JP2002270802A - Solid-state imaging device and its manufacturing method - Google Patents
Solid-state imaging device and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、ビデオ
カメラ、デジタルスチルカメラなどに用いられる、小型
の固体撮像装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a small-sized solid-state imaging device mainly used for video cameras, digital still cameras, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ビデオカメラ、デジタルスチルカメラな
どの画像入力機器に用いられるＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固
体撮像素子は、シリコンウエハー等の半導体基板上に形
成され、次にカラーフィルター、マイクロレンズを形成
後、後工程で必要な寸法に分割され組み立てられる。半
導体工程終了後のシリコンウエハーはカラーフィルター
およびマイクロレンズ形成工程において、アクリル系樹
脂材料を用いて、ウエハ上にカラーフィルターおよびマ
イクロレンズの順で積層され、外装セラミックパッケー
ジに収納される。2. Description of the Related Art A solid-state image pickup device such as a CCD or a CMOS used for an image input device such as a video camera or a digital still camera is formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer and then formed with a color filter and a microlens. In a later step, it is divided into required dimensions and assembled. In the color filter and microlens forming step, the silicon wafer after the semiconductor process is laminated on the wafer in the order of the color filter and the microlens using an acrylic resin material, and is housed in an exterior ceramic package.
【０００３】従来は、前記パッケージに収納された固体
撮像素子は、ワイヤーボンディングにより、チップとリ
ードと間の電気的接続をとり、その上で、ガラス基板の
キャップを前記パッケージ上に接着して、固体撮像装置
を構成する。Conventionally, a solid-state imaging device housed in the package makes an electrical connection between a chip and a lead by wire bonding, and then adheres a cap of a glass substrate onto the package, A solid-state imaging device is configured.
【０００４】しかし、近年、デジタルカメラなどで、機
器の小型化のため、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの固体撮像素
子の小型化、薄型パッケージ化が望まれている。中で
も、特開平０７−０９９２１４号公報に開示されている
ような、ＴＯＧ（１９９８年１０月 電子画像学会 東
芝（株）発表）と呼ばれる形態が知られている。However, in recent years, in order to reduce the size of devices such as digital cameras, it is desired to reduce the size and thickness of solid-state imaging devices such as CCDs and CMOSs. Above all, a form called TOG (published by Toshiba Corporation in October 1998) has been known as disclosed in JP-A-07-099214.
【０００５】しかしながら、前記固体撮像素子を、従来
の１眼レフカメラのレンズを使用するタイプのデジタル
カメラに適用する場合では、チップサイズの大型化を行
う必要があり、この場合、ＴＯＧなどのように、電気的
な接続とシールとを、異方性導電樹脂で兼ねる手法で
は、応力が大きくなって、固体撮像装置として構成する
ことに、対応できない。However, when the solid-state imaging device is applied to a digital camera of a type using a lens of a conventional single-lens reflex camera, it is necessary to increase the chip size. In addition, a technique in which an electrical connection and a seal are used by an anisotropic conductive resin causes an increase in stress, and cannot cope with a configuration as a solid-state imaging device.
【０００６】そこで、固体撮像装置のパッケージを小
型、薄型化するために、ＴＡＢテープを用い、電気接続
を先に行い、キャップに遮光層を、枠形状で印刷するこ
とで、前記遮光層と有効画素領域とを合わせ、その周囲
に、紫外線光を照射しながら、紫外線、熱併用硬化のシ
ール材を塗布することで封止し、前記有効画素領域に前
記シール材が侵入させずに、しかもチップの大型化にも
対応可能な材料を選択できる方法も提案されている。Therefore, in order to reduce the size and thickness of the package of the solid-state imaging device, a TAB tape is used to make an electrical connection first, and a light-shielding layer is printed on the cap in a frame shape, so that the light-shielding layer can be effectively used. The sealing is performed by applying a sealing material that is cured by a combination of ultraviolet rays and heat while irradiating ultraviolet rays around the pixel area, and sealing is performed. There has been proposed a method capable of selecting a material that can cope with an increase in the size of the device.
