JP2002312417A - Verification method for photomask pattern data with additional graphic - Google Patents

Verification method for photomask pattern data with additional graphic

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JP2002312417A
JP2002312417A JP2001114920A JP2001114920A JP2002312417A JP 2002312417 A JP2002312417 A JP 2002312417A JP 2001114920 A JP2001114920 A JP 2001114920A JP 2001114920 A JP2001114920 A JP 2001114920A JP 2002312417 A JP2002312417 A JP 2002312417A
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graphic
additional
pattern data
pattern
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Japanese (ja)
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Naoki Shimohakamada
直樹 下袴田
Masahiko Ogawara
雅彦 大河原
Nobuto Toyama
登山  伸人
Wakahiko Sakata
若彦 坂田
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a verification method for photomask pattern data with additional graphic. SOLUTION: Whether square graphics are formed in a region which is apart from each graphic of design data by a predetermined distance and in which there is no graphic while the square graphics are two-dimensionally arranged at a predetermined pitch in X and Y directions, respectively, or not is verified for the photomask pattern data with additional graphic composed of square graphics for uniformizing graphic density in the design data and provided with a plurality of additional graphics in this verification method for the photomask pattern data with the additonal graphic. This method comprises (a) additional pattern lack region data preparation processing for preparing the pattern data indicating only the region lacking square graphic of the photomask pattern data with additional graphic and (b) overlapped part data preparation processing for applying logic AND graphic processing to the pattern data obtained by applying oversize processing to square graphics by a predetermined value by which square graphics are mutually linked for the pattern data obtained by excluding graphics of design data from the photomask pattern data with the additional graphic and the design data to prepare the pattern data indicating only an overlapped part of both pattern data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体設計データ
を処理する設計データ処埋分野に属する。詳しくは、半
導体製造においてウエーハの処理層を平坦化するための
データ処埋に関する。
The present invention belongs to the field of design data processing for processing semiconductor design data. More specifically, the present invention relates to data processing for flattening a processing layer of a wafer in semiconductor manufacturing.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、軽薄短小の
傾向から、ASICに代表される種々のLSIには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
ている中、半導体製造においては、品質面からウエーハ
の処理層をより平坦に形成することが、求められるよう
になってきた。半導体製造における、ウエーハの処理
層、絶縁層を平坦化する技術の1つとして、USP5、
597、668号には、半導体製造に用いられるフォト
マスクとして、配線以外の付加パタン(以下、付加図形
とも言う)を配したものが挙げられている。ここで、付
加パタンの有意性について、図5に基づいて簡単に説明
しておく。例えば、図5(a)(イ)に示すような、パ
タン密度が密なパタン部510のパタン(図形パタンな
いし図形とも言う)511と、パタン密度が粗なパタン
部のパタン512とを有する処理層(配線層)の場合、
その上に堆積させる堆積層(絶縁層)の厚さは、図5
(a)(ロ)のように、パタン粗密に対応して大きく変
化するのに対し、図5(b)(イ)に示すように、付加
パタン531を加えて、パタン密度を均一化した処理層
の場合、その上に堆積させる堆積層(絶縁層)の厚さ
は、図5(b)(ロ)のように均一になる。530は付
加パタン部である。尚、図5(a)(ロ)、図5(b)
(ロ)は、半導体製造におけるウェーハプロセス工程の
概念を断面図で示し、図5(a)(イ)、図5(b)
(イは、それぞれ、図5(a)(ロ)のE1側、図5
(b)(ロ)のE2側から見た図である。一般に、この
ような堆積層を直接、あるいは、さらにその上に堆積さ
れた処理層(堆積層でもある)をパタンニングする場
合、転写する際のウエーハ表面の堆積層の平坦性が良い
方が、フォトマスクからウエーハへの転写精度は良いこ
とが知られており、結局、パタン密度を均一化して処理
層を形成することにより、フォトマスクからウエーハへ
の転写精度を上げることができる。
2. Description of the Related Art In recent years, various LSIs represented by ASICs have been increasingly required to have higher integration and higher functionality due to the trend toward higher performance and lighter, thinner and smaller electronic devices. In semiconductor manufacturing, it has been required to form a processed layer of a wafer more flatly in terms of quality. USP5, as one of the techniques for flattening a processing layer and an insulating layer of a wafer in semiconductor manufacturing,
Nos. 597 and 668 disclose a photomask used in the manufacture of semiconductors in which an additional pattern (hereinafter, also referred to as an additional figure) other than wiring is arranged. Here, the significance of the additional pattern will be briefly described based on FIG. For example, as shown in FIGS. 5A and 5B, a process including a pattern 511 of a pattern portion 510 with a dense pattern density (also referred to as a graphic pattern or a graphic) and a pattern 512 of a pattern portion with a coarse pattern density. Layer (wiring layer)
The thickness of the deposited layer (insulating layer) deposited thereon is shown in FIG.
(A) As shown in FIG. 5 (b), while the pattern changes greatly in accordance with the pattern density, as shown in FIG. 5 (b) (a), an additional pattern 531 is added to make the pattern density uniform. In the case of a layer, the thickness of the deposited layer (insulating layer) deposited thereon becomes uniform as shown in FIG. 530 is an additional pattern unit. 5 (a) (b), FIG. 5 (b)
5B is a cross-sectional view showing the concept of a wafer process in semiconductor manufacturing, and FIG. 5A and FIG.
(A is the E1 side of FIG. 5A and FIG.
(B) It is the figure seen from E2 side of (b). In general, when patterning such a deposited layer directly or furthermore on a processing layer (also a deposited layer) deposited thereon, the better the flatness of the deposited layer on the wafer surface during transfer, the better. It is known that the transfer accuracy from the photomask to the wafer is good. In the end, the transfer accuracy from the photomask to the wafer can be increased by forming a treatment layer with uniform pattern density.

