成する原子団
を表す。

【００２２】（５） 更に（Ｃ）酸拡散抑制剤として、
塩基性窒素原子を有する化合物を含有することを特徴と
する前記（１）〜（４）のいずれかに記載のポジ型レジ
スト組成物。 （６） （Ｂ）成分の化合物が、活性光線又は放射線の
照射により、炭素原子数２以上のパーフルオロアルキル
スルホン酸、パーフルオロアリールスルホン酸、もしく
はパーフルオロアルキル基が置換したアリールスルホン
酸を発生するスルホニウム塩又はヨードニウム塩の化合
物から選択されることを特徴とする前記（１）〜（５）
のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 （７） （Ｂ）成分の化合物が、イミド−Ｎ−スルホネ
ート化合物、オキシム−Ｎ−スルホネート化合物、もし
くはジスルホン化合物から選択されることを特徴とする
前記（１）〜（６）のいずれかに記載のポジ型レジスト
組成物。 （８） 露光光源として、１６０ｎｍ以下の真空紫外光
を使用することを特徴とする前記（１）〜（７）のいず
れかに記載のポジ型レジスト組成物。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 ［１］本発明（Ａ）の樹脂 本発明（Ａ）における樹脂は、一般式（Ｉ）で表される
ヘキサフルオロ−２−プロパノ−ル基、又はヘキサフル
オロ−２−プロパノ−ル基のOH基を酸分解性基で保護し
た基で置換したスチレン誘導体の繰り返し単位を少なく
とも一つ有する樹脂である。好ましくは更に、一般式
（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の少なくとも一つを
有する酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する
溶解度を増大する樹脂である。また必要に応じ、本発明
（Ａ）の樹脂の親疎水性、ガラス転移点、露光光に対す
る透過性等の物性を制御する為、あるいはポリマー合成
時の重合性を制御する為に、一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ
Ｉ）で表される繰り返し単位を少なくとも一つ有しても
良い。

【００２４】一般式中、Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基
又はハロアルキル基を表す。Ｒ₂、Ｒ₃は同じでも異なっ
ていても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原
子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基又は置換基を有
していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ₄
は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、
パーフルオロアルキル基、単環又は多環のシクロアルキ
ル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ
カルボニルメチル基、又は前記一般式（ＩＩ）の基を表
す。

【００２５】Ｒ₅、Ｒ₆は同じでも異なっていても良く、
水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、もし
くはシクロアルキル基を表す。Ｒ₇は置換基を有してい
ても良いアルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロ
アルキル基、パーフルオロシクロアルキル基、アラルキ
ル基もしくはアリール基を表す。またＲ₅〜Ｒ₇の2つが
結合し、環を形成しても良い。Ｒ₈、Ｒ₉は同じでも異な
っていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキ
ル基を表す。Ｒ₁₀は、水素原子、ハロゲン原子、置換基
を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基、
もしくは−Ａ₁−ＣＮ基を表す。Ａ₁及びＡ₂は、単結
合、置換基を有しても良い、２価のアルキレン基、アル
ケニレン基、シクロアルキレン基もしくはアリーレン
基、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₂−、−
ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₃）−Ｒ₁₄−を表す。

【００２６】Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、 Ｒ₁₄は同じでも異なってい
ても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミ
ド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、
２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレ
ン基又はアリーレン基を表す。Ｒ₁₃は水素原子、置換基
を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、
アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ₁₅は水素原子、
置換基を有していても良い、アルキル基、パーフルオロ
アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロシクロア
ルキル基、もしくはアリール基を表す。Ｒ₁₆、Ｒ₁₇同じ
でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハ
ロアルキル基を表す。Ｒ₁₈は−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ
₂₁）、−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（ＯＲ₂₂）、もしくは前記
一般式（ＶＩＩＩ）の基を表す。Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂は同じでも
異なっていても良く、置換基を有していても良い、アル
キル基、単環又は多環のシクロアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。

【００２７】Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁の内の２つ、又はＲ₁₉、
Ｒ₂₀、Ｒ₂₂の内の２つが結合して環を形成しても良い。
Ｒ₂₃は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル
基もしくはアリール基を表す。Ｚは炭素原子と伴に単環
又は多環の脂環式基を構成する原子団を表す。

【００２８】また、上記アルキル基としては、例えば炭
素数１〜８個のアルキル基であって、具体的には、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル
基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基を好
ましく挙げることができる。シクロアルキル基としては
単環型でも良く、多環型でも良い。単環型としては炭素
数３〜８個のものであって、例えばシクロプロピル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル
基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。
多環型としては炭素数６〜２０個のものであって、例え
ばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、
カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、
トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アン
ドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。

【００２９】パーフルオロアルキル基としては、例えば
炭素数１〜１２個のものであって、具体的にはトリフル
オロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−
トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、
２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロピル
基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロ−１−ブ
チル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ
−１−ブチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オ
クタフルオロ−１−ペンチル基、パーフルオロブチル
基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘキシルエ
チル基、パーフルオロヘプチルメチル基、パーフルオロ
オクチル基、パーフルオロオクチルエチル基、パーフル
オロデシルエチル基等を好ましくあげることができる。

