JP2002313778A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP2002313778A JP2002313778A JP2002104855A JP2002104855A JP2002313778A JP 2002313778 A JP2002313778 A JP 2002313778A JP 2002104855 A JP2002104855 A JP 2002104855A JP 2002104855 A JP2002104855 A JP 2002104855A JP 2002313778 A JP2002313778 A JP 2002313778A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライエッチングにおけるＧａＮ中の窒素原
子の脱離を防止する。 【解決手段】 ＧａＮで構成される半導体１の一部の表
面上にマスクとして、ＳｉＯ2層２およびＡｌ2Ｏ3層３
を順次形成する。次に、平行平板型リアクティブイオン
エッチング装置を用いて、半導体１の表面に対してＢＣ
ｌ3ガスとＮ2ガスとのイオンを入射させることにより、
露出した半導体１の表面をエッチングする。
子の脱離を防止する。 【解決手段】 ＧａＮで構成される半導体１の一部の表
面上にマスクとして、ＳｉＯ2層２およびＡｌ2Ｏ3層３
を順次形成する。次に、平行平板型リアクティブイオン
エッチング装置を用いて、半導体１の表面に対してＢＣ
ｌ3ガスとＮ2ガスとのイオンを入射させることにより、
露出した半導体１の表面をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を製造する
ためのドライエッチング方法に関するものである。
ためのドライエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のドライエッチング方法（特
開平４−３４９２９号公報）について説明する。
開平４−３４９２９号公報）について説明する。
【０００３】図９は、従来のドライエッチングの工程を
示すものである。まず、図９（ａ）に示すように、半導
体１の一部の表面上にドライエッチングのためのマスク
として、ＳｉＯ2層２およびＡｌ2Ｏ3層３を順次形成す
る。次に、ＢＣｌ3ガスのプラズマ状態のイオンを、露
出した半導体１の表面に入射させることにより、半導体
１のドライエッチングを行う。このようなドライエッチ
ングにより、図９（ｂ）に示すように、半導体１の一部
が削られ、エッチング側面４が形成される。
示すものである。まず、図９（ａ）に示すように、半導
体１の一部の表面上にドライエッチングのためのマスク
として、ＳｉＯ2層２およびＡｌ2Ｏ3層３を順次形成す
る。次に、ＢＣｌ3ガスのプラズマ状態のイオンを、露
出した半導体１の表面に入射させることにより、半導体
１のドライエッチングを行う。このようなドライエッチ
ングにより、図９（ｂ）に示すように、半導体１の一部
が削られ、エッチング側面４が形成される。
【０００４】Ａｌ2Ｏ3のエッチング速度は、ＳｉＯ2の
エッチング速度に比べて１／３程度と小さいため、マス
ク材料としては好適であるが、Ａｌ2Ｏ3層３を単独で用
いると、ドライエッチング後、半導体１上に残ったＡｌ
2Ｏ3層３を除去することが困難である。しかし、フッ酸
に溶解しないＡｌ2Ｏ3層３の下に、フッ酸により溶解す
るＳｉＯ2層２を設けることにより、この問題は解決さ
れる。フッ酸は、エッチング側面４から侵入してＳｉＯ
2層２が溶解され、これにともないＡｌ2Ｏ3層３が半導
体１からはがれる。
エッチング速度に比べて１／３程度と小さいため、マス
ク材料としては好適であるが、Ａｌ2Ｏ3層３を単独で用
いると、ドライエッチング後、半導体１上に残ったＡｌ
2Ｏ3層３を除去することが困難である。しかし、フッ酸
に溶解しないＡｌ2Ｏ3層３の下に、フッ酸により溶解す
るＳｉＯ2層２を設けることにより、この問題は解決さ
れる。フッ酸は、エッチング側面４から侵入してＳｉＯ
2層２が溶解され、これにともないＡｌ2Ｏ3層３が半導
体１からはがれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のエッチング方法では、図９（ｂ）に示すように、エ
