JP2002280278A - 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム - Google Patents
半導体製造装置の制御方法及びその制御システムInfo
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- JP2002280278A JP2002280278A JP2001074768A JP2001074768A JP2002280278A JP 2002280278 A JP2002280278 A JP 2002280278A JP 2001074768 A JP2001074768 A JP 2001074768A JP 2001074768 A JP2001074768 A JP 2001074768A JP 2002280278 A JP2002280278 A JP 2002280278A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 通信ネットワークを介して多台数の半導体製
造装置から種々のデータを収集して統計処理を行い、そ
の解析結果を当該半導体製造装置にフィードバックする
ことにより、より高精度な制御を行うことを可能とす
る。 【解決手段】 半導体製造装置の制御システムは、ネッ
トワーク５と、ネットワーク５に接続された半導体製造
装置２０１及びサーバ１０において、サーバ１０は、前
記半導体製造装置の装置状態の測定データを通信ネット
ワーク５を介して収集蓄積する手段３ａと、収集された
測定データに基づいて統計処理を行い、解析結果を算出
する手段３ｂと、解析結果を通信ネットワーク５を介し
て半導体製造装置に対して送信する手段３ｃとから構成
されている。
造装置から種々のデータを収集して統計処理を行い、そ
の解析結果を当該半導体製造装置にフィードバックする
ことにより、より高精度な制御を行うことを可能とす
る。 【解決手段】 半導体製造装置の制御システムは、ネッ
トワーク５と、ネットワーク５に接続された半導体製造
装置２０１及びサーバ１０において、サーバ１０は、前
記半導体製造装置の装置状態の測定データを通信ネット
ワーク５を介して収集蓄積する手段３ａと、収集された
測定データに基づいて統計処理を行い、解析結果を算出
する手段３ｂと、解析結果を通信ネットワーク５を介し
て半導体製造装置に対して送信する手段３ｃとから構成
されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信ネットワーク
を利用してリモートで半導体製造装置を制御する半導体
製造装置の制御方法及びその制御システムに関する。
を利用してリモートで半導体製造装置を制御する半導体
製造装置の制御方法及びその制御システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハや液晶ガラス基
板等の基板に対して所定の加工処理を施す半導体製造装
置は、生産稼働するに従って、チャンバー内の汚れや部
品の消耗等により装置状態が経時的に変化しており、加
工処理を施されたウェーハの状態にバラツキが生じてく
る。そこで、半導体製造装置の状態や加工処理を施され
たウェーハ等をモニタしながら種々の測定データ、検査
データなどを収集し、統計処理を行うことでそのバラツ
キを把握して半導体製造装置の調整、保守・管理などに
利用している。従来は、半導体工場の規模が大きく、工
場内には同一タイプの半導体製造装置が多数稼働してい
たため、上記のような統計処理を行うために必要なデー
タは、一つの工場内で十分に得られていた。
板等の基板に対して所定の加工処理を施す半導体製造装
置は、生産稼働するに従って、チャンバー内の汚れや部
品の消耗等により装置状態が経時的に変化しており、加
工処理を施されたウェーハの状態にバラツキが生じてく
る。そこで、半導体製造装置の状態や加工処理を施され
たウェーハ等をモニタしながら種々の測定データ、検査
データなどを収集し、統計処理を行うことでそのバラツ
キを把握して半導体製造装置の調整、保守・管理などに
利用している。従来は、半導体工場の規模が大きく、工
場内には同一タイプの半導体製造装置が多数稼働してい
たため、上記のような統計処理を行うために必要なデー
タは、一つの工場内で十分に得られていた。
【０００３】また、従来より半導体製造装置の装置メー
カは、自社の半導体製造装置に関する上記のような種々
のデータを搬入先であるデバイスメーカなどから収集し
利用することができなかった。
カは、自社の半導体製造装置に関する上記のような種々
のデータを搬入先であるデバイスメーカなどから収集し
利用することができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
半導体製造工場は、システムＬＳＩの効率的な生産ライ
ンとして、大型半導体工場（メガファブ）から小型半導
体工場（ミニファブ）へと変わりつつある。このよう
に、工場の規模が小さくなり分散するようになってくる
と、一つの工場内だけでは統計処理に必要なデータ量は
不足し、十分な精度の予測が不可能になってくる。ま
た、従来より半導体製造装置の装置メーカは、搬入先の
自社製装置のデータを収集し利用することができなかっ
たため、より多くのデータに基づいた高精度な予測が出
来なかった。
半導体製造工場は、システムＬＳＩの効率的な生産ライ
ンとして、大型半導体工場（メガファブ）から小型半導
体工場（ミニファブ）へと変わりつつある。このよう
に、工場の規模が小さくなり分散するようになってくる
と、一つの工場内だけでは統計処理に必要なデータ量は
不足し、十分な精度の予測が不可能になってくる。ま
た、従来より半導体製造装置の装置メーカは、搬入先の
自社製装置のデータを収集し利用することができなかっ
たため、より多くのデータに基づいた高精度な予測が出
来なかった。
【０００５】そこで、本発明は上記問題に鑑みてなされ
たもので、通信ネットワークを介して多台数の半導体製
造装置から種々のデータを収集し統計処理を行い、その
解析結果を当該半導体製造装置にフィードバックするこ
とにより、より高精度な制御を行うことを可能とする半
導体製造装置システムを提供することを目的とする。
たもので、通信ネットワークを介して多台数の半導体製
造装置から種々のデータを収集し統計処理を行い、その
解析結果を当該半導体製造装置にフィードバックするこ
とにより、より高精度な制御を行うことを可能とする半
導体製造装置システムを提供することを目的とする。
【０００６】本発明の他の目的は、装置メーカが装置の
搬入先を問わず自社製装置の様々なデータを収集し利用
できる半導体制御システムを提供することである。
搬入先を問わず自社製装置の様々なデータを収集し利用
できる半導体制御システムを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の特徴は、半導体製造装置が、当該半
導体製造装置の装置状態を測定するステップと、半導体
製造装置が、測定の結果をサーバに対し通信ネットワー