【００３０】パーフルオロシクロアルキル基としては、
フッ素基が複数置換した単環型、又は多環型のシクロア
ルキル基である。単環型としては炭素数３〜８個のもの
であって、例えばパーフルオロシクロプロピル基、パー
フルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシ
ル基を好ましく挙げることができる。多環型としては炭
素数６〜２０個のものであって、例えばパーフルオロア
ダマンチル基、パーフルオロノルボルニル基、パーフル
オロイソボロニル基、パーフルオロトリシクロデカニル
基、パーフルオロテトラシクロドデシル基等を好ましく
挙げることができる。ハロアルキル基としては、例えば
炭素数１〜４個のハロアルキル基であって、具体的には
クロロメチル基、クロロエチル基、クロロプロピル基、
クロロブチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基等を
好ましく挙げることができる。

【００３１】アリール基としては、例えば炭素数６〜１
５個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、
トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチ
ルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、９，１０−
ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば炭素数７〜１２個の
アラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェ
ネチル基、ナフチルメチル基等を好ましく挙げることが
できる。

【００３２】アルケニル基としては、例えば炭素数２〜
８個のアルケニル基であって、具体的には、ビニル基、
アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を好ましく
挙げることができる。アルコキシ基としては、例えば炭
素数１〜８個のアルコキシ基であって、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プ
ロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ
基、オクトキシ基等を好ましく挙げることができる。

【００３３】アシル基としては、例えば炭素数１〜１０
個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセ
チル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル
基、オクタノイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げる
ことができる。アルコキシカルボニル基としては、ｔ−
ブトキシカルボニル基、ｔ−アミロキシカルボニル基、
１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル基等
の３級のアルコキシカルボニル基が挙げられる。アルコ
キシカルボニルメチル基としては、ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル基、ｔ−アミロキシカルボニルメチル基、１
−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニルメチル
基等の３級のアルコキシカルボニル基が挙げられる。

【００３４】またアルキレン基としては、好ましくは置
換基を有していても良いメチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等
の炭素数１〜８個のものが挙げられる。アルケニレン基
としては、好ましくは置換基を有していても良いエテニ
レン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数２〜
６個のものが挙げられる。シクロアルキレン基として
は、好ましくは置換基を有していても良いシクロペンチ
レン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５〜８個のもの
が挙げられる。アリーレン基としては、好ましくは置換
基を有していても良いフェニレン基、トリレン基、ナフ
チレン基等の炭素数６〜１５個のものが挙げられる。

【００３５】またＲ₅〜Ｒ₇、あるいはＲ₁₉〜Ｒ₂₂の２つ
が結合して形成した環としては、例えば３〜８員環であ
り、具体的にはシクロプロパン環、シクロペンタン環、
シクロヘキサン環、フラン環、ピラン環、ジオキソノー
ル環、１，３−ジオキソラン環等が挙げられる。Ｚは単
環又は多環の脂環式基を構成する原子団を表し、形成さ
れる脂環式基としては、単環型として炭素数３〜８個の
ものであって、例えばシクロプロピル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオ
クチル基を好ましく挙げることができる。多環型として
は炭素数６〜２０個のものであって、例えばアダマンチ
ル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル
基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデ
カニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基
等を好ましく挙げることができる

【００３６】またこれらの基に置換される置換基として
は、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒ
ドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するも
のや、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、沃素原子）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、チオエーテル基、
アシル基（アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基
等）、アシロキシ基（アセトキシ基、プロパノイルオキ
シ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルコキシカルボニル
基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プ
ロポキシカルボニル基等）、シアノ基、ニトロ基等が挙
げられる。

【００３７】本発明（Ａ）の樹脂に含まれる、酸の作用
により分解しアルカリ可溶性を示す基としては、例えば
−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）
（Ｒ ₂₀）（ＯＲ₂₂）、−Ｏ−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）
（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₀₁）（Ｒ₀₂）ＣＯＯ−
Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）
（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｏ
Ｒ₂₂）等が挙げられる。Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂は上記と同義であ
り、Ｒ₀₁、Ｒ₀₂は水素原子、上記で示した置換基を有し
ていても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。

【００３８】好ましい具体例としては、ｔ−ブチル基、
ｔ−アミル基、１−アルキル−１−シクロヘキシル基、
２−アルキル−２−アダマンチル基、２−アダマンチル
−２−プロピル基、２−（４−メチルシクロヘキシル）
−２−プロピル基等の３級アルキル基のエーテル基又は
エステル基、１−アルコキシ−１−エトキシ基、テトラ
ヒドロピラニル基等のアセタール基又はアセタールエス
テル基、ｔ−アルキルカーボネート基、ｔ−アルキルカ
ルボニルメトキシ基等が好ましく挙げられる。更に好ま
しくは、１−アルコキシ−１−エトキシ基、テトラヒド
ロピラニル基等のアセタール基である。アセタール基の
場合、酸分解性が大きく、併用する酸発生化合物の選択
の幅が広がり、感度の向上、露光後加熱までの経時での
性能変動等の点で有効である。特に好ましくはアセター
ル基の１−アルコキシ成分として上記パーフルオロアル
キル基から由来するアルコキシ基を含有するアセタール
基である。この場合、短波の露光光（例えばＦ₂エキシ
マレーザー光の１５７ｎｍ）での透過性がいっそう向上
させることができる。

