JP2002311586A - Negative type resist composition for electron beam or x-ray - Google Patents

Negative type resist composition for electron beam or x-ray

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JP2002311586A
JP2002311586A JP2001119723A JP2001119723A JP2002311586A JP 2002311586 A JP2002311586 A JP 2002311586A JP 2001119723 A JP2001119723 A JP 2001119723A JP 2001119723 A JP2001119723 A JP 2001119723A JP 2002311586 A JP2002311586 A JP 2002311586A
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electron beam
ray
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Akira Takahashi
表 高橋
Yutaka Adegawa
豊 阿出川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using electron beams or X-rays and to provide a negative type chemical amplification type resist composition for electron beams or X-rays satisfying such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when electron beams or X-rays are used. SOLUTION: The negative type resist composition contains (A) a sulfonium salt and/or an iodonium salt which generates an acid when irradiated with electron beams or X-rays and has at least one phenyl group, (B) a resin soluble in an aqueous alkali solution, (C) a crosslinker which causes crosslinking with the resin (B) under the action of the acid and (D) a compound which breaks its own bond and/or cleaves another component when irradiated with electron beams or X-rays but does not generates a phenyl radical as an intermediate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超LSIや高容量
マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプ
ロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに
好適に用いられるネガ型レジスト組成物に関するもので
ある。さらに詳しくは、X線、電子線等を使用して高精
細化したパターン形成しうるネガ型フォトレジスト組成
物に関するものであり、特に電子線等の高エネルギー線
を用いる半導体素子の微細加工に好適に用いることので
きるネガ型レジスト組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a negative resist composition suitable for use in ultra microlithography processes such as the production of ultra LSIs and high capacity microchips, and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a negative type photoresist composition capable of forming a pattern with high definition using X-rays, electron beams and the like, and is particularly suitable for fine processing of a semiconductor device using high energy rays such as electron beams. The present invention relates to a negative resist composition which can be used for a resist composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路はその集積度を益々高めてお
り、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハーフ
ミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必
要とされるようになってきた。その必要性を満たすため
にフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用波
長は益々短波化し、今では、遠紫外光やエキシマレーザ
ー光(XeCl、KrF、ArFなど)が検討されるま
でになってきている。更に、電子線あるいはX線により
更に微細なパターン形成が検討されるに至っている。
2. Description of the Related Art The degree of integration of integrated circuits is increasing, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSI, processing of ultrafine patterns having a line width of less than half a micron is required. Have been. In order to meet the need, the wavelength of an exposure apparatus used for photolithography is becoming shorter and shorter, and now far ultraviolet light and excimer laser light (XeCl, KrF, ArF, etc.) have been studied. . Further, formation of finer patterns by electron beams or X-rays has been studied.

【0003】特に電子線あるいはX線は次世代もしくは
次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感
度、高解像かつ矩形なプロファイル形状を達成し得るネ
ガ型レジストの開発が望まれている。電子線リソグラフ
ィーは、加速された電子線がレジスト材料を構成する原
子と衝突散乱を起こす過程で化合物にエネルギーを供給
し、レジスト材料の反応を生起し画像を形成させるもの
である。高加速化した電子線を用いることで直進性が増
大し、電子散乱の影響が少なくなり高解像で矩形な形状
のパターン形成が可能となるが、一方では電子線の透過
性が高くなり、感度が低下してしまう。この様に、電子
線リソグラフィーにおいては、感度と解像性・レジスト
形状がトレードオフの関係にあり、これを如何に両立し
得るかが課題であった。これらに対するレジスト材料と
しては、感度を向上させる目的で、主に酸触媒反応を利
用した化学増幅型レジストが用いられ、ネガ型レジスト
に対しては主成分として、アルカリ可溶性樹脂、酸発生
剤、及び酸架橋剤から成る化学増幅型組成物が有効に使
用されている。
In particular, electron beams or X-rays are positioned as a next-generation or next-next-generation pattern forming technology, and development of a negative resist capable of achieving a high sensitivity, a high resolution and a rectangular profile is desired. In electron beam lithography, energy is supplied to a compound in a process where an accelerated electron beam causes collision and scattering with atoms constituting a resist material to cause a reaction of the resist material to form an image. The use of a highly accelerated electron beam increases the straightness, reduces the effects of electron scattering, and makes it possible to form a high-resolution rectangular pattern.On the other hand, the electron beam permeability increases, The sensitivity decreases. As described above, in electron beam lithography, there is a trade-off between sensitivity, resolution, and resist shape, and it has been a problem how to achieve both. As a resist material for these, for the purpose of improving sensitivity, a chemically amplified resist mainly using an acid catalyzed reaction is used, and as a main component for a negative resist, an alkali-soluble resin, an acid generator, and A chemically amplified composition comprising an acid crosslinking agent has been effectively used.

【0004】従来よりネガ化学増幅型レジストに対し、
種々のアルカリ可溶性樹脂が提案されてきた。例えば特
許第2505033号、特開平3−170554号、特
開平6−118646にはノボラック型フェノール樹
脂、特開平7−311463号、特開平8−29255
9号には分子量分布を狭めたポリビニルフェノール樹
脂、特開平3−87746号、特開平8−44061号
には水素添加により一部環状アルコール構造に変換した
フェノール樹脂、特開平7−295200号、特開平8
−152717号にはポリビニルフェノールのOH基の
一部をアルキル基で保護した樹脂、特開平8−3390
86号にはアシル基等の酸に不活性な保護基を有するポ
リビニルフェノール樹脂、特開平6−67431号、特
開平10−10733号にはスチレンと共重合したポリ
ビニルフェノール樹脂、特開平9−166870号には
(メタ)アクリレートモノマー類と共重合したポリビニ
ルフェノール樹脂、更に特開平8−240911号には
カルボキシ基を有する樹脂が開示されている。
Conventionally, for a negative chemically amplified resist,
Various alkali-soluble resins have been proposed. For example, Japanese Patent No. 2505053, JP-A-3-170554 and JP-A-6-118646 disclose novolak-type phenol resins, JP-A-7-31463, and JP-A-8-29255.
No. 9 discloses a polyvinyl phenol resin having a narrowed molecular weight distribution, JP-A-3-87746, JP-A-8-44061 discloses a phenol resin partially converted to a cyclic alcohol structure by hydrogenation, JP-A-7-295200, Kaihei 8
JP-A-152717 discloses a resin in which a part of OH groups of polyvinyl phenol is protected by an alkyl group.
No. 86 describes a polyvinyl phenol resin having an acid-inactive protecting group such as an acyl group. JP-A-6-67431 and JP-A-10-10733 describe a polyvinylphenol resin copolymerized with styrene, Discloses a polyvinyl phenol resin copolymerized with (meth) acrylate monomers, and JP-A-8-240911 discloses a resin having a carboxy group.

【0005】また酸発生剤については、特公平8−36
35号には有機ハロゲン化合物、特開平2−52348
号にはBr、Clが置換した芳香族化合物、特開平4−
367864号、特開平4−367865号にはBr、
Clが置換したアルキル基、アルコキシ基を有する芳香
族化合物、特開平2−150848号、特開平6−19
9770号にはヨードニウム、スルホニウム化合物、特
開平3−87746号にはハロアルカンスルホネート化
合物、特開平4−210960号、特開平4−2172
49号にはジアゾジスルホン化合物、又はジアゾスルホ
ン化合物、特開平4−336454号にはBr、I置換
アルキルトリアジン化合物、特開平4−291258号
にはスルホンアミド、スルホンイミド化合物、特開平4
−291259号には多価フェノールのスルホン酸化合
物、特開平4−291260号、特開平4−29126
1号、特開平6−202320号にはナフトキノンジア
ジド−4−スルホネート化合物、特開平5−21023
9号にはジスルホン化合物、特開平6−236024号
にはN−オキシイミドスルホネート化合物、米国特許第
5344742号にはベンジルスルホネート化合物等が
開示されている。
The acid generator is disclosed in Japanese Patent Publication No. 8-36.
No. 35 discloses an organic halogen compound, JP-A-2-52348.
Nos. 4 and 5 include aromatic compounds substituted with Br and Cl.
No. 368864 and JP-A-4-366865 describe Br,
Cl-substituted aromatic compounds having alkyl or alkoxy groups, JP-A-2-150848, JP-A-6-19
No. 9770, iodonium and sulfonium compounds, JP-A-3-87746, haloalkanesulfonate compounds, JP-A-4-210960, JP-A-4-2172
No. 49, a diazodisulfone compound or a diazosulfone compound; JP-A-4-336454, Br and I-substituted alkyltriazine compounds; JP-A-4-291258, a sulfonamide, sulfonimide compound;
JP-A-291259 discloses a sulfonic acid compound of a polyhydric phenol, JP-A-4-291260 and JP-A-4-29126.
No. 1 and JP-A-6-202320 disclose a naphthoquinonediazide-4-sulfonate compound.
No. 9 discloses a disulfone compound, JP-A-6-236024 discloses an N-oxyimidosulfonate compound, and U.S. Pat. No. 5,344,742 discloses a benzylsulfonate compound.

【0006】更に酸架橋剤に対しては、特開平3−75
652号、特開平5−181277号、特開平7−14
6556号にはメトキシメチルメラミン化合物、特開平
4−281455号、特開平5−232702号、特開
平6−83055号にはアルコキシメチルエーテル基を
有する化合物、特開平5−281715号にはオキサジ
ン化合物、特開平5−134412号、特開平6−38
25号にはアルコキシアルキル基を有する芳香族化合
物、特開平6−194838号にはトリオキサン化合物
の他、特開平1−293339号記載のアルコキシメチ
ルウリル化合物等が開示されている。但しこれらの化合
物の何れの組み合わせにおいても、高加速電圧条件下で
の電子線照射下やX線照射下で十分な高感度を得ること
は困難であり、且つ高感度とレジスト形状を満足し得る
レベルで両立させることは課題となっていた。
Further, with respect to acid crosslinking agents, see JP-A-3-75.
652, JP-A-5-181277, JP-A-7-14
No. 6556, a methoxymethylmelamine compound, JP-A-4-281455, JP-A-5-232702, JP-A-6-83055, a compound having an alkoxymethyl ether group, JP-A-5-281715, an oxazine compound, JP-A-5-134412, JP-A-6-38
No. 25 discloses an aromatic compound having an alkoxyalkyl group, and JP-A-6-194838 discloses, in addition to a trioxane compound, an alkoxymethyluryl compound described in JP-A-1-293339. However, in any combination of these compounds, it is difficult to obtain a sufficiently high sensitivity under electron beam irradiation or X-ray irradiation under a high accelerating voltage condition, and the high sensitivity and the resist shape can be satisfied. Balancing at the level was a challenge.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工に
おける性能向上技術の課題を解決することであり、電子
線又はX線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状
の特性を満足する電子線又はX線用ネガ型化学増幅系レ
ジスト組成物を提供することである。更に半導体素子の
量産性に適合した次世代EB照射装置(スループットの
向上を目指した、EBブロック照射機又はEBステッパ
ー(逐次縮小投映照射機))に対応できる、高感度を示
す電子線又はX線用ネガ型化学増幅系レジスト組成物を
提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the problem of a technique for improving the performance in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or an X-ray. An object of the present invention is to provide a negative chemically amplified resist composition for electron beams or X-rays, which satisfies the characteristics of sensitivity, resolution and resist shape. Highly sensitive electron beam or X-ray that can be used in next-generation EB irradiators (EB block irradiators or EB steppers (sequential reduction projection irradiators) aimed at improving throughput) that are suitable for mass production of semiconductor devices To provide a negative type chemically amplified resist composition.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】高感度を達成するにあた
り、一般に、酸発生剤の添加量を増加する手法が取られ
るが、一方、ネガ型においては、酸発生剤を多く添加す
る程、ラインパターンが裾引き形状になる等、パターン
形状が劣化する傾向にあり、高感度とパターン形状の両
立は困難であった。本研究によると、パターン形状の劣
化は、特に中間体にフェニルラジカルを発生する酸発生
剤を使用したときに顕著である傾向にあることが確認さ
れた。この結果、自身の結合が開裂する、もしくは他成
分の開列を引き起こすが、中間体としてフェニルラジカ
ルを発生しない化合物を使用することでこれらの問題が
解決されることを見出し、本発明に到達した。即ち、本
発明は下記構成である。
In order to achieve high sensitivity, a method of increasing the amount of the acid generator is generally employed. On the other hand, in a negative type, the more the acid generator is added, the more the line is added. There is a tendency for the pattern shape to deteriorate, such as a skirted shape, and it has been difficult to achieve both high sensitivity and pattern shape. According to this study, it was confirmed that pattern shape degradation tends to be remarkable especially when an acid generator that generates a phenyl radical is used as an intermediate. As a result, they have found that these problems can be solved by using a compound that cleaves its own bond or causes cleavage of other components but does not generate a phenyl radical as an intermediate, and has reached the present invention. That is, the present invention has the following configuration.

【0009】(1) (A)電子線又はX線の照射によ
り酸を発生する、少なくとも1つのフェニル基を有する
スルホニウム塩及び/又はヨードニウム塩 (B)アルカリ水溶液に可溶な樹脂 (C)酸の作用により(B)樹脂と架橋を生じる架橋剤 (D)電子線又はX線の照射により自身の結合が開裂す
る、及び/又は他成分の開裂を引き起こすが、中間体と
してフェニルラジカルを発生しない化合物、を含有して
なることを特徴とする電子線又はX線用ネガ型レジスト
組成物。
(1) (A) a sulfonium salt and / or iodonium salt having at least one phenyl group which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray; (B) a resin soluble in an aqueous alkali solution; (C) an acid (B) a cross-linking agent that forms a cross-link with the resin due to the action of (D) an electron beam or X-ray irradiation cleaves its own bond and / or causes cleavage of other components, but does not generate a phenyl radical as an intermediate A negative resist composition for electron beams or X-rays, comprising a compound.

【0010】(2) (D)電子線又はX線の照射によ
り自身の結合が開裂する、及び/又は他者の開裂を引き
起こすが、中間体としてフェニルラジカル種を発生しな
い化合物は、(a)芳香族又は脂環式ケトン類、(b)
有機過酸化物、(c)ヘキサアリールビイミダゾール化
合物、(d)ケトオキシムエステル化合物、(e)アジ
ニウム化合物、(f)活性エステル化合物、(g)炭素
ハロゲン結合を有する化合物、の群から選択される少な
くとも1種であることを特徴とする前記(1)に記載の
電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
(2) (D) A compound which cleaves its own bond by irradiation with an electron beam or X-ray and / or causes cleavage of others but does not generate a phenyl radical species as an intermediate is (a) Aromatic or alicyclic ketones, (b)
Selected from the group consisting of organic peroxides, (c) hexaarylbiimidazole compounds, (d) ketoxime ester compounds, (e) azinium compounds, (f) active ester compounds, and (g) compounds having a carbon-halogen bond. The negative resist composition for electron beams or X-rays according to the above (1), wherein the composition is at least one kind.

【0011】(3) (D)電子線又はX線の照射によ
り自身の結合が開裂する、及び/又は他者の開裂を引き
起こすが、中間体としてフェニルラジカル種を発生しな
い化合物は、(h)フォトクロミック化合物、(i)ベ
ンジルカルバメート類、(j)スルホンアミド類、
(k)アシルオキシイミノ類、の群から選択される少な
くとも1種であることを特徴とする前記(1)又は
(2)に記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成
物。
(3) (D) A compound which cleaves its own bond by irradiation with an electron beam or X-ray and / or causes cleavage of others but does not generate a phenyl radical species as an intermediate is represented by (h) Photochromic compounds, (i) benzyl carbamates, (j) sulfonamides,
(K) The negative resist composition for electron beam or X-ray according to the above (1) or (2), which is at least one selected from the group consisting of acyloxyiminos.

【0012】(4) 更に(E)含窒素塩基性化合物を
含有することを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれ
かに記載の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。 (5) 更に(F)界面活性剤を含有することを特徴と
する前記(1)〜(4)のいずれかに記載の電子線又は
X線用ネガ型レジスト組成物。
(4) The negative resist composition for electron beam or X-ray according to any one of (1) to (3), further comprising (E) a nitrogen-containing basic compound. (5) The negative resist composition for electron beam or X-ray according to any one of the above (1) to (4), further comprising (F) a surfactant.

【0013】以下に、好ましい態様を記載する。 (6) (A)電子線又はX線の照射により酸を発生す
る、少なくとも1つのフェニル基を有するスルホニウム
塩及び/又はヨードニウム塩は、少なくとも1種はフッ
素を含有するスルホニウム塩又はヨードニウム塩である
ことを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれかに記載
の電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。 (7) 更に(G)分光増感色素又は染料を含有するこ
とを特徴とする前記(1)〜(6)のいずれかに記載の
電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
Hereinafter, preferred embodiments will be described. (6) (A) The sulfonium salt and / or iodonium salt having at least one phenyl group and generating an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray is at least one sulfonium salt or iodonium salt containing fluorine. The negative resist composition for an electron beam or X-ray according to any one of the above (1) to (5). (7) The negative resist composition for an electron beam or X-ray according to any one of the above (1) to (6), further comprising (G) a spectral sensitizing dye or dye.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 〔1〕本発明(B)のアルカリ水溶液に可溶性な樹脂
(以下、アルカリ可溶性樹脂ともいう)
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the compounds used in the present invention will be described in detail. [1] Resin soluble in aqueous alkali solution of the present invention (B) (hereinafter also referred to as alkali-soluble resin)

【0015】(B)成分のアルカリ可溶性樹脂として用
いられるアルカリ可溶性樹脂としては、特に制限はな
く、従来の電子線ネガ型レジスト組成物において周知の
ものを用いることができる。このようなアルカリ可溶性
樹脂としては、フェノール、m−クレゾール、p−クレ
ゾール、キシレノール、トリメチルフェノールなどのフ
ェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを
酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹脂、ヒド
ロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチレンと他
のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレン
とアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘導体との
共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹脂、アクリ
ル酸又はメタクリル酸とその誘導体との共重合体である
アクリル酸又はメタクリル酸系樹脂などのアルカリ可溶
性樹脂、さらには、ポリヒドロキシスチレンの水酸基の
一部が酸解離性置換基で保護された樹脂などが挙げられ
る。
The alkali-soluble resin used as the alkali-soluble resin of the component (B) is not particularly limited, and those well-known in conventional electron beam negative resist compositions can be used. Examples of such an alkali-soluble resin include a novolak resin obtained by condensing a phenol such as phenol, m-cresol, p-cresol, xylenol, and trimethylphenol with an aldehyde such as formaldehyde under an acidic catalyst, and hydroxystyrene. Polyhydroxystyrene resins such as homopolymers of styrene or copolymers of hydroxystyrene with other styrene monomers, copolymers of hydroxystyrene with acrylic acid or methacrylic acid or derivatives thereof, acrylic acid or methacrylic acid Examples thereof include alkali-soluble resins such as acrylic acid or methacrylic acid-based resins, which are copolymers of styrene and its derivatives, and resins in which some of the hydroxyl groups of polyhydroxystyrene are protected with acid-dissociable substituents.

【0016】上記のヒドロキシスチレンと共重合させる
スチレン系単量体としては、スチレン、α−メチルスチ
レン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、p−
メトキシスチレン、p−クロロスチレンなどが挙げられ
る。また上記アクリル酸又はメタクリル酸の誘導体とし
ては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ア
クリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロ
キシプロピル、アクリルアミド、アクリロニトリル及び
対応するメタクリル酸誘導体を挙げることができる。他
方、上記酸解離性置換基としては、例えばtert−ブ
トキシカルボニル基、tert−アミルオキシカルボニ
ル基などの第三級アルキルオキシカルボニル基、ter
t−ブトキシカルボニルメチル基などの第三級アルキル
オキシカルボニルアルキル基、tert−ブチル基のよ
うな第三級アルキル基、エトキシエチル基、メトキシプ
ロピル基などのアルコキシアルキル基、テトラヒドロピ
ラニル基、テトラヒドロフラニル基などのアセタール
基、ベンジル基、トリメチルシリル基などを挙げること
ができる。これらの酸解離性置換基による水酸基の保護
率は、通常樹脂中の水酸基の1〜60モル%、特には1
0〜50モル%の範囲であることが、露光部と未露光部
のコントラストに優れて好ましい。
The styrene monomers to be copolymerized with the above-mentioned hydroxystyrene include styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene and p-methylstyrene.
Methoxy styrene, p-chlorostyrene and the like can be mentioned. Examples of the derivatives of acrylic acid or methacrylic acid include, for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, acrylamide, acrylonitrile, and corresponding methacrylic acid derivatives. On the other hand, examples of the acid dissociable substituent include a tertiary alkyloxycarbonyl group such as a tert-butoxycarbonyl group and a tert-amyloxycarbonyl group;
Tertiary alkyloxycarbonylalkyl groups such as t-butoxycarbonylmethyl group; tertiary alkyl groups such as tert-butyl group; alkoxyalkyl groups such as ethoxyethyl group and methoxypropyl group; tetrahydropyranyl group; tetrahydrofuranyl Examples include an acetal group such as a group, a benzyl group, and a trimethylsilyl group. The protection ratio of the hydroxyl group by these acid-dissociable substituents is usually 1 to 60 mol% of the hydroxyl group in the resin, particularly 1
It is preferable that the content be in the range of 0 to 50 mol% because of excellent contrast between the exposed portion and the unexposed portion.

