JP2002297083A - 画像表示装置 - Google Patents

画像表示装置

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JP2002297083A
JP2002297083A JP2001101559A JP2001101559A JP2002297083A JP 2002297083 A JP2002297083 A JP 2002297083A JP 2001101559 A JP2001101559 A JP 2001101559A JP 2001101559 A JP2001101559 A JP 2001101559A JP 2002297083 A JP2002297083 A JP 2002297083A
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JP2001101559A
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Hideto Kitakado
英人 北角
Masaaki Yamashita
正明 山下
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路構成を複雑とせず、かつ回路占有面積を
増大させることなく、発光効率の異なるR,G,Bの発
光輝度差を低減する。 【解決手段】 画素1は、走査線2と信号線3とに接続
された画素選択用NMOSトランジスタ5により選択さ
れ、信号線3より画像信号を取り込み、画像信号保持回
路6によって記憶する。画像表示スイッチング素子8は
NMOSトランジスタであり、ゲート電極が画像表示選
択線4に接続され、ソース電極が画像信号保持回路6に
接続され、ドレイン電極が画素電極7に接続されてい
る。従って、信号線3から入力された画像信号の画素電
極7への供給は、画像表示スイッチング素子8のオン、
オフ、すなわち画像表示選択線4により制御される構成
となっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ックス型の画像表示装置に関するものであり、特に、電
子または正孔を注入することにより発光する発光表示装
置のフルカラー表示を容易に可能とする画像表示装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、平面型の画像表示装置としては、
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ELD、F
EDが実用化されている。この中で、ELD(Electro L
uminescence Display)およびFED(Field Emission Di
splay)は自発光型のディスプレイで、しかも高精細化が
可能なため、CRT(Cathode Ray Tube)に代わる次世
代のテレビ受像機として開発が進められている。
【0003】しかしながら、これらのディスプレイを単
純マトリックス駆動で行う場合、表示が高精細になるに
従いデューティ比が小さくなり、十分な輝度が得られな
いという問題が生じていた。また、十分な輝度を得るた
めに電流を増大させると、発光素子の劣化や発光材料
(蛍光体等)の劣化が生じるという問題が生じていた。そ
こで、これらの問題点を改善するための技術として、ア
クティブマトリックス駆動のディスプレイが提案されて
いる。
【0004】図10は、例えば特許第2656843号
公報において提案されている、従来のFEDの画素内駆
動回路を示している。一画素毎に設けられた画素内駆動
回路は、画素選択用NMOSトランジスタ101と、電
流駆動用NMOSトランジスタ102と、信号電圧保持
用のキャパシタ103とを備えた構成である。画素選択
用NMOSトランジスタ101のソース電極またはドレ
イン電極の一方が信号線(図10においては信号線j
(R)、 信号線j(G)、 信号線j(B)と示されている)に
接続され、他方がキャパシタ103と電流駆動用NMO
Sトランジスタ102のゲート電極とに接続されてい
る。このため、画素選択用NMOSトランジスタ101
がオフした後も信号に応じた電流を駆動用NMOSトラ
ンジスタ102が流し続ける。従って、画素が非選択の
状態であっても発光を維持することが可能となり、輝度
の高いディスプレイが実現できる。このような構成の場