【００３９】一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位の含
量の合計は、全ポリマー組成中において２０〜１００モ
ル％、好ましくは３０〜８０モル％、更に好ましくは４
０〜７０モル％の範囲で使用される。一般式（ＩＩＩ）
で表される繰り返し単位の含量は、全ポリマー組成中に
おいて０〜８０モル％、好ましくは２０〜６０モル％、
更に好ましくは３０〜５０モル％の範囲で使用される。
一般式（ＩＶ）〜（Ｖ）で表される繰り返し単位の含量
は、全ポリマー組成中において０〜５０モル％、好まし
くは０〜４０モル％、更に好ましくは０〜３０モル％の
範囲で使用される。一般式（ＶＩ）〜（ＶＩＩ）で表さ
れる繰り返し単位の含量は、全ポリマー組成中において
０〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％、更に好
ましくは２０〜４０モル％の範囲で使用される。

【００４０】本発明（Ａ）の樹脂は、上記のような繰り
返し構造単位以外にも、更に本発明のポジ型レジストの
性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合
させても良い。

【００４１】使用することができる共重合モノマーとし
ては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外の
アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビ
ニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロ
トン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結
合を１個有する化合物である。

【００４２】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、クロルエチル
アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，
２−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒ
ドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパ
ンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリ
レート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリル
アクリレート、など）アリールアクリレート（例えばフ
ェニルアクリレートなど）；

【００４３】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、
５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメ
チル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例
えば、フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレー
ト、ナフチルメタクリレートなど）；

【００４４】アクリルアミド類、例えば、アクリルアミ
ド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基として
は、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−ア
リールアクリルアミド（アリール基としては、例えばフ
ェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、
シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシ
フェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリ
ルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０の
もの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブ
チル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがあ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールアクリルアミド（アリール
基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエ
チル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミ
ドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；

【００４５】メタクリルアミド類、例えば、メタクリル
アミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基と
しては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒド
ロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ
−アリールメタクリルアミド（アリール基としては、フ
ェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリ
ルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロピル
基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタ
クリルアミド（アリール基としては、フェニル基などが
ある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリ
ルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミ
ド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドなど；
アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例えば、酢
酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウ
リン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリ
ル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルな
ど）、アリルオキシエタノールなど；

【００４６】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；

【００４７】ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレ
ート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテ
ート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビ
ニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジ
クロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニル
ブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニ
ルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−
フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシ
レート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安
息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ
酸ビニルなど；

【００４８】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、カルボ
キシスチレン、ビニルナフタレン；

【００４９】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル（例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネートなど）；イタコン
酸ジアルキル類（例えば、イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど）；マレイン酸
あるいはフマール酸のジアルキルエステル類（例えば、
ジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど）等があ
る。その他、一般的には共重合可能である付加重合性不
飽和化合物であればよい。

【００５０】以下に、一般式（Ｉ）で表される繰り返し
構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定される
ものではない。

【００５１】

【化１３】

【００５２】

【化１４】

【００５３】

【化１５】

【００５４】

【化１６】

【００５５】また一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩＩ）で表さ
れる繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれ
に限定されるものではない。

【００５６】

【化１７】

【００５７】

【化１８】

【００５８】

【化１９】

【００５９】

【化２０】

【００６０】上記具体例で表される繰り返し構造単位
は、各々１種で使用しても良いし、複数を混合して用い
ても良い。上記繰り返し構造単位を有する本発明の樹脂
（Ａ）の好ましい分子量は、重量平均で１，０００〜２
００，０００であり、更に好ましくは３，０００〜２
０，０００の範囲で使用される。分子量分布（重量平均
分子量／数平均分子量）は１〜１０であり、好ましくは
１〜３、更に好ましくは１〜２の範囲のものが使用され
る。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形
状、及びレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラ
フネス性に優れる。本発明の樹脂（Ａ）の添加量は組成
物の全固形分を基準として、５０〜９９．５重量％、好
ましくは６０〜９８重量％、更に好ましくは６５〜９５
重量％の範囲で使用される。

【００６１】［２］本発明（Ｂ）の活性光線又は放射線
の照射により、酸を発生する化合物 本発明で使用される活性光線又は放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物としては、光カチオン重合の
光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色
剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用され
ている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外
線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシ
マレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、
Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合
物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することが
できる。

