JP2002296615A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2002296615A
JP2002296615A JP2001365533A JP2001365533A JP2002296615A JP 2002296615 A JP2002296615 A JP 2002296615A JP 2001365533 A JP2001365533 A JP 2001365533A JP 2001365533 A JP2001365533 A JP 2001365533A JP 2002296615 A JP2002296615 A JP 2002296615A
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crystal display
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signal line
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Takahiro Ochiai
孝洋 落合
Ryutaro Oke
隆太郎 桶
Yoshiaki Nakayoshi
良彰 仲吉
Nagatoshi Kurahashi
永年 倉橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a TFT(thin-film transistor) liquid crystal display device which is incorporated with a color filter on a TFT substrate, having a wide viewing angle and brighter display. SOLUTION: The first and second transparent substrates and a liquid crystal layer narrowed between the first and the second substrates are provided. The first substrate has a plurality of image signal lines, a plurality of scanning signal lines. and a plurality of pixel areas formed as an area surrounded by the image signal lines and the scanning signal lines. Each pixel area has at least one active element and a pixel electrode and a common electrode. In a liquid crystal display device having a color filter between the pixel electrode and the liquid crystal layer; the common electrode is formed to the upper layer with the color filter, the pixel electrode is formed to the lower layer with the color filter. The color filter is superimposed at least the whole surface of the pixel electrodes in the pixel area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置および
その製造方法に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】TFTを駆動素子として利用する液晶表
示装置の基本的構成の一例は、第1の透明基板上にTF
T、走査配線、あるいは信号配線を形成、第2の透明基
板上にカラーフィルタを形成、第1と第2の透明基板の
上記TFTあるいはカラーフィルタ形成面を内側にして
その間隙に液晶が封入された構成となっている。第1の
基板上のTFTは各画素領域に配置される。また第2の
基板上のカラーフィルタは各画素領域に対して、色の赤
(R)、緑(G)、青(B)の領域をストライプ状に配
置、各色CFの区切りは金属などのブラックマトリクス
構成となっている。このように構成された液晶表示装置
の明るさすなわち開口率は第1と第2の基板の位置合わ
せ精度が悪いと大幅に低下し、この影響は第1の基板上
のTFTや走査配線あるいは信号配線間の合わせ精度の
悪化の影響より大きい。そのため、第1の基板上にTF
T、走査配線、あるいは信号配線などに加えて、従来第
2の基板に形成されていたカラーフィルタやブラックマ
トリクスを、同時に形成する技術、一般にカラーフィル
タ・オン・TFTと呼ぶ技術が公開されている。
2. Description of the Related Art An example of a basic structure of a liquid crystal display device using a TFT as a driving element is to form a TF on a first transparent substrate.
T, forming a scanning wiring or a signal wiring, forming a color filter on a second transparent substrate, filling a liquid crystal in a gap between the TFT and the color filter forming surface of the first and second transparent substrates inside. Configuration. The TFT on the first substrate is arranged in each pixel region. The color filter on the second substrate is arranged such that red (R), green (G), and blue (B) regions are arranged in a stripe pattern with respect to each pixel region. It has a matrix configuration. The brightness, that is, the aperture ratio, of the liquid crystal display device configured as described above is greatly reduced when the positioning accuracy of the first and second substrates is poor, and this effect is caused by the TFT, the scanning wiring or the signal on the first substrate. It is larger than the effect of the deterioration of the alignment accuracy between wirings. Therefore, TF is placed on the first substrate.
T, scanning wiring, signal wiring, etc.
A technique for simultaneously forming a color filter and a black matrix formed on the two substrates, a technique generally called a color filter on TFT has been disclosed.

【0003】一方、液晶表示装置の視野角を広げる方式
として、液晶分子を基板とほぼ水平に保ったまま回転さ
せ、液晶を駆動するための画素電極と共通電極を共に第
1の基板上に形成させ、この2つの電極間に電圧をかけ
て基板とほぼ水平に近い電界を生じさせるようにしたI
PS(In-Plane−Swithcing)方式や
上記画素電極と共通電極の一方の電極をくし歯形状に加
工せず平板状にして、その上部に絶縁膜を介してくし歯
状電極を形成するFSS(Fringe−Field−
Switching)方式が提案されている。FSS方
式は特開平11−202356号公報に開示されてい
る。
On the other hand, as a method of widening the viewing angle of a liquid crystal display device, a liquid crystal molecule is rotated while being kept substantially horizontal to a substrate, and a pixel electrode and a common electrode for driving liquid crystal are both used.
I is formed on one substrate, and a voltage is applied between the two electrodes to generate an electric field almost horizontal to the substrate.
One of the pixel electrode and the common electrode is not processed into a comb shape, but is formed into a flat plate shape, and a comb-shaped electrode is formed on the upper portion of the pixel electrode and the common electrode via an insulating film via an insulating film. Fringe-Field-
Switching) method has been proposed. The FSS method is disclosed in JP-A-11-202356.

【0004】また、IPS方式でカラーフィルタ・オン
・TFTを実現する方法は、特開平2000−1119
57号公報等に開示されている。
A method of realizing a color filter on a TFT by the IPS method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-1119.
No. 57, for example.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
2000−111957号公報では液晶層に電界を印加
する画素電極をカラーフィルタ層に開口したスルーホー
ルを通じてカラーフィルタ層上部に配置している。この
スルーホールは各画素毎に形成されている。しかし発明
者らは、実験の結果このスルーホールの目詰まりによる
歩留まり低下が大きいという量産性、歩留まりに関する
重大な問題を見出すに至った。またIPS表示方式では
誘電率が低く、かつその厚さがTFT上の無機絶縁膜の
膜厚より厚いカラーフィルタ層による分圧効果のため、
特開平2000−111957号公報のようにスルーホ
ールを開けない場合、液晶層に十分な電圧を加えること
ができず、透過率が低くなるという課題がある。
However, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-111957, a pixel electrode for applying an electric field to the liquid crystal layer is disposed above the color filter layer through a through hole opened in the color filter layer. This through hole is formed for each pixel. However, as a result of the experiment, the inventors have found a serious problem with respect to the mass productivity and the yield that the yield is largely reduced due to the clogging of the through hole. In the IPS display system, the dielectric constant is low, and the thickness of the color filter layer is larger than the thickness of the inorganic insulating film on the TFT.
When a through hole is not formed as in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-111957, there is a problem that a sufficient voltage cannot be applied to the liquid crystal layer and the transmittance is reduced.

【0006】さらに、特開平11−202356号公報
では液晶分子を前記第1の基板と水平に回転させるため
に、第1の基板上にくし歯形状にしない共通電極及びそ
の上に絶縁膜を介してくし歯形状の画素電極を形成する
構成を開示しているが、カラーフィルタはこの第1の基
板には形成されておらず、カラーフィルタ・オン・TF
Tに関する問題点を含めた技術開示はない。一方、 特
開平2000−111957号公報はIPS方式を用い
たカラーフィルタ・オン・TFTの1つの方式を開示し
ているが、断面構造において、画素電極と共通電極の間
に透明の絶縁膜を形成することを基本構成として、カラ
ーフィルタCF層を構成する樹脂製の色層を各画素の指
定された配色により、赤(R)、緑(G)、青(B)の所
定の厚さで構成し、パターニングされる。そのため、通
常のTFTを形成した後、3回のホト・パターニング工程を
経て、カラーフィルタ層のR、G、Bを形成、続いて、
画素電極あるいは共通電極の一方のくし歯電極を形成、
その後に透明な絶縁膜を形成、さらに、その上部に画素
電極あるいは共通電極のもう一方のくし歯電極を形成す
ることになっており、極めて工程が長いという問題があ
った。 さらに、このような長い工程は、TFTが形成
された第1の基板上の露光の位置合わせの機会を増加さ
せ、位置合わせマージンを確保した製造工程を行った場
合、カラーフィルタ・オン・TFTの目的である開口率
や透過率を上げて明るい液晶表示装置を提供する本来の
目的が損なわれる問題がある。
Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-202356, in order to rotate liquid crystal molecules horizontally with respect to the first substrate, a common electrode not having a comb-like shape is provided on the first substrate and an insulating film is provided thereon. Although a configuration in which a comb-shaped pixel electrode is formed is disclosed, a color filter is not formed on the first substrate, and a color filter on TF
There is no technical disclosure that includes the problem with T. On the other hand, Japanese Patent Laying-Open No. 2000-111957 discloses one type of a color filter-on-TFT using an IPS system, but a transparent insulating film is formed between a pixel electrode and a common electrode in a sectional structure. As a basic configuration, the resin color layer constituting the color filter CF layer is configured to have a predetermined thickness of red (R), green (G), and blue (B) according to a specified coloration of each pixel. And patterned. Therefore, after forming a normal TFT, three photo-patterning steps are performed to form R, G, and B of the color filter layer.
One of the pixel electrodes or the common electrode is formed as a comb electrode,
After that, a transparent insulating film is formed, and the other comb electrode of the pixel electrode or the common electrode is to be formed thereon, which has a problem that the process is extremely long. Further, such a long process increases the chances of alignment of exposure on the first substrate on which the TFT is formed, and when a manufacturing process with an alignment margin is performed, a color filter-on-TFT process is performed. There is a problem that the original purpose of providing a bright liquid crystal display device by increasing the aperture ratio and the transmittance, which are the objects, is impaired.

【0007】本発明の目的は上記課題の解決に有り、そ
の第1の目的は画素毎にスルーホールを形成せずに、第
1のガラス基板上に、液晶層を駆動する画素電極、共通
電極が配置され、さらに、カラーフィルタ層も内蔵する
TFT液晶表示装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems. A first object of the present invention is to form a pixel electrode for driving a liquid crystal layer and a common electrode on a first glass substrate without forming a through hole for each pixel. Are provided, and a TFT liquid crystal display device further including a color filter layer is provided.

【0008】また第2の目的は、簡略な製造方法を用い
て、液晶分子を基板に水平に回転させて視野角の広い液
晶表示装置を形成する際に第1の基板上にTFTのみな
らずCFを形成した液晶表示装置およびその製造方法を
提供することである。
A second object is to form a liquid crystal display device having a wide viewing angle by rotating liquid crystal molecules horizontally on a substrate by using a simple manufacturing method. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a CF formed thereon and a method of manufacturing the same.

【0009】さらに第3の目的は、開口率あるいは透過
率が高い液晶表示装置およびその製造方法を提供するこ
とである。
A third object is to provide a liquid crystal display device having a high aperture ratio or transmittance and a method of manufacturing the same.

【0010】本発明の更なる目的は本明細書において明
らかになるであろう。
[0010] Further objects of the present invention will become apparent herein.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の代表的手段を簡単に説明すると、次のようになる。
The following is a brief description of typical means for solving the above-mentioned problems.

【0012】(手段1)第1と第2の透明な基板と、前
記第1と第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第
1の基板は複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び
前記映像信号線と前記走査信号線に囲まれた領域として
形成される複数の画素領域を有し、各画素領域は少なく
とも1つのアクティブ素子と画素電極を有し、該画素電
極と前記液晶層の間にカラーフィルタ層を有する液晶表
示装置において、走査信号線延在方向に隣接する画素の
カラーフィルタの境界が前記映像信号線上に位置づけら
れていると共に、該境界部と該映像信号線に重畳して前
記カラーフィルタと前記液晶層の間に遮光層を形成する
ものである。
(Means 1) There are first and second transparent substrates, and a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates.
One substrate has a plurality of video signal lines, a plurality of scanning signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines, and each pixel region has at least one pixel region. In a liquid crystal display device having an active element and a pixel electrode, and having a color filter layer between the pixel electrode and the liquid crystal layer, a boundary of a color filter of a pixel adjacent in a scanning signal line extending direction is on the video signal line. And a light shielding layer is formed between the color filter and the liquid crystal layer so as to overlap the boundary portion and the video signal line.

【0013】これにより工程の短縮、及び映像信号線上
にカラーフィルタの境界を設け、かつ該境界領域を遮光
する遮光層を設けることで、位置合わせマージンを低減
でき、開口率を向上した液晶表示装置が実現できる。
Thus, the liquid crystal display device can reduce the alignment margin and improve the aperture ratio by shortening the process and providing a boundary of the color filter on the video signal line and providing a light shielding layer for shielding the boundary region. Can be realized.

【0014】(手段2)第1と第2の透明な基板と、前
記第1と第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第
1の基板は複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び
前記映像信号線と前記走査信号線に囲まれた領域として
形成される複数の画素領域を有し、各画素領域は少なく
とも1つのアクティブ素子と画素電極と共通電極とを有
し、該画素電極と前記液晶層の間にカラーフィルタを有
する液晶表示装置において、前記共通電極は前記カラー
フィルタより上層に形成され、前記画素電極は前記カラ
ーフィルタより下層に形成され、前記カラーフィルタは
前記画素領域において少なくとも前記画素電極全面に重
畳して形成するものである。
(Means 2) The device has first and second transparent substrates and a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates.
One substrate has a plurality of video signal lines, a plurality of scanning signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines, and each pixel region has at least one pixel region. In a liquid crystal display device having an active element, a pixel electrode, and a common electrode, and having a color filter between the pixel electrode and the liquid crystal layer, the common electrode is formed above the color filter, and the pixel electrode is The color filter is formed below the color filter, and the color filter is formed so as to overlap at least the entire surface of the pixel electrode in the pixel region.

