JP2002261414A - Wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents

Wiring board and method of manufacturing the same

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JP2002261414A
JP2002261414A JP2001055626A JP2001055626A JP2002261414A JP 2002261414 A JP2002261414 A JP 2002261414A JP 2001055626 A JP2001055626 A JP 2001055626A JP 2001055626 A JP2001055626 A JP 2001055626A JP 2002261414 A JP2002261414 A JP 2002261414A
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JP
Japan
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wiring board
linear
solder
solder bumps
wiring
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Application number
JP2001055626A
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Japanese (ja)
Inventor
Takuya Hanto
琢也 半戸
Fumitaka Nishio
文孝 西尾
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board and a method of manufacturing the same capable of utilizing and arranging in required density a plurality of solder bumps for power terminals of IC chip and/or grounding terminals. SOLUTION: A wiring board comprises linear shape pads 24 expressing linear shape in planar vision in the vicinity of a surface (a first main surface) 30 and linear shape solder bumps 28 formed on the surface of the linear shape pads 24. The wiring board 1 having a linear shape solder bump 28 with 400 μm or more length and the solder bumps 28 and 28 with 200 μm or less distance can be included.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップなどの
半導体素子を実装する第1主面に細長いハンダバンプを
有する配線基板およびその製造方法に関する。
The present invention relates to a wiring board having elongated solder bumps on a first main surface on which a semiconductor element such as an IC chip is mounted, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決すべき課題】従来、配線
基板におけるICチップなどを実装する第1主面には、
ICチップの底面に形成される多数の外部接続端子に個
別に対応して、平面視がほぼ円形または方形のハンダバ
ンプが格子状または散点状にして多数配置されている。
しかしながら、上記のようなハンダバンプでは、実装す
るICチップなどに比較的大きな電流を給電するための
電源用端子としたり、ICチップの多数の外部接続端子
から接地を取るためのグランド用端子にすることは困難
であった。
2. Description of the Related Art Conventionally, a first principal surface of a wiring board for mounting an IC chip or the like includes:
A large number of solder bumps, each having a substantially circular or rectangular shape in plan view, are arranged in a grid or scattered shape, corresponding to a large number of external connection terminals individually formed on the bottom surface of the IC chip.
However, the above-mentioned solder bumps should be used as power supply terminals for supplying a relatively large current to an IC chip or the like to be mounted, or as ground terminals for grounding a large number of external connection terminals of the IC chip. Was difficult.

【0003】また、実装するICチップに対し比較的大
きな電流を給電する電源用端子やグランド用端子として
用いるために、個別のハンダバンプの面積を配線基板の
第1主面上で縦・横方向に広げると、必要とする数のハ
ンダバンプが確保できない、という問題もあった。本発
明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決
し、複数のハンダバンプをICチップの電源用端子やグ
ランド用端子として活用でき且つ所要の密度で配置でき
る配線基板を提案すること、を課題とする。
In order to use as a power supply terminal and a ground terminal for supplying a relatively large current to an IC chip to be mounted, the area of each solder bump must be increased in the vertical and horizontal directions on the first main surface of the wiring board. When it is spread, there is a problem that a required number of solder bumps cannot be secured. The present invention solves the problems in the conventional technology described above, and proposes a wiring board that can utilize a plurality of solder bumps as power supply terminals and ground terminals of an IC chip and can be arranged at a required density. Make it an issue.

【0004】また、直線状のパッドの表面に同形状のハ
ンダバンプを印刷し且つリフローすると、当該ハンダの
表面張力により、1つまたは複数の球状ハンダとなり、
直線形のハンダバンプが形成できない、という問題があ
った。更に、直線形のハンダバンプを形成する際に、ハ
ンダ印刷後リフローする場合、ハンダバンプが高密度で
配置されていると、隣り合うハンダバンプ同士が接触し
ショートの原因に至る、という問題もあった。本発明
は、以上の問題点を解決し、直線形パッドの表面に直線
形ハンダバンプを形成でき、隣り合うハンダバンプ同士
がリフロー時に接触することなく形成可能な配線基板の
製造方法を提供する、ことも課題とする。
When solder bumps of the same shape are printed on the surface of a linear pad and reflowed, one or more spherical solders are formed due to the surface tension of the solder.
There is a problem that a linear solder bump cannot be formed. Furthermore, when reflow is performed after solder printing when forming a linear solder bump, there is another problem that if the solder bumps are arranged at a high density, adjacent solder bumps come into contact with each other and cause a short circuit. The present invention solves the above problems, and provides a method of manufacturing a wiring board that can form a linear solder bump on the surface of a linear pad and that can be formed without contact between adjacent solder bumps during reflow. Make it an issue.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、ハンダバンプを細長い形状とし、複数のハ
ンダバンプを互いに平行に配置し得ることに着想して成
されたものである。即ち、本発明の配線基板(請求項1)
は、平面視において直線形状を呈する直線形パッドと、
上記直線形パッドの表面に形成された直線形ハンダバン
プと、を有する、ことを特徴とする。尚、かかる配線基
板は、平面視で互いに平行に配置された複数の直線形パ
ッドと、この直線形パッドの表面に個別に形成された直
線形ハンダバンプと、を有する、とすることも可能であ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention has been made with an idea that a solder bump has an elongated shape and a plurality of solder bumps can be arranged in parallel with each other. That is, the wiring board of the present invention (Claim 1)
Is a linear pad having a linear shape in plan view,
And a linear solder bump formed on the surface of the linear pad. Note that such a wiring board may include a plurality of linear pads arranged in parallel with each other in a plan view, and linear solder bumps individually formed on the surfaces of the linear pads. .

【0006】これらによれば、所要数の細長いハンダバ
ンプを配線基板の表面(第1主面)において、比較的大き
な電流を給電するための電源用端子やグランド用端子と
することができる。また、細長いハンダバンプを互いに
ショートさせることなく高密度にして配置することもで
きる。従って、表面上に実装するICチップなどの半導
体素子の電源用端子やグランド用端子として十分に活用
できるため、実装する半導体素子を高性能化したり、内
部配線を高密度化することが容易となる。尚、本明細書
におけるハンダには、典型的なSn−Pb系合金(いわ
ゆる半田)に限らず、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu
系、Sn−Sb系、Sn−Zn系などの低融点合金も含
まれる。また、本発明の配線基板には、樹脂製の絶縁層
と配線層とを積層する樹脂系多層基板はもとより、セラ
ミック製の絶縁層と配線層とを積層するセラミック系多
層基板や、1000℃以下で焼成するいわゆる低温焼成
基板も含まれる。
According to these, a required number of elongated solder bumps can be used as power supply terminals and ground terminals for supplying a relatively large current on the surface (first main surface) of the wiring board. In addition, elongated solder bumps can be arranged at high density without short-circuiting each other. Therefore, since it can be sufficiently used as a power supply terminal and a ground terminal of a semiconductor element such as an IC chip mounted on the surface, it is easy to increase the performance of the mounted semiconductor element and to increase the density of internal wiring. . It should be noted that the solder in this specification is not limited to a typical Sn-Pb-based alloy (so-called solder), but may be a Sn-Ag-based, Sn-Ag-Cu
Low melting point alloys such as Sn-based, Sn-Sb-based and Sn-Zn-based alloys are also included. Further, the wiring board of the present invention includes a resin-based multilayer board in which a resin insulating layer and a wiring layer are stacked, a ceramic-based multilayer board in which a ceramic insulating layer and a wiring layer are stacked, and 1000 ° C. or lower. A so-called low-temperature fired substrate fired at a temperature is also included.

