JP2002277397A - 分子センサおよびラマン分光分析法 - Google Patents

分子センサおよびラマン分光分析法

Info

Publication number
JP2002277397A
JP2002277397A JP2001073181A JP2001073181A JP2002277397A JP 2002277397 A JP2002277397 A JP 2002277397A JP 2001073181 A JP2001073181 A JP 2001073181A JP 2001073181 A JP2001073181 A JP 2001073181A JP 2002277397 A JP2002277397 A JP 2002277397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raman
metal compound
sensor
fine particles
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001073181A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4128753B2 (ja
Inventor
Junji Tominaga
淳二 富永
Masashi Kuwabara
正史 桑原
Mihalcea Christphe
ミハルシア クリストフ
Buechel Dorothea
ブッヘル ドロテア
Takashi Kikukawa
隆 菊川
Hiroshi Fuji
寛 藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Sharp Corp
TDK Corp
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Sharp Corp
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST, Sharp Corp, TDK Corp filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2001073181A priority Critical patent/JP4128753B2/ja
Priority to US10/095,938 priority patent/US6707549B2/en
Publication of JP2002277397A publication Critical patent/JP2002277397A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4128753B2 publication Critical patent/JP4128753B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • G01N21/658Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズモンによるラマン光の増幅を利用して
ラマン分光分析を行う分子センサにおいて、センサを小
型化し、しかも高感度を実現する。また、高感度のラマ
ン分光分析法を提供する。 【解決手段】 金属化合物を含有するセンサ膜中におい
て前記金属化合物の還元によって生成された微粒子が発
生する局在プラズモンによるラマン光増幅を利用して、
ラマン分光分析を行う分子センサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ラマン分光分析に
よって分子のセンシングを行う分子センサと、ラマン分
光分析法とに関する。
【0002】
【従来の技術】金属薄膜表面で発生するプラズモンによ
って、ラマン光を増幅できることが知られている。
【0003】例えば、J.Appl.Phys.,Vol.88,No.11,p.61
87-6191,1 December 2000には、表面プラズモン・ポラ
リトンによる増強を利用してラマン分光分析を行うこと
が記載されている。この論文では、ガラス基板上に形成
したAg薄膜の表面プラズモン共鳴を利用して、Ag薄
膜上に存在するTiO2薄膜のラマン分光分析を行って
いる。
【0004】この論文のFIG.4には、ラマン分光分析の
際の光学的配置として、Configuration A、Configurati
on BおよびConfiguration Cが記載されている。Configu
ration Aでは、ガラス基板の下側にプリズムを配置し、
プリズムを通してレーザー光を入射させてAg薄膜下面
で全反射させ、ラマン光はTiO2薄膜の上側において
検出している。Configuration Bでは、ガラス基板の下
側にプリズムを配置する点ではConfiguration Aと同じ
であるが、レーザー光はTiO2薄膜の上側からAg薄
膜に入射させている。Configuration Cでは、レーザー
光をTiO2薄膜の上側からAg薄膜に入射させる点で
はConfiguration Bと同じであるが、プリズムを取り去
っている。これら3種の光学系配置において、ラマン光
の強度が最も高いのはConfiguration Aである。一方、
プリズムを使わないConfiguration Cでは、ラマン・ス
ペクトルは検出されていない。
【0005】上記論文の記載から、表面プラズモン共鳴
によってラマン光を増幅するためには、全反射プリズム
を用いることが必要であることがわかる。しかし、全反
射プリズムを設けると装置が大型化してしまい、また、
レーザー光の入射角を固定する必要があるため、装置の
形状設計の自由度が低くなってしまう。
【0006】一方、特開2000−356587号公報
には、局在プラズモン共鳴センサが記載されている。こ
のセンサは、基板と、この基板の表面に膜状に固定され
た直径10〜20nmの金属微粒子とを有する。同公報で
は、金属微粒子表面付近に発生する局在プラズモンを利
用することにより、全反射プリズムを使用しないですむ
ことを利点として挙げている。このセンサにおいて膜状
に固定された金属微粒子は、ガラス基板を3−アミノプ
ロピルトリメトキシシランの10%メタノール溶液に1
0分間浸けた後、洗浄し、さらに金コロイド溶液に2時
間浸けることにより形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記特開2000−3
56587号公報記載のセンサは、金属微粒子を透過し
た光の吸光度を測定することにより金属微粒子近傍の媒
質の屈折率を検出し、これによって金属微粒子に対する
物質の吸着の有無を判定するアフィニティ・センサであ
る。すなわち、分子種の判定が可能なラマン分光分析を
行うセンサではない。
【0008】本発明者らの研究によれば、上記特開20
00−356587号公報のセンサを用いてラマン分光
分析を行うと、実用的な感度が得られないことがわかっ
た。この原因は、金コロイドをガラス基板表面に固定す
