JP2002305126A - Chip resistor - Google Patents

Chip resistor

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JP2002305126A
JP2002305126A JP2001108912A JP2001108912A JP2002305126A JP 2002305126 A JP2002305126 A JP 2002305126A JP 2001108912 A JP2001108912 A JP 2001108912A JP 2001108912 A JP2001108912 A JP 2001108912A JP 2002305126 A JP2002305126 A JP 2002305126A
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JP
Japan
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layer
substrate
layers
chip resistor
conductor
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Application number
JP2001108912A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Oda
大 小田
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Koa Corp
Original Assignee
Koa Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip resistor which can be surface mounted, on either the surface or the rear surface of a substrate. SOLUTION: A chip resistor is constituted in a structure with the resistor being provided with a substrate 11; a pair of upper surface electrode layers 13 and lower surface electrode layers 21; which are provided on both ends of the upper and lower surfaces of the substrate 11; a resistance layer 15, provided so as to electrically connect with the layers 13; a protective layer 17 provided so as to cover at least the layer 15; insulator layers 31 provided on the upper parts of the layers 13; upper surface conductor layers 33 provided on the tops of the layers 31; an end surface electrode layer 35 which is provided on the end part of the substrate 11 and is connected with the layers 13, the layers 33 and the layers 21; and a conductor plated layer 23 plated on the whole surface of the layers 33, the layer 35 and the layers 21. The total thickness of the layers 13, the layers 31, the layers 33 and the layer 23 is formed thicker than the total thickness of the layer 15 and the layer 17.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器に係
り、特に多数のチップ部品を収納したバルクカセットか
ら該チップ部品を回路基板に実装する、いわゆるバルク
実装に好適なチップ抵抗器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip resistor, and more particularly to a chip resistor suitable for so-called bulk mounting, in which a chip cassette is mounted on a circuit board from a bulk cassette containing a large number of chip components. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5(a)は従来の厚膜チップ抵抗器の
構造例を示す。従来のチップ抵抗器は、アルミナ等の絶
縁性基板11の表面両端部に厚膜上面電極層13,13
を備え、この電極間に厚膜抵抗層15が配置されてい
る。抵抗層15はガラス絶縁膜17および樹脂保護層1
9により被覆され保護されている。絶縁性基板11の両
端部である表面の上面電極層13と裏面の下面電極層2
1の上面および側端面の端面電極層上には導体めっき層
23,23が形成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 5A shows an example of the structure of a conventional thick film chip resistor. The conventional chip resistor has a thick film upper electrode layer 13 on both ends of an insulating substrate 11 made of alumina or the like.
And the thick film resistance layer 15 is arranged between the electrodes. The resistance layer 15 is composed of the glass insulating film 17 and the resin protection layer 1.
9 covered and protected. The upper electrode layer 13 on the front surface and the lower electrode layer 2 on the rear surface which are both ends of the insulating substrate 11.
Conductor plating layers 23 are formed on the end surface electrode layers on the upper surface and side end surfaces of the substrate 1.

【0003】この場合、基板中央部の保護層19の部分
の高さが電極部23の高さよりも高くなる。絶縁性基板
11の表面側の導体めっき層23と保護層19のそれぞ
れの表面の段差が10−50μm程度発生している場合
が多い。
In this case, the height of the protective layer 19 at the center of the substrate is higher than the height of the electrode portion 23. In many cases, a level difference of about 10 to 50 μm occurs between the surfaces of the conductive plating layer 23 and the protective layer 19 on the front side of the insulating substrate 11.

【0004】ところで、従来のチップ抵抗器は、工場出
荷の際にテープに1個ずつ、抵抗層が存在する面を表面
として固定するいわゆるテーピングによる荷姿で出荷さ
れる場合が多い。そして、回路基板に実装する際には、
そのままの状態で、即ち、保護層が存在する面を表面と
して実装機(マウンタ)により回路基板に固定されてい
た。この場合には、図5(b)に示すように回路基板2
5のランド部27に絶縁性基板11の導体めっき層2
3,23の裏面側が密着し、はんだリフロー等による固
定が行われる。
[0004] By the way, conventional chip resistors are often shipped one by one on a tape at the time of shipment from a factory in a so-called taping form in which the surface on which the resistance layer is present is fixed as the surface. And when mounting on a circuit board,
It was fixed to the circuit board by a mounting machine (mounter) as it was, that is, with the surface on which the protective layer was present as the surface. In this case, as shown in FIG.
5 is formed on the land 27 of the conductor plate 2 of the insulating substrate 11.
The back surfaces of the substrates 3 and 23 are in close contact with each other, and are fixed by solder reflow or the like.