合、単純マトリックス駆動のように大電流のエミッショ
ン電流を流さなくても十分な輝度が得られるため、エミ
ッタの寿命および蛍光体の寿命が長くなる。
【0005】なお、ここでは、同じ走査線に接続された
赤(R)表示部、緑(G)表示部、青(B)表示部に対
応する3画素を1絵素としている。すなわち、図10に
おいては、i行j列目と(i+1)行j列目の絵素が示
されている。信号線j(R)、信号線j(G)、 信号線j(B)
は、j列目の絵素のR,G,B各表示部に画像信号を供
給する信号線である。また、104は引出電極を示して
いる。
【0006】図11は、図10に示した画素内駆動回路
を用いた場合の駆動タイミングを示す波形図である。1
フレームを、R,G,B各表示部に対応させて、第1フ
ィールド(第1FLD)、第2フィールド(第2FL
D)、第3フィールド(第3FLD)の3つのフィール
ドに分割している。フィールド毎に1からn番目までの
走査線を順次選択し、各画素に画像信号を読み込ませ
る。図示していないが、1本の走査線が選択されると、
その走査線に接続されているm個の画素の画素選択用N
MOSトランジスタ101がオンし、信号線より画像信
号を読み込む。読み込まれた画像信号は信号電圧保持用
のキャパシタ103に保持され、対応する陽極電極が選
択されている間、エミッション電流を流し続ける。陽極
電極はR,G,Bに分割して選択されるため、1フレー
ム期間中に各R,G,Bに対応する3つの発光期間(3
フィールド)が形成される。ここで、各フィールド期間
は走査線のパルス周期と同じであるため、1フレームを
3分割した時間が1フィールド期間となり、各R,G,
Bに対応するフィールド期間は同じとなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上のような構成にお
いては、蛍光体の発光輝度がR,G,Bにより異なる場
合、信号電圧を変更してR,G,Bの輝度を調節する必
要がある。このため、パネルに入力されるR,G,Bの
信号がアナログの場合には、その信号の電圧振幅をR,
G,B毎に調節した後画素に入力して、電流駆動用NM
OSトランジスタ102の電流を制御する。例えば、G
の蛍光体の発光輝度が高く、Bの蛍光体の発光輝度が低
い場合には、Gの信号電圧振幅を小さくし、Bの信号電
圧振幅を大きくするための回路が必要となる。
【0008】また、パネルに入力されるR,G,Bの信
号がディジタルで、DAコンバータにより信号をアナロ
グに変換することによって階調制御する場合には、R,
G,B毎に電圧振幅を変えるための回路を別々に形成す
るか、或いは回路に供給する電源電圧をそれぞれ別にす
る必要がある。また、ディジタル信号を用いてディジタ
ル階調を行う場合には、例えば1フレームを複数のサブ
フィールド期間に分割し、サブフィールドを選択するか
選択しないかによって階調を行うが、この方法の場合は
R,G,B毎に選択時間を変えるための回路が必要とな
る。
【0009】このように、従来の構成においてR,G,
Bの輝度を調節するに際には、パネルを駆動するための
ドライバ回路が複雑になり、かつ回路占有面積の増大に
よるコスト増大化が生じるという問題があった。特に、
周辺駆動回路を画素毎に設けられるトランジスタと同様
に多結晶ポリシリコン薄膜トランジスタで形成する場合
には周辺駆動回路占有面積の低減が重要であるため、回
路占有面積の増大は問題であった。
【0010】本発明はこれらの問題を解決するために、
画素内に画像信号電圧を保持する機能を備えた自発光型
のアクティブマトリックス型画像表示装置において、回
路構成を複雑とせず、かつ回路占有面積を増大させるこ
となく、発光効率の異なるR,G,Bの発光輝度差を低
減することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の画像表示装置は、複数の画素と、複数の
走査線と、複数の信号線とを備えたアクティブマトリッ
クス型の画像表示装置において、さらに複数の画像表示
選択線を備え、前記画素が、画素選択トランジスタ、画
像信号保持回路、および前記画像表示選択線に供給され
る信号により制御される画像表示スイッチング素子を有
しており、前記画像信号保持回路は前記画素選択トラン
ジスタを介して取り込まれた画像信号を保持し、前記画
像表示スイッチング素子は接続されている画像表示選択
線が選択されることにより動作して、前記画像信号保持
回路の画像信号にて画像を表示させることを特徴とす
