JP2002313903A - Clean material storage - Google Patents

Clean material storage

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JP2002313903A
JP2002313903A JP2002027477A JP2002027477A JP2002313903A JP 2002313903 A JP2002313903 A JP 2002313903A JP 2002027477 A JP2002027477 A JP 2002027477A JP 2002027477 A JP2002027477 A JP 2002027477A JP 2002313903 A JP2002313903 A JP 2002313903A
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総一郎 阪田
Hideto Takahashi
秀人 高橋
Katsumi Sato
克己 佐藤
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Takasago Thermal Engineering Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a storage which can prevent the contamination of an organic material on the surface of a kept substrate. SOLUTION: The storage includes a storage space 10 for storing clean materials within a clean room 12 in a state of being isolated from the clean room. A storage clean air generating means 36 can generate, e.g. storing clean air controlled so as to have total concentration of 10 ppb or less in hydrocarbons containing methane by a catalytic combustion method and not containing fine particles, and can supply it from air supply systems 32 and 46 into the storage space 10. Therefore, the contamination of the organic material on the surface of substrate can be effectively prevented. At this time, since an inert gas or the like is not used, the storage can be safely performed with a low running cost.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、清浄な資材用保管
庫に係り、特に半導体素子や液晶ディスプレイ(LC
D)を製造するクリーンルームなどの清浄空間におい
て、半導体基板やLCD基板などの清浄な資材を保管す
るための局所清浄空間に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clean material storage, and more particularly to a semiconductor device and a liquid crystal display (LC).
The present invention relates to a local clean space for storing clean materials such as semiconductor substrates and LCD substrates in a clean space such as a clean room for manufacturing D).

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体やLCDパネル製造工程におい
て、ベアウェハや素ガラスから完成品を得るためには多
くの工程が必要である。例えば、ベアウェハから1MD
RAMチップに至る半導体製造ラインは約200工程の
プロセスから成る。また、例えば、素ガラスから9.4
型TFTに至るLCDパネル製造ラインは約80工程の
プロセスからなる。各プロセスに常に連続的に製品を流
すことは困難で、例えば、TFT−LCDの製造ライン
では、前工程で回路が一通り形成された半製品基板を後
工程に移送するまでに、その半製品基板を、数十時間、
清浄雰囲気に保持された保管庫(ストッカ)に保管する
場合もある。
2. Description of the Related Art In a semiconductor or LCD panel manufacturing process, many steps are required to obtain a finished product from a bare wafer or elementary glass. For example, 1MD from bare wafer
A semiconductor manufacturing line leading to a RAM chip is composed of about 200 processes. In addition, for example, 9.4
The LCD panel manufacturing line leading to the type TFT includes about 80 processes. It is difficult to always continuously supply a product to each process. For example, in a TFT-LCD production line, a semi-finished product on which a circuit is completely formed in a previous process is transferred to a subsequent process. Substrate for tens of hours,
In some cases, it is stored in a storage (stocker) kept in a clean atmosphere.

【0003】ところで、半導体基板やLCD基板を通常
のクリーンルーム雰囲気中で保管すると、それらの表面
にはクリーンルーム雰囲気由来の有機物が付着すること
がある。例えば、雰囲気由来の有機物が半導体基板であ
るシリコンウェハに付着した状態で、650℃以上の高
温下において絶縁酸化膜(SiO)が形成されると、
有機物中の炭素成分がSiCに変化してこの絶縁酸化膜
(SiO)中に取り込まれる。この場合、絶縁酸化膜
の絶縁耐圧は大幅に低下する。また、リーク電流も大幅
に増大する。また、例えば、雰囲気由来の有機物がLC
D基板であるガラスに付着した状態で、そのガラス表面
上に薄膜トランジスタ(TFT)用のアモルファスシリ
コン(a−Si)が成膜されると、ガラスとa−Si膜
の密着不良が生じる。以上のように、半導体基板やLC
D基板の表面に付着したクリーンルーム雰囲気由来の有
機物は、半導体素子やLCDの電気特性に悪影響を及ぼ
すことが知られている。
When semiconductor substrates and LCD substrates are stored in a normal clean room atmosphere, organic substances derived from the clean room atmosphere may adhere to their surfaces. For example, when an insulating oxide film (SiO 2 ) is formed at a high temperature of 650 ° C. or more in a state where an organic substance derived from an atmosphere adheres to a silicon wafer as a semiconductor substrate,
The carbon component in the organic substance changes into SiC and is taken into the insulating oxide film (SiO 2 ). In this case, the withstand voltage of the insulating oxide film is significantly reduced. Also, the leakage current increases significantly. Further, for example, the organic matter derived from the atmosphere is LC
When amorphous silicon (a-Si) for a thin film transistor (TFT) is formed on the glass surface in a state where the glass adheres to the D substrate glass, poor adhesion between the glass and the a-Si film occurs. As described above, the semiconductor substrate and LC
It is known that the organic matter derived from the clean room atmosphere attached to the surface of the D substrate adversely affects the electrical characteristics of the semiconductor element and the LCD.

【0004】従って、このような製品不良を防止するた
めには、表面付着有機物を洗浄技術によって除去しなけ
ればならない。しかしながら、公知の有機物洗浄技術、
例えば紫外線/オゾン洗浄によって表面付着有機物を除
去した場合には、基板一枚当たりの洗浄時間として数分
間も要し、頻繁に洗浄することはスループットの低下を
招く。
Accordingly, in order to prevent such product defects, organic substances adhering to the surface must be removed by a cleaning technique. However, known organic cleaning techniques,
For example, when organic substances adhering to the surface are removed by ultraviolet / ozone cleaning, several minutes are required as a cleaning time per one substrate, and frequent cleaning lowers the throughput.

【0005】そこで、クリーンルーム雰囲気暴露による
基板表面の有機物汚染の防止対策が模索されており、こ
れまでにも、半製品基板の表面に有機物汚染を起こすこ
となく保管することができる各種保管庫が提案されてい
る。
Therefore, measures to prevent organic contamination on the substrate surface due to exposure to the atmosphere in a clean room have been sought, and various storages that can store the semi-finished substrate without causing organic contamination on the surface of the substrate have been proposed. Have been.

【0006】例えば、HEPAフィルタやULPAフィ
ルタなどの高性能フィルタとケミカルフィルタとを組み
合わせて、粒子状物質のみならずガス状有機物の除去も
行うことにより、保管庫内での有機物汚染を防止する技
法が提案されている。しかしながら、ケミカルフィルタ
の上流側に通常の高性能フィルタ(HEPA、ULPA
など)を取り付けた場合には、ケミカルフィルタ自身か
ら発生する粒子状汚染物を除去することができず、これ
に対して、ケミカルフィルタの下流側に通常の高性能フ
ィルタを取り付けた場合には、この高性能フィルタの構
成材料から発生するガス状汚染物を除去できないという
問題があるため、必ずしも実効を挙げることができな
い。
[0006] For example, a technique for preventing organic substance contamination in a storage by removing gaseous organic matter as well as particulate matter by combining a high performance filter such as a HEPA filter or an ULPA filter with a chemical filter. Has been proposed. However, conventional high-performance filters (HEPA, ULPA) are located upstream of the chemical filter.
) Cannot remove particulate contaminants generated from the chemical filter itself. On the other hand, if a normal high-performance filter is installed downstream of the chemical filter, There is a problem that gaseous contaminants generated from the constituent materials of this high-performance filter cannot be removed, so that the effect cannot always be achieved.

【0007】また、例えば、特開平6−156622号
公報には、保管庫(または、ウェハストッカ)内を清浄
空気の代わりに不活性ガスで充満し、基板の有機物汚染
を防止する技法が提案されている。このような不活性ガ
スチャンバ内で基板を保管することにより、清浄空気が
充満されたクリーンルーム内で基板を保管した場合に比
較して、有機物による表面汚染を1/5〜1/2程度に
まで軽減することができる。しかしながら、保管庫(ま
たは、ウェハストッカ)を不活性ガスで充満する場合、
不活性ガスのコストが高いという問題のみならず安全性
の問題に注意を払う必要がある。すなわち、なんらかの
事故により大量の不活性ガスがクリーンルーム内に漏洩
した場合、周辺の作業員は窒息のおそれがある。
[0007] For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-156622 proposes a technique in which the inside of a storage (or wafer stocker) is filled with an inert gas instead of clean air to prevent organic contamination of a substrate. ing. By storing the substrate in such an inert gas chamber, the surface contamination by organic substances is reduced to about 1/5 to 1/2 compared with the case where the substrate is stored in a clean room filled with clean air. Can be reduced. However, if the storage (or wafer stocker) is filled with inert gas,
Attention must be paid not only to the high cost of inert gas but also to safety issues. That is, if a large amount of inert gas leaks into the clean room due to some accident, there is a risk that nearby workers may suffocate.

【0008】さらに、例えば、特開平5−286567
号公報には、不活性ガスを封入した密閉容器内に半製品
基板を収納し、保管する技法が提案されている。しか
し、このような容器は、完成品であるICチップやLC
Dガラスを収納し、そのまま容器ごと搬出するには適し
ているが、半製品基板のように出し入れを頻繁に行う資
材を保管する方法としては不適切である。
Further, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-286567
In Japanese Patent Laid-Open Publication No. H11-264, a technique is proposed in which a semi-finished substrate is housed and stored in a closed container in which an inert gas is sealed. However, such containers are often used for finished IC chips or LCs.
Although it is suitable to store D glass and carry out the whole container as it is, it is not suitable as a method of storing materials that are frequently taken in and out like semi-finished substrates.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の清浄な資材用保管庫が有する問題点に鑑みて成
されたものであり、半導体基板やLCD基板などの清浄
な資材を、有機物汚染を引き起こすことなく保管するこ
とが可能であり、また不活性ガスを使用せず、従って、
安全にかつ廉価なランニングコストで稼働させることが
可能であり、さらに、出し入れを頻繁に行う資材の保管
に好適な清浄な資材用保管庫を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional clean material storage, and has been developed for cleaning clean materials such as semiconductor substrates and LCD substrates. , Can be stored without causing organic contamination, and does not use inert gas,
An object of the present invention is to provide a clean material storage that can be operated safely and at a low running cost, and is suitable for storing materials that are frequently taken in and out.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明は、第1の清浄度に保持され
た周囲清浄空間内に、その周囲清浄空間と隔離された状
態で設置された第1の局所清浄空間として構成された清
浄な資材用保管庫に、メタンを含む炭化水素類の総濃度
が10ppb以下に制御されかつ微粒子を含まない第2
の清浄度に保持された保管用清浄空気を生成する保管用
清浄空気生成手段と、その第1の局所清浄空間内の保管
空間に保管用清浄空気を供給する送気手段とを設けてい
る。かかる構成により、基板表面の有機物汚染を効果的
に防止することが可能である。その際に、不活性ガスを
使用しないので、安全にかつ廉価なランニングコストで
保管庫を稼働させることができる。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is provided in a surrounding clean space which is maintained at a first cleanliness level and is isolated from the surrounding clean space. In a clean material storage configured as a first local clean space installed in the above, the total concentration of hydrocarbons including methane is controlled to 10 ppb or less and the second containing no fine particles is contained.
Storage clean air generating means for generating clean air for storage maintained at a degree of cleanliness, and air supply means for supplying clean air for storage to a storage space in the first local clean space. With such a configuration, it is possible to effectively prevent organic substance contamination on the substrate surface. At this time, since no inert gas is used, the storage can be operated safely and at low cost.

【0011】さらに、請求項2に記載のように、第1の
局所清浄空間は、保管空間とその保管空間と周囲清浄空
間との間に介装されるバッファ空間とから成り、送気手
段により保管空間からバッファ空間に保管用清浄空気が
流れるように構成すれば、バッファ空間から例えば周囲
清浄空間において汚染された空気が保管空間内に混入す
ることを効果的に防止することができる。
Further, as described in claim 2, the first local cleaning space includes a storage space and a buffer space interposed between the storage space and the surrounding cleaning space, and is provided by an air supply means. If the storage clean air is configured to flow from the storage space to the buffer space, it is possible to effectively prevent air contaminated from the buffer space, for example, in the surrounding clean space from entering the storage space.

【0012】さらに、請求項3に記載のように、第1の
局所清浄空間および周囲清浄空間と隔離された第2の局
所清浄空間を備えた評価装置が設置され、ガス導入手段
を介してその第2の局所清浄空間内に第1の局所清浄空
間内の保管用清浄空気が導入されて、第1の局所清浄空
間内の有機物汚染の程度を評価するように構成すること
ができる。この評価装置は、例えば請求項4に記載のよ
うに、第1の局所清浄空間内に配置された清浄な資材の
表面の有機物汚染量が許容値以下に保たれているかどう
かを監視するように構成することができる。かかる評価
装置により、清浄な資材が保管される第1の局所清浄空
間内の有機物汚染の程度を経時的に観察することが可能
なので、第1の局所清浄空間内の有機物汚染が進展し、
保管される資材が有機物により汚染され、製品の歩留ま
りが低下する前に、有機物汚染対策を講じることが可能
となる。さらに、かかる評価装置により、活性炭フィル
タを用いた場合に従来問題となっていたフィルタの交換
時期が不明確であるといった点を解決することもでき
る。
Further, as set forth in claim 3, an evaluation device having a first local cleaning space and a second local cleaning space isolated from the surrounding cleaning space is provided, and the evaluation device is provided through a gas introducing means. The clean air for storage in the first local clean space may be introduced into the second local clean space to evaluate a degree of organic contamination in the first local clean space. This evaluation device monitors whether or not the amount of organic contaminants on the surface of the clean material disposed in the first local clean space is kept below an allowable value, for example. Can be configured. With such an evaluation device, the degree of organic matter contamination in the first local clean space where clean materials are stored can be observed over time, so that organic matter contamination in the first local clean space progresses,
Before the stored material is contaminated with organic matter and the yield of the product is reduced, it is possible to take measures against organic matter contamination. Further, such an evaluation device can solve the problem that the filter replacement time, which has conventionally been a problem when the activated carbon filter is used, is unclear.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照しながら
本発明に基づいて構成された清浄な資材の保管庫の好適
な実施の形態について詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a clean material storage configured according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0014】図1〜図3には、本発明の第1実施例にか
かるLCD基板の保管に適するように構成した保管庫1
0が示されており、それぞれ、図1は保管庫10の平面
図、図2は図1のAから見た保管庫10の側面図、図3
は図1のBから見た保管庫10の側面図を示している。
FIGS. 1 to 3 show a storage 1 configured to be suitable for storing an LCD substrate according to a first embodiment of the present invention.
0 is shown, FIG. 1 is a plan view of the storage 10, FIG. 2 is a side view of the storage 10 viewed from A in FIG.
Shows a side view of the storage 10 as viewed from B in FIG.