クを介して送信するステップと、サーバが、測定の結果
を収集蓄積し統計処理を行い、解析結果を算出するステ
ップと、サーバが、解析結果を通信ネットワークを介し
て送信するステップと、半導体製造装置が、解析結果に
基づいて半導体製造装置を制御するステップとからなる
半導体製造装置の制御方法としたことである。
に、本発明の第１の特徴は、半導体製造装置が、当該半
導体製造装置の装置状態を測定するステップと、半導体
製造装置が、測定の結果をサーバに対し通信ネットワー
クを介して送信するステップと、サーバが、測定の結果
を収集蓄積し統計処理を行い、解析結果を算出するステ
ップと、サーバが、解析結果を通信ネットワークを介し
て送信するステップと、半導体製造装置が、解析結果に
基づいて半導体製造装置を制御するステップとからなる
半導体製造装置の制御方法としたことである。
【０００８】本発明の第２の特徴は、半導体製造装置
が、当該半導体製造装置の装置状態を測定するステップ
と、検査装置が、半導体製造装置によって加工処理を施
された製品を検査するステップと、半導体製造装置が、
測定の結果をサーバに対し通信ネットワークを介して送
信するステップと、検査装置が、検査の結果をサーバに
対し通信ネットワークを介して送信するステップと、サ
ーバが、測定の結果と検査の結果とを収集蓄積し統計処
理を行い、解析結果を算出するステップと、サーバが、
解析結果を半導体製造装置に対し通信ネットワークを介
して送信するステップと、半導体製造装置が、解析結果
に基づいて半導体製造装置を制御するステップとからな
る半導体製造装置の制御方法としたことである。
が、当該半導体製造装置の装置状態を測定するステップ
と、検査装置が、半導体製造装置によって加工処理を施
された製品を検査するステップと、半導体製造装置が、
測定の結果をサーバに対し通信ネットワークを介して送
信するステップと、検査装置が、検査の結果をサーバに
対し通信ネットワークを介して送信するステップと、サ
ーバが、測定の結果と検査の結果とを収集蓄積し統計処
理を行い、解析結果を算出するステップと、サーバが、
解析結果を半導体製造装置に対し通信ネットワークを介
して送信するステップと、半導体製造装置が、解析結果
に基づいて半導体製造装置を制御するステップとからな
る半導体製造装置の制御方法としたことである。
【０００９】本発明の第３の特徴は、ネットワークと、
このネットワークに接続された半導体製造装置及びサー
バにおいて、サーバは、半導体製造装置の装置状態の測
定データを通信ネットワークを介して収集蓄積する手段
と、収集された測定データに基づいて統計処理を行い、
解析結果を算出する手段と、解析結果を通信ネットワー
クを介して半導体製造装置に対して送信する手段とから
構成される半導体製造装置の制御システムとしたことで
ある。
このネットワークに接続された半導体製造装置及びサー
バにおいて、サーバは、半導体製造装置の装置状態の測
定データを通信ネットワークを介して収集蓄積する手段
と、収集された測定データに基づいて統計処理を行い、
解析結果を算出する手段と、解析結果を通信ネットワー
クを介して半導体製造装置に対して送信する手段とから
構成される半導体製造装置の制御システムとしたことで
ある。
【００１０】このような半導体製造装置の制御システム
によれば、多台数の半導体製造装置から装置状態の種々
のデータを収集し統計処理を行って、その解析結果を当
該半導体製造装置にフィードバックできるので、高精度
な制御を行うことが可能となる。
によれば、多台数の半導体製造装置から装置状態の種々
のデータを収集し統計処理を行って、その解析結果を当
該半導体製造装置にフィードバックできるので、高精度
な制御を行うことが可能となる。
【００１１】本発明の第４の特徴は、ネットワークと、
このネットワークに接続された半導体製造装置及びサー
バにおいて、サーバは、半導体製造装置の装置状態の測
定データと、半導体製造装置により加工処理を施された
製品の検査データとを通信ネットワークを介して収集蓄
積する手段と、収集された測定データと検査データに基
づいて統計処理を行い、解析結果を算出する手段と、解
析結果を通信ネットワークを介して半導体製造装置に対
して送信する手段とから構成される半導体製造装置の制
御システムとしたことである。
このネットワークに接続された半導体製造装置及びサー
バにおいて、サーバは、半導体製造装置の装置状態の測
定データと、半導体製造装置により加工処理を施された
製品の検査データとを通信ネットワークを介して収集蓄
積する手段と、収集された測定データと検査データに基
づいて統計処理を行い、解析結果を算出する手段と、解
析結果を通信ネットワークを介して半導体製造装置に対
して送信する手段とから構成される半導体製造装置の制
御システムとしたことである。
【００１２】このような半導体製造装置の制御システム
によれば、多台数の半導体製造装置から装置状態の種々
のデータと、加工処理を施された製品の検査データとを
収集し統計処理を行い、その解析結果を当該半導体製造
装置にフィードバックできるので、より高精度な制御を
行うことが可能となる。
によれば、多台数の半導体製造装置から装置状態の種々
のデータと、加工処理を施された製品の検査データとを
収集し統計処理を行い、その解析結果を当該半導体製造
装置にフィードバックできるので、より高精度な制御を
行うことが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
第１乃至第３の実施の形態を説明する。以下の図面の記
載において、同一又は類似の部分は同一又は類似の符号
を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚
みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のも
のとは異なることに留意すべきである。従って、具体的
な厚みや寸法はいかの 説明を参酌して判断すべきもの
である。また図面相互間においても互いの寸法の関係や
比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
第１乃至第３の実施の形態を説明する。以下の図面の記
載において、同一又は類似の部分は同一又は類似の符号
を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚
みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のも
のとは異なることに留意すべきである。従って、具体的
な厚みや寸法はいかの 説明を参酌して判断すべきもの
である。また図面相互間においても互いの寸法の関係や
比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１４】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る半導体製造装置の制御システムの
ブロック図である。
