JP2002289818A - 半導体基板の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 品質が十分なＳＯＩ基板を再現性よく作製す
る。同時にウエハの再使用等による省資源、コストダウ
ンを実現する。 【解決手段】 シリコン基板表面を陽極化成し非多孔質
シリコン基体１１上に多孔質シリコン層１２を有する第
１の基板を用意する工程、第１の基板上に非多孔質薄膜
１３を形成する工程、第１の基板と第２の基板とを非多
孔質薄膜が内側に位置するように貼り合わせて多層構造
体を形成する工程、及び多層構造体を多孔質シリコン層
１２において分離する工程、を有し、多孔質シリコン層
１２は、第１の電流密度で陽極化成する工程、第１の電
流密度とは異なる第２の電流密度で陽極化成する工程、
及び第２の電流密度とは異なる第３の電流密度で陽極化
成する工程、を含む工程により作製される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の作製
方法に関し、更に詳しくは、誘電体分離あるいは、絶縁
物上の単結晶半導体、Ｓｉ基板上の単結晶化合物半導体
の作製方法、さらに単結晶半導体層に作成される電子デ
バイス、集積回路に適する半導体基板の作製方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】絶縁物上の単結晶Ｓｉ半導体層の形成
は、Ｓｉ オン インシュレーター（ＳＯＩ）技術とし
て広く知られ、通常のＳｉ集積回路を作製するバルクＳ
ｉ基板では到達しえない数々の優位点をＳＯＩ技術を利
用したデバイスが有することから多くの研究が成されて
きた。すなわち、ＳＯＩ技術を利用することで、 １．誘電体分離が容易で高集積化が可能、 ２．対放射線耐性に優れている、 ３．浮遊容量が低減され高速化が可能、 ４．ウエル工程が省略できる、 ５．ラッチアップを防止できる、 ６．薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可
能、 等の優位点が得られる。これらは例えば以下の文献に詳
しい［Special Issue:“Single-crystal silicon on no
n-single-crystal insulators";edited by G.W.Cullen,
Journal of Crystal Growth,volume 63,no 3,pp 429〜5
90(1983).］。

【０００３】さらにここ数年においては、ＳＯＩが、Ｍ
ＯＳＦＥＴの高速化、低消費電力化を実現する基板とし
て多くの報告がなされている（IEEE SOI conference 19
94）。また、ＳＯＩ構造を用いると素子の下部に絶縁層
があるので、バルクＳｉウエハ上に素子を形成する場合
と比べて、素子分離プロセスが単純化できる結果、デバ
イスプロセス工程が短縮される。すなわち、高性能化と
合わせて、バルクＳｉ上のＭＯＳＦＥＴ、ＩＣに比べ
て、ウエハコスト、プロセスコストのトータルでの低価
格化が期待されている。

【０００４】なかでも完全空乏型ＭＯＳＦＥＴは駆動力
の向上による高速化、低消費電力化が期待されている。
ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧（Ｖth）は一般的にはチャネル
部の不純物濃度により決定されるが、ＳＯＩを用いた完
全空乏型（ＦＤ；Fully Depleted）ＭＯＳＦＥＴの場合
には空乏層厚がＳＯＩの膜厚の影響も受けることにな
る。したがって、大規模集積回路を歩留まりよくつくる
ためには、ＳＯＩ膜厚の均一性が強く望まれていた。

【０００５】また、化合物半導体上のデバイスはＳｉで
は得られない高い性能、たとえば、高速、発光などを持
っている。現在は、これらのデバイスはほとんどＧａＡ
ｓ等の化合物半導体基板上にエピタキシャル成長をして
その中に作り込まれている。しかし、化合物半導体基板
は、高価で、機械的強度が低く、大面積ウエハは作製が
困難などの問題点がある。

【０００６】このようなことから、安価で、機械的強度
も高く、大面積ウエハが作製できるＳｉウエハ上に、化
合物半導体をヘテロエピタキシャル成長させる試みがな
されている。

【０００７】ＳＯＩ基板の形成に関する研究は１９７０
年代頃から盛んであった。初期には、絶縁物であるサフ
ァイア基板の上に単結晶Ｓｉをヘテロエピタキシャル成
長する方法（ＳＯＳ：Sapphire on Silicon）や、多孔
質Ｓｉの酸化による誘電体分離によりＳＯＩ構造を形成
する方法（ＦＩＰＯＳ：Fully Isolation by PorousOxi
dized Silicon）、酸素イオン注入法がよく研究され
た。

【０００８】ＦＩＰＯＳ法は、Ｐ型Ｓｉ単結晶基板表面
にＮ型Ｓｉ層をプロトンイオン注入、（イマイ他、J.Cr
ystal Growth,vol 63,547(1983)）、もしくは、エピタ
キシャル成長とパターニングによって島状に形成し、表
面よりＳｉ島を囲むようにＨＦ溶液中の陽極化成法によ
りＰ型Ｓｉ基板のみを多孔質化したのち、増速酸化によ
りＮ型Ｓｉ島を誘電体分離する方法である。本方法で
は、分離されているＳｉ領域は、デバイス工程のまえに
決定されており、デバイス設計の自由度を制限する場合
があるという問題点がある。

【０００９】酸素イオン注入法は、K.Izumiによって始
めて報告されたＳＩＭＯＸと呼ばれる方法である。Ｓｉ
ウエハに酸素イオンを１０¹⁷〜１０¹⁸／ｃｍ² 程度注入
したのち、アルゴン・酸素雰囲気中で１３２０度程度の
高温でアニールする。その結果、イオン注入の投影飛程
（Ｒｐ）に相当する深さを中心に注入された酸素イオン
がＳｉと結合して酸化Ｓｉ層が形成される。その際、酸
化Ｓｉ層の上部の酸素イオン注入によりアモルファス化
したＳｉ層も再結晶化して、単結晶Ｓｉ層となる。表面
のＳｉ層中に含まれる欠陥は従来１０⁵ ／ｃｍ² と多か
ったが、酸素の打ち込み量を４×１０¹⁷／ｃｍ² 付近に
することで、〜１０² ／ｃｍ² まで低減することに成功
している。しかしながら、酸化Ｓｉ層の膜質、表面Ｓｉ
層の結晶性等を維持できるような注入エネルギー、注入
量の範囲が狭いために、表面Ｓｉ層、埋め込み酸化Ｓｉ
層（ＢＯＸ；Burried Oxide）の膜厚は特定の値に制限
されていた。所望の膜厚の表面Ｓｉ層を得るためには、
犠牲酸化、ないしは、エピタキシャル成長することが必
要であった。その場合、膜厚の分布には、これらプロセ
スによる劣化分が重畳される結果、膜厚均一性が劣化す
るという問題点がある。

【００１０】また、ＢＯＸはパイプと呼ばれる酸化Ｓｉ
の形成不良領域が存在することが報告されている。この
原因のひとつとしては、注入時のダスト等の異物が考え
られている。パイプの存在する部分では活性層と支持基
板の間のリークによりデバイス特性の劣化が生じてしま
う。

【００１１】ＳＩＭＯＸのイオン注入は前述の通り、通
常の半導体プロセスで使用するイオン注入と比べ注入量
が多いため、専用の装置が開発されてもなお、注入時間
は長い。イオン注入は所定の電流量のイオンビームをラ
スタースキャンして、あるいは、ビームを拡げて行われ
るため、ウエハの大面積化に伴い、注入時間の増大が想
定される。また、大面積ウエハの高温熱処理では、ウエ
ハ内の温度分布によるスリップの発生などの問題がより
シビアになることが指摘されている。ＳＩＭＯＸでは１
３２０℃というＳｉ半導体プロセスでは通常使用しない
高温での熱処理が必須であることから、装置開発を含め
て、この問題の重要性がさらに大きくなることが懸念さ
れている。

【００１２】また、上記のような従来のＳＯＩの形成方
法とは別に、近年、Ｓｉ単結晶基板を、熱酸化した別の
Ｓｉ単結晶基板に、熱処理又は接着剤を用いて貼り合
せ、ＳＯＩ構造を形成する方法が注目を浴びている。こ
の方法は、デバイスのための活性層を均一に薄膜化する
必要がある。すなわち、数百μｍもの厚さのＳｉ単結晶
基板をμｍオーダーかそれ以下に薄膜化する必要があ
る。この薄膜化には以下のように３種類の方法がある。 （１）．研磨による薄膜化 （２）．局所プラズマエッチングによる薄膜化 （３）．選択エッチングによる薄膜化 上記（１）の研磨では均一に薄膜化することが困難であ
る。特にサブμｍの薄膜化は、ばらつきが数十％にもな
ってしまい、この均一化は大きな問題となっている。さ
らにウエハの大口径化が進めばその困難度は増すばかり
である。

【００１３】上記（２）の方法は、あらかじめ１〜３μ
ｍ程度まで（１）の研磨による方法で薄膜化したのち、
膜厚分布を全面で多点測定する。このあとこの膜厚分布
にもとづいて、直径数ｍｍのＳＦ₆ などを用いたプラズ
マをスキャンさせることにより膜厚分布を補正しながら
エッチングして、所望の膜厚まで薄膜化する。この方法
では膜厚分布を±１０ｎｍ程度にできることが報告され
ている。しかし、プラズマエッチングの際に基板上異物
（パーティクル）があるとこの異物がエッチングマスク
となるために基板上に突起が形成されてしまう。

