JP2001077290A - Module for three-dimensional electronic part, three- dimensional electronic part module, and manufacture thereof - Google Patents

Module for three-dimensional electronic part, three- dimensional electronic part module, and manufacture thereof

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JP2001077290A
JP2001077290A JP25433099A JP25433099A JP2001077290A JP 2001077290 A JP2001077290 A JP 2001077290A JP 25433099 A JP25433099 A JP 25433099A JP 25433099 A JP25433099 A JP 25433099A JP 2001077290 A JP2001077290 A JP 2001077290A
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dimensional electronic
module
silver
component module
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Natsuya Ishikawa
夏也 石川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high-density three-dimensional electronic part module which is enhanced in density without deteriorating semiconductor parts in cooling efficiency by a method wherein the module is a solid structure provided with a flat outer surface as prescribed and equipped with electrodes formed on its flat outer surface and connected to a metal wiring patterned on a board. SOLUTION: A solid electronic part module 1 has such a structure where six glass ceramic boards 4 each provided with silver wirings 2 patterned on both their surfaces and through-holes 3 bored in them penetrating through the silver wirings 2 are laminated, and an uppermost glass board 4a and a lowermost glass board 4b where through-holes 3 are bored are each stacked up on the upper side and lower side of the above laminate for the formation of a rectangular parallelepiped as a whole. Therefore, the glass ceramic boards 4, 4a, and 4b are internally wired with silver wirings 2, the silver wirings 2 are connected through the through-holes 3, and furthermore semiconductor bare chips or the like are connected to outer electrodes 6, 7, and 8. Therefore, electronic parts can be enhanced in mounting density.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、三次元電子部品用
モジュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの
製造方法に関するものであり、半導体部品の冷却効率を
損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a module for three-dimensional electronic components, a three-dimensional electronic component module, and a method for manufacturing the same, and a high-density three-dimensional electronic component without impairing the cooling efficiency of semiconductor components. The present invention relates to a module for use, a three-dimensional electronic component module, and a method for manufacturing them.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、プリント積層板やセラミック積層
板などの基板上に、抵抗、キャパシタなどの受動部品の
他に、半導体部品として、小型半導体パッケージや半導
体ベアチップ、FBGA(fine pitch ba
ll grid array)などの小型能動部品を実
装して、基板における部品の実装密度を向上させ、電子
装置の小型化、軽量化、薄型化を図った表面実装法が実
用化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in addition to passive components such as resistors and capacitors, small semiconductor packages, semiconductor bare chips, and FBGAs (fine pitch ba) have been formed on substrates such as printed laminates and ceramic laminates.
2. Description of the Related Art A surface mounting method has been put to practical use in which a small active component such as an ll grid array is mounted to increase the mounting density of components on a substrate and to reduce the size, weight, and thickness of an electronic device.

【0003】また、部品の実装密度をさらに向上させる
ために、半導体部品を三次元的に積み上げる三次元実装
法を用いた三次元電子部品モジュールも開発されてい
る。
Further, in order to further increase the component mounting density, a three-dimensional electronic component module using a three-dimensional mounting method of three-dimensionally stacking semiconductor components has been developed.

【0004】前者は、各部品の大きさを小型化しようと
いうものであり、後者は、表面実装法によっても配置し
きれない部品、とりわけ、部品サイズの大きい半導体部
品を立体的に配置し、あるいは、基板内部に入れ込ん
で、実装密度を高めようとするものである。
The former is intended to reduce the size of each component, and the latter is to arrange components which cannot be arranged even by the surface mounting method, especially semiconductor components having a large component size in three dimensions, or In order to increase the mounting density, it is inserted into the substrate.

【0005】たとえば、特開平9−232503号公報
は、半導体チップと薄い配線フイルムの対を層構成ユニ
ットとして、複数の層構成ユニットと配線基板が、薄い
接着フイルムを間に挟んで、三次元的に構成され、配線
フイルムに形成されたバイアホールと接着フイルムに形
成されたバイアホールを接続することによって、層構成
ユニットの間および層構成ユニットと配線基板の間が接
続された三次元積層モジュールを開示している。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-232503 discloses a three-dimensional structure in which a pair of a semiconductor chip and a thin wiring film is used as a layer forming unit, and a plurality of layer forming units and a wiring board are sandwiched between thin adhesive films. By connecting the via holes formed in the wiring film and the via holes formed in the adhesive film, a three-dimensional laminated module in which the layer configuration units and the layer configuration units and the wiring board are connected to each other is connected. Has been disclosed.

【0006】また、特開平6−120671号公報は、
基板内部に、ICチップやチップ部品を埋め込み、コー
ト樹脂でICチップやチップ部品を保護するようにした
多層配線基板を開示している。
[0006] Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. H6-120671 discloses that
A multilayer wiring board is disclosed in which an IC chip or a chip component is embedded in a substrate, and the IC chip or the chip component is protected by a coat resin.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このように、三次元的
な電子部品モジュールの実装密度が高くなるにつれて、
半導体部品からの発熱量が増大するため、良好な放熱機
構を備えないと、半導体部品自らが発する熱によって、
半導体部品を壊してしまうという問題が生じて来てい
る。
As described above, as the mounting density of three-dimensional electronic component modules increases,
Without a good heat dissipation mechanism, the heat generated by the semiconductor component itself increases
There is a problem that semiconductor components are broken.

【0008】半導体部品を冷却するためには、半導体部
品の冷却面積を大きくして、熱を効率的に外部に逃がす
ことが必要とされるが、特開平9−232503号公報
に開示された三次元積層モジュールにあっては、上下に
積層された半導体チップが近接しているため、熱が外部
に放出されにくく、また、特開平6−120671号公
報に開示されているICチップやチップ部品を埋め込ん
だ多層配線基板にあっては、熱伝導率が低い樹脂によっ
て、半導体部品が覆われているため、熱が基板内部に閉
じ込められ、放熱されにくいという問題があった。
In order to cool the semiconductor component, it is necessary to increase the cooling area of the semiconductor component and efficiently release the heat to the outside, but the tertiary type disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-232503 is disclosed. In the original stacked module, since the semiconductor chips stacked vertically are close to each other, it is difficult for heat to be radiated to the outside, and the IC chip or chip component disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H6-120671 is used. In a buried multilayer wiring board, since the semiconductor component is covered with a resin having a low thermal conductivity, there is a problem that heat is confined inside the board and is hardly dissipated.

【0009】放熱板やヒートパイプなどの特別な放熱機
構を設ければ、半導体部品モジュールを効率的に冷却す
ることは可能となるが、電子部品モジュールに大型の放
熱機構を取りつけることは、電子部品モジュールの高密
度化を妨げることになり、かかる方法によって、半導体
部品の発熱の問題を解決することはできなかった。
If a special heat radiating mechanism such as a heat radiating plate or a heat pipe is provided, it is possible to efficiently cool the semiconductor component module. This has hindered the densification of modules, and it has not been possible to solve the problem of heat generation of semiconductor components by such a method.

【0010】したがって、本発明は、半導体部品の冷却
効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジ
ュール、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造
方法を提供することを目的とするものである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-density module for a three-dimensional electronic component, a three-dimensional electronic component module, and a method for manufacturing the same, without impairing the cooling efficiency of the semiconductor component. .

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
両面に、金属配線がパターニングされ、前記金属配線を
貫通する複数のバイアホールおよび/またはスルーホー
ルが形成された複数の基板が積層されて、3以上の平坦
な外表面が形成された立体構造体をなし、前記外表面
に、前記金属配線と接続された外部電極が形成された三
次元電子部品用モジュールによって達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is as follows.
A three-dimensional structure having three or more flat outer surfaces formed by laminating a plurality of substrates on each of which a metal wiring is patterned and a plurality of via holes and / or through holes penetrating the metal wiring are formed. This is achieved by a three-dimensional electronic component module in which external electrodes connected to the metal wiring are formed on the outer surface.

【0012】本発明によれば、三次元電子部品用モジュ
ールは、3以上の平坦な外表面が形成された立体構造体
をなし、基板にパターニングされた金属配線と接続され
た外部電極が3以上の平坦な外表面に形成されているか
ら、半導体部品を各外表面に接続して、三次元電子部品
モジュールを構成することができ、したがって、半導体
部品を高密度に実装することができるとともに、半導体
部品は表面に露出し、したがって、半導体部品から生じ
た熱を効率的に放熱させることが可能になり、半導体部
品の冷却効率を損なうことのない高密度の三次元電子部
品用モジュールを提供することが可能となる。
According to the present invention, the three-dimensional electronic component module has a three-dimensional structure having three or more flat outer surfaces, and has three or more external electrodes connected to the metal wiring patterned on the substrate. Because it is formed on the flat outer surface of the semiconductor component, a semiconductor component can be connected to each outer surface to form a three-dimensional electronic component module. The semiconductor component is exposed on the surface, so that heat generated from the semiconductor component can be efficiently dissipated, and a high-density three-dimensional electronic component module that does not impair the cooling efficiency of the semiconductor component is provided. It becomes possible.

【0013】本発明の好ましい実施態様においては、前
記立体構造体が角柱構造をなしている。本発明の好まし
い実施態様によれば、断面をハニカム構造などとするこ
とによって、半導体部品の冷却効率を損なうことがな
く、実装密度が大幅に向上した三次元電子部品用モジュ
ールを提供することが可能となる。
In a preferred embodiment of the present invention, the three-dimensional structure has a prismatic structure. According to a preferred embodiment of the present invention, it is possible to provide a module for a three-dimensional electronic component in which the cross-section is formed into a honeycomb structure or the like without significantly impairing the cooling efficiency of the semiconductor component, and the mounting density is significantly improved. Becomes

【0014】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記立体構造体が六面体をなしている。
In a further preferred aspect of the present invention, the three-dimensional structure is a hexahedron.

【0015】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記立体構造体が直方体をなしている。本発明のさ
らに好ましい実施態様によれば、半導体部品は、直方体
の6面に接続され得るから、電子部品の実装密度を大幅
に向上させることが可能になり、また、熱を発する半導
体部品は、互いに90度を隔てて配置されることになる
ため、発熱による相互の熱干渉を抑制することができ、
さらには、半導体部品は、三次元電子部品用モジュール
の各外面に実装されるから、半導体部品から発せられた
熱を、効率よく、放熱することが可能になる。
[0015] In a further preferred aspect of the present invention, the three-dimensional structure is a rectangular parallelepiped. According to a further preferred embodiment of the present invention, since the semiconductor component can be connected to the six surfaces of the rectangular parallelepiped, it is possible to greatly increase the mounting density of the electronic component, and the semiconductor component that generates heat is: Since they are arranged 90 degrees apart from each other, mutual thermal interference due to heat generation can be suppressed,
Further, since the semiconductor component is mounted on each outer surface of the three-dimensional electronic component module, it is possible to efficiently radiate heat generated from the semiconductor component.

【0016】本発明の前記目的はまた、両面に、金属配
線がパターニングされ、前記金属配線を貫通する複数の
バイアホールおよび/またはスルーホールが形成された
複数の基板が積層されて、3以上の平坦な外表面が形成
された立体構造体をなし、前記外表面に、前記金属配線
と接続された外部電極が形成された三次元電子部品用モ
ジュールの前記外部電極に、半導体部品が接続された三
次元電子部品モジュールによって達成される。
The object of the present invention is also to provide a semiconductor device comprising: a plurality of substrates on each of which a metal wiring is patterned and a plurality of via holes and / or through holes penetrating the metal wiring are formed; A semiconductor component was connected to the external electrode of the module for a three-dimensional electronic component in which a three-dimensional structure having a flat outer surface was formed, and on the outer surface, an external electrode connected to the metal wiring was formed. This is achieved by a three-dimensional electronic component module.

【0017】本発明によれば、三次元電子部品モジュー
ルは、3以上の平坦な外表面に形成された外部電極に接
続された半導体部品を備えているから、半導体部品を高
密度に実装することができるとともに、半導体部品は表
面に露出し、したがって、半導体部品から生じた熱を効
率的に放熱させることが可能になり、半導体部品の冷却
効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品モジュ
ールを提供することが可能となる。
According to the present invention, since the three-dimensional electronic component module includes the semiconductor components connected to the external electrodes formed on three or more flat outer surfaces, the semiconductor components can be mounted at a high density. And a semiconductor component is exposed on the surface, so that heat generated from the semiconductor component can be efficiently radiated, and a high-density three-dimensional electronic component module that does not impair the cooling efficiency of the semiconductor component. Can be provided.

【0018】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記基板がガラス・セラミック基板によって構成さ
れている。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、
ガラス・セラミック基板は、平坦性に優れ、熱膨張係数
の低いから、半導体部品を実装しても、応力を緩和する
ことが可能になる。
In a further preferred aspect of the present invention, the substrate is constituted by a glass-ceramic substrate. According to a further preferred embodiment of the present invention,
The glass-ceramic substrate has excellent flatness and a low coefficient of thermal expansion, so that stress can be reduced even when semiconductor components are mounted.

【0019】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線が、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属によって形成されている。本発明の
さらに好ましい実施態様においては、前記金属配線が、
銀によって形成されている。
In a further preferred aspect of the present invention, the metal wiring is formed of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver. In a further preferred embodiment of the present invention, the metal wiring,
It is formed by silver.

