JP2002265797A - Resin composition and its use - Google Patents

Resin composition and its use

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JP2002265797A
JP2002265797A JP2001065440A JP2001065440A JP2002265797A JP 2002265797 A JP2002265797 A JP 2002265797A JP 2001065440 A JP2001065440 A JP 2001065440A JP 2001065440 A JP2001065440 A JP 2001065440A JP 2002265797 A JP2002265797 A JP 2002265797A
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resin
dielectric constant
high dielectric
resin composition
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Hiroyuki Kuritani
弘之 栗谷
Yoshitake Hirata
善毅 平田
Masanori Yamaguchi
正憲 山口
Yasushi Shimada
靖 島田
Kazuhisa Otsuka
和久 大塚
Kazunori Yamamoto
和徳 山本
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a resin composition allowing little sedimentation of highly dielectric fillers, a resin varnish, and to provide an electronic member obtained using this composition and its manufacture process. SOLUTION: A resin composition containing a resin and a highly dielectric fillers is further compounded with a filler (X) having a sedimentation velocity smaller than that of the highly dielectric fillers. The resin composition is used to form an insulating layer in a wiring board.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線板等の電子部
品に好適に用いられる樹脂組成物とそのワニス、この樹
脂組成物を用いた配線板、樹脂フィルム、半導体パッケ
ージ、半導体パッケージ搭載配線板および配線板用材
料、ならびにそれらの製造法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin composition and a varnish suitably used for electronic parts such as wiring boards, a wiring board using the resin composition, a resin film, a semiconductor package, and a wiring board mounted with a semiconductor package. And materials for wiring boards, and methods for producing them.

【0002】[0002]

【従来の技術】配線板への各種部品の高密度実装化の要
請から配線板の多層化が進み、さらにその内層に回路要
素(コイル:L、コンデンサ:C、抵抗:R)を形成し
た多層板の利用が高まっている。そこで、絶縁層を形成
する樹脂層として、高速信号処理に係る回路部には低誘
電率樹脂層が、コンデンサに対応する層には高誘電率樹
脂層が用いられるなど、樹脂材料の機能化が検討されて
いる。高誘電率樹脂層を形成するためには、高誘電率樹
脂材料の選択の他、チタン酸バリウム等の高誘電率の無
機充填剤を配合することも行われている。
2. Description of the Related Art Multilayer wiring boards have been developed in response to the demand for high-density mounting of various components on the wiring boards, and further, multilayer elements having circuit elements (coil: L, capacitor: C, resistance: R) formed therein. The use of boards is increasing. Therefore, as the resin layer forming the insulating layer, a low dielectric constant resin layer is used for a circuit portion related to high-speed signal processing, and a high dielectric constant resin layer is used for a layer corresponding to a capacitor. Are being considered. In order to form the high dielectric constant resin layer, a high dielectric constant inorganic filler such as barium titanate is blended in addition to selecting a high dielectric constant resin material.

【発明が解決しようとする課題】しかし、そのような高
誘電率充填剤が配合された場合、液状樹脂中または樹脂
ワニス中で充填剤が沈降しやすく、その状態で長時間放
置ができない、また、充填剤がいったん沈降してしまう
と再分散が困難となり、再利用できない、という点にお
いて、改良が求められていた。上記に鑑み、本発明は、
高誘電率充填剤の沈降が抑制されると共に充填剤の再分
散性が良好である樹脂組成物と樹脂ワニス、および、そ
れを利用した電子部品用材料とその製造法を提供するこ
とを目的とする。
However, when such a high dielectric constant filler is blended, the filler tends to settle in the liquid resin or the resin varnish, and cannot be left for a long time in that state. Once the filler has settled, it is difficult to redisperse the filler, and the filler cannot be reused. In view of the above, the present invention provides
It is an object of the present invention to provide a resin composition and a resin varnish in which sedimentation of a high dielectric constant filler is suppressed and the redispersibility of the filler is favorable, and a material for electronic components using the same and a method for producing the same. I do.

【0003】[0003]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る樹脂組成物は、樹脂と、高誘電率充填
剤と、前記高誘電率充填剤よりも沈降速度が小さい充填
剤(X)とを含むことを特徴とするものである。本発明
において、充填剤(X)は、その沈降速度がより小さけ
れば、高誘電率充填剤と同じ化合物であってもよい。こ
こで、沈降速度(V)は、以下の式(1)から求めら
れるものである。
In order to achieve the above object, a resin composition according to the present invention comprises a resin, a high dielectric constant filler, and a filler having a lower sedimentation velocity than the high dielectric constant filler. X). In the present invention, the filler (X) may be the same compound as the high dielectric constant filler as long as the sedimentation rate is lower. Here, the sedimentation velocity (V f ) is obtained from the following equation (1).

【数1】 (式中、g:重力加速度、ρ:粒子密度、ρ:流体
密度、D:粒子径、μ:流体粘度)
(Equation 1) (Where g: gravity acceleration, ρ p : particle density, ρ f : fluid density, D p : particle diameter, μ: fluid viscosity)

【0004】上記式(1)は、次のようにして導出され
る。レイノルズ数(Re)は(uρ)/μ(u
:流体と粒子の相対速度)と定義される。終末沈降速
度(V)は、沈降粒子の運動方程式より、
The above equation (1) is derived as follows. Reynolds number (Re) is (u r ρ f D p) / μ (u
r : relative velocity between fluid and particles). The terminal sedimentation velocity (V f ) is given by

【数2】 (式中、C:抵抗係数)で表される。ここで、Re<
0.4では、C≒24/Re=24μ/(Vρ
)である。したがって、上記式(1)が導かれる。
(Equation 2) (Where CR : resistance coefficient). Where Re <
At 0.4, C R C24 / Re = 24 μ / (V f ρ f D
p ). Therefore, the above equation (1) is derived.

【0005】本発明によれば、高誘電率充填剤よりも沈
降速度の小さい充填剤(X)が含まれているので、高誘
電率充填剤の沈降が充填剤(X)により抑制され、ま
た、いったん高誘電率充填剤が沈降してしまっても、充
填剤(X)が介在することにより高誘電率充填剤同士が
凝固することがないので、充填剤の再分散性が良好なも
のとなる。したがって、使用のたびに樹脂組成物または
樹脂ワニスを調製する手間が省けて作業効率が上がると
共に、回収して再利用することも容易であり、材料の利
用効率を向上させ、コスト低下を図ることができる。そ
して、この樹脂組成物を用いて、高誘電率充填剤が均一
に分散され、電気特性が均一化された樹脂層を形成する
ことができる。
According to the present invention, since the filler (X) having a lower sedimentation speed than the high dielectric constant filler is contained, the sedimentation of the high dielectric constant filler is suppressed by the filler (X). Even if the high-permittivity filler is settled, the high-permittivity filler does not solidify due to the presence of the filler (X), so that the filler has good re-dispersibility. Become. Therefore, it is not necessary to prepare a resin composition or a resin varnish every time it is used, so that the work efficiency is increased, and it is easy to collect and reuse the resin composition or the resin varnish. Can be. Then, using this resin composition, a high dielectric constant filler is uniformly dispersed, and a resin layer having uniform electric characteristics can be formed.

【0006】本発明に係る樹脂ワニスは、本発明の樹脂
組成物と溶剤とを含むものである。したがって、上記の
ように高誘電率充填剤が沈降しにくいと共に、その再分
散性が良好が樹脂ワニスを提供できる。
[0006] A resin varnish according to the present invention contains the resin composition of the present invention and a solvent. Therefore, as described above, the high dielectric constant filler is unlikely to settle, and its redispersibility is good, so that a resin varnish can be provided.

【0007】本発明に係る樹脂フィルムは、本発明の樹
脂組成物からなるものである。したがって、高誘電率充
填剤が均一に分散されたフィルムが得られ、各種電子部
品用の絶縁フィルム、接着フィルム、または配線板用の
プリプレグ等として好適に使用できる。
[0007] The resin film according to the present invention comprises the resin composition of the present invention. Therefore, a film in which the high dielectric constant filler is uniformly dispersed is obtained, and can be suitably used as an insulating film for various electronic components, an adhesive film, or a prepreg for a wiring board.