【００１４】エッチング直後には表面が荒れているため
に、プラズマエッチング終了後にタッチポリッシングが
必要であるが、ポリッシング量の制御は時間管理によっ
て行われるので、最終膜厚の制御、および、ポリッシン
グによる膜厚分布の劣化が指摘されている。さらに研磨
ではコロイダルシリカ等の研磨剤が直接に活性層になる
表面を擦るので、研磨による破砕層の形成、加工歪みの
導入も懸念されている。さらにウエハが大面積化された
場合にはウエハ面積の増大に比例して、プラズマエッチ
ング時間が増大するため、スループットの著しい低下も
懸念される。

【００１５】上記（３）の方法は、あらかじめ薄膜化す
る基板に選択エッチング可能な膜構成をつくり込んでお
く方法である。例えば、Ｐ型基板上にボロンを１０¹⁹／
ｃｍ ³ 以上の濃度に含んだＰ⁺−Ｓｉの薄層とＰ型Ｓｉ
の薄層をエピタキシャル成長などの方法で積層し、第１
の基板とする。これを酸化膜等の絶縁層を介して、第２
の基板と貼り合わせたのち、第１の基板の裏面を、研
削、研磨で予め薄くしておく。その後、Ｐ型層の選択エ
ッチングで、Ｐ⁺ 層を露出、さらにＰ⁺ 層の選択エッチ
ングでＰ型層を露出させ、ＳＯＩ構造を完成させるもの
である。この方法はMaszaraの報告に詳しい（J.Electro
chem.Soc.138,341(1991)）。

【００１６】選択エッチングは均一な薄膜化に有効とさ
れているが、 ・せいぜい１０² と選択比が十分でない。

【００１７】・エッチング後の表面性が悪いため、エッ
チング後にタッチポリッシュが必要である。しかし、そ
の結果、膜厚が減少するとともに、膜厚均一性も劣化し
やすい。特にポリッシングは時間によって研磨量を管理
するが、研磨速度のばらつきが大きいため、研磨量の制
御が困難となる。したがって、１００ｎｍというような
極薄ＳＯＩ層の形成において、特に問題となる。

【００１８】・イオン注入、高濃度ＢドープＳｉ層上の
エピタキシャル成長あるいはヘテロエピタキシャル成長
を用いているためＳＯＩ層の結晶性が悪い。また、被貼
り合わせ面の表面性も通常のＳｉウエハより劣る。等の
問題点がある（C.Harendt,et.al.,J.Elect.Mater.Vol.2
0,267(1991)、H.Baumgart,et.al.,Extended Abstract of
ECS 1st International Symposiumof Wafer Bonding,p
p-733(1991)、C.E.Hunt,Extended Abstract of ECS 1st
International Symposium of Wafer Bonding,pp-696(19
91)）。また、選択エッチングの選択性はボロン等の不
純物の濃度差とその深さ方向プロファイルの急峻性に大
きく依存している。したがって、貼り合わせ強度を高め
るための高温のボンディングアニールや結晶性を向上さ
せるために高温のエピタキシャル成長を行ったりする
と、不純物濃度の深さ方向分布が拡がり、エッチングの
選択性が劣化してしまう。すなわち、エッチングの選択
比の向上と貼り合わせ強度の向上との両立は困難であっ
た。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】最近、米原らはかかる
問題点を解決し、膜厚均一性や結晶性に優れ、バッチ処
理が可能な貼り合わせＳＯＩを報告した（T.Yonehara,
K.Sakaguchi and N.SatoAppl.Phys.Lett.64,2108(199
4)）。この方法は、Ｓｉ基板上４１の多孔質層４２を選
択エッチングの材料として用いる。多孔質層の上に非多
孔質単結晶Ｓｉ層４３をエピタキシャル成長した後、酸
化Ｓｉ層４５を介して第２の基板４４と貼り合わせる
（図１４）。第１の基板を裏面より研削等の方法で薄層
化し、基板全面において多孔質Ｓｉ４２を露出させる
（図１５）。露出させた多孔質Ｓｉ４２はＫＯＨ、ＨＦ
＋Ｈ₂Ｏ₂などの選択エッチング液よりエッチングして除
去する（図１６）。このとき、多孔質ＳｉのバルクＳｉ
（非多孔質単結晶Ｓｉ）に対するエッチングの選択比を
１０万倍と十分に高くできるので、あらかじめ多孔質上
に成長した非多孔質単結晶Ｓｉ層を膜厚を殆ど減じるこ
となく、第２の基板の上に残し、ＳＯＩ基板を形成する
ことができる。したがって、ＳＯＩの膜厚均一性はエピ
タキシャル成長時にほぼ決定づけられる。エピタキシャ
ル成長は通常半導体プロセスで使用されるＣＶＤ装置が
使用できるので、佐藤らの報告（ＳＳＤＭ９５）によれ
ば、その均一性は例えば１００ｎｍ±２％以内が実現さ
れている。また、エピタキシャルＳｉ層の結晶性も良好
で３．５×１０² ／ｃｍ² が報告された。

【００２０】従来の方法ではエッチングの選択性は不純
物濃度の差とその深さ方向のプロファイルによっていた
ため、濃度分布を拡げてしまう熱処理の温度（貼り合わ
せ、エピタキシャル成長、酸化等）は概ね８００℃以下
と大きく制約されていた。一方、この方法におけるエッ
チングは多孔質とバルクという構造の差がエッチングの
速度を決めているため、熱処理温度の制約は小さく、１
１８０℃程度の熱処理が可能であることが報告されてい
る。例えば貼り合わせ後の熱処理は、ウエハ同士の接着
強度を高め、貼り合わせ界面に生じる空隙（ｖｏｉｄ）
の数、大きさを減少させることが知られている。また、
斯様な構造差にもとづくエッチングでは多孔質Ｓｉ上に
付着したパーティクルがあっても、膜厚均一性に影響を
及ぼさない。

【００２１】しかしながら、貼り合わせを用いた半導体
基板は、必ず２枚のウエハを必要とし、そのうち１枚は
ほとんど大部分が研磨・エッチング等により無駄に除去
され捨てられてしまい、限りある地球の資源を無駄使い
してしまう。

【００２２】したがって、貼り合わせによるＳＯＩにお
いては、現状の方法では、その制御性、均一性さらには
経済性に多くの問題点が存在する。

【００２３】このように貼り合わせ法において消費され
てしまう、第１の基板を再利用する方法が最近坂口らに
よって報告された（特願平０７−０４５４４１号）。

【００２４】彼らは、前述した多孔質Ｓｉを用いる貼り
合わせ＋エッチバック法において、第１の基板を裏面よ
り研削、エッチング等の方法で薄層化して多孔質Ｓｉを
露出させる工程に代えて以下のような方法を採用した。

【００２５】第１のＳｉ基板５１の表面層を多孔質化し
て多孔質層５２としたのち、その上に単結晶Ｓｉ層５３
を形成し、この単結晶Ｓｉ層５３と第１のＳｉ基体とは
別の第２のＳｉ基板５４の主面とを絶縁層５５を介して
貼り合わせる（図１７）。この後、多孔質層で貼り合わ
せたウエハを分割し（図１８）、第２のＳｉ基体側の表
面に露出した多孔質Ｓｉ層を選択的に除去することによ
り、ＳＯＩ基板を形成するのである（図１９）。

【００２６】貼り合わせたウエハの分割は、貼り合わせ
たウエハに面内に対して、垂直方向にさらに面内に均一
に十分な引っ張り力ないし圧力を加える、超音波等の波
動エネルギーを印加する、ウエハ側面に多孔質層を表出
させ、多孔質Ｓｉをある程度エッチングし、そこへ剃刀
の刃のようなものを挿入する、ウエハ側面に多孔質層を
表出させ、多孔質Ｓｉに水等の液体をしみ込ませた後、
貼り合わせウエハ全体を加熱あるいは冷却し液体の膨張
をさせる、あるいは、第１（あるいは第２）の基板に対
して第２（あるいは第１）の基板に水平方向に力を加え
る等の方法により、多孔質Ｓｉ層を破壊するという方法
を用いている。

【００２７】これらは、いずれも多孔質Ｓｉの機械的強
度がporosityにより異なるが、バルクＳｉよりも十分に
弱いと考えられることに基づく。たとえば、porosityが
５０％であれば機械的強度はバルクの半分と考えて良
い。すなわち、貼り合わせウエハに圧縮、引っ張りある
いは揃断力をかけると、まず多孔質Ｓｉ層が破壊される
ことになる。また、porosityを増加させればより弱い力
で多孔質層を破壊できる。

【００２８】しかし、ウエハの面と垂直方向ないし水平
方向に力を加える場合、半導体基板が完全剛体でなく弾
性体であるため、ウエハの支持方法によっては、ウエハ
が弾性変形して力が逃げてしまい、多孔質層に力がうま
くかからないことがあった。

【００２９】同様にウエハの側面より剃刀の刃のような
ものを差し込む場合には剃刀の厚みを十分に薄く、か
つ、剛性の十分に高いものを用いないと、歩留まりが著
しく低下することがあった。また、周辺から一様に差し
込むことはできず、或は貼合わせウエハに外から力をか
けるため、貼り合わせ面の接着強度が多孔質Ｓｉ層の強
度とくらべて弱い場合、あるいは、局所的に弱い部分が
存在する場合、貼り合わせ面で２枚のウエハが分割され
てしまい、初期の目的を達成できないことがあった。