る。
【0012】この構成によれば、信号線より取り込まれ
た画像信号は画像信号保持回路により保持されるが、画
像表示スイッチ素子が動作するまでは、画像が表示され
ない。従って、画像表示スイッチ素子を動作させる画像
表示選択線が複数本あり、それぞれを独立に走査させる
と、画像表示選択線に対応した領域の画像表示時間を別
々に設定することが可能となる。その結果、例えばR,
G,Bに対応する蛍光体の発光輝度が異なるような場合
には、それぞれの発光時間を画像表示選択線の選択時間
により変えることが可能となるため、R,G,Bの輝度
を揃えることができる。従って、R,G,B毎に画像信
号を変える必要がなく、信号線のドライバ回路が複雑に
なることが避けられる。
【0013】これにより、発光効率の異なるR,G,B
により表示を行う場合に、回路構成を複雑とせず、かつ
回路占有面積を増大させることなく、各色間の発光輝度
差を低減することが可能となる。
【0014】さらに、前記複数の画素のうち表示時間を
同一とする画素の画像表示スイッチング素子は、同一の
画像表示選択線に接続されることが望ましい。これによ
り、簡単な構成で各画素の表示時間を調整することがで
きる。
【0015】さらに、画像の表示は、前記画像信号保持
回路における前記画像信号の保持動作と並行して、或い
は保持動作後に行うことが可能である。
【0016】さらに、前記画像表示スイッチング素子が
画素電極と前記画像信号保持回路との間に直列に接続さ
れたトランジスタにより構成されており、前記トランジ
スタは、前記画像表示選択線の電圧変動により導通し
て、画像表示に必要な電圧および電流を前記画素電極に
供給する構成とすることが可能である。この構成はどの
ような発光素子の場合にも適用でき、また画像表示スイ
ッチング素子を低電圧で駆動することもできる。
【0017】また、前記画像表示装置がフィールドエミ
ッションディスプレイであって、前記画像表示スイッチ
ング素子が、前記画像信号保持回路と接続されエミッタ
を有する画素電極と、前記エミッタに高電界を与え電子
を引き出す引出電極とから構成され、前記引出電極が、
前記画像表示選択線に接続されている構成とすることも
可能である。画像表示スイッチング素子をこのような構
成とすることにより、エミッタからのエミッション電流
を放出させ易くする引出電極を、画像表示スイッチング
素子のオン、オフ制御電極として用いることができる。
これにより、新たにスイッチング素子を設けることな
く、画像表示のオン、オフ制御を行える。
【0018】また、前記画像表示スイッチング素子が、
電圧を与えることによって発光する発光体を挟む1対の
画素電極から構成され、一方の画素電極が前記画像信号
保持回路と接続され、他方の画素電極が前記画像表示選
択線に接続されている構成とすることも可能である。こ
の構成の場合も、新たにスイッチング素子を設けること
なく、画像表示のオン、オフ制御を行える。
【0019】また、画像表示選択線の駆動方法として、
前記複数の画像表示選択線が順次選択され、かつ複数の
画像表示選択線の選択時間が互いに異なるような方法を
用いる場合には、パネル全体に流れる平均的な電流が常
に一定となり、電圧降下による電流変動の影響を受けに
くい安定した表示が得られる。また、画像表示選択線の
駆動方法として、前記複数の画像表示選択線が同時に選
択され、かつ複数の画像表示選択線の選択時間が互いに
異なる方法を用いた場合には、発光時間を長くすること
が可能なため、高輝度の画像が得られる。
【0020】また、1フレーム内を複数に分割したサブ
フィールド期間を有し、各サブフィールド期間に画像を
表示するか否かによって階調を行う方法であって、各サ
ブフィールド期間において、異なる画像表示選択線の選
択時間の割合が同じである方法を用いることも可能であ
る。発光回数で階調制御するディジタル階調の場合、従
来は複数の電源電圧を用意するか、またはR,G,B毎
に回路を変更して輝度の調整を行う必要があったが、こ
のような本発明の構成によれば、画像表示スイッチング
素子のオン、オフで発光時間を制御することにより、単
一電源で同一回路でも輝度調整が可能となるため、周辺
駆動回路の簡略化が可能となる。
【0021】また、前記画像表示選択線を、画像表示の
赤、緑、青に対応した3本、又は前記3色を2分割した
2本で構成することが可能である。この構成によれば、
R,G,Bに対応する発光材料や発光素子が異なった発