【0015】図示のように、本発明にかかる保管庫10
は、第1の清浄度に保持された周囲清浄空間(クリーン
ルーム)12内にその空間とは隔離状態で設置される第
1の局所清浄空間として構成される。保管庫10は、ク
リーンルーム12と隔壁14により隔離されクリーンル
ーム12との間でLCD基板18を受け渡しを行うバッ
ファ空間としての前室16と、LCD基板18を搬送す
る搬送室20と、実際にLCD基板18の保管を行う保
管室22とから構成されている。なお図示の例では搬送
室20と保管室22とは共通の空間(保管空間)として
構成されているが、搬送室20と保管室22とを開閉自
在の隔壁により隔離して、搬送室20に起因するコンタ
ミネーションが保管室22に入り込まないように構成す
ることも可能である。
As shown, a storage 10 according to the present invention.
Is configured as a first local clean space that is installed in a peripheral clean space (clean room) 12 maintained at a first cleanliness level and separated from the space. The storage 10 includes a front room 16 as a buffer space for transferring an LCD substrate 18 between the clean room 12 and the clean room 12, which is separated by the partition 14, a transfer room 20 for transferring the LCD substrate 18, and an actual LCD substrate 18. And a storage room 22 for storing 18. In the illustrated example, the transfer room 20 and the storage room 22 are configured as a common space (storage space). However, the transfer room 20 and the storage room 22 are separated by an openable partition, and It is also possible to configure so that the resulting contamination does not enter the storage room 22.

【0016】クリーンルーム12内には前室16の隔壁
14に隣接してキャリア台24が設置されており、この
キャリア台24上には所定枚数のLCD基板を収納する
ことができるキャリア26が載置される。また前室16
内には搬送アーム28などの搬送機構が設置されてお
り、キャリア台24からLCD基板が収納されたキャリ
ア26を前室16内のキャリア台30に移載することが
できる。さらに前室16には給気系32が設けられてお
り、図5に関連して後述する保管用清浄空気生成装置3
6、すなわち触媒燃焼装置や、図6に関連して後述する
保管用清浄空気生成装置36’、すなわち活性炭フィル
タユニットにより生成された保管用清浄空気を給気系3
2より導入することができる。また前室16には排気系
34が設けられており、必要に応じて前室16内を排気
することができる。
In the clean room 12, a carrier table 24 is provided adjacent to the partition wall 14 of the front chamber 16, and a carrier 26 capable of storing a predetermined number of LCD substrates is mounted on the carrier table 24. Is done. Front room 16
A transfer mechanism such as a transfer arm 28 is installed in the inside, and the carrier 26 containing the LCD substrate can be transferred from the carrier table 24 to the carrier table 30 in the front room 16. Further, an air supply system 32 is provided in the front chamber 16, and the storage clean air generation device 3 described later with reference to FIG. 5 is provided.
6, a catalytic combustion device or a storage clean air generator 36 'described later with reference to FIG. 6, that is, a storage clean air generated by the activated carbon filter unit is supplied to the air supply system 3.
2 can be introduced. Further, an exhaust system 34 is provided in the front chamber 16 so that the inside of the front chamber 16 can be exhausted as needed.

【0017】さらに前室16と搬送室20とは開閉自在
の隔壁38で隔離されている。搬送室20内には保管室
22に沿って移動可能な移動台39と、その移動台39
に設置された搬送アーム40とが設置されている。例え
ば、資材を保管する際には、隔壁38を開けて、搬送ア
ーム40により前室16内のキャリア台30に設置され
たキャリア26を取り出し、保管室22の空きストッカ
位置にまで移動台39で移送し、その空きストッカにキ
ャリア26を収納することができる。
Further, the front chamber 16 and the transfer chamber 20 are separated by a partition 38 which can be opened and closed. In the transfer chamber 20, a movable table 39 movable along the storage chamber 22 and the movable table 39
And the transfer arm 40 installed in the first position. For example, when storing materials, the partition 38 is opened, the carrier 26 installed on the carrier table 30 in the front room 16 is taken out by the transfer arm 40, and the movable table 39 is moved to the empty stocker position in the storage room 22. The carrier 26 can be transferred and stored in the empty stocker.

【0018】保管室22内には、複数のストッカ42が
形成されている。なお図示の例では、上下2段、横3列
のストッカユニット44が2台併設されているが、本発
明はかかる実施例に限定されず、任意の数のストッカを
任意に配置した保管室22に対して適用できることは言
うまでもない。また図示の例では、所定枚数のLCD基
板18が収容されたキャリア26を収容するストッカ4
2を示したが、LCD基板18を直接収容することが可
能なストッカにより保管室を構成することも可能であ
る。
In the storage room 22, a plurality of stockers 42 are formed. In the example shown in the figure, two stocker units 44 in two upper and lower stages and three horizontal rows are provided in parallel, but the present invention is not limited to this embodiment, and the storage room 22 in which an arbitrary number of stockers are arbitrarily arranged is provided. Needless to say, it can be applied to Further, in the illustrated example, the stocker 4 that accommodates the carrier 26 that accommodates a predetermined number of LCD substrates 18.
Although FIG. 2 is shown, the storage room can be configured by a stocker that can directly accommodate the LCD substrate 18.

【0019】さらに上記構成に加えて、図4に示す保管
庫10’のように、保管室22には給気系46および高
性能フィルタ48を設けることも可能である。かかる構
成によれば、図5に関連して後述する保管用清浄空気生
成装置36により、例えば炭化水素類の総濃度10pp
b以下に制御された清浄空気をさらに高性能フィルタ4
8で第2の清浄度に調整した後、保管用清浄空気として
保管室22内に導入することができる。なお、本明細書
においては、周囲清浄空間を成すクリーンルームの清浄
度を第1の清浄度と称するとともに、資材を保管する第
1の局所清浄空間の清浄度を第2の清浄度と称している
が、これらの清浄度は、両者を同じにする場合を含め、
必要に応じて任意に設定することができる。さらに、図
示の例では保管室22内のフィルタ48により第2の清
浄度を達成する構成を示したが、保管用清浄空気生成装
置36内において適当なフィルタ手段により第2の清浄
度を達成するように構成することもできる。また保管室
22には排気系50が設けられており、必要に応じて保
管室22内を排気することができる。
Further, in addition to the above-mentioned configuration, it is also possible to provide an air supply system 46 and a high-performance filter 48 in the storage room 22, as in a storage 10 'shown in FIG. According to this configuration, for example, the total concentration of hydrocarbons is 10 pp by the storage clean air generator 36 described later with reference to FIG.
b and the high-performance filter 4
After being adjusted to the second degree of cleanliness in step 8, it can be introduced into the storage room 22 as clean air for storage. In this specification, the cleanliness of the clean room forming the surrounding clean space is referred to as a first cleanliness, and the cleanliness of the first local clean space for storing materials is referred to as a second cleanliness. However, these cleanliness includes
It can be set arbitrarily as needed. Further, in the illustrated example, the configuration in which the second cleanliness is achieved by the filter 48 in the storage room 22 is shown, but the second cleanliness is achieved in the clean air generator 36 for storage by an appropriate filter means. It can also be configured as follows. The storage room 22 is provided with an exhaust system 50 so that the inside of the storage room 22 can be evacuated as needed.

【0020】次に図5を参照しながら、図4に示す保管
庫10’に適用される保管用清浄空気を生成するための
保管用清浄空気生成装置36について説明する。図示の
ように、保管用清浄空気生成装置36は、取り入れた空
気を圧縮する圧縮機52と、空気を加熱し触媒と反応さ
せる反応塔54と、処理済みの空気を冷却する熱交換器
56とから主に構成されている。さらに保管用清浄空気
生成装置36は、圧縮機52と反応塔54との間の送気
経路中に、ガスフィルタ58、圧力計60、流量計62
が介装されており、生成される保管用清浄空気の清浄
度、圧力、流量をそれぞれ調整することが可能である。
また、反応塔54内には、例えば白金やパラジウムなど
の酸化触媒が置かれており、加熱器64により、空気中
に含まれる炭化水素類を次式に示されるように燃焼させ
分解することができる。なお、図中66は、反応塔54
の過熱を防止するための温度指示調節警報器である。 2C+(m/2+2n)O → 2nCO
mH
Next, with reference to FIG. 5, a description will be given of a storage clean air generator 36 for generating storage clean air applied to the storage 10 'shown in FIG. As shown, the storage clean air generator 36 includes a compressor 52 for compressing the intake air, a reaction tower 54 for heating the air to react with the catalyst, and a heat exchanger 56 for cooling the processed air. It is mainly composed of Further, the storage clean air generator 36 includes a gas filter 58, a pressure gauge 60, and a flow meter 62 in an air supply path between the compressor 52 and the reaction tower 54.
Is provided, and the cleanliness, pressure, and flow rate of the generated clean storage air can be adjusted.
Further, an oxidation catalyst such as platinum or palladium is placed in the reaction tower 54, and the hydrocarbons contained in the air can be burned and decomposed by the heater 64 as shown in the following formula. it can. In the figure, 66 is the reaction tower 54
This is a temperature-indicating control alarm for preventing overheating. 2C n H m + (m / 2 + 2n) O 2 → 2nCO 2 +
mH 2 O

【0021】このようにして、クリーンルーム内の清浄
空気または外気は、圧縮機52により、例えば420℃
に加熱された反応塔54に送気され、反応塔54内にお
いて酸化触媒と反応し、炭化水素類が水と炭酸ガスに分
解され除去される。ところで、通常のクリーンルーム空
気中には、水分が10,000ppm〜20,000p
pm、炭酸ガスが数百ppm、メタンを含む炭化水素類
総量が数ppm含まれているから、炭化水素類が全て燃
焼しても、水分量や炭酸ガス量は元から含まれていた量
と比較して微量増加するだけである。炭化水素類を燃焼
分解された清浄空気は、フィン付きの熱交換器56によ
り室温まで冷却され、清浄空気取り出し口68より外部
に取り出される。
In this way, the clean air or the outside air in the clean room is supplied to the compressor 52 at, for example, 420 ° C.
The reaction gas is sent to the reaction tower 54 heated in the reaction tower 54, reacts with the oxidation catalyst in the reaction tower 54, and hydrocarbons are decomposed into water and carbon dioxide gas and removed. By the way, in a normal clean room air, moisture is 10,000 ppm to 20,000 p.
pm, several hundred ppm of carbon dioxide, and several ppm of total hydrocarbons including methane, so even if all the hydrocarbons are burned, the amount of water and the amount of carbon dioxide are the same as those originally contained. Only a slight increase in comparison. The clean air obtained by burning and decomposing the hydrocarbons is cooled to room temperature by the finned heat exchanger 56, and is taken out from the clean air outlet 68 to the outside.

【0022】次に図6を参照しながら、図1〜図3に示
す保管庫10に適用される保管用清浄空気を生成するた
め保管用清浄空気生成装置36’について説明する。図
示のように、保管用清浄空気生成装置36’は、ユニッ
ト内へ空気を取り込む、あるいはシステム内で空気を循
環させるための送風機652と、活性炭フィルタの目詰
まりを抑制するための粒子粗取りフィルタ654と、空
気中の炭化水素類を吸着するための活性炭フィルタ65
6と、活性炭フィルタから発生するおそれのある活性炭
微粒を下流側で除去するための粒子除去濾過フィルタ6
58とから主に構成されている。送風機652は、イン
バータ660で周波数制御され、任意に処理風量を調節
することが可能である。
Next, with reference to FIG. 6, a description will be given of a storage clean air generator 36 'for generating storage clean air applied to the storage 10 shown in FIGS. As shown, the storage clean air generator 36 'includes a blower 652 for taking air into the unit or circulating air in the system, and a particle coarse filter for suppressing clogging of the activated carbon filter. 654 and an activated carbon filter 65 for adsorbing hydrocarbons in the air
6 and a particle removal filtration filter 6 for removing activated carbon fine particles which may be generated from the activated carbon filter on the downstream side.
58 mainly. The frequency of the blower 652 is controlled by the inverter 660, so that the processing air volume can be arbitrarily adjusted.