１の実施の形態に係る半導体製造装置の制御システムの
ブロック図である。
【００１５】図１に示すように、本発明の第１の実施形
態に係る半導体製造装置の制御システムは、通信ネット
ワーク５と、この通信ネットワーク５を介して接続され
る半導体工場１１，１２，１３，・・・の半導体製造装
置２０１，２０２，・・・，２０６・・・と、中央サー
バ１０とから少なくとも構成されている。
態に係る半導体製造装置の制御システムは、通信ネット
ワーク５と、この通信ネットワーク５を介して接続され
る半導体工場１１，１２，１３，・・・の半導体製造装
置２０１，２０２，・・・，２０６・・・と、中央サー
バ１０とから少なくとも構成されている。
【００１６】ここで、通信ネットワーク５とは、電気通
信技術を利用した通信網全般を意味し、例えば、電気通
信回線、ＴＣＰ（Transmission Control Protocol）／
ＩＰ（Internet Protocol）をベースとしたインターネ
ットシステム、ＷＡＮ（WideArea Network）、ＬＡＮ(L
ocal Area Network)、光ファイバ通信、ケーブル通信、
衛星通信等の利用が考えられる。また、通信ネットワー
ク５は、双方向の通信が可能で十分な信頼性を持つ通信
レベルのネットワークを構成している。半導体製造装置
２０１，２０２，・・・，２０６・・・には、同一機種
あるいは異なる機種のものがあり、分散された半導体工
場１１，１２，１３，・・・内で複数台稼働している。
中央サーバ１０は、例えば、半導体工場、デバイスメー
カ、装置メーカなどに設置される。
信技術を利用した通信網全般を意味し、例えば、電気通
信回線、ＴＣＰ（Transmission Control Protocol）／
ＩＰ（Internet Protocol）をベースとしたインターネ
ットシステム、ＷＡＮ（WideArea Network）、ＬＡＮ(L
ocal Area Network)、光ファイバ通信、ケーブル通信、
衛星通信等の利用が考えられる。また、通信ネットワー
ク５は、双方向の通信が可能で十分な信頼性を持つ通信
レベルのネットワークを構成している。半導体製造装置
２０１，２０２，・・・，２０６・・・には、同一機種
あるいは異なる機種のものがあり、分散された半導体工
場１１，１２，１３，・・・内で複数台稼働している。
中央サーバ１０は、例えば、半導体工場、デバイスメー
カ、装置メーカなどに設置される。
【００１７】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体製造装置２０１，２０２，・・・，２０６・・
・、中央サーバ１０のブロック図である。簡単のため
に、図２では、図１に示した半導体製造装置２０１，２
０２，・・・，２０６・・・、の内で、半導体製造装置
２０１のみを示している。
半導体製造装置２０１，２０２，・・・，２０６・・
・、中央サーバ１０のブロック図である。簡単のため
に、図２では、図１に示した半導体製造装置２０１，２
０２，・・・，２０６・・・、の内で、半導体製造装置
２０１のみを示している。
【００１８】半導体製造装置２０１は、半導体ウェーハ
や液晶ガラス基板等の基板に対して所定の加工処理を施
すものであり、具体的には、ＣＶＤ装置、ステッパ装
置、ドライエッチング装置、洗浄装置などがある。
や液晶ガラス基板等の基板に対して所定の加工処理を施
すものであり、具体的には、ＣＶＤ装置、ステッパ装
置、ドライエッチング装置、洗浄装置などがある。
【００１９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製
造装置２０１には、測定手段１ｂ、データ送信手段１
ｃ、処理制御手段１ｄ、解析結果受信手段１ｅが備えら
れている。測定手段１ｂは、半導体製造装置の状態、例
えば、光源の光量、ヒーターの電力、バルブの開閉角度
等の測定を行い、その結果を測定時刻と共に測定データ
として取得する手段である。データ送信手段は、測定手
段１ｂで得られた測定データと、当該半導体製造装置を
識別するための装置データを通信ネットワーク５を介し
て中央サーバ１０に送信する手段である。解析結果受信
手段１ｅは、統計処理サーバ１０から送信された解析結
果を通信ネットワーク５を介して受信する手段である。
処理制御手段１ｄは、解析結果受信手段１ｅから取得し
た解析結果に基づいて半導体製造装置２０１の制御対象
である光源、ヒーター、バルブなどを制御する手段であ
る。
造装置２０１には、測定手段１ｂ、データ送信手段１
ｃ、処理制御手段１ｄ、解析結果受信手段１ｅが備えら
れている。測定手段１ｂは、半導体製造装置の状態、例
えば、光源の光量、ヒーターの電力、バルブの開閉角度
等の測定を行い、その結果を測定時刻と共に測定データ
として取得する手段である。データ送信手段は、測定手
段１ｂで得られた測定データと、当該半導体製造装置を
識別するための装置データを通信ネットワーク５を介し
て中央サーバ１０に送信する手段である。解析結果受信
手段１ｅは、統計処理サーバ１０から送信された解析結
果を通信ネットワーク５を介して受信する手段である。
処理制御手段１ｄは、解析結果受信手段１ｅから取得し
た解析結果に基づいて半導体製造装置２０１の制御対象
である光源、ヒーター、バルブなどを制御する手段であ
る。
【００２０】本発明の第１の実施の形態に係る中央サー
バ１０は、統計処理サーバ６と、統計処理サーバに接続
されたデータベース７から構成される。そして、中央サ
ーバ１０には、データ収集手段３ａ、統計処理手段３
ｂ、解析結果送信手段３ｃが備えられている。データ収
集手段３ａは、半導体製造装置２０１から送信された測
定データと装置データを通信ネットワーク５を介して収
集する手段である。統計処理手段３ｂは、データベース
７に蓄積された測定データを統計処理することにより解
析結果を算出する手段である。解析結果送信手段３ｃ
は、統計処理手段３ｂにより得られた解析結果を対応す
る半導体製造装置２０１に送信する手段である。
バ１０は、統計処理サーバ６と、統計処理サーバに接続
されたデータベース７から構成される。そして、中央サ
ーバ１０には、データ収集手段３ａ、統計処理手段３
ｂ、解析結果送信手段３ｃが備えられている。データ収
集手段３ａは、半導体製造装置２０１から送信された測
定データと装置データを通信ネットワーク５を介して収
集する手段である。統計処理手段３ｂは、データベース
７に蓄積された測定データを統計処理することにより解
析結果を算出する手段である。解析結果送信手段３ｃ
は、統計処理手段３ｂにより得られた解析結果を対応す
る半導体製造装置２０１に送信する手段である。
【００２１】データベース７には、測定データ記憶装置
４ｂ、装置データ記憶装置４ｃが備えられている。測定
データ記憶装置４ｂは、収集された測定データを保持す
るための記憶装置である。装置データ記憶装置４ｃは、
装置データ情報を保持するための記憶装置であり、例え
ば、半導体製造装置の装置メーカ、装置タイプ、装置識
別番号などが記憶される。このデータベース７は、統計
処理サーバ６に内蔵された記憶装置に構築されても良い
