JP2002344021A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JP2002344021A JP2002344021A JP2001146462A JP2001146462A JP2002344021A JP 2002344021 A JP2002344021 A JP 2002344021A JP 2001146462 A JP2001146462 A JP 2001146462A JP 2001146462 A JP2001146462 A JP 2001146462A JP 2002344021 A JP2002344021 A JP 2002344021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- phosphor
- peak
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的長波長側においても発光輝度が高く、
比較的広い範囲の波長において高い輝度を得ることがで
き、演色性の高い光の発光が可能な発光装置を簡単な構
成で実現する。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体からなる発光層を
有する発光素子と、発光素子が発光する光を吸収して、
吸収した光の波長とは異なる波長を有する蛍光を発する
蛍光体とを有する発光装置であって、蛍光体は、クロム
又はチタンの少なくとも一方を含むアルミナ蛍光体と、
セリウムが含有されたイットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体とを含む。
比較的広い範囲の波長において高い輝度を得ることがで
き、演色性の高い光の発光が可能な発光装置を簡単な構
成で実現する。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体からなる発光層を
有する発光素子と、発光素子が発光する光を吸収して、
吸収した光の波長とは異なる波長を有する蛍光を発する
蛍光体とを有する発光装置であって、蛍光体は、クロム
又はチタンの少なくとも一方を含むアルミナ蛍光体と、
セリウムが含有されたイットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子からの光
を蛍光体によって波長変換して出射する発光ダイオード
等の発光装置に関する。
を蛍光体によって波長変換して出射する発光ダイオード
等の発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外光から青色の波長域の発光が可能な
窒化化物半導体（ＡｌXＩｎYＧａ1-X- YＮ、０≦Ｘ≦
１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた発光素子が
開発され、青色から赤色までの光を半導体により発光が
可能となったことから、半導体を用いた照明装置が現実
味を帯び始めている。本出願人は、窒化ガリウム半導体
からなる発光層を有し青色光を発光する発光素子と、こ
の発光素子からの青色光を吸収し、補色となる黄色が発
光可能なＣｅで付活されたＹＡＧ蛍光体とを組み合わせ
ることによって、信頼性が高く高輝度の発光可能な白色
発光ダイオードを開発した。この発光ダイオードは、二
端子一チップの比較的簡単な構成で実用的な信用性を持
った高輝度な白色光を得ることができるために種々の分
野に応用され始めている。この白色発光ダイオードは蛍
光体を利用することにより、比較的演色性のよい発光が
可能である。
窒化化物半導体（ＡｌXＩｎYＧａ1-X- YＮ、０≦Ｘ≦
１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた発光素子が
開発され、青色から赤色までの光を半導体により発光が
可能となったことから、半導体を用いた照明装置が現実
味を帯び始めている。本出願人は、窒化ガリウム半導体
からなる発光層を有し青色光を発光する発光素子と、こ
の発光素子からの青色光を吸収し、補色となる黄色が発
光可能なＣｅで付活されたＹＡＧ蛍光体とを組み合わせ
ることによって、信頼性が高く高輝度の発光可能な白色
発光ダイオードを開発した。この発光ダイオードは、二
端子一チップの比較的簡単な構成で実用的な信用性を持
った高輝度な白色光を得ることができるために種々の分
野に応用され始めている。この白色発光ダイオードは蛍
光体を利用することにより、比較的演色性のよい発光が
可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、利用分
野の広がりにつれ、より演色性の高い発光ダイオードが
求められる現在においては更なる改良が求められてい
る。例えば、医療用に用いる場合、赤色の発光スペクト
ルが少ない照明では、血液や動脈を判別しにくい場合が
あり、赤色の発光スペクトルの向上が求められる。
野の広がりにつれ、より演色性の高い発光ダイオードが
求められる現在においては更なる改良が求められてい
る。例えば、医療用に用いる場合、赤色の発光スペクト
ルが少ない照明では、血液や動脈を判別しにくい場合が
あり、赤色の発光スペクトルの向上が求められる。
【０００４】そこで、本発明は、比較的長波長側におい
ても発光輝度が高く、比較的広い範囲の波長において高
い輝度を得ることができ、演色性の高い光の発光が可能
な発光装置を簡単な構成で実現することを目的とする。
ても発光輝度が高く、比較的広い範囲の波長において高
い輝度を得ることができ、演色性の高い光の発光が可能
な発光装置を簡単な構成で実現することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、窒
化物系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子
と、前記発光素子が発光する光を吸収して、吸収した光
の波長とは異なる波長を有する蛍光を発する蛍光体とを
有する発光装置であって、前記蛍光体は、クロム又はチ
タンの少なくとも一方を含むアルミナ蛍光体と、セリウ
ムが含有されたイットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体とを含むことを特徴とする。以上のように構
成された本発明の発光装置では、前記発光素子と、前記
アルミナ蛍光体と、セリウムが含有されたイットリウム
