JP2002329889A

JP2002329889A - 発光ダイオード

Info

Publication number: JP2002329889A
Application number: JP2001126545A
Authority: JP
Inventors: Shi-Ming Chen; 錫銘陳; Wen-Liang Li; ▲ウェン▼良李; Hung-Ren Chen; 宏任陳; Shi-Chiuan Wan; 信全汪
Original assignee: Epitech Technology Corp
Current assignee: Epitech Technology Corp
Priority date: 2001-04-24
Filing date: 2001-04-24
Publication date: 2002-11-15

Abstract

(57)【要約】【課題】発光効率を効果的に改善する発光ダイオード
を提供する。【解決手段】２つの面を有する基板を備えた発光ダイ
オード。一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め
層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造
オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、およ
び前面電極を形成する。他方の面に裏面電極を形成す
る。メッシュ構造により、オーミック・コンタクト層の
吸収面積を減少させ、活性層からの光がオーミック・コ
ンタクト層に過吸収されるのを防ぐ。反対に発光ダイオ
ードの光強度が増大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードに係
り、特にメッシュ構造を有するオーミック・コンタクト
層を備えた高光強度の発光ダイオードに関する。

【０００２】

【従来の技術】発光ダイオード技術がますます進歩した
現在、信頼性の高い大面積ディスプレイが製造されてい
る。大面積ディスプレイに使用される発光ダイオードは
非常に高い光強度を必要とするため、透明度が強く要求
される。さらに、ディスプレイに表示された内容が遠距
離からでも見えなければならない。高光強度と低消費電
力とを達成することが、常に発光ダイオードを進歩させ
る目的である。

【０００３】発光ダイオード製造に必要な主原料の１つ
は、アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化物（AlGa
InP）などの直接バンドギャップ原料である。砒化ガリ
ウム（GaAs）の格子にマッチさせるため、アルミニウム
とガリウムの比率を適切に調整して発光の波長を５５０
ｎｍと６８０ｎｍの間、つまり緑色光と赤色光の間に調
整する。アルミニウムを多くするとバンドギャップが増
大するので、高率のアルミニウムを含有するアルミニウ
ム・ガリウム・インジウム燐化物は中心キャリヤ発光層
あるいは活性層を挟むための閉込め層として使用され
る。このようにキャリヤ注入が強化されると、発光ダイ
オードが高効率ダブル・ヘテロ接合される。閉込め層の
バンドギャップは発生する光子のエネルギより大きいの
で、活性層から放出された光は閉込め層に吸収されな
い。

【０００４】図１には一般的なアルミニウム・ガリウム
・インジウム燐化物発光ダイオードが示されている。n
型アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化物閉込め層
１０２、アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化物活
性層１０４、およびp型アルミニウム・ガリウム・イン
ジウム燐化物閉込め層１０６が金属有機化学蒸着（MOCV
D）によって砒化ガリウム基板１００上に形成される。
そして前面電極１０８および裏面電極１１０を蒸着さ
せ、発光ダイオードの製造が完了する。光強度を増すた
めに、分散型ブラッグ反射体１１２がn型アルミニウム
・ガリウム・インジウム燐化物閉込め層１０２の下に付
加される。このような構成にするとn型砒化ガリウム基
板１００へと放出された光子は前面側へ反射して出力さ
れる。p型アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化物
閉込め層１０６は移動度が低くドーピングが困難なた
め、抵抗が比較的高い（約０．５Ω-cm）。結果として
電流を水平方向にチップ全体に効果的に分散させること
ができない。キャリヤの大部分は前面電極１０８の真下
に注入されているので、活性層１０４の他の位置は発光
をもたらす発光再結合に十分なキャリヤを得ることがで
きない。さらに電流込合い効果により光の大部分が不透
明な前面電極によってブロックされ、バルクへ反射して
戻ったり、あるいは基板１００に吸収されてその結果光
効率が低下したりする。

【０００５】図２では、図１に示した発光ダイオードの
欠点を解決するために、電流拡散層１１４をp型アルミ
ニウム・ガリウム・インジウム燐化物閉込め層１０６と
前面電極１０８の間に付加する。活性層１０４から放出
された光の優れた透過性に加え、電流拡散層１１４はp
型アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化物閉込め層
１０６よりドーピングし易く、移動度も高い。結果とし
て電流をより均一にチップ上に拡散させることができ
る。現在、アルミニウム・ガリウム砒化物が電流拡散層
１１４の原料として使用されている。電流拡散能力を達
成するための電流拡散層１１４の厚さは通常数十ミクロ
ンである。しかしこのような電流拡散層１１４を形成す
るために用いられる金属有機化学蒸着は成長速度が非常
に遅い。したがって製造コストが非常に高く、製造に要
する時間が長い。