【0020】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属端子が、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属によって形成されている。本発明の
さらに好ましい実施態様においては、前記金属端子が、
銀‐パラジウムによって形成されている。
[0020] In a further preferred embodiment of the present invention, the metal terminal is formed of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver. In a further preferred embodiment of the present invention, the metal terminal is:
It is formed by silver-palladium.

【0021】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記バイアホールおよび/またはスルーホール内
に、銀ペースト、銀‐パラジウムペーストおよび金ペー
ストよりなる群から選ばれたペーストが充填されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記
バイアホールおよび/またはスルーホール内に、銀ペー
ストが充填されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the via hole and / or the through hole is filled with a paste selected from the group consisting of a silver paste, a silver-palladium paste and a gold paste. In a further preferred embodiment of the present invention, the via holes and / or the through holes are filled with a silver paste.

【0022】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記基板が有機基板により構成されている。本
発明のさらに好ましい実施態様によれば、基板が有機基
板により構成されているから、低コストで、半導体部品
の冷却効率を損なうことのない高密度の三次元電子部品
用モジュールおよび三次元電子部品モジュールを提供す
ることが可能となる。
In still another preferred embodiment of the present invention, the substrate comprises an organic substrate. According to a further preferred embodiment of the present invention, since the substrate is formed of an organic substrate, a module for a high-density three-dimensional electronic component and a three-dimensional electronic component at low cost without impairing the cooling efficiency of a semiconductor component Modules can be provided.

【0023】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記有機基板が、ガラス基材エポキシ基板、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板およ
びガラス基材フッ素基板よりなる群から選ばれた基板に
よって構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the organic substrate is a glass-based epoxy substrate, a glass-based bismaleimide triazine substrate, a glass-based polyimide substrate, a glass-based polyphenylene ether substrate, and a glass-based fluorine substrate. And a substrate selected from the group consisting of:

【0024】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記バイアホールおよび/またはスルーホールの内
面に金属めっきが施され、前記バイアホールおよび/ま
たはスルーホールの一部が縦に切断されて、前記外表面
に露出し、前記複数の金属端子を形成している。
In a further preferred embodiment of the present invention, metal plating is applied to an inner surface of the via hole and / or the through hole, and a part of the via hole and / or the through hole is cut vertically to form the outer plate. The plurality of metal terminals are exposed on the surface.

【0025】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属めっきが、銅めっきによって構成されてい
る。
In a further preferred embodiment of the present invention, the metal plating is formed by copper plating.

【0026】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記銅めっき上に、金めっき、銀めっきな
らびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群から
選ばれた金属のめっきが施されている。本発明のさらに
好ましい実施態様によれば、電極の酸化を防止すること
が可能となる。
In a further preferred embodiment of the present invention, the copper plating is further plated with a metal selected from the group consisting of gold plating, silver plating, nickel plating and gold plating. According to a further preferred embodiment of the present invention, oxidation of the electrode can be prevented.

【0027】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線が、銅、アルミニウム、銀、金、白金
およびパラジウムから選ばれる金属により形成されてい
る。
In a further preferred aspect of the present invention, the metal wiring is formed of a metal selected from copper, aluminum, silver, gold, platinum and palladium.

【0028】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、はんだによって、前記複数の金
属端子に接続されている。
[0028] In a further preferred aspect of the present invention, the semiconductor component is connected to the plurality of metal terminals by solder.

【0029】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、共晶クリームはんだによって、
前記複数の金属端子に接続されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the semiconductor component is formed by a eutectic cream solder.
It is connected to the plurality of metal terminals.

【0030】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、半導体ベアチップ、FBGAお
よび電子部品が実装された半導体基板よりなる群から選
ばれた半導体部品によって構成されている。
In a further preferred aspect of the present invention, the semiconductor component is constituted by a semiconductor component selected from the group consisting of a semiconductor bare chip, an FBGA, and a semiconductor substrate on which electronic components are mounted.

【0031】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記3以上の平坦な外表面の少なくとも一つの外表
面に形成された前記外部電極に、プリント配線基板が接
続されている。
In a further preferred aspect of the present invention, a printed wiring board is connected to the external electrodes formed on at least one of the three or more flat outer surfaces.

【0032】本発明の前記目的はまた、複数のシートの
各々に少なくとも1つのスルーホールを形成し、前記複
数のシートの両面に金属のパターンを形成し、さらに、
2つのシートの各々に少なくとも1つのスルーホールを
形成し、前記2つのシートの一方の面に両面に金属のパ
ターンを形成し、前記複数のシートおよび前記2つのシ
ートを、前記2つのシートの一方が最上に位置し、前記
金属のパターンが形成された面が下側を向き、前記2つ
のシートの他方が最下に位置し、前記金属のパターンが
形成された面が上側を向くように、積層して、積層シー
トを形成し、前記2つのシートの一方の上面および他方
の下面に、前記金属のパターンと接続されるように、外
部電極を形成し、前記積層シートの少なくとも1つの側
面を研磨して、平坦化させるとともに、前記金属のパタ
ーンと接続された複数の金属端子を露出させ、さらに、
前記金属のパターンと接続されるように、外部電極を形
成することを特徴とする三次元電子部品用モジュールの
製造方法によって達成される。
The object of the present invention is also to form at least one through hole in each of the plurality of sheets, to form a metal pattern on both sides of the plurality of sheets,
At least one through hole is formed in each of the two sheets, and a metal pattern is formed on both sides of one surface of the two sheets, and the plurality of sheets and the two sheets are formed into one of the two sheets. Is located at the top, the surface on which the metal pattern is formed faces downward, the other of the two sheets is located at the bottom, and the surface on which the metal pattern is formed faces upward. Laminating to form a laminated sheet, forming external electrodes on one upper surface and the lower surface of the other of the two sheets so as to be connected to the metal pattern, and forming at least one side surface of the laminated sheet. Polishing and flattening, exposing a plurality of metal terminals connected to the metal pattern,
This is achieved by a method of manufacturing a module for a three-dimensional electronic component, wherein an external electrode is formed so as to be connected to the metal pattern.

【0033】本発明によれば、得られる三次元電子部品
用モジュールは、最上に位置したシートの上面、最下に
位置したシートの下面および少なくとも1つの側面のシ
ートに形成された金属のパターンと接続された外部電極
に、半導体部品を接続して、三次元電子部品モジュール
を構成することができ、半導体部品を高密度に実装する
ことができるとともに、半導体部品は外表面に露出し、
したがって、半導体部品から生じた熱を効率的に放熱さ
せることが可能になり、半導体部品の冷却効率を損なう
ことのない高密度の三次元電子部品用モジュールを提供
することが可能となる。
According to the present invention, the obtained module for a three-dimensional electronic component includes a metal pattern formed on the upper surface of the uppermost sheet, the lower surface of the lowermost sheet, and at least one side sheet. By connecting a semiconductor component to the connected external electrode, a three-dimensional electronic component module can be configured, the semiconductor component can be mounted at a high density, and the semiconductor component is exposed on the outer surface,
Therefore, it is possible to efficiently dissipate heat generated from the semiconductor component, and to provide a high-density three-dimensional electronic component module that does not impair the cooling efficiency of the semiconductor component.

【0034】本発明の好ましい実施態様においては、前
記積層シートの側面を研磨して、平坦化させるととも
に、複数の金属端子を露出させ、角柱構造の積層シート
を形成するように構成されている。
[0034] In a preferred embodiment of the present invention, the side faces of the laminated sheet are polished and flattened, and a plurality of metal terminals are exposed to form a laminated sheet having a prismatic structure.

【0035】本発明の好ましい実施態様によれば、断面
をハニカム構造などとすることによって、半導体部品の
冷却効率を損なうことがなく、実装密度が大幅に向上し
た三次元電子部品用モジュールを提供することが可能と
なる。
According to a preferred embodiment of the present invention, there is provided a three-dimensional electronic component module in which the cross-section has a honeycomb structure or the like so that the cooling efficiency of semiconductor components is not impaired and the mounting density is greatly improved. It becomes possible.

【0036】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記積層シートの側面を研磨して、平坦化させると
ともに、複数の金属端子を露出させ、六面体構造の積層
シートを形成するように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the side surfaces of the laminated sheet are polished and flattened, and a plurality of metal terminals are exposed to form a hexahedral laminated sheet. .

【0037】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記積層シートの側面を研磨して、平坦化させると
ともに、複数の金属端子を露出させ、直方体構造の積層
シートを形成するように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the side surfaces of the laminated sheet are polished and flattened, and a plurality of metal terminals are exposed to form a laminated sheet having a rectangular parallelepiped structure. .

【0038】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、半導体部品は、直方体の6面に接続され得るから、
電子部品の実装密度を大幅に向上させることが可能にな
り、また、熱を発する半導体部品は、互いに90度を隔
てて配置されることになるため、発熱による相互の熱干
渉を抑制することができ、さらには、半導体部品は、三
次元電子部品用モジュールの各外面に実装されるから、
半導体部品から発せられた熱を、効率よく、放熱するこ
とが可能になる。
According to a further preferred embodiment of the present invention, since the semiconductor component can be connected to the six faces of the rectangular parallelepiped,
It is possible to greatly improve the mounting density of electronic components, and since the semiconductor components that generate heat are arranged at a distance of 90 degrees from each other, it is possible to suppress mutual thermal interference due to heat generation. Yes, furthermore, since the semiconductor components are mounted on each outer surface of the three-dimensional electronic component module,
The heat generated from the semiconductor component can be efficiently radiated.

【0039】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記シートが、アルミナ粉、ガラス粉および有機バ
インダを含んだグリーンシートにより構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the sheet is constituted by a green sheet containing alumina powder, glass powder and an organic binder.

【0040】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、平坦性に優れ、熱膨張係数の低いガラス・セラミッ
ク基板を備えた三次元電子部品用モジュールを得ること
ができるから、半導体部品を実装しても、応力を緩和す
ることが可能になる。
According to a further preferred embodiment of the present invention, it is possible to obtain a three-dimensional electronic component module having a glass-ceramic substrate having excellent flatness and a low coefficient of thermal expansion. In addition, the stress can be reduced.

【0041】本発明の好ましい実施態様においては、前
記グリーンシートを積層して、加圧し、さらに、焼成し
て、ガラス・セラミック化し、前記積層シートを形成す
るように構成されている。
In a preferred embodiment of the present invention, the green sheets are laminated, pressed, baked, and turned into glass ceramic to form the laminated sheet.

【0042】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀‐パラジウムおよび銀よ
りなる群から選ばれた金属を、前記グリーンシート上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the metal pattern is formed by printing, sputtering, plating and etching a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver on the green sheet. It is configured to be formed by means selected from the group consisting of:

【0043】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀‐パラジウムおよび銀よ
りなる群から選ばれた金属を前記グリーンシート上に印
刷することによって形成するように構成されている。本
発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コストで、
三次元電子部品用モジュールを製造することが可能にな
る。
In a further preferred embodiment of the present invention, the metal pattern is formed by printing a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver on the green sheet. . According to a further preferred embodiment of the present invention, at low cost,
It is possible to manufacture a module for a three-dimensional electronic component.

【0044】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀を前記グリーンシート上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
In a further preferred aspect of the present invention, the metal pattern is formed such that silver is formed on the green sheet by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating and etching. I have.

【0045】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属のパターンを、銀を前記グリーンシート上
に印刷することによって形成するように構成されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コス
トで、三次元電子部品用モジュールを製造することが可
能になる。
In a further preferred aspect of the present invention, the metal pattern is formed by printing silver on the green sheet. According to a further preferred embodiment of the present invention, a module for a three-dimensional electronic component can be manufactured at low cost.

【0046】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属を、前記2つのグリーンシートの一
方の上面および他方の下面ならびに前記積層シートの前
記少なくとも1つの研磨された側面上に、印刷、スパッ
タリング、めっきおよびエッチングよりなる群から選ば
れた手段によって形成するように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the external electrode is made of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver, on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets, and on the laminated sheet. Is formed on the at least one polished side by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating and etching.

【0047】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムおよび銀よりなる
群から選ばれた金属を、前記2つのグリーンシートの一
方の上面および他方の下面ならびに前記積層シートの前
記少なくとも1つの研磨された側面上に印刷することに
よって形成するように構成されている。本発明のさらに
好ましい実施態様によれば、低コストで、三次元電子部
品用モジュールを製造することが可能になる。
[0047] In a further preferred aspect of the present invention, the external electrode is made of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver, on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets, and on the laminated sheet. Is formed by printing on the at least one polished side of the slab. According to a further preferred embodiment of the present invention, a module for a three-dimensional electronic component can be manufactured at low cost.

【0048】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムを、前記2つのグ
リーンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前
記積層シートの前記少なくとも1つの研磨された側面上
に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよ
りなる群から選ばれた手段によって形成するように構成
されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the external electrode is provided with silver-palladium on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets and on the at least one polished side surface of the laminated sheet. Further, it is configured to be formed by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating and etching.