・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とによってそれぞ
れ異なる波長の光を発光させることができるので、比較
的広い範囲の波長域において輝度を高くでき、演色性の
高い混色光の発光が可能となる。これによって、比較的
簡単な構成で演色性の高い混色光が発光可能な発光装置
を提供できる。
化物系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子
と、前記発光素子が発光する光を吸収して、吸収した光
の波長とは異なる波長を有する蛍光を発する蛍光体とを
有する発光装置であって、前記蛍光体は、クロム又はチ
タンの少なくとも一方を含むアルミナ蛍光体と、セリウ
ムが含有されたイットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体とを含むことを特徴とする。以上のように構
成された本発明の発光装置では、前記発光素子と、前記
アルミナ蛍光体と、セリウムが含有されたイットリウム
・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とによってそれぞ
れ異なる波長の光を発光させることができるので、比較
的広い範囲の波長域において輝度を高くでき、演色性の
高い混色光の発光が可能となる。これによって、比較的
簡単な構成で演色性の高い混色光が発光可能な発光装置
を提供できる。
【０００６】本発明の発光装置においては、前記発光素
子の主発光ピークが４２０ｎｍから４９０ｎｍの範囲内
にあることが好ましく、これによって、前記各蛍光体を
効率よく励起できる。
子の主発光ピークが４２０ｎｍから４９０ｎｍの範囲内
にあることが好ましく、これによって、前記各蛍光体を
効率よく励起できる。
【０００７】本発明の発光装置では、前記発光素子の少
なくとも発光面を樹脂で覆い、前記蛍光体としてそれぞ
れ粉末状のものを用い、その蛍光体をそれぞれ前記樹脂
の中に含有させるようにして構成できる。このように構
成された本発明の発光装置は、前記樹脂に含まれる前記
アルミナ蛍光体と前記イットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体の含有量を要求される発光スペクトル
に応じて調整することにより、要求される発光スペクト
ルが異なる種々の用途に適合する発光装置を提供でき
る。
なくとも発光面を樹脂で覆い、前記蛍光体としてそれぞ
れ粉末状のものを用い、その蛍光体をそれぞれ前記樹脂
の中に含有させるようにして構成できる。このように構
成された本発明の発光装置は、前記樹脂に含まれる前記
アルミナ蛍光体と前記イットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体の含有量を要求される発光スペクトル
に応じて調整することにより、要求される発光スペクト
ルが異なる種々の用途に適合する発光装置を提供でき
る。
【０００８】また、本発明の発光装置は、前記発光層が
発光する第一の可視光と、前記アルミナ蛍光体が発光す
る第二の可視光と、前記セリウムが含有されたイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体が発光する第
三の可視光との混色により白色光が観測されるようにで
きる。これにより、比較的簡単な構成で演色性の高い白
色光の発光が可能な発光装置を提供できる。
発光する第一の可視光と、前記アルミナ蛍光体が発光す
る第二の可視光と、前記セリウムが含有されたイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体が発光する第
三の可視光との混色により白色光が観測されるようにで
きる。これにより、比較的簡単な構成で演色性の高い白
色光の発光が可能な発光装置を提供できる。
【０００９】さらに、本発明の発光装置は、発光スペク
トルとして、前記第一の可視光に対応する第１のピーク
と前記第二の可視光に対応する第２のピークの間に前記
第三の可視光に対応する第３のピークを有することを特
徴とする。また、この場合、前記第１のピーク及び前記
第２のピークを比較的鋭いピークとし、前記第３のピー
クを前記第１のピーク及び前記第２のピークより強度が
低くかつ幅が広いピークとして、さらに、前記第３のピ
ークを前記第１のピーク及び前記第２のピークに比較し
て視感度のよい波長域に設定することが好ましい。この
ように、前記第１のピーク及び前記第２のピークを前記
第３のピークより鋭いピークとすることにより、前記第
１のピーク及び前記第２のピークの外側に位置する不要
な波長領域の光のエネルギーを小さくできるので、発光
効率を高くできる。また、前記第３のピークを前記第１
のピーク及び前記第２のピークより強度が低くかつ幅が
広いピークとして、さらに、前記第３のピークを前記第
１のピーク及び前記第２のピークに比較して視感度のよ
い波長域に設定すると、前記第１のピークから前記第２
のピークまでの範囲内において発光強度が一定に認識さ
れ、ムラのない発光色が得られる。
トルとして、前記第一の可視光に対応する第１のピーク
と前記第二の可視光に対応する第２のピークの間に前記
第三の可視光に対応する第３のピークを有することを特
徴とする。また、この場合、前記第１のピーク及び前記
第２のピークを比較的鋭いピークとし、前記第３のピー
クを前記第１のピーク及び前記第２のピークより強度が
低くかつ幅が広いピークとして、さらに、前記第３のピ
ークを前記第１のピーク及び前記第２のピークに比較し
て視感度のよい波長域に設定することが好ましい。この
ように、前記第１のピーク及び前記第２のピークを前記
第３のピークより鋭いピークとすることにより、前記第
１のピーク及び前記第２のピークの外側に位置する不要
な波長領域の光のエネルギーを小さくできるので、発光
効率を高くできる。また、前記第３のピークを前記第１
のピーク及び前記第２のピークより強度が低くかつ幅が
広いピークとして、さらに、前記第３のピークを前記第
１のピーク及び前記第２のピークに比較して視感度のよ
い波長域に設定すると、前記第１のピークから前記第２
のピークまでの範囲内において発光強度が一定に認識さ
れ、ムラのない発光色が得られる。
【００１０】また、本発明の発光装置において、前記ア
ルミナ蛍光体はクロムを０．１ｗｔ％以上含むことが好
ましい。また、本発明においては、粉末状のアルミナ蛍
光体を用いることにより、クロムの含有量を容易に０．