【００３０】したがって、品質が十分なＳＯＩ基板を再
現性よく作製するとともに、同時にウエハの再使用等に
よる省資源、コストダウンを実現するより改善された方
法が望まれていた。

【００３１】特開平５−２１１１２８号公報にイオン注
入によりバブル層を作り、熱処理により結晶再配列と気
泡の凝集とが生じ、バブル層を介してはがす方法が提案
されているが、熱処理の最適化が容易ではなく、さら
に、４００〜６００℃という低温で行われる。このよう
な低温では、上述したようにボイドの発生を抑えること
はできず、一度生じたボイドは薄膜化後に高温再熱処理
しても消滅しない。つまり、ボイドの数、大きさの減少
は２枚のウエハが貼合わされた状態で高温熱処理された
とき生じる現象で、薄膜化後に高温熱処理しても密着部
の強度が強くなるのみでボイドは減少しない。

【００３２】以上、貼り合わせによるＳＯＩ技術に関す
る課題について説明したが、ＳＯＩ技術は以下の理由に
より、光透過性基板への単結晶層形成、基板上への化合
物半導体層形成等についても要請がある。

【００３３】すなわち、光透過性基板は、光受光素子で
あるコンタクトセンサーや、投影型液晶画像表示装置を
構成するうえにおいて重要である。そして、センサーや
表示装置の画素（絵素）をより一層、高密度化、高解像
度化、高精細化するには、高性能な駆動素子が必要とな
る。その結果、光透過性基板上に設けられている素子と
しても優れた結晶性を有する単結晶層を用いて作製され
ることが必要となる。そして、単結晶層を用いれば、画
素を駆動する周辺回路や画像処理用の回路を画素と同一
の基板に組み込み、チップの小型化・高速化を図ること
もできる。

【００３４】しかし、ガラスに代表される光透過性基板
上には、一般には、その結晶構造の無秩序性から、堆積
した薄膜Ｓｉ層は、基板の無秩序性を反映して、非晶質
か、良くて多結晶層にしかならず、高性能なデバイスは
作製できない。すなわち、非晶質Ｓｉや多結晶Ｓｉで
は、その欠陥の多い結晶構造ゆえに要求されるあるいは
今後要求されるに十分な性能を持った駆動素子を作製す
ることが難しい。それは、基板の結晶構造が非晶質であ
ることによっており、単に、Ｓｉ層を堆積しても、良質
な単結晶層は得られないのである。

【００３５】一方、化合物半導体のデバイス作製には化
合物半導体の基板が必要不可欠となっているものの、化
合物半導体の基板は高価で、しかも、大面積化が非常に
困難である。このようなことから、安価で、機械的強度
も高く、大面積ウエハが作製できるＳｉウエハ上に、Ｇ
ａＡｓ等の化合物半導体をヘテロエピタキシャル成長さ
せる試みもなされている。

【００３６】しかし、格子定数や熱膨張係数の違いによ
り、その成長膜は結晶性が悪く、デバイスに応用するこ
とは非常に困難となっている。

【００３７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の作
製方法は、シリコン基板表面を陽極化成し非多孔質シリ
コン基体上に多孔質シリコン層を有する第１の基板を用
意する工程、該第１の基板上に非多孔質薄膜を形成する
工程、該第１の基板と第２の基板とを前記非多孔質薄膜
が内側に位置するように貼り合わせて多層構造体を形成
する工程、及び該多層構造体を該多孔質シリコン層にお
いて分離する工程、を有する半導体基板の作製方法にお
いて、該多孔質シリコン層は、第１の電流密度で陽極化
成する工程、第１の電流密度とは異なる第２の電流密度
で陽極化成する工程、及び該第２の電流密度とは異なる
第３の電流密度で陽極化成する工程、を含む工程により
作製されることを特徴とするものである。

【００３８】また本発明の半導体基板の作製方法は、シ
リコン基板表面を陽極化成し非多孔質シリコン基体上に
多孔質シリコン層を有する第１の基板を用意する工程、
該第１の基板上に非多孔質薄膜を形成する工程、該第１
の基板を第２の基板と前記非多孔質薄膜が内側に位置す
るように貼り合わせて多層構造体を形成する工程、及び
該多層構造体を前記多孔質シリコン層において分離する
工程、を有する半導体基板の作製方法において、該多孔
質シリコン層が、前記非多孔質薄膜側から第１の多孔質
シリコン層、該第１の多孔質シリコン層よりも多孔度の
大きい第２の多孔質シリコン層、及び該第２の多孔質シ
リコン層よりも多孔度の小さい第３の多孔質シリコン層
を有するように、前記陽極化成により該多孔質シリコン
層内の多孔度を変えることを特徴とするものである。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の説明に
先だって本発明の作用について説明する。

【００４０】本発明は、多孔質Ｓｉが増速酸化すること
を利用し、ウエハの周辺から多孔質Ｓｉ層の酸化を行う
ことにより、周辺にいくに従って多孔質Ｓｉの体積膨張
が大きくなり、あたかも周辺から一様に多孔質Ｓｉにく
さびをいれたのとおなじ効果があり、多孔質Ｓｉ層にの
み内圧がかかり、ウエハ全面にわたり多孔質Ｓｉ層中で
分割される。これにより、上記したようなさまざまな課
題を解決する半導体基板の作製方法を提供するものであ
る。

【００４１】本発明の基本となる酸化による分割原理を
図１〜図３を用いて説明する。図１に酸化直前の貼合わ
せ基体を示す。多孔質Ｓｉの側面は表出している。多孔
質Ｓｉは、通常側面においても非多孔質薄膜に覆われて
おり、貼合わせ後あるいはその前に側面を表出させてお
く必要がある。この貼合わせ基体を酸化すると多孔質Ｓ
ｉの膨大な表面積により増速酸化が多孔質Ｓｉの側面か
ら始まる。ＳｉがＳｉＯ₂になるときには２．２７倍に
体積が膨張するので、porosityが５６％以下の時は、酸
化多孔質Ｓｉ層も体積膨張することになる。酸化はウエ
ハの中心に行くにしたがって程度は小さくなるので、図
２に示すようにウエハの側面の酸化多孔質Ｓｉ層の体積
膨張が大きくなる。これはまさしくウエハの側面から多
孔質Ｓｉ層にくさびを打ち込んだのと同様な状況で、多
孔質Ｓｉ層にのみ内圧がかかり、多孔質Ｓｉ中で分割す
るように力がはたらく。しかも酸化はウエハ周辺で均一
に進むので、ウエハの周囲から均等に貼合わせウエハを
はがすことになる。結果として、図３のように分割され
ることになる。また、この酸化工程は、通常のＳｉ−Ｉ
Ｃプロセスで行われている工程であり、特殊な設備、刃
物を注意深く差し込む等の特殊な技能は必要はない。

【００４２】貼合わせ基体は多層構造であり、外圧によ
り多孔質Ｓｉで剥がす方法では、強度の弱い界面や部分
的に弱い領域がある場合にはそこから剥がれてしまう。
本発明によれば、酸化という均一性に優れた通常のＳｉ
−ＩＣプロセスの一工程を利用し、多孔質Ｓｉの高速酸
化性、多孔質Ｓｉの体積膨張、および多孔質Ｓｉの脆弱
性を複合し、多孔質Ｓｉ層にのみ内圧をかけることがで
き、それにより多孔質Ｓｉ層中で制御良くウエハを分割
することができる。

【００４３】上記本発明の方法で分離された第１のＳｉ
基体は残留多孔質Ｓｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層を
除去した後、表面平坦性が不十分であれば表面平坦化処
理を行うことにより再び第１のＳｉ基板、あるいは次の
第２の基体として再利用することが可能である。

【００４４】表面平坦化処理は通常半導体プロセスで使
用される研磨、エッチング等の方法でもよいが、水素を
含む雰囲気での熱処理によっても構わない。この熱処理
は条件を選ぶことにより、局所的には原子ステップが表
出するほど平坦にすることができる。水素を含む雰囲気
での熱処理としては、例えば、Ｈ₂１００％，１１００
℃，２時間、Ｈ₂／Ａｒ＝２０／８０，１１５０℃，１
時間、Ｈ₂１００％，１０５０℃，２時間等の条件で行
うことができる。

【００４５】本発明は、大面積に多孔質層を介して一括
して分離することができるため、第１の基板を除去し多
孔質Ｓｉ層を全面露出するために従来必須であった研
削、研磨、エッチング工程を省略し、工程を短縮するこ
とができる。

【００４６】また、繰り返し第１のＳｉ基板として用い
る場合には、この第１のＳｉ基板は強度的に使用不可と
なるまで何度でも再使用することが可能である。

【００４７】さらに本発明は、従来の貼り合わせ基板の
作製は第１のＳｉ基板を研削やエッチングにより片面か
ら順次除去していく方法を用いているため、第１のＳｉ
基板の両面を有効活用し支持基板に貼り合わせることは
不可能であるが、本発明によれば、第１のＳｉ基板はそ
の表面層以外は元のまま保持されているため、第１のＳ
ｉ基板の両面を共に主面とし、その面にそれぞれ支持基
板を貼り合わせることにより、２枚の貼り合わせ基板を
同時に１枚の第１のＳｉ基板から作製することができる
ので、工程を短縮し、生産性を向上することができる。
もちろん、分離された第１のＳｉ基体は再利用すること
が可能である。