【0015】これにより、画素毎にスルーホールを形成
せずに、第1のガラス基板上に液晶層を駆動する画素電
極、共通電極が配置し、さらにカラーフィルタ層も内蔵
するTFT液晶表示装置を提供できる。
Thus, a TFT liquid crystal display device in which a pixel electrode and a common electrode for driving a liquid crystal layer are arranged on a first glass substrate without forming a through hole for each pixel, and further, a color filter layer is built in. Can be provided.

【0016】(手段3)第1と第2の透明な基板と、前
記第1と第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第
1の基板は複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び
前記映像信号線と前記走査信号線に囲まれた領域として
形成される複数の画素領域を有し、各画素領域は少なく
とも1つのアクティブ素子と画素電極と共通電極とを有
し、該画素電極と前記液晶層の間にカラーフィルタを有
する液晶表示装置において、前記共通電極及び画素電極
は前記カラーフィルタ層より下層に形成され、前記カラ
ーフィルタは前記画素領域において少なくとも前記画素
電極及び前記共通電極の全面に重畳して形成するもので
ある。
(Means 3) There are first and second transparent substrates, and a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates.
One substrate has a plurality of video signal lines, a plurality of scanning signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines, and each pixel region has at least one pixel region. In a liquid crystal display device having an active element, a pixel electrode, and a common electrode, and having a color filter between the pixel electrode and the liquid crystal layer, the common electrode and the pixel electrode are formed below the color filter layer; The color filter is formed so as to overlap at least the entire surface of the pixel electrode and the common electrode in the pixel region.

【0017】本手段でも、手段2と同様に画素毎にスル
ーホールを形成せずに、第1のガラス基板上に液晶層を
駆動する画素電極、共通電極を配置し、さらにカラーフ
ィルタ層も内蔵するTFT液晶表示装置を提供できる。
In this means, a pixel electrode for driving a liquid crystal layer and a common electrode are arranged on the first glass substrate without forming a through hole for each pixel as in the means 2, and a color filter layer is also incorporated. TFT liquid crystal display device can be provided.

【0018】(手段4)第1と第2の透明な基板と、前
記第1と第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第
1と第2の基板の少なくとも一方に形成された共通電極
を有し、前記第1の基板は複数の映像信号線、複数の走
査信号線、及び前記映像信号線と前記走査信号線に囲ま
れた領域として形成される複数の画素領域を有し、各画
素領域は少なくとも1つのアクティブ素子と画素電極を
有し、該画素電極と前記液晶層の間にカラーフィルタ層
を有する液晶表示装置において、前記カラーフィルタは
前記画素電極と前記共通電極の間に形成され、前記液晶
層の駆動用電界は前記画素電極及び前記共通電極の間に
前記液晶層及び前記カラーフィルタの双方を通過する経
路にて形成される構成とするものである。
(Means 4) There are first and second transparent substrates, and a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, formed on at least one of the first and second substrates. Having a common electrode, the first substrate includes a plurality of video signal lines, a plurality of scanning signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines. Wherein each pixel region has at least one active element and a pixel electrode, and wherein the color filter comprises a color filter layer between the pixel electrode and the liquid crystal layer. And the driving electric field of the liquid crystal layer is formed between the pixel electrode and the common electrode through a path passing through both the liquid crystal layer and the color filter.

【0019】このように配置にすることにより、カラー
フィルタ層の各画素にスルーホールを形成しなくても、
カラーフィルタ層と第2の基板に挟まれた液晶層に駆動
用電界が印加される。カラーフィルタにスルーホールを
設けないので、各層レイヤ間の合わせ精度が向上するの
で、開口率が向上し明るいTFT液晶表示装置が実現で
きる。
With this arrangement, even if a through hole is not formed in each pixel of the color filter layer,
A driving electric field is applied to the liquid crystal layer sandwiched between the color filter layer and the second substrate. Since no through hole is provided in the color filter, the accuracy of alignment between the layers is improved, so that an aperture ratio is improved and a bright TFT liquid crystal display device can be realized.

【0020】さらに本発明の手段の例を説明すると次の
ようになる。
Further, examples of the means of the present invention will be described as follows.

【0021】液晶層により大きい電界を印加するために
は、前記カラーフィルタ層に形成された画素あるいは共
通電極を平面的にくし歯形状として、そのカラーフィル
タ下部の共通電極あるいは画素電極を矩形にして、少な
くとも上記くし歯電極の端部が下部の矩形電極と重畳
し、共通電極と画素電極間の電界強度が上記のように共
通電極と画素電極の間に挟む絶縁膜の膜厚で規定するよ
うにすれば良い。また、画素あるいは共通電極を平面的
にくし歯形状として、そのカラーフィルタ下部の共通電
極あるいは画素電極を矩形にして、少なくとも上記くし
歯電極の端部が下部の矩形電極と重畳し、共通電極と画
素電極間の電界強度が上記のように共通電極と画素電極
の間に挟む絶縁膜の膜厚で規定するようにして、その上
部にカラーフィルタ層を形成させても良い。
In order to apply a larger electric field to the liquid crystal layer, the pixels or the common electrode formed on the color filter layer are made to have a comb shape in a plane, and the common electrode or the pixel electrode below the color filter is made rectangular. At least the end of the comb electrode overlaps the lower rectangular electrode, and the electric field strength between the common electrode and the pixel electrode is defined by the thickness of the insulating film sandwiched between the common electrode and the pixel electrode as described above. You can do it. Further, the pixel or the common electrode has a comb shape in a plane, the common electrode or the pixel electrode below the color filter is rectangular, and at least the end of the comb electrode overlaps the lower rectangular electrode, and the common electrode and the common electrode have the same shape. As described above, the color filter layer may be formed above the electric field strength between the pixel electrodes so as to be determined by the thickness of the insulating film sandwiched between the common electrode and the pixel electrodes.

【0022】本発明の他の目的を達成する液晶表示装置
は、カラーフィルタ層を少なくとも2層以上重ねてTF
Tの遮光膜として働きを持たせて、工程を簡略化する。
According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising at least two color filter layers,
The process is simplified by functioning as a T light-shielding film.

【0023】本発明の他の目的を達成する液晶表示装置
は、カラーフィルタ層は隣り合うドレイン配線にそって
分離して重ならないようにするか、各画素毎に分離する
ことにより、透過率の高いカラーフィルタを使用できる
とともに、カラーフィルタ層自身を電極として利用でき
るので、駆動電圧が低く、明るいTFT液晶表示装置が
提供できる。
In a liquid crystal display device which achieves another object of the present invention, the color filter layer is separated along adjacent drain wirings so as not to overlap with each other or separated for each pixel to thereby reduce transmittance. Since a high color filter can be used and the color filter layer itself can be used as an electrode, a driving liquid crystal display device with a low driving voltage and a low brightness can be provided.

【0024】また明るいTFT液晶表示装置を提供する
ための手段をさらに説明すると、次のようになる。
Further, the means for providing a bright TFT liquid crystal display device will be further described as follows.

【0025】第1と第2の透明な基板と、前記第1と第
2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第1の基板は
複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び前記映像信
号線と前記走査信号線の隣接する各信号線により囲まれ
た領域として形成される画素領域を有し、各画素領域は
少なくとも1つのアクティブ素子と画素電極を有する液
晶表示装置において、前記映像信号線上に絶縁膜を介し
て遮光層と共通電極を積層して有し、前記遮光層が金属
であり、前記共通電極が透明導電体であることを特徴と
する液晶表示装置。
The liquid crystal display has a first and a second transparent substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the first and the second substrates. The first substrate has a plurality of video signal lines and a plurality of scanning signal lines. And a pixel region formed as a region surrounded by each signal line adjacent to the video signal line and the scanning signal line, wherein each pixel region has at least one active element and a pixel electrode. A liquid crystal display device having a light-shielding layer and a common electrode laminated on the video signal line via an insulating film, wherein the light-shielding layer is metal and the common electrode is a transparent conductor.

【0026】さらに、前記共通電極のうちの前記映像信
号線上の部分は前記遮光層より幅広であることを特徴と
する。
Furthermore, a portion of the common electrode on the video signal line is wider than the light shielding layer.

【0027】さらに、前記共通電極は前記遮光層の上層
に積層していることを特徴とする。
Furthermore, the invention is characterized in that the common electrode is laminated on the light shielding layer.

【0028】さらに、前記共通電極は前記遮光層の下層
に積層していることを特徴とする。
Furthermore, the invention is characterized in that the common electrode is laminated below the light shielding layer.

【0029】さらに、前記共通電極は、前記映像信号線
上で前記遮光層と重畳し、前記映像信号線間の表示領域
では前記共通電極は前記遮光層と重畳していないことを
特徴とする。
Further, the common electrode overlaps with the light shielding layer on the video signal line, and the common electrode does not overlap with the light shielding layer in a display area between the video signal lines.

【0030】さらに、前記画素電極は櫛歯状であること
を特徴とする。
Further, the pixel electrode is comb-shaped.

【0031】さらに、前記画素電極が櫛歯状であり、前
記絶縁膜より下側に形成されていることを特徴とする。
Further, the pixel electrode is comb-shaped, and is formed below the insulating film.

【0032】さらに、前記絶縁膜がカラーフィルタであ
り、前記映像信号線に位置づけて境界部を有することを
特徴とする。
Further, the invention is characterized in that the insulating film is a color filter and has a boundary portion positioned at the video signal line.

【0033】さらに、前記絶縁膜が有機膜であることを
特徴とする。
Furthermore, the invention is characterized in that the insulating film is an organic film.

【0034】さらに、前記遮光層が前記走査信号線上に
も構成されていることを特徴とする。
Further, the light shielding layer is also formed on the scanning signal line.

【0035】本発明の更なる手段、効果は請求項を含む
本明細書において明らかになるであろう。
Further measures and advantages of the invention will become apparent from the description, including the claims.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。なお、以下の実施例で、半導体膜はアモ
ルファスシリコン(a−Si)、透明導電膜はITOを
代表させたが、これは多結晶シリコンや巨大結晶シリコ
ン、単結晶シリコンでもよい。また他の透明導電膜であ
るインジュウム亜鉛酸化物(IZO)、InO2、Sn
O2,ZnO,それらの混合物もしくはInを含む導電
性酸化物を用いても良い。また、TFTの配線に関する
呼称としては、走査配線をゲート配線、映像信号配線を
ドレイン配線とする。また、TFTのソース、ドレイン
電極は、ドレイン配線側に接続されたTFT部分の電極
をドレイン電極、TFTのチャネル長領域を挟んで画素
電極側をソース電極と呼ぶ。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, the semiconductor film is represented by amorphous silicon (a-Si) and the transparent conductive film is represented by ITO. However, this may be polycrystalline silicon, giant crystalline silicon, or single crystal silicon. In addition, other transparent conductive films such as indium zinc oxide (IZO), InO 2, and Sn
O2, ZnO, a mixture thereof, or a conductive oxide containing In may be used. In addition, as for names of TFT wiring, a scanning wiring is a gate wiring and a video signal wiring is a drain wiring. As for the source and drain electrodes of the TFT, the electrode of the TFT portion connected to the drain wiring side is called a drain electrode, and the pixel electrode side with the channel length region of the TFT interposed is called a source electrode.

【0037】〔実施例1〕図1、図2は、実施例1に係
わる方式の液晶表示装置の画素部の構造を示す。図1は
図2のA−A'線上の断面を示す。
[Embodiment 1] FIGS. 1 and 2 show a structure of a pixel portion of a liquid crystal display device of a system according to Embodiment 1. FIG. FIG. 1 shows a cross section taken along line AA ′ of FIG.

【0038】まず、図1を用いて説明する。ガラス基板
を用いた第1の基板SUB1上には、MoやCrあるい
はAlよりなるゲート配線(ゲート電極)GLが配置さ
れ、このゲート配線GLを覆うようにSiNからなるゲ
ート絶縁膜GIが形成されている。ゲート配線GLは走
査用駆動電圧が供給される。また、ゲート配線GL上に
はゲート絶縁膜GIを介してアモルファスシリコンから
なる半導体膜ASが配置され、薄膜トランジスタ(TF
T)のチャネル層として機能するようになっている。ま
た、リンを高濃度にドープした半導体層d0を仲介とし
て、Mo 、CrあるいはAlによりドレイン電極SD
1、ソース電極SD2が配置され、これらを被覆するよ
うにSiNを用いた保護膜PSVが形成されている。上
記ドレイン電極SD1は実体として映像用信号電圧の供
給されるドレイン配線DLの一部を構成している。そし
て、保護膜PSVに貫通したスルーホールCNを介して
ソース電極SD2に接続するITOなどの透明導電膜を
用いた画素電極PXが保護膜PSV上に配置されてい
る。
First, a description will be given with reference to FIG. A gate wiring (gate electrode) GL made of Mo, Cr or Al is arranged on a first substrate SUB1 using a glass substrate, and a gate insulating film GI made of SiN is formed so as to cover the gate wiring GL. ing. A scanning drive voltage is supplied to the gate line GL. On the gate line GL, a semiconductor film AS made of amorphous silicon is disposed via a gate insulating film GI, and a thin film transistor (TF)
T) functions as a channel layer. The drain electrode SD is made of Mo, Cr or Al through the semiconductor layer d0 doped with phosphorus at a high concentration.
1. A source electrode SD2 is arranged, and a protective film PSV using SiN is formed so as to cover them. The drain electrode SD1 actually constitutes a part of the drain wiring DL to which the video signal voltage is supplied. Then, a pixel electrode PX using a transparent conductive film such as ITO connected to the source electrode SD2 through the through hole CN penetrating the protective film PSV is disposed on the protective film PSV.