ることにより形成した金微粒子単層膜では、金微粒子の
配列間隔が広くなりすぎる結果、局在プラズモンの発生
が少なくなり、ラマン光の増幅が不十分になったためと
考えられる。しかも、金コロイドの固定により形成され
た金微粒子単層膜は、同公報の図5(走査型電子顕微鏡
像)に示されるように金微粒子の配列間隔が比較的広
く、しかも配列密度の均一性が比較的低い。このこと
も、ラマン光の増幅が不十分となった理由と考えられ
る。
【0009】本発明は、プラズモンによるラマン光の増
幅を利用してラマン分光分析を行う分子センサにおい
て、センサを小型化し、しかも高感度を実現することを
目的とし、また、高感度のラマン分光分析法を提供する
ことを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記(1)
〜(8)のいずれかの構成により達成される。 (1) 金属化合物を含有するセンサ膜中において前記
金属化合物の還元によって生成された微粒子が発生する
局在プラズモンによるラマン光増幅を利用して、ラマン
分光分析を行う分子センサ。 (2) 前記センサ膜が物理蒸着法により形成されたも
のである上記(1)の分子センサ。 (3) 電磁波照射により前記金属化合物が還元される
上記(1)または(2)の分子センサ。 (4) ラマン分光分析に用いる励起光によって前記金
属化合物が還元される上記(1)〜(3)のいずれかの
分子センサ。 (5) 前記金属化合物が金属酸化物または金属ハロゲ
ン化物である上記(1)〜(4)のいずれかの分子セン
サ。 (6) 前記金属化合物がAgを含有する上記(1)〜
(5)のいずれかの分子センサ。 (7) 実質的に金属から構成される微粒子が発生する
局在プラズモンによるラマン光増幅を利用するラマン分
光分析法。 (8) 前記微粒子が、金属化合物の還元によって生成
されたものである上記(7)のラマン分光分析法。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明では、金属化合物を含有す
るセンサ膜中において前記金属化合物を還元することに
より、微粒子を生成する。そして、この微粒子の表面付
近に発生する局在プラズモンによるラマン光の増幅を利
用して、ラマン分光分析を行う。
【0012】センサ膜としては、還元によって実質的に
金属からなる微粒子が生成するものであれば特に限定さ
れないが、好ましくは、金属酸化物または金属ハロゲン
化物から実質的に構成される薄膜が好ましい。
【0013】前記金属化合物中の金属としては、局在プ
ラズモンを発生しうる金属、例えばAg、Au、Cu、
TiおよびWから選択すればよく、これらのうち局在プ
ラズモン発生量の多い金属、例えばAg、AuおよびC
uから選択することが好ましく、特にAgが好ましい。
【0014】センサ膜中の金属化合物は、化学量論組成
であってもよく、これから偏倚していてもよく、ラマン
光の増幅度が高くなるように、金属種に応じて実験的に
適宜決定すればよい。例えば、Ag酸化物では、Ag2
Oを中心とした組成が好ましく、具体的にはAgOx
おけるxが0.2〜0.95、特に0.3〜0.7であ
るものが好ましい。
【0015】センサ膜は、物理蒸着法により形成するこ
とが好ましい。物理蒸着法としては、スパッタ法または
真空蒸着法が好ましく、特にスパッタ法が好ましい。ス
パッタ法では、金属化合物をターゲットとして用いても
よく、酸素等の反応性ガス中において金属ターゲットを
用いて反応性スパッタを行ってもよい。反応性スパッタ
法は、反応性ガスの流量を制御することにより、センサ
膜の組成を容易に制御することができる。例えば、金属
化合物としてAg酸化物を用いる場合、反応性スパッタ
時のプラズマガス(例えばAr)流量と反応性ガス(O
2)流量とは、O2/(Ar+O2)が0.1〜0.8、
特に0.2〜0.5となるように設定することが好まし
い。
【0016】センサ膜が形成される基体は特に限定され
ず、例えば、ガラス、樹脂、半導体、セラミックス等か
らなる比較的剛性の高い基体であってもよく、可撓性の
樹脂フィルムであってもよい。基体として長尺の樹脂フ
ィルムを用いれば、大面積の基体に連続的にセンサ膜を
形成することができる。また、ラマン分光分析を行う際
に、センサ膜を形成した長尺の基体を巻回して用いれ
ば、必要な長さだけ基体を切り取って使用することがで
きる。基体表面は平滑である必要はなく、例えば、検体
となる液滴を入れるためのウェルを基体表面に多数形成
しておいてもよい。
【0017】センサ膜の厚さは、好ましくは1〜500
nm、より好ましくは3〜100nmである。センサ膜が薄
いほどセンサ膜内で生成する微粒子の粒径が小さくなる
ため、ラマン光の増幅率が向上する。ただし、センサ膜
が薄すぎると微粒子の粒径が小さくなりすぎて、かえっ
て増幅率が低くなってしまう。
【0018】本発明では、ラマン分光分析を行う前に、
センサ膜中の金属化合物を還元して、実質的に金属から
なる微粒子を生成する。金属化合物の還元には、電磁波
の照射を利用することが好ましい。使用する電磁波の波
長は特に限定されず、還元対象の金属化合物に応じて適
宜決定すればよい。例えば、Ag酸化物からなるセンサ
膜に電磁波を照射してAg微粒子を析出させる場合、紫
外域から赤外域までの様々な波長の電磁波が使用可能で
あり、また、単色光も連続スペクトル光も使用できる。
また、例えば、基板を加熱しながらセンサ膜を形成する
など、スパッタ条件を制御することによっても、センサ
膜形成時に微粒子を析出させることが可能である。ま
た、センサ膜形成後に適切な条件で熱処理を施すことに
よっても、微粒子を析出させることが可能である。
【0019】本発明では、ラマン分光分析を行う前に、
センサ膜全体に対し電磁波照射を行ってもよく、ラマン
分光分析で用いる励起光によって金属化合物を還元して
もよい。ただし、励起光として用いるレーザー光は、セ
ンサ膜を限局的に昇温させ、このとき発生した熱はセン
サ膜の面内方向に逃げて基体に伝導しにくい。そのた
め、耐熱性の低い樹脂基体を変形ないし分解させること
なく金属化合物の還元が可能である。また、励起光を利
用すれば、センシング操作と独立して金属化合物還元処
理を行う必要がなくなる。
【0020】電磁波の照射強度および照射時間は、金属
化合物の種類やセンサ膜の厚さなどの各種条件に応じ
て、最適な粒径の微粒子が生成されるように適宜決定す
ればよい。例えば、センサ膜の厚さを変えずに照射強度
や照射時間を制御すれば、生成する微粒子の粒径を調整
することが可能である。具体的には、照射強度が大きい
ほど、また、照射時間が長いほど、一般に微粒子の粒径
は大きくなる。
【0021】還元処理により生成される微粒子は実質的
に金属から構成されるが、ラマン光の増幅に著しい悪影
響を与えない限り、還元されなかった金属化合物成分が
一部残存していてもよい。この微粒子の平均粒径は、好
ましくは0.1〜50nm、より好ましくは0.3〜20
nmである。微粒子の平均粒径が小さすぎても大きすぎて
も、ラマン光の増幅率が低くなる。また、微粒子間の平
均距離は、好ましくは0.5〜50nm、より好ましくは
