JP2002319831A - Differential voltage/current conversion circuit - Google Patents

Differential voltage/current conversion circuit

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JP2002319831A
JP2002319831A JP2001126059A JP2001126059A JP2002319831A JP 2002319831 A JP2002319831 A JP 2002319831A JP 2001126059 A JP2001126059 A JP 2001126059A JP 2001126059 A JP2001126059 A JP 2001126059A JP 2002319831 A JP2002319831 A JP 2002319831A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a differential voltage/current conversion circuit incorporating a 1st stage amplifier so as to realize low distortion of the entire amplifier while decreasing a negative feedback to the entire amplifier. SOLUTION: The differential voltage/current conversion circuit adopts a characteristic configuration such that the circuit comprises a positive dual FETs 10 consisting of two FETs (FET QA1, FET QA2) whose characteristics are the same and a negative dual FETs 20 consisting of two FETs (FET QB1, FET QB2) whose characteristics are the same. Connecting gates of the FET QA1 and FET QB1 form an input A terminal and connecting gates of the FET QA2 and FET QB2 form an input B terminal. The FET QA1 and the FET QB2 are connected in series via a variable resistor VR1, and the FET QA2 and the FET QB1 are connected in series via a variable resistor VR2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、増幅器の初段回路
として用いられる差動電圧/電流変換回路に関するもの
であり、特に、負帰還率を全体的に低くしたトータル低
NFBアンプなどの初段回路に好適であり、オーディオ
のプリアンプに好適な差動電圧/電流変換回路に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential voltage / current conversion circuit used as a first stage circuit of an amplifier, and more particularly to a first stage circuit such as a total low NFB amplifier having a low negative feedback ratio as a whole. The present invention relates to a differential voltage / current conversion circuit that is suitable and is suitable for an audio preamplifier.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、オーディオのアンプにおいては、
2段目に、電圧増幅器を構成する回路として、一般的に
コンプリメンタリー・プッシュプル回路が用いられてい
る。コンプリメンタリー・プッシュプル回路は、プラス
・マイナスのドライブインピーダンスが等しい点、偶数
次歪みを打ち消す点で優位な回路である。
2. Description of the Related Art Conventionally, in audio amplifiers,
In the second stage, a complementary push-pull circuit is generally used as a circuit constituting the voltage amplifier. The complementary push-pull circuit is superior in that the plus and minus drive impedances are equal and that even-order distortion is canceled.

【0003】コンプリメンタリー・プッシュプル回路を
駆動させる回路、即ち従来のオーディオのアンプの初段
回路としては、一般的に差動型の電圧/電流変換回路が
用いられる。差動回路は、2つの入力信号の差に比例し
た値を出力する回路であり、飽和しにくいこと、ドリフ
トを少なくできること、温度及び電源変動の影響を受け
にくいこと、同相雑音の除去ができること、などの特徴
がある。
As a circuit for driving a complementary push-pull circuit, that is, a first stage circuit of a conventional audio amplifier, a differential type voltage / current conversion circuit is generally used. A differential circuit is a circuit that outputs a value proportional to the difference between two input signals.It is difficult to saturate, can reduce drift, is not easily affected by temperature and power supply fluctuation, and can remove common-mode noise. There are such features.

【0004】図8は、従来の差動電圧/電流変換回路の
一例を示す回路図である。この従来の差動型電圧電流変
換回路は、2つの入力端子である入力A,入力Bと、プ
ラス・マイナス2組の4つの出力端子である出力1,出
力2,出力3,出力4とを備えている。そして、その出
力端子で直接コンプリメンタリー・プッシュプル回路を
ドライブする。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of a conventional differential voltage / current conversion circuit. This conventional differential voltage-current converter circuit has two input terminals, input A and input B, and two pairs of four output terminals, output 1, output 2, output 3, and output 4. Have. Then, the complementary push-pull circuit is directly driven by the output terminal.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図8に
示すような従来の差動回路では、次段のバイアスとなる
直流電流出力が定電流回路71,72の精度でほぼ決定
されるが、定電流回路71,72がそれぞれ別固体回路
なので温度変化に対するドリフト量が相互に異なり、定
電流回路71,72の精度を上げて均一にすることが容
易ではない。
However, in the conventional differential circuit as shown in FIG. 8, the DC current output as the next-stage bias is almost determined by the accuracy of the constant current circuits 71 and 72. Since the current circuits 71 and 72 are separate solid-state circuits, the drift amounts with respect to temperature changes are different from each other, and it is not easy to increase the accuracy of the constant current circuits 71 and 72 to make them uniform.

【0006】また、差動ゲインについても、プラス側デ
ュアルFET10のgmと、マイナス側デュアルFET
20のgmとがそろっていない場合には、ゲインの対称
性及び相似性を高度に調整することが困難となる。すな
わち、従来の差動型電圧電流変換回路では、プラス側の
出力(出力1、出力2)とマイナス側の出力(出力3、
出力4)とのゲインのずれ、及び同一性について調整す
ることが困難であった。
[0006] Also, regarding the differential gain, the gm of the plus side dual FET 10 and the minus side dual FET
If gm of 20 is not uniform, it is difficult to adjust the symmetry and similarity of gain to a high degree. That is, in the conventional differential voltage-to-current conversion circuit, the plus side output (output 1, output 2) and the minus side output (output 3, output 3,
It was difficult to adjust the deviation of the gain from the output 4) and the sameness.

【0007】これに対して従来では、1段目及び2段目
を含めたアンプ全体における負帰還率を大きくする手法
や、DCサーボを用いる手法で、総合的に増幅特性の改
善をしなければならなかった。したがって、特に高音域
の入力信号について正確に増幅する回路を作ろうとする
と、複雑な回路と多大な労力が必要となった。
On the other hand, in the prior art, a method of increasing the negative feedback ratio in the whole amplifier including the first and second stages and a method of using a DC servo must improve the amplification characteristics comprehensively. did not become. Therefore, in order to create a circuit for accurately amplifying an input signal particularly in a high frequency range, a complicated circuit and a great deal of labor are required.

【0008】そこで、従来のオーディオ用アンプでは、
総合的に増幅特性の改善をするために、回路構成が複雑
になり、且つ温度変化に対するドリフトやゲインの対称
性及び相似性を高めるための回路調整に多大の労力が必
要となるので、製造に高いコストがかかるという問題点
があった。
Therefore, in a conventional audio amplifier,
In order to comprehensively improve the amplification characteristics, the circuit configuration becomes complicated, and a great deal of labor is required for circuit adjustment to increase drift and gain symmetry and similarity with respect to temperature changes. There was a problem that high cost was required.

【0009】ここにおいて、本発明の解決すべき主要な
目的は以下の通りである。即ち、本発明の第1の目的
は、コンプリメンタリー・プッシュプル回路を直接ドラ
イブすることができ、従来のものより歪みを低減するこ
とを可能とする差動電圧/電流変換回路を提供せんとす
るものである。
The main objects to be solved by the present invention are as follows. That is, a first object of the present invention is to provide a differential voltage / current conversion circuit which can directly drive a complementary push-pull circuit and can reduce distortion compared to the conventional one. Things.

【0010】本発明の第2の目的は、アンプの初段回路
となるものであって、アンプ全体の負帰還率を低く抑え
ながら、アンプ全体について低歪み化することを可能と
する差動電圧/電流変換回路を提供せんとするものであ
る。
A second object of the present invention is to provide a first stage circuit of an amplifier, and to reduce the distortion of the entire amplifier while suppressing the negative feedback ratio of the entire amplifier low. A current conversion circuit is not provided.

【0011】本発明の第3の目的は、比較的に簡易な回
路構成で、温度ドリフト及びゲインの対称性・相似性に
ついての回路調整の手間を低減することを可能とする差
動電圧/電流変換回路を提供せんとするものである。
A third object of the present invention is to provide a differential voltage / current circuit capable of reducing the trouble of adjusting the circuit for temperature drift and gain symmetry and similarity with a relatively simple circuit configuration. No conversion circuit is provided.

【0012】本発明の他の目的は、明細書、図面、特
に、特許請求の範囲における各請求項の記載から自ずと
明らかとなろう。
Other objects of the present invention will become apparent from the description of the specification, the drawings, and particularly the description of each claim in the claims.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記課題
の解決に当たり、特性がそろえられた2つのトランジス
タであるプラス側第1トランジスタ(QA1)及びプラ
ス側第2トランジスタ(QA2)を、1つのパケージに
収容してなるプラス側デュアルトランジスタと、特性が
そろえられた2つのトランジスタであるマイナス側第1
トランジスタ(QB1)及びマイナス側第2トランジス
タ(QB2)を、1つのパケージに収容してなるマイナ
ス側デュアルトランジスタと、を有し、プラス側第1ト
ランジスタ(QA1)とマイナス側第2トランジスタ
(QB2)を第1可変抵抗(VR1)を介して縦列に接
続し、プラス側第2トランジスタ(QA2)とマイナス
側第1トランジスタ(QB1)を第2可変抵抗(VR
2)を介して縦列に接続して、差動回路を構成してなる
構成手段を講じる特徴を有する。
In order to solve the above-mentioned problems, the device of the present invention comprises two transistors, the first transistor (QA1) and the second transistor (QA2) having the same characteristics. The positive dual transistor housed in one package and the negative first transistor, two transistors with the same characteristics
A negative dual transistor in which the transistor (QB1) and the negative second transistor (QB2) are housed in one package; a positive first transistor (QA1) and a negative second transistor (QB2) Are connected in cascade via a first variable resistor (VR1), and the positive second transistor (QA2) and the negative first transistor (QB1) are connected to a second variable resistor (VR).
It is characterized in that it is connected in cascade through 2) to provide a configuration means for forming a differential circuit.

