KR100802424B1 - 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드의 조립방법 - Google Patents
반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드의 조립방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100802424B1 KR100802424B1 KR1020050068728A KR20050068728A KR100802424B1 KR 100802424 B1 KR100802424 B1 KR 100802424B1 KR 1020050068728 A KR1020050068728 A KR 1020050068728A KR 20050068728 A KR20050068728 A KR 20050068728A KR 100802424 B1 KR100802424 B1 KR 100802424B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- doped
- layer
- carbon
- substrate
- metal layer
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (26)
- 발광 다이오드 구조물 조립방법으로서:(a) 광발생 구조물, 비-합금 옴 접촉층 및 제 1기판의 측면 상에서 저부로부터 정부까지 연결되는 제 1금속층을 순차적으로 형성함으로써 제 1층 구조물을 제공하는 단계;(b) 제 2기판을 포함하는 제 2층 구조물을 제공하는 단계; 및(c) 상기 제 2층 구조물의 상측부를 상기 제 1층 구조물의 상측부에 웨이퍼-결합시키는 단계로 이루어진 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(c)단계 후에 상기 제 1기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(a)단계 후에 그리고 상기(c)단계 이전에 상기 제 1기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 단계(a)중에 상기 제 1기판의 상기 측면상에 상기 비-합금 옴 접촉층 및 상기 광발생 구조물을 형성하는 것은 동일한 성장 공정에서 실시되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 비-합금 옴 접촉층의 형성은, 성장 공정 중에 상기 광발생 구조물이 상기 제 1기판의 상기 측면상에 형성된 후에, 별도의 증착 공정에서 실시되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1금속층은 순수 금속 및 금속 질화물 중 하나로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1금속층은 Au, Al, Ag, TiNX 및 ZrNX로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(a)단계는, 상기 제 1금속층의 형성 전에, 상기 비-합금 옴 접촉층의 정부 상에 광학적으로 투명하고 전기적 전도성을 갖는 유전체 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 유전체 층은 투명한 전도성 산화물로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 유전체 층은 ITO, IZO, SnO, 안티몬-도핑된 SnO, 불소-도핑된 SnO, 인-도핑된 SnO, ZnO, 알루미늄-도핑된 ZnO, InO, CdO, CTO, CuAlO, CuCaO 및 SrCuO로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(a)단계는, 상기 제 1금속층의 형성 후에, 상기 제 1금속층의 정부에 제 2금속층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제 2금속층은 결합제로서 작용하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 2금속층은 순수 금속 및 합금 중 하나로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기(a)단계는, 상기 제 2금속층의 형성에 앞서서, 상기 제 1금속층의 정부에 제 2유전체 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 2유전체 층은 이하의 3가지 타입의 재료 즉, 투명한 전도성 산화물, 금속 질화물 및 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 제 2유전체 층은 ITO, IZO, SnO, 안티몬-도핑된 SnO, 불소-도핑된 SnO, 인-도핑된 SnO, ZnO, 알루미늄-도핑된 ZnO, InO, CdO, CTO, CuAlO, CuCaO, SrCuO, TiNx, ZrNx, SiNx 및 SiOx 으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(b)단계는 상기 제 2층 구조물의 상측부상에 적어도 제 3금속층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제 3금속층은 결합제로서 작용하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제 3금속층은 순수 금속 및 합금 중 하나로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(b)단계는, 상기 제 2기판이 제공된 직후에, 상기 제 2기판의 상측부상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 절연층은 SiNx 및 SiOx 중 하나로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1기판은 전기 전도성 기판인 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 20 항에 있어서, 상기 제 1기판은 도핑된 Ge, 도핑된 Si, 도핑된 GaAs, 도핑된 GaP, 도핑된 InP, 도핑된 InAs, 도핑된 GaN, 도핑된 AlGaAs, 도핑된 SiC, 도핑된 GaAsP, Mo, Cu 및 Al으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판은 전기적으로 비전도성 기판인 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 22 항에 있어서, 상기 기판은 Ge, Si, GaAs, GaP, InP, InAs, GaN, AlN, AlGaAs, SiC, GaAsP, 사파이어, 유리, 석영 및 세라믹으로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조된 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 비-합금 옴 접촉층은 도핑된 반도체층인 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 비-합금 옴 접촉층은 탄소-도핑된 AlAs, 탄소-도핑된 GaP, 탄소-도핑된 AlP, 탄소-도핑된 AlGaAs, 탄소-도핑된 InAlAs, 탄소-도핑된 InGaP, 탄소-도핑된 InAlP, 탄소-도핑된 AlGaP, 탄소-도핑된 GaAsP, 탄소-도핑된 AlAsP, 탄소-도핑된 AlGaInP, 탄소-도핑된 AlGaInAs, 탄소-도핑된 InGaAsP, 탄소-도핑된 AlGaAsP, 탄소-도핑된 AlInAsP, 탄소-도핑된 InGaAlAsP, Mg-도핑된 AlAs, Mg-도핑된 GaP, Mg-도핑된 AlP, Mg-도핑된 AlGaAs, Mg-도핑된 InAlAs, Mg-도핑된 InGaP, Mg-도핑된 InAlP, Mg-도핑된 AlGaP, Mg-도핑된 