JP2002289721A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子収納用パッケージにおいて、熱応
力あるいは外部からの機械的衝撃による接合破壊を有効
に防止できない。 【解決手段】 上面に半導体素子６の搭載部１ａを有す
る絶縁基体１と、この絶縁基体１の上面に搭載部１ａを
取り囲むように接合された略四角形状の枠体２と、この
枠体２の上面に封止剤４を介して接合される略四角平板
状の金属製蓋体３とから成る半導体素子収納用パッケー
ジであって、金属製蓋体３は、枠体２の角部に対向する
部位３ａの厚みが枠体の開口部に対向する部位３ｂの厚
みに較べて20μｍ以上薄くかつその厚みの１／２以上で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの機械的
衝撃あるいは水分の浸入から半導体素子を保護するため
の半導体素子収納用パッケージに関するものであり、特
に高周波用半導体素子を搭載した携帯電話に代表される
移動体通信機器に使用される半導体素子収納用パッケー
ジに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信機器は軽薄短小化が急
激に進展し、これに伴って搭載される半導体素子を気密
に封止する半導体素子収納用パッケージも軽薄短小化が
進んできている。

【０００３】このような半導体素子収納用パッケージ
は、一般に酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウ
ム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体等の
電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部を有
する絶縁基体と、絶縁基体の上面に搭載部を取り囲むよ
うに接合された枠体と、枠体の上面に半田やろう材等に
より接合される略平板状の蓋体とから構成されている。
なお、蓋体の材料としては、半導体素子収納用パッケー
ジの軽薄短小化に併せ、薄型加工が可能な鉄−ニッケル
−コバルト合金等の金属が用いられている。

【０００４】しかしながら、このような半導体素子収納
用パッケージは、熱膨張係数の異なる枠体と金属製蓋体
とを弾性率が高く歪み等の応力を緩和しにくい半田やろ
う材等の金属により接合していること、および、枠体の
隣接する辺部同士が直交していることから、半導体素子
が作動する際に発生する熱によって枠体と金属製蓋体と
の間に大きな応力が発生するとともにこの応力が枠体と
金属製蓋体の角部の接合部に集中して枠体の角部にクラ
ックが入ってしまい、その結果、容器の気密封止が破
れ、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、
かつ安定に作動させることができないという問題点を有
していた。

【０００５】他方、枠体と金属製蓋体との接合を、弾性
率の低い樹脂接着剤等の封止剤により行なう方法が提案
されている。この提案によれば、例えば熱硬化性のエポ
キシ系樹脂をスクリーン印刷法やディスペンサ法を用い
て枠体と金属製蓋体との接合部分に塗布するとともに両
者の接合部分を重ね合わせ加圧・加熱して枠体と金属製
蓋体とを接合することにより、半導体素子が作動する際
に発生する熱によって熱膨張係数の異なる枠体と金属製
蓋体との間に大きな応力が発生したとしても、弾性率の
低い封止剤が応力を緩和して枠体にクラックが入るのを
有効に防止できるというものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな樹脂接着剤等の封止剤による接合では金属製蓋体と
封止剤との接合が金属製蓋体表面の微細な凹凸による投
錨効果のみであることから、昨今の半導体装置の小型化
に合わせて枠体と金属製蓋体との接合面積が小面積化す
る封止設計では十分な接合強度が得られず、半導体素子
が作動する際に発生する熱により熱膨張係数の異なる枠
体と金属製蓋体との間に発生する大きな応力あるいは２
次実装以降の組立て時の機械的衝撃等により、金属製蓋
体と封止剤との接合が破壊され、容器の気密信頼性が低
下してしまうという問題点を有していた。

【０００７】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は、熱応力あるいは外
部からの機械的衝撃による接合破壊を有効に防止でき、
かつ気密信頼性の高い半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージは、上面に半導体素子の搭載部を有する絶
縁基体と、この絶縁基体の上面に搭載部を取り囲むよう
に接合された略四角形状の枠体と、この枠体の上面に封
止剤を介して接合される略四角平板状の金属製蓋体とか
ら成る半導体素子収納用パッケージであって、金属製蓋
体は、枠体の角部に対向する部位の厚みが枠体の開口部
に対向する部位の厚みに比べて20μｍ以上薄くかつその
厚みの１／２以上であることを特徴とするものである。

