JP2002333701A - マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク - Google Patents
マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスクInfo
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- JP2002333701A JP2002333701A JP2001135704A JP2001135704A JP2002333701A JP 2002333701 A JP2002333701 A JP 2002333701A JP 2001135704 A JP2001135704 A JP 2001135704A JP 2001135704 A JP2001135704 A JP 2001135704A JP 2002333701 A JP2002333701 A JP 2002333701A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】下地層の高さの差による露光時の焦点ずれと、
補正パターンの近接効果により生ずる寸法誤差を補正す
るマスクデータ補正方法を提供すること。 【解決手段】マスクデータ補正方法において、入力され
たマスクデータに係るパターンの領域を一定幅の分割セ
ルで分割する工程と、近接効果補正を行うマスクデータ
層ないし補正層の直下になる下地層パターンの各分割セ
ル内における下地層パターンのパターン密度と、下地層
の膜厚と、から各分割セルにおける下地層平均高さを計
算する工程と、各分割セルとその近くにある他の各分割
セルの下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高
さＨを計算する工程と、この平均高さＨと補正対象パタ
ーンのレイアウト・パラメータから補正量Ｃを決定し、
分割セル内の対象パターンを補正する工程と、を含むこ
とを特徴とする。
補正パターンの近接効果により生ずる寸法誤差を補正す
るマスクデータ補正方法を提供すること。 【解決手段】マスクデータ補正方法において、入力され
たマスクデータに係るパターンの領域を一定幅の分割セ
ルで分割する工程と、近接効果補正を行うマスクデータ
層ないし補正層の直下になる下地層パターンの各分割セ
ル内における下地層パターンのパターン密度と、下地層
の膜厚と、から各分割セルにおける下地層平均高さを計
算する工程と、各分割セルとその近くにある他の各分割
セルの下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高
さＨを計算する工程と、この平均高さＨと補正対象パタ
ーンのレイアウト・パラメータから補正量Ｃを決定し、
分割セル内の対象パターンを補正する工程と、を含むこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造プ
ロセスにおけるリソグラフィ工程で用いられる近接効果
補正マスク、そのマスクデータ補正方法及びプログラム
に関し、特に、下地層の高さの差による露光時の焦点ず
れを補正する近接効果補正マスク、そのマスクデータ補
正方法及びプログラムに関する。
ロセスにおけるリソグラフィ工程で用いられる近接効果
補正マスク、そのマスクデータ補正方法及びプログラム
に関し、特に、下地層の高さの差による露光時の焦点ず
れを補正する近接効果補正マスク、そのマスクデータ補
正方法及びプログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造プロセスにおけるリソグ
ラフィ工程では、デバイスの集積度が上がるにつれ、設
計パターンがウェハ上に予定通りに転写されないという
いわゆる近接効果が問題となっている。この問題を回避
するため、近接効果を予めマスク上で補正する近接効果
補正マスクが考案されている。
ラフィ工程では、デバイスの集積度が上がるにつれ、設
計パターンがウェハ上に予定通りに転写されないという
いわゆる近接効果が問題となっている。この問題を回避
するため、近接効果を予めマスク上で補正する近接効果
補正マスクが考案されている。
【０００３】従来の近接効果補正マスクの補正方法で
は、図５に示すように、下地層パターン１１とその上に
形成される対象パターンを形成し、下地層パターン１１
の高さとは無関係に、対象パターンの幅Ｗと間隔Ｓによ
り決められた補正量Ｃに基づいて対象パターン１３の補
正辺１４を移動し、パターン幅Ｗを補正していた。
は、図５に示すように、下地層パターン１１とその上に
形成される対象パターンを形成し、下地層パターン１１