【００４８】すなわち、本発明は、経済性に優れて、大
面積に渡り均一平坦な、極めて優れた結晶性を有するＳ
ｉ単結晶基板を用いて、表面に形成されたＳｉあるいは
化合物半導体活性層を残して、その片面から該活性層ま
でを取り去り、絶縁物上に欠陥の著しく少ないＳｉ単結
晶層あるいは化合物半導体単結晶層を提供する。

【００４９】本発明は、透明基板（光透過性基板）上に
結晶性が単結晶ウエハ並に優れたＳｉあるいは化合物半
導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、
コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提
供する。

【００５０】また、本発明は、ＳＯＩ構造の大規模集積
回路を作製する際にも、高価なＳＯＳや、ＳＩＭＯＸの
代替足り得る半導体基板の作製方法を提供する。

【００５１】本発明によれば、多孔質Ｓｉ上に結晶性の
良い単結晶化合物半導体層を形成でき、さらにこの半導
体層を経済性に優れている、しかも大面積の絶縁性基板
上に移し代えることが可能であり、上記問題点である格
子定数、熱膨張係数の差を十分に抑制し、良好な結晶性
を有する化合物半導体層を絶縁性基板上に形成すること
ができる。

【００５２】さらに、本発明の多孔質Ｓｉ層の除去は、
多孔質Ｓｉの機械的強度の低さと膨大な表面積を有する
ことから、単結晶層を研磨ストッパーとして選択研磨に
より行うことも可能となる。

【００５３】本発明は、陽極化成とイオン注入とを合わ
せて、側面のporosityを小さくし、中央部のporosityを
大きくすることにより、側面の体積膨張はより大きくそ
して中央部は強度を弱くし剥がれやすくすることも出来
る。

【００５４】本発明は、酸化による剥離前（貼合わせ前
でも良い）に貼合わせ基体の外側表面の少なくとも片側
にＳｉより熱膨張係数の小さい材料の層を形成しておく
ことにより、酸化中の温度では、Ｓｉはより膨張しやす
いことから貼合わせウエハの周辺部ではウエハを剥がす
方向に応力がはたらき、酸化によるくさび効果が生じや
すくなる。

【００５５】本発明は、上記したような多孔質層の増速
酸化と体積膨張をウエハ周辺から一様に生じさせること
で上記したさまざまな課題を同時に解決するものであ
る。

【００５６】多孔質ＳｉはUhlir等によって１９５６年
に半導体の電解研磨の研究過程において発見された（A.
Uhlir,Bell Syst.Tech.J.,vol.35,333(1956)）。多孔質
ＳｉはＳｉ基板をＨＦ溶液中で陽極化成（Anodizatio
n）することにより形成することができる。ウナガミ等
は陽極化成におけるＳｉの溶解反応を研究し、ＨＦ溶液
中のＳｉの陽極反応には正孔が必要であり、その反応
は、次のようであると報告している（T.ウナカ゛ミ、J.Electr
ochem.Soc.,vol.127,476(1980)）。

【００５７】Ｓｉ＋２ＨＦ＋（２−ｎ）ｅ⁺ →ＳｉＦ₂
＋２Ｈ⁺ ＋ｎｅ^- ＳｉＦ₂ ＋２ＨＦ→ＳｉＦ₄ ＋Ｈ₂ ＳｉＦ₄ ＋２ＨＦ→Ｈ₂ＳｉＦ₆ または、 Ｓｉ＋４ＨＦ＋（４−λ）ｅ⁺ →ＳｉＦ₄ ＋４Ｈ⁺ ＋λ
ｅ^- ＳｉＦ₄ ＋２ＨＦ→Ｈ₂ＳｉＦ₆ ここで、ｅ⁺ およびｅ^- はそれぞれ正孔と電子を表して
いる。また、ｎおよびλはそれぞれＳｉ１原子が溶解す
るために必要な正孔の数であり、ｎ＞２またはλ＞４な
る条件が満たされた場合に多孔質Ｓｉが形成されるとし
ている。

【００５８】以上のことから、正孔の存在するＰ型Ｓｉ
は多孔質化されるが、Ｎ型Ｓｉは多孔質化されない。こ
の多孔質化における選択性は長野等および今井によって
実証されている（長野、中島、安野、大中、梶原、電子
通信学会技術研究報告、vol.79,SSD79-9549(1979)）、
（K.Imai,Solid-State Electronics,vol.24,159(198
1)）。

【００５９】しかし、高濃度Ｎ型Ｓｉであれば多孔質化
されるとの報告もあり（R.P.Holmstrom and J.Y.Chi,Ap
pl.Phys.Lett.,vol.42,386(1983)）、Ｐ型、Ｎ型の別に
こだわらず、多孔質化を実現できる基板を選ぶことが重
要である。

【００６０】多孔質Ｓｉは、Ｓｉ基板をＨＦ溶液中で陽
極化成（Anodization）することにより形成することが
できる。多孔質層は１０^-1〜１０ｎｍ程度の直径の孔が
１０ ^-1〜１０ｎｍ程度の間隔で並んだスポンジのような
構造をしている。その密度は、単結晶Ｓｉの密度２．３
３ｇ／ｃｍ³ に比べて、ＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に
変化させたり、電流密度を変化させることで１．１〜
０．６ｇ／ｃｍ³ の範囲に変化させることができる。す
なわち、Porosityを可変することが可能である。このよ
うに多孔質Ｓｉの密度は単結晶Ｓｉに比べると、半分以
下にできるにもかかわらず、単結晶性は維持されてお
り、多孔質層の上部へ単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成
長させることも可能である。ただし、１０００℃以上で
は、内部の孔の再配列が起こり、増速エッチングの特性
が損なわれる。このため、Ｓｉ層のエピタキシャル成長
には、分子線エピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、減
圧ＣＶＤ法、光ＣＶＤ、バイアス・スパッター法、液相
成長法等の低温成長が好適とされている。しかし、あら
かじめ低温酸化等の方法により多孔質層の孔壁にあらか
じめ保護膜を形成しておけば、高温成長も可能である。

【００６１】また、多孔質層はその内部に大量の空隙が
形成されている為に、密度が半分以下に減少する。その
結果、体積に比べて表面積が飛躍的に増大するため、そ
の化学エッチング速度は、通常の単結晶層のエッチング
速度に比べて、著しく増速される。

【００６２】多孔質Ｓｉの機械的強度はporosityにより
異なるが、バルクＳｉよりも弱いと考えられる。たとえ
ば、porosityが５０％であれば機械的強度はバルクの半
分と考えて良い。すなわち、貼り合わせウエハに圧縮、
引っ張りあるいは揃断力をかけると、まず多孔質Ｓｉ層
が破壊されることになる。また、porosityを増加させれ
ばより弱い力で多孔質層を破壊できる。

【００６３】バルクＳｉ中にヘリウムや水素をイオン注
入し、熱処理を加えると注入された領域に直径数ｎｍ〜
数十ｎｍの微小な空洞（micro-cavity）が〜１０^16-17
／ｃｍ³ もの密度で形成されることが報告されている
（例えば、A.Van Veen,C.C.Griffioen,and J.H.Evans,M
at.Res.Soc.Symp.Proc.107(1988,Material Res.Soc.Pit
tsburgh,Pennsylvania)p.449.）。最近はこれら微小空
洞群を金属不純物のゲッタリングサイトとして利用する
ことが研究されている。

【００６４】V.RaineriとS.U.Campisanoは、バルクＳｉ
中にヘリウムイオンを注入、熱処理して形成された空洞
群を形成した後、基板に溝を形成して空洞群の側面を露
出し酸化処理を施した。その結果、空洞群は選択的に酸
化されて埋め込み酸化Ｓｉ層を形成した。すなわち、Ｓ
ＯＩ構造を形成できることを報告した（V.Raineri,and
S.U.Canpisano,Appl.Phys.Lett.66(1995)p.3654）。し
かしながら、彼らの方法では表面Ｓｉ層と埋め込み酸化
Ｓｉ層の厚みは空洞群の形成と酸化時の体積膨張により
導入されるストレスの緩和の両方を両立させる点に限定
されている上に選択酸化のために溝の形成が必要であ
り、基板全面にＳＯＩ構造を形成することができなかっ
た。斯様な空洞群の形成は、金属への軽元素の注入に伴
う現象として、これら空洞群の膨れ、ないし、剥離現象
とともに、核融合炉の第一炉壁に関する研究の一環とし
て報告されてきた。

【００６５】第２の基体としては、例えばＳｉ基板、Ｓ
ｉ基板に酸化Ｓｉ膜を形成したもの、石英基板（Silica
glass）やガラス基板のような光透過性基板、あるい
は、金属基板などがあげられるが特にこれらに限定され
るものではない。

【００６６】第１の基板上の多孔質Ｓｉ層上に形成する
薄膜は、例えば非多孔質単結晶Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ
などの化合物半導体の他、金属薄膜、炭素薄膜などが上
げられるがこれに限定されるものではない。また、これ
らの薄膜は全面に形成されていることが必須ではなく、
パターニング処理により、部分的にエッチングされてい
てもよい。

【００６７】Ｓｉの貼合せウエハでは高温酸化を行うこ
とができ、ボイド減少のための高温熱処理も同時に行え
るという利点がある。

【００６８】次に本発明の実施形態について説明する。 〔実施形態１〕図４に示すように、まず第１のＳｉ単結
晶基板２１を用意して、その主面の最表面層に少なくと
も１層の非多孔質薄膜２３、その直下に多孔質Ｓｉ層２
２を形成する。非多孔質薄膜２３、多孔質Ｓｉ層２２の
作製手順は、 ａ）陽極化成による多孔質Ｓｉ層２２の形成、非多孔質
薄膜２３の形成、 ｂ）希ガス、水素、および、窒素のうち少なくとも一種
の元素をイオン注入して、多孔質Ｓｉ層２２と非多孔質
薄膜２３とを同時形成、 ｃ）ａ）に、さらに希ガス、水素、および、窒素のうち
少なくとも一種の元素をイオン注入して、porosityの異
なる領域を作製、 のいずれかから選ばれる。