し、ネットワーク接続されたデータベースサーバに構築
されても良い。図中には示していないが、統計処理サー
バ６は、ＣＰＵ、一時記憶装置、主記憶装置、通信手
段、マウス・キーボードなどの入力手段、ＣＲＴ・液晶
ディスプレイなどの表示手段を備えている。また、統計
処理サーバ６で実現している機能を、ＣＰＵ負荷などを
考慮して複数のコンピュータで分散して実現してもかま
わない。
４ｂ、装置データ記憶装置４ｃが備えられている。測定
データ記憶装置４ｂは、収集された測定データを保持す
るための記憶装置である。装置データ記憶装置４ｃは、
装置データ情報を保持するための記憶装置であり、例え
ば、半導体製造装置の装置メーカ、装置タイプ、装置識
別番号などが記憶される。このデータベース７は、統計
処理サーバ６に内蔵された記憶装置に構築されても良い
し、ネットワーク接続されたデータベースサーバに構築
されても良い。図中には示していないが、統計処理サー
バ６は、ＣＰＵ、一時記憶装置、主記憶装置、通信手
段、マウス・キーボードなどの入力手段、ＣＲＴ・液晶
ディスプレイなどの表示手段を備えている。また、統計
処理サーバ６で実現している機能を、ＣＰＵ負荷などを
考慮して複数のコンピュータで分散して実現してもかま
わない。
【００２２】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体製造装置の制御システムの制御処理を行う場合の
処理動作の流れを示すフローチャートである。
半導体製造装置の制御システムの制御処理を行う場合の
処理動作の流れを示すフローチャートである。
【００２３】まず、ステップＳ１０１において、半導体
製造装置２０１は、ウェーハ等に対しての所定の加工処
理を開始すると、ステップＳ１０２に対応して、ステッ
プＳ１０２において、半導体製造装置２０１の測定手段
１ｂは、半導体製造装置の制御対象である光源、ヒータ
ー、バルブなどの状態の測定を行い、測定時刻と共に測
定データを取得し、半導体製造装置のデータ送信手段１
ｃに出力する。
製造装置２０１は、ウェーハ等に対しての所定の加工処
理を開始すると、ステップＳ１０２に対応して、ステッ
プＳ１０２において、半導体製造装置２０１の測定手段
１ｂは、半導体製造装置の制御対象である光源、ヒータ
ー、バルブなどの状態の測定を行い、測定時刻と共に測
定データを取得し、半導体製造装置のデータ送信手段１
ｃに出力する。
【００２４】次に、ステップＳ１０３において、半導体
製造装置のデータ送信手段１ｃは、測定手段１ｂにより
入力された測定データを当該半導体製造装置の装置デー
タと共に通信ネットワーク５を介して統計処理サーバ６
に送信する。
製造装置のデータ送信手段１ｃは、測定手段１ｂにより
入力された測定データを当該半導体製造装置の装置デー
タと共に通信ネットワーク５を介して統計処理サーバ６
に送信する。
【００２５】次に、ステップＳ１０４において、統計処
理サーバ６のデータ収集手段３ａは、半導体製造装置２
０１から送信された測定データ、装置データを通信ネッ
トワーク５を介して受信すると共に、受信した測定デー
タと、装置データとを対応づけてそれぞれデータベース
７の測定データ記憶装置４ｂと装置データ記憶装置４ｃ
に蓄積する。
理サーバ６のデータ収集手段３ａは、半導体製造装置２
０１から送信された測定データ、装置データを通信ネッ
トワーク５を介して受信すると共に、受信した測定デー
タと、装置データとを対応づけてそれぞれデータベース
７の測定データ記憶装置４ｂと装置データ記憶装置４ｃ
に蓄積する。
【００２６】その後、ステップＳ１０５において、統計
処理サーバ６の統計処理手段３ｂは、データベース７に
蓄積された測定データに基づいて統計処理を行い、その
解析結果を統計処理サーバ６の解析結果送信手段３ｃに
出力する。なお、統計処理手段３ｂの具体的な処理につ
いては後述する。
処理サーバ６の統計処理手段３ｂは、データベース７に
蓄積された測定データに基づいて統計処理を行い、その
解析結果を統計処理サーバ６の解析結果送信手段３ｃに
出力する。なお、統計処理手段３ｂの具体的な処理につ
いては後述する。
【００２７】続いて、ステップＳ１０６において、統計
処理サーバ６の解析結果送信手段３ｃは、その解析結果
を通信ネットワーク５を介して対応する半導体製造装置
２０１に送信する。
処理サーバ６の解析結果送信手段３ｃは、その解析結果
を通信ネットワーク５を介して対応する半導体製造装置
２０１に送信する。
【００２８】次に、ステップＳ１０７において、半導体
製造装置２０１の解析結果受信手段１ｅは、統計処理サ
ーバ６から送信された解析結果を通信ネットワークを介
して受信する。そして、ステップＳ１０８において、半
導体製造装置２０１の処理制御手段１ｄは、処理制御手
段１ｄの解析結果に基づいて制御対象の制御を行う。
製造装置２０１の解析結果受信手段１ｅは、統計処理サ
ーバ６から送信された解析結果を通信ネットワークを介
して受信する。そして、ステップＳ１０８において、半
導体製造装置２０１の処理制御手段１ｄは、処理制御手
段１ｄの解析結果に基づいて制御対象の制御を行う。
【００２９】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る
統計処理サーバ６の統計処理手段３ｂが統計処理を行う
場合の処理動作の流れを示すフローチャートである。
統計処理サーバ６の統計処理手段３ｂが統計処理を行う
場合の処理動作の流れを示すフローチャートである。
【００３０】ここでは、半導体製造装置の加工時間と加
工処理を施されたロット数（またはウェーハ数）間に相
関関係が有する場合において、同一機種の製造装置から
収集された測定データに基づいて統計処理を行い、解析
結果として推定式を導出する例について述べる。
工処理を施されたロット数（またはウェーハ数）間に相
関関係が有する場合において、同一機種の製造装置から
収集された測定データに基づいて統計処理を行い、解析
結果として推定式を導出する例について述べる。
【００３１】まず、ステップＳ４０１において、統計処
理サーバ６の統計処理手段１ｂは、推定式を設定する。
理サーバ６の統計処理手段１ｂは、推定式を設定する。
【００３２】次に、ステップＳ４０２において、統計処
理サーバ６の統計処理手段１ｂは、データベース７の装
置データ記憶装置４ｃから同一機種の装置データを読み
出すと共に、その装置データに対応づけられた測定デー
タをデータベース７の測定データ記憶装置４ｃから読み
出す。
理サーバ６の統計処理手段１ｂは、データベース７の装
置データ記憶装置４ｃから同一機種の装置データを読み
出すと共に、その装置データに対応づけられた測定デー
タをデータベース７の測定データ記憶装置４ｃから読み
出す。
【００３３】そして、ステップＳ４０３において、統計
処理サーバ６の統計処理手段１ｂは、データベース７か
ら読み出した同一機種の測定データに、ステップＳ４０
１において設定した推定式を回帰することにより推定式
の係数(ａ１，ａ２，ａ３・・・) を算出し、その結果
を解析結果として統計処理サーバ６の解析結果送信手段