【０００６】図３は上記の問題を解決する構造を示して
おり、電流拡散層１１４は除去されている。透明導電性
酸化物層１１６を発光ダイオードの電流拡散層として形
成する。透明導電性酸化物層１１６は高い透過性と極め
て低い抵抗（約３×１０^−４Ω-ｃｍ）を併せ持つ。し
たがって電流を均一にチップ上に拡散させ、発光ダイオ
ードの光効率を高めることができる。このような透明導
電性酸化物の原料には酸化インジウム、酸化錫およびイ
ンジウム錫酸化物などが適切である。透明導電性酸化物
層と半導体との間に良好なオーミック・コンタクトを形
成し、粘着性を増すために、高ドーピングｐ型オーミッ
ク・コンタクト層１１８を透明導電性酸化物層１１６を
形成する前に形成する。オーミック・コンタクト層１１
８の厚さは約５００オングストロームでドーピング濃度
は１０^−１８ｃｍ^−３より高い。オーミック・コンタク
ト層１１８を形成する原料は砒化ガリウムあるいはガリ
ウム砒素燐化物（GaAsP）からなる。電流拡散層１１６
として導電性酸化物層を形成する前にp型オーミック・
コンタクト層１１８を成長させる必要がある。しかし、
オーミック・コンタクト層のエネルギ・バンドギャップ
は活性層１０４のそれよりも小さいので、発光ダイオー
ドの発光がオーミック・コンタクト層１１８に吸収さ
れ、光強度にひどく悪影響を与える。

【０００７】図４は異なる原料の異なる波長における光
吸収係数の分布を示している。３００Kにおけるガリウ
ム・インジウム砒素燐化物（GaInAsP）、砒化ガリウム
（GaAs）、燐化インジウム（InP）、ゲルマニウム（G
e）、燐化ガリウム（GaP）および珪素（Si）など、異な
る化合物の光吸収係数αが示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は発光ダイオー
ドを提供する。メッシュ構造によりオーミック・コンタ
クト層の光吸収面積が大いに減少する。結果として発光
ダイオードの光強度が非常に増大する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は発光ダイオード
を提供する。メッシュ構造によりオーミック・コンタク
ト層の光吸収面積が大いに減少する。結果として発光ダ
イオードの光強度が非常に増大する。本発明により提供
される発光ダイオードは第1面および第２面を備えた基
板を有する。基板の第１面に、分散型ブラッグ反射体、
n型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メ
ッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化
物層、および前面電極を形成する。基板の第２面に裏面
電極を形成する。オーミック・コンタクト層は活性層の
発光よりも小さいエネルギ・バンドギャップを有してい
るため、この発光はオーミック・コンタクト層に吸収さ
れる。しかし、オーミック・コンタクト層をメッシュ構
造に形成することによって、発光を吸収する面積を効果
的に減少できる。したがって、発光ダイオードの発光の
光強度を増大できる。以上の概略的な説明も以下の詳細
な説明も例示的な説明にすぎず、本発明のさらに詳しい
説明は特許請求の範囲においてなされることを理解され
たい。

【００１０】

【発明の実施の形態】従来の発光ダイオードに電流込合
い効果が発生すると、発光の大部分は前面電極にブロッ
クされ、半導体のバルクに反射して戻るかあるいは基板
に吸収され、発光効率に多大な影響を与える。したがっ
て、この電流込合い効果を改善するために電流拡散層を
設ける。しかし、電流込合い効果を効率的に改善するた
めには、電流拡散層の厚さを数十ミクロン以上にしなけ
ればならない。金属有機化学蒸着による電流拡散層の成
長速度は非常に遅く、したがって製造コストおよび時間
が非常にかかってしまう。別の従来構造では電流拡散層
として透明導電性酸化物層を用い、粘着力を強化するた
めに透明導電性酸化物層を形成する前にｐ型オーミック
・コンタクト層を付加する。オーミック・コンタクト層
のエネルギ・バンドギャップは活性層のそれより小さい
ので、発する光はオーミック・コンタクト層に吸収され
発光ダイオードの光強度を大いに減少させてしまう。し
たがって本発明では従来のオーミック・コンタクト層に
代えてメッシュ構造を有するオーミック・コンタクト層
を形成する。メッシュ構造にすれば、発光を吸収する面
積を大いに減少できる。したがって、従来技術に比して
発光ダイオードの発光効率を効果的に改善できる。