【0005】しかしながら、実装方法にはバルクカセッ
トに多数のチップ部品をそのままの状態で収容し、この
チップ部品を一個ずつ表裏面を問わずバルクカセットか
ら取り出して回路基板に実装する、バルク実装機による
バルク実装が存在する。図5(a)に示す従来のチップ
抵抗器をバルク実装機にてバルク実装した場合に、図5
(c)に示すように、チップ抵抗器の表面側(保護層
側)が回路基板25に面するように逆向きに実装される
場合が50%程度の確率で発生する。この時、チップ抵
抗器が傾いてはんだ29により固定される可能性が強
く、最悪の場合、図5(d)に示すようにチップ立等の
現象が発生し、片側のはんだ付けができないという問題
がある。従って、従来のチップ抵抗器は、いわゆるバル
ク実装には対応できないという問題がある。
[0005] However, the mounting method involves a bulk mounting machine in which a large number of chip components are stored in a bulk cassette as they are, and the chip components are taken out of the bulk cassette one by one regardless of the front and back surfaces and mounted on a circuit board. There are bulk implementations. When the conventional chip resistor shown in FIG.
As shown in (c), the case where the chip resistor is mounted in the opposite direction so that the surface side (protective layer side) of the chip resistor faces the circuit board 25 occurs with a probability of about 50%. At this time, there is a strong possibility that the chip resistor is inclined and fixed by the solder 29, and in the worst case, a phenomenon such as chip standing occurs as shown in FIG. There is. Therefore, there is a problem that the conventional chip resistor cannot cope with so-called bulk mounting.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に鑑みて為されたもので、表裏面のいずれの面に対して
も面実装が可能なチップ抵抗器を提供することを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a chip resistor which can be surface-mounted on any of the front and back surfaces. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の一態様は、基板
と、前記基板の上面および下面の両端部に設けられた各
一対の上面電極層と下面電極層と、前記上面電極層に電
気的に接続するように設けられた抵抗層と、少なくとも
前記抵抗層を覆うように設けられた保護層と、前記上面
電極層の上部に設けられた絶縁物層と、前記絶縁物層の
頂部に設けられた上面導体層と、前記基板の端部に設け
られ、前記上面電極層と前記上面導体層と前記下面電極
層とに接続された端面電極層と、前記上面導体層、端面
電極層および下面電極層の全面に施された導体めっき層
とを備え、前記上面電極層、絶縁物層、上面導体層およ
び導体めっき層の総厚みが、前記抵抗層および保護層の
総厚みよりも大きいことを特徴とするチップ抵抗器であ
る。
In order to solve the problems in the prior art, one aspect of the present invention is to provide a substrate and a pair of upper surfaces provided at both ends of an upper surface and a lower surface of the substrate. An electrode layer, a lower electrode layer, a resistive layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, a protective layer provided so as to cover at least the resistive layer, and a protective layer provided on the upper electrode layer. The insulating layer provided, an upper conductor layer provided on the top of the insulator layer, and an end provided on the substrate, and connected to the upper electrode layer, the upper conductor layer, and the lower electrode layer. An end face electrode layer, the upper surface conductor layer, comprising a conductor plating layer applied to the entire surface of the end face electrode layer and the lower surface electrode layer, the total thickness of the upper surface electrode layer, the insulator layer, the upper surface conductor layer and the conductor plating layer is Larger than the total thickness of the resistance layer and the protective layer It is a chip resistor according to claim.

【0008】少なくとも前記抵抗層を覆うように設けら
れた保護層が無機物である第1の保護層と、樹脂である
第2の保護層とからなることが好ましい。また、前記上
面電極層上に前記第1の保護層の端部を覆う前記絶縁物
層が配置され、前記第2の保護層が前記基板の両端に配
置された前記絶縁物層間に埋め込まれるように配置され
ることが好ましい。
It is preferable that the protective layer provided so as to cover at least the resistance layer comprises a first protective layer made of an inorganic material and a second protective layer made of a resin. Further, the insulator layer covering an end of the first protective layer is disposed on the upper electrode layer, and the second protective layer is embedded between the insulator layers disposed at both ends of the substrate. It is preferable to arrange them.