の高さとは無関係に、対象パターンの幅Ｗと間隔Ｓによ
り決められた補正量Ｃに基づいて対象パターン１３の補
正辺１４を移動し、パターン幅Ｗを補正していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６を
参照すると、フォトレジスト膜１５の局所的な高さの差
は、パターン露光時の局所的な焦点ずれの差を引き起こ
す。すなわち、対象パターンの下地層パターン１１の高
さが変動し、パターン露光時の局所的な焦点ずれの差を
引き起こすことによるパターン幅の寸法誤差は補正して
いないため、寸法精度が低下していた。
参照すると、フォトレジスト膜１５の局所的な高さの差
は、パターン露光時の局所的な焦点ずれの差を引き起こ
す。すなわち、対象パターンの下地層パターン１１の高
さが変動し、パターン露光時の局所的な焦点ずれの差を
引き起こすことによるパターン幅の寸法誤差は補正して
いないため、寸法精度が低下していた。
【０００５】また、他の補正方法として、特開平１０−
３２６０１０号公報による、下地段差の影響を補正する
方法と、補正層のパターン密度により補正する方法と、
が知られている。これらは、下地段差のエッジにより生
ずる露光時の反射光の影響を補正するために、下地層パ
ターンエッジから一定距離範囲内の補正パターン寸法を
補正し、補正層のパターン密度変化による現像特性変化
の影響を補正するものである。
３２６０１０号公報による、下地段差の影響を補正する
方法と、補正層のパターン密度により補正する方法と、
が知られている。これらは、下地段差のエッジにより生
ずる露光時の反射光の影響を補正するために、下地層パ
ターンエッジから一定距離範囲内の補正パターン寸法を
補正し、補正層のパターン密度変化による現像特性変化
の影響を補正するものである。
【０００６】しかしながら、下地層パターンの密度変化
による下地の平均高さが変化することで生ずる焦点ずれ
の影響は補正していなかった。
による下地の平均高さが変化することで生ずる焦点ずれ
の影響は補正していなかった。
【０００７】本発明の目的は、下地層の高さの差による
露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により生
ずる寸法誤差を補正する近接効果補正マスク及びそのデ
ータ補正方法を提供することである。
露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により生
ずる寸法誤差を補正する近接効果補正マスク及びそのデ
ータ補正方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の視点にお
いては、マスクデータ補正方法であって、入力されたマ
スクデータに係るパターンの領域を一定幅の分割セルで
分割する工程と、近接効果補正を行うマスクデータ層な
いし補正層の直下になる下地層パターンの各分割セル内
における下地層パターンのパターン密度と、下地層の膜
厚と、から各分割セルにおける下地層平均高さを計算す
る工程と、各分割セルとその近くにある他の各分割セル
の下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを
計算する工程と、この分割セルの平均高さと補正対象パ
ターンのレイアウト・パラメータから補正量を決定し、
分割セル内の対象パターンを補正する工程と、を含むこ
とを特徴とする。
いては、マスクデータ補正方法であって、入力されたマ
スクデータに係るパターンの領域を一定幅の分割セルで
分割する工程と、近接効果補正を行うマスクデータ層な
いし補正層の直下になる下地層パターンの各分割セル内
における下地層パターンのパターン密度と、下地層の膜
厚と、から各分割セルにおける下地層平均高さを計算す
る工程と、各分割セルとその近くにある他の各分割セル
の下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを
計算する工程と、この分割セルの平均高さと補正対象パ
ターンのレイアウト・パラメータから補正量を決定し、
分割セル内の対象パターンを補正する工程と、を含むこ
とを特徴とする。
【０００９】また、前記マスクデータ補正方法におい
て、前記下地層パターンの更に下層における他の下地層
パターンの各分割セル内における前記他の下地層パター
ンのパターン密度と、前記他の下地層の膜厚と、から各
分割セルにおける前記他の下地層平均高さを計算する工
程と、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの前
記下地層平均高さ、前記他の下地層平均高さ及び距離か
ら各分割セルの平均高さを計算する工程と、を含むこと