【００６２】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. En
g., 18,387 (1974)、T. S. Bal et al, Polymer, 21, 4
23(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,
055号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特開平3-1401
40号等に記載のアンモニウム塩、D. C. Necker et al,
Macromolecules, 17, 2468(1984)、C. S. Wen et al, T
eh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,Oct(1
988)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号等に記載
のホスホニウム塩、J. V. Crivello et al, Macromorec
ules, 10(6), 1307(1977)、Chem. & Eng. News, Nov. 2
8, p31(1988)、欧州特許第104,143号、同339,049号、同
第410,201号、特開平2-150848号、特開平2-296514 号等
に記載のヨードニウム塩、J. V.Crivello et al, Polym
er J. 17, 73(1985)、J. V. Crivello et al., J. Org.
Chem., 43, 3055(1978)、W. R. Watt et al, J. Polyme
r Sci., Polymer Chem.Ed., 22, 1789(1984)、J. V. Cr
ivello et al, Polymer Bull., 14, 279(1985)、J. V.
Crivello et al, Macromorecules, 14(5), 1141(198
1)、J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer
Chem. Ed., 17, 2877(1979)、欧州特許第370,693号、
同161,811号、同410,201号、同339,049号、同233,567
号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377
号、同3,902,114号、同4,760,013号、同4,734,444号、
同2,833,827号、獨国特許第2,904,626号、同3,604,580
号、同3,604,581号等に記載のスルホニウム塩、J. V. C
rivello et al, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、
J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Che
m. Ed., 17, 1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C.
S. Wen et al, Teh, Proc.Conf. Rad. Curing ASIA, p
478 Tokyo, Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオ
ニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605号、
特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-23973
6号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特開昭6
2-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243号、特
開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Me
ier et al, J. Rad. Curing, 13(4),26(1986)、T. P. G
ill et al, Inorg. Chem., 19, 3007(1980)、D. Astru
c, Acc. Chem. Res., 19(12), 377(1896)、特開平2-161
445号等に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S. Haya
se et al, J. Polymer Sci., 25, 753(1987)、E. Reich
manis et al, J. Pholymer Sci., Polymer Chem. Ed.,
23, 1(1985)、Q. Q. Zhuetal, J. Photochem., 36, 85,
39, 317(1987)、B. Amit et al, TetrahedronLett.,(2
4)2205(1973)、D. H. R. Barton et al, J. Chem Soc.,
3571(1965)、P. M. Collins et al, J. Chem. Soc., P
erkin I, 1695(1975)、M. Rudinstein et al, Tetrahed
ron Lett., (17), 1445(1975)、J. W. Walker et al,
J. Am. Chem. Soc., 110, 7170(1988)、S. C. Busman e
t al, J. Imaging Technol., 11(4), 191(1985)、H. M.
Houlihan et al, Macromolecules, 21, 2001(1988)、
P.M.Collins et al, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 5
32(1972)、S. Hayase et al, Macromolecules, 18, 179
9(1985)、E. Reichmanis et al, J. Electrochem.Soc.,
Solid State Sci. Technol., 130(6)、F. M. Houlihan
et al, Macromolcules, 21,2001(1988)、欧州特許第02
90,750号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、
同0,388,343号、米国特許第3,901,710号、同4,181,531
号、特開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の
０−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TU
NOOKA et al, Polymer Preprints Japan, 35(8)、G. Be
rner et al, J. Rad. Curing, 13(4)、 W. J. Mijs et
al, Coating Technol., 55(697),45(1983), Akzo、H. A
dachi et al, Polymer Preprints, Japan, 37(3)、欧州
特許第0199,672号、同84515号、同044,115号、同618,56
4号、同0101,122号、米国特許第4,371,605号、同4,431,
774 号、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特開平
3-140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表さ
れる光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61
-166544号等に記載のジスルホン化合物を挙げることが
できる。

【００６３】また、これらの活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主
鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、M. E. Woodho
useet al, J. Am. Chem. Soc., 104, 5586(1982)、S.
P. Pappas et al, J. Imaging Sci., 30(5), 218(198
6)、S. Kondo et al, Makromol. Chem., Rapid Commu
n., 9, 625(1988)、Y. Yamada et al, Makromol. Che
m., 152, 153, 163(1972)、J. V. Crivello et al, J.
Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 3845(1979)、
米国特許第3,849,137号、獨国特許第3914407、特開昭63
-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特
開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-15385
3号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いること
ができる。

【００６４】さらにV. N. R. Pillai, Synthesis, (1),
1(1980)、A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47)45
55(1971)、D. H. R. Barton et al, J. Chem. Soc.,
(C), 329(1970)、米国特許第3,779,778号、欧州特許第1
26,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用
することができる。

【００６５】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００６６】

【化２１】

【００６７】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
を示す。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。

【００６８】

【化２２】

【００６９】

【化２３】

【００７０】

【化２４】

【００７１】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。

【００７２】

【化２５】

【００７３】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は、各々独立、に置
換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基
としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メル
カプト基及びハロゲン原子が挙げられる。

【００７４】Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８の
アルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、シクロアル
キル基、ニトロ基、カルボキシル基、メルカプト基、ヒ
ロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対し
ては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、ア
ルコシキカルボニル基である。

【００７５】Ｚ^-はアニオンを表し、具体的には置換基
を有していても良いアルキルスルホン酸、シクロアルキ
ルスルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、アリ
ールスルホン酸（例えば置換基を有していても良いベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセン
スルホン酸）等の各アニオンが挙げられる。