【0003】一般に、ウェーハ上に、ポリシリコン層、
絶縁層、配線層、絶縁層と繰り返し堆積することによ
り、最終的なウェーハ製造工程が完了するが、ポリシリ
コン、配線層は、設計データ上パタンの存在する部分に
のみ層が堆積するため、パタンの有無により、加工ウェ
ーハ表面に凹凸が発生する。絶縁層、配線層を順に堆積
していくため、パタンの無い部分と存在する部分の凹凸
差は次第に大きくなる。ウェーハ上のパタン形状の微細
化に伴い、この凹凸差の許容範囲が狭くなっている。
Generally, a polysilicon layer,
By repeatedly depositing an insulating layer, a wiring layer, and an insulating layer, the final wafer manufacturing process is completed.However, since the polysilicon and the wiring layer are deposited only in the portion where the pattern exists in the design data, the pattern is Depending on the presence or absence of irregularities, irregularities occur on the processed wafer surface. Since the insulating layer and the wiring layer are sequentially deposited, the unevenness difference between a portion having no pattern and a portion having the pattern gradually increases. With the miniaturization of the pattern shape on the wafer, the allowable range of this unevenness difference has been narrowed.

【0004】上述した、ウエーハの処理層に付加パタン
を発生させるための、フォトマスク作製用の付加図形付
きデータは、従来、図6に示す作成方法で行われてい
た。尚、S610〜S640は処理ステップである。以
下、図6に示す付加図形付きパタンデータの作成方法
を、図7に示す例を参照にして説明する。図6の付加図
形領域を作成するステップS610では、最初に付加パ
タンを配置する領域を求める。図7(a)の中でdp
は、設計データDP中の図形(回路パタンないし図形パ
タンとも言う)を示している。図形dpと付加図形(付
加パタンとも言う)とが接触しないように、図形と付加
パ図形の最小間隔をdistとする。図形dpをサイジ
ング図形処理によりオーバーサイズした図形NAを作成
した(図示していない)後、設計データ全体の領域から
図形NAを論理NOT図形処理により差し引くことで、
付加図形を配置する付加図形領域adを有する領域デー
タADを作成する。(図7(b)) 続いて、図6の全体領域に付加パタンを発生するステッ
プS620では、領域ad全体にわたり配列形状に付加
図形dtを配列した付加図形用データ(単に付加図形デ
ータとも言う)DTを作成する。(図7(c)) 通常、長方形が2次元配列されたものである。次に、論
理AND図形処理により領域データADと付加図形用デ
ータDTとの論理積をとり、付加図形領域ad中にのみ
付加図形を含むパタンデータを求める。(図7
((d)、S630)) 論理AND図形処理により求められたパタンデータに
は、欠け付加図形(微小付加図形とも言う)ddが発生
する。次に、図6の欠け付加図形を削除するステップS
640では、フォトマスク製造、ウェーハ製造におい
て、微小図形が問題となりうるため、サイジング図形処
理により、順にアンダサイズとオーバーサイズを実施す
ることで、パタンデータから欠け付加図形ddを取り除
いたパタンデータを得る。(図7(e))。次に、論理
OR図形演算処理により、図7(e)に示すパタンデー
タと、元の設計データDPから最終的な付加図形付きパ
タンデータFP0を得る。(図7(f)、S650) 設計データの図形dpと図7(e)に示すパタンデータ
の付加図形dtとを合わせ込む。付加図形付きパタンデ
ータFP0が、フォトマスク作製用のデータである。
The above-described data with an additional figure for producing a photomask for generating an additional pattern in a wafer processing layer has been conventionally produced by a producing method shown in FIG. S610 to S640 are processing steps. Hereinafter, a method of creating the pattern data with additional graphics shown in FIG. 6 will be described with reference to an example shown in FIG. In step S610 for creating an additional graphic area in FIG. 6, first, an area in which an additional pattern is to be arranged is determined. Dp in FIG.
Indicates a figure (also called a circuit pattern or a figure pattern) in the design data DP. The minimum distance between the graphic dp and the additional graphic is set as dist so that the graphic dp does not contact the additional graphic (also referred to as an additional pattern). After creating a graphic NA (not shown) in which the graphic dp is oversized by sizing graphic processing, the graphic NA is subtracted from the entire design data area by logical NOT graphic processing,
Area data AD having an additional graphic area ad for arranging the additional graphic is created. (FIG. 7B) Subsequently, in step S620 of generating an additional pattern in the entire area in FIG. 6, additional graphic data in which additional graphics dt are arranged in an array shape over the entire area ad (also simply referred to as additional graphic data). Create a DT. (FIG. 7C) Usually, rectangles are two-dimensionally arranged. Next, the logical product of the area data AD and the additional graphic data DT is obtained by logical AND graphic processing, and pattern data including the additional graphic only in the additional graphic area ad is obtained. (FIG. 7
((D), S630) In the pattern data obtained by the logical AND graphic processing, a missing additional graphic (also referred to as a minute additional graphic) dd is generated. Next, step S of deleting the missing additional graphic in FIG.
In 640, since small figures can be a problem in photomask manufacture and wafer manufacture, undersizing and oversizing are sequentially performed by sizing figure processing to obtain pattern data obtained by removing missing additional figures dd from pattern data. . (FIG. 7 (e)). Next, final pattern data with additional graphics FP0 is obtained from the pattern data shown in FIG. 7E and the original design data DP by the logical OR graphic calculation processing. (FIG. 7F, S650) The graphic dp of the design data and the additional graphic dt of the pattern data shown in FIG. 7E are matched. The pattern data with additional figure FP0 is data for producing a photomask.