【0017】これらのアルカリ可溶性樹脂は、分子量分
布(Mw/Mn比)3.5以下のものがレジストパター
ン形状に優れ好ましく、このような樹脂は単分散型樹脂
と呼ばれ、市販品として容易に入手することができる。
また、Mw/Mn比が3.5を超えるノボラック樹脂の
場合は、公知の分別沈殿処理により、低分子量部分を取
り除き、Mw/Mn比を3.5以下にして用いてもよ
い。
Among these alkali-soluble resins, those having a molecular weight distribution (Mw / Mn ratio) of 3.5 or less are preferred because of their excellent resist pattern shape. Such resins are called monodispersed resins and are easily commercially available. Can be obtained.
In the case of a novolak resin having an Mw / Mn ratio of more than 3.5, the low molecular weight portion may be removed by a known fractional precipitation treatment, and the Mw / Mn ratio may be adjusted to 3.5 or less.

【0018】本発明においては、この(B)成分とし
て、ポリヒドロキシスチレン、酸解離性置換基で保護さ
れた水酸基をもつポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシ
スチレンとスチレンとの共重合体及びクレゾールノボラ
ック樹脂が好ましく、特に、分子量分布(Mw/Mn
比)3.5以下のクレゾールノボラック樹脂、分子量分
布(Mw/Mn比)1.5以下のポリヒドロキシスチレ
ン、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ポリヒ
ドロキシスチレンの水酸基の一部がtert−ブトキシ
カルボニル基で保護された樹脂が耐熱性及びコントラス
トに優れたレジストパターンの形成に好適である。な
お、重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GP
C法)により測定したポリスチレン換算の値である。本
発明においては、この(B)成分のアルカリ可溶性樹脂
は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用い
てもよい。
In the present invention, the component (B) is preferably polyhydroxystyrene, polyhydroxystyrene having a hydroxyl group protected by an acid-dissociable substituent, a copolymer of hydroxystyrene and styrene, and a cresol novolak resin. In particular, the molecular weight distribution (Mw / Mn
Cresol novolak resin having a ratio of 3.5 or less, polyhydroxystyrene having a molecular weight distribution (Mw / Mn ratio) of 1.5 or less, a copolymer of hydroxystyrene and styrene, and a part of hydroxyl groups of polyhydroxystyrene having tert-butoxycarbonyl. The resin protected by the group is suitable for forming a resist pattern having excellent heat resistance and contrast. The weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)
Means gel permeation chromatography (GP
C) in terms of polystyrene. In the present invention, the alkali-soluble resin of the component (B) may be used alone or in combination of two or more.

【0019】本発明においてアルカリ可溶性樹脂は、好
ましくは樹脂の主要連鎖骨格に連結する部位からメタ位
に、少なくともOH基を1個有するフェノール構造を含
む繰り返し単位を含有する樹脂であり、分子量分布が
1.0〜1.5の範囲にあるアルカリ可溶性樹脂であ
る。化学増幅型ネガレジストにおいては、活性光線、放
射線、又は電子線などの照射により発生した酸触媒の作
用により、架橋剤とアルカリ可溶性樹脂が反応し架橋構
造を形成してアルカリ現像液に不溶する。この際、メタ
位に少なくともOH基を1個有するフェノール構造を含
有するアルカリ可溶性樹脂を用いた場合、更に樹脂の分
子量分布を小さくし、より均一な分子量を有する樹脂を
用いた場合に、特異的に架橋効率が向上し感度が増大す
ることが判明した。
In the present invention, the alkali-soluble resin is preferably a resin containing a repeating unit containing a phenol structure having at least one OH group at a meta position from a site linked to the main chain skeleton of the resin, and having a molecular weight distribution. It is an alkali-soluble resin in the range of 1.0 to 1.5. In a chemically amplified negative resist, a cross-linking agent and an alkali-soluble resin react by an action of an acid catalyst generated by irradiation with actinic rays, radiation, or an electron beam to form a cross-linked structure and become insoluble in an alkali developer. In this case, when an alkali-soluble resin containing a phenol structure having at least one OH group at the meta position is used, the molecular weight distribution of the resin is further reduced, and when a resin having a more uniform molecular weight is used, specific It was found that the crosslinking efficiency was improved and the sensitivity was increased.

【0020】このような樹脂としては、好ましくはm−
ポリビニルフェノール樹脂、m−ビニルフェノール由来
の構造単位を有する共重合体、及びm−ポリビニルフェ
ノール樹脂を一部保護又は修飾することで得られる樹
脂、m−フェノール骨格を有する(メタ)アクリレート
ポリマー等の樹脂を広く使用することができるが、より
好ましくは下記一般式(a)で表される繰り返し構造単
位を含有するフェノール系の樹脂を挙げることができ
る。
As such a resin, preferably, m-
Polyvinyl phenol resin, a copolymer having a structural unit derived from m-vinyl phenol, a resin obtained by partially protecting or modifying the m-polyvinyl phenol resin, a (meth) acrylate polymer having an m-phenol skeleton, and the like. Although resins can be widely used, more preferred are phenolic resins containing a repeating structural unit represented by the following general formula (a).

【0021】[0021]

【化1】 Embedded image

【0022】一般式(a)中、R1は水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキ
ル基、オキシアルキル基又はハロアルキル基を表す。x
は0〜3の整数を表す。R2は水素原子、置換基を有し
ていても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基、アラルキル基、アリール基、あるいはアシル基
を表す。R2が複数存在するとき、複数のR2は同じでも
異なっていてもよい。R3は水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、
もしくはアリール基を表す。R3が複数存在するとき、
複数のR3は同じでも異なっていてもよい。また複数の
2のうちの二つ、複数のR3のうちの二つ、又はR2
3は、結合して環を形成しても良い。
In the general formula (a), R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an oxyalkyl group or a haloalkyl group which may have a substituent. x
Represents an integer of 0 to 3. R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group or an acyl group which may have a substituent. When R 2 there are a plurality, the plurality of R 2 may be the same or different. R 3 is a hydrogen atom, a halogen atom,
A cyano group, or an optionally substituted alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group,
Alternatively, it represents an aryl group. When there are a plurality of R 3 ,
A plurality of R 3 may be the same or different. Further, two of the plurality of R 2 , two of the plurality of R 3 , or R 2 and R 3 may be combined to form a ring.

【0023】A1は単結合、置換基を有しても良い、2
価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン
基、もしくはアリーレン基、又は−O−、−SO2−、
−O−CO−R5−、−CO−O−R6−、−CO−N
(R7)−R8−を表す。R5、R6、 R8は同じでも異な
っていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル
基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有して
も良い、また置換基を有しても良い、2価のアルキレン
基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン
基を表す。R7は水素原子、置換基を有していても良
い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又
はアリール基を表す。
A 1 may have a single bond or a substituent,
Valent alkylene group, alkenylene group, cycloalkylene group or arylene group, or -O -, - SO 2 -,
-O-CO-R 5 -, - CO-O-R 6 -, - CO-N
(R 7 ) represents —R 8 —. R 5 , R 6 , and R 8 may be the same or different and may have a single bond, an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group, or a ureide group, or may have a substituent. Good represents a divalent alkylene group, alkenylene group, cycloalkylene group, or arylene group. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, or an aryl group which may have a substituent.

【0024】またR1〜R3、R7のアルキル基として
は、好ましくは炭素数1〜8個のアルキル基であって、
例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル
基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、
オクチル基を挙げることができる。 R2〜R3、R7のシ
クロアルキル基は単環型でも良く、多環型でも良い。単
環型としては炭素数3〜8個の例えば、シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を好ましく挙
げることができる。多環型としては例えば、アダマンチ
ル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル
基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデ
カニル基等を好ましく挙げることができる。
The alkyl group for R 1 to R 3 and R 7 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms,
For example, methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group,
An octyl group can be mentioned. The cycloalkyl groups of R 2 to R 3 and R 7 may be monocyclic or polycyclic. Preferred examples of the monocyclic type include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group each having 3 to 8 carbon atoms. Preferred examples of the polycyclic type include an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinel group, and a tricyclodecanyl group.

【0025】R2〜R3のアルケニル基としては、好まし
くは炭素数2〜8個のアルケニル基であり、例えば、ビ
ニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を
挙げることができる。R2〜R3、R7のアリール基とし
ては、好ましくは炭素数6〜15個のアリール基であ
り、例えば、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル
基、2,4,6−トリメチルフェニル基、ナフチル基、
アントリル基等を挙げることができる。R2〜R3、R7
のアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜12個
のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチ
ル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
The alkenyl group of R 2 to R 3 is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group and a cyclohexenyl group. The aryl group of R 2 to R 3 and R 7 is preferably an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, for example, a phenyl group, a tolyl group, a dimethylphenyl group, a 2,4,6-trimethylphenyl group, Naphthyl group,
And an anthryl group. R 2 to R 3 , R 7
The aralkyl group is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.

【0026】R1のオキシアルキル基としては、好まし
くは炭素数1〜4個のオキシアルキル基であり、例えば
ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等
の炭素数1〜4個のアルコキシ基、もしくはアセトキシ
基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキシ基等の炭
素数1〜4個のアシル基が置換したオキシメチル基、オ
キシエチル基、オキシプロピル基、オキシブチル基等を
挙げることができる。R1のハロアルキル基としては、
好ましくは炭素数1〜4個のハロアルキル基であり、例
えばクロロメチル基、クロロエチル基、クロロプロピル
基、クロロブチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基
等を挙げることができる。R2のアシル基としては、好
ましくは炭素数1〜10個のアシル基であり、例えばホ
ルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル
基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を挙げることができ
る。
The oxyalkyl group for R 1 is preferably an oxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as a hydroxy group, a methoxy group, an ethoxy group and a butoxy group. And an oxymethyl group, an oxyethyl group, an oxypropyl group, and an oxybutyl group substituted by an acyl group having 1 to 4 carbon atoms such as an acetoxy group, a propanoyloxy group and a butanoyloxy group. As the haloalkyl group for R 1 ,
It is preferably a haloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include a chloromethyl group, a chloroethyl group, a chloropropyl group, a chlorobutyl group, a bromomethyl group, and a bromoethyl group. The acyl group for R 2 is preferably an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group, and a benzoyl group.

【0027】A1、R5、R6、R8のアルキレン基として
は、好ましくは炭素数1〜8個のアルキレン基であり、
例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることがで
きる。アルケニレン基としては、好ましくは炭素数2〜
6個のアルケニレン基であり、例えばエテニレン基、プ
ロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。
シクロアルキレン基としては、好ましくは炭素数5〜8
個のシクロアルキレン基であり、例えばシクロペンチレ
ン基、シクロヘキシレン基等を挙げることができる。ア
リーレン基としては、好ましくは炭素数6〜12個のア
リーレン基であり、例えばフェニレン基、トリレン基、
キシリレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。
The alkylene group of A 1 , R 5 , R 6 and R 8 is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms,
Examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. The alkenylene group preferably has 2 to 2 carbon atoms.
These are six alkenylene groups, for example, an ethenylene group, a propenylene group, a butenylene group and the like.
The cycloalkylene group preferably has 5 to 8 carbon atoms.
Cycloalkylene groups, for example, a cyclopentylene group, a cyclohexylene group and the like. The arylene group is preferably an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, for example, a phenylene group, a tolylene group,
Examples include a xylylene group and a naphthylene group.

【0028】更にこれらの基は更に置換基を有していて
もよい。置換基としては、例えば、アミノ基、アミド
基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボ
キシル基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子
(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、アル
コキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等)、チオエーテル基、アシル基(アセチル
基、プロパノイル基、ベンゾイル基等)、アシロキシ基
(アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基等)、アルコキシカルボニル基(メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル
基等)、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。
特にアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活
性水素を有するものが好ましい。
Further, these groups may further have a substituent. Examples of the substituent include those having active hydrogen such as an amino group, an amide group, a ureido group, a urethane group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), and an alkoxy group. Groups (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), thioether group, acyl group (acetyl group, propanoyl group, benzoyl group, etc.), acyloxy group (acetoxy group, propanoyloxy group, benzoyloxy group, etc.), Examples include an alkoxycarbonyl group (a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, etc.), a cyano group, a nitro group, and the like.
Particularly, those having active hydrogen such as an amino group, a hydroxyl group and a carboxyl group are preferable.

【0029】また、複数のR2のうちの二つ、複数のR3
のうちの二つ、又はR2とR3が結合して形成してもよい
環としては、4〜7員環のヘテロ原子(酸素原子、窒素
原子、硫黄原子)を含有しても良い環であり、形成した
構造として、具体的にはベンゾフラン環、ベンゾジオキ
ソノール環、ベンゾピラン環、インドール環、ベンゾイ
ミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾチオフェン
環等を好ましく挙げることができる。
Further, two of a plurality of R 2 , a plurality of R 3
And the ring which may be formed by combining R 2 and R 3 may be a ring which may contain a 4- to 7-membered hetero atom (oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom) Specific examples of the formed structure preferably include a benzofuran ring, a benzodioxonol ring, a benzopyran ring, an indole ring, a benzimidazole ring, a benzopyrazole ring, and a benzothiophene ring.

【0030】本発明(B)の樹脂は、一般式(a)の繰
り返し構造単位からのみなる樹脂であっても良いが、更
に本発明のネガ型レジストの性能を向上させる目的で、
他の重合性モノマーを共重合させても良い。
The resin of the present invention (B) may be a resin comprising only the repeating structural unit of the general formula (a), but for the purpose of further improving the performance of the negative resist of the present invention,
Other polymerizable monomers may be copolymerized.

【0031】使用することができる共重合モノマーとし
ては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外の
アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビ
ニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロ
トン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結
合を1個有する化合物である。
The copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, acrylates other than the above, acrylamides, methacrylates, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, addition polymerizable unsaturated bonds selected from crotonates and the like. It is a compound having one.

【0032】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸t−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルア
クリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,2
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリル
アクリレート、など)アリールアクリレート(例えばフ
ェニルアクリレートなど);
Specifically, for example, acrylic esters such as alkyl (the alkyl group has 1 to 1 carbon atoms)
Acrylates (eg, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, t-butyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, tert-octyl acrylate) , Chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2
-Dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, etc.) aryl acrylate (for example, phenyl acrylate);

【0033】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い)メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど)、
アリールメタクリレート(例えば、フェニルメタクリレ
ート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレー
トなど);
Methacrylic esters, for example, alkyl (preferably having 1 to 10 carbon atoms in the alkyl group) methacrylate (for example, methyl methacrylate,
Ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, t-butyl methacrylate,
Amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate,
Chlorbenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate , Furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, etc.),
Aryl methacrylates (eg, phenyl methacrylate, cresyl methacrylate, naphthyl methacrylate, etc.);

【0034】アクリルアミド類、例えば、アクリルアミ
ド、N−アルキルアクリルアミド、(アルキル基として
は、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基などがある。)、N−ア
リールアクリルアミド(アリール基としては、例えばフ
ェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、
シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシ
フェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルアクリ
ルアミド(アルキル基としては、炭素原子数1〜10の
もの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブ
チル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがあ
る。)、N,N−ジアリールアクリルアミド(アリール
基としては、例えばフェニル基などがある。)、N−メ
チル−N−フェニルアクリルアミド、N−ヒドロキシエ
チル−N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミ
ドエチル−N−アセチルアクリルアミドなど;
Acrylamides, for example, acrylamide, N-alkylacrylamide, (alkyl having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, heptyl) Group, octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, benzyl group, etc.), N-arylacrylamide (aryl group includes, for example, phenyl group, tolyl group, nitrophenyl group, naphthyl group,
Examples include a cyanophenyl group, a hydroxyphenyl group, and a carboxyphenyl group. ), N, N-dialkylacrylamide (an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a butyl group, an isobutyl group, an ethylhexyl group, a cyclohexyl group, etc.), N-diarylacrylamide (an aryl group includes, for example, a phenyl group), N-methyl-N-phenylacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide and the like ;

【0035】メタクリルアミド類、例えば、メタクリル
アミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基と
しては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル
基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒド
ロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。)、N
−アリールメタクリルアミド(アリール基としては、フ
ェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルメタクリ
ルアミド(アルキル基としては、エチル基、プロピル
基、ブチル基などがある。)、N,N−ジアリールメタ
クリルアミド(アリール基としては、フェニル基などが
ある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタクリ
ルアミド、N−メチル−N−フェニルメタクリルアミ
ド、N−エチル−N−フェニルメタクリルアミドなど;
アリル化合物、例えば、アリルエステル類(例えば、酢
酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウ
リン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリ
ル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルな
ど)、アリルオキシエタノールなど;
Methacrylamides, for example, methacrylamide, N-alkylmethacrylamide (an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, t-butyl, ethylhexyl, hydroxyethyl Group, cyclohexyl group, etc.), N
-Aryl methacrylamide (an aryl group includes a phenyl group and the like), N, N-dialkyl methacrylamide (an alkyl group includes an ethyl group, a propyl group and a butyl group), N, N-diaryl Methacrylamide (an aryl group includes a phenyl group and the like), N-hydroxyethyl-N-methylmethacrylamide, N-methyl-N-phenylmethacrylamide, N-ethyl-N-phenylmethacrylamide and the like;
Allyl compounds, for example, allyl esters (for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate), allyloxyethanol Such;

【0036】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル(例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニル
エーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど)、ビニルアリールエ
ーテル(例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど);
Vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (for example, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether,
Ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, Tetrahydrofurfuryl vinyl ether, etc.), vinyl aryl ethers (for example, vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-
2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether, etc.);

【0037】ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレ
ート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテ
ート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビ
ニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジ
クロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニル
ブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニ
ルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−
フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシ
レート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安
息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ
酸ビニルなど;
Vinyl esters, for example, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxy acetate, vinyl butoxy acetate , Vinylphenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-
Phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate, vinyl naphthoate, and the like;

【0038】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲンスチレン
(例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2
−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フル
オル−3−トリフルオルメチルスチレンなど)、カルボ
キシスチレン、ビニルナフタレン;
Styrenes such as styrene, alkyl styrene (eg, methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, diethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hexyl styrene, cyclohexyl styrene, decyl styrene, benzyl styrene, chloromethyl Styrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene, acetoxymethylstyrene, etc., alkoxystyrene (eg, methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene, etc.), halogen styrene (eg, chlorostyrene, dichlorostyrene) , Trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluors Ren, trifluoromethyl styrene, 2
-Bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), carboxystyrene, vinylnaphthalene;

【0039】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル(例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネートなど);イタコン
酸ジアルキル類(例えば、イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど);マレイン酸
あるいはフマール酸のジアルキルエステル類(例えば、
ジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど)、無水
マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、マレイロニトリル等がある。その他、一般
的には共重合可能である付加重合性不飽和化合物であれ
ばよい。
Crotonic esters, for example, alkyl crotonates (for example, butyl crotonate, hexyl crotonate, glycerin monocrotonate, etc.); dialkyl itaconates (for example, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, etc.) ); Dialkyl esters of maleic acid or fumaric acid (eg,
Dimethyl maleate, dibutyl fumarate, etc.), maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilenitrile and the like. In addition, generally, any addition-polymerizable unsaturated compound that can be copolymerized may be used.

【0040】この中で、カルボキシスチレン、N−(カ
ルボキシフェニル)アクリルアミド、N−(カルボキシ
フェニル)メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ溶解性を向
上させるモノマーが共重合成分として好ましい。本発明
における樹脂中の他の重合性モノマーの含有量として
は、全繰り返し単位に対して、50モル%以下が好まし
く、より好ましくは30モル%以下である。
Among these, monomers having a carboxyl group such as carboxystyrene, N- (carboxyphenyl) acrylamide, N- (carboxyphenyl) methacrylamide, and monomers improving the alkali solubility such as maleimide are copolymer components. Is preferred. The content of the other polymerizable monomer in the resin in the present invention is preferably 50 mol% or less, more preferably 30 mol% or less, based on all repeating units.

【0041】以下に一般式(a)で表される繰り返し構
造単位を有する樹脂の具体例を示すが、本発明がこれに
限定されるものではない。
Specific examples of the resin having a repeating structural unit represented by the general formula (a) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0042】[0042]

【化2】 Embedded image

【0043】[0043]

【化3】 Embedded image

【0044】[0044]

【化4】 Embedded image

【0045】[0045]

【化5】 Embedded image

【0046】[0046]

【化6】 Embedded image

【0047】[0047]

【化7】 Embedded image

【0048】[0048]

【化8】 Embedded image

【0049】[0049]

【化9】 Embedded image

【0050】上記具体例中のnは正の整数を表す。x、
y、zは樹脂組成のモル比を表し、2成分からなる樹脂
では、x=30〜95、y=5〜70、好ましくはx=
50〜90、y=10〜50の範囲で使用される。3成
分からなる樹脂では、x=30〜90、y=5〜65、
z=5〜65、好ましくはx=50〜90、y=5〜4
5、z=5〜45の範囲で使用される。
In the above specific examples, n represents a positive integer. x,
y and z represent the molar ratio of the resin composition, and x = 30 to 95, y = 5 to 70, and preferably x =
It is used in the range of 50 to 90, y = 10 to 50. In a resin consisting of three components, x = 30 to 90, y = 5 to 65,
z = 5 to 65, preferably x = 50 to 90, y = 5 to 4
5, used in the range of z = 5-45.

