JP2002293787A - ホスファゼン化合物 - Google Patents

ホスファゼン化合物

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JP2002293787A
JP2002293787A JP2001056112A JP2001056112A JP2002293787A JP 2002293787 A JP2002293787 A JP 2002293787A JP 2001056112 A JP2001056112 A JP 2001056112A JP 2001056112 A JP2001056112 A JP 2001056112A JP 2002293787 A JP2002293787 A JP 2002293787A
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disk
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Tamio Akata
民生 赤田
Yoshinobu Fujii
祥伸 藤井
Nagayoshi Kobayashi
永芳 小林
Rie Fujimoto
理絵 藤本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好なCSS耐久性を有するハードディ
スク用潤滑剤に使用される化合物を提供する。 【解決手段】 −CFO−、−CFCFO−、か
ら選ばれたパーフルオロオキシアルキレン単位がランダ
ムに分布した配列よりなり、さらに官能末端基Aを有す
る、下記の式(1)で表されるホスファゼン化合物。A
−OCHCFO(CFCFO)p(CFO)qC
CHOH (1)[式中、Aは下記式(a)で表
される基である。ここで、Rは、水素原子、C 〜4
アルキル、C1〜4のアルコキシ、C1〜4のハロアル
キル、アリール、置換アリール、アリールオキシ、置換
アリールオキシであり、pおよびqは1〜30の実数で
ある。] 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規ホスファゼン
化合物に関する。さらに詳しくは、本発明は、例えば大
容量記録媒体であるハードディスク、或いは8ミリビデ
オテープレコーダー用、デジタルビデオカセット用に使
用されるメタル蒸着テープなどの記録媒体用の潤滑剤に
使用される化合物に関する。
【0002】
【従来の技術】インターネット、イントラネット、ロー
カルエリアネットワーク等が普及し、ネットワークにア
クセスするだけで簡単に情報が取り出せるようになって
きた。このようなマルチメディア時代を支えているもの
の一つに外部記憶装置がある。既存の大容量外部記憶装
置としては、強度の高い円形基板(ハードディスク)上
に記録媒体層を設け、このハードディスクを高速回転さ
せて記録・再生用素子(ヘッド)が作動する方式、いわ
ゆるCSS方式のものが一般的であり、ハードディスク
としては、固定式磁気ディスク、光ディスク、光磁気デ
ィスク等がある。これらの中で最も普及しているものが
固定式磁気ディスクを用いた装置である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】これら外部記憶装置の
サイズを変えずに大容量化を行うには、例えば記録媒体
層の面記録密度を増加する必要がある。このためには、
ビットサイズを小さくし、ヘッドをできる限り記録媒体
に近づけることが必要である。ヘッドとディスクとの間
隔を小さくするためには、ディスク表面の凹凸を小さく
せねばならず、例えば間隔を100nm以下にするには
凹凸を10nm以下にせねばならない。そして、ディス
ク表面の平滑性を上げると、一方で、ヘッドがディスク
面に吸着し易くなる。また、高速応答性を得るために
は、ビット転送速度ひいてはディスクの回転速度を上げ
る必要がある。例えば、3.5インチハードディスクの
最高回転数は5400〜7200rpmが必要で、ディ