【0005】しかし、このようにして作製されたフォト
マスク作製用のデータについても、元のパタンデータに
よっては、付加パタンに欠如部が発生する場合、あるい
は付加パタンが元の図形から決められた所定距離だけ離
れていない場合があり、問題となっていた。特に、高精
度が要求され、OPC(Optical Proxim
ity Correct)補正処理を含む元図形データ
に対しては、問題となっている。
However, with respect to the data for producing a photomask produced in this way, depending on the original pattern data, when a missing portion is generated in the additional pattern or when the additional pattern is determined based on the original figure. In some cases, they were not at a distance, which was a problem. In particular, high precision is required, and OPC (Optical Proxim
This is a problem with respect to original graphic data including (i.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
図6に示す付加パタンデータ発生方式で得た付加パタン
データは、付加パタンに欠如部が発生する場合、あるい
は付加パタンが元の図形から決められた所定距離だけ離
れていない場合があり、この対応が求められていた。本
発明は、これに対応しようとするもので、付加パタン付
きのフォトマスクパタンデータの検証方法を提供しよう
とするものである。詳しくは、付加パタン付きのフォト
マスクパタンデータに対し、付加パタンが欠如している
欠如箇所、付加パタンが元の図形から決められた所定距
離だけ離れていない箇所を抽出しようとするものであ
る。
As described above, the additional pattern data obtained by the conventional additional pattern data generation method shown in FIG. 6 is used when a missing portion is generated in the additional pattern or when the additional pattern There is a case where they are not separated from each other by a predetermined distance, which is required. The present invention is intended to cope with this, and is to provide a method for verifying photomask pattern data with an additional pattern. More specifically, an attempt is made to extract, from photomask pattern data with an additional pattern, a portion where the additional pattern is missing, and a portion where the additional pattern is not separated from the original graphic by a predetermined distance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の付加図形付きの
フォトマスクパタンデータの検証方法は、設計データに
図形密度を均一化するための方形の図形からなる付加図
形を複数設けた付加図形付きのフォトマスクパタンデー
タに対し、設計データの各図形から所定の距離をおいた
図形のない領域に、前記方形図形がX方向、Y方向それ
ぞれ所定のピッチで2 次元配列した状態で、形成されて
いるか否かを検証する、付加図形付きのフォトマスクパ
タンデータの検証方法であって、(a)前記付加図形付
きのフォトマスクパタンデータから付加図形を除いた、
設計データに対し、所定の値だけオーバーサイズ処理し
て得られたパタンデータと、前記付加図形付きのフォト
マスクパタンデータから設計データの図形を除いたパタ
ンデータに対し、方形図形を方形図形同士が繋がる所定
の値だけオーバーサイズ処理して得られたパタンデータ
とに論理OR図形処理を施し、合成データを得た後、得
られた合成データと、設計データの全領域を表す全領域
データとに論理NOT図形処理を施し、付加図形付きの
フォトマスクパタンデータの方形図形が欠如している領
域のみを表すパタンデータを作成する付加図形欠如領域
データ作成処理と、(b)前記付加図形付きのフォトマ
スクパタンデータから設計データの図形を除いたパタン
データに対し、方形図形を方形図形同士が繋がる所定の
値だけオーバーサイズ処理して得たパタンデータと、設
計データとに論理AND図形処理を施し、両パタンデー
タの重なり部のみを表すパタンデータを作成する重なり
部データ作成処理とを行なうものであることを特徴とす
るものである。そして、上記において、方形の付加図形
付きの付加図形付きのフォトマスクパタンデータは、順
に、(a)設計データの全領域を表す全領域データか
ら、設計データの図形を所定サイズだけオーバーサイズ
したパタンデータを、論理NOT図形処理により差し引
くことで、付加図形配置する領域を表す付加図形配置領
域データADを作成する、付加図形を配置領域データ作
成処理と、(b)付加図形配置領域データADと、設計
データの全領域に相当する領域全域にわたり、方形図形
をX方向、Y方向に、それぞれ所定のピッチで2 次元配
列した付加図形用パタンデータDTとに、論理AND図
形処理を施す、論理AND図形処理と、(c)論理AN
D図形処理により得られたパタンデータに対し、順にア
ンダーサイズ処理とオーバーサイズ処理とを施し、前記
論理AND図形処理により得られたパタンデータから、
前記方形図形が欠けた状態の欠け付加図形を削除する削
除処理と、(d)設計データと、削除処理により得られ
たパタンデータとを合成して、方形の付加図形付きのフ
ォトマスクパタンデータを作成する、合成処理とを行な
い、作成されたものであり、重なり部抽出処理は、削除
処理により得られたパタンデータに対し、所定の値だオ
ーバーサイズして得られたパタンデータと、設計データ
とに論理AND図形処理を施し、両パタンデータの重な
り部のみを表すパタンデータを抽出するものであること
を特徴とするものであり、付加図形欠如領域データ作成
処理により得られた、付加図形が欠如している領域のみ
を表すパタンデータと、重なり部データ作成処理により
得られた重なり部のみを表すパタンデータとを合成し
て、エラー部を表すパタンデータとすることを特徴とす
るものである。尚、ここでエラー部とは、付加図形が欠
如している欠如箇所、付加図形が元のデータの図形から
決められた所定距離だけ離れていない箇所を言う。ま
た、ここでは、「方形図形を方形図形同士が繋がる所定
の値だけオーバーサイズ処理して」とは、方形図形が正
常に配置されていた場合に方形図形間の隙間を埋めるこ
とができるオーバーサイズ量でオーバーサイズ処理する
ことを意味する。
According to the present invention, there is provided a method for verifying photomask pattern data with an additional figure, comprising a plurality of additional figures each comprising a square figure for making the figure density uniform in design data. The rectangular figure is formed in a region where there is no figure at a predetermined distance from each figure in the design data with respect to the photomask pattern data, and the rectangular figure is two-dimensionally arranged at a predetermined pitch in each of the X direction and the Y direction. A method of verifying whether or not there is an additional figure, comprising: (a) removing the additional figure from the photomask pattern data with the additional figure;
For pattern data obtained by oversizing the design data by a predetermined value, and for pattern data obtained by removing the design data figure from the photomask pattern data with the additional figure, square figures After performing logical OR graphic processing on the pattern data obtained by oversizing by a predetermined connected value and obtaining composite data, the obtained composite data and all area data representing the entire area of the design data are converted into A logical NOT graphic processing to generate pattern data representing only an area where the rectangular pattern of the photomask pattern data with the additional graphic is missing; and (b) a photo with the additional graphic. For the pattern data obtained by removing the design data figure from the mask pattern data, the square figure is oversampled by a predetermined value that connects the square figures. And performing a logical AND graphic process on the pattern data obtained by the overlap processing and the design data, and performing an overlapping portion data creating process of creating pattern data representing only the overlapping portion of the two pattern data. Is what you do. In the above description, the photomask pattern data with an additional figure with a rectangular additional figure includes, in order, (a) a pattern in which the graphic of the design data is oversized by a predetermined size from the entire area data representing the entire area of the design data. By subtracting the data by the logical NOT graphic processing, additional graphic layout area data AD representing an area where an additional graphic is to be generated is generated. Additional graphic layout area data generation processing; (b) additional graphic layout area data AD; A logical AND graphic processing is performed on the additional graphic pattern data DT in which the rectangular graphic is two-dimensionally arranged at a predetermined pitch in the X direction and the Y direction over the entire area corresponding to the entire area of the design data. Processing and (c) logical AN
An undersize process and an oversize process are sequentially performed on the pattern data obtained by the D graphic processing, and from the pattern data obtained by the logical AND graphic processing,
Deletion processing for deleting the missing additional graphic in a state where the rectangular graphic is missing, (d) combining the design data and the pattern data obtained by the deletion processing, and forming the photomask pattern data with the rectangular additional graphic The overlapping part extraction processing is a pattern data obtained by oversizing the pattern data obtained by the deletion processing by a predetermined value and the design data. And logical pattern processing to extract pattern data representing only the overlapping portion of the two pattern data. The additional graphic obtained by the additional graphic lacking area data creation processing is An error part is represented by synthesizing pattern data representing only the missing area and pattern data representing only the overlapping part obtained by the overlapping part data creation processing. It is characterized in that the tongue data. Here, the error portion refers to a missing portion where the additional graphic is missing, and a portion where the additional graphic is not separated from the original data graphic by a predetermined distance. In addition, here, “oversize processing of a rectangular figure by a predetermined value that connects the rectangular figures” means “oversize that can fill a gap between rectangular figures when the rectangular figures are normally arranged. It means oversizing by the amount.