【０００９】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、金属製蓋体の枠体の角部に対向する部位の厚みを
枠体の開口部に対向する部位の厚みに比べて20μｍ以上
薄くかつその厚みの１／２以上としたことから、封止剤
をスクリーン印刷法やディスペンサ法を用いて枠体と金
属製蓋体との接合部分に塗布するとともに両者の接合部
分を重ね合わせ加圧・加熱して枠体と金属製蓋体とを接
合した場合に、封止剤が金属製蓋体の角部の厚みの薄い
部分に入り込み、その結果、金属製蓋体と封止剤との結
合を強固なものとすることができる。また、枠体の角部
と金属製蓋体との間の封止剤は、その厚みが20μｍ以上
と十分な量と成ることから、半導体素子が作動する際に
発生する熱によって熱膨張係数の異なる枠体と金属製蓋
体との間に大きな応力が発生して両者の角部の接合部に
この応力が集中したとしても、厚みが20μｍ以上の封止
剤がこの応力を緩和して枠体にクラックが入るのを有効
に防止することができ、その結果、熱応力あるいは外部
からの機械的衝撃に対して枠体と金属製蓋体との接合破
壊が起こり難く、気密信頼性の良好な半導体素子収納用
パッケージとすることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体素子収納用
パッケージを添付の図面に基づき詳細に説明する。

【００１１】図１は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの実施の形態の一例を示す側面図、図２は図１に示す
半導体素子収納用パッケージの蓋体の下面図、図３は図
１に示す半導体素子収納用パッケージの対角線方向の断
面図である。これらの図において、１は絶縁基体、２は
枠体、３は金属製蓋体、４は封止剤であり、主にこれら
で本発明の半導体素子収納用パッケージが構成される。
なお、３ａは金属製蓋体の枠体２の角部に対向する部位
であり、３ｂは金属製蓋体の枠体の開口部に対向する部
位である。

【００１２】絶縁基体１は、半導体素子６の支持体とし
ての機能を有し、その上面の略中央部には半導体素子６
を搭載するための搭載部１ａが設けてある。この搭載部
１ａには半導体素子６がガラス・樹脂・ろう材等から成
る接着剤を介して接着固定される。また、絶縁基体１の
上面には、搭載部１ａを取り囲んで略四角形状の枠体２
が接合され、絶縁基体１と枠体２とで半導体素子６を収
容する容器が形成される。なお、この容器は、通常、一
辺の長さが1.5〜50.0ｍｍ程度で、厚みが0.05〜2.0ｍｍ
程度の略四角形状である。

【００１３】このような絶縁基体１および枠体２は、酸
化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体・窒化アル
ミニウム質焼結体・窒化珪素質焼結体・炭化珪素質焼結
体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・
酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料
粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を
添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のド
クターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形
法を採用しシート状にしてセラミックグリーンシート
（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミ
ックグリーンシートに適当な打抜き加工を施すとともに
これを複数枚積層し、約1600℃の高温で焼成することに
よって製作される。

【００１４】また、絶縁基体１には、搭載部１ａ周辺か
ら下面にかけて複数の配線導体層５が被着形成されてお
り、この配線導体層５の搭載部１ａの周辺部には半導体
素子６の各電極がボンディングワイヤ７を介して電気的
に接続され、また、絶縁基体１の下面に導出された部位
には外部電気回路（図示せず）の配線導体が半田等の接
続部材を介して電気的に接続される。