【0051】本発明(B)の樹脂、好ましくは一般式
(a)で表される繰り返し単位を有する樹脂の好ましい
分子量は重量平均(ポリスチレン標準)で、1,000
〜50,000、好ましくは2,000〜30,00
0、更に好ましくは2,500〜15,000の範囲で
使用される。分子量分布(Mw/Mn)は1.0〜1.
5の範囲であり、より好ましくは1.0〜1.2の範囲
のものが使用される。分子量分布が小さいほど、架橋効
率が向上し感度が増大する。更に解像度、パターンのエ
ッジラフネス性に優れた効果を示す。ここで、重量平均
分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)、分子量分布
(Mw/Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラ
フィー(ポリスチレン換算値)にて得られる。一般式
(a)で表される繰り返し構造単位の含有量は、5〜1
00モル%、好ましくは50〜100モル%、更に好ま
しくは70〜100モル%である。
The preferred molecular weight of the resin of the present invention (B), preferably the resin having a repeating unit represented by the general formula (a), is 1,000 by weight average (polystyrene standard).
~ 50,000, preferably 2,000 ~ 30,000
0, and more preferably in the range of 2,500 to 15,000. The molecular weight distribution (Mw / Mn) is 1.0-1.
5, and more preferably in the range of 1.0 to 1.2. The smaller the molecular weight distribution, the higher the crosslinking efficiency and the higher the sensitivity. Further, the effect of excellent resolution and pattern edge roughness is exhibited. Here, the weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mn), and molecular weight distribution (Mw / Mn) are obtained by gel permeation chromatography (polystyrene conversion value). The content of the repeating structural unit represented by the general formula (a) is 5 to 1
The amount is 00 mol%, preferably 50 to 100 mol%, and more preferably 70 to 100 mol%.

【0052】本発明(B)に用いられる樹脂は、例えば
特開平4−195138号、特開平4−350657
号、特開平4−350658号、特開平6−41222
号、特開平6−65333号の各明細書、Polym.
J.,18巻,1037頁(1986年)、Poly
m.J.,22巻,386頁(1990年)、Makr
omol.Chem.Suppl.,15巻,167頁
(1989年)等に記載された方法により合成すること
ができる。即ち、所謂リビングアニオン重合法により目
的のアルカリ可溶性樹脂を得ることができる。またラジ
カル重合で合成された樹脂を溶解性の良溶剤、貧溶剤を
組み合わせて、分子量分別するか、ゲルクロマトグラフ
ィーにより分画することによっても得ることができる。
これらの樹脂は1種で使用しても良いし、複数を混合し
て用いても良い。
The resin used in the present invention (B) is described, for example, in JP-A-4-195138 and JP-A-4-350657.
JP-A-4-350658, JP-A-6-41222
No., JP-A-6-65333, Polym.
J. , 18, 1037 (1986), Poly.
m. J. , Vol. 22, p. 386 (1990), Makr
omol. Chem. Suppl. , Vol. 15, p. 167 (1989). That is, the desired alkali-soluble resin can be obtained by a so-called living anion polymerization method. Further, it can also be obtained by combining a resin synthesized by radical polymerization with a soluble good solvent and a poor solvent and performing molecular weight fractionation or fractionation by gel chromatography.
These resins may be used alone or in combination of two or more.

【0053】アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度
は、0.26Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド(TMAH)で測定(23℃)して20Å/秒以
上のものが好ましい。特に好ましくは200Å/秒以上
のものである。本発明のアルカリ可溶性樹脂は、単独で
用いても良いが、他のアルカリ可溶性樹脂を併用するこ
ともできる。使用比率は本発明のアルカリ可溶性樹脂1
00重量部に対して本発明以外の他のアルカリ可溶性樹
脂を最大100重量部まで併用することができる。以下
に使用できる樹脂を例示する。例えばクレゾール、キシ
レノール、トリメチルフェノールを適宜組み合わせたも
のとホルムアルデヒドとのノボラック樹脂、水素化ノボ
ラック樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、p−ヒドロ
キシスチレン樹脂及びその共重合体、スチレン−無水マ
レイン酸共重合体、カルボキシ基含有(メタ)アクリル
系樹脂及びその共重合体を挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。
The alkali dissolving rate of the alkali-soluble resin is preferably 20 ° C./sec or more as measured at 23 ° C. with 0.26N tetramethylammonium hydroxide (TMAH). Particularly preferably, it is 200 ° / sec or more. The alkali-soluble resin of the present invention may be used alone or in combination with another alkali-soluble resin. The proportion of the alkali-soluble resin of the present invention is 1
Up to 100 parts by weight of another alkali-soluble resin other than the present invention can be used together with 00 parts by weight. Examples of the resins that can be used are shown below. For example, cresol, xylenol, a novolak resin of formaldehyde with a suitable combination of trimethylphenol, hydrogenated novolak resin, acetone-pyrogallol resin, p-hydroxystyrene resin and its copolymer, styrene-maleic anhydride copolymer, carboxy Examples of the group-containing (meth) acrylic resin and its copolymer include, but are not limited to, these.

【0054】樹脂(B)の添加量は、他の併用し得るア
ルカリ可溶性樹脂の添加量を含め、組成物の全固形分に
対し、30〜95重量%、好ましくは40〜90重量
%、更に好ましくは50〜80重量%の範囲で使用され
る。
The amount of the resin (B) to be added is 30 to 95% by weight, preferably 40 to 90% by weight, based on the total solid content of the composition, including the amount of other alkali-soluble resins that can be used together. Preferably, it is used in the range of 50 to 80% by weight.

【0055】〔2〕(A)成分である電子線又はX線の
照射により酸を発生する化合物(光酸発生剤)について
説明する。本発明で使用される光酸発生剤としては、電
子線又はX線の照射により酸を発生する、少なくとも1
つのフェニル基を有するスルホニウム塩及び/又はヨー
ドニウム塩であれば、何れの化合物も使用できるが、下
記の一般式(PAG3)で表されるヨードニウム塩、又
は一般式(PAG4)で表されるスルホニウム塩が好ま
しい。尚、少なくとも1つのフェニル基を有するスルホ
ニウム塩及び/又はヨードニウム塩とは、少なくとも1
つのフェニル基が該塩のカチオン部及び/又はアニオン
部に含有されているものであるが、少なくとも該塩のカ
チオン部に含有されているものが好ましい。
[2] The compound (photoacid generator) which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray as the component (A) will be described. The photoacid generator used in the present invention includes at least one photoacid generator that generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray.
Any compound can be used as long as it is a sulfonium salt and / or iodonium salt having two phenyl groups. An iodonium salt represented by the following general formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following general formula (PAG4) Is preferred. The sulfonium salt and / or iodonium salt having at least one phenyl group is at least one
Although two phenyl groups are contained in the cation part and / or the anion part of the salt, those containing at least the cation part of the salt are preferred.

【0056】[0056]

【化10】 Embedded image

【0057】ここで式Ar1、Ar2は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。R203、R204
205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。Z-は、対アニオンを示し、例
えばBF4 -、AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、Si
6 2-、ClO4 -、CF3SO3 -等のパーフルオロアルカ
ンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホ
ン酸アニオン、ナフタレン−1−スルホン酸アニオン等
の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノン
スルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げる
ことができるがこれらに限定されるものではない。
Here, the formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 203 , R 204 ,
R 205 each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Z represents a counter anion, for example, BF 4 , AsF 6 , PF 6 , SbF 6 , Si
F 6 2-, ClO 4 -, CF 3 SO 3 - perfluoroalkane sulfonate anion such as, pentafluorobenzenesulfonic acid anion, condensed polynuclear aromatic sulfonic acid anion such as naphthalene-1-sulfonic acid anion, anthraquinone sulfonic acid Examples of the dye include an anion and a sulfonic acid group-containing dye, but are not limited thereto.

【0058】またR203、R204、R205のうちの2つ及
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。具体例としては以下に示す化合物が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。
Further, two of R 203 , R 204 and R 205 and Ar 1 and Ar 2 may be bonded through a single bond or a substituent. Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0059】[0059]

【化11】 Embedded image

【0060】[0060]

【化12】 Embedded image

【0061】[0061]

【化13】 Embedded image

【0062】[0062]

【化14】 Embedded image

【0063】[0063]

【化15】 Embedded image

【0064】[0064]

【化16】 Embedded image

【0065】[0065]

【化17】 Embedded image

【0066】[0066]

【化18】 Embedded image

【0067】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば、米国特許第
2,807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号
等に記載の方法により合成することができる。
The onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known, and are described, for example, in US Pat.
It can be synthesized by the methods described in 2,807,648 and 4,247,473, JP-A-53-101,331 and the like.

【0068】上記の一般式(PAG3)で表されるヨー
ドニウム塩、又は一般式(PAG4)で表されるスルホ
ニウム塩を含めた光酸発生剤の中でも、有効に用いられ
るものの一例として、アニオンがフッ素原子を有してい
る光酸発生剤が挙げられる。
Among the photoacid generators including the iodonium salt represented by the general formula (PAG3) or the sulfonium salt represented by the general formula (PAG4), an example of a photoacid generator that can be effectively used is an anion having a fluorine anion. A photoacid generator having an atom is exemplified.

【0069】例えば、カチオン部がヨードニウム又はス
ルホニウムで構成され、アニオン部がRFSO3 -(式
中、上記RFは、炭素数1〜10のフッ素置換されたア
ルキル基を表す)で示されるアニオンで構成されている
スルホン酸塩から選択された光酸発生剤が用いられる。
Fで表されるフッ素置換されたアルキル基は、直鎖
状、分岐状、環状いずれであってもよい。好ましいRF
としては、CF3(CF2)yで表され、yが0〜9の整
数であるフッ素置換直鎖状アルキル基である。光酸発生
剤のカチオン部は、好ましくは下記一般式(I)〜(II
I)で表される。
[0069] For example, the cation portion is composed of iodonium or sulfonium, anionic part R F SO 3 - (wherein, the R F is, a fluorine-substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) represented by A photoacid generator selected from sulfonates composed of anions is used.
The fluorine-substituted alkyl group represented by R F may be linear, branched, or cyclic. Preferred R F
Is a fluorine-substituted linear alkyl group represented by CF 3 (CF 2 ) y, wherein y is an integer of 0 to 9. The cation moiety of the photoacid generator preferably has the following general formula (I) to (II)
I).

【0070】[0070]

【化19】 Embedded image

【0071】上記一般式(I)〜(III)において、R1
〜R37は、同一又は異なって水素原子、直鎖状、分岐状
あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状
アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は−S
−R38基を表す。R38は、直鎖状、分岐状あるいは環状
アルキル基又はアリール基を表す。R1〜R15、R16
27、R28〜R37のうち、2つ以上が結合して、単結
合、炭素原子、酸素原子、イオウ原子及び窒素原子から
選択される1種又は2種以上を含む環を形成してもよ
い。
In the above general formulas (I) to (III), R 1
To R 37 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group, a linear, branched or cyclic alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom or -S
—R represents a 38 group. R 38 represents a linear, branched or cyclic alkyl group or aryl group. R 1 to R 15 , R 16 to
Two or more of R 27 , R 28 to R 37 are bonded to form a ring containing one or more selected from a single bond, a carbon atom, an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom; Is also good.

【0072】一般式(I)〜(III)において、R1〜R
38の直鎖状、分岐状アルキル基としては、置換基を有し
てもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数
1〜4個のものが挙げられる。環状アルキル基として
は、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個
のものが挙げられる。R1〜R37の直鎖状、分岐状アル
コキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、
ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ
基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキ
シ基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。環状
アルコキシ基としては、シクロペンチルオキシ基、例え
ば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基
が挙げられる。R1〜R37のハロゲン原子としては、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げること
ができる。R38のアリール基としては、例えば、フェニ
ル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基のよ
うな置換基を有してもよい炭素数6〜14個のものが挙
げられる。
In the general formulas (I) to (III), R 1 to R
The linear or branched alkyl group of 38 may have a substituent and may have a carbon number such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group. 1-4 are mentioned. Examples of the cyclic alkyl group include those having 3 to 8 carbon atoms which may have a substituent, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. Examples of the linear or branched alkoxy group for R 1 to R 37 include a methoxy group, an ethoxy group,
Those having 1 to 4 carbon atoms such as a hydroxyethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group and a t-butoxy group are exemplified. Examples of the cyclic alkoxy group include a cyclopentyloxy group, for example, a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group. Examples of the halogen atom for R 1 to R 37 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the aryl group for R 38 include those having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group.

【0073】これらの置換基として好ましくは、炭素数
1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、
塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール
基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロ
キシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニト
ロ基等が挙げられる。
As these substituents, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom,
A chlorine atom, an iodine atom), an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a cyano group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, and a nitro group.

【0074】また、R1〜R15、R16〜R27、R28〜R
37のうち、2つ以上が結合して形成する、単結合、炭
素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される1種又は2
種以上を含む環としては、例えば、フラン環、ジヒドロ
フラン環、ピラン環、トリヒドロピラン環、チオフェン
環、ピロール環等を挙げることができる。本発明で用い
ることができる光酸発生剤の具体例(A1−1)〜(A
1−64)を以下に示す。
Further, R 1 to R 15 , R 16 to R 27 , R 28 to R
Of 37, two or more of formed by combining a single bond, carbon, oxygen, one selected sulfur, and nitrogen or 2
Examples of the ring containing more than one kind include a furan ring, a dihydrofuran ring, a pyran ring, a trihydropyran ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, and the like. Specific examples (A1-1) to (A) of the photoacid generator that can be used in the present invention.
1-64) is shown below.

【0075】[0075]

【化20】 Embedded image

【0076】[0076]

【化21】 Embedded image

【0077】[0077]

【化22】 Embedded image

【0078】[0078]

【化23】 Embedded image

【0079】[0079]

【化24】 Embedded image

【0080】[0080]

【化25】 Embedded image

【0081】[0081]

【化26】 Embedded image

【0082】[0082]

【化27】 Embedded image

【0083】これらの(A)光酸発生剤の添加量は、組
成物中の固形分を基準として、通常0.001〜40重
量%の範囲で用いられ、好ましくは0.01〜20重量
%、更に好ましくは0.1〜10重量%の範囲で使用さ
れる。光酸発生剤の添加量が、0.001重量%より少
ないと感度が低くなり、また添加量が40重量%より多
いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロファイルの
悪化や、プロセス(特にベーク)マージンが狭くなり好
ましくない。
The amount of the photoacid generator (A) is usually in the range of 0.001 to 40% by weight, preferably 0.01 to 20% by weight, based on the solid content in the composition. And more preferably in the range of 0.1 to 10% by weight. When the addition amount of the photoacid generator is less than 0.001% by weight, the sensitivity is lowered. When the addition amount is more than 40% by weight, the light absorption of the resist becomes too high, and the deterioration of the profile and the process (particularly baking) ) The margin is undesirably narrow.

【0084】〔3〕本発明(C)の酸架橋剤 本発明においては、アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤とと
もに、酸により架橋する化合物(以下、適宜、酸架橋剤
又は単に架橋剤と称する)を使用する。ここでは公知の
酸架橋剤を有効に使用することができる。好ましくは、
ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキ
シメチル基、又はアルコキシメチルエーテル基を1個以
上、より好ましくは2〜16個、更に好ましくは4〜1
0個有する化合物あるいは樹脂、又はエポキシ化合物で
ある。
[3] Acid Crosslinking Agent of the Present Invention (C) In the present invention, a compound capable of being crosslinked by an acid (hereinafter, appropriately referred to as an acid crosslinking agent or simply a crosslinking agent) is used together with an alkali-soluble resin and an acid generator. use. Here, a known acid crosslinking agent can be effectively used. Preferably,
One or more hydroxymethyl, alkoxymethyl, acyloxymethyl or alkoxymethyl ether groups, more preferably 2 to 16, more preferably 4 to 1
It is a compound or resin having zero or an epoxy compound.

【0085】更に好ましくは、アルコキシメチル化、ア
シルオキシメチル化メラミン化合物あるいは樹脂、アル
コキシメチル化、アシルオキシメチル化ウレア化合物あ
るいは樹脂、ヒドロキシメチル化、アルコキシメチル
化、アシルオキシメチル化フェノール化合物あるいは樹
脂、及びアルコキシメチルエーテル化フェノール化合物
あるいは樹脂等が挙げられる。
More preferably, alkoxymethylated, acyloxymethylated melamine compounds or resins, alkoxymethylated, acyloxymethylated urea compounds or resins, hydroxymethylated, alkoxymethylated, acyloxymethylated phenol compounds or resins, and alkoxymethyl Examples include etherified phenol compounds and resins.

【0086】(i)上記のフェノール化合物としては、
好ましくは、分子量が1200以下、分子内にベンゼン
環を3〜5個含み、さらにヒドロキシメチル基またはア
ルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、そのヒドロ
キシメチル基、アルコキシメチル基を少なくともいずれ
かのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合し
てなるフェノール誘導体を挙げることができる。このよ
うなフェノール誘導体を用いることにより、本発明の効
果をより顕著にすることができる。ベンゼン環に結合す
るアルコキシメチル基としては、炭素数6個以下のもの
が好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメ
チル基、n−プロポキシメチル基、i−プロポキシメチ
ル基、n−ブトキシメチル基、i−ブトキシメチル基、
sec−ブトキシメチル基、t−ブトキシメチル基が好
ましい。さらに、2−メトキシエトキシ基及び、2−メ
トキシ−1−プロピル基の様に、アルコキシ置換された
アルコキシ基も好ましい。これらのフェノール誘導体の
内、特に好ましいものを以下に挙げる。
(I) As the phenol compound,
Preferably, it has a molecular weight of 1200 or less, contains 3 to 5 benzene rings in the molecule, further has two or more hydroxymethyl groups or alkoxymethyl groups in total, and has at least one of the hydroxymethyl group and the alkoxymethyl group. Phenol derivatives formed by concentrating on a benzene ring or binding by distribution can be given. By using such a phenol derivative, the effects of the present invention can be made more remarkable. The alkoxymethyl group bonded to the benzene ring preferably has 6 or less carbon atoms. Specifically, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, an n-propoxymethyl group, an i-propoxymethyl group, an n-butoxymethyl group, an i-butoxymethyl group,
A sec-butoxymethyl group and a t-butoxymethyl group are preferred. Further, an alkoxy-substituted alkoxy group such as a 2-methoxyethoxy group and a 2-methoxy-1-propyl group is also preferable. Among these phenol derivatives, particularly preferred ones are listed below.

【0087】[0087]

【化28】 Embedded image

【0088】[0088]

【化29】 Embedded image

【0089】[0089]

【化30】 Embedded image

【0090】[0090]

【化31】 Embedded image

【0091】[0091]

【化32】 Embedded image

【0092】[0092]

【化33】 Embedded image

【0093】[0093]

【化34】 Embedded image

【0094】[0094]

【化35】 Embedded image

【0095】(式中、L1〜L8は、同じであっても異な
っていてもよく、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル
基又はエトキシメチル基を示す。) ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応
するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物
(上記式においてL1〜L8が水素原子である化合物)と
ホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによっ
て得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐた
めに、反応温度を60℃以下で行うことが好ましい。具
体的には、特開平6−282067号、特開平7−64
285号等に記載されている方法にて合成することがで
きる。
(Wherein L 1 to L 8 may be the same or different and each represents a hydroxymethyl group, a methoxymethyl group or an ethoxymethyl group.) A phenol derivative having a hydroxymethyl group is A phenol compound having no hydroxymethyl group (compound wherein L 1 to L 8 are hydrogen atoms in the above formula) and formaldehyde are reacted in the presence of a base catalyst. At this time, the reaction is preferably performed at a reaction temperature of 60 ° C. or lower in order to prevent resinification and gelation. Specifically, JP-A-6-282067 and JP-A-7-64
No. 285, for example.

【0096】アルコキシメチル基を有するフェノール誘
導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノー
ル誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによ
って得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐ
ために、反応温度を100℃以下で行うことが好まし
い。具体的には、欧州特許EP632003A1等に記
載されている方法にて合成することができる。このよう
にして合成されたヒドロキシメチル基またはアルコキシ
メチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性
の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノ
ール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。
ヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基を合わせ
て2個以上有し、いずれかのベンゼン環に集中させ、あ
るいは振り分けて結合してなるこのようなフェノール誘
導体は、単独で使用してもよく、また2種以上を組み合
わせて使用してもよい。
A phenol derivative having an alkoxymethyl group can be obtained by reacting a corresponding phenol derivative having a hydroxymethyl group with an alcohol in the presence of an acid catalyst. At this time, the reaction is preferably performed at a reaction temperature of 100 ° C. or less in order to prevent resinification and gelation. Specifically, it can be synthesized by a method described in European Patent EP632003A1 or the like. A phenol derivative having a hydroxymethyl group or an alkoxymethyl group synthesized as described above is preferable in terms of stability during storage, but a phenol derivative having an alkoxymethyl group is particularly preferable from the viewpoint of stability during storage.
Such a phenol derivative having two or more hydroxymethyl groups or alkoxymethyl groups in total and concentrated or linked to any benzene ring may be used alone. A combination of the above may be used.

【0097】(ii) N−ヒドロキシメチル基、N−
アルコキシメチル基、若しくはN−アシルオキシメチル
基を有する化合物としては、欧州特許公開(以下、「E
P−A」と記載する)第0,133,216号、西独特
許第3,634,671号、同第3,711,264号
に開示された単量体及びオリゴマー−メラミン−ホルム
アルデヒド縮合物並びに尿素−ホルムアルデヒド縮合
物、EP−A第0,212,482号に開示されたアル
コキシ置換化合物等に開示されたベンゾグアナミン−ホ
ルムアルデヒド縮合物等が挙げられる。更に好ましい例
としては、例えば、少なくとも2個の遊離N−ヒドロキ
シメチル基、N−アルコキシメチル基、若しくはN−ア
シルオキシメチル基を有するメラミン−ホルムアルデヒ
ド誘導体が挙げられ、中でもN−アルコキシメチル誘導
体が特に好ましい。
(Ii) N-hydroxymethyl group, N-
As a compound having an alkoxymethyl group or an N-acyloxymethyl group, European Patent Publication (hereinafter referred to as “E
No. 0,133,216, West German Patent Nos. 3,634,671 and 3,711,264, and monomer-oligomer-melamine-formaldehyde condensates; Examples include urea-formaldehyde condensate and benzoguanamine-formaldehyde condensate disclosed in the alkoxy-substituted compound disclosed in EP-A-0,212,482. More preferred examples include, for example, melamine-formaldehyde derivatives having at least two free N-hydroxymethyl groups, N-alkoxymethyl groups, or N-acyloxymethyl groups, among which N-alkoxymethyl derivatives are particularly preferred. .