【0008】ここで、簡単に、図形データにより表され
る図形の論理演算処理を、図4に基づいて簡単に説明し
ておく。図4(a)に示すように、データ領域Da内に
四角形の図形(パタン)A、図形(パタン)Bが表され
る場合、これに対応する、図形Aと図形Bの論理積(A
ND)、図形Aと図形Bの論理和(OR)、図形Bの反
転(InverseあるいはNOT(B)とも言う)
は、それぞれ、図4(b)、図4(c)、図4(d)の
黒部として表される。実際の処理内容については、既に
広く知られており、ここでは省略する。
Here, the logical operation of a graphic represented by graphic data will be briefly described with reference to FIG. As shown in FIG. 4A, when a rectangular figure (pattern) A and a figure (pattern) B are represented in the data area Da, the corresponding logical product (A) of the figure A and the figure B is represented.
ND), logical OR of graphic A and graphic B (OR), inversion of graphic B (also called Inverse or NOT (B))
Are represented as black portions in FIGS. 4B, 4C, and 4D, respectively. The actual processing content is already widely known and will not be described here.

【0009】[0009]

【作用】本発明の付加図形付きのフォトマスクパタンデ
ータの検証方法は、このような構成にすることにより、
付加図形付きのフォトマスクパタンデータの検証方法の
提供を可能としている。詳しくは、付加図形付きのフォ
トマスクパタンデータに対し、付加図形が欠如している
欠如箇所、付加図形が元の図形から決められた所定距離
だけ離れていない箇所の抽出を可能としている。設計デ
ータに対し、所定の値だけオーバーサイズ処理して得ら
れたパタンデータと、前記付加図形付きのフォトマスク
パタンデータから設計データの図形を除いたパタンデー
タに対し、方形図形を方形図形同士が繋がる所定の値だ
けオーバーサイズ処理して得られたパタンデータとに論
理OR図形処理を施し、合成データを得た後、得られた
合成データを更に所定の値だけオーバーサイズ処理して
得られたパタンデータと、設計データの全領域を表す全
領域データとに論理NOT図形処理を施すことより、付
加図形付きのフォトマスクパタンデータの方形図形が欠
如している領域のみを表すパタンデータを作成してお
り、これにより、付加図形が欠如している欠如箇所を抽
出できるものとし、付加図形付きのフォトマスクパタン
データから、設計データ図形を除いたパタンデータに対
し、方形の付加図形を付加図形同士が繋がる所定の値だ
けオーバーサイズ処理を施して得たパタンデータと、設
計データとに論理AND図形処理を施すことにより、両
パタンデータの重なり部のみを表すパタンデータを作成
しており、これにより、付加図形が元の図形から決めら
れた所定距離だけ離れていない箇所の抽出できるものと
している。
According to the method for verifying photomask pattern data with an additional figure of the present invention,
It is possible to provide a method for verifying photomask pattern data with additional figures. More specifically, it is possible to extract, from the photomask pattern data with an additional graphic, a portion where the additional graphic is missing, and a portion where the additional graphic is not separated from the original graphic by a predetermined distance. For pattern data obtained by oversizing the design data by a predetermined value, and for pattern data obtained by removing the design data figure from the photomask pattern data with the additional figure, square figures Logical OR graphic processing is performed on pattern data obtained by oversizing by a predetermined connected value, and combined data is obtained. After that, the obtained combined data is obtained by oversizing by a predetermined value. By performing logical NOT graphic processing on the pattern data and the entire area data representing the entire area of the design data, pattern data representing only the area where the rectangular figure of the photomask pattern data with the additional figure is missing is created. As a result, it is assumed that a missing portion where the additional graphic is missing can be extracted, and from the photomask pattern data with the additional graphic, By performing a logical AND graphic process on the pattern data obtained by performing oversize processing on the pattern data excluding the total data graphic by a predetermined value that connects the additional graphics with the additional graphic and the design data, Pattern data representing only the overlapping portion of the two pattern data is created, so that a portion where the additional graphic is not separated from the original graphic by a predetermined distance can be extracted.