光効率を有する場合であっても、画像表示選択線をR,
G,B毎に分割して、それぞれの発光時間を変えること
によって、同じ輝度が得られる。従って、R,G,B毎
に輝度を調整するための信号電圧の補正が必要となら
ず、周辺駆動回路を簡略化できる。
【0022】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の第
1の実施の形態について、図1〜図5を参照しながら説
明する。本実施の形態においては、本発明における画像
表示スイッチング素子がNMOSトランジスタの場合に
ついて説明する。
【0023】図1には、本実施の形態に係る画像表示装
置の一画素当りの回路構成例が示されている。画素1
は、走査線2と信号線3とに接続された画素選択用NM
OSトランジスタ5により選択され、信号線3より画像
信号を取り込み、画像信号保持回路6によって記憶す
る。本実施の形態における画像信号保持回路6は、一個
のキャパシタ6aと、一個の電流駆動用NMOSトラン
ジスタ6bと、信号電圧を固定するための接地電位線6
cとから構成されている。画像信号保持回路6内の電流
駆動用NMOSトランジスタ6bは、画像信号に応じた
電流を流すためのものである。
【0024】画像表示スイッチング素子8はNMOSト
ランジスタであり、ゲート電極が画像表示選択線4に接
続され、ソース電極が画像信号保持回路6に接続され、
ドレイン電極が画素電極7に接続されている。従って、
信号線3から入力された画像信号により、画像信号保持
回路6の電流駆動用NMOSトランジスタ6bがオンし
ていても、画像表示スイッチング素子8がオンしていな
ければ、画素電極7には電圧が供給されない。画像表示
スイッチング素子8をオンさせるには、画像表示選択線
4を0VからNMOSトランジスタの閾値電圧以上に上
げる必要がある。 また、画像信号保持回路6の電流駆
動用NMOSトランジスタ6bで画像信号に応じた電流
を流すには、画像表示スイッチング素子8のNMOSト
ランジスタは、線形領域で駆動することが望ましい。従
って、画像表示スイッチング素子8のNMOSトランジ
スタの電流駆動力が大きくなるように、NMOSトラン
ジスタのチャネル幅およびチャネル長を調整するか、或
いは画像表示選択線4の選択電圧を大きくする必要があ
る。
【0025】尚、画像表示スイッチング素子8は、画像
信号保持回路6内に組み込むことも可能である。しかし
ながら、例えば画像信号保持回路6内の電流駆動用NM
OSトランジスタ6bのソース電極側に組み込むと、ソ
ース電極電位が変動するため画像信号に応じた電流を流
すことが困難となる。また、画像信号保持回路6内の電
流駆動用NMOSトランジスタ6bのゲート電極側に組
み込む場合には、スイッチング回数を増大させる必要が
あるため好ましくない。従って、画像信号保持回路6と
画素電極7の間に、画像表示スイッチング素子8を配置
することが好ましい。
【0026】以上のように、本実施の形態に係る画像表
示装置では、記憶が保持されただけでは画像は表示され
ず、画像表示選択線4が選択され画像表示スイッチング
素子8がオンされることにより電流が流れて画像が表示
される。なお、画像表示選択線4は複数に分割されてい
るため、分割された複数の領域の表示時間を別々に設定
することが可能であり、さらに、分割された一部の領域
のみを表示することも可能である。
【0027】図2には、図1に示した画素内駆動回路を
FEDに適用した場合の例が示されている。赤(R)、
緑(G)、青(B)各表示に対応する3画素を1絵素と
すると、図2に示されているのはi行j列目と(i+1)
行j列目の2絵素分に相当する。引出電極9は、画素電
極上に形成された電子放出源であるエミッタ10から、
電子を放出させやすくするためのもので、エミッタ10
の極近傍または陽極電極(図示せず)とエミッタ10と
の間に配置され、エミッタ10に対して数十Vの正電圧
を印加する。本実施の形態においては、引出電極9には
全画素共通で画像表示時に常に正電圧が印加されてい
る。
【0028】また、画像表示スイッチング素子8である
NMOSトランジスタのゲート電極は、R,G,Bに対
応した画像表示選択線4(R)、 画像表示選択線4(G)、
画像表示選択線4(B)に接続されている。そして各画像
表示選択線4(R) ,4(G),4(B)は、他の列の各画像表
示選択線4(R) ,4(G),4(B)とそれぞれ接続されるた