【0098】(iii) エポキシ化合物としては、一
つ以上のエポキシ基を含む、モノマー、ダイマー、オリ
ゴマー、ポリマー状のエポキシ化合物を挙げることがで
きる。例えば、ビスフェノールAとエピクロルヒドリン
との反応生成物、低分子量フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂とエピクロルヒドリンとの反応生成物等が挙げら
れる。その他、米国特許第4,026,705号公報、
英国特許第1,539,192号公報に記載され、使用
されているエポキシ樹脂を挙げることができる。
(Iii) Examples of the epoxy compound include monomer, dimer, oligomer, and polymer epoxy compounds containing one or more epoxy groups. For example, a reaction product of bisphenol A with epichlorohydrin, a reaction product of a low molecular weight phenol-formaldehyde resin with epichlorohydrin, and the like can be mentioned. In addition, US Pat. No. 4,026,705,
Epoxy resins described and used in British Patent No. 1,539,192 can be mentioned.

【0099】架橋剤は、全レジスト組成物固形分中、一
般的に3〜65重量%、好ましくは5〜50重量%の添
加量で用いられる。架橋剤の添加量が3重量%未満であ
ると残膜率が低下し、また、65重量%を越えると解像
力が低下し、更にレジスト液の保存時の安定性の点で余
り好ましくない。
The crosslinking agent is used in an amount of generally 3 to 65% by weight, preferably 5 to 50% by weight, based on the total solid content of the resist composition. If the amount of the cross-linking agent is less than 3% by weight, the residual film ratio decreases, and if it exceeds 65% by weight, the resolving power decreases, and the stability of the resist solution during storage is not so preferable.

【0100】本発明において、上述の(i)フェノール
化合物に、例えば上述のような他の架橋剤(ii)、
(iii)を併用することもできる。上記のフェノール
誘導体に加えて併用しうる他の架橋剤の比率は、モル比
で100/0〜20/80、好ましくは90/10〜4
0/60、更に好ましくは80/20〜50/50であ
る。
In the present invention, the above-mentioned (i) phenol compound may be added to, for example, another crosslinking agent (ii) as described above,
(Iii) can also be used in combination. The ratio of other cross-linking agents that can be used in combination with the phenol derivative is from 100/0 to 20/80, preferably from 90/10 to 4 in a molar ratio.
0/60, more preferably 80/20 to 50/50.

【0101】〔4〕(D)電子線又はX線の照射により
自身の結合が開裂する、及び/又は他成分の開裂を引き
起こすが、中間体としてフェニルラジカルを発生しない
化合物、(以下、「(D)成分」ともいう) 本発明で使用される(D)成分としては、(D)電子線
又はX線の照射により自身の結合が開裂する、及び/又
は他成分の開裂を引き起こすが、中間体としてフェニル
ラジカルを発生しない化合物であれば、何れの化合物で
も使用することができるが、光ラジカル発生剤又は光塩
基発生剤が好ましい。
[4] (D) a compound that cleaves its own bond by irradiation with an electron beam or X-ray and / or causes cleavage of other components but does not generate a phenyl radical as an intermediate (hereinafter referred to as “( (D) Component) The component (D) used in the present invention includes (D) cleavage of its own bond by irradiation with an electron beam or X-ray, and / or cleavage of other components. Any compound can be used as long as it does not generate a phenyl radical as a compound, but a photo radical generator or a photo base generator is preferable.

【0102】ここで、電子線又はX線の照射により自身
の結合が開裂するとは、下式に示されるように、エネル
ギーや電子を受け取った後に分子内の共有結合が開裂す
ることを意味する。
Here, the fact that the bond itself is cleaved by irradiation with an electron beam or X-ray means that the covalent bond in the molecule is cleaved after receiving energy or electrons, as shown in the following formula.

【0103】[0103]

【化36】 Embedded image

【0104】式中、1(DMPA)*は、(DMPA)の一
重項励起状態分子を表し、3(DMPA)*は、(DMP
A)の三重項励起状態分子を表す。
In the formula, 1 (DMPA) * represents a singlet excited state molecule of (DMPA), and 3 (DMPA) * represents (DMP
A) represents the triplet excited state molecule of A).

【0105】また、電子線又はX線の照射により他成分
の開裂を引き起こすとは、エネルギーや電子を受け取っ
た後に他分子と反応し、自身は解離すること無しに他分
子の結合の開裂を引き起こすことを意味する。例えば、
芳香族ケトンに水素供与体を添加した場合(下式)、二
分子間で以下のような水素引き抜き反応が反応が起こ
り、ケチルラジカルが生成する。
[0105] In addition, "to cause cleavage of another component by irradiation with an electron beam or X-ray" means that after receiving energy or electrons, it reacts with another molecule and causes cleavage of a bond of another molecule without dissociation itself. Means that. For example,
When a hydrogen donor is added to an aromatic ketone (the following formula), the following hydrogen abstraction reaction occurs between two molecules, and a ketyl radical is generated.

【0106】[0106]

【化37】 Embedded image

【0107】式中、Ph2C=O1は、Ph2C=Oの一
重項励起状態分子を表し、Ph2C=O3は、Ph2C=
Oの三重項励起状態分子を表す。
[0107] In the formula, Ph 2 C = O 1 denotes a singlet excited state molecule of Ph 2 C = O, Ph 2 C = O 3 is Ph 2 C =
Represents a triplet excited state molecule of O.

【0108】尚、フェニルラジカルとは、下式に示され
るように、ベンゼン環に直接連結する結合が開裂するこ
とにより発生する成分(下式においては(2)成分)を
表す。
The phenyl radical means a component (component (2) in the following formula) generated by cleavage of a bond directly connected to a benzene ring as shown in the following formula.

【0109】[0109]

【化38】 Embedded image

【0110】更に、中間体としてフェニルラジカルを発
生しない化合物とは、ベンゼン環に直接連結する結合が
比較的安定であることから、電子線及びX線によるその
結合の開裂が抑制される化合物を表す。
Further, a compound that does not generate a phenyl radical as an intermediate refers to a compound in which cleavage of the bond by electron beams and X-rays is suppressed because the bond directly linked to the benzene ring is relatively stable. .

【0111】光ラジカル発生剤としては好ましくは
(a)芳香族又は脂環式ケトン類、(b)有機過酸化
物、(c)ヘキサアリールビイミダゾール化合物、
(d)ケトオキシムエステル化合物、(e)アジニウム
化合物、(f)活性エステル化合物、(g)炭素ハロゲ
ン結合を有する化合物等が挙げられる。
The photo-radical generator is preferably (a) an aromatic or alicyclic ketone, (b) an organic peroxide, (c) a hexaarylbiimidazole compound,
(D) ketoxime ester compounds, (e) azinium compounds, (f) active ester compounds, (g) compounds having a carbon-halogen bond, and the like.

【0112】成分(D)の一例である(a)芳香族又は
脂環式ケトン類の好ましい例としては、「RADIATION CU
RING IN POLYMER SCIENCE AND TECHNOLOGY」J.P.FOUASS
IERJ.F.RABEK (1993)、p77〜117記載のベンゾフェノン
骨格或いはチオキサントン骨格を有する化合物を挙げる
ことができる。また、(a)芳香族又は脂環式ケトン類
としては、芳香族ケトン類が好ましい。以下に、(a)
芳香族又は脂環式ケトン類の具体例を記載するが、本発
明がこれらに限定されるものではない。
Preferred examples of component (D) (a) aromatic or alicyclic ketones include “RADIATION CU”.
RING IN POLYMER SCIENCE AND TECHNOLOGY '' JPFOUASS
Compounds having a benzophenone skeleton or thioxanthone skeleton described in IERJ.F.RABEK (1993), pp. 77-117. As (a) aromatic or alicyclic ketones, aromatic ketones are preferred. Below, (a)
Specific examples of aromatic or alicyclic ketones will be described, but the present invention is not limited thereto.

【0113】[0113]

【化39】 Embedded image

【0114】[0114]

【化40】 Embedded image

【0115】[0115]

【化41】 Embedded image

【0116】[0116]

【化42】 Embedded image

【0117】より好ましい芳香族ケトン類の好ましい例
としては、特公昭47−6416記載のα−チオベンゾ
フェノン化合物、特公昭47−3981記載のベンゾイ
ンエーテル化合物、例えば
Preferred examples of the aromatic ketones include α-thiobenzophenone compounds described in JP-B-47-6416 and benzoin ether compounds described in JP-B-47-3981.

【0118】[0118]

【化43】 Embedded image

【0119】特公昭47−22326記載のα−置換ベ
ンゾイン化合物、例えば
An α-substituted benzoin compound described in JP-B-47-22326, for example,

【0120】[0120]

【化44】 Embedded image

【0121】特公昭47−23664記載のベンゾイン
誘導体、特開昭57−30704記載のアロイルホスホ
ン酸エステル、特公昭60−26483記載のジアルコ
キシベンゾフェノン、例えば
Benzoin derivatives described in JP-B-47-23664, aroylphosphonic esters described in JP-A-57-30704, dialkoxybenzophenones described in JP-B-60-26483, for example,

【0122】[0122]

【化45】 Embedded image

【0123】特公昭60−26403、特開昭62−8
1345記載のベンゾインエーテル類、例えば、
JP-B-60-26403, JP-A-62-8
Benzoin ethers described in 1345, for example,

【0124】[0124]

【化46】 Embedded image

【0125】特公平1−34242、米国特許第4,3
18,791号、ヨーロッパ特許0284561A1号
記載のα−アミノベンゾフェノン類、例えば
Japanese Patent Publication No. 1-34242, US Patent No. 4,3
18,791 and α-aminobenzophenones described in EP 0284561A1, for example,

【0126】[0126]

【化47】 Embedded image

【0127】特開平2−211452記載のp−ジ(ジ
メチルアミノベンゾイル)ベンゼン、例えば
P-Di (dimethylaminobenzoyl) benzene described in JP-A-2-21452, for example,

【0128】[0128]

【化48】 Embedded image

【0129】特開昭61−194062記載のチオ置換
芳香族ケトン、例えば、
A thio-substituted aromatic ketone described in JP-A-61-194062, for example,

【0130】[0130]

【化49】 Embedded image

【0131】特公平2−9597記載のアシルホスフィ
ンスルフィド、例えば、
The acylphosphine sulfide described in JP-B-2-9597, for example,

【0132】[0132]

【化50】 Embedded image

【0133】特公平2−9596記載のアシルホスフィ
ン、例えば、
An acylphosphine described in JP-B-2-9596, for example,

【0134】[0134]

【化51】 Embedded image

【0135】特公昭63−61950記載のチオキサン
トン類、特公昭59−42864記載のクマリン類等を
挙げることができる。
The thioxanthones described in JP-B-63-61950 and the coumarins described in JP-B-59-42864 can be exemplified.

【0136】本発明に使用される成分(D)の他の例で
ある(b)「有機過酸化物」としては分子中に酸素−酸
素結合を1個以上有する有機化合物のほとんど全てが含
まれるが、その例としては、メチルエチルケトンパーオ
キサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、3,3,
5−トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチ
ルシクロヘキサノンパーオキサイド、アセチルアセトン
パーオキサイド、1,1−ビス(ターシャリイブチルパ
ーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、
1,1−ビス(ターシャリイブチルパーオキシ)シクロ
ヘキサン、2,2−ビス(ターシャリイブチルパーオキ
シ)ブタン、ターシャリイブチルハイドロパーオキサイ
ド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベ
ンゼンハイドロパーオキサイド、パラメタンハイドロパ
ーオキサイド、2,5−ジメチルヘキサン−2,5−ジ
ハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチ
ルブチルハイドロパーオキサイド、ジターシャリイブチ
ルパーオキサイド、ターシャリイブチルクミルパーオキ
サイド、ジクミルパーオキサイド、ビス(ターシャリイ
ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン、2,5−ジ
メチル−2,5−ジ(ターシャリイブチルパーオキシ)
ヘキサン、2,5−キサノイルパーオキサイド、過酸化
こはく酸、過酸化ベンゾイル、2,4−ジクロロベンゾ
イルパーオキサイド、メタ−トルオイルパーオキサイ
ド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−2
−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−2−
エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジメトキシ
イソプロピルパーオキシカーボネート、ジ(3−メチル
−3−メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、タ
ーシャリイブチルパーオキシアセテート、ターシャリイ
ブチルパーオキシピバレート、ターシャリイブチルパー
オキシネオデカノエート、ターシャリイブチルパーオキ
シオクタノエート、ターシャリイブチルパーオキシ−
3,5,5−トリメチルヘキサノエート、ターシャリイ
ブチルパーオキシラウレート、ターシャリーカーボネー
ト、3,3′4,4′−テトラ−(t−ブチルパーオキ
シカルボニル)ベンゾフェノン、3,3′4,4′−テ
トラ−(t−アミルパーオキシカルボニル)ベンゾフェ
ノン、3,3′4,4′−テトラ−(t−ヘキシルパー
オキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3′4,4′
−テトラ−(t−オクチルパーオキシカルボニル)ベン
ゾフェノン、3,3′4,4′−テトラ−(クミルパー
オキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3′4,4′
−テトラ−(p−イソプロピルクミルパーオキシカルボ
ニル)ベンゾフェノン、カルボニルジ(t−ブチルパー
オキシ二水素二フタレート)、カルボニルジ(t−ヘキ
シルパーオキシ二水素二フタレート)等がある。
(B) "Organic peroxide" which is another example of the component (D) used in the present invention includes almost all organic compounds having one or more oxygen-oxygen bonds in the molecule. However, examples thereof include methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, 3,3,
5-trimethylcyclohexanone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-bis (tert-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane,
1,1-bis (tert-butylperoxy) cyclohexane, 2,2-bis (tert-butylperoxy) butane, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramethane hydroperoxide Oxide, 2,5-dimethylhexane-2,5-dihydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, ditertiary butyl peroxide, tertiary butyl cumyl peroxide, dicumyl peroxide , Bis (tert-butylperoxyisopropyl) benzene, 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy)
Hexane, 2,5-xanoyl peroxide, succinic peroxide, benzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, meta-toluoyl peroxide, diisopropylperoxydicarbonate, di-2
-Ethylhexyl peroxydicarbonate, di-2-
Ethoxyethyl peroxydicarbonate, dimethoxyisopropyl peroxycarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate, tertiary butylperoxyacetate, tertiary butylperoxypivalate, tertiary butylperoxyneo Decanoate, tertiary butyl peroxyoctanoate, tertiary butyl peroxy-
3,5,5-trimethylhexanoate, tertiary butyl peroxylaurate, tertiary carbonate, 3,3'4,4'-tetra- (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4 4'-tetra- (t-amylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4'-tetra- (t-hexylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4 '
-Tetra- (t-octylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4'-tetra- (cumylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4 '
-Tetra- (p-isopropylcumylperoxycarbonyl) benzophenone, carbonyldi (t-butylperoxydihydrogen diphthalate), carbonyldi (t-hexylperoxydihydrogen diphthalate) and the like.

【0137】これらの中で、3,3′4,4′−テトラ
−(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノ
ン、3,3′4,4′−テトラ−(t−アミルパーオキ
シカルボニル)ベンゾフェノン、3,3′4,4′−テ
トラ−(t−ヘキシルパーオキシカルボニル)ベンゾフ
ェノン、3,3′4,4′−テトラ−(t−オクチルパ
ーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3′4,
4′−テトラ−(クミルパーオキシカルボニル)ベンゾ
フェノン、3,3′4,4′−テトラ−(p−イソプロ
ピルクミルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、ジ
−t−ブチルジパーオキシイソフタレートなどの過酸化
エステル系が好ましい。
Of these, 3,3'4,4'-tetra- (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4'-tetra- (t-amylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4'-tetra- (t-hexylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4'-tetra- (t-octylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4
Peroxide esters such as 4'-tetra- (cumylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3'4,4'-tetra- (p-isopropylcumylperoxycarbonyl) benzophenone, di-t-butyldiperoxyisophthalate Systems are preferred.

【0138】本発明に使用される成分(D)の他の例で
ある(c)ヘキサアリールビイミダゾール化合物として
は、特公昭45−37377号、特公昭44−8651
6号記載のロフィンダイマー類、例えば2,2′−ビス
(o−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラ
フェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(o−ブロモ
フェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイ
ミダゾール、2,2′−ビス(o,p−ジクロロフェニ
ル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾ
ール、2,2′−ビス(o−クロロフェニル)−4,
4′,5,5′−テトラ(m−メトキシフェニル)ビイ
ミダゾール、2,2′−ビス(o,o′−ジクロロフェ
ニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダ
ゾール、2,2′−ビス(o−ニトロフェニル)−4,
4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,
2′−ビス(o−メチルフェニル)−4,4′,5,
5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス
(o−トリフルオロフェニル)−4,4′,5,5′−
テトラフェニルビイミダゾール等が挙げられる。
Examples of (c) hexaarylbiimidazole compounds which are other examples of the component (D) used in the present invention include JP-B-45-37377 and JP-B-44-8651.
Lophine dimers described in No. 6, for example, 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (o-bromophenyl) -4 , 4 ', 5,5'-Tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (o, p-dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis ( o-chlorophenyl) -4,
4 ', 5,5'-tetra (m-methoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (o, o'-dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2, 2'-bis (o-nitrophenyl) -4,
4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,
2'-bis (o-methylphenyl) -4,4 ', 5
5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (o-trifluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-
And tetraphenylbiimidazole.

【0139】本発明で使用される成分(D)の他の例で
ある(d)ケトオキシムエステル化合物としては3−ベ
ンゾイロキシイミノブタン−2−オン、3−アセトキシ
イミノブタン−2−オン、3−プロピオニルオキシイミ
ノブタン−2−オン、2−アセトキシイミノペンタン−
3−オン、2−アセトキシイミノ−1−フェニルプロパ
ン−1−オン、2−ベンゾイロキシイミノ−1−フェニ
ルプロパン−1−オン、3−p−トルエンスルホニルオ
キシイミノブタン−2−オン、2−エトキシカルボニル
オキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オン等が挙
げられる。
Other examples of the component (D) used in the present invention, which is (d) a ketoxime ester compound, include 3-benzoyloxyiminobutan-2-one, 3-acetoxyiminobutan-2-one, 3-propionyloxyiminobutan-2-one, 2-acetoxyiminopentane-
3-one, 2-acetoxyimino-1-phenylpropan-1-one, 2-benzoyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, 3-p-toluenesulfonyloxyimiminobtan-2-one, 2- Ethoxycarbonyloxyimino-1-phenylpropan-1-one and the like.

【0140】本発明の成分(D)の他の例である(e)
アジニウム塩化合物の例としては、特開昭63−138
345号、特開昭63−142345号、特開昭63−
142346号、特開昭63−143537号ならびに
特公昭46−42363号記載のN−O結合を有する化
合物群をあげることができる。
Another example of the component (D) of the present invention is (e).
Examples of azinium salt compounds are described in JP-A-63-138.
No. 345, JP-A-63-142345, JP-A-63-142345
No. 142346, JP-A-63-143537 and JP-B-46-43363.

【0141】成分(D)の他の例である(f)活性エス
テル化合物の例としては特公昭62−6223記載のイ
ミドスルホネート化合物、特公昭63−14340号、
特開昭59−174831号記載の活性スルホネート類
をあげることができる。
Examples of the active ester compound (f), which is another example of the component (D), include imide sulfonate compounds described in JP-B-62-6223, JP-B-63-14340,
Active sulfonates described in JP-A-59-174831 can be mentioned.

【0142】成分(D)の一例である(g)炭素ハロゲ
ン結合を有する化合物の好ましい例としては、下記一般
式[IV]から[X] のものを挙げることができる。
Preferred examples of the compound (g) having a carbon-halogen bond, which is an example of the component (D), include those represented by the following general formulas [IV] to [X].

【0143】[0143]

【化52】 Embedded image

【0144】(式中、X2はハロゲン原子を表わす。Y2
は−CX2、−NH2、−NHR32−NR32、−OR32
表わす。ここでR32はアルキル基、置換アルキル基、ア
リール基、置換アリール基を表わす。またR31は−CX
2、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換ア
リール基、置換アルケニル基、を表わす。)で表わされ
る化合物。
(Wherein X 2 represents a halogen atom; Y 2
Represents -CX 2, -NH 2, -NHR 32 -NR 32, an -OR 32. Here, R32 represents an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group. R 31 is -CX
2 represents an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group, or a substituted alkenyl group. ).

【0145】[0145]

【化53】 Embedded image

【0146】(ただし、R33は、アルキル基、置換アル
キル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アリール
基、置換アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ基、置
換アルコキシル基、ニトロ基又はシアノ基であり、X2
はハロゲン原子であり、nは1〜3の整数である。)で
表わされる化合物。
(Where R 33 is an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an aryl group, a substituted aryl group, a halogen atom, an alkoxy group, a substituted alkoxyl group, a nitro group or a cyano group; Two
Is a halogen atom, and n is an integer of 1 to 3. ).

