JP2002298438A

JP2002298438A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2002298438A
Application number: JP2001097445A
Authority: JP
Inventors: Kenji Todori; 顕司都鳥; Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-11
Anticipated expiration: 2021-03-29
Also published as: JP3600543B2

Abstract

(57)【要約】【課題】記録マークのサイズをより小さくした場合にお
いても十分な信号強度を得ることが可能な光記録媒体を
提供すること。【解決手段】本発明の光記録媒体１は、一主面に凸部５
と凹部６とが設けられた基板２と、前記基板２の前記主
面上に設けられ且つ照射光の強度が第１の強度である場
合と前記第１の強度よりも高い第２の強度である場合と
で複素屈折率が互いに異なる超解像膜４とを具備し、前
記凸部５及び前記凹部６のいずれか一方は記録マークに
相当し、前記超解像膜４の前記凹部６に対応する部分の
膜厚は前記超解像膜４の前記凸部５に対応する部分の膜
厚に比べてより厚いことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に係
り、特には、超解像膜を用いた光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、様々な形態で利用されて
いる。例えば、コンピュータの外部記憶媒体や音楽媒体
などとしては、ＣＤ−ＲＯＭ（再生専用型）、ＣＤ−Ｒ
（追記型）、及びＣＤ−ＲＷ（書き換え型）等のＣＤ
（コンパクトディスク）が広く普及している。また、最
近では、より大容量の光ディスクとしてＤＶＤ（デジタ
ル・バーサタイル・ディスク）が普及しつつあり、映像
記録などに利用されている。ＤＶＤにも、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍ（再生専用型）、ＤＶＤ−Ｒ（追記型）、及びＤＶＤ
−ＲＡＭ（書き換え型）等の様々なタイプが存在してい
る。

【０００３】これら光ディスクについては、その記録密
度を高めることが望まれており、近年、効果的に高密度
化を実現し得る技術として、超解像膜を利用した超解像
技術が提案されている。例えば、特開平１１−１８５２
９８号公報及び特開平１０−３４０４８２号公報は、ピ
ットやグルーブが設けられた基板上に、それらピットや
グルーブに対応する断面形状を有する超解像膜を設ける
ことを記載している。

【０００４】この超解像技術は、光ビームのスポット径
を光入射側に比べて光出射側でより小さくするのを可能
とするものであり、ヒートモード方式を利用するものと
フォトンモード方式を利用するものとに大別される。

【０００５】例えば、ヒートモード方式では、超解像膜
に加熱により相変化を生ずる材料を用いる。そのような
超解像膜にレーザビームを照射すると、光スポットの中
心部からその周縁部に向けて温度が低下する温度分布が
形成される。その結果、超解像膜の相転移温度以上に加
熱された部分では屈折率が高められ、光スポットの中心
部の透過率をその周囲の透過率に比べて高めたのと同様
の効果を得ることができる。

【０００６】一方、フォトンモード方式では、超解像膜
に、例えば、光照射により発色または消色するフォトク
ロミック材料を用いる。フォトクロミック材料に所定値
以上のエネルギーを有する光を照射すると、電子は基底
準位から寿命の短い励起準位へと励起され、その後、励
起準位から寿命が非常に長い準安定励起準位へと遷移し
て、その結果、光吸収特性が変化する。フォトンモード
方式では、このような方法により、光スポットの中心部
の透過率をその周囲の透過率に比べて高めることができ
る。なお、フォトンモード方式では、超解像膜に、吸収
飽和現象を利用した半導体連続膜或いは半導体微粒子分
散膜を用いた例もある。

【０００７】ところで、光ディスクに記録された情報を
読み出す場合、通常、レーザビームは記録マークだけで
なくその近傍にも照射される。例えば、再生専用型の光
ディスクでは記録マークとして形成されるピットの深さ
ｄは、レーザビームの波長をλ及びピットを埋め込む材
料の屈折率をｎとした場合、λ／（４・ｎ）となるよう
に設定されている。この場合、ピットの底面からの反射
光とピットの周囲からの反射光との間で位相がπだけず
れるため、それら反射光は互いに打ち消しあう。その結
果、レーザビームがピットの周囲に照射された場合に比
べ、光検出器で検出される反射率が低下する。再生専用
型の光ディスクからの情報の読み出しは、このような原
理を利用している。

【０００８】このような原理を利用する情報の読み出し
を高精度に行うためには、レーザビームをピットに対し
て照射した場合に観測される反射率とピットの周囲に照
射した場合に観測される反射率との間の差が十分に大き
いことが必要である。したがって、レーザビームをピッ
トに対して照射した場合に観測される反射率は十分に小
さいこと，すなわち、ピットの位置での消光効果が高い
こと，が望まれる。

【０００９】しかしながら、上記の原理を利用して実現
され得る消光効果には限界がある。そのため、記録マー
クのサイズをより小さくした場合には、十分な信号強度
が得られず、情報の読取不良が発生するおそれがあっ
た。これは、上記の再生専用型光ディスクが超解像膜を
有していようと生じ得る問題である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、記録マークのサイズをよ
り小さくした場合においても十分な信号強度を得ること
が可能な光記録媒体を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、一主面に凸部と凹部とが設けられた基板
と、前記基板の前記主面上に設けられ且つ照射光の強度
が第１の強度である場合と前記第１の強度よりも高い第
２の強度である場合とで複素屈折率が互いに異なる超解
像膜とを具備し、前記凸部及び前記凹部のいずれか一方
は記録マークに相当し、前記超解像膜の前記凹部に対応
する部分の膜厚は前記超解像膜の前記凸部に対応する部
分の膜厚に比べてより厚いことを特徴とする光記録媒体
を提供する。

【００１２】また、本発明は、一主面に凸部と凹部とが
設けられた基板と、照射光の強度が第１の強度である場
合と前記第１の強度よりも高い第２の強度である場合と
で複素屈折率が互いに異なる超解像膜と、前記照射光を
利用して光学定数を可逆的に変化させることが可能な記
録膜とを具備し、前記超解像膜と前記記録膜とは前記照
射光の入射側からこの順に前記基板の前記主面上に設け
られ、前記超解像膜の前記凹部に対応する部分の膜厚は
前記超解像膜の前記凸部に対応する部分の膜厚に比べて
より厚いことを特徴とする光記録媒体を提供する。