め、パネル全体としては3組の画像表示選択線を備えて
いる構成となる。従って、画像表示選択線4(R) ,4
(G),4(B)の選択時間、すなわち画像表示スイッチング
素子8のオン時間をR,G,Bに応じて変化させてR,
G,B毎に発光時間を異ならせることにより、R,G,
Bの輝度を調整することが可能となる。
【0029】なお、本実施の形態において用いられてい
るトランジスタは全てNMOSトランジスタであるが、
PMOSトランジスタを用いてもよい。また、画像信号
保持回路6の接地電位線6cを他電位の電流供給線とす
ることもできる。
【0030】次に、図2に示した前記画素駆動回路を用
いた場合の駆動タイミングについて説明する。図3は、
本実施の形態における画素部の駆動タイミングを示す波
形図である。図3に示すように、アドレス期間において
パネル全画素に画像信号を入力した後、画像表示選択線
4(R) ,4(G),4(B)を順次選択して、画像表示選択線
4(R) ,4(G),4(B)に対応する領域を表示する。1フ
レーム期間とはパネル全画素に1回表示を行わせる期間
であり、一般に1/60秒が用いられる。画像信号は、
走査線が選択されると信号線を通じてアナログ信号、す
なわち電圧の大きさとして入力され、各画素の画像信号
保持回路6に記憶される。その後、画像表示選択線4
(R) ,4(G),4(B)を選択する。ここでは、画像表示選
択線4(R),4(G),4(B)の全てを順次選択しているた
め、パネル全体の発光に要する平均電流は第1フィール
ド(第1FLD)〜第3フィールド(第3FLD)まで
ほぼ一定となり、配線抵抗起因の電圧降下による電圧変
動がなく、安定した画像表示が可能である。この駆動方
法によれば、画像表示選択線4(R) ,4(G),4(B)を
R,G,Bに対応させることにより、蛍光体の発光効率
差によらずにR,G,B全ての輝度を同一にすることが
できる。
【0031】なお、画像表示選択線4(R) ,4(G),4
(B)は全て選択する必要はなく、任意の2つの画像表示
選択線を同時に選択することや、選択期間を同一に設定
することも可能である。図4には、画像表示選択線4
(R) ,4(G),4(B)の選択期間は全て異なるが、選択開
始時間は同一とした駆動タイミングの例が示されてい
る。また、図5に示すように、選択開始時間を画像信号
入力後ではなく、画像信号入力と同時にすることも可能
である。このように選択開始時間を画像信号入力と同時
にすることによって、発光のための通電時間が長くな
り、輝度を増大させることが可能となる。
【0032】ここで、各画像表示選択線4(R) ,4
(G),4(B)の選択開始時間および選択終了時間の設定
は、走査線を順次選択するシフトレジスタの駆動周期と
同じクロックをカウンタにより計数し、一定の値になっ
た後、選択開始パルスおよび選択終了パルスを発生させ
ることにより設定することができる。尚、各画像表示選
択線4(R) ,4(G),4(B)の選択期間は、複数の選択期
間を予め用意しておき、その中から最適な選択期間を選
択することによって輝度調整を行うことも可能である。
【0033】以上のように、本実施の形態の構成によれ
ば、R,G,B表示部毎に画像信号を変えることなく、
それぞれの発光時間を画像表示選択線4(R) ,4(G),
4(B)の選択時間を変化させることによってR,G,B
の発光輝度を揃えることができる。これにより、信号線
のドライバ回路を複雑にせず、かつ周辺駆動回路占有面
積を増加させることなく、発光効率が互いに異なるR,
G,Bの発光輝度差を低減することが可能となる。
【0034】(実施の形態2)以下、本発明の第2の実
施の形態について、図6及び図7を参照しながら説明す
る。本実施の形態においては、本発明における画像表示
スイッチング素子が、エミッタが形成されている画素電
極と、前記エミッタに高電界を与え電子を引き出すため
の引出電極とから構成されたFEDである場合について
説明する。
【0035】図6は、本実施の形態に係る画像表示装置
の一画素当りの回路構成例を示す図である。画素11
は、走査線12と信号線13に接続された画素選択用ト
ランジスタ15により選択され、信号線13より画像信
号を取り込み、その画像信号を画像信号保持回路16に
よって記憶する。本実施の形態における画像信号保持回
路は、一個のキャパシタ16aと、一個の電流駆動用N
MOSトランジスタ16bと、信号電圧を固定するため