【００６９】非多孔質薄膜２３は、単結晶Ｓｉ、多結晶
Ｓｉ、非晶質Ｓｉ、あるいは、金属膜、化合物半導体薄
膜、超伝導薄膜などの中から任意に選ばれる。あるい
は、ＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成してしまっても構
わない。さらに、最表面層にＳｉＯ₂を形成しておいた
方が、貼合わせ界面の界面準位を活性層から離すことが
出来るという意味でもよい（ただし、必ずしもＳｉＯ₂
を設けなくともよい。）。注入層を透過型電子顕微鏡な
どで観察すると微小空洞が無数に形成されることがわか
る。注入するイオンは荷電状態は特に限定されない。加
速エネルギーは注入したい深さに投影飛程がくるように
設定する。注入量に応じて、形成される微少空洞の大き
さ、密度は変化するが、概ね１×１０¹⁴／ｃｍ² 以上、
より好ましくは１×１０¹⁵／ｃｍ² である。投影飛程を
深く設定したい場合には、チャネリングイオン注入によ
っても構わない。注入後には必要に応じて、熱処理を行
う。図５に示すように、第２の基板２４と第１の基板の
表面とを室温で密着させる。その後、陽極接合、加圧、
あるいは必要に応じて熱処理、あるいはこれらの組み合
わせにより貼合わせを強固にしてもよい。

【００７０】単結晶Ｓｉを堆積した場合には、単結晶Ｓ
ｉの表面には熱酸化等の方法で酸化Ｓｉを形成したのち
貼り合わせることが好ましい。また、第２の基板は、Ｓ
ｉ、Ｓｉ基板上に酸化Ｓｉ膜を形成したもの、石英等の
光透過性基板、サファイアなどから選択することができ
るが、これに限定されるものではなく、貼り合わせに供
される面が十分に平坦で有れば構わない。

【００７１】貼り合わせに際しては絶縁性の薄板をはさ
み３枚重ねで貼り合わせることも可能である。

【００７２】酸化による剥離前（貼合わせ前でも良い）
に貼合わせ基体の外側表面の少なくとも片側にＳｉより
熱膨張係数の小さい材料の層を形成しておいてもよい。
酸化中の温度では、Ｓｉは、より膨張しやすいことから
貼合わせウエハの周辺部ではウエハを剥がす方向に応力
がはたらき、酸化によるくさび効果を補足することにな
る。

【００７３】多孔質Ｓｉ層の側面は、貼合わせ後に非多
孔質薄膜２３をエッチングするか、貼合わせ前にエッチ
ングあるいは側面には非多孔質薄膜２３を形成しない等
の方法で、表出させておく。貼合わせ基体を酸化し側面
の多孔質Ｓｉを増速酸化させる（図中２５は酸化された
多孔質Ｓｉ）。すると、図６に示すように、その側面多
孔質Ｓｉの体積膨張により多孔質Ｓｉ層が剥がれるよう
に応力がはたらき、最後には、多孔質Ｓｉ層２２中で基
板が分割する（図７）。第２の基板側は、多孔質Ｓｉ２
２＋酸化された多孔質Ｓｉ２５／非多孔質薄膜（例えば
単結晶Ｓｉ層）２３／第２の基板２４のような構造とな
る。

【００７４】さらに、多孔質Ｓｉ２２および酸化された
多孔質Ｓｉ２５を選択的に除去する。酸化された多孔質
Ｓｉ２５は、弗酸溶液でエッチングする。非多孔質薄膜
が単結晶Ｓｉの場合には通常のＳｉのエッチング液、あ
るいは多孔質Ｓｉの選択エッチング液である弗酸、ある
いは弗酸に（エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル等の）アルコールおよび過酸化水素水の少なくともど
ちらか一方を添加した混合液、あるいは、バッファード
弗酸あるいはバッファード弗酸にアルコールおよび過酸
化水素水の少なくともどちらか一方を添加した混合液の
少なくとも１種類を用いて、多孔質Ｓｉ２２のみを無電
解湿式化学エッチングして第２の基板上に予め第１の基
板の多孔質上に形成した膜を残存させる。上記詳述した
ように、多孔質Ｓｉの膨大な表面積により通常のＳｉの
エッチング液でも選択的に多孔質Ｓｉのみをエッチング
することが可能である。あるいは、非多孔質薄膜層２３
を研磨ストッパーとして多孔質Ｓｉ２２を選択研磨で除
去する。

【００７５】化合物半導体層を多孔質上に形成している
場合には化合物半導体に対してＳｉのエッチング速度の
速いエッチング液を用いて、多孔質Ｓｉ２２のみを化学
エッチングして第２の基板２４上に薄膜化した単結晶化
合物半導体層２３を残存させ形成する。あるいは、単結
晶化合物半導体層２３を研磨ストッパーとして多孔質Ｓ
ｉ２２を選択研磨で除去する。

【００７６】図８には、本発明で得られる半導体基板が
示される。第２の基板２４上に非多孔質薄膜、例えば単
結晶Ｓｉ薄膜２３が平坦に、しかも均一に薄膜化され
て、ウエハ全域に大面積に形成される。第２の基板２４
として絶縁性基板を用いれば、こうして得られた半導体
基板は、絶縁分離された電子素子作製という点から見て
も好適に使用することができる。

【００７７】第１のＳｉ単結晶基板２１は残留多孔質Ｓ
ｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層を除去して、表面平坦
性が許容できないほど荒れている場合には表面平坦化を
行った後、再度第１のＳｉ単結晶基板２１、あるいは次
の第２の基体２４として使用できる。 〔実施形態２〕図９〜図１３に示すように、上記実施形
態１に示した工程を、第２の基体を２枚用いることによ
り第１の基体の両面に施し、半導体基板を同時に２枚作
製する。

【００７８】図９〜図１３において、３１は第１のＳｉ
単結晶基板、３２は第１のＳｉ単結晶基板３１の両主面
側に設けられた多孔質Ｓｉ層、３３は多孔質Ｓｉ層３２
上に設けられた非多孔質薄膜、３４，３５は第２の基
板、３６は酸化された多孔質Ｓｉ層である。

【００７９】第１のＳｉ単結晶基板３１は残留多孔質Ｓ
ｉを除去して、表面平坦性が許容できないほど荒れてい
る場合には表面平坦化を行った後、再度第１のＳｉ単結
晶基板３１、あるいは次の第２の基体３４（または３
５）として使用できる。

【００８０】支持基板３４，３５は同一の条件（材料、
厚さ等）のものでなくても良い。

【００８１】非多孔質薄膜３３は、両面が同一の条件
（材料、厚さ等）でなくてもよい。

【００８２】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００８３】（実施例１）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【００８４】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【００８５】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【００８６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【００８７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【００８８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
をした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶
Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよ
び酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全
に除去された。

【００８９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【００９０】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【００９１】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【００９２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【００９３】本実施例においては、エピタキシャルＳｉ
層表面に酸化膜を形成し、且つ第２の基板面に酸化膜が
形成されている（両基体に酸化膜が形成されている）例
を示したが、酸化膜がいずれか一方の基体に設けられて
いても、両基体に酸化膜を設けなくても同様の結果が得
られた。ただし、既に述べたようにエピタキシャルＳｉ
層の最表面層に酸化膜を形成しておいた方が、貼り合わ
せ界面の界面準位を活性層から離すことができる点で好
ましい。

【００９４】なお、両基体に酸化膜が形成されても、い
ずれか一方の基体に酸化膜が形成されても、両基体に酸
化膜が形成されなくても同様の結果が得られることは後
述する実施例についても同様であった。そして、非多孔
質薄膜（エピタキシャルＳｉ層）の最表面層に酸化膜を
形成しておいた方が、貼り合わせ界面の界面準位を活性
層から離すことができる点で好ましいことも同様であ
る。

【００９５】（実施例２）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗１０Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径の第
１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、表面に熱酸化
により１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。主表面に水
素イオンを加速電圧５０ｋｅＶで１×１０^{1 7}／ｃｍ² 注
入した。これにより、表面下０．５μｍ付近の深さのと
ころに水素バブルによる多孔質構造が形成された。

【００９６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【００９７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【００９８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【００９９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１００】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．５μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は±３％以内であった。

【０１０１】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１０２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１０３】（実施例３）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【０１０４】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１０５】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１０６】主表面に水素イオンを加速電圧１８０ｋｅ
Ｖで１×１０¹⁶／ｃｍ² 注入した。

【０１０７】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０１０８】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中の水素イオン注入
の投影飛程に相当する位置で２枚の基板が完全に分離し
た。剥離した面を観察したところ、ウエハ側面の多孔質
ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部はほぼ元のま
まであった。

【０１０９】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１１０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１１１】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１１２】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１１３】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１１４】（実施例４）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【０１１５】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： ３（分） 多孔質Ｓｉの厚み： ３（μｍ） Porosity： １５（％） さらに 電流密度： ３０（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： ３（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １０（μｍ） Porosity： ４５（％） さらに 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： ３（分） 多孔質Ｓｉの厚み： ３（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１１６】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１１７】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０１１８】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。なお、Porosityを大きくした箇所は構造
的に脆弱となっており、その脆弱部分から分割ができ
た。剥離した面を観察したところ、ウエハ側面の多孔質
ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部はほぼ元のま
まであった。