【０００７】しかし、前記提案において、チップの大型
化に対応する場合、材料以外でも、応力を緩和する必要
がある。この点を詳細に検討した結果、前記ＴＡＢテー
プのビームリードに設けたＡｕめっきとシール材との接
着力が、他の部材と比較して相対的に低く、従って、応
力の影響が大きくなることが判明した。そこで、その部
分の樹脂厚みを厚くする提案がなされている。However, in the above proposal, in order to cope with an increase in the size of a chip, it is necessary to relax stresses other than materials. As a result of examining this point in detail, it was found that the adhesive force between the Au plating provided on the beam lead of the TAB tape and the sealing material was relatively low as compared with other members, and therefore, the influence of stress became large. There was found. Therefore, a proposal has been made to increase the thickness of the resin in that portion.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】特に、固体撮像装置を
カメラに組み込む場合、従来、フィルムが配置されてい
た場所に、固体撮像装置のキャップの前面側を突き当
て、固定するが、チップの結像面とキャップであるガラ
ス前面との平行を出すこと（その平行度としては、10μ
m以下）が必要である。しかも、チップとキャップとの
平行を保った状態で、ＴＡＢリード上に適切な厚みのシ
ール材層を設ける必要がある。In particular, when a solid-state image pickup device is incorporated in a camera, the front side of a cap of the solid-state image pickup device is abutted and fixed to a place where a film is conventionally placed. The parallelism between the image plane and the front surface of the glass that is the cap should be made (the parallelism should be 10μ).
m or less) is required. In addition, it is necessary to provide a sealing material layer having an appropriate thickness on the TAB lead while keeping the tip and the cap parallel.
【０００９】そこで、球形のスペーサーを内部に分散さ
せたシール材を、予め、ガラスキャップに塗布し、紫外
線を照射しながら、前記ガラスキャップにＴＡＢと接続
した固体撮像素子チップを載せて、固定することが試み
られたが、シール材の塗布量の制御が困難で、その量が
多い場合、紫外線を照射しながら、ガラスキャップを載
せた場合でも、加圧時にガラスキャップの遮光窓部に、
前記シール材がはみ出すことも解った。Therefore, a sealing material in which a spherical spacer is dispersed is applied to a glass cap in advance, and the solid-state image sensor chip connected to the TAB is mounted on the glass cap and fixed while irradiating ultraviolet rays. However, it is difficult to control the application amount of the sealing material, and when the amount is large, even if the glass cap is placed while irradiating ultraviolet rays, the light shielding window portion of the glass cap at the time of pressurization,
It was also found that the sealing material protruded.
【００１０】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、ＴＡＢ薄型パッケージ
におけるチップ結像面とキャップとの平行を確保し、Ｔ
ＡＢリード上のシール材層の厚みを適切に確保し、シー
ルの信頼性を向上することである。The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to ensure the parallelism between the chip imaging surface and the cap in a TAB thin package, and
An object of the present invention is to appropriately secure the thickness of the seal material layer on the AB lead and improve the reliability of the seal.
【００１１】即ち、固体撮像装置において、例えば、固
体撮像素子チップ４隅のＴＡＢリードの無い部分に直径
の球状のスペーサーを配することにより、固体撮像素子
の結像面とキャップ前面との平行度を精度良く出すこと
が可能で、カメラに組み込む場合、結像面の平行調整を
行うことなく組み込むことが可能になり、組み立ての簡
略化が可能となる。That is, in a solid-state imaging device, for example, by disposing a spherical spacer having a diameter at the four corners of the solid-state imaging device chip where there is no TAB lead, the parallelism between the imaging surface of the solid-state imaging device and the front surface of the cap is improved. Can be obtained with high accuracy, and when incorporated into a camera, it can be incorporated without performing parallel adjustment of the imaging plane, and the assembly can be simplified.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
撮像領域の周辺部に接続部および前記接続部に金属突起
をそれぞれ設けた固体撮像素子チップと、前記固体撮像
素子チップを囲んで、これに対抗する辺にビームリード
を配したフレキシブル配線板と、前記固体撮像素子チッ
プを保護するための透明なキャップとを有し、前記固体
撮像素子チップ上の金属突起と前記フレキシブル配線板
のビームリードとを接続し、前記固体撮像素子チップ上
に前記キャップであるガラス、シール層、ＴＡＢフィル
ムを、その順で積層し、かつ固体撮像素子チップの有効
画素領域周囲を前記シール層が囲んでいる固体撮像装置
において、前記チップと前記ガラスに設けられた遮光層
との間で、ビームリードの配されていない少なくとも３
箇所以上に、スペーサーが配されていることを特徴とす
る。Therefore, in the present invention,
A solid-state imaging device chip provided with a connection portion and a metal projection on the connection portion at the periphery of the imaging region, and a flexible wiring board surrounding the solid-state imaging device chip and arranging beam leads on sides opposed thereto, A transparent cap for protecting the solid-state imaging device chip, connecting a metal projection on the solid-state imaging device chip and a beam lead of the flexible wiring board, and using the cap on the solid-state imaging device chip. In a solid-state imaging device in which a certain glass, a sealing layer, and a TAB film are laminated in that order, and the sealing layer surrounds an effective pixel area of the solid-state imaging device chip, a light-shielding layer provided on the chip and the glass At least 3 without beam leads
It is characterized in that a spacer is arranged at a position or more.