【0014】更に、具体的詳細に述べると、当該課題の
解決では、本発明が次に列挙する上位概念から下位概念
にわたる新規な特徴的構成手段又は手法を採用すること
により、上記目的を達成するように為される。
More specifically, to solve the above-mentioned problems, the present invention achieves the above object by adopting a novel characteristic configuration means or technique ranging from a superordinate concept to a subordinate concept as listed below. It is done as follows.

【0015】即ち、本発明装置の第1の特徴は、特性が
そろえられた2つのトランジスタであるプラス側第1ト
ランジスタ(QA1)及びプラス側第2トランジスタ
(QA2)を、1つのパケージに収容してなるプラス側
デュアルトランジスタと、特性がそろえられた2つのト
ランジスタであるマイナス側第1トランジスタ(QB
1)及びマイナス側第2トランジスタ(QB2)を、1
つのパケージに収容してなるマイナス側デュアルトラン
ジスタと、を有する差動電圧/電流変換回路であって、
前記プラス側第1トランジスタ(QA1)を介して流れ
る電流の略全部が前記マイナス側第2トランジスタ(Q
B2)を介して流れるように、当該プラス側第1トラン
ジスタ(QA1)と当該マイナス側第2トランジスタ
(QB2)を縦列に接続し、前記プラス側第2トランジ
スタ(QA2)を介して流れる電流の略全部が前記マイ
ナス側第1トランジスタ(QB1)を介して流れるよう
に、当該プラス側第2トランジスタ(QA2)と当該マ
イナス側第1トランジスタ(QB1)を縦列に接続し、
前記プラス側第1トランジスタ(QA1)の動作制御端
と前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)の動作制
御端を接続して入力A端子を成し、前記プラス側第2ト
ランジスタ(QA2)の動作制御端と前記マイナス側第
2トランジスタ(QB2)の動作制御端を接続して入力
B端子を成し、前記プラス側第1トランジスタ(QA
1)及び前記プラス側第2トランジスタ(QA2)の少
なくとも一方の電流流入端側にプラス側出力端子を接続
し、前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)及び前
記マイナス側第2トランジスタ(QB2)の少なくとも
一方の電流流入端側にマイナス側出力端子を接続してな
る差動電圧/電流変換回路の構成採用にある。
That is, a first feature of the device of the present invention is that two transistors having the same characteristics, that is, a plus first transistor (QA1) and a plus second transistor (QA2) are housed in one package. The positive side dual transistor and the negative side first transistor (QB
1) and the negative second transistor (QB2)
And a negative side dual transistor housed in one package.
Substantially all of the current flowing through the plus-side first transistor (QA1) is supplied to the minus-side second transistor (QA1).
B2), the plus-side first transistor (QA1) and the minus-side second transistor (QB2) are connected in cascade so as to flow through the plus-side second transistor (QA2). The plus-side second transistor (QA2) and the minus-side first transistor (QB1) are connected in cascade so that the whole flows through the minus-side first transistor (QB1),
An operation control terminal of the positive-side first transistor (QA1) is connected to an operation control terminal of the negative-side first transistor (QB1) to form an input A terminal, and an operation control of the positive-side second transistor (QA2) is performed. An input B terminal is formed by connecting an end of the positive-side first transistor (QA2) to an operation control end of the negative-side second transistor (QB2).
1) and a plus output terminal connected to at least one of the current inflow ends of the plus second transistor (QA2), and at least one of the minus first transistor (QB1) and the minus second transistor (QB2). A differential voltage / current conversion circuit having a negative output terminal connected to one of the current inflow ends is employed.

【0016】本発明装置の第2の特徴は、上記本発明装
置の第1の特徴における前記差動電圧/電流変換回路
が、前記プラス側第1トランジスタ(QA1)及び前記
マイナス側第2トランジスタ(QB2)を介して流れる
電流量を制限する第1可変抵抗(VR1)と、前記プラ
ス側第2トランジスタ(QA2)及び前記マイナス側第
1トランジスタ(QB1)を介して流れる電流量を制限
する第2可変抵抗(VR2)と、を有してなる差動電圧
/電流変換回路の構成採用にある。
According to a second feature of the device of the present invention, the differential voltage / current conversion circuit according to the first feature of the device of the present invention is characterized in that the differential voltage / current conversion circuit includes the plus first transistor (QA1) and the minus second transistor (QA1). A first variable resistor (VR1) that limits the amount of current flowing through the first transistor QB2) and a second variable resistor (VR1) that limits the amount of current flowing through the second transistor (QA2) and the first transistor (QB1). And a variable resistor (VR2).

【0017】本発明装置の第3の特徴は、上記本発明装
置の第2の特徴における前記プラス側第1トランジスタ
(QA1)及び前記プラス側第2トランジスタ(QA
2)が、それぞれ、nチャネルの接合形FETであり、
前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)及び前記マ
イナス側第2トランジスタ(QB2)は、それぞれ、p
チャネルの接合形FETであり、前記第1可変抵抗(V
R1)は、当該プラス側第1トランジスタ(QA1)の
ソース端と当該マイナス側第2トランジスタ(QB2)
のソース端の間に配置され、前記第2可変抵抗(VR
2)は、当該プラス側第2トランジスタ(QA2)のソ
ース端と当該マイナス側第1トランジスタ(QB1)の
ソース端の間に配置されてなる差動電圧/電流変換回路
の構成採用にある。
A third feature of the device of the present invention is that the plus first transistor (QA1) and the plus second transistor (QA1) in the second feature of the above device of the present invention.
2) are n-channel junction FETs, respectively.
The minus first transistor (QB1) and the minus second transistor (QB2) are respectively
Channel junction type FET, and the first variable resistor (V
R1) is the source terminal of the first transistor on the positive side (QA1) and the second transistor on the negative side (QB2).
Of the second variable resistor (VR)
2) lies in the configuration adoption of a differential voltage / current conversion circuit arranged between the source terminal of the positive second transistor (QA2) and the source terminal of the negative first transistor (QB1).

【0018】本発明装置の第4の特徴は、上記本発明装
置の第3の特徴における前記プラス側第1トランジスタ
(QA1)のドレイン端が、nチャネルの接合形FET
である第3接合形FET(Q3)がカスケード接続され
ており、当該第3接合形FET(Q3)のドレイン端に
は、前記プラス側出力端子の一つをなす出力1端子と、
第1抵抗(R1)の一端が接続されており、当該第1抵
抗(R1)の他端には、プラス側電源が接続されてお
り、前記プラス側第2トランジスタ(QA2)のドレイ
ン端には、nチャネルの接合形FETである第4接合形
FET(Q4)がカスケード接続されており、当該第4
接合形FET(Q4)のドレイン端には、前記プラス側
出力端子の一つをなす出力2端子と、第2抵抗(R2)
の一端が接続されており、当該第2抵抗(R2)の他端
には、前記プラス側電源が接続されており、当該第3接
合形FET(Q3)及び当該第4接合形FET(Q4)
のゲート端には、正の一定電圧を供給するプラス側バイ
アス回路が接続されており、前記マイナス側第1トラン
ジスタ(QB1)のドレイン端には、pチャネルの接合
形FETである第5接合形FET(Q5)がカスケード
接続されており、当該第5接合形FET(Q5)のドレ
イン端には、前記マイナス側出力端子の一つをなす出力
3端子と、第3抵抗(R3)の一端が接続されており、
当該第3抵抗(R3)の他端には、マイナス側電源が接
続されており、前記マイナス側第2トランジスタ(QB
2)のドレイン端には、pチャネルの接合形FETであ
る第6接合形FET(Q6)がカスケード接続されてお
り、当該第6接合形FET(Q6)のドレイン端には、
前記マイナス側出力端子の一つをなす出力4端子と、第
4抵抗(R4)の一端が接続されており、当該第4抵抗
(R4)の他端には、前記マイナス側電源が接続されて
おり、当該第5接合形FET(Q5)及び当該第6接合
形FET(Q6)のゲート端には、負の一定電圧を供給
するマイナス側バイアス回路が接続されてなる差動電圧
/電流変換回路の構成採用にある。
According to a fourth feature of the device of the present invention, the drain terminal of the first transistor on the positive side (QA1) in the third feature of the device of the present invention is an n-channel junction type FET.
Is connected in cascade, and a drain terminal of the third junction FET (Q3) has an output 1 terminal forming one of the plus side output terminals,
One end of the first resistor (R1) is connected, the other end of the first resistor (R1) is connected to a plus power supply, and the drain of the plus second transistor (QA2) is connected to , A fourth junction type FET (Q4), which is an n-channel junction type FET, is cascaded.
A drain terminal of the junction type FET (Q4) has two output terminals, one of the positive side output terminals, and a second resistor (R2).
Is connected to the other end of the second resistor (R2), and the plus-side power supply is connected to the third junction FET (Q3) and the fourth junction FET (Q4).
A positive bias circuit for supplying a constant positive voltage is connected to the gate terminal of the transistor, and a drain terminal of the first transistor (QB1) on the negative side is connected to a fifth junction type FET which is a p-channel junction type FET. The FET (Q5) is cascade-connected, and the drain terminal of the fifth junction type FET (Q5) has three output terminals, one of the negative output terminals, and one end of a third resistor (R3). Connected
The other end of the third resistor (R3) is connected to a negative power supply, and the negative second transistor (QB
A sixth junction FET (Q6), which is a p-channel junction FET, is cascaded to the drain end of 2), and a drain end of the sixth junction FET (Q6) is
Four output terminals forming one of the minus side output terminals are connected to one end of a fourth resistor (R4), and the other end of the fourth resistor (R4) is connected to the minus power source. A differential voltage / current conversion circuit in which a gate terminal of the fifth junction type FET (Q5) and the sixth junction type FET (Q6) is connected to a negative bias circuit for supplying a constant negative voltage. Configuration adoption.