【００１３】なお、「複素屈折率」が異なることは、
「複素屈折率の実部」である「屈折率ｎ」及び「複素屈
折率の虚部」である「消衰係数ｋ」の少なくとも一方が
異なることを意味する。また、用語「屈折率」が用語
「複素」を伴わずに単独で使用される場合、それは、
「複素屈折率の実部」である「屈折率ｎ」を意味するこ
ととする。

【００１４】本発明において、超解像膜は、照射光の強
度が第１の強度である場合と第２の強度である場合とで
複素屈折率が互いに異なるものであれば特に制限はな
い。超解像膜としては、例えば、照射光強度が第１の強
度である場合の消衰係数ｋに比べて照射光強度が第２の
強度である場合の消衰係数ｋがより小さいものを使用す
ることができる。

【００１５】本発明において、上記記録膜は、例えば、
相変化記録膜や光磁気記録膜である。本発明の光記録媒
体が記録膜を有する場合、上記凸部及び凹部は、基板の
主面に帯状のランド部とそれに隣接する帯状のグルーブ
部とが形成されてなるものであってもよい。

【００１６】本発明の光記録媒体において、超解像膜の
基板と対向する面には、基板の主面に対応して凸部と凹
部とが設けられ得る。また、超解像膜の基板と対向する
面の裏面は、好ましくは、実質的に平坦である。

【００１７】本発明の光記録媒体は、通常、反射膜をさ
らに有する。また、本発明の光記録媒体は、反射膜と透
明または半透明膜とをさらに有していてもよい。この場
合、反射膜と透明または半透明膜とを超解像膜を挟持す
るように配置すれば、超解像効果を増幅することができ
る。本発明の光記録媒体は、基板側から照射光を照射し
て情報の書き込みや読み出しを行うように構成されてい
てもよい。また、本発明の光記録媒体は、膜面側から照
射光を照射して情報の書き込みや読み出しを行うように
構成されていてもよい。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しながらより詳細に説明する。なお、各図において、
同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付
し、重複する説明は省略する。

【００１９】図１は、本発明の第１の実施形態に係る光
記録媒体を概略的に示す断面図である。なお、図１に示
す光記録媒体１は再生専用型の光ディスクであって、図
１では、記録マークの配列方向（光ディスク１の円周方
向）に沿った断面構造が描かれている。

【００２０】図１に示す光ディスク１は、基板２の一方
の主面上に反射膜３及び超解像膜４を順次積層した構造
を有している。すなわち、この光ディスク１は、情報を
読み出す際に膜面側から光ビームを照射する表面記録方
式の超解像光記録媒体である。

【００２１】基板２の反射膜３が形成された面には、凸
部５と記録マークに対応する凹部６としてピットが設け
られている。反射膜３の超解像膜４側の主面は、これら
ピット６が設けられた基板２の表面形状に対応して凹部
と凸部とを有している。すなわち、反射膜３は、凹部と
凸部とを有する反射面を有しており、これら凹部のそれ
ぞれが記録マークを構成している。超解像膜４は、反射
膜３に設けられた凸部を覆い且つ凹部を埋め込むように
形成されている。また、超解像膜４の反射膜３側の面の
裏面は平坦面である。

【００２２】上述のように、従来技術に係る超解像膜を
用いた光ディスクでは、超解像膜の膜厚を反射膜の凹部
上と凸部上とで均一としていた。これは、反射膜の凹部
内と凸部上とで光路長を一定として、均一な超解像効果
を得るためである。

【００２３】それに対し、図１に示す光ディスク１で
は、超解像膜４の膜厚は、反射膜３の凸部上に比べて凹
部上でより厚い。すなわち、この光ディスク１では、反
射膜３の凸部上と凹部上とで超解像効果の大きさが異な
っている。

【００２４】そのため、例えば、超解像膜４がフォトン
モード系である場合、その消衰係数ｋが低強度の光ビー
ム照射時に比べて高強度の光ビーム照射時により小さく
なるとすると、超解像膜４の光吸収は、凸部上に位置す
る部分に比べて凹部上に位置する部分でより大きくな
る。したがって、この場合、凹部からの反射光強度を著
しく低下させることができ、ピット６のサイズを小さく
したとしても、凸部と凹部との間で十分に大きな反射率
差を実現すること，すなわち、十分な信号強度を得るこ
と，が可能となる。

【００２５】上記の効果は、超解像膜４の代わりに消衰
係数ｋが均一な薄膜を用いた場合においても得ることが
できる。しかしながら、そのような薄膜を用いた場合と
超解像膜４を用いた場合とでは、上記効果の大きさは著
しく異なる。すなわち、消衰係数ｋが均一な薄膜を透過
する光ビームの強度は、その膜厚に対して指数関数的に
低下するに過ぎない。それに対し、上記の超解像膜４で
は、入射光の強度は超解像膜４の入射側から反射膜３側
に向けて低下するので、消衰係数ｋは光入射側に比べて
反射膜３側においてより大きい。そのため、膜厚の差が
光吸収に与える影響が著しく大きくなり、したがって、
凸部と凹部との間で極めて大きな反射率差を実現するこ
とが可能となる。

【００２６】以上説明した効果は、超解像膜４がヒート
モード系である場合でも得ることができる。超解像膜４
がヒートモード系である場合、その消衰係数ｋが低強度
の光ビーム照射時に比べて高強度の光ビーム照射時によ
り小さくなるとすると、フォトンモード系に関して説明
したのと同様に、超解像膜４の光吸収は、凸部上に位置
する部分に比べて凹部上に位置する部分でより大きくな
る。なお、ヒートモード系では、フォトンモード系とは
異なり、超解像膜４の消衰係数ｋはその温度に応じて変
化する。光ビーム照射部における超解像膜４の温度は、
光入射側に比べて反射膜３側においてより低いので、そ
の消衰係数ｋは光入射側に比べて反射膜３側においてよ
り大きくなる。したがって、ヒートモード系でも、フォ
トンモード系に関して説明したのと同様に、凸部と凹部
との間で極めて大きな反射率差を実現することができ、
十分な信号強度を得ることが可能となる。