の接地電位線16cとから構成されている。画像信号保
持回路16内の電流駆動用NMOSトランジスタ16b
は、画像信号に応じた電流を流すためのものである。
【0036】画像表示スイッチング素子18は、エミッ
タ20が形成されている画素電極17と、エミッタ20
に高電界を与え電子を引き出すための引出電極19とか
ら構成されたFEDである。ここで、画像表示スイッチ
ング素子18がオンしなければ、エミッタ20からエミ
ッション電流は流れないため画像は表示されない。画像
表示スイッチング素子18は、エミッション電流放出の
閾値電圧以上の電圧がエミッタ20と引出電極19との
間に印加されるとオンする。実際には、閾値電圧よりも
20V〜30V高い電圧を引出電極19に印加し、エミ
ッション電流を画像信号保持回路16内のNMOSトラ
ンジスタによって制御する。エミッション電流の閾値電
圧が60Vの場合、引出電極の電圧を80Vと50Vに
切り替えることで、画素表示スイッチング素子をオン、
オフできる。引出電極19は画像表示選択線14と接続
されているため、画像表示選択線14の選択状態が80
Vであり、非選択状態が50Vとなる。
【0037】図7には、図6に示した画素内の回路をF
EDに適用した場合の例が示されている。赤(R)、緑
(G)、青(B)各表示に対応する3画素を1絵素とす
ると、図2に示されているのはi行j列目と(i+1)行
j列目の2絵素分に相当する。画像表示選択線14はパ
ネル内で複数に分割されているため、画像表示選択線1
4が選択された領域のみ画像が表示される。図7におい
ては、R,G,B各表示部に対応させて、画像表示選択
線14が画像表示選択線14(R)、 画像表示選択線14
(G)、 画像表示選択線14(B)に分割されている。画像
表示スイッチング素子18を構成している引出電極19
は、画像表示選択線14(R)、 画像表示選択線14
(G)、 画像表示選択線14(B)に接続されている。そし
て各画像表示選択線14(R) ,14(G),14(B)は、他
の列の各画像表示選択線14(R) ,14(G),14(B)と
それぞれ接続されるため、パネル全体としては3本の画
像表示選択線を備えている構成となる。従って、画像表
示選択線14(R) ,14(G),14(B)の選択時間、すな
わち画像表示スイッチング素子18のオン時間をR,
G,Bに応じて変化させてR,G,B毎に発光時間を異
ならせることにより、R,G,Bの輝度を調整すること
が可能となる。
【0038】また、図7に示した前記画素駆動回路を用
いた場合の駆動タイミングの説明は、実施の形態1の場
合と同様のためここでは省略する。
【0039】以上のように、本実施の形態の構成によれ
ば、R,G,B表示部毎に画像信号を変えることなく、
それぞれの発光時間を画像表示選択線14(R) ,14
(G),14(B)の選択時間を変化させることによってR,
G,Bの発光輝度を揃えることができる。これにより、
信号線のドライバ回路を複雑にせず、かつ周辺駆動回路
占有面積も増加させることなく、発光効率が互いに異な
るR,G,Bの発光輝度差を低減することが可能とな
る。
【0040】(実施の形態3)以下、本発明の第3の実
施の形態について、図8を参照しながら説明する。本実
施の形態においては、本発明における画像表示スイッチ
ング素子が電圧を与えることによって発光する発光体を
挟む1対の画素電極から構成され、一方の画素電極が画
像信号保持回路と接続され、他方の画素電極が画像表示
選択線に接続されている構成である。
【0041】図8には、前記の構成を有機ELD(Elect
ro Luminescence Display)に適用した場合の回路構成が
示されている。図8において、25は画素選択用NMO
Sトランジスタ、26は画像信号保持回路、28は画像
表示スイッチング素子、24(R) ,24(G) ,24(B)
はR,G,B各表示部に対応する画像表示選択線であ
る。また、21は画像信号保持回路26に電源を供給す
る電源供給線である。ここでは、画像表示スイッチング
素子28は有機ELを挟む一対の画素電極から構成され
る。図に示すように、ダイオードが画像表示スイッチン
グ素子28であり、ダイオードの陰極側が画像表示選択
線24(R),24(G) ,24(B)に接続される。
【0042】この場合は、画像表示選択線24(R),2
4(G) ,24(B)が接続された画素電極の電圧を変える
ことにより、画像表示スイッチング素子28をオン、オ