【0049】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極を、銀‐パラジウムを、前記2つのグ
リーンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前
記積層シートの前記少なくとも1つの研磨された側面上
に印刷することによって形成するように構成されてい
る。本発明のさらに好ましい実施態様によれば、低コス
トで、三次元電子部品用モジュールを製造することが可
能になる。
In a further preferred embodiment of the present invention, the external electrode is provided with silver-palladium on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets and on the at least one polished side surface of the laminated sheet. It is configured to be formed by printing. According to a further preferred embodiment of the present invention, a module for a three-dimensional electronic component can be manufactured at low cost.

【0050】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホール内に、銀ペースト、銀‐パラジウ
ムおよび金ペーストよりなる群から選ばれたペーストを
充填するように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the through hole is filled with a paste selected from the group consisting of silver paste, silver-palladium and gold paste.

【0051】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホール内に、銀ペーストを充填するよう
に構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the through holes are filled with a silver paste.

【0052】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記シートが有機基板によって構成されてい
る。本発明のさらに別の好ましい実施態様によれば、低
コストで、三次元電子部品用モジュールを製造すること
が可能になる。
[0052] In still another preferred embodiment of the present invention, the sheet is constituted by an organic substrate. According to still another preferred embodiment of the present invention, a module for a three-dimensional electronic component can be manufactured at low cost.

【0053】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記有機基板が、ガラス基材エポキシ基板、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板およ
びガラス基材フッ素基板よりなる群から選ばれた基板に
よって構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the organic substrate is a glass-based epoxy substrate, a glass-based bismaleimide triazine substrate, a glass-based polyimide substrate, a glass-based polyphenylene ether substrate, and a glass-based fluorine substrate. And a substrate selected from the group consisting of:

【0054】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記有機基板が、プリプレグ樹脂によって、接着さ
れて、前記積層シートを形成するように構成されてい
る。
In a further preferred aspect of the present invention, the organic substrate is bonded with a prepreg resin to form the laminated sheet.

【0055】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホールの内面に金属めっきを施し、前記
積層シートの少なくとも1つの側面を研磨して、前記ス
ルーホールを縦に切断し、前記スルーホールの内面を前
記少なくとも1つの側面上に露出させて、前記外部電極
を形成するように構成されている。
[0055] In a further preferred aspect of the present invention, metal plating is applied to an inner surface of the through hole, at least one side surface of the laminated sheet is polished, and the through hole is vertically cut. An inner surface is exposed on the at least one side surface to form the external electrode.

【0056】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、低融点のため、銀‐パラジウムや銀などを印刷し
て、外部電極を形成できない有機基板の場合にも、少な
くとも1ちの側面に、所望のように、外部電極を形成す
ることが可能になる。
According to a further preferred embodiment of the present invention, even if an organic substrate cannot be formed by printing silver-palladium, silver or the like due to a low melting point and forming an external electrode, at least one side surface has a desired shape. As described above, the external electrodes can be formed.

【0057】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記少なくとも1つの側面上に露出させた前記スル
ーホール内を共晶はんだによって充填するように構成さ
れている。
In a further preferred aspect of the present invention, the through hole exposed on the at least one side surface is filled with a eutectic solder.

【0058】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属めっきが、銅めっきによって形成されてい
る。
[0058] In a further preferred aspect of the present invention, the metal plating is formed by copper plating.

【0059】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記銅めっき上に、金めっき、銀めっきな
らびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群から
選ばれた金属のめっきが施される。本発明のさらに好ま
しい実施態様によれば、電極の酸化を防止することが可
能となる。
In a further preferred embodiment of the present invention, the copper plating is further plated with a metal selected from the group consisting of gold plating, silver plating, nickel plating and gold plating. According to a further preferred embodiment of the present invention, oxidation of the electrode can be prevented.

【0060】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線を、銅、アルミニウム、銀、金、白金
およびパラジウムから選ばれる金属により形成するよう
に構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the metal wiring is formed of a metal selected from copper, aluminum, silver, gold, platinum and palladium.

【0061】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記金属配線を、銅をめっきすることによって形成
するように構成されている。
In a further preferred aspect of the present invention, the metal wiring is formed by plating copper.

【0062】本発明の前記目的はまた、前記製造方法に
よって製造された前記三次元電子部品用モジュールの前
記外部電極に、半導体部品を接続することを特徴とする
三次元電子部品モジュールの製造方法によって達成され
る。
The object of the present invention is also a method for manufacturing a three-dimensional electronic component module, wherein a semiconductor component is connected to the external electrode of the three-dimensional electronic component module manufactured by the manufacturing method. Achieved.

【0063】本発明によれば、得られる三次元電子部品
モジュールは、最上に位置したシートの上面、最下に位
置したシートの下面および少なくとも1つの側面のシー
トに形成された金属のパターンと接続された外部電極に
半導体部品を接続されているから、半導体部品を高密度
に実装することができるとともに、半導体部品は外表面
に露出し、したがって、半導体部品から生じた熱を効率
的に放熱させることが可能になり、半導体部品の冷却効
率を損なうことのない高密度の三次元電子部品モジュー
ルを提供することが可能となる。
According to the present invention, the obtained three-dimensional electronic component module is connected to a metal pattern formed on the upper surface of the uppermost sheet, the lower surface of the lowermost sheet, and at least one side sheet. Since the semiconductor component is connected to the external electrode formed, the semiconductor component can be mounted at a high density, and the semiconductor component is exposed on the outer surface, so that heat generated from the semiconductor component is efficiently radiated. This makes it possible to provide a high-density three-dimensional electronic component module that does not impair the cooling efficiency of the semiconductor component.

【0064】本発明の好ましい実施態様においては、前
記三次元電子部品用モジュールの研磨され、平坦化さて
た前記積層シートの少なくとも1つの側面に、共晶クリ
ームはんだをスクリーン印刷し、半導体部品をマウント
して、リフロー炉内で、前記共晶クリームはんだを溶融
し、前記半導体部品と前記少なくとも1つの側面に形成
された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼成すること
によって、三次元電子部品モジュールが製造される。
In a preferred embodiment of the present invention, a eutectic cream solder is screen-printed on at least one side of the polished and flattened laminated sheet of the three-dimensional electronic component module, and the semiconductor component is mounted. Melting the eutectic cream solder in a reflow furnace, connecting the semiconductor component to an external electrode formed on the at least one side surface, and firing in a firing furnace to obtain a three-dimensional electron beam. The component module is manufactured.

【0065】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、平坦
化さてた前記積層シートの少なくとも1つの側面の前記
外部電極に対応する位置に、フラックスを、スクリーン
印刷し、前記外部電極に対応する位置に、はんだボール
を転写し、前記半導体部品を転写した前記はんだボール
上にマウントして、リフロー炉内で、加熱して、前記は
んだボールを溶融し、前記半導体部品と前記少なくとも
1つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉内
で、焼成することによって、三次元電子部品モジュール
が製造される。
In another preferred embodiment of the present invention, a flux is provided at a position corresponding to the external electrode on at least one side surface of the polished and flattened laminated sheet of the three-dimensional electronic component module. Screen printing, at a position corresponding to the external electrode, transferred a solder ball, mounted on the solder ball transferred the semiconductor component, heated in a reflow furnace, melted the solder ball, The three-dimensional electronic component module is manufactured by connecting the semiconductor component and the external electrode formed on the at least one side surface and firing in a firing furnace.

【0066】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、
平坦化さてた前記積層シートの少なくとも1つの側面の
前記外部電極に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷し、前記半導体部品の前記フラックスに対応する
位置に、はんだボールを転写し、前記半導体部品を、前
記少なくとも1つの側面に形成された前記外部電極の位
置に合致するように、前記外部電極上にマウントし、リ
フロー炉内で、加熱して、前記半導体部品と前記少なく
とも1つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成
炉内で、焼成することによって、三次元電子部品モジュ
ールが製造される。
In still another preferred embodiment of the present invention, the three-dimensional electronic component module is polished,
At a position corresponding to the external electrode on at least one side surface of the flattened laminated sheet, a flux is screen-printed, a solder ball is transferred to a position corresponding to the flux of the semiconductor component, and the semiconductor component is transferred. Mounted on the external electrode so as to match the position of the external electrode formed on the at least one side surface, heated in a reflow furnace, and formed on the semiconductor component and the at least one side surface. The three-dimensional electronic component module is manufactured by connecting the external electrodes and firing in a firing furnace.

【0067】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、前記三次元電子部品用モジュールの研磨され、
平坦化さてた前記積層シートの少なくとも1つの側面の
前記外部電極に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷し、前記半導体部品が備えているはんだボールを
利用して、前記半導体部品を、前記少なくとも1つの側
面に形成された前記外部電極の位置に合致するように、
前記外部電極上にマウントし、リフロー炉内で、加熱し
て、前記半導体部品と前記少なくとも1つの側面に形成
された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼成すること
によって、三次元電子部品モジュールが製造される。
In still another preferred embodiment of the present invention, the three-dimensional electronic component module is polished,
A flux is screen-printed at a position corresponding to the external electrode on at least one side surface of the flattened laminated sheet, and the semiconductor component is attached to the at least one side by using a solder ball provided in the semiconductor component. To match the position of the external electrode formed on one side,
By mounting on the external electrode and heating in a reflow furnace to connect the semiconductor component and the external electrode formed on the at least one side surface, and firing in a firing furnace, the three-dimensional electron The component module is manufactured.

【0068】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記リフロー炉中において、リフローピーク温度2
00〜250℃で、30ないし90秒間にわたって、加
熱されるように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, in the reflow furnace, a reflow peak temperature of 2
It is configured to be heated at 00 to 250 ° C. for 30 to 90 seconds.

【0069】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品と前記少なくとも1つの側面に形成
された外部電極とを接続した後、さらに、エポキシ封止
樹脂を、前記半導体部品と前記少なくとも1つの側面に
形成された外部電極との間に充填し、硬化炉中で、加熱
して、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ、前記半導体部
品と前記少なくとも1つの側面に形成された前記外部電
極とを固定することによって、三次元電子部品モジュー
ルが製造される。
In a further preferred aspect of the present invention, after the semiconductor component and the external electrode formed on the at least one side surface are connected, an epoxy sealing resin is further added to the semiconductor component and the at least one side. Filled between the external electrodes formed on the side surfaces, heated in a curing furnace to cure the epoxy sealing resin, the semiconductor component and the external electrodes formed on the at least one side surface By fixing, a three-dimensional electronic component module is manufactured.

【0070】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、半導体部品の固定と接続の信頼性を向上させること
が可能になる。
According to a further preferred embodiment of the present invention, it is possible to improve the reliability of fixing and connecting semiconductor components.

【0071】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記エポキシ封止樹脂がフィラーを含んでいる。
In a further preferred aspect of the present invention, the epoxy sealing resin contains a filler.

【0072】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、エポキシ封止樹脂の耐湿性を向上させることが可能
となるとともに、エポキシ封止樹脂の硬度を所望のよう
に調整することができる。
According to a further preferred embodiment of the present invention, the moisture resistance of the epoxy sealing resin can be improved, and the hardness of the epoxy sealing resin can be adjusted as desired.

【0073】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記フィラーがシリカフィラーによって構成されて
いる。
In a further preferred embodiment of the present invention, the filler is constituted by a silica filler.

【0074】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記硬化炉中で、130ないし180℃で、1ない
し4時間にわたって、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ
るように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the epoxy sealing resin is cured in the curing furnace at 130 to 180 ° C. for 1 to 4 hours.

【0075】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記焼成炉内で、550ないし650℃で、1.5
時間ないし3時間にわたり、加熱し、さらに、800な
いし880℃で、5ないし15分にわたって、焼成する
ように構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, in the firing furnace, at 550 to 650 ° C., 1.5 times
It is configured to heat for from 3 to 3 hours and then calcinate at 800 to 880 ° C. for 5 to 15 minutes.

【0076】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記半導体部品が、半導体ベアチップ、FBGAお
よび電子部品が実装された半導体基板よりなる群から選
ばれた半導体部品によって構成されている。
In a further preferred embodiment of the present invention, the semiconductor component is constituted by a semiconductor component selected from the group consisting of a semiconductor bare chip, an FBGA and a semiconductor substrate on which electronic components are mounted.

【0077】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記外部電極に、プリント配線基板を接続するよう
に構成されている。
In a further preferred aspect of the present invention, a printed wiring board is connected to the external electrodes.

【0078】[0078]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0079】図1は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図であり、
図2は、その略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic exploded perspective view of a module for a three-dimensional electronic component according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic perspective view thereof.