スク周辺部のヘッド通過速度は125km/hrに達し
ている。しかし、上記の様な変更は、何れもディスクと
ヘッドの接触確率と摩耗等を大幅に増加させ、信頼性を
低下させることになる。
【0004】これらに対処し、ディスク表面とヘッドを
保護するには、ディスク保護膜表面への潤滑剤の塗布量
を多くする方法が一番簡便である。しかしながら、潤滑
剤の塗布量を多くすると潤滑膜の摺動抵抗が大きくなる
のみならず、潤滑剤の吸着作用を増大し、スピンドルモ
ーターの停止・焼損を引き起こす。摺動抵抗を低減する
ため、低粘度の潤滑剤を使用すると、ディスクの高速回
転時に潤滑剤が保護膜上から移動・消失し、ディスクと
ヘッドの接触、破損を引き起こす。
【0005】潤滑剤はごく簡単には、ハードディスク上
に設けられている保護膜上に分子の厚みの均一な潤滑剤
の膜を作って、ハードディスク回転時及び装置の起動・
停止時に生じる摩擦及び摩耗を低減させている。ディス
クとヘッドを保護するためには、摺動抵抗が小さく、保
護膜との結合力が大きく、低摩擦係数で、化学的安定
性、熱安定性、耐食性が大きく、−10℃以下での低温
潤滑能力を有し、低蒸気圧で超薄膜化が可能な潤滑剤が
必要である。ハードディスク用潤滑剤には、CSS耐久
性5万回以上で、摩擦係数の変化がないことである。即
ち、CSS繰り返しテストにおいて、少なくとも5万回
まで、ヘッドの焼付きやディスクに傷等の異常がないこ
とが要求されている。
【0006】現行ハードディスクの表面保護には、化学
的安定性、強度、超薄膜化、平滑性等の観点から、ダイ
ヤモンド状炭素(DLC、Diamond Like Carbon)保護
膜が用いられている。当該保護膜はその構造からも明ら
かな如く、大部分が炭素であることから、化学的結合性
が小さく、付着力はわずかに混在する水素並びに窒素原
子との水素結合やファンデルワールス力等の相互作用に
因る他はない。
【0007】そこで潤滑剤としては、パーフルオロアル
キルポリエーテルオリゴマー(以下「PFPE」と略
す)が一般的である(月刊トライボロジ、No.99,
11月号、37〜38頁、1995)。PFPEはフル
オロカーボンに由来する低表面エネルギー、化学的不活
性、低蒸気圧、熱安定性を備えているが、低表面エネル
ギー故に保護膜表面との結合力が弱く、ディスク回転の
遠心力で潤滑剤が保護膜上から移動・消失してしまう欠
点がある。これを抑えるため、第二成分の添加剤を使用
しているが(USP4871625)、PFPEのフル
オロカーボンに由来する低相溶性のため、相分離を引き
起こし、十分な効果が得られていないのが現状である。
そこで、PFPEに結合性を付与するため、PFPE主
鎖の端部又は中央部に水酸基、アシルアミド基等の官能
基を導入したもの(アウシモント社、FOMBLIN
Z誘導体)もあるが、これら活性水素を有する官能基は
ヘッドとの摩擦で化学的安定性を低下させる恐れがあ
る。
【0008】また、磁気記録媒体用処理剤として、パー
フルオロアルコキシホスファゼン化合物が開示されてい
るが(特開昭63−103428号公報)、これらの化
合物をハードディスク用潤滑剤として使用した場合、十
分なCSS耐久性が得られず、新たな潤滑剤が望まれて
いる。
【0009】本発明の課題は例えば良好なCSS耐久性
を有するハードディスク用潤滑剤に使用される化合物を
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は−CFO−、
−CFCFO−、から選ばれたパーフルオロオキシ
アルキレン単位がランダムに分布した配列よりなり、さ
らに官能末端基Aを有する、下記の式(1)で表される
ホスファゼン化合物に係る。 A−OCHCFO(CFCFO)p(CFO)qCFCHOH ( 1) [式中、Aは下記式(a)で表される基である。ここ
で、Rは、水素原子、C 〜4のアルキル、C1〜4
アルコキシ、C1〜4のハロアルキル、アリール、置換
アリール、アリールオキシ、置換アリールオキシであ