フさせる。FEDの場合には、このスイッチングのオ
ン、オフを数百V以上の範囲で行う必要があるが、有機
ELDの場合には、10V以下で可能となる。従って有
機ELDのように低電圧で発光が可能な場合には、消費
電力が小さいため、本方式の駆動方法が非常に有効であ
る。
【0043】なお、本実施の形態における駆動タイミン
グの詳細な説明は、実施の形態1の場合と同様のため、
ここでは省略する。
【0044】(実施の形態4)以下、本発明の第4の実
施の形態について、図9を参照しながら説明する。本実
施の形態においては、実施の形態1〜3で説明した画素
内駆動回路の駆動に用いられる駆動タイミングの他の例
について説明する。
【0045】図9は、ディジタル階調を行った場合の駆
動タイミングを示す波形図である。尚、図9において
は、実施の形態1で説明した画素内駆動回路に対して用
いた場合が示されている。ここでは16階調の場合を示
しており、1フレーム内に4回のアドレス期間が存在す
る。アドレス期間後に発光を行うサブフィールド期間
は、それぞれ1:2:4:8の時間に分割されている。
これにより、各サブフィールド期間に発光を行うか行わ
ないかで16階調を制御することができる。さらに、各
サブフィールド期間において、異なる画像表示選択線4
(R),4(G) ,4(B)の選択時間の割合は同じである 例えば、最小サブフィールド期間を1msとした場合、
他のサブフィールド期間は2ms、4ms、8msとな
る。ここで、同一電流および同一電力での発光輝度が、
100:75:50の3種類の蛍光体または発光素子を
用いてカラーディスプレイを形成する場合を考える。こ
の蛍光体または発光素子を、それぞれ画像表示選択線4
(R)、 画像表示選択線4(G)、 画像表示選択線4(B)で
駆動すると、サブフィールド期間内のデューティ比は、
それぞれ50%、75%、100%で各蛍光体または発
光素子の輝度が同じとなる。従って、画像表示選択線1
の各フィールドにおける選択期間は、0.5ms、1m
s、2ms、4msとなる。この方法によれば、R,
G,B三色の蛍光体を用いてFEDを駆動する場合に、
従来のようにR,G,B毎に電圧振幅等を変えるための
回路を形成しなくても良好なカラー表示ができることが
確認された。
【0046】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の画像表
示装置によれば、画素内に画像信号電圧を保持する機能
を備えた自発光型のアクティブマトリックス型画像表示
装置において、回路構成を複雑とせず、かつ回路占有面
積を増大させることなく、発光効率の異なるR,G,B
の発光輝度差を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係る画像表示装
置の画素内駆動回路を示す回路図である。
【図2】 前記画素内駆動回路をFEDに適用した場合
の回路構成図である。
【図3】 前記画像表示装置における画素部の駆動タイ
ミング例を示す波形図である。
【図4】 前記画像表示装置における画素部の駆動タイ
ミング例を示す波形図である。
【図5】 前記画像表示装置における画素部の駆動タイ
ミング例を示す波形図である。
【図6】 本発明の第2の実施の形態に係る画像表示装
置の画素内駆動回路を示す回路図である。
【図7】 前記画素内駆動回路をFEDに適用した場合
の回路構成図である。
【図8】 本発明の第3の実施の形態に係る画像表示装
置の画素内駆動回路を有機ELDに適用した場合の回路
構成図である。
【図9】 本発明の第4の実施の形態に係る画像表示装
置における画素部の駆動タイミングを示す波形図であ
る。
【図10】 従来の画像表示装置の画素内駆動回路を示
す回路図である。
【図11】 前記従来の画像表示装置における駆動タイ
ミングを示す波形図である。
【符号の説明】
1,11 画素 2,12 走査線 3,13 信号線 4,14 画像表示選択線 5,15,25 画素選択用NMOSトランジスタ 6,16,26 画像信号保持回路 7,17 画素電極 8,18,28 画像表示スイッチング素子 9,19 引出電極 10,20 エミッタ 21 電源供給線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 29/96 H01J 29/96 31/12 31/12 C Fターム(参考) 5C032 AA01 5C036 EE04 EF01 EF06 EF09 EG48 EH04 5C080 AA06 AA18 BB05 CC03 DD30 FF11 HH10 JJ03 JJ04