1〜10nmである。微粒子の平均粒径が小さすぎても大
きすぎても、ラマン光の増幅率が低くなる。微粒子の平
均粒径および微粒子間の平均距離は、例えば走査型電子
顕微鏡により測定することができる。微粒子の平均粒径
およびその配列間隔は、例えば、センサ膜の組成、セン
サ膜の形成条件、センサ膜の厚さ、金属化合物の還元条
件によって制御することができる。
【0022】本発明の分子センサによるラマン分光分析
に際しては、まず、分析対象の分子を、センサ膜表面に
吸着させるか、センサ膜表面近傍に存在させる。分析対
象の分子を含む検体は、液体であってもよく気体であっ
てもよい。次いで、励起光となるレーザー光を、センサ
膜に照射する。励起光の照射により生成した微粒子また
はあらかじめセンサ膜中に生成させておいた微粒子と、
励起光との間の相互作用により電場増強が生じ、局在プ
ラズモンが励起される。この局在プラズモンが、測定対
象分子中に存在する−CN結合や−CH結合などの振動
モードと共鳴することにより、その振動モードに対応し
たラマン光が増幅される。なお、本発明では、共鳴ラマ
ン効果を利用することもできる。
【0023】本発明のセンサは感度が極めて高いので、
分析対象の分子の濃度が極めて低い場合、例えば被検溶
液中における濃度が10-9mol/L程度の分子でも、検出
が可能である。
【0024】本発明のセンサの具体的構造は特に限定さ
れない。例えば、センサ膜を形成した基体に加え、励起
光の光源素子およびラマン光の検出素子を設ける構成と
してもよい。励起光は、センサ膜に直接入射させてもよ
く、基体を通してセンサ膜に入射させてもよい。また、
ラマン光は、励起光入射側において検出することもで
き、センサ膜を挟んで励起光入射側の反対側において検
出することもできる。
【0025】なお、前記J.Appl.Phys.,Vol.88,No.11,p.
6187-6191,1 December 2000に記載されているような、
全反射プリズムと金属薄膜からなるセンサ膜とを用いる
タイプのプラズモン増強センサにおいて、金属薄膜に替
えて本発明におけるセンサ膜を設けてもよい。その場合
も、ラマン分光分析において著しく高い感度が実現す
る。
【0026】
【実施例】実施例1 スライドガラスを基体とし、酸素を反応性ガスとし、タ
ーゲットにAgを用いて反応性スパッタ法によりAg酸
化物(Ag2Oに近い組成)からなるセンサ膜を形成し
た。センサ膜の厚さは15nmとし、反応性スパッタの際
の流量比O2/(Ar+O2)は、0.25とした。これ
を本発明サンプルとする。
【0027】また、比較のために、本発明サンプルを2
00℃で1時間ベーキングした比較サンプルも作製し
た。この比較サンプルのセンサ膜は、一様な構造のAg
膜であり、微粒子の析出は認められなかった。
【0028】さらに、比較のために、センサ膜を設けな
い基体だけからなる比較サンプルも作製した。
【0029】これらのサンプルを被検溶液に浸した状態
で波長488nmのレーザー光を照射し、ラマン・スペク
トルを測定した。なお、被検溶液は安息香酸溶液であ
り、溶媒はイソプロパノール、濃度は3.0×10-3mo
l/Lである。
【0030】これらのサンプルのラマン・スペクトル
を、図1に示す。図1に示されるように、一様なAg膜
をセンサ膜として使用した比較サンプルに比べ、本発明
サンプルではラマン光の強度が著しく大きくなってお
り、本発明により数百倍から一千倍程度感度が向上して
いる。
【0031】なお、ラマン分光分析後に本発明サンプル
のセンサ膜を走査型電子顕微鏡により調べたところ、レ
ーザー光照射部位ではAg微粒子が均一に析出してい
た。このAg微粒子の粒径は5〜10nmの範囲にあり、
平均粒径は7nmであった。また、Ag微粒子間の平均距
離は10nmであった。
【0032】実施例2 センサ膜の厚さを15nm、50nmまたは500nmとした
ほかは実施例1の本発明サンプルと同様にして、サンプ
ルを形成した。これらのサンプルについて、実施例1と
同様にしてラマン分光分析を行った。得られたラマン・
スペクトルを図2に示す。
【0033】図2から、センサ膜の厚さを制御すること
により、ラマン光の増幅率の制御が可能であることがわ
かる。
【0034】実施例3 反応性スパッタの際の流量比O2/(Ar+O2)を0.
25、0.50または0.75としたほかは実施例1の
本発明サンプルと同様にして、サンプルを形成した。こ
れらのサンプルについて、実施例1と同様にしてラマン
分光分析を行った。得られたラマン・スペクトルを図3
に示す。
【0035】図3から、センサ膜の組成を制御すること
により、ラマン光の増幅率の制御が可能であることがわ
かる。
【0036】実施例4 実施例1で作製した本発明サンプルを用い、レーザー光
のセンサ膜表面おけるエネルギーを図4に示す値とした
ほかは実施例1と同様にして、ラマン分光分析を行っ
た。結果を図4に示す。
【0037】図4から、励起光の照射エネルギーに最適
値が存在することがわかる。ラマン分光分析後にセンサ
膜を走査型電子顕微鏡により調べたところ、照射パワー
が大きいほど析出したAg微粒子の粒径が大きかった。
【0038】
【発明の効果】本発明のセンサでは、センサ膜中の金属
微粒子の表面付近に発生する局在プラズモンを利用し
て、ラマン光を増幅する。本発明では、金属化合物薄膜
を還元することにより薄膜内に金属微粒子を均一に析出
させるため、ラマン光の増幅率が著しく高くなり、その
結果、極めて高感度の分子センサが実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】ラマン・スペクトルを示すグラフである。
【図2】ラマン・スペクトルを示すグラフである。
【図3】ラマン・スペクトルを示すグラフである。
【図4】ラマン・スペクトルを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 597136238 富永 淳二 茨城県つくば市松代四丁目26−414−3 (71)出願人 599121469 桑原 正史 茨城県つくば市東1丁目1番4 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 富永 淳二 茨城県つくば市東1丁目1番4 経済産業 省産業技術総合研究所 産業技術融合領域 研究所内 (72)発明者 桑原 正史 茨城県つくば市東1丁目1番4 経済産業 省産業技術総合研究所 産業技術融合領域 研究所内 (72)発明者 クリストフ ミハルシア 茨城県つくば市東1丁目1番4 経済産業 省産業技術総合研究所 産業技術融合領域 研究所内 (72)発明者 ドロテア ブッヘル 茨城県つくば市東1丁目1番4 経済産業 省産業技術総合研究所 産業技術融合領域 研究所内 (72)発明者 菊川 隆 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 藤 寛 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2G043 BA01 BA06 EA03 KA01 KA02 KA05 KA09