１ｗｔ％以上にできる。
ルミナ蛍光体はクロムを０．１ｗｔ％以上含むことが好
ましい。また、本発明においては、粉末状のアルミナ蛍
光体を用いることにより、クロムの含有量を容易に０．
１ｗｔ％以上にできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る実施の形態について説明する。本実施の形態の
発光装置は、青色光を発光する発光素子１０１を、例え
ば硝子エポキシからなる回路基板１０４上に設け、透光
性を有するエポキシ樹脂１０７で封止したものであり、
そのエポキシ樹脂１０７の中にセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体１と、
クロム又はチタンのいずれか１つを少なくとも含むアル
ミナ蛍光体２とが分散して含有されていることを特徴と
している。
明に係る実施の形態について説明する。本実施の形態の
発光装置は、青色光を発光する発光素子１０１を、例え
ば硝子エポキシからなる回路基板１０４上に設け、透光
性を有するエポキシ樹脂１０７で封止したものであり、
そのエポキシ樹脂１０７の中にセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体１と、
クロム又はチタンのいずれか１つを少なくとも含むアル
ミナ蛍光体２とが分散して含有されていることを特徴と
している。
【００１２】このように構成された実施の形態の発光装
置において、イットリウム・アルミニウム・ガーネット
系の蛍光体１は、発光素子１０１によって発光された青
色光の一部を吸収して吸収した青色光より長波長の黄色
領域の光を発光し、アルミナ蛍光体２は発光素子１０１
により発光された青色光の一部及び蛍光体１の光の一部
を吸収して蛍光体１の発光波長よりさらに長波長の赤色
領域の光を発光する。
置において、イットリウム・アルミニウム・ガーネット
系の蛍光体１は、発光素子１０１によって発光された青
色光の一部を吸収して吸収した青色光より長波長の黄色
領域の光を発光し、アルミナ蛍光体２は発光素子１０１
により発光された青色光の一部及び蛍光体１の光の一部
を吸収して蛍光体１の発光波長よりさらに長波長の赤色
領域の光を発光する。
【００１３】その結果、透光性エポキシ樹脂１０７を介
して出力される光は、発光素子１０１によって発光され
た青色光のうちの蛍光体１及び蛍光体２のいずれにも吸
収されずに出力された青色光（第１の可視光）と、蛍光
体１により発光された黄色領域の光（第２の可視光）
と、アルミナ蛍光体２により発光された赤色領域の光
（第３の可視光）となり、観測（視認）される発光色は
第１の可視光と第２の可視光と第３の可視光との混色に
より得られる白色となる。
して出力される光は、発光素子１０１によって発光され
た青色光のうちの蛍光体１及び蛍光体２のいずれにも吸
収されずに出力された青色光（第１の可視光）と、蛍光
体１により発光された黄色領域の光（第２の可視光）
と、アルミナ蛍光体２により発光された赤色領域の光
（第３の可視光）となり、観測（視認）される発光色は
第１の可視光と第２の可視光と第３の可視光との混色に
より得られる白色となる。
【００１４】ここで、特に本実施の形態１の発光装置に
おいては、透光性樹脂に含有させる蛍光体として、イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体１と蛍
光体１の発光する光の波長領域よりさらに長波長の光を
発光するアルミナ蛍光体２とを用いているので、イット
リウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体１のみを
用いて構成した発光装置に比較して、より長波長領域の
発光強度を高くできる。これにより、本実施の形態の発
光装置では、可視光領域において波長に対する発光スペ
クトル強度変化の少ない、演色性に優れた白色光の発光
が可能となる。また、本実施の形態１の発光装置におい
ては、発光素子１０１を覆う透光性樹脂にそれぞれ粉体
からなる蛍光体１と蛍光体２とを分散含有させているの
で、それらの含有量を要求される発光スペクトルに応じ
て調整することにより各発光波長における強度を調整す
ることができる。このように、本実施の形態の発光装置
では、発光スペクトルにおいて、発光素子１０１による
ピークとその近傍、蛍光体１によるピークとその近傍、
及び蛍光体２によるピークとその近傍の発光強度をそれ
ぞれ調整することができ、要求される発光スペクトルが
異なる種々の用途に適合する発光装置を実現できる。
おいては、透光性樹脂に含有させる蛍光体として、イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体１と蛍
光体１の発光する光の波長領域よりさらに長波長の光を
発光するアルミナ蛍光体２とを用いているので、イット
リウム・アルミニウム・ガーネット系の蛍光体１のみを
用いて構成した発光装置に比較して、より長波長領域の
発光強度を高くできる。これにより、本実施の形態の発
光装置では、可視光領域において波長に対する発光スペ
クトル強度変化の少ない、演色性に優れた白色光の発光
が可能となる。また、本実施の形態１の発光装置におい
ては、発光素子１０１を覆う透光性樹脂にそれぞれ粉体
からなる蛍光体１と蛍光体２とを分散含有させているの
で、それらの含有量を要求される発光スペクトルに応じ
て調整することにより各発光波長における強度を調整す
ることができる。このように、本実施の形態の発光装置
では、発光スペクトルにおいて、発光素子１０１による
ピークとその近傍、蛍光体１によるピークとその近傍、
及び蛍光体２によるピークとその近傍の発光強度をそれ
ぞれ調整することができ、要求される発光スペクトルが
異なる種々の用途に適合する発光装置を実現できる。
【００１５】以下、本実施の形態の発光装置について、
個々の要素の構成を含め、より詳細に説明する。 （発光素子１０１）発光素子１０１は、例えば、サファ
イア基板１０上にＧａＮバッファ層１１を介して、Ｓｉ
がアンドープのｎ型ＧａＮ層１２、Ｓｉがドープされた
ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層１３、アンドープ
ＧａＮ層１４、多重量子井戸構造の発光層１５（ＧａＮ
障壁層／ＩｎＧａＮ井戸層の量子井戸構造）、Ｍｇがド
ープされたｐ型ＡｌＧａＮかなるｐクラッド層１６、Ｍ
ｇがドープされたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層