が好ましい。
て、前記下地層パターンの更に下層における他の下地層
パターンの各分割セル内における前記他の下地層パター
ンのパターン密度と、前記他の下地層の膜厚と、から各
分割セルにおける前記他の下地層平均高さを計算する工
程と、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの前
記下地層平均高さ、前記他の下地層平均高さ及び距離か
ら各分割セルの平均高さを計算する工程と、を含むこと
が好ましい。
【００１０】また、前記マスクデータ補正方法におい
て、各分割セルの平均高さを計算する工程において、各
下地層平均高さないし他の下地層平均高さを一の分割セ
ルの中心から所定の範囲内にある他の分割セルの中心ま
での各距離により加重平均して計算することが好まし
い。
て、各分割セルの平均高さを計算する工程において、各
下地層平均高さないし他の下地層平均高さを一の分割セ
ルの中心から所定の範囲内にある他の分割セルの中心ま
での各距離により加重平均して計算することが好まし
い。
【００１１】本発明の第２の視点においては、前記マス
クデータ補正方法により補正された近接効果補正マスク
であることを特徴とする。
クデータ補正方法により補正された近接効果補正マスク
であることを特徴とする。
【００１２】本発明の第３の視点においては、マスクデ
ータ補正プログラムにおいて、入力されたマスクデータ
に係るパターンの領域を一定幅の分割セルで分割するス
テップと、近接効果補正を行うマスクデータ層ないし補
正層の直下になる下地層パターンの各分割セル内におけ
る下地層パターンのパターン密度と、下地層の膜厚と、
から各分割セルにおける下地層平均高さを計算するステ
ップと、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの
下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを計
算するステップと、この分割セルの平均高さと補正対象
パターンのレイアウト・パラメータから補正量を決定
し、分割セル内の対象パターンを補正するステップと、
を実行させることを特徴とする。
ータ補正プログラムにおいて、入力されたマスクデータ
に係るパターンの領域を一定幅の分割セルで分割するス
テップと、近接効果補正を行うマスクデータ層ないし補
正層の直下になる下地層パターンの各分割セル内におけ
る下地層パターンのパターン密度と、下地層の膜厚と、
から各分割セルにおける下地層平均高さを計算するステ
ップと、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの
下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを計
算するステップと、この分割セルの平均高さと補正対象
パターンのレイアウト・パラメータから補正量を決定
し、分割セル内の対象パターンを補正するステップと、
を実行させることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】マスクデータ補正方法であって、
入力されたマスクデータに係るパターンの領域を一定幅
の分割セルで分割する工程（図１のＳ２）と、近接効果
補正を行うマスクデータ層ないし補正層の直下になる下
地層パターンの各分割セル内における下地層パターンの
パターン密度と、下地層の膜厚と、から各分割セルにお
ける下地層平均高さを計算する工程（図１のＳ３、４）
と、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの下地
層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さＨを計算
する工程（図１のＳ５、６）と、この平均高さＨと補正
対象パターンのレイアウト・パラメータから補正量Ｃを
決定し、分割セル内の対象パターンを補正する工程（図
１のＳ７）と、を含むことにより下地層の高さの差によ
る露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により
生ずる寸法誤差を補正することができる。
入力されたマスクデータに係るパターンの領域を一定幅
の分割セルで分割する工程（図１のＳ２）と、近接効果
補正を行うマスクデータ層ないし補正層の直下になる下
地層パターンの各分割セル内における下地層パターンの
パターン密度と、下地層の膜厚と、から各分割セルにお
ける下地層平均高さを計算する工程（図１のＳ３、４）
と、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの下地