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属化合物を含有するセンサ膜中におい
    て前記金属化合物の還元によって生成された微粒子が発
    生する局在プラズモンによるラマン光増幅を利用して、
    ラマン分光分析を行う分子センサ。
  2. 【請求項2】 前記センサ膜が物理蒸着法により形成さ
    れたものである請求項1の分子センサ。
  3. 【請求項3】 電磁波照射により前記金属化合物が還元
    される請求項1または2の分子センサ。
  4. 【請求項4】 ラマン分光分析に用いる励起光によって
    前記金属化合物が還元される請求項1〜3のいずれかの
    分子センサ。
  5. 【請求項5】 前記金属化合物が金属酸化物または金属
    ハロゲン化物である請求項1〜4のいずれかの分子セン
    サ。
  6. 【請求項6】 前記金属化合物がAgを含有する請求項
    1〜5のいずれかの分子センサ。
  7. 【請求項7】 実質的に金属から構成される微粒子が発
    生する局在プラズモンによるラマン光増幅を利用するラ
    マン分光分析法。
  8. 【請求項8】 前記微粒子が、金属化合物の還元によっ
    て生成されたものである請求項7のラマン分光分析法。
JP2001073181A 2001-03-14 2001-03-14 分子センサ Expired - Lifetime JP4128753B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001073181A JP4128753B2 (ja) 2001-03-14 2001-03-14 分子センサ
US10/095,938 US6707549B2 (en) 2001-03-14 2002-03-13 Molecular sensor and raman spectroscopy process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001073181A JP4128753B2 (ja) 2001-03-14 2001-03-14 分子センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002277397A true JP2002277397A (ja) 2002-09-25
JP4128753B2 JP4128753B2 (ja) 2008-07-30