ッチング側面４が半導体１の表面となす角度（傾斜角
ｙ）が９０度ではなく、すなわち、エッチング側面４が
垂直に形成されないため、このエッチング側面４を半導
体レーザの共振器端面として用いることができない。
来のエッチング方法では、図９（ｂ）に示すように、エ
ッチング側面４が半導体１の表面となす角度（傾斜角
ｙ）が９０度ではなく、すなわち、エッチング側面４が
垂直に形成されないため、このエッチング側面４を半導
体レーザの共振器端面として用いることができない。
【０００６】また、ＳｉＯ2層２を溶解するためのフッ
酸をエッチング側面４から侵入させるため、Ａｌ2Ｏ3層
３の除去に時間がかかり、さらに、半導体の形状によっ
ては、フッ酸の侵入が阻まれて、ＳｉＯ2層２またはＡ
ｌ2Ｏ3層３が残ってしまう。
酸をエッチング側面４から侵入させるため、Ａｌ2Ｏ3層
３の除去に時間がかかり、さらに、半導体の形状によっ
ては、フッ酸の侵入が阻まれて、ＳｉＯ2層２またはＡ
ｌ2Ｏ3層３が残ってしまう。
【０００７】本発明は、端面が垂直に形成された半導体
を得るためのドライエッチング方法、およびマスク材料
を容易に除去できるドライエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。
を得るためのドライエッチング方法、およびマスク材料
を容易に除去できるドライエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、半導体の一部の表面上にマスクを形成し、前
記半導体の表面に、この表面に対して斜めにイオンを入
射するものであり、これにより、エッチングされた半導
体の端面の角度を制御することができる。
グ方法は、半導体の一部の表面上にマスクを形成し、前
記半導体の表面に、この表面に対して斜めにイオンを入
射するものであり、これにより、エッチングされた半導
体の端面の角度を制御することができる。
【０００９】また、窒化物系化合物半導体の一部の表面
上にマスクとしてＴｉ層、およびＡｕ層を順次形成し、
塩素原子を含む分子のガスを前記窒化物系化合物半導体
に入射してドライエッチングを行うことによって、ドラ
イエッチング後のマスクの除去を容易に行うことができ
る。
上にマスクとしてＴｉ層、およびＡｕ層を順次形成し、
塩素原子を含む分子のガスを前記窒化物系化合物半導体
に入射してドライエッチングを行うことによって、ドラ
イエッチング後のマスクの除去を容易に行うことができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１ないし図８を用いて説明する。
て、図１ないし図８を用いて説明する。
【００１１】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１におけるドライエッチングの工程を示すものであ
る。まず、図１（ａ）に示すように、ＧａＮで構成され
る半導体１の一部の表面上にマスクとして、ＳｉＯ2層
２およびＡｌ2Ｏ3層３を順次形成する。次に、平行平板
型リアクティブイオンエッチング装置を用いて、半導体
１の表面に対して入射角ｘでＢＣｌ3ガスのイオンを入
射させることにより、露出した半導体１の表面をエッチ
ングする。なお、半導体１の平面図を表した図２に示さ
れるように、イオンの入射方向を半導体１の表面に投影
して得られるベクトルは、半導体１のマスク材料による
被覆部と非被覆部との境界線Ｘ−Ｘ’に対して垂直とな
っている。
形態１におけるドライエッチングの工程を示すものであ
る。まず、図１（ａ）に示すように、ＧａＮで構成され
る半導体１の一部の表面上にマスクとして、ＳｉＯ2層
２およびＡｌ2Ｏ3層３を順次形成する。次に、平行平板
型リアクティブイオンエッチング装置を用いて、半導体
１の表面に対して入射角ｘでＢＣｌ3ガスのイオンを入
射させることにより、露出した半導体１の表面をエッチ
ングする。なお、半導体１の平面図を表した図２に示さ
れるように、イオンの入射方向を半導体１の表面に投影
して得られるベクトルは、半導体１のマスク材料による
被覆部と非被覆部との境界線Ｘ−Ｘ’に対して垂直とな
っている。
【００１２】このようなドライエッチングにより、半導
体１には、図１（ｂ）に示すようにエッチング側面４が
形成される。このエッチング側面４と半導体１表面との