【0147】[0147]

【化54】 Embedded image

【0148】(ただし、R34は、アリール基又は置換ア
リール基であり、R35
(Where R 34 is an aryl group or a substituted aryl group, and R 35 is

【0149】[0149]

【化55】 Embedded image

【0150】又はハロゲンであり、Z2は−C(=O)
−、−C(=S)−又は−SO2−であり、R36、R37
はアルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換ア
ルケニル基、アリール基又は置換アリール基であり、R
38は一般式〔IV] 中のR32と同じであり、X3はハロゲ
ン原子であり、mは1又は2である。)で表わされる化
合物。
Or Z 2 is —C (= O)
—, —C (= S) — or —SO 2 —, and R 36 , R 37
Is an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an aryl group or a substituted aryl group;
38 is the same as R 32 in the general formula [IV], X 3 is a halogen atom, and m is 1 or 2. ).

【0151】[0151]

【化56】 Embedded image

【0152】ただし、式中、R39は置換されていてもよ
いアリール基又は複素環式基であり、R40は炭素原子1
〜3個を有するトリハロアルキル基又はトリハロアルケ
ニル基であり、pは1、2又は3である。
In the formula, R 39 is an aryl group or a heterocyclic group which may be substituted, and R 40 is carbon atom 1
A trihaloalkyl or trihaloalkenyl group having up to 3; and p is 1, 2 or 3.

【0153】[0153]

【化57】 Embedded image

【0154】(ただし、Lは水素原子又は式:CO−
(R41q(CX3 4rの置換基であり、Qはイオウ、セ
レン又は酸素原子、ジアルキルメチレン基、アルケン−
1,2−イレン基、1,2−フェニレン基又はN−R基
であり、Mは置換又は非置換のアルキレン基又はアルケ
ニレン基であるか、又は1,2−アリーレン基であり、
42はアルキル基、アラルキル基又はアルコキシアルキ
ル基であり、R41は炭素環式又は複素環式の2価の芳香
族基であり、X4は塩素、臭素またはヨウ素原子であ
り、q=0及びr=1であるか又はq=1及びr=1又
は2である。)で表わされる、トリハロゲノメチル基を
有するカルボニルメチレン複素環式化合物。
(Where L is a hydrogen atom or a compound of the formula: CO—
(R 41) q (CX 3 4) are substituents of r, Q is sulfur, selenium or oxygen atom, a dialkyl methylene group, alkene -
A 1,2-ylene group, a 1,2-phenylene group or an NR group, M is a substituted or unsubstituted alkylene group or alkenylene group, or a 1,2-arylene group;
R 42 is an alkyl group, an aralkyl group or an alkoxyalkyl group; R 41 is a carbocyclic or heterocyclic divalent aromatic group; X 4 is a chlorine, bromine or iodine atom; And r = 1 or q = 1 and r = 1 or 2. A) a carbonylmethylene heterocyclic compound having a trihalogenomethyl group;

【0155】[0155]

【化58】 Embedded image

【0156】(ただし、X5はハロゲン原子であり、t
は1〜3の整数であり、sは1〜4の整数であり、R43
は水素原子又はCH3-t5 t基であり、R44はs価の置
換されていてもよい不飽和有機基である)で表わされ
る、4−ハロゲノ−5−(ハロゲノメチル−フェニル)
−オキサゾール誘導体。
(Where X 5 is a halogen atom, t
Is an integer of 1 to 3, s is an integer of 1 to 4, R 43
A hydrogen atom or a CH 3-t X 5 t group, R 44 is represented by a is) s-valent optionally substituted unsaturated organic group, 4- halogeno-5- (halogenomethyl-phenyl) -
-Oxazole derivatives.

【0157】[0157]

【化59】 Embedded image

【0158】(ただし、X6はハロゲン原子であり、v
は1〜3の整数であり、uは1〜4の整数であり、R45
は水素原子又はCH3-v6 v基であり、R46はu価の置
換されていてもよい不飽和有機基である。)で表わされ
る、2−(ハロゲノメチル−フェニル)−4−ハロゲノ
−オキサゾール誘導体。
(Where X 6 is a halogen atom;
Is an integer of 1 to 3, u is an integer of 1 to 4, R 45
Is a hydrogen atom or a CH 3-v X 6 v group, R 46 is an unsaturated organic group which may be substituted for u-valent. ), A 2- (halogenomethyl-phenyl) -4-halogeno-oxazole derivative.

【0159】このような炭素−ハロゲン結合を有する化
合物の具体例としては、たとえば、若林ら著、Bull. Ch
em. Soc. Japan,42、2924(1969)記載の化
合物、たとえば、2−フェニル4,6−ビス(トリクロ
ルメチル)−S−トリアジン、2−(p−クロルフェニ
ル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−S−トリア
ジン、2−(p−トリル)−4,6−ビス(トリクロル
メチル)−S−トリアジン、2−(p−メトキシフェニ
ル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−S−トリア
ジン、2−(2′,4′−ジクロルフェニル)−4,6
−ビス(トリクロルメチル)−S−トリアジン、2,
4,6−トリス(トリクロルメチル)−S−トリアジ
ン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−
S−トリアジン、2−n−ノニル−4,6−ビス(トリ
クロルメチル)−S−トリアジン、2−(α,α,β−
トリクロルエチル)−4,6−ビス(トリクロルメチ
ル)−S−トリアジン等が挙げられる。その他、英国特
許1388492号明細書記載の化合物、たとえば、2
−スチリル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−S−
トリアジン、2−(p−メチルスチリル)−4,6−ビ
ス(トリクロルメチル)−S−トリアジン、2−(p−
メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチ
ル)−S−トリアジン、2−(p−メトキシスチリル)
−4−アミノ−6−トリクロルメチル−S−トリアジン
等、特開昭53−133428号記載の化合物、たとえ
ば、2−(4−メトキシ−ナフト−1−イル)−4,6
−ビス−トリクロルメチル−S−トリアジン、2−(4
−エトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス−トリ
クロルメチル−S−トリアジン、2−〔4−(2−エト
キシエチル)−ナフト−1−イル〕−4,6−ビス−ト
リクロルメチル−S−トリアジン、2−(4,7−ジメ
トキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス−トリクロ
ルメチル−S−トリアジン)、2−(アセナフト−5−
イル)−4,6−ビス−トリクロルメチル−S−トリア
ジン等、独国特許3337024号明細書記載の化合
物、たとえば、
Specific examples of such a compound having a carbon-halogen bond are described, for example, in Wakabayashi et al., Bull.
em. Soc. Japan, 42 , 2924 (1969), for example, 2-phenyl 4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2- (p-chlorophenyl) -4,6-bis ( Trichloromethyl) -S-triazine, 2- (p-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2- (p-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -S -Triazine, 2- (2 ', 4'-dichlorophenyl) -4,6
-Bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2,
4,6-tris (trichloromethyl) -S-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl)-
S-triazine, 2-n-nonyl-4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2- (α, α, β-
Trichloroethyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine and the like. Other compounds described in GB 1388492, for example, 2
-Styryl-4,6-bis (trichloromethyl) -S-
Triazine, 2- (p-methylstyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2- (p-
(Methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2- (p-methoxystyryl)
Compounds described in JP-A-53-133428, such as -4-amino-6-trichloromethyl-S-triazine, for example, 2- (4-methoxy-naphth-1-yl) -4,6
-Bis-trichloromethyl-S-triazine, 2- (4
-Ethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis-trichloromethyl-S-triazine, 2- [4- (2-ethoxyethyl) -naphth-1-yl] -4,6-bis-trichloromethyl -S-triazine, 2- (4,7-dimethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis-trichloromethyl-S-triazine), 2- (acenaphth-5-
Yl) -4,6-bis-trichloromethyl-S-triazine, such as the compounds described in DE 3337024, for example,

【0160】[0160]

【化60】 Embedded image

【0161】[0161]

【化61】 Embedded image

【0162】等を挙げることができる。また、F. C. Sc
haefer等によるJ. Org. Chem. 29、1527(196
4)記載の化合物、たとえば2−メチル−4,6−ビス
(トリブロムメチル)−S−トリアジン、2,4,6−
トリス(トリブロムメチル)−S−トリアジン、2,
4,6−トリス(ジブロムメチル)−S−トリアジン、
2−アミノ−4−メチル−6−トリブロムメチル−S−
トリアジン、2−メトキシ−4−メチル−6−トリクロ
ルメチル−S−トリアジン等を挙げることができる。さ
らに特開昭62−58241号記載の化合物、たとえ
ば、
And the like. Also, FC Sc
Haefer et al., J. Org. Chem. 29, 1527 (196
The compounds described in 4), for example, 2-methyl-4,6-bis (tribromomethyl) -S-triazine, 2,4,6-
Tris (tribromomethyl) -S-triazine, 2,
4,6-tris (dibromomethyl) -S-triazine,
2-amino-4-methyl-6-tribromomethyl-S-
Triazine, 2-methoxy-4-methyl-6-trichloromethyl-S-triazine and the like can be mentioned. Further, compounds described in JP-A-62-58241, for example,

【0163】[0163]

【化62】 Embedded image

【0164】[0164]

【化63】 Embedded image

【0165】等を挙げることができる。更に特開平5−
281728号記載の化合物、例えば、
And the like. Further, Japanese Patent Laid-Open No. 5-
No. 281,728, for example,

【0166】[0166]

【化64】 Embedded image

【0167】[0167]

【化65】 Embedded image

【0168】等を挙げることができる。あるいはさらに
M. P. Hutt、E. F. ElslagerおよびL. M. Herbel著「Jo
urnalof Heterocyclic chemistry」第7巻(No.
3)、第511頁以降(1970年)に記載されている
合成方法に準じて、当業者が容易に合成することができ
る次のような化合物群
And the like. Or even more
Jo by MP Hutt, EF Elslager and LM Herbel
urnalof Heterocyclic chemistry ", Vol. 7 (No.
3) The following compound groups that can be easily synthesized by those skilled in the art according to the synthesis methods described on pages 511 et seq. (1970).

【0169】[0169]

【化66】 Embedded image

【0170】[0170]

【化67】 Embedded image

【0171】[0171]

【化68】 Embedded image

【0172】[0172]

【化69】 Embedded image

【0173】[0173]

【化70】 Embedded image

【0174】[0174]

【化71】 Embedded image

【0175】あるいは、ドイツ特許第2641100号
に記載されているような化合物、例えば、4−(4−メ
トキシ−スチリル)−6−(3,3,3−トリクロルプ
ロペニル)−2−ピロンおよび4−(3,4,5−トリ
メトキシ−スチリル)−6−トリクロルメチル−2−ピ
ロン、あるいはドイツ特許第3333450号に記載さ
れている化合物、例えば、
Alternatively, compounds such as described in DE-A-2641100, for example 4- (4-methoxy-styryl) -6- (3,3,3-trichloropropenyl) -2-pyrone and 4- (3,4,5-trimethoxy-styryl) -6-trichloromethyl-2-pyrone or the compounds described in DE 33 33 450, for example,

【0176】[0176]

【化72】 Embedded image

【0177】式中、R41はベンゼン環を、R42はアルキ
ル基、アラルキル基またはアルコキシアルキル基を表
す。
In the formula, R 41 represents a benzene ring, and R 42 represents an alkyl group, an aralkyl group or an alkoxyalkyl group.

【0178】[0178]

【表1】 [Table 1]

【0179】あるいはドイツ特許第3021590号に
記載の化合物群、
Alternatively, a group of compounds described in German Patent No. 3021590,

【0180】[0180]

【化73】 Embedded image

【0181】[0181]

【化74】 Embedded image

【0182】あるいはドイツ特許第3021599号に
記載の化合物群例えば、
Alternatively, a group of compounds described in German Patent No. 3021599, for example,

【0183】[0183]

【化75】 Embedded image

【0184】を挙げることができる。The following can be mentioned.

【0185】また、光塩基発生剤としては好ましくは
(h)フォトクロミック化合物、(i)ベンジルカルバ
メート類、(j)スルホンアミド類、(k)アシルオキ
シイミノ類等が挙げられる。
The photobase generator preferably includes (h) a photochromic compound, (i) a benzyl carbamate, (j) a sulfonamide, and (k) an acyloxyimino.

【0186】(h)フォトクロミック化合物の例として
は、スピロピラン類、スピロオキサジン類等が挙げられ
るが、具体的には、次の化合物を例示することができ
る。1,3,3−トリメチルインドリノベンゾピリロス
ピラン、1,3,3−トリメチルインドリノ−8′−メ
トキシベンゾピリロスピラン、1,3,3−トリメチル
インドノリ−β−ナフトピリロスピラン、1,3,3−
トリメチルインドリノナフトスピロオキサジン、1,
3,3−トリメチルインドノリ−6′−ニトロベンゾピ
リロスピラン、1,3,3−トリメチルインドノリ−
6′−ブロモベンゾピリロスピラン、1,3,3−トリ
メチルインドノリ−6′−ヒドロキシベンゾピリロスピ
ラン等である。
(H) Examples of the photochromic compound include spiropyrans and spirooxazines. Specific examples include the following compounds. 1,3,3-trimethylindolinobenzopyrrospirane, 1,3,3-trimethylindolino-8'-methoxybenzopyrrolospirane, 1,3,3-trimethylindolino-β-naphthopyrrolospirane, 1,3,3-
Trimethylindolinonaphthospiroxazine, 1,
3,3-trimethylindonori-6'-nitrobenzopyrrospirane, 1,3,3-trimethylindonori
6'-bromobenzopyrrolospirane, 1,3,3-trimethylindonori-6'-hydroxybenzopyrrolospirane and the like.

【0187】(i)ベンジルカルバメート類の例として
は、例えば、次の一般式で示されるカルバメート基を有
するものが挙げられる。これらは電子線又はX線の照射
により、例えば次の反応によって塩基であるアミンを生
成する。
(I) Examples of benzyl carbamates include those having a carbamate group represented by the following general formula. These generate a base amine by irradiation with an electron beam or X-ray, for example, by the following reaction.

【0188】[0188]

【化76】 Embedded image

【0189】[0189]

【化77】 Embedded image

【0190】上記式中、Arはニトロ置換芳香族基、ま
たは芳香族基、R1、R2およびR3は水素原子、アルキ
ル基または芳香族基、Xはアルキレン基を表わす。
In the above formula, Ar represents a nitro-substituted aromatic group or an aromatic group, R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic group, and X represents an alkylene group.

【0191】R1、R2およびR3のアルキル基として
は、炭素数1〜20のものが好ましく、具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペ
ンチル基、イソペンチル基、tert−アミル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピル
メチル基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシ
ルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、デカニ
ル基、ラウリル基、パルチミル基、ステアリル基等が例
示される。
The alkyl group for R 1 , R 2 and R 3 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Specifically, methyl, ethyl, propyl, isopropyl and n-
Butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, tert-amyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group,
Examples include cyclohexyl, cycloheptyl, cyclopropylmethyl, 4-methylcyclohexyl, cyclohexylmethyl, norbornyl, adamantyl, decanyl, lauryl, partimyl, stearyl, and the like.

【0192】Ar、R1、R2およびR3の芳香族基とし
ては、炭素数6〜20のものが好ましく、具体的には、
フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントレ
ニル基、アントラニル基、フルオレニル基、ピレン基等
や、p−メトキシフェニル基、m−メトキシフェニル
基、o−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、p
−tert−ブトキシフェニル基、m−tert−ブト
キシフェニル基等のアルコキシフェニル基、2−メチル
フェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニ
ル基、エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニ
ル基、4−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等の
アルキルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチ
ル基等のアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、エ
トキシナフチル基等のアルコキシナフチル基、ジメチル
ナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチ
ル基、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等
のジアルコキシナフチル基等が例示される。Xのアルキ
レン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレ
ン基、プロピレン基、テトラメチレン基等が例示され
る。
The aromatic groups represented by Ar, R 1 , R 2 and R 3 are preferably those having 6 to 20 carbon atoms.
Phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, phenanthrenyl group, anthranyl group, fluorenyl group, pyrene group, etc., p-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, o-methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p
-Tert-butoxyphenyl group, alkoxyphenyl group such as m-tert-butoxyphenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group, alkylphenyl group such as dimethylphenyl group, methylnaphthyl group, alkylnaphthyl group such as ethylnaphthyl group, methoxynaphthyl group, alkoxynaphthyl group such as ethoxynaphthyl group, dimethylnaphthyl group, diethylnaphthyl group and the like Examples thereof include dialkoxynaphthyl groups such as dialkylnaphthyl group, dimethoxynaphthyl group, and diethoxynaphthyl group. Examples of the alkylene group for X include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a propylene group, and a tetramethylene group.

【0193】(i)ベンジルカルバメート類の具体例と
しては、ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、
ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、3,5−
ジメトキシベンジルシクロヘキシルカルバメート、3−
ニトロフェニルシクロヘキシルカルバメート、ベンジル
シクロヘキシルカルバメート、2,5−ジニトロベンジ
ルシクロヘキシルカルバメート、[[(2−ニトロベン
ジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、
[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ピペ
リジン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カル
ボニル]ピペラジン、ビス[[(2−ニトロベンジル)
オキシ]カルボニル]ヘキセン−1,6−ジアミン、
[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニ
ル]シクロヘキシルアミン、ビス[[(2,6−ジニト
ロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキセン−1,6−
ジアミン、N−[[(2−ニトロフェニル)−1−メチ
ルメトキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、N−
[[(2−ニトロフェニル)−1−メチルメトキシ]カ
ルボニル]オクタデシルアミン、ビス[[(α−メチル
−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサン
−1,6−ジアミン、N−[[(2,6−ジニトロフェ
ニル)−1−メチルメトキシ]カルボニル]シクロヘキ
シルアミン、N−[[(2−ニトロフェニル)−1−
(2′−ニトロフェニル)メトキシ]カルボニルシクロ
ヘキシルアミン、N−[[(2,6−ジニトロフェニ
ル)−1−(2′,6′−ジニトロフェニル)メトキ
シ]カルボニル]シクロヘキシルアミン等が挙げられ
る。上記の中でも、ニトロベンジルシクロヘキシルカル
バメート、2,5−ジニトロベンジルシクロヘキシルカ
ルバメートが、更に好ましい。
(I) Specific examples of benzyl carbamates include nitrobenzylcyclohexyl carbamate,
Nitrobenzylcyclohexyl carbamate, 3,5-
Dimethoxybenzylcyclohexyl carbamate, 3-
Nitrophenylcyclohexyl carbamate, benzylcyclohexyl carbamate, 2,5-dinitrobenzylcyclohexyl carbamate, [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine,
[[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] piperidine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] piperazine, bis [[(2-nitrobenzyl)
Oxy] carbonyl] hexene-1,6-diamine,
[[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, bis [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexene-1,6-
Diamine, N-[[(2-nitrophenyl) -1-methylmethoxy] carbonyl] cyclohexylamine, N-
[[(2-nitrophenyl) -1-methylmethoxy] carbonyl] octadecylamine, bis [[(α-methyl-2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexane-1,6-diamine, N-[[(2 , 6-Dinitrophenyl) -1-methylmethoxy] carbonyl] cyclohexylamine, N-[[(2-nitrophenyl) -1-
(2'-nitrophenyl) methoxy] carbonylcyclohexylamine, N-[[(2,6-dinitrophenyl) -1- (2 ', 6'-dinitrophenyl) methoxy] carbonyl] cyclohexylamine and the like. Among the above, nitrobenzylcyclohexyl carbamate and 2,5-dinitrobenzylcyclohexyl carbamate are more preferred.

【0194】(j)スルホンアミド類の例としては、例
えば、次の一般式で示されるスルホンアミド基を有する
ものが挙げられる。これらは電子線又はX線の照射によ
り、例えば次の反応によって塩基であるアミンを生成す
る。
(J) Examples of the sulfonamides include those having a sulfonamide group represented by the following general formula. These generate a base amine by irradiation with an electron beam or X-ray, for example, by the following reaction.

【0195】[0195]

【化78】 Embedded image

【0196】上記式中、Arはニトロ置換芳香族基、ま
たは芳香族基、R2、R3は水素原子、アルキル基または
芳香族基を表わす。
In the above formula, Ar represents a nitro-substituted aromatic group or an aromatic group, and R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic group.

【0197】R2、R3のアルキル基としては、炭素数1
〜20のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イ
ソペンチル基、tert−アミル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチル基、4
−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、
ノルボルニル基、アダマンチル基、デカニル基、ラウリ
ル基、パルチミル基、ステアリル基等が例示される。
The alkyl group for R 2 and R 3 has 1 carbon atom.
To 20 are preferred, and specifically, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, s
ec-butyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, tert-amyl, hexyl, heptyl, octyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclopropylmethyl, 4
-Methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group,
Examples thereof include a norbornyl group, an adamantyl group, a decanyl group, a lauryl group, a partimyl group, and a stearyl group.

【0198】Ar、R2およびR3の芳香族基としては、
炭素数6〜20のものが好ましく、具体的には、フェニ
ル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントレニル
基、アントラニル基、フルオレニル基、ピレン基等や、
p−メトキシフェニル基、m−メトキシフェニル基、o
−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、p−te
rt−ブトキシフェニル基、m−tert−ブトキシフ
ェニル基等のアルコキシフェニル基、2−メチルフェニ
ル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、
エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、
4−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキ
ルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等
のアルキルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシ
ナフチル基等のアルコキシナフチル基、ジメチルナフチ
ル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、
ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジア
ルコキシナフチル基等が例示される。
As the aromatic groups for Ar, R 2 and R 3 ,
Those having 6 to 20 carbon atoms are preferable, and specifically, a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthrenyl group, an anthranyl group, a fluorenyl group, a pyrene group, and the like,
p-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, o
-Methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p-te
an alkoxyphenyl group such as an rt-butoxyphenyl group, an m-tert-butoxyphenyl group, a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group,
Ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group,
4-butylphenyl group, alkylphenyl group such as dimethylphenyl group, methylnaphthyl group, alkylnaphthyl group such as ethylnaphthyl group, methoxynaphthyl group, alkoxynaphthyl group such as ethoxynaphthyl group, dimethylnaphthyl group, diethylnaphthyl group and the like Dialkylnaphthyl group,
Examples include dialkoxynaphthyl groups such as dimethoxynaphthyl group and diethoxynaphthyl group.