【００２７】上述した効果は、超解像膜４に用いる材料
などにもよるが、凹部上での膜厚ｔ _rと凸部上での膜厚
ｔ_pとの差（ｔ_r−ｔ_p）と、反射膜３に設けた凹部の深
さｄ（＝λ／４ｎ）とが、不等式：（ｔ_r−ｔ_p）≧（１／２）×ｄに示す関係を満足することが好ましい。この場合、上記
の効果が顕著となる。なお、差（ｔ_r−ｔ_p）に上限値は
存在していないが、後述するように超解像膜４の光入射
側の主面が平坦となるように差（ｔ_r−ｔ_p）を設定した
場合、製造が容易である。

【００２８】以上、凸部と凹部との間で極めて大きな反
射率差を実現可能であることについて説明したが、図１
に示す光ディスク１によると、他の効果も得ることがで
きる。

【００２９】超解像膜４の膜厚が反射膜３の凹部内と凸
部上とで均一である場合、当然の如く、超解像膜４の光
ビーム入射側の主面には、反射膜３の凹部及び凸部に対
応した凹凸構造が形成される。この場合、光ビームを超
解像膜４に入射させる際に、その凹凸構造が形成された
主面で光ビームが反射されると、この反射光自体が信号
として検出されることがある。この場合、もはや超解像
効果を得ることができない。

【００３０】それに対し、図１に示す光ディスク１で
は、超解像膜４の光ビーム入射側の主面が平坦であるた
め、その主面からの反射光が信号として検出されること
はない。したがって、図１に示す光ディスク１による
と、確実に超解像効果を得ることができる。

【００３１】このような効果は、超解像膜４の光ビーム
入射側の主面が完全に平坦でなくても得ることができ
る。本発明者らの実験によると、一般に、超解像膜４の
光ビーム入射側の主面の高さのばらつきが反射膜３の凹
部の深さｄの半分以下であれば、上記の効果を得ること
ができる。なお、多くの場合、ピット６の深さと反射膜
３の凹部の深さｄとはほぼ一致し、光ビームの波長をλ
とし且つ超解像膜４の屈折率をｎとした場合、それらは
λ／（４・ｎ）に設定される。したがって、超解像膜４
の光ビーム入射側の主面の高さのばらつきは、λ／（８
・ｎ）以下とすることが好ましい。

【００３２】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。第１の実施形態で説明した光ディスク１は記録
マーク位置での反射率がその周囲における反射率よりも
低いメディアである。それに対し、第２の実施形態に係
る光ディスク１は記録マーク位置での反射率がその周囲
における反射率よりも高いメディアである。

【００３３】図２は、本発明の第２の実施形態に係る光
記録媒体を概略的に示す断面図である。なお、図２に示
す光記録媒体１は再生専用型の光ディスクであって、図
２では、記録マークの配列方向（光ディスク１の円周方
向）に沿った断面構造が描かれている。

【００３４】図２に示す光ディスク１は、基板２の一方
の主面上に超解像膜４及び反射膜３を順次積層した構造
を有している。すなわち、この光ディスク１は、第１の
実施形態に係る光ディスク１とは異なり、情報を読み出
す際に基板２側から光ビームを照射する裏面記録方式の
超解像光記録媒体である。

【００３５】基板２の超解像膜４が形成された面には、
記録マークに相当する凸部５と凹部６とが設けられてい
る。超解像膜４は基板２の凹部６を埋め込んでおり、超
解像膜４の反射膜３側の主面は平坦面である。反射膜３
は、この超解像膜４の平坦な主面上に形成されている。
すなわち、本実施形態に係る光ディスク１において、反
射膜３の反射面は凹凸構造を有していない。

【００３６】本実施形態に係る光ディスク１において
も、第１の実施形態と同様に、超解像膜４の凹部６上で
の膜厚は凸部５上での膜厚に比べてより厚い。そのた
め、第１の実施形態で説明したのと同様に、凸部５と凹
部６との間で十分に大きな反射率差を実現すること，す
なわち、十分な信号強度を得ること，が可能となる。

【００３７】なお、上述のように、本実施形態に係る光
ディスク１はＬｏｗｔｏＨｉｇｈメディアであるの
で、記録マークに相当する凸部５の位置での反射率が凹
部６の位置での反射率に比べてより高くなるように設計
される。しかしながら、本実施形態において、基板２と
超解像膜４との界面は凹凸構造を有しているので、その
界面からの反射光はノイズとして検出されることがあ
る。例えば、凹部６の深さがλ／（４・ｎ）程度である
と、凸部５の位置に光ビームを照射した場合における上
記界面からの反射光の強度は凹部６の位置に光ビームを
照射した場合に比べてより低いため、信号強度が低下す
ることとなる。これを防止するには、凹部６の深さを、
例えば、λ／（２・ｎ）程度とすればよい。

【００３８】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図３は、本発明の第３の実施形態に係る光記録
媒体を概略的に示す断面図である。なお、図３に示す光
記録媒体１は再生専用型の光ディスクであって、図３で
は、記録マークの配列方向（光ディスク１の円周方向）
に沿った断面構造が描かれている。

【００３９】図３に示す光ディスク１は、基板２と超解
像膜４との間に半透明反射膜７を有していること以外は
図２に示す光ディスク１と同様の構造を有している。こ
のような構造によると、干渉効果を利用して、超解像膜
４の凹部６に対応する部分での光吸収を選択的に高める
ことが可能である。したがって、図３に示す光ディスク
１によると、図２に示す光ディスク１に比べて、より高
いＣＮＲ（ＣａｒｒｉｅｒｔｏＮｏｉｓｅＲａｔ
ｉｏ）を実現することが可能である。なお、このような
効果は、半透明反射膜７の代わりに、透明薄膜を設けて
も得ることができる。この場合、隣り合うもの同士で屈
折率が異なる２層以上の透明薄膜の積層体を用いること
が好ましい。

【００４０】次に、本発明の第４の実施形態について説
明する。図４は、本発明の第４の実施形態の一例に係る
光記録媒体を概略的に示す断面図である。なお、図４に
示す光記録媒体１は書き換え型の光ディスクであって、
図４では、ディスク１の半径方向に沿った断面構造が描
かれている。

【００４１】図４に示す光ディスク１は、基板２の一方
の主面上に、反射膜３、記録膜８、及び超解像膜４を順
次積層した構造を有している。すなわち、この光ディス
ク１は、情報を読み出す際に膜面側から光ビームを照射
する表面記録方式の超解像光記録媒体である。