【0023】活性炭フィルタ656は、ベースとなる活
性炭の形状によって、ペレット状、繊維状、ハニカム状
が可能である。本実施の形態では、濾材である活性炭に
は、ガス状不純物を発生しないように添着物を全く使用
しないペレット状の球状活性炭素材を用いた。一般に繊
維状ならびハニカム状活性炭フィルタは、他の有機繊維
や接着剤を用いて形を整えたり強度を保たせたりしてい
るので、有機繊維や接着剤から有機物ガスを発生する。
また、ペレット状の活性炭素材も、ウレタンなどに接着
剤で添着して使用すると、ウレタンや接着剤から有機物
ガスを発生する。かかる有機物ガスは二次汚染源となる
ため何らかの対策が必要である。そこで、本実施の形態
においては、球状活性炭をガス状不純物の発生しない素
材で構成された容器内に充填する構成を採用している。
なお本明細書において、ガス状不純物を発生しない素材
としては、例えば脱脂処理を施し、耐腐食性・低表面粗
度のステンレス、アルミニウムなどの金属や、アルミ
ナ、ジルコニアなどのセラミックスを用いることができ
る。ただし、ステンレスの場合は、電解研磨処理を施し
たものを用いることが好ましい。またアルミニウムの場
合には、ベーマイト処理のような表面処理を施したもの
を用いることが好ましい。
The activated carbon filter 656 can be in the form of pellets, fibers, or honeycombs depending on the shape of the activated carbon used as the base. In the present embodiment, a pellet-shaped spherical activated carbon material that does not use any impregnation so as not to generate gaseous impurities is used as the activated carbon as a filter material. In general, a fibrous and honeycomb activated carbon filter uses another organic fiber or an adhesive to adjust its shape or maintain its strength, so that an organic gas is generated from the organic fiber or the adhesive.
In addition, when the activated carbon material in the form of a pellet is attached to urethane or the like with an adhesive, an organic gas is generated from the urethane or the adhesive. Since such an organic gas becomes a secondary pollution source, some countermeasures are required. Therefore, the present embodiment employs a configuration in which spherical activated carbon is filled in a container made of a material that does not generate gaseous impurities.
In this specification, as a material that does not generate gaseous impurities, for example, a metal such as stainless steel or aluminum having corrosion resistance and low surface roughness that has been subjected to degreasing treatment, or a ceramic such as alumina or zirconia can be used. . However, in the case of stainless steel, it is preferable to use one subjected to electrolytic polishing. In the case of aluminum, it is preferable to use aluminum that has been subjected to a surface treatment such as a boehmite treatment.

【0024】図7および図8には、ガス状不純物を発生
しない素材で構成された濾過フィルタの一例が示されて
いる。この濾過フィルタ420は、例えばステンレスや
アルミニウムなどから成る金属製フレーム412a、4
12bとガラス繊維素材のフィルタ414のみから構成
されている。図8に示すように、本実施の形態では、バ
インダを含まない(または、バインダを含んでいたとし
ても焼き出し処理などにより揮発性有機物を除去した)
ガラス繊維のみからなる濾紙形平板フィルタ濾材414
を凹凸に折り曲げてフィルタ要素を構成する。そして、
凹凸形状のフィルタの上下端部414aは、フィルタの
凹凸形状に対応して凹凸形状に成形された金属製型枠4
12a、412bの凹凸部間(図8(a)、(b)に示
す金属製型枠412a、412bの上面および下面)に
挟み込む。また凹凸形状のフィルタの左右端部414b
は金属製型枠412a、142bの平坦面間(図8
(a)(b))に示す金属製型枠412a、412bの
左右側面)に挟み込む。このようにすれば、ガス状不純
物などを発生するシール材などを使用せずに、図8
(a)に示すような濾過フィルタ420を構成すること
ができる。なお図8(a)は、粒子除去フィルタを組み
立てた状態を示し、図8(b)は一方の金属枠412a
を取り外した状態を示す斜視図である。このようして組
み立てられた粒子除去フィルタ420は、金属製型枠4
12a、412bごと濾材414を、例えば300℃で
ベーキングして、全ての有機物を脱離させる。この濾過
フィルタ420は、常温で有機物ガスの発生のないフッ
素樹脂製パッキンを介して風道662(図6)間に取り
付けられる。
FIGS. 7 and 8 show an example of a filter made of a material that does not generate gaseous impurities. The filtration filter 420 is made of a metal frame 412a,
12b and only a glass fiber material filter 414. As shown in FIG. 8, in the present embodiment, no binder is contained (or even if a binder is contained, volatile organic substances are removed by baking-out processing or the like).
Filter paper type flat filter medium 414 consisting of glass fiber only
Is bent to form a filter element. And
The upper and lower end portions 414a of the filter having the uneven shape are metal mold frames 4 formed into an uneven shape corresponding to the uneven shape of the filter.
It is sandwiched between the concave and convex portions 12a and 412b (the upper and lower surfaces of the metal mold frames 412a and 412b shown in FIGS. 8A and 8B). Also, the right and left end portions 414b of the filter having an uneven shape.
Is between the flat surfaces of the metal molds 412a and 142b (FIG. 8).
(A) and (b)). With this configuration, the sealing material that generates gaseous impurities and the like can be used without using the sealing material shown in FIG.
A filter 420 as shown in FIG. FIG. 8A shows a state where the particle removal filter is assembled, and FIG. 8B shows one of the metal frames 412a.
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which is removed. The particle removal filter 420 assembled in this manner is a metal mold 4
The filter medium 414 together with 12a and 412b is baked at, for example, 300 ° C. to remove all organic substances. The filtration filter 420 is attached between the air passages 662 (FIG. 6) via a fluorine resin packing that does not generate organic gas at normal temperature.

【0025】なお、濾過フィルタは、図9に示すように
構成することも可能である。図9に示す濾過フィルタ4
20’は、図7および図8に示す粒子除去フィルタ42
0と異なり、バインダを含まない(または、バインダを
含んでいたとしても焼き出し処理などにより揮発性有機
物を除去した)ガラス繊維のみからなる濾紙形平板フィ
ルタ濾材414’をジグザグに折り曲げてフィルタ要素
を構成し、そのジグザグ形状のフィルタ414’を、そ
のジグザグ形状に対応してジグザグ形状に成形された金
属製型枠412a’、412b’の間に挟み込んだもの
である。かかる形状の相違を除けば、図9に示す粒子除
去フィルタ420’は、図7および図8に示す粒子除去
フィルタ420と実質的には同一の構成を有しているの
で、詳細な説明は省略する。
The filtering filter can be configured as shown in FIG. Filtration filter 4 shown in FIG.
20 ′ is a particle removal filter 42 shown in FIGS.
Unlike the case of No. 0, the filter element 414 'made of only a glass fiber that does not contain a binder (or that contains a binder and volatile organic substances have been removed by baking out, etc.) is bent in a zigzag manner to form a filter element. The zigzag-shaped filter 414 'is sandwiched between metal molds 412a' and 412b 'formed in a zigzag shape corresponding to the zigzag shape. Except for such a difference in shape, the particle removal filter 420 'shown in FIG. 9 has substantially the same configuration as the particle removal filter 420 shown in FIGS. 7 and 8, and therefore, detailed description is omitted. I do.

【0026】さらに、図10には、風道662(図6)
に活性炭フィルタ656と粒子除去濾過フィルタ658
を取り付けるためにさらに別の態様が示されている。図
示のように本実施の態様にかかる活性炭フィルタ450
は、ステンレス製メッシュ452、454の間に球状活
性炭を単層に配した球状活性炭層456と、球状活性炭
層456の下流の空気通過空間458とから成るフィル
タ単位を複数段積層するとともに、その最下流側に、球
状活性炭層456から発生する二次粒子を除去するため
の濾過フィルタ460を配することにより構成されてい
る。このように単層の球状活性炭層456を空気通過空
間458を介して複数段積層することにより、圧力損失
の小さな濾過フィルタ構造を得ることができる。なお、
フィルタ構成部材は、すべてガス状不純物を発生しない
素材を用いることにより、濾過フィルタ自体が有機物汚
染の汚染源となることを防止することができる。
FIG. 10 shows an air path 662 (FIG. 6).
Activated carbon filter 656 and particle removal filter 658
Yet another embodiment is shown for attaching. As shown, the activated carbon filter 450 according to the present embodiment is shown.
A filter unit composed of a spherical activated carbon layer 456 in which spherical activated carbon is disposed in a single layer between stainless steel meshes 452 and 454 and an air passage space 458 downstream of the spherical activated carbon layer 456 is laminated in a plurality of stages. On the downstream side, a filter 460 for removing secondary particles generated from the spherical activated carbon layer 456 is provided. Thus, by laminating the single-layer spherical activated carbon layer 456 through the air passage space 458 in a plurality of stages, it is possible to obtain a filter structure having a small pressure loss. In addition,
By using a material that does not generate gaseous impurities for all filter components, it is possible to prevent the filtration filter itself from becoming a contamination source of organic matter contamination.

【0027】再び図6に戻り、以上のように活性炭フィ
ルタ656により、有機物ガスを除去処理された後の清
浄空気は、清浄空気取り出し口664から外部に取り出
される。なお、清浄空気取り出し口664より下流側の
風道および保管庫の構成部材も全て不純物ガスの発生の
ない材料を採用する必要がある。また、シールの必要な
風道または保管庫の構成部材のジョイント部分には、ガ
ス状不純物による有機物汚染を防止するために、全て脱
ガスのないフッ素樹脂製パッキンを使用した。図示のよ
うに、保管用清浄空気生成装置36’では、粒子除去用
濾過フィルタ658の前後の差圧を差圧計666でモニ
タし、粒子除去用濾過フィルタ658の交換時期を知る
ことができる。
Returning to FIG. 6 again, the clean air from which the organic gas has been removed by the activated carbon filter 656 as described above is taken out from the clean air outlet 664. In addition, it is necessary to adopt a material that does not generate impurity gas for all the constituent members of the air passage and the storage downstream of the clean air outlet 664. In addition, in order to prevent organic substances from being contaminated by gaseous impurities, a non-degassing fluororesin packing was used for all the joints of the air passages and the constituent members of the storage that require sealing. As shown in the drawing, in the clean air generator for storage 36 ', the differential pressure before and after the filtration filter 658 for particle removal is monitored by the differential pressure gauge 666, and it is possible to know the replacement time of the filtration filter 658 for particle removal.

【0028】図6〜図10に示す保管用清浄空気清浄装
置では、活性炭フィルタにより空気中の炭化水素類を吸
着する構成を採用したが、本発明はかかる例に限定され
ず、図11に示すような、活性炭濾材を使用した流動層
吸着塔550を備えたガス状不純物処理システム500
を使用することも可能である。このガス状不純物処理シ
ステム500は、流動層吸着塔550を使用し、その下
流側にガス状不純物を発生しない中性能フィルタ522
及び高性能フィルタ524を上流側から順次直列に設置
したものである。また、中性能フィルタ522や高性能
フィルタ524をシステムに取り付ける際には、有機物
ガスの発生のないシール部材、例えば無機素材パッキン
やテフロン(登録商標)などのフッ素樹脂パッキンを使
用することが好ましい。
The clean air purifying apparatus for storage shown in FIGS. 6 to 10 adopts a configuration in which hydrocarbons in the air are adsorbed by an activated carbon filter. However, the present invention is not limited to such an example, and is shown in FIG. Gaseous impurity treatment system 500 having a fluidized bed adsorption tower 550 using activated carbon filter media
It is also possible to use This gaseous impurity treatment system 500 uses a fluidized bed adsorption tower 550, and a medium-performance filter 522 that does not generate gaseous impurities on the downstream side.
And a high-performance filter 524 are sequentially arranged in series from the upstream side. When attaching the medium-performance filter 522 or the high-performance filter 524 to the system, it is preferable to use a seal member that does not generate an organic substance gas, for example, a fluorine resin packing such as an inorganic packing or Teflon (registered trademark).

【0029】この流動層吸着塔550は、大きく分けて
流動層吸着部552、シール部554、吸着濾材搬送部
556から成る。流動層吸着部552は、吸着塔558
内に多段に積層された多孔板560を備えている。吸着
濾材(例えば、粒状活性炭)は、この流動層吸着部55
2において、多段の多孔板560上で、例えば静止層高
10〜20mm、流動層高20〜40mmの流動層56
2を形成し、多段毎に流動移動しながら各段の流下部5
60aから逐次下段に落下して行く。この間、吸着濾材
は、空気取入口563からダンパ563bと渦巻送風機
563aを経由して取り入れられた上向流の処理空気5
64と均一に接触し、処理空気中の不純物ガス成分を吸
着する。他方、浄化された空気566は吸着塔558の
上部558aから放出される。またシール部554をな
す吸着塔底部558bに達した吸着濾材は、吸着濾材搬
送部556によって吸着塔の最上段に戻され、再び吸着
工程に移って行く。
The fluidized bed adsorption tower 550 is roughly divided into a fluidized bed adsorption section 552, a seal section 554, and an adsorption filter medium transport section 556. The fluidized bed adsorber 552 includes an adsorber 558.
A multi-layered perforated plate 560 is provided therein. The adsorption filter medium (for example, granular activated carbon) is supplied to the fluidized bed adsorption section 55.
2, the fluidized bed 56 having a stationary bed height of 10 to 20 mm and a fluidized bed height of 20 to 40 mm on the multistage perforated plate 560, for example.
2 and flow down in each stage while moving and moving in each stage.
From 60a, it sequentially falls down. During this time, the adsorbed filter medium is supplied from the air intake port 563 through the damper 563b and the spiral blower 563a, and the processing air 5 flowing upward is taken up.
64 and uniformly adsorbs impurity gas components in the processing air. On the other hand, the purified air 566 is discharged from the upper portion 558a of the adsorption tower 558. In addition, the adsorption filter medium that has reached the adsorption tower bottom 558b forming the sealing section 554 is returned to the uppermost stage of the adsorption tower by the adsorption filter medium transport section 556, and moves to the adsorption step again.