【００１３】この場合、本発明の実施の形態として、前
記スペーサーが、シール材に分散している状態で前記チ
ップと遮光層との間に設けられ、また、前記スペーサー
が配される個所以外では、前記シール層として、前記ス
ペーサーが分散していないシール材が用いられているこ
と、前記スペーサーは球状であって、その直径はφ５５
μｍ以上φ２００μｍ以下であり、また、バンプおよび
ビームリードの厚みを加えた値より大きいこと、更に
は、前記スペーサーは、その材料の弾性率が１０００ｋ
ｇ／ｍｍ2以下であること、また、前記シール材は、紫
外線硬化、加熱硬化の併用であることが、それぞれ、有
効である。In this case, as an embodiment of the present invention, the spacer is provided between the chip and the light-shielding layer in a state where the spacer is dispersed in a sealing material. A sealing material in which the spacers are not dispersed is used as the sealing layer; the spacers are spherical;
μm or more and φ200 μm or less, and larger than the sum of the thicknesses of the bumps and beam leads. Further, the spacer has an elastic modulus of 1000 k
g / mm 2 or less, and it is effective that the sealing material is a combination of ultraviolet curing and heat curing.
【００１４】従って、シール材成分が同一なので、接着
性、耐湿性を損なうことなく、位置決めが正確な固体撮
像装置を構成することが可能である。Therefore, since the sealing material components are the same, it is possible to construct a solid-state imaging device with accurate positioning without impairing the adhesiveness and moisture resistance.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して、具体的に説明する。ここで、図１は、本
発明における固体撮像装置の平面図および縦断側面図で
ある。また、図２は、本発明の固体撮像装置を製造する
方法を説明するための図であり、ここでは、ガラスキャ
ップ側にスペーサーを分散させたシール材を塗布する状
態を示している。更に、図３は、本発明の固体撮像装置
を製造する方法を説明するための図であり、ここでは、
スペーサーを内部に分散させたシール材を塗布した後、
キャップガラス上に固体撮像素子チップを乗せ、紫外線
を当てながらシール材を塗布する図であり、図４は、そ
のスペーサーの塗布位置の例を示した平面図である。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 is a plan view and a vertical sectional side view of a solid-state imaging device according to the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the solid-state imaging device according to the present invention. Here, a state in which a sealing material in which a spacer is dispersed is applied to the glass cap side is shown. FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing the solid-state imaging device of the present invention.
After applying the sealing material with the spacer dispersed inside,
FIG. 4 is a diagram in which a solid-state imaging device chip is placed on a cap glass and a sealing material is applied while applying ultraviolet rays. FIG. 4 is a plan view illustrating an example of an application position of a spacer.
【００１６】図１において、符号１００は固体撮像素子
チップ、１０５は反射防止コート、１１０はＴＡＢテー
プ、１１５はポリイミドフィルム、１２０はビームリー
ド、１３０はバンプ、１４０はガラスキャップ、１５０
はキャップに形成された遮光マスク、１６０はマイクロ
レンズ、１７０はシール材樹脂、１８０は遮光マスクの
窓部、また、１９０はスペーサーである。In FIG. 1, reference numeral 100 denotes a solid-state image sensor chip, 105 denotes an anti-reflection coating, 110 denotes a TAB tape, 115 denotes a polyimide film, 120 denotes a beam lead, 130 denotes a bump, 140 denotes a glass cap, and 150 denotes a glass cap.
