JP2002323304A - 分光エリプソメータ - Google Patents
分光エリプソメータInfo
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- JP2002323304A JP2002323304A JP2001127495A JP2001127495A JP2002323304A JP 2002323304 A JP2002323304 A JP 2002323304A JP 2001127495 A JP2001127495 A JP 2001127495A JP 2001127495 A JP2001127495 A JP 2001127495A JP 2002323304 A JP2002323304 A JP 2002323304A
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- optical system
- light
- sample
- spectroscopic ellipsometer
- sample surface
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微小な領域の測定を高精度に行うことができ
る分光エリプソメータを提供すること。 【解決手段】 試料１の表面１ａに偏光光８を照明する
照明光学系３と、試料表面１ａで反射した楕円偏光８の
偏光変化量に基づいて試料表面１ａに関するデータを出
力する検出光学系９とを備えた分光エリプソメータにお
いて、前記照明光学系３におけるＦ数を試料表面１ａに
おけるビームスポット径が得られる程度の大きさに設定
するとともに、前記検出光学系９のＦ数を前記照明光学
系３におけるＦ数よりも大きく設定した。
る分光エリプソメータを提供すること。 【解決手段】 試料１の表面１ａに偏光光８を照明する
照明光学系３と、試料表面１ａで反射した楕円偏光８の
偏光変化量に基づいて試料表面１ａに関するデータを出
力する検出光学系９とを備えた分光エリプソメータにお
いて、前記照明光学系３におけるＦ数を試料表面１ａに
おけるビームスポット径が得られる程度の大きさに設定
するとともに、前記検出光学系９のＦ数を前記照明光学
系３におけるＦ数よりも大きく設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
ェハやレティクル／マスク、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）のガラス基板などの試料表面の薄膜の厚みなどを測
定するための分光エリプソメータに関する。
ェハやレティクル／マスク、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）のガラス基板などの試料表面の薄膜の厚みなどを測
定するための分光エリプソメータに関する。
【０００２】分光エリプソメータは、物質の表面で光が
反射する際の偏光状態の変化を観測して、その物質の光
学定数（屈折率、消衰係数）を、また、物質の表面に薄
膜層が存在する場合は、その膜厚や光学定数を測定する
ものである。
反射する際の偏光状態の変化を観測して、その物質の光
学定数（屈折率、消衰係数）を、また、物質の表面に薄
膜層が存在する場合は、その膜厚や光学定数を測定する
ものである。
【０００３】
【発明の背景】従来の分光エリプソメータにおいては、
照明光学系および検出光学系におけるＦ数を互いに等し
くしていたため、試料表面に入射する照明光の角度分布
が広くなっていた。分光エリプソメータでは、照明光の
入射角度と、照明光および反射光の偏光特性などに基づ
いて目的とする値を演算によって求めるので、照明光の
入射角度分布が大きくなると、高精度の測定が困難にな
る。これに対して、照明光の入射角度を一定に保とうと
すると、試料表面をより大きく照明してしまい、微小面
積のみを測定するといった要求に応えることができな
い。
照明光学系および検出光学系におけるＦ数を互いに等し
くしていたため、試料表面に入射する照明光の角度分布
が広くなっていた。分光エリプソメータでは、照明光の
入射角度と、照明光および反射光の偏光特性などに基づ