【0030】かかる流動層吸着塔550を利用したガス
状不純物の除去装置は、流動状態にある吸着濾材の層の
中を被処理空気が通過するため、通気抵抗が極めて低い
という利点がある。例えば0.7mm直径の粒状活性炭
からなる静止層高1.5cmの流動層を1m/sの被処
理空気が通過する場合の通気抵抗はわずか10mmH
Oである。また、被処理空気中に含まれるppmオーダ
のガス状有機不純物を1ppb以下の濃度にするために
はせいぜい7段の流動層、つまり70mmHOの通気
抵抗を見込んでおけば十分である。なお、長期連続運転
中に、吸着塔内の吸着濾材は不純物を吸着して破過(飽
和して吸着性能を失う状態)に近づく。従って、破過す
る前に安全を見込んで早目に吸着濾材の交換が必要であ
る。例えば、破過するまでの寿命が2年であれば半年置
きに交換することができる。
Gas utilizing the fluidized bed adsorption tower 550
The device for removing impurities in the form of a filter
Extremely low ventilation resistance because the air to be processed passes through the inside
There is an advantage that. For example, 0.7mm diameter granular activated carbon
Of a fluidized bed with a height of 1.5 cm consisting of 1 m / s
Only 10 mmH of air flow resistance when air passes through 2
O. In addition, ppm order contained in the air to be treated
To reduce the concentration of gaseous organic impurities to less than 1 ppb
No more than 7 fluidized beds, ie 70 mmH2O ventilation
It is enough to allow for resistance. In addition, long-term continuous operation
In the meantime, the adsorption filter medium in the adsorption tower adsorbs impurities and breaks
To a state where the adsorption performance is lost). Therefore, break through
It is necessary to change the adsorbent medium as soon as possible for safety.
You. For example, if the lifespan before breakthrough is 2 years, half a year
Can be replaced when needed.

【0031】図11に示す吸着濾材搬送部556につい
て説明する。吸着濾材搬送部556は、ターボ送風機5
68を備えており、このターボ送風機568によりダン
パ574と三方管572と気流輸送管576を経由して
圧縮空気578が吸着塔の最上段に送られる。三方管5
72において、圧縮空気578と、取り出し口570か
ら出た吸着濾材とが混合される。取り出し口570から
吸着濾材を取り出す経路には、第1経路570aと第2
経路570bの2系統があり、第1経路570aから取
り出された吸着濾材が圧縮空気578によって吸着塔の
最上段まで気流搬送される。この際、第2経路570b
はダンパ574aおよびバルブ580を閉じることによ
って閉鎖されている。
A description will now be given of the adsorbing filter medium conveying section 556 shown in FIG. The adsorption filter medium transport unit 556 includes the turbo blower 5
68, and the compressed air 578 is sent to the uppermost stage of the adsorption tower by the turbo blower 568 via the damper 574, the three-way pipe 572, and the airflow transport pipe 576. Three way tube 5
At 72, the compressed air 578 and adsorbent media exiting the outlet 570 are mixed. The first path 570 a and the second path 570 a
There are two systems of a path 570b, and the adsorption filter medium taken out of the first path 570a is transported by compressed air 578 to the uppermost stage of the adsorption tower. At this time, the second route 570b
Is closed by closing the damper 574a and the valve 580.

【0032】一方、吸着濾材を交換する場合は、渦巻送
風機563aを停止し、ダンパ574を閉じて第1経路
570aを閉鎖する。逆に第2経路570bは開放し、
三方管572aにおいて、ダンパ574aを経由した圧
縮空気578aと、取り出し口570から出た吸着濾材
とを混合する。この吸着濾材はバルブ580を経由して
使用済み濾材貯槽582まで気流搬送される。気流搬送
に使用された圧縮空気578aは貯槽582に取り付け
た排気口582aから外部に排出される。
On the other hand, when replacing the adsorption filter medium, the spiral blower 563a is stopped, the damper 574 is closed, and the first path 570a is closed. Conversely, the second path 570b opens,
In the three-way pipe 572a, the compressed air 578a that has passed through the damper 574a is mixed with the adsorption filter medium that has come out of the outlet 570. This adsorption filter medium is transported by air to a used filter medium storage tank 582 via a valve 580. The compressed air 578a used for the airflow is discharged to the outside through an exhaust port 582a attached to the storage tank 582.

【0033】吸着塔558の使用済み濾材を全て貯槽5
82に気流搬送した後、貯槽下部に取り付けたバルブ5
84を開いて使用済み濾材を外部に取り出す。一方、未
使用の吸着濾材は供給口584aから未使用濾材貯槽5
84に入れる。その後未使用の吸着濾材は、バルブ58
6を経由して取り入れ口588から吸着塔558内に入
る。
The used filter medium of the adsorption tower 558 is all stored in the storage tank 5.
82, the valve 5 attached to the lower part of the storage tank
Open 84 to take out the used filter medium to the outside. On the other hand, the unused adsorption filter medium is supplied to the unused filter medium storage tank 5 through the supply port 584a.
Put in 84. After that, the unused adsorptive filter medium is supplied to valve 58
6 through the inlet 588 and into the adsorption tower 558.

【0034】ところで、かかる流動層吸着塔550で
は、流動状態にある吸着濾材自体が微粒子の発生源とな
る。しかし、本実施の形態によれば、流動層吸着塔55
0の下流側にガス状不純物を発生しない中性能フィルタ
522および高性能フィルタ524が設置されるので、
ガス状不純物と粒子状不純物の両方とも含まないクリー
ンエアを供給することができる。なお、中性能フィルタ
522および高性能フィルタ524の詳細については後
述する。また図示の例では、中性能フィルタ522と高
性能フィルタ524を直列に配列しているが、高性能フ
ィルタ524のみを設置する構成にしても良い。ただ
し、かかる流動層吸着塔550では、流動状態にある吸
着濾材は、互いに擦れ合うことで夥しいミクロンサイズ
の微粒子を発生するため、このような微粒子をHEPA
やULPAと称される高性能フィルタで除去しようとす
れば、例えば、粉塵濃度1mg/m、通気風速0.3
m/secの場合、2ヶ月程度で完全に目詰まりを起こ
してしまう。
In the fluidized bed adsorption tower 550, the adsorbing filter medium itself in a fluidized state is a source of fine particles. However, according to the present embodiment, the fluidized bed adsorption tower 55
0, a medium-performance filter 522 and a high-performance filter 524 that do not generate gaseous impurities are installed.
It is possible to supply clean air containing neither gaseous impurities nor particulate impurities. The details of the medium performance filter 522 and the high performance filter 524 will be described later. In the illustrated example, the medium-performance filter 522 and the high-performance filter 524 are arranged in series, but a configuration in which only the high-performance filter 524 is provided may be adopted. However, in such a fluidized bed adsorption tower 550, the adsorbing filter media in a fluidized state generate numerous micron-sized fine particles by rubbing each other.
And a high-performance filter called ULPA, for example, a dust concentration of 1 mg / m 3 and a ventilation air velocity of 0.3
In the case of m / sec, clogging occurs completely in about two months.

【0035】従って、本実施の形態に示すように、まず
中性能フィルタ522でミクロンサイズの濾材摩耗粒子
を除去し、中性能フィルタ522で除去できなかった僅
かのサブミクロンサイズの微粒子をさらに下流側に設け
た高性能フィルタ524で除去する構成を採用すること
が好ましい。さらにまた、中性能フィルタ522に従来
のバグフィルタ再生に用いられるような再生装置を設け
てフィルタの交換寿命を延長させても良い。なお中性能
フィルタ522や高性能フィルタ524をシステムに取
り付ける際には、有機物ガスの発生のないシール部材、
例えば無機素材パッキンやテフロンなどのフッ素樹脂パ
ッキンを使用することが好ましい。
Accordingly, as shown in this embodiment, first, the medium-performance filter 522 removes the micron-size filter medium wear particles, and the sub-micron-size fine particles that cannot be removed by the medium-performance filter 522 are further downstream. It is preferable to adopt a configuration in which the filter is removed by the high-performance filter 524 provided in the above. Further, the medium-performance filter 522 may be provided with a regeneration device used for conventional bag filter regeneration to extend the replacement life of the filter. When attaching the medium-performance filter 522 or the high-performance filter 524 to the system, a sealing member that does not generate an organic gas,
For example, it is preferable to use an inorganic material packing or a fluororesin packing such as Teflon.

【0036】次に上記のように構成された保管庫の動作
について図1〜図3を用いて説明する。まず清浄な資材
を搬入する動作について説明する。保管すべきLCD基
板18を収納したキャリア26をクリーンルーム12内
のキャリア台24に載置する。次いで、クリーンルーム
12と前室16とを隔離する隔壁14が開いて、キャリ
ア26は搬送アーム28により保持されて前室16内に
収容され、前室16内のキャリア台30に載置される。
その後、隔壁14が閉じ、前室16とクリーンルーム1
2とを隔離してから、保管用清浄空気生成装置36、3
6’より給気系32を介して、メタンを含む炭化水素類
の総濃度が10ppb以下に制御された微粒子を含まな
い清浄空気、または清浄な資材表面の純水滴下接触角ま
たは表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状態に保持でき
るように制御された微粒子を含まない清浄空気が、前室
16内に送気される。このとき、前室16は隣接する室
から隔離された隔離空間を構成し(従って、前室16と
搬送室20との間の隔壁38は閉じられている)、給気
量と同量の空気が排気系34から排気される。前室16
の内部雰囲気が保管用清浄空気に十分入れ替わった後、
前室16と搬送室20との間の隔壁38が開き、搬送室
20の内部にある搬送機構の搬送アーム40によって、
前室16から搬送室20へキャリア26が取り込まれ
る。次いで、移動台39は、保管室22の空きストッカ
42の位置まで移動し、保持したキャリア26をその空
きストッカ42に収容する。ストッカ42には、給気系
46から保管用清浄空気が送り込まれ、図3に矢印で示
すように、キャリア26と搬送室20とを通過してスト
ッカ42の下部51に回り込む気流が形成される。この
とき、保管室22および搬送室20は隣接する室から隔
離された隔離空間を構成し(従って、搬送室20と前室
16との間の隔壁38は閉じられている)、給気量と同
量の空気が排気系50から排気される。
Next, the operation of the storage constructed as described above will be described with reference to FIGS. First, the operation of loading clean materials will be described. The carrier 26 containing the LCD substrate 18 to be stored is placed on the carrier table 24 in the clean room 12. Next, the partition wall 14 separating the clean room 12 and the front room 16 is opened, and the carrier 26 is held by the transfer arm 28 and accommodated in the front room 16, and is placed on the carrier table 30 in the front room 16.
Thereafter, the partition 14 is closed, and the front room 16 and the clean room 1 are closed.
2 and a storage clean air generator 36, 3
From 6 ', through the air supply system 32, the contact angle or the surface resistivity of pure air with no fine particles containing pure methane containing hydrocarbons controlled to a total concentration of 10 ppb or less, or pure water dropping on the surface of a clean material is reduced. Clean air that does not contain fine particles and is controlled so that it can be maintained in a state substantially equivalent to that immediately after cleaning is sent into the front chamber 16. At this time, the front chamber 16 forms an isolated space isolated from the adjacent chamber (therefore, the partition 38 between the front chamber 16 and the transfer chamber 20 is closed), and the same amount of air as the air supply amount is provided. Is exhausted from the exhaust system 34. Front room 16
After the internal atmosphere has been sufficiently replaced with clean air for storage,
The partition 38 between the front chamber 16 and the transfer chamber 20 opens, and the transfer arm 40 of the transfer mechanism inside the transfer chamber 20 causes
The carrier 26 is taken into the transfer chamber 20 from the front chamber 16. Next, the moving table 39 moves to the position of the empty stocker 42 in the storage room 22, and stores the held carrier 26 in the empty stocker 42. The storage clean air is fed into the stocker 42 from the air supply system 46, and an airflow that passes through the carrier 26 and the transfer chamber 20 and wraps around the lower portion 51 of the stocker 42 is formed as indicated by an arrow in FIG. . At this time, the storage room 22 and the transfer room 20 form an isolated space isolated from the adjacent room (accordingly, the partition 38 between the transfer room 20 and the front room 16 is closed), and the air supply amount is reduced. The same amount of air is exhausted from the exhaust system 50.

【0037】次に、ストッカ42において一定期間保管
されたキャリア26を搬出する動作について説明する。
まず、移動台39が搬出するキャリア26が収容された
ストッカ42位置まで移動し、搬送アーム40にてキャ
リア26を保持する。移動台39は前室16の位置まで
移動する。この時点で、前室16は密閉状態にされ、そ
の内部は保管用清浄空気雰囲気に保持されている。次い
で、隔壁38が開放し、搬送アーム40はキャリア26
を前室16内のキャリア台30上に載置する。その後、
搬送室20と前室16との間の隔壁38を閉じた後、前
室16とクリーンルーム12との間の隔壁14が開放
し、キャリア台30上のキャリア26は搬送アーム28
により、クリーンルーム12内のキャリア台24に載置
され、搬出動作が完了する。
Next, the operation of unloading the carrier 26 stored for a certain period in the stocker 42 will be described.
First, the moving table 39 moves to the position of the stocker 42 in which the carrier 26 to be carried out is stored, and the carrier 26 is held by the transfer arm 40. The moving table 39 moves to the position of the front room 16. At this point, the front chamber 16 is closed, and the inside thereof is kept in a storage clean air atmosphere. Next, the partition wall 38 is opened, and the transfer arm 40 is moved to the carrier 26.
Is placed on the carrier table 30 in the front room 16. afterwards,
After closing the partition 38 between the transfer room 20 and the front room 16, the partition 14 between the front room 16 and the clean room 12 is opened, and the carrier 26 on the carrier table 30 is moved by the transfer arm 28.
Thereby, it is placed on the carrier table 24 in the clean room 12, and the unloading operation is completed.