Family

ID=18930644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001073181A Expired - Lifetime JP4128753B2 (ja) 2001-03-14 2001-03-14 分子センサ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6707549B2 (ja)
JP (1) JP4128753B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005172569A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Fuji Photo Film Co Ltd 微細構造体、微細構造体の作製方法、ラマン分光方法および装置
WO2005095927A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Omron Corporation 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
WO2006080382A1 (ja) * 2005-01-31 2006-08-03 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology ラマン散乱増強用チップ及び該チップを具備する分子センシング装置
WO2011114812A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 新日鐵化学株式会社 金属微粒子複合体
WO2014045852A1 (ja) * 2012-09-19 2014-03-27 住友化学株式会社 金属系粒子集合体の製造方法
JP2014238384A (ja) * 2013-05-08 2014-12-18 有限会社マイテック ラマン定量用バイオチップ
WO2023089922A1 (ja) * 2021-11-18 2023-05-25 浜松ホトニクス株式会社 被検体分析方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3837508B2 (ja) * 2002-06-14 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 表面プラズモン励起性貴金属微粒子状薄膜
US20060240573A1 (en) * 2003-07-29 2006-10-26 Lamdagen, Llc Optical system including nanostructures for biological or chemical sensing
FR2882473B1 (fr) * 2005-02-24 2007-04-20 Alcatel Sa Amplificateur optique a diffusion raman
US7397559B1 (en) * 2007-01-23 2008-07-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface plasmon enhanced Raman spectroscopy
WO2016105548A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Lamdagen Corporation Mobile/wearable devices incorporating lspr sensors