【0039】そして本実施例では、前記画素電極PX上
にカラーフィルタ層FILが形成されている。ここで平
面的には、画素電極PXは、1画素の領域、すなわち、
隣り合うドレイン配線DL、隣り合うゲート配線で区切
られた1画素領域の内側に矩形になっている。 カラー
フィルタFILは有機材料を用いており、その平面パタ
ーンは縦ストライプパターンとなっている。むろんスト
ライプ状に限るものではなく、長方形状、あるいは特に
画素配列がいわゆるデルタ配置の場合は正方形状でもよ
い。図1に示すように、例えば、緑色のカラーフィルタ
層FIL(G)と赤色のカラーフィルタ層FIL(R)
はドレイン配線DL上で色のパターンが区切られてい
る。
In this embodiment, a color filter layer FIL is formed on the pixel electrode PX. Here, in plan view, the pixel electrode PX is an area of one pixel, that is,
A rectangular shape is formed inside one pixel region separated by an adjacent drain wiring DL and an adjacent gate wiring. The color filter FIL uses an organic material, and its planar pattern is a vertical stripe pattern. Of course, the present invention is not limited to the stripe shape, but may be a rectangular shape or a square shape particularly when the pixel arrangement is in a so-called delta arrangement. As shown in FIG. 1, for example, a green color filter layer FIL (G) and a red color filter layer FIL (R)
Indicates a color pattern on the drain wiring DL.

【0040】さらに、上記カラーフィルタ層FIL上に
は、遮光膜BMと共通電極配線CL、共通電極CTが配
置されている。図2の平面パターンを見ると、遮光膜B
Mはドレイン配線DL、ゲート配線GL上に形成されて
おり、 半導体層ASに表面からの入射光が直接あたら
ない構造となっている。一方、共通電極配線CLは同様
に、ドレイン配線DL及びゲート配線GL上に配置され
た網の目状パターンなっている。その幅は遮光膜BMを
より幅広く、それは下部の画素電極PXとカラーフィル
タ層FILを介して重なるパターンとなっている。 ま
た、共通電極CTは共通電極配線CLの一部となってお
り、画素領域でくし歯形状部を有する。本実施例では、
遮光膜BMはCrやMoの金属膜、共通電極配線CLは
ITOなどの透明導電膜で構成されている。この共通電
極及びその間隙のカラーフィルタFIL上には配向膜O
RIが形成されており、その表面は配向処理されてい
る。
Further, on the color filter layer FIL, a light shielding film BM, a common electrode wiring CL, and a common electrode CT are arranged. Looking at the planar pattern of FIG.
M is formed on the drain wiring DL and the gate wiring GL, and has a structure in which incident light from the surface does not directly hit the semiconductor layer AS. On the other hand, the common electrode wiring CL similarly has a mesh pattern arranged on the drain wiring DL and the gate wiring GL. The width of the light-shielding film BM is wider than that of the light-shielding film BM, and the pattern overlaps the lower pixel electrode PX via the color filter layer FIL. The common electrode CT is a part of the common electrode line CL, and has a comb-shaped portion in the pixel region. In this embodiment,
The light shielding film BM is made of a metal film of Cr or Mo, and the common electrode wiring CL is made of a transparent conductive film such as ITO. An alignment film O is formed on the common electrode and the color filter FIL in the gap.
RI is formed, and its surface is subjected to an orientation treatment.

【0041】なお、遮光層BMをCrやMoの金属膜、
共通電極を透明導電膜で構成し、ドレイン上部にカラー
フィルタFILで離間して遮光層と共通電極、あるいは
共通電極配線の積層構造を設けることには、ドレイン配
線DL近傍の遮光によるコントラスト比の向上と共通電
極と透明電極とすることによる開口率向上の2つの利点
がある。なお映像信号線上の共通電極配線CLは共通電
極CTとしても働くため、呼称の仕方は必ずしも重要で
はない。図1ではDL上で遮光層BMより幅広に透明の
共通電極が積層しているが、これによりDL上の共通電
極の端部も光透過領域として利用できるため、さらに開
口率の向上が実現する。また透明電極を遮光層の上層と
しているが、これには酸化物であることにより安定性の
高い透明導電体を上層とすることで、その下の金属性の
遮光層が保護される効果がある。この場合、金属性の遮
光層を成膜し、その後塗布、露光、現像、エッチングに
よりまず金属層を形成し、その後透明導電体層を成膜
し、塗布、露光、現像、エッチングにより画素内の共通
電極を透明電極のみで構成することができる。むろん、
その逆に金属性の遮光層を上層に、透明電極の共通電極
を下層としてもよい。この場合、金属層と透明導電体層
を一括成膜した後、金属層をホト、露光、現像、エッチ
ングし、その後透明導電体層をホト、露光、現像、エッ
チングすることで画素内の共通電極を透明電極のみで構
成し光透過領域とすることができ、金属層と透明導電体
層の連続成膜が可能となり金属層と透明導電体層間のコ
ンタクトや密着性が改善するという効果がある。また遮
光層BMはゲート配線GL上にも形成してマトリックス
状にしてもよい。給電抵抗の低減により画質向上が図れ
ると共に、TFTの遮光のための遮光層が対向基板側に
不要となるため、さらに開口率の向上が図れるからであ
る。また、上記効果はドレイン配線DLと遮光層BMの
離間がカラーフィルタである必要は必ずしも無く、有機
絶縁膜、あるいは無機絶縁膜でも良い。ドレイン配線D
Lの寄生容量低減の観点からは、低誘電率である有機絶
縁膜であることが望ましい。また、画素電極PXがいわ
ゆるIPS的配置として櫛歯状に構成され、該画素電極
PXと上記共通電極CT間の基板と平行な成分を有する
いわゆる横電界で液晶分子を駆動する構成であっても、
上記効果を奏することができる。なお、上記説明のう
ち、遮光層が上層の場合、カラーフィルタの代わりに有
機絶縁膜を用いた場合、画素電極PXが櫛歯状の場合、
ゲート配線GL上に遮光層を設けた場合、およびこれらを
組み合わせた場合の構成はあえて図示してはいない。当
業者なれば、上記説明により構造上の変更点が容易に理
解できるからである。
The light shielding layer BM is made of a metal film of Cr or Mo,
Providing the common electrode with a transparent conductive film and providing a stacked structure of the light-shielding layer and the common electrode or the common electrode wiring separated from each other by the color filter FIL above the drain requires an improvement in contrast ratio due to light shielding near the drain wiring DL. There are two advantages of improving the aperture ratio by using the common electrode and the transparent electrode. Since the common electrode wiring CL on the video signal line also functions as the common electrode CT, the way of naming is not always important. In FIG. 1, a transparent common electrode is laminated on the DL wider than the light-shielding layer BM. However, the end of the common electrode on the DL can also be used as a light transmitting region, thereby further improving the aperture ratio. . Although the transparent electrode is used as the upper layer of the light-shielding layer, it is effective to protect the metallic light-shielding layer thereunder by using a transparent conductor having high stability by being an oxide as the upper layer. . In this case, a metal light-shielding layer is formed, and then a metal layer is first formed by coating, exposing, developing, and etching. The common electrode can be composed of only the transparent electrode. Of course,
Conversely, a metallic light-shielding layer may be an upper layer, and a common electrode of a transparent electrode may be a lower layer. In this case, after forming a metal layer and a transparent conductor layer all at once, the metal layer is photo-exposed, developed, and etched, and then the transparent conductor layer is photo-exposed, developed and etched to form a common electrode in the pixel. Can be formed as a light-transmitting region by using only a transparent electrode, and a metal layer and a transparent conductor layer can be continuously formed, which has an effect of improving contact and adhesion between the metal layer and the transparent conductor layer. Further, the light shielding layer BM may be formed on the gate wiring GL to form a matrix. This is because the image quality can be improved by reducing the power supply resistance, and a light-shielding layer for shielding the TFT from light is not required on the counter substrate side, so that the aperture ratio can be further improved. In addition, the effect described above does not necessarily require that the separation between the drain wiring DL and the light shielding layer BM be a color filter, but may be an organic insulating film or an inorganic insulating film. Drain wiring D
From the viewpoint of reducing the parasitic capacitance of L, an organic insulating film having a low dielectric constant is desirable. Further, even if the pixel electrode PX is configured in a comb-like configuration as a so-called IPS arrangement, and the liquid crystal molecules are driven by a so-called lateral electric field having a component parallel to the substrate between the pixel electrode PX and the common electrode CT. ,
The above effects can be obtained. In the above description, when the light-shielding layer is an upper layer, when an organic insulating film is used instead of a color filter, when the pixel electrode PX has a comb-like shape,
The configuration in the case where the light shielding layer is provided on the gate wiring GL and the configuration in the case where they are combined are not shown in the figure. This is because those skilled in the art can easily understand structural changes from the above description.

【0042】また、ゲート配線GL上のみに遮光層と共
通電極配線CLの積層構造を設けても良い。遮光層が金
属層であることによる給電抵抗の低減効果は奏すること
ができる。また、特にノーマリーブラックモードの場合
には透明電極上の液晶は同電位であれば動作しない、す
なわち黒表示となりコントラストの大幅な低減は生じな
いため、ドレイン配線DL上を透明な共通電極CTある
いは共通電極配線CLのみで構成しても、実用可能な一
定の画質を実現することができる。
Further, a laminated structure of the light shielding layer and the common electrode line CL may be provided only on the gate line GL. Since the light shielding layer is a metal layer, the effect of reducing the power supply resistance can be achieved. Further, particularly in the case of the normally black mode, the liquid crystal on the transparent electrode does not operate if the potential is the same, that is, the display becomes black and the contrast is not greatly reduced. Even if it is constituted only by the common electrode wiring CL, it is possible to realize a practicable constant image quality.

【0043】一方、ガラスよりなる第2の基板SUB2
にもの内側に配向膜ORIが形成され、その表面はラビ
ング処理されている。そして、第1のガラス基板SUB
1と第2のガラス基板SUB2が、配向膜ORI形成面
で対向配置され、これらの間に液晶層LCが配置されて
いる。また第1及び第2のガラス基板SUB1、SUB
2の外側の面には偏光板POLが形成されている。な
お、前記第1の基板SUB1及び第2の基板SUB2は
ガラスに限られるものではなく、プラスチック等の透明
基板でも良い。
On the other hand, a second substrate SUB2 made of glass
An orientation film ORI is formed inside the substrate, and its surface is rubbed. Then, the first glass substrate SUB
The first and second glass substrates SUB2 are opposed to each other on the alignment film ORI formation surface, and a liquid crystal layer LC is disposed between them. Also, the first and second glass substrates SUB1, SUB
A polarizing plate POL is formed on the outer surface of the second POL. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are not limited to glass, and may be transparent substrates such as plastic.

【0044】以上のように形成されたTFT液晶表示装
置では、液晶層LCに電界が掛かっていないときは、液
晶層LCにおける液晶分子は第1のガラス基板SUB1
に対してほぼ平行な状態となるホモジニアス配向をして
いる。但し、初期配向状態を限定するものではない。第
1のガラス基板SUB1に形成された共通電極CT及び
共通電極配線CLと画素電極PX間に電圧差を加えると
電界が発生し、閾値電界以上の値では液晶分子が回転
し、透過率が制御される。 液晶層にかかる電気力線は
共通電極CTから液晶層LC及びカラーフィルタ層FI
Lを通り画素電極PXに至る。 本構造では、基板に対
する横方向の電界成分を多く含むので液晶分子が基板に
対して回転する成分が支配的になり、視野角が広い液晶
表示装置が得られる。また、画素領域内のくし歯状の共
通電極CTと画素電極PXはカラーフィルタ層FILを
挟んで重なっており、液晶層LCに印加される最大電界
はカラーフィルタ層FILの厚さで規定される。 カラ
ーフィルタ層は1〜2μmの樹脂層で形成されている。
本方式は、第1ガラス基板SUB1上の平面的な寸法で
画素電極PXと共通電極CT間の最大電界を規定する、
例えば、特開平2000−111957号公報のIPS
方式の液晶表示装置に比べて、駆動電圧を小さくでき
る。 また、上記公報は画素カラーフィルタ上にさらに
透明絶縁膜を形成し、これを挟むように画素電極と共通
電極を配置しており、この透明絶縁膜の成膜とそこに形
成されるパターンニングの分だけ、本実施例は工程を簡
略できると共に、層間の合わせ回数を削減できるので開
口率を向上し、明るい液晶表示が提供できる。
In the TFT liquid crystal display device formed as described above, when an electric field is not applied to the liquid crystal layer LC, the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LC are changed to the first glass substrate SUB1.
Are homogeneously aligned with each other in a substantially parallel state. However, the initial alignment state is not limited. When a voltage difference is applied between the common electrode CT and the common electrode wiring CL formed on the first glass substrate SUB1 and the pixel electrode PX, an electric field is generated. When the voltage is equal to or larger than the threshold electric field, the liquid crystal molecules rotate and the transmittance is controlled. Is done. The lines of electric force applied to the liquid crystal layer are transmitted from the common electrode CT to the liquid crystal layer LC and the color filter layer FI.
Through L, it reaches the pixel electrode PX. In this structure, since a large amount of the electric field component in the lateral direction with respect to the substrate is included, the component in which the liquid crystal molecules rotate with respect to the substrate becomes dominant, and a liquid crystal display device having a wide viewing angle can be obtained. Further, the comb-shaped common electrode CT and the pixel electrode PX in the pixel region overlap each other with the color filter layer FIL interposed therebetween, and the maximum electric field applied to the liquid crystal layer LC is defined by the thickness of the color filter layer FIL. . The color filter layer is formed of a 1-2 μm resin layer.
This method defines the maximum electric field between the pixel electrode PX and the common electrode CT with a planar dimension on the first glass substrate SUB1.
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-111957 discloses an IPS
The driving voltage can be reduced as compared with the liquid crystal display device of the system. Further, in the above publication, a transparent insulating film is further formed on a pixel color filter, and a pixel electrode and a common electrode are arranged so as to sandwich the transparent insulating film. This transparent insulating film is formed and the patterning formed thereon is performed. In this embodiment, the steps can be simplified, and the number of layers can be reduced, so that the aperture ratio can be improved and a bright liquid crystal display can be provided.