層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さＨを計算
する工程（図１のＳ５、６）と、この平均高さＨと補正
対象パターンのレイアウト・パラメータから補正量Ｃを
決定し、分割セル内の対象パターンを補正する工程（図
１のＳ７）と、を含むことにより下地層の高さの差によ
る露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により
生ずる寸法誤差を補正することができる。
【００１４】または、前記と同様にして更に下層の各下
地層パターンの平均高さも計算して、各下地層の平均高
さを加算したものを分割セルの平均高さＨとしてもよ
い。
地層パターンの平均高さも計算して、各下地層の平均高
さを加算したものを分割セルの平均高さＨとしてもよ
い。
【００１５】この場合、上記プログラムを記録した記録
媒体（磁気ディスク、または磁気テープ、または光ディ
スク、もしくは、メモリカード、半導体メモリ等）から
該プログラムを、読み出し装置及びインタフェースを介
して、当該コンピュータに読み出し、主記憶にロードし
て実行することで、本発明を実施することができる。な
お、サーバ端末を構成するコンピュータに、有線または
無線ネットワーク媒体、通信インタフェースを介して、
他のコンピュータの記憶装置から該プログラムを伝送
し、該プログラムを当該コンピュータにインストール
し、主記憶にロードして実行するようにしてもよい。
媒体（磁気ディスク、または磁気テープ、または光ディ
スク、もしくは、メモリカード、半導体メモリ等）から
該プログラムを、読み出し装置及びインタフェースを介
して、当該コンピュータに読み出し、主記憶にロードし
て実行することで、本発明を実施することができる。な
お、サーバ端末を構成するコンピュータに、有線または
無線ネットワーク媒体、通信インタフェースを介して、
他のコンピュータの記憶装置から該プログラムを伝送
し、該プログラムを当該コンピュータにインストール
し、主記憶にロードして実行するようにしてもよい。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。図１は、本発明の一実施例に係るマスクデータ補正
方法の工程を示したフローチャートである。図２は、本
発明の一実施例に係るマスクデータの分割を示した模式
図である。図３は、本発明の一実施例に係るマスクデー
タの補正を示した模式図である。図４は、本発明の一実
施例に係るマスクデータの補正におけるパターン幅Ｗを
持つ補正対象パターンについてパターン間隔Ｓと分割セ
ルの平均高さＨに応じて決めた補正量Ｃの関係を示した
グラフである。
る。図１は、本発明の一実施例に係るマスクデータ補正
方法の工程を示したフローチャートである。図２は、本
発明の一実施例に係るマスクデータの分割を示した模式
図である。図３は、本発明の一実施例に係るマスクデー
タの補正を示した模式図である。図４は、本発明の一実
施例に係るマスクデータの補正におけるパターン幅Ｗを
持つ補正対象パターンについてパターン間隔Ｓと分割セ
ルの平均高さＨに応じて決めた補正量Ｃの関係を示した
グラフである。
【００１７】まず、図１を参照すると、近接効果補正を
行うマスクデータ層、すなわち補正層のマスク設計パタ
ーンと、半導体製造プロセス上で前記補正層の直下とな
る下地層のマスク設計パターンと、を持つマスクデータ
をパターン補正装置に入力する（ステップＳ１）。
行うマスクデータ層、すなわち補正層のマスク設計パタ
ーンと、半導体製造プロセス上で前記補正層の直下とな
る下地層のマスク設計パターンと、を持つマスクデータ
をパターン補正装置に入力する（ステップＳ１）。
【００１８】次に、このマスクデータに対して、図２に
示すように、補正するマスクの領域を一定幅の分割セル
で分割する（ステップＳ２）。
示すように、補正するマスクの領域を一定幅の分割セル
で分割する（ステップＳ２）。
【００１９】次に、下地層パターンと各分割セル内とが
重なる部分の面積Ａを計算する（ステップＳ３）。分割
セルの面積Ａ０とすると、各分割セル内における下地層
パターンのパターン密度はＡ／Ａ０となる。各分割セル
の下地層平均高さＨｋは、Ａ及びＡ０と、あらかじめ設
定した下地層パターンの膜厚Ｔと、基準高さＨ０と、か
ら各分割セルの下地層平均高さＨｋを計算する。例えば
半導体製造プロセスで下地層パターン部外側の下地層膜
をエッチングして除去する場合はＨｋ＝Ｈ０+Ｔ*Ａ/Ａ
０で、下地層パターン部の内側の下地層膜をエッチング
して除去する場合はＨｋ＝Ｈ０-Ｔ*Ａ/Ａ０で計算する
（ステップＳ４）。基準高さＨ０は焦点ずれの基準とな
る便宜的な高さである。なお、下地層パターンが存在し