【0008】本発明に係る配線板は、絶縁層と配線導体
とを含む配線板であって、前記絶縁層が樹脂と、高誘電
率充填剤と、高誘電率充填剤よりも沈降速度が小さい充
填剤(X)とを含む樹脂組成物からなることを特徴とす
るものである。すなわち、絶縁層が本発明の樹脂組成物
から構成されているので、その組成を調整することによ
り、容易に、用途に応じた誘電率を有する絶縁層とする
ことができる。たとえばこの絶縁層をコンデンサに対応
する樹脂層に用いることにより、安定した電源電圧の供
給が可能な様々な容量のコンデンサを備えた、機能性の
高いコンデンサ内蔵の多層配線板等を提供でき、別途容
量素子を多数実装する必要がなくなるので、実装される
回路素子の数を減らして電子部品の更なる小型化を図る
ことが可能となる。さらに、インピーダンス整合の点か
ら、配線幅を小さくすることができ、アンテナ、スタブ
等の共振回路ではライン長を短くできるので、小型化が
可能となる。本発明の配線板は、半導体パッケージ用の
半導体搭載用基板としても、好適に用いることができ
る。また、配線板の構造は、単層であっても多層であっ
てもよい。
A wiring board according to the present invention is a wiring board including an insulating layer and a wiring conductor, wherein the insulating layer has a resin, a high dielectric constant filler, and a lower sedimentation speed than the high dielectric constant filler. It is characterized by comprising a resin composition containing a filler (X). That is, since the insulating layer is composed of the resin composition of the present invention, by adjusting the composition, an insulating layer having a dielectric constant suitable for the intended use can be easily obtained. For example, by using this insulating layer as the resin layer corresponding to the capacitor, it is possible to provide a multilayer wiring board with a built-in capacitor with high functionality and capacitors with various capacities that can supply a stable power supply voltage. Since it is not necessary to mount a large number of capacitance elements, it is possible to reduce the number of circuit elements to be mounted and to further reduce the size of the electronic component. Further, from the viewpoint of impedance matching, the wiring width can be reduced, and the line length can be reduced in a resonance circuit such as an antenna or a stub, so that the size can be reduced. The wiring board of the present invention can be suitably used also as a semiconductor mounting substrate for a semiconductor package. The structure of the wiring board may be a single layer or a multilayer.

【0009】本発明に係る配線板の製造法は、(1)本
発明に係る樹脂組成物からなる第1絶縁層を形成する工
程と、(2)前記第1絶縁層に第1配線導体を形成する
工程と、を含むものである。また、さらに(3)前記第
1配線導体に第2絶縁層を形成する工程と、(4)前記
第2絶縁層に第2配線導体を形成する工程と、を含むこ
とにより、多層の配線板を製造することができる。第2
絶縁層の形成にも、本発明の樹脂組成物を好ましく用い
ることができる。
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes: (1) a step of forming a first insulating layer made of the resin composition according to the present invention; and (2) a step of forming a first wiring conductor on the first insulating layer. Forming step. Further, the method further includes (3) a step of forming a second insulating layer on the first wiring conductor, and (4) a step of forming a second wiring conductor on the second insulating layer. Can be manufactured. Second
The resin composition of the present invention can also be preferably used for forming an insulating layer.

【0010】本発明に係る半導体パッケージは、半導体
搭載用基板と半導体搭載用基板に搭載された半導体チッ
プとが封止用樹脂により封止されてなり、前記半導体搭
載用基板が、本発明の配線板からなるものであることを
特徴とする。また、別の本発明に係る半導体パッケージ
は、封止用樹脂が本発明の樹脂組成物からなることを特
徴とするものである。
In a semiconductor package according to the present invention, a substrate for mounting a semiconductor and a semiconductor chip mounted on the substrate for mounting a semiconductor are sealed by a sealing resin. It is characterized by being made of a plate. Further, another semiconductor package according to the present invention is characterized in that the sealing resin comprises the resin composition of the present invention.

【0011】本発明に係る半導体パッケージの製造法
は、(1)半導体搭載用基板に半導体チップを搭載する
工程と、(2)本発明に係る樹脂組成物により前記半導
体搭載用基板と半導体チップとを封止する工程と、を含
むものである。また、別の本発明に係る半導体パッケー
ジの製造法は、樹脂ワニスを用いるものであり、(1)
半導体搭載用基板に半導体チップを搭載する工程と、
(2)本発明に係る樹脂ワニスにより前記半導体搭載用
基板と半導体チップとを封止する工程と、(3)ワニス
中の溶剤を除去する工程と、を含むものである。
The method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention includes: (1) a step of mounting a semiconductor chip on a semiconductor mounting substrate; and (2) a step of mounting the semiconductor mounting substrate and the semiconductor chip using the resin composition according to the present invention. And sealing the substrate. Another method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention uses a resin varnish, and (1)
Mounting a semiconductor chip on a semiconductor mounting substrate;
(2) a step of sealing the semiconductor mounting substrate and the semiconductor chip with the resin varnish according to the present invention, and (3) a step of removing a solvent in the varnish.

【0012】本発明に係る半導体パッケージ搭載配線板
は、本発明に係る配線板に半パッケージが搭載されてな
るものである。また、別の本発明に係る半導体パッケー
ジ搭載配線板は、配線板に本発明に係る半導体パッケー
ジが搭載されてなるものである。また、両者を組み合わ
せた、本発明に係る配線板に本発明に係る半導体パッケ
ージが搭載されてなる半導体パッケージ搭載配線板、と
することも好ましい。
A wiring board according to the present invention has a half package mounted on the wiring board according to the present invention. Further, another semiconductor package mounting wiring board according to the present invention is one in which the semiconductor package according to the present invention is mounted on a wiring board. In addition, it is also preferable to provide a wiring board according to the present invention, in which the semiconductor package according to the present invention is mounted on the wiring board according to the present invention.

【0013】本発明に係る配線板用材料は、樹脂層とキ
ャリアフィルムとを含み、前記樹脂層が本発明に係る樹
脂組成物からなることを特徴とするものである。
A wiring board material according to the present invention includes a resin layer and a carrier film, and the resin layer is made of the resin composition according to the present invention.

【0014】本発明に係る配線板用材料の製造法は、
(1)キャリアフィルムに対し、本発明に係る樹脂ワニ
スを塗布する工程と、(2)ワニス中の溶剤を除去する
工程と、を含むものである。
The method for producing a wiring board material according to the present invention comprises:
The method includes (1) a step of applying the resin varnish according to the present invention to a carrier film, and (2) a step of removing a solvent in the varnish.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明に係る樹脂組成物は、樹脂
(ベース樹脂)と、高誘電率充填剤と、前記高誘電率充
填剤よりも沈降速度が小さい充填剤(X)とを含むもの
である。樹脂としては、組成物の用途に応じ、適切な熱
硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の1種以上を用いること
ができ、なかでも熱硬化性樹脂を好ましく用いることが
できる。具体的には、従来からガラスクロス基材に含浸
させて用いられている熱硬化性樹脂が好ましく、たとえ
ば、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、イソシア
ネート樹脂、またはこれらの変性樹脂等を使用すること
ができる。なかでも、積層板の特性を向上させる上で、
特にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはビストリア
ジン樹脂は好適である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The resin composition according to the present invention comprises a resin (base resin), a high dielectric constant filler, and a filler (X) having a lower sedimentation rate than the high dielectric constant filler. It is a thing. As the resin, one or more appropriate thermosetting resins or thermoplastic resins can be used according to the use of the composition, and among them, a thermosetting resin can be preferably used. Specifically, a thermosetting resin which is conventionally used by impregnating a glass cloth base material is preferable, and examples thereof include an epoxy resin, a bistriazine resin, a polyimide resin, a phenol resin, a melamine resin, a silicon resin, and an unsaturated polyester. Resins, cyanate ester resins, isocyanate resins, or modified resins thereof can be used. Above all, in improving the characteristics of the laminate,
Particularly, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bistriazine resin is preferable.