【0007】付言すれば、前記直線形パッドは、配線基
板の表面(第1主面)を形成するソルダーレジスト層に穿
設した開口部の底面に位置している、配線基板とするこ
とも可能である。かかる直線形パッドは、例えばソルダ
ーレジスト層の直下に形成される配線層内における細長
い配線の上面が用いられる。即ち、ソルダーレジスト層
は、前記直線形パッドの表面の一部にかかる形態と、直
線形パッドの表面にかからない形態との何れかにして形
成される。また、前記ソルダーレジスト層の表面よりも
前記直線形ハンダバンプの頂部が高く突出している、配
線基板とすることも可能である。従来、ソルダーレジス
ト層の開口部の内側に形成される直線形パッドに、ハン
ダバンプを直線形に形成しようとすると、ハンダのリフ
ロー時に当該ハンダの表面張力により球状ハンダとなっ
てしまい、直線形のハンダバンプを有する配線基板は形
成することができなかった。しかし、本発明により、か
かる配線基板を実現したものである。
[0007] In addition, the linear pad may be a wiring board located at the bottom of an opening formed in a solder resist layer forming the surface (first main surface) of the wiring board. It is. As such a linear pad, for example, the upper surface of an elongated wiring in a wiring layer formed immediately below a solder resist layer is used. That is, the solder resist layer is formed in one of a form covering a part of the surface of the linear pad and a form not covering the surface of the linear pad. Further, it is also possible to provide a wiring board in which the top of the linear solder bump protrudes higher than the surface of the solder resist layer. Conventionally, if a solder bump is to be formed linearly on a linear pad formed inside the opening of the solder resist layer, the solder becomes a spherical solder due to the surface tension of the solder during reflow of the solder, and the linear solder bump is formed. Could not be formed. However, such a wiring board is realized by the present invention.

【0008】尚また、前記直線形ハンダバンプの頂部が
平坦な頂面である、配線基板とすることも可能である。
尚更に、前記直線型ハンダバンプの上記頂面の平坦度
(コプラナリティ)が1mm当たり1μm以下である、配
線基板とすることも可能である。これらによる場合、実
装されるICチップの外部端子との接触面積を容易に確
保でき、かかるICチップの電源用端子やグランド用端
子として確実に用いることができる。
[0008] It is also possible to provide a wiring board in which the tops of the linear solder bumps are flat tops.
Still further, the flatness of the top surface of the linear solder bumps
It is also possible to use a wiring board having a (coplanarity) of 1 μm or less per 1 mm. In these cases, the contact area of the mounted IC chip with the external terminal can be easily secured, and the IC chip can be reliably used as a power terminal or a ground terminal.

【0009】また、前記直線形パッドの長さは400μ
m以上である、配線基板も本発明に含まれる。尚、前記
直線形パッドの長さは400μm以上であり、且つ前記
直線形パッドが複数形成された際のパッド同士の間隔は
50μm以上で且つ200μm以下である、配線基板と
することも可能である。更に、前記直線形パッドにおい
て、その長さはその幅の5倍以上である、配線基板も本
発明に含まれる。これらによれば、配線基板の表面(第
1主面)において、複数の直線形ハンダバンプを所定間
隔で印刷形成しても、リフロー時に隣接し合うハンダバ
ンプ同士が接触しにくくなるため、所要数の直線形ハン
ダバンプを互いにショートさせることなく高密度にして
確実に配置した配線基板となる。
The length of the linear pad is 400 μm.
The present invention also includes a wiring board having a diameter of at least m. The length of the linear pad is 400 μm or more, and the interval between the pads when a plurality of the linear pads are formed is 50 μm or more and 200 μm or less. . Further, the present invention also includes a wiring board in which the length of the linear pad is at least five times the width thereof. According to these, even if a plurality of linear solder bumps are printed and formed at predetermined intervals on the surface (first main surface) of the wiring board, adjacent solder bumps are less likely to come into contact with each other during reflow. It becomes a wiring board in which the high density solder bumps are securely arranged without short-circuiting each other.

【0010】従来は、直線形パッドの長さが400μm
以上になると、ハンダバンプのリフロー時に当該ハンダ
の表面張力により、球状のハンダとなってしまうため、
直線形ハンダバンプのままの形状を保つことはできなか
った。また、直線形パッドの長さがその幅の5倍以上に
なる場合も、上記と同様であった。本発明により、上記
直線形ハンダバンプを有する配線基板が実施可能となっ
た。尚、複数の直線形ハンダバンプ同士の間隔が50μ
m未満になると、接触しショートに至ると共に係る間隔
で形成することも困難となるため、かかる範囲を除外し
た。
Conventionally, a linear pad has a length of 400 μm.
With the above, a spherical solder is formed due to the surface tension of the solder at the time of reflow of the solder bump,
The shape as a straight solder bump could not be maintained. The same applies to the case where the length of the linear pad is at least five times its width. According to the present invention, a wiring board having the above-mentioned linear solder bumps can be implemented. The interval between the plurality of linear solder bumps is 50 μm.
When the distance is less than m, it is difficult to form at such an interval because of contact and short-circuiting. Therefore, such a range is excluded.

【0011】一方、本発明の配線基板の製造方法(請求
項4)は、配線基板の表面付近において平面視で互いに
平行に配置された複数の直線形パッドの上にハンダバン
プを印刷により個別に形成する工程と、上記ハンダバン
プの形成部分を除いた表面上にスペーサを配置した配線
基板を一対の板状体間に挿入し、かかる一対の板状体間
に上記スペーサおよび配線基板の全厚みよりも大きなサ
イズの熱変形体を介在させ且つ挟み込んた状態で、上記
ハンダバンプをリフローする工程と、を含む、ことを特
徴とする。これによれば、リフロー時の加熱によってハ
ンダボールなどの熱変形体が軟化するため、ハンダバン
プ側の板状体は他方の板状体寄りにシフトする。従っ
て、直線形ハンダバンプの頂部は、シフトした板状体に
より押さえ付けられて平坦な頂面となるため、接続端子
として十分に活用し得る配線基板が提供可能となる。
On the other hand, according to a method of manufacturing a wiring board of the present invention (claim 4), solder bumps are individually formed by printing on a plurality of linear pads arranged parallel to each other in plan view near the surface of the wiring board. And inserting a wiring board having a spacer disposed on the surface excluding the portion where the solder bumps are formed, between the pair of plate-like bodies, and between the pair of plate-like bodies, the total thickness of the spacer and the wiring board Reflowing the solder bumps with a large-sized heat-deformed body interposed and sandwiched therebetween. According to this, since the heat deformable body such as the solder ball is softened by the heating at the time of the reflow, the plate-like body on the solder bump side shifts toward the other plate-like body. Therefore, the top of the linear solder bump is pressed by the shifted plate-like body to become a flat top surface, so that it is possible to provide a wiring board that can be sufficiently used as a connection terminal.