【００１５】配線導体層５は、半導体素子６の各電極を
外部電気回路に電気的に接続する際の導電路として作用
し、例えばタングステン・モリブデン・マンガン等の高
融点金属粉末に適当な有機溶剤・溶媒・可塑剤・分散剤
等を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリ
ーン印刷法等の厚膜手法を採用して絶縁基体１となるセ
ラミックグリーンシートにあらかじめ印刷塗布してお
き、これをセラミックグリーンシートと同時に焼成する
ことによって絶縁基体１の搭載部１ａ周辺部から下面に
かけて所定パターンに被着形成される。

【００１６】なお、配線導体層５はその露出する表面に
ニッケル・金等の良導電性で耐蝕性およびろう材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜20μｍの厚みに
被着させておくと、配線導体層５の酸化腐蝕を有効に防
止することができるとともに配線導体層５とボンディン
グワイヤ７との接続および配線導体層５と外部電気回路
の配線導体との半田付けを強固と成すことができる。し
たがって、配線導体層５の酸化腐蝕を防止し、配線導体
層５とボンディングワイヤ７との接続および配線導体層
５と外部電気回路の配線導体との半田付けを強固となす
ためには、配線導体層５の表面にニッケル・金等をめっ
き法により１〜20μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。

【００１７】また、枠体２の上面には、金属製蓋体３が
封止剤４を介して接合されている。金属製蓋体３は、そ
の形状が略四角平板状であり、半導体素子６を絶縁基体
１と枠体２とから成る容器の内部に気密に封止する機能
を有するとともに外部からの衝撃により半導体素子６が
破壊されることを防止する機能を有し、鉄やアルミニウ
ム・銅・タングステン・鉄−ニッケル合金・鉄−コバル
ト合金・鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料によ
り形成されている。このような金属製蓋体３の枠体の開
口部に対向する部位３ｂの厚みは、強度的な観点からは
0.05ｍｍ以上、軽量化・薄型化の観点からは2.0ｍｍ以
下が好ましい。

【００１８】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いては、金属製蓋体３は枠体２の角部に対向する部位３
ａの厚みが枠体の開口部に対向する部位３ｂの厚みに較
べて20μｍ以上薄くかつその厚みの１／２以上であり、
かつこのことが重要である。

【００１９】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、金属製蓋体３の枠体２の角部に対向する部位３ａ
の厚みを枠体の開口部に対向する部位３ｂの厚みに較べ
て20μｍ以上薄くかつその厚みの１／２以上としたこと
から、封止剤４をスクリーン印刷法やディスペンサ法を
用いて枠体２と金属製蓋体３との接合部分に塗布すると
ともに枠体２と金属製蓋体３との接合部分を重ね合わせ
加圧・加熱して両者を接合した場合に、封止剤４が金属
製蓋体３の角部の厚みの薄い部分に入り込み、その結
果、金属製蓋体３と封止剤４との結合を強固なものとす
ることができる。また、枠体２の角部と金属製蓋体３と
の間の封止剤４は、その厚みが20μｍ以上と十分な量と
成ることから、半導体素子６が作動する際に発生する熱
によって熱膨張係数の異なる枠体２と金属製蓋体３との
間に大きな応力が発生して両者の角部の接合部にこの応
力が集中したとしても、厚みが20μｍ以上の封止剤４が
この応力を緩和して枠体２にクラックが入るのを有効に
防止することができ、その結果、熱応力あるいは外部か
らの機械的衝撃に対して枠体２と金属製蓋体３との接合
破壊が起こり難く、気密信頼性の良好な半導体素子収納
用パッケージとすることができる。

【００２０】なお、金属製蓋体３の枠体２の角部に対向
する部位３ａの厚みと枠体の開口部に対向する部位３ｂ
との厚みの差が20μｍ未満の場合、金属製蓋体３と封止
剤４との接合強度が低下してしまう傾向があり、また、
金属製蓋体３の枠体２の角部に対向する部位３ａの厚み
が枠体の開口部に対向する部位３ｂの厚みの１／２を超
えた場合、金属製蓋体３の枠体２の角部に対向する部位
３ａの強度が低下し、ここに機械的衝撃を受けた場合、
金属製蓋体３の変形による気密破壊が発生しやすくなる
傾向がある。したがって、金属製蓋体３の枠体２の角部
に対向する部位３ａの厚みを枠体の開口部に対向する部
位３ｂの厚みに較べて20μｍ以上薄くかつその厚みの１
／２以上とすることが好ましい。