【0019】本発明装置の第5の特徴は、上記本発明装
置の第4の特徴における前記差動電圧/電流変換回路
が、コンプリメンタリープッシュプル回路をドライブす
る回路として機能するものであり、前記出力1端子及び
前記出力2端子のいずれかには、当該コンプリメンタリ
ープッシュプル回路のプラス側入力端が接続され、前記
出力3端子及び前記出力4端子のいずれかには、当該コ
ンプリメンタリープッシュプル回路のマイナス側入力端
が接続されてなる差動電圧/電流変換回路の構成採用に
ある。
A fifth feature of the device of the present invention is that the differential voltage / current conversion circuit according to the fourth feature of the device of the present invention functions as a circuit for driving a complementary push-pull circuit. A positive input terminal of the complementary push-pull circuit is connected to one of the output 1 terminal and the output 2 terminal, and the complementary push-pull circuit is connected to one of the output 3 terminal and the output 4 terminal. Of the differential voltage / current conversion circuit to which the negative input terminal of the above is connected.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を装置例及び動作例につき説明す
る。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described with respect to an example of an apparatus and an example of an operation.

【0021】なお、本発明は、2個のFETを内蔵した
ものからなるデュアル形FETを、2つ用いて差動回路
を構成したものであって、4つの出力それぞれにつき、
直流出力、差動ゲインの対称性及び相似性を、可変抵抗
を調整することにより、容易に且つ高精度に一致させ得
るものであり、オーディオのアンプの初段回路に好適な
ものである。
According to the present invention, a differential circuit is constituted by using two dual-type FETs each having two built-in FETs.
By adjusting the variable resistance, the symmetry and the similarity of the DC output and the differential gain can be easily and accurately matched to each other, which is suitable for the first stage circuit of an audio amplifier.

【0022】本実施形態では、コンプリメンタリー・プ
ッシュプル回路をドライブする回路に適用する形態を挙
げて説明するも、本発明はこれ等に限定されるものでは
なく、センサで検出した信号についての増幅回路又はバ
ッファ回路など、各種の信号増幅回路に適用することが
できる。
In the present embodiment, an example will be described in which the present invention is applied to a circuit for driving a complementary push-pull circuit. However, the present invention is not limited to this, and amplification of a signal detected by a sensor is performed. The present invention can be applied to various signal amplifier circuits such as a circuit and a buffer circuit.

【0023】(装置例)図1は、本発明の装置例を示す
回路図であり、(a)が本発明の実施形態に係る差動電
圧/電流変換回路、(b)が(a)によって駆動される
コンプリメンタリー・プッシュプル回路である。
(Example of Apparatus) FIGS. 1A and 1B are circuit diagrams showing an example of the apparatus of the present invention. FIG. 1A shows a differential voltage / current conversion circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is a driven complementary push-pull circuit.

【0024】図中、10はプラス側デュアルFET、2
0はマイナス側デュアルFET、VR1は調整用の可変
抵抗(第1可変抵抗)、VR2は調整用の可変抵抗(第
2可変抵抗)、Q3及びQ4は接合形のnチャネルFE
T、Q5及びQ6は接合形のpチャネルFETである。
なお、R1,R2,R3,R4,R5及びR6は抵抗、
D1及びD2はツェナーダイオード、C1及びC2はコ
ンデンサである。
In the drawing, reference numeral 10 denotes a positive dual FET, 2
0 is a negative dual FET, VR1 is a variable resistor for adjustment (first variable resistor), VR2 is a variable resistor for adjustment (second variable resistor), and Q3 and Q4 are junction type n-channel FEs.
T, Q5 and Q6 are junction type p-channel FETs.
R1, R2, R3, R4, R5 and R6 are resistors,
D1 and D2 are Zener diodes, and C1 and C2 are capacitors.

【0025】更に、1はプラス側出力端子の一方の出
力、2はプラス側出力端子の他方の出力、3はマイナス
側出力端子の一方の出力、4はマイナス側出力端子の他
方の出力である。また、Aは入力A端子の入力、Bは入
力B端子の入力である。
Further, 1 is one output of the positive output terminal, 2 is the other output of the positive output terminal, 3 is one output of the negative output terminal, and 4 is the other output of the negative output terminal. . A is an input at the input A terminal, and B is an input at the input B terminal.

【0026】また、コンプリメンタリー・プッシュプル
回路は、pnp形のバイポーラトランジスタTR1、n
pn形のバイポーラトランジスタTR2、抵抗R7及び
抵抗R8からなっている。
The complementary push-pull circuit comprises a pnp type bipolar transistor TR1, n
It comprises a pn bipolar transistor TR2, a resistor R7 and a resistor R8.

【0027】プラス側デュアルFET10は、特性がそ
ろえられ熱結合された2つFETを1つのパケージに収
容したプラス側デュアルトランジスタであり、それぞれ
接合形のnチャネルFETであるFETQA1(プラス
側第1トランジスタ)とFETQA2(プラス側第2ト
ランジスタ)からなっている。
The plus-side dual FET 10 is a plus-side dual transistor in which two FETs having the same characteristics and thermally coupled are accommodated in one package, and each of which is a junction type n-channel FET FET QA1 (plus-side first transistor). ) And FET QA2 (plus-side second transistor).

【0028】マイナス側デュアルFET20も、特性が
そろえられ熱結合された2つFETを1つのパケージに
収容したでマイナス側デュアルトランジスタあり、それ
ぞれ接合形のpチャネルFETであるFETQB1(マ
イナス側第1トランジスタ)とFETQB2(マイナス
側第2トランジスタ)からなっている。
The negative dual FET 20 is also a negative dual transistor in which two FETs having the same characteristics and thermally coupled are accommodated in one package, and is a junction type p-channel FET FET QB1 (negative first transistor). ) And FET QB2 (negative side second transistor).

【0029】ここで、プラス側デュアルFET10とマ
イナス側デュアルFET20の特性はそろっておらず、
換言すれば(FETQA1、FETQA2)と(FET
QB1、FETQB2)相互の信号伝達特性が異なる。
信号伝達特性とは、ゲイン等の温度ドリフト、ゲインの
対称性及び相似性をいう。これは、トランジスタの製造
上の困難性及び製造コストの観点からの制限によるもの
である。
Here, the characteristics of the plus side dual FET 10 and the minus side dual FET 20 are not uniform.
In other words, (FET QA1, FET QA2) and (FET QA1, FET QA2)
QB1 and FET QB2) have different signal transmission characteristics.
The signal transfer characteristics refer to temperature drift such as gain, and symmetry and similarity of gain. This is due to difficulties in manufacturing the transistor and limitations in terms of manufacturing cost.

【0030】FETQA1のソースとFETQB2のソ
ースとは、可変抵抗VR1を介して接続されている。ま
た、FETQA2のソースとFETQB1のソースと
は、可変抵抗VR2を介して接続されている。
The source of the FET QA1 and the source of the FET QB2 are connected via a variable resistor VR1. The source of the FET QA2 and the source of the FET QB1 are connected via a variable resistor VR2.

【0031】更に、FETQA1のゲートとFETQB
1のゲートが接続されて入力A端子を成している。ま
た、FETQA2のゲートとFETQB2のゲーが接続
されて入力B端子を成している。
Further, the gate of the FET QA1 and the FET QB
One gate is connected to form an input A terminal. The gate of the FET QA2 and the gate of the FET QB2 are connected to form an input B terminal.

【0032】FETQA1のドレインにはFETQ3の
ソースが接続されており、FETQA1とFETQ3で
カスケード回路をなしている。FETQ3のドレイン
は、プラス側出力端子の一つである出力1端子に接続さ
れるとともに、さらにその先には抵抗R1が接続されて
いる。抵抗R1の他端にはプラス側電源が接続されてい
る。
The source of the FET Q3 is connected to the drain of the FET QA1, and the FET QA1 and the FET Q3 form a cascade circuit. The drain of the FET Q3 is connected to an output 1 terminal, which is one of the positive side output terminals, and a resistor R1 is further connected to the output 1 terminal. The other end of the resistor R1 is connected to a positive power supply.

【0033】FETQA2のドレインにはFETQ4の
ソースが接続されており、FETQA2とFETQ4で
カスケード回路をなしている。FETQ4のドレイン
は、プラス側出力端子の一つである出力2端子に接続さ
れるとともに、さらにその先には抵抗R2が接続されて
いる。抵抗R2の他端にはプラス側電源が接続されてい
る。
The drain of the FET QA2 is connected to the source of the FET Q4, and the FET QA2 and the FET Q4 form a cascade circuit. The drain of the FET Q4 is connected to the output 2 terminal, which is one of the positive-side output terminals, and the resistor R2 is further connected to the output 2 terminal. The other end of the resistor R2 is connected to a positive power supply.

【0034】FETQB1のドレインにはFETQ5の
ソースが接続されており、FETQB1とFETQ5で
カスケード回路をなしている。FETQ5のドレイン
は、マイナス側出力端子の一つである出力3端子に接続
されるとともに、さらにその先には抵抗R3が接続され
ている。抵抗R3の他端にはマイナス側電源が接続され
ている。
The drain of the FET QB1 is connected to the source of the FET Q5, and the FET QB1 and the FET Q5 form a cascade circuit. The drain of the FET Q5 is connected to the output 3 terminal, which is one of the minus-side output terminals, and a resistor R3 is further connected to the output 3 terminal. The other end of the resistor R3 is connected to a negative power supply.

【0035】FETQB2のドレインにはFETQ6の
ソースが接続されており、FETQB2とFETQ6で
カスケード回路をなしている。FETQ6のドレイン
は、マイナス側出力端子の一つである出力4端子に接続
されるとともに、さらにその先には抵抗R4が接続され
ている。抵抗R4の他端にはマイナス側電源が接続され
ている。
The drain of the FET QB2 is connected to the source of the FET Q6, and the FET QB2 and the FET Q6 form a cascade circuit. The drain of the FET Q6 is connected to the output 4 terminal which is one of the minus side output terminals, and further connected to the resistor R4. The other end of the resistor R4 is connected to a minus power supply.