【００１１】図５に本発明による発光ダイオードの実施
形態を示す。基板２００は例えばｎ型砒化ガリウム基板
である。基板２００は第１面および第２面を有する。入
射する光子が基板２００の第１面の方向へ反射するよう
に、基板の第１面上に分散型ブラッグ反射体２１４を形
成する。閉込め層２０２、活性層２０４、および閉込め
層２０６の順にこれらを分散型ブラッグ反射体２１４上
に形成する。閉込め層２０２はｎ型アルミニウム・ガリ
ウム・インジウム燐化物からできていて、例えば、活性
層２０４は無ドープのアルミニウム・ガリウム・インジ
ウム燐化物から成り、閉込め層２０６はｐ型アルミニウ
ム・ガリウム・インジウム燐化物から成る。閉込め層２
０２と２０６とで活性層２０４を挟むことでキャリヤ注
入の効率性が改善される。次に閉込め層２０６上に電流
拡散層２０８を形成する。

【００１２】図５および図６には、電流拡散層２０８上
に形成するメッシュ構造オーミック・コンタクト層２１
６を示す。このメッシュ構造オーミック・コンタクト層
２１６の形成方法は次のステップからなる。オーミック
・コンタクト層（図示せず）を電流拡散層２０８上に形
成する。このオーミック・コンタクト層は砒化ガリウム
か燐化ガリウム、あるいはガリウム砒素燐化物から成
る。フォトレジスト層をオーミック・コンタクト層上に
スピンコートする。図６に示すように、フォトマスクを
用いて露光ステップを実行する。現像液を使用してフォ
トレジスト層を溶解し、フォトレジスト層をパターン化
してマスクとする。電流拡散層２０８が現れるまでパタ
ーン化されたフォトレジスト層に覆われていないオーミ
ック・コンタクト層を露光しエッチングする。その結果
フォトレジスト層が除去され、メッシュ構造を有するオ
ーミック・コンタクト層が形成される。図６に示すよう
に、メッシュ構造オーミック・コンタクト層を形成する
ためのフォトマスク・パターンはエッチングされた領域
を示すべた塗り部分６０２と、メッシュ構造オーミック
・コンタクト層２１６として残る領域を示す線影部分６
０４とからなる。

【００１３】図６では、メッシュ構造オーミック・コン
タクト層２１６を形成した後、電流拡散層２０８および
メッシュ構造オーミック・コンタクト層２１６を覆うよ
うに透明導電性酸化物層２１８を形成する。透明導電性
酸化物層２１８は、例えば透過性の高い酸化インジウ
ム、酸化錫、あるいはインジウム錫酸化物から成る。前
面電極２１０を透明導電性酸化物層２１８の一部分に形
成する。裏面電極２１２が基板２００の下に位置するよ
うに基板２００の第２面に形成する。前面および裏面電
極は導電性の高い金属から成る。メッシュ構造オーミッ
ク・コンタクト層２１６のエネルギ・バンドギャップは
活性層２０４のそれよりも小さいので、活性層２０４か
らの発光がメッシュ構造オーミック・コンタクト層２１
６により吸収されてしまう。しかしメッシュ構造である
ために発光を吸収する面積が非常に小さく、したがって
発光ダイオードの発光を増大できる。

【００１４】オーミック・コンタクト層の面積を減少さ
せた後、確実に電流をチップ上に均一に分散させるため
に、１次元電流分布式から以下の２次元電流分布式が導
かれる。

【数１】ここでＪ_０は金属の電流密度であり、Ｊ（ｘ）は金属か
らの距離ｘの位置での電流密度であり、ｌ_Ｓは水平方向
への拡散長さであり、ｇは電流拡散層の導電率であり、
ｔは電流拡散層の厚さであり、ｎは発光ダイオードの理
想因子であり、ｋはボルツマン定数１．３８×１０
^−２３Ｊ／Ｋであり、Ｔは絶対温度（°Ｋ）であり、ｅ
は素電荷１．６０２１８×１０^−１９Ｃである。