【0199】(j)スルホンアミド類の具体例として
は、N−シクロヘキシル−4−メチルフェニルスルホン
アミド、N−シクロヘキシル−2−ナフチルスルホンア
ミド、N,N'−ジエチル−4−メチルフェニルスルホ
ンアミド等が挙げられる。上記の中でも、N−シクロヘ
キシル−4−メチルフェニルスルホンアミド、N,N'
−ジエチル−4−メチルフェニルスルホンアミドが更に
好ましい。
(J) Specific examples of the sulfonamides include N-cyclohexyl-4-methylphenylsulfonamide, N-cyclohexyl-2-naphthylsulfonamide, N, N'-diethyl-4-methylphenylsulfonamide and the like. Is mentioned. Among the above, N-cyclohexyl-4-methylphenylsulfonamide, N, N '
-Diethyl-4-methylphenylsulfonamide is more preferred.

【0200】(k)アシルオキシイミノ類の例として
は、例えば、次の一般式で示されるアシルオキシイミノ
基を有するものが挙げられる。
(K) Examples of the acyloxyimino include those having an acyloxyimino group represented by the following general formula.

【0201】[0201]

【化79】 Embedded image

【0202】上記式中、R、R'、R"は水素原子、アル
キル基又は芳香族基を表す。
In the above formula, R, R 'and R "represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic group.

【0203】R、R'、R"のアルキル基としては、炭素
数1〜20のものが好ましく、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、tert−アミル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメチ
ル基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメ
チル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、デカニル
基、ラウリル基、パルチミル基、ステアリル基等が例示
される。
The alkyl group for R, R 'and R "is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
Ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, tert-amyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, Examples thereof include a cycloheptyl group, a cyclopropylmethyl group, a 4-methylcyclohexyl group, a cyclohexylmethyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, a decanyl group, a lauryl group, a partimyl group, and a stearyl group.

【0204】R、R'、R"の芳香族基としては、炭素数
6〜20のものが好ましく、具体的には、フェニル基、
ナフチル基、ビフェニル基、フェナントレニル基、アン
トラニル基、フルオレニル基、ピレン基等や、p−メト
キシフェニル基、m−メトキシフェニル基、o−メトキ
シフェニル基、エトキシフェニル基、p−tert−ブ
トキシフェニル基、m−tert−ブトキシフェニル基
等のアルコキシフェニル基、2−メチルフェニル基、3
−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、エチルフ
ェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−ブチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニ
ル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキ
ルナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル
基等のアルコキシナフチル基、ジメチルナフチル基、ジ
エチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキ
シナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシ
ナフチル基等が例示される。
The aromatic group represented by R, R 'and R "is preferably an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms.
Naphthyl group, biphenyl group, phenanthrenyl group, anthranyl group, fluorenyl group, pyrene group and the like, p-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, o-methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p-tert-butoxyphenyl group, alkoxyphenyl groups such as m-tert-butoxyphenyl group, 2-methylphenyl group, 3
Alkylphenyl groups such as -methylphenyl group, 4-methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group and dimethylphenyl group; alkylnaphthyl groups such as methylnaphthyl group and ethylnaphthyl group Alkoxynaphthyl groups such as methoxynaphthyl group and ethoxynaphthyl group; dialkylnaphthyl groups such as dimethylnaphthyl group and diethylnaphthyl group; and dialkoxynaphthyl groups such as dimethoxynaphthyl group and diethoxynaphthyl group.

【0205】(k)アシルオキシイミノ類の具体例とし
ては、例えば、下記の(k)−1〜(k)−3等が挙げ
られるが、本発明はこれらの具体例に限定されるもので
はない。
Specific examples of the (k) acyloxyimino include, for example, the following (k) -1 to (k) -3, but the present invention is not limited to these specific examples. .

【0206】[0206]

【化80】 Embedded image

【0207】上記の中でも、(k)−1が更に好まし
い。
Among these, (k) -1 is more preferred.

【0208】本発明における成分(D)の更に好ましい
例としては、上述の(a)芳香族ケトン類、(c)ヘキ
サアリールビイミダゾール化合物、(f)活性エステル
化合物、(g)炭素ハロゲン結合を有する化合物、
(h)フォトクロミック化合物、(i)ベンジルカルバ
メート類を挙げることができ、更に最も好ましい例とし
ては、(c)ヘキサアリールビイミダゾール化合物、
(g)炭素ハロゲン結合を有する化合物、(i)ベンジ
ルカルバメート類を挙げることができる。本発明におけ
る成分(D)は単独もしくは2種以上の併用によって好
適に用いられる。
More preferred examples of the component (D) in the present invention include the above-mentioned (a) aromatic ketones, (c) hexaarylbiimidazole compound, (f) active ester compound, and (g) carbon-halogen bond. A compound having
(H) a photochromic compound and (i) a benzyl carbamate, and most preferably, (c) a hexaarylbiimidazole compound,
(G) a compound having a carbon-halogen bond, and (i) benzyl carbamates. Component (D) in the present invention is suitably used alone or in combination of two or more.

【0209】これらの(D)の化合物の添加量は、組成
物中の固形分を基準として、通常0.001〜40重量
%の範囲で用いられ、好ましくは0.01〜20重量
%、更に好ましくは0.1〜10重量%の範囲で使用さ
れる。(D)の化合物の添加量が、0.001重量%よ
り少ないと添加の効果は得られず、また添加量が40重
量%より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロ
ファイルの悪化や、プロセス(特にベーク)マージンが
狭くなり好ましくない。
The amount of the compound (D) to be added is usually in the range of 0.001 to 40% by weight, preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.01 to 20% by weight, based on the solid content in the composition. Preferably, it is used in the range of 0.1 to 10% by weight. If the amount of the compound (D) is less than 0.001% by weight, the effect of the addition cannot be obtained. If the amount is more than 40% by weight, the light absorption of the resist becomes too high, and the profile deteriorates, The process (especially baking) margin is unfavorably reduced.

【0210】〔5〕(E)含窒素塩基性化合物 本発明のレジスト組成物は、成分(E)として、酸性基
を有しない含窒素塩基性化合物を含有することが好まし
い。これにより、解像力の向上効果がある。本発明で用
いることのできる好ましい酸性基を有しない有機塩基性
化合物は、フェノールよりも塩基性の強い化合物であ
る。この有機塩基性化合物が有しない酸性基とは、フェ
ノール性水酸基、スルホン酸基、リン酸基ある。特に酸
性基を有しない含窒素塩基性化合物が好ましく、例えば
以下の構造を有するものが挙げられる。
[5] (E) Nitrogen-Containing Basic Compound The resist composition of the present invention preferably contains, as the component (E), a nitrogen-containing basic compound having no acidic group. This has the effect of improving the resolution. The preferred organic basic compound having no acidic group that can be used in the present invention is a compound that is more basic than phenol. The acidic groups that the organic basic compound does not have include phenolic hydroxyl groups, sulfonic acid groups, and phosphoric acid groups. In particular, a nitrogen-containing basic compound having no acidic group is preferable, and examples thereof include compounds having the following structures.

【0211】[0211]

【化81】 Embedded image

【0212】ここで、R250、R251及びR252は、各々
独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
1〜6のアミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシ
アルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換の
アリール基であり、ここで、R251とR252は互いに結合
して環を形成してもよい。
Here, R 250 , R 251 and R 252 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a hydroxyalkyl having 1 to 6 carbon atoms. A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R 251 and R 252 may be bonded to each other to form a ring.

【0213】[0213]

【化82】 Embedded image

【0214】(式中、R253、R254、R255及びR
256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基を示
す) 更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の
窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化合物であり、
特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素
原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキル
アミノ基を有する化合物である。好ましい具体例として
は、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未
置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノア
ルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジ
ン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは
未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、
置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換
のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換も
しくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペ
ラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙
げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキ
ル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリール
アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、
水酸基、シアノ基である。
(Wherein R 253 , R 254 , R 255 and R
256 independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.) Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule,
Particularly preferred are compounds containing both a substituted or unsubstituted amino group and a ring structure containing a nitrogen atom, or compounds having an alkylamino group. Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazol, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine,
Substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted amino And alkyl morpholine. Preferred substituents are an amino group, an aminoalkyl group, an alkylamino group, an aminoaryl group, an arylamino group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, a nitro group,
A hydroxyl group and a cyano group.

【0215】含窒素塩基性化合物の好ましい具体例とし
て、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジン、1,
1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−アミノピ
リジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン、2
−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジ
ン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミノメチ
ル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジン、2−
アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5−メチル
ピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、3−アミ
ノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジン、3−ア
ミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−アミノエチ
ル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピペリジ
ン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチルピペリ
ジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピペリジ
ン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラゾー
ル、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミノ−
3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジン、2
−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリミジ
ン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒドロキ
シピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、N−
アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モルフ
ォリン、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−
5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウン
デカ−7−エン、1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕
オクタン、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、N
−メチルモルホリン、N−エチルモルホリン、N−ヒド
ロキシエチルモルホリン、N−ベンジルモルホリン、シ
クロヘキシルモルホリノエチルチオウレア(CHMET
U)等の3級モルホリン誘導体、特開平11−5257
5号公報に記載のヒンダードアミン類(例えば該公報
〔0005〕に記載のもの)等が挙げられるがこれに限
定されるものではない。
Preferred specific examples of the nitrogen-containing basic compound include guanidine, 1,1-dimethylguanidine,
1,3,3, -tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine,
-Dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-
Amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-amino Ethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) Pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-
3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2
-(Aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-
Aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-
5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2]
Octane, 2,4,5-triphenylimidazole, N
-Methylmorpholine, N-ethylmorpholine, N-hydroxyethylmorpholine, N-benzylmorpholine, cyclohexylmorpholinoethylthiourea (CHMET
U) and other tertiary morpholine derivatives, JP-A-11-5257
No. 5 hindered amines (for example, those described in the gazette [0005]) and the like, but are not limited thereto.

【0216】特に好ましい具体例は、1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザビ
シクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1,4−ジア
ザビシクロ〔2.2.2〕オクタン、4−ジメチルアミノ
ピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、4,4−ジメチ
ルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾ
ール類、ピリダジン類、ピリミジン類、CHMETU等
の3級モルホリン類、ビス(1,2,2,6,6−ペン
タメチル−4−ピペリジル)セバゲート等のヒンダード
アミン類等を挙げることができる。
Particularly preferred specific examples are 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] Tertiary morpholines such as octane, 4-dimethylaminopyridine, hexamethylenetetramine, 4,4-dimethylimidazoline, pyrroles, pyrazoles, imidazoles, pyridazines, pyrimidines, CHMETU, etc., and bis Hindered amines such as (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebagate and the like can be mentioned.

【0217】中でも、1,5−ジアザビシクロ〔4.
3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ
〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1,4−ジアザビ
シクロ〔2.2.2〕オクタン、4−ジメチルアミノピ
リジン、ヘキサメチレンテトラミン、CHMETU、ビ
ス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジ
ル)セバゲートが好ましい。
Among them, 1,5-diazabicyclo [4.
3.0] non-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, 4-dimethylaminopyridine, hexamethylene Preferred are tetramine, CHMETU, and bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate.

【0218】これらの酸性基を有しない塩基性化合物
は、単独であるいは2種以上組み合わせて用いられる。
使用量は、感放射線性レジスト組成物の全組成物の固形
分に対し、通常、0.001〜10重量%、好ましくは
0.01〜5重量%である。0.001重量%未満では
上記塩基性化合物の添加の効果が得られない。一方、1
0重量%を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪
化する傾向がある。
These basic compounds having no acidic group are used alone or in combination of two or more.
The amount used is usually from 0.001 to 10% by weight, preferably from 0.01 to 5% by weight, based on the solid content of the total composition of the radiation-sensitive resist composition. If the amount is less than 0.001% by weight, the effect of the addition of the basic compound cannot be obtained. Meanwhile, 1
If it exceeds 0% by weight, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed area tends to deteriorate.

【0219】〔6〕(F)界面活性剤 本発明のレジスト組成物には、成分(F)フッ素系界面
活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原
子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは2
種以上を含有することが好ましい。これによりレジスト
成分を溶剤に溶かすときのパーティクル初期値の低減に
効果がある。
[6] (F) Surfactant The resist composition of the present invention contains, as the component (F), a fluorine-containing surfactant, a silicon-containing surfactant and a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom. Either or 2
Preferably, it contains more than one species. This is effective in reducing the particle initial value when the resist component is dissolved in the solvent.

【0220】これらの界面活性剤として、例えば特開昭
62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、
特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-23016
5号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-598
8号、米国特許5405720号、同5360692号、同5529881号、
同5296330号、同5436098号、同5576143号、同5294511
号、同5824451号記載、等に記載の界面活性剤を挙げる
ことができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いるこ
ともできる。市販の界面活性剤として、例えばエフトッ
プEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC43
0、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F1
73、F176、F189、R08(大日本インキ(株)製)、サー
フロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝
子(株)製)、トロイゾルS-366(トロイケミカル
(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面
活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリ
マーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界
面活性剤として用いることができる。
As these surfactants, for example, those described in
No. 62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745,
JP-A-62-170950, JP-A-63-34540, JP-A-7-23016
No. 5, JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-598
No. 8, U.S. Pat.No. 5,405,720, No. 5360692, No. 5529881,
No. 5296330, No. 5436098, No. 5576143, No. 5294511
And the surfactants described in Nos. 5824451 and 5824451, and the following commercially available surfactants can be used as they are. As commercially available surfactants, for example, F-top EF301, EF303, (manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Florad FC43
0, 431 (Sumitomo 3M Limited), Mega Fuck F171, F1
73, F176, F189, R08 (Dai Nippon Ink Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.) )) Or a silicon-based surfactant. Also, polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used as a silicon-based surfactant.

【0221】フッ素系または/及びシリコン系界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分を基準とし
て、通常0.001重量%〜2重量%、好ましくは0.
01重量%〜1重量%である。これらの界面活性剤は単
独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで
添加することもできる。
The compounding amount of the fluorine-based and / or silicon-based surfactant is usually 0.001% by weight to 2% by weight, preferably 0.1% by weight, based on the solid content in the composition of the present invention.
It is from 01% by weight to 1% by weight. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0222】上記の他に使用することのできる界面活性
剤としては、具体的には、ポリオキシエチレンラウリル
エーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポ
リオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレン
オレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエー
テル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオ
キシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモ
ノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタン
トリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソル
ビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビ
タン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙
げることができる。
Examples of the surfactant that can be used in addition to the above include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene oleyl ether and the like. Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as ethylene alkyl ethers, polyoxyethylene octyl phenol ether, polyoxyethylene nonyl phenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostea Sorbitan esters such as sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate, polyoxyethylene Nonionics such as fatty acid esters of polyoxyethylene sorbitan such as rubitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Surfactants and the like.

【0223】これらの他の界面活性剤の配合量は、本発
明の組成物中の固形分を基準として、通常、2重量%以
下、好ましくは1重量%以下、更に好ましくは0.01
〜1重量%である。
The amount of these other surfactants is usually 2% by weight or less, preferably 1% by weight or less, more preferably 0.01% by weight, based on the solid content in the composition of the present invention.
11% by weight.

【0224】〔7〕(G)分光増感色素又は染料 更に本発明のレジスト組成物には(G)成分として既に
公知の分光増感色素又は染料を共存させることが好まし
い。好ましい分光増感色素又は染料の例としては多核芳
香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン) キサンテン類(例えば、フルオレッセイン、エオシン、
エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル シアニン類(例えば、チアカルボシアニン、オキサカル
ボシアニン) メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシ
アニン) チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トル
イジンブルー) アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフ
ラビン、アクリフラビン) フタロシアニン類(例えば、フタロシアニン、メタルフ
タロシアニン) ポルフィリン類(例えば、テトラフェニルポルフィリ
ン、中心金属置換ポルフィリン) クロロフィル類(例えば、クロロフィル、クロロフィリ
ン、中心金属置換クロロフィル) 金属錯体、例えば
[7] (G) Spectral Sensitizing Dye or Dye The resist composition of the present invention preferably further contains a known spectral sensitizing dye or dye as the component (G). Examples of preferred spectral sensitizing dyes or dyes include polynuclear aromatics (eg, pyrene, perylene, triphenylene) and xanthenes (eg, fluorescein, eosin,
Erythrosine, rhodamine B, rose bengal cyanines (eg, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine) merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine) thiazines (eg, thionin, methylene blue, toluidine blue) acridines (eg, acridine orange, Chloroflavin, acriflavin) phthalocyanines (eg, phthalocyanine, metal phthalocyanine) porphyrins (eg, tetraphenylporphyrin, porphyrin substituted with a central metal) chlorophylls (eg, chlorophyll, chlorophyllin, chlorophyll substituted with a central metal) metal complexes, eg,

【0225】[0225]

【化83】 Embedded image

【0226】アントラキノン類、例えば(アントラキノ
ン) スクアリウム類、例えば(スクアリウム) 等が挙げられる。より好ましい(G)成分の分光増感色
素又は染料の例としては特公平37−13034号記載
のスチリル系色素、例えば、
Anthraquinones, for example, (anthraquinone) squariums, for example, (squarium). More preferred examples of the spectral sensitizing dye or dye of the component (G) include styryl dyes described in JP-B-37-13034, for example,

【0227】[0227]

【化84】 Embedded image

【0228】特開昭62−143044号記載の陽イオ
ン染料、例えば、
The cationic dyes described in JP-A-62-143044, for example,

【0229】[0229]

【化85】 Embedded image

【0230】特公昭59−24147号記載のキノキサ
リニウム塩、例えば、
A quinoxalinium salt described in JP-B-59-24147, for example,

【0231】[0231]

【化86】 Embedded image

【0232】特開昭64−33104号記載の新メチレ
ンブルー化合物、例えば、
A new methylene blue compound described in JP-A-64-33104, for example,

【0233】[0233]

【化87】 Embedded image

【0234】特開昭64−56767号記載のアントラ
キノン類、例えば
Anthraquinones described in JP-A-64-56767, for example,

【0235】[0235]

【化88】 Embedded image

【0236】特開平2−1714号記載のベンゾキサン
テン染料。特開平2−226148号及び特開平2−2
26149号記載のアクリジン類、例えば、
Benzoxanthene dyes described in JP-A-2-1714. JP-A-2-226148 and JP-A-2-2-2
No. 26149, acridines, for example,

【0237】[0237]

【化89】 Embedded image

【0238】特公昭40−28499号記載のピリリウ
ム塩類、例えば
Pyrylium salts described in JP-B-40-28499, for example,

【0239】[0239]

【化90】 Embedded image

【0240】特公昭46−42363号記載のシアニン
類、例えば
Cyanines described in JP-B-46-43363, for example,

【0241】[0241]

【化91】 Embedded image

【0242】特開平2−63053号記載のベンゾフラ
ン色素、例えば
The benzofuran dyes described in JP-A-2-63053, for example,

【0243】[0243]

【化92】 Embedded image

【0244】特開平2−85858号、特開平2−21
6154号の共役ケトン色素、例えば
JP-A-2-85858, JP-A-2-21
No. 6154 conjugated ketone dyes, for example

【0245】[0245]

【化93】 Embedded image

【0246】特開昭57−10605号記載の色素。特
公平2−30321号記載のアゾシンナミリデン誘導
体、例えば、
Dyes described in JP-A-57-10605. Azocinnamylidene derivatives described in JP-B-2-30321, for example,

【0247】[0247]

【化94】 Embedded image

【0248】特開平1−287105号記載のシアニン
系色素、例えば、
Cyanine dyes described in JP-A-1-287105, for example,

【0249】[0249]

【化95】 Embedded image

【0250】特開昭62−31844号、特開昭62−
31848号、特開昭62−143043号記載のキサ
ンテン系色素、例えば、
JP-A-62-31844, JP-A-62-31844
No. 31848, Xanthene dyes described in JP-A-62-143043, for example,

【0251】[0251]

【化96】 Embedded image

【0252】特公昭59−28325号記載のアミノス
チリルケトン、例えば
An aminostyryl ketone described in JP-B-59-28325, for example,

【0253】[0253]

【化97】 Embedded image

【0254】特公昭61−9621号記載の以下の一般
式〔1〕〜〔8〕で表されるメロシアニン色素、例え
ば、
The merocyanine dyes represented by the following formulas [1] to [8] described in JP-B-61-9621, for example,

【0255】[0255]

【化98】 Embedded image

【0256】一般式〔3〕ないし〔8〕において、X8
は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アルコキシ
基、アリール基、置換アリール基、アリールオキシ基、
アラルキル基又はハロゲン原子を表わす。一般式〔2〕
においてPhはフェニル基を表わす。一般式〔1〕ない
し〔8〕において、R48、R49およびR50はそれぞれア
ルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、アリール
基、置換アリール基又はアラルキル基を表わし、互いに
等しくても異なってもよい。特開平2−179643号
記載の以下の一般式
In the general formulas [3] to [8], X 8
Is a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, a substituted aryl group, an aryloxy group,
Represents an aralkyl group or a halogen atom. General formula [2]
In the above, Ph represents a phenyl group. In the general formulas [1] to [8], R 48 , R 49 and R 50 each represent an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a substituted aryl group or an aralkyl group. Good. The following general formula described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-179643

