Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップと該レーザチップを実装する基板材料の線膨張係数の差が２×１０−６／Ｋ以内であることを特徴とする光通信システム。In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip has an oscillation wavelength of 1.1 μm to 1.7 μm, and main elements of an active layer that generates light are from Ga, In, N, and As. A surface emitting semiconductor laser device chip having a resonator structure including a reflecting mirror provided on the upper and lower portions of the active layer to obtain laser light. The reflective mirror has a reflection wavelength of 1.1 μm or more, and the refractive index of the material layer constituting the reflective mirror periodically changes to a slightly different value, and reflects the incident light by light wave interference. And the material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1), the material layer having a large refractive index is AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1), and Folding rate the thickness of the hetero spike buffer layer the refractive index composed of Alz Ga1-zAs takes a value between the small and large (0 ≦ y <z <x ≦ 1) between the small and large material layer, In an optical communication system using a surface-emitting type semiconductor laser device chip having a thickness of 5 nm to 50 nm as a light emitting light source that is a reflecting mirror in a range in which the reflectance change of the semiconductor distributed Bragg reflecting mirror does not increase suddenly A difference in linear expansion coefficient between the laser chip and a substrate material on which the laser chip is mounted is within 2 × 10 −6 / K.レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップと該レーザチップを実装する基板材料の線膨張係数の差が２×１０In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip is a layer in which the main element of the active layer that generates light is made of Ga, In, N, As, or a layer made of Ga, In, As A surface-emitting type semiconductor laser device chip having a resonator structure including reflecting mirrors provided above and below the active layer in order to obtain a laser beam, wherein the material layer constituting the reflecting mirror is refracted The refractive index is a semiconductor distributed Bragg reflector that periodically changes to different values and reflects incident light by light wave interference, and the material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1). The material layer having a large refractive index is set to AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1), and the refractive index has a value between the small and large material layers between the small and large material layers. AlzGa1- In an optical communication system using a surface-emitting type semiconductor laser device chip, which is a reflecting mirror provided with a hetero spike buffer layer made of As (0 ≦ y <z <x ≦ 1) in a thickness of 20 nm to 50 nm, as a light source. The difference in linear expansion coefficient between the laser chip and the substrate material on which the laser chip is mounted is 2 × 10−６-6／Ｋ以内であることを特徴とする光通信システム。/ K is an optical communication system.レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップと該レーザチップを実装する基板材料の線膨張係数の差が２×１０In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip has an oscillation wavelength of 1.1 μm to 1.7 μm, and main elements of an active layer that generates light are Ga, In, N, As Or a layer made of Ga, In, As, and a surface emitting semiconductor laser device chip having a resonator structure including reflectors provided above and below the active layer to obtain laser light. The reflection mirror has a reflection wavelength of 1.1 μm or more, and the refractive index of the material layer constituting the reflection mirror periodically changes to a slightly different value, and reflects the incident light by light wave interference. The material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1), the material layer having a large refractive index is AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1), and in front A hetero spike buffer layer made of AlzGa1-zAs (0 ≦ y <z <x ≦ 1) having a refractive index between small and large between the material layers having a small refractive index and a large refractive index is 20 nm to 50 nm. An optical communication system using a surface-emitting type semiconductor laser device chip, such as a reflector provided in a thickness, as an emission light source, wherein a difference in linear expansion coefficient between the laser chip and a substrate material on which the laser chip is mounted is 2 × 10−６-6／Ｋ以内であることを特徴とする光通信システム。/ K is an optical communication system. レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層お主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップを実装する基板がＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＡｌＮの何れかより構成されることを特徴とする光通信システム。In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip has an oscillation wavelength of 1.1 μm to 1.7 μm, and an active layer that generates light is mainly composed of Ga, In, N, and As. A surface emitting semiconductor laser device chip having a resonator structure including a reflecting mirror provided on the upper and lower portions of the active layer to obtain laser light. The reflective mirror has a reflection wavelength of 1.1 μm or more, and the refractive index of the material layer constituting the reflective mirror periodically changes to a slightly different value, and reflects the incident light by light wave interference. And the material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1), the material layer having a large refractive index is AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1), and Folding rate the thickness of the hetero spike buffer layer the refractive index composed of Alz Ga1-zAs takes a value between the small and large (0 ≦ y <z <x ≦ 1) between the small and large material layer, In an optical communication system using a surface-emitting type semiconductor laser device chip having a thickness of 5 nm to 50 nm as a light emitting light source that is a reflecting mirror in a range in which the reflectance change of the semiconductor distributed Bragg reflecting mirror does not increase suddenly An optical communication system, wherein a substrate on which the laser chip is mounted is made of any one of Si, SiC, GaAs, and AlN.レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、光を発生する活性層お主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップを実装する基板がＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＡｌＮの何れかより構成されることを特徴とする光通信システム。