【００１５】図７には、図６に示したフォトマスクの拡
大図を示す。図６におけるｗはエッチングした四角い領
域の横の長さである。ｓはメッシュ層、つまりメッシュ
構造オーミック・コンタクト層の線幅である。ｔは電流
拡散層の厚さである。Ｊ（ｘ）はｗ、ｓ、およびｔの関
数である。ｗ、ｓ、およびｔのあらゆる変分に対して活
性層の任意の地点での電流密度が影響を受ける。以下の
例では砒化ガリウム電流拡散層を例にして電流拡散状態
および本発明が提供する発光ダイオード全体の光強度を
シミュレートする。本発明の発光ダイオードとオーミッ
ク・コンタクト層がメッシュ構造ではない従来技術の発
光ダイオードとを比較する。

【００１６】図８（Ａ）では電流拡散層の厚さを６ミク
ロンに固定する。この図から、電流拡散層に砒化ガリウ
ムを用いた時の異なる線幅ｓに対する、相対光強度とエ
ッチングした開口の長さｗとの関係がわかる。この相対
光強度は、メッシュ構造を有しない従来構造の光強度で
正規化した後の大きさである。ｗ＝０の時、この光強度
はメッシュ構造のオーミック・コンタクト層を有しない
従来技術の発光ダイオードのそれと同じである。つまり
Ｙ軸上に対応する値（＝１）を得られる。メッシュ層の
線幅ｓが同一ならば、このグラフの形状は次の２つの部
分に分けて解釈できる。（１）エッチング長さｗが５ミクロンより小さい時、ｗ
が増加するにつれて光を吸収する面積が減少し、光強度
が増大する。（２）ｗが５〜６ミクロンより大きい範囲で増大する
と、電流拡散が不均一となるか、あるいは拡散面積さえ
も減少し、発光面積が減少する。ｗの増大とともにオー
ミック・コンタクト層の光を吸収する全面積が減少す
る。しかし全光強度も減少する。エッチング長さｗを一
定にして、メッシュ層の線幅ｓを大きくすると、光を吸
収する面積が増大し、全体の光強度が減少する。

【００１７】図８（Ａ）は、ｓ＝１ミクロンかつｗ＝５
ミクロンの発光ダイオードが、均一な電流拡散特性を有
し、また光を吸収する面積を効果的に減少させたオーミ
ック・コンタクト層を有することを示している。この結
果、光強度が非常に増大する。図８（Ｂ）は、異なる厚
さの電流拡散層に対する、相対光強度と開口の長さｗと
の関係を示す。図８（Ｂ）から、開口が大きくない場合
には、電流拡散層の厚さが光強度に及ぼす影響は有意で
はないことがわかる。しかし、開口長さｗが１３〜１４
ミクロンより大きくなると、電流拡散効果が有意とな
り、発光面積が減少する。結果として光強度が減少し、
発光効率が大いに減少する。

【００１８】以上から、本発明の電流拡散層の厚さは数
十ミクロンも必要としない。さらに、このような電流拡
散層を使用しなくても均一な電流拡散という目的を達成
できる。メッシュ構造のオーミック・コンタクト層を使
用することにより、小さなバンドギャップの有する欠点
が改善できる。つまり、メッシュ構造のオーミック・コ
ンタクト層は発光ダイオードの発光効率を増大させる。

【００１９】上記の例においては、５０ｍＡの発光ダイ
オードの電流と光強度とを比較した。従来技術の発光ダ
イオードと比較してより大きな光強度を得ることが期待
されている。従来技術の電流密度は約５０ｍＡ／（９m
ｍ）^２＝９５．６７９Ａ／ｃｍ^２である。図７に示した
ような発光ダイオードの各ユニットセルに対する、シミ
ュレーションの結果を図９に示す。ｔ＝６ミクロン、ｓ
＝１ミクロン、およびｗ＝５ミクロンの時、最大値が９
５．７Ａ／ｃｍ^２、最小値が９５．６５９Ａ／ｃｍ^２と
なり、電流密度が非常に均一であることがわかる。結果
として生じる光強度は従来技術の発光ダイオードの約
１．２５倍である。