【0045】次に、製造方法の一例について説明する。
まず、図3(a)に示すように、Cr、Mo、あるいは
AlとMoの積層膜を成膜して、これをホトリソグラフ
ィおよびエッチング技術によりパターニングすることに
より、第1のガラス基板SUB1上にゲート配線GLを
形成する。
Next, an example of the manufacturing method will be described.
First, as shown in FIG. 3A, a laminated film of Cr, Mo, or Al and Mo is formed, and is patterned by photolithography and etching to form a film on the first glass substrate SUB1. The gate wiring GL is formed.

【0046】次に、図3(b)に示すように、ゲート配
線GLを含む第1のガラス基板SUB1上にSiNから
なるゲート絶縁膜GIを形成し、これを介してゲート配
線GL上にアモルファスシリコンからなる半導体膜A
S、高濃度半導体膜d0を形成する。この半導体膜AS
とリンを添加したn型高濃度半導体膜d0は、ゲート絶
縁膜GI、半導体膜AS、高濃度半導体膜d0を連続的
に成膜し、ホトリソグラフィおよびエッチング技術によ
り高濃度半導体膜d0および半導体膜ASパターンニン
グすることにより形成される。
Next, as shown in FIG. 3B, a gate insulating film GI made of SiN is formed on the first glass substrate SUB1 including the gate wiring GL, and an amorphous film is formed on the gate wiring GL through this. Semiconductor film A made of silicon
S, a high concentration semiconductor film d0 is formed. This semiconductor film AS
An n-type high-concentration semiconductor film d0 to which phosphorus and phosphorus are added is formed by continuously forming a gate insulating film GI, a semiconductor film AS, and a high-concentration semiconductor film d0, and using the photolithography and etching techniques to form the high-concentration semiconductor film d0 and the semiconductor film. It is formed by AS patterning.

【0047】次に、図3(c)に示すようにドレイン電
極SD1、ソース電極SD2を高濃度半導体膜d0との
パターンと一部重なるように形成する。その後、上記ド
レイン電極SD1,ソース電極SD2をマスクとして、
ドライエッチングにより高濃度半導体層d0を除去し
て、TFTのチャネル領域を形成する。ドレイン配線D
Lはドレイン電極SD1と同一工程、材料で形成され
る。
Next, as shown in FIG. 3C, a drain electrode SD1 and a source electrode SD2 are formed so as to partially overlap the pattern with the high-concentration semiconductor film d0. Then, using the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 as a mask,
The channel region of the TFT is formed by removing the high-concentration semiconductor layer d0 by dry etching. Drain wiring D
L is formed by the same process and material as the drain electrode SD1.

【0048】次に、図4(a)に示すように、ドレイン
電極SD1、ソース電極SD2、半導体膜AS、ドレイ
ン配線DLを覆うように、ゲート絶縁膜GI上にSiN
を用いて保護膜PSVを形成する。 引き続き、ホトリ
ソグライフィおよびエッチングにより、ソース電極SD
2上に保護膜PSVのコンタクトホールCNを開口す
る。次に、図4(b)に示すように、保護膜PSV上に
ITOからなる透明導電膜を用いた画素電極PXを形成
する。この画素電極PXは平面的にはほぼ矩形であり、
コンタクトホールCNを介してソース電極SD1に接続
される。
Next, as shown in FIG. 4A, SiN is formed on the gate insulating film GI so as to cover the drain electrode SD1, the source electrode SD2, the semiconductor film AS, and the drain wiring DL.
Is used to form a protective film PSV. Subsequently, the source electrode SD is formed by photolithography and etching.
Then, a contact hole CN of the protective film PSV is opened on 2. Next, as shown in FIG. 4B, a pixel electrode PX using a transparent conductive film made of ITO is formed on the protective film PSV. The pixel electrode PX is substantially rectangular in plan,
Connected to source electrode SD1 via contact hole CN.

【0049】次に、図5(a)に示すように、保護膜P
SV及び画素電極PX上にカラーフィルタ層FILを形
成する。 カラーフィルタ層FILは、例えば、赤色
(R)、緑色(G)、もしくは青色(B)の染料あるい
は顔料を含んだ樹脂膜から形成される。 これは、例え
ば、赤色などの所望の光学特性が得られる顔料を、アク
リルをベースにした感光性樹脂中に分散した顔料分散レ
ジストを用いる。まず、顔料分散レジストを画素電極P
X、保護膜PSV上に塗布し、これをホトマスクを用い
て隣合うドレイン配線DL上にパターンエッジが来るよ
うに、露光、現像し形成する。 これらの工程を、色
数、例えば、赤(R)、青(B)、緑(G)の3色分3
回繰り返すことで、カラーフィルタ層FILが形成でき
る。
Next, as shown in FIG.
A color filter layer FIL is formed on the SV and the pixel electrode PX. The color filter layer FIL is formed of, for example, a resin film containing a red (R), green (G), or blue (B) dye or pigment. For this, for example, a pigment-dispersed resist obtained by dispersing a pigment capable of obtaining desired optical characteristics such as red in an acrylic-based photosensitive resin is used. First, a pigment dispersion resist is applied to the pixel electrode P.
X, is applied on the protective film PSV, and is exposed and developed using a photomask so that a pattern edge comes on the adjacent drain wiring DL. These steps are performed by the number of colors, for example, three (3) colors of red (R), blue (B), and green (G).
By repeating the process a number of times, a color filter layer FIL can be formed.

【0050】次に、図5(b)に示すように、Crある
いはMoの遮光膜BMを形成し、最終的に、ITOを用
いた透明導電膜で共通電極配線CLおよび共通電極CT
を形成する。共通電極配線CLはドレイン配線DLをカ
ラーフィルタFILを介して蓋をするように形成する。
共通電極CTはくし歯状でカラーフィルタFILを介
して下部の画素電極PXと重なっている。なお、上記遮
光膜BMは金属膜で形成しているが、この場合CLと合
わせて共通電位をより低抵抗化に伝達できるという利点
もある。また樹脂膜でも良く、この場合CLとDL間の
容量を更に低減できるという効果も有る。また用途によ
っては省略も可能であり、これにより工程が簡略化さ
れ、歩留まりが向上するとともに安価な液晶表示装置が
提供できる。特に半導体膜ASを多結晶シリコンもしく
は巨大結晶シリコンあるいはシリコン多結晶の結晶粒界
同士が隣接した、連続粒界シリコン(Continuo
us Grain Silicon:CGS)を用いた場
合は、光照射で発生するTFTがオフ状態でのドレイン
電極SD1とソース電極SD2間のリーク電流を小さく
できるので、この遮光膜BMは容易に除去できる。
Next, as shown in FIG. 5B, a light shielding film BM of Cr or Mo is formed, and finally, the common electrode wiring CL and the common electrode CT are formed of a transparent conductive film using ITO.
To form The common electrode wiring CL is formed so as to cover the drain wiring DL via the color filter FIL.
The common electrode CT has a comb-like shape and overlaps the lower pixel electrode PX via the color filter FIL. The light-shielding film BM is formed of a metal film. In this case, there is an advantage that the common potential can be transmitted to lower the resistance together with the CL. Also, a resin film may be used. In this case, there is an effect that the capacitance between CL and DL can be further reduced. In addition, it can be omitted depending on the application, thereby simplifying the process, improving the yield, and providing an inexpensive liquid crystal display device. In particular, the semiconductor film AS is formed of continuous grain silicon (Continuo) in which crystal grain boundaries of polycrystalline silicon, giant crystalline silicon, or polycrystalline silicon are adjacent to each other.
In the case of using USS (Grain Silicon: CGS), the leakage current between the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 when the TFT generated by light irradiation is off can be reduced, so that the light shielding film BM can be easily removed.

【0051】以上のように本実施例では、カラーフィル
タFIL上の共通電極CTおよび共通電極配線CLから
の電気力線が図1の液晶層LCを経由、カラーフィルタ
層FILを経てその下部の画素電極PXに至る。この電
気力線で決まる電界で液晶層LC中の液晶分子が回転し
透過率が制御される。さらに、本実施例の画素領域は、
図1及び図2に示すように、カラーフィルタ層FILに
スルーホールを形成していない。これは、第1のガラス
基板SUB1上にカラーフィルタを形成した、特開平2
000−111957号公報で開示された、IPS方式
の液晶表示装置と大きな違いである。これにより、 樹
脂で形成したカラーフィルタFILの各画素にコンタク
トホールを形成する場合に生じるコンタクト不良による
歩留まり低下、及び画素毎でのコンタクト抵抗の違いに
より画素毎での輝度むらの発生根本的に解消することが
出来た。これにより、第1のガラス基板SUB1上に、
画素電極PX、共通電極CTさらにカラーフィルタ層F
ILを形成した広視野角の液晶表示装置として、歩留ま
り品質が高く、画素毎の輝度むらを解消した液晶表示装
置を実現した。
As described above, in this embodiment, the lines of electric force from the common electrode CT and the common electrode line CL on the color filter FIL pass through the liquid crystal layer LC of FIG. It reaches the electrode PX. The liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LC are rotated by the electric field determined by the lines of electric force, and the transmittance is controlled. Further, the pixel area of the present embodiment is:
As shown in FIGS. 1 and 2, no through hole is formed in the color filter layer FIL. This is because a color filter is formed on a first glass substrate SUB1.
This is a great difference from the IPS type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 000-111957. As a result, a reduction in yield due to a contact failure that occurs when a contact hole is formed in each pixel of the color filter FIL formed of resin, and the occurrence of uneven brightness in each pixel due to a difference in contact resistance between pixels is fundamentally eliminated. I was able to do it. Thereby, on the first glass substrate SUB1,
Pixel electrode PX, common electrode CT, and color filter layer F
As a liquid crystal display device with a wide viewing angle formed with an IL, a liquid crystal display device having high yield quality and eliminating luminance unevenness for each pixel has been realized.

【0052】なお、本実施例ではTFTに関して記述し
たが、MIMでもよい。
In this embodiment, the TFT is described, but the MIM may be used.

【0053】また本実施例では画素部の構成につき説明
したものであるが、周辺部には走査信号駆動回路、映像
信号駆動回路、制御回路など種々の回路が設けられ、そ
れにより液晶表示装置が駆動されることは言うまでもな
い。むろんこれら回路の一部あるいは全部が第1の基板
SUB1上に多結晶シリコンもしくは巨大結晶シリコン
あるいはシリコン多結晶の結晶粒界同士が隣接した、連
続粒界シリコンCGSを用いたアクティブ素子により構
成されていても良い。
In this embodiment, the configuration of the pixel portion has been described. However, various circuits such as a scanning signal driving circuit, a video signal driving circuit, and a control circuit are provided in the peripheral portion. It goes without saying that it is driven. Of course, some or all of these circuits are constituted by active elements using continuous grain silicon CGS in which crystal grain boundaries of polycrystalline silicon, giant crystalline silicon, or silicon polycrystal are adjacent to each other on the first substrate SUB1. May be.

【0054】また配線もしくは電極に用いる金属材料
は、上記説明中で示した材料以外にTa,Wなどでも良
い。
The metal material used for the wiring or the electrode may be Ta, W or the like in addition to the materials described in the above description.

【0055】また透過型、もしくはフロントライト方式
の液晶表示装置として構成した場合には、一方の偏光板
の背面にはバックライトユニットが備えられていること
は言うまでもない。
In the case of a transmissive or front-light type liquid crystal display device, it goes without saying that a backlight unit is provided on the back surface of one of the polarizing plates.

【0056】〔実施例2〕本実施例と実施例1の構造上
の違いを図6及び図7を用いて説明する。なお、図6は
図7のB−B'切断線の断面を示している。
[Embodiment 2] The structural difference between this embodiment and Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. FIG. 6 shows a cross section taken along the line BB 'of FIG.

【0057】本実施例の液晶表示装置では、第1のガラ
ス基板SUB1上にはゲート配線GL、共通電極配線C
Lが配置され、さらにITOなどの透明導電膜で形成し
た共通電極CTが、図7に示すように、共通電極配線C
Lと重ねて接続をとる配置となっている。 共通電極C
Tは平面的には、ゲート配線GLやドレイン配線DLと
重ならないようにしながら、矩形形状をなす。 これら
の、第1のガラス基板SUB1の電極、配線を覆うよう
にゲート絶縁膜GIが被覆されている。ゲート絶縁膜G
I上には半導体層AS、ドレイン電極SD1、ソース電
極SD2が形成されており、上記電極と半導体層ASの
接続はリンをドープしたn型の高濃度半導体層d0が形
成されている。上記、ソース電極SD2、ドレイン電極
SD1は実施例1と同様な金属膜で形成されている。ド
レイン電極SD1はドレイン配線DLの一部を構成して
いる。
In the liquid crystal display of this embodiment, the gate wiring GL and the common electrode wiring C are formed on the first glass substrate SUB1.
L, and a common electrode CT formed of a transparent conductive film such as ITO, as shown in FIG.
It is arranged to be connected to L. Common electrode C
T has a rectangular shape in plan view while not overlapping with the gate wiring GL or the drain wiring DL. The gate insulating film GI is coated so as to cover the electrodes and the wiring of the first glass substrate SUB1. Gate insulating film G
On I, a semiconductor layer AS, a drain electrode SD1, and a source electrode SD2 are formed. The connection between the electrode and the semiconductor layer AS is made of a phosphorus-doped n-type high-concentration semiconductor layer d0. The source electrode SD2 and the drain electrode SD1 are formed of the same metal film as in the first embodiment. The drain electrode SD1 forms a part of the drain wiring DL.