【0012】尚、上記板状体には、ハンダバンプと反応
せず且つ熱変形しにくい例えばガラス板が用いられる。
また、熱変形体にハンダボールを用いる際は、その直径
が前記スペーサおよび配線基板の全厚みよりも大きいも
のが使用される。但し、熱変形体は、ハンダなどの低融
点合金からなる円柱体や多角柱体などで、その軸心方向
の長さが前記スペーサおよび配線基板の全厚みよりも長
いものを用いても良い。かかるハンダボールなどは、上
記ハンダバンプの融点と同じか、それよりも低融点の合
金から形成される。付言すると、前記熱変形体(ハンダ
ボール)の融点は、ハンダバンプの融点よりも低い、配
線基板の製造方法とすることも可能である。これによれ
ば、ハンダボールなどがハンダバンプよりも先に軟化・
溶融するため、ハンダバンプの不用意な変形を防ぎ、当
該バンプの頂部を平坦な頂面とした直線形ハンダバンプ
を確実に形成することができる。
For the plate-like member, for example, a glass plate which does not react with the solder bumps and is not easily deformed by heat is used.
When a solder ball is used as the heat-deformable body, the diameter thereof is larger than the total thickness of the spacer and the wiring board. However, the heat deformable body may be a cylindrical body or a polygonal cylindrical body made of a low melting point alloy such as solder, and the length in the axial direction may be longer than the total thickness of the spacer and the wiring board. Such a solder ball or the like is formed of an alloy having a melting point equal to or lower than the melting point of the solder bump. In addition, it is also possible to adopt a method for manufacturing a wiring board, wherein the melting point of the heat deformable body (solder ball) is lower than the melting point of the solder bump. According to this, solder balls etc. soften before solder bumps
Since the solder bumps are melted, careless deformation of the solder bumps can be prevented, and a linear solder bump having a flat top surface can be reliably formed.

【0013】但し、熱変形体の材質には、常温とリフロ
温度との間に変態点を有する形状記憶合金または超弾性
合金、あるいは常温とリフロ温度との間で変形するバイ
メタルを適用することも可能である。加えて、一対の板
状体の間に配線基板を挟み付けるため、かかる板状体の
対向する辺に、例えば複数のクリップまたはクランプ、
あるいは複数の錘りを配置することも可能である。ま
た、前記製造方法(請求項4)により製造された(請求項
1乃至3の何れかに記載の)前記配線基板も本発明に含
まれる。
However, as a material of the heat deformable body, a shape memory alloy or a superelastic alloy having a transformation point between normal temperature and reflow temperature, or a bimetal deformable between normal temperature and reflow temperature may be applied. It is possible. In addition, in order to sandwich the wiring board between a pair of plate-like bodies, for example, a plurality of clips or clamps,
Alternatively, a plurality of weights can be arranged. The present invention also includes the wiring board (described in any one of claims 1 to 3) manufactured by the manufacturing method (claim 4).

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図1(A)は、本発明によ
る1形態の配線基板1の平面図を示し、一辺が約20m
mのほぼ正方形を呈する第1主面(配線基板1の表面)3
0において、複数の直線形ハンダバンプ28が互いに平
行に形成されている状態を示す。尚、第1主面30は、
配線基板1の最上層を形成するソルダーレジスト層26
の表面である。個別の直線形ハンダバンプ28は、Sn
−Ag系のハンダからなり、平面視において直線状を呈
し、その長さ約10mmで且つ幅約70μmであり、隣
接するハンダバンプ28との間には、約80μmの間隔
の隙間が配置されている。因みに、直線形ハンダバンプ
28は、その長さがその幅の約140倍である。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view of a wiring board 1 according to one embodiment of the present invention, and each side has a length of about 20 m.
The first main surface (surface of the wiring substrate 1) 3 having a substantially square shape of m
0 shows a state where a plurality of linear solder bumps 28 are formed in parallel with each other. The first main surface 30 is
Solder resist layer 26 forming the uppermost layer of wiring board 1
Surface. The individual linear solder bumps 28 are made of Sn
-It is made of Ag-based solder, has a linear shape in plan view, has a length of about 10 mm and a width of about 70 µm, and has a gap of about 80 µm between adjacent solder bumps 28. . Incidentally, the length of the linear solder bump 28 is about 140 times its width.

【0015】図1(B),(C)に拡大して示すように、個
別の直線形ハンダバンプ28は、ソルダーレジスト層2
6に穿設した開口部26aから露出するほぼ同じ形状の
直線形パッド24の真上から第1主面30よりも高く突
出して形成されている。尚、各直線形ハンダバンプ28
は、例えばSn−Ag系合金からなり、その頂面28a
は第1主面30よりも約20μm高く突出している。ま
た、直線形ハンダバンプ28の頂面28aは、平坦な水
平面で且つその平坦度(コプラナリティ)は、1mm当た
り1μm以下になるよう予め形成されている。
As shown in FIG. 1B and FIG. 1C, the individual linear solder bumps 28 are formed on the solder resist layer 2.
6 is formed to project higher than the first main surface 30 from directly above the linear pad 24 of substantially the same shape exposed from the opening 26a formed in the hole 6. In addition, each linear solder bump 28
Is made of, for example, a Sn-Ag alloy, and its top surface 28a
Project about 20 μm higher than the first main surface 30. The top surface 28a of the linear solder bump 28 is formed in advance so as to be a flat horizontal surface and its flatness (coplanarity) is 1 μm or less per 1 mm.

【0016】図2(A)は、図1(B)中のX−X線に沿っ
た配線基板1の垂直断面を示す。配線基板1は、図2
(A)に示すように、コア基板3と、その表面4上と裏面
5下とに複数の樹脂絶縁層12,18,26,13,1
9,25および配線層10,16,22,11,17,
23を交互に積層したビルドアップ層とを有する。コア
基板3は、例えばガラス−エポキシ樹脂の複合材からな
り、表・裏面4,5を有する厚さが約0.8mmで、平
面視がほぼ正方形で絶縁板である。また、コア基板3の
表・裏面4,5間には、直径約100μmのスルーホー
ル6が複数貫通し、その内部に銅製のスルーホール導体
8および充填樹脂9が形成されている。充填樹脂9は、
シリカフィラを含むエポキシ系樹脂からなる。
FIG. 2A shows a vertical cross section of the wiring board 1 along the line XX in FIG. 1B. The wiring board 1 is shown in FIG.
As shown in FIG. 1A, a plurality of resin insulating layers 12, 18, 26, 13, 1 are formed on a core substrate 3 and on a front surface 4 and a back surface 5 thereof.
9, 25 and wiring layers 10, 16, 22, 11, 17,
23 are alternately stacked. The core substrate 3 is made of, for example, a composite material of glass-epoxy resin, has a thickness of about 0.8 mm having front and rear surfaces 4 and 5, is an approximately square in plan view, and is an insulating plate. A plurality of through-holes 6 having a diameter of about 100 μm penetrate between the front and back surfaces 4 and 5 of the core substrate 3, and a copper through-hole conductor 8 and a filling resin 9 are formed therein. Filling resin 9
It is made of an epoxy resin containing silica filler.