【００４２】基板２の反射膜３が形成された面には、凸
部５と凹部６とが設けられている。これら凸部５及び凹
部６は、基板２の一主面に渦巻線状或いは同心円状のラ
ンド部とグルーブ部とを形成している。反射膜３及び記
録膜８の超解像膜４側の主面は、これらランド部５及び
グルーブ部６が設けられた基板２の表面形状に対応して
凹部と凸部とを有している。超解像膜４は、記録膜８に
設けられた凸部を覆い且つ凹部を埋め込むように形成さ
れている。また、超解像膜４の記録膜８側の面の裏面は
平坦面である。

【００４３】図４に示す光ディスク１では、ランド部５
及びグルーブ部６をトラッキングに利用する。そのた
め、例えば、記録膜８のランド部５上に位置する部分の
みに対して記録を行うランド記録方式を採用した場合、
超解像膜４として消衰係数ｋが低強度の光ビーム照射時
に比べて高強度の光ビーム照射時により小さくなるもの
を使用すれば、グルーブ部６からの反射光強度が低下す
る。そのため、ランド部５からの反射光強度とグルーブ
部６からの反射光強度との差が大きくなる。すなわち、
トラッキング信号強度を高めることが可能となる。

【００４４】また、記録膜８のランド部５上に位置する
部分及びグルーブ部６上に位置する部分の双方に対して
記録を行うランド・グルーブ記録方式を採用した場合、
線形吸収を利用して、記録膜８のランド部５上に位置す
る部分に形成した記録マークからの信号強度とグルーブ
部６上に位置する部分に形成した記録マークからの信号
強度とを異ならしめることができる。そのため、光検出
器の線形受光感度領域を適宜設定すれば、クロストーク
を低減することが可能となる。

【００４５】図５は、本発明の第４の実施形態の他の例
に係る光記録媒体を概略的に示す断面図である。なお、
図５に示す光記録媒体１は書き換え型の光ディスクであ
って、図５では、ディスク１の半径方向に沿った断面構
造が描かれている。

【００４６】図５に示す光ディスク１は、基板２の一方
の主面上に、超解像膜４、記録膜８、及び反射膜３を順
次積層した構造を有している。すなわち、この光ディス
ク１は、情報を読み出す際に基板２側から光ビームを照
射する裏面記録方式の超解像光記録媒体である。このよ
うな光ディスク１でも、図４を参照して説明したのと同
様の理由により、トラッキング信号強度を高めることや
クロストークを低減することが可能である。

【００４７】次に、上述した第１〜第４の実施形態に係
る光ディスク１の各構成要素について説明する。基板２
の材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタク
リレート、ポリオレフィン、フォトポリマーコートガラ
ス、及びガラスなどを使用することができる。基板２と
しては、光ディスク１が裏面記録方式を採用している場
合は透明基板が使用されるが、光ディスク１が表面記録
方式を採用している場合は基板２は透明である必要はな
い。

【００４８】反射膜３及び半透明反射膜７の材料として
は、例えば、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ａｕ、Ｃｕ、及びＴ
ｉＮなどのように情報の記録、再生、及び消去に利用す
る光，特にはレーザ光，に対して高い反射率を有する材
料が代表的である。反射膜３及び半透明反射膜７の透過
率は、それらの膜厚を調節することにより所望値とする
ことができる。

【００４９】超解像膜４は、ヒートモード系の薄膜であ
ってもよく、或いは、フォトンモード系の薄膜であって
もよい。ヒートモード系の薄膜としては、例えば、Ｓｂ
及びＴｅなどの低融点金属を含有する薄膜、結晶化速度
の速いＧｅＳｂＴｅ膜、熱分解性のＡｇＯ_x膜、及び熱
脱色性のロイコ系色素を含有する薄膜などを挙げること
ができる。ヒートモード系で得られる超解像効果は、光
照射により超解像膜４が加熱され、構成成分の少なくと
も一部が何らかの熱的変化を生じ、その結果、光学定数
が非線形的に変化することに基づいている。例えば、Ｓ
ｂやＴｅを含有する薄膜及びＧｅＳｂＴｅ膜などでは、
光強度の高いビームスポット中央部で超解像膜が溶融す
ることにより、その光学定数が非線形的に変化する。ま
た、ＡｇＯ_x膜では、超解像膜に含まれるＡｇＯ_xがビー
ムスポット中央部でＡｇとＯとに熱分解することによ
り、その光学定数が非線形的に変化する。さらに、ロイ
コ系色素を含有する薄膜は、超解像膜に含まれる色素と
発色剤とがビームスポット中央部で熱分離することによ
り透明化する。

【００５０】一方、フォトンモード系の薄膜としては、
フォトクロミック膜や半導体微粒子分散膜などを挙げる
ことができる。フォトンモード系では、光による化学反
応または電子励起を利用して超解像効果を得る。例え
ば、フォトクロミック膜で超解像効果を得るには、フォ
トクロミック材料の開環反応と閉環反応とで互いに波長
の異なる光を照射するか、或いは、それら反応の一方を
熱的に進行させる。そのため、フォトクロミック膜を用
いた場合には、一般に、単一波長での動作が不可能であ
り、したがって、装置には複雑な光学系が必要となる。
半導体微粒子分散膜では、充満帯から励起子準位もしく
は伝導帯への電子励起による吸収飽和現象が利用され
る。超解像膜として半導体微粒子分散膜を用いた場合、
光強度の高いビームスポット中央部では入射フォトン数
が十分に多いため、励起可能な電子数が不足するか或い
は上準位の状態が飽和し、その結果、入射フォトンをさ
らに吸収することができずに非線形的な光学応答を示
す。三次以上の高次非線形光学効果によって起こるとも
言える。半導体微粒子分散膜を用いた場合には、純安定
準位を介しての電子の励起や緩和が生じる場合も含め
て、基本的には単一波長での動作が可能である。