【0038】なお図1〜図4に示した実施例では、保管
用清浄空気の前室16への送気は給気系32を介して行
われるが、図12に示すように、この給気系32を省略
して、前室16と搬送室20(保管空間)とを隔てる隔
壁38を貫通する開口部37を設け、保管室22に送気
された保管用清浄空気の一部が搬送室20を介して前室
16に流れ込むような構成にすることも可能である。か
かる構成によれば、保管用清浄空気の気流は、常に保管
室22から搬送室20を介して前室16に流れるので、
前室16や搬送室20内において発生する汚染が保管室
22内に入り込むのを効果的に防止することができる。
またこの際、給気系46から保管室22までの経路途中
で発生する可能性のある微粒子までも完全に除去するた
めに、脱ガスのない素材で構成された微粒子除去用フィ
ルタ48を設けることもできる。
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 4, the clean air for storage is supplied to the front chamber 16 via the air supply system 32. As shown in FIG. The system 32 is omitted, and an opening 37 is provided that penetrates a partition 38 that separates the front chamber 16 from the transfer chamber 20 (storage space), and a part of the clean air for storage sent to the storage chamber 22 is transferred to the transfer chamber. It is also possible to adopt a configuration in which the fluid flows into the front chamber 16 through the space 20. According to such a configuration, the airflow of the storage clean air always flows from the storage room 22 to the front room 16 via the transfer room 20.
It is possible to effectively prevent contamination generated in the front room 16 and the transfer room 20 from entering the storage room 22.
At this time, in order to completely remove even particles that may be generated on the way from the air supply system 46 to the storage chamber 22, a particle removing filter 48 made of a material without degassing is provided. Can also.

【0039】図13には、本発明に係る清浄な資材用保
管庫のさらに別な実施例が示されている。この保管庫
は、図1〜図4に関連して説明した保管庫に加えて、保
管室22(または搬送室20、前室16)内の有機物汚
染の程度を評価するための評価装置100(200)が
設置されている。なお本明細書において、各図面間にお
いて同一の機能構成を有する構成部材については、同一
の番号を付することにより重複説明を省略している。
FIG. 13 shows still another embodiment of the clean material storage according to the present invention. This storage is an evaluation device 100 (for evaluating the degree of organic substance contamination in the storage room 22 (or the transfer room 20, the front room 16) in addition to the storage described with reference to FIGS. 200) is installed. In this specification, the same reference numerals are given to components having the same functional configuration in each drawing, and redundant description is omitted.

【0040】この評価装置100(200)は、図13
に示すように、周囲清浄空間(クリーンルーム)12
と、前室16、搬送室20、保管室22から成る保管空
間(第1の局所清浄空間)と隔離された、図14、図1
7に示すような第2の局所清浄空間を構成するチャンバ
102(202)を備えており、そのチャンバ102
(202)内に、保管室22内の保管用清浄空気雰囲気
を管路70を介して供給することが可能である。評価装
置100(200)による評価結果は制御器72に送ら
れ、制御器72は、その結果に応じて、保管用清浄空気
生成装置36(36’)に、例えば送気中断指令などを
出すことができる。あるいは、図20および図21に関
連して後述するようなバックアップ用の装置構成が採用
されている場合には、制御器72はバックアップ用装置
に対して所定の指令を出すことができる。なお、図13
に示す実施例では、評価装置100(200)に評価対
象となる雰囲気を導入する管路70を保管室22の排気
系50から分岐した管路として構成したが、図20およ
び図21に示すように、保管用清浄空気生成装置36
(36’)の給気系46から分岐するように管路71を
設ける構成とすることも可能である。
This evaluation device 100 (200)
As shown in the figure, the surrounding clean space (clean room) 12
14 and FIG. 1 which are isolated from a storage space (first local clean space) including the front room 16, the transfer room 20, and the storage room 22.
And a chamber 102 (202) constituting a second local cleaning space as shown in FIG.
In (202), it is possible to supply the clean air atmosphere for storage in the storage room 22 through the conduit 70. The evaluation result by the evaluation device 100 (200) is sent to the controller 72, and the controller 72 issues, for example, an air supply interruption command to the storage-use clean air generator 36 (36 ') according to the result. Can be. Alternatively, when a backup device configuration described later with reference to FIGS. 20 and 21 is employed, the controller 72 can issue a predetermined command to the backup device. Note that FIG.
In the embodiment shown in FIG. 20, the pipe 70 for introducing the atmosphere to be evaluated into the evaluation device 100 (200) is configured as a pipe branched from the exhaust system 50 of the storage room 22, but as shown in FIGS. In addition, the storage clean air generator 36
It is also possible to adopt a configuration in which the pipeline 71 is provided so as to branch off from the air supply system 46 of (36 ').

【0041】評価装置100(200)としては、保管
空間(前室、搬送室、保管室)16、20、22内の有
機物汚染の程度を評価できるものであれば良く、例え
ば、基板表面に付着した有機物量をX線光電子分光法
(XPS:X−ray Photoelectron
Spectroscopy)により測定する装置を使用
することができる。このX線光分子分光法(以下、XP
S法と称する。)は、高真空中で測定サンプルに軟X線
を照射して、サンプル表面から脱出する光電子のエネル
ギーと数をスペクトロメータで計測することにより、サ
ンプル表面に存在する元素を定性/定量分析するもので
ある。XPS法による極微量の表面有機物汚染量の評価
では、有機物汚染量は、表面から深さ数十オングストロ
ームの分析領域内における全原子数に対する炭素原子数
の割合、あるいは上記分析領域内に存在する既知の元素
の原子数に対する炭素原子数の比で表される。XPS法
の装置内チャンバに表面が絶縁性の基板を入れ、保管空
間の雰囲気に曝す。一定時間置きにチャンバを真空にし
て基板表面の有機物汚染量を評価する。この汚染量の経
時変化から保管空間の雰囲気の汚れ具合が判定できる。
さらに、かかる評価装置により、活性炭フィルタを用い
た場合に従来問題となっていたフィルタの交換時期が不
明確であるといった点を解決し、活性炭フィルタの劣化
を知ることができる。
The evaluation device 100 (200) may be any device that can evaluate the degree of organic contamination in the storage spaces (front room, transfer room, storage room) 16, 20, and 22. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS: X-ray Photoelectron)
Spectroscopy) can be used. This X-ray photomolecular spectroscopy (hereinafter referred to as XP
It is called S method. ) Is to qualitatively / quantitatively analyze the elements present on the sample surface by irradiating the measurement sample with soft X-rays in a high vacuum and measuring the energy and number of photoelectrons that escape from the sample surface with a spectrometer. It is. In the evaluation of the trace amount of surface organic matter contamination by the XPS method, the amount of organic matter contamination is determined by the ratio of the number of carbon atoms to the total number of atoms in the analysis region at a depth of several tens of angstroms from the surface, or the known amount existing in the analysis region. Is represented by the ratio of the number of carbon atoms to the number of atoms of the element. A substrate whose surface is insulated is put into a chamber in the apparatus of the XPS method and exposed to the atmosphere of the storage space. The chamber is evacuated at regular intervals to evaluate the amount of organic contaminants on the substrate surface. The degree of contamination of the atmosphere in the storage space can be determined from the change over time in the amount of contamination.
Further, by using such an evaluation device, it is possible to solve the problem that the replacement time of the filter, which has conventionally been a problem when the activated carbon filter is used, is unclear, and to know deterioration of the activated carbon filter.

【0042】上記のようなXPS法による評価装置は、
有機物汚染量を高精度に測定することができるので、保
管室内のガラス基板表面に有機物汚染を引き起こす雰囲
気を評価するために有効な手段であるが、高真空装置や
スペクトロメータが不可欠なために非常に高価である。
また、XPS法は、サンプル採取場所と分析場所が一致
した状態で測定を行う、いわゆるインライン分析には不
向きな分析方法である。そこで、図14〜図16に示す
ような表面が絶縁性の基板表面の表面抵抗率の変化を利
用した評価装置100、あるいは図17〜図19に示す
ような表面が絶縁性のまたは導電性の基板表面に滴下さ
れた液滴の接触角の変化を利用した評価装置200を使
用することにより、より廉価な構成で正確なインライン
分析を行うことができる。
The evaluation apparatus based on the XPS method as described above
It can measure the amount of organic contaminants with high accuracy, so it is an effective means to evaluate the atmosphere that causes organic contaminants on the glass substrate surface in the storage room.However, since high vacuum equipment and spectrometers are indispensable, it is very effective. Expensive.
Further, the XPS method is an analysis method that is not suitable for so-called in-line analysis, in which measurement is performed in a state where a sample collection place and an analysis place match. Therefore, an evaluation apparatus 100 using a change in the surface resistivity of the substrate surface having an insulating surface as shown in FIGS. 14 to 16 or an insulating or conductive surface as shown in FIGS. By using the evaluation device 200 utilizing the change in the contact angle of the droplet dropped on the substrate surface, accurate in-line analysis can be performed with a cheaper configuration.

【0043】まず、図14〜図16を参照しながら、表
面が絶縁性の基板表面の表面抵抗率の変化を利用した評
価装置100について説明する。
First, an evaluation apparatus 100 utilizing a change in the surface resistivity of a substrate having an insulating surface will be described with reference to FIGS.

【0044】図14に示すように、評価装置100は、
第1の局所空間および周囲清浄空間と隔離された隔離空
間102を備えている。この隔離空間102は、たとえ
ばアルミニウム製の隔壁で周囲と隔離されたチャンバと
して構成することができる。この隔離空間102の内部
に有機物を除去した清浄な表面104aを有するガラス
基板104が設置されている。なお、本実施例では、保
管室22内にガラス基板18が保管されるので、有機物
汚染の評価対象としてガラス基板104を使用したが、
保管室22内にシリコンウェハを保管するような場合に
は、有機物汚染の評価対象としてシリコンウェハを使用
することが好ましい。このように、保管庫内に保管され
る資材の表面の材料と同じ材料の表面を有する基板を評
価対象として使用することにより、より正確な有機物汚
染の評価を行うことが可能となる。さらに、評価装置に
おいて測定または観察する対象となる基板の洗浄後の放
置時間も、保管庫内に保管される清浄な資材の洗浄後の
放置時間と同じにすることが好ましい。なお、本実施例
では基板表面が絶縁性である必要があるので、シリコン
基板を使用する場合には、シリコン基板の表面に絶縁膜
が形成されている必要がある。
As shown in FIG. 14, the evaluation device 100
An isolation space 102 is provided which is isolated from the first local space and the surrounding clean space. The isolation space 102 can be configured as a chamber isolated from the surroundings by, for example, an aluminum partition. Inside the isolated space 102, a glass substrate 104 having a clean surface 104a from which organic substances have been removed is provided. In this embodiment, since the glass substrate 18 is stored in the storage room 22, the glass substrate 104 is used as an evaluation target of organic contamination.
When a silicon wafer is stored in the storage room 22, it is preferable to use the silicon wafer as an evaluation target of organic contamination. As described above, by using a substrate having the same material surface as the material of the material stored in the storage as an evaluation target, it is possible to perform more accurate evaluation of organic contamination. Further, it is preferable that the leaving time after the cleaning of the substrate to be measured or observed in the evaluation device is the same as the leaving time after the cleaning of the clean material stored in the storage. In this embodiment, since the surface of the substrate needs to be insulative, when a silicon substrate is used, an insulating film needs to be formed on the surface of the silicon substrate.

【0045】このガラス基板104には表面抵抗率測定
用の金属電極106が蒸着されている。図15(A)
(B)に、ガラス基板104に蒸着される金属電極10
6の概略を示す。図示のように、金属電極106は、ガ
ラス基板104の表面104aの略中心に直径D1の略
円形に蒸着された第1電極106aと、その第1電極1
06aと同心円状に配された内径D2の略円環状の第2
電極106bと、ガラス基板104の裏面104bに略
円形に蒸着された接地電極106cとから構成される。
これらの電極106はガラス基板104の表面104
a、bに導電性材料を直接蒸着させて構成することが可
能である。あるいは、これらの電極106はガラス基板
104の表面104a、bに、たとえばプラズマCVD
で絶縁膜を形成し、さらにその絶縁膜の表面に、たとえ
ばスパッタ装置で導電性材料を蒸着させて構成すること
も可能である。さらに第1および第2電極106a、1
06b間には、電源108および電流計110が直列に
接続されており、表面抵抗率計112(図中点線で囲っ
た部分)が構成されている。なお、図示の例では、基板
104及び隔離空間102の一部も含めて表面抵抗率計
112が構成されているように示されているが、これは
理解を容易にするためであり、ここに言う表面抵抗率計
112は、サンプル基板104の表面上の少なくとも2
点間の電気抵抗値を測定できるものであれば良く、各種
装置を使用することが可能である。また、本実施例にお
いては、サンプル基板104としてガラス基板を用いて
いるが、測定対象に応じてサンプル基板として別の基
板、例えば絶縁膜が形成されたシリコンウェハを使用し
て、そのサンプル基板表面に電極106を設置して、表
面抵抗率計112により表面抵抗率を測定することも可
能である。
On the glass substrate 104, a metal electrode 106 for measuring surface resistivity is deposited. FIG. 15 (A)
(B) shows a metal electrode 10 deposited on a glass substrate 104;
6 is shown schematically. As shown in the figure, the metal electrode 106 has a first electrode 106a deposited in a substantially circular shape having a diameter D1 substantially at the center of the surface 104a of the glass substrate 104, and the first electrode 106a.
06a and a substantially annular second diameter D2 concentrically arranged.
It is composed of an electrode 106b and a ground electrode 106c deposited in a substantially circular shape on the back surface 104b of the glass substrate 104.
These electrodes 106 correspond to the surface 104 of the glass substrate 104.
It is possible to constitute by directly depositing a conductive material on a and b. Alternatively, these electrodes 106 are formed on the surfaces 104a and 104b of the glass substrate 104, for example, by plasma CVD.
To form an insulating film, and furthermore, a conductive material is deposited on the surface of the insulating film by, for example, a sputtering apparatus. Further, the first and second electrodes 106a, 106a,
Between 06b, a power supply 108 and an ammeter 110 are connected in series, and a surface resistivity meter 112 (portion surrounded by a dotted line in the figure) is configured. In the illustrated example, the surface resistivity meter 112 is shown to be configured to include the substrate 104 and a part of the isolated space 102, but this is for the sake of easy understanding. Said surface resistivity meter 112 has at least two
Any device that can measure the electrical resistance between points can be used, and various devices can be used. Although a glass substrate is used as the sample substrate 104 in this embodiment, another substrate, for example, a silicon wafer on which an insulating film is formed is used as the sample substrate according to the measurement target, and the surface of the sample substrate is used. It is also possible to measure the surface resistivity by using the surface resistivity meter 112 with the electrode 106 installed at the bottom.