【0017】図2(A)に示すように、コア基板3の表面
4の上方には、シリカフィラなどの無機フィラを含むエ
ポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層12,18,26と、所
定のパターンを有するCu製の配線層10,16,22
とが交互に積層されたビルドアップ層が形成されてい
る。絶縁層12,18内には、配線層10,16間、ま
たは配線層16,22間を接続するフィルドビア導体1
4,20が形成されている。尚、以上の絶縁層12,1
8の厚みは約30μmであり、最上層に位置する絶縁層
(ソルダーレジスト層)26の厚みは約20μmとされて
いる。
As shown in FIG. 2A, resin insulating layers 12, 18, and 26 made of an epoxy resin containing an inorganic filler such as a silica filler and a predetermined pattern are provided above the surface 4 of the core substrate 3. Cu wiring layers 10, 16, 22 having
Are alternately stacked to form a build-up layer. In the insulating layers 12 and 18, the filled via conductor 1 connecting between the wiring layers 10 and 16 or between the wiring layers 16 and 22 is provided.
4, 20 are formed. The above insulating layers 12, 1
8 is about 30 μm thick, and the insulating layer located on the uppermost layer
(Solder resist layer) 26 has a thickness of about 20 μm.

【0018】最上層の配線層22は、図2(A)で前後方
向に沿って細長く且つ複数のビア導体20の上に跨って
形成されると共に、その表面上には細長い直線形パッド
24が位置している。図2(B)に拡大して示すように、
直線形パッド24は、その表面上にNiおよびAuメッ
キを積層したメッキ膜24aが被覆され、かかるNiメ
ッキ膜は約5μm、Auメッキ膜は0.02〜0.15
μmの厚みを有する。かかる直線形パッド24は、絶縁
層(ソルダーレジスト層)26に穿設した細長い開口部2
6aを介して第1主面30側に露出する。
The uppermost wiring layer 22 is elongated in the front-rear direction in FIG. 2A and formed over a plurality of via conductors 20. On the surface thereof, elongated linear pads 24 are formed. positioned. As shown in FIG.
The linear pad 24 is coated on its surface with a plating film 24a in which Ni and Au plating are laminated, the Ni plating film is about 5 μm, and the Au plating film is 0.02 to 0.15.
It has a thickness of μm. Such a linear pad 24 is formed in an elongated opening 2 formed in an insulating layer (solder resist layer) 26.
It is exposed to the first main surface 30 side via 6a.

【0019】また、上記直線形パッド24の上には、絶
縁層26を貫通し第1主面30よりも高く突出する断面
ほぼ蒲鉾形の直線形ハンダバンプ28が印刷などによっ
て形成され、その平坦な頂面28aにおいて第1主面3
0上に実装されるICチップ(図示せず)の底面に突設さ
れた複数の外部端子と個別に接続される。尚、図2(C)
に示すように、配線層22の幅よりも幅広の開口部26
bを絶縁層26に穿設し、その底部に露出する直線形パ
ッド24の表面および両側面にNiおよびAuメッキを
積層したメッキ膜24bを被覆することもできる。この
形態では、図示のように、配線層22、直線形パッド2
4、および直線形ハンダバンプ28の両側面と開口部2
6bの両側壁との間に隙間を形成しても良い。
On the linear pad 24, a linear solder bump 28 having a substantially semi-cylindrical cross section is formed by printing or the like, which penetrates through the insulating layer 26 and protrudes higher than the first main surface 30. First main surface 3 at top surface 28a
The IC chip is individually connected to a plurality of external terminals protruding from the bottom surface of an IC chip (not shown) mounted on the IC chip. FIG. 2 (C)
As shown in FIG. 3, the opening 26 having a width larger than the width of the wiring layer 22 is formed.
b may be formed in the insulating layer 26, and the surface and both side surfaces of the linear pad 24 exposed at the bottom thereof may be covered with a plating film 24b in which Ni and Au plating are laminated. In this embodiment, as shown, the wiring layer 22, the linear pad 2
4, and both sides of the linear solder bump 28 and the opening 2
A gap may be formed between the side walls 6b.

【0020】更に、図2(A)に示すように、コア基板3
の裏面5の下方には、前記と同じ厚みで同じ素材からな
る樹脂絶縁層13,19,25と配線層11,17,2
3とが交互に積層されたビルドアップ層が形成されてい
る。樹脂絶縁層13,19には、配線層11,17間ま
たは配線層17,23間を接続するフィルドビア導体1
5,21が形成される。また、最下層の樹脂絶縁層(ソ
ルダーレジスト層)25の第2主面27に向けて設けた
開口孔25a内には、上記配線層23の一部が露出し、
表面にNiおよびAuメッキ膜(図示せず)を被覆した接
続端子29が形成されている。この接続端子29は、配
線基板1自体が搭載される図示しないマザーボードなど
のプリント基板との接続に活用される。尚、接続端子2
9には、Sn−Sb系低融点合金のハンダを介して、コ
バール、Fe−42wt%Ni合金、または銅製のピン
(図示せず)を接続しても良い。
Further, as shown in FIG.
Below the back surface 5 of the semiconductor device, resin insulating layers 13, 19, 25 and wiring layers 11, 17, 2 made of the same material and having the same thickness as described above.
3 are alternately stacked to form a build-up layer. Filled via conductor 1 connecting between wiring layers 11 and 17 or between wiring layers 17 and 23 is provided in resin insulating layers 13 and 19.
5, 21 are formed. Further, a part of the wiring layer 23 is exposed in an opening hole 25a provided toward the second main surface 27 of the lowermost resin insulating layer (solder resist layer) 25,
A connection terminal 29 having a surface coated with a Ni and Au plating film (not shown) is formed. The connection terminals 29 are used for connection to a printed board such as a motherboard (not shown) on which the wiring board 1 itself is mounted. In addition, connection terminal 2
No. 9 is a pin made of Kovar, Fe-42 wt% Ni alloy, or copper via a Sn-Sb low melting point solder.
(Not shown) may be connected.

【0021】以上のような配線基板1によれば、細長い
複数の直線形パット24の上に個別に第1主面30より
も高く突出する直線形ハンダバンプ28が、第1主面3
0において互いに平行で且つ所定の間隔を保って形成さ
れている。このため、所要数の直線形ハンダバンプ28
を、配線基板1の表面(第1主面)30において互いにシ
ョートさせることなく高密度にして配置することができ
る。従って、第1主面30上に実装するICチップなど
の半導体素子の電源用端子やグランド用端子として十分
に活用できるため、実装する半導体素子を高性能化した
り、内部配線を高密度化ことするが容易となる。尚、直
線形パッド24は、配線層22をベタ状に広く形成し、
このベタ状の配線層22の表面が露出するようソルダー
レジスト層26に複数の開口部26aを穿設することに
より、形成しても良い。
According to the wiring board 1 as described above, the linear solder bumps 28 projecting higher than the first main surface 30 individually on the plurality of elongated linear pads 24 are formed on the first main surface 3.
At 0, they are formed parallel to each other and at a predetermined interval. Therefore, the required number of linear solder bumps 28
Can be arranged at high density on the surface (first main surface) 30 of the wiring substrate 1 without short-circuiting each other. Accordingly, the semiconductor element such as an IC chip mounted on the first main surface 30 can be sufficiently used as a power supply terminal and a ground terminal, and thus the mounted semiconductor element has higher performance and the internal wiring has a higher density. Becomes easier. Note that the linear pad 24 is formed by widening the wiring layer 22 in a solid shape,
A plurality of openings 26a may be formed in the solder resist layer 26 so that the surface of the solid wiring layer 22 is exposed.