【０１１９】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１２０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１２１】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１２２】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１２３】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１２４】（実施例５）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【０１２５】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１２６】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１２７】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０１２８】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０１２９】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１３０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１３１】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１３２】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１３３】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１３４】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０１３５】（実施例６）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【０１３６】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１３７】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１３８】主表面のウエハ周辺１０ｍｍを除いた領域
に水素イオンを加速電圧１５０ｋｅＶで１×１０¹⁶／ｃ
ｍ² 注入した。このように、水素イオンを注入すると外
周部のPorosityを小さく、中央部のPorosityを大きくす
ることができ、酸化プロセスで外周部の堆積膨張はより
大きく、中央部は強度を弱くし剥がれ易くすることがで
きる。

【０１３９】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０１４０】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、０．７時間で多孔質Ｓｉ層中の水素イオン
注入の投影飛程に相当する位置で２枚の基板が完全に分
離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側面の多
孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部はほぼ元
のままであった。

【０１４１】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１４２】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１４３】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１４４】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１４５】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１４６】（実施例７）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【０１４７】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１４８】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１４９】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とをそれぞれ酸素プラズマに曝した後、重ね合わせ、
接触させた後、貼合せウエハ側面の１００ｎｍのＳｉＯ
₂層およびエピタキシャルＳｉ層をエッチングにより剥
離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れた。なお、酸素プラ
ズマ処理により貼り合わせ強度を強くすることができ、
また酸素プラズマに曝した後、重ね合わせ、接触させた
後、さらに３００℃で１時間程度加熱すれば、より貼り
合わせ強度が強くなる。

【０１５０】貼合せウエハを１１００℃のパイロ酸化を
したところ、０．７時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板
が完全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエ
ハ側面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央
部はほぼ元のままであった。

【０１５１】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１５２】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１５３】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１５４】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１５５】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１５６】同時に第１の基板側に残った多孔質および
酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３０％
過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチン
グした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶
Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよ
び酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全
に除去され、再び多孔質化する工程に投入することがで
きた。

【０１５７】（実施例８）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗１０Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径の第
１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、表面に熱酸化
により１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。主表面に水
素イオンを加速電圧２５ｋｅＶで１×１０^{1 7}／ｃｍ² 注
入した。これにより、表面下０．３μｍ付近の深さのと
ころに水素バブルによる多孔質構造が形成された。

【０１５８】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とをそれぞれ窒素プラズマに曝した後、重ね合わせ、
接触させた後、貼合せウエハ側面の１００ｎｍのＳｉＯ
₂層およびエピタキシャルＳｉ層をエッチングにより剥
離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れた。なお、窒素プラ
ズマ処理により貼り合わせ強度が強くなり、また窒素プ
ラズマに曝した後、重ね合わせ、接触させた後、さらに
３００℃で１時間程度加熱すれば、より貼り合わせ強度
が強くなる。

【０１５９】貼合せウエハを１０００℃のドライ酸化を
したところ、２時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０１６０】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１６１】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１６２】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．２μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は±３％以内であった。

【０１６３】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１６４】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１６５】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０１６６】（実施例９）６２５μｍの厚みを持った比
抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径
の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶液
中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下のと
おりであった。

【０１６７】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１６８】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１６９】主表面に水素イオンを加速電圧１８０ｋｅ
Ｖで５×１０¹⁶／ｃｍ² 注入した。

【０１７０】側面の１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピ
タキシャルＳｉ層を除去し、多孔質Ｓｉ層を表出させ
た。

【０１７１】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とをそれぞれ窒素プラズマに曝した後、重ね合わせ、
接触させた。なお、窒素プラズマ処理により貼り合わせ
強度が強くなり、また窒素プラズマに曝した後、重ね合
わせ、接触させた後、さらに３００℃で１時間程度加熱
すればより貼り合わせ強度が強くなる。

【０１７２】貼合せウエハを９００℃のパイロ酸化をし
たところ、２時間で多孔質Ｓｉ層中の水素イオン注入の
投影飛程に相当する位置で２枚の基板が完全に分離し
た。剥離した面を観察したところ、ウエハ側面の多孔質
ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部はほぼ元のま
まであった。

【０１７３】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１７４】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１７５】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１７６】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１７７】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１７８】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０１７９】（実施例１０）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において両面陽極化成を行った。陽極化成条件は以
下のとおりであった。なお、両面陽極化成は片面１１分
で片面ずつおこなった。

【０１８０】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１×２（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１８１】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１８２】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成した２枚のＳｉ基板（第２の基
板）の表面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエ
ハ側面の１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャル
Ｓｉ層をエッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ
端が現れた。

【０１８３】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０１８４】その後、２枚の第２の基板側に残った多孔
質Ｓｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去された。

【０１８５】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１８６】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が２枚形成できた。形成された
単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定
したところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであっ
た。

【０１８７】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０１８８】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０１８９】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０１９０】（実施例１１）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０１９１】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０１９２】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０１９３】主表面に水素イオンを加速電圧１８０ｋｅ
Ｖで１×１０¹⁶／ｃｍ² 注入した。

【０１９４】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した石英基板
（第２の基板）の表面とをそれぞれ窒素プラズマに曝し
た後、重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。なお、窒素プラズマ処理により貼り合わせ強度が強
くなり、また窒素プラズマに曝した後、重ね合わせ、接
触させた後、さらに３００℃で１時間程度加熱すればよ
り貼り合わせ強度が強くなる。

【０１９５】貼合せウエハを７００℃の低温酸化をした
ところ、１０時間で多孔質Ｓｉ層中の水素イオン注入の
投影飛程に相当する位置で２枚の基板が完全に分離し
た。剥離した面を観察したところ、ウエハ側面の多孔質
ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部はほぼ元のま
まであった。

【０１９６】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０１９７】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０１９８】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０１９９】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２００】エピタキシャルＳｉ層表面に酸化膜を形成
しなくても同様の結果が得られた。

【０２０１】低融点ガラスでも同様の結果が得られた。

【０２０２】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０２０３】（実施例１２）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２０４】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを１．０５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０２０５】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０２０６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０２０７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２０８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を単結晶Ｓｉを研磨スト
ッパーとして選択研磨する。単結晶Ｓｉは研磨されずに
残り、単結晶Ｓｉを研磨ストップの材料として、多孔質
Ｓｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層は選択研磨され、完
全に除去された。

【０２０９】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に１μｍの厚みを
持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結晶Ｓ
ｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定したとこ
ろ、膜厚の均一性は±３％であった。

【０２１０】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２１１】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２１２】（実施例１３）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２１３】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＭＯＣＶＤ（MetalOrganic Chemica
l Vapor Deposition）法により単結晶ＧａＡｓを１μｍ
エピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りであ
る。

【０２１４】ソースガス： ＴＭＧ／ＡｓＨ₃ ／Ｈ₂ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ７００℃ 該ＧａＡｓ層表面と別に用意したＳｉ基板（第２の基
板）の表面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエ
ハ側面のエピタキシャル層をエッチングにより剥離した
ところ、多孔質Ｓｉ端が現れた。

【０２１５】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２１６】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を、酸化ＳｉをＨＦで除
去してからエチレンジアミン＋ピロカテコール＋水（１
７ｍｌ：３ｇ：８ｍｌの比率）１１０℃でエッチングし
た。単結晶ＧａＡｓはエッチングされずに残り、単結晶
ＧａＡｓをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去された。

【０２１７】非多孔質ＧａＡｓ単結晶の該エッチング液
に対するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多
孔質層におけるエッチング量（数十オングストローム程
度）は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２１８】すなわち、Ｓｉ上に１μｍの厚みを持った
単結晶ＧａＡｓ層が形成できた。

【０２１９】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｇ
ａＡｓ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好
な結晶性が維持されていることが確認された。

【０２２０】支持基板として酸化膜付きのＳｉ基板を用
いることにより、絶縁膜上のＧａＡｓも同様に作製でき
た。

【０２２１】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０２２２】（実施例１４）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２２３】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＭＢＥ（Molecular BeamEpitaxy）
法により単結晶ＡｌＧａＡｓを０．５μｍエピタキシャ
ル成長した。

【０２２４】該ＡｌＧａＡｓ層表面と別に用意したガラ
ス基板（第２の基板）の表面とを重ね合わせ、接触させ
た後、貼合せウエハ側面のエピタキシャル層をエッチン
グにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れた。

【０２２５】貼合せウエハを７００℃の低温酸化をした
ところ、１０時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完全
に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側面
の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部はほ
ぼ元のままであった。

【０２２６】その後、第２のガラス基板側に残った多孔
質Ｓｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶ＡｌＧａＡｓはエッチングされずに
残り、単結晶ＡｌＧａＡｓをエッチ・ストップの材料と
して、多孔質Ｓｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層は選択
エッチングされ、完全に除去された。

【０２２７】非多孔質ＡｌＧａＡｓ単結晶の該エッチン
グ液に対するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層
のエッチング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、
非多孔質層におけるエッチング量（数十オングストロー
ム程度）は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２２８】すなわち、ガラス基板上に１μｍの厚みを
持った単結晶ＡｌＧａＡｓ層が形成できた。