【0080】図1に示されるように、三次元電子部品用
モジュール1は、両面に、銀配線2がパターニングさ
れ、銀配線2を貫通する複数のスルーホール3が形成さ
れた6枚のガラス・セラミック基板4が積層され、さら
に、その両側に、内面に銀配線2がパターニングされ、
銀配線2を貫通する複数のスルーホール3が形成された
最上ガラス・セラミック基板4aと最下ガラス・セラミ
ック基板4bが積層されて構成されており、全体とし
て、直方体構造をなしている。スルーホール3内には、
銀ペースト2aが充填されている。最上ガラス・セラミ
ック基板4aの上面には、スクリーン印刷によって、銀
‐パラジウム配線5よりなる外部電極6がパターニング
され、最下ガラス・セラミック基板4bの下面には、ス
クリーン印刷により、銀‐パラジウム配線5よりなる外
部電極7がパターニングされている。三次元電子部品用
モジュール1の頂面に形成された外部電極6は、バイア
ホール3を介して、内部のガラス・セラミック基板4に
形成された銀配線2と接続され、三次元電子部品用モジ
ュール1の底面に形成された外部電極7は、バイアホー
ル3を介して、内部のガラス・セラミック基板4に形成
された銀配線2と接続されている。
As shown in FIG. 1, the module 1 for a three-dimensional electronic component has six glass plates having silver wirings 2 patterned on both sides and a plurality of through holes 3 penetrating the silver wirings 2. A ceramic substrate 4 is laminated, and further, on both sides thereof, silver wiring 2 is patterned on an inner surface,
The uppermost glass / ceramic substrate 4a and the lowermost glass / ceramic substrate 4b, in each of which a plurality of through holes 3 penetrating the silver wiring 2 are formed, are laminated to form a rectangular parallelepiped structure as a whole. In the through hole 3,
The silver paste 2a is filled. On the upper surface of the uppermost glass / ceramic substrate 4a, an external electrode 6 composed of silver-palladium wiring 5 is patterned by screen printing, and on the lower surface of the lowermost glass / ceramic substrate 4b, silver-palladium wiring 5 is formed by screen printing. External electrodes 7 are patterned. The external electrode 6 formed on the top surface of the three-dimensional electronic component module 1 is connected to the silver wiring 2 formed on the internal glass / ceramic substrate 4 via the via hole 3, and the three-dimensional electronic component module The external electrode 7 formed on the bottom surface of the substrate 1 is connected to the silver wiring 2 formed on the internal glass / ceramic substrate 4 via the via hole 3.

【0081】三次元電子部品用モジュール1の4つの側
面は研磨され、図1および図2に示されるように、スク
リーン印刷によって、銀‐パラジウム配線5よりなる外
部電極8、8、8がパターニングされて、各ガラス・セ
ラミック基板4の両面にパターニングされた銀配線2、
最上ガラス・セラミック基板4aの下面にパターニング
された銀配線2および最下ガラス・セラミック基板4b
の上面にパターニングされた銀配線2の端部と接続され
ている。
The four side surfaces of the three-dimensional electronic component module 1 are polished, and as shown in FIGS. 1 and 2, the external electrodes 8, 8, 8 composed of silver-palladium wirings 5 are patterned by screen printing. Silver wirings 2 patterned on both sides of each glass-ceramic substrate 4,
Silver wiring 2 patterned on the lower surface of uppermost glass / ceramic substrate 4a and lowermost glass / ceramic substrate 4b
Is connected to the end of the silver wiring 2 patterned on the upper surface of.

【0082】外部電極6、7、8は、半導体ベアチッ
プ、FBGAなどパッケージやプリント配線基板などを
接続する複数の端子を提供している。
The external electrodes 6, 7, and 8 provide a plurality of terminals for connecting a package such as a semiconductor bare chip and FBGA, a printed wiring board, and the like.

【0083】本実施態様によれば、各ガラス・セラミッ
ク基板4、4a、4b内が銀配線2によって配線され、
各ガラス・セラミック基板4、4a、4bに形成された
スルーホール3によって、複数のガラス・セラミック基
板4、4a、4bに形成された銀配線2が接続され、さ
らに、直方体の6面に形成された外部電極6、7、8
に、半導体ベアチップ、FBGAなどパッケージやプリ
ント配線基板などを接続することができるから、電子部
品の実装密度を大幅に向上させることが可能になる。ま
た、熱を発する半導体ベアチップ、FBGAなどパッケ
ージや半導体部品が実装されたプリント配線基板など
は、互いに90度を隔てて配置されることになるため、
発熱による相互の熱干渉を抑制することができ、さらに
は、半導体ベアチップ、FBGAなどパッケージや半導
体部品が実装されたプリント配線基板などは、三次元電
子部品用モジュール1の各外面に実装されるから、半導
体ベアチップ、FBGAなどパッケージや半導体部品が
実装されたプリント配線基板などから発せられた熱を、
効率よく、放熱することが可能になる。また、基板に、
ガラス・セラミック基板4、4a、4bを用いているか
ら、平坦性に優れ、熱膨張係数の低く、半導体ベアチッ
プ、FBGAなどパッケージや半導体部品が実装された
プリント配線基板などを実装しても、応力を緩和するこ
とが可能になる。したがって、本実施態様によれば、実
装密度を大幅に向上させつつ、放熱効率に優れた三次元
電子部品用モジュール1を提供することが可能になる。
According to this embodiment, the inside of each glass / ceramic substrate 4, 4a, 4b is wired by the silver wiring 2,
The silver wirings 2 formed on the plurality of glass-ceramic substrates 4, 4a, 4b are connected by through holes 3 formed on the respective glass-ceramic substrates 4, 4a, 4b, and further formed on six surfaces of a rectangular parallelepiped. External electrodes 6, 7, 8
In addition, since a package such as a semiconductor bare chip and a FBGA, a printed wiring board, and the like can be connected, the mounting density of electronic components can be greatly improved. In addition, semiconductor bare chips that generate heat, printed wiring boards on which packages such as FBGA and semiconductor components are mounted, and the like are arranged at 90 degrees from each other,
Mutual thermal interference due to heat generation can be suppressed, and furthermore, a package such as a semiconductor bare chip or FBGA or a printed wiring board on which a semiconductor component is mounted is mounted on each outer surface of the three-dimensional electronic component module 1. , Heat generated from printed wiring boards on which packages and semiconductor components such as semiconductor bare chips and FBGAs are mounted,
Heat can be efficiently dissipated. Also, on the board,
Since the glass-ceramic substrates 4, 4a and 4b are used, the flatness is excellent, the thermal expansion coefficient is low, and even if a package such as a semiconductor bare chip or FBGA or a printed wiring board on which a semiconductor component is mounted is used, the stress is reduced. Can be alleviated. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide the three-dimensional electronic component module 1 having excellent heat dissipation efficiency while significantly increasing the mounting density.

【0084】図3は、本発明の他の好ましい実施態様に
かかる三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図であ
る。
FIG. 3 is a schematic exploded perspective view of a module for a three-dimensional electronic component according to another preferred embodiment of the present invention.

【0085】図3に示されるように、三次元電子部品用
モジュール10は、両面に、銅配線11がパターニング
され、銅配線11を貫通する複数のスルーホール12が
形成された6枚のガラス基材エポキシ基板13が積層さ
れ、さらに、その両側に、内面に、銅配線11がパター
ニングされ、銅配線11を貫通する複数のスルーホール
3が形成された最上ガラス基材エポキシ基板13aと最
下ガラス基材エポキシ基板13bが積層され、プリプレ
グ樹脂14によって接着されて、構成されており、全体
として、直方体構造をなしている。最上ガラス基材エポ
キシ基板13aの上面には、銅配線11によって、外部
電極15がパターニングされ、最下ガラス基材エポキシ
基板13bの下面には、銅配線11によって、外部電極
16がパターニングされている。三次元電子部品用モジ
ュール10の頂面に形成された外部電極15は、バイア
ホール12を介して、内部のガラス基材エポキシ基板1
3、13a、13bに形成された銅配線11と接続さ
れ、三次元電子部品用モジュール1の底面に形成された
外部電極16は、バイアホール12を介して、内部のガ
ラス基材エポキシ基板13、13a、13bに形成され
た銅配線11と接続されている。
As shown in FIG. 3, the three-dimensional electronic component module 10 has six glass substrates in which copper wirings 11 are patterned on both sides and a plurality of through holes 12 penetrating the copper wirings 11 are formed. The uppermost glass substrate epoxy substrate 13a in which a material epoxy substrate 13 is laminated, and on both sides thereof, a copper wiring 11 is patterned on an inner surface and a plurality of through holes 3 penetrating the copper wiring 11 are formed, and a lowermost glass The base epoxy substrate 13b is laminated and adhered by the prepreg resin 14, and is configured to have a rectangular parallelepiped structure as a whole. External electrodes 15 are patterned on the upper surface of the uppermost glass substrate epoxy substrate 13a by copper wiring 11, and external electrodes 16 are patterned on the lower surface of the lowermost glass substrate epoxy substrate 13b by copper wiring 11. . The external electrode 15 formed on the top surface of the three-dimensional electronic component module 10 is connected to the internal glass substrate epoxy substrate 1 via the via hole 12.
The external electrodes 16 connected to the copper wirings 11 formed on the bases 3, 13 a and 13 b and formed on the bottom surface of the three-dimensional electronic component module 1 are connected via the via holes 12 to the internal glass base epoxy substrate 13, It is connected to the copper wiring 11 formed on 13a, 13b.

【0086】三次元電子部品用モジュール10の4つの
側面は、円柱状のバイアホール12を半分に切り取った
ような形状のバイアホール12が露出されるまで研磨さ
れ、図3に示されるように、銅めっきされたバイアホー
ル12内には共晶はんだ18が充填されて、外部電極1
7、17、17が形成されている。
The four side surfaces of the three-dimensional electronic component module 10 are polished until the via holes 12 each having a shape obtained by cutting the cylindrical via holes 12 in half are exposed, as shown in FIG. A eutectic solder 18 is filled in the copper-plated via hole 12 to form the external electrode 1.
7, 17, 17 are formed.

【0087】ガラス基材エポキシ基板13には、外部電
極17、17、17を形成するバイアホール12を有す
るものと、バイアホール12を有していないものがあ
り、接続される電子部品の電極の間隔に、外部電極1
7、17、17の間隔が合致するように、外部電極1
7、17、17を形成するためのバイアホール12を有
していないガラス基材エポキシ基板13の厚み、銅配線
11の厚みおよびプリプレグ樹脂14の厚みが選択され
ている。
The glass-based epoxy substrate 13 has a via hole 12 for forming the external electrodes 17, 17 and 17, and a glass substrate epoxy substrate 13 which does not have the via hole 12. External electrodes 1 at intervals
The external electrodes 1, 17, 17 are aligned so that
The thickness of the glass substrate epoxy substrate 13 having no via hole 12 for forming 7, 17, 17 and the thickness of the copper wiring 11 and the thickness of the prepreg resin 14 are selected.

【0088】外部電極15、16、17は、半導体ベア
チップ、FBGAなどパッケージやプリント配線基板な
どを接続する複数の端子を提供している。
The external electrodes 15, 16 and 17 provide a plurality of terminals for connecting packages such as semiconductor bare chips and FBGAs, printed wiring boards and the like.

【0089】本実施態様によれば、各ガラス基材エポキ
シ基板13、13a、13b内が銅配線11によって配
線され、各ガラス基材エポキシ基板13、13a、13
bに形成されたスルーホール12によって、複数のガラ
ス基材エポキシ基板13、13a、13bに形成された
銅配線11の間が接続され、さらに、六面体の6面に形
成された外部電極15、16、17に、半導体ベアチッ
プ、FBGAなどパッケージや半導体部品が実装された
プリント配線基板などを接続することができるから、電
子部品の実装密度を大幅に向上させることが可能にな
る。また、熱を発する半導体ベアチップ、FBGAなど
パッケージや半導体部品が実装されたプリント配線基板
などは、互いに90度を隔てて配置されることになるた
め、発熱による相互の熱干渉を抑制することができると
ともに、半導体ベアチップ、FBGAなどパッケージや
プリント配線基板などは、三次元電子部品用モジュール
10の各外面に実装されるから、半導体ベアチップ、F
BGAなどパッケージや半導体部品が実装されたプリン
ト配線基板などから発せられた熱を、効率よく、放熱す
ることが可能になる。また、基板として、ガラス基材エ
ポキシ基板13、13a、13bを用いているため、低
コストで、三次元電子部品用モジュール10を得ること
ができる。したがって、本実施態様によれば、実装密度
を大幅に向上させつつ、放熱効率に優れた三次元電子部
品用モジュール10を提供することが可能になる。ま
た、コネクタを介することなく、プリント配線基板と接
続させることが可能となる。
According to this embodiment, the inside of each glass base epoxy board 13, 13a, 13b is wired by the copper wiring 11, and each glass base epoxy board 13, 13a, 13b
b, connecting between the copper wirings 11 formed on the plurality of glass base epoxy substrates 13, 13a, 13b, and further, external electrodes 15, 16 formed on six surfaces of the hexahedron. , 17 can be connected to a package such as a semiconductor bare chip or FBGA or a printed wiring board on which a semiconductor component is mounted, so that the mounting density of electronic components can be greatly improved. In addition, semiconductor bare chips that generate heat, printed wiring boards on which packages such as FBGA and semiconductor components are mounted, and the like are arranged at 90 degrees from each other, so that mutual thermal interference due to heat generation can be suppressed. At the same time, a semiconductor bare chip, a package such as FBGA, a printed wiring board, and the like are mounted on each outer surface of the three-dimensional electronic component module 10.
It is possible to efficiently radiate heat generated from a package such as a BGA or a printed wiring board on which semiconductor components are mounted. Further, since the glass base epoxy substrates 13, 13a and 13b are used as the substrates, the three-dimensional electronic component module 10 can be obtained at low cost. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide the three-dimensional electronic component module 10 having excellent heat dissipation efficiency while significantly increasing the mounting density. In addition, it is possible to connect to a printed wiring board without using a connector.

【0090】図4は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの略斜視図である。
FIG. 4 is a schematic perspective view of a three-dimensional electronic component module according to a preferred embodiment of the present invention.