【００５１】半導体微粒子分散膜のうち、例えば、Ｃｄ
ＳＳｅ、Ｃｕ₂Ｏ、ＡｇＴｅ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、Ｃ
ａＳｉ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＴｅ、ＧａＳｅ、Ｉｎ
Ｓ、ＡｌＳｂ、ＳｂＳｅ、ＣｕＡｌＳ、及びＺｎＳｉＡ
ｓなどのような半導体微粒子を有機マトリクス中に分散
させてなる薄膜を使用することができる。このような半
導体微粒子分散膜は、光ビームの波長λが６５０ｎｍ程
度である場合に好適に使用される。また、例えば、Ｚｎ
ＳＳｅＴｅ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢ
ｒ、ＡｇＩ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＧａＳ、ＡｌＳｅ、Ａ
ｌＴｅ、ＩｎＯ、ＰｂＯ、及びＴｉＯなどのような半導
体微粒子を有機マトリクス中に分散させてなる薄膜も使
用することができる。このような半導体微粒子分散膜
は、光ビームの波長λが４０５ｎｍ程度である場合に好
適に使用される。なお、記録や再生に上記以外の波長の
光を使用する場合には、使用する光の波長に近いギャッ
プ長を有する半導体材料を上記半導体微粒子の材料とし
て用いればよい。

【００５２】記録膜８は、相変化記録膜や光磁気記録膜
などのように情報の記録を繰り返し行うことが可能な記
録膜である。相変化記録膜の材料としてはＧｅＳｂＴｅ
やＡｇＩｎＳｂＴｅが代表的であり、光磁気記録膜の材
料としてはＴｂＦｅＣｏが代表的である。

【００５３】上記光ディスク１が記録膜８を有している
場合、その光学特性の最適化及び記録膜８の保護などを
目的として、記録膜８を一対の干渉膜（図示せず）で挟
持した構造を採用することが好ましい。そのような干渉
膜の材料としては、記録膜８が相変化記録膜である場合
にはＺｎＳ・ＳｉＯ₂などの透明薄膜が一般に用いら
れ、記録膜８が光磁気記録膜である場合にはＳｉＮなど
の透明薄膜が一般に使用される。なお、このような干渉
膜は、上述した半透明反射膜７の代替物として、或い
は、半透明反射膜７と組み合わせて使用することができ
る。

【００５４】上記光ディスク１は、反射膜３や超解像膜
４などを基板２とともに挟持する基板（図示せず）をさ
らに有していてもよい。或いは、そのような基板の代わ
りに、保護膜を有していてもよい。

【００５５】また、２枚の光ディスク１を準備し、それ
らを接着剤膜などを介して貼り合わせてもよい。この場
合、記録容量を２倍にすることができる。なお、それら
の貼り合わせは、表面記録方式を採用した光ディスク１
については基板２同士が対向するように行い、裏面記録
方式を採用した光ディスク１については反射膜３同士が
対向するように行う。

【００５６】以上説明した第１〜第４の実施形態では、
超解像膜４の膜厚を凸部５上に比べて凹部上でより厚く
したが、その逆であってもよい。但し、前者は、後者に
比べて製造が容易である。また、第１〜第４の実施形態
では、超解像膜４の一方の主面を平坦面としたが、超解
像膜４の双方の主面が凹凸構造を有するものであっても
よい。但し、前者は、後者に比べて製造が容易であるの
とともに、超解像膜４の膜厚の制御が容易である。

【００５７】さらに、超解像膜４としては、高強度の光
ビーム照射時に比べて低強度の光ビーム照射時において
屈折率ｎがより高いものや、高強度の光ビーム照射時に
比べて低強度の光ビーム照射時において屈折率ｎがより
低いものも使用することができる。

【００５８】上述した第１〜第４の実施形態に係る光デ
ィスク１への情報の記録やそれに記録された情報の再生
には、例えば、図６に示す記録再生装置を利用すること
ができる。

【００５９】図６は、第１〜第４の実施形態に係る光デ
ィスク１への情報の記録やそれに記録された情報の再生
に利用可能な記録再生装置を概略的に示す図である。図
６に示す記録再生装置１０１は光ディスク１として相変
化記録媒体を着脱可能に或いは着脱不可能に搭載する光
ディスク装置であって、光ディスク１、スピンドルモー
タ１０２、焦点レンズ１０３、ハーフミラー１０４、レ
ーザ光源１０５、光検出器１０６、プリアンプ１０７、
可変利得アンプ１０８、Ａ／Ｄ変換回路１０９、線形等
価回路１１０、データ検出回路１１１、デコーダ１１
２、ドライブコントローラ１１３、駆動制御系１１４、
インターフェース１１５、変調回路１１６、及びレーザ
ドライバ１１７を有している。

【００６０】図６に示す光ディスク装置１０１におい
て、光ディスク１は、透明基板２が図中上向きとなるよ
うにスピンドルモータ１０２の回転軸に着脱可能に或い
は着脱不可能に支持されている。光ディスク１は、スピ
ンドルモータ１０２の回転数を制御することにより、所
定の回転数で回転され得る。

【００６１】光ディスク１の上方には、ピックアップ系
の一部を構成する焦点レンズ１０３が配置されている。
これらピックアップ系及びスピンドルモータ１０２は、
駆動制御系１１４を介してドライブコントローラ１１３
によって駆動される。このように構成される駆動機構に
よって、光ディスク１の回転数の制御並びにフォーカシ
ング及びトラッキング制御が可能とされている。

【００６２】このように構成される光ディスク装置１０
１での情報の記録は、上述のように光ディスク１の回転
数の制御並びにフォーカシング及びトラッキング制御を
行いつつ以下の方法により行われる。すなわち、情報の
記録に際しては、そのような制御のもと、まず、インタ
ーフェース１１５を介して取り込んだユーザデータ信号
をドライブコントローラ１１３を介して変調回路１１６
へと転送する。ユーザデータ信号は変調回路１１６で所
定のパルス列へと変換される。レーザドライバ１１７
は、そのパルス列を印加電圧パルス列に変換し、レーザ
光源１０５から記録光パルスを発振させる。

【００６３】記録光は、ハーフミラー１０４を透過して
焦点レンズ１０３へと導かれ、光ディスク１上に集光照
射される。これにより、光ディスク１の記録膜８の光照
射部に対して選択的に記録マークが形成される。図６に
示す光ディスク装置１０１での情報の記録は、以上のよ
うにして行われる。なお、最短マークピッチを狭めて記
録するためには、変調回路１１６の出力信号や駆動制御
系１１４の出力信号などを変化させればよい。