【００２１】なお、ここで金属製蓋体３の枠体２の角部
に対向する部位３ａとは、図２に斜線で示すように、金
属製蓋体の枠体に対向する部位３ｃのうち枠体２の隣接
する辺同士の交差する部位と対向する部位を指す。

【００２２】また、金属製蓋体３の枠体の開口部に対向
する部位３ｂの厚みに較べて厚みの薄い部位は、例え
ば、図４（ａ）に金属製蓋体３の下面図で示すような三
角形状や、図４（ｂ）に下面図で示すような四角形状、
あるいは、図４（ｃ）、（ｄ）に金属製蓋体３の下面図
で示すような枠体の開口部に対向する部位３ｂと厚みの
薄い部位の境界が円弧状の略三角形状のように、枠体２
の角部に対向する部位３ａから枠体２の辺部に対向する
部位かけて形成されていてもよい。

【００２３】なお、半導体素子が作動する際に発生する
熱によって熱膨張係数の異なる枠体２と金属製蓋体３と
の間に発生する大きな応力を緩和するという観点から
は、図４（ａ）や図４（ｃ）、（ｄ）に金属製蓋体３の
下面図で示すように、枠体の開口部に対向する部位３ｂ
と厚みの薄い部位の境界が、直線あるいは曲線と成るよ
うに形成されていることが特に好ましい。

【００２４】さらに、金属製蓋体３は、半導体素子が作
動する際に発生する熱によって熱膨張係数の異なる枠体
２と金属製蓋体３との間に発生する大きな応力を緩和す
るという観点からは、金属製蓋体３の枠体の開口部に対
向する部位３ｂと枠体２の角部に対向する部位３ａとの
境界部に0.1〜1.0ｍｍ程度の直線状あるいは円弧状の面
取り加工を施しておくことが好ましい。

【００２５】このような金属製蓋体３は、例えば鉄−ニ
ッケル合金から成る場合であれば、鉄−ニッケル合金の
インゴット（塊）を圧延し板状にしたものを、金属製蓋
体３の枠体２の角部に対向する部位３ａに対応する突起
を有するプレス金型で圧縮プレス成形するとともに従来
周知の打抜き加工法を用いて加工することにより、枠体
２の角部に対向する部位３ａの厚みが枠体の開口部に対
向する部位３ｂの厚みに較べて20μｍ以上薄くかつその
厚みの１／２以上に形成される。または、ケミカルエッ
チングにより、枠体２の角部に対向する部位３ａの厚み
が平板部３ｂの厚みに較べて20μｍ以上薄くかつその厚
みの１／２以上の金属製蓋体３を形成してもよい。な
お、金属製蓋体３と枠体２とを接合する封止剤４の耐湿
性の観点からは、金属製蓋体３の枠体２の角部に対向す
る部位３ａの厚みは枠体の開口部に対向する部位３ｂの
厚みより20〜40μｍ程度薄いことが好ましい。さらに、
金属製蓋体３が鉄−ニッケル合金・鉄−コバルト合金・
鉄−ニッケル−コバルト合金等の鉄合金から成る場合
は、金属製蓋体３の腐蝕防止のために、その表面をニッ
ケルや金・半田等の各種金属めっきにより被覆すること
が好ましい。

【００２６】また、封止剤４は、枠体２と金属製蓋体３
とを接合する機能を有し、ガラス・樹脂接着剤・ろう材
等から成る。封止剤４は、上記の応力を緩和するという
観点からは低弾性である樹脂接着剤が好ましく、枠体２
あるいは金属製蓋体３の接合部に従来周知のスクリーン
印刷法等を採用して印刷・塗布した後、加熱・乾燥する
とともに両者の接合部分を重ねあわせて加圧・加熱する
ことにより、枠体２と金属製蓋体３とを強固に接合する
ことができる。