【0091】図4に示されるように、本発明の好ましい
実施態様にかかる三次元電子部品モジュール20は、直
方体をなした三次元電子部品用モジュール1の底面に形
成された外部電極7にプリント配線基板21が接続さ
れ、1つの側面に形成された外部電極8には、FBGA
22が、他の1つの側面に形成された外部電極8には、
半導体ベアチップ23が、頂面に形成された外部電極6
には、半導体部品24を実装した小型基板25が、それ
ぞれ、共晶はんだによって、接続されて、構成されてお
り、他の2つの側面に形成された外部電極8には、電子
部品は接続されていない。
As shown in FIG. 4, a three-dimensional electronic component module 20 according to a preferred embodiment of the present invention includes printed wiring on external electrodes 7 formed on the bottom surface of a rectangular parallelepiped three-dimensional electronic component module 1. The substrate 21 is connected, and the external electrode 8 formed on one side surface has an FBGA
22 is provided on the external electrode 8 formed on the other one side surface,
The semiconductor bare chip 23 has an external electrode 6 formed on the top surface.
In this example, a small substrate 25 on which a semiconductor component 24 is mounted is connected and configured by eutectic solder, and an electronic component is connected to external electrodes 8 formed on the other two side surfaces. Not.

【0092】本実施態様にかかる三次元電子部品モジュ
ール20は直方体をなし、三次元電子部品用モジュール
1を構成する各基板4内が、銀‐パラジウム配線2によ
って配線され、各基板4に形成され、銀ペースト2aが
充填されたスルーホール3によって、複数の基板4の銀
‐パラジウム配線2が接続されており、さらに、六面体
の2つの側面に形成された外部電極8にFBGA22お
よび半導体ベアチップ23が接続され、頂面に形成され
た外部電極6に半導体部品24を実装した小型基板25
が接続され、底面に形成された外部電極7にはプリント
配線基板21が接続されているから、実装密度を大幅に
向上させることが可能になり、他方、熱を発するFBG
A22、半導体ベアチップ23、小型基板25および半
導体部品が実装されたプリント配線基板21は、互いに
90度を隔てて配置されているから、発熱による相互の
熱干渉を抑制することができるとともに、FBGA2
2、半導体ベアチップ23、半導体部品24を実装した
小型基板25は、三次元電子部品用モジュール1、10
の各外面に実装されているから、FBGA22、半導体
ベアチップ23、小型基板25および半導体部品が実装
されたプリント配線基板21から発せられた熱を、効率
よく、放熱することが可能になる。また、基板に、ガラ
ス・セラミック基板4、4a、4bを用いているから、
平坦性に優れ、熱膨張係数の低く、半導体ベアチップ、
FBGAなどパッケージや半導体部品が実装されたプリ
ント配線基板などを実装しても、応力を緩和することが
可能になる。さらに、本実施態様によれば、コネクタを
介することなく、プリント配線基板21と接続させるこ
とが可能となる。
The three-dimensional electronic component module 20 according to this embodiment has a rectangular parallelepiped shape, and the inside of each substrate 4 constituting the three-dimensional electronic component module 1 is wired by the silver-palladium wiring 2 and formed on each substrate 4. The silver-palladium wirings 2 of the plurality of substrates 4 are connected by through holes 3 filled with silver paste 2a, and the FBGA 22 and the semiconductor bare chip 23 are connected to the external electrodes 8 formed on the two side surfaces of the hexahedron. A small substrate 25 connected and having a semiconductor component 24 mounted on an external electrode 6 formed on the top surface
And the printed wiring board 21 is connected to the external electrodes 7 formed on the bottom surface, so that the mounting density can be greatly improved.
The printed wiring board 21 on which the semiconductor chip A22, the semiconductor bare chip 23, the small board 25, and the semiconductor components are mounted is arranged 90 degrees apart from each other, so that mutual thermal interference due to heat generation can be suppressed and the FBGA2
2. The small substrate 25 on which the semiconductor bare chip 23 and the semiconductor component 24 are mounted is a three-dimensional electronic component module 1, 10
, The heat generated from the printed wiring board 21 on which the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23, the small board 25, and the semiconductor components are mounted can be efficiently radiated. Further, since the glass / ceramic substrates 4, 4a, 4b are used as the substrates,
Excellent flatness, low coefficient of thermal expansion, semiconductor bare chip,
Even when a package such as FBGA or a printed wiring board on which a semiconductor component is mounted is mounted, the stress can be reduced. Further, according to the present embodiment, it is possible to connect to the printed wiring board 21 without using a connector.

【0093】図5は、本発明の別の好ましい実施態様に
かかる三次元電子部品モジュールの略斜視図である。図
5に示されるように、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュール30は、直方体をなした三
次元電子部品用モジュール10の底面に形成された外部
電極16にプリント配線基板31が接続され、頂面に形
成された外部電極15および側面に形成された外部電極
17に、それぞれ、FBGA32が接続されて、構成さ
れている。
FIG. 5 is a schematic perspective view of a three-dimensional electronic component module according to another preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, a three-dimensional electronic component module 30 according to a preferred embodiment of the present invention includes a printed wiring board 31 on external electrodes 16 formed on the bottom surface of a rectangular parallelepiped three-dimensional electronic component module 10. The FBGA 32 is connected to the external electrode 15 formed on the top surface and the external electrode 17 formed on the side surface.

【0094】本実施態様にかかる三次元電子部品モジュ
ール30は直方体をなし、三次元電子部品用モジュール
10を構成する各基板13内が、銅配線11によって配
線され、各基板13に形成され、銅めっきが施されたス
ルーホール12によって、複数の基板13の銅配線11
が接続されており、さらに、六面体の頂面に形成された
外部電極15および側面に形成された外部電極17には
FBGA32が接続され、底面に形成された外部電極1
6にはプリント配線基板31が接続されているから、実
装密度を大幅に向上させることが可能になり、他方、熱
を発する5つのFBGA32および半導体部品が実装さ
れたプリント配線基板31は互いに90度を隔てて配置
されているから、発熱による相互の熱干渉を抑制するこ
とができるとともに、FBGA32およびプリント配線
基板31は、三次元電子部品用モジュール1、10の各
外面に実装されているから、FBGA32および半導体
部品が実装されたプリント配線基板31から発せられた
熱を、効率よく、放熱することが可能になる。また、基
板として、ガラス基材エポキシ基板13、13a、13
bを用いているため、低コストで、三次元電子部品用モ
ジュール10を得ることができる。さらに、本実施態様
によれば、コネクタを介することなく、プリント配線基
板21と接続させることが可能となる。
The three-dimensional electronic component module 30 according to the present embodiment has a rectangular parallelepiped shape, and the inside of each substrate 13 constituting the three-dimensional electronic component module 10 is wired by the copper wiring 11 and formed on each substrate 13. The plated through-holes 12 allow the copper wiring 11 of the plurality of substrates 13 to be formed.
The FBGA 32 is connected to the external electrode 15 formed on the top surface of the hexahedron and the external electrode 17 formed on the side surface, and the external electrode 1 formed on the bottom surface is connected.
6, the printed wiring board 31 is connected, so that the mounting density can be greatly improved. On the other hand, the five FBGAs 32 that generate heat and the printed wiring board 31 on which the semiconductor components are mounted are at 90 degrees to each other. , The mutual thermal interference due to heat generation can be suppressed, and the FBGA 32 and the printed wiring board 31 are mounted on the outer surfaces of the three-dimensional electronic component modules 1 and 10, respectively. The heat generated from the printed wiring board 31 on which the FBGA 32 and the semiconductor components are mounted can be efficiently radiated. Further, as a substrate, a glass base epoxy substrate 13, 13a, 13
Since b is used, the three-dimensional electronic component module 10 can be obtained at low cost. Further, according to the present embodiment, it is possible to connect to the printed wiring board 21 without using a connector.

【0095】図6は、本発明の実施態様にかかる三次元
電子部品モジュールを用いた電子部品の一例を示す略斜
視図である。
FIG. 6 is a schematic perspective view showing an example of an electronic component using the three-dimensional electronic component module according to the embodiment of the present invention.

【0096】図6に示されるように、電子部品は、4つ
の三次元電子部品モジュール40、41、42(1つは
図示せず)を備え、4つの三次元電子部品モジュール4
0、41、42の頂面に形成された外部電極(図示せ
ず)および低部に形成された外部電極(図示せず)に
は、それぞれ、プリント配線基板43、44が接続され
ている。三次元電子部品モジュール40は4つの側面に
FBGA45を備え、三次元電子部品モジュール41、
42には、それぞれ、1つの側面にのみ、FBGA45
を備えている。
As shown in FIG. 6, the electronic component includes four three-dimensional electronic component modules 40, 41, and 42 (one is not shown).
Printed circuit boards 43 and 44 are connected to external electrodes (not shown) formed on the top surfaces of 0, 41 and 42 and external electrodes (not shown) formed on the lower part, respectively. The three-dimensional electronic component module 40 has FBGAs 45 on four sides, and the three-dimensional electronic component module 41,
42 each have an FBGA 45 on only one side.
It has.

【0097】図6に示された電子部品のように、本発明
によれば、三次元電子部品モジュール40、41、42
に実装された半導体部品からの発熱量が多くて、自然冷
却によっては、十分に放熱させることができない場合に
おいても、プリント配線基板43、44の間に、4つの
三次元電子部品モジュール40、41、42が、間隔を
おいて、存在するため、ファン(図示せず)を用いて、
冷却エアを、プリント配線基板43、44の間に強制的
に供給して、三次元電子部品モジュール40、41、4
2に実装された半導体部品および半導体部品が実装され
たプリント配線基板43、44を所望のように冷却する
ことが可能となる。
As in the electronic component shown in FIG. 6, according to the present invention, the three-dimensional electronic component modules 40, 41, 42
Even when the amount of heat generated from the semiconductor components mounted on the printed wiring board is large and sufficient heat cannot be dissipated by natural cooling, the four three-dimensional electronic component modules 40 and 41 are located between the printed wiring boards 43 and 44. , 42 are present at an interval, and thus, using a fan (not shown),
Cooling air is forcibly supplied between the printed wiring boards 43 and 44 to cool the three-dimensional electronic component modules 40, 41 and 4.
2 and the printed wiring boards 43 and 44 on which the semiconductor components are mounted can be cooled as desired.

【0098】図7は、本発明の実施態様にかかる三次元
電子部品モジュールを用いた電子部品の他の例を示す略
斜視図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing another example of an electronic component using the three-dimensional electronic component module according to the embodiment of the present invention.

【0099】図7に示されるように、電子部品は、それ
ぞれの側面に形成された外部電極8、17によって互い
に接続された2つの三次元電子部品モジュール50、5
1を備え、2つの三次元電子部品モジュール50、51
の底面に形成された外部電極(図示せず)はプリント配
線基板52に接続されている。また、三次元電子部品モ
ジュール50の3つの側面および三次元電子部品モジュ
ール51の2つの側面に形成された外部電極(図示せ
ず)にはFBGA53が接続され、三次元電子部品モジ
ュール50、51の頂面に形成された外部電極(図示せ
ず)には、それぞれ、半導体部品54を実装した小型基
板55が接続されている。
As shown in FIG. 7, the electronic component is composed of two three-dimensional electronic component modules 50, 5 connected to each other by external electrodes 8, 17 formed on the respective side surfaces.
1, two three-dimensional electronic component modules 50, 51
An external electrode (not shown) formed on the bottom surface of the printed wiring board 52 is connected to the printed wiring board 52. Further, FBGA 53 is connected to external electrodes (not shown) formed on the three side surfaces of the three-dimensional electronic component module 50 and the two side surfaces of the three-dimensional electronic component module 51. External substrates (not shown) formed on the top surface are connected to small substrates 55 on which semiconductor components 54 are mounted, respectively.

【0100】図7に示された電子部品においては、2つ
の三次元電子部品モジュール50、51は側面に形成さ
れた外部電極(図示せず)によって互いに接続されてい
るので、高密度化を図ることができ、その一方で、熱を
発する5つのFBGA53、2つの小型基板55および
半導体部品(図示せず)が実装されたプリント配線基板
52は互いに90度を隔てて配置されているから、発熱
による相互の熱干渉を抑制することができるとともに、
FBGA53、小型基板55およびプリント配線基板5
2は、三次元電子部品用モジュール1、10の各外面に
実装されているから、FBGA32、小型基板55およ
び半導体部品が実装されたプリント配線基板31から発
せられた熱を、効率よく、放熱することが可能になる。
したがって、本発明によれば、冷却効率を損なうことな
く、電子部品の実装密度を向上させることができる。
In the electronic component shown in FIG. 7, since the two three-dimensional electronic component modules 50 and 51 are connected to each other by external electrodes (not shown) formed on the side surfaces, the density is increased. On the other hand, the five FBGAs 53 that generate heat, the two small substrates 55, and the printed wiring board 52 on which the semiconductor components (not shown) are mounted are arranged at a distance of 90 degrees from each other. Can suppress mutual thermal interference by
FBGA 53, small board 55 and printed wiring board 5
2 is mounted on each outer surface of the three-dimensional electronic component modules 1 and 10, so that heat generated from the FBGA 32, the small substrate 55, and the printed wiring board 31 on which the semiconductor components are mounted is efficiently radiated. It becomes possible.
Therefore, according to the present invention, the mounting density of electronic components can be improved without impairing the cooling efficiency.