【0010】そして、付加図形欠如領域データ作成処理
により得られた、付加図形が欠如している領域のみを表
すパタンデータと、重なり部データ作成処理により得ら
れた重なり部のみを表すパタンデータとを合成して、エ
ラー部を表すパタンデータとすることにより、その確認
をより実作業的としている。
Then, the pattern data representing only the area where the additional graphic is missing, obtained by the additional graphic missing area data creation processing, and the pattern data representing only the overlapping part obtained by the overlapping part data creation processing, By synthesizing the data to form pattern data representing an error portion, the confirmation is made more practical.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
挙げて説明する。図1は本発明の付加図形付きのフォト
マスクパタンデータの検証方法の実施の形態の1例の処
理を示したフロー図で、図2(a)は付加図形付きのフ
ォトマスクパタンデータ(図1の110に相当)の一部
を示した図で、図2(b)は合成データ(図1の150
に相当)の図2(a)に対応する領域を示した図で、図
3(a)は付加図形付きのフォトマスクパタンデータか
ら設計データの図形を除去したデータを表した図で、図
3(b)はこれをオーバーサイズしたデータを示した図
である。尚、図1中、破線部191は付加図形欠如領域
処理、1点鎖線192は間隔不良部抽出処理を示してい
る。また、図1中のS11〜S28は処理ステップであ
る。図1、図2、図3中、110は付加図形付きのフォ
トマスクパタンデータ、120は設計データ、120A
は(設計データの)図形、120aは図形位置、121
はオーバーサイズデータ、130は付加図形データ、1
30Aは付加図形、130aは図形位置、131はオー
バーサイズデータ、132はオーバーサイズデータ、1
32Aは重なり部、140は全領域データ、150は合
成データ、151はぬけ部、160は付加図形欠如領域
データ、170は重なり部データ、180はエラー部デ
ータ、191は付加図形欠如領域データ作成処理(付加
図形欠如領域抽出処理とも言う)、192は重なり部デ
ータ作成処理(間隔不良部抽出処理とも言う)である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a flowchart showing an example of processing of an embodiment of a method for verifying photomask pattern data with an additional graphic according to the present invention, and FIG. 2A is a photomask pattern data with an additional graphic (FIG. 1). FIG. 2B is a diagram showing a part of the composite data (150 in FIG. 1).
3A is a diagram showing an area corresponding to FIG. 2A, and FIG. 3A is a diagram showing data obtained by removing a figure of design data from photomask pattern data with an additional figure. (B) is a diagram showing oversized data. In FIG. 1, a broken line portion 191 indicates an additional graphic missing area process, and a dashed line 192 indicates a poorly-spaced portion extraction process. S11 to S28 in FIG. 1 are processing steps. 1, 2, and 3, reference numeral 110 denotes photomask pattern data with an additional figure, 120 denotes design data, and 120A
Is a figure (of design data), 120a is a figure position, 121
Is oversize data, 130 is additional figure data, 1
30A is an additional figure, 130a is a figure position, 131 is oversized data, 132 is oversized data, 1
32A is an overlapping part, 140 is all area data, 150 is synthetic data, 151 is a missing part, 160 is an additional figure missing area data, 170 is an overlapping part data, 180 is an error part data, and 191 is an additional figure missing area data creation processing. Reference numeral 192 denotes an overlapping portion data creation process (also referred to as a defective interval portion extracting process).

【0012】本発明の付加図形付きのフォトマスクパタ
ンデータの検証方法の実施の形態のの1例を、図1に基
づいて説明する。本例は、設計データ120に図形密度
を均一化するための方形の図形からなる付加図形(図2
の130Aに相当)を複数設けた付加図形付きのフォト
マスクパタンデータ110に対し、設計データ120の
各図形から所定の距離をおいた図形のない領域に、前記
方形図形がX方向、Y方向それぞれ所定のピッチで2 次
元配列した状態で、形成されているか否かを検証する、
付加図形付きのフォトマスクパタンデータの検証方法で
あり、付加図形付きのフォトマスクパタンデータ110
の方形図形が欠如している領域のみを抽出する付加図形
欠如領域抽出処理(付加図形欠如領域データ作成処理の
こと)191と、付加図形付きのフォトマスクパタンデ
ータ110の設計データの図形と付加図形とが所定の決
められた間隔以上に離れていない間隔不良箇所を抽出す
る間隔不良部抽出処理(重なり部データ作成処理のこ
と)192とを行なうものである。
An embodiment of a method for verifying photomask pattern data with an additional figure according to the present invention will be described with reference to FIG. In this example, an additional figure (FIG. 2) composed of a square figure for making the figure density uniform
130A), the square figure is placed in the X direction and the Y direction in a region where there is no figure at a predetermined distance from each figure in the design data 120 with respect to the photomask pattern data 110 with additional figures provided with a plurality of Verify whether or not they are formed in a two-dimensional array at a predetermined pitch,
This is a method for verifying photomask pattern data with an additional figure.
The additional graphic missing area extraction processing 191 for extracting only the area where the rectangular graphic is absent (additional graphic missing area data creation processing) 191, the graphic of the design data of the photomask pattern data 110 with the additional graphic, and the additional graphic Are performed to perform an interval defective portion extraction process (overlap portion data creation process) 192 for extracting an interval defective portion that is not separated by a predetermined interval or more.