In a laser chip and an optical communication system connected to the laser chip, the laser chip includes an active layer that generates light, a layer in which the main element is Ga, In, N, As, or a layer in which Ga, In, As is formed. A surface-emitting type semiconductor laser device chip having a resonator structure including reflecting mirrors provided above and below the active layer in order to obtain a laser beam, wherein the material layer constituting the reflecting mirror is refracted The refractive index is a semiconductor distributed Bragg reflector that periodically changes to slightly different values and reflects incident light by light wave interference, and the material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1). The material layer having a large refractive index is set to AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1), and the refractive index has a value between the small and large material layers between the small and large material layers. AlzGa1- In an optical communication system using a surface-emitting type semiconductor laser device chip, which is a reflecting mirror provided with a hetero spike buffer layer made of As (0 ≦ y <z <x ≦ 1) in a thickness of 20 nm to 50 nm, as a light source. An optical communication system, wherein a substrate on which the laser chip is mounted is made of any one of Si, SiC, GaAs, and AlN.レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層お主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップを実装する基板がＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＡｌＮの何れかより構成されることを特徴とする光通信システム。In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip has an oscillation wavelength of 1.1 μm to 1.7 μm, and active elements that generate light are mainly composed of Ga, In, N, As Or a layer made of Ga, In, As, and a surface emitting semiconductor laser device chip having a resonator structure including reflectors provided above and below the active layer to obtain laser light. The reflection mirror has a reflection wavelength of 1.1 μm or more, and the refractive index of the material layer constituting the reflection mirror periodically changes to a slightly different value, and reflects the incident light by light wave interference. The material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1), the material layer having a large refractive index is AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1), and in front A hetero spike buffer layer made of AlzGa1-zAs (0 ≦ y <z <x ≦ 1) having a refractive index between small and large between the material layers having a small refractive index and a large refractive index is 20 nm to 50 nm. An optical communication system using a surface-emitting type semiconductor laser device chip, such as a reflector provided in a thickness, as a light source, wherein the substrate on which the laser chip is mounted is composed of any one of Si, SiC, GaAs, and AlN An optical communication system. レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップと該レーザチップを実装する基板材料の線膨張係数の差が２×１０−６／Ｋ以内であることを特徴とする光通信システム。In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip has an oscillation wavelength of 1.1 μm to 1.7 μm, and main elements of an active layer that generates light are from Ga, In, N, and As. A surface emitting semiconductor laser device chip having a resonator structure including a reflecting mirror provided on the upper and lower portions of the active layer to obtain laser light. The reflective mirror has a reflection wavelength of 1.1 μm or more, and the refractive index of the material layer constituting the reflective mirror periodically changes to a slightly different value, and reflects the incident light by light wave interference. In addition, the material layer with a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1), and the material layer with a large refractive index is AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1). so Thus, a surface-emitting type semiconductor comprising a non-radiative recombination prevention layer having a main composition of GaxIn1-xPyAs1-y (0 <x ≦ 1, 0 <y ≦ 1) layer between the active layer and the reflecting mirror. An optical communication system using a laser element chip as a light source, wherein a difference in linear expansion coefficient between the laser chip and a substrate material on which the laser chip is mounted is within 2 × 10 −6 / K. Communications system. レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記レーザチップを実装する基板がＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＡｌＮの何れかより構成されることを特徴とする光通信システム。 In an optical communication system connected to a laser chip and the laser chip, the laser chip has an oscillation wavelength of 1.1 μm to 1.7 μm, and main elements of an active layer that generates light are from Ga, In, N, and As. A surface emitting semiconductor laser device chip having a resonator structure including a reflecting mirror provided on the upper and lower portions of the active layer to obtain laser light. The reflective mirror has a reflection wavelength of 1.1 μm or more, and the refractive index of the material layer constituting the reflective mirror periodically changes to a slightly different value, and reflects the incident light by light wave interference. In addition, the material layer having a small refractive index is AlxGa1-xAs (0 <x ≦ 1), and the material layer having a large refractive index is AlyGa1-yAs (0 ≦ y <x ≦ 1). so Thus, a surface-emitting type semiconductor comprising a non-radiative recombination prevention layer having a main composition of GaxIn1-xPyAs1-y (0 <x ≦ 1, 0 <y ≦ 1) layer between the active layer and the reflecting mirror. An optical communication system using a laser element chip as an emission light source, wherein a substrate on which the laser chip is mounted is made of any one of Si, SiC, GaAs, and AlN. 前記レーザチップを実装した実装基板は、放熱部材に固定されており、該放熱部材は前記レーザチップより熱伝導率が大きい材料よりなることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の光通信システム。Mounting board mounted with the laser chip is fixed to the heat radiating member, heat radiating member in any one of claims 1 to 8, characterized in that made of a material the thermal conductivity is larger than the laser chip The optical communication system described. 前記レーザチップを実装した実装基板は、放熱部材に固定されており、該放熱部材は、ＡｌＮ、Ｃｕ／Ｗ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕのいずれかからなることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の光通信システム。Mounting board mounted with the laser chip is fixed to the heat radiating member, heat radiating member, AlN, Cu / W, W, Mo, of claims 1 to 9, characterized in that it consists of one of Cu The optical communication system as described in any one. 前記放熱部材は、光送信モジュールのパッケージを兼ねていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の光通信システム。The heat radiation member, the optical communication system according to claim 9 or 10, characterized in that also serves as a package for an optical transmission module.
JP2002045470A2001-02-272002-02-21Optical communication system
PendingJP2002329919A
(en)