【0101】図8は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの使用例を示す略斜視図で
ある。
FIG. 8 is a schematic perspective view showing an example of use of a three-dimensional electronic component module according to a preferred embodiment of the present invention.

【0102】図8に示されるように、本発明の好ましい
実施態様にかかる三次元電子部品モジュール60は、そ
の側面に形成された外部電極8、17の1つにフレキシ
ブル配線板61が接続されている。このように、本発明
の好ましい実施態様にかかる三次元電子部品モジュール
60においては、各面に2つ、合計12の方向に、フレ
キシブル配線板61を延ばして、外部端子を引き出すこ
とができ、2つの方向にしか、フレキシブル配線板61
を延ばして、外部端子を引き出すことができない従来の
積層配線基板に比し、配線の自由度を大幅に向上させる
ことも可能になる。
As shown in FIG. 8, a three-dimensional electronic component module 60 according to a preferred embodiment of the present invention has a flexible wiring board 61 connected to one of the external electrodes 8 and 17 formed on the side surface thereof. I have. As described above, in the three-dimensional electronic component module 60 according to the preferred embodiment of the present invention, the flexible wiring board 61 can be extended in a total of 12 directions, two on each surface, so that the external terminals can be drawn out. Flexible wiring board 61 in only one direction
As a result, the degree of freedom of wiring can be greatly improved as compared with a conventional laminated wiring board from which external terminals cannot be drawn out.

【0103】図9は、本発明の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの検査方法を示す略斜視図
である。図9に示されるように、三次元電子部品モジュ
ール65においては、底面に形成された外部電極(図示
せず)がプリント配線基板66に接続され、側面に形成
された外部電極(図示せず)の1つがFBGA67に、
2つが半導体ベアチップ68に、それぞれ、接続されて
いるが、頂面に形成された外部電極6、15には電子部
品は接続されていない。
FIG. 9 is a schematic perspective view showing a method for inspecting a three-dimensional electronic component module according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, in the three-dimensional electronic component module 65, external electrodes (not shown) formed on the bottom surface are connected to the printed wiring board 66, and external electrodes (not shown) formed on the side surfaces. One of them is FBGA67,
The two are connected to the semiconductor bare chip 68, respectively, but the electronic components are not connected to the external electrodes 6, 15 formed on the top surface.

【0104】電子部品の実装密度が高くなるほど、電気
検査用のプローブを電子部品に接続させるスペースを確
保することが困難となるが、本発明にかかる三次元電子
部品モジュールにおいては、図9に示されるように、三
次元電子部品モジュール65をプリント配線基板66に
実装した状態で、頂面に形成された外部電極6、15
に、テストプローブ69を接触させることによって、三
次元電子部品モジュール65だけでなく、プリント配線
基板66内の周辺回路の動作状態を、バウンダリースキ
ャンなどの方法を用いて、検査することが可能となる。
したがって、本発明にかかる三次元電子部品モジュール
によれば、電子部品の高密度な実装を可能としつつ、電
気検査用の端子を提供することができる。
As the mounting density of the electronic components increases, it becomes more difficult to secure a space for connecting the probe for electrical inspection to the electronic components. However, in the three-dimensional electronic component module according to the present invention, as shown in FIG. In a state where the three-dimensional electronic component module 65 is mounted on the printed wiring board 66, the external electrodes 6, 15 formed on the top surface are
Then, by bringing the test probe 69 into contact, the operating state of not only the three-dimensional electronic component module 65 but also the peripheral circuits in the printed wiring board 66 can be inspected using a method such as a boundary scan. Become.
Therefore, according to the three-dimensional electronic component module of the present invention, it is possible to provide terminals for electrical inspection while enabling high-density mounting of electronic components.

【0105】本発明の好ましい実施態様にかかる三次元
電子部品用モジュール1は、従来のガラス・セラミック
積層基板と同様に、以下のようにして、製造することが
できる。
The three-dimensional electronic component module 1 according to a preferred embodiment of the present invention can be manufactured as follows, similarly to a conventional glass / ceramic laminated substrate.

【0106】まず、アルミナ粉、ガラス粉および有機バ
インダを含んだグリ−ンシートに、パンチングによっ
て、スルーホール3が形成される。次いで、グリ−ンシ
ート上に、銀ペーストを印刷して、銀配線2を形成する
とともに、スルーホール3内に、銀ペースト2aを充填
する。
First, through holes 3 are formed in a green sheet containing alumina powder, glass powder and an organic binder by punching. Next, a silver paste is printed on the green sheet to form the silver wiring 2, and the silver paste 2 a is filled in the through hole 3.

【0107】さらに、こうして得られたグリ−ンシート
を重ねて、60ないし90℃で、3ないし15分間、好
ましくは、約70℃で約10分間にわたり、5ないし1
0Kg/平方センチメートルの圧力で加圧する。
Further, the green sheets thus obtained are stacked, and the green sheets are heated at 60 to 90 ° C. for 3 to 15 minutes, preferably at about 70 ° C. for about 10 minutes, for 5 to 1 minute.
Pressurize at a pressure of 0 kg / cm 2.

【0108】次いで、焼成炉内に入れて、550ないし
650℃で、1.5ないし3時間、好ましくは、600
℃で、約120分間にわたり、積層されたグリーンシー
トを焼成して、グリ−ンシートおよび銀ペースト2、2
aに含まれたバインダを分解させ、その後、800ない
し880℃で、5ないし15分間、好ましくは、約85
0℃で約10分間にわたり、焼成して、グリーンシート
を燒結し、ほぼ直方体のセラミック構造体とする。
Then, it is placed in a firing furnace at 550 to 650 ° C. for 1.5 to 3 hours, preferably 600 to 650 ° C.
At 120 ° C. for about 120 minutes, the laminated green sheets are fired to obtain green sheets and silver pastes 2, 2.
a) decompose the binder contained therein and then at 800 to 880 ° C. for 5 to 15 minutes, preferably about 85
By firing at 0 ° C. for about 10 minutes, the green sheet is sintered to obtain a substantially rectangular parallelepiped ceramic structure.

【0109】さらに、得られたセラミック構造体の側面
を、銀配線2が露出するまで、平坦になるように研磨す
る。次いで、セラミック構造体の一側面上の露出してい
る銀配線2の位置に、銀‐パラジウムペーストをスクリ
ーン印刷して、外部電極8を形成する。
Further, the side surface of the obtained ceramic structure is polished so as to be flat until the silver wiring 2 is exposed. Next, silver-palladium paste is screen-printed on the exposed side of the silver wiring 2 on one side surface of the ceramic structure to form the external electrode 8.

【0110】さらに、80ないし150℃で、1ないし
15分間、好ましくは、約120℃で、約5分間にわた
り、乾燥する。次いで、セラミック構造体の別の面に、
銀‐パラジウムペーストをスクリーン印刷して、外部電
極6、7、8を形成して、上述の条件で、乾燥する。
Further, drying is performed at 80 to 150 ° C. for 1 to 15 minutes, preferably at about 120 ° C. for about 5 minutes. Then, on another side of the ceramic structure,
The silver-palladium paste is screen-printed to form the external electrodes 6, 7, 8 and dried under the above conditions.

【0111】セラミック構造体の所望の面に、外部電極
6、7、8を形成するまで、銀‐パラジウムペーストの
スクリーン印刷および乾燥工程を繰り返し、最後に、焼
成炉中で、550ないし650℃で、1.5ないし3時
間、好ましくは、約600℃で、約2時間にわたり、セ
ラミック構造体を加熱して、バインダを分解させ、80
0ないし880℃で、5なし15分、好ましくは、87
5℃で10分間にわたって、焼成して、図1および図2
に示された三次元電子部品用モジュール1を得る。
The steps of screen printing and drying the silver-palladium paste are repeated until the external electrodes 6, 7, 8 are formed on the desired surfaces of the ceramic structure, and finally, at 550 to 650 ° C. in a firing furnace. The ceramic structure is heated for 1.5 to 3 hours, preferably at about 600 ° C. for about 2 hours to decompose the binder,
5 to 15 minutes at 0 to 880 ° C., preferably 87
Firing at 5 ° C. for 10 minutes, FIG. 1 and FIG.
To obtain the three-dimensional electronic component module 1 shown in FIG.

【0112】こうして得られた三次元電子部品用モジュ
ール1を用いることによって、以下のようにして、図4
に示された三次元電子部品モジュール20を製造するこ
とができる。
By using the three-dimensional electronic component module 1 thus obtained, the following process is performed as shown in FIG.
Can be manufactured.

【0113】まず、半導体部品であるFBGA22が実
装される三次元電子部品用モジュール1の面に、共晶ク
リームはんだをスクリーン印刷する。
First, eutectic cream solder is screen-printed on the surface of the three-dimensional electronic component module 1 on which the FBGA 22 as a semiconductor component is mounted.

【0114】次いで、FBGA22をマウントして、リ
フロー炉内に入れ、リフローピーク温度200〜250
℃で、30ないし90秒間、好ましくは、リフローピー
ク温度210〜230℃で、30ないし60秒間にわた
って、加熱して、共晶クリームはんだ70を溶融し、F
BGA22と三次元電子部品用モジュール1の外部電極
8とを共晶クリームはんだによって接続する。
Next, the FBGA 22 was mounted and placed in a reflow furnace, and the reflow peak temperature was 200 to 250.
C. for 30 to 90 seconds, preferably at a reflow peak temperature of 210 to 230.degree. C. for 30 to 60 seconds to melt the eutectic cream solder 70,
The BGA 22 and the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1 are connected by eutectic cream solder.

【0115】その後、FBGA22の固定とはんだ接続
の信頼性を保証するため、シリカフィラーを含むエポキ
シ封止樹脂を、FBGA22と三次元電子部品用モジュ
ール1の外部電極8との間に充填して、硬化炉中で、1
30ないし180℃で、1ないし4時間、好ましくは、
約150℃で約2時間にわたり、加熱して、エポキシ封
止樹脂を硬化させ、FBGA22を三次元電子部品用モ
ジュール1の外部電極8に固定する。
Thereafter, an epoxy sealing resin containing a silica filler is filled between the FBGA 22 and the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1 in order to secure the reliability of the FBGA 22 and the solder connection. 1 in the curing oven
At 30 to 180 ° C. for 1 to 4 hours, preferably
By heating at about 150 ° C. for about 2 hours to cure the epoxy sealing resin, the FBGA 22 is fixed to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1.

【0116】ここに、シリカフィラーを含むエポキシ封
止樹脂が用いられているのは、エポキシ封止樹脂にシリ
カフィラーを充填させることによって、エポキシ封止樹
脂の耐湿性を向上させるとともに、エポキシ封止樹脂の
硬度を所望のように調整するためである。
Here, the epoxy sealing resin containing a silica filler is used because by filling the epoxy sealing resin with the silica filler, the moisture resistance of the epoxy sealing resin can be improved and the epoxy sealing resin can be used. This is for adjusting the hardness of the resin as desired.

【0117】次いで、全く同様にして、半導体部品であ
る半導体ベアチップ23が実装される三次元電子部品用
モジュール1の面に、共晶クリームはんだ70をスクリ
ーン印刷し、共晶クリームはんだを加熱溶融して、半導
体ベアチップ23と三次元電子部品用モジュール1の外
部電極8とを共晶クリームはんだによって接続し、シリ
カフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、半導体ベアチッ
プ23と三次元電子部品用モジュール1の外部電極8と
の間に充填して、加熱によって、エポキシ封止樹脂を硬
化させ、半導体ベアチップ23を三次元電子部品用モジ
ュール1の外部電極8に固定する。
Next, the eutectic cream solder 70 is screen-printed on the surface of the three-dimensional electronic component module 1 on which the semiconductor bare chip 23 as a semiconductor component is mounted, and the eutectic cream solder is heated and melted. Then, the semiconductor bare chip 23 and the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 are connected by eutectic cream solder, and an epoxy sealing resin containing silica filler is applied to the outside of the semiconductor bare chip 23 and the three-dimensional electronic component module 1. The semiconductor bare chip 23 is fixed to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1 by filling the space between the electrodes 8 and the epoxy sealing resin by heating to cure the epoxy sealing resin.

【0118】さらに、全く同様にして、半導体部品24
を実装した小型基板25が実装される三次元電子部品用
モジュール1の面に、共晶クリームはんだをスクリーン
印刷し、共晶クリームはんだを加熱溶融して、小型基板
25と三次元電子部品用モジュール1の外部電極6とを
共晶クリームはんだによって接続し、シリカフィラーを
含むエポキシ封止樹脂を、小型基板25と三次元電子部
品用モジュール1の外部電極6との間に充填して、加熱
によって、エポキシ封止樹脂を硬化させ、小型基板25
を三次元電子部品用モジュール1の外部電極8に固定す
る。
Further, the semiconductor component 24
A eutectic cream solder is screen-printed on the surface of the three-dimensional electronic component module 1 on which the small substrate 25 on which the small substrate 25 is mounted is mounted, and the eutectic cream solder is heated and melted. 1 is connected to the external electrode 6 by eutectic cream solder, and an epoxy sealing resin containing silica filler is filled between the small substrate 25 and the external electrode 6 of the three-dimensional electronic component module 1 and heated. Curing the epoxy sealing resin,
Is fixed to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1.