なす角ｙは、ＢＣｌ3ガスのイオンの入射角ｘを調節す
ることによって、制御することができる。なお、エッチ
ングガスとしてＢＣｌ3ガスを用いているのは、Ｃｌ2ガ
スを用いる場合に比して、配管のメンテナンスが容易で
あり、また、ＳｉＣｌ 4ガスを用いる場合に比して、Ｇ
ａＮで構成される半導体１にエッチングガスがドーピン
グされても、ＢＣｌ3を構成するＢがＧａと同じ３族元
素であるため、Ｂが不純物として作用してしまうことは
ない。
体１には、図１（ｂ）に示すようにエッチング側面４が
形成される。このエッチング側面４と半導体１表面との
なす角ｙは、ＢＣｌ3ガスのイオンの入射角ｘを調節す
ることによって、制御することができる。なお、エッチ
ングガスとしてＢＣｌ3ガスを用いているのは、Ｃｌ2ガ
スを用いる場合に比して、配管のメンテナンスが容易で
あり、また、ＳｉＣｌ 4ガスを用いる場合に比して、Ｇ
ａＮで構成される半導体１にエッチングガスがドーピン
グされても、ＢＣｌ3を構成するＢがＧａと同じ３族元
素であるため、Ｂが不純物として作用してしまうことは
ない。
【００１３】図３は、ＢＣｌ3とＮ2の混合ガスを用いて
リアクティブイオンエッチングしたＧａＮの２５℃にお
けるフォトルミネッセンススペクトルを示すものであ
る。図３から、波長３６０ｎｍ付近のバンド端付近の発
光が強く、エッチング後のＧａＮの結晶性が良好である
ことがわかる。ＢＣｌ3とＮ2の混合ガスを用いると、プ
ラズマ中のＮがＧａＮ中の窒素原子の脱離を補償するた
め、結晶性が著しく改善される。
リアクティブイオンエッチングしたＧａＮの２５℃にお
けるフォトルミネッセンススペクトルを示すものであ
る。図３から、波長３６０ｎｍ付近のバンド端付近の発
光が強く、エッチング後のＧａＮの結晶性が良好である
ことがわかる。ＢＣｌ3とＮ2の混合ガスを用いると、プ
ラズマ中のＮがＧａＮ中の窒素原子の脱離を補償するた
め、結晶性が著しく改善される。
【００１４】図４は、比較のため、ＢＣｌ3のみを用い
てリアクティブイオンエッチングしたＧａＮの２５℃に
おけるフォトルミネッセンススペクトルを示すものであ
る。図４から、波長５５０ｎｍの欠陥に由来する発光が
支配的となっているとともに、全体の発光強度も弱くな
っている。これは、ＢＣｌ3のみを用いてドライエッチ
ングを行った場合、イオンにより、ＧａＮがダメージを
受けて窒素が脱離するなどにより、５５０ｎｍの発光を
有する欠陥や、非発光中心となる欠陥が形成されて、全
体の発光強度が弱まっているからである。
てリアクティブイオンエッチングしたＧａＮの２５℃に
おけるフォトルミネッセンススペクトルを示すものであ
る。図４から、波長５５０ｎｍの欠陥に由来する発光が
支配的となっているとともに、全体の発光強度も弱くな
っている。これは、ＢＣｌ3のみを用いてドライエッチ
ングを行った場合、イオンにより、ＧａＮがダメージを
受けて窒素が脱離するなどにより、５５０ｎｍの発光を
有する欠陥や、非発光中心となる欠陥が形成されて、全
体の発光強度が弱まっているからである。
【００１５】なお、本実施形態では、取り扱いが容易な
点からＢＣｌ3とＮ2を用いているが、エッチングに寄与
するのはプラズマ中のＣｌであるので、ＢＣｌ3の代わ
りにＣｌ2、ＨＣｌ等のＣｌを含むガスを用いても同様
の効果が得られる。また、エッチング中における窒化物
系化合物半導体の窒素原子の脱離を補償するのは、プラ
ズマ中のＮであるので、Ｎ2の代わりにＮＨ3、ヒドラジ
ン等のＮを含むガスを用いても同様の効果が得られる。
点からＢＣｌ3とＮ2を用いているが、エッチングに寄与
するのはプラズマ中のＣｌであるので、ＢＣｌ3の代わ
りにＣｌ2、ＨＣｌ等のＣｌを含むガスを用いても同様
の効果が得られる。また、エッチング中における窒化物
系化合物半導体の窒素原子の脱離を補償するのは、プラ
ズマ中のＮであるので、Ｎ2の代わりにＮＨ3、ヒドラジ
ン等のＮを含むガスを用いても同様の効果が得られる。
【００１６】図５は、イオンの入射角ｘと、半導体１表
面とエッチング側面４とのなす角（傾斜角）ｙとの関係
を示したものである。なお、実施の形態１においては、
エッチングガスとして、ＢＣｌ3とＮ2の混合ガスを用
い、この混合ガスに１５０Ｗの高周波電界を印加するこ
とによって、イオンを発生している。エッチング装置の