【0009】また、本発明のチップ抵抗器の製造方法
は、基板を準備し、前記基板の上面および下面の両端部
に各一対の上面電極層と下面電極層とを形成し、前記一
対の上面電極層に電気的に接続するように抵抗層を形成
し、少なくとも前記抵抗層を覆う保護層と、前記上面電
極層の上部に絶縁物層と、前記絶縁物層の頂部に上面導
体層とをそれぞれ形成し、前記基板の端部に前記上面電
極層と前記上面導体層と前記下面電極層とを接続する端
面電極層を形成し、さらに前記上面導体層、端面電極層
および下面電極層の全面に施された導体めっき層を形成
し、前記基板両端部の上面電極層、絶縁物層、上面導体
層および導体めっき層の総厚みを、前記基板中央部の抵
抗層および保護層の総厚みよりも大きくしたことを特徴
とするものである。
In a method of manufacturing a chip resistor according to the present invention, a substrate is prepared, and a pair of upper electrode layers and a lower electrode layer are formed on both ends of an upper surface and a lower surface of the substrate, respectively. A resistive layer is formed so as to be electrically connected to the electrode layer, a protective layer covering at least the resistive layer, an insulator layer above the upper electrode layer, and an upper conductor layer on top of the insulator layer. And an end surface electrode layer connecting the upper surface electrode layer, the upper surface conductor layer, and the lower surface electrode layer is formed at an end portion of the substrate. The total thickness of the upper electrode layer, the insulator layer, the upper conductor layer and the conductor plating layer at both ends of the substrate is calculated from the total thickness of the resistance layer and the protection layer at the center of the substrate. Is also made larger.

【0010】上述した本発明のチップ抵抗器によれば、
基板長手方向の両端部が、中央部の保護層の高さよりも
高く形成しているため、チップ抵抗器が裏向きに実装さ
れた場合でも、縦方向や横方向の傾きや、チップ立ち
(いわゆるマッハッタン現象)を抑えることができ、こ
れによって確実にプリント基板に実装することができ
る。即ち、チップ抵抗器の表裏面を問わず実装する、い
わゆるバルク実装に対応が可能なチップ抵抗器を提供で
きる。
According to the above-described chip resistor of the present invention,
Since both ends in the longitudinal direction of the substrate are formed higher than the height of the protective layer in the central portion, even when the chip resistor is mounted face down, the chip resistor is vertically or horizontally inclined, or the chip stands up (so-called). Machtan phenomenon) can be suppressed, and thereby the semiconductor device can be reliably mounted on a printed circuit board. That is, it is possible to provide a chip resistor that can be mounted on both front and rear surfaces of the chip resistor and that can support so-called bulk mounting.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るチップ抵抗器
の実施形態について図1乃至図4を参照して詳細に説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a chip resistor according to the present invention will be described below in detail with reference to FIGS.

【0012】図1は、本発明の実施形態におけるチップ
抵抗器の両端部近傍の構成例を示す図である。なお、図
は片側のみを示しているが基板の両端部は左右対称に形
成されている。例えば96%アルミナからなる基板11
の上面には、左右に一対の上面電極層13が設けられ、
基板の下面にも左右に一対の下面電極層21が設けられ
ている。一対の上面電極層13,13間には、この電極
層に一部がまたがるように基板上に抵抗層15が設けら
れている。そして、抵抗層15の上にはこの抵抗層を少
なくとも被覆するようにガラス層からなる保護層17
と、更にその上に樹脂からなる保護層19が設けられて
いる。ここで、抵抗層15は酸化ルテニウム等の厚膜ペ
ーストのスクリーン印刷および焼成により形成され、厚
さ10−15μm程度に形成することが好ましい。ガラ
ス絶縁膜17は厚さ15−20μm程度に形成すること
が好ましく、樹脂保護層19は厚さ20μm程度に形成
することが好ましい。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example near both ends of a chip resistor according to an embodiment of the present invention. Although the figure shows only one side, both ends of the substrate are formed symmetrically. For example, a substrate 11 made of 96% alumina
A pair of upper electrode layers 13 are provided on the left and right sides of
A pair of lower electrode layers 21 are also provided on the lower surface of the substrate on the left and right. Between the pair of upper electrode layers 13, 13, a resistance layer 15 is provided on the substrate so as to partially extend over the electrode layers. A protective layer 17 made of a glass layer is formed on the resistance layer 15 so as to cover at least the resistance layer.
And a protective layer 19 made of resin is further provided thereon. Here, the resistance layer 15 is formed by screen printing and baking of a thick film paste such as ruthenium oxide, and is preferably formed to a thickness of about 10 to 15 μm. The glass insulating film 17 is preferably formed with a thickness of about 15-20 μm, and the resin protective layer 19 is preferably formed with a thickness of about 20 μm.