【0036】FETQ3のゲートとFETQ4のゲート
とは相対接続され、更に、抵抗R5、ツェナーダイオー
ドD1及びコンデンサC1からなるプラス側バイアス回
路が接続されている。FETQ5のゲートとFETQ6
のゲートとは相対接続され、更に、抵抗R6、ツェナー
ダイオードD2及びコンデンサC2からなるマイナス側
バイアス回路が接続されている。
The gate of the FET Q3 and the gate of the FET Q4 are connected to each other, and further connected to a positive bias circuit including a resistor R5, a Zener diode D1, and a capacitor C1. Gate of FET Q5 and FET Q6
And a negative bias circuit including a resistor R6, a Zener diode D2, and a capacitor C2.

【0037】これらにより、回路全体としては、プラス
側とマイナス側が対称結線形態を呈し、入力A端子に印
加された信号と入力B端子に印加された信号の差に応じ
た電流を、出力1端子、出力2端子、出力3端子及び出
力4端子から出力し得る、差動電圧/電流変換回路が構
成されている。
Thus, as a whole circuit, the plus side and the minus side exhibit a symmetrical connection form, and a current corresponding to the difference between the signal applied to the input A terminal and the signal applied to the input B terminal is output to one output terminal. , An output 2 terminal, an output 3 terminal, and an output 4 terminal.

【0038】そして、可変抵抗VR1又は可変抵抗VR
2を調整することで、出力1端子、出力2端子、出力3
端子及び出力4端子それぞれの出力につき、アイドリン
グ電流による直流出力、差動ゲインの対称性及び相似性
を、高精度に且つ容易に一致させることができる。な
お、アイドリング電流による直流出力は、直結アンプの
場合にあっては次段のバイアス電圧になる。
The variable resistor VR1 or the variable resistor VR
By adjusting 2, output 1 terminal, output 2 terminal, output 3
With respect to the output of the terminal and the output of each of the four terminals, the DC output by the idling current and the symmetry and similarity of the differential gain can be matched with high accuracy and easily. It should be noted that the DC output by the idling current becomes the next stage bias voltage in the case of the direct connection amplifier.

【0039】図1(a)に示す差動電圧/電流変換回路
と同図(b)に示すコンプリメンタリー・プッシュプル
回路との接続は、例えば、出力2端子とバイポーラトラ
ンジスタTR1のベースを接続し、出力4端子とバイポ
ーラトランジスタTR2のベースを接続することとす
る。
The connection between the differential voltage / current conversion circuit shown in FIG. 1A and the complementary push-pull circuit shown in FIG. 1B is made, for example, by connecting two output terminals to the base of the bipolar transistor TR1. , And four output terminals are connected to the base of the bipolar transistor TR2.

【0040】(動作例)前記装置例の動作例につき、図
面を参照して説明する。先ず、図1を参照して、動作の
概要について説明する。
(Operation Example) An operation example of the above-described apparatus example will be described with reference to the drawings. First, an outline of the operation will be described with reference to FIG.

【0041】本差動電圧/電流変換回路は、自己バイア
スを用いているので、可変抵抗VR1,VR2にて、ア
イドリング電流を設定する。ここで、接合形FETのゲ
ート漏れ電流は、温度及びドレイン・ソース間電圧の変
動に伴なって変化するが、その漏れ電流の変化値はアイ
ドリング電流の値と比較して十分に小さく、且つ各FE
T相互の漏れ電流の差はさらに小さいので、かかる漏れ
電流は無いものとすることができる。
Since the present differential voltage / current conversion circuit uses a self-bias, the idling current is set by the variable resistors VR1 and VR2. Here, the gate leakage current of the junction type FET changes with the fluctuation of the temperature and the voltage between the drain and the source. However, the change value of the leakage current is sufficiently smaller than the value of the idling current. FE
Since the difference between the leakage currents of T is smaller, such leakage current can be eliminated.

【0042】このことから、図1において、 電流I1=電流I4 電流I2=電流I3 となる。From this, in FIG. 1, current I1 = current I4 current I2 = current I3.

【0043】そして、可変抵抗VR1又は可変抵抗VR
2を微調整することにより、 電流I1=電流I2=電流I3=電流I4 とする。
The variable resistor VR1 or the variable resistor VR
By finely adjusting 2, current I1 = current I2 = current I3 = current I4.

【0044】この結果、次段(コンプリメンタリー・プ
ッシュプル回路)の各入力のバイアス電圧は、出力1端
子、出力2端子、出力3端子及び出力4端子にそれぞれ
接続されている抵抗R1、抵抗R2、抵抗R3及び抵抗
R4の各抵抗値の精度まで、同一性のある値となる。
As a result, the bias voltage of each input of the next stage (complementary push-pull circuit) is determined by the resistances R1 and R2 connected to the output 1 terminal, output 2 terminal, output 3 terminal and output 4 terminal, respectively. , And the values of the resistors R3 and R4 are identical.

【0045】また、各FETに流している電流の値が同
じで、且つ、FETQA1とFETQA2、FETQB
1とFETQB2がそれぞれ熱結合されていることか
ら、各出力の温度ドリフトについての相似性も良好とな
っている。このように、各出力の温度ドリフトの相似性
が高いと、接合形FETは温度特性につき負の領域・0
点・正の領域を持つので、次段の回路の温度保障に本差
動電圧/電流変換回路が貢献できることとなる。
The values of the currents flowing through the FETs are the same, and the FETs QA1, FETA2,
1 and the FET QB2 are each thermally coupled, so that the similarity of the temperature drift of each output is also good. As described above, when the similarity of the temperature drift of each output is high, the junction type FET has a negative region / 0 with respect to the temperature characteristic.
Since the differential voltage / current conversion circuit has a point / positive region, the present differential voltage / current conversion circuit can contribute to guaranteeing the temperature of the next stage circuit.

【0046】更にまた、電流I1=電流I4であること
から、本差動電圧/電流変換回路における一方の差動回
路の伝達特性は、FETQA1とFETQB2の伝達特
性が合成された特性となる。ただし、ドレイン遮断電流
(IDSS)は低い方のFETのもので制限され、制限
ピンチオフ電圧も絶対値の小さい方のFETのもので制
限される。
Further, since current I1 = current I4, the transfer characteristic of one differential circuit in the present differential voltage / current conversion circuit is a combined characteristic of the transfer characteristics of FET QA1 and FET QB2. However, the drain cutoff current (IDSS) is limited by the FET of the lower FET, and the limiting pinch-off voltage is also limited by the FET of the smaller absolute value.

【0047】次に、前記装置例の動作の詳細について説
明する。いま、入力B端子をグラウンドに接地している
ものとする。そして、入力A端子に「プラス」信号が入
った時の動作は、次のようになる。
Next, details of the operation of the above-described apparatus will be described. Now, it is assumed that the input B terminal is grounded to the ground. The operation when the "plus" signal is input to the input A terminal is as follows.

【0048】まず、FETQA1のゲート電位が高くな
り、これにより電流I1及び電流I4が増大するので、
出力1端子はマイナス側に変位し、出力4端子はプラス
側に変位する。ここで、電流I1=電流I4となること
から、出力1端子での変位と出力4端子での変位は、同
じ値となり、対称性があることとなる。
First, the gate potential of the FET QA1 becomes higher, which increases the current I1 and the current I4.
The output 1 terminal is displaced to the minus side, and the output 4 terminal is displaced to the plus side. Here, since current I1 = current I4, the displacement at the output 1 terminal and the displacement at the output 4 terminal have the same value, which means that there is symmetry.

【0049】逆に、FETQA2及びFETQB2のゲ
ート電位がFETQA1及びFETQB1のゲート電位
よりも低くなり、電流I2及び電流I3が減少するの
で、出力2端子はプラス側に変位し、出力3端子はマイ
ナス側に変位する。ここで、電流I2=電流I3となる
ことから、出力2端子での変位と出力3端子での変位
は、同じ値となり、対称性があることとなる。
Conversely, the gate potentials of the FETs QA2 and QB2 become lower than the gate potentials of the FETs QA1 and QB1 and the currents I2 and I3 decrease, so that the output 2 terminal is displaced to the positive side and the output 3 terminal is displaced to the negative side. Is displaced. Here, since the current I2 = current I3, the displacement at the output 2 terminal and the displacement at the output 3 terminal have the same value, which means that there is symmetry.

【0050】なお、入力A端子に「マイナス」信号が入
った時も、出力1端子と出力4端子、出力2端子と出力
3端子につき、動作は逆になるが、考え方は上述の入力
A端子に「プラス」信号が入った時と同じになる。
When a "minus" signal is input to the input A terminal, the operation is reversed for the output 1 terminal and the output 4 terminal and for the output 2 terminal and the output 3 terminal. Is the same as when the "plus" signal is input.

【0051】これらより、入力A端子と入力B端子の電
位差に応じて、出力1端子,出力2端子,出力3端子及
び出力4端子の電位がそれぞれ変化することとなり、差
動回路として動作していることがわかる。
As a result, the potentials of the output 1 terminal, the output 2 terminal, the output 3 terminal and the output 4 terminal respectively change in accordance with the potential difference between the input A terminal and the input B terminal, and operate as a differential circuit. You can see that there is.