いて目的とする値を演算によって求めるので、照明光の
入射角度分布が大きくなると、高精度の測定が困難にな
る。これに対して、照明光の入射角度を一定に保とうと
すると、試料表面をより大きく照明してしまい、微小面
積のみを測定するといった要求に応えることができな
い。
【０００４】ところで、分光エリプソメータにおいて
は、試料表面に対する照明光の入射角度や、波長や偏光
状態などを制御し、各状態における試料表面における反
射光の偏光特性や各偏光成分ごとの反射率とから、試料
の厚みや屈折率（誘電率）などが演算によって推定され
る。このため、照明光の入射角度は、測定上重要な制御
要素であり、照明光が平行光であることが最も理想的で
ある。
は、試料表面に対する照明光の入射角度や、波長や偏光
状態などを制御し、各状態における試料表面における反
射光の偏光特性や各偏光成分ごとの反射率とから、試料
の厚みや屈折率（誘電率）などが演算によって推定され
る。このため、照明光の入射角度は、測定上重要な制御
要素であり、照明光が平行光であることが最も理想的で
ある。
【０００５】しかしながら、実際には、試料表面におけ
る微小な領域のみを測定するといった目的も多く、この
場合、照明光に一定の大きさの立体角を持たせて、照明
光の試料表面上におけるスポット径を制御するのが一般
的である。
る微小な領域のみを測定するといった目的も多く、この
場合、照明光に一定の大きさの立体角を持たせて、照明
光の試料表面上におけるスポット径を制御するのが一般
的である。
【０００６】そして、光学系を用いて、光を一点に集め
ようとするとき、得られるビームスポット径ｄは、一般
的に、下記の式（１）で表される。 ｄ＝Ａ・λ・Ｆno. ………（１） ここに、Ａ；定数、λ；波長、Ｆno. ；Ｆ数であり、Ｆ
数は、光学系の入射ひとみ径をＤ、焦点距離をｆとする
るとき、ｆ／Ｄで与えられる量のことである。
ようとするとき、得られるビームスポット径ｄは、一般
的に、下記の式（１）で表される。 ｄ＝Ａ・λ・Ｆno. ………（１） ここに、Ａ；定数、λ；波長、Ｆno. ；Ｆ数であり、Ｆ
数は、光学系の入射ひとみ径をＤ、焦点距離をｆとする
るとき、ｆ／Ｄで与えられる量のことである。
【０００７】上記式（１）から分かるように、ビームス
ポット径ｄをより小さくするには、Ｆ数を小さくするこ
とが必要である。このとき、ビームの傾きは、Ｆ数の大
きさに応じた傾きを持つことになる。このように、ビー
ムスポット径ｄを小さくすると、照明光の傾き分布が大
きくなるが、これらを一度に検出器に導いて信号検出を
行う場合、照明光の傾きには分布がないほうが測定精度
が上がる。
ポット径ｄをより小さくするには、Ｆ数を小さくするこ
とが必要である。このとき、ビームの傾きは、Ｆ数の大
きさに応じた傾きを持つことになる。このように、ビー
ムスポット径ｄを小さくすると、照明光の傾き分布が大
きくなるが、これらを一度に検出器に導いて信号検出を
行う場合、照明光の傾きには分布がないほうが測定精度
が上がる。
【０００８】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、微小な領域の測定を高精度に行
うことができる分光エリプソメータを提供することであ
る。
たもので、その目的は、微小な領域の測定を高精度に行
うことができる分光エリプソメータを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、試料の表面に偏光光を照明する照明
光学系と、試料表面で反射した楕円偏光の偏光変化量に
基づいて試料表面に関するデータを出力する検出光学系
とを備えた分光エリプソメータにおいて、前記照明光学
系におけるＦ数を試料表面におけるビームスポット径が
得られる程度の大きさに設定するとともに、前記検出光
学系のＦ数を前記照明光学系におけるＦ数よりも大きく
設定している。
め、この発明では、試料の表面に偏光光を照明する照明
光学系と、試料表面で反射した楕円偏光の偏光変化量に
基づいて試料表面に関するデータを出力する検出光学系
とを備えた分光エリプソメータにおいて、前記照明光学
系におけるＦ数を試料表面におけるビームスポット径が
得られる程度の大きさに設定するとともに、前記検出光
学系のＦ数を前記照明光学系におけるＦ数よりも大きく