電極は固定されているので、半導体１の向きを変化させ
ることにより、半導体１にイオンの入射角ｘを調節し
た。
面とエッチング側面４とのなす角（傾斜角）ｙとの関係
を示したものである。なお、実施の形態１においては、
エッチングガスとして、ＢＣｌ3とＮ2の混合ガスを用
い、この混合ガスに１５０Ｗの高周波電界を印加するこ
とによって、イオンを発生している。エッチング装置の
電極は固定されているので、半導体１の向きを変化させ
ることにより、半導体１にイオンの入射角ｘを調節し
た。
【００１７】図５からわかるように、実施の形態１にお
ける条件で半導体１のドライエッチングを行った場合、
ｘが１７度のとき、半導体レーザ素子の共振器端面とし
て好適なエッチング側面４（ｙ＝９０度）が得られる。
ける条件で半導体１のドライエッチングを行った場合、
ｘが１７度のとき、半導体レーザ素子の共振器端面とし
て好適なエッチング側面４（ｙ＝９０度）が得られる。
【００１８】エッチング側面４の形成に引き続き、図１
（ｃ）および図１（ｄ）に示すように、エッチング側面
４に対向し、かつエッチング側面４に平行なエッチング
側面５を、エッチング側面４と同様に形成すれば、エッ
チング側面４、５を共振器の両端面とする半導体レーザ
素子を形成することができる。
（ｃ）および図１（ｄ）に示すように、エッチング側面
４に対向し、かつエッチング側面４に平行なエッチング
側面５を、エッチング側面４と同様に形成すれば、エッ
チング側面４、５を共振器の両端面とする半導体レーザ
素子を形成することができる。
【００１９】（実施の形態２）図６は、本発明の実施の
形態２におけるドライエッチング方法を実施するための
平行平板型リアクティブイオンエッチング装置の内部を
示す。図６において、平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置内には、互いに平行な上部電極６および下
部電極７が設けられている。また、下部電極７上には、
テーブル用回転軸８により、テーブル９が回転自在に設
けられている。さらに、テーブル９上には、ホルダー用
回転軸１０によりホルダー１１が回転自在に設けられて
いる。ホルダー１１には、表面上にＳｉＯ2層２および
Ａｌ2Ｏ3層３を順次形成した半導体１が固定されてい
る。なお、半導体１の表面の法線は、ホルダー用回転軸
１０に対して垂直となっている。半導体１の表面は、下
部電極７に対して角度ｘだけ傾いており、この角度ｘを
変えることにより、半導体１表面へのイオンの入射角ｘ
を制御することができる。
形態２におけるドライエッチング方法を実施するための
平行平板型リアクティブイオンエッチング装置の内部を
示す。図６において、平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置内には、互いに平行な上部電極６および下
部電極７が設けられている。また、下部電極７上には、
テーブル用回転軸８により、テーブル９が回転自在に設
けられている。さらに、テーブル９上には、ホルダー用
回転軸１０によりホルダー１１が回転自在に設けられて
いる。ホルダー１１には、表面上にＳｉＯ2層２および
Ａｌ2Ｏ3層３を順次形成した半導体１が固定されてい
る。なお、半導体１の表面の法線は、ホルダー用回転軸
１０に対して垂直となっている。半導体１の表面は、下
部電極７に対して角度ｘだけ傾いており、この角度ｘを
変えることにより、半導体１表面へのイオンの入射角ｘ
を制御することができる。
【００２０】次に、この装置を用いたドライエッチング
方法について説明する。ドライエッチングにおけるエッ
チングガスの種類、印加する高周波電界の周波数および
大きさは、実施の形態１の場合の条件と同じである。
方法について説明する。ドライエッチングにおけるエッ
チングガスの種類、印加する高周波電界の周波数および
大きさは、実施の形態１の場合の条件と同じである。
【００２１】本実施の形態においては、ドライエッチン
グ中にホルダー用回転軸１０を回転させることにより、
ＳｉＯ2層２およびＡｌ2Ｏ3層３の周囲における半導体
１が均一にドライエッチングされる。さらに、テーブル
用回転軸８を中心として、テーブル全体を回転させるこ
とにより、いずれのホルダーに固定された半導体１も均
一にドライエッチングすることができる。