【0016】さらには、エポキシ樹脂としては、分子内
にエポキシ基を有するものであればどのようなものでも
よく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラッ
ク型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒドノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイ
ン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、
脂肪族環状エポキシ樹脂、ならびにこれらのアルキル置
換体、ハロゲン化物、水素添加物、等から選択された1
種以上のものを使用することができる。なかでも、ビス
フェノールAノボラック型エポキシ樹脂と、サリチルア
ルデヒドノボラック型エポキシ樹脂は、耐熱性に優れ好
ましい。
Further, any epoxy resin may be used as long as it has an epoxy group in the molecule. Bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, phenol novolac epoxy resin Epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, bisphenol A novolak epoxy resin, salicylaldehyde novolak epoxy resin, bisphenol F novolak epoxy resin, alicyclic epoxy resin, glycidyl ester epoxy resin, glycidylamine epoxy resin, hydantoin type Epoxy resin, isocyanurate type epoxy resin,
Aliphatic cyclic epoxy resins, and their alkyl-substituted products, halides, hydrogenated products, etc.
More than one species can be used. Among them, bisphenol A novolak epoxy resin and salicylaldehyde novolak epoxy resin are preferable because of their excellent heat resistance.

【0017】このような樹脂の硬化剤としては、それぞ
れの樹脂に対し従来使用しているものが使用できる。樹
脂がエポキシ樹脂の場合、たとえば、ジシアンジアミ
ド、ビスフェノールA,ビスフェノールF、ポリビニル
フェノール、ノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラ
ック樹脂、ならびにこれらのフェノール樹脂のハロゲン
化物等の1種以上を使用できる。なかでも、ビスフェノ
ールAノボラック樹脂は、耐熱性に優れ好ましい。硬化
剤の配合量は、硬化反応を進行させることができれば、
特に限定されることはない。たとえばエポキシ樹脂の場
合は、好ましくは、エポキシ基1モルに対して、0.0
1〜5.0当量の範囲で、特に好ましくは0.8〜1.
2当量の範囲で使用でき、また、樹脂100重量部に対
して、2〜100重量部の範囲が好ましく、さらには、
ジシアンジアミドでは、2〜5重量部、それ以外の硬化
剤では、30〜80重量部の範囲が好ましい。
As the curing agent for such resins, those conventionally used for each resin can be used. When the resin is an epoxy resin, for example, one or more of dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, polyvinyl phenol, novolak resin, bisphenol A novolak resin, and halides of these phenol resins can be used. Among them, bisphenol A novolak resin is preferable because of its excellent heat resistance. As long as the curing agent can advance the curing reaction,
There is no particular limitation. For example, in the case of an epoxy resin, preferably, 0.0 mol per 1 mol of epoxy group.
In the range of 1 to 5.0 equivalents, particularly preferably 0.8 to 1.0 equivalent.
It can be used in a range of 2 equivalents, and is preferably in a range of 2 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin.
The amount of dicyandiamide is preferably 2 to 5 parts by weight, and the amount of other curing agents is preferably 30 to 80 parts by weight.

【0018】さらに、樹脂組成物には、硬化促進剤を用
いることができ、樹脂がエポキシ樹脂の場合、イミダゾ
ール化合物、有機リン化合物、第3級アミン、第4級ア
ンモニウム塩等を用いることができる。硬化促進剤の樹
脂に対する割合は、従来使用している割合でよく、樹脂
100重量部に対して、0.01〜20重量部の範囲が
好ましく、0.1〜1.0の範囲がより好ましい。熱硬
化性樹脂の硬化反応は、反応が進行するのであればどの
ような温度で行ってもよいが、一般には室温乃至250
℃の範囲で硬化させることが好ましい。また、この硬化
反応は、加圧下、大気圧下または減圧下で行うことがで
きる。
Further, a curing accelerator can be used in the resin composition. When the resin is an epoxy resin, an imidazole compound, an organic phosphorus compound, a tertiary amine, a quaternary ammonium salt, or the like can be used. . The ratio of the curing accelerator to the resin may be a conventionally used ratio, and is preferably in the range of 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 1.0, relative to 100 parts by weight of the resin. . The curing reaction of the thermosetting resin may be performed at any temperature as long as the reaction proceeds.
It is preferable to cure in the range of ° C. This curing reaction can be performed under pressure, under atmospheric pressure, or under reduced pressure.

【0019】熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポ
リプロピレンや、4−メチルペンテン−1樹脂、ポリブ
テン−1樹脂および高圧法エチレンコポリマーなどのポ
リオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリアク
リロニトリル、ポリアクリル酸系プラスチック、ジエン
系プラスチック、ポリアミド、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリアセタール、フッ素系樹脂、ポリウレタ
ン系プラスチック、および、ポリスチレン系熱可塑性エ
ラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、
ポリウレタン系熱可塑性エラストマーなどが例示でき、
これらを単独で、または2種以上を混合して用いること
ができる。
Examples of the thermoplastic resin include polyethylene, polypropylene, polyolefin resins such as 4-methylpentene-1 resin, polybutene-1 resin and high-pressure ethylene copolymer, styrene resins, polyvinyl chloride, and the like.
Polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyacrylonitrile, polyacrylic plastic, diene plastic, polyamide, polyester, polycarbonate, polyacetal, fluorine resin, polyurethane plastic, and polystyrene thermoplastic elastomer, polyolefin thermoplastic elastomer,
Polyurethane-based thermoplastic elastomers can be exemplified,
These can be used alone or in combination of two or more.

【0020】高誘電率充填剤としては、樹脂組成物に対
し目的とする誘電率を与えることができるものであれば
よく、比誘電率が、100(常温、1MHz)以上であ
ることが好ましく、さらには300以上であることが好
ましく、一層好ましくは1000以上である。具体的に
は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸鉛、ジルコン酸バリウム、ジ
ルコン酸カルシウム、スズ酸バリウム、スズ酸カルシウ
ムからなる群から選ばれた1種以上であることが好まし
い。予めカップリング剤で表面処理されたものを用いる
こともできる。充填剤の形状については、粒状、不定
形、フレーク状など任意のものを任意の組み合わせで用
いることができる。また、その粒径(平均粒径)は、
0.1〜20μm程度であることが好ましく、0.5〜
10μm程度であることが一層好ましい。
As the high dielectric constant filler, any filler can be used as long as it can give a desired dielectric constant to the resin composition, and the relative dielectric constant is preferably 100 (normal temperature, 1 MHz) or more. Further, it is preferably at least 300, more preferably at least 1,000. Specifically, it may be at least one selected from the group consisting of barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, lead titanate, barium zirconate, calcium zirconate, barium stannate, and calcium stannate. preferable. What has been surface-treated with a coupling agent in advance can also be used. As for the shape of the filler, any shape such as a granular shape, an amorphous shape, and a flake shape can be used in any combination. The particle size (average particle size) is
It is preferably about 0.1 to 20 μm,
More preferably, it is about 10 μm.

【0021】以上のような高誘電率充填剤の種類および
配合量を調整することにより、得られる樹脂層に対し目
的とする誘電率を与えることができる。たとえば、大容
量、中容量、小容量の各コンデンサ用途の場合には、樹
脂組成物の硬化後の比誘電率は、それぞれ順に、50、
20、10(常温、1MHz)以上であることが好まし
い。
By adjusting the kind and amount of the high dielectric constant filler as described above, the desired dielectric constant can be given to the obtained resin layer. For example, in the case of large-capacity, medium-capacity and small-capacity capacitor applications, the relative permittivity of the resin composition after curing is 50, respectively.
It is preferably at least 20, 10 (normal temperature, 1 MHz).