１７が順次積層された積層構造を有し、以下のように電
極が形成されている。ｐオーミック電極１９は、ｐ型コ
ンタクト層上のほぼ全面に形成され、そのｐオーミック
電極１９上の一部にｐパッド電極２０が形成される。ま
た、ｎ電極１８は、エッチングによりｐ型コンタクト層
１７〜アンドープＧａＮ層１４を除去してｎ型コンタク
ト層１３の一部を露出させ、その露出させた部分に形成
される。
個々の要素の構成を含め、より詳細に説明する。 （発光素子１０１）発光素子１０１は、例えば、サファ
イア基板１０上にＧａＮバッファ層１１を介して、Ｓｉ
がアンドープのｎ型ＧａＮ層１２、Ｓｉがドープされた
ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層１３、アンドープ
ＧａＮ層１４、多重量子井戸構造の発光層１５（ＧａＮ
障壁層／ＩｎＧａＮ井戸層の量子井戸構造）、Ｍｇがド
ープされたｐ型ＡｌＧａＮかなるｐクラッド層１６、Ｍ
ｇがドープされたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層
１７が順次積層された積層構造を有し、以下のように電
極が形成されている。ｐオーミック電極１９は、ｐ型コ
ンタクト層上のほぼ全面に形成され、そのｐオーミック
電極１９上の一部にｐパッド電極２０が形成される。ま
た、ｎ電極１８は、エッチングによりｐ型コンタクト層
１７〜アンドープＧａＮ層１４を除去してｎ型コンタク
ト層１３の一部を露出させ、その露出させた部分に形成
される。
【００１６】なお、本実施の形態では、多重量子井戸構
造の発光層を用いたが、本発明はこれに限られるもので
はなく、例えば、ＩｎＧａＮを利用した単一量子井戸構
造としても良し、Ｓｉ、ＺｎがドープされたＧａＮを利
用してもよい。また、発光素子１０１の発光層１５は、
Ｉｎの含有量を変化させることにより、４２０ｎｍから
４９０ｎｍの範囲内において主発光ピークを変更するこ
とができる。
造の発光層を用いたが、本発明はこれに限られるもので
はなく、例えば、ＩｎＧａＮを利用した単一量子井戸構
造としても良し、Ｓｉ、ＺｎがドープされたＧａＮを利
用してもよい。また、発光素子１０１の発光層１５は、
Ｉｎの含有量を変化させることにより、４２０ｎｍから
４９０ｎｍの範囲内において主発光ピークを変更するこ
とができる。
【００１７】（回路基板１０４）回路基板１０４は、例
えば、ガラスエポキシ基板に正の電極１０５と負の電極
１０６とが形成されてなり、その上面に発光素子１０１
がフリップチップボンディングされている。 （透光性樹脂１０７）透光性樹脂１０７は、セリウムで
付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系
蛍光体１とアルミナ蛍光体２の粒子が分散されてなり、
例えばスクリーン印刷法により塗布した後、硬化させる
ことにより形成する。ここで、発光素子からの光により
励起されるセリウムで付活されたイットリウム・アルミ
ニウム・ガーネット系蛍光体としては、例えば、（Ｙ
1-aＧｄa）3（Ａｌ1-bＧａb）5Ｏ12：Ｃｅ、（ただし、
０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）を用いることができる。ま
た、アルミナ蛍光体２としては、クロムを含むアルミ
ナ、チタンを含むアルミナ、又はクロムとチタンを両方
とも含むアルミナを用いることができる。さらに、本発
明ではアルミナ蛍光体２として粉末状のものを用いるこ
とにより、クロム、チタン、クロム及びチタンの含有量
を多くでき、蛍光体としての発光効率を高くできる。
えば、ガラスエポキシ基板に正の電極１０５と負の電極
１０６とが形成されてなり、その上面に発光素子１０１
がフリップチップボンディングされている。 （透光性樹脂１０７）透光性樹脂１０７は、セリウムで
付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系
蛍光体１とアルミナ蛍光体２の粒子が分散されてなり、
例えばスクリーン印刷法により塗布した後、硬化させる
ことにより形成する。ここで、発光素子からの光により
励起されるセリウムで付活されたイットリウム・アルミ
ニウム・ガーネット系蛍光体としては、例えば、（Ｙ
1-aＧｄa）3（Ａｌ1-bＧａb）5Ｏ12：Ｃｅ、（ただし、
０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）を用いることができる。ま
た、アルミナ蛍光体２としては、クロムを含むアルミ
ナ、チタンを含むアルミナ、又はクロムとチタンを両方
とも含むアルミナを用いることができる。さらに、本発
明ではアルミナ蛍光体２として粉末状のものを用いるこ
とにより、クロム、チタン、クロム及びチタンの含有量
を多くでき、蛍光体としての発光効率を高くできる。
【００１８】以上説明した実施の形態の発光装置では、
発光層１５におけるＩｎ濃度を変化させることによって
発光層１５が発光する第１の可視光の波長（第１の波
長）をある一定の範囲内で調節することができる。ま
た、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム
・ガーネット蛍光体１は、Ｙの一部をＧｄで置換させる
ことによって、発光スペクトル及び吸収スペクトルをよ
り長波長側に調節させることができ、Ａｌの一部をＧａ
で置換することによって、発光スペクトル及び吸収スペ
クトルをより短波長側に調節させることができる。更
に、Ｃｒで付活されたアルミナ蛍光体は、Ｃｒの濃度を
増減させることによって赤色成分の出力を調節すること
ができる。
発光層１５におけるＩｎ濃度を変化させることによって
発光層１５が発光する第１の可視光の波長（第１の波
長）をある一定の範囲内で調節することができる。ま
た、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム
・ガーネット蛍光体１は、Ｙの一部をＧｄで置換させる
ことによって、発光スペクトル及び吸収スペクトルをよ
り長波長側に調節させることができ、Ａｌの一部をＧａ
で置換することによって、発光スペクトル及び吸収スペ
クトルをより短波長側に調節させることができる。更
に、Ｃｒで付活されたアルミナ蛍光体は、Ｃｒの濃度を
増減させることによって赤色成分の出力を調節すること
ができる。
【００１９】従って、本実施の形態の発光装置は、