【0058】ソース電極SD2に接続された画素電極P
XはITOなどの透明導電膜で形成されており、それは
画素領域内でくし歯形状になっており、このくし歯は、
下部のゲート絶縁膜GIを介して共通電極CTと重なっ
ている。PXは線状領域を有すればよく、その両端が相
互に接続されていても良い。 そして、その画素電極P
X上にはSiNを用いた保護膜PSVが被覆されてい
る。該保護膜PSV上には、カラーフィルタ層FILが
形成されている。その上部には、TFT部分の遮光とド
レイン配線DL周辺のブラックマトリクスを兼ねる遮光
膜BMが形成されている。その上部には配向膜ORIが
形成され、第2のガラス基板SUB2の内側に形成され
た配向膜ORIと同様に配向処理されている。以上のよ
うに本実施例では、保護膜PSV下部にある画素電極P
Xから延びた電気力線が、保護膜PSV、カラーフィル
タ層FIL、液晶層LCを経て、さらに、再度、下部に
降下し、カラーフィルタ層FIL、保護膜PSV、画素
電極PXの間隙のゲート絶縁膜GIを経て、共通電極C
Tに至る。 ここで、用いた液晶の誘電異方性はとくに
規定はしない。但し本構造では正の誘電率異方性を有す
る材料の方が駆動電圧を下げることが可能であり、より
望ましい。
The pixel electrode P connected to the source electrode SD2
X is formed of a transparent conductive film such as ITO, which has a comb shape in the pixel area.
It overlaps with the common electrode CT via the lower gate insulating film GI. The PX may have a linear region, and both ends may be connected to each other. Then, the pixel electrode P
X is covered with a protective film PSV using SiN. A color filter layer FIL is formed on the protective film PSV. Above the light shielding film BM is formed a light shielding film for the TFT portion and a black matrix around the drain wiring DL. An alignment film ORI is formed thereon, and is subjected to an alignment treatment in the same manner as the alignment film ORI formed inside the second glass substrate SUB2. As described above, in the present embodiment, the pixel electrode P under the protective film PSV
The lines of electric force extending from X pass through the protective film PSV, the color filter layer FIL, and the liquid crystal layer LC, and then lower again, and the gate insulation of the gap between the color filter layer FIL, the protective film PSV, and the pixel electrode PX is formed. Through the membrane GI, the common electrode C
It reaches T. Here, the dielectric anisotropy of the used liquid crystal is not particularly defined. However, in the present structure, a material having a positive dielectric anisotropy is more preferable because the driving voltage can be reduced.

【0059】本実施例は実施例1と同様に、この樹脂で
形成したカラーフィルタFILの各画素にコンタクトホ
ールを形成されておらず、従来の公知例に比べて歩留ま
りを高くできる特徴を有する。さらに本実施例は、実施
例1に比べて点欠陥を低減できるという大きな利点をも
つ。以下に、その理由を説明する。
As in the first embodiment, the present embodiment has a feature that a contact hole is not formed in each pixel of the color filter FIL formed of this resin, and the yield can be increased as compared with the conventional known example. Further, this embodiment has a great advantage that point defects can be reduced as compared with the first embodiment. The reason will be described below.

【0060】有機材料と無機材料の間の固着は、有機材
料同士あるいは無機材料同士より難しいことが知られて
いる。しかし実施例1ではカラーフィルタFIL上に導
電性の金属あるいは透明導電体による無機材料である共
通電極CTを形成する必要がある。このため、この共通
電極がFILから製造過程においてはがれやすく、点欠
陥が生じ易い構造となっている。さらに、共通電極CT
は櫛歯状あるいは線状に加工されているため、その幅も
狭く、さらに剥がれやすいものとなっている。FIL状
の構成物が剥がれた場合、それが電極であれば該領域で
は光の制御が不能になり、また光そのものは制御可能で
あっても液晶層のギャップを変動させ、輝度むらにつな
がる。一方本実施例では、FIL上には遮光層を形成す
る。この遮光層は、一例として樹脂で形成する。この場
合遮光層BMとカラーフィルタFILは有機材料同士で
あるので、相対的に剥がれ難い構成となる。また遮光層
BMを金属材料で形成した場合、遮光層であるので実施
例1のCTより幅広で形成できるため、FILとの接触
面積を増加できるため実施例1よりも剥がれ難い構造を
実現できる。すなわち、本実施例では遮光層BMが樹
脂、金属いずれの場合でも、実施例1に比べFIL上の
構成層を剥がれ難いものとでき、歩留まりを向上でき
る。
It is known that adhesion between an organic material and an inorganic material is more difficult than between organic materials or between inorganic materials. However, in the first embodiment, it is necessary to form the common electrode CT which is an inorganic material made of a conductive metal or a transparent conductor on the color filter FIL. For this reason, the common electrode is easily peeled off from the FIL in the manufacturing process, and a point defect is easily generated. Further, the common electrode CT
Is processed into a comb shape or a linear shape, so that its width is narrow and it is easy to peel off. When the FIL-like component is peeled off, if it is an electrode, light control becomes impossible in the region, and even if the light itself can be controlled, the gap of the liquid crystal layer fluctuates, leading to uneven brightness. On the other hand, in this embodiment, a light shielding layer is formed on the FIL. This light shielding layer is formed of a resin, for example. In this case, since the light-shielding layer BM and the color filter FIL are organic materials, they have a configuration that is relatively difficult to peel off. Further, when the light-shielding layer BM is formed of a metal material, since it is a light-shielding layer, it can be formed wider than the CT of the first embodiment, and the contact area with the FIL can be increased. That is, in the present embodiment, even when the light shielding layer BM is made of resin or metal, the constituent layer on the FIL can be made harder to peel off than in Embodiment 1, and the yield can be improved.

【0061】〔実施例3〕図8に断面図を示す。第1の
ガラス基板SUB1上に走査電圧を駆動するゲート配線
GL、映像信号電圧を供給するドレイン配線DL及びそ
の一部をなすドレイン電極SD1、ソース電極SD2、
SiNで形成されたゲート絶縁膜GI、保護膜PSV、
保護膜PSV上配置されソース電極SD2に接続された
画素電極PXが形成されている。画素電極PXまでの構
造、製造工程は、実施例1と同じである。
[Embodiment 3] FIG. 8 is a sectional view. On the first glass substrate SUB1, a gate line GL for driving a scanning voltage, a drain line DL for supplying a video signal voltage, and a drain electrode SD1 and a source electrode SD2 forming a part thereof.
A gate insulating film GI made of SiN, a protective film PSV,
A pixel electrode PX is formed on the protective film PSV and connected to the source electrode SD2. The structure up to the pixel electrode PX and the manufacturing process are the same as in the first embodiment.

【0062】本実施例と実施例1の違いは、画素内の画
素電極PXより上部の構造とそれに対応する工程であ
る。カラーフィルタ層FILが、TFTの半導体層AS
で、単一の色に対するカラーフィルタ層FIL(R)に
対して、隣の画素のカラーフィルタ層FIL(G)が重
ねてある。このように、少なくとも、2層以上のカラー
フィルタFILを重ねることにより、第2のガラス基板
SUB2側から入射する光からの遮光膜効果が高まる。
図6では2層重ねたが、これに他のもう1つの色であ
る青のカラーフィルタFIL(B)を重ねるとさらにそ
の遮光効果が高くなる。
The difference between the present embodiment and the first embodiment is the structure above the pixel electrode PX in the pixel and the corresponding steps. The color filter layer FIL is a semiconductor layer AS of the TFT.
Thus, a color filter layer FIL (G) of an adjacent pixel is superimposed on a color filter layer FIL (R) for a single color. In this way, by overlapping at least two or more color filters FIL, the effect of a light-shielding film from light incident from the second glass substrate SUB2 side is enhanced.
In FIG. 6, two layers are superimposed. However, if another layer of blue color filter FIL (B) is superimposed on this layer, the light shielding effect is further enhanced.

【0063】本実施例は、画素の一部で、カラーフィル
タ層FILの色層を2層あるいは3層平面的に重ねるこ
とにより、これをTFT部分の遮光膜あるいは画素間の
区切りのブラックマトリクスの少なくとも一部として適
用している。これにより、実施例1に比べて、別途の成
膜、パターニングで形成した遮光膜BMが省略できる。
カラーフィルタ層FILは、例えば、赤色(R)、緑色
(G)、もしくは青色(B)の染料あるいは顔料を含ん
だ樹脂膜から形成される。 これは、例えば、赤色など
の所望の光学特性が得られる顔料が、アクリルをベース
にした感光性樹脂中に分散された顔料分散レジストを用
いる。まず、顔料分散レジストを画素電極PX、保護膜
PSV上に塗布し、これをホトマススクを用いて露光、
現像し形成する。 これらの工程を、色数、例えば、赤
(R)、青(B)、緑(G)の3色分3回繰り返すこと
で、カラーフィルタ層FILが形成できる。
In the present embodiment, two or three color layers of the color filter layer FIL are planarly overlapped in a part of the pixel, and this is used as a light shielding film in the TFT portion or a black matrix for separating pixels. Applied at least in part. Thereby, compared to the first embodiment, the light-shielding film BM formed by separate film formation and patterning can be omitted.
The color filter layer FIL is formed of, for example, a resin film containing a red (R), green (G), or blue (B) dye or pigment. For example, a pigment-dispersed resist in which a pigment that provides desired optical characteristics, such as red, is dispersed in an acrylic-based photosensitive resin is used. First, a pigment-dispersed resist is applied on the pixel electrode PX and the protective film PSV, and this is exposed using a photomask,
Develop and form. The color filter layer FIL can be formed by repeating these steps three times for the number of colors, for example, three colors of red (R), blue (B), and green (G).

【0064】本実施例では、カラーフィルタ層FILの
上部に透明な絶縁膜材料からなるオーバコート層OCを
形成する。このオーバコート層OCは、例えば、アクリ
ル樹脂などの熱硬化樹脂を用いる。また、光硬化性の透
明な樹脂を用いても良い。その上に、CL,CTを形成
した。このオーバコート層OCはカラーフィルタ層FI
Lが部分的に重なりその段差による配向膜ORIのラビ
ング工程で発生する不良を低減できる平坦化効果があ
る。これにより、隣合うドレイン配線DL間隔、隣合う
ゲート配線GL間隔が小さくなる高精細、一例としてド
レイン配線DLの間隔が80μm以下ののTFT液晶表
示装置において、配向処理、特にラビング処理による場
合に伴う不良が実施例1に比べて低減した。
In this embodiment, an overcoat layer OC made of a transparent insulating film material is formed on the color filter layer FIL. The overcoat layer OC uses, for example, a thermosetting resin such as an acrylic resin. Alternatively, a light-curable transparent resin may be used. CL and CT were formed thereon. This overcoat layer OC is a color filter layer FI
L partially overlaps, and there is a flattening effect that can reduce defects generated in the rubbing step of the alignment film ORI due to the steps. Thus, in a high definition TFT liquid crystal display device in which the distance between the adjacent drain wirings DL and the distance between the adjacent gate wirings GL are reduced, for example, in a TFT liquid crystal display device in which the distance between the drain wirings DL is 80 μm or less, the alignment processing, particularly the rubbing processing is performed. The defect was reduced as compared with the first embodiment.

【0065】また本実施例では、カラーフィルタFIL
上の共通電極CTおよび共通電極配線CLから液晶層L
Cを経由、カラーフィルタ層FIL、オーバコート層O
Cを経てその下部の画素電極PXに至る電気力線で決ま
る電界により、液晶層LC中の液晶分子が回転し透過率
が制御される。
In this embodiment, the color filter FIL
From the upper common electrode CT and the common electrode wiring CL to the liquid crystal layer L
C, color filter layer FIL, overcoat layer O
The liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LC are rotated by an electric field determined by lines of electric force reaching the pixel electrode PX under the liquid crystal layer C through C, thereby controlling the transmittance.

【0066】〔実施例4〕図9、図10は、本発明の実
施例4に係わる方式の液晶表示装置を示す。 図9は、
図10の1画素の平面図のC−C'線上の断面を示す。
第1のガラス基板SUB1上に走査電圧を駆動するゲー
ト配線GL、映像信号電圧を供給するドレイン配線DL
及びその一部をなすドレイン電極SD1、ソース電極S
D2、SiNで形成されたゲート絶縁膜GI、保護膜P
SV、保護膜PSV上配置されソース電極SD2に接続
された画素電極PXが形成されている。画素電極PXま
での構造、製造工程は、実施例1と同じである。
[Embodiment 4] FIGS. 9 and 10 show a liquid crystal display device of a system according to Embodiment 4 of the present invention. FIG.
FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line CC ′ of a plan view of one pixel in FIG. 10.
A gate line GL for driving a scanning voltage and a drain line DL for supplying a video signal voltage on a first glass substrate SUB1
And a drain electrode SD1 and a source electrode S forming a part thereof.
D2, gate insulating film GI formed of SiN, protective film P
The pixel electrode PX is formed on the SV and the protective film PSV and connected to the source electrode SD2. The structure up to the pixel electrode PX and the manufacturing process are the same as in the first embodiment.