ない分割セルの下地層平均高さは、Ａ＝０であるからＨ
ｋ＝Ｈ０となる。
重なる部分の面積Ａを計算する（ステップＳ３）。分割
セルの面積Ａ０とすると、各分割セル内における下地層
パターンのパターン密度はＡ／Ａ０となる。各分割セル
の下地層平均高さＨｋは、Ａ及びＡ０と、あらかじめ設
定した下地層パターンの膜厚Ｔと、基準高さＨ０と、か
ら各分割セルの下地層平均高さＨｋを計算する。例えば
半導体製造プロセスで下地層パターン部外側の下地層膜
をエッチングして除去する場合はＨｋ＝Ｈ０+Ｔ*Ａ/Ａ
０で、下地層パターン部の内側の下地層膜をエッチング
して除去する場合はＨｋ＝Ｈ０-Ｔ*Ａ/Ａ０で計算する
（ステップＳ４）。基準高さＨ０は焦点ずれの基準とな
る便宜的な高さである。なお、下地層パターンが存在し
ない分割セルの下地層平均高さは、Ａ＝０であるからＨ
ｋ＝Ｈ０となる。
【００２０】次に、補正対象パターンが存在する分割セ
ルとその近くにある他の分割セル（一の分割セルの中心
から他の分割セルの中心までの距離が設定された最大値
Ｒｍ ａｘ以下にあるもの）の各下地層平均高さＨｋを各
距離Ｒにより加重平均してその分割セルの平均高さＨを
計算する（ステップＳ５）。例えば、ある分割セルに対
して最大値Ｒｍａｘ以内にある他の分割セルがｎ個あっ
て、ｋ番目の分割セルの距離及び下地層平均高さがそれ
ぞれＲｋ及びＨｋである場合、以下のようにして計算す
る。 （例１） Ｈ＝｛w(R1)*H1+w(R2)*H2+・・・+w(Rn)*Hn｝／｛w(R1)+w
(R2)+・・・+w(Rn)｝ 「w(R)」は、距離Ｒによりあらかじめ決めておいた加重
平均の係数。 （例２） Ｈ＝｛w(R1 2)*H1+w(R2 2)*H2+・・・+w(Rn 2)*Hn｝／｛w
(R1 2)+w(R2 2)+・・・+w(Rn 2)｝ 「w(R2)」は、距離の２乗Ｒ２によりあらかじめ決めて
おいた加重平均の係数。
ルとその近くにある他の分割セル（一の分割セルの中心
から他の分割セルの中心までの距離が設定された最大値
Ｒｍ ａｘ以下にあるもの）の各下地層平均高さＨｋを各
距離Ｒにより加重平均してその分割セルの平均高さＨを
計算する（ステップＳ５）。例えば、ある分割セルに対
して最大値Ｒｍａｘ以内にある他の分割セルがｎ個あっ
て、ｋ番目の分割セルの距離及び下地層平均高さがそれ
ぞれＲｋ及びＨｋである場合、以下のようにして計算す
る。 （例１） Ｈ＝｛w(R1)*H1+w(R2)*H2+・・・+w(Rn)*Hn｝／｛w(R1)+w
(R2)+・・・+w(Rn)｝ 「w(R)」は、距離Ｒによりあらかじめ決めておいた加重
平均の係数。 （例２） Ｈ＝｛w(R1 2)*H1+w(R2 2)*H2+・・・+w(Rn 2)*Hn｝／｛w
(R1 2)+w(R2 2)+・・・+w(Rn 2)｝ 「w(R2)」は、距離の２乗Ｒ２によりあらかじめ決めて
おいた加重平均の係数。
【００２１】次に、図３に示すように、分割セル内の補
正対象パターンの各補正辺に対し、レイアウト・パラメ
ータであるパターン幅ｗとパターン間隔Ｓを求める（ス
テップＳ６）。更に、分割セル内の補正対象パターンの
補正辺に対し、前記分割セルの平均高さＨとレイアウト
・パラメータによりあらかじめ決められた補正量Ｃに基
づいて補正辺を補正し、パターン幅を補正する（ステッ
プＳ７）。
正対象パターンの各補正辺に対し、レイアウト・パラメ
ータであるパターン幅ｗとパターン間隔Ｓを求める（ス
テップＳ６）。更に、分割セル内の補正対象パターンの
補正辺に対し、前記分割セルの平均高さＨとレイアウト
・パラメータによりあらかじめ決められた補正量Ｃに基
づいて補正辺を補正し、パターン幅を補正する（ステッ
プＳ７）。
【００２２】補正量Ｃは、各種の幅Ｗと間隔Ｓを持つパ
ターンと各分割セル内における下地層パターンのパター
ン密度に対応する分割セルの平均高さＨに対して、露光
実験または露光シミュレーション等により設計寸法が得
られる最適補正量Ｃを求めて決定する。図４に、あるパ
ターン幅Ｗを持つ補正対象パターンについてパターン間
隔Ｓと分割セルの平均高さＨに応じて決めた補正量Ｃの
例を示す。焦点ずれの影響はパターンの幅Ｗや間隔Ｓに
よって異なるため、平均高さＨによる補正量Ｃの差もこ
れらの組み合わせによって変える。
ターンと各分割セル内における下地層パターンのパター
ン密度に対応する分割セルの平均高さＨに対して、露光
実験または露光シミュレーション等により設計寸法が得
られる最適補正量Ｃを求めて決定する。図４に、あるパ
ターン幅Ｗを持つ補正対象パターンについてパターン間
隔Ｓと分割セルの平均高さＨに応じて決めた補正量Ｃの
例を示す。焦点ずれの影響はパターンの幅Ｗや間隔Ｓに
よって異なるため、平均高さＨによる補正量Ｃの差もこ