【００２７】金属製蓋体３と枠体２とを接合する封止剤
４は、その枠体２の辺部の硬化後の厚みが１〜50μｍの
範囲であることが好ましい。封止剤４の厚みが１μｍ未
満であると応力緩和が有効に作用しなくなる傾向があ
り、また、50μｍを超えると半導体素子収納用パッケー
ジが余分に厚いものとなってしまう。したがって、封止
剤４は、その枠体２の辺部の硬化後の厚みが１〜50μｍ
の範囲であることが好ましい。

【００２８】このような封止剤４としては、耐湿性ある
いは接合強度の観点からは緻密な３次元網目構造を有す
る熱硬化性のエポキシ系樹脂接着剤が特に好ましく、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＡ変性
エポキシ樹脂・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂・フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂・クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂・特殊ノボラック型エポキシ樹脂・フ
ェノール誘導体エポキシ樹脂・ビフェノール骨格型エポ
キシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系・アミン系
・リン系・ヒドラジン系・イミダゾールアダクト系・ア
ミンアダクト系・カチオン重合系・ジシアンジアミド系
等の硬化剤を添加したものが用いられる。

【００２９】なお、２種類以上のエポキシ樹脂を混合し
て用いてもよく、さらに軟質微粒子を添加することによ
り、さらにエポキシ系樹脂接着剤の弾性率を低下させる
ことが可能となる。このような軟質微粒子としては、例
えばシリコンゴムやシリコンレジン・ＬＤＰＥ・ＨＤＰ
Ｅ・ＰＭＭＡ・架橋ＰＭＭＡ・ポリスチレン・架橋ポリ
スチレン・エチレン−アクリル共重合・ポリメタクリル
酸エチル・ブチルアクリレート・ウレタン等のプラスチ
ック粉末が用いられる。

【００３０】また、封止剤４に導電性の充填剤を含有さ
せるとともに、図５に対角線方向の断面図で示すよう
に、枠体２の上面に、搭載部１ａを取り囲み絶縁基体１
に被着形成された配線導体層５と電気的に接続する枠状
導体層８を被着形成することにより、金属製蓋体３と配
線導体層５とが電気的に接続され、外部への電磁波の放
射を防ぐシールド効果や外部からの電磁波の侵入を防止
するイミュニティ効果が良好に得られる半導体素子収納
用パッケージとすることができる。

【００３１】枠状導体層８は、タングステン・モリブデ
ン・マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤・溶
媒・可塑剤等を添加混合して得た金属ペーストを従来周
知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して枠体２と
なるセラミックグリーンシートにあらかじめ印刷塗布し
ておき、これをセラミックグリーンシートと同時に焼成
することによって枠体２の上面に枠状に被着形成され
る。

【００３２】また、封止剤４に含有される導電性の充填
剤としては、例えばアクリル系樹脂やフェノール系樹脂
・ウレタン系樹脂・ベンゾグアナミン樹脂・メラミン系
樹脂・ポリジビニルベンゼン・ポリスチレン樹脂等の各
種有機系樹脂材料を核にもち、表層にニッケル・金・銀
・銅等の導電性材料を被覆した粒子やカーボン粉末ある
いはニッケル・金・銀・銅・半田等の金属粉末等が用い
られる。

【００３３】なお、封止剤４には、平均粒径が0.1〜30
μｍの充填剤を0.5〜200重量％含有させることが好まし
い。充填剤の平均粒径が0.1μｍ未満では封止剤４の導
通抵抗が高くなり、金属製蓋体３と枠状導体層８との電
気的接続が困難となる傾向があり、また、30μｍを超え
ると加圧しながら加熱硬化する際の加重で導電性粒子が
大きく変形して金属被膜が破損し、良好な導電性を得ら
れなくなる傾向がある。したがって、導電性の充填剤の
平均粒径は0.1〜30μｍの範囲が好ましい。さらに、導
電性の充填剤の含有量が0.5重量％未満では、封止剤４
の導電性が低下する傾向があり、200重量％を超えると
封止剤４の濡れ性が低下する傾向がある。したがって、
導電性の充填剤の含有量は0.5〜200重量％の範囲が好ま
しい。