（１）発光層１５におけるＩｎ濃度、（２）イットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット蛍光体１におけるＹのＧ
ｄによる置換量若しくはＡｌのＧａによる置換量、
（３）イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体
１におけるＡｌのＧａによる置換量、（４）アルミナ蛍
光体におけるＣｒ（又はＴｉ）の濃度、を発光装置の使
用目的に応じて変化させることにより要求される発光ス
ペクトルを実現することができる。また、本実施の形態
１の発光装置においては、発光素子１０１を覆う透光性
樹脂に含まれる蛍光体１及び蛍光体２の含有量を要求さ
れる発光スペクトルに応じて調整することにより各発光
波長における強度を調整することができるので、要求さ
れる発光スペクトルが異なる種々の用途に適合する発光
装置を実現できる。
（１）発光層１５におけるＩｎ濃度、（２）イットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット蛍光体１におけるＹのＧ
ｄによる置換量若しくはＡｌのＧａによる置換量、
（３）イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体
１におけるＡｌのＧａによる置換量、（４）アルミナ蛍
光体におけるＣｒ（又はＴｉ）の濃度、を発光装置の使
用目的に応じて変化させることにより要求される発光ス
ペクトルを実現することができる。また、本実施の形態
１の発光装置においては、発光素子１０１を覆う透光性
樹脂に含まれる蛍光体１及び蛍光体２の含有量を要求さ
れる発光スペクトルに応じて調整することにより各発光
波長における強度を調整することができるので、要求さ
れる発光スペクトルが異なる種々の用途に適合する発光
装置を実現できる。
【００２０】例えば、実施の形態の発光装置において、
発光層１５は主発光ピークの波長が４７０ｎｍ（青色）
になるように、Ｉｎの組成比を選択し、セリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光
体１として（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅからなる
蛍光体粒子を用い、アルミナ蛍光体２としてＣｒを０．
５ｗｔ％含むアルミナ粒子を用いた場合の動作及び発光
スペクトルは以下のようになる。本例において、正負の
電極１０５，１０６を介して発光素子１０１に電圧を印
加すると、図３に示すように、発光素子１０１の発光層
１５から約４７０ｎｍに主発光ピークがある青色光が放
射され、これにより励起されたイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体１が約５６０ｎｍに主発光ピ
ークがある黄色光を発光し、アルミナ蛍光体２が約６９
４ｎｍに主発光ピークを有する赤色光を発光し、発光ス
ペクトルは図３に示すようになる。これにより、外部か
らはそれらの混色光によって、本例の発光装置では演色
性の高い白色光が観測される。
発光層１５は主発光ピークの波長が４７０ｎｍ（青色）
になるように、Ｉｎの組成比を選択し、セリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光
体１として（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅからなる
蛍光体粒子を用い、アルミナ蛍光体２としてＣｒを０．
５ｗｔ％含むアルミナ粒子を用いた場合の動作及び発光
スペクトルは以下のようになる。本例において、正負の
電極１０５，１０６を介して発光素子１０１に電圧を印
加すると、図３に示すように、発光素子１０１の発光層
１５から約４７０ｎｍに主発光ピークがある青色光が放
射され、これにより励起されたイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体１が約５６０ｎｍに主発光ピ
ークがある黄色光を発光し、アルミナ蛍光体２が約６９
４ｎｍに主発光ピークを有する赤色光を発光し、発光ス
ペクトルは図３に示すようになる。これにより、外部か
らはそれらの混色光によって、本例の発光装置では演色
性の高い白色光が観測される。
【００２１】また、図３に示す発光スペクトルにおい
て、発光素子の発光に対応する第１のピークとアルミナ
蛍光体２の発光に対応する第２のピークとは鋭いピーク
であり、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍
光体１の発光に対応する第３のピークは第１のピーク及
び第２のピークより強度が低くかつ幅が広いピークであ
る。さらに、第３のピークは第１のピーク及び第２のピ
ークに比較して視感度のよい（網膜による感度のよい）
波長域にある。このように、第３のピークの波長域の両
側に位置する視感度で劣る第１のピークと第２のピーク
を視感度のよい第３のピークより鋭いピークとし、第３
のピークをブロードにする（波長に対する発光強度の変
化を少なくする）ことにより以下のような特有の効果が
得られる。第１に、第１のピーク及び第２のピークは鋭
いピークであることからそれらのの外側に位置する不要
な波長領域の光のエネルギーを小さくできるので、発光
効率を高くできる。第２に、視感度のよい波長域では発
光強度を低く、視感度の劣る波長域では発光強度を高く
できるので、人間の網膜にはほぼ一定の強度の光として
認識され、発光強度ムラのない発光と感じられる。
て、発光素子の発光に対応する第１のピークとアルミナ
蛍光体２の発光に対応する第２のピークとは鋭いピーク
であり、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍
光体１の発光に対応する第３のピークは第１のピーク及
び第２のピークより強度が低くかつ幅が広いピークであ
る。さらに、第３のピークは第１のピーク及び第２のピ
ークに比較して視感度のよい（網膜による感度のよい）
波長域にある。このように、第３のピークの波長域の両
側に位置する視感度で劣る第１のピークと第２のピーク
を視感度のよい第３のピークより鋭いピークとし、第３
のピークをブロードにする（波長に対する発光強度の変
化を少なくする）ことにより以下のような特有の効果が
得られる。第１に、第１のピーク及び第２のピークは鋭
いピークであることからそれらのの外側に位置する不要