り、pおよびqは1〜30の実数である。]
【0011】
【化2】
【0012】
【発明の実施の形態】ここで、C1〜4のアルキルとし
ては例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル等を例
示できる。C1〜4のアルコキシとしては例えば、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等を例示でき
る。C1〜4のハロアルキルとしては例えば、フルオロ
メチル、トリフルオロメチル、クロロメチル、フルオロ
エチル、トリフルオロエチル、ブロモエチル、ヨードプ
ロピル、フルオロブチル、クロロブチル、ブロモブチル
等を例示できる。アリールとしては例えば、フェニル、
ナフチル等を例示できる。アリールオキシとしては例え
ばフェノキシ、ナフトキシ等を例示できる。置換アリー
ル及び置換アリールオキシの置換基としては例えば上記
1〜4のアルキル、C1〜4のアルコキシ、C1〜4
のハロアルキル等を例示できる。
【0013】本発明において、上記式(1)のホスファ
ゼン化合物は、文献未記載の新規化合物であり、例え
ば、ホスホニトリルハライドのオリゴマーとフェノール
類およびPFPE主鎖の両末端に水酸基を導入したアル
コールより製造される物質である。ここで、ホスホニト
リルハライドのオリゴマーとしては、例えばホスホニト
リルクロリドの環状トリマー、ホスホニトリルクロリド
の環状テトラマーやこれらの混合物を例示できる。ま
た、フェノール類としては、フェノール、メタ−トリフ
ルオロメチルフェノール等のハロアルコキシフェノー
ル、メタ−メトキシフェノール等のアルコキシフェノー
ル等が例示できる。また、PFPE主鎖の両末端に水酸
基を導入したアルコールとしては、下記式(b)の平均
分子量が、400から6000のパーフルオロアルキル
ポリエーテルオリゴマー(アウシモント社 Z誘導体)
を例示できる。 HOCHCFO(CFCFO)r(CFO)sCFCHOH (b) [r=1〜30、s=1〜30]
【0014】本発明の化合物(1)は例えば下記のよう
に製造される。即ち特開昭62−53996号公報に記
載されているようにアルコール類、フェノール類を予め
ナトリウム等と反応させてアルコラート、フェノラート
としておき、次いでホスホニトリルハライドの環状オリ
ゴマーと反応させることによって製造される。さらに詳
しくは、フェノール類を、ジエチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、トルエン等の溶媒に溶解し、フェノー
ル類をすべてフェノラート化するのに要する当量よりは
少ない、好ましくは、85〜95%当量の金属ナトリウ
ム、水素化ナトリウムなどの塩基を、これらの塩基がす
べて反応するまで、溶媒の還流温度で反応させて予め、
フェノラートを得る。得られたフェノラートの15〜2
5%当量、好ましくは18〜21%当量のホスホニトリ
ルハライドのシクロトリマーと反応させてアリーロキシ
置換トリシクロホスホニトリルハライドを得る。別に、
PFPEの両末端に水酸基を導入したアルコール(以下
「PFPE−DOH」と略す)と上記に記載の塩基から
選ばれた塩基を同当量加え、室温から120℃、好まし
くは40〜100℃で、固体の塩基が目視できなくなる
まで、反応させる。先に得られたアリーロキシ置換トリ
シクロホスホニトリルハライドとアルコラート化された
PFPE−DOHを、ジエチルエーテル、ジイソプロピ
ルエーテル、パーフルオロヘキシルメチルエーテル等の
エーテル系溶媒中で、1日間から10日間、好ましくは
2日から5日間の間、室温から溶媒の還流温度で反応さ
せる。この反応で得られた反応混合物を、上記の方法で
別途製造したフェノラートを含むエーテル系溶媒溶液中
に加え、室温から溶媒の還流温度、好ましくは還流温度
で、部分的にハロゲンが置換したトリシクロホスホニト
リルが検出されなくなるまで、5日間から15日間反応
させて、反応を完了させる。反応混合物を数回水洗した