【0013】そして、上面電極層13の上には、絶縁物
層31が配置され、更に、この頂部に上面導体層33が
配置されている。ここで、上面電極層13上に設けられ
た絶縁物層31は、例えばエポキシ樹脂層であり、30
−60μm程度の厚さに形成されている。この、樹脂層
31の形成は、スクリーン印刷、オフセット印刷、凹版
印刷等により形成することが可能である。絶縁物層31
の上部に設けられた上面導体層33は、例えば銀ペース
トを加温硬化して形成されたものである。銀ペースト
は、銀粉を樹脂中に混練したペーストであり、例えば百
数十度の温度で所定時間保持することで硬化し、高い導
電性を示す。
An insulator layer 31 is disposed on the upper electrode layer 13, and an upper conductor layer 33 is disposed on top of the insulator layer 31. Here, the insulator layer 31 provided on the upper electrode layer 13 is, for example, an epoxy resin layer.
It is formed to a thickness of about −60 μm. The resin layer 31 can be formed by screen printing, offset printing, intaglio printing, or the like. Insulator layer 31
Is formed by heating and curing a silver paste, for example. The silver paste is a paste in which silver powder is kneaded in a resin. For example, the silver paste is hardened by holding it at a temperature of a hundred and several tens of degrees for a predetermined time, and exhibits high conductivity.

【0014】基板11の左右両側の端面には、上面導体
層33と上面電極層13と、下面電極層21とを接続す
る端面電極層35が設けられている。更に、上面導体層
33、端面電極層35、および下面電極層21の全面に
導体めっき層23が形成されている。このめっき層23
は、内側のニッケルめっき層23aと、外側のスズまた
ははんだめっき層23bの2層により構成されている。
ニッケルめっき層は厚さ3−10μm程度に形成するこ
とが好ましく、はんだまたはスズめっき層は厚さ5−1
5μm程度に形成することが好ましい。
On the left and right end surfaces of the substrate 11, an end surface electrode layer 35 for connecting the upper surface conductor layer 33, the upper surface electrode layer 13, and the lower surface electrode layer 21 is provided. Furthermore, a conductor plating layer 23 is formed on the entire upper surface conductor layer 33, end surface electrode layer 35, and lower electrode layer 21. This plating layer 23
Is composed of two layers, an inner nickel plating layer 23a and an outer tin or solder plating layer 23b.
The nickel plating layer is preferably formed to a thickness of about 3-10 μm, and the solder or tin plating layer is preferably formed to a thickness of 5-1.
Preferably, it is formed to a thickness of about 5 μm.

【0015】そして、図示するようにチップ両端部の電
極層の部分の総厚みが基板中央部の抵抗層および保護層
からなる部分の総厚みよりも大きくなっている。即ち、
基板両端部においては、総厚みは上部電極層と、絶縁物
層と、上面導体層と、導体めっき層の合計厚みであり、
特に絶縁物層の厚みが大きいので、基板略中央部の抵抗
層と、保護層との合計厚みよりも大きくなっている。
As shown in the figure, the total thickness of the electrode layers at both ends of the chip is larger than the total thickness of the resistive layer and the protective layer at the center of the substrate. That is,
At both ends of the substrate, the total thickness is the total thickness of the upper electrode layer, the insulator layer, the upper conductor layer, and the conductor plating layer,
In particular, since the thickness of the insulator layer is large, the thickness is larger than the total thickness of the resistance layer and the protective layer substantially at the center of the substrate.

【0016】図2は、他の実施形態のチップ抵抗器を示
す。このチップ抵抗器の構成は、殆ど上記実施形態と同
様であるが、絶縁物層と樹脂保護層との形成順序が異な
っている。即ち、図1に示す実施形態においては、ガラ
ス層17と樹脂層19とからなる保護層を形成した後に
絶縁物層31を形成している。これに対して、図2に示
す実施形態においては、ガラス層17を形成後に絶縁物
層31を形成し、その後に樹脂層19からなる保護層を
形成している。従って、基板両端部における上面電極層
13と絶縁物層31と、上面導体層33と、導体メッキ
層23とからなる総厚みは、基板の略中央部の抵抗層1
5と、ガラス層17および樹脂層19からなる保護層と
の合計厚みよりも厚くなっている。この電極部が絶縁物
層31で嵩上げされた構造は、上記図1に示す実施形態
と同様である。
FIG. 2 shows a chip resistor according to another embodiment. The structure of this chip resistor is almost the same as that of the above embodiment, but the order of forming the insulating layer and the resin protective layer is different. That is, in the embodiment shown in FIG. 1, the insulating layer 31 is formed after forming the protective layer including the glass layer 17 and the resin layer 19. On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 2, the insulating layer 31 is formed after the glass layer 17 is formed, and then the protective layer made of the resin layer 19 is formed. Therefore, the total thickness of the upper electrode layer 13, the insulator layer 31, the upper conductor layer 33, and the conductor plating layer 23 at both ends of the substrate is approximately equal to the resistance layer 1 substantially at the center of the substrate.
5 and the total thickness of the protective layer composed of the glass layer 17 and the resin layer 19. The structure of this electrode portion raised by the insulator layer 31 is the same as that of the embodiment shown in FIG.