Is a light shielding mask formed on the cap, 160 is a microlens, 170 is a sealing resin, 180 is a window of the light shielding mask, and 190 is a spacer.
【００１７】図２において、１９５はスペーサー１９０
を分散させたシール材、２２０は前記シール材を塗布す
るためのニードルである。また、図３において、２００
はキャップガラスを保持する治具、２１０は治具の遮光
部、２２０は紫外線照射ファイバー、２３０は紫外線
光、２４０はシール材を塗布するニードルである。更
に、図４において、１６５は有効画素領域、１９０はビ
ームリード１２０のない、ガラスキャップ１４０上の４
箇所に塗布されたスペーサーである。In FIG. 2, reference numeral 195 denotes a spacer 190
Is a sealing material in which is dispersed, and 220 is a needle for applying the sealing material. Also, in FIG.
Is a jig for holding the cap glass, 210 is a light shielding portion of the jig, 220 is an ultraviolet irradiation fiber, 230 is ultraviolet light, and 240 is a needle for applying a sealing material. Further, in FIG. 4, reference numeral 165 denotes an effective pixel area, and 190 denotes 4 on the glass cap 140 without the beam lead 120.
It is a spacer applied to the location.
【００１８】まず、固体撮像素子チップは、パッドにス
タッドバンプを形成し、シングルポイントで、ＴＡＢテ
ープのビームリードとバンプとを、超音波と熱とを用い
て、接続する。次に、ガラスキャップの遮光層上で、前
述の４点に、球状のスペーサーを内部に分散させたシー
ル材樹脂を塗布する。塗布量は０．５ｍｇ／１点程度
で、約３〜１０個のスペーサーが載るような設定領域に
なっている。First, a stud bump is formed on a pad of a solid-state imaging device chip, and a beam lead of a TAB tape and a bump are connected at a single point using ultrasonic waves and heat. Next, on the light shielding layer of the glass cap, a sealing material resin in which a spherical spacer is dispersed is applied to the above four points. The application amount is about 0.5 mg / point, and the set area is such that about 3 to 10 spacers are mounted.
【００１９】スペーサーは直径：１１０μｍで、具体的
には、ミクロパールＳＰ−Ｌ１１（積水化学製）で、こ
の実施の形態においては、スペーサーを確実に配するた
めに、樹脂中に重量比で、８〜１２％程度を分散させて
あるものが用いられている。本実施例においてスペーサ
ー入りシール材の塗布箇所は４箇所であるが前記キャッ
プと固体撮像素子チップ間に確実にスペーサーを配する
ために前記シール剤を４箇所以上、例えば８箇所に塗布
することも前記スペーサーを該キャップと該固体撮像素
子チップ間に確実に挟み込む効果がある。The spacer has a diameter of 110 μm, specifically, Micropearl SP-L11 (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.). In this embodiment, in order to securely dispose the spacer, the weight ratio in the resin is as follows: What disperses about 8 to 12% is used. In the present embodiment, the sealing material containing spacers is applied at four places. However, the sealant may be applied to four or more places, for example, eight places, in order to reliably place the spacer between the cap and the solid-state imaging device chip. There is an effect that the spacer is securely sandwiched between the cap and the solid-state imaging device chip.
【００２０】また、前記スペーサーを分散した樹脂は、
後述のシール材樹脂と同一材料であり、また、その塗布
位置は、図４に示すように、次工程で、固体撮像素子チ
ップを載せ、加圧した時にガラスキャップとチップと間
に、該スペーサーが挟まれる位置である。The resin in which the spacer is dispersed is
As shown in FIG. 4, the same position as the sealing material resin described later is applied, and the spacer is applied between the glass cap and the chip when the solid-state imaging device chip is mounted and pressed in the next step as shown in FIG. Is the position between the two.
【００２１】次に、ガラスキャップの所定の位置にＴＡ
Ｂと接続した固体撮像素子チップを載せる。そして、キ
ャップの遮光層窓部から紫外線を照射しながらチップを
載せ、加圧する。こうすることにより、スペーサーの直
径の間隙を確保しながら、そのスペーサーを分散させた
樹脂の樹脂成分が前記キャップの遮光層窓部にはみ出す
ことなく、スペーサーで、キャップと固体撮像素子チッ
プとのギャップを一定にすることが可能になる。Next, a TA is placed at a predetermined position on the glass cap.