後、脱水・乾燥させて、使用した溶媒を減圧蒸留により
除去する。得られた反応混合物から、未反応のフェノー
ル類、PFPE−DOHおよびヘキサアリーロキシ置換
トリシクロホスホニトリルが存在している場合には、こ
れらを分子蒸留により、留出除去することによって、上
記化合物(1)が製造される。
【0015】本発明の化合物は、例えば記録媒体用潤滑
剤として有用である。
【0016】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説
明するが、何らこれに限定されるものではない。なお以
下に記載する反応はすべて、アルゴンガス雰囲気で実施
した。
【0017】実施例1 還流冷却管、アルゴンガス導入管、温度計および攪拌機
を備えた2−L四つ口フラスコに、メタ−トリフルオロ
メチルフェノール282.1g(1.74モル)と乾燥脱
水と蒸留精製したジイソプロピルエーテル1.2Lを入
れ、攪拌しながら、金属ナトリウムの小片を36.5g
(1.59モル)添加し、ジイソプロピルエーテルが還
流する温度で2日間反応させ、全ての金属ナトリウウム
が消費されたことを確認したのち、反応混合物を攪拌し
ながら、ホスホニトリルクロライドのシクロトリマーを
107.7g(0.31モル)を添加し、還流温度で3日
間反応させて約1300gの反応混合物を得た。この反
応混合物を約500mlの精製水で5回洗浄したのち、
ジイソプロピルエーテル層を分離し、モレキュラーシー
ブスで脱水後、ジイソプロピルエーテルを減圧下、ロー
タリーエバポレーターで留出除去し、褐色透明液体を得
た。これを(i)とする。
【0018】上記と同様のフラスコに、PFPE−DO
H{上記(1)式中に記載のpとqの値の平均値がそれ
ぞれ、1と10であるアルコール}144.4g(0.1
51モル)と金属ナトリウムの小片3.5g(0.151
モル)を入れ、50℃から100℃で12日間反応させ
て、全ての金属ナトリウムが反応に消費されたことを確
認し、パーフルオロヘキシルメチルエーテル450gを
添加し、反応物の粘度を低下させた。これに、150.
5gの(i)をジイソプロピルエーテル140gに溶解
させた溶液を徐々に滴下し、還流温度で、3日間攪拌し
た後、室温まで放冷した。得られた反応混合物を(ii)
とする。
【0019】上記(i)の製造と同様の方法で、メタ−
トリフルオロメチルフェノール192.7g(1.19モ
ル)と金属ナトリウムの小片24.8g(1.08モル)
から別途製造したメタ−トリフルオロメチルフェノラー
ト1.19モルとジイソプロピルエーテル700gを含
む溶液中に、上記(ii)の反応混合物の全量をパーフル
オロヘキシルメチルエーテル230gを用いて定量的に
添加し、溶媒の還流温度で9日間攪拌して反応させた。
この反応混合物中には、メタ−トリフルオロメチルフェ
ノキシ基と塩素原子のみが両方とも混合状態で置換した
ホスホニトリルのシクロトリマー、即ち反応中間体は存
在していないことをキャピラリーガスクロマトグラフィ
ーで確認したのち、反応混合物より、含有している溶媒
を減圧下、ロータリエバポレータで留出除去し、得られ
た残渣をジエチルエーテル200gに溶解させた。この
ジエチルエーテル溶液を、1%の硝酸水溶液200gで
3回洗浄し、さらに精製水200gで4回洗浄した。こ
れらの操作のあと、ジエチルエーテル層をモレキュラー
シーブスで脱水乾燥し、さらにジエチルエーテルを減圧
下ロータリーエバポレーターで蒸発留去し、やや濁りの
ある油状液222.6gを得た。この反応生成物中に
は、メタ−トリフルオロメチルフェノキシ基が6個置換
したホスホニトリルのシクロトリマー(副生物)と未反
応のPFPE−DOHも含有していることが、キャピラ
リーガスクロマトグラフィーにより確認されたため、拡
散ポンプを装備した分子蒸留装置により、これらの化合
物を分離し、淡黄色透明液体10g(0.005モル)
を得た。
【0020】400MHzのプロトンNMRにおけるメ
チレンプロトンおよびメタ−トリフルオロメチルフェノ