【0017】図3はこのチップ抵抗器を回路基板に実装
した状態を示し、(a)はチップ抵抗器の基板表面側が
上側に向いて実装され、(b)はチップ抵抗器の基板表
面側が回路基板に向いて(逆向きに)実装された状態を
それぞれ示している。
FIGS. 3A and 3B show a state where the chip resistor is mounted on a circuit board. FIG. 3A shows a state where the substrate surface side of the chip resistor faces upward, and FIG. Each of the drawings shows a state in which the semiconductor device is mounted facing the substrate (in the opposite direction).

【0018】上述した構造を持ったチップ抵抗器は、チ
ップ抵抗器の保護層19の表面より突出した電極23が
形成されているため、図3(b)に示すようにチップ抵
抗器が逆向きに実装されてもチップ抵抗器の傾きを抑え
ることができ、これにより確実に回路基板に実装され
る。このため、バルク実装機によるバルクカセットから
の表裏面を問わない面実装を行い、チップ抵抗器の基板
表面側(保護層側)が回路基板に面するように(逆向き
に)実装されても、問題無くはんだ付けによる固定が可
能である。なお、図3(a)に示すように、チップ抵抗
器が基板表面側を上側にして回路基板に面実装される時
は、まったく問題が生じないことは従来技術と同様であ
る。
In the chip resistor having the above-described structure, since the electrode 23 protruding from the surface of the protection layer 19 of the chip resistor is formed, the chip resistor is turned upside down as shown in FIG. Even if the chip resistor is mounted, the inclination of the chip resistor can be suppressed, whereby the chip resistor can be reliably mounted on the circuit board. For this reason, the surface mounting is performed regardless of the front and back sides from the bulk cassette by the bulk mounting machine, and the chip resistor is mounted so that the substrate surface side (protective layer side) faces the circuit board (in the opposite direction). Fixing by soldering is possible without any problem. As shown in FIG. 3A, when the chip resistor is surface-mounted on the circuit board with the substrate surface side facing upward, no problem occurs as in the prior art.

【0019】次に、本発明のチップ抵抗器の製造方法に
ついて、図4を参照しながら説明する。まず、(a)に
示すように、アルミナ等の絶縁性基板11を準備する。
図示の例では1個のチップ領域を示すが、実際には多数
のチップ抵抗器を一括して製造する多数個取りの基板が
用いられる。
Next, a method of manufacturing a chip resistor according to the present invention will be described with reference to FIG. First, as shown in (a), an insulating substrate 11 of alumina or the like is prepared.
Although one chip area is shown in the illustrated example, a multi-chip substrate for manufacturing a large number of chip resistors at once is used.

【0020】次に、(b)に示すように、絶縁性基板1
1上の両端に一対の上面電極13および一対の下面電極
21を形成する。この上面電極13はAg又はAg−P
dペーストパターンをスクリーン印刷により形成し、例
えば850℃程度の温度で焼成することで形成する。裏
面側の下面電極層21も同様にAg又はAg−Pdペー
ストパターンをスクリーン印刷により形成し、焼成する
ことで電極層を形成する。表面側の上面電極層13と裏
面側の下面電極層21とは、どちらを先に形成してもよ
い。
Next, as shown in FIG.
A pair of upper electrodes 13 and a pair of lower electrodes 21 are formed on both ends of the upper electrode 1. The upper electrode 13 is made of Ag or Ag-P
The d paste pattern is formed by screen printing, and is formed by firing at a temperature of about 850 ° C., for example. Similarly, the lower electrode layer 21 on the back surface side is formed by forming an Ag or Ag-Pd paste pattern by screen printing and baking the same. Either the upper surface electrode layer 13 on the front side or the lower surface electrode layer 21 on the back side may be formed first.

【0021】次に、(c)に示すように、上面電極層1
3,13間に抵抗層15をスクリーン印刷および焼成に
て形成する。抵抗層としては酸化ルテニウム等を用いる
ことが好ましく、例えば850℃程度の温度で焼成す
る。抵抗層15には必要に応じてレーザートミリングを
行い、抵抗値を調整する。
Next, as shown in FIG.
The resistive layer 15 is formed between 3 and 13 by screen printing and firing. As the resistance layer, it is preferable to use ruthenium oxide or the like. Laser resistance is applied to the resistance layer 15 as necessary to adjust the resistance value.