【００２０】要約すると、本発明は少なくとも次の長所
を有する。１．電流拡散層の厚さは数十ミクロンも必要としない。
さらに、電流拡散層を除去しても同じ電流拡散の均一性
効果を達成することができる。したがって、製造コスト
が減少し、このような装置の製造時間を短縮できる。２．本発明では、発光ダイオードのオーミック・コンタ
クト層をメッシュ構造にすることにより、小さなエネル
ギ・バンドギャップの持つ欠点を改善できる。したがっ
て発光ダイオードの光強度が非常に増大する。３．本発明の発光ダイオードは、メッシュ構造のオーミ
ック・コンタクト層を形成することにより、電流拡散を
均一にできる。全光強度は従来技術の発光ダイオードの
１．２５倍である。本発明の他の実施形態は、当業者であればここで開示し
た本発明の明細書および実施形態から明らかだろう。本
明細書および実施形態は例示にすぎず、本発明の真の範
囲および精神は特許請求の範囲により示されることを理
解されたい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術の発光ダイオードを示す図である。

【図２】従来技術の発光ダイオードを示す図である。

【図３】従来技術の発光ダイオードを示す図である。

【図４】異なる波長における異なる原料の光吸収係数を
示す図である。

【図５】本発明の発光ダイオードの実施形態を示す図で
ある。

【図６】メッシュ構造を有するオーミック・コンタクト
層を形成するためのマスク・パターンを示す図である。

【図７】図６に示したマスクの拡大図である。

【図８】（Ａ）は、電流拡散層の厚さが６ミクロンで、
砒化ガリウムを用いた時の異なる線幅ｓに対する、相対
光強度と開口の大きさｗとの関係を示すグラフであり、
（Ｂ）は、砒化ガリウムの線幅を１ミクロンに固定し、
異なる厚さの電流拡散層に対する、相対光強度と開口の
大きさｗとの関係を示すグラフである。

【図９】本発明が提供する発光ダイオードの各セルユニ
ット内部における電流拡散のシミュレーションを示す図
である。

【符号の説明】

１００：砒化ガリウム基板１０２：n型アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化
物閉込め層１０４：活性層１０６：p型アルミニウム・ガリウム・インジウム燐化
物閉込め層１０８：前面電極１１０：裏面電極１１２：分散型ブラッグ反射体１１４：電流拡散層１１６：透明導電性酸化物層１１８：オーミック・コンタクト層２００：基板２０２：閉込め層２０４：活性層２０６：閉込め層２０８：電流拡散層２１０：前面電極２１２：裏面電極２１４：分散型ブラッグ反射体２１６：メッシュ構造オーミック・コンタクト層２１８：透明導電性酸化物層６００：メッシュ構造オーミック・コンタクト層６０２：エッチング領域６０４：オーミック・コンタクト層領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者汪信全台湾台北縣三重市正義北路364巷８號Ｆターム(参考） 4M104 AA05 BB36 CC01 DD64 DD65 FF11 GG04 HH20 5F041 AA03 AA04 AA21 CA05 CA34 CA35 CA36 CA37 CA74 CA82 CA88