れらの組み合わせによって変える。
【００２３】他の実施例として、前記実施例と同様のス
テップで、更に下層の各下地層パターンの平均高さを計
算し、各層の平均高さを加算したものを分割セルの平均
高さＨとする。本実施例は、半導体製造プロセス上にお
いて、直下の下地層の更に下層のパターンもフォトレジ
スト膜の局所的な高さに影響を与える場合に用いると良
い。
テップで、更に下層の各下地層パターンの平均高さを計
算し、各層の平均高さを加算したものを分割セルの平均
高さＨとする。本実施例は、半導体製造プロセス上にお
いて、直下の下地層の更に下層のパターンもフォトレジ
スト膜の局所的な高さに影響を与える場合に用いると良
い。
【００２４】
【効果の説明】本発明によれば、パターン露光時の局所
的な焦点ずれの効果と補正パターン自身の近接効果によ
る寸法誤差を同時に考慮して寸法補正されるので、パタ
ーンの寸法精度が向上する。その理由は、フォトレジス
ト膜の局所的な高さを、その下地層パターンの密度及び
膜厚により求めた局所的な下地層平均高さにより計算
し、これと補正パターンの近接効果補正用レイアウト・
パラメータとを組み合わせて寸法補正量を決めているか
らである。
的な焦点ずれの効果と補正パターン自身の近接効果によ
る寸法誤差を同時に考慮して寸法補正されるので、パタ
ーンの寸法精度が向上する。その理由は、フォトレジス
ト膜の局所的な高さを、その下地層パターンの密度及び
膜厚により求めた局所的な下地層平均高さにより計算
し、これと補正パターンの近接効果補正用レイアウト・
パラメータとを組み合わせて寸法補正量を決めているか
らである。
【図１】本発明の一実施例に係るマスクデータ補正方法
の工程を示したフローチャートである。
の工程を示したフローチャートである。
【図２】本発明の一実施例に係るマスクデータの分割を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図３】本発明の一実施例に係るマスクデータの補正を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図４】本発明の一実施例に係るマスクデータの補正に
おけるパターン幅Ｗを持つ補正対象パターンについてパ
ターン間隔Ｓと分割セルの平均高さＨに応じて決めた補
正量Ｃの関係を示したグラフである。
おけるパターン幅Ｗを持つ補正対象パターンについてパ
ターン間隔Ｓと分割セルの平均高さＨに応じて決めた補
正量Ｃの関係を示したグラフである。
【図５】従来の一例に係るマスクデータの補正を示した
模式図である。
模式図である。
【図６】従来の一例に係るフォトマスクを模式的に示し
た断面図である。
た断面図である。
１ 下地層パターン ２ 分割セル ３ 補正対象パターン ４ 補正辺 １１ 下地層パターン １３ 対象パターン １４ 補正パターン １５ フォトレジスト膜 １６ パターニング膜 １７ 下地膜
Claims (7)
- 【請求項１】入力されたマスクデータに係るパターンの
領域を一定幅の分割セルで分割する工程と、 近接効果補正を行うマスクデータ層ないし補正層の直下
になる下地層パターンの各分割セル内における下地層パ
ターンのパターン密度と、下地層の膜厚と、から各分割
セルにおける下地層平均高さを計算する工程と、 各分割セルとその近くにある他の各分割セルの下地層平
均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを計算する工
程と、 この分割セルの平均高さと補正対象パターンのレイアウ
ト・パラメータから補正量を決定し、分割セル内の対象
パターンを補正する工程と、を含むことを特徴とするマ
スクデータ補正方法。 - 【請求項２】前記下地層パターンの更に下層における他
の下地層パターンの各分割セル内における前記他の下地
層パターンのパターン密度と、前記他の下地層の膜厚
と、から各分割セルにおける前記他の下地層平均高さを
計算する工程と、 各分割セルとその近くにある他の各分割セルの前記下地
層平均高さ、前記他の下地層平均高さ及び距離から各分
割セルの平均高さを計算する工程と、を含むことを特徴
とする請求項１記載のマスクデータ補正方法。 - 【請求項３】前記各分割セルの平均高さを計算する工程
において、各下地層平均高さないし他の下地層平均高さ
を一の分割セルの中心から所定の範囲内にある他の分割
セルの中心までの各距離により加重平均して計算するこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のマスクデータ補正
方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一に記載のマス