【0046】さらに、隔離空間102内には、給気バル
ブV1を介して湿度発生器114により調湿された加圧
精製空気を導入可能であり、給気バルブV2を介して酸
素ボンベ116より酸素を導入可能であり、さらに給気
バルブV3を介して評価対象雰囲気を導入可能である。
また隔離空間102には、湿度センサ118に連通する
排気バルブV4、排気ポンプ120に連通する排気バル
ブV5、エアポンプ122に連通する排気バルブV6が
それぞれ接続されている。また湿度センサ118により
検出される相対湿度は制御器124に送られ、制御器1
24は検出値に応じて湿度発生器114をフィードバッ
ク制御する。また、隔離空間102の上部には紫外線ラ
ンプ126が設置されており、ガラス基板104の表面
104aに紫外線を照射することができる。
Further, into the isolated space 102, pressurized purified air humidified by the humidity generator 114 can be introduced through the air supply valve V1, and oxygen is supplied from the oxygen cylinder 116 through the air supply valve V2. Can be introduced, and the atmosphere to be evaluated can be introduced via the air supply valve V3.
An exhaust valve V4 communicating with the humidity sensor 118, an exhaust valve V5 communicating with the exhaust pump 120, and an exhaust valve V6 communicating with the air pump 122 are connected to the isolated space 102, respectively. The relative humidity detected by the humidity sensor 118 is sent to the controller 124,
Numeral 24 performs feedback control of the humidity generator 114 according to the detected value. An ultraviolet lamp 126 is provided above the isolated space 102 so that the surface 104 a of the glass substrate 104 can be irradiated with ultraviolet light.

【0047】まず、洗浄直後のガラス基板の表面抵抗率
を測定するには、バルブV2、V5、V3、V6を閉じ
た状態で、バルブV1、V4を開き、所定の相対湿度に
制御された加圧調湿ガスを隔離空間102内に送り込
む。加圧調湿ガスは、加圧精製空気を湿度発生器114
に送気する方法、いわゆる分流法で得られる。隔離空間
102内が所定の一定の相対湿度に維持されるように、
調湿ガスの出口側に設置した湿度センサ118および制
御器124で湿度発生器114の分流量がフィードバッ
ク制御される。隔離空間102内が所定の相対湿度に達
した後、表面抵抗率測定用の電極106に電圧を印加
し、表面抵抗率計112により、清浄なガラス基板の初
期表面抵抗率(Rs)を測定する。
First, in order to measure the surface resistivity of the glass substrate immediately after cleaning, the valves V1 and V4 are opened while the valves V2, V5, V3 and V6 are closed, and the pressure is controlled to a predetermined relative humidity. The pressure controlled gas is sent into the isolation space 102. The pressurized humidified gas is supplied from the pressurized purified air to the humidity generator 114.
, A so-called split flow method. In order to maintain the inside of the isolated space 102 at a predetermined constant relative humidity,
The partial flow rate of the humidity generator 114 is feedback-controlled by the humidity sensor 118 and the controller 124 installed on the outlet side of the humidity control gas. After the inside of the isolated space 102 reaches a predetermined relative humidity, a voltage is applied to the electrode 106 for measuring the surface resistivity, and the initial surface resistivity (Rs i ) of the clean glass substrate is measured by the surface resistivity meter 112. I do.

【0048】次に、バルブV1、V4を閉じ、バルブV
3、V6を開け、エアポンプ122を作動し、隔離空間
102内に評価対象雰囲気の気体を吸引し、ガラス基板
104の表面104aを所定時間にわたり評価対象雰囲
気の気体で曝す。暴露終了とともに、バルブV3、V6
を閉じて、バルブV1、V4を開け、制御器124によ
り、再び隔離空間102内を所定の相対湿度(洗浄後の
基板の表面抵抗率を測定した時の相対湿度と実質的に同
一の相対湿度)雰囲気にし、表面抵抗率計112によ
り、表面抵抗率(Rs)を測定する。こうして、一定
時間ごとに表面抵抗率(Rs)の測定を繰り返すこと
で、清浄表面上の有機物汚染量の経時変化を追跡でき
る。
Next, the valves V1 and V4 are closed and the valve V
3. Open V6, operate the air pump 122, suck the gas in the atmosphere to be evaluated into the isolated space 102, and expose the surface 104a of the glass substrate 104 with the gas in the atmosphere to be evaluated for a predetermined time. At the end of exposure, valves V3 and V6
Is closed, the valves V1 and V4 are opened, and the controller 124 again controls the inside of the isolated space 102 to a predetermined relative humidity (relative humidity substantially the same as the relative humidity when the surface resistivity of the cleaned substrate is measured). ) to atmosphere, the surface resistivity meter 112, measuring the surface resistivity (Rs f). Thus, by repeating the measurement of the surface resistivity (Rs f) at regular intervals, you can track the time course of organic contaminants of the clean surface.

【0049】また、隔離空間102内にはUV(紫外
線)ランプ126が設けられており、一連の表面抵抗率
の経時変化測定が完了した後、バルブV1、V4、V
3、V6を閉じて、バルブV2、V5を開いて、酸素ボ
ンベ116から加圧酸素ガスを隔離空間102内に送気
するとともに、ガラス基板104の表面104aにUV
光を照射して、表面104aに付着した有機物を分解除
去する、いわゆる紫外線/オゾン洗浄が施される。紫外
線/オゾン洗浄後、バルブV2を閉じ、バルブV5を開
けたままで、バルブV1を開いて、洗浄の際に隔離空間
102内部で発生したオゾンガスを排気ポンプ120で
外部に排出しながら、隔離空間102内部を精製空気で
置換する。こうして、次の清浄ガラス基板の表面抵抗率
の経時変化測定に備える。
A UV (ultraviolet) lamp 126 is provided in the isolated space 102, and after a series of time-dependent changes in surface resistivity are measured, the valves V1, V4, V
3, V6 is closed, valves V2 and V5 are opened, and pressurized oxygen gas is sent from the oxygen cylinder 116 into the isolated space 102, and UV light is applied to the surface 104a of the glass substrate 104.
The so-called ultraviolet / ozone cleaning is performed by irradiating light to decompose and remove organic substances attached to the surface 104a. After the ultraviolet / ozone cleaning, the valve V2 is closed, the valve V1 is opened while the valve V5 is opened, and the ozone gas generated in the isolated space 102 during the cleaning is discharged to the outside by the exhaust pump 120 while the isolated space 102 is opened. Replace the inside with purified air. In this way, preparations are made for the next measurement of the change with time in the surface resistivity of the clean glass substrate.

【0050】また、XPS法で測定したガラス基板表面
の有機物付着量(炭素/ケイ素比)と一定の相対湿度雰
囲気中で測定した表面抵抗率の増加率(Rs/Rs
の間には、図16に示すような関係があることがわかっ
た。図示のように、有機物付着量の増加に対応して表面
抵抗率も増加しており、この関係を利用すれば、表面抵
抗率の増加量の測定値をガラス基板表面の有機物付着量
に換算することができる。たとえば、ガラス基板に一定
時間だけ種々の評価対象雰囲気を暴露したときの表面抵
抗率の増加割合によって、異なるさまざまな雰囲気が表
面有機物汚染源として寄与する程度を比較することがで
きる。あるいは、ガラス基板が保管されているある特定
の雰囲気中に置かれた同一ガラス基板の表面抵抗率測定
を一定時間間隔で繰り返すことによって、その雰囲気由
来のガラス基板の表面の有機物汚染量が許容値以下に保
たれているかどうかを常時監視することが可能となる。
[0050] Also, organic substances adhering amount of the glass substrate surface was measured by XPS method (carbon / silicon ratio) and increasing rate of the surface resistivity measured in constant relative humidity atmosphere (Rs f / Rs i)
It has been found that there is a relationship as shown in FIG. As shown in the figure, the surface resistivity also increases in response to the increase in the amount of organic substances attached, and by using this relationship, the measured value of the increase in the surface resistivity is converted to the amount of organic substances attached to the glass substrate surface. be able to. For example, the degree to which various different atmospheres contribute as surface organic contamination sources can be compared based on the rate of increase in surface resistivity when various evaluation target atmospheres are exposed to a glass substrate for a certain period of time. Alternatively, by repeating the surface resistivity measurement of the same glass substrate placed in a specific atmosphere in which the glass substrate is stored at regular time intervals, the amount of organic contamination on the surface of the glass substrate derived from the atmosphere is set to an allowable value. It is possible to constantly monitor whether the following is maintained.

【0051】次に、図17〜図19を参照しながら、基
板表面に滴下された液滴の接触角の変化を利用した評価
装置200について説明する。
Next, an evaluation apparatus 200 utilizing a change in the contact angle of a droplet dropped on the substrate surface will be described with reference to FIGS.

【0052】図17に示すように、評価装置200は、
第1の局所空間および周囲清浄空間と隔離された隔離空
間202を備えている。この隔離空間202は、たとえ
ば周囲とアルミニウム製の隔壁により隔離されたチャン
バとして構成することができる。この隔離空間202内
部にはステージ204が設置されており、図18に示す
ように、そのステージ204上に有機物を除去した清浄
な表面206aを有するガラス基板206が搭載されて
いる。ガラス基板206上部には、ガラス表面206a
に超純水の液滴207を滴下するためのシリンジ208
が設けられている。また、図18に示すように、シリン
ジ208から滴下される液滴207のガラス基板206
上の滴下位置を自在に変えられるよう、ステージ204
には基板206を水平面内で回転したり平行に移動した
りできる移動機構(不図示)が設けられている。なお、
本実施例では、保管室22内にガラス基板18が保管さ
れるので、有機物汚染の評価対象としてガラス基板20
6を使用したが、保管室22内にシリコンウェハを保管
するような場合には、有機物汚染の評価対象としてシリ
コンウェハを使用することが好ましい。このように、保
管庫内に保管される資材の表面の材料と同じ材料の表面
を有する基板を評価対象として使用することにより、よ
り正確な有機物汚染の評価を行うことが可能となる。な
お、本実施例では図14の実施例と異なり、基板表面が
絶縁性である必要はないので、シリコン基板もそのまま
使用できる。
As shown in FIG. 17, the evaluation device 200
An isolation space 202 is provided which is isolated from the first local space and the surrounding clean space. The isolation space 202 can be configured as a chamber which is isolated from the periphery by a partition made of aluminum, for example. A stage 204 is provided inside the isolated space 202. As shown in FIG. 18, a glass substrate 206 having a clean surface 206a from which organic substances have been removed is mounted on the stage 204. On the glass substrate 206, a glass surface 206a
Syringe 208 for dropping ultrapure water droplet 207
Is provided. As shown in FIG. 18, the glass substrate 206 of the droplet 207 dropped from the syringe 208 is used.
The stage 204 is arranged so that the drop position on the top can be freely changed.
Is provided with a moving mechanism (not shown) that can rotate and move the substrate 206 in a horizontal plane in parallel. In addition,
In this embodiment, since the glass substrate 18 is stored in the storage room 22, the glass substrate 20 is evaluated as an organic contamination evaluation target.
Although 6 was used, when a silicon wafer is stored in the storage room 22, it is preferable to use a silicon wafer as an evaluation target of organic contamination. As described above, by using a substrate having the same material surface as the material of the material stored in the storage as an evaluation target, it is possible to perform more accurate evaluation of organic contamination. In this embodiment, unlike the embodiment of FIG. 14, the substrate surface does not need to be insulative, so that a silicon substrate can be used as it is.

【0053】さらに、隔離空間202の側壁には測定用
窓210a、210bが設けられている。測定用窓21
0aの外側には基板206に滴下された液滴207を照
明する光源212が設けられ、測定用窓210bの外側
には液滴207の像を拡大して観察するための顕微鏡や
拡大鏡などの像拡大手段214が設けられている。従っ
て、図18に示すような、ガラス基板206上に滴下さ
れた液滴207を、光源212からの照明光に曝し、拡
大鏡214でその接触角αを測定することができる。な
お、この液滴の接触角の変化により有機物汚染の程度を
評価をする方法は、次のような原理を利用したものであ
る。有機物汚染のない酸化膜付きシリコンウェハやガラ
ス基板の表面は水に馴染みやすい性質、つまり親水性で
あり、接触角は小さい。ところが、有機物で汚染された
場合には基板の表面は水をはじく性質、つまり疎水性に
変化し、接触角が大きくなる。従って、図17に示す装
置により接触角の変化を経時的に観察することにより有
機物汚染の程度を評価することができる。
Further, measurement windows 210a and 210b are provided on the side wall of the isolated space 202. Measurement window 21
A light source 212 for illuminating the droplet 207 dropped on the substrate 206 is provided outside the substrate 0a, and a microscope or a magnifying glass for magnifying and observing the image of the droplet 207 outside the measurement window 210b. An image enlarging means 214 is provided. Therefore, the droplet 207 dropped on the glass substrate 206 as shown in FIG. 18 can be exposed to illumination light from the light source 212, and the contact angle α can be measured by the magnifying mirror 214. The method of evaluating the degree of organic substance contamination based on the change in the contact angle of the droplet uses the following principle. The surface of a silicon wafer or glass substrate with an oxide film free of organic contamination is easily water-compatible, that is, hydrophilic, and has a small contact angle. However, when the substrate is contaminated with an organic substance, the surface of the substrate changes to a property of repelling water, that is, becomes hydrophobic, and the contact angle increases. Therefore, the degree of organic contamination can be evaluated by observing the change in the contact angle over time with the apparatus shown in FIG.