【0052】また、本差動電圧/電流変換回路における
プラス側出力(出力1端子、出力2端子)及びマイナス
側出力(出力3端子、出力4端子)は、プラス側デュア
ル接合形FET10(FETQA1,FETQA2)
と、マイナス側デュアル接合形FET20(FETQB
1,FETQB2)とが襷掛け縦列接続された合成回路
で形成される。
The positive output (output 1 terminal, output 2 terminal) and the negative output (output 3 terminal, output 4 terminal) in the differential voltage / current conversion circuit are connected to a positive dual junction type FET 10 (FET QA1, FET QA2)
And the negative side dual junction type FET 20 (FET QB
1, FET QB2) is formed by a composite circuit connected in a cascade manner.

【0053】したがって、入力A端子と入力B端子に同
相の同一信号が入った場合は、FETQA1,FETQ
A2,FETQB1及びFETQB2のいずれのゲート
電位間にも電位差が生じないので、出力1端子,出力2
端子,出力3端子及び出力4端子のいずれの電位も変化
しない。
Therefore, when the same signal of the same phase is input to the input A terminal and the input B terminal, the FET QA1 and the FET Q
A2, there is no potential difference between any of the gate potentials of the FET QB1 and the FET QB2.
The potential of any of the terminal, the output 3 terminal and the output 4 terminal does not change.

【0054】デュアル接合形FETは特性がそろえられ
た2つのFETを1つのパケージに収容したものである
ので、FETQA1とFETQA2は特性が極めて近似
しており、FETQB1とFETQB2も特性が極めて
近似している。更に、プラス側デュアルFET10とマ
イナス側デュアルFET20が襷掛け縦列接続されて合
成されているので、プラス側出力(出力1端子、出力2
端子)とマイナス側出力(出力3端子、出力4端子)の
変位特性も近似する。
Since the dual junction type FET has two FETs having the same characteristics accommodated in one package, the characteristics of the FETs QA1 and QA2 are very similar, and the characteristics of the FETs QB1 and QB2 are also very similar. I have. Further, since the plus side dual FET 10 and the minus side dual FET 20 are cross-connected in cascade and combined, the plus side output (output 1 terminal, output 2
The displacement characteristics of the negative output (terminal 3) and the negative output (output 4 terminal) are also approximated.

【0055】そこで、可変抵抗VR1又は可変抵抗VR
2のどちらかを微調整することで、同相信号の入力時に
電流I1=電流I2=電流I3=電流I4となるよう
に、簡易に調整することができ、出力1端子、出力2端
子、出力3端子及び出力4端子の各出力についての相似
性及び対称性を高精度に一致させることが可能となる。
Therefore, the variable resistor VR1 or the variable resistor VR
2 can be easily adjusted so that current I1 = current I2 = current I3 = current I4 when an in-phase signal is input, and output 1 terminal, output 2 terminal, output The similarity and symmetry of each of the three terminals and the four terminals can be matched with high accuracy.

【0056】すなわち、可変抵抗VR1又は可変抵抗V
R2のどちらかを微調整することで、FETQA1,F
ETQA2、FETQB1及びFETQB2の特性を極
めて高精度に一致させ、且つ、出力電圧に直接影響する
抵抗R1、抵抗R2、抵抗R3及び抵抗R4の値を極め
て高精度に一致させたものと、同一の回路となる。
That is, the variable resistor VR1 or the variable resistor V
By finely adjusting either of R2, FET QA1, F
The same circuit as that in which the characteristics of the ETQA2, the FET QB1, and the FET QB2 are matched with extremely high precision, and the values of the resistors R1, R2, R3, and R4 that directly affect the output voltage are matched with very high precision. Becomes

【0057】したがって、同相信号が入力端子A及び入
力端子Bに入った場合は、出力端子1〜4からは交流成
分のみならず直流成分も出力されず、次段回路の動作点
が変動せず、アンプ全体についての増幅精度、製造コス
トの低減及び回路設計の容易化を向上させることが可能
となる。
Therefore, when the in-phase signal enters the input terminal A and the input terminal B, not only the AC component but also the DC component is not output from the output terminals 1 to 4, and the operating point of the next stage circuit fluctuates. Instead, it is possible to improve the amplification accuracy of the entire amplifier, reduce the manufacturing cost, and improve the ease of circuit design.

【0058】次に、本差動電圧/電流変換回路の差動ゲ
インについて、図2及び図3を参照して説明する。図2
は、図1(a)の差動電圧/電流変換回路から片側の差
動回路を抽出した回路図である。なお、抵抗VR1’と
抵抗VR1”は、図1における可変抵抗VR1を仮想的
に2つに分けたものである。図3は、図2に示す差動回
路を更に簡略化した均等回路を示す回路図である。
Next, the differential gain of the present differential voltage / current conversion circuit will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2 is a circuit diagram in which a differential circuit on one side is extracted from the differential voltage / current conversion circuit of FIG. The resistors VR1 ′ and VR1 ″ are obtained by virtually dividing the variable resistor VR1 in FIG. 1 into two. FIG. 3 shows an equivalent circuit obtained by further simplifying the differential circuit shown in FIG. It is a circuit diagram.

【0059】図2において、説明を簡単にするため、F
ETQA1の伝達特性とFETQB2の伝達特性が同一
であるとする。そして、いま入力A端子に+1変位、入
力B端子に−1変位の信号が入ったとする。本回路は差
動回路であるので、 (入力A端子の電位)−(入力B端子の電位)=1−
(−1)=2 の変位に応じた値が各出力端子に生じることとなる。
In FIG. 2, for simplicity of explanation, F
It is assumed that the transfer characteristic of ETQA1 is the same as that of FET QB2. Assume that a signal of +1 displacement is input to the input A terminal and a signal of -1 displacement is input to the input B terminal. Since this circuit is a differential circuit, (potential of input A terminal) − (potential of input B terminal) = 1−
A value corresponding to the displacement of (-1) = 2 is generated at each output terminal.

【0060】このとき、抵抗R1、FETQ3、FET
QA1及び抵抗VR1’からなるプラス側回路と、抵抗
R4、FETQ6、FETQB2及び抵抗VR1”から
なるマイナス側回路とが対称しており、出力1端子と出
力4端子の電位が同じであるので、図2における点Cを
見ると電位が変動しない。そこで、図2に示す回路を簡
略化すると、図3に示す回路となる。
At this time, the resistor R1, FET Q3, FET
Since the plus side circuit consisting of QA1 and the resistor VR1 'and the minus side circuit consisting of the resistor R4, the FET Q6, the FET QB2 and the resistor VR1 "are symmetrical and the potentials of the output 1 terminal and the output 4 terminal are the same. The potential does not fluctuate when looking at the point C in Fig. 2. Therefore, when the circuit shown in Fig. 2 is simplified, the circuit shown in Fig. 3 is obtained.

【0061】また、点Cは、電位が変動しないことか
ら、仮想接地とみることができる。したがって、図3に
おけるFETQA1はソース接地回路となるので、その
電圧増幅度Av(出力電圧/入力電圧)は下記数1で表
される。なお、gm1は、FETQA1の相互コンダク
タンスである。
The point C can be regarded as a virtual ground since the potential does not change. Therefore, since the FET QA1 in FIG. 3 is a common source circuit, its voltage amplification Av (output voltage / input voltage) is represented by the following equation (1). Note that gm1 is a mutual conductance of the FET QA1.

【数1】 (Equation 1)

【0062】上記数1は、上述のように、各入力端子間
に「2」の変位が生じた状態での電圧増幅度を示してい
る。即ち、上記数1は図2において破線より上側の回路
(プラス電源側の回路)についての電圧増幅度を示して
いるので、差動回路全体での入力が「2」の変位に対し
て入力変位も半分になっている。言い換えると、点Cか
らの入力変位分に対するゲインを示している。図2に示
す回路には「入力A−入力B=2」の入力信号があると
仮定しているので、図2に示す差動回路の全体の電圧増
幅度Av’は、図3に示す回路の電圧増幅度Avの半分
になる。したがって、図2に示す差動回路の全体の電圧
増幅度Av’は、下記数2で表される。
The above equation (1) indicates the voltage amplification in the state where the displacement of “2” occurs between the input terminals as described above. That is, since the above equation 1 indicates the voltage amplification degree of the circuit above the broken line (the circuit on the plus power supply side) in FIG. Is also halved. In other words, it shows the gain with respect to the input displacement from the point C. Since it is assumed that the circuit shown in FIG. 2 has an input signal of “input A−input B = 2”, the overall voltage amplification Av ′ of the differential circuit shown in FIG. Becomes half of the voltage amplification Av. Accordingly, the overall voltage amplification Av ′ of the differential circuit shown in FIG.

【数2】 (Equation 2)

【0063】上記数2に示す電圧増幅度Av’が図2に
示す差動回路の4つの出力(出力1、出力2、出力3、
出力4)それぞれのゲインになる。また、FETQA1
の相互コンダクタンスgm1とFETQB2の相互コン
ダクタンスgm2が異なるときは、上述のようにFET
QA1とFETQB2の特性は合成され、相互コンダク
タンスgmが接合形FETの伝達特性の傾きとなるの
で、FETQA1及びFETQB2の相互コンダクタン
スgmは下記数3で表される。 [数3] gm=(gm1+gm2)÷2
The voltage amplification Av ′ shown in the above equation (2) has four outputs (output 1, output 2, output 3, and output 4) of the differential circuit shown in FIG.
Output 4) Each gain becomes. In addition, FET QA1
When the transconductance gm1 of the FET QB2 is different from the transconductance gm1 of the FET QB2,
The characteristics of QA1 and FET QB2 are combined, and the transconductance gm is the slope of the transfer characteristic of the junction FET, so the transconductance gm of FET QA1 and FET QB2 is expressed by the following equation (3). [Equation 3] gm = (gm1 + gm2) ÷ 2

【0064】次に、本差動電圧/電流変換回路と従来の
差動電圧/電流変換回路を実際に作成して、その動作を
測定した結果について説明する。図4は、従来の差動電
圧/電流変換回路とその各部の測定値を示す回路図であ
る。図5は、本発明に係る差動電圧/電流変換回路とそ
の各部の測定値を示す回路図である。
Next, a description will be given of the result of actually producing the present differential voltage / current conversion circuit and the conventional differential voltage / current conversion circuit and measuring the operations thereof. FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional differential voltage / current conversion circuit and measured values of respective parts thereof. FIG. 5 is a circuit diagram showing a differential voltage / current conversion circuit according to the present invention and measured values of respective parts thereof.