〔9〕〜〔11〕で表わされる色
素、例えば
Dyes represented by [9] to [11], for example,

【0257】[0257]

【化99】 Embedded image

【0258】A:酸素原子、イオウ原子、セレン原子、
テルル原子、アルキル又はアリール置換された窒素原子
またはジアルキル置換された炭素原子を表わす。 Y3:水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリー
ル基、置換アリール基、アラルキル基、アシル基、また
は置換アルコキシカルボニル基を表わす。 R51、R52:水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、
もしくは置換基として、R53O−、
A: oxygen atom, sulfur atom, selenium atom,
Represents a tellurium atom, an alkyl or aryl substituted nitrogen atom or a dialkyl substituted carbon atom. Y 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group, an aralkyl group, an acyl group, or a substituted alkoxycarbonyl group. R 51 and R 52 : a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms,
Alternatively, as a substituent, R 53 O—,

【0259】[0259]

【化100】 Embedded image

【0260】−(CH2CH2O)w−R53、ハロゲン原
子(F、Cl、Br、I)を有する炭素数1〜18の置
換アルキル基。但し、R53は水素原子又は炭素数1〜1
0のアルキル基を表わし、Bは、ジアルキルアミノ基、
水酸基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表
わす。wは0〜4の整数、xは1〜20の整数を表わ
す。特開平2−244050号記載の以下の一般式〔1
2〕で表されるメロシアニン色素、例えば、
-(CH 2 CH 2 O) w-R 53 , a substituted alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and having a halogen atom (F, Cl, Br, I). However, R 53 is a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 1.
0 represents an alkyl group, B represents a dialkylamino group,
Represents a hydroxyl group, an acyloxy group, a halogen atom, and a nitro group. w represents an integer of 0 to 4, and x represents an integer of 1 to 20. The following general formula [1] described in JP-A-2-244050
2) a merocyanine dye represented by, for example,

【0261】[0261]

【化101】 Embedded image

【0262】(式中R54およびR55は各々独立して水素
原子、アルキル基、置換アルキル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリール基、置換アリール基またはアラルキル
基を表わす。A2は酸素原子、イオウ原子、セレン原
子、テルル原子、アルキルないしはアリール置換された
窒素原子、またはジアルキル置換された炭素原子を表わ
す。X9は含窒素ヘテロ五員環を形成するのに必要な非
金属原子群を表わす。Y4は置換フェニル基、無置換な
いし置換された多核芳香環、または無置換ないしは置換
されたヘテロ芳香環を表わす。Z3は水素原子、アルキ
ル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、
アラルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、置換アミノ基、アシル基、またはアルコキシ
カルボニル基を表わし、Y4と互いに結合して環を形成
していてもよい。好ましい具体例としては
(Wherein R 54 and R 55 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryl group, a substituted aryl group or an aralkyl group. A 2 represents an oxygen atom, a sulfur atom , A selenium atom, a tellurium atom, an alkyl- or aryl-substituted nitrogen atom, or a dialkyl-substituted carbon atom, and X 9 represents a group of non-metallic atoms necessary to form a nitrogen-containing 5-membered heterocyclic ring. 4 represents a substituted phenyl group, an unsubstituted or substituted polynuclear aromatic ring, or an unsubstituted or substituted heteroaromatic ring, and Z 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group,
Represents an aralkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a substituted amino group, an acyl group, or an alkoxycarbonyl group, which may be mutually bonded to Y 4 to form a ring. Preferred specific examples are

【0263】[0263]

【化102】 Embedded image

【0264】特公昭59−28326号記載の以下の一
般式〔13〕で表されるメロシアニン色素、例えば、
A merocyanine dye represented by the following formula [13] described in JP-B-59-28326, for example,

【0265】[0265]

【化103】 Embedded image

【0266】上式において、R56およびR57はそれぞれ
水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、
置換アリール基またはアラルキル基を表わし、それらは
互いに等しくても異ってもよい。X10はハメット(Hamm
ett)のシグマ(σ)値が−0.9から+0.5までの
範囲内の置換基を表わす。特開昭59−89303号記
載の以下の一般式〔14〕で表されるメロシアニン色
素、例えば、
In the above formula, R 56 and R 57 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group,
Represents a substituted aryl group or an aralkyl group, which may be the same or different from each other. X 10 is Hammett (Hamm
ett) represents a substituent within the range of -0.9 to +0.5. A merocyanine dye represented by the following general formula [14] described in JP-A-59-89303, for example,

【0267】[0267]

【化104】 Embedded image

【0268】(式中R58およびR59は各々独立して水素
原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換
アリール基またはアラルキル基を表わす。X11はハメッ
ト(Hammett)のシグマ(σ)値が−0.9から+0.
5までの範囲内の置換基を表わす。Y5は水素原子、ア
ルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール
基、アラルキル基、アシル基またはアルコキシカルボニ
ル基を表わす。) 好ましい具体例としては、
(Wherein R 58 and R 59 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group or an aralkyl group. X 11 is Hammett's sigma (σ). Values from -0.9 to +0.
Represents up to 5 substituents. Y 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group, an aralkyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group. As a preferred specific example,

【0269】[0269]

【化105】 Embedded image

【0270】特願平6−269047号記載の以下の一
般式〔15〕で表されるメロシアニン色素、例えば
A merocyanine dye represented by the following general formula [15] described in Japanese Patent Application No. 6-269047, for example,

【0271】[0271]

【化106】 Embedded image

【0272】(式中、R60、R61、R62、R63、R68
69、R70、R71はそれぞれ独立して、水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、
置換アリール基、ヒドロキシル基、置換オキシ基、メル
カプト基、置換チオ基、アミノ基、置換アミノ基、置換
カルボニル基、スルホ基、スルホナト基、置換スルフィ
ニル基、置換スルホニル基、ホスフォノ基、置換ホスフ
ォノ基、ホスフォナト基、置換ホスフォナト基、シアノ
基、ニトロ基を表すか、もしくは、R60とR61、R61
62、R62とR63、R68とR69、R69とR70、R70とR
71が互いに結合して脂肪族又は芳香族環を形成していて
も良く、R64は水素原子、アルキル基、置換アルキル
基、アリール基、又は置換アリール基を表し、R65は置
換、又は無置換のアルケニルアルキル基、又は置換もし
くは無置換のアルキニルアルキル基を表し、R66、R67
はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、
置換カルボニル基を表す)好ましい具体例としては
(Wherein R 60 , R 61 , R 62 , R 63 , R 68 ,
R 69 , R 70 and R 71 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group,
Substituted aryl group, hydroxyl group, substituted oxy group, mercapto group, substituted thio group, amino group, substituted amino group, substituted carbonyl group, sulfo group, sulfonato group, substituted sulfinyl group, substituted sulfonyl group, phosphono group, substituted phosphono group, phosphonato group, a substituted phosphonato group, a cyano group, or a nitro group, or, R 60 and R 61, R 61 and R 62, R 62 and R 63, R 68 and R 69, R 69 and R 70, R 70 And R
71 may combine with each other to form an aliphatic or aromatic ring, R 64 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group; R 65 represents a substituted or unsubstituted group; substituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted alkynyl group, R 66, R 67
Are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group,
Preferred examples of the substituted carbonyl group)

【0273】[0273]

【化107】 Embedded image

【0274】特願平7−164583号記載の以下の一
般式〔16〕で表されるベンゾピラン系色素、例えば
A benzopyran-based dye represented by the following formula [16] described in Japanese Patent Application No. 7-164585, for example,

【0275】[0275]

【化108】 Embedded image

【0276】(式中、R72〜R75は互いに独立して、水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、水酸
基、アルコキシ基又はアミノ基を表す。またR72〜R75
はそれらが各々結合できる炭素原子と共に非金属原子か
ら成る環を形成していても良い。R76は水素原子、アル
キル基、アリール基、ヘテロ芳香族基、シアノ基、アル
コキシ基、カルボキシ基又はアルケニル基を表す。R77
はR76で表される基または−Z−R76であり、Zはカル
ボニル基、スルホニル基、スルフィニル基またはアリー
レンジカルボニル基を表す。またR76及びR77は共に非
金属原子から成る環を形成しても良い。AはO原子、S
原子、NHまたは置換基を有するN原子を表す。BはO
原子、または=C(G1)(G2)の基を表す。G1、G2
は同一でも異なっていても良く、水素原子、シアノ基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アシル基、アリールカルボニル基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基、又はフルオロスルホニル基を表す。但
し、G1、G2は同時に水素原子となることはない。また
1及びG2は炭素原子と共に非金属原子からなる環を形
成していても良い)。等を挙げることができる。
(Wherein, R 72 to R 75 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, a hydroxyl group, an alkoxy group or an amino group; and R 72 to R 75
May form a ring consisting of a nonmetallic atom together with the carbon atoms to which they can each be attached. R 76 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a heteroaromatic group, a cyano group, an alkoxy group, a carboxy group or an alkenyl group. R 77
Is a group represented by R 76 or —ZR 76 , and Z represents a carbonyl group, a sulfonyl group, a sulfinyl group, or an arylenedicarbonyl group. R 76 and R 77 may together form a ring composed of a non-metallic atom. A is O atom, S
Represents an atom, NH or an N atom having a substituent. B is O
Represents an atom or a group of CC (G 1 ) (G 2 ). G 1 , G 2
May be the same or different, and represent a hydrogen atom, a cyano group,
Represents an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an acyl group, an arylcarbonyl group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, or a fluorosulfonyl group. However, G 1 and G 2 are not simultaneously hydrogen atoms. G 1 and G 2 may form a ring composed of a nonmetallic atom together with the carbon atom). And the like.

【0277】本発明における(G)成分の更により好ま
しい例としては、上述の特公昭61−9621号記載の
メロシアニン色素、特開平2−179643号記載のメ
ロシアニン色素、特開平2−244050号記載のメロ
シアニン色素、特公昭59−28326号記載のメロシ
アニン色素、特開昭59−89303号記載のメロシア
ニン色素、特願平6−269047号記載のメロシアニ
ン色素及び特願平7−164583号記載のベンゾピラ
ン系色素を挙げることができる。本発明における(G)
成分は、単独もしくは2種以上の併用によって好適に用
いられる。
More preferred examples of the component (G) in the present invention include the merocyanine dyes described in JP-B-61-9621, the merocyanine dyes described in JP-A-2-179463, and JP-A-2-244050. Merocyanine dyes, merocyanine dyes described in JP-B-59-28326, merocyanine dyes described in JP-A-59-89303, merocyanine dyes described in Japanese Patent Application No. 6-269047, and benzopyran-based dyes described in Japanese Patent Application No. 7-164585. Can be mentioned. (G) in the present invention
The components are suitably used alone or in combination of two or more.

【0278】さらに本発明の光重合性組成物には、感度
を一層向上させる、あるいは酸素による重合阻害を抑制
する等の作用を有する公知の化合物を共増感剤として加
えても良い。
Further, to the photopolymerizable composition of the present invention, a known compound having an action of further improving sensitivity or suppressing polymerization inhibition by oxygen may be added as a co-sensitizer.

【0279】この様な共増感剤の例としては、アミン
類、例えばM. R. Sanderら著「Journal of Polymer Soc
iety」第10巻3173頁(1972)、特公昭44−
20189号、特開昭51−82102号、特開昭52
−134692号、特開昭59−138205、特開昭
60−84305号、特開昭62−18537号、特開
昭64−33104号、Research Disclosure 3382
5号記載の化合物、等があげられ、具体的には、トリエ
タノールアミン、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエ
ステル、p−ホルミルジメチルアニリン、p−メチルチ
オジメチルアニリン、等があげられる。
Examples of such co-sensitizers include amines, for example, MR Sander et al., Journal of Polymer Soc.
Society, Vol. 10, p. 3173 (1972);
No. 20189, JP-A-51-82102, JP-A-52
-134692, JP-A-59-138205, JP-A-60-84305, JP-A-62-18537, JP-A-64-33104, Research Disclosure 3382
No. 5 and the like, and specific examples include triethanolamine, ethyl p-dimethylaminobenzoate, p-formyldimethylaniline, p-methylthiodimethylaniline and the like.

【0280】共増感剤の別の例としてはチオールおよび
スルフィド類、例えば、特開昭53−702号、特公昭
55−500806号、特開平5−142772号記載
のチオール化合物、特開昭56−75643号のジスル
フィド化合物等があげられ、具体的には、2−メルカプ
トベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾー
ル、2−メルカプトベンゾイミダゾール、2−メルカプ
ト−4(3H)−キナゾリン、β−メルカプトナフタレ
ン等があげられる。
Other examples of the co-sensitizer include thiols and sulfides, for example, thiol compounds described in JP-A-53-702, JP-B-55-500806, and JP-A-5-142772; No. 75643, specifically, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercapto-4 (3H) -quinazoline, β-mercaptonaphthalene, and the like. Is raised.

【0281】また別の例としては、アミノ酸化合物
(例、N−フェニルグリシン等)、特公昭48−429
65号記載の有機金属化合物(例、トリブチル錫アセテ
ート等)、特公昭55−34414号記載の水素供与
体、特願平5−91089号記載のイオウ化合物(例、
トリチアン等)、特願平5−32147号記載のリン化
合物(ジエチルホスファイト等)、特願平6−1916
05号記載のSi−H、Ge−H化合物等があげられ
る。
As another example, amino acid compounds (eg, N-phenylglycine, etc.) and JP-B-48-429 may be used.
No. 65, organometallic compounds (eg, tributyltin acetate, etc.), hydrogen donors described in JP-B-55-34414, and sulfur compounds described in JP-A-5-91089 (eg,
Trithiane, etc.), phosphorus compounds described in Japanese Patent Application No. 5-32147 (diethyl phosphite, etc.), and Japanese Patent Application No. 6-1916.
And Si-H and Ge-H compounds described in No. 05.

【0282】上記共増感剤を使用する場合には、組成物
中の固形分を基準として、通常0.01〜50重量%使
用するのが適当であり、より好ましくは0.02〜20
重量%、最も好ましくは0.05〜10重量%である。
When the above-mentioned co-sensitizer is used, it is usually used in an amount of preferably 0.01 to 50% by weight, more preferably 0.02 to 20% by weight, based on the solid content in the composition.
%, Most preferably 0.05 to 10% by weight.

【0283】本発明の組成物は、上記各成分を溶解する
溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶
媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノ
ン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラ
クトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メ
チル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エト
キシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を
単独あるいは混合して使用する。
The composition of the present invention is dissolved in a solvent in which each of the above components is dissolved, and coated on a support. As the solvent used here, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate , Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethyl Formamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable. Or mixed to use.

【0284】精密集積回路素子の製造などにおいてレジ
スト膜上へのパターン形成工程は、基板(例:シリコン
/二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ITO基板等の透
明基板等)上に、本発明のネガ型フォトレジスト組成物
を塗布し、次に電子線(75keV以上の加速電圧条件
下)又はX線描画装置を用いて照射を行い、加熱、現
像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパター
ンを形成することができる。
In the manufacture of precision integrated circuit elements, the pattern formation step on a resist film is performed by forming a negative (the negative) of the present invention on a substrate (eg, a silicon / silicon dioxide skin cover, a glass substrate, a transparent substrate such as an ITO substrate, etc.). A photoresist pattern is formed by applying a photoresist composition and then irradiating with an electron beam (under an acceleration voltage of 75 keV or more) or an X-ray lithography apparatus, and heating, developing, rinsing, and drying to form a good resist pattern. can do.

【0285】本発明のネガ型フォトレジスト組成物の現
像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチ
ルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジ
メチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアル
コ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等
の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環
状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することが
できる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピル
アルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性
剤を適当量添加して使用することもできる。これらの現
像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好まし
くは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリ
ンである。
Examples of the developer for the negative photoresist composition of the present invention include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia; ethylamine;
primary amines such as n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, Aqueous solutions of alkalis such as quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline, and cyclic amines such as pyrrole and piperidine can be used. Further, an appropriate amount of an alcohol such as isopropyl alcohol or a surfactant such as a nonionic surfactant may be added to an aqueous solution of the above alkalis. Of these developers, quaternary ammonium salts are preferred, and tetramethylammonium hydroxide and choline are more preferred.

【0286】[0286]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.

【0287】[合成例1(樹脂例(1)の合成)]脱水
したテトラヒドロフラン500mlに重合触媒としてn
−ブチルリチウム0.004モルを添加し、−78℃に
冷却した後、同じく−78℃に冷却した3−t−ブトキ
シスチレン35g(0.20モル)のテトラヒドロフラ
ン20ml溶液を加えて1時間攪拌させた。その後、反
応液にメタノール10mlを加え、重合反応を停止させ
た。得られた反応液を攪拌下、メタノール中に投入する
ことにより、白色の樹脂を析出させた。析出した樹脂を
濾過、乾燥した後、アセトン300mlに溶解し、36
%塩酸を3ml加えて、60℃にて8時間、加熱攪拌さ
せた。その後イオン交換水2L中に、攪拌下投入するこ
とにより、白色の樹脂を析出させた。イオン交換水にて
水洗、減圧下で乾燥後、本発明の樹脂(1)19.2g
を得た。NMR測定により、樹脂の構造が化合物例
(1)であることを確認し、またGPCにて分子量を測
定したところ、重量平均(Mw:ポリスチレン換算)で
5,100、分子量分布(Mw/Mn)で1.1であっ
た。
[Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin Example (1))] 500 ml of dehydrated tetrahydrofuran was added with n as a polymerization catalyst.
After adding 0.004 mol of -butyllithium and cooling to -78 ° C, a solution of 35 g (0.20 mol) of 3-t-butoxystyrene, also cooled to -78 ° C, in 20 ml of tetrahydrofuran was added and stirred for 1 hour. Was. Thereafter, 10 ml of methanol was added to the reaction solution to stop the polymerization reaction. The resulting reaction solution was poured into methanol with stirring to precipitate a white resin. The precipitated resin was filtered and dried, and then dissolved in acetone (300 ml).
% Hydrochloric acid was added, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 8 hours. Thereafter, the mixture was poured into 2 L of ion-exchanged water with stirring to precipitate a white resin. After washing with deionized water and drying under reduced pressure, 19.2 g of the resin (1) of the present invention was obtained.
I got By NMR measurement, it was confirmed that the structure of the resin was Compound Example (1), and when the molecular weight was measured by GPC, the weight average (Mw: in terms of polystyrene) was 5,100, and the molecular weight distribution (Mw / Mn). Was 1.1.

【0288】[合成例2(樹脂例(19)の合成)]合
成例1の3−t−ブトキシスチレン35gの代わりに、
3−t−ブトキシスチレン24.7g(0.14モル)
と4−t−ブトキシスチレン10.6g(0.06モ
ル)を用い、その他は合成例1と同様にして、本発明の
樹脂(19)18.6gを合成した。NMR測定によ
り、樹脂の構造が化合物例(1)であることを確認し、
またGPCにて分子量を測定したところ、重量平均(M
w:ポリスチレン換算)で4,900、分子量分布(M
w/Mn)で1.1であった。
[Synthesis Example 2 (Synthesis of Resin Example (19))] In place of 35 g of 3-t-butoxystyrene in Synthesis Example 1,
24.7 g (0.14 mol) of 3-t-butoxystyrene
18.6 g (0.06 mol) of 4-t-butoxystyrene and 18.6 g of the resin (19) of the present invention were synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except for the above. NMR measurement confirmed that the structure of the resin was Compound Example (1),
When the molecular weight was measured by GPC, the weight average (M
w: 4,900 in terms of polystyrene; molecular weight distribution (M
(w / Mn) was 1.1.

【0289】[合成例3(樹脂例(24)の合成)]合
成例1の3−t−ブトキシスチレン35gの代わりに、
3−t−ブトキシスチレン30g(0.17モル)と
3,4−ジメトキシスチレン4.9g(0.03モル)
を用い、その他は合成例1と同様にして、本発明の樹脂
(24)19.6gを合成した。NMR測定により、樹
脂の構造が化合物例(1)であることを確認し、またG
PCにて分子量を測定したところ、重量平均(Mw:ポ
リスチレン換算)で4,500、分子量分布(Mw/M
n)で1.2であった。
[Synthesis Example 3 (Synthesis of Resin Example (24))] Instead of 35 g of 3-t-butoxystyrene in Synthesis Example 1,
30 g (0.17 mol) of 3-t-butoxystyrene and 4.9 g (0.03 mol) of 3,4-dimethoxystyrene
In the same manner as in Synthesis Example 1, 19.6 g of the resin (24) of the present invention was synthesized. NMR measurement confirmed that the structure of the resin was Compound Example (1).
When the molecular weight was measured with a PC, the weight average (Mw: in terms of polystyrene) was 4,500, and the molecular weight distribution (Mw / M
n) was 1.2.