【0067】上記保護膜PSV上にカラーフィルタ層F
ILを形成する。本実施例ではカラーフィルタ層FIL
の平面パターンが実施例1及び2と大きく異なってい
る。カラーフィルタ層FILは隣り合うドレイン配線D
L付近で境界を持つが、隣り合うカラーフィルタ層FI
Lは互いに分離した領域を有する。 図9の断面図で
は、赤色のカラーフィルタ層FIL(R)と緑色のカラ
ーフィルタ層FIL(G)はドレイン配線DL上近傍で
互いに重なったり、接触していない領域が有ることを示
している。一方、隣り合うカラーフィルタ層FILの間
隙は大きな段差を持つので、その上部より透明な絶縁膜
材料からなるオーバコート層OCを形成する。このオー
バコート層OCは、例えば、アクリル樹脂などの熱硬化
樹脂を用いる。また、光硬化性の透明な樹脂を用いても
良い。このオーバコート層OCはカラーフィルタ層FI
Lが部分的に重なりその段差による配向膜ORIの塗布
不良、さらには配向不良を低減する平坦化効果がある。
The color filter layer F is formed on the protective film PSV.
Form an IL. In this embodiment, the color filter layer FIL
Is significantly different from the first and second embodiments. The color filter layer FIL is adjacent to the drain wiring D
Color filter layer FI having a boundary near L
L has regions separated from each other. The cross-sectional view of FIG. 9 shows that the red color filter layer FIL (R) and the green color filter layer FIL (G) overlap each other near the drain wiring DL and have regions that are not in contact with each other. On the other hand, since the gap between the adjacent color filter layers FIL has a large step, the overcoat layer OC made of a transparent insulating film material is formed from above. The overcoat layer OC uses, for example, a thermosetting resin such as an acrylic resin. Alternatively, a light-curable transparent resin may be used. This overcoat layer OC is a color filter layer FI
L partially overlaps, and there is a flattening effect of reducing poor coating of the alignment film ORI and poor alignment due to the step.

【0068】その上部には、液晶層LCを駆動する共通
電極CT及び共通電極配線CLをがくし歯形状に配置さ
れている。 共通電極CTはITOなどの透明導電膜で
形成する。但し、第1〜第3の実施例でも同じである
が、この共通電極CT及び共通電極配線CLともにCr
やMoのような金属膜を用いても良い。この場合は、透
過率は低下するが、ITOより抵抗が低く、さらに遮光
膜の役割も果すので特別な遮光膜BMを設ける必要がな
く、より大画面のTFT液晶表示装置が提供できる。
The common electrode CT and the common electrode wiring CL for driving the liquid crystal layer LC are arranged in a comb-like shape on the upper part. The common electrode CT is formed of a transparent conductive film such as ITO. However, the same applies to the first to third embodiments, but the common electrode CT and the common electrode line CL are both Cr.
Alternatively, a metal film such as Mo or Mo may be used. In this case, the transmittance is reduced, but the resistance is lower than that of ITO, and it also functions as a light-shielding film. Therefore, there is no need to provide a special light-shielding film BM, and a TFT liquid crystal display device with a larger screen can be provided.

【0069】本実施例の最大の特徴は、上記のように、
各画素のカラーフィルタ層が、隣り合うドレイン配線D
Lに沿って、互いに重ならないように分離されている、
あるいは、さらに隣り合うゲート配線に沿って、1画
素、1画素分離している点にある。これは、以下の性能
向上を実現するためである。カラーフィルタの色を決め
るカラーレジストにとって、高色純度と高透過率はトレ
ードオフの関係に有る。このようなトレードオフを両立
する材料として、発明者らは導電性を有する材料が有望
であることを見出した。また別の有望な材料として、イ
オン性成分が含まれる材料が有望であることを見出し
た。
The most important feature of this embodiment is as described above.
The color filter layer of each pixel is connected to the adjacent drain wiring D
Along L, separated so as not to overlap each other,
Alternatively, another point is that one pixel and one pixel are separated along the adjacent gate wiring. This is to realize the following performance improvement. For a color resist that determines the color of a color filter, high color purity and high transmittance have a trade-off relationship. As a material satisfying such a trade-off, the inventors have found that a material having conductivity is promising. As another promising material, a material containing an ionic component has been found to be promising.

【0070】しかし、実際の製品構造に準じ試作を行う
と、クロストークの悪化、駆動電圧の上昇、信頼性の不
良など予期しない新たな現象が生じた。これらを詳細に
解析した結果、その原因は以下のようであるとの解釈に
至った。すなわち、カラーフィルタFILにこれら材料
を用い、かつ隣り合う画素間のカラーフィルタ層FIL
が重なっていると、導電性が高い材料では、画素電極P
Xの電位が隣の画素にリークしてしまい、これによりク
ロストークの悪化や実効電圧の低下、すなわち駆動電圧
の上昇が生じたものと判明した。また、イオン性成分を
含む場合には、接触したカラーフィルタFIL同士でイ
オンの交換が生じ、カラーフィルタFILに退色現象が
生じることが判明した。そしてこの退色現象は時間と共
に進行する信頼性上の問題を示すことも判明した。そし
て導電性を有しイオン性成分を有する場合には、液晶表
示装置の実際の駆動、すなわち通電によりイオンの交換
が加速され、急速に退色が起きることが判明した。
However, when a prototype is manufactured according to the actual product structure, unexpected new phenomena such as deterioration of crosstalk, increase in drive voltage, and poor reliability have occurred. As a result of analyzing these in detail, it was concluded that the causes were as follows. That is, these materials are used for the color filter FIL, and the color filter layer FIL between the adjacent pixels is used.
Are overlapped with each other, the pixel electrode P
It was found that the potential of X leaked to an adjacent pixel, which caused deterioration in crosstalk and a decrease in effective voltage, that is, an increase in drive voltage. In addition, it was found that when an ionic component was contained, ions were exchanged between the color filters FIL that were in contact with each other, and a fading phenomenon occurred in the color filters FIL. It has also been found that this fading phenomenon represents a problem with reliability that progresses with time. In the case where the liquid crystal display device has conductivity and has an ionic component, it has been found that ion exchange is accelerated by actual driving of the liquid crystal display device, that is, energization, and color fading occurs rapidly.

【0071】そこで発明者らは、導電性を有する、ある
いはイオン性成分を有する、もしくは導電性を有しかつ
イオン性成分を有するカラーフィルタを適用するため
に、図9に断面図、図10に平面図として示す構造を考
案した。すなわち各画素毎にカラーフィルタFILを分
離して、さらに透明性のオーバコート膜OCでカラーフ
ィルタ間を分離したものである。またさらに該オーバコ
ート膜OCを、カラーフィルタFILと該カラーフィル
タ上に形成された電極もしくは導電材料、例えば共通電
極CTとの間に設けたものである。
In order to apply a color filter having conductivity, or having an ionic component, or having conductivity and having an ionic component, the present inventors applied a cross-sectional view to FIG. 9 and a cross-sectional view to FIG. The structure shown as a plan view was devised. That is, the color filters FIL are separated for each pixel, and the color filters are separated by a transparent overcoat film OC. Further, the overcoat film OC is provided between the color filter FIL and an electrode or a conductive material formed on the color filter, for example, a common electrode CT.

【0072】前者の手法では、カラーフィルタが導電性
を有する場合、画素間でカラーフィルタの短絡が防止で
きるためクロストークの悪化、及び駆動電圧の上昇を防
止することが出来る。またカラーフィルタがイオン性成
分を有する場合、カラーフィルタ間のイオン交換を防止
でき、カラーフィルタの退色を防止することができる。
In the former method, when the color filter has conductivity, short-circuiting of the color filter between pixels can be prevented, so that deterioration of crosstalk and an increase in driving voltage can be prevented. When the color filter has an ionic component, ion exchange between the color filters can be prevented, and discoloration of the color filter can be prevented.

【0073】後者の手法では、カラーフィルタが導電性
を有する場合、画素電極PXと共通電極CLの短絡を防
止することができる。またカラーフィルタがイオン性成
分を有する場合には、カラーフィルタ中のイオン性成分
が液晶層に溶け出し液晶層を汚染することを防止できる
とともに、液晶層とカラーフィルタ間のイオン交換を抑
制できるため、やはりカラーフィルタの退色を防止でき
る。
In the latter method, when the color filter has conductivity, a short circuit between the pixel electrode PX and the common electrode CL can be prevented. Further, when the color filter has an ionic component, it is possible to prevent the ionic component in the color filter from dissolving into the liquid crystal layer and contaminating the liquid crystal layer, and to suppress ion exchange between the liquid crystal layer and the color filter. Again, fading of the color filter can be prevented.

【0074】また図10ではゲート配線GL間は分離せ
ず、ドレイン配線DLに沿ったカラーフィルタを重ねな
いようにしているが、該構造でも一定の効果を実現でき
る。これはゲート配線GLの幅はドレイン配線DLより
幅が広く、映像信号線延在方向に隣接する画素電極間の
距離を、走査信号線延在方向に隣接する画素電極間の距
離より大きく保てるため、画素電極間のリークを低減で
きるからである。なお、TFT上には図9に示すように
保護膜を形成している。これは、カラーフィルタFIL
によるソース−ドレイン間の短絡を防止する機能も果た
している。
In FIG. 10, the gate lines GL are not separated from each other, and the color filters along the drain lines DL are not overlapped. However, a certain effect can be realized with this structure. This is because the width of the gate line GL is wider than the drain line DL, and the distance between the pixel electrodes adjacent in the direction in which the video signal lines extend can be kept larger than the distance between the pixel electrodes in the direction in which the scan signal lines extend. This is because leakage between pixel electrodes can be reduced. Note that a protective film is formed on the TFT as shown in FIG. This is the color filter FIL
Also functions to prevent a short circuit between the source and the drain due to the above.

【0075】また本実施例では共通電極CLが画素電極
PXと同じ基板上に形成されている場合を中心に説明し
たが、本実施例の効果は、共通電極CLが画素電極PX
と対向する基板上に形成されている場合も同様であり、
本実施例に含むものである。
In this embodiment, the case where the common electrode CL is formed on the same substrate as the pixel electrode PX has been mainly described. However, the effect of this embodiment is that the common electrode CL is formed on the pixel electrode PX.
The same applies to the case in which it is formed on a substrate facing
This is included in this embodiment.

【0076】カラーフィルタFILは走査信号線延在方
向、映像信号線延在方向の双方で各画素間で分離しても
よく、その場合には映像信号線延在方向に隣接する画素
間の画素電極同士も完全に分離できるため、より確実に
本実施例の効果を実現できる。
The color filters FIL may be separated from each other in both the scanning signal line extending direction and the video signal line extending direction. In this case, the pixels between pixels adjacent in the video signal line extending direction may be separated. Since the electrodes can be completely separated from each other, the effects of the present embodiment can be realized more reliably.

【0077】またカラーフィルタFILが導電性の場
合、画素電極PXの電位はカラーフィルタ層FILの導
電性によりFILの表面側に伝わり、画素電極PXの電
位がより液晶層LC側に到達するので、駆動電圧の低い
TFT液晶表示装置が提供できるという新たな効果が実
現できた。またこの際に、カラーフィルタの導電率を示
す抵抗率は、10の14乗Ωcm以下であれば電圧低下
の効果が生じ得る。さらに駆動電圧の低下を図るには、
10の10乗Ωcm以下であることが望ましい。むろん
低ければ低いほど駆動電圧低下の効果が強まることは言
うまでもないが、低抵抗化を図りすぎると光透過率が低
下する傾向が有るため、10の3乗Ωcmから10の1
0乗Ωcmの範囲にあることが最も望ましい。
When the color filter FIL is conductive, the potential of the pixel electrode PX is transmitted to the surface of the FIL due to the conductivity of the color filter layer FIL, and the potential of the pixel electrode PX reaches the liquid crystal layer LC more. A new effect that a TFT liquid crystal display device having a low driving voltage can be provided has been realized. At this time, if the resistivity indicating the conductivity of the color filter is 10 14 Ωcm or less, an effect of voltage drop can be produced. To further reduce the drive voltage,
It is desirable to be 10 10 Ωcm or less. It goes without saying that the lower the voltage, the stronger the effect of lowering the driving voltage. However, if the resistance is reduced too much, the light transmittance tends to decrease.
Most preferably, it is within the range of 0 Ωcm.