【0065】なお、図4及び図5では、回路の各構成部
品の型式も示している。具体的には、抵抗R1,R2,
R3,R4,R5,R6として、それぞれ1.6[Kオ
ーム]誤差1%のものを使用している。また、プラス側
デュアルFET10としては「2SK386」を使用
し、マイナス側デュアルFET20としては「2SJ1
09」を使用している。また、図4に示す従来の差動電
圧/電流変換回路は、図6に示す従来の差動電圧/電流
変換回路とは若干異なる構成としている。
FIGS. 4 and 5 also show the type of each component of the circuit. Specifically, resistors R1, R2,
As R3, R4, R5, and R6, each having 1.6 [K ohm] error of 1% is used. Also, “2SK386” is used as the positive dual FET 10, and “2SJ1” is used as the negative dual FET 20.
09 ”is used. Further, the conventional differential voltage / current conversion circuit shown in FIG. 4 has a configuration slightly different from that of the conventional differential voltage / current conversion circuit shown in FIG.

【0066】図4に示す回路と図5に示す回路におい
て、同じ符号を付している部品同士は、同一の部品を用
いている。これにより、本差動電圧/電流変換回路と従
来の差動電圧/電流変換回路の性能の違いを明確にして
いる。
In the circuit shown in FIG. 4 and the circuit shown in FIG. 5, the components denoted by the same reference numerals use the same components. This clarifies the difference in performance between the present differential voltage / current conversion circuit and the conventional differential voltage / current conversion circuit.

【0067】また、図4に示す従来の差動電圧/電流変
換回路では、FETQA1のソースとFETQA2のソ
ース間を短絡し、FETQB1のソースとFETQB2
のソース間を短絡し、更にFETQA1及びFETQA
2のソース電流の全てがFETQB1及びFETQB2
のソース電流となる構成になっている。これにより、図
4に示す従来の差動電圧/電流変換回路全体についての
アイドリング電流値は、図5に示す本差動電圧/電流変
換回路全体についてのアイドリング電流値と同じにな
る。
In the conventional differential voltage / current conversion circuit shown in FIG. 4, the source of the FET QA1 and the source of the FET QA2 are short-circuited, and the source of the FET QB1 and the FET QB2
Between the sources of the FETs QA1 and QA1
All of the source currents of the FETs QB1 and QB2
Of the source current. Thus, the idling current value of the entire conventional differential voltage / current conversion circuit shown in FIG. 4 becomes the same as the idling current value of the entire differential voltage / current conversion circuit shown in FIG.

【0068】ここで、図4に示す従来の差動電圧/電流
変換回路と図5に示す本差動電圧/電流変換回路では、
ゲインが異なる点に留意する必要がある。本差動電圧/
電流変換回路においてゲインが圧縮されている分、各出
力端子(出力1端子、出力2端子、出力3端子、出力4
端子)間の誤差も、圧縮される。ただし、プラス側出力
(出力1端子、出力2端子)で比較するか、マイナス側
出力(出力3端子、出力4端子)で比較するかは、考慮
を要する。
Here, the conventional differential voltage / current conversion circuit shown in FIG. 4 and the present differential voltage / current conversion circuit shown in FIG.
It should be noted that the gain is different. This differential voltage /
Each output terminal (output 1 terminal, output 2 terminal, output 3 terminal, output 4 terminal) corresponds to the gain being compressed in the current conversion circuit.
The error between the terminals is also compressed. However, it is necessary to consider whether the comparison is performed with the plus side output (output 1 terminal, output 2 terminal) or the minus side output (output 3 terminal, output 4 terminal).

【0069】一方、FETQA1のドレイン遮断電流
(IDSS)は10.77mA、FETQA2のドレイ
ン遮断電流(IDSS)は10.93mA、FETQB
1のドレイン遮断電流(IDSS)は5.63mA、F
ETQB2のドレイン遮断電流(IDSS)は5.44
mAである。
On the other hand, the drain cutoff current (IDSS) of the FET QA1 is 10.77 mA, the drain cutoff current (IDSS) of the FET QA2 is 10.93 mA, and the FET QB
1 has a drain cutoff current (IDSS) of 5.63 mA, F
The drain interruption current (IDSS) of ETQB2 is 5.44.
mA.

【0070】すなわち、FETQA1及びFETQB2
のペアとFETQA2及びFETQB1のペアを比較す
ると、FETQA1及びFETQB2のペアの方がドレ
イン遮断電流(IDSS)が大きい。したがって、図5
に示す本差動電圧/電流変換回路にとっては、FETQ
A1,FETQA2,FETQB1及びFETQB2の
組み合せとしては、最悪の組み合わせとなっている。
That is, the FET QA1 and the FET QB2
Compared with the pair of FETs QA2 and QB1, the pair of FETs QA1 and QB2 has a larger drain cutoff current (IDSS). Therefore, FIG.
For the differential voltage / current conversion circuit shown in FIG.
The combination of A1, FET QA2, FET QB1 and FET QB2 is the worst combination.

【0071】図6は、図4に示す従来の回路と図5に示
す本発明に係る回路の出力誤差を比較する図である。こ
の表において、「平均値」の欄は、出力1、出力2、出
力3及び出力4の平均値を示している。「出力誤差」の
欄は、出力1〜4の内の最大値から各出力値を引いた値
を示している。
FIG. 6 is a diagram comparing output errors of the conventional circuit shown in FIG. 4 and the circuit according to the present invention shown in FIG. In this table, the column of “average value” indicates the average value of output 1, output 2, output 3 and output 4. The column of “output error” indicates a value obtained by subtracting each output value from the maximum value of outputs 1 to 4.

【0072】「本発明回路の出力誤差の補正値」の欄
は、「本発明回路の出力誤差」の欄の値を、3.63倍
して補正値とした示している。ここで、3.63倍した
のは、図4の従来回路の図5の本発明回路の出力値が略
同じでありながら、従来回路の入力値が本発明回路の入
力値の(1/3.63)倍となっているからである。
The column of "correction value of output error of circuit of the present invention" indicates a correction value obtained by multiplying the value of column of "output error of circuit of the present invention" by 3.63. Here, the reason for the 3.63 multiplication is that while the output value of the circuit of the present invention of FIG. 5 of the conventional circuit of FIG. .63).

【0073】図4及び図5のどちらの差動電圧/電流変
換回路も、各出力端に接続された抵抗(抵抗1、抵抗
2、抵抗3、抵抗4)の誤差分まで、 電流I1+電流I2=電流I3+電流I4 になるはずである。
In each of the differential voltage / current conversion circuits shown in FIGS. 4 and 5, the current I1 + current I2 is obtained up to the error of the resistors (resistor 1, resistor 2, resistor 3, and resistor 4) connected to each output terminal. = Current I3 + current I4.

【0074】しかしながら、図6に示す表のように、本
発明に係る回路の方が出力誤差が小さくなっている。特
に、差動ゲインについては、プラス側ゲイン(出力1又
は出力2)対マイナス側ゲイン(出力3又は出力4)を
比較すると、ゲインの大きさが図5の回路の方が小さい
ことを考慮しても、図5の本発明に係る回路の方が誤差
が小さくなっている。すなわち、図5の本発明に係る回
路は、図4の従来の回路よりも差動ゲインについての対
称性が大きく改善されている。
However, as shown in the table of FIG. 6, the circuit according to the present invention has a smaller output error. In particular, regarding the differential gain, when comparing the plus side gain (output 1 or output 2) with the minus side gain (output 3 or output 4), it is considered that the magnitude of the gain is smaller in the circuit of FIG. However, the error of the circuit according to the present invention of FIG. 5 is smaller than that of the circuit of FIG. That is, the circuit according to the present invention shown in FIG. 5 has greatly improved symmetry with respect to the differential gain as compared with the conventional circuit shown in FIG.

【0075】ちなみに、図6の表における二重下線のデ
ータに示すように、本発明回路の出力誤差の補正値は、
従来回路の出力誤差と比べて、直流成分で約1/10、
交流成分で約1/5となっており、本発明回路の差動ゲ
インの対称性が大きく改善されていることがわかる。
Incidentally, as shown by the double underlined data in the table of FIG. 6, the correction value of the output error of the circuit of the present invention is:
Compared with the output error of the conventional circuit, the DC component is about 1/10,
The AC component is about 1/5, which indicates that the symmetry of the differential gain of the circuit of the present invention is greatly improved.

【0076】このように差動ゲインの対称性について改
善されたのは、図5の本発明に係る差動電圧/電流変換
回路では、FETQA1とFETQB2が縦列接続され
その特性が合成されており、またFETQA2とFET
QB1が縦列接続されその特性が合成されているからで
ある。
The reason why the symmetry of the differential gain has been improved is that the FET QA1 and the FET QB2 are connected in cascade in the differential voltage / current conversion circuit according to the present invention in FIG. FET QA2 and FET
This is because the QB1s are connected in cascade and their characteristics are combined.