【0022】図3により、前記配線基板1の製造方法を
説明する。図3(A)は、前記コア基板3の表・裏面4,
5上に絶縁層12,13,19,25および配線層1
0,11,17,23が予め公知のビルドアップ工程に
より形成され、且つスルーホール導体8やビア導体1
4,15,21を形成した破線で示すベース部分1zの
上に、配線層16,22および絶縁層18,26が形成
された状態を示す。尚、上述した公知のビルドアップ工
程とは、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サ
ブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートに
よる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術、ドリルや
レーザによるスルーホールの穿孔などを含む。
A method of manufacturing the wiring board 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows the front and back surfaces 4 of the core substrate 3.
5, insulating layers 12, 13, 19, 25 and wiring layer 1
0, 11, 17, and 23 are formed in advance by a known build-up process, and the through-hole conductor 8 and the via conductor 1 are formed.
A state is shown in which wiring layers 16, 22 and insulating layers 18, 26 are formed on a base portion 1z indicated by a broken line on which 4, 15, 21 are formed. The known build-up process described above includes a semi-additive method, a full-additive method, a subtractive method, formation of an insulating layer by laminating a film-like resin material, photolithography technology, drilling of through holes by a drill or a laser, and the like. Including.

【0023】図3(A)に示すように、各配線層22の表
面に位置する直線形パッド24の真上における絶縁層
(ソルダーレジスト層)26は、フォトリソグラフィ技術
により、複数の細長い開口部26aが互いに約80μm
の間隔を保って個別に穿設される。絶縁層26の表面
(第1主面)30上に図示しないメタルマスク(ここでは
例えばステンレス鋼板製)を配置し、かかるマスクに予
め開設した上記開口部26aとほぼ同じ形状の開口部か
ら、Sn−Ag系合金からなり且つフラックスを適宜含
むハンダペーストを、各直線形パッド24上に個別に印
刷・充填する。この結果、図3(A)に示すように、長さ
約10mm、幅約70μmで且つ断面が半楕円形であ
り、表面30よりも高く突出する細長いハンダバンプ2
8bが個別に形成される。尚、上記フラックスには、還
元性の小さいものや、Rタイプ、RMAタイプ、あるい
はRAタイプなどが用いられる。
As shown in FIG. 3A, the insulating layer just above the linear pads 24 located on the surface of each wiring layer 22 is formed.
(Solder resist layer) 26 has a plurality of elongated openings 26a of about 80 μm
The holes are individually drilled at intervals. Surface of insulating layer 26
(First main surface) A metal mask (not shown, for example, made of a stainless steel plate) is disposed on the 30 and an Sn-Ag alloy is formed from an opening having substantially the same shape as the opening 26a previously opened on the mask. A solder paste containing a suitable flux and flux is printed and filled on each linear pad 24 individually. As a result, as shown in FIG. 3A, the elongated solder bump 2 having a length of about 10 mm, a width of about 70 μm, a semi-elliptical cross section, and protruding higher than the surface 30.
8b are formed individually. In addition, as the above-mentioned flux, a flux having a small reducing property, an R type, an RMA type, an RA type, or the like is used.

【0024】次に、図3(A)に示すように、各ハンダバ
ンプ28bの周囲における表面30上に耐熱性のスペー
サ36,36を載置する。各スペーサ36の上面は、各
ハンダバンプ28bの頂部よりもやや低くなるように予
め設定されている。次いで、図3(B)に示すように、ベ
ース部分1zの底面(第2主面27)の下側とスペーサ3
6,36の上方とに、一対のガラス板(板状体)37を配
置すると共に、ガラス板37,37の周囲にハンダボー
ル(熱変形体)38を挟み付ける。
Next, as shown in FIG. 3A, heat-resistant spacers 36, 36 are placed on the surface 30 around each solder bump 28b. The upper surface of each spacer 36 is preset so as to be slightly lower than the top of each solder bump 28b. Next, as shown in FIG. 3B, the lower side of the bottom surface (second main surface 27) of the base portion 1z and the spacer 3
A pair of glass plates (plate-like bodies) 37 are disposed above the upper and lower glass plates 36, 36, and a solder ball (thermally deformable body) 38 is sandwiched around the glass plates 37, 37.

【0025】上記ハンダボール38は、ハンダバンプ2
8bの上記Sn−Ag系のハンダ合金の融点(約220
℃)よりも低融点(約183℃)の例えばSn−Pb系の
ハンダ合金からなり、その直径は配線基板1の全体およ
びスペーサ36の厚みの合計値よりも若干大きく設定さ
れている。このため、図3(B)に示すように、各ハンダ
バンプ28bの頂点およびスペーサ36の上面と上側の
ガラス板37との間には、約20μmの隙間が形成され
る。尚、各ハンダボール38の位置決めを容易にするた
め、下側のガラス板37の上面における所定の位置に
は、図示しない凹溝またはフラックスが配置される。
The solder ball 38 is formed by solder bump 2
8b of the Sn-Ag solder alloy (about 220
C.), for example, a Sn—Pb-based solder alloy having a lower melting point (about 183 ° C.), and its diameter is set slightly larger than the total value of the thickness of the entire wiring board 1 and the spacer 36. Therefore, as shown in FIG. 3B, a gap of about 20 μm is formed between the apex of each solder bump 28 b and the upper surface of the spacer 36 and the upper glass plate 37. In order to facilitate the positioning of each solder ball 38, a not-shown concave groove or flux is arranged at a predetermined position on the upper surface of the lower glass plate 37.

【0026】かかる状態で、図3(B)中の垂直方向の矢
印で示すように、上下一対のガラス板37,37の周辺
に図示しないクリップまたはクランプを配置し且つ挟み
込むことにより、ガラス板37,37が互いに接近する
ように加圧する。かかる状態で、図示しない加熱炉など
に装入し、例えば最高250℃に加熱し且つ30秒間保
持するハンダバンプ28bのリフロー処理を施す。これ
により、図3(C)に示すように、ハンダボール38,3
8が先に軟化して垂直方向で縮径することにより、上側
のガラス板37は各スペーサ36の上面に接触する位置
まで降下する。
In this state, as shown by a vertical arrow in FIG. 3B, a clip or clamp (not shown) is arranged around the pair of upper and lower glass plates 37, 37, and is sandwiched between the glass plates. , 37 are pressed together. In this state, the solder bump 28b is charged into a heating furnace (not shown) or the like, and is heated to, for example, 250 ° C. and held for 30 seconds to perform a reflow process. Thereby, as shown in FIG. 3C, the solder balls 38, 3
8 is first softened and reduced in diameter in the vertical direction, so that the upper glass plate 37 descends to a position where it contacts the upper surface of each spacer 36.