クデータ補正方法により補正されたことを特徴とする近
接効果補正マスク。 - 【請求項５】入力されたマスクデータに係るパターンの
領域を一定幅の分割セルで分割するステップと、 近接効果補正を行うマスクデータ層ないし補正層の直下
になる下地層パターンの各分割セル内における下地層パ
ターンのパターン密度と、下地層の膜厚と、から各分割
セルにおける下地層平均高さを計算するステップと、 各分割セルとその近くにある他の各分割セルの下地層平
均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを計算するス
テップと、 この分割セルの平均高さと補正対象パターンのレイアウ
ト・パラメータから補正量を決定し、分割セル内の対象
パターンを補正するステップと、を実行させることを特
徴とするマスクデータ補正プログラム。 - 【請求項６】前記下地層パターンの更に下層における他
の下地層パターンの各分割セル内における前記他の下地
層パターンのパターン密度と、前記他の下地層の膜厚
と、から各分割セルにおける前記他の下地層平均高さを
計算するステップと、 各分割セルとその近くにある他の各分割セルの前記下地
層平均高さ、前記他の下地層平均高さ及び距離から各分
割セルの平均高さを計算するステップと、を実行させる
ことを特徴とする請求項５記載のマスクデータ補正プロ
グラム。 - 【請求項７】前記各分割セルの平均高さを計算するステ
ップにおいて、各下地層平均高さないし他の下地層平均
高さを一の分割セルの中心から所定の範囲内にある他の
分割セルの中心までの各距離により加重平均して計算す
ることを特徴とする請求項５又は６記載のマスクデータ
補正プログラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001135704A JP2002333701A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001135704A JP2002333701A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002333701A true JP2002333701A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18983117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001135704A Withdrawn JP2002333701A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002333701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100955171B1 (ko) * | 2008-03-13 | 2010-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광 근접 효과 보정 방법 |
| CN110137354A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半导体器件特征尺寸的测量方法及测量设备 |
-
2001
- 2001-05-07 JP JP2001135704A patent/JP2002333701A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100955171B1 (ko) * | 2008-03-13 | 2010-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광 근접 효과 보정 방법 |
| US8042068B2 (en) | 2008-03-13 | 2011-10-18 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for processing optical proximity correction |
| CN110137354A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半导体器件特征尺寸的测量方法及测量设备 |
| CN110137354B (zh) * | 2019-04-30 | 2022-09-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 半导体器件特征尺寸的测量方法及测量设备 |
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