設定している。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を、図を参
照しながら説明する。図１は、この発明の第１の実施の
形態に係る分光エリプソメータの構成を概略的に示す。
この図において、１は試料（例えばウェハ）で、試料ス
テージ２上に水平に保持されている。この試料ステージ
２は、試料１を真空吸着などの手段で吸着し、これを水
平な状態に保持するとともに、ステージ保持機構（図示
していない）によって、３つの互いに直交するＸ方向
（紙面の左右方向）、Ｙ方向（紙面に垂直な方向）、Ｚ
方向に（紙面に平行な上下方向）にそれぞれ直線的に移
動するように構成されている。
照しながら説明する。図１は、この発明の第１の実施の
形態に係る分光エリプソメータの構成を概略的に示す。
この図において、１は試料（例えばウェハ）で、試料ス
テージ２上に水平に保持されている。この試料ステージ
２は、試料１を真空吸着などの手段で吸着し、これを水
平な状態に保持するとともに、ステージ保持機構（図示
していない）によって、３つの互いに直交するＸ方向
（紙面の左右方向）、Ｙ方向（紙面に垂直な方向）、Ｚ
方向に（紙面に平行な上下方向）にそれぞれ直線的に移
動するように構成されている。
【００１１】そして、３は試料ステージ２の上方の一方
の側に設けられる照明光学系で、光源部４、反射鏡５，
６、偏光子７などよりなる。光源部４は、例えば１９０
〜８３０ｎｍの広い波長領域の光を発する例えばキセノ
ンランプからなる白色光源と、この白色光源から発せら
れる光（照射光）８を適宜の径に絞るスリットを備えて
いる。光源部４に近い反射鏡５は、例えば凹面鏡よりな
り、その焦点位置に光源部４が位置するように設けら
れ、この反射鏡５から他の反射鏡６に向かう照射光８は
適宜径の平行光となっている。反射鏡６は、例えば凹面
鏡よりなり、反射鏡５からの平行光８Ｐを受けて、これ
を偏光子７を経て試料表面１ａの所定の位置に所定のビ
ームスポット径となるように収斂させるものである。偏
光子７は、反射鏡６からの照射光８を所定の方向に直線
偏光するものである。
の側に設けられる照明光学系で、光源部４、反射鏡５，
６、偏光子７などよりなる。光源部４は、例えば１９０
〜８３０ｎｍの広い波長領域の光を発する例えばキセノ
ンランプからなる白色光源と、この白色光源から発せら
れる光（照射光）８を適宜の径に絞るスリットを備えて
いる。光源部４に近い反射鏡５は、例えば凹面鏡よりな
り、その焦点位置に光源部４が位置するように設けら
れ、この反射鏡５から他の反射鏡６に向かう照射光８は
適宜径の平行光となっている。反射鏡６は、例えば凹面
鏡よりなり、反射鏡５からの平行光８Ｐを受けて、これ
を偏光子７を経て試料表面１ａの所定の位置に所定のビ
ームスポット径となるように収斂させるものである。偏
光子７は、反射鏡６からの照射光８を所定の方向に直線
偏光するものである。
【００１２】そして、前記照明光学系３のＦ数（以下、
Ｆno.Sで表す）は、前記平行光８Ｐの直径をＤS とし、
反射鏡６の焦点距離をｆS とするとき、 Ｆno.S＝ｆS ／ＤS ………（２） で表されるが、このＦno.Sの大きさは、試料表面１ａに
おいて目的とするビームスポット径が得られるように十
分小さく設定する。
Ｆno.Sで表す）は、前記平行光８Ｐの直径をＤS とし、
反射鏡６の焦点距離をｆS とするとき、 Ｆno.S＝ｆS ／ＤS ………（２） で表されるが、このＦno.Sの大きさは、試料表面１ａに
おいて目的とするビームスポット径が得られるように十
分小さく設定する。
【００１３】また、９は試料ステージ１の上方の他方の
側に設けられる検出光学系で、試料表面１ａに直線偏光
８を照明したときに試料表面１ａで反射した楕円偏光１
０の偏光変化量を例えば分光器１１に出力するもので、
検光子１２、反射鏡１３，１４およびマスク部材１５な
どよりなる。検光子１２に近い反射鏡１３は、例えば凹
面鏡よりなり、その焦点位置に試料表面１ａが位置する
ように設けられ、マスク部材１５のアパーチャ（開口）
１５ｃを通過した楕円偏光１０を平行光１０Ｐにして他
の反射鏡１４に反射する。反射鏡１４は、例えば凹面鏡
よりなり、反射鏡１３からの平行光１０Ｐを分光器１１