【0022】上記高誘電率充填剤の沈降を抑制するため
に用いられる充填剤(X)は、高誘電率充填剤よりも沈
降速度の小さいものである。両充填剤相互の沈降速度の
相違は、上記式(1)のVにおいて、(充填剤(X)
のV)/(高誘電率充填剤のV)が1/2以下であ
ることが好ましく、この比の値は、さらに好ましくは1
/10以下であり、一層好ましくは1/20以下であ
る。沈降速度がこのように異なることにより、充填剤
(X)が高誘電率充填剤の周囲を取り囲み、または、高
誘電率充填剤間の隙間を充填するように配されて、高誘
電率充填剤の沈降を抑制できるものと考えられる。上記
のような沈降速度の相違は、両充填剤相互の比重の相違
に基づくものであってもよいし、粒径(平均粒径)の相
違に基づくものであってもよく、比重と粒径の双方の相
違に基づくものであってもよい。同一の比重のもの(同
じ化合物)であれば、充填剤(X)のほうの粒径が高誘
電率充填剤の粒径の1/3以下程度、好ましくは1/1
0以下程度であればよく、また、同一の粒径のものであ
れば、比重が1以上異なっていれば(充填剤(X)のほ
うが小さければ)、高誘電率充填剤の沈降を抑制する効
果を得ることができる。
The filler (X) used to suppress the sedimentation of the high dielectric constant filler has a lower sedimentation rate than the high dielectric constant filler. The difference in the sedimentation velocity between the two fillers can be found in Vf of the above formula (1) by (filler (X)
Preferably V f) / (V f of the high dielectric constant filler) of is 1/2 or less, the value of this ratio is more preferably 1
/ 10 or less, more preferably 1/20 or less. Due to such different sedimentation velocities, the filler (X) is arranged so as to surround the periphery of the high dielectric constant filler or fill the gap between the high dielectric constant fillers. It is considered that the sedimentation of the soil can be suppressed. The difference in the sedimentation speed as described above may be based on the difference in specific gravity between the two fillers, or may be based on the difference in particle size (average particle size). May be based on the difference between the two. If they have the same specific gravity (the same compound), the particle size of the filler (X) is about 1/3 or less, preferably 1/1, of the particle size of the high dielectric constant filler.
0 or less, and if the particles have the same particle size, if the specific gravity differs by 1 or more (if the filler (X) is smaller), the sedimentation of the high dielectric constant filler is suppressed. The effect can be obtained.

【0023】具体的には、充填剤(X)としては、シリ
カ、アルミナ、二酸化チタン、ジルコニア、ムライト、
コージライト、マグネシア、クレー、タルク、硫酸バリ
ウム等が挙げられる。また、充填剤(X)として上述し
た金属酸化物等の高誘電率のものを用いれば、得られる
樹脂組成物の誘電率を維持し、また一層高いものとする
ことができるので好ましい。高誘電率充填剤と同じ種類
のものを、粒径を小さくすることで沈降しにくくして用
いることもできる。これらの充填剤(X)は、予めカッ
プリング剤で表面処理されていてもよい。
Specifically, as the filler (X), silica, alumina, titanium dioxide, zirconia, mullite,
Cordierite, magnesia, clay, talc, barium sulfate and the like. Further, it is preferable to use a filler having a high dielectric constant such as the above-mentioned metal oxide as the filler (X), since the dielectric constant of the obtained resin composition can be maintained and further increased. The same type of filler as the high dielectric constant filler can be used because it is difficult to settle by reducing the particle size. These fillers (X) may be previously surface-treated with a coupling agent.

【0024】高誘電率充填剤と充填剤(X)の樹脂に対
する配合量は、求められる誘電率に応じて適宜設定すれ
ばよいが、成形性の観点から、樹脂100重量部に対
し、両充填剤が合計で100〜3000部含まれている
ことが好ましく、200〜1000重量部の範囲がさら
に好ましい。また、高誘電率充填剤の沈降を充分に抑制
するという観点から、高誘電率充填剤100重量部に対
し充填剤(X)は10〜200重量部含まれていること
が好ましく、20〜100重量部の範囲がさらに好まし
い。最も好ましくは、樹脂100重量部に対し、高誘電
率充填剤が200〜700重量部、充填剤(X)が80
〜200重量部含まれているものが選ばれる。
The amount of the high dielectric constant filler and the filler (X) to be added to the resin may be appropriately set in accordance with the required dielectric constant. Preferably, the agent is contained in a total amount of 100 to 3000 parts, more preferably 200 to 1000 parts by weight. In addition, from the viewpoint of sufficiently suppressing the sedimentation of the high dielectric constant filler, the filler (X) is preferably contained in an amount of 10 to 200 parts by weight, preferably 20 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the high dielectric constant filler. A range of parts by weight is more preferred. Most preferably, the high dielectric constant filler is 200 to 700 parts by weight, and the filler (X) is 80 to 100 parts by weight of the resin.
Those containing up to 200 parts by weight are selected.

【0025】以上の樹脂と高誘電率充填剤と充填剤
(X)は、樹脂組成物の必須の構成成分であるが、この
樹脂組成物は、好ましい実施形態において、その他の任
意の成分(添加剤)を含んでいてもよい。また、その追
加の成分は、上記高誘電率充填剤および充填剤(X)以
外の充填剤(たとえば水酸化アルミニウム等)であって
もよい。その他の成分として、たとえば、異種材料間、
特に銅箔との界面接合を良好にするために、カップリン
グ剤を配合することもできる。カップリング剤として
は、シランカップリング剤が好ましい。このようなシラ
ンカップリング剤には、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノ
エチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が使
用できる。カップリング剤の配合量は、樹脂100重量
部に対し0.05〜10重量部であることが好ましく、
さらには、0.1〜2重量部であることがより好まし
い。
The above resin, the high dielectric constant filler and the filler (X) are essential constituents of the resin composition. In a preferred embodiment, this resin composition is used in another preferred embodiment. Agent). Further, the additional component may be a filler (for example, aluminum hydroxide or the like) other than the high dielectric constant filler and the filler (X). Other components, for example, between different materials,
In particular, a coupling agent can be blended in order to improve the interfacial bonding with the copper foil. As the coupling agent, a silane coupling agent is preferable. Such silane coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-
Ureidopropyltriethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane and the like can be used. The amount of the coupling agent is preferably 0.05 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin,
More preferably, it is 0.1 to 2 parts by weight.

【0026】また、本発明の樹脂組成物をプリプレグと
して用いる場合などには、セラミック系ウイスカーを加
えることができる。このようなセラミック系ウィスカー
は、配線板材料あるいは配線板として用いたときに充分
な剛性を付与する観点から、弾性率が200GPa以上
であることが好ましい。たとえば、ホウ酸アルミニウ
ム、ウォラストナイト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸
マグネシウム、窒化けい素、およびα−アルミナの中か
ら選ばれた1以上のものを用いることができる。さらに
樹脂組成物には、触媒、エラストマ、難燃剤、離型剤、
接着性付与剤、応力緩和剤、着色剤等の通常用いられる
添加剤を任意に適量配合することもできる。吸湿時の絶
縁信頼性をよくするために、イオン補足剤を配合しても
よい。
When the resin composition of the present invention is used as a prepreg, a ceramic whisker can be added. Such a ceramic whisker preferably has an elastic modulus of 200 GPa or more from the viewpoint of imparting sufficient rigidity when used as a wiring board material or a wiring board. For example, one or more selected from aluminum borate, wollastonite, potassium titanate, basic magnesium sulfate, silicon nitride, and α-alumina can be used. Further, the resin composition includes a catalyst, an elastomer, a flame retardant, a release agent,
A commonly used additive such as an adhesiveness-imparting agent, a stress relieving agent, and a coloring agent can be arbitrarily added in an appropriate amount. In order to improve insulation reliability at the time of absorbing moisture, an ion supplement may be added.

【0027】樹脂組成物は、以上の成分に、樹脂が液状
ではない場合には以下に記載するような溶剤を加えて、
公知の方法によりミキサー等で均一に混合して調製する
ことができる。各種配合成分は、全て同時に添加しても
良いが、添加順序を適宜設定することもでき、また、必
要に応じて、一部の配合成分を予め予備混練することも
できる。
The resin composition is prepared by adding a solvent as described below to the above components when the resin is not liquid,
It can be prepared by uniformly mixing with a mixer or the like by a known method. All of the various components may be added at the same time, but the order of addition may be appropriately set, and if necessary, some components may be preliminarily kneaded.