１ｅに出力する。
処理サーバ６の統計処理手段１ｂは、データベース７か
ら読み出した同一機種の測定データに、ステップＳ４０
１において設定した推定式を回帰することにより推定式
の係数(ａ１，ａ２，ａ３・・・) を算出し、その結果
を解析結果として統計処理サーバ６の解析結果送信手段
１ｅに出力する。
【００３４】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態に係る半導体製造装置の制御システムは、第１の
実施の形態に説明した半導体製造装置２０１、中央サー
バ１０のデータベース７に対して改良を加えたものであ
る。本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装置の
制御システムの構成図は、図１と同様である。
の形態に係る半導体製造装置の制御システムは、第１の
実施の形態に説明した半導体製造装置２０１、中央サー
バ１０のデータベース７に対して改良を加えたものであ
る。本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装置の
制御システムの構成図は、図１と同様である。
【００３５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る
半導体製造装置２０１，２０２，・・・，２０６・・
・、中央サーバ１０のブロック図である。
半導体製造装置２０１，２０２，・・・，２０６・・
・、中央サーバ１０のブロック図である。
【００３６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製
造装置２０１には、第１の実施の形態の図２で説明した
半導体製造装置２０１に備えられている手段に加え、検
査手段１ａが付加されている。検査手段１ａは、当該半
導体製造装置２０１によって加工処理を施されたウェー
ハのエッチングのレート、膜厚、シート抵抗値等の検査
を行い、その結果を検査時刻と共に検査データとして取
得する手段である。
造装置２０１には、第１の実施の形態の図２で説明した
半導体製造装置２０１に備えられている手段に加え、検
査手段１ａが付加されている。検査手段１ａは、当該半
導体製造装置２０１によって加工処理を施されたウェー
ハのエッチングのレート、膜厚、シート抵抗値等の検査
を行い、その結果を検査時刻と共に検査データとして取
得する手段である。
【００３７】本発明の第２の実施の形態に係る中央サー
バ１０のデータベース７には、第１の実施の形態の図２
で説明したデータベース７で説明した記憶装置に加え、
検査データ記憶装置４ｃが付加されている。検査データ
記憶装置４ｃは、収集された検査データを保持するため
の記憶装置である。
バ１０のデータベース７には、第１の実施の形態の図２
で説明したデータベース７で説明した記憶装置に加え、
検査データ記憶装置４ｃが付加されている。検査データ
記憶装置４ｃは、収集された検査データを保持するため
の記憶装置である。
【００３８】図６は、本発明の第２の実施の形態に係る
半導体製造装置の制御処理を行う場合の処理動作の流れ
を示すフローチャートである。
半導体製造装置の制御処理を行う場合の処理動作の流れ
を示すフローチャートである。
【００３９】まず、ステップＳ２０１において、半導体
製造装置２０１は、ウェーハ等に対しての所定の加工処
理を開始すると、ステップＳ２０１に対応して、Ｓ２０
２において、半導体製造装置２０１の測定手段１ｂは、
半導体製造装置の制御対象である光源、ヒーター、バル
ブなどの状態の測定を行い、測定時刻と共に測定データ
を取得し、半導体製造装置のデータ送信手段１ｃに出力
する。
製造装置２０１は、ウェーハ等に対しての所定の加工処
理を開始すると、ステップＳ２０１に対応して、Ｓ２０
２において、半導体製造装置２０１の測定手段１ｂは、
半導体製造装置の制御対象である光源、ヒーター、バル
ブなどの状態の測定を行い、測定時刻と共に測定データ
を取得し、半導体製造装置のデータ送信手段１ｃに出力
する。
【００４０】続いて、ステップＳ２０３において、検査
手段１ａは、当該半導体製造装置２０１によって加工処
理を施されたウェーハのエッチングのレート、膜厚、シ
ート抵抗値等の検査を行い、検査時刻と共に検査データ
を取得し、半導体製造装置２０１のデータ送信手段１ｃ
に出力する。
手段１ａは、当該半導体製造装置２０１によって加工処
理を施されたウェーハのエッチングのレート、膜厚、シ
ート抵抗値等の検査を行い、検査時刻と共に検査データ
を取得し、半導体製造装置２０１のデータ送信手段１ｃ
に出力する。
【００４１】次に、ステップＳ２０４において、半導体
製造装置のデータ送信手段１ｃは、検査手段１ａにより
入力さえた検査データと、測定手段１ｂにより入力され
た測定データと、当該半導体製造装置の装置データとを
通信ネットワーク５を介して統計処理サーバ６に送信す
る。
製造装置のデータ送信手段１ｃは、検査手段１ａにより
入力さえた検査データと、測定手段１ｂにより入力され
た測定データと、当該半導体製造装置の装置データとを
通信ネットワーク５を介して統計処理サーバ６に送信す
る。
【００４２】次に、ステップＳ２０５において、統計処
理サーバ６のデータ収集手段３ａは、半導体製造装置２
０１から送信された検査データ、測定データ、装置デー
タを通信ネットワーク５を介して受信すると共に、受信
した検査データと、測定データと、装置データとを対応
づけてそれぞれデータベース７の検査データ記憶装置４
ａと測定データ記憶装置４ｂと装置データ記憶装置４ｃ
に蓄積する。
理サーバ６のデータ収集手段３ａは、半導体製造装置２
０１から送信された検査データ、測定データ、装置デー
タを通信ネットワーク５を介して受信すると共に、受信
した検査データと、測定データと、装置データとを対応
づけてそれぞれデータベース７の検査データ記憶装置４
ａと測定データ記憶装置４ｂと装置データ記憶装置４ｃ
に蓄積する。
【００４３】その後、ステップＳ２０６において、統計
処理サーバ６の統計処理手段３ｂは、データベース７に
蓄積された測定データ、検査データに基づいて、統計処
理を行い、その解析結果を統計処理サーバ６の解析結果
送信手段３ｃに出力する。なお、統計処理手段３ｂの具
体的な処理については本発明の第１の実施例で説明した
図４と同様であるが、測定データに加え、検査データも
考慮する点が異なる。
処理サーバ６の統計処理手段３ｂは、データベース７に
蓄積された測定データ、検査データに基づいて、統計処
理を行い、その解析結果を統計処理サーバ６の解析結果
送信手段３ｃに出力する。なお、統計処理手段３ｂの具
体的な処理については本発明の第１の実施例で説明した
図４と同様であるが、測定データに加え、検査データも
考慮する点が異なる。
【００４４】次に、ステップＳ２０７において、統計処
理サーバ６の解析結果送信手段３ｃは、解析結果を対応
する半導体製造装置２０１に通信ネットワーク５を介し
て送信する。
理サーバ６の解析結果送信手段３ｃは、解析結果を対応
する半導体製造装置２０１に通信ネットワーク５を介し