【００７６】Ｚ^-は、炭素原子数２以上のパーフルオロ
アルキルスルホン酸アニオン、パーフルオロアリールス
ルホン酸アニオンもしくはパーフルオロアルキル基が置
換したアリールスルホン酸アニオンであることが好まし
い。ここで、Ｚ^-が有するアルキル基は、直鎖、分岐又
は環状のいずれであってもよく、炭素数２〜１０のアル
キル基が好ましい。例えば、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ｎ−アミル基、ｉ−アミル基、ｔ−アミル
基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル
基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デカニ
ル基等を挙げることができる。尚、アルキル基は、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６の直鎖、
分岐又は環状のアルコキシ基等の置換基を有していても
よい。Ｚ^-が有するアリール基は、炭素数６〜１４のア
リール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル
基、アンスリル基等を挙げることができる。尚、アリー
ル基は、上記のアルキル基が有してもよい置換基として
挙げた基、及び炭素数１〜６の直鎖、分岐又は環状のア
ルキル基等の置換基を有していてもよい。

【００７７】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。

【００７８】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００７９】

【化２６】

【００８０】

【化２７】

【００８１】

【化２８】

【００８２】

【化２９】

【００８３】

【化３０】

【００８４】

【化３１】

【００８５】

【化３２】

【００８６】

【化３３】

【００８７】

【化３４】

【００８８】

【化３５】

【００８９】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ. W. Knapcz
yk et al, J. Am. Chem. Soc., 91, 145(1969)、A. L.
Maycok et al, J. Org. Chem., 35, 2532,(1970)、E.
Goethas et al, Bull. Soc.Chem. Belg., 73, 546,(196
4)、H. M. Leicester、J. Ame. Chem. Soc., 51, 3587
(1929)、J. V. Crivello et al, J. Polym. Chem. Ed.,
18, 2677(1980)、米国特許第2,807,648号及び同4,247,
473号、特開昭53-101331号等に記載の方法により合成す
ることができる。

【００９０】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン化合物又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミド−Ｎ−スルホネート化合物。

【００９１】

【化３６】

【００９２】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００９３】

【化３７】

【００９４】

【化３８】

【００９５】

【化３９】

【００９６】

【化４０】

【００９７】

【化４１】

【００９８】

【化４２】

【００９９】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。

【０１００】

【化４３】

【０１０１】ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換してもよいアリール基を表す。具体例
としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。

【０１０２】

【化４４】

【０１０３】（５）下記一般式（ＰＡＧ８）で表される
オキシム−Ｎ−スルホネート化合物。

【０１０４】

【化４５】

【０１０５】式中、Ｒ₂₀₇は置換もしくは未置換のアル
キル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基
を示す。Ｒ₂₀₈、Ｒ₂₀₉は置換もしくは未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、シ
アノ基、もしくはアシル基を示す。Ｒ₂₀₈、Ｒ₂₀₉が結合
し、炭素環、もしくは酸素原子、窒素原子、又は硫黄原
子を有するヘテロ環を形成しても良い。具体例としては
以下に示す化合物が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。

【０１０６】

【化４６】

【０１０７】本発明（Ｂ）の活性光線又は放射線の照射
により、酸を発生する化合物の添加量は、本発明の組成
物の全固形分を基準として、０．１〜２０重量％であ
り、好ましくは０．５から１０重量％、更に好ましくは
１〜７重量％である。またこれらの化合物は単独で使用
しても良く、複数を混合して使用しても良い。

【０１０８】［３］本発明（Ｃ）の酸拡散抑制剤 本発明の組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加
熱処理までの経時による性能変動（パターンのＴ−ｔｏ
ｐ形状形成、感度変動、パターン線幅変動等）や塗布後
の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照
射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散（解像度の劣化）を
防止する目的で、酸拡散抑制剤を添加することが好まし
い。酸拡散抑制剤としては、有機塩基性化合物であり、
例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共
役酸のｐＫａ値で４以上の化合物が好ましく使用され
る。具体的には下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を挙げるこ
とができる。

【０１０９】

【化４７】

【０１１０】ここで、Ｒ²⁵⁰ 、Ｒ²⁵¹ 及びＲ²⁵² は、同
一でも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜６個のア
ルキル基、炭素数１〜６個のアミノアルキル基、炭素数
１〜６個のヒドロキシアルキル基又は炭素数６〜２０個
の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、Ｒ
²⁵¹とＲ²⁵²は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ
²⁵³ 、Ｒ²⁵⁴ 、Ｒ²⁵⁵ 及びＲ²⁵⁶ は、同一でも異なって
もよく、炭素数１〜６個のアルキル基を表す。更に好ま
しい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子
を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。

【０１１１】好ましい具体例としては、置換もしくは未
置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジ
ン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置
換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未
置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置
換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換
もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプ
リン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしく
は未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。

【０１１２】特に好ましい化合物として、グアニジン、
１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テト
ラメチルグアニジン、イミダゾール、２−メチルイミダ
ゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾ
ール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニル
イミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾー
ル、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−ア
ミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメ
チルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２
−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチル
ピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミ
ノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリ
ジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピ
リジン、

【０１１３】３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−
（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テト
ラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−
イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジ
ン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、
５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、
ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジ
ン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６
−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラ
ゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定され
るものではない。これらの含窒素塩基性化合物は、単独
であるいは２種以上一緒に用いられる。