【００３４】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、枠体２を有する絶縁基体１の搭載部１ａ
に半導体素子６をガラス・樹脂・ろう材等から成る接着
剤を介して接着固定するとともに半導体素子６の各電極
をボンディングワイヤ７により配線導体層５に接続さ
せ、しかる後、枠体２と金属製蓋体３とを封止剤４を介
して接続して絶縁基体１と枠体２と金属製蓋体３とから
成る容器の内部に半導体素子６を気密に収容することに
よって最終製品としての半導体装置が完成する。

【００３５】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、半導体素子７と
配線導体５との電気的接続を半田バンプ等の導電性接続
部材で行なっても良い。また、枠体２は、その内周面お
よび／または外周面の各角部にＣ面やＲ面を有する略四
角形状でもよく、さらに、金属製蓋体３は、側面の各角
部にＲ面を有する略四角形状でもよい。

【００３６】

【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、金属製蓋体の枠体の角部に対向する部位の厚み
を枠体の開口部に対向する部位の厚みに較べて20μｍ以
上薄くかつその厚みの１／２以上としたことから、封止
剤をスクリーン印刷法やディスペンサ法を用いて枠体と
金属製蓋体との接合部分に塗布するとともに両者の接合
部分を重ね合わせ加圧・加熱して枠体と金属製蓋体とを
接合した場合に、封止剤が金属製蓋体の角部の厚みの薄
い部分に入り込み、その結果、金属製蓋体と封止剤との
結合を強固なものとすることができる。また、枠体の角
部と金属製蓋体との間の封止剤は、その厚みが20μｍ以
上と十分な量と成ることから、半導体素子が作動する際
に発生する熱によって熱膨張係数の異なる枠体と金属製
蓋体との間に大きな応力が発生して両者の角部の接合部
にこの応力が集中したとしても、厚みが20μｍ以上の封
止剤がこの応力を緩和して枠体にクラックが入るのを有
効に防止することができ、その結果、熱応力あるいは外
部からの機械的衝撃に対して枠体と金属製蓋体との接合
破壊が起こり難く、気密信頼性の良好な半導体素子収納
用パッケージとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の
形態の一例を示す側面図である。

【図２】図１の半導体素子収納用パッケージの蓋体の下
面図である。

【図３】図１に示す半導体素子収納用パッケージの対角
線方向の断面図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それ
ぞれ図１に示す半導体素子収納用パッケージの蓋体の実
施形態の他の例を示す下面図である。

【図５】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施形
態の他の例を示す対角線方向の断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・・搭載部 ２・・・・・・枠体 ３・・・・・・金属製蓋体 ３ａ・・・・・・金属製蓋体の枠体の角部に対向する部
位 ３ｂ・・・・・・金属製蓋体の枠体の開口部に対向する
部位 ３ｃ・・・・・・金属製蓋体の枠体に対向する部位 ４・・・・・・封止剤 ５・・・・・・配線導体層 ６・・・・・・半導体素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面に半導体素子の搭載部を有する絶縁
   基体と、該絶縁基体の上面に前記搭載部を取り囲むよう
   に接合された略四角形状の枠体と、該枠体の上面に封止
   剤を介して接合される略四角平板状の金属製蓋体とから
   成る半導体素子収納用パッケージであって、前記金属製
   蓋体は、前記枠体の角部に対向する部位の厚みが前記枠
   体の開口部に対向する部位の厚みに比べて２０μｍ以上
   薄くかつその厚みの１／２以上であることを特徴とする
   半導体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】 前記封止剤がエポキシ系樹脂接着剤であ
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パ
   ッケージ。
3. 【請求項３】 前記エポキシ系樹脂接着剤が導電性の充
   填材を含有することを特徴とする請求項２記載の半導体
   素子収納用パッケージ。