グ中にホルダー用回転軸１０を回転させることにより、
ＳｉＯ2層２およびＡｌ2Ｏ3層３の周囲における半導体
１が均一にドライエッチングされる。さらに、テーブル
用回転軸８を中心として、テーブル全体を回転させるこ
とにより、いずれのホルダーに固定された半導体１も均
一にドライエッチングすることができる。
【００２２】図７は、角度ｘと、角度ｙの関係を示すも
のである。図７から、エッチング側面の傾斜角である角
度ｙは、半導体１表面に対するイオンの入射角である角
度ｘによって制御できることがわかる。特に、ｘ＝２０
度のとき、ｙ＝９０度となり、エッチング側面の垂直な
半導体を得ることができる。
のである。図７から、エッチング側面の傾斜角である角
度ｙは、半導体１表面に対するイオンの入射角である角
度ｘによって制御できることがわかる。特に、ｘ＝２０
度のとき、ｙ＝９０度となり、エッチング側面の垂直な
半導体を得ることができる。
【００２３】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３におけるドライエッチング方法について図８を用い
て説明する。
態３におけるドライエッチング方法について図８を用い
て説明する。
【００２４】図８は、実施の形態３におけるドライエッ
チングに用いるマスクを形成された半導体の断面図であ
る。図８に示すように、窒化物系化合物であるＧａＮで
構成される半導体１上に、Ｔｉ層１２を形成し、このＴ
ｉ層１２上にＡｕ層１３を形成する。Ｔｉは、窒化物系
化合物半導体との密着性に優れるが、Ｃｌを含むガスで
容易にエッチングされるため、Ｔｉのみをドライエッチ
ングのマスクとして用いることはできない。一方、Ｃｌ
原子を含む分子のガス中では、Ａｕはエッチングされに
くいという特徴を有するが、窒化物系化合物半導体との
密着性が悪いために、半導体１から容易にはがれてしま
うという欠点がある。そこで、ドライエッチングのマス
クとして、Ｔｉ層１２とＡｕ層１３との２層構造のマス
クを用いることによって、良好な密着性と耐エッチング
性との両方を兼ね備えたドライエッチング方法を提供す
ることができる。
チングに用いるマスクを形成された半導体の断面図であ
る。図８に示すように、窒化物系化合物であるＧａＮで
構成される半導体１上に、Ｔｉ層１２を形成し、このＴ
ｉ層１２上にＡｕ層１３を形成する。Ｔｉは、窒化物系
化合物半導体との密着性に優れるが、Ｃｌを含むガスで
容易にエッチングされるため、Ｔｉのみをドライエッチ
ングのマスクとして用いることはできない。一方、Ｃｌ
原子を含む分子のガス中では、Ａｕはエッチングされに
くいという特徴を有するが、窒化物系化合物半導体との
密着性が悪いために、半導体１から容易にはがれてしま
うという欠点がある。そこで、ドライエッチングのマス
クとして、Ｔｉ層１２とＡｕ層１３との２層構造のマス
クを用いることによって、良好な密着性と耐エッチング
性との両方を兼ね備えたドライエッチング方法を提供す
ることができる。
【００２５】また、ドライエッチング後、残ったＴｉ層
１２およびＡｕ層１３は、王水等の酸によって容易に除
去することができる。
１２およびＡｕ層１３は、王水等の酸によって容易に除
去することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のドライエ
ッチング方法は、半導体の一部の表面上にマスクを形成
し、前記半導体の表面に、この表面に対して斜めにイオ
ンを入射するものであり、これにより、エッチングされ
た半導体の端面の角度を制御することができ、特に、共
振器端面の形成が困難な窒化物系化合物半導体の好適な
ドライエッチング方法を提供するものである。
ッチング方法は、半導体の一部の表面上にマスクを形成
し、前記半導体の表面に、この表面に対して斜めにイオ
ンを入射するものであり、これにより、エッチングされ
た半導体の端面の角度を制御することができ、特に、共
振器端面の形成が困難な窒化物系化合物半導体の好適な
ドライエッチング方法を提供するものである。
【図１】本発明の実施の形態１におけるドライエッチン
グの工程を示す図
グの工程を示す図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体の平面図
【図３】ＢＣｌ3ガスとＮ2ガスとを用いた場合のＧａＮ