【0028】次に、本発明の樹脂ワニスは、上記の樹脂
組成物と溶剤とを含むものである。この溶剤は、樹脂の
種類や組成物の用途等に応じて適宜選択することがで
き、たとえば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエ
ン、キシレン、メチルイソブチレン、酢酸エチル、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、メタノール、エタ
ノール、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド等を単独で、または2種以上を混合し
て使用できる。樹脂ワニスは、樹脂と溶剤からなるワニ
スに充填剤、および必要に応じて任意の添加剤を添加
し、任意の方法により混合・撹拌し、充填剤等をワニス
中に均一に分散させて製造できる。この溶剤の樹脂組成
物に対する割合は、樹脂の種類、充填剤の配合量、塗布
方法等に応じて適宜設定することができるが、成形性、
作業性の観点から、樹脂組成物100重量部に対して、
40〜900重量部の範囲が好ましく、100〜600
重量部の範囲がさらに好ましい。
Next, the resin varnish of the present invention contains the above resin composition and a solvent. This solvent can be appropriately selected depending on the type of the resin, the use of the composition, and the like. For example, acetone, methyl ethyl ketone, toluene, xylene, methyl isobutylene, ethyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether, methanol, ethanol, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like can be used alone or in combination of two or more. A resin varnish can be produced by adding a filler to a varnish comprising a resin and a solvent, and optionally adding an additive, mixing and stirring by an arbitrary method, and uniformly dispersing the filler and the like in the varnish. . The ratio of the solvent to the resin composition can be appropriately set according to the type of the resin, the amount of the filler, the coating method, and the like.
From the viewpoint of workability, based on 100 parts by weight of the resin composition,
The range is preferably 40 to 900 parts by weight, and 100 to 600 parts by weight.
A range of parts by weight is more preferred.

【0029】本発明の樹脂フィルムは、本発明の樹脂組
成物から得られるものであり、樹脂組成物が液状の場合
はそのまま、または溶剤を添加して樹脂ワニスとして用
い、任意の方法により形成できる。たとえば、樹脂ワニ
ス(または液状樹脂組成物)を銅箔等の基材の片面に塗
工し、加熱乾燥により溶剤を除去することにより形成で
きる。ワニスの塗布方法には、ブレードコータ、ロッド
コータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロー
ルコータ、トランスファロールコータ等の基材と平行な
面方向にせん断力を負荷できるか、あるいは、基材の面
に垂直な方向に圧縮力を負荷できる塗布方法を採用する
ことができる。乾燥は、約130〜150℃で2〜30
分間程度行って、熱硬化性樹脂の場合は半硬化状のベタ
ツキのない状態にすることが好ましい。樹脂フィルムを
プリプレグとして用いる場合は、ガラスクロスや紙等の
通常用いられている基材に樹脂ワニスを含浸させ、乾燥
させて溶剤を揮発させると共にある程度樹脂の硬化を進
め、Bステージ状態(樹脂がプレスで溶融軟化する程度
の半硬化状態)とすることが好ましい。
The resin film of the present invention is obtained from the resin composition of the present invention. When the resin composition is in a liquid state, it can be used as it is or as a resin varnish by adding a solvent, and can be formed by any method. . For example, it can be formed by applying a resin varnish (or a liquid resin composition) to one surface of a substrate such as a copper foil and removing the solvent by heating and drying. Varnish can be applied by applying a shearing force in a direction parallel to the substrate such as a blade coater, a rod coater, a knife coater, a squeeze coater, a reverse roll coater, a transfer roll coater, or perpendicular to the surface of the substrate. A coating method capable of applying a compressive force in any direction can be adopted. Dry at about 130-150 ° C for 2-30
It is preferable that the heat treatment is carried out for about a minute so that the thermosetting resin is in a semi-cured state without stickiness. When a resin film is used as a prepreg, a commonly used base material such as glass cloth or paper is impregnated with a resin varnish and dried to evaporate the solvent and at the same time advance the curing of the resin to some extent. (A semi-cured state in which the material is melt-softened by pressing).

【0030】次に、本発明の樹脂組成物または樹脂ワニ
スを用いた電子部品について、図面を参照しながら説明
する。図1は、本発明に係る配線板の一実施形態を模式
的に示した断面図である。配線板(1)は、絶縁層また
は第1絶縁層(11)と配線導体または第1配線導体
(21)とを含んでおり、絶縁層(11)は、樹脂と、
高誘電率充填剤と、前記高誘電率充填剤よりも沈降速度
が小さい充填剤(X)とを含む、上述した本発明の樹脂
組成物から構成されている。図には示していないが、配
線導体(21)は、絶縁層(11)の両面に形成されて
いてもよい。図2は、本発明に係る配線板の別の実施形
態を模式的に示した断面図である。配線板(2)は、第
1絶縁層(11)、第1配線導体(21)、第2絶縁層
(12)、第2配線導体(22)とを含んだ多層配線板
であり、第1絶縁層(11)および第2絶縁層(12)
のうちの少なくとも一方は、上述した本発明の樹脂組成
物から構成されている。図には示していないが、さら
に、第3、第4、第5・・・等の絶縁層と配線導体とが
交互に積層されていてもよい。
Next, an electronic component using the resin composition or the resin varnish of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view schematically showing one embodiment of a wiring board according to the present invention. The wiring board (1) includes an insulating layer or a first insulating layer (11) and a wiring conductor or a first wiring conductor (21). The insulating layer (11) includes a resin,
The resin composition of the present invention includes the high dielectric constant filler and the filler (X) having a lower sedimentation rate than the high dielectric constant filler. Although not shown in the drawing, the wiring conductor (21) may be formed on both surfaces of the insulating layer (11). FIG. 2 is a sectional view schematically showing another embodiment of the wiring board according to the present invention. The wiring board (2) is a multilayer wiring board including a first insulating layer (11), a first wiring conductor (21), a second insulating layer (12), and a second wiring conductor (22). Insulating layer (11) and second insulating layer (12)
At least one of them is composed of the resin composition of the present invention described above. Although not shown in the figure, third, fourth, fifth, etc. insulating layers and wiring conductors may be alternately laminated.

【0031】多層配線板の場合、絶縁層のうちの少なく
とも任意の1層は、本発明の樹脂組成物から構成されて
いればよく、また、複数層に対し、様々な誘電率を有す
る本発明の樹脂組成物を用いることもできる。一方、回
路部に相当する樹脂層には、低誘電率の樹脂、たとえば
ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリブタジエン樹脂、
フッ素樹脂等を用い、高密度実装化された多層板とする
こともできる。
In the case of a multilayer wiring board, at least any one of the insulating layers only needs to be composed of the resin composition of the present invention. Can also be used. On the other hand, the resin layer corresponding to the circuit portion includes a resin having a low dielectric constant, for example, a polyphenylene oxide resin, a polybutadiene resin,
It is also possible to use a fluororesin or the like to form a high-density multilayer board.

【0032】配線板の製造は、第1絶縁層(11)を形
成する工程と、第1絶縁層(11)の少なくとも一方の
面に第1配線導体(21)を形成する工程とを含む。多
層配送板の場合は、さらに、第1配線導体(21)に第
2絶縁層(12)を形成する工程と、第2絶縁層(1
2)に第2配線導体(22)を形成する工程とを含んで
いる。絶縁層は、任意の公知方法により形成することが
でき、樹脂ワニスを塗布・乾燥させてもよいし、樹脂フ
ィルムを積層プレスしてもよい。
The manufacture of the wiring board includes a step of forming a first insulating layer (11) and a step of forming a first wiring conductor (21) on at least one surface of the first insulating layer (11). In the case of a multilayer delivery board, a step of forming a second insulating layer (12) on the first wiring conductor (21) and a step of forming the second insulating layer (1) are further performed.
2) forming a second wiring conductor (22). The insulating layer can be formed by any known method, and a resin varnish may be applied and dried, or a resin film may be laminated and pressed.