【0027】この結果、図3(C)に示すように、リフロ
ーによって軟化した各ハンダバンプ28bは、降下した
ガラス板37の底面によりそれらの頂部を下向きに押さ
え付けられる。尚、上記リフローの際、隣接するハンダ
バンプ28b,28bが幅方向に拡大して互いに接近ま
たは接触する事態を防ぐため、リフロー処理時の加熱温
度およびハンダバンプ28b,28b間の間隔を予め設
定している。
As a result, as shown in FIG. 3C, the solder bumps 28b softened by the reflow are pressed downward by the bottom surface of the glass plate 37 having fallen. In order to prevent a situation in which the adjacent solder bumps 28b, 28b expand in the width direction and approach or come into contact with each other at the time of the reflow, the heating temperature at the time of the reflow process and the interval between the solder bumps 28b, 28b are set in advance. .

【0028】以上のリフロー処理工程を経た結果、図3
(D)に示すように、断面がほぼ蒲鉾形で且つ平坦な頂面
28aを有する所要数の直線形ハンダバンプ28を表面
30において互いに平行に形成した配線基板1を得るこ
とができる。また、ガラス板37にて押さえ付けられた
ことにより、各ハンダバンプ28の頂面28aは、その
長さ1mm当たり1μm以下の平坦度(コプラナリティ)
を付与されている。
As a result of the above reflow process, FIG.
As shown in (D), the wiring board 1 can be obtained in which a required number of linear solder bumps 28 having a substantially semi-cylindrical cross section and a flat top surface 28a are formed on the surface 30 in parallel with each other. Also, the top surface 28a of each solder bump 28 is flattened to 1 μm or less per 1 mm of its length (coplanarity) by being pressed by the glass plate 37.
Has been granted.

【0029】尚、以上のハンダバンプ28bを印刷・形
成する工程およびリフローする工程は、製品単位である
個々の配線基板1を平面方向に沿って多数連設した多数
個取り用パネルの状態で行うこともできる。これによ
り、製造効率を高められる。また、前記ハンダボール3
8は、内部が中空の球体としても良く、あるいはこれら
替えて、軸心方向の長さが予め長めに設定された円柱
体、円筒体、または多角柱体を用いても良い。また、ハ
ンダボール38に替えて、常温とリフロー温度との間に
マルテンサイト変態点を有する形状記憶合金または超弾
性合金からなる熱変形体、あるいは常温とリフロー温度
との間で変形するバイメタルを適用することも可能であ
る。
The steps of printing and forming the solder bumps 28b and the step of reflowing are performed in the state of a multi-cavity panel in which a large number of individual wiring boards 1 as product units are continuously arranged in a plane direction. Can also. Thereby, manufacturing efficiency can be increased. The solder ball 3
8 may be a hollow sphere having a hollow inside, or a cylindrical body, a cylindrical body, or a polygonal body having a longer axial length set in advance may be used instead. Also, instead of the solder ball 38, a heat deformable body made of a shape memory alloy or a superelastic alloy having a martensite transformation point between room temperature and the reflow temperature, or a bimetal deformable between room temperature and the reflow temperature is applied. It is also possible.

【0030】図4(A),(B)は、異なる形態の配線基板
1aの部分平面および垂直断面を示す。尚、図4におい
て前記形態と同じ部分や要素には、共通する符号を用い
る。図4(A)に示すように、配線基板1aもその表面
(第1主面)30において、複数の直線形ハンダバンプ2
8が所定の間隔を置き互いに平行に形成されている。図
4(B)に示すように、配線基板1aは、多層基板の配線
基板本体2と、その表・裏面12a,13a上に形成し
た樹脂絶縁層18,26,19,25および配線層1
6,22,17,23を交互に積層したビルドアップ層
とを有する。
FIGS. 4A and 4B show a partial plane and a vertical cross section of a wiring board 1a of a different form. In FIG. 4, the same reference numerals are used for the same parts and elements as those in the above embodiment. As shown in FIG. 4A, the wiring board 1a also has
(First principal surface) 30, a plurality of linear solder bumps 2
8 are formed at a predetermined interval in parallel with each other. As shown in FIG. 4B, the wiring board 1a is composed of a wiring board main body 2 of a multilayer board, resin insulating layers 18, 26, 19, 25 formed on the front and back surfaces 12a, 13a and the wiring layer 1a.
And a build-up layer in which 6, 22, 17, and 23 are alternately stacked.

【0031】配線基板本体2は、前記同様のコア基板
3、その表・裏面4,5上に積層した絶縁層12,1
3、およびこれらの間に配置した配線層10,11から
なる多層基板である。配線基板本体2の表・裏面12
a,13a間には、長いスルーホール32およびスルー
ホール導体34が貫通して形成され、後者の内部には充
填樹脂9が形成されている。スルーホール導体34は、
その中間位置で配線層10,11と接続され、且つ上下
端で配線層16,17と接続されている。但し、かかる
導体34は、丸孔10a,11aの位置では配線層1
0,11と離れている。
The wiring board main body 2 is composed of the same core substrate 3 as described above, and the insulating layers 12 and 1 laminated on the front and back surfaces 4 and 5 thereof.
3 and a multi-layer substrate including wiring layers 10 and 11 disposed therebetween. Front / back surface 12 of wiring board body 2
A long through-hole 32 and a through-hole conductor 34 are formed to penetrate between a and 13a, and a filling resin 9 is formed inside the latter. The through-hole conductor 34
It is connected to the wiring layers 10 and 11 at an intermediate position, and connected to the wiring layers 16 and 17 at the upper and lower ends. However, the conductor 34 has the wiring layer 1 at the positions of the round holes 10a and 11a.
It is far from 0,11.

【0032】図4(B)に示すように、配線基板本体2の
表面12a上には、樹脂絶縁層18,26と、所定のパ
ターンを有するCu製の配線層16,22とが交互に積
層されたビルドアップ層が形成されている。絶縁層18
内には、配線層16,22間を接続するフィルドビア導
体20が形成されている。最上層の配線層22は、図4
(B)で前後方向に沿って細長く且つ複数のビア導体20
の上に跨って形成され、その表面上には直線形パッド2
4が位置している。前記と同様に、直線形パッド24
は、その表面上にNiおよびAuメッキを積層したメッ
キ膜24aが被覆される。かかる直線形パッド24は、
絶縁層(ソルダーレジスト層)26に穿設した細長い開口
部26aを介して第1主面30側に露出する。
As shown in FIG. 4B, resin insulating layers 18 and 26 and Cu wiring layers 16 and 22 having a predetermined pattern are alternately laminated on the surface 12a of the wiring board body 2. The formed build-up layer is formed. Insulating layer 18
Inside, a filled via conductor 20 connecting between the wiring layers 16 and 22 is formed. The uppermost wiring layer 22 is shown in FIG.
(B), a plurality of via conductors 20 elongated in the front-rear direction.
And a linear pad 2 on its surface.
4 are located. As before, the linear pad 24
Is coated with a plating film 24a on which Ni and Au plating are laminated. Such a linear pad 24
The insulating layer (solder resist layer) 26 is exposed to the first main surface 30 via an elongated opening 26 a formed in the insulating layer (solder resist layer) 26.