【0077】これに対して、図4の従来の差動電圧/電
流変換回路では、FETQA1又はFETQA2とFE
TQB1又はFETQB2とは、特性が合成されず、F
ETQA1とFETQA2の差動合成と、FETQB1
とFETQB2の差動合成のみで動作しているから、差
動ゲインの対称性が本発明の回路よりも劣ることとな
る。
On the other hand, in the conventional differential voltage / current conversion circuit of FIG. 4, the FET QA1 or the FET QA2 and the FE
The characteristics are not combined with TQB1 or FET QB2,
Differential synthesis of ETQA1 and FET QA2 and FET QB1
And the FET QB2 only operate differentially, so that the symmetry of the differential gain is inferior to the circuit of the present invention.

【0078】したがって、本発明に係る回路の次段に、
コンプリメンタリー・プッシュプル回路などの対称回路
を組む場合に、プラス側ゲインとマイナス側ゲインの誤
差が接合形FETのペア性に左右されず、簡易な調整で
プラス側ゲインとマイナス側ゲインを一致させることを
可能とすることが、本発明に係る回路の特徴になる。
Therefore, at the next stage of the circuit according to the present invention,
When constructing a symmetrical circuit such as a complementary push-pull circuit, the error between the plus side gain and the minus side gain is not affected by the pairing property of the junction type FET, and the plus side gain and the minus side gain can be matched by simple adjustment. This is a feature of the circuit according to the present invention.

【0079】図7は、従来の他の差動電圧/電流変換回
路とその各部の他の測定結果を示す回路図である。図7
に示す回路も、図5に示す本発明にかかる回路と、同じ
符号を付している部品同士は、同一の部品を用いてい
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing another conventional differential voltage / current conversion circuit and another measurement result of each part thereof. FIG.
In the circuit shown in FIG. 5, the same reference numerals are used for the same components as those of the circuit according to the present invention shown in FIG.

【0080】また、図7に示す回路は、図4に示す従来
の回路と比べてゲインが全体的に小さくなっているが、
各出力(出力1、出力2、出力3及び出力4)の出力誤
差は、図4に示す従来の回路と略同じである。すなわ
ち、図5の本発明に係る回路は、図7に示す従来の回路
と比べても、差動ゲインについての対称性が大きく改善
されていることが示されている。
The circuit shown in FIG. 7 has a smaller gain as a whole than the conventional circuit shown in FIG.
The output error of each output (output 1, output 2, output 3 and output 4) is substantially the same as that of the conventional circuit shown in FIG. That is, it is shown that the circuit according to the present invention of FIG. 5 has greatly improved symmetry with respect to the differential gain as compared with the conventional circuit shown in FIG.

【0081】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は、必ずしも上記した事項に限定されるものではな
く、本発明の目的を達し、下記する効果を奏する範囲に
おいて、適宜変更実施可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-mentioned items, and can be appropriately modified and implemented within the scope of achieving the objects of the present invention and achieving the following effects. It is.

【0082】例えば、上述の実施形態では、増幅素子と
して接合形FETを用いているが、接合形FETの換わ
りに、MOS形FET、バイポーラトランジスタ又は真
空管を用いてもよい。また、調整用の可変抵抗VR1,
VR2は、図1に示すようなFETQA1とFETQB
2の間、或いはFETQA2とFETQB1の間ではな
く、他の位置に設けてもよい。この場合は、抵抗R1、
R2、R3、R4の値も適宜変更する。
For example, in the above-described embodiment, a junction FET is used as an amplifying element, but a MOS FET, a bipolar transistor, or a vacuum tube may be used instead of the junction FET. In addition, the variable resistors VR1 for adjustment,
VR2 is composed of FET QA1 and FET QB as shown in FIG.
2 or between the FET QA2 and the FET QB1. In this case, the resistor R1,
The values of R2, R3, and R4 are also appropriately changed.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特性がそろえられた2つFETからなるプラス側デュア
ル型FETと、特性がそろえられた2つFETからなる
マイナス側デュアル型FETとが、それら2つのデュア
ル型FETの特性が合成されるように襷掛け縦列接続し
て差動電圧/電流変換回路を構成しているので、温度ド
リフトを抑えながら、アイドリング電流による直流出
力、差動ゲインの対称性及び相似性を、簡易な回路調整
で、高精度に一致させることができる。
As described above, according to the present invention,
The plus dual-type FET composed of two FETs with the same characteristics and the negative dual FET composed of two FETs with the same characteristics are cross-linked so that the characteristics of the two dual-type FETs are combined. Since the differential voltage / current conversion circuit is constructed by cascade connection, the DC output by idling current and the symmetry and similarity of the differential gain can be controlled with a simple circuit adjustment and high accuracy while suppressing temperature drift. Can be matched.

【0084】また、本発明に係る差動電圧/電流変換回
路は、2つの入力端子と、2つのプラス側出力端子と、
2つのマイナス側出力端子を持つので、コンプリメンタ
リー・プッシュプル回路を直接ドライブすることがで
き、従来のものより歪みを低減することが可能となる。
The differential voltage / current conversion circuit according to the present invention has two input terminals, two positive output terminals,
Since it has two minus side output terminals, it is possible to directly drive the complementary push-pull circuit, and it is possible to reduce distortion compared to the conventional one.

【0085】従って、アンプの初段回路となるものであ
って、アンプ全体の負帰還率を低く抑えながら、アンプ
全体について低歪み化することが可能となる。
Therefore, the circuit becomes the first-stage circuit of the amplifier, and the distortion of the whole amplifier can be reduced while the negative feedback ratio of the whole amplifier is kept low.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態を示す回路図であり、(a)
が本発明に係る差動電圧/電流変換回路、(b)が
(a)によって駆動されるコンプリメンタリー・プッシ
ュプル回路である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG.
A differential voltage / current conversion circuit according to the present invention is shown, and (b) is a complementary push-pull circuit driven by (a).

【図2】図1(a)の回路における片側の差動回路を示
す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a differential circuit on one side in the circuit of FIG.

【図3】図2に示す差動回路を更に簡略化した均等回路
を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an equivalent circuit obtained by further simplifying the differential circuit shown in FIG. 2;

【図4】従来の差動電圧/電流変換回路とその各部の測
定値を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional differential voltage / current conversion circuit and measured values of each part thereof.

【図5】図1(a)に示す差動電圧/電流変換回路とそ
の各部の測定値を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing the differential voltage / current conversion circuit shown in FIG.

【図6】図4に示す従来の回路と図5に示す本発明に係
る回路の出力誤差を比較する図である。
6 is a diagram comparing output errors of the conventional circuit shown in FIG. 4 and the circuit according to the present invention shown in FIG. 5;

【図7】従来の他の差動電圧/電流変換回路とその各部
の他の測定結果を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing another conventional differential voltage / current conversion circuit and another measurement result of each part thereof.

【図8】従来の差動電圧/電流変換回路の一例を示す回
路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of a conventional differential voltage / current conversion circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2,3,4…出力 10…プラス側デュアルFET(プラス側デュアルトラ
ンジスタ) 20…マイナス側デュアルFET(マイナス側デュアル
トランジスタ) 71,72…定電流回路 A,B…入力 C1,C2…コンデンサ D1、D2…ツェナーダイオード I1,I2,I3,I4…電流 Q3,Q4…nチャネルFET Q5,Q6…pチャネルFET QA1…nチャネルFET(プラス側第1トランジス
タ) QA2…nチャネルFET(プラス側第2トランジス
タ) QB1…pチャネルFET(マイナス側第1トランジス
タ) QB2…pチャネルFET(マイナス側第2トランジス
タ) R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8…抵
抗 C…点 TR1,TR2…バイポーラトランジスタ VR1,VR2,VR3…可変抵抗
1, 2, 3, 4 ... output 10 ... plus side dual FET (plus side dual transistor) 20 ... minus side dual FET (minus side dual transistor) 71, 72 ... constant current circuit A, B ... input C1, C2 ... capacitor D1, D2: Zener diode I1, I2, I3, I4: Current Q3, Q4: n-channel FET Q5, Q6: p-channel FET QA1: n-channel FET (positive first transistor) QA2: n-channel FET (positive-side FET) Q2: p-channel FET (minus-side first transistor) QB2: p-channel FET (minus-side second transistor) R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8: resistance C: point TR1, TR2 ... Bipolar transistors VR1, VR2, VR3 ... Variable resistors

フロントページの続き Fターム(参考) 5J066 AA02 AA12 CA02 CA11 CA21 FA16 FA20 HA08 HA09 HA10 HA17 HA18 HA20 HA25 HA26 HA29 KA05 KA12 MA17 MA24 ND05 ND11 ND21 PD02 SA05 5J069 AA02 AA12 CA02 CA11 CA21 FA16 FA20 HA08 HA09 HA10 HA17 HA18 HA20 HA25 HA26 HA29 KA05 KA12 MA17 MA24 SA05 5J091 AA02 AA12 CA02 CA11 CA21 FA16 FA20 HA08 HA09 HA10 HA17 HA18 HA20 HA25 HA26 HA29 KA05 KA12 MA17 MA24 SA05 Continued on the front page F term (reference) 5J066 AA02 AA12 CA02 CA11 CA21 FA16 FA20 HA08 HA09 HA10 HA17 HA18 HA20 HA25 HA26 HA29 KA05 KA12 MA17 MA24 ND05 ND11 ND21 PD02 SA05 5J069 AA02 AA12 CA02 CA11 CA21 FA16 FA20 HA18 HA10 HA10 HA10 HA10 HA10 HA10 HA10 HA10 HA10 HA10 HA20 HA26 HA29 KA05 KA12 MA17 MA24 SA05 5J091 AA02 AA12 CA02 CA11 CA21 FA16 FA20 HA08 HA09 HA10 HA17 HA18 HA20 HA25 HA26 HA29 KA05 KA12 MA17 MA24 SA05