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１面および第２面を有する基板と、前記基板の第２面上に配置される電極と、前記基板の第１面上に配置される分散型ブラッグ反射体
と、前記分散型ブラッグ反射体上に配置される第１導電型閉
込め層と、前記第１導電型閉込め層上に配置される活性層と、前記活性層上に配置される第２導電型閉込め層と、前記第２導電型閉込め層上に配置される電流拡散層と、前記電流拡散層上に配置されるメッシュ構造を有するオ
ーミック・コンタクト層と、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層上に配置さ
れる透明導電性酸化物層と、前記透明導電性酸化物層の一部分に配置される前面電極
とからなることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】請求項１に記載の発光ダイオードにお
いて、前記第１導電型閉込め層がｎ型アルミニウム・インジウ
ム・ガリウム燐化物層であることを特徴とする発光ダイ
オード。
【請求項３】請求項１に記載の発光ダイオードにお
いて、前記第２導電型閉込め層がｐ型アルミニウム・インジウ
ム・ガリウム燐化物層であることを特徴とする発光ダイ
オード。
【請求項４】請求項１に記載の発光ダイオードにお
いて、前記活性層の原料は量子井戸構造を有する無ドープのア
ルミニウム・インジウム・ガリウム燐化物から選択され
ることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】請求項１に記載の発光ダイオードにお
いて、前記電流拡散層の原料は、アルミニウム・ガリウム砒化
物および燐化ガリウムで構成されるグループからなるこ
とを特徴とする発光ダイオード。
【請求項６】請求項１に記載の発光ダイオードにお
いて、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層の原料は、
砒化ガリウム、燐化ガリウム、およびガリウム砒素燐化
物から構成されるグループからなることを特徴とする発
光ダイオード。
【請求項７】請求項１に記載の発光ダイオードにお
いて、前記透明導電性酸化物層の原料は酸化インジウム、酸化
錫、およびインジウム錫酸化物から構成されるグループ
から選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項８】第１面および第２面を有する基板と、前記基板の第２面上に配置される電極と、前記基板の第１面上に配置される分散型ブラッグ反射体
と、前記分散型ブラッグ反射体上に配置される第１導電型閉
込め層と、前記第１導電型閉込め層上に配置される活性層と、前記活性層上に配置される第２導電型閉込め層と、前記第２導電型閉込め層上に配置されるメッシュ構造を
有するオーミック・コンタクト層と、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層上に配置さ
れる透明導電性酸化物層と、前記透明導電性酸化物層上に配置される前面電極とから
なることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項９】請求項８に記載の発光ダイオードにお
いて、前記第１導電型閉込め層がｎ型アルミニウム・インジウ
ム・ガリウム燐化物層であることを特徴とする発光ダイ
オード。
【請求項１０】請求項８に記載の発光ダイオードにお
いて、前記第２導電型閉込め層がｐ型アルミニウム・インジウ
ム・ガリウム燐化物層であることを特徴とする発光ダイ
オード。
【請求項１１】請求項８に記載の発光ダイオードにお
いて、前記活性層の原料は量子井戸構造を有する無ドープのア
ルミニウム・インジウム・ガリウム燐化物から選択され
ることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１２】請求項８に記載の発光ダイオードにお
いて、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層の原料は、
砒化ガリウム、燐化ガリウム、およびガリウム砒素燐化
物から構成されるグループからなることを特徴とする発
光ダイオード。
【請求項１３】請求項８に記載の発光ダイオードにお
いて、前記透明導電性酸化物層の原料は酸化インジウム、酸化
錫、およびインジウム錫酸化物から構成されるグループ
から選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１４】第１面および第２面を有する基板と、前記基板の第２面上に配置される電極と、前記基板の第１面上に配置される分散型ブラッグ反射体
と、前記分散型ブラッグ反射体上に配置される第１導電型閉
込め層と、前記第１導電型閉込め層上に配置される活性層と、前記活性層上に配置される第２導電型閉込め層と、前記第２導電型閉込め層上に配置される電流拡散層と、前記電流拡散層上に配置されるメッシュ構造を有するオ
ーミック・コンタクト層と、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層上に配置さ
れる透明導電性酸化物層と、前記透明導電性酸化物層上に配置される前面電極とから
なり、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層は、第１の
厚さ、および第１の幅を有する複数の格子線を有し、前
記格子線は第２の幅により互いに離されていることを特
徴とする発光ダイオード。
【請求項１５】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記第１導電型閉込め層がｎ型アルミニウム・インジウ
ム・ガリウム燐化物層であることを特徴とする発光ダイ
オード。
【請求項１６】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記第２導電型閉込め層がｐ型アルミニウム・インジウ
ム・ガリウム燐化物層であることを特徴とする発光ダイ
オード。
【請求項１７】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記活性層の原料は量子井戸構造を有する無ドープのア
ルミニウム・インジウム・ガリウム燐化物から選択され
ることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１８】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記電流拡散層の原料は、アルミニウム・ガリウム砒化
物および燐化ガリウムで構成されるグループから選択さ
れることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１９】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層の原料は、
砒化ガリウム、燐化ガリウム、およびガリウム砒素燐化
物から構成されるグループから選択されることを特徴と
する発光ダイオード。
【請求項２０】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記第１厚さは約６ミクロンであることを特徴とする発
光ダイオード。
【請求項２１】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記第１幅は約５ミクロンであることを特徴とする発光
ダイオード。
【請求項２２】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記第２幅は約１ミクロンであることを特徴とする発光
ダイオード。
【請求項２３】請求項１４に記載の発光ダイオードに
おいて、前記透明導電性酸化物層の原料は酸化インジウム、酸化
錫、およびインジウム錫酸化物から構成されるグループ
から選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２４】複数の格子穴を有するメッシュ構造の
オーミック・コンタクト層と、前記メッシュ構造オーミック・コンタクト層上に配置さ
れる透明導電性酸化物層とからなることを特徴とする発
光ダイオードのメッシュ構造透明導電層。