【0078】また本実施例の構成の液晶表示装置では、
液晶層にかかる駆動用電界がカラーフィルタ層を通過す
る構成となる。従来の方式、例えばカラーフィルタをT
FTと異なる基板上に設ける方式では、その一例では画
素電極がTFT基板上に有り、共通電極がカラーフィル
タ基板のカラーフィルタ上に有り、画素電極と共通電極
間に駆動用電界を生じせしめる縦電界方式がある。この
方式では、液晶層にかかる駆動用電界は、カラーフィル
タ層を通過しない。またいわゆる横電界方式では、画素
電極と共通電極の双方がTFT基板上に有り、該電極間
で駆動用電界を形成するため、やはり液晶層にかかる駆
動用電界はカラーフィルタ層を通過しない。さらにカラ
ーフィルタをTFT基板に設けた方式においても、従来
知られる方式はカラーフィルタ上に画素電極を設け、対
向基板上に共通電極を設け、この間で液晶層にかかる駆
動用電界を形成するものであり、やはり液晶層にかかる
駆動用電界はカラーフィルタ層を通過しない。しかし、
本実施例では、画素電極と共通電極の間にカラーフィル
タ層を設け、該カラーフィルタ層を通過して液晶層に駆
動用電界を形成するものである。したがって、カラーフ
ィルタ層が本実施例のようにイオン性不純物を有する場
合、あるいは導電性を有する場合、もしくは何らかの汚
染性不純物、一例として金属イオン、あるいは有機溶媒
等を含む場合には、該液晶層とカラーフィルタの反応
が、前記カラーフィルタを通過する駆動用電界により加
速されるため、液晶層の汚染が加速されると言う新たな
課題も見出すに至っている。したがって、液晶表示装置
の信頼性を確保し、液晶層の汚染を防止するという観点
から、画素電極と共通電極の間にカラーフィルタ層を設
け、該カラーフィルタ層を通過して液晶層に駆動用電界
を形成する方式では、カラーフィルタと液晶層の間に汚
染防止用の保護膜を形成することが極めて望ましい。ま
たこの保護膜が有機膜である場合には、平坦化効果も合
わせて実現できるためさらに望ましい。
In the liquid crystal display device having the structure of this embodiment,
The driving electric field applied to the liquid crystal layer passes through the color filter layer. Conventional method, for example, color filter
In an example of a method in which a pixel electrode is provided on a TFT substrate, a common electrode is provided on a color filter of a color filter substrate, and a driving electric field is generated between the pixel electrode and the common electrode. There is a method. In this method, the driving electric field applied to the liquid crystal layer does not pass through the color filter layer. In the so-called lateral electric field method, both the pixel electrode and the common electrode are on the TFT substrate, and a driving electric field is formed between the electrodes. Therefore, the driving electric field applied to the liquid crystal layer does not pass through the color filter layer. Further, in a method in which a color filter is provided on a TFT substrate, a conventionally known method is to provide a pixel electrode on a color filter, provide a common electrode on an opposing substrate, and form a driving electric field applied to the liquid crystal layer therebetween. The driving electric field applied to the liquid crystal layer does not pass through the color filter layer. But,
In this embodiment, a color filter layer is provided between the pixel electrode and the common electrode, and a driving electric field is formed in the liquid crystal layer through the color filter layer. Therefore, in the case where the color filter layer has ionic impurities as in this embodiment, or has conductivity, or has any contaminant impurities, for example, metal ions, or an organic solvent, the liquid crystal layer Since the reaction between the color filter and the color filter is accelerated by the driving electric field passing through the color filter, a new problem that contamination of the liquid crystal layer is accelerated has been found. Therefore, from the viewpoint of ensuring the reliability of the liquid crystal display device and preventing contamination of the liquid crystal layer, a color filter layer is provided between the pixel electrode and the common electrode, and the liquid crystal layer is driven through the color filter layer. In the method of forming an electric field, it is extremely desirable to form a protective film for preventing contamination between the color filter and the liquid crystal layer. When the protective film is an organic film, it is more preferable because a flattening effect can also be realized.

【0079】以上詳述したように、本実施例の構成によ
りカラーフィルタがTFT基板上に配置され、かつ高色
純度で明るいTFT液晶表示装置が実現できる。
As described in detail above, according to the configuration of this embodiment, a color filter is arranged on the TFT substrate, and a bright TFT liquid crystal display device with high color purity can be realized.

【0080】また本発明は技術思想、効果を含め実施例
1から実施例4の実施形態に限定されるものではなく、
請求項を含む明細書中に開示の技術思想による構成、効
果は本発明の範疇に全て含むものである。
The present invention is not limited to the embodiments 1 to 4 including the technical idea and effects,
The configurations and effects according to the technical concept disclosed in the specification including the claims are all included in the scope of the present invention.

【0081】[0081]

【発明の効果】本発明の効果の代表的な例は以下のよう
になる。すなわち、画素毎にカラーフィルタにスルーホ
ールを形成せずに、第1のガラス基板上に液晶層を駆動
する画素電極、共通電極が配置され、さらにカラーフィ
ルタ層も内蔵するTFT液晶表示装置を提供できる。
The typical effects of the present invention are as follows. That is, there is provided a TFT liquid crystal display device in which a pixel electrode and a common electrode for driving a liquid crystal layer are arranged on a first glass substrate without forming a through hole in a color filter for each pixel, and further a color filter layer is incorporated. it can.

【0082】さらに簡略な製造方法を用いて、液晶分子
を基板に水平に回転させて視野角の広い液晶表示装置を
形成する際に第1の基板上にTFTのみならずCFを形
成させた液晶表示装置およびその製造方法を提供でき
る。
When a liquid crystal display device having a wide viewing angle is formed by rotating liquid crystal molecules horizontally on a substrate by using a simpler manufacturing method, a liquid crystal having not only TFTs but also CFs formed on a first substrate. A display device and a method for manufacturing the display device can be provided.

【0083】さらに開口率あるいは透過率が高い液晶表
示装置およびその製造方法を提供できる。
Further, it is possible to provide a liquid crystal display device having a high aperture ratio or high transmittance and a method of manufacturing the same.

【0084】さらに視野角が広く、明るいTFT表示装
置を提供できる。
Further, a bright TFT display device having a wide viewing angle can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view of a pixel of an embodiment of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の平面
図である。
FIG. 2 is a plan view of a pixel in one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図3】本発明の液晶表示装置の一実施例の製造方法の
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing method of an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図4】本発明の液晶表示装置の一実施例の製造方法の
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a manufacturing method of one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図5】本発明の液晶表示装置の一実施例の製造方法の
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a manufacturing method of one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図6】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の断面
図である。
FIG. 6 is a sectional view of a pixel in an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図7】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の平面
図である。
FIG. 7 is a plan view of a pixel in one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図8】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の断面
図である。
FIG. 8 is a sectional view of a pixel in one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図9】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の断面
図である。
FIG. 9 is a sectional view of a pixel of an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図10】本発明の液晶表示装置の一実施例の画素の平
面図である。
FIG. 10 is a plan view of a pixel in one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

AS…半導体膜、SUB1…第1のガラス基板、SUB
2…第2のガラス基板、SD1…ドレイン電極、SD2
…ソース電極、GL…ゲート配線、DL…ドレイン配
線、CL…共通電極配線、CT…共通電極、TFT…薄
膜トランジスタ、GI…ゲート絶縁膜、PSV…保護
膜、PX…画素電極、FIL…カラーフィルタ層、LC
…液晶層、ORI…配向膜、OC…オーバコート膜、B
M…遮光膜、POL…偏光板。
AS: semiconductor film, SUB1: first glass substrate, SUB
2: second glass substrate, SD1: drain electrode, SD2
... Source electrode, GL ... Gate wiring, DL ... Drain wiring, CL ... Common electrode wiring, CT ... Common electrode, TFT ... Thin film transistor, GI ... Gate insulating film, PSV ... Protective film, PX ... Pixel electrode, FIL ... Color filter layer , LC
... Liquid crystal layer, ORI ... Orientation film, OC ... Overcoat film, B
M: light shielding film, POL: polarizing plate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 342 342Z 9/30 330 9/30 330Z 338 338 349 349B 349C 9/35 9/35 (72)発明者 桶 隆太郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 仲吉 良彰 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 倉橋 永年 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H090 HA03 HA04 HA05 HB07X HD03 HD06 2H091 FA02Y FA34Y FD04 FD06 GA02 GA03 GA11 2H092 GA14 GA24 JB22 JB31 JB51 JB54 JB58 5C094 AA01 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 ED03 ED15 5G435 AA01 CC09 CC12 FF13 GG12──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 342 342Z 9/30 330 9/30 330Z 338 338 349 349B 349C 9 / 35 9/35 (72) Inventor Ryutaro Oke 3300 Hayano, Mobara City, Chiba Prefecture, Japan Hitachi Display Co., Ltd. (72) Inventor Yoshiaki Nakayoshi 3300 Hayano, Mobara City, Chiba Prefecture Hitachi, Ltd. Display Group (72) Invention Person Eiji Kurahashi 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba F-term in the Display Group, Hitachi, Ltd. EA04 EA07 ED03 ED15 5 G435 AA01 CC09 CC12 FF13 GG12