【０１１４】酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の
使用割合は、（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モ
ル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。該モル
比が２．５未満では低感度となり、解像力が低下する場
合があり、また、３００を越えると露光後加熱処理まで
の経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力
も低下する場合がある。（酸発生剤）／（有機塩基性化
合物）（モル比）は、好ましくは５．０〜２００、更に
好ましくは７．０〜１５０である。

【０１１５】［４］本発明に用いることができるフッ素
系及び／又はシリコン系界面活性剤 本発明のポジ型レジスト組成物には、フッ素系及び／又
はシリコン系界面活性剤を含有することができる。すな
わち、本発明のポジ型レジスト組成物には、フッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素
原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは
２種以上を含有することができる。これらフッ素系及び
/又はシリコン系界面活性剤の添加は、現像欠陥の抑制
及び塗布性の向上に効果を有する。

【０１１６】これらの界面活性剤として、例えば特開昭
62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、
特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-23016
5号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-598
8号、米国特許5405720号、米国特許5360692号、米国特
許5529881号、米国特許5296330号、米国特許5436098
号、米国特許5576143号、米国特許5296143号、米国特許
5294511号、及び、米国特許5824451号記載の界面活性剤
を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま
用いることもできる。このような市販の界面活性剤とし
て、例えばエフトップEF301、EF303、EF352(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)
製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08（大日
本インキ（株）製）、アサヒガードAG710、サーフロンS
−382、SC101、102、103、104、105、106（旭硝子
（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル社
製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤
を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP
−341（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性
剤として用いることができる。

【０１１７】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２重量
％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。

【０１１８】本発明の組成物は、上記各成分を溶解する
溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶
媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラ
クトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸
エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピ
オン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、
ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラ
ヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるい
は混合して使用する。

【０１１９】精密集積回路素子の製造などにおいてレジ
スト膜上へのパターン形成工程は、基板（例：シリコン
／二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透
明基板等）上に、本発明のポジ型レジスト組成物を塗布
し、次に活性光線又は放射線描画装置を用いて照射を行
い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレ
ジストパターンを形成することができる。

【０１２０】本発明のポジ型レジスト組成物の現像液と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−
ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチル
エタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ル
アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四
級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミ
ン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアル
コール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を
適当量添加して使用することもできる。これらの現像液
の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましく
は、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリン
である。

【０１２１】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。

【０１２２】［合成例１］４−［ビス（トリフルオロメ
チル）−ヒドロキシメチル］スチレン１３．５ｇ（０．
０５モル）、メタクリロニトリル３．４ｇ（０．０５モ
ル）を１-メトキシ−２−プロパノール６０ｍｌに溶解
し、重合開始剤として２，２‘−アゾビス（２，４−ジ
メチルバレロニトリル）（和光純薬工業（株）製；商品
名Ｖ−６５）０．２５ｇを加えた。この溶液を窒素気流
下、７０℃に加熱した１-メトキシ−２−プロパノール
１０ｍｌに、攪拌しながら２時間かけて滴下した。滴下
後更に４時間攪拌を続けた。その後、反応液をメタノー
ル／イオン交換水（１／１）１Ｌ中に激しく攪拌しなが
ら投入。析出した樹脂をイオン交換水にて水洗し、濾
別、真空下乾燥することにより、白色の樹脂１４．８ｇ
を得た。ＮＭＲ測定により、この樹脂が構造例（Ｉ−
１）／（ＩＩＩ−２）＝５２／４８の樹脂であり、ＧＰ
Ｃ測定により、重量平均分子量（ポリスチレン標準）が
８，９００であることを確認した。この樹脂をＴＨＦ１
００ｍｌに溶解し、エチルビニルエーテル２．９ｇ
（０．０４モル）を加え、ｐ−トルエンスルホン酸を触
媒量添加して、室温にて８時間攪拌した。反応液にトリ
エチルアミンをｐ−トルエンスルホン酸触媒の２倍量加
えて反応を停止させ、イオン交換水３Ｌ中に激しく攪拌
しながら投入した。析出した樹脂を濾別、乾燥して本発
明の樹脂（１）１５．３ｇを得た。ＧＰＣ測定により、
樹脂（１）の分子量は重量平均（Ｍｗ）で９，１００で
あった。またＨ−ＮＭＲ、Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲ測定によ
り、樹脂（１）の組成を調べたところ、モル比で構造例
（Ｉ−１）／（Ｉ−４）／（ＩＩＩ−２）＝１０／４２
／４８であった。以下同様にして、表１に示す本発明の
樹脂を合成した。