て送信する。
【００４５】次に、ステップＳ２０８において、半導体
製造装置２０１の解析結果受信手段１ｅは、統計処理サ
ーバ６から送信された解析結果を受信する。
製造装置２０１の解析結果受信手段１ｅは、統計処理サ
ーバ６から送信された解析結果を受信する。
【００４６】そして、ステップＳ２０９において、半導
体製造装置２０１の処理制御手段１ｄは、処理制御手段
１ｄの解析結果に基づいて制御対象の制御を行う。
体製造装置２０１の処理制御手段１ｄは、処理制御手段
１ｄの解析結果に基づいて制御対象の制御を行う。
【００４７】（第３の実施の形態）図７は、本発明の第
３の実施の形態に係る半導体製造装置の制御システムの
ブロック図である。本発明の第３の実施の形態に係る半
導体製造装置の制御システムには、第１の実施の形態で
説明した半導体工場１１，１２，１３，・・・の半導体
製造装置２０１，２０２，・・・，２０６，・・・ に
加え、検査装置３０１，３０２，３０１，・・・が設置
されている。
３の実施の形態に係る半導体製造装置の制御システムの
ブロック図である。本発明の第３の実施の形態に係る半
導体製造装置の制御システムには、第１の実施の形態で
説明した半導体工場１１，１２，１３，・・・の半導体
製造装置２０１，２０２，・・・，２０６，・・・ に
加え、検査装置３０１，３０２，３０１，・・・が設置
されている。
【００４８】図７に示すように、本発明の第３の実施形
態に係る半導体製造装置の制御システムは、通信ネット
ワーク５と、この通信ネットワーク５を介して接続され
る半導体工場１１，１２，１３，・・・の半導体製造装
置２０１，２０２，・・・，２０６，・・・と、検査装
置３０１，３０２，３０１，・・・と、中央サーバ１０
とから少なくとも構成されている。
態に係る半導体製造装置の制御システムは、通信ネット
ワーク５と、この通信ネットワーク５を介して接続され
る半導体工場１１，１２，１３，・・・の半導体製造装
置２０１，２０２，・・・，２０６，・・・と、検査装
置３０１，３０２，３０１，・・・と、中央サーバ１０
とから少なくとも構成されている。
【００４９】通信ネットワーク５は、十分な信頼性を持
つ通信レベルのネットワークを構成しており、ＰＰＰや
ＴＣＰ／ＩＰなどといった公知のプロトコルが使用可能
である。通信ネットワーク５は、インターネットやイン
トラネット、電話回線なので公衆回線である。電話回線
を介してインターネットに接続する場合、図中には示し
ていないが、インターネットプロバイダが提供するアク
セスポイントが設置される場合がある。半導体製造装置
２０１，２０２，・・・，２０６・・・には、同一機種
あるいは異なる機種のものがあり、分散された半導体工
場１１，１２，１３，・・・内で複数台稼働している。
また、検査装置３０１，３０２，３０１，・・・は、そ
れぞれの半導体工場内１１，１２，１３，で複数台稼働
している。中央サーバ１０は、例えば、半導体工場、デ
バイスメーカ、装置メーカ等に設置される。
つ通信レベルのネットワークを構成しており、ＰＰＰや
ＴＣＰ／ＩＰなどといった公知のプロトコルが使用可能
である。通信ネットワーク５は、インターネットやイン
トラネット、電話回線なので公衆回線である。電話回線
を介してインターネットに接続する場合、図中には示し
ていないが、インターネットプロバイダが提供するアク
セスポイントが設置される場合がある。半導体製造装置
２０１，２０２，・・・，２０６・・・には、同一機種
あるいは異なる機種のものがあり、分散された半導体工
場１１，１２，１３，・・・内で複数台稼働している。
また、検査装置３０１，３０２，３０１，・・・は、そ
れぞれの半導体工場内１１，１２，１３，で複数台稼働
している。中央サーバ１０は、例えば、半導体工場、デ
バイスメーカ、装置メーカ等に設置される。
【００５０】図８は、本発明の第３の実施の形態に係る
半導体製造装置２０１，２０２，・・・，２０６・・
・、検査装置３０１，３０２，３０１，・・・、中央サ
ーバ１０のブロック図である。簡単のために、図８で
は、図７に示した半導体製造装置２０１，２０２，・・
・，２０６・・・、検査装置３０１，３０２，３０１，
・・・の内で、それぞれ半導体製造装置２０１、検査装
置３０１のみを示している。
半導体製造装置２０１，２０２，・・・，２０６・・
・、検査装置３０１，３０２，３０１，・・・、中央サ
ーバ１０のブロック図である。簡単のために、図８で
は、図７に示した半導体製造装置２０１，２０２，・・
・，２０６・・・、検査装置３０１，３０２，３０１，
・・・の内で、それぞれ半導体製造装置２０１、検査装
置３０１のみを示している。
【００５１】検査装置３０１は、半導体製造装置によっ
て加工処理を施されたウェーハのエッチングのレート、
膜厚、シート抵抗値等の検査を行う装置である。
て加工処理を施されたウェーハのエッチングのレート、
膜厚、シート抵抗値等の検査を行う装置である。
【００５２】本発明の第３の実施の形態に係る検査装置
３０１には、検査手段１ａ、検査データ送信手段２ｂが
備えられている。検査手段１ａは、半導体製造装置の状
態、例えば、光源の光量、ヒーターの電力、バルブの開
閉角度等の測定を行い、その結果を測定データとして取
得する手段である。 検査データ送信手段２ｂは、検査
手段１ａで得られた検査データと、当該半導体製造装置
を識別するための装置データを通信ネットワーク５を介
して中央サーバ１０に送信する手段である。
３０１には、検査手段１ａ、検査データ送信手段２ｂが
備えられている。検査手段１ａは、半導体製造装置の状
態、例えば、光源の光量、ヒーターの電力、バルブの開
閉角度等の測定を行い、その結果を測定データとして取
得する手段である。 検査データ送信手段２ｂは、検査
手段１ａで得られた検査データと、当該半導体製造装置
を識別するための装置データを通信ネットワーク５を介
して中央サーバ１０に送信する手段である。
【００５３】本発明の第３の実施の形態に係る中央サー
バ１０のブロック図は、図５と同様である。
バ１０のブロック図は、図５と同様である。
【００５４】図９は、本発明の第３の実施の形態に係る
半導体製造装置の制御処理を行う場合の処理動作の流れ
を示すフローチャートである。
半導体製造装置の制御処理を行う場合の処理動作の流れ
を示すフローチャートである。
【００５５】まず、ステップＳ３０１において、半導体
製造装置２０１は、ウェーハ等に対しての所定の加工処
理を開始すると、ステップＳ３０１に対応して、ステッ
プＳ３０２において、半導体製造装置２０１の測定手段
１ｂは、ウェーハ加工時における半導体製造装置の制御
対象である光源、ヒーター、バルブなどの状態の測定を
行い、測定時刻と共に測定データを取得し、半導体製造
装置２０１のデータ送信手段１ｃに出力する。
製造装置２０１は、ウェーハ等に対しての所定の加工処
理を開始すると、ステップＳ３０１に対応して、ステッ
プＳ３０２において、半導体製造装置２０１の測定手段
１ｂは、ウェーハ加工時における半導体製造装置の制御
対象である光源、ヒーター、バルブなどの状態の測定を
行い、測定時刻と共に測定データを取得し、半導体製造