The solid-state image sensor chip connected to B is mounted. Then, the chip is placed while applying ultraviolet rays from the light-shielding layer window of the cap, and pressure is applied. By doing so, the gap between the cap and the solid-state imaging device chip is formed by the spacer without the resin component of the resin in which the spacer is dispersed protruding into the light-shielding layer window of the cap while securing the gap of the diameter of the spacer. Can be kept constant.
【００２２】次に、前記キャップの下側より紫外線を当
てながら、前記シール材と同質のシール材である、紫外
線、熱併用硬化のエポキシ樹脂を、デスペンサー２４０
を用いて、チップ１００の周囲上、或いはチップ周囲と
接着されるキャップ１４０の遮光層上に塗布する。Next, while applying ultraviolet rays from the lower side of the cap, an epoxy resin that is a combination of ultraviolet rays and heat, which is a sealing material of the same quality as the sealing material, is dispensed by a dispenser 240.
Is applied on the periphery of the chip 100 or on the light shielding layer of the cap 140 adhered to the periphery of the chip.
【００２３】前記キャップ１４０には、スクリーン印刷
法或いは、ホトリソを用い黒色の感光性樹脂を用いて、
遮光層（遮光マスク）１８０が窓状に形成してある。そ
れは、材料によっても異なるが、紫外線照射時に紫外線
が透過しない樹脂、例えば、黒色のエポキシ樹脂で、そ
の厚みは、この実施の形態では、膜厚：２〜３０μｍで
ある。The cap 140 is made of a black photosensitive resin using a screen printing method or photolithography.
A light shielding layer (light shielding mask) 180 is formed in a window shape. Although it differs depending on the material, it is a resin that does not transmit ultraviolet light when irradiated with ultraviolet light, for example, a black epoxy resin, and its thickness is 2 to 30 μm in this embodiment.
【００２４】また、遮光層の窓部は、固体撮像素子チッ
プの有効画素領域より大きく、この実施の形態では、有
効画素領域１６５に対して、周囲の片側で０．３ｍｍず
つ大きく設定されている。The window portion of the light-shielding layer is larger than the effective pixel area of the solid-state image sensor chip. In this embodiment, the window is set to be 0.3 mm larger than the effective pixel area 165 on one side around the effective pixel area. .
【００２５】チップの周囲に塗布したシール材は、毛管
力で、チップとガラスキャップとに、また、スペーサー
１９０で形成されたギャップに侵入し、前記キャップに
形成した遮光マスクの窓部から出る。該シール材が遮光
マスクの窓部から出た時点で、紫外線が当たり、硬化反
応を開始し、粘度が上昇し、流れ込みが止まる。因み
に、遮光マスクの窓部から出た時点で、シール材の流動
性を抑えるために、その実験の結果によれば、２００ｍ
Ｊ／ｃｍ2以上の照度が必要であり、照度が低いと、シ
ール材の低分子成分の流動性が抑えられないため、チッ
プの有効画素領域まで、シール材が侵入することにな
る。The sealing material applied around the chip penetrates into the chip and the glass cap and into the gap formed by the spacer 190 by capillary force, and exits through the window of the light shielding mask formed on the cap. When the sealing material comes out of the window of the light-shielding mask, it is irradiated with ultraviolet rays, starts a curing reaction, increases in viscosity, and stops flowing. By the way, according to the result of the experiment, in order to suppress the fluidity of the sealing material at the time of exiting from the window of the light-shielding mask, according to the result of the experiment, 200 m
An illuminance of J / cm 2 or more is required. If the illuminance is low, the flowability of low-molecular components of the sealing material cannot be suppressed, so that the sealing material penetrates to the effective pixel region of the chip.