【０１２３】

【表１】

【０１２４】［実施例１（透過率の測定）］上記表１に
示した樹脂（１）〜（６）については、各樹脂１．３６
ｇにトリフェニルスルホニウムのノナフレート塩（ＰＡ
Ｇ４−３）０．０２ｇ、イミドスルホネート化合物（Ｐ
ＡＧ６−１９）０．０２ｇを加え、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート８．５ｇに溶解し、こ
れにジシクロヘキシルメチルアミン０．００５ｇとフッ
素系界面活性剤としてメガファックＲ０８（大日本イン
キ（株）製）０．０１ｇを添加して、本発明のレジスト
組成物を調整した。樹脂（７）〜（１２）については、
各樹脂１．３６ｇにトリフェニルスルホニウムのノナフ
レート塩（ＰＡＧ４−３）０．０４ｇを加え、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート８．５ｇに
溶解し、これにジシクロヘキシルメチルアミン０．００
５ｇとフッ素系界面活性剤としてメガファックＲ０８
（大日本インキ（株）製）０．０１ｇを添加して、本発
明のレジスト組成物を調整した。

【０１２５】各試料溶液を０．１μｍのテフロン（登録
商標）フィルターで濾過した後、スピンコーターにより
フッ化カルシウムディスク上に塗布し、１２０℃、５分
間で加熱乾燥して、膜厚０．１μｍのレジスト膜を得
た。Ａｃｔｏｎ ＣＡＭＳ−５０７スペクトロメーター
にて塗膜の吸収を測定し、１５７ｎｍにおける透過率を
算出した。結果を表２に示す。

【０１２６】

【表２】

【０１２７】表２の結果から、本発明の組成物を用いた
塗膜の透過率測定値は、ほぼ５０％を超え、１５７ｎｍ
に十分な透過性を有することが判る。

【０１２８】［実施例２（塗布性、現像欠陥の評価）］
実施例１における界面活性剤を下記Ｗ−１〜Ｗ−４に変
え、本発明のレジスト組成物を調整した。使用した界面
活性剤は表５に示す。

【０１２９】界面活性剤としては、 Ｗ１：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業
（株）製）（フッ素系） Ｗ２：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業
（株）製）（フッ素及びシリコン系） Ｗ３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学
工業（株）製） Ｗ４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル を表す。

【０１３０】各試料溶液を０．１μｍのテフロンフィル
ターで濾過した後、スピンコーターによりヘキサメチル
ジシラザン処理を施したシリコンウェハー上に塗布し、
１１０℃、９０秒間真空密着型のホットプレート上で加
熱乾燥して、膜厚０．３μｍのレジスト膜を得た。得ら
れたレジスト膜に対し、Ｃａｎｏｎ社ＫｒＦエキシマス
テッパー（ＦＰＡ−３０００ＥＸ５）を用い画像露光を
行ない、１１０℃、９０秒にて後加熱した後、０．２６
２ＮのＴＭＡＨ水溶液で現像することにより０．５μの
Ｌ／Ｓのパターンを形成させた。

【０１３１】現像欠陥及び塗布性は、以下のようにして
評価した。 〔現像欠陥数〕： 上記のようにして得られたレジスト
パターンについて、ケーエルエー・テンコール（株）製
ＫＬＡ−２１１２機により現像欠陥数を測定し、得られ
た１次データ値を現像欠陥数とした。

【０１３２】〔塗布性（面内均一性）〕： 各レジスト
溶液を８インチシリコンウエハ上に塗布し、上記のよう
なレジスト層の塗設同様の処理を行い、面内均一性測定
用のレジスト塗布膜を得た。これを大日本スクリーン株
式会社製ＬａｍｂｄａＡにて、塗布膜厚をウエハ直径方
向に沿って十字になるように均等に３６箇所測定した。
各測定値の標準偏差をとり、その３倍が５０に満たない
ものを○、５０以上のものを×として評価した。性能評
価結果を表３に示した。

【０１３３】

【表３】

【０１３４】表３の結果より、フッ素及び／又はシリコ
ン系界面活性剤を加えた本発明の組成物は、同成分のな
い比較例に比べ、塗布性が大きく優れ、現像欠陥も非常
に少なくなることが判る。

【０１３５】［実施例３（画像形成性評価）］本発明の
樹脂を使用し、実施例１と同様にしてレジスト液を調整
した。各試料溶液を０．１μｍのテフロンフィルターで
濾過した後、スピンコーターによりヘキサメチルジシラ
ザン処理を施したシリコンウェハー上に塗布し、１１０
℃、９０秒間真空密着型のホットプレート上で加熱乾燥
して、膜厚０．１μｍのレジスト膜を得た。得られたレ
ジスト膜に対し、１５７ｎｍのレーザー露光・溶解挙動
解析装置ＶＵＶＥＳ−４５００（リソテック・ジャパン
製）を用い、１５７ｎｍ露光による露光部・未露光部の
溶解コントラストを測定した。結果を表４に示す。

【０１３６】

【表４】

【０１３７】表４の結果より、本発明の組成物は、比較
例のＫｒＦエキシマ用に実用されているレジスト同等の
溶解コントラストを有する、即ち画像形成性を有するこ
とが判る。

【０１３８】

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物により、
１５７ｎｍの短波長においても十分な透過性及び画像形
成性を有し、且つフッ素樹脂に基づく塗布性、現像欠陥
の問題が改良されたポジ型レジスト組成物を提供でき
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 漢那 慎一 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA04 AA09 AA18 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB14 CB16 CB41 CC20 FA17