キシ基に由来する芳香族プロトン比およびFT−IRか
ら得られた物質は、(CFO)OC
CF(OCFCF)(OCF)10OCF
OH〔化合物(1−a)〕であり、沸点は、170
℃以上/10 −4torr、粘度(動粘度)は140m
/sec(40℃)であった。
【0021】比較例1 (特開平6−220077公報
記載の化合物) 還流冷却管、アルゴンガス導入管、温度計および攪拌機
を備えた1−L四つ口フラスコに、CO(CF
CFO)CFCHOH 41.3g(0.083モ
ル)と乾燥脱水と蒸留精製したジイソプロピルエーテル
0.5Lを入れ、攪拌しながら、金属ナトリウムの小片
を1.73g(0.075モル)添加し、50℃で3日間
反応させ、全ての金属ナトリウムを反応させたのち、ホ
スホニトリルクロライドのシクロトリマーを6.95g
(0.02モル)とジイソプロピルエーテル 40mlを
添加し、60〜70℃で2日間反応させた。得られた反
応混合物を(iii)とする。
【0022】上記(iii)と同様の方法で、フェノール
18.8g(0.198モル)と金属ナトリウム 4.14
g(0.18モル)をジイソプロピルエーテル250m
l中で5日間反応させて、ナトリウムフェノラートのジ
イソプロピルエーテル溶液を得た。この溶液を(iv)と
する。
【0023】溶液(iv)の全量を(iii)が入ったフラ
スコ中に、室温下、約5分で投入し、70℃で10日間
反応させたのち、反応混合物のジイソプロピルエーテル
溶液を水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで硝酸水
溶液で4回洗浄し、さらに精製水で6回洗浄した。これ
らの洗浄で得られたジイソプロピルエーテル溶液をモレ
キュラーシーブスで脱水乾燥し、ジイソプロピルエーテ
ルを減圧下ロータリーエバポレータで蒸発留去し、2
3.3gの淡黄色液体を得た。
【0024】400MHzのプロトンNMRにおけるメ
チレンプロトンおよびフェノキシ基に由来する芳香族プ
ロトン比およびFT−IRから得られた物質は、{C
O(CFCFO)CFCHO}1.6
(OC) 3.4〔化合物(2−a)〕であり、
密度は、1.6g/cm(15℃)、粘度(動粘度)
は50mm/sec(40℃)、表面張力は、25.
2dyne/cm(25℃)であった。
【0025】
【発明の効果】本発明によれば例えば良好なCSS耐久
性を有するハードディスク用潤滑剤に使用される化合物
を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C10N 40:18 C10N 40:18 (72)発明者 小林 永芳 兵庫県西宮市芦原町10−33 株式会社松村 石油研究所内 (72)発明者 藤本 理絵 兵庫県西宮市芦原町10−33 株式会社松村 石油研究所内 Fターム(参考) 4H050 AB60 4H104 BH14A CH09A LA03 PA16 5D006 AA01 DA03 FA06

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 −CFO−、−CFCFO−、
    から選ばれたパーフルオロオキシアルキレン単位がラン
    ダムに分布した配列よりなり、さらに官能末端基Aを有
    する、下記の式(1)で表されるホスファゼン化合物。 A−OCHCFO(CFCFO)p(CFO)qCFCHOH ( 1) [式中、Aは下記式(a)で表される基である。ここ
    で、Rは、水素原子、C 〜4のアルキル、C1〜4
    アルコキシ、C1〜4のハロアルキル、アリール、置換
    アリール、アリールオキシ、置換アリールオキシであ
    り、pおよびqは1〜30の実数である。] 【化1】
  2. 【請求項2】 Rが、アリールオキシ基である請求項
    1に記載のホスファゼン化合物。
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