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の画素と、複数の走査線と、複数の
    信号線とを備えたアクティブマトリックス型の画像表示
    装置において、 さらに複数の画像表示選択線を備え、 前記画素が、画素選択トランジスタ、画像信号保持回
    路、および前記画像表示選択線に供給される信号により
    制御される画像表示スイッチング素子を有しており、前
    記画像信号保持回路は前記画素選択トランジスタを介し
    て取り込まれた画像信号を保持し、前記画像表示スイッ
    チング素子は接続されている画像表示選択線が選択され
    ることにより動作して、前記画像信号保持回路の画像信
    号にて画像を表示させることを特徴とする画像表示装
    置。
  2. 【請求項2】 前記複数の画素のうち表示時間を同一と
    する画素の画像表示スイッチング素子は、同一の画像表
    示選択線に接続されていることを特徴とする請求項1に
    記載の画像表示装置。
  3. 【請求項3】 画像の表示が、前記画像信号保持回路に
    おける前記画像信号の保持動作と並行して行われること
    を特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
  4. 【請求項4】 画像の表示が、前記画像信号保持回路に
    おける前記画像信号の保持動作後に行われることを特徴
    とする請求項1に記載の画像表示装置。
  5. 【請求項5】 前記画像表示スイッチング素子が画素電
    極と前記画像信号保持回路との間に直列に接続されたト
    ランジスタにより構成されており、 前記トランジスタは、前記画像表示選択線の電圧変動に
    より導通して、画像表示に必要な電圧および電流を前記
    画素電極に供給することを特徴とする請求項1に記載の
    画像表示装置。
  6. 【請求項6】 前記画像表示装置がフィールドエミッシ
    ョンディスプレイであって、 前記画像表示スイッチング素子が、前記画像信号保持回
    路と接続されエミッタを有する画素電極と、前記エミッ
    タに高電界を与え電子を引き出す引出電極とから構成さ
    れ、 前記引出電極が、前記画像表示選択線に接続されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
  7. 【請求項7】 前記画像表示スイッチング素子が、電圧
    を与えることによって発光する発光体を挟む1対の画素
    電極から構成され、一方の画素電極が前記画像信号保持
    回路と接続され、他方の画素電極が前記画像表示選択線
    に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の画
    像表示装置。
  8. 【請求項8】 前記複数の画像表示選択線が順次選択さ
    れ、かつ複数の画像表示選択線の選択時間が互いに異な
    ることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の
    画像表示装置。
  9. 【請求項9】 前記複数の画像表示選択線が同時に選択
    され、かつ複数の画像表示選択線の選択時間が互いに異
    なることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載
    の画像表示装置。
  10. 【請求項10】 1フレーム内を複数に分割したサブフ
    ィールド期間を有し、各サブフィールド期間に画像を表
    示するか否かによって階調を行う方法であって、各サブ
    フィールド期間において、異なる画像表示選択線の選択
    時間の割合が同じであることを特徴とする請求項8また
    は9に記載の画像表示装置。
  11. 【請求項11】 前記画像表示選択線が、画像表示の
    赤、緑、青に対応した3本、又は前記3色を2分割した
    2本で構成されていることを特徴とする請求項1〜10
    の何れか一項に記載の画像表示装置。
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