【0033】また、上記直線形パッド24の上には、絶
縁層26を貫通しその表面(第1主面)30よりも高く突
出する断面ほぼ蒲鉾形の直線形ハンダバンプ28が印刷
などにより形成され、その平坦な頂面28aにおいて第
1主面30上に実装されるICチップ(図示せず)の底面
に突設された複数の外部端子と個別に接続される。更
に、図4(B)に示すように、配線基板本体2の裏面13
a下には、前記と同様の樹脂絶縁層19,25と配線層
17,23とが交互に積層されたビルドアップ層が形成
される。絶縁層19内には、配線層17,23間を接続
するフィルドビア導体21が形成されている。
On the linear pad 24, a linear solder bump 28 having a substantially semi-cylindrical section is formed by printing or the like, which penetrates through the insulating layer 26 and protrudes higher than its surface (first main surface) 30. The flat top surface 28a is individually connected to a plurality of external terminals protruding from the bottom surface of an IC chip (not shown) mounted on the first main surface 30. Further, as shown in FIG.
Below a, a build-up layer is formed in which resin insulating layers 19 and 25 and wiring layers 17 and 23 similar to the above are alternately stacked. In the insulating layer 19, a filled via conductor 21 connecting between the wiring layers 17 and 23 is formed.

【0034】配線基板1aでは、多層基板の配線基板本
体2を用い且つ長いスルーホール導体34を貫通させる
ことにより、絶縁層12,13内に前記ビア導体14,
15を形成するためのビアホールおよびビア導体の製造
工程を省くことができる。最下層の樹脂絶縁層(ソルダ
ーレジスト層)25の第2主面27側に開口する開口孔
25a内には、上記配線層23の一部が露出し、表面に
NiおよびAuメッキ膜(図示せず)を被覆した接続端子
29が形成されている。接続端子29は、配線基板1自
体が搭載される図示しないマザーボードなどの接続に活
用される。
In the wiring board 1a, by using the wiring board main body 2 of a multilayer board and penetrating the long through-hole conductor 34, the via conductors 14 and 14 are formed in the insulating layers 12 and 13.
The manufacturing process of the via hole and the via conductor for forming the via hole 15 can be omitted. A part of the wiring layer 23 is exposed in an opening 25a opening on the second main surface 27 side of the lowermost resin insulating layer (solder resist layer) 25, and a Ni and Au plating film (not shown) is formed on the surface. ) Is formed. The connection terminals 29 are used to connect a motherboard (not shown) on which the wiring board 1 is mounted.

【0035】以上のような配線基板1aによっても、細
長い複数の直線形パット24の上に表面(第1主面)30
よりも高く突出する直線形ハンダバンプ28が、表面3
0において互いに平行で且つ所定の間隔を保って形成さ
れている。このため、所定数の直線形ハンダバンプ28
を、配線基板1aの表面30にて互いにショートさせる
ことなく高密度にして配置することができる。従って、
表面(第1主面)30上に実装するICチップなどの電源
用端子やグランド用端子として十分に活用できるため、
実装する半導体素子を高性能化したり、内部配線を高密
度化ことするが可能となる。しかも、ICチップなどは
長いスルーホール導体34を介して第2主面27寄りの
配線層11,17,23とも、比較的短い経路で導通で
きる、という利点も有する。
With the wiring board 1a as described above, the surface (first main surface) 30 is also provided on the plurality of elongated linear pads 24.
The linear solder bumps 28 projecting higher than the surface 3
At 0, they are formed parallel to each other and at a predetermined interval. Therefore, a predetermined number of linear solder bumps 28
Can be arranged at high density on the surface 30 of the wiring board 1a without short-circuiting each other. Therefore,
Since it can be sufficiently used as a power supply terminal and a ground terminal of an IC chip mounted on the front surface (first main surface) 30,
It is possible to increase the performance of the semiconductor element to be mounted and to increase the density of the internal wiring. Moreover, there is an advantage that the IC chip and the like can conduct with the wiring layers 11, 17, and 23 near the second main surface 27 via the long through-hole conductors 34 in a relatively short path.

【0036】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。例えば、コア基板3の材質
は、ガラスクロスなどを含む前記ガラス−エポキシ樹脂
系の複合材料の他、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、
加工容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布等の
ガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはB
T樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂
材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの
有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するPT
FEなどの3次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹
脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料など
を用いることも可能である。
The present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the material of the core substrate 3 is the same as the above-described glass-epoxy resin-based composite material including glass cloth and the like, as well as similar heat resistance, mechanical strength, flexibility, and the like.
Glass fabric such as glass woven fabric or glass woven fabric having ease of processing and epoxy resin, polyimide resin, or B
A glass fiber-resin material which is a composite material with a resin such as a T resin may be used. Alternatively, a composite material of an organic fiber such as a polyimide fiber and a resin, or a PT having continuous pores
It is also possible to use a resin-resin composite material in which a resin such as an epoxy resin is impregnated into a fluorine-based resin having a three-dimensional network structure such as FE.

【0037】また、前記配線層16,17などの材質
は、前記銅メッキ層の他、Niや、Ni−Auなどにし
ても良く、あるいは、金属メッキを用いず、導電性樹脂
を塗布するなどの方法によって形成することも可能であ
る。更に、前記ビア導体20などは、ビアホール内を導
体で埋め尽くすフィルドビアビアの形態に限らず、ホー
ルに倣った円錐形状の形態としても良い。また、絶縁層
18,19などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分と
するものの他、同様の耐熱性、パターン成形性などを有
するポリイミド樹脂、BT樹脂、PPE樹脂、あるい
は、連続気孔を有するPTFEなどの3次元網目構造の
フッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹
脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。且つ
絶縁層の形成には、液状樹脂をロールコータにより塗布
する方法の他、絶縁性のフィルムを熱圧着する方法を用
いることもできる。
The material of the wiring layers 16 and 17 may be Ni, Ni-Au, or the like, in addition to the copper plating layer, or a conductive resin may be applied without using metal plating. It is also possible to form by the method of. Further, the via conductor 20 and the like are not limited to the filled via via form in which the inside of the via hole is filled with the conductor, and may be a conical form following the hole. The material of the insulating layers 18 and 19 is not only a material mainly composed of the epoxy resin, but also a polyimide resin, a BT resin, a PPE resin having the same heat resistance and pattern moldability, or a PTFE having continuous pores. A resin-resin composite material in which a resin such as an epoxy resin is impregnated into a fluorine-based resin having a three-dimensional network structure, or the like can also be used. For the formation of the insulating layer, a method of thermocompression bonding of an insulating film can be used in addition to a method of applying a liquid resin by a roll coater.