【0022】次に、(d)に示すように、ガラスペース
トのスクリーン印刷にて抵抗層パターン15上へ第1保
護層パターンを形成して焼成する。第1保護層17はガ
ラス層であり、600℃程度の温度で焼成することが好
ましい。次に、樹脂ペーストのスクリーン印刷および加
温硬化にて、第2保護層19を形成する。第2保護層1
9はエポキシ系樹脂等であり、200℃程度の温度で加
温硬化することが好ましい。
Next, as shown in FIG. 2D, a first protective layer pattern is formed on the resistive layer pattern 15 by screen printing of a glass paste, followed by firing. The first protective layer 17 is a glass layer and is preferably fired at a temperature of about 600 ° C. Next, the second protective layer 19 is formed by screen printing and heat curing of the resin paste. Second protective layer 1
Reference numeral 9 denotes an epoxy resin or the like, which is preferably cured by heating at a temperature of about 200 ° C.

【0023】次に、(e)に示すように、上面電極層1
3の上部に絶縁物層31を保護層17,19に隣接する
ように形成する。この絶縁物層31は、例えばエポキシ
樹脂であり、樹脂ペーストパターンをスクリーン印刷に
より形成後に加温硬化することで、厚さ30−60μm
程度に形成する。次に、(f)に示すように、絶縁物層
31の頂部に上面導体層33を形成する。この上面導体
層33は例えば樹脂銀ペーストをスクリーン印刷等によ
り塗布した後に加温硬化することで形成する。
Next, as shown in FIG.
An insulator layer 31 is formed on top of 3 so as to be adjacent to the protective layers 17 and 19. The insulating layer 31 is, for example, an epoxy resin. The resin paste pattern is formed by screen printing and then heated and cured to have a thickness of 30 to 60 μm.
Formed to the extent. Next, as shown in (f), the upper surface conductor layer 33 is formed on the top of the insulator layer 31. The upper surface conductor layer 33 is formed, for example, by applying a resin silver paste by screen printing or the like and then heating and curing the paste.

【0024】以上の処理は多数個取りの基板の一括処理
であるが、次に短冊状に分割する加工を行う。加工はダ
イシング、またはブレークのどちらでも良い。次に、
(g)に示すように基板11の両端部の側端面に端面電
極層35を形成する。端面電極層は例えばスパッタリン
グにより形成されたNi・Cr薄膜層である。そして、
チップ単体に分割する加工を行う。加工はダイシング、
ブレークどちらでも良い。次に、(h)に示すように、
電解メッキを行い導体めっき層23,23を形成する。
電極くわれ防止およびはんだ付けの信頼性向上のため
に、電解めっきによってNiめっき層23aとSn−P
bめっき層(Snめっき層でもよい)23bとからなる
2層の導体めっき層23を形成している。
The above process is a batch process of a multi-piece substrate, and then a process of dividing into strips is performed. The processing may be either dicing or break. next,
As shown in (g), end face electrode layers 35 are formed on the side end faces of both ends of the substrate 11. The end face electrode layer is, for example, a Ni / Cr thin film layer formed by sputtering. And
Processing to divide into single chips is performed. Processing is dicing,
Either break is acceptable. Next, as shown in (h),
Conductive plating layers 23 are formed by electrolytic plating.
To prevent electrode cracking and improve the reliability of soldering, Ni plating layer 23a and Sn-P
A two-layer conductor plating layer 23 composed of a b plating layer (or a Sn plating layer) 23b is formed.

【0025】これにより、図1に示すチップ抵抗器の構
造が得られ、絶縁性基板の両端部の電極が絶縁物層31
により嵩上げされ、中央の保護層19の部分にスタンド
オフが生じる。即ち、基板両端部の電極部が基板中央部
の保護膜層よりも高くなり、表裏面のいずれにもはんだ
付けによる実装が可能なバルク実装に好適なチップ抵抗
器が完成する。
Thus, the structure of the chip resistor shown in FIG. 1 is obtained, and the electrodes at both ends of the insulating substrate are connected to the insulating layer 31.
As a result, a stand-off occurs in the central protective layer 19. That is, the electrode portions at both ends of the substrate are higher than the protective film layer at the central portion of the substrate, and a chip resistor suitable for bulk mounting that can be mounted on both the front and back surfaces by soldering is completed.