【0013】はじめに、付加図形欠如領域抽出処理19
1を説明する。先ず、付加図形付きのフォトマスクパタ
ンデータ110(S11)から付加図形を除いた、設計
データ120(S12)に対し、所定の値WD1だけオ
ーバーサイズ処理(S13)して得られたオーバーサイ
ズデータ121(S14)と、付加図形付きのフォトマ
スクパタンデータ110から設計データ120の図形を
除いたパタンデータ(付加図形データ130、S15)
に対し、方形図形を方形図形同士が繋がる所定の値WD
2だけオーバーサイズ処理し(S16)、得られたパタ
ンデータ131(S17)とに、論理OR図形処理(S
18)を施し、合成データ150を得る。(S19) 付加図形付きのフォトマスクパタンデータ110の一部
が図2(a)に示す状態の場合、これに対応する領域の
合成データ150は図2(b)のようになる。151は
図形のぬけ部で、付加図形が欠如した箇所を示す。合成
データ150を作成する際に、設計データ120に対
し、所定の値WD1だけオーバーサイズ処理するが、設
計データ120の各図形から所定の距離WD1以内に
は、付加図形が存在しない領域で、付加パタン欠如部の
抽出を正確に行なうためである。
First, an additional graphic missing area extracting process 19
1 will be described. First, oversize data 121 obtained by oversizing the design data 120 (S12) by a predetermined value WD1 (S13) with respect to the design data 120 (S12) obtained by removing the additional figure from the photomask pattern data 110 (S11) with the additional figure. (S14) and pattern data obtained by removing the figure of the design data 120 from the photomask pattern data 110 with the additional figure (additional figure data 130, S15)
Is a predetermined value WD that connects the rectangular figures to each other.
2 is oversized (S16), and the obtained pattern data 131 (S17) is added to the logical OR graphic processing (S16).
18) to obtain composite data 150. (S19) When a part of the photomask pattern data 110 with the additional graphic is in the state shown in FIG. 2A, the composite data 150 in the corresponding area is as shown in FIG. 2B. Reference numeral 151 denotes a blank portion of the graphic, which indicates a portion where the additional graphic is missing. When creating the composite data 150, the design data 120 is oversized by a predetermined value WD1, but within a predetermined distance WD1 from each figure of the design data 120, an area where no additional figure exists is added. This is for accurately extracting the pattern missing part.

【0014】次いで、得られた合成データ150と、設
計データの全領域を表す全領域データ140(S20)
とに論理NOT図形処理を施し(S21)、付加図形欠
如領域データ160を得る。(S22) これにより、付加図形欠如領域が図形として抽出され
る。図2(b)を反転した図形である。(図示していな
い) 必要に応じて、抽出された付加図形欠如領域データ16
0を、更にオーバーサイズしたパタンデータ(図示して
いない)を得る。
Next, the obtained synthesized data 150 and the entire area data 140 representing the entire area of the design data (S20).
Are subjected to a logical NOT graphic process (S21) to obtain additional graphic missing area data 160. (S22) Thereby, the additional graphic missing area is extracted as a graphic. It is a figure which reversed FIG.2 (b). (Not shown) If necessary, the extracted additional graphic missing area data 16
Further, pattern data (not shown) oversized with 0 is obtained.

【0015】次に、間隔不良部抽出処理192を説明す
る。先ず、付加図形付きのフォトマスクパタンデータ1
10(S11)から、設計データ120(S12)の図
形を除いた付加図形データ130(S15)に対し、付
加図形を付加図形同士が繋がる所定の値WD3だけオー
バーサイズ処理(S23)を施して、オーバーサイズデ
ータ132を得る。(S24) 尚、オーバーサイズデータ132は、付加図形欠如領域
抽出処理におけるオーバーサイズデータ131へ流用し
ても良い。図3(a)は付加図形データ130の一部を
示したものである。130Aは付加図形で、図形位置
(点線で囲まれた領域)120aは、対応する設計デー
タ120の図形位置を示している。付加図形データ13
0に対し、所定の値WD3だけオーバーサイズ処理する
のは、設計データ120の各図形から所定の距離WD3
以内に、存在する付加図形がある場合、この付加図形を
設計データ120の図形位置までに達するようにするた
めである。図3(b)は、図3(a)に対応するオーバ
ーサイズデータ132の領域を示したもので、図3
(a)の各付加図形は、オーバーサイズされ、一部のみ
が図形位置120aにまで達している。尚、図3(b)
の132Aは、オーバーサイズデータ132の図形と、
設計データの図形位置120aとの重なり部を示してい
る。
Next, a description will be given of the interval defective portion extraction processing 192. First, photomask pattern data 1 with an additional figure
10 (S11), the additional graphic data 130 (S15) excluding the graphic of the design data 120 (S12) is subjected to oversize processing (S23) by a predetermined value WD3 that connects the additional graphic with the additional graphic. Oversize data 132 is obtained. (S24) The oversized data 132 may be used as the oversized data 131 in the additional graphic missing area extraction processing. FIG. 3A shows a part of the additional graphic data 130. 130A is an additional graphic, and a graphic position (area surrounded by a dotted line) 120a indicates a graphic position of the corresponding design data 120. Additional graphic data 13
0 is oversized by a predetermined value WD3 because of a predetermined distance WD3 from each figure in the design data 120.
If there is an additional graphic existing within the range, the additional graphic is to reach the graphic position of the design data 120. FIG. 3B shows an area of the oversize data 132 corresponding to FIG.
Each additional graphic in (a) is oversized, and only a part reaches the graphic position 120a. FIG. 3 (b)
132A is a figure of the oversize data 132,
An overlapping portion of the design data with the graphic position 120a is shown.

【0016】次いで、得られたオーバーサイズデータ1
32と、設計データ120とに論理AND図形処理を施
す。(S25) これにより、両パタンデータの重なり部のみを表す重な
り部データ170(S26)を得ることができる。即
ち、付加図形付きのフォトマスクパタンデータ110の
設計データの図形と付加図形とが所定の決められた間隔
以上に離れていない間隔不良箇所が重なり部の箇所とし
て抽出される。
Next, the obtained oversized data 1
32 and the design data 120 are subjected to logical AND graphic processing. (S25) As a result, it is possible to obtain overlapping portion data 170 (S26) representing only the overlapping portion of both pattern data. That is, an interval defective portion where the graphic of the design data of the photomask pattern data 110 with the additional graphic and the additional graphic are not separated from each other by a predetermined interval or more is extracted as an overlapping portion.