装置２０１のデータ送信手段１ｃに出力する。
【００５６】続いて、ステップＳ３０３において、半導
体製造装置２０１のデータ送信手段１ｃは、測定手段１
ｂにより入力された測定データを当該半導体製造装置の
装置データと共に通信ネットワーク５を介して統計処理
サーバ６に送信する。
体製造装置２０１のデータ送信手段１ｃは、測定手段１
ｂにより入力された測定データを当該半導体製造装置の
装置データと共に通信ネットワーク５を介して統計処理
サーバ６に送信する。
【００５７】次に、ステップＳ３０４において、半導体
製造装置２０１によって加工処理を施されたウェーハ
は、検査装置へと搬送される。ここで、搬送されるウェ
ーハは、当該ウェーハに対して加工処理を施した半導体
製造装置が識別できるようにしておく。
製造装置２０１によって加工処理を施されたウェーハ
は、検査装置へと搬送される。ここで、搬送されるウェ
ーハは、当該ウェーハに対して加工処理を施した半導体
製造装置が識別できるようにしておく。
【００５８】次に、ステップＳ３０５において、半導体
製造装置２０１によって加工処理を施されたウェーハが
検査装置３０１に搬送されてくると、検査装置３０１の
検査手段１ａは、加工処理を施されたウェーハのエッチ
ングレート、膜厚、シート抵抗値等の検査を行い、検査
時刻と共に検査データを取得し、検査装置３０１の検査
データ送信手段２ｂに出力する。
製造装置２０１によって加工処理を施されたウェーハが
検査装置３０１に搬送されてくると、検査装置３０１の
検査手段１ａは、加工処理を施されたウェーハのエッチ
ングレート、膜厚、シート抵抗値等の検査を行い、検査
時刻と共に検査データを取得し、検査装置３０１の検査
データ送信手段２ｂに出力する。
【００５９】次に、ステップＳ３０６において、検査装
置３０１の検査データ送信手段２ｂは、検査装置３０１
の検査手段１ａより入力された検査データを通信ネット
ワーク５を介して統計処理サーバ６に送信する。
置３０１の検査データ送信手段２ｂは、検査装置３０１
の検査手段１ａより入力された検査データを通信ネット
ワーク５を介して統計処理サーバ６に送信する。
【００６０】次に、ステップＳ３０７において、統計処
理サーバ６のデータ収集手段３ａは、半導体製造装置２
０１から送信された測定データ、装置データと、検査装
置３０１から送信された検査データとを通信ネットワー
ク５を介して受信すると共に、受信した検査データと、
測定データと、装置データとを対応づけてそれぞれデー
タベース７の検査データ記憶装置４ａと測定データ記憶
装置４ｂと装置データ記憶装置４ｃとに蓄積する。
理サーバ６のデータ収集手段３ａは、半導体製造装置２
０１から送信された測定データ、装置データと、検査装
置３０１から送信された検査データとを通信ネットワー
ク５を介して受信すると共に、受信した検査データと、
測定データと、装置データとを対応づけてそれぞれデー
タベース７の検査データ記憶装置４ａと測定データ記憶
装置４ｂと装置データ記憶装置４ｃとに蓄積する。
【００６１】その後、ステップＳ３０８において、統計
処理サーバ６の統計処理手段３ｂは、データベース７に
蓄積された検査データ、測定データに基づいて、統計処
理を行い、その解析結果を統計処理サーバ６の解析結果
送信手段３ｃに出力する。なお、統計処理手段３ｂの具
体的な処理については、本発明の第１の実施例で説明し
た図４と同様であるが、測定データに加え、検査データ
も考慮する点が異なる。
処理サーバ６の統計処理手段３ｂは、データベース７に
蓄積された検査データ、測定データに基づいて、統計処
理を行い、その解析結果を統計処理サーバ６の解析結果
送信手段３ｃに出力する。なお、統計処理手段３ｂの具
体的な処理については、本発明の第１の実施例で説明し
た図４と同様であるが、測定データに加え、検査データ
も考慮する点が異なる。
【００６２】続いて、ステップＳ３０９において、統計
処理サーバ６の解析結果送信手段３ｃは、解析結果を対
応する半導体製造装置２０１に通信ネットワーク５を介
して送信する。
処理サーバ６の解析結果送信手段３ｃは、解析結果を対
応する半導体製造装置２０１に通信ネットワーク５を介
して送信する。
【００６３】次に、ステップＳ３１０において、半導体
製造装置２０１の解析結果受信手段１ｅは、統計処理サ
ーバ６から送信された解析結果を受信する。
製造装置２０１の解析結果受信手段１ｅは、統計処理サ
ーバ６から送信された解析結果を受信する。
【００６４】そして、ステップＳ３１１において、半導
体製造装置２０１の処理制御手段１ｄは、処理制御手段
１ｄの解析結果に基づいて制御対象の制御を行う。
体製造装置２０１の処理制御手段１ｄは、処理制御手段
１ｄの解析結果に基づいて制御対象の制御を行う。
【００６５】以上説明したように、本発明はここでは記
載していない様々な実施の形態を含むことは勿論であ
る。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当
な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定め
られるものである。
載していない様々な実施の形態を含むことは勿論であ
る。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当
な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定め
られるものである。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、通信ネットワークを介
して多台数の半導体製造装置から種々のデータを収集し
統計処理を行って、その解析結果を当該半導体製造装置
にフィードバックできるので、より高精度な制御を行う
ことができる半導体製造装置の制御方法及びその制御シ
ステムを提供することができる。
して多台数の半導体製造装置から種々のデータを収集し
統計処理を行って、その解析結果を当該半導体製造装置
にフィードバックできるので、より高精度な制御を行う
ことができる半導体製造装置の制御方法及びその制御シ
ステムを提供することができる。
【００６７】また、本発明によれば、装置メーカが装置
の搬入先を問わず自社製装置の様々なデータを収集し利
用できる半導体製造装置の制御方法及びその制御システ
ムを提供することができる。
の搬入先を問わず自社製装置の様々なデータを収集し利
用できる半導体製造装置の制御方法及びその制御システ
ムを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装
置の制御システム全体の構成図である。
置の制御システム全体の構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装
置及び中央サーバのブロック図である。
置及び中央サーバのブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装
置の制御システムのフローチャートである。