【0054】また隔離空間202には、給気バルブV1
1を介してボンベ214より少なくとも酸素を含む洗浄
ガスを導入することが可能であるとともに、給気バルブ
V12を介して評価用気体を導入することが可能であ
る。さらに隔離空間202には、洗浄ガスを排気するよ
うに導入・排気ポンプ216に連通する排気バルブV1
3が接続され、また評価用ガスを排気するようにエアポ
ンプ218に連通する排気バルブV14が接続されてい
る。また、隔離空間202の上部には、基板洗浄時に基
板206の表面206aに紫外線を照射するための紫外
線ランプ220が設置されている。
In the isolated space 202, an air supply valve V1 is provided.
It is possible to introduce a cleaning gas containing at least oxygen from the cylinder 214 via the gas supply line 1 and to introduce an evaluation gas via the air supply valve V12. Further, the isolated space 202 is provided with an exhaust valve V1 communicating with the introduction / exhaust pump 216 so as to exhaust the cleaning gas.
3 is connected, and an exhaust valve V14 communicating with the air pump 218 is connected so as to exhaust the evaluation gas. An ultraviolet lamp 220 for irradiating the surface 206a of the substrate 206 with ultraviolet light at the time of cleaning the substrate is provided above the isolated space 202.

【0055】次に、上記評価装置を用いて、基板表面の
有機物汚染を評価する方法について説明する。まず、洗
浄直後の清浄基板の接触角を拡大鏡214により測定す
る。その後、バルブV11とバルブV13を閉じ、バル
ブV12とバルブ14の両方を開いて、評価対象となる
雰囲気の気体を隔離空間202内にエアポンプ218で
送気する。所定時間にわたり基板206の表面206a
を評価雰囲気に曝した後、ステージ204を駆動して、
隔離空間202内の基板206を水平面内で移動する。
なお、この実施例では、ステージ204を駆動するよう
に構成しているが、シリンジ208を水平面内を自在に
移動可能に構成し、基板206(ステージ204)を静
止したままシリンジ208の方を移動してもよい。つま
り、1回の接触角測定が終わる度に、ステージ204ま
たはシリンジ208を回転または水平方向に移動して、
液滴がまだ滴下されていない位置に液滴を滴下して再度
接触角を測定する。こうして、一定時間ごとに接触角の
測定を繰り返すことで、清浄表面上の有機物汚染量の経
時変化を追跡できる。
Next, a method for evaluating organic contamination on the substrate surface using the above-described evaluation apparatus will be described. First, the contact angle of the clean substrate immediately after the cleaning is measured by the magnifying glass 214. After that, the valves V11 and V13 are closed, and both the valves V12 and V14 are opened, and the gas of the atmosphere to be evaluated is sent into the isolated space 202 by the air pump 218. The surface 206a of the substrate 206 for a predetermined time
After exposing to the evaluation atmosphere, the stage 204 is driven,
The substrate 206 in the isolation space 202 is moved in a horizontal plane.
In this embodiment, the stage 204 is configured to be driven. However, the syringe 208 is configured to be freely movable in a horizontal plane, and the syringe 208 is moved while the substrate 206 (stage 204) is stationary. May be. In other words, each time one contact angle measurement is completed, the stage 204 or the syringe 208 is rotated or moved in the horizontal direction,
The droplet is dropped at a position where the droplet has not been dropped yet, and the contact angle is measured again. By repeating the measurement of the contact angle at regular intervals in this manner, it is possible to track the change over time in the amount of organic contaminants on the clean surface.

【0056】また、一連の接触角の経時変化測定が完了
後、バルブV12とバルブV14の両方を閉じて、バル
ブV11とバルブV13の両方を開いて、ボンベ214
から少なくとも酸素を含む洗浄ガスを隔離空間202内
に送気し、さらに紫外線ランプ220によりガラス基板
206の表面206aに紫外線を照射して、表面206
aに付着した有機物を分解除去する、いわゆる紫外線/
オゾン洗浄を施す。紫外線/オゾン洗浄後、バルブV1
1を閉じ、バルブV13は開いたままで、バルブV12
を開いて、洗浄の際に隔離空間202内部で発生したオ
ゾンガスを排気ポンプ216で外部に排出しながら、隔
離空間202内部を評価対象となる雰囲気の気体で置換
する。こうしてつぎの清浄ガラス基板の接触角の経時変
化測定に備える。
After a series of measurement of the change of the contact angle with time is completed, both the valve V12 and the valve V14 are closed, and both the valve V11 and the valve V13 are opened.
A cleaning gas containing at least oxygen is supplied into the isolated space 202 from the surface of the glass substrate 206.
so-called ultraviolet rays that decompose and remove organic substances attached to
Perform ozone cleaning. After UV / ozone cleaning, valve V1
1 is closed, valve V13 remains open, and valve V12 is closed.
Is opened, and the inside of the isolated space 202 is replaced with a gas of an atmosphere to be evaluated while the ozone gas generated in the isolated space 202 at the time of cleaning is exhausted to the outside by the exhaust pump 216. In this way, preparation is made for the measurement of the change with time of the contact angle of the next clean glass substrate.

【0057】図19に、有機物付着量(炭素/ケイ素
比)と接触角との関係を示す。図示のように、有機物付
着量(炭素/ケイ素比)の増加に対応して接触角も増加
しており、この関係を利用すれば、接触角の測定値をガ
ラス基板表面の有機物付着量に換算できる。たとえば、
ガラス基板に一定時間だけ種々の評価対象雰囲気を暴露
したときの接触角の増加割合によって、異なるさまざま
な雰囲気が表面有機物汚染源として寄与する程度を比較
することができる。あるいは、ガラス基板が保管されて
いるある特定の雰囲気中に置かれた同一ガラス基板の接
触角測定を一定時間間隔で繰り返すことによって、その
雰囲気由来のガラス基板の表面有機物汚染量が許容値以
下に保たれているかどうかを常時監視することが可能と
なる。
FIG. 19 shows the relationship between the amount of organic matter attached (carbon / silicon ratio) and the contact angle. As shown in the figure, the contact angle increases in accordance with the increase in the amount of the organic substance (carbon / silicon ratio). By utilizing this relationship, the measured value of the contact angle is converted into the amount of the organic substance on the surface of the glass substrate. it can. For example,
The degree to which the various atmospheres contribute as a surface organic contamination source can be compared based on the increase rate of the contact angle when the glass substrate is exposed to various evaluation target atmospheres for a certain period of time. Alternatively, by repeating the contact angle measurement of the same glass substrate placed in a specific atmosphere in which the glass substrate is stored at regular time intervals, the amount of surface organic contamination of the glass substrate from the atmosphere is reduced to an allowable value or less. It is possible to constantly monitor whether or not it is kept.

【0058】さて、図1〜図4に示す保管庫10(1
0’)において、触媒燃焼法による保管用清浄空気生成
装置36が正常に稼働中の場合や、保管用清浄空気生成
装置36’の活性炭の吸着性能が使用に耐え得る範囲内
であれば、図14に示す評価装置100により測定され
た基板の表面抵抗率の増加は1日当たり数%に抑えら
れ、あるいは図17に示す評価装置200により測定さ
れた基板の表面に滴下された液滴の接触角の増加は1日
当たり数度に抑えられる。しかしながら、評価装置10
0、200により経時的に測定された表面抵抗率の増
加、あるいは接触角の増加が上記範囲を超えるような場
合には(例えば、1日当たりの表面抵抗率の増加率の変
化が数10%になった場合や、1日当たりの接触角の増
加が数10度になった場合)、保管用清浄空気生成装置
36に何らかの異常が生じたり、あるいは保管用清浄空
気生成装置36’の活性炭が破過に達し、処理空気中の
有機物ガスを十分に除去できなくなり、保管空間内に有
機物汚染が生じたものと判断できる。かかる場合には、
保管中の清浄な資材を直ちに取り出して、再度洗浄し直
し、改めて保管する必要がある。そして、図13の制御
器72は、保管用清浄空気生成装置36(36’)に対
して送気の中止などの所定の指令を送り、保管用清浄空
気生成装置36(36’)の修理を行うか、または活性
炭フィルタを交換することができる。あるいは、図2
0、21に示すようなバックアップ機構が設けられてい
る場合には、制御器72は、稼働中の保管用清浄空気生
成装置をバックアップ機構に切り換えることができる。
Now, the storage 10 (1) shown in FIGS.
0 ′), if the storage clean air generator 36 by the catalytic combustion method is operating normally, or if the activated carbon adsorption performance of the storage clean air generator 36 ′ is within the range that can withstand use, FIG. The increase in the surface resistivity of the substrate measured by the evaluation device 100 shown in FIG. 14 is suppressed to several percent per day, or the contact angle of the droplet dropped on the surface of the substrate measured by the evaluation device 200 shown in FIG. Is limited to a few degrees per day. However, the evaluation device 10
When the increase in the surface resistivity measured over time according to 0 or 200 or the increase in the contact angle exceeds the above range (for example, the change in the increase rate of the surface resistivity per day is several tens%) Or the contact angle per day increases to several tens of degrees), some abnormality occurs in the storage clean air generator 36, or the activated carbon in the storage clean air generator 36 'breaks through. , The organic gas in the processing air cannot be sufficiently removed, and it can be determined that organic matter contamination has occurred in the storage space. In such cases,
It is necessary to immediately remove the clean material in storage, wash it again, and store it again. Then, the controller 72 in FIG. 13 sends a predetermined command such as a stop of air supply to the storage clean air generator 36 (36 ′), and repairs the storage clean air generator 36 (36 ′). Or replace the activated carbon filter. Alternatively, FIG.
If a backup mechanism as shown at 0 or 21 is provided, the controller 72 can switch the active storage clean air generator to the backup mechanism.

【0059】バックアップ機構としては、例えば図20
に示すような機構302を採用することができる。この
バックアップ機構302においては、保管用清浄空気生
成装置36が独立に制御可能な2系統の第1および第2
保管用清浄空気生成装置36a、36bから構成されて
いる。そして、保管庫10への給気系46から分岐した
管路71により保管庫10に送気される保管用清浄空気
の一部が評価装置100(200)に送られ、そこで有
機物汚染の程度が経時的に観察される。例えば、第1の
保管用清浄空気生成装置36aから保管用清浄空気が供
給されている時(すなわち、バルブ78が開放しバルブ
80が閉止している)、評価装置100(200)にお
いて有機物汚染が発生したと評価された場合には、制御
器72は、バルブ78を閉止しバルブ80を開放するこ
とにより、保管用清浄空気の供給源を第2の保管用清浄
空気生成装置36bに切り換えることができる。そし
て、異常が発生した第1の保管用清浄空気生成装置36
aの活性炭フィルタを交換することができる。
As the backup mechanism, for example, FIG.
The mechanism 302 shown in FIG. In the backup mechanism 302, the clean air generating apparatus for storage 36 has two first and second systems that can be independently controlled.
It is composed of storage clean air generators 36a and 36b. Then, a part of the clean air for storage sent to the storage 10 through the pipe 71 branched from the air supply system 46 to the storage 10 is sent to the evaluation device 100 (200), where the degree of the organic matter contamination is reduced. Observed over time. For example, when the storage clean air is supplied from the first storage clean air generator 36a (that is, the valve 78 is open and the valve 80 is closed), the organic contamination in the evaluation device 100 (200) is reduced. If so, controller 72 may switch the supply of storage clean air to second storage clean air generator 36b by closing valve 78 and opening valve 80. it can. Then, the first storage clean air generator 36 in which the abnormality has occurred
The activated carbon filter of a can be replaced.

【0060】図21には、バックアップ機構の別の実施
例が示されている。このバックアップ機構304は、図
20に示す第2の保管用清浄空気生成装置の代わりに不
活性ガス供給源82が給気系46に接続されている。従
って、評価装置100(200)により異常が発生した
と評価された場合には、制御器72は保管用清浄空気生
成装置36に連通するバルブ84を閉止し、不活性ガス
供給源82に連通するバルブ86を開放し、保管用清浄
空気生成装置36の修理が完了するまでの臨時措置とし
て、保管庫10に不活性ガスを供給することができる。
FIG. 21 shows another embodiment of the backup mechanism. In this backup mechanism 304, an inert gas supply source 82 is connected to the air supply system 46 instead of the second storage clean air generator shown in FIG. Therefore, when the evaluation device 100 (200) evaluates that an abnormality has occurred, the controller 72 closes the valve 84 communicating with the storage-use clean air generating device 36 and communicates with the inert gas supply source 82. An inert gas can be supplied to the storage 10 as a temporary measure until the valve 86 is opened and the repair of the storage clean air generator 36 is completed.

【0061】以上、本発明をLCD基板用の保管庫に適
用した実施例に即して説明したが、本発明はかかる実施
例に限定されず、当業者であれば特許請求の範囲に記載
された技術的思想の範疇において様々な変更及び修正を
行うことが可能であり、それらについても本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
Although the present invention has been described with reference to the embodiment in which the present invention is applied to a storage for an LCD substrate, the present invention is not limited to such an embodiment, and those skilled in the art will refer to the claims. Various changes and modifications can be made within the scope of the technical idea described above, and it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention.