【0017】更に、抽出された付加図形欠如領域データ
160と、重なり部データ170とに論理OR図形処理
を施し(S27)、両データにより抽出箇所を併せた、
エラー箇所を示すエラー部データ180を得る。(S2
8) 本例では、付加図形欠如領域データ160、重なり部デ
ータ170、エラー部データ180から、それぞれ必要
なエラー部を抽出することができる。
Further, a logical OR graphic process is performed on the extracted additional graphic lacking area data 160 and the overlapping part data 170 (S27), and the extracted locations are combined by both data.
Error part data 180 indicating an error part is obtained. (S2
8) In this example, a necessary error part can be extracted from the additional graphic lacking area data 160, the overlapping part data 170, and the error part data 180.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明は、上記のように、付加図形(付
加図パタンとも言う)付きのフォトマスクパタンデータ
の検証方法の提供を可能にした。詳しくは、付加図形付
きのフォトマスクパタンデータに対し、付加図形が欠如
している欠如箇所、付加図形が元の図形から決められた
所定距離だけ離れていない箇所を抽出できる、検証方法
の提供を可能にした。
As described above, the present invention makes it possible to provide a method for verifying photomask pattern data with an additional figure (also referred to as an additional figure pattern). In detail, for a photomask pattern data with an additional graphic, a verification method that can extract a missing part where the additional graphic is missing and a part where the additional graphic is not separated from the original graphic by a predetermined distance is provided. Made it possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の付加図形付きのフォトマスクパタンデ
ータの検証方法の実施の形態の1例の処理を示したフロ
ー図
FIG. 1 is a flowchart showing processing of an example of an embodiment of a method for verifying photomask pattern data with an additional graphic according to the present invention;

【図2】図2(a)は付加図形付きのフォトマスクパタ
ンデータ(図1の110に相当)の一部を示した図で、
図2(b)は合成データ(図1の150に相当)の図2
(a)に対応する領域を示した図である。
FIG. 2A is a diagram showing a part of photomask pattern data with an additional figure (corresponding to 110 in FIG. 1);
FIG. 2B is a diagram of the composite data (corresponding to 150 in FIG. 1).
FIG. 3 is a diagram showing an area corresponding to FIG.

【図3】図3(a)は付加図形付きのフォトマスクパタ
ンデータから設計データの図形を除去したデータを表し
た図で、図3(b)はこれをオーバーサイズしたデータ
を示した図である。
FIG. 3A is a diagram showing data obtained by removing a figure of design data from photomask pattern data with an additional figure, and FIG. 3B is a diagram showing data oversized the data; is there.

【図4】パタンデータの図形演算処理を説明するための
FIG. 4 is a diagram for explaining a graphic calculation process of pattern data;

【図5】ウエーハの処理面状態を示した図FIG. 5 is a diagram showing a processing surface state of a wafer.

【図6】従来の技術によるパタンデータ作成方法のフロ
ー図
FIG. 6 is a flowchart of a pattern data creation method according to a conventional technique.

【図7】従来の技術によるパタンデータ作成方法の各処
理における状態を示した図
FIG. 7 is a diagram showing a state in each processing of a pattern data creating method according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 付加図形付きのフォトマスクパタンデー
タ 120 設計データ 120A (設計データの)図形 120a 図形位置 121 オーバーサイズデータ 130 付加図形データ 130A 付加図形 130a 図形位置 131 オーバーサイズデータ 132 オーバーサイズデータ 132A 重なり部 140 全領域データ 150 合成データ 151 ぬけ部 160 付加図形欠如領域データ 170 重なり部データ 180 エラー部データ 191 付加図形欠如領域データ作成処理(付加
図形欠如領域抽出処理とも言う) 192 重なり部データ作成処理(間隔不良部抽
出処理とも言う) DP 設計データ DT 付加図形用データ(単に付加図形データ
とも言う) FPO 付加図形付きパタンデータ AD 領域データ ad 付加図形領域 dd 欠け付加図形(微小付加図形とも言う) dp 図形(回路パタンないし図形パタンとも
言う) dt 付加図形(付加パタンとも言う) dist 最小間隔
110 Photomask pattern data with additional graphic 120 Design data 120A Graphic 120a (of design data) Graphic position 121 Oversize data 130 Additional graphic data 130A Additional graphic 130a Graphic position 131 Oversize data 132 Oversize data 132A Overlap 140 All areas Data 150 Synthetic data 151 Blank part 160 Additional graphic missing area data 170 Overlapping part data 180 Error part data 191 Additional graphic missing area data creation processing (also referred to as additional graphic missing area extraction processing) 192 Overlapping part data creation processing (extraction of defective interval part) DP design data DT Additional graphic data (also simply referred to as additional graphic data) FPO Pattern data with additional graphic AD area data ad Additional graphic area dd Missing additional graphic (Also referred to as small additional figure) dp figure (also referred to as circuit pattern or figure pattern) dt additional figure (also referred to as additional pattern) dist Minimum interval

フロントページの続き (72)発明者 登山 伸人 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 坂田 若彦 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BB01 BB02 BD01 5B046 AA08 BA04 DA05 GA01 JA02 5F064 DD08 DD13 DD24 HH10 HH15Continuation of the front page (72) Inventor Nobuto Toyama 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Sakata Wakahiko 1-1-1, Ichigaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo No.1 Dai Nippon Printing Co., Ltd. F-term (reference) 2H095 BB01 BB02 BD01 5B046 AA08 BA04 DA05 GA01 JA02 5F064 DD08 DD13 DD24 HH10 HH15