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示される繰り返
   し単位を少なくとも一つ有する、酸の作用により分解
   し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂、及
   び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生す
   る化合物を含有するポジ型レジスト組成物。 【化１】 式中、Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換
   基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基
   を表す。Ｒ₂、Ｒ₃は同じでも異なっていても良く、水素
   原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アル
   コキシ基、アシル基又は置換基を有していても良いアル
   キル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル
   基もしくはアリール基を表す。Ｒ₄は水素原子、置換基
   を有していても良い、アルキル基、パーフルオロアルキ
   ル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボ
   ニル基、アルコキシカルボニルメチル基、又は式（Ｉ
   Ｉ）の基を表す。 【化２】 Ｒ₅、Ｒ₆は同じでも異なっていても良く、水素原子、置
   換基を有していても良いアルキル基もしくはシクロアル
   キル基を表す。Ｒ₇は置換基を有していても良いアルキ
   ル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基、パ
   ーフルオロシクロアルキル基、アラルキル基もしくはア
   リール基を表す。またＲ₅〜Ｒ₇の2つが結合し、環を形
   成しても良い。
2. 【請求項２】（Ａ）の樹脂が、更に下記一般式（ＩＩ
   Ｉ）で示される繰り返し単位を少なくとも一つ有するこ
   とを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成
   物。 【化３】 式中、Ｒ₈、Ｒ₉は同じでも異なっていても良く、水素原
   子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良
   い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ ₁₀は、水
   素原子、ハロゲン原子、置換基を有していても良い、ア
   ルキル基又はハロアルキル基、もしくは−Ａ₁−ＣＮ基
   を表す。Ａ₁は単結合、置換基を有しても良い、２価の
   アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基も
   しくはアリーレン基、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ
   −Ｏ−Ｒ₁₂−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₃）−Ｒ₁₄−を表す。Ｒ
   ₁₁、Ｒ₁₂、 Ｒ₁₄は同じでも異なっていても良く、単結
   合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン
   基もしくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレ
   ン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリー
   レン基を表す。Ｒ₁₃は水素原子、置換基を有していても
   良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又
   はアリール基を表す。
3. 【請求項３】（Ａ）の樹脂が、更に一般式（ＩＶ）、
   （Ｖ）で示される繰り返し単位のうち少なくとも一つ有
   することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レ
   ジスト組成物。 【化４】 式中、Ｒ₁₅は水素原子、置換基を有していても良い、ア
   ルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル
   基、パーフルオロシクロアルキル基、もしくはアリール
   基を表す。
4. 【請求項４】（Ａ）の樹脂が、更に一般式（ＶＩ）及び
   （ＶＩＩ）で示される繰り返し単位のうち少なくとも一
   つ有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
   載のポジ型レジスト組成物。 【化５】 式中、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は、同じでも異なっていても良く、水
   素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していて
   も良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₁₈は
   −Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）
   （ＯＲ₂₂）、もしくは式（ＶＩＩＩ）で示される基を表
   す。Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂は同じでも異なっていても良く、置換基
   を有していても良い、アルキル基、単環又は多環のシク
   ロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基もしくはア
   リール基を表す。Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ ₂₁の内の２つ、又はＲ
   ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₂の内の２つが結合して環を形成しても良
   い。Ａ₂は単結合、置換基を有しても良い、２価のアル
   キレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基もしく
   はアリーレン基、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₁−、−ＣＯ−Ｏ
   −Ｒ₁₂−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₃）−Ｒ₁₄−を表す。Ｒ₁₁、
   Ｒ₁₂、 Ｒ₁₄は同じでも異なっていても良く、単結合、
   又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基も
   しくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン
   基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレ
   ン基を表す。Ｒ₁₃は水素原子、置換基を有していても良
   い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又は
   アリール基を表す。Ｒ₁は水素原子、ハロゲン原子、シ
   アノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハ
   ロアルキル基を表す。Ｒ₂及びＲ₃は、同じでも異なって
   いても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原
   子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基又は置換基を有
   していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケ
   ニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。 【化６】 式（ＶＩＩＩ）中Ｒ₂₃は置換基を有していても良い、ア
   ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニ
   ル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｚは炭
   素原子と伴に単環又は多環の脂環式基を構成する原子団
   を表す。
5. 【請求項５】 更に（Ｃ）酸拡散抑制剤として、塩基性
   窒素原子を有する化合物を含有することを特徴とする請
   求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
6. 【請求項６】 （Ｂ）成分の化合物が、活性光線又は放
   射線の照射により、炭素原子数２以上のパーフルオロア
   ルキルスルホン酸、パーフルオロアリールスルホン酸も
   しくはパーフルオロアルキル基が置換したアリールスル
   ホン酸を発生するスルホニウム塩又はヨードニウム塩の
   化合物から選択されることを特徴とする請求項１〜５の
   いずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
7. 【請求項７】 （Ｂ）成分の化合物が、イミド−Ｎ−ス
   ルホネート化合物、オキシム−Ｎ−スルホネート化合
   物、もしくはジスルホン化合物から選択されることを特
   徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型レジス
   ト組成物。
8. 【請求項８】 露光光源として、１６０ｎｍ以下の真空
   紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜７のいず
   れかに記載のポジ型レジスト組成物。