な波長領域の光のエネルギーを小さくできるので、発光
効率を高くできる。第２に、視感度のよい波長域では発
光強度を低く、視感度の劣る波長域では発光強度を高く
できるので、人間の網膜にはほぼ一定の強度の光として
認識され、発光強度ムラのない発光と感じられる。
【００２２】実施の形態２．本実施の形態２の発光装置
は、マウント・リード１０５の先端に設けられたカップ
に発光素子チップ１０１をエポキシ樹脂でダイボンディ
ングし、チップ１０１の正負の電極をそれぞれマウント
・リード１０５及びインナー・リード１０６にワイヤー
ボンディングした後に透光性樹脂２０２を発光素子チッ
プ１０１を覆うようにカップに充填することにより構成
している。本実施の形態２の発光装置では、透光性樹脂
２０２に、イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍
光体と、Ｃｒ若しくはＴｉ、又はＣｒとＴｉの両方を含
むアルミナ蛍光体とを含有させている。以上のように構
成された実施の形態２の発光装置は、実施の形態１の発
光装置と同様に動作し、同様の作用効果を有する。
は、マウント・リード１０５の先端に設けられたカップ
に発光素子チップ１０１をエポキシ樹脂でダイボンディ
ングし、チップ１０１の正負の電極をそれぞれマウント
・リード１０５及びインナー・リード１０６にワイヤー
ボンディングした後に透光性樹脂２０２を発光素子チッ
プ１０１を覆うようにカップに充填することにより構成
している。本実施の形態２の発光装置では、透光性樹脂
２０２に、イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍
光体と、Ｃｒ若しくはＴｉ、又はＣｒとＴｉの両方を含
むアルミナ蛍光体とを含有させている。以上のように構
成された実施の形態２の発光装置は、実施の形態１の発
光装置と同様に動作し、同様の作用効果を有する。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の発
光装置は、窒化物系化合物半導体からなる発光層を有す
る発光素子と、クロム又はチタンの少なくとも一方を含
むアルミナ蛍光体と、セリウムが含有されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とを含んでいる
ので、混色により比較的広い範囲の波長域において輝度
を高くでき、演色性の高い光を発光させることができ
る。従って、本発明の発光装置は、各種インジケータ、
バックライト光源、照明用光源などに幅広い用途に利用
できる。
光装置は、窒化物系化合物半導体からなる発光層を有す
る発光素子と、クロム又はチタンの少なくとも一方を含
むアルミナ蛍光体と、セリウムが含有されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とを含んでいる
ので、混色により比較的広い範囲の波長域において輝度
を高くでき、演色性の高い光を発光させることができ
る。従って、本発明の発光装置は、各種インジケータ、
バックライト光源、照明用光源などに幅広い用途に利用
できる。
【図１】 本発明に係る実施の形態１の白色系が発光可
能なＳＭＤ型の発光装置の構成を示す模式的断面図を示
す。
能なＳＭＤ型の発光装置の構成を示す模式的断面図を示
す。
【図２】 本発明に係る実施の形態２の白色系が発光可
能な砲弾型の発光装置の模式的断面図を示す。
能な砲弾型の発光装置の模式的断面図を示す。
【図３】 主発光ピークの波長が４７０ｎｍ（青色）で
ある発光素子、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅから
なる蛍光体粒子、Ｃｒを０．５ｗｔ％含むアルミナ粒子
を用いた実施の形態１の発光装置の発光スペクトルであ
る。
ある発光素子、（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅから
なる蛍光体粒子、Ｃｒを０．５ｗｔ％含むアルミナ粒子
を用いた実施の形態１の発光装置の発光スペクトルであ
る。
１０…サファイア基板、 １１…ＧａＮバッファ層、 １２…アンドープのｎ型ＧａＮ層、 １３…ｎ型コンタクト層、 １４…アンドープＧａＮ層、 １５…発光層、 １６…ｐクラッド層、 １７…ｐ型コンタクト層、 １８…ｎ電極１８、 １９…ｐオーミック電極、 ２０…ｐパッド電極、 １００…ＳＭＤ型発光ダイオード、 １０１…発光素子（ＬＥＤ）チップ、 １０４…硝子エポキシ回路基板、 １０５、１０６…リード電極、 １０７…モールド部材、 ２０２…透光性樹脂、 ２０３…ワイヤー、 ２０４…モールド部材、 ２０５…マウント・リード、 ２０６…インナー・リード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/80 ＣＰＢ Ｃ０９Ｋ 11/80 ＣＰＢ ＣＰＭ ＣＰＭ Ｆ２１Ｖ 5/04 Ｆ２１Ｖ 5/04 Ｚ // Ｆ２１Ｙ 101:02 Ｆ２１Ｙ 101:02 Ｆターム(参考） 4H001 CA05 XA07 XA08 XA13 XA22 XA24 XA31 XA39 XA49 XA64 YA58 5F041 CA04 CA05 CA13 CA34 CA40 DA04 DA09 DA17 DA19 DA34 DA44 FF01 FF11
Claims (7)
- 【請求項１】 窒化物系化合物半導体からなる発光層を
有する発光素子と、前記発光素子が発光する光を吸収し
て、吸収した光の波長とは異なる波長を有する蛍光を発
する蛍光体とを有する発光装置であって、 前記蛍光体は、クロム又はチタンの少なくとも一方を含
むアルミナ蛍光体と、セリウムが含有されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とを含むことを
特徴とする発光装置。 - 【請求項２】 前記発光素子の主発光ピークが４２０ｎ
ｍから４９０ｎｍの範囲内にある請求項１記載の発光装
置。 - 【請求項３】 前記発光素子は少なくとも発光面が樹脂
によって覆われ、かつ前記蛍光体はそれぞれ粉末であっ
て、前記蛍光体はそれぞれ前記樹脂の中に含有された請
求項１又は２記載の発光装置。 - 【請求項４】 前記発光層は第一の可視光を発光し、前
記アルミナ蛍光体は第二の可視光を発光し、前記セリウ
ムが含有されたイットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体は第三の可視光を発光し、該第一、第二及び