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998009153A1 (en) * 1996-08-30 1998-03-05 Medifor, Ltd. Collective resonances in two-dimensional arrays for colloidal metal films
JP3452837B2 (ja) 1999-06-14 2003-10-06 理化学研究所 局在プラズモン共鳴センサー

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005172569A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Fuji Photo Film Co Ltd 微細構造体、微細構造体の作製方法、ラマン分光方法および装置
US7906344B2 (en) 2004-03-31 2011-03-15 Omron Corporation Localized plasmon resonance sensor and examining device
JPWO2005095927A1 (ja) * 2004-03-31 2008-07-31 オムロン株式会社 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
JP4548416B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-22 オムロン株式会社 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
WO2005095927A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Omron Corporation 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置
WO2006080382A1 (ja) * 2005-01-31 2006-08-03 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology ラマン散乱増強用チップ及び該チップを具備する分子センシング装置
US7692787B2 (en) 2005-01-31 2010-04-06 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Chip for Raman scattering enhancement and molecular sensing device including the chip
WO2011114812A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 新日鐵化学株式会社 金属微粒子複合体
JPWO2011114812A1 (ja) * 2010-03-19 2013-06-27 新日鉄住金化学株式会社 金属微粒子複合体
WO2014045852A1 (ja) * 2012-09-19 2014-03-27 住友化学株式会社 金属系粒子集合体の製造方法
JP2014058730A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属系粒子集合体の製造方法
US9714461B2 (en) 2012-09-19 2017-07-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing metal-based particle assembly
JP2014238384A (ja) * 2013-05-08 2014-12-18 有限会社マイテック ラマン定量用バイオチップ
WO2023089922A1 (ja) * 2021-11-18 2023-05-25 浜松ホトニクス株式会社 被検体分析方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6707549B2 (en) 2004-03-16
US20020145735A1 (en) 2002-10-10
JP4128753B2 (ja) 2008-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bonyár et al. Investigation of the performance of thermally generated gold nanoislands for LSPR and SERS applications
JP4317989B2 (ja) 分子センシング装置及びラマン散乱増強用チップ
KR101448111B1 (ko) 표면 증강 라만 분광용 기판 및 이의 제조방법
KR101639686B1 (ko) 복수의 나노갭이 형성된 기판 및 이의 제조방법
TWI404930B (zh) Biochemical sensing wafer substrate and its preparation method
JP4128753B2 (ja) 分子センサ
Shoute et al. Optical interference effects in the design of substrates for surface-enhanced Raman spectroscopy
Wang et al. Enhance fluorescence study of grating structure based on three kinds of optical disks
US10996172B2 (en) Surface-functionalized nanostructures for molecular sensing applications
US9494465B2 (en) Raman spectroscopic apparatus, raman spectroscopic method, and electronic apparatus
Snopok et al. Optical biosensors based on the surface plasmon resonance phenomenon: optimization of the metal layer parameters
Abbott et al. Less is more: Improved thermal stability and plasmonic response in Au films via the use of subnanometer Ti adhesion layers
CN108333166A (zh) 激光诱导的表面增强拉曼散射基底及制备方法
Budner et al. Fabrication of silver nanoisland films by pulsed laser deposition for surface-enhanced Raman spectroscopy
Wagner et al. Towards multi-molecular surface-enhanced infrared absorption using metal plasmonics
Dong et al. Silver nanoparticles as surface-enhanced Raman substrate for quantitative identification of label-free proteins
CN109136847A (zh) 一种超吸收Ag-Au纳米结构表面复合薄膜及其制备方法
Zikmund et al. Electric and magnetic dipole emission of Eu3+: Effect of proximity to a thin aluminum film
Hamamoto et al. An original planar multireflection system for sensing using the local surface plasmon resonance of gold nanospheres
Salah et al. Graphene and its influence in the improvement of surface plasmon resonance (spr) based sensors: a review
Jasrotia et al. Surface nanostructuring and wettability of low energy Ar+ irradiated Au/V2O5/Au multilayer system for SERS detection of rhodamine-6G
CN112924436A (zh) 一种银包裹的碗状二硫化钼复合金纳米颗粒sers基底及其制备方法和应用
Das et al. Highly sensitive LSPR sensor chips based on crystalline gold nanoparticles grown on silica
Murat et al. Enhanced SPR response using Au/GO thin films via Kretschmann coupling by controlling the incident light intensities
Yih et al. A compact surface plasmon resonance and surface-enhanced Raman scattering sensing device

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040531

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070409

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070409

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080321

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080422

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080515

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4128753

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140523

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term