に出力する。そして、マスク部材１５は、前記楕円偏光
１０の光軸中心部の光１０Ａのみを通過させる光マスク
機能を有するもので、例えば、板部材１５ａに開閉自在
の絞り部材１５ｂを設けたものよりなり、図中に拡大し
て示すように、平面視が例えば多角形形状の開口１５ｃ
の開口度合いを適宜調整できるように構成されている。
側に設けられる検出光学系で、試料表面１ａに直線偏光
８を照明したときに試料表面１ａで反射した楕円偏光１
０の偏光変化量を例えば分光器１１に出力するもので、
検光子１２、反射鏡１３，１４およびマスク部材１５な
どよりなる。検光子１２に近い反射鏡１３は、例えば凹
面鏡よりなり、その焦点位置に試料表面１ａが位置する
ように設けられ、マスク部材１５のアパーチャ（開口）
１５ｃを通過した楕円偏光１０を平行光１０Ｐにして他
の反射鏡１４に反射する。反射鏡１４は、例えば凹面鏡
よりなり、反射鏡１３からの平行光１０Ｐを分光器１１
に出力する。そして、マスク部材１５は、前記楕円偏光
１０の光軸中心部の光１０Ａのみを通過させる光マスク
機能を有するもので、例えば、板部材１５ａに開閉自在
の絞り部材１５ｂを設けたものよりなり、図中に拡大し
て示すように、平面視が例えば多角形形状の開口１５ｃ
の開口度合いを適宜調整できるように構成されている。
【００１４】そして、前記検出光学系９のＦ数（以下、
Ｆno.Kで表す）は、前記平行光１０Ｐの直径をＤK と
し、反射鏡１４の焦点距離をｆK とするとき、 Ｆno.K＝ｆK ／ＤK ………（３） で表されるが、このＦno.Kと前記照明光学系３のＦno.S
との間に、 Ｆno.S＜Ｆno.K ………（４） なる関係が成り立つようにする。
Ｆno.Kで表す）は、前記平行光１０Ｐの直径をＤK と
し、反射鏡１４の焦点距離をｆK とするとき、 Ｆno.K＝ｆK ／ＤK ………（３） で表されるが、このＦno.Kと前記照明光学系３のＦno.S
との間に、 Ｆno.S＜Ｆno.K ………（４） なる関係が成り立つようにする。
【００１５】さらに、前記検出光学系９においては、前
記マスク部材１５を設けたことにより、目的とする反射
角度を中心とする一部の立体角の光１０Ａのみを分光器
１１に導くようにしている。このマスク部材１５におけ
る開口１５ｃの広がりがより狭い角度（立体角）範囲の
みの光１０Ａを通過させるようにすれば、得られる反射
光は、より狭い角度範囲のもののみとなり、図から明ら
かなように、符号１０Ｂで示す部分、すなわち、実線と
仮想線部分で囲まれる部分の光１０Ｂが著しく無駄にな
る。そこで、分光器１１側へ導く反射光１０の立体角
を、反射光量や分光器１１の分光感度分布を考慮し、前
記マスク部材１５における開口１５ｃを開度調節して、
最適の値になるようにする。
記マスク部材１５を設けたことにより、目的とする反射
角度を中心とする一部の立体角の光１０Ａのみを分光器
１１に導くようにしている。このマスク部材１５におけ
る開口１５ｃの広がりがより狭い角度（立体角）範囲の
みの光１０Ａを通過させるようにすれば、得られる反射
光は、より狭い角度範囲のもののみとなり、図から明ら
かなように、符号１０Ｂで示す部分、すなわち、実線と
仮想線部分で囲まれる部分の光１０Ｂが著しく無駄にな
る。そこで、分光器１１側へ導く反射光１０の立体角
を、反射光量や分光器１１の分光感度分布を考慮し、前
記マスク部材１５における開口１５ｃを開度調節して、
最適の値になるようにする。
【００１６】上記構成の分光エリプソメータにおいて
は、照明光学系３による照明面積を小さくすることによ
り、試料表面１ａにおける測定面積を小さくしながら、
試料表面１ａからの反射光１０を小さな立体角で取り出
すことができるので、測定精度を低下させることなく、
微小面積のみを高精度に測定することができる。
は、照明光学系３による照明面積を小さくすることによ
り、試料表面１ａにおける測定面積を小さくしながら、
試料表面１ａからの反射光１０を小さな立体角で取り出
すことができるので、測定精度を低下させることなく、
微小面積のみを高精度に測定することができる。
【００１７】なお、前記第１の実施の形態において、検
出光学系９に設けられるマスク部材１５は、図示例の位
置に限られるものではなく、分光器１１に至る光路内の
適宜位置に設けてあってもよい。