第三の可視光の混色により白色光として観測される請求
項１〜３のうちのいずれか１つに記載の発光装置。 - 【請求項５】 前記発光装置の発光スペクトルは、前記
第一の可視光に対応する第１のピークと前記第二の可視
光に対応する第２のピークの間に前記第三の可視光に対
応する第３のピークを有する請求項４記載の発光装置。 - 【請求項６】 前記第３のピークは、前記第１のピーク
及び前記第２のピークより強度が低くかつ幅が広いピー
クであり、前記第１のピーク及び前記第２のピークに比
較して視感度のよい波長域にある請求項５記載の発光装
置。 - 【請求項７】 前記アルミナ蛍光体はクロムを０．１ｗ
ｔ％以上含む請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載
の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001146462A JP2002344021A (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001146462A JP2002344021A (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344021A true JP2002344021A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18992116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001146462A Pending JP2002344021A (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002344021A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193393A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
| JP2005045038A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2005142311A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Tzu-Chi Cheng | 発光装置 |
| JP2006169422A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Ube Ind Ltd | 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置 |
| JP2006173433A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Ube Ind Ltd | 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置 |
| KR100807015B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2008-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치 |
| JP2009087681A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Panasonic Corp | 車両前照灯光源および車両前照灯 |
| WO2014054290A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 株式会社 東芝 | 白色発光装置、照明装置、および歯科用照明装置 |
| JPWO2012144087A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-07-28 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
| JP2016508294A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-03-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 発光サファイアをダウンコンバータとして使用するｌｅｄ |
| JPWO2014084379A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 医療用光源およびそれを用いた医療用光源システム |
-
2001
- 2001-05-16 JP JP2001146462A patent/JP2002344021A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193393A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
| JP2005045038A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2005142311A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Tzu-Chi Cheng | 発光装置 |
| JP4513541B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2010-07-28 | 宇部興産株式会社 | 光変換用セラミック複合体を用いた発光装置 |
| JP2006169422A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Ube Ind Ltd | 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置 |
| JP2006173433A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Ube Ind Ltd | 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置 |
| KR100807015B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2008-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치 |
