JP2002280361A5 - - Google Patents

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  1. 減圧可能な容器内に被加工物を載置する処理台と、該被加工物と対面する電磁波導入のための誘電体窓と、該減圧容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数 f の高周波電源と、該誘電体窓の周辺部に近接し、真空または空気または誘電率eの誘電体で満たされ、その入口以外が導体で囲まれ、その深さが d=l/4+l/2×(n−1)±l/8:(n=正の整数, l=c(光速)/f/√e)の特性長の範囲内にある定在波制御部を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項1において、該容器の内径と同じ半径位置において、該誘電体窓内部に形成される定在波電界の強度が、極大値となることを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項1において、該容器の内径と同じ半径位置において、該誘電体窓直下のプラズマ側に形成される定在波電界の強度が、極小値となることを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項1において、該誘電体窓の側方に該定在波制御部を具備した場合と電磁波の特性長で等価となる寸法だけ該誘電体窓の半径を大きくすることを含み、該誘電体窓とそれに近接した該定在波制御部を一体化したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 請求項1において、該定在波制御部を該誘電体窓の周辺部の上方または下方に具備し、その形状寸法が該定在波制御部を該誘電体窓の側方に具備した場合と電磁波の特性長で等価となるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 請求項1において、該定在波制御部を該誘電体窓の周辺部の上方または側方または下方に具備し、電磁波の特性長を等価に保ったまま、それをさらに折り曲げた形状もしくは幅や曲率を変更した形状としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 請求項1において、該定在波制御部を該誘電体窓の上方または下方に具備し、電磁波の特性長を等価に保ったまま、それを該誘電体窓の端部よりも内側に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 請求項1において、該誘電体窓の大気側または真空側に導体または半導体よりなる電磁波放射素子を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  9. 請求項1において、該定在波制御部の寸法を可変する機構を具備したことを特
    徴とするプラズマ処理装置。
  10. 請求項1において、該誘電体窓ならびに該定在波制御部内に用いる誘電体は、アルミナ(Al2O3)、石英(SiO2)のいずれか、もしくは、これらの複合による構成を用いたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  11. ベースフレーム上に複数のリアクタを有し、それぞれのリアクタは、減圧可能な容器内に被加工物を載置する処理台と、該被加工物と対面する電磁波導入のための誘電体窓と、該減圧容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数 f の高周波電源と、該誘電体窓の周辺部に近接し、真空または空気または誘電率eの誘電体で満たされ、その入口以外が導体で囲まれ、その深さが d=l/4+l/2×(n−1)±l/8:(n=正の整数, l=c(光速)/f/√e)の特性長の範囲内にある定在波制御部を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置
  12. 減圧可能な容器、該容器内に位置された被加工物を載置するための処理台、該被加工物と対面する位置に設けられた電磁波放射素子および誘電体窓、該容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数fの高周波電源、および該誘電体窓の周辺部に近接して設けられた定在波電界分布を適正化するための定在波制御部とから成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
  13. 請求項12において、該定在波制御部は該誘電体窓の周辺部にリング状に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4209612B2 (ja) * 2001-12-19 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4204799B2 (ja) * 2002-04-09 2009-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3723783B2 (ja) * 2002-06-06 2005-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5312411B2 (ja) * 2003-02-14 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生装置およびリモートプラズマ処理装置
JP2006244891A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US20080190560A1 (en) * 2005-03-04 2008-08-14 Caizhong Tian Microwave Plasma Processing Apparatus
US20080029032A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
JP2010232493A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2012217761A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Hitachi Ltd プラズマ滅菌装置
US9916998B2 (en) 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9685356B2 (en) 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
KR20190005029A (ko) * 2017-07-05 2019-01-15 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
CN107421713B (zh) * 2017-08-01 2020-02-18 大连理工大学 一种测量管内波动液膜波频和波速的系统
TW202329191A (zh) * 2021-08-06 2023-07-16 美商蘭姆研究公司 用於薄介電膜沉積的變壓器耦合電漿源設計

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0368771A (ja) 1989-08-04 1991-03-25 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
EP0478283B1 (en) 1990-09-26 1996-12-27 Hitachi, Ltd. Microwave plasma processing method and apparatus
JPH10199699A (ja) 1997-01-11 1998-07-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6143081A (en) 1996-07-12 2000-11-07 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method
JPH10134995A (ja) 1996-10-28 1998-05-22 Toshiba Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3815868B2 (ja) 1997-10-07 2006-08-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3555447B2 (ja) 1998-06-05 2004-08-18 株式会社日立製作所 ドライエッチング装置
JP2000077384A (ja) 1998-09-03 2000-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置
JP4165946B2 (ja) 1998-11-30 2008-10-15 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP3430053B2 (ja) 1999-02-01 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000268994A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Fuji Electric Co Ltd 高周波グロー放電を利用した表面処理方法
JP3640204B2 (ja) 1999-04-14 2005-04-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

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