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 設計データに図形密度を均一化するため
の方形の図形からなる付加図形を複数設けた付加図形付
きのフォトマスクパタンデータに対し、設計データの各
図形から所定の距離をおいた図形のない領域に、前記方
形図形がX方向、Y方向それぞれ所定のピッチで2 次元
配列した状態で、形成されているか否かを検証する、付
加図形付きのフォトマスクパタンデータの検証方法であ
って、(a)前記付加図形付きのフォトマスクパタンデ
ータから付加図形を除いた、設計データに対し、所定の
値だけオーバーサイズ処理して得られたパタンデータ
と、前記付加図形付きのフォトマスクパタンデータから
設計データの図形を除いたパタンデータに対し、方形図
形を方形図形同士が繋がる所定の値だけオーバーサイズ
処理して得られたパタンデータとに論理OR図形処理を
施し、合成データを得た後、得られた合成データと、設
計データの全領域を表す全領域データとに論理NOT図
形処理を施し、付加図形付きのフォトマスクパタンデー
タの方形図形が欠如している領域のみを表すパタンデー
タを作成する付加図形欠如領域データ作成処理と、
(b)前記付加図形付きのフォトマスクパタンデータか
ら設計データの図形を除いたパタンデータに対し、方形
図形を方形図形同士が繋がる所定の値だけオーバーサイ
ズ処理して得たパタンデータと、設計データとに論理A
ND図形処理を施し、両パタンデータの重なり部のみを
表すパタンデータを作成する重なり部データ作成処理と
を行なうものであることを特徴とする付加図形付きのフ
ォトマスクパタンデータの検証方法。
1. A predetermined distance from each figure in the design data is set to photomask pattern data with an additional figure in which a plurality of square figures for uniforming the figure density are provided in the design data. A method of verifying photomask pattern data with an additional figure, which verifies whether or not the rectangular figure is formed in a two-dimensional array at a predetermined pitch in each of the X direction and the Y direction in a region having no figure. (A) pattern data obtained by oversizing the design data by a predetermined value with respect to the design data obtained by removing the additional graphic from the photomask pattern data with the additional graphic, and the photomask pattern with the additional graphic Pattern data obtained by oversizing a rectangular figure by a predetermined value that connects the rectangular figures to the pattern data excluding the design data figure from the data. After performing a logical OR graphic process on the data and obtaining composite data, a logical NOT graphic process is performed on the obtained composite data and all area data representing the entire area of the design data, and a photomask pattern with an additional graphic is obtained. An additional figure lacking area data creating process for creating pattern data representing only an area where a rectangular figure of data is missing;
(B) pattern data obtained by oversizing a rectangular figure by a predetermined value connecting the rectangular figures to the pattern data obtained by removing the design data figure from the photomask pattern data with the additional figure; And logic A
A method of verifying photomask pattern data with an additional figure, comprising performing ND figure processing and performing overlapping part data creation processing for creating pattern data representing only the overlapping part of both pattern data.
【請求項2】 請求項1において、方形の付加図形付き
の付加図形付きのフォトマスクパタンデータは、順に、
(a)設計データの全領域を表す全領域データから、設
計データの図形を所定サイズだけオーバーサイズしたパ
タンデータを、論理NOT図形処理により差し引くこと
で、付加図形配置する領域を表す付加図形配置領域デー
タADを作成する、付加図形を配置領域データ作成処理
と、(b)付加図形配置領域データADと、設計データ
の全領域に相当する領域全域にわたり、方形図形をX方
向、Y方向に、それぞれ所定のピッチで2 次元配列した
付加図形用パタンデータDTとに、論理AND図形処理
を施す、論理AND図形処理と、(c)論理AND図形
処理により得られたパタンデータに対し、順にアンダー
サイズ処理とオーバーサイズ処理とを施し、前記論理A
ND図形処理により得られたパタンデータから、前記方
形図形が欠けた状態の欠け付加図形を削除する削除処理
と、(d)設計データと、削除処理により得られたパタ
ンデータとを合成して、方形の付加図形付きのフォトマ
スクパタンデータを作成する、合成処理とを行ない、作
成されたものであり、重なり部抽出処理は、削除処理に
より得られたパタンデータに対し、所定の値だオーバー
サイズして得られたパタンデータと、設計データとに論
理AND図形処理を施し、両パタンデータの重なり部の
みを表すパタンデータを抽出するものであることを特徴
とする付加図形付きのフォトマスクパタンデータの検証
方法。
2. The photomask pattern data with an additional figure with a rectangular additional figure according to claim 1,
(A) An additional graphic arrangement area representing an area in which an additional graphic is to be arranged by subtracting pattern data in which a graphic of the design data is oversized by a predetermined size from the entire area data representing the entire area of the design data by logical NOT graphic processing. (B) additional graphic arrangement area data AD, which creates data AD, and (b) a rectangular graphic in the X direction and Y direction over the entire area corresponding to the entire area of the design data. A logical AND graphic process is performed on the additional graphic pattern data DT two-dimensionally arranged at a predetermined pitch. A logical AND graphic process and (c) an undersize process are sequentially performed on the pattern data obtained by the logical AND graphic process. And oversize processing to obtain the logic A
(D) combining the design data with the pattern data obtained by the deletion processing to delete the missing additional graphic in a state where the rectangular figure is missing from the pattern data obtained by the ND graphic processing; Creates photomask pattern data with a rectangular additional figure, and performs synthesis processing. The overlapping part extraction processing is a predetermined value oversize of the pattern data obtained by the deletion processing. A logical AND graphic process is performed on the pattern data and the design data obtained as a result, and pattern data representing only an overlapping portion of the two pattern data is extracted. Verification method.
【請求項3】 請求項2において、付加図形欠如領域デ
ータ作成処理により得られた、付加図形が欠如している
領域のみを表すパタンデータと、重なり部データ作成処
理により得られた重なり部のみを表すパタンデータとを
合成して、エラー部を表すパタンデータとすることを特
徴とする付加図形付きのフォトマスクパタンデータの検
証方法。
3. The method according to claim 2, wherein the pattern data representing only the area where the additional graphic is missing, obtained by the additional graphic missing area data generating processing, and the overlapping part obtained by the overlapping part data generating processing are included. A method for verifying photomask pattern data with an additional graphic, comprising combining the pattern data with the pattern data to represent the error portion.
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