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】特性がそろえられた2つのトランジスタで
あるプラス側第1トランジスタ(QA1)及びプラス側
第2トランジスタ(QA2)を、1つのパケージに収容
してなるプラス側デュアルトランジスタと、 特性がそろえられた2つのトランジスタであるマイナス
側第1トランジスタ(QB1)及びマイナス側第2トラ
ンジスタ(QB2)を、1つのパケージに収容してなる
マイナス側デュアルトランジスタと、 を有する差動電圧/電流変換回路であって、 前記プラス側第1トランジスタ(QA1)を介して流れ
る電流の略全部が前記マイナス側第2トランジスタ(Q
B2)を介して流れるように、当該プラス側第1トラン
ジスタ(QA1)と当該マイナス側第2トランジスタ
(QB2)を縦列に接続し、 前記プラス側第2トランジスタ(QA2)を介して流れ
る電流の略全部が前記マイナス側第1トランジスタ(Q
B1)を介して流れるように、当該プラス側第2トラン
ジスタ(QA2)と当該マイナス側第1トランジスタ
(QB1)を縦列に接続し、 前記プラス側第1トランジスタ(QA1)の動作制御端
と前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)の動作制
御端を接続して入力A端子を成し、 前記プラス側第2トランジスタ(QA2)の動作制御端
と前記マイナス側第2トランジスタ(QB2)の動作制
御端を接続して入力B端子を成し、 前記プラス側第1トランジスタ(QA1)及び前記プラ
ス側第2トランジスタ(QA2)の少なくとも一方の電
流流入端側にプラス側出力端子を接続し、 前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)及び前記マ
イナス側第2トランジスタ(QB2)の少なくとも一方
の電流流入端側にマイナス側出力端子を接続してなる、 ことを特徴とする差動電圧/電流変換回路。
1. A plus dual transistor in which a plus first transistor (QA1) and a plus second transistor (QA2), which are two transistors having the same characteristics, are housed in one package. A differential voltage / current conversion circuit comprising: a negative dual transistor in which two aligned transistors, that is, a negative first transistor (QB1) and a negative second transistor (QB2) are housed in one package. And substantially all of the current flowing through the plus-side first transistor (QA1) is substantially equal to the minus-side second transistor (QA1).
B2), the plus-side first transistor (QA1) and the minus-side second transistor (QB2) are connected in cascade so that the current flows through the plus-side second transistor (QA2). The whole is the negative side first transistor (Q
B1), the plus-side second transistor (QA2) and the minus-side first transistor (QB1) are connected in cascade so as to flow through the operation control terminal of the plus-side first transistor (QA1) and the minus side. An operation control end of the first side transistor (QB1) is connected to form an input A terminal, and an operation control end of the second side transistor (QA2) and an operation control end of the second side transistor (QB2) are connected. Connected to form an input B terminal; a positive output terminal is connected to at least one of the current inflow ends of the positive first transistor (QA1) and the positive second transistor (QA2); A negative output terminal is connected to at least one of the current inflow ends of one transistor (QB1) and the negative second transistor (QB2). A differential voltage / current conversion circuit characterized by the following.
【請求項2】前記差動電圧/電流変換回路は、 前記プラス側第1トランジスタ(QA1)及び前記マイ
ナス側第2トランジスタ(QB2)を介して流れる電流
量を制限する第1可変抵抗(VR1)と、 前記プラス側第2トランジスタ(QA2)及び前記マイ
ナス側第1トランジスタ(QB1)を介して流れる電流
量を制限する第2可変抵抗(VR2)と、を有してな
る、 ことを特徴とする請求項1に記載の差動電圧/電流変換
回路。
2. A differential voltage / current conversion circuit comprising: a first variable resistor (VR1) for limiting an amount of current flowing through the plus first transistor (QA1) and the minus second transistor (QB2). And a second variable resistor (VR2) for limiting the amount of current flowing through the plus-side second transistor (QA2) and the minus-side first transistor (QB1). The differential voltage / current conversion circuit according to claim 1.
【請求項3】前記プラス側第1トランジスタ(QA1)
及び前記プラス側第2トランジスタ(QA2)は、 それぞれ、nチャネルの接合形FETであり、 前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)及び前記マ
イナス側第2トランジスタ(QB2)は、 それぞれ、pチャネルの接合形FETであり、 前記第1可変抵抗(VR1)は、 当該プラス側第1トランジスタ(QA1)のソース端と
当該マイナス側第2トランジスタ(QB2)のソース端
の間に配置され、 前記第2可変抵抗(VR2)は、 当該プラス側第2トランジスタ(QA2)のソース端と
当該マイナス側第1トランジスタ(QB1)のソース端
の間に配置されてなる、 ことを特徴とする請求項2に記載の差動電圧/電流変換
回路。
3. The positive side first transistor (QA1).
And the plus-side second transistor (QA2) is an n-channel junction FET, and the minus-side first transistor (QB1) and the minus-side second transistor (QB2) are each a p-channel junction. The first variable resistor (VR1) is disposed between the source terminal of the positive first transistor (QA1) and the source terminal of the negative second transistor (QB2); The resistor (VR2) is arranged between the source end of the plus-side second transistor (QA2) and the source end of the minus-side first transistor (QB1). Differential voltage / current conversion circuit.
【請求項4】前記プラス側第1トランジスタ(QA1)
のドレイン端には、 nチャネルの接合形FETである第3接合形FET(Q
3)がカスケード接続されており、 当該第3接合形FET(Q3)のドレイン端には、 前記プラス側出力端子の一つをなす出力1端子と、第1
抵抗(R1)の一端が接続されており、 当該第1抵抗(R1)の他端には、 プラス側電源が接続されており、 前記プラス側第2トランジスタ(QA2)のドレイン端
には、 nチャネルの接合形FETである第4接合形FET(Q
4)がカスケード接続されており、 当該第4接合形FET(Q4)のドレイン端には、 前記プラス側出力端子の一つをなす出力2端子と、第2
抵抗(R2)の一端が接続されており、 当該第2抵抗(R2)の他端には、 前記プラス側電源が接続されており、 当該第3接合形FET(Q3)及び当該第4接合形FE
T(Q4)のゲート端には、 正の一定電圧を供給するプラス側バイアス回路が接続さ
れており、 前記マイナス側第1トランジスタ(QB1)のドレイン
端には、 pチャネルの接合形FETである第5接合形FET(Q
5)がカスケード接続されており、 当該第5接合形FET(Q5)のドレイン端には、 前記マイナス側出力端子の一つをなす出力3端子と、第
3抵抗(R3)の一端が接続されており、 当該第3抵抗(R3)の他端には、 マイナス側電源が接続されており、 前記マイナス側第2トランジスタ(QB2)のドレイン
端には、 pチャネルの接合形FETである第6接合形FET(Q
6)がカスケード接続されており、 当該第6接合形FET(Q6)のドレイン端には、 前記マイナス側出力端子の一つをなす出力4端子と、第
4抵抗(R4)の一端が接続されており、 当該第4抵抗(R4)の他端には、 前記マイナス側電源が接続されており、 当該第5接合形FET(Q5)及び当該第6接合形FE
T(Q6)のゲート端には、 負の一定電圧を供給するマイナス側バイアス回路が接続
されてなる、 ことを特徴とする請求項3に記載の差動電圧/電流変換
回路。
4. The positive side first transistor (QA1).
Is connected to a third junction type FET (Q
3) are connected in cascade, and a drain terminal of the third junction type FET (Q3) has an output 1 terminal forming one of the plus side output terminals and a first output terminal.
One end of the resistor (R1) is connected, the other end of the first resistor (R1) is connected to a plus power supply, and the drain end of the plus second transistor (QA2) is n The fourth junction type FET (Q
4) are cascaded, and a drain terminal of the fourth junction type FET (Q4) has two output terminals, one of the positive side output terminals, and a second output terminal.
One end of a resistor (R2) is connected, and the other end of the second resistor (R2) is connected to the plus side power supply. The third junction type FET (Q3) and the fourth junction type FE
A positive bias circuit for supplying a constant positive voltage is connected to the gate terminal of T (Q4), and a p-channel junction FET is connected to the drain terminal of the negative first transistor (QB1). Fifth junction FET (Q
5) are connected in cascade, and a drain terminal of the fifth junction type FET (Q5) is connected to three output terminals forming one of the minus side output terminals and one end of a third resistor (R3). The other end of the third resistor (R3) is connected to a negative power supply, and the drain end of the negative second transistor (QB2) is connected to a sixth p-channel junction FET. Junction FET (Q
6) are connected in cascade, and a drain terminal of the sixth junction type FET (Q6) is connected to four output terminals forming one of the minus side output terminals and one end of a fourth resistor (R4). The other end of the fourth resistor (R4) is connected to the minus power supply, and the fifth junction type FET (Q5) and the sixth junction type FE
The differential voltage / current conversion circuit according to claim 3, wherein a negative bias circuit for supplying a negative constant voltage is connected to a gate terminal of T (Q6).
【請求項5】前記差動電圧/電流変換回路は、 コンプリメンタリープッシュプル回路をドライブする回
路として機能するものであり、 前記出力1端子及び前記出力2端子のいずれかには、当
該コンプリメンタリープッシュプル回路のプラス側入力
端が接続され、 前記出力3端子及び前記出力4端子のいずれかには、当
該コンプリメンタリープッシュプル回路のマイナス側入
力端が接続されてなる、 ことを特徴とする請求項4に記載の差動電圧/電流変換
回路。
5. The differential voltage / current conversion circuit functions as a circuit for driving a complementary push-pull circuit, and one of the output 1 terminal and the output 2 terminal is provided with the complementary push-pull circuit. The positive input terminal of the pull circuit is connected, and the negative input terminal of the complementary push-pull circuit is connected to one of the output 3 terminal and the output 4 terminal. 5. The differential voltage / current conversion circuit according to 4.
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KR100776366B1 (en) 2006-08-10 2007-11-15 손상희 Method and circuit for reducing offset of op-amp

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