【0290】[合成例4(樹脂例(35)の合成)]3
−t−ブトキシスチレン30g(0.17モル)、1−
ビニルナフタレン4.6g(0.03モル)、重合開始
剤2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリ
ル)(和光純薬工業(株)製;商品名V−65)50m
gを1−メトキシ−2−プロパノール80mlに溶解
し、窒素気流及び撹拌下、70℃に加熱した1−メトキ
シ−2−プロパノール20ml中に2時間かけて滴下し
た。2時間後開始剤50mgを追加し、更に2時間反応
を行った。その後90℃に昇温し撹拌を1時間続けた。
反応液を放冷後、イオン交換水1Lに激しく撹拌しなが
ら投入することにより、白色樹脂を析出させた。得られ
た樹脂を濾過、乾燥後、アセトン300mlに溶解し、
36%塩酸を3ml加えて60℃にて8時間、加熱攪拌
させた。その後イオン交換水2L中に、攪拌下投入する
ことにより、白色の樹脂を析出させた。イオン交換水に
て水洗、減圧下で乾燥後、メタノールに溶解しヘキサン
中に再沈させることを2度繰り返し、本発明の樹脂(3
5)15.8gを得た。NMR測定により、樹脂の構造
が化合物例(35)であることを確認し、またGPCに
て分子量を測定したところ、重量平均(Mw:ポリスチ
レン換算)で6,800、分子量分布(Mw/Mn)で
1.3であった。以下、同様にして本発明(B)の樹脂
を合成した。
[Synthesis Example 4 (Synthesis of Resin Example (35))] 3
-T-butoxystyrene 30 g (0.17 mol), 1-
4.6 g (0.03 mol) of vinylnaphthalene, 50 m of polymerization initiator 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (V-65, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
g was dissolved in 1-methoxy-2-propanol (80 ml) and added dropwise over 2 hours to 1-methoxy-2-propanol (20 ml) heated to 70 ° C under a nitrogen stream and stirring. After 2 hours, 50 mg of an initiator was added, and the reaction was further performed for 2 hours. Thereafter, the temperature was raised to 90 ° C., and stirring was continued for 1 hour.
After allowing the reaction solution to cool, it was poured into 1 L of ion exchanged water with vigorous stirring to precipitate a white resin. After filtering and drying the obtained resin, it was dissolved in 300 ml of acetone,
3 ml of 36% hydrochloric acid was added, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 8 hours. Thereafter, the mixture was poured into 2 L of ion-exchanged water with stirring to precipitate a white resin. Washing with ion-exchanged water, drying under reduced pressure, dissolving in methanol and reprecipitating in hexane were repeated twice, and the resin of the present invention (3
5) 15.8 g were obtained. By NMR measurement, it was confirmed that the structure of the resin was Compound Example (35), and when the molecular weight was measured by GPC, the weight average (Mw: in terms of polystyrene) was 6,800, and the molecular weight distribution (Mw / Mn). Was 1.3. Hereinafter, the resin of the present invention (B) was synthesized in the same manner.

【0291】架橋剤〔HM−1〕の合成 1−〔α−メチル−α-(4−ヒドロキシフェニル)エ
チル〕−4−〔α,α−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エチル〕ベンゼン20g(本州化学工業(株)製T
risp−PA)を10%水酸化カリウム水溶液に加
え、撹拌、溶解した。次にこの溶液を撹伴しながら、3
7%ホルマリン水溶液60mlを室温下で1時間かけて
徐々に加えた。さらに室温下で6時間撹伴した後、希硫
酸水溶液に投人した。析出物をろ過し、十分水洗した
後、メタノール30mlより再結晶することにより、下
記構造のヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体
〔HM−1]の白色粉末20gを得た。純度は92%で
あった(液体クロマトグラフィー法)。
Synthesis of Crosslinking Agent [HM-1] 20 g of 1- [α-methyl-α- (4-hydroxyphenyl) ethyl] -4- [α, α-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene (Honshu Chemical Industry Co., Ltd. T
risp-PA) was added to a 10% aqueous potassium hydroxide solution, and the mixture was stirred and dissolved. Then, while stirring this solution, 3
60 ml of a 7% aqueous formalin solution was gradually added at room temperature over 1 hour. After stirring at room temperature for 6 hours, the mixture was thrown into a dilute aqueous sulfuric acid solution. The precipitate was filtered, washed sufficiently with water, and recrystallized from 30 ml of methanol to obtain 20 g of a white powder of a phenol derivative having a hydroxymethyl group [HM-1] having the following structure. The purity was 92% (liquid chromatography method).

【0292】[0292]

【化109】 Embedded image

【0293】架橋剤〔MM−1〕の合成 上記合成例で得られたヒドロキシメチル基を有するフェ
ノール誘導体〔HM−1〕20gを1リットルのメタノ
ールに加え、加熱撹拌し、溶解した。次に、この溶液に
濃硫酸1mlを加え、12時間加熱還流した。反応終了
後、反応液を冷却し、炭酸カリウム2gをを加えた。こ
の混合物を十分濃縮した後、酢酸エチル300mlを加
えた。この溶液を水洗した後、濃縮乾固させることによ
り、下記構造のメトキシメチル基を有するフェノール誘
導体〔MM−1〕の白色固体22gを得た。純度は90
%であった(液体クロマトグラフィー法)。
Synthesis of Crosslinking Agent [MM-1] 20 g of the phenol derivative having a hydroxymethyl group [HM-1] obtained in the above Synthesis Example was added to 1 liter of methanol, and the mixture was heated and stirred to dissolve. Next, 1 ml of concentrated sulfuric acid was added to this solution, and the mixture was heated under reflux for 12 hours. After the completion of the reaction, the reaction solution was cooled, and 2 g of potassium carbonate was added. After sufficiently concentrating this mixture, 300 ml of ethyl acetate was added. The solution was washed with water and concentrated to dryness to obtain 22 g of a white solid of a phenol derivative having a methoxymethyl group [MM-1] having the following structure. 90 purity
% (Liquid chromatography method).

【0294】[0294]

【化110】 Embedded image

【0295】さらに、同様にして以下に示すフェノール
誘導体を合成した。
Further, the following phenol derivatives were synthesized in the same manner.

【0296】[0296]

【化111】 Embedded image

【0297】[実施例1〜18及び比較例1〜8] (1)レジストの塗設 下記表2に示す樹脂2.0g、表2に示す光酸発生剤
0.035g、表2に示す架橋剤1.6g、表2に示す
(D)成分の化合物0.020g、表2に示す含窒素塩
基性化合物0.0015g、表2に示す界面活性剤0.
001g及び表2に示す(G)成分の化合物0.020
gを表2に示す溶剤に溶解し、本発明のレジスト組成物
を調整した。
[Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 8] (1) Coating of resist 2.0 g of resin shown in Table 2 below, 0.035 g of photoacid generator shown in Table 2 and crosslinking shown in Table 2 1.6 g of the agent, 0.020 g of the compound (D) shown in Table 2, 0.0015 g of the nitrogen-containing basic compound shown in Table 2, and 0.1 g of the surfactant shown in Table 2.
001 g and 0.020 g of the component (G) shown in Table 2.
g was dissolved in a solvent shown in Table 2 to prepare a resist composition of the present invention.

【0298】各試料溶液を0.1μmのテフロン(R)
製フィルターで濾過した後、スピンコーターによりヘキ
サメチルジシラザン処理を施したシリコンウェハー上に
塗布し、110℃、90秒間真空密着型のホットプレー
ト上で加熱乾燥して、膜厚0.3μmのレジスト膜を得
た。
Each sample solution was treated with 0.1 μm Teflon (R).
After filtration with a filter made by Co., Ltd., it was applied on a silicon wafer treated with hexamethyldisilazane by a spin coater, and dried by heating on a vacuum-contacting hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to form a resist having a thickness of 0.3 μm. A membrane was obtained.

【0299】[0299]

【表2】 [Table 2]

【0300】なお表2中、樹脂(1)、(4)、
(8)、(19)、(20)、(24)、(25)、
(35)、(40)、(44)、(52)の組成(モル
比)及び分子量は以下の通りである。
In Table 2, resins (1), (4),
(8), (19), (20), (24), (25),
The compositions (molar ratios) and molecular weights of (35), (40), (44) and (52) are as follows.

【0301】 (1): Mw=5,000、 Mw/Mn=1.3 (4): Mw=5,500、 Mw/Mn=1.2 (5): Mw=12,300、Mw/Mn=1.8 (8): Mw=6,400、 Mw/Mn=1.2 (19): x/y=70/30、 Mw=4,900、 Mw/Mn=1.1 (20): x/y=85/15、 Mw=5,800、 Mw/Mn=1.1 (24): x/y=85/15、 Mw=4,500、 Mw/Mn=1.2 (25): x/y=85/15、 Mw=5,200、 Mw/Mn=1.2 (35): x/y=85/15、 Mw=6,800、 Mw/Mn=1.3 (40): x/y=80/20、 Mw=6,300、 Mw/Mn=1.1 (44): x/y/z=85/10/5、 Mw=4,600、 Mw/Mn =1.2 (52): x/y=80/20、 Mw=7,200、 Mw/Mn=1.3(1): Mw = 5,000, Mw / Mn = 1.3 (4): Mw = 5,500, Mw / Mn = 1.2 (5): Mw = 12,300, Mw / Mn = 1.8 (8): Mw = 6,400, Mw / Mn = 1.2 (19): x / y = 70/30, Mw = 4,900, Mw / Mn = 1.1 (20): x / y = 85/15, Mw = 5,800, Mw / Mn = 1.1 (24): x / y = 85/15, Mw = 4,500, Mw / Mn = 1.2 (25): x / y = 85/15, Mw = 5,200, Mw / Mn = 1.2 (35): x / y = 85/15, Mw = 6,800, Mw / Mn = 1.3 (40): x / y = 80/20, Mw = 6,300, Mw / Mn = 1.1 (44): x / y / z = 85/10/5, Mw = 4,600 Mw / Mn = 1.2 (52): x / y = 80/20, Mw = 7,200, Mw / Mn = 1.3

【0302】尚、表2における酸発生剤2種使用の場合
の比は重量比である。また、架橋剤CL−1、CL−2
は以下のものである。
The ratio in the case of using two kinds of acid generators in Table 2 is a weight ratio. Further, the crosslinking agents CL-1, CL-2
Is:

【0303】[0303]

【化112】 Embedded image

【0304】表2における(D)の化合物は以下のもの
である。
The compounds (D) in Table 2 are as follows.

【0305】[0305]

【化113】 Embedded image

【0306】[0306]

【化114】 Embedded image

【0307】表2における含窒素塩基性化合物は以下の
ものである。 1: 1,8−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−5
−エン 2: 2,6−ジイソプロピルアニリン 3: 4−ジメチルアミノピリジン 4: 2,4,5−トリフェニルイミダゾール 5: トリエチルアミン 6: 1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5
−エン 7: 1,5−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン 8: ヘキサメチレンテトラミン 9: CHMETU 10: ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4
−ピペリジル)セバゲート 11: ピペラジン 12: フェニルグアニジン
The nitrogen-containing basic compounds in Table 2 are as follows. 1: 1,8-diazabicyclo [4.3.0] nona-5
-Ene 2: 2,6-diisopropylaniline 3: 4-dimethylaminopyridine 4: 2,4,5-triphenylimidazole 5: triethylamine 6: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5
-Ene 7: 1,5-diazabicyclo [2.2.2] octane 8: hexamethylenetetramine 9: CHMETU 10: bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4)
-Piperidyl) sebagate 11: piperazine 12: phenylguanidine

【0308】表2における界面活性剤は以下のものであ
る。 W1:メガファックF176(大日本インキ化学工業
(株)製)(フッ素系) W2:メガファックR08(大日本インキ化学工業
(株)製)(フッ素及びシリコーン系) W3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学
工業(株)製) W4:ポリオキシエチレントリフェニルエーテル W5:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製)
The surfactants in Table 2 are as follows. W1: Megafac F176 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) (fluorine) W2: Megafac R08 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) (fluorine and silicone) W3: Polysiloxane polymer KP-341 (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) W4: polyoxyethylene triphenyl ether W5: Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.)
Made)

【0309】表2における(G)の化合物は以下のもの
である。
The compounds of (G) in Table 2 are as follows.

【0310】[0310]

【化115】 Embedded image

【0311】表2における溶剤は以下のものである。 S1:プロビレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート S2:プロビレングリコールモノメチルエーテルプロピ
オネート S3:乳酸エチル S4:酢酸ブチル S5:2−ヘプタノン S6:プロピレングリコールモノメチルエーテル S7:エトキシチルプロピオネート S8:γ−ブチロラクトン S9:エチレンカーボネート S10:プロピレンカーボネート S11:シクロヘキサノン
The solvents in Table 2 are as follows. S1: propylene glycol monomethyl ether acetate S2: propylene glycol monomethyl ether propionate S3: ethyl lactate S4: butyl acetate S5: 2-heptanone S6: propylene glycol monomethyl ether S7: ethoxytyl propionate S8: γ-butyrolactone S9 : Ethylene carbonate S10: propylene carbonate S11: cyclohexanone

【0312】(2)レジストパターンの作成 このレジスト膜に電子線描画装置(加速電圧50Ke
V)を用いて照射を行った。照射後にそれぞれ110℃
の真空吸着型ホットプレートで60秒間加熱を行い、
2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド(TMAH)水溶液で60秒間浸漬し、30秒間水で
リンスして乾燥した。得られたパターンの断面形状を走
査型電子顕微鏡により観察した。感度、解像力、PED
安定性及びパーティクル初期値は以下のようにして評価
した。
(2) Preparation of resist pattern An electron beam lithography system (acceleration voltage 50 Ke
Irradiation was performed using V). 110 ° C each after irradiation
Heating for 60 seconds with a vacuum adsorption type hot plate,
It was immersed in a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds, and dried. The cross-sectional shape of the obtained pattern was observed with a scanning electron microscope. Sensitivity, resolution, PED
The stability and the particle initial value were evaluated as follows.

【0313】〔解像度〕:まず、感度(Eth)を求め
た。次に0.15μmのラインアンドスペースを1:1
で解像する露光量を最適露光量(Eopt)として、こ
の露光量における分離しているラインアンドスペースの
最小線幅(μm)を評価し、レジストの解像度とした。
[Resolution] First, the sensitivity (Eth) was determined. Next, a 0.15 μm line and space of 1: 1
The exposure amount resolved by the above is defined as the optimum exposure amount (Eopt), and the minimum line width (μm) of the separated line and space at this exposure amount was evaluated and defined as the resist resolution.

【0314】〔PED安定性〕:レジスト組成物溶液を
塗布し焼成して形成したレジスト被膜に、0.15μm
のラインアンドスペースパターンが設計どおりにパター
ン形成できる放射線照射量(例えば、電子線:8μC/
cm2)を照射し、放射線照射の工程までを行ったウェ
ハーを、2時間クリーンルーム中に放置した。ついで放
射線照射後の焼成に続いて現像し、0.15μmライン
アンドスペースパターンの設計寸法からのずれを測定し
た。 |設計寸法−実寸法|/設計寸法×100(%) 値が小さいほど良好であると判断した。
[PED stability]: 0.15 μm
Radiation dose (eg, electron beam: 8 μC /
cm 2 ), and the wafer subjected to the irradiation step was left in a clean room for 2 hours. Subsequently, development was carried out following baking after radiation irradiation, and the deviation of the 0.15 μm line and space pattern from the designed dimensions was measured. | Design dimension-Actual dimension | / Design dimension × 100 (%) It was judged that the smaller the value, the better.

【0315】〔パーティクル数と経時保存後のパーティ
クルの増加数〕:上記のように調製した感放射線性ポジ
型レジスト組成物溶液(塗液)についての調液直後(パ
ーティクル初期値)と、4℃で一週間放置した後(経時
後のパーティクル数)の液中のパーティクルを、リオン
社製、パーティクルカウンターにてカウントした。パー
ティクル初期値とともに、(経時後のパーティクル数)
−(パーティクル初期値)で計算されるパーティクル増
加数を評価した。性能評価結果を表3に示した。
[Number of Particles and Increase in Number of Particles after Storage over Time]: Immediately after the preparation of the radiation-sensitive positive resist composition solution (coating solution) prepared as described above (initial value of particles), and at 4 ° C. The particles in the liquid after standing for one week (the number of particles after aging) were counted by a particle counter manufactured by Rion. Along with the initial particle value, (number of particles after aging)
-The particle increase calculated by (initial value of particles) was evaluated. Table 3 shows the results of the performance evaluation.

【0316】[0316]

【表3】 [Table 3]

【0317】表3の結果より、本発明の組成を組み合わ
せたネガ型レジスト組成物は、比較例に比べ、解像度、
プロファイル、PED安定性が向上し、パーティクル初
期値も低減することが判る。
From the results shown in Table 3, the negative resist composition obtained by combining the composition of the present invention has higher resolution and resolution than the comparative example.
It can be seen that the profile and PED stability are improved, and the particle initial value is also reduced.

【0318】[実施例19〜23及び比較例9]上記実
施例2、7、8,10、11と、比較例2の組成を用
い、上記と同様にして作成したレジスト膜に対し、10
0KeVの加速電圧の条件で、電子線描画装置を用いて
照射を行った。照射後に上記実施例と同様に加熱、現
像、リンスを行い、得られたパターンを走査型電子線顕
微鏡により観察した。上記実施例と同様に評価した結果
を表4に示した。
[Examples 19 to 23 and Comparative Example 9] A resist film formed in the same manner as described above using the composition of Examples 2, 7, 8, 10, and 11 and Comparative Example 2 was used.
Irradiation was performed using an electron beam lithography apparatus under the condition of an acceleration voltage of 0 KeV. After irradiation, heating, development, and rinsing were performed in the same manner as in the above example, and the obtained pattern was observed with a scanning electron microscope. Table 4 shows the results of the evaluation performed in the same manner as in the above example.

【0319】[0319]

【表4】 [Table 4]

【0320】表4の結果より、本発明のネガ型レジスト
組成物は、比較例3の組成物に対し、高加速電圧での電
子線照射においても、解像度が良好で、プロファイル、
PED安定性が向上し、パーティクル初期値も低減する
ことが判る。
From the results shown in Table 4, it can be seen that the negative resist composition of the present invention has a better resolution than the composition of Comparative Example 3 even when irradiated with an electron beam at a high accelerating voltage.
It can be seen that PED stability is improved and the particle initial value is also reduced.

【0321】[0321]

【発明の効果】本発明の電子線及びX線用ネガ型レジス
ト組成物により、高加速電圧の条件においても、感度、
解像度に優れ、矩形なプロファイルを有するネガ型レジ
スト組成物を提供できる。
According to the negative resist composition for an electron beam and an X-ray of the present invention, sensitivity and sensitivity can be improved even under high accelerating voltage conditions.
A negative resist composition having excellent resolution and a rectangular profile can be provided.

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Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)電子線又はX線の照射により酸を
発生する、少なくとも1つのフェニル基を有するスルホ
ニウム塩及び/又はヨードニウム塩 (B)アルカリ水溶液に可溶な樹脂 (C)酸の作用により(B)樹脂と架橋を生じる架橋剤 (D)電子線又はX線の照射により自身の結合が開裂す
る、及び/又は他成分の開裂を引き起こすが、中間体と
してフェニルラジカルを発生しない化合物、を含有して
なることを特徴とする電子線又はX線用ネガ型レジスト
組成物。
(A) a sulfonium salt and / or iodonium salt having at least one phenyl group which generates an acid upon irradiation with an electron beam or X-ray; (B) a resin soluble in an aqueous alkali solution; (B) a crosslinking agent that forms a crosslink with the resin by action (D) a compound that cleaves its bond by irradiation with an electron beam or X-ray and / or causes cleavage of other components but does not generate a phenyl radical as an intermediate And a negative resist composition for electron beam or X-ray.
【請求項2】 (D)電子線又はX線の照射により自身
の結合が開裂する、及び/又は他者の開裂を引き起こす
が、中間体としてフェニルラジカル種を発生しない化合
物は、(a)芳香族又は脂環式ケトン類、(b)有機過
酸化物、(c)ヘキサアリールビイミダゾール化合物、
(d)ケトオキシムエステル化合物、(e)アジニウム
化合物、(f)活性エステル化合物、(g)炭素ハロゲ
ン結合を有する化合物、の群から選択される少なくとも
1種であることを特徴とする請求項1に記載の電子線又
はX線用ネガ型レジスト組成物。
2. Compounds which (D) cleave their bonds by irradiation with an electron beam or X-ray and / or cause cleavage of others but do not generate a phenyl radical species as an intermediate are (a) aromatic compounds An aromatic or alicyclic ketone, (b) an organic peroxide, (c) a hexaarylbiimidazole compound,
2. The compound according to claim 1, wherein the compound is at least one selected from the group consisting of (d) a ketoxime ester compound, (e) an azinium compound, (f) an active ester compound, and (g) a compound having a carbon-halogen bond. 3. The negative resist composition for electron beam or X-ray according to item 1.
【請求項3】 (D)電子線又はX線の照射により自身
の結合が開裂する、及び/又は他者の開裂を引き起こす
が、中間体としてフェニルラジカル種を発生しない化合
物は、(h)フォトクロミック化合物、(i)ベンジル
カルバメート類、(j)スルホンアミド類、(k)アシ
ルオキシイミノ類、の群から選択される少なくとも1種
であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子線
又はX線用ネガ型レジスト組成物。
3. A compound which (D) cleaves its own bond by irradiation with an electron beam or X-ray and / or causes the cleavage of others, but does not generate a phenyl radical species as an intermediate, comprises (h) a photochromic 3. The electron beam according to claim 1, wherein the compound is at least one selected from the group consisting of a compound, (i) benzyl carbamates, (j) sulfonamides, and (k) acyloxyiminos. 4. X-ray negative resist composition.
【請求項4】 更に(E)含窒素塩基性化合物を含有す
ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電
子線又はX線用ネガ型レジスト組成物。
4. The negative resist composition for electron beams or X-rays according to claim 1, further comprising (E) a nitrogen-containing basic compound.
【請求項5】 更に(F)界面活性剤を含有することを
特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電子線又は
X線用ネガ型レジスト組成物。
5. The negative resist composition for electron beam or X-ray according to claim 1, further comprising (F) a surfactant.
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