出光学系９に設けられるマスク部材１５は、図示例の位
置に限られるものではなく、分光器１１に至る光路内の
適宜位置に設けてあってもよい。
【００１８】また、照明光学系３に、図１における紙面
垂直方向（Ｙ方向）の位置によって、紙面平行方向（Ｘ
方向）の傾きに影響を及ぼす収差（例えば球面収差）が
十分小さい場合には、マスク部材１５における開口１５
ｃの形状を、前記Ｙ方向に直線的に延びるスリット状に
形成してもよい。このようにすることにより、反射光量
を無駄にすることが少なくなり、光量を有効に利用する
ことができる。
垂直方向（Ｙ方向）の位置によって、紙面平行方向（Ｘ
方向）の傾きに影響を及ぼす収差（例えば球面収差）が
十分小さい場合には、マスク部材１５における開口１５
ｃの形状を、前記Ｙ方向に直線的に延びるスリット状に
形成してもよい。このようにすることにより、反射光量
を無駄にすることが少なくなり、光量を有効に利用する
ことができる。
【００１９】図２は、この発明の第２の実施の形態を示
し、この実施の形態においては、検出光学系９にマスク
部材１５を設けるのを省略し、反射鏡１３に光マスク機
能をも持たせるようにしている。
し、この実施の形態においては、検出光学系９にマスク
部材１５を設けるのを省略し、反射鏡１３に光マスク機
能をも持たせるようにしている。
【００２０】図３は、この発明の第３の実施の形態を示
し、この実施の形態では、反射鏡６と偏光子７との間
に、例えば凹面鏡からなる反射鏡１６を設け、照明光学
系３のＦno.Sを大きくして、試料表面１ａに対する照明
光８を可及的に平行光に近い光とする一方、検出光学系
９の例えば分光器１１に、前記マスク部材１５と同様構
成のマスク部材１７を設けている。
し、この実施の形態では、反射鏡６と偏光子７との間
に、例えば凹面鏡からなる反射鏡１６を設け、照明光学
系３のＦno.Sを大きくして、試料表面１ａに対する照明
光８を可及的に平行光に近い光とする一方、検出光学系
９の例えば分光器１１に、前記マスク部材１５と同様構
成のマスク部材１７を設けている。
【００２１】上記第２および第３の実施の形態における
照明光学系３および検出光学系９のＦ数の関係は、前記
第１の実施の形態におけるそれと同じであることはいう
までもない。また、これらの実施の形態における作用効
果は、第１の実施の形態におけるそれと同じである。
照明光学系３および検出光学系９のＦ数の関係は、前記
第１の実施の形態におけるそれと同じであることはいう
までもない。また、これらの実施の形態における作用効
果は、第１の実施の形態におけるそれと同じである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、試
料の表面に偏光光を照明する照明光学系と、試料表面で
反射した楕円偏光の偏光変化量に基づいて試料表面に関
するデータを出力する検出光学系とを備えた分光エリプ
ソメータにおいて、前記照明光学系におけるＦ数を試料
表面におけるビームスポット径が得られる程度の大きさ
に設定するとともに、前記検出光学系のＦ数を前記照明
光学系におけるＦ数よりも大きく設定しているので、測
定精度を低下させることなく、微小面積のみを高精度に
測定することができる。したがって、より微細化、微小
化が進む半導体ウェハやレティクル／マスクなど各種の
試料における微小部分の測定をより高精度かつ確実に測
定することができる。
料の表面に偏光光を照明する照明光学系と、試料表面で
反射した楕円偏光の偏光変化量に基づいて試料表面に関
するデータを出力する検出光学系とを備えた分光エリプ
ソメータにおいて、前記照明光学系におけるＦ数を試料
表面におけるビームスポット径が得られる程度の大きさ
に設定するとともに、前記検出光学系のＦ数を前記照明
光学系におけるＦ数よりも大きく設定しているので、測
定精度を低下させることなく、微小面積のみを高精度に
測定することができる。したがって、より微細化、微小
化が進む半導体ウェハやレティクル／マスクなど各種の
試料における微小部分の測定をより高精度かつ確実に測
定することができる。
【図１】第１の実施の形態に係る分光エリプソメータの
構成を概略的に示す図である。
構成を概略的に示す図である。
【図２】第２の実施の形態に係る分光エリプソメータの