【0033】配線導体には、銅、銀、金、アルミニウ
ム、クロム、タングステン、モリブデン等の任意の導体
を用いることができる。これらは、金属箔として用いる
か、または、蒸着、メッキ等により絶縁層上に形成する
ことができ、サブトラクティブ法またはアディティブ法
により内層回路を形成して、スルーホールにより相互接
続し、それぞれを配線層、グランド層、電源層として機
能させることができる。配線の構造は、片面配線、両面
配線、多層配線のいずれでもよく、必要に応じて選択す
ることができる。配線板は、半導体パッケージ搭載用と
して用いてもよいし、半導体パッケージ内において半導
体チップの搭載用基板として用いてもよい。
As the wiring conductor, any conductor such as copper, silver, gold, aluminum, chromium, tungsten, and molybdenum can be used. These can be used as metal foil or formed on an insulating layer by vapor deposition, plating, etc., an inner layer circuit is formed by a subtractive method or an additive method, interconnected by through holes, and each is wired Layer, a ground layer, and a power supply layer. The wiring structure may be any of single-sided wiring, double-sided wiring, and multilayer wiring, and can be selected as needed. The wiring board may be used for mounting a semiconductor package or may be used as a substrate for mounting a semiconductor chip in a semiconductor package.

【0034】図3は、本発明に係る半導体パッケージの
一実施形態を模式的に示した断面図である。半導体パッ
ケージ(3)は、半導体搭載用基板(10)と半導体搭
載用基板(10)に搭載された半導体チップ(30)と
が封止用樹脂(40)により封止されてなる。ここで、
半導体搭載用基板(10)が本発明に係る樹脂組成物を
用いた配線板(つまり本発明に係る配線板)であるか、
または、封止用樹脂(40)が本発明に係る樹脂組成物
であるように構成されている。あるいは、半導体搭載用
基板(10)と封止用樹脂(40)の双方が、本発明の
樹脂組成物を用いたものであることも好ましい。半導体
チップは、個別デバイスの半導体チップでもよいし、モ
ノリシックICとしての半導体チップでもよく、後者の
場合は、受動素子、能動素子が半導体チップに搭載され
たものを用いることができる。
FIG. 3 is a sectional view schematically showing one embodiment of a semiconductor package according to the present invention. The semiconductor package (3) includes a semiconductor mounting substrate (10) and a semiconductor chip (30) mounted on the semiconductor mounting substrate (10) sealed with a sealing resin (40). here,
Whether the semiconductor mounting substrate (10) is a wiring board using the resin composition according to the present invention (that is, the wiring board according to the present invention),
Alternatively, it is configured such that the sealing resin (40) is the resin composition according to the present invention. Alternatively, it is also preferable that both the semiconductor mounting substrate (10) and the sealing resin (40) use the resin composition of the present invention. The semiconductor chip may be a semiconductor chip of an individual device or a semiconductor chip as a monolithic IC. In the latter case, a passive element and an active element mounted on the semiconductor chip can be used.

【0035】半導体パッケージの製造法は、半導体搭載
用基板に半導体チップを搭載する工程と、封止用樹脂
(本発明の樹脂組成物)を封入して基板と半導体チップ
とを封止する工程と、を含んでいる。また、封止用樹脂
として樹脂ワニスを用いる場合は、半導体搭載用基板に
半導体チップを搭載する工程と、封止用樹脂ワニス(本
発明の樹脂ワニス)を封入して基板と半導体チップとを
封止する工程と、ワニス中の溶剤を除去する工程と、を
含む。各工程は、従来公知の方法により実施することが
できる。素子を封止する方法としては、トランスファ成
形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、
圧縮成形法等を用いてもよい。成形条件は用途に応じて
適宜設定できるが、成形温度160〜220℃、成形圧
力2〜12MPa、成形時間1〜10分間とすることが
好ましい。
The method of manufacturing a semiconductor package includes a step of mounting a semiconductor chip on a substrate for mounting a semiconductor, a step of sealing a sealing resin (the resin composition of the present invention) and sealing the substrate and the semiconductor chip. , Including. When a resin varnish is used as a sealing resin, a step of mounting a semiconductor chip on a semiconductor mounting substrate, and sealing the resin varnish for sealing (the resin varnish of the present invention) to seal the substrate and the semiconductor chip. Stopping and removing the solvent in the varnish. Each step can be performed by a conventionally known method. As a method of sealing the element, a transfer molding method is most common, but an injection molding method,
A compression molding method or the like may be used. The molding conditions can be appropriately set according to the application, but it is preferable that the molding temperature is 160 to 220 ° C., the molding pressure is 2 to 12 MPa, and the molding time is 1 to 10 minutes.

【0036】図4は、本発明に係る半導体パッケージ搭
載配線板の一実施形態を模式的に示した断面図である。
半導体パッケージ搭載配線板(4)は、配線板(2)に
半導体パッケージ(3)が搭載されてなるものであり、
配線板および半導体パッケージのうちの少なくとも一方
が、本発明に係る配線板であるか、本発明に係る半導体
パッケージである。図には配線板として多層のものを示
したが、単層の配線板でもよい。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a wiring board mounted with a semiconductor package according to the present invention.
The semiconductor package mounting wiring board (4) is obtained by mounting the semiconductor package (3) on the wiring board (2).
At least one of the wiring board and the semiconductor package is the wiring board according to the present invention or the semiconductor package according to the present invention. Although a multi-layer wiring board is shown in the figure, a single-layer wiring board may be used.

【0037】図5は、本発明に係る配線板用材料の一実
施形態を模式的に示した断面図である。配線板用材料
(5)は、キャリアフィルム(50)と本発明に係る樹
脂組成物からなる樹脂層(11)とを含んでいる。配線
板用材料は、キャリアフィルムに対し、本発明の樹脂組
成物を塗布してもよいし、本発明の樹脂フィルムを積層
プレスしてもよい。また、本発明の樹脂ワニスを用いる
場合は、キャリアフィルムに対し樹脂ワニスを塗布する
工程と、ワニス中の溶剤を除去する工程と、を含んでい
る。各工程は、従来公知の方法により実施することがで
きる。
FIG. 5 is a sectional view schematically showing one embodiment of the wiring board material according to the present invention. The wiring board material (5) includes a carrier film (50) and a resin layer (11) made of the resin composition according to the present invention. For the wiring board material, the resin composition of the present invention may be applied to a carrier film, or the resin film of the present invention may be laminated and pressed. When the resin varnish of the present invention is used, the method includes a step of applying the resin varnish to the carrier film and a step of removing the solvent in the varnish. Each step can be performed by a conventionally known method.

【0038】以上に説明した他、本発明の樹脂組成物
は、フィルムコンデンサ、LCR、フィルタ、オシレー
タ等の電子部品単体としても使用することができる。
In addition to the above, the resin composition of the present invention can be used as a single electronic component such as a film capacitor, an LCR, a filter, and an oscillator.

【0039】[0039]

【実施例】以下の実施例において、「部」は「重量部」
を表す。 [実施例1〜4、比較例]樹脂ワニスとして、エポキシ
樹脂(油化シェル株式会社製YL−6262)100
部、ジシアンジアミド3部、メチルエチルケトン27
部、メチルセルソルブ27部の混合物を用いた。高誘電
率充填剤として、チタン酸バリウム(富士チタン工業株
式会社製BT−100M、D(粒子径):1.50μ
m、ρ(粒子密度):6.00g/cm)を用い、
充填剤(X)として、二酸化チタン(富士チタン工業株
式会社製TM−1、D:0.40μm、ρ:4.2
5g/cm)、チタン酸ストロンチウム(富士チタン
工業株式会社製ST、D:1.10μm、ρ:4.
90g/cm)、三酸化アンチモン(日本精鉱株式会
社製PATOX−U、D:0.04μm、ρ:5.
20g/cm)を用いた。
EXAMPLES In the following examples, "parts" means "parts by weight".
Represents [Examples 1 to 4, Comparative Example] As a resin varnish, an epoxy resin (YL-6262 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) 100
Parts, dicyandiamide 3 parts, methyl ethyl ketone 27
And 27 parts of methylcellosolve. As a high dielectric constant filler, barium titanate (manufactured by Fuji Titanium Industry Co., Ltd. BT-100M, D p (particle size): 1.50μ
m, ρ p (particle density): 6.00 g / cm 3 )
As the filler (X), titanium dioxide (TM-1, manufactured by Fuji Titanium Co., Ltd., D p : 0.40 μm, ρ p : 4.2)
5g / cm 3), strontium titanate (Fuji Titanium Industry Co., Ltd., ST, D p: 1.10μm, ρ p: 4.
90 g / cm 3 ), antimony trioxide (PATOX-U manufactured by Nippon Seiko Co., Ltd., D p : 0.04 μm, ρ p : 5.
20 g / cm 3 ).