【００２６】チップ周囲のシールを終了し、更に、周囲
のシール材に紫外線を照射して、硬化反応させ、更に、
内部の未硬化分を硬化させるため、加熱を行う。なお、
この実施の形態では、スペーサーは、弾性率が４８０ｋ
ｇ／ｍｍ2であるが、スペーサーの弾性率を、シール材
樹脂の弾性率に対してある範囲にする必要があり、弾性
率が１０００ｋｇ／ｍｍ2を超えた場合には、温度変化
に基づいて、ガラスとチップシリコンとの線膨張係数差
のストレスなどにより、スペーサー部を起点に、接着界
面からの剥がれを生じることになる。従って、この点を
配慮する必要がある。The sealing around the chip is completed, and the surrounding sealing material is irradiated with ultraviolet rays to cause a curing reaction.
Heating is performed to cure the uncured portion inside. In addition,
In this embodiment, the spacer has an elastic modulus of 480 k.
g / mm 2 , but the elastic modulus of the spacer needs to be within a certain range with respect to the elastic modulus of the sealing resin. If the elastic modulus exceeds 1000 kg / mm 2 , the Due to the stress of the difference in the coefficient of linear expansion between the glass and the chip silicon, peeling from the bonding interface starts from the spacer portion. Therefore, it is necessary to consider this point.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像素子チップと
キャップの遮光樹脂窓の間にスペーサーを、例えば、Ｔ
ＡＢリード厚み＋バンプ高さより大きい直径の、球状の
スペーサーを、介在させるが、チップとキャップに設け
られた遮光層間では、４隅のＴＡＢリードの無い部分に
これらスペーサーを配することにより、固体撮像素子装
置の結像面とキャップ前面との平行度を精度良く出すこ
とが可能になり、カメラに組み込む場合、結像面の平行
調整を行うことなく、組み込むことが可能になる。According to the present invention, a spacer is provided between the solid-state image sensor chip and the light-shielding resin window of the cap, for example, T
A spherical spacer having a diameter larger than the thickness of the AB lead and the height of the bump is interposed. The degree of parallelism between the imaging surface of the element device and the front surface of the cap can be accurately determined. When the device is incorporated into a camera, it can be incorporated without performing parallel adjustment of the imaging surface.
【００２８】また、本発明では、前記スペーサーを内部
に分散させたシール材と、分散させないシール材とを併
用しているので、スペーサーを分散させたシール材を、
予め、固体撮像素子チップとキャップの遮光樹脂窓との
間に配し、その後、周囲を同一のシール材でシールする
ことにより、シール材成分が同一なので、接着性、耐湿
性を損なうことなく、固体撮像装置を小型化することが
可能になる。Further, in the present invention, the sealing material in which the spacer is dispersed and the sealing material in which the spacer is not dispersed are used in combination.
In advance, disposed between the solid-state image sensor chip and the light-shielding resin window of the cap, and then by sealing the periphery with the same sealing material, since the sealing material components are the same, without impairing the adhesion, moisture resistance, The size of the solid-state imaging device can be reduced.
【図１】本発明の実施の形態を示す固体撮像装置の正面
図および断面図である。FIG. 1 is a front view and a cross-sectional view of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態において、ガラスキャップ
側にスペーサーを分散させたシール材を塗布する際の状
況を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a situation when a sealing material in which a spacer is dispersed is applied to the glass cap side in the embodiment of the present invention.
【図３】同じく、スペーサーを塗布したキャップガラス
上に固体撮像素子チップを載せ、紫外線を当てながらシ
ール材を塗布する状況を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which a solid-state imaging device chip is placed on a cap glass to which a spacer has been applied, and a sealing material is applied while applying ultraviolet rays.
【図４】スペーサーの塗布位置の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a coating position of a spacer.