Claims (43)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1と第2の透明な基板と、前記第1と第
2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第1の基板は
複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び前記映像信
号線と前記走査信号線に囲まれた領域として形成される
複数の画素領域を有し、各画素領域は少なくとも1つの
アクティブ素子と画素電極を有し、該画素電極と前記液
晶層の間にカラーフィルタ層を有する液晶表示装置にお
いて、 走査信号線延在方向に隣接する画素のカラーフィルタの
境界が前記映像信号線上に位置づけられていると共に、
該境界部と該映像信号線に重畳して前記カラーフィルタ
と前記液晶層の間に遮光層が形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。
A first liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, wherein the first substrate has a plurality of video signal lines and a plurality of scanning lines. A signal line, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal line and the scanning signal line, each pixel region having at least one active element and a pixel electrode; In a liquid crystal display device having a color filter layer between the liquid crystal layers, a boundary of a color filter of a pixel adjacent in a scanning signal line extending direction is positioned on the video signal line,
A liquid crystal display device, wherein a light-blocking layer is formed between the color filter and the liquid crystal layer so as to overlap the boundary portion and the video signal line.
【請求項2】前記遮光層と前記カラーフィルタの間に有
機平坦化膜が形成されていることを特徴とする請求項1
記載の液晶表示装置。
2. An organic flattening film is formed between the light shielding layer and the color filter.
The liquid crystal display device as described in the above.
【請求項3】共通電極及び共通電極を兼ねた共通信号線
が前記カラーフィルタの形成された基板の前記カラーフ
ィルタ上に設けられていることを特徴とする請求項1記
載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a common electrode and a common signal line serving also as the common electrode are provided on the color filter on the substrate on which the color filter is formed.
【請求項4】共通電極及び共通電極を兼ねた共通信号線
が前記カラーフィルタの形成された基板の前記有機平坦
化膜上に設けられていることを特徴とする請求項2記載
の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein a common electrode and a common signal line serving also as the common electrode are provided on the organic flattening film of the substrate on which the color filter is formed. .
【請求項5】共通電極及び共通電極を兼ねた共通信号線
が前記カラーフィルタの形成された基板上の前記カラー
フィルタと前記液晶層の間に設けられ、該共通信号線は
前記遮光層を兼ねることを特徴とする請求項1乃至4の
いずれかに記載の液晶表示装置。
5. A common electrode and a common signal line serving also as a common electrode are provided between the color filter and the liquid crystal layer on the substrate on which the color filter is formed, and the common signal line also serves as the light shielding layer. The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, wherein:
【請求項6】前記共通信号線が前記映像信号線上で前記
遮光層を覆うことを特徴とする請求項1乃至4記載の液
晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said common signal line covers said light shielding layer on said video signal line.
【請求項7】第1と第2の透明な基板と、前記第1と第
2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第1の基板は
複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び前記映像信
号線と前記走査信号線に囲まれた領域として形成される
複数の画素領域を有し、各画素領域は少なくとも1つの
アクティブ素子と画素電極と共通電極とを有し、該画素
電極と前記液晶層の間にカラーフィルタを有する液晶表
示装置において、 前記共通電極は前記カラーフィルタより上層に形成さ
れ、前記画素電極は前記カラーフィルタより下層に形成
され、前記カラーフィルタは前記画素領域において少な
くとも前記画素電極全面に重畳していることを特徴とす
る液晶表示装置。
7. A semiconductor device comprising: first and second transparent substrates; and a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, wherein the first substrate has a plurality of video signal lines and a plurality of scanning lines. Signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines, each pixel region has at least one active element, a pixel electrode and a common electrode, In a liquid crystal display device having a color filter between the pixel electrode and the liquid crystal layer, the common electrode is formed above the color filter, the pixel electrode is formed below the color filter, and the color filter is A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device overlaps at least the entire surface of the pixel electrode in a pixel region.
【請求項8】前記カラーフィルタと前記共通電極の間に
有機平坦化膜が形成されていることを特徴とする請求項
7記載の液晶表示装置。
8. An organic flattening film is formed between the color filter and the common electrode.
7. The liquid crystal display device according to 7.
【請求項9】前記画素電極が面状であり、前記共通電極
が線状領域を有しすることを特徴とする請求項7あるい
は8のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the pixel electrode is planar, and the common electrode has a linear region.
【請求項10】前記共通電極の一部は前記映像信号線上
に重畳して配置され、共通信号線を兼ねることを特徴と
する請求項7乃至9のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein a part of the common electrode is arranged so as to overlap the video signal line, and also serves as a common signal line.
【請求項11】前記共通電極の一部は前記走査信号線上
に重畳して配置され、共通信号線を兼ねることを特徴と
する請求項7乃至9のいずれかに記載の液晶表示装置。
11. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein a part of the common electrode is arranged so as to overlap with the scanning signal line, and also serves as a common signal line.
【請求項12】前記共通電極の一部は前記走査信号線及
び前記映像信号線に重畳して配置され、共通信号線を兼
ねることを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載
の液晶表示装置。
12. The liquid crystal according to claim 7, wherein a part of the common electrode is disposed so as to overlap with the scanning signal line and the video signal line, and also serves as a common signal line. Display device.
【請求項13】前記共通電極が兼ねる共通信号線は、前
記画素電極と少なくともその端面が重畳していることを
特徴とする請求項10乃至12のいずれかに記載の液晶
表示装置。
13. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein a common signal line shared by the common electrode has at least an end face overlapping the pixel electrode.
【請求項14】前記共通電極が兼ねる共通信号線が透明
導電体であり、すくなくとも前記アクティブ素子上に遮
光層を有することを特徴とする請求項10乃至13のい
ずれかに記載の液晶表示装置。
14. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the common signal line serving also as the common electrode is a transparent conductor, and has at least a light shielding layer on the active element.
【請求項15】前記共通電極が兼ねる共通信号線が金属
であることを特徴とする請求項10乃至13のいずれか
に記載の液晶表示装置。
15. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein a common signal line serving as said common electrode is made of metal.
【請求項16】前記画素電極が透明電極であることを特
徴とする請求項7乃至15のいずれかに記載の液晶表示
装置。
16. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein said pixel electrode is a transparent electrode.
【請求項17】第1と第2の透明な基板と、前記第1と
第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第1の基板
は複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び前記映像
信号線と前記走査信号線に囲まれた領域として形成され
る複数の画素領域を有し、各画素領域は少なくとも1つ
のアクティブ素子と画素電極と共通電極とを有し、該画
素電極と前記液晶層の間にカラーフィルタを有する液晶
表示装置において、 前記共通電極及び画素電極は前記カラーフィルタ層より
下層に形成され、前記カラーフィルタは前記画素領域に
おいて少なくとも前記画素電極及び前記共通電極の全面
に重畳していることを特徴とする液晶表示装置。
17. A semiconductor device comprising: a first and a second transparent substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the first and the second substrate, wherein the first substrate has a plurality of video signal lines and a plurality of scans. Signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines, each pixel region has at least one active element, a pixel electrode and a common electrode, In a liquid crystal display device having a color filter between the pixel electrode and the liquid crystal layer, the common electrode and the pixel electrode are formed below the color filter layer, and the color filter is at least the pixel electrode and the pixel electrode in the pixel region. A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device overlaps the entire surface of a common electrode.
【請求項18】前記共通電極は透明導電体であり、前記
画素電極の下層に少なくともゲート絶縁膜を介して形成
されていることを特徴とする請求項17記載の液晶表示
装置。
18. The liquid crystal display device according to claim 17, wherein said common electrode is a transparent conductor, and is formed below said pixel electrode via at least a gate insulating film.
【請求項19】前記共通電極が面状であり、前記画素電
極が線状領域を有しすることを特徴とする請求項17あ
るいは18のいずれかに記載の液晶表示装置。
19. The liquid crystal display device according to claim 17, wherein said common electrode is planar, and said pixel electrode has a linear region.
【請求項20】前記走査信号線と同層かつ離間して配置
された共通信号線を有し、該共通信号線は前記共通電極
と重畳領域を有することを特徴とする請求項17乃至1
9のいずれかに記載の液晶表示装置。
20. The semiconductor device according to claim 17, further comprising a common signal line disposed in the same layer as and separated from the scanning signal line, wherein the common signal line has an overlapping region with the common electrode.
10. The liquid crystal display device according to any one of 9.
【請求項21】前記走査信号線の延在方向に隣接する画
素の前記カラーフィルタの境界が前記映像信号線上に位
置づけられていると共に、該境界部と該映像信号線に重
畳して前記カラーフィルタと前記液晶層の間に遮光層が
形成されていることを特徴とする請求項17乃至20の
いずれかに記載の液晶表示装置。
21. A boundary of the color filter of a pixel adjacent in a direction in which the scanning signal line extends is positioned on the video signal line, and the color filter is superimposed on the boundary portion and the video signal line. 21. The liquid crystal display device according to claim 17, wherein a light shielding layer is formed between the liquid crystal layer and the liquid crystal layer.
【請求項22】第1と第2の透明な基板と、前記第1と
第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第1と第2
の基板の少なくとも一方に形成された共通電極を有し、
前記第1の基板は複数の映像信号線、複数の走査信号
線、及び前記映像信号線と前記走査信号線に囲まれた領
域として形成される複数の画素領域を有し、各画素領域
は少なくとも1つのアクティブ素子と画素電極を有し、
該画素電極と前記液晶層の間にカラーフィルタ層を有す
る液晶表示装置において、 前記カラーフィルタは前記画素電極と前記共通電極の間
に形成され、前記液晶層の駆動用電界は前記画素電極及
び前記共通電極の間に前記液晶層及び前記カラーフィル
タの双方を通過する経路にて形成されることを特徴とす
る液晶表示装置。
22. A semiconductor device comprising: a first and a second transparent substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the first and the second substrates.
Having a common electrode formed on at least one of the substrates,
The first substrate has a plurality of video signal lines, a plurality of scanning signal lines, and a plurality of pixel regions formed as a region surrounded by the video signal lines and the scanning signal lines, and each pixel region is at least Having one active element and a pixel electrode,
In a liquid crystal display device having a color filter layer between the pixel electrode and the liquid crystal layer, the color filter is formed between the pixel electrode and the common electrode, and a driving electric field of the liquid crystal layer is applied to the pixel electrode and the common electrode. A liquid crystal display device formed between common electrodes by a path passing through both the liquid crystal layer and the color filter.
【請求項23】前記共通電極は前記カラーフィルタと前
記液晶層の間に形成され、該共通電極は線状領域と、前
記映像信号線上に重畳して形成された領域とを有し、前
記画素電極は前記カラーフィルタ下に形成され、前記画
素電極と前記カラーフィルタが接触していることを特徴
とする請求項22記載の液晶表示装置。
23. The pixel according to claim 23, wherein the common electrode is formed between the color filter and the liquid crystal layer, and the common electrode has a linear region and a region superimposed on the video signal line. 23. The liquid crystal display device according to claim 22, wherein an electrode is formed below the color filter, and the pixel electrode is in contact with the color filter.
【請求項24】前記画素電極と前記カラーフィルタが接
触していることを特徴とする請求項23記載の液晶表示
装置。
24. The liquid crystal display device according to claim 23, wherein said pixel electrode and said color filter are in contact with each other.
【請求項25】走査信号線延在方向に隣接する画素間の
カラーフィルタの境界は前記映像信号線上に位置づけら
れていると共に、該境界部で隣接するカラーフィルタ同
士が重畳し、かつ該カラーフィルタの上には有機平坦化
膜が形成されていることを特徴とする請求項22乃至2
4のいずれかに記載の液晶表示装置。
25. A boundary of a color filter between pixels adjacent to each other in the scanning signal line extending direction is positioned on the video signal line, and the adjacent color filters overlap at the boundary portion, and An organic planarizing film is formed on the substrate.
5. The liquid crystal display device according to any one of 4.
【請求項26】走査信号線延在方向に隣接する画素間の
カラーフィルタの境界は前記映像信号線上に位置づけら
れていると共に、該境界部で隣接するカラーフィルタ同
士が絶縁性の有機透明膜で離間されていることを特徴と
する請求項22乃至24のいずれかに記載の液晶表示装
置。
26. A boundary of a color filter between pixels adjacent to each other in the scanning signal line extending direction is positioned on the video signal line, and the adjacent color filters are made of an insulating organic transparent film at the boundary. 25. The liquid crystal display device according to claim 22, wherein the liquid crystal display device is spaced apart.
【請求項27】前記カラーフィルタは映像信号線延在方
向に隣接する画素間で一体に形成され、かつ前記アクテ
ィブ素子と該カラーフィルタの間には無機絶縁膜が形成
されていることを特徴とする、請求項22乃至24及び
26のいずれかに記載の液晶表示装置。
27. The color filter, wherein the color filter is formed integrally between adjacent pixels in the direction in which the video signal line extends, and an inorganic insulating film is formed between the active element and the color filter. The liquid crystal display device according to any one of claims 22 to 24 and 26.
【請求項28】前記映像信号線延在方向に隣接する画素
間の前記カラーフィルタの境界は前記走査信号線上に位
置づけられていると共に、該境界部で隣接するカラーフ
ィルタ同士が絶縁性の有機透明膜で離間されていること
を特徴とする請求項22乃至24及び26のいずれかに
記載の液晶表示装置。
28. A boundary of the color filter between pixels adjacent in the extending direction of the video signal line is positioned on the scanning signal line, and the adjacent color filters are insulative organic transparent at the boundary. The liquid crystal display device according to any one of claims 22 to 24 and 26, wherein the liquid crystal display device is separated by a film.
【請求項29】前記カラーフィルタ上に有機平坦化膜が
形成されていることを特徴とする請求項22乃至24及
び26乃至28のいずれかに記載の液晶表示装置。
29. The liquid crystal display device according to claim 22, wherein an organic flattening film is formed on said color filter.
【請求項30】前記カラーフィルタが導電性を有するこ
とを特徴とする請求項22乃至24及び26乃至29の
いずれかに記載の液晶表示装置。
30. The liquid crystal display device according to claim 22, wherein said color filter has conductivity.
【請求項31】前記導電性の指標としての抵抗率が、1
0の14乗Ωcm以下であることを特徴とする請求項3
0記載の液晶表示装置。
31. A method in which the resistivity as an index of conductivity is 1
4. The resistance value is equal to or less than 0 to the 14th power Ωcm.
0 liquid crystal display device.
【請求項32】前記導電性の指標としての抵抗率が、1
0の10乗Ωcm以下であることを特徴とする請求項3
0記載の液晶表示装置。
32. A method in which the resistivity as an index of conductivity is 1
4. The resistance value is not more than 0 to the 10th power Ωcm.
0 liquid crystal display device.
【請求項33】前記カラーフィルタがイオン性成分を含
有することを特徴とする請求項22乃至24及び26乃
至32のいずれかに記載の液晶表示装置。
33. The liquid crystal display device according to claim 22, wherein said color filter contains an ionic component.
【請求項34】第1と第2の透明な基板と、前記第1と
第2の基板間に挟まれた液晶層を有し、前記第1の基板
は複数の映像信号線、複数の走査信号線、及び前記映像
信号線と前記走査信号線の隣接する各信号線により囲ま
れた領域として形成される画素領域を有し、各画素領域
は少なくとも1つのアクティブ素子と画素電極を有する
液晶表示装置において、前記映像信号線上に絶縁膜を介
して遮光層と共通電極を積層して有し、前記遮光層が金
属であり、前記共通電極が透明導電体であることを特徴
とする液晶表示装置。
34. A semiconductor device comprising: a first and a second transparent substrate; and a liquid crystal layer sandwiched between the first and the second substrates, wherein the first substrate has a plurality of video signal lines and a plurality of scans. A liquid crystal display having a signal line and a pixel region formed as a region surrounded by each signal line adjacent to the video signal line and the scanning signal line, each pixel region having at least one active element and a pixel electrode A liquid crystal display device, comprising: a light shielding layer and a common electrode laminated on the video signal line via an insulating film; the light shielding layer is made of metal; and the common electrode is made of a transparent conductor. .
【請求項35】前記共通電極のうちの前記映像信号線上
の部分は前記遮光層より幅広であることを特徴とする請
求項34記載の液晶表示装置。
35. The liquid crystal display device according to claim 34, wherein a portion of the common electrode on the video signal line is wider than the light shielding layer.
【請求項36】前記共通電極は前記遮光層の上層に積層
していることを特徴とする請求項34あるいは35記載
の液晶表示装置。
36. The liquid crystal display device according to claim 34, wherein said common electrode is laminated on said light shielding layer.
【請求項37】前記共通電極は前記遮光層の下層に積層
していることを特徴とする請求項34あるいは35記載
の液晶表示装置。
37. The liquid crystal display device according to claim 34, wherein said common electrode is laminated below said light shielding layer.
【請求項38】前記共通電極は、前記映像信号線上で前
記遮光層と重畳し、前記映像信号線間の表示領域では前
記共通電極は前記遮光層と重畳していないことを特徴と
する請求項34乃至37のいずれかに記載の液晶表示装
置。
38. The light emitting device according to claim 38, wherein the common electrode overlaps the light shielding layer on the video signal line, and the common electrode does not overlap the light shielding layer in a display area between the video signal lines. 38. The liquid crystal display device according to any one of 34 to 37.
【請求項39】前記画素電極は櫛歯状であることを特徴
とする請求項34乃至38のいずれかに記載の液晶表示
装置。
39. The liquid crystal display device according to claim 34, wherein said pixel electrode has a comb shape.
【請求項40】前記画素電極が櫛歯状であり、前記絶縁
膜より下側に形成されていることを特徴とする請求項3
4乃至38のいずれかに記載の液晶表示装置。
40. The pixel electrode according to claim 3, wherein the pixel electrode has a comb shape and is formed below the insulating film.
39. The liquid crystal display device according to any one of items 4 to 38.
【請求項41】前記絶縁膜がカラーフィルタであり、前
記映像信号線に位置づけて境界部を有することを特徴と
する請求項34乃至40のいずれかに記載の液晶表示装
置。
41. The liquid crystal display device according to claim 34, wherein said insulating film is a color filter and has a boundary portion positioned on said video signal line.
【請求項42】前記絶縁膜が有機膜であることを特徴と
する請求項34乃至40のいずれかに記載の液晶表示装
置。
42. A liquid crystal display device according to claim 34, wherein said insulating film is an organic film.
【請求項43】前記遮光層が前記走査信号線上にも構成
されていることを特徴とする請求項34乃至42のいず
れかに記載の液晶表示装置。
43. The liquid crystal display device according to claim 34, wherein said light shielding layer is also formed on said scanning signal line.
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