| JP2009087681A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Panasonic Corp | 車両前照灯光源および車両前照灯 |
| JPWO2012144087A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-07-28 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
| JP5770269B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-08-26 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
| WO2014054290A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 株式会社 東芝 | 白色発光装置、照明装置、および歯科用照明装置 |
| JPWO2014054290A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2016-08-25 | 株式会社東芝 | 白色発光装置、照明装置、および歯科用照明装置 |
| JPWO2014084379A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 医療用光源およびそれを用いた医療用光源システム |
| JP2016508294A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-03-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 発光サファイアをダウンコンバータとして使用するｌｅｄ |
| US10181551B2 (en) | 2013-01-16 | 2019-01-15 | Lumileds Llc | LED using luminescent sapphire as down-converter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6603258B1 (en) | Light emitting diode device that emits white light | |
| US7884538B2 (en) | Light-emitting device | |
| EP1830418B1 (en) | Light emitting device | |
| JP5557828B2 (ja) | 発光装置 | |
| US7855501B2 (en) | LED with phosphor layer having different thickness or different phosphor concentration | |
| US8593063B2 (en) | White light emitting device | |
| JP5369486B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR100605211B1 (ko) | 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드 | |
| KR101265094B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP4932078B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2000031531A (ja) | 発光装置 | |
| JP2009117825A (ja) | 白色発光素子 | |
| JP2005093712A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US20060249739A1 (en) | Multi-wavelength white light emitting diode | |
| JP2005268786A (ja) | 多数の波長変換機構を使用して合成出力光を放射する装置および方法 | |
| JP2002344021A (ja) | 発光装置 | |
| JP2013239551A (ja) | 発光装置 | |
| KR20040088418A (ko) | 삼파장 백색 발광다이오드 | |
| KR20100076655A (ko) | 백색 발광 장치 | |
| KR20050089490A (ko) | 자색 발광 다이오드 광원을 이용한 백색 발광 다이오드 | |
| US11916175B2 (en) | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module | |
| KR100684043B1 (ko) | 백색 발광다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| KR100605212B1 (ko) | 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드 | |
| JP4207363B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| KR20040088446A (ko) | 백색 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041021 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051110 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051110 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070723 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070723 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070904 |