【0062】例えば、本発明は、本実施例に示したLC
D基板用の保管庫のみならず半導体ウェハ用の保管庫に
対しても適用可能である。また基板をキャリアに収納
し、そのキャリア単位で保管する場合のみならず、基板
を直接保管する保管庫に対しても当然に適用することが
できる。また、本発明によれば、図5に示す触媒燃焼法
を利用した保管用清浄空気生成装置に限らず、メタンを
含む炭化水素類の総濃度が10ppb以下に制御できる
ような装置であれば、各種装置を使用することが可能で
ある。また、本発明によれば、図6〜10に示す活性炭
フィルタを利用した保管用清浄空気生成装置、あるいは
図11に示す活性炭濾材を使用した流動層吸着塔を利用
した保管用清浄空気生成装置に限らず、清浄な資材表面
の純水滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同
等な状態に保持できるように制御できるような装置であ
れば、各種装置を使用することが可能である。
For example, the present invention relates to the LC shown in this embodiment.
The present invention is applicable not only to the storage for the D substrate but also to the storage for the semiconductor wafer. Further, the present invention can be naturally applied not only to the case where the substrates are stored in a carrier and stored in the carrier unit, but also to the storage for directly storing the substrates. Further, according to the present invention, not only the storage clean air generator using the catalytic combustion method shown in FIG. 5 but also an apparatus capable of controlling the total concentration of hydrocarbons including methane to 10 ppb or less, Various devices can be used. Further, according to the present invention, the storage clean air generator using the activated carbon filter shown in FIGS. 6 to 10 or the storage clean air generator using the fluidized bed adsorption tower using the activated carbon filter medium shown in FIG. Not limited thereto, various devices can be used as long as the device can be controlled so that the contact angle of pure water drop or the surface resistivity on the surface of the clean material can be maintained to be substantially the same as that immediately after cleaning.

【0063】また、保管空間の基板表面の有機物汚染の
程度を直接評価する評価装置として、図14および図1
7に示すような評価装置に限定されず基板表面の有機物
汚染を間接的に測定可能な各種センサを使用することが
できる。例えば、空気中の有機物量を測定するセンサを
用いて間接的に基板表面の有機物汚染を推定して評価す
るように構成することもできる。さらにまた図示の例で
はクリーンルーム内に保管庫を設けた構成を示したが、
本発明にかかる保管庫はクリーンルームなどの周囲清浄
空間と隔離された状態に保持されれば良く、クリーンル
ームの外部に設置することも可能である。
FIGS. 14 and 1 show an evaluation device for directly evaluating the degree of organic substance contamination on the substrate surface in the storage space.
The sensor is not limited to the evaluation apparatus shown in FIG. 7, and various sensors capable of indirectly measuring organic contamination on the substrate surface can be used. For example, it is also possible to adopt a configuration in which an organic substance contamination on the substrate surface is indirectly estimated and evaluated using a sensor for measuring the amount of organic substances in the air. Furthermore, in the illustrated example, the configuration in which the storage is provided in the clean room is shown,
The storage according to the present invention only needs to be kept in a state of being isolated from a surrounding clean space such as a clean room, and can be installed outside the clean room.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
清浄な資材を保管する第1の局所清浄空間内にメタンを
含む炭化水素類の総濃度が10ppb以下に制御された
保管用清浄空気が充填されるので、基板表面の有機物汚
染を効果的に防止することが可能である。その際に、不
活性ガスを使用しないので、安全にかつ廉価なランニン
グコストで保管庫を稼働させることができる。
As described above, according to the present invention,
The first local clean space for storing clean materials is filled with clean air for storage in which the total concentration of hydrocarbons including methane is controlled to 10 ppb or less, thereby effectively preventing organic contamination on the substrate surface. It is possible to At this time, since no inert gas is used, the storage can be operated safely and at low cost.

【0065】さらに本発明によれば、清浄な資材を保管
する第1の局所清浄空間内に、例えば触媒反応塔や活性
炭フィルタや流動層吸着塔より、清浄な資材表面の純水
滴下接触角または表面抵抗率が洗浄直後とほぼ同等な状
態に保持できるように制御された保管用清浄空気が充満
されるので、基板表面の有機物汚染を効果的に防止する
ことが可能である。その際に、不活性ガスなどを使用し
ないので、安全にかつ廉価なイニシャルコストで保管庫
を稼働させることができる。また触媒反応塔や活性炭フ
ィルタや流動層吸着塔などの清浄空気生成手段の下流側
に自身から脱ガスのない微粒子除去手段を設け、生成し
た清浄空気中の微粒子や不純物ガスを極力低減すること
も可能である。
Further, according to the present invention, the contact angle of pure water drop on the surface of a clean material, for example, from a catalytic reaction tower, an activated carbon filter, or a fluidized bed adsorption tower is set in a first local clean space for storing a clean material. Since the storage clean air is controlled so that the surface resistivity can be maintained substantially equal to that immediately after the cleaning, organic contamination on the substrate surface can be effectively prevented. At this time, since no inert gas or the like is used, the storage can be operated safely and at low initial cost. In addition, it is also possible to provide fine particle removing means without degassing from itself on the downstream side of clean air generating means such as catalytic reaction tower, activated carbon filter, fluidized bed adsorption tower, etc., to minimize the fine particles and impurity gas in the generated clean air. It is possible.

【0066】さらに、第1の局所清浄空間が、清浄な資
材を保管する保管空間とバッファ空間とに区画されてお
り、資材の搬入搬出時に周囲清浄空間の雰囲気由来の有
機物が保管空間内に混入することを防止できるので、頻
繁に搬入搬出を繰り返す半製品の清浄な資材を保管する
に適した保管庫を構築することができる。
Further, the first local clean space is divided into a storage space for storing clean materials and a buffer space, and organic matter derived from the atmosphere of the surrounding clean space is mixed into the storage space when the materials are carried in and out. Therefore, it is possible to construct a storage suitable for storing semi-finished clean materials that are frequently loaded and unloaded.

【0067】さらに、第2の局所清浄空間内において、
評価装置により、清浄な資材が保管される第1の局所清
浄空間内の保管用清浄空気による有機物表面汚染の程度
を経時的に観察すれば、第1の局所清浄空間内の有機物
汚染が進展し、保管される資材が有機物により汚染さ
れ、製品の歩留まりが低下する前に、有機物汚染対策を
講じることが可能となる。
Further, in the second local clean space,
By observing the degree of organic surface contamination by the clean air for storage in the first local cleaning space where the clean materials are stored by the evaluation device over time, the organic contamination in the first local cleaning space progresses. In addition, before the stored material is contaminated with organic matter and the yield of products is reduced, it is possible to take measures for organic matter contamination.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る清浄な資材用保管庫の一実施例の
概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of an embodiment of a clean material storage according to the present invention.

【図2】図1に示す清浄な資材用保管庫をA方向から見
た側面図である。
FIG. 2 is a side view of the clean material storage shown in FIG.

【図3】図1に示す清浄な資材用保管庫をB方向から見
た側面図である。
FIG. 3 is a side view of the clean material storage shown in FIG.

【図4】本発明に係る清浄な資材用保管庫の別の実施例
の概略平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view of another embodiment of the clean material storage according to the present invention.

【図5】図1に示す清浄な資材用保管庫に適用可能な保
管用清浄空気生成装置の一例を示す構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing an example of a storage clean air generation device applicable to the clean material storage shown in FIG. 1;

【図6】図1に示す清浄な資材用保管庫に適用可能な保
管用清浄空気生成装置の一例を示す構成図である。
6 is a configuration diagram showing an example of a storage clean air generation device applicable to the clean material storage shown in FIG. 1;

【図7】図6に示す保管用清浄空気生成装置に適用可能
な濾過フィルタの一例を示す概略的な分解組立図であ
る。
FIG. 7 is a schematic exploded view showing an example of a filtration filter applicable to the storage clean air generating apparatus shown in FIG. 6;

【図8】図8(a)は、図7に示す濾過フィルタの組立
後の概略的な斜視図であり、図8(b)は、図7に示す
濾過フィルタに使用される金属枠の概略を示す斜視図で
ある。
8 (a) is a schematic perspective view after assembling the filter shown in FIG. 7, and FIG. 8 (b) is a schematic view of a metal frame used for the filter shown in FIG. 7; FIG.

【図9】図6に示す保管用清浄空気生成装置に適用可能
な濾過フィルタの別の例を示す概略的な分解組立図であ
る。
FIG. 9 is a schematic exploded view showing another example of a filtration filter applicable to the storage clean air generation device shown in FIG. 6;

【図10】図6に示す保管用清浄空気生成装置に適用可
能な濾過フィルタの別の例を示す概略的な構成図であ
る。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing another example of a filtration filter applicable to the storage clean air generation device shown in FIG.

【図11】図1に示す清浄な資材用保管庫に適用可能な
保管用清浄空気生成装置の別の例を示す構成図である。
11 is a configuration diagram showing another example of the storage clean air generation device applicable to the clean material storage shown in FIG. 1. FIG.

【図12】本発明に係る清浄な資材用保管庫の別の実施
例の概略平面図である。
FIG. 12 is a schematic plan view of another embodiment of a clean material storage according to the present invention.

【図13】本発明に係る清浄な資材用保管庫のさらに別
の実施例の概略平面図である。
FIG. 13 is a schematic plan view of still another embodiment of the clean material storage according to the present invention.

【図14】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
な評価装置の一実施例を示す概略的な構成図である。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an evaluation device applicable to a clean material storage according to the present invention.

【図15】図14の評価装置に適用可能な基板に形成さ
れる電極の構成を示す平面図であり、(A)はその表面
の様子を示し、(B)その裏面の様子を示している。
15A and 15B are plan views showing a configuration of an electrode formed on a substrate applicable to the evaluation apparatus of FIG. 14, wherein FIG. 15A shows a state of a front surface thereof, and FIG. 15B shows a state of a rear surface thereof. .

【図16】ガラス基板の表面に対する有機物付着量(炭
素/ケイ素比)と表面抵抗率の増加率の関係を示すグラ
フである。
FIG. 16 is a graph showing the relationship between the amount of organic substances attached to the surface of a glass substrate (carbon / silicon ratio) and the rate of increase in surface resistivity.

【図17】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
な評価装置の別な実施例を示す概略的な構成図である。
FIG. 17 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the evaluation device applicable to the clean material storage according to the present invention.

【図18】基板表面に滴下された液滴と接触角との関係
を示す説明図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing a relationship between a droplet dropped on a substrate surface and a contact angle.

【図19】ガラス基板の表面に対する有機物付着量(炭
素/ケイ素比)と接触角との関係を示すグラフである。
FIG. 19 is a graph showing the relationship between the amount of organic substances attached to the surface of a glass substrate (carbon / silicon ratio) and the contact angle.

【図20】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
なバックアップ機構の一実施例を示す概略的な構成図で
ある。
FIG. 20 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a backup mechanism applicable to a clean material storage according to the present invention.

【図21】本発明に係る清浄な資材用保管庫に適用可能
なバックアップ機構の別の実施例を示す概略的な構成図
である。
FIG. 21 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of a backup mechanism applicable to a clean material storage according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 保管空間(第1の局所清浄空間) 12 クリーンルーム(周囲清浄空間) 14 隔壁 16 前室(バッファ空間) 18 LCD基板 20 搬送室 22 保管室 26 キャリア 32 給気系 34 排気系 36 保管用清浄空気生成装置 38 隔壁 42 ストッカ 46 給気系 50 排気系 72 制御器 100 評価装置 200 評価装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Storage space (1st local clean space) 12 Clean room (surrounding clean space) 14 Partition wall 16 Front room (buffer space) 18 LCD board 20 Transport room 22 Storage room 26 Carrier 32 Air supply system 34 Exhaust system 36 Clean air for storage Generator 38 Partition wall 42 Stocker 46 Air supply system 50 Exhaust system 72 Controller 100 Evaluation device 200 Evaluation device

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Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の清浄度に保持された周囲清浄空間
内に、その周囲清浄空間と隔離された状態で設置された
第1の局所清浄空間として構成された、清浄な資材用保
管庫において、 メタンを含む炭化水素類の総濃度が10ppb以下に制
御されかつ微粒子を含まない第2の清浄度に保持された
保管用清浄空気を生成する保管用清浄空気生成手段と、 前記第1の局所清浄空間内の保管空間に前記保管用清浄
空気を供給する送気手段とを備えたことを特徴とする、
清浄な資材用保管庫。
1. A clean material storage configured as a first local clean space installed in a peripheral clean space maintained at a first cleanliness level and separated from the peripheral clean space. A storage clean air generating means for controlling the total concentration of hydrocarbons including methane to be 10 ppb or less and generating storage clean air that is maintained at a second cleanliness level that does not contain fine particles; Air supply means for supplying the storage clean air to the storage space in the local clean space,
Storage room for clean materials.
【請求項2】 前記第1の局所清浄空間は、前記保管空
間とその保管空間と前記周囲清浄空間との間に介装され
るバッファ空間とから成り、前記送気手段は、前記保管
用清浄空気の空気流を前記保管空間から前記バッファ空
間に送るものであることを特徴とする、請求項1に記載
の清浄な資材用保管庫。
2. The first local cleaning space includes the storage space and a buffer space interposed between the storage space and the surrounding cleaning space, and the air supply unit includes the storage cleaning space. The storage room for clean materials according to claim 1, wherein an air flow of air is sent from the storage space to the buffer space.
【請求項3】 前記第1の局所清浄空間および前記周囲
清浄空間と隔離された第2の局所清浄空間を備えた評価
装置が設置され、ガス導入手段を介してその第2の局所
清浄空間内に前記第1の局所清浄空間内の前記保管用清
浄空気が導入されて、前記第1の局所清浄空間内の有機
物汚染の程度を評価することを特徴とする、請求項1ま
たは2に記載の清浄な資材用保管庫。
3. An evaluation device having a first local cleaning space and a second local cleaning space isolated from the surrounding cleaning space is provided, and the evaluation device is provided in the second local cleaning space via a gas introducing means. 3. The method according to claim 1, wherein the clean air for storage in the first local clean space is introduced into the first local clean space to evaluate a degree of organic matter contamination in the first local clean space. Storage room for clean materials.
【請求項4】 前記評価装置は、前記第1の局所清浄空
間内に配置された清浄な資材の表面の有機物汚染量が許
容値以下に保たれているかどうかを監視することを特徴
とする、請求項3に記載の清浄な資材用保管庫。
4. The evaluation device monitors whether or not the amount of organic contaminants on the surface of a clean material disposed in the first local clean space is kept below an allowable value. The clean material storage according to claim 3.
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