【００６４】また、この光ディスク装置１０１での情報
の再生は、上述のように光ディスク１の回転数の制御並
びにフォーカシング及びトラッキング制御を行いつつ以
下の方法により行われる。すなわち、情報の記録に際し
ては、そのような制御のもと、まず、レーザ光源１０５
から再生パワーレベルのレーザビームを再生光として出
射する。なお、レーザービームのパワーレベルは、レー
ザ光源１０５からの出力を周期が一定なパルス光とし、
その周期を適宜設定することにより制御可能である。レ
ーザ光源１０５から出射した再生光は、ハーフミラー１
０４を透過して焦点レンズ１０３へと導かれ、光ディス
ク１上に集光照射される。光ディスク１の記録トラック
からの反射光は、ハーフミラー１０４で反射されて光検
出器１０６へと導かれ、そこで電気信号へと変換され
る。

【００６５】光検出器１０６からの電気信号は、プリア
ンプ１１７及び可変利得アンプ１０８で増幅され、その
後、Ａ／Ｄ変換回路１０９でデジタル信号系列へと変換
される。次いで、このデジタル信号は、線形等化回路１
１０でフィルタリングされてノイズに起因するジッタ成
分を除去される。データ検出回路１１１は、例えば、パ
ーシャルレスポンスで等化した再生信号波形からデータ
を検出するマキシマムライクリフッド法によって推定す
る信号処理回路であり、具体的にはビタビデコーダであ
る。デコーダ１１２は、データ検出回路１１１によって
検出された符号ビット列を元の記録データへと復元す
る。このようにして復元された記録データは、ドライブ
コントローラ１０７及びインターフェース１０６を介し
て装置外部へと出力される。図６に示す光ディスク装置
１０１での情報の再生は、以上のようにして行われる。

【００６６】なお、以上説明した光ディスク装置１０１
は、図１及び図２に示す光ディスク１に記録された情報
を再生するのにも使用することができる。また、光ディ
スク１が記録膜８として光磁気記録膜を有する場合に
は、例えば、図６に示す光ディスク装置の構成を変更し
たものを利用することができる。すなわち、図６に示す
光ディスク装置１０１に、ディスク１に対して磁界を印
加するための磁石を付与すればよい。より具体的には、
光変調記録の場合には記録時と消去時とで磁界の向きを
切り替えるタイプの磁石を、磁界変調オーバーライト記
録の場合には空芯コイル等に代表される交流電磁石を、
光変調オーバーライト記録の場合には一定のＤＣ磁石を
それぞれ付与すればよい。なお、光ディスク１が無磁界
で光変調オーバーライト可能なように設計されている場
合は光ディスク装置１０１に磁石を設ける必要はない。

【００６７】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００６８】（実施例１）図１に示す光ディスク１を以
下に説明する方法で作製した。まず、一方の主面に記録
マークに対応する深さ６０ｎｍのピット６が設けられた
ポリカーボネート製の透明基板２を準備した。次に、透
明基板２のピット６が設けられた面に、反射膜３とし
て、スパッタリング法により膜厚８０ｎｍのＡｌ：Ｔｉ
膜を成膜した。なお、このＡｌ：Ｔｉ膜は、チタンを添
加したアルミニウム膜である。

【００６９】次に、反射膜３上に、半導体微粒子と液状
有機マトリクスと溶剤とを含有する塗工液をスピンコー
ト法によって塗布し、得られた塗膜から溶剤を除去する
のとともに液状有機マトリクスを硬化させた。なお、そ
の塗工液としては、１質量部のＣｄＳＳｅ微粒子、１質
量部のＰＭＭＡ、及び２０質量部の乳酸エチルを含有す
るものを用いた。次いで、得られた硬化膜の表面を研磨
により平坦化することによって、超解像膜４として、凹
部６に位置で膜厚が１５０ｎｍであり且つ屈折率ｎが
１．７のＣｄＳＳｅ系ナノ結晶分散膜を得た。

【００７０】以上の方法で図１に示す光ディスク１を作
製した。なお、このようにして得られた光ディスク１に
おいて、反射膜３の表面には、透明基板２の表面形状と
対応して深さ６０ｎｍ程度の凹部が設けられていた。ま
た、この超解像膜４の露出面の高さのばらつきは約５ｎ
ｍであった。

【００７１】（比較例１）図７は、比較例１に係る光デ
ィスクを概略的に示す断面図である。図７に示す光ディ
スク１は、超解像膜４の膜厚が凸部５上と凹部６上とで
同一であること以外は、図１に示す光ディスク１と同様
の構造を有している。

【００７２】本比較例においては、上記の研磨による平
坦化を行わなかったこと以外は実施例１で説明したのと
同様の方法により図７に示す光ディスク１を作製した。
なお、このようにして得られた光ディスク１において、
超解像膜４の膜厚は、凸部５上及び凹部６上の双方にお
いて１５０ｎｍであった。

【００７３】次に、実施例１に係る光ディスク１と比較
例１に係る光ディスク１とについて、図６に示す光ディ
スク装置１０１を用いて再生試験を行った。なお、ここ
では、光ディスク装置１０１として、焦点レンズ１０３
の開口数ＮＡが０．６５であり、レーザ光源１０５が波
長λ＝４０５ｎｍのレーザビームを出射するものを使用
した。

【００７４】その結果、比較例１に係る光ディスク１で
は読み出し可能な最短ピット長は０．２０μｍであった
のに対し、実施例１に係る光ディスク１ではピット長を
０．１８μｍとした場合であってもクロストークを生ず
ることなく情報を読み出すことができた。また、実施例
１に係る光ディスク１でピット長を０．１８μｍとした
場合の信号強度は、比較例１に係る光ディスク１でピッ
ト長を０．２０μｍとした場合の信号強度に比べて約３
０％高い値であった。なお、超解像膜４を有していない
こと以外は実施例１で示したのと同様の構造を有する光
ディスクでは、読み出し可能な最短ピット長は０．２２
μｍであった。

【００７５】（実施例２）図２に示す光ディスク１を以
下に説明する方法で作製した。まず、一方の主面に記録
マークに対応する深さ１２０ｎｍのピット６が設けられ
たポリカーボネート製の透明基板２を準備した。次に、
透明基板２のピット６が設けられた面に、半導体微粒子
と液状有機マトリクスと溶剤とを含有する塗工液をスピ
ンコート法によって塗布し、得られた塗膜から溶剤を除
去するのとともに液状有機マトリクスを硬化させた。