構成を概略的に示す図である。
構成を概略的に示す図である。
【図３】第３の実施の形態に係る分光エリプソメータの
構成を概略的に示す図である。
構成を概略的に示す図である。
１…試料、１ａ…試料表面、３…照明光学系、８…偏光
光、９…検出光学系、１０…楕円偏光。
光、９…検出光学系、１０…楕円偏光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA30 CC20 CC25 CC31 DD03 FF50 GG03 GG24 HH04 HH09 HH12 JJ08 LL19 LL30 LL33 MM03 NN03 PP12 UU07 2G020 AA03 AA04 AA05 BA18 CA15 CB04 CB32 CB42 CB43 CC01 CC29 CD15 2G059 AA02 BB08 BB16 DD13 EE02 EE05 EE11 FF06 GG10 HH01 HH02 HH03 HH06 JJ01 JJ14 JJ19 JJ30 KK01 LL02 MM01
Claims (1)
- 【請求項１】 試料の表面に偏光光を照明する照明光学
系と、試料表面で反射した楕円偏光の偏光変化量に基づ
いて試料表面に関するデータを出力する検出光学系とを
備えた分光エリプソメータにおいて、前記照明光学系に
おけるＦ数を試料表面におけるビームスポット径が得ら
れる程度の大きさに設定するとともに、前記検出光学系
のＦ数を前記照明光学系におけるＦ数よりも大きく設定
したことを特徴とする分光エリプソメータ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001127495A JP4399126B2 (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 分光エリプソメータ |
| DE60217989T DE60217989T8 (de) | 2001-04-25 | 2002-04-16 | Verwendung eines spektroskopischen Ellipsometers |
| EP02008579A EP1253418B1 (en) | 2001-04-25 | 2002-04-16 | Use of a spectroscopic ellipsometer |
| US10/128,379 US6943880B2 (en) | 2001-04-25 | 2002-04-23 | Spectroscopic ellipsometer with adjustable detection area |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001127495A JP4399126B2 (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 分光エリプソメータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002323304A true JP2002323304A (ja) | 2002-11-08 |
| JP4399126B2 JP4399126B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=18976353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001127495A Expired - Fee Related JP4399126B2 (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 分光エリプソメータ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6943880B2 (ja) |
| EP (1) | EP1253418B1 (ja) |
| JP (1) | JP4399126B2 (ja) |
| DE (1) | DE60217989T8 (ja) |
Cited By (5)
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