【０２２９】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ａ
ｌＧａＡｓ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、
良好な結晶性が維持されていることが確認された。

【０２３０】第１のＳｉ単結晶基板は残留多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層を除去して、表面研磨を行
い鏡面状にした後、再度第１のＳｉ単結晶基板として使
用した。

【０２３１】（実施例１５）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２３２】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０２３３】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０２３４】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた。

【０２３５】貼合せウエハの両外側の面にＳｉ₃Ｎ₄を
０．５μｍ低温で堆積した後、貼合せウエハ側面の０．
５μｍのＳｉ₃Ｎ₄層、１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエ
ピタキシャルＳｉ層をエッチングにより剥離したとこ
ろ、多孔質Ｓｉ端が現れた。このように、Ｓｉ₃Ｎ₄を形
成することで、ＳｉはＳｉ₃Ｎ₄より膨張しやすいことか
ら、ウエハの周辺部ではウエハを剥す方向に応力がはた
らき、酸化によるくさび効果を生じ易くすることができ
る。

【０２３６】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、０．８時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板
が完全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエ
ハ側面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央
部はほぼ元のままであった。裏面のＳｉ₃Ｎ₄層は除去し
てもしなくてもよい。

【０２３７】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０２３８】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２３９】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０２４０】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２４１】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２４２】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、再び多孔質化する工程に投入すること
ができた。

【０２４３】（実施例１６）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２４４】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０２４５】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０２４６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０２４７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２４８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０２４９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２５０】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０２５１】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２５２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２５３】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、研磨した後、今度は第２の基板として
工程に投入することができた。

【０２５４】（実施例１７）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において両面陽極化成を行った。陽極化成条件は以
下のとおりであった。なお、両面陽極化成は片面１１分
で片面ずつおこなった。

【０２５５】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１×２（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０２５６】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０２５７】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成した２枚のＳｉ基板（第２の基
板）の表面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエ
ハ側面の１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャル
Ｓｉ層をエッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ
端が現れた。

【０２５８】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２５９】その後、２枚の第２の基板側に残った多孔
質Ｓｉおよび酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去された。

【０２６０】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２６１】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が２枚形成できた。形成された
単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定
したところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであっ
た。

【０２６２】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２６３】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２６４】同時に第１の基板側に残った多孔質Ｓｉお
よび酸化された多孔質Ｓｉ層もその後、４９％弗酸と３
０％過酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッ
チングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単
結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、
完全に除去され、研磨した後、今度は第２の基板の１枚
として工程に投入することができた。

【０２６５】（実施例１８）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗１０Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ径の
第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、表面に熱酸
化により１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。主表面に
ヘリウムイオンを加速電圧１００ｋｅＶで１×１０¹⁷／
ｃｍ² 注入した。これにより、表面下０．５μｍ付近の
深さのところにヘリウムバブルによる多孔質構造が形成
された。

【０２６６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せウエハ側面の
１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層を
エッチングにより剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れ
た。

【０２６７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２６８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
した。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓ
ｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよび
酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全に
除去された。

【０２６９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２７０】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．５μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は±３％以内であった。

【０２７１】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２７２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２７３】（実施例１９）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２７４】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０２７５】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０２７６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ接触させた後、±５００Ｖ、周期１０
０ｍｓｅｃのパルス電圧を印加し、より貼り合わせの強
度を強くした。さらに、貼合せウエハ側面の１００ｎｍ
のＳｉＯ₂層およびエピタキシャルＳｉ層をエッチング
により剥離したところ、多孔質Ｓｉ端が現れた。

【０２７７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２７８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
をした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶
Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよ
び酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全
に除去された。

【０２７９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２８０】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０２８１】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２８２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２８３】（実施例２０）６２５μｍの厚みを持った
比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の６インチ
径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を用意し、ＨＦ溶
液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の
とおりであった。

【０２８４】 電流密度： ７（ｍＡ・ｃｍ^-2） 陽極化成溶液： ＨＦ：Ｈ₂Ｏ：Ｃ₂Ｈ₅ＯＨ＝１：１：１ 時間： １１（分） 多孔質Ｓｉの厚み： １２（μｍ） Porosity： １５（％） この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。こ
の酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われ
た。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ（Chemical VaporDepositio
n）法により単結晶Ｓｉを０．１５μｍエピタキシャル
成長した。成長条件は以下の通りである。

【０２８５】ソースガス： ＳｉＨ₂Ｃｌ₂／Ｈ₂ ガス流量： ０．５／１８０ ｌ／ｍｉｎ ガス圧力： ８０Ｔｏｒｒ 温度： ９５０℃ 成長速度： ０．３μｍ／ｍｉｎ さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により
１００ｎｍのＳｉＯ₂層を形成した。

【０２８６】該ＳｉＯ₂層表面と別に用意した５００ｎ
ｍのＳｉＯ₂層を形成したＳｉ基板（第２の基板）の表
面とを重ね合わせ、接触させた後、貼合せ基板に室温で
１０００ｋｇ／ｃｍ²の圧力を基板に垂直な方向に加
え、より貼り合わせの強度を強くした。さらに、貼合せ
ウエハ側面の１００ｎｍのＳｉＯ₂層およびエピタキシ
ャルＳｉ層をエッチングにより剥離したところ、多孔質
Ｓｉ端が現れた。

【０２８７】貼合せウエハを１０００℃のパイロ酸化を
したところ、１時間で多孔質Ｓｉ層中で２枚の基板が完
全に分離した。剥離した面を観察したところ、ウエハ側
面の多孔質ＳｉはＳｉＯ₂に変化しているが、中央部は
ほぼ元のままであった。

【０２８８】その後、第２の基板側に残った多孔質Ｓｉ
および酸化された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪はんしながら選択エッチング
をした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶
Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉおよ
び酸化された多孔質Ｓｉ層は選択エッチングされ、完全
に除去された。

【０２８９】非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対
するエッチング速度は、極めて低く、多孔質層のエッチ
ング速度との選択比は十の五乗以上にも達し、非多孔質
層におけるエッチング量（数十オングストローム程度）
は実用上無視できる膜厚減少である。

【０２９０】すなわち、Ｓｉ酸化膜上に０．１μｍの厚
みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結
晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定した
ところ、膜厚の均一性は１０１ｎｍ±３ｎｍであった。

【０２９１】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時
間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したとこ
ろ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２
ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。

【０２９２】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓ
ｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結
晶性が維持されていることが確認された。

【０２９３】以上説明した各実施例において、多孔質Ｓ
ｉ上のエピタキシャル成長法はＣＶＤ法の他、ＭＢＥ
法、スパッタ法、液相成長法、等多種の方法で実施で
き、ＣＶＤ法に限らない。また、多孔質Ｓｉの選択エッ
チング液も４９％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液
に限らず、弗酸と（エチルアルコール、イソプロピルア
ルコール等の）アルコールとの混合液，バッファード弗
酸と過酸化水素水との混合液，弗酸とアルコールとの混
合液でもよく、あるいは弗酸・硝酸・酢酸の混合液のよ
うなものでも多孔質Ｓｉは、その膨大な表面積のため選
択エッチングできる。また、混合液の混合比も適宜設定
してよい。

【０２９４】他の工程についても、ここの実施例に限ら
れた条件だけでなく、さまざまな条件で実施できる。

【０２９５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
多孔質Ｓｉが増速酸化することを利用し、ウエハの周辺
から多孔質Ｓｉ層の酸化を行うことにより、周辺にいく
に従って多孔質Ｓｉの体積膨張が大きくなり、あたかも
周辺から一様に多孔質Ｓｉにくさびをいれたのとおなじ
効果があり、多孔質層にのみ内圧がかかりウエハ全面に
わたり多孔質Ｓｉ層中で分割される。これにより、既に
述べたようなさまざまな課題を解決する半導体基板の作
製方法を提供する。

【０２９６】即ち、貼合わせ基体は多層構造であり外圧
により多孔質Ｓｉで剥がす方法では、強度の弱い界面や
部分的に弱い領域がある場合にはそこから剥がれてしま
う。しかし、本発明によれば、酸化という均一性に優れ
た通常のＳｉ−ＩＣプロセスの一工程を利用し、多孔質
Ｓｉの高速酸化性、多孔質Ｓｉの体積膨張、および多孔
質Ｓｉの脆弱性を複合し、多孔質Ｓｉ層にのみ内圧をか
けることができ、それにより多孔質Ｓｉ層中で制御良く
ウエハを分割することができる。

【０２９７】さらに本発明の方法を用いれば、多孔質基
板を分離したあとの第１のＳｉ基体は、再利用すること
が可能である。また、この第１のＳｉ基板は強度的に使
用不可となるまで何度でも再使用することが可能であ
る。

【０２９８】本発明は、第１のＳｉ基板を除去する際
に、大面積に多孔質層を介して分離することができ、取
り去った第１のＳｉ基板は残留多孔質を除去した後、表
面平坦性が許容できないほど荒れている場合には表面平
坦化を行った後、再び第１のＳｉ基板、あるいは次の第
２の基体として再利用することが可能である。表面平坦
化処理は通常半導体プロセスで使用される研磨、エッチ
ング等の方法でもよいが、水素を含む雰囲気での熱処理
によっても構わない。この熱処理は条件を選ぶことによ
り、局所的には原子ステップが表出するほど平坦にする
ことができる。また、繰り返し第１のＳｉ基板として用
いる場合には、この第１のＳｉ基板が強度的に使用不可
となるまで何度でも再使用することが可能である。