【００７６】なお、その塗工液としては、１質量部のＣ
ｄＳＳｅ微粒子、１質量部のポリスチレン、及び２０質
量部のメチルエチルケトンを含有するものを用いた。次
いで、得られた硬化膜を１００℃に加熱して表面を平坦
化することによって、超解像膜４として、凸部５の位置
での膜厚が１５０ｎｍであり且つ屈折率ｎが１．７のＣ
ｄＳＳｅ系ナノ結晶分散膜を得た。

【００７７】次に、超解像膜４上に、反射膜３として、
スパッタリング法により凹部６の位置での膜厚が８０ｎ
ｍのＡｌ：Ｍｏ膜を成膜した。なお、このＡｌ：Ｍｏ膜
は、モリブデンを添加したアルミニウム膜である。以上
の方法で図２に示す光ディスク１を作製した。なお、こ
のようにして得られた光ディスク１において、反射膜３
と超解像膜４との界面の高さのばらつきは約５ｎｍであ
った。

【００７８】（比較例２）図８は、比較例２に係る光デ
ィスクを概略的に示す断面図である。図８に示す光ディ
スク１は、超解像膜４の膜厚が凸部５上と凹部６上とで
同一であること以外は、図２に示す光ディスク１と同様
の構造を有している。

【００７９】本比較例においては、上記の加熱による平
坦化を行わなかったこと以外は実施例２で説明したのと
同様の方法により図８に示す光ディスク１を作製した。
なお、このようにして得られた光ディスク１において、
超解像膜４の膜厚は、凸部５上及び凹部６上の双方にお
いて１５０ｎｍであった。

【００８０】次に、実施例２に係る光ディスク１と比較
例２に係る光ディスク１とについて、図６に示す光ディ
スク装置１０１を用いて再生試験を行った。なお、ここ
では、光ディスク装置１０１として、焦点レンズ１０３
の開口数ＮＡが０．６５であり、レーザ光源１０５が波
長λ＝４０５ｎｍのレーザビームを出射するものを使用
した。

【００８１】その結果、実施例２及び比較例２に係る光
ディスク１の双方において、読み出し可能な最短ピット
長は０．２０μｍであった。実施例２に係る光ディスク
１でピット長を０．２０μｍとした場合の信号強度は、
比較例２に係る光ディスク１でピット長を０．２０μｍ
とした場合の信号強度に比べて約３０％高い値であっ
た。

【００８２】（実施例３）図４に示す光ディスク１を以
下に説明する方法で作製した。まず、一方の主面に深さ
６０ｎｍのグルーブ部６が渦巻線状に設けられたポリカ
ーボネート製の透明基板２を準備した。次に、透明基板
２のグルーブ部６が設けられた面に、反射膜３として、
スパッタリング法により膜厚８０ｎｍのＡｌ膜を成膜し
た。続いて、この反射膜３上に、相変化記録膜８とし
て、スパッタリング法により膜厚２０ｎｍのＧｅ₄Ｓｂ₁
Ｔｅ₄膜を成膜した。

【００８３】次に、記録膜８上に、半導体微粒子と液状
有機マトリクスと溶剤とを含有する塗工液をスピンコー
ト法によって塗布し、得られた塗膜から溶剤を除去する
のとともに液状有機マトリクスを硬化させた。なお、そ
の塗工液としては、１質量部のＣｄＳＳｅ微粒子、１質
量部のＰＭＭＡ、及び２０質量部のメチルエチルケトン
を含有するものを用いた。次いで、得られた硬化膜の表
面を研磨により平坦化することによって、超解像膜４と
して、グルーブ部５の位置での膜厚が２００ｎｍであり
且つ屈折率ｎが１．７のＣｄＳＳｅ系ナノ結晶分散膜を
得た。

【００８４】以上の方法で図４に示す光ディスク１を作
製した。なお、このようにして得られた光ディスク１に
おいて、記録膜８の表面には、透明基板２の表面形状と
対応して深さ６０ｎｍ程度のグルーブが設けられてい
た。また、この超解像膜４の露出面の高さのばらつきは
約２５ｎｍであった。

【００８５】（比較例３）図９は、比較例３に係る光デ
ィスクを概略的に示す断面図である。図９に示す光ディ
スク１は、超解像膜４の膜厚がランド部５上とグルーブ
部６上とで同一であること以外は、図４に示す光ディス
ク１と同様の構造を有している。

【００８６】本比較例においては、上記塗工液として以
下の組成を有するものを用いて超解像膜４の露出面を平
坦化しなかったこと以外は実施例１で説明したのと同様
の方法により図９に示す光ディスク１を作製した。すな
わち、本比較例では、塗工液として、１質量部のＣｄＳ
微粒子、１質量部のＰＭＭＡ、及び２０質量部のメチル
エチルケトンを含有するものを用いた。なお、このよう
にして得られた光ディスク１において、超解像膜４の膜
厚は、ランド部５上及びグルーブ部６上の双方において
２００ｎｍであった。

【００８７】次に、実施例３に係る光ディスク１と比較
例３に係る光ディスク１とについて、図６に示す光ディ
スク装置１０１を用いて記録再生試験を行った。なお、
ここでは、光ディスク装置１０１として、焦点レンズ１
０３の開口数ＮＡが０．６５であり、レーザ光源１０５
が波長λ＝４０５ｎｍのレーザビームを出射するものを
使用した。

【００８８】情報の記録を、記録膜８のランド部５上に
位置する部分に対してのみ行ったところ、実施例３に係
る光ディスク１では、比較例３に係る光ディスク１に比
べて、グルーブ部６からの反射光強度が低くなった。そ
のため、実施例３に係る光ディスク１では、比較例３に
係る光ディスク１に比べて、より大きなトラッキング信
号強度が得られ、その結果、トラッキング精度が向上し
た。なお、実施例３に係る光ディスク１で得られたトラ
ッキング信号強度は、比較例３に係る光ディスク１で得
られたトラッキング信号強度強度に比べて約４０％高い
値であった。