【0026】なお、上記の実施形態では、保護層17,
19を形成後に絶縁物層31を形成する例について述べ
たが、ガラス保護層17を形成後に絶縁物層31を形成
し、その後に樹脂保護層19を形成するようにしてもよ
い。これにより、図2に示すチップ抵抗器の構造が得ら
れる。係る構造によれば、絶縁物層31の縁部が保護層
17,19により挟み込まれるので、絶縁物層と保護層
とのなじみがより良好となる。
In the above embodiment, the protective layer 17,
Although the example in which the insulating layer 31 is formed after the formation of the insulating layer 19 has been described, the insulating layer 31 may be formed after the formation of the glass protective layer 17 and then the resin protective layer 19 may be formed. Thus, the structure of the chip resistor shown in FIG. 2 is obtained. According to such a structure, the edge of the insulator layer 31 is sandwiched between the protective layers 17 and 19, so that the conformity between the insulator layer and the protective layer becomes better.

【0027】なお、上記実施形態においては、絶縁性基
板の表面および裏面に電極を設け、チップ抵抗器が表向
きにも逆向きにも実装可能な例について説明したが、表
面のみに電極を設け、逆向きに実装するいわゆるフィレ
ットレス実装にも適用が可能である。即ち、あらかじめ
基板両端部に絶縁物層31を設けて嵩上げを行っておく
ことにより、導体めっき層を保護層の高さよりも高く形
成し、保護層面においてスタンドオフを確保することが
できる。
In the above embodiment, an example has been described in which electrodes are provided on the front and back surfaces of the insulating substrate, and the chip resistor can be mounted face up or reverse. It is also applicable to so-called filletless mounting in which mounting is performed in the opposite direction. That is, by providing the insulator layers 31 at both ends of the substrate in advance and raising the height, the conductive plating layer can be formed higher than the height of the protective layer, and the stand-off can be secured on the protective layer surface.

【0028】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that the present invention may be embodied in various forms within the scope of the technical idea.

【0029】[0029]

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、チッ
プ抵抗器の基板略中央部の保護層の表面より嵩上げされ
た電極が基板両端部に形成されていることにより、チッ
プ抵抗器が裏向きに実装された場合でも確実にプリント
基板へのはんだ付けが可能となる。これにより、実装面
が表裏面のいずれにも適用されるバルク実装に好適なチ
ップ抵抗器を提供することができる。
As described above, according to the present invention, the electrodes which are raised from the surface of the protective layer substantially at the center of the substrate of the chip resistor are formed at both ends of the substrate. Even when mounted face down, soldering to the printed circuit board can be reliably performed. This makes it possible to provide a chip resistor suitable for bulk mounting in which the mounting surface is applied to both the front and back surfaces.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態におけるチップ抵抗器の基板
両端部近傍の構成例を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration example near both ends of a substrate of a chip resistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施形態におけるチップ抵抗器の
基板両端部近傍の構成例を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration example near both ends of a substrate of a chip resistor according to another embodiment of the present invention.

【図3】上記チップ抵抗器の実装状態を示す図であり、
(a)はチップ抵抗器の保護層側が上側に向いて実装さ
れ、(b)は保護層側が回路基板に向いて裏向きに実装
された状態をそれぞれ示している。
FIG. 3 is a view showing a mounting state of the chip resistor;
3A shows a state where the chip resistor is mounted with the protective layer side facing upward, and FIG. 3B shows a state where the chip resistor is mounted face down with the protective layer side facing the circuit board.

【図4】上記チップ抵抗器の製造工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the chip resistor.

【図5】従来のチップ抵抗器について、(a)は全体構
成を示す断面図であり、(b)は保護層側が表面側に向
いて実装され、(c)は保護層側が回路基板に向いて実
装され、(d)はいわゆるチップ立ちを起こした状態を
それぞれ示す図である。
5A is a cross-sectional view showing the overall configuration of a conventional chip resistor, FIG. 5B is mounted with the protective layer side facing the front side, and FIG. 5C is mounted with the protective layer side facing the circuit board. (D) is a diagram showing a state in which a so-called chip standing is caused.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 絶縁性基板 13,21 電極層 15 抵抗層 17,19 保護層 23 導体めっき層 31 絶縁物層 33 上面導体層 35 端面電極層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Insulating substrate 13, 21 Electrode layer 15 Resistance layer 17, 19 Protective layer 23 Conductor plating layer 31 Insulator layer 33 Upper surface conductor layer 35 End electrode layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AH08 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AB03 BC38 FG26 FG54 MM24 PP06 PP08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AH08 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AB03 BC38 FG26 FG54 MM24 PP06 PP08