【０２９９】本発明は、大面積に多孔質層を介して一括
して分離することができるため、第１の基板を除去し多
孔質Ｓｉ層を露出するために従来必須であった研削、研
磨、エッチング工程を省略し、工程を短縮することがで
きる。しかも、あらかじめ希ガス、水素、および、窒素
のうち少なくとも１種の元素を該多孔質層内に投影飛程
をもつようにイオン注入しておくことにより、分離する
位置を多孔質Ｓｉ層中の限定された深さのところに規定
できるので、第２の基板側にのこる多孔質層の厚みが均
一になり、選択性のそれほど良くないエッチング液でも
多孔質層を均一に除去することができる。さらに、従来
の貼り合わせ基板の作製は第１のＳｉ基板を研削やエッ
チングにより片面から順次除去していく方法を用いてい
るため、第１のＳｉ基板の両面を有効活用し支持基板に
貼り合わせることは不可能であるが、本発明によれば、
第１のＳｉ基板はその表面層以外は元のまま保持されて
いるため、第１のＳｉ基板の両面を共に主面とし、その
面にそれぞれ支持基板を貼り合わせることにより、２枚
の貼り合わせ基板を同時に１枚の第１のＳｉ基板から作
製することができ、生産性を向上することができる。も
ちろん、分離された第１のＳｉ基体は再利用することが
可能である。

【０３００】しかも本発明は、第１のＳｉ基板を除去す
る際に、大面積に多孔質層を介して一括して分離するこ
とができるため、工程を短縮し、経済性に優れて、大面
積に渡り均一平坦な、極めて優れた結晶性を有するＳｉ
単結晶層あるいは化合物半導体単結晶層等の非多孔質薄
膜を第２の基板に歩留まり良く、移設することができ
る。すなわち、Ｓｉ単結晶層が絶縁層上に形成されたＳ
ＯＩ構造を膜厚の均一性良く、しかも、歩留まり良く得
ることができる。

【０３０１】すなわち、本発明は、経済性に優れて、大
面積に渡り均一平坦な、極めて優れた結晶性を有するＳ
ｉ単結晶基板を用いて、表面に形成されたＳｉあるいは
化合物半導体活性層を残して、その片面から該活性層ま
でを取り去り、絶縁物上に欠陥の著しく少ないＳｉ単結
晶層あるいは化合物半導体単結晶層を提供する。

【０３０２】本発明は、透明基板（光透過性基板）上に
結晶性が単結晶ウエハ並に優れたＳｉあるいは化合物半
導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、
コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提
供する。

【０３０３】本発明の半導体基板の作製方法によれば、
選択比が抜群に優れている選択エッチングを行うことに
より、大面積に渡り均一平坦な、極めて優れた結晶性を
有するＳｉ単結晶あるいは化合物半導体単結晶を得るこ
とができる。

【０３０４】さらに、本発明の多孔質Ｓｉ層の除去は、
多孔質Ｓｉの機械的強度の低さと膨大な表面積を有する
ことから、単結晶層を研磨ストッパーとして選択研磨に
より行うことも可能となる。

【０３０５】また、本発明によれば、ＳＯＩ構造の大規
模集積回路を作製する際にも、高価なＳＯＳや、ＳＩＭ
ＯＸの代替足り得る半導体基板の作製方法を提供するこ
とができる。

【０３０６】本発明によれば、多孔質Ｓｉ上に結晶性の
良い単結晶化合物半導体層を形成でき、さらにこの半導
体層を経済性に優れている、しかも大面積の絶縁性基板
上に移し代えることが可能であり、上記問題点である格
子定数、熱膨張係数の差を十分に抑制し、良好な結晶性
を有する化合物半導体層を絶縁性基板上に形成すること
ができる。

【０３０７】本発明は、酸化による剥離前（貼合わせ前
でも良い）に貼合わせ基体の外側表面の少なくとも片側
にＳｉより熱膨張係数の小さい材料の層を形成しておく
ことにより、酸化中の温度では、Ｓｉはより膨張しやす
いことから貼合わせウエハの周辺部ではウエハを剥がす
方向に応力がはたらき、酸化によるくさび効果が生じや
すくなる。

【０３０８】また、イオン注入の際の表面に異物が存在
したりしたために注入層の未形成領域が形成されている
場合にも、多孔質層自体の機械的強度がバルクＳｉと比
べて小さいため、剥離は多孔質層中で発生するので、非
多孔質単結晶Ｓｉ層にクラックなどのダメージが及ばず
に貼り合わせた２枚の基板を分離することができる。

【０３０９】また、イオン注入領域にはゲッタリング効
果もあるため、金属不純物が存在した場合にも、イオン
注入領域に不純物をゲッタリングしたのちに貼り合わせ
た２枚の基板を分離し、イオン注入領域は除去できるの
で、不純物汚染に対しても有効である。

【０３１０】本発明は、陽極化成とイオン注入とを合わ
せて、側面のporosityを小さくし、中央部のporosityを
大きくすることにより、側面の体積膨張はより大きくそ
して中央部は強度を弱くし剥がれやすくすることも出来
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するための模式的断面図で
ある。

【図２】本発明の原理を説明するための模式的断面図で
ある。

【図３】本発明の原理を説明するための模式的断面図で
ある。

【図４】本発明の工程を説明するための模式的断面図で
ある。

【図５】本発明の工程を説明するための模式的断面図で
ある。

【図６】本発明の工程を説明するための模式的断面図で
ある。

【図７】本発明の工程を説明するための模式的断面図で
ある。

【図８】本発明の工程を説明するための模式的断面図で
ある。

【図９】本発明の工程を説明するための模式的断面図で
ある。

【図１０】本発明の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１１】本発明の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１２】本発明の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１３】本発明の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１４】従来例の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１５】従来例の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１６】従来例の工程を説明するための模式的断面図
である。

【図１７】他の従来例の工程を説明するための模式的断
面図である。

【図１８】他の従来例の工程を説明するための模式的断
面図である。

【図１９】他の従来例の工程を説明するための模式的断
面図である。

【符号の説明】

１１ Ｓｉ基板 １２ 多孔質Ｓｉ １３ 非多孔質薄膜 １４ 絶縁層 １５ 第２の基板 ２１ Ｓｉ基板 ２２ 多孔質Ｓｉ ２３ 非多孔質薄膜 ２４ 第２の基板 ２５ 酸化された多孔質Ｓｉ ３１ Ｓｉ基板 ３２ 多孔質Ｓｉ ３３ 非多孔質薄膜 ３４ 第２の基板 ３５ 第２の基板 ３６ 酸化された多孔質Ｓｉ ４１ Ｓｉ基板 ４２ 多孔質Ｓｉ ４３ 単結晶薄膜 ４４ 支持基板 ４５ 絶縁層 ５１ Ｓｉ基板 ５２ 多孔質Ｓｉ ５３ 単結晶薄膜 ５４ 支持基板 ５５ 絶縁層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン基板表面を陽極化成し非多孔質
   シリコン基体上に多孔質シリコン層を有する第１の基板
   を用意する工程、 該第１の基板上に非多孔質薄膜を形成する工程、 該第１の基板と第２の基板とを前記非多孔質薄膜が内側
   に位置するように貼り合わせて多層構造体を形成する工
   程、 及び該多層構造体を該多孔質シリコン層において分離す
   る工程、を有する半導体基板の作製方法において、 該多孔質シリコン層は、第１の電流密度で陽極化成する
   工程、 第１の電流密度とは異なる第２の電流密度で陽極化成す
   る工程、 及び該第２の電流密度とは異なる第３の電流密度で陽極
   化成する工程、を含む工程により作製されることを特徴
   とする半導体基板の作製方法。
2. 【請求項２】 前記第２の電流密度が、前記第１の電流
   密度より高い電流密度である請求項１に記載の半導体基
   板の作製方法。
3. 【請求項３】 前記第３の電流密度が、前記第２の電流
   密度より低い電流密度である請求項１に記載の半導体基
   板の作製方法。
4. 【請求項４】 シリコン基板表面を陽極化成し非多孔質
   シリコン基体上に多孔質シリコン層を有する第１の基板
   を用意する工程、 該第１の基板上に非多孔質薄膜を形成する工程、 該第１の基板を第２の基板と前記非多孔質薄膜が内側に
   位置するように貼り合わせて多層構造体を形成する工
   程、 及び該多層構造体を前記多孔質シリコン層において分離
   する工程、を有する半導体基板の作製方法において、 該多孔質シリコン層が、前記非多孔質薄膜側から第１の
   多孔質シリコン層、該第１の多孔質シリコン層よりも多
   孔度の大きい第２の多孔質シリコン層、及び該第２の多
   孔質シリコン層よりも多孔度の小さい第３の多孔質シリ
   コン層を有するように、前記陽極化成により該多孔質シ
   リコン層内の多孔度を変えることを特徴とする半導体基
   板の作製方法。
5. 【請求項５】 前記第２の多孔質シリコン層の厚さが前
   記第１の多孔質シリコン層及び第３の多孔質シリコン層
   の厚さよりも厚い請求項４に記載の半導体基板の作製方
   法。
6. 【請求項６】 前記多層構造体を形成する工程が、前記
   第１の基板と第２の基板とを絶縁層を介して貼り合わせ
   る工程である請求項４に記載の半導体基板の作製方法。
7. 【請求項７】 前記絶縁層が前記非多孔質薄膜上に形成
   されている請求項４に記載の半導体基板の作製方法。