のスペクトルを示す図
のスペクトルを示す図
【図４】ＢＣｌ3ガスのみを用いた場合のＧａＮのスペ
クトルを示す図
クトルを示す図
【図５】イオンの入射角とエッチング側面の角度との関
係を示す図
係を示す図
【図６】本発明の実施の形態２における平行平板型リア
クティブイオンエッチング装置の内部を示す図
クティブイオンエッチング装置の内部を示す図
【図７】イオンの入射角とエッチング側面の角度との関
係を示す図
係を示す図
【図８】本発明の実施の形態３におけるドライエッチン
グにおいて用いる半導体の断面図
グにおいて用いる半導体の断面図
【図９】従来のドライエッチングの工程を示す図
【符号の説明】 １ 半導体 ２ ＳｉＯ2層 ３ Ａｌ2Ｏ3層 ４ エッチング側面 ５ エッチング側面 ６ 上部電極 ７ 下部電極 ８ テーブル用回転軸 ９ テーブル １０ ホルダー用回転軸 １１ ホルダー １２ Ｔｉ層 １３ Ａｕ層
フロントページの続き (72)発明者 今藤 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 橋本 忠朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 杉野 隆 大阪府豊中市上新田３丁目４番１号322号 室 Ｆターム(参考） 5F004 AA05 AA16 BA04 DA11 DA25 DB19
Claims (1)
- 【請求項１】 III族窒化物系化合物よりなる半導体の
一部の表面上にマスクを形成し、前記半導体の表面に対
して塩素単体または塩素化合物ガスと、窒素単体または
窒素化合物ガスとの混合ガスのイオンを入射させること
を特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002104855A JP3758597B2 (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002104855A JP3758597B2 (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | ドライエッチング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26846697A Division JPH11111678A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313778A true JP2002313778A (ja) | 2002-10-25 |
| JP3758597B2 JP3758597B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=19193782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002104855A Expired - Fee Related JP3758597B2 (ja) | 2002-04-08 | 2002-04-08 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3758597B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185964A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104064648B (zh) * | 2013-03-20 | 2017-07-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ⅲ族化合物衬底的刻蚀方法 |
-
2002
- 2002-04-08 JP JP2002104855A patent/JP3758597B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185964A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3758597B2 (ja) | 2006-03-22 |
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