【0040】以上の成分を、表1に示す組成で配合し、
ビーズミルを用いて、容器500ml、ビーズ150m
l、サンプル200ml、1000rpm/1時間の条
件で、室温下、実施例および比較例の熱硬化性樹脂組成
物を調製した。
The above components were blended in the composition shown in Table 1,
Using a bead mill, container 500ml, beads 150m
1. The thermosetting resin compositions of Examples and Comparative Examples were prepared at room temperature under the conditions of 1, 200 ml of sample, and 1000 rpm / 1 hour.

【0041】得られた実施例、比較例の組成物の流体密
度、流体粘度、充填剤(X)の沈降速度、チタン酸バリ
ウムの沈降速度と沈降日数、比較例の沈降時間(日数)
を1とした場合の実施例のチタン酸バリウムの沈降時間
比、チタン酸バリウムの再分散性を求めた。沈降日数お
よび再分散性は目視で評価し、後者は、組成物をポリ瓶
中に入れて蓋をして振り、良好を○、不良を×とした。
結果を表1に示す。
Fluid density, fluid viscosity, settling speed of filler (X), settling speed and settling days of barium titanate, settling time (days) of comparative examples
Was set to 1, the sedimentation time ratio of barium titanate and the redispersibility of barium titanate in Examples were determined. The number of days for sedimentation and redispersibility were visually evaluated. In the latter, the composition was placed in a plastic bottle, covered with a lid, and shaken.
Table 1 shows the results.

【0042】[0042]

【表1】 充填剤(X)を含まない比較例の組成物では、高誘電率
充填剤の沈降が生じやすく、また、沈降した充填剤は容
器底部で固まってしまい、再分散させることができなか
った。一方、充填剤(X)を含む実施例の組成物では、
高誘電率充填剤の沈降が抑制されて分散性に優れ、沈降
後も再撹拌により容易に再分散されることが判明した。
特に、実施例2では、90日経過まで高誘電率充填剤が
沈降することなく、優れた沈降抑制効果が示された。
[Table 1] In the composition of the comparative example containing no filler (X), the high dielectric constant filler was liable to settle, and the settled filler was solidified at the bottom of the container and could not be redispersed. On the other hand, in the composition of the example containing the filler (X),
It was found that the sedimentation of the high dielectric constant filler was suppressed and the dispersibility was excellent, and that the filler was easily redispersed after the sedimentation by re-stirring.
In particular, in Example 2, the high-dielectric-constant filler did not settle until 90 days, showing an excellent anti-settling effect.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、高誘電率充填剤
が沈降しにくく、また、いったん充填剤が沈降しても再
分散性に優れたものであるため、使用のたびに樹脂組成
物または樹脂ワニスを調製する手間が省けて作業効率を
向上させることができると共に、回収して再利用するこ
とも容易である。そして、この樹脂組成物を用いて、高
誘電率充填剤が均一に分散された絶縁樹脂層を形成する
ことができるので、配線板、半導体パッケージ等に用い
て、機能性に優れた小型高密度電子部品とすることがで
きる。
The resin composition of the present invention has a high dielectric constant filler that is unlikely to settle and has excellent redispersibility once the filler has settled. The work efficiency of the product or resin varnish can be improved by eliminating the trouble of preparing the product or resin varnish, and it is easy to collect and reuse the product or resin varnish. Then, using this resin composition, an insulating resin layer in which a high dielectric constant filler is uniformly dispersed can be formed. It can be an electronic component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の配線板の一実施形態を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a wiring board of the present invention.

【図2】本発明の配線板の別の実施形態を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the wiring board of the present invention.

【図3】本発明の半導体パッケージの一実施形態を示す
断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing one embodiment of the semiconductor package of the present invention.

【図4】本発明の半導体パッケージ搭載配線板の一実施
形態を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing one embodiment of a wiring board mounted with a semiconductor package of the present invention.

【図5】本発明の配線板用材料の一実施形態を示す断面
図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing one embodiment of a wiring board material of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 配線板 2 配線板 11 絶縁層 21 配線導体 3 半導体パッケージ 4 半導体パッケージ搭載配線板 5 配線板用材料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 2 Wiring board 11 Insulating layer 21 Wiring conductor 3 Semiconductor package 4 Semiconductor package mounting wiring board 5 Material for wiring board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 B H01L 23/14 R (72)発明者 山口 正憲 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 島田 靖 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 大塚 和久 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 山本 和徳 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 4F071 AA42 AB18 AB20 AE17 AE22 AF40 AH13 BB02 BC01 BC02 4J002 AA001 BB031 BB121 BB161 BC031 BD031 BD101 CC031 CC181 CD001 CD021 CD051 CD061 CD091 CD131 CD141 CF211 CM041 CM051 CP031 DE077 DE097 DE137 DE147 DE186 DG047 DJ017 DJ037 DJ047 FD016 FD017 GQ00 5E346 AA12 AA13 AA15 AA32 AA33 AA51 CC08 CC16 CC21 CC32 CC38 CC39 DD02 DD03 EE09 EE31 EE35 GG18 GG19 GG22 GG28 HH31 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H05K 3/46 B H01L 23/14 R (72) Inventor Masanori Yamaguchi Ogawa Oaza, Shimodate City, Ibaraki Prefecture 1500, Hitachi Chemical Co., Ltd.Research Laboratory (72) Inventor Yasushi Shimada 1500, Oji Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. Kazunori Yamamoto, Inventor, Kazunori Industrial Co., Ltd. 1500 Ogawa, Oaza, Shimodate-shi, Ibaraki Pref.Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd. BC031 BD031 BD101 CC031 CC181 CD001 CD021 CD051 CD061 CD091 CD131 CD141 CF211 CM041 CM051 CP031 DE0 77 DE097 DE137 DE147 DE186 DG047 DJ017 DJ037 DJ047 FD016 FD017 GQ00 5E346 AA12 AA13 AA15 AA32 AA33 AA51 CC08 CC16 CC21 CC32 CC38 CC39 DD02 DD03 EE09 EE31 EE35 GG18 GG19 GG22 GG28 HH31