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、前記基板の上面および下面の両
端部に設けられた各一対の上面電極層と下面電極層と、
前記上面電極層に電気的に接続するように設けられた抵
抗層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設けられた
保護層と、前記上面電極層の上部に設けられた絶縁物層
と、前記絶縁物層の頂部に設けられた上面導体層と、前
記基板の端部に設けられ、前記上面電極層と前記上面導
体層と前記下面電極層とに接続された端面電極層と、前
記上面導体層、端面電極層および下面電極層の全面に施
された導体めっき層とを備え、前記上面電極層、絶縁物
層、上面導体層および導体めっき層の総厚みが、前記抵
抗層および保護層の総厚みよりも大きいことを特徴とす
るチップ抵抗器。
A substrate, and a pair of upper and lower electrode layers provided at both ends of an upper surface and a lower surface of the substrate;
A resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, a protective layer provided to cover at least the resistance layer, an insulator layer provided on the upper electrode layer, An upper surface conductor layer provided on a top portion of an insulator layer; an end surface electrode layer provided on an end of the substrate and connected to the upper surface electrode layer, the upper surface conductor layer, and the lower surface electrode layer; And a conductor plating layer applied to the entire surface of the end face electrode layer and the lower electrode layer, and the total thickness of the upper electrode layer, the insulator layer, the upper conductor layer and the conductor plating layer is equal to the resistance layer and the protective layer. A chip resistor characterized by being larger than the total thickness.
【請求項2】 少なくとも前記抵抗層を覆うように設け
られた保護層が無機物である第1の保護層と、樹脂であ
る第2の保護層とからなることを特徴とする請求項1記
載のチップ抵抗器。
2. The method according to claim 1, wherein the protection layer provided so as to cover at least the resistance layer comprises a first protection layer made of an inorganic material and a second protection layer made of a resin. Chip resistor.
【請求項3】 前記上面電極層上に前記第1の保護層の
端部を覆う前記絶縁物層が配置され、前記第2の保護層
が前記基板の両端に配置された前記絶縁物層間に埋め込
まれるように配置されたことを特徴とする請求項2記載
のチップ抵抗器。
3. The insulating layer covering an end of the first protective layer is disposed on the upper electrode layer, and the second protective layer is disposed between the insulating layers disposed at both ends of the substrate. 3. The chip resistor according to claim 2, wherein the chip resistor is arranged to be embedded.
【請求項4】 前記絶縁物層の頂部に設けられた上面導
体層は導電材ペーストを塗布、乾燥して固着したもので
あることを特徴とする請求項1記載のチップ抵抗器。
4. The chip resistor according to claim 1, wherein the upper conductor layer provided on the top of said insulator layer is formed by applying a conductive material paste, drying and fixing.
【請求項5】 基板を準備し、前記基板の上面および下
面の両端部に各一対の上面電極層と下面電極層とを形成
し、前記一対の上面電極層に電気的に接続するように抵
抗層を形成し、少なくとも前記抵抗層を覆う保護層と、
前記上面電極層の上部に絶縁物層と、前記絶縁物層の頂
部に上面導体層とをそれぞれ形成し、前記基板の端部に
前記上面電極層と前記上面導体層と前記下面電極層とを
接続する端面電極層を形成し、さらに前記上面導体層、
端面電極層および下面電極層の全面に施された導体めっ
き層を形成し、前記基板両端部の上面電極層、絶縁物
層、上面導体層および導体めっき層の総厚みを、前記基
板中央部の抵抗層および保護層の総厚みよりも大きくし
たことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
5. A substrate is prepared, and a pair of upper electrode layers and a lower electrode layer are formed at both ends of the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, and a resistor is provided so as to be electrically connected to the pair of upper electrode layers. A protective layer that forms a layer and covers at least the resistance layer;
An insulator layer is formed on the upper electrode layer, and an upper conductor layer is formed on the top of the insulator layer, and the upper electrode layer, the upper conductor layer, and the lower electrode layer are formed at an end of the substrate. Forming an end face electrode layer to be connected, further comprising the upper surface conductor layer,
A conductor plating layer is formed on the entire surface of the end face electrode layer and the lower electrode layer, and the total thickness of the upper electrode layer, the insulator layer, the upper conductor layer and the conductor plating layer at both ends of the substrate is reduced to the central portion of the substrate. A method for manufacturing a chip resistor, wherein the total thickness is greater than the total thickness of a resistance layer and a protective layer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9818512B2 (en) 2014-12-08 2017-11-14 Vishay Dale Electronics, Llc Thermally sprayed thin film resistor and method of making

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9818512B2 (en) 2014-12-08 2017-11-14 Vishay Dale Electronics, Llc Thermally sprayed thin film resistor and method of making

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