GaAsP, Mg-도핑된 AlAsP, Mg-도핑된 AlGaInP, Mg-도핑된 AlGaInAs, Mg-도핑된 InGaAsP, Mg-도핑된 AlGaAsP, Mg-도핑된 AlInAsP, Mg-도핑된 InGaAlAsP, Zn-도핑된 AlAs, Zn-도핑된 GaP, Zn-도핑된 AlP, Zn-도핑된 AlGaAs, Zn-도핑된 InAlAs, Zn-도핑된 InGaP, Zn-도핑된 InAlP, Zn-도핑된 AlGaP, Zn-도핑된 GaAsP, Zn-도핑된 AlAsP, Zn-도핑된 AlGaInP, Zn-도핑된 AlGaInAs, Zn-도핑된 InGaAsP, Zn-도핑된 AlGaAsP, Zn-도핑된 AlInAsP, Zn-도핑된 InGaAlAsP, 탄소-도핑된 InP, 탄소-도핑된 InAs, 탄소-도핑된 GaAs, 탄소-도핑된 InAsP, Mg-도핑된 InP, Mg-도핑된 InAs, Mg-도핑된 GaAs, Mg-도핑된 InAsP, 탄소-도핑된 InP, Zn-도핑된 InAs, Zn-도핑된 GaAs 및 Zn-도핑된 InAsP로 이루어진 군에서 선택된 1종으로 제조되는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
- 제 1항에 있어서, 상기(a)단계는, 상기 비-합금 옴 접촉층을 형성한 후에, 상기 비-합금 옴 접촉층의 정부 표면을 따라 다수의 리세스를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 구조물 조립방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050068728A KR100802424B1 (ko) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드의 조립방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050068728A KR100802424B1 (ko) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드의 조립방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070014264A KR20070014264A (ko) | 2007-02-01 |
KR100802424B1 true KR100802424B1 (ko) | 2008-02-13 |
Family
ID=38080057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050068728A KR100802424B1 (ko) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드의 조립방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100802424B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217450A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2002329889A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-15 | Epitech Technology Corp | 発光ダイオード |
-
2005
- 2005-07-28 KR KR1020050068728A patent/KR100802424B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217450A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2002329889A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-15 | Epitech Technology Corp | 発光ダイオード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070014264A (ko) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7384808B2 (en) | Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer | |
US7335924B2 (en) | High-brightness light emitting diode having reflective layer | |
CN107546303B (zh) | 一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | |
US6998642B2 (en) | Series connection of two light emitting diodes through semiconductor manufacture process | |
KR101017394B1 (ko) | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
US6797987B2 (en) | High efficiency light emitting diode and method of making the same | |
US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
KR102450150B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
US8791480B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US8022430B2 (en) | Nitride-based compound semiconductor light-emitting device | |
CN101276863A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
KR20100035846A (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
CN103797591A (zh) | 制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件 | |
CN101226973B (zh) | 高效率发光二极管及其制造方法 | |
CN101488539B (zh) | 发光元件 | |
KR100946441B1 (ko) | 수직 전극구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20080064746A (ko) | 발광 다이오드 장치 제조 방법 | |
TW201505211A (zh) | 發光元件 | |
KR101154511B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20210135426A (ko) | 발광소자 | |
KR101805301B1 (ko) | 광추출효율 향상을 위한 p-형 오믹 접합 전극 패턴을 구비한 자외선 발광 다이오드 소자 | |
CN101626000B (zh) | 金属阵列基板、光电元件和发光元件及其制造方法 | |
KR100800071B1 (ko) | 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드 | |
KR100802424B1 (ko) | 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드의 조립방법 | |
CN101345275B (zh) | 发光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130107 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140124 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180103 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200103 Year of fee payment: 13 |