【0119】その後、FBGA22、半導体ベアチップ
23および小型基板25が固定された三次元電子部品用
モジュール1を焼成炉に入れて、550ないし650℃
で、1.5時間ないし3時間、好ましくは、約600℃
で2時間にわたり、加熱し、バインダを分解させた後、
800ないし880℃で、5ないし15分、好ましく
は、875℃で10分間にわたり、焼成する。
Thereafter, the three-dimensional electronic component module 1 to which the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23 and the small substrate 25 are fixed is placed in a firing furnace, and the temperature is set at 550 to 650 ° C.
1.5 hours to 3 hours, preferably at about 600 ° C.
After heating for 2 hours to decompose the binder,
Firing at 800-880 ° C. for 5-15 minutes, preferably at 875 ° C. for 10 minutes.

【0120】こうして、FBGA22、半導体ベアチッ
プ23および半導体部品24を実装した小型基板25が
実装された三次元電子部品モジュール20が製造され
る。
Thus, the three-dimensional electronic component module 20 on which the small board 25 on which the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23 and the semiconductor component 24 are mounted is manufactured.

【0121】また、図1および図2に示された三次元電
子部品用モジュール1を用いて、以下のようにして、図
4に示された三次元電子部品モジュール20を製造する
こともできる。
Also, using the three-dimensional electronic component module 1 shown in FIGS. 1 and 2, the three-dimensional electronic component module 20 shown in FIG. 4 can be manufactured as follows.

【0122】まず、三次元電子部品用モジュール1の外
部電極8に対応する位置に、フラックスを、スクリーン
印刷法によって、印刷する。
First, a flux is printed at a position corresponding to the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 by a screen printing method.

【0123】次いで、ホール転写機を用いて、外部電極
8に対応する位置に、共晶組成の錫‐鉛はんだボールを
転写する。その結果、外部電極8に対応する位置に、あ
らかじめ印刷されたフラックスに、はんだボールが接着
して、はんだボールが転写される。はんだボールとして
は、外部電極8のピッチにしたがって、適正なボール径
のものが選ばれる。たとえば、外部電極8のピッチが
0.5mmの場合には、ボール径が0.05ないし0.
35mmφのはんだボールを転写することが望ましい。
0.05mm以下のはんだボールは製造が難しく、0.
35mm以上のはんだボールを転写した場合は転写した
はんだボール同士にブリッジが発生しやすく、好ましく
ない。
Next, a tin-lead solder ball having a eutectic composition is transferred to a position corresponding to the external electrode 8 using a hole transfer machine. As a result, the solder ball adheres to the flux printed in advance at the position corresponding to the external electrode 8, and the solder ball is transferred. A solder ball having an appropriate ball diameter is selected according to the pitch of the external electrodes 8. For example, when the pitch of the external electrodes 8 is 0.5 mm, the ball diameter is 0.05 to 0.5 mm.
It is desirable to transfer a 35 mmφ solder ball.
Solder balls having a thickness of 0.05 mm or less are difficult to manufacture.
When a solder ball having a length of 35 mm or more is transferred, a bridge easily occurs between the transferred solder balls, which is not preferable.

【0124】次いで、FBGA22を転写したはんだボ
ール上にマウントして、リフロー炉に入れて、リフロー
ピーク温度200〜250℃で、30ないし90秒間、
好ましくは、リフローピーク温度210〜230℃で、
30ないし60秒間にわたって、加熱して、はんだボー
ルを溶融し、FBGA22と三次元電子部品用モジュー
ル1の外部電極8とをはんだボールによって接続する。
Next, the FBGA 22 was mounted on the transferred solder ball and placed in a reflow furnace at a reflow peak temperature of 200 to 250 ° C. for 30 to 90 seconds.
Preferably, at a reflow peak temperature of 210 to 230 ° C,
The solder ball is melted by heating for 30 to 60 seconds, and the FBGA 22 and the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 are connected by the solder ball.

【0125】その後、最初に示された実施態様と同様に
して、シリカフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、FB
GA22と三次元電子部品用モジュール1の外部電極8
との間に充填して、硬化炉中で、130ないし180℃
で、1ないし4時間、好ましくは、約150℃で約2時
間にわたり、加熱して、エポキシ封止樹脂を硬化させ、
FBGA22を三次元電子部品用モジュール1の外部電
極8に固定する。
Thereafter, in the same manner as in the first embodiment, the epoxy sealing resin containing the silica filler was replaced with FB.
GA22 and external electrode 8 of three-dimensional electronic component module 1
Between 130 and 180 ° C. in a curing oven
Heating for 1 to 4 hours, preferably at about 150 ° C. for about 2 hours, to cure the epoxy encapsulating resin,
The FBGA 22 is fixed to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1.

【0126】さらに、同様にして、半導体部品である半
導体ベアチップ23が実装される三次元電子部品用モジ
ュール1の外部電極8に対応する位置に、フラックスを
印刷し、フラックスに、はんだボールを接着させ、はん
だボールを転写させた後、半導体ベアチップ23を転写
したはんだボールの面にマウントして、リフロー炉に入
れて、加熱して、はんだボールを溶融し、半導体ベアチ
ップ23と三次元電子部品用モジュール1の外部電極8
とをはんだボールによって接続する。さらに、最初に示
された実施態様と同様にして、シリカフィラーを含むエ
ポキシ封止樹脂を、半導体ベアチップ23と三次元電子
部品用モジュール1の外部電極8との間に充填して、硬
化炉中で、130ないし180℃で、1ないし4時間、
好ましくは、約150℃で約2時間にわたって、加熱し
て、エポキシ封止樹脂を硬化させ、半導体ベアチップ2
3を三次元電子部品用モジュール1の外部電極8に固定
する。
Similarly, a flux is printed at a position corresponding to the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 on which the semiconductor bare chip 23 as a semiconductor component is mounted, and a solder ball is bonded to the flux. After transferring the solder ball, the semiconductor bare chip 23 is mounted on the surface of the transferred solder ball, placed in a reflow furnace, heated to melt the solder ball, and the semiconductor bare chip 23 and the module for three-dimensional electronic components are transferred. One external electrode 8
And are connected by solder balls. Further, in the same manner as in the first embodiment, an epoxy sealing resin containing a silica filler is filled between the semiconductor bare chip 23 and the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1, and the mixture is placed in a curing furnace. At 130 to 180 ° C. for 1 to 4 hours,
Preferably, heating is performed at about 150 ° C. for about 2 hours to cure the epoxy sealing resin,
3 is fixed to the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1.

【0127】さらに、FBGA22および半導体ベアチ
ップ23を三次元電子部品用モジュール1の外部電極8
に固定したのと全く同様にして、半導体部品24を実装
した小型基板25を、三次元電子部品用モジュール1の
他の面に形成された外部電極8に固定する。
Further, the FBGA 22 and the semiconductor bare chip 23 are connected to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1.
The small substrate 25 on which the semiconductor components 24 are mounted is fixed to the external electrodes 8 formed on the other surface of the module for three-dimensional electronic components 1 in exactly the same manner as that for fixing the three-dimensional electronic components.

【0128】その後、最初に示された実施態様と全く同
様にして、FBGA22、半導体ベアチップ23および
小型基板25が固定された三次元電子部品用モジュール
1を焼成炉に入れて、550ないし650℃で、1.5
時間ないし3時間、好ましくは、約600℃で2時間に
わたり、加熱し、バインダを分解させた後、800ない
し880℃で、5ないし15分、好ましくは、875℃
で10分間にわたり、焼成する。
Thereafter, the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23 and the small substrate 25 are fixed to the three-dimensional electronic component module 1 in a firing furnace in exactly the same manner as in the first embodiment shown in FIG. , 1.5
After heating for about 3 hours, preferably about 600 ° C. for 2 hours to decompose the binder, at 800-880 ° C. for 5-15 minutes, preferably 875 ° C.
Bake for 10 minutes.

【0129】こうして、FBGA22、半導体ベアチッ
プ23および半導体部品24を実装した小型基板25が
実装された三次元電子部品モジュール20が製造され
る。
Thus, the three-dimensional electronic component module 20 on which the small board 25 on which the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23, and the semiconductor component 24 are mounted is manufactured.

【0130】さらに、図1および図2に示された三次元
電子部品用モジュール1を用いて、以下のようにして、
図4に示された三次元電子部品モジュール20を製造す
ることもできる。
Further, using the three-dimensional electronic component module 1 shown in FIG. 1 and FIG.
The three-dimensional electronic component module 20 shown in FIG. 4 can also be manufactured.

【0131】まず、FBGA22の三次元電子部品用モ
ジュール1の外部電極8に対応する位置に、フラックス
をスクリーン印刷法によって印刷する。次いで、FBG
A22を外部電極の位置に合致するように、三次元電子
部品用モジュール1の外部電極8上にマウントし、FB
GA22に形成されたはんだボールをフラックスに接着
させる。
First, a flux is printed at a position corresponding to the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 of the FBGA 22 by a screen printing method. Then, FBG
A22 is mounted on the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 so as to match the position of the external electrode.
The solder balls formed on the GA 22 are bonded to the flux.

【0132】その後、最初に示された実施態様と全く同
様にして、FBGA22がマウントされた三次元電子部
品用モジュール1を、リフロー炉内に入れ、リフローピ
ーク温度200〜250℃で、30ないし90秒間、好
ましくは、リフローピーク温度210〜230℃で、3
0ないし60秒間にわたって、加熱して、はんだボール
を溶融し、FBGA22と三次元電子部品用モジュール
1の外部電極8とをはんだボールによって接続する。
Thereafter, the module 1 for a three-dimensional electronic component on which the FBGA 22 is mounted is placed in a reflow furnace at a reflow peak temperature of 200 to 250.degree. At a reflow peak temperature of 210 to 230 ° C. for 3 seconds
The solder ball is melted by heating for 0 to 60 seconds, and the FBGA 22 and the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1 are connected by the solder ball.

【0133】次いで、最初に示された実施態様と同様に
して、シリカフィラーを含むエポキシ封止樹脂を、FB
GA22と三次元電子部品用モジュール1の外部電極8
との間に充填して、硬化炉中で、130ないし180℃
で、1ないし4時間、好ましくは、約150℃で約2時
間にわたり、加熱して、エポキシ封止樹脂を硬化させ、
FBGA22を三次元電子部品用モジュール1の外部電
極8に固定する。
Next, in the same manner as in the first embodiment, the epoxy sealing resin containing the silica filler was
GA22 and external electrode 8 of three-dimensional electronic component module 1
Between 130 and 180 ° C. in a curing oven
Heating for 1 to 4 hours, preferably at about 150 ° C. for about 2 hours, to cure the epoxy encapsulating resin,
The FBGA 22 is fixed to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1.

【0134】半導体ベアチップ23を取り付ける場合に
は、はんだボールを備えていないので、半導体ベアチッ
プ23を取り付けるべき三次元電子部品用モジュール1
の外部電極8に対応する位置に、フラックスをスクリー
ン印刷法によって印刷し、さらに、半導体ベアチップ2
3のフラックスに対応する位置に、はんだボールを転写
する。その後、半導体ベアチップ23を三次元電子部品
用モジュール1の外部電極8に対応する位置にマウント
して、リフロー炉に入れて、加熱して、はんだボールを
溶融し、半導体ベアチップ23と三次元電子部品用モジ
ュール1の外部電極8とをはんだボールによって接続す
る。
When the semiconductor bare chip 23 is mounted, since no solder ball is provided, the three-dimensional electronic component module 1 on which the semiconductor bare chip 23 is to be mounted is mounted.
Flux is printed by a screen printing method at a position corresponding to the external electrode 8 of the semiconductor bare chip 2.
The solder ball is transferred to a position corresponding to the flux No. 3. After that, the semiconductor bare chip 23 is mounted at a position corresponding to the external electrode 8 of the three-dimensional electronic component module 1, placed in a reflow furnace, heated to melt the solder balls, and the semiconductor bare chip 23 and the three-dimensional electronic component are mounted. The external electrodes 8 of the module 1 are connected by solder balls.

【0135】半導体ベアチップ23の場合と同様にし
て、半導体部品24を実装した小型基板25を、三次元
電子部品用モジュール1の他の面に形成された外部電極
8に固定する。
As in the case of the semiconductor bare chip 23, the small substrate 25 on which the semiconductor components 24 are mounted is fixed to the external electrodes 8 formed on the other surface of the three-dimensional electronic component module 1.

【0136】その後、最初に示された実施態様と全く同
様にして、FBGA22、半導体ベアチップ23および
小型基板25が固定された三次元電子部品用モジュール
1を焼成炉に入れて、550ないし650℃で、1.5
時間ないし3時間、好ましくは、約600℃で2時間に
わたり、加熱し、バインダを分解させた後、800ない
し880℃で、5ないし15分、好ましくは、875℃
で10分間にわたり、焼成する。
Then, the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23, and the module 1 for a three-dimensional electronic component to which the small substrate 25 is fixed are placed in a firing furnace at 550 to 650 ° C. in exactly the same manner as the first embodiment. , 1.5
After heating for about 3 hours, preferably about 600 ° C. for 2 hours to decompose the binder, at 800-880 ° C. for 5-15 minutes, preferably 875 ° C.
Bake for 10 minutes.