【００８９】（実施例４）本実施例では、以下に説明す
る方法により、光磁気ディスクを作製する。まず、一方
の主面に深さ６０ｎｍのトラッキング用の溝がトラック
幅を変化させて設けられたポリカーボネート製の透明基
板を準備した。次に、この基板の溝が設けられた面に、
スパッタリング法により、膜厚８０ｎｍの反射膜、膜厚
８０ｎｍのＳｉＮ膜、膜厚１００ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜
を順次成膜した。次いで、実施例３で説明したのと同様
の方法により、ＴｂＦｅＣｏ膜上に硬化膜を形成し、さ
らに、その表面を研磨により平坦化することによって、
超解像膜を得た。なお、本実施例では、トラッキング用
溝の位置での超解像膜の膜厚を１５０ｎｍとした。以上
のようにして、光磁気ディスクを得た。

【００９０】また、硬化膜の平坦化を行わなかったこと
以外は上述したのと同様の方法により比較用の光磁気デ
ィスクを作製した。なお、比較用の光磁気ディスクで
は、トラッキング用溝の位置及びそれ以外の位置の双方
において超解像膜の膜厚を１５０ｎｍとした。

【００９１】次に、実施例４に係る光磁気ディスクと比
較用の光磁気ディスクとについて、記録再生試験を行っ
た。その結果、比較用の光磁気ディスクでは０．４μｍ
のトラック幅のトラックまでしかトラッキングをかける
ことができなかった。それに対し、実施例４に係る光磁
気ディスクでは０．３７μｍのトラック幅のトラックま
でトラッキングをかけることができ、データの書き込み
及び読み出しを行うことが可能であった。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、超解
像膜の膜厚は、基板の一主面に設けられた凸部と凹部と
の間で互いに異なっている。そのため、凸部と凹部との
間で十分に大きな反射率差を実現することができ、それ
ゆえ、十分な信号強度を得ることが可能となる。すなわ
ち、本発明によると、記録マークのサイズをより小さく
した場合においても十分な信号強度を得ることが可能な
光記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る光記録媒体を概
略的に示す断面図。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る光記録媒体を概
略的に示す断面図。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る光記録媒体を概
略的に示す断面図。

【図４】本発明の第４の実施形態の一例に係る光記録媒
体を概略的に示す断面図。

【図５】本発明の第４の実施形態の他の例に係る光記録
媒体を概略的に示す断面図。

【図６】第１〜第４の実施形態に係る光記録媒体への情
報の記録やそれに記録された情報の再生に利用可能な記
録再生装置を概略的に示す図。

【図７】比較例１に係る光ディスクを概略的に示す断面
図。

【図８】比較例２に係る光ディスクを概略的に示す断面
図。

【図９】比較例３に係る光ディスクを概略的に示す断面
図。

【符号の説明】

１…光記録媒体；２…基板；３…反射膜；４…超
解像膜；５…凸部；６…凹部；７…半透明反射膜；
８…記録膜；１０１…記録再生装置；１０２…スピ
ンドルモータ；１０３…焦点レンズ；１０４…ハーフ
ミラー；１０５…レーザ光源；１０６…光検出器；
１０７…プリアンプ；１０８…可変利得アンプ；１０
９…Ａ／Ｄ変換回路；１１０…線形等価回路；１１１
…データ検出回路；１１２…デコーダ；１１３…ドラ
イブコントローラ；１１４…駆動制御系；１１５…イ
ンターフェース；１１６…変調回路；１１７…レーザ
ドライバ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D029 MA08 MA39

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一主面に凸部と凹部とが設けられた基板
と、前記基板の前記主面上に設けられ且つ照射光の強度
が第１の強度である場合と前記第１の強度よりも高い第
２の強度である場合とで複素屈折率が互いに異なる超解
像膜とを具備し、前記凸部及び前記凹部のいずれか一方
は記録マークに相当し、前記超解像膜の前記凹部に対応
する部分の膜厚は前記超解像膜の前記凸部に対応する部
分の膜厚に比べてより厚いことを特徴とする光記録媒
体。
【請求項２】前記照射光を反射する反射膜をさらに具
備し、前記超解像膜と前記反射膜とは前記照射光の入射
側からこの順に前記基板の前記主面上に設けられたこと
を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】前記照射光を反射する反射膜と、前記照
射光の少なくとも一部を透過する透明または半透明膜と
をさらに具備し、前記透明または半透明膜と前記超解像
膜と前記反射膜とは前記照射光の入射側からこの順に前
記基板の前記主面上に設けられたことを特徴とする請求
項１に記載の光記録媒体。
【請求項４】一主面に凸部と凹部とが設けられた基板
と、照射光の強度が第１の強度である場合と前記第１の
強度よりも高い第２の強度である場合とで複素屈折率が
互いに異なる超解像膜と、前記照射光を利用して光学定
数を可逆的に変化させることが可能な記録膜とを具備
し、前記超解像膜と前記記録膜とは前記照射光の入射側
からこの順に前記基板の前記主面上に設けられ、前記超
解像膜の前記凹部に対応する部分の膜厚は前記超解像膜
の前記凸部に対応する部分の膜厚に比べてより厚いこと
を特徴とする光記録媒体。
【請求項５】前記凸部及び前記凹部は前記基板の前記
主面に帯状のランド部と前記ランド部に隣接する帯状の
グルーブ部とが形成されてなることを特徴とする請求項
４に記載の光記録媒体。
【請求項６】前記照射光を反射する反射膜をさらに具
備し、前記超解像膜と前記記録膜と前記反射膜とは前記
照射光の入射側からこの順に前記基板の前記主面上に設
けられたことを特徴とする請求項４または請求項５に記
載の光記録媒体。
【請求項７】前記照射光を反射する反射膜と、前記照
射光の少なくとも一部を透過する透明または半透明膜と
をさらに具備し、前記透明または半透明膜と前記超解像
膜と前記記録膜と前記反射膜とは前記照射光の入射側か
らこの順に前記基板の前記主面上に設けられたことを特
徴とする請求項４または請求項５に記載の光記録媒体。
【請求項８】前記超解像膜の前記基板と対向する面に
は前記基板の前記主面に対応して凸部と凹部とが設けら
れ、前記超解像膜の前記基板と対向する面の裏面は実質
的に平坦であることを特徴とする請求項１乃至請求項７
のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項９】前記照射光の強度が前記第２の強度であ
る場合の前記超解像膜の消衰係数は、前記照射光の強度
が前記第１の強度である場合の前記超解像膜の消衰係数
に比べてより小さいことを特徴とする請求項１乃至請求
項８のいずれか１項に記載の光記録媒体。