置の制御システムのフローチャートである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る統計処置サー
バのフローチャートである。
バのフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装
置及び中央サーバのブロック図である。
置及び中央サーバのブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装
置の制御システムのフローチャートである。
置の制御システムのフローチャートである。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造装
置の制御システム全体の構成図である。
置の制御システム全体の構成図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造装
置及び中央サーバのブロック図である。
置及び中央サーバのブロック図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造装
置の制御システムのフローチャートである。
置の制御システムのフローチャートである。
１ａ 検査手段 １ｂ 測定手段 １ｃ データ送信手段 １ｄ 処理制御手段 １ｅ 解析結果受信手段 ２ｂ 検査データ送信手段 ３ａ データ収集手段 ３ｂ 統計処理手段 ３ｃ 解析結果送信手段 ４ａ 測定データ記憶装置 ４ｂ 検査データ記憶装置 ４ｃ 装置データ記憶装置 ５ 通信ネットワーク ６ 統計処理サーバ ７ データベース １０ 中央サーバ １１〜１３ 半導体工場 ２０１〜２０６ 半導体製造装置 ３０１〜３０３ 検査装置
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造装置が、当該半導体製造装置
の装置状態を測定するステップと、 前記半導体製造装置が、前記測定の結果をサーバに対し
通信ネットワークを介して送信するステップと、 前記サーバが、前記測定の結果を収集蓄積し統計処理を
行い、解析結果を算出するステップと、 前記サーバが、前記解析結果を通信ネットワークを介し
て送信するステップと、 前記半導体製造装置が、前記解析結果に基づいて前記半
導体製造装置を制御するステップとからなることを特徴
とする半導体製造装置の制御方法。 - 【請求項２】 半導体製造装置が、当該半導体製造装置
の装置状態を測定するステップと、 検査装置が、前記半導体製造装置によって加工処理を施
された製品を検査するステップと、 前記半導体製造装置が、前記測定の結果をサーバに対し
通信ネットワークを介して送信するステップと、 前記検査装置が、前記検査の結果をサーバに対し通信ネ
ットワークを介して送信するステップと、 前記サーバが、前記測定の結果と前記検査の結果とを収
集蓄積し統計処理を行い、解析結果を算出するステップ
と、 前記サーバが、前記解析結果を前記半導体製造装置に対
し通信ネットワークを介して送信するステップと、 前記半導体製造装置が、前記解析結果に基づいて前記半
導体製造装置を制御するステップとからなることを特徴
とする半導体製造装置の制御方法。 - 【請求項３】 ネットワークと、前記ネットワークに接
続された半導体製造装置及びサーバにおいて、前記サー
バは、 前記半導体製造装置の装置状態の測定データを通信ネッ
トワークを介して収集蓄積する手段と、 前記収集された測定データに基づいて統計処理を行い、
解析結果を算出する手段と、 前記解析結果を通信ネットワークを介して前記半導体製
造装置に対して送信する手段とから構成されていること
を特徴とする半導体製造装置の制御システム。 - 【請求項４】 ネットワークと、前記ネットワークに接
続された半導体製造装置及びサーバにおいて、前記サー
バは、 前記半導体製造装置の装置状態の測定データと、前記半
導体製造装置により加工処理を施された製品の検査デー
タとを通信ネットワークを介して収集蓄積する手段と、 前記収集された測定データと検査データに基づいて統計
処理を行い、解析結果を算出する手段と、 前記解析結果を通信ネットワークを介して前記半導体製
造装置に対して送信する手段とから構成されていること
を特徴とする半導体製造装置の制御システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074768A JP2002280278A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 半導体製造装置の制御方法及びその制御システム |
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280278A true JP2002280278A (ja) | 2002-09-27 |
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ID=18931969
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2002280278A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944521B2 (en) | 2002-10-02 | 2005-09-13 | Omron Corporation | Method of providing board packaging line program |
| US7128481B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-10-31 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus for inspecting processing history data |
| CN100429887C (zh) * | 2006-02-09 | 2008-10-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 刻蚀机集群控制器与工艺模块控制器通讯系统及方法 |
| KR100933001B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2009-12-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 군 관리 시스템, 반도체 제조 장치, 정보 처리 방법 및,프로그램이 기록된 기록 매체 |
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2001
- 2001-03-15 JP JP2001074768A patent/JP2002280278A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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