Claims (23)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高誘電
率充填剤よりも沈降速度が小さい充填剤(X)とを含む
樹脂組成物。
1. A resin composition comprising a resin, a high dielectric constant filler, and a filler (X) having a lower sedimentation rate than the high dielectric constant filler.
【請求項2】 前記高誘電率充填剤の沈降速度を1とし
た場合の前記充填剤(X)の沈降速度が0.5以下であ
る請求項1記載の樹脂組成物。
2. The resin composition according to claim 1, wherein the sedimentation speed of the filler (X) is 0.5 or less when the sedimentation speed of the high dielectric constant filler is 1.
【請求項3】 前記高誘電率充填剤の比誘電率が100
以上である請求項1または2記載の樹脂組成物。
3. The high dielectric constant filler has a relative dielectric constant of 100.
The resin composition according to claim 1 or 2, which is the above.
【請求項4】 前記高誘電率充填剤が、チタン酸バリウ
ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チ
タン酸鉛、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウ
ム、スズ酸バリウム、スズ酸カルシウムからなる群から
選ばれた1種以上である請求項1〜3のいずれかに記載
の樹脂組成物。
4. The high dielectric constant filler is selected from the group consisting of barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, lead titanate, barium zirconate, calcium zirconate, barium stannate, and calcium stannate. The resin composition according to any one of claims 1 to 3, which is at least one kind.
【請求項5】 前記充填剤(X)が、シリカ、アルミ
ナ、二酸化チタン、ジルコニア、ムライト、コージライ
ト、マグネシア、クレー、タルク、硫酸バリウムからな
る群から選ばれた1種以上である請求項1〜4のいずれ
かに記載の樹脂組成物。
5. The filler (X) is at least one selected from the group consisting of silica, alumina, titanium dioxide, zirconia, mullite, cordierite, magnesia, clay, talc, and barium sulfate. 5. The resin composition according to any one of items 1 to 4.
【請求項6】 前記充填剤(X)が前記高誘電率充填剤
よりも比重が小さいものである請求項1〜5のいずれか
に記載の樹脂組成物。
6. The resin composition according to claim 1, wherein the filler (X) has a lower specific gravity than the high dielectric constant filler.
【請求項7】 前記充填剤(X)が前記高誘電率充填剤
よりも粒径が小さいものである請求項1〜6のいずれか
に記載の樹脂組成物。
7. The resin composition according to claim 1, wherein the filler (X) has a smaller particle diameter than the high dielectric constant filler.
【請求項8】 前記樹脂100重量部に対し前記高誘電
率充填剤と前記充填剤(X)が合計で100〜3000
重量部含まれている請求項1〜7のいずれかに記載の樹
脂組成物。
8. A total of 100 to 3000 parts by weight of the high dielectric constant filler and the filler (X) based on 100 parts by weight of the resin.
The resin composition according to any one of claims 1 to 7, which is contained in parts by weight.
【請求項9】 前記高誘電率充填剤100重量部に対し
前記充填剤(X)が10〜200重量部含まれている請
求項1〜8のいずれかに記載の樹脂組成物。
9. The resin composition according to claim 1, wherein the filler (X) is contained in an amount of 10 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the high dielectric constant filler.
【請求項10】 請求項1〜9のいずれかに記載の樹脂
組成物と溶剤とを含む樹脂ワニス。
10. A resin varnish comprising the resin composition according to claim 1 and a solvent.
【請求項11】 前記樹脂組成物100重量部に対し前
記溶剤が40〜900重量部含まれている請求項10記
載の樹脂ワニス。
11. The resin varnish according to claim 10, wherein the solvent is contained in an amount of 40 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin composition.
【請求項12】 請求項1〜9のいずれかに記載の樹脂
組成物からなる樹脂フィルム。
12. A resin film comprising the resin composition according to claim 1.
【請求項13】 絶縁層と配線導体とを含む配線板であ
って、前記絶縁層が樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高
誘電率充填剤よりも沈降速度が小さい充填剤(X)とを
含む樹脂組成物からなるものである配線板。
13. A wiring board including an insulating layer and a wiring conductor, wherein the insulating layer is made of a resin, a high dielectric constant filler, and a filler (X) having a lower sedimentation speed than the high dielectric constant filler. A wiring board comprising a resin composition comprising:
【請求項14】 樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高誘
電率充填剤よりも沈降速度が小さい充填剤(X)とを含
む樹脂組成物からなる第1絶縁層を形成する工程と、 前記第1絶縁層に第1配線導体を形成する工程と、を含
む配線板の製造法。
14. A step of forming a first insulating layer made of a resin composition containing a resin, a filler having a high dielectric constant, and a filler (X) having a lower sedimentation rate than the filler having a high dielectric constant, Forming a first wiring conductor on the first insulating layer.
【請求項15】 前記第1配線導体に第2絶縁層を形成
する工程と、 前記第2絶縁層に第2配線導体を形成する工程と、をさ
らに含む請求項14記載の配線板の製造法。
15. The method of manufacturing a wiring board according to claim 14, further comprising: forming a second insulating layer on the first wiring conductor; and forming a second wiring conductor on the second insulating layer. .
【請求項16】 半導体搭載用基板と前記半導体搭載用
基板に搭載された半導体チップとが封止用樹脂により封
止されてなる半導体パッケージであって、前記半導体搭
載用基板が、絶縁層と配線導体とを含み、前記絶縁層が
樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高誘電率充填剤よりも
沈降速度が小さい充填剤(X)とを含む樹脂組成物から
なるものである半導体パッケージ。
16. A semiconductor package in which a semiconductor mounting substrate and a semiconductor chip mounted on the semiconductor mounting substrate are sealed with a sealing resin, wherein the semiconductor mounting substrate includes an insulating layer and a wiring. A semiconductor package including a conductor, wherein the insulating layer is formed of a resin composition including a resin, a filler having a high dielectric constant, and a filler (X) having a lower sedimentation rate than the filler having a high dielectric constant.
【請求項17】 半導体搭載用基板と前記半導体搭載用
基板に搭載された半導体チップとが封止用樹脂により封
止されてなる半導体パッケージであって、前記封止用樹
脂が、樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高誘電率充填剤
よりも沈降速度が小さい充填剤(X)とを含む樹脂組成
物である半導体パッケージ。
17. A semiconductor package in which a semiconductor mounting substrate and a semiconductor chip mounted on the semiconductor mounting substrate are sealed with a sealing resin, wherein the sealing resin is made of a resin A semiconductor package which is a resin composition comprising a dielectric filler and a filler (X) having a lower sedimentation rate than the high dielectric filler.
【請求項18】 半導体搭載用基板に半導体チップを搭
載する工程と、 樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高誘電率充填剤よりも
沈降速度が小さい充填剤(X)とを含む樹脂組成物によ
り前記半導体搭載用基板と半導体チップとを封止する工
程と、を含む半導体パッケージの製造法。
18. A resin composition comprising: a step of mounting a semiconductor chip on a semiconductor mounting substrate; a resin; a high dielectric constant filler; and a filler (X) having a lower sedimentation velocity than the high dielectric constant filler. Sealing the semiconductor mounting substrate and the semiconductor chip with an object.
【請求項19】 半導体搭載用基板に半導体チップを搭
載する工程と、 樹脂と、高誘電率充填剤と、前記高誘電率充填剤よりも
沈降速度が小さい充填剤(X)と、溶剤とを含む樹脂ワ
ニスにより前記半導体搭載用基板と半導体チップとを封
止する工程と、 前記溶剤を除去する工程と、を含む半導体パッケージの
製造法。
19. A step of mounting a semiconductor chip on a semiconductor mounting substrate, a resin, a high dielectric constant filler, a filler (X) having a lower sedimentation velocity than the high dielectric constant filler, and a solvent. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising: a step of sealing the semiconductor mounting substrate and a semiconductor chip with a resin varnish containing the same; and a step of removing the solvent.
【請求項20】 請求項13記載の配線板に半導体パッ
ケージが搭載されてなる半導体パッケージ搭載配線板。
20. A wiring board on which a semiconductor package is mounted on the wiring board according to claim 13.
【請求項21】 配線板に請求項16または17記載の
半導体パッケージが搭載されてなる半導体パッケージ搭
載配線板。
21. A wiring board on which a semiconductor package according to claim 16 is mounted on a wiring board.
【請求項22】 樹脂層とキャリアフィルムとを含む配
線板用材料であって、前記樹脂層が樹脂と、高誘電率充
填剤と、前記高誘電率充填剤よりも沈降速度が小さい充
填剤(X)とを含む樹脂組成物からなるものである配線
板用材料。
22. A wiring board material including a resin layer and a carrier film, wherein the resin layer has a resin, a high dielectric constant filler, and a filler having a lower sedimentation velocity than the high dielectric constant filler. X) and a resin composition containing the same.
【請求項23】 キャリアフィルムに対し、樹脂と、高
誘電率充填剤と、前記高誘電率充填剤よりも沈降速度が
小さい充填剤(X)と、溶剤とを含む樹脂ワニスを塗布
する工程と、 前記溶剤を除去する工程と、を含む配線板用材料の製造
法。
23. A step of applying a resin varnish containing a resin, a high dielectric constant filler, a filler (X) having a lower sedimentation speed than the high dielectric constant filler, and a solvent to the carrier film. And a step of removing the solvent.
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