１００ 固体撮像素子チップ １０５ 反射防止コート １１５ ポリイミドフィルム １１０ ＴＡＢテープ １２０ ビームリード １３０ バンプ １４０ キャップ １５０ 遮光層（遮光マスク） １６０ マイクロレンズ １６５ 有効画素領域 １７０ シール材樹脂 １８０ 遮光マスクの窓部 １９０ スペーサー １９５ スペーサーを内部に分散させたシール材 ２００ キャップガラスを保持する治具 ２１０ 治具の遮光部 ２２０ 紫外線照射ファイバー ２３０ 紫外線光 ２４０ シール材を塗布するニードル REFERENCE SIGNS LIST 100 solid-state image sensor chip 105 anti-reflection coating 115 polyimide film 110 TAB tape 120 beam lead 130 bump 140 cap 150 light-shielding layer (light-shielding mask) 160 microlens 165 effective pixel area 170 sealing resin 180 window of light-shielding mask 190 spacer 195 spacer Sealing material in which is dispersed 200 Jig for holding cap glass 210 Shading portion of jig 220 Ultraviolet irradiation fiber 230 Ultraviolet light 240 Needle for applying sealing material
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 BA14 CA02 GB01 GD02 HA02 HA11 HA23 HA24 HA27 HA31 5C024 BX01 BX04 CY47 CY48 EX43 5F044 KK03 KK06 LL17 NN08 NN09 NN22 RR18 RR19 5F088 AA01 AB03 BA15 BA18 BB03 GA03 HA10 JA02 JA10 JA12 JA13 JA20 Continued on the front page F term (reference) 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 BA14 CA02 GB01 GD02 HA02 HA11 HA23 HA24 HA27 HA31 5C024 BX01 BX04 CY47 CY48 EX43 5F044 KK03 KK06 LL17 NN08 NN09 NN22 RR18 RR19 5F015 A03 AB01 JA03 JA13 JA20
Claims (6)
続部に金属突起をそれぞれ設けた固体撮像素子チップ
と、前記固体撮像素子チップを囲んで、これに対抗する
辺にビームリードを配したフレキシブル配線板と、前記
固体撮像素子チップを保護するための透明なキャップと
を有し、前記固体撮像素子チップ上の金属突起と前記フ
レキシブル配線板のビームリードとを接続し、前記固体
撮像素子チップ上に前記キャップであるガラス、シール
層、ＴＡＢフィルムを、その順で積層し、かつ、固体撮
像素子チップの有効画素領域周囲を前記シール層が囲ん
でいる固体撮像装置において、 前記チップと前記ガラスに設けられた遮光層との間で、
ビームリードの配されていない少なくとも３箇所以上
に、スペーサーが配されていることを特徴とする固体撮
像装置。1. A solid-state imaging device chip having a connection portion provided at a peripheral portion of an imaging region and a metal projection provided at the connection portion, and a beam lead disposed around a side surrounding the solid-state imaging device chip. A flexible wiring board, and a transparent cap for protecting the solid-state imaging device chip; connecting a metal protrusion on the solid-state imaging device chip to a beam lead of the flexible wiring board; In a solid-state imaging device in which a glass serving as the cap, a seal layer, and a TAB film are laminated in that order, and the seal layer surrounds a periphery of an effective pixel area of the solid-state image sensor chip, the chip and the glass Between the light-shielding layer provided in
A solid-state imaging device, wherein spacers are provided at least at three or more places where no beam leads are provided.
いる状態で前記チップと遮光層との間に設けられ、ま
た、前記スペーサーが配される個所以外では、前記シー
ル層として、前記スペーサーが分散していないシール材
が用いられていることを特徴とする、請求項１に記載の
固体撮像装置。2. The spacer is provided between the chip and the light-shielding layer in a state where the spacer is dispersed in a sealing material, and the spacer is used as the sealing layer except where the spacer is provided. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a sealing material that is not dispersed is used.
径はφ５５μｍ以上φ２００μｍ以下であり、また、バ
ンプおよびビームリードの厚みを加えた値より大きいこ
とを特徴とする、請求項１あるいは２に記載の固体撮像
装置。3. The spacer according to claim 1, wherein the spacer is spherical and has a diameter of not less than φ55 μm and not more than φ200 μm, and is larger than the sum of the thickness of the bump and the beam lead. Solid-state imaging device.
１０００ｋｇ／ｍｍ 2以下であることを特徴とする、請
求項１ないし３の何れか１項に記載の固体撮像装置。4. The spacer has a material having an elastic modulus.
1000kg / mm TwoA contractor characterized by the following:
The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 3.
の併用であることを特徴とする、請求項１ないし４の何
れか１項に記載の固体撮像装置。5. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the sealing material is a combination of ultraviolet curing and heat curing.
併用のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シ
リコーン樹脂、或いは、前記樹脂の変成材料であること
を特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の固
体撮像装置。6. The sealing material according to claim 1, wherein the sealing material is an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin, a silicone resin, or a modified material of the resin, which is used in combination with ultraviolet curing and heat curing. 2. The solid-state imaging device according to claim 1.
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