【0038】更に、本発明の配線基板には、セラミック
製の絶縁層と配線層とを積層するセラミック系多層基板
や、1000℃以下で焼成するいわゆる低温焼成基板も
含まれる。このうちセラミック系の形態では、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ムライトなどからなるグリーン
シートの間にタングステン(W)やモリブデン(Mo)など
の高融点金属の金属ペーストを配置し且つ焼成して、絶
縁層(セラミック層)と配線層とを交互に積層する。且
つ、最上層のグリーンシートには予め細長い開口部を穿
設しておき、かかる開口部の底面に露出する最上層の配
線層の表面における直線形パッドの真上に、ハンダペー
ストを印刷・充填した後、前記方法によりリフロー処理
する。これにより、セラミック系配線基板の表面(第1
主面)において、複数の細長い直線形ハンダバンプを互
いに平行にして形成することができる。尚、低温焼成基
板も、上述した方法に準じて製造方法により形成可能で
ある。尚、本発明の配線基板には、2つの絶縁層の間に
表面が直線形パッドとなる配線層を配置した構造の形態
も含まれる。
Further, the wiring substrate of the present invention includes a ceramic multilayer substrate in which a ceramic insulating layer and a wiring layer are laminated, and a so-called low-temperature firing substrate fired at 1000 ° C. or lower. Among them, in the ceramic type, a metal paste of a high melting point metal such as tungsten (W) or molybdenum (Mo) is arranged between green sheets made of alumina, aluminum nitride, mullite, etc., and baked to form an insulating layer ( A ceramic layer) and a wiring layer are alternately stacked. In addition, an elongated opening is formed in the uppermost green sheet in advance, and a solder paste is printed and filled just above the linear pad on the surface of the uppermost wiring layer exposed at the bottom of the opening. After that, reflow processing is performed by the above method. Thereby, the surface of the ceramic wiring board (first
On the main surface, a plurality of elongated linear solder bumps can be formed parallel to each other. The low-temperature fired substrate can also be formed by a manufacturing method according to the method described above. Note that the wiring board of the present invention includes a configuration in which a wiring layer whose surface is a linear pad is disposed between two insulating layers.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上において説明した本発明の配線基板
(請求項1)によれば、所要数の直線形ハンダバンプを配
線基板の第1主面にて、比較的大きな電流を給電し得る
電源用端子やグランド用端子とすることができる。ま
た、細長いハンダバンプを互いにショートさせることな
く高密度にして配置することもできる。従って、第1主
面上に実装するICチップなどの半導体素子の電源用端
子やグランド用端子として十分に活用できるため、実装
する半導体素子を高性能化したり、内部配線を高密度化
することが容易となる。また、請求項2,3の配線基板
によれば、配線基板の表面(第1主面)において、複数の
直線形ハンダバンプを所定間隔で印刷形成しても、リフ
ロー時に隣接し合うハンダバンプ同士が接触しにくいた
め、所要数の直線形ハンダバンプが互いにショートする
ことなく高密度にして確実に配置される。
The wiring board of the present invention described above.
According to the first aspect, the required number of linear solder bumps can be used as power supply terminals and ground terminals capable of supplying a relatively large current on the first main surface of the wiring board. In addition, elongated solder bumps can be arranged at high density without short-circuiting each other. Therefore, it can be sufficiently used as a power supply terminal and a ground terminal of a semiconductor element such as an IC chip mounted on the first main surface. Therefore, the performance of the mounted semiconductor element and the density of the internal wiring can be increased. It will be easier. According to the wiring board of the second and third aspects, even if a plurality of linear solder bumps are printed at predetermined intervals on the surface (first main surface) of the wiring board, the adjacent solder bumps contact each other during reflow. Therefore, the required number of linear solder bumps are reliably arranged at high density without short-circuiting.

【0040】一方、本発明の配線基板の製造方法(請求
項4)によれば、リフロー時の加熱によってハンダボー
ルなどの熱変形体が軟化するため、直線形ハンダバンプ
側の板状体は他方の板状体寄りにシフトする。従って、
各ハンダバンプの頂部は、シフトした板状体に押さえ付
けられて平坦な頂面となるため、接続端子としても十分
に活用することが可能な配線基板を提供することができ
る。また、請求項5の配線基板を提供することもでき
る。
On the other hand, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention (claim 4), the heat deformable body such as a solder ball is softened by the heating at the time of reflow, so that the plate-shaped body on the side of the linear solder bump is the other. It shifts closer to the plate. Therefore,
Since the top of each solder bump is pressed against the shifted plate-like body to form a flat top surface, it is possible to provide a wiring board that can be sufficiently used as a connection terminal. Further, a wiring board according to claim 5 can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)は本発明による1形態の配線基板の平面
図、(B)は(A)中の一点鎖線部分Bの拡大図、(C)は
(B)中のコーナ付近を示す分解斜視図。
1A is a plan view of a wiring board according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is an enlarged view of a dashed-dotted line portion B in FIG. 1A, and FIG.
FIG. 3B is an exploded perspective view showing the vicinity of a corner in FIG.

【図2】(A)は図1(B)中のX−X線に沿った断面図、
(B)は(A)中における直線形パッド付近を示す拡大図、
(C)は異なる形態の直線形パッド付近を示す拡大図。
FIG. 2A is a sectional view taken along line XX in FIG. 1B;
(B) is an enlarged view showing the vicinity of the linear pad in (A),
(C) is an enlarged view showing the vicinity of a linear pad of a different form.

【図3】(A)〜(D)は図1および図2(A),(B)に示し
た配線基板の製造方法における主要な工程を示す概略
図。
FIGS. 3A to 3D are schematic views showing main steps in a method of manufacturing the wiring board shown in FIGS. 1 and 2A and 2B.

【図4】(A)は異なる形態の配線基板の平面図、(B)は
(A)中のB−B線に沿った視角による断面図。
FIG. 4A is a plan view of a wiring board having a different configuration, and FIG.
Sectional drawing by the viewing angle along BB line in (A).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a…配線基板 24………直線形パッド 28………直線形ハンダバンプ 30………第1主面(表面) 36………スペーサ 37………ガラス板(板状体) 38………ハンダボール(熱変形体) 1, 1a Wiring board 24 Linear pad 28 Linear solder bump 30 First main surface (front surface) 36 Spacer 37 Glass plate (plate-like body) 38 … Solder ball (thermally deformed body)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】平面視において直線形状を呈する直線形パ
ッドと、 上記直線形パッドの表面に形成された直線形ハンダバン
プと、 を有する、ことを特徴とする配線基板。
1. A wiring board comprising: a linear pad having a linear shape in plan view; and a linear solder bump formed on a surface of the linear pad.
【請求項2】前記直線形パッドの長さは400μm以上
である、 ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the length of the linear pad is 400 μm or more.
【請求項3】前記直線形パッドにおいて、その長さはそ
の幅の5倍以上である、ことを特徴とする請求項1また
は2に記載の配線基板。
3. The wiring board according to claim 1, wherein the length of the linear pad is at least five times the width thereof.
【請求項4】配線基板の表面付近において平面視で互い
に平行に配置された複数の直線形パッドの上にハンダバ
ンプを印刷により個別に形成する工程と、 上記ハンダバンプの形成部分を除いた表面上にスペーサ
を配置した配線基板を一対の板状体間に挿入し、かかる
一対の板状体間に上記スペーサおよび配線基板の全厚み
よりも大きなサイズの熱変形体を介在させ且つ挟み込ん
た状態で、上記ハンダバンプをリフローする工程と、を
含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
4. A step of individually forming solder bumps by printing on a plurality of linear pads arranged in parallel with each other in plan view in the vicinity of the surface of the wiring board, and forming the solder bumps on the surface excluding the portions where the solder bumps are formed. In a state where the wiring board on which the spacer is arranged is inserted between the pair of plate-like bodies, and a heat-deformable body having a size larger than the total thickness of the spacer and the wiring board is interposed and sandwiched between the pair of plate-like bodies, And a step of reflowing the solder bumps.
【請求項5】請求項4の製造方法により製造された請求
項1乃至3の何れかに記載の配線基板。
5. The wiring board according to claim 1, which is manufactured by the manufacturing method according to claim 4.
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