【0137】こうして、FBGA22、半導体ベアチッ
プ23および半導体部品24を実装した小型基板25が
実装された三次元電子部品モジュール20が製造され
る。
Thus, the three-dimensional electronic component module 20 on which the small board 25 on which the FBGA 22, the semiconductor bare chip 23 and the semiconductor component 24 are mounted is manufactured.

【0138】本発明の別の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品用モジュール10は、従来の有機積層基板
と同様に、以下のようにして、製造することができる。
A three-dimensional electronic component module 10 according to another preferred embodiment of the present invention can be manufactured as follows, similarly to a conventional organic laminated substrate.

【0139】まず、ガラス基材エポキシ基板13、13
a、13bに、スルーホール12を形成し、スルーホー
ル12の内面に、銅めっき12aを施す。さらに、ガラ
ス基材エポキシ基板13の両面に、銅配線11をめっき
によって形成する。
First, the glass base epoxy substrates 13 and 13
Through holes 12 are formed in a and 13b, and copper plating 12a is applied to the inner surfaces of the through holes 12. Further, copper wirings 11 are formed on both surfaces of the glass base epoxy substrate 13 by plating.

【0140】次いで、ガラス基材エポキシ基板13a、
13bの一方の面に、銅配線11をめっきによって形成
し、他方の面に、銅をめっきして、外部電極15、16
を形成する。
Next, a glass base epoxy substrate 13a,
13b, copper wiring 11 is formed on one surface by plating, and copper is plated on the other surface, and external electrodes 15, 16 are formed.
To form

【0141】さらに、複数のガラス基材エポキシ基板1
3と、ガラス基材エポキシ基板13a、13bとを、ガ
ラス基材エポキシ基板13aが最も上に、ガラス基材エ
ポキシ基板13bが最も下に、複数のガラス基材エポキ
シ基板13がその間に位置し、ガラス基材エポキシ基板
13bに形成された外部電極16が下向きに、かつ、ガ
ラス基材エポキシ基板13aに形成された外部電極15
が上向きになるように、プリプレグ樹脂14を挟んで、
積層し、加熱状態で、加圧して、ほぼ直方体状の積層基
板を形成する。
Further, a plurality of glass-based epoxy substrates 1
3, the glass-based epoxy substrates 13a and 13b, the glass-based epoxy substrate 13a is at the top, the glass-based epoxy substrate 13b is at the bottom, and a plurality of glass-based epoxy substrates 13 are located therebetween; The external electrodes 16 formed on the glass-based epoxy substrate 13b face downward, and the external electrodes 15 formed on the glass-based epoxy substrate 13a.
So that the prepreg resin 14 is sandwiched between
The layers are stacked and pressed in a heated state to form a substantially rectangular parallelepiped laminated substrate.

【0142】次いで、積層基板の側面を、バイアホール
12が露出し、バイアホール12が半円柱状になるま
で、研磨する。複数のガラス基材エポキシ基板13は、
半円柱状に露出したバイアホール12を有するガラス基
材エポキシ基板13と、半円柱状に露出したバイアホー
ル12を有していないガラス基材エポキシ基板13とが
1枚おきに積層されている。
Next, the side surface of the laminated substrate is polished until the via hole 12 is exposed and the via hole 12 becomes semi-cylindrical. The plurality of glass base epoxy substrates 13
Glass-based epoxy substrates 13 having via holes 12 exposed in a semi-cylindrical shape, and glass-based epoxy substrates 13 having no via holes 12 exposed in a semi-cylindrical shape are alternately laminated.

【0143】最後に、図3に示されるように、半円柱状
のバイアホール12内に、共晶はんだ18を充填して、
外部電極17を形成し、三次元電子部品用モジュール1
0を得る。
Finally, as shown in FIG. 3, the eutectic solder 18 is filled in the semi-cylindrical via hole 12,
Forming the external electrode 17 and the module 1 for three-dimensional electronic components
Get 0.

【0144】ここに、外部電極17に接続される電子部
品の電極の間隔と、外部電極17の電極の間隔が合致す
るように、半円柱状に露出したバイアホール12を有し
ていないガラス基材エポキシ基板13の厚み、銅配線1
1の厚みおよびプリプレグ樹脂14の厚みが選択されて
いる。
Here, a glass base having no via hole 12 exposed in a semi-cylindrical shape is formed so that the interval between the electrodes of the electronic component connected to the external electrode 17 and the interval between the electrodes of the external electrode 17 match. Thickness of material epoxy board 13, copper wiring 1
1 and the thickness of the prepreg resin 14 are selected.

【0145】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることがいうまでもない。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims, and these are also included in the scope of the present invention. It goes without saying that it is a thing.

【0146】たとえば、実施態様においては、三次元電
子部品用モジュール1、10は直方体をなし、したがっ
て、三次元電子部品モジュール20、30、40、4
1、42、50、51、60、65も直方体をなしてい
るが、これらが直方体形状をなしていることは必ずしも
必要がなく、ハニカム構造など、少なくとも、3以上の
平坦な外表面が形成された立体構造体であれば、その形
状は、とくに限定されるものではない。
For example, in the embodiment, the three-dimensional electronic component modules 1 and 10 have a rectangular parallelepiped shape.
1, 42, 50, 51, 60, and 65 also form a rectangular parallelepiped, but it is not always necessary that they have a rectangular parallelepiped shape. At least three or more flat outer surfaces such as a honeycomb structure are formed. If it is a three-dimensional structure, its shape is not particularly limited.

【0147】さらに、図4に示された実施態様において
は、三次元電子部品用モジュール1が用いられている
が、三次元電子部品用モジュール1に代えて、三次元電
子部品用モジュール10を用いてもよい。
Further, in the embodiment shown in FIG. 4, the module 1 for three-dimensional electronic components is used, but the module 10 for three-dimensional electronic components is used in place of the module 1 for three-dimensional electronic components. You may.

【0148】また、図5に示された実施態様において
は、三次元電子部品用モジュール10が用いられている
が、三次元電子部品用モジュール10に代えて、三次元
電子部品用モジュール1を用いてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 5, the three-dimensional electronic component module 10 is used, but instead of the three-dimensional electronic component module 10, the three-dimensional electronic component module 1 is used. You may.

【0149】さらに、図1および図2に示された実施態
様においては、各ガラス・セラミック基板4の両面およ
び最上ガラス・セラミック基板4aと最下ガラス・セラ
ミック基板4bの内面に、銀配線2がパターニングさ
れ、最上ガラス・セラミック基板4aの上面、最下ガラ
ス・セラミック基板4bの下面および三次元電子部品用
モジュール1の研磨された4つの側面に、銀‐パラジウ
ム配線2によって、外部電極6、7、8、8、8がパタ
ーニングされているが、各ガラス・セラミック基板4の
両面および最上ガラス・セラミック基板4aと最下ガラ
ス・セラミック基板4bの内面に、銀‐パラジウム配線
2をパターニングしてもよく、さらに、銀配線2によっ
て、外部電極6、7、8、8、8をパターニングするこ
とも可能である。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, silver wiring 2 is provided on both surfaces of each glass-ceramic substrate 4 and on the inner surfaces of uppermost glass-ceramic substrate 4a and lowermost glass-ceramic substrate 4b. The external electrodes 6 and 7 are patterned on the upper surface of the uppermost glass-ceramic substrate 4a, the lower surface of the lowermost glass-ceramic substrate 4b, and the four polished side surfaces of the three-dimensional electronic component module 1 by silver-palladium wiring 2. , 8, 8, and 8 are patterned. Even if the silver-palladium wiring 2 is patterned on both surfaces of each glass-ceramic substrate 4 and on the inner surfaces of the uppermost glass-ceramic substrate 4a and the lowermost glass-ceramic substrate 4b. In addition, the external electrodes 6, 7, 8, 8, and 8 can be patterned by the silver wiring 2.

【0150】また、図1および図2に示された実施態様
においては、銀配線2および銀‐パラジウム配線2を印
刷によって、パターニングしているが、印刷に代えて、
スパッタリング、めっき、エッチングなどによって、銀
配線2および銀‐パラジウム配線2をパターニングする
こともできる。
In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the silver wiring 2 and the silver-palladium wiring 2 are patterned by printing.
The silver wiring 2 and the silver-palladium wiring 2 can be patterned by sputtering, plating, etching, or the like.

【0151】さらに、図1および図2に示された実施態
様においては、スルーホール3内に、銀ペースト2aを
充填しているが、銀ペースト2aに代えて、銀‐パラジ
ウムペーストや金ペーストと充填するようにしてもよ
い。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the silver paste 2a is filled in the through holes 3, but instead of the silver paste 2a, a silver-palladium paste or a gold paste is used. It may be filled.

【0152】また、前記実施態様においては、三次元電
子部品モジュール20を製造するにあたって、FBGA
22,半導体ベアチップ23、半導体部品24を実装し
た小型基板25などの半導体部品を、共晶クリームはん
だ、はんだボールを用いて、三次元電子部品用モジュー
ル1の外部電極6、7、8に接続しているが、異方性導
電フィルムを用いて、半導体部品を、三次元電子部品用
モジュール1の外部電極6、7、8に接続することもで
きる。
In the above embodiment, when manufacturing the three-dimensional electronic component module 20, the FBGA
Semiconductor components such as a semiconductor substrate 22, a semiconductor bare chip 23, and a small substrate 25 on which the semiconductor components 24 are mounted are connected to the external electrodes 6, 7, and 8 of the three-dimensional electronic component module 1 using eutectic cream solder and solder balls. However, the semiconductor component can be connected to the external electrodes 6, 7, and 8 of the three-dimensional electronic component module 1 using an anisotropic conductive film.

【0153】さらに、図3に示された実施態様において
は、ガラス基材エポキシ基板13、13a、13bを用
いているが、ガラス基材エポキシ基板に代えて、ガラス
基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラス基材ポリイ
ミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエーテル基板、ガ
ラス基材フッ素基板などの有機基板を用いることもでき
る。
Further, in the embodiment shown in FIG. 3, the glass-based epoxy substrates 13, 13a and 13b are used, but instead of the glass-based epoxy substrate, a glass-based bismaleimide triazine substrate and a glass-based epoxy substrate are used. Organic substrates such as a substrate polyimide substrate, a glass substrate polyphenylene ether substrate, and a glass substrate fluorine substrate can also be used.

【0154】また、図3に示された実施態様において
は、スルーホール12の内面に、銅めっき12aを施し
ているが、銅めっき12aに加えて、銅めっき12a上
に、金めっきまたは銀めっきを施してもよく、さらに
は、銅めっき12a上に、ニッケルめっきを施し、引き
続いて、金めっきを施すこともできる。
In the embodiment shown in FIG. 3, copper plating 12a is applied to the inner surface of through hole 12, but in addition to copper plating 12a, gold plating or silver plating is applied on copper plating 12a. Alternatively, nickel plating may be performed on the copper plating 12a, and subsequently, gold plating may be performed.

【0155】さらに、図3に示された実施態様において
は、ガラス基材エポキシ基板13、13a、13b上
に、銅配線11をめっきによって形成しているが、ガラ
ス基材エポキシ基板13、13a、13b上に、銅配線
11を接着して、形成することもできる。
Further, in the embodiment shown in FIG. 3, the copper wiring 11 is formed by plating on the glass base epoxy substrates 13, 13a and 13b. The copper wiring 11 can be formed by bonding the copper wiring 11 on the surface 13b.

【0156】また、前記実施態様においては、FBGA
22,半導体ベアチップ23、半導体部品24を実装し
た小型基板25などの半導体部品と三次元電子部品用モ
ジュール1の側面に形成された外部電極8との間に、半
導体部品の固定と接続の信頼性を向上させるために、シ
リカフィラーを含んだエポキシ封止樹脂が充填され、硬
化炉中で、130ないし180℃で、1ないし4時間、
好ましくは、約150℃で約2時間にわたり、加熱し
て、エポキシ封止樹脂を硬化させて、FBGA22を三
次元電子部品用モジュール1の外部電極8に固定するよ
うに構成されているが、エポキシ封止樹脂を、半導体部
品と三次元電子部品用モジュール1の側面に形成された
外部電極8との間に充填して、硬化させることは必ずし
も必要でない。
In the above embodiment, the FBGA
22, the semiconductor bare chip 23, the reliability of the fixation and connection of the semiconductor component between the semiconductor component such as the small substrate 25 on which the semiconductor component 24 is mounted and the external electrode 8 formed on the side surface of the three-dimensional electronic component module 1. In order to improve the epoxy sealing resin containing silica filler, in a curing furnace at 130 to 180 ° C. for 1 to 4 hours,
Preferably, the FBGA 22 is heated at about 150 ° C. for about 2 hours to cure the epoxy sealing resin and fix the FBGA 22 to the external electrodes 8 of the three-dimensional electronic component module 1. It is not always necessary to fill and cure the sealing resin between the semiconductor component and the external electrode 8 formed on the side surface of the three-dimensional electronic component module 1.

【0157】さらに、前記実施態様においては、FBG
A22,半導体ベアチップ23、半導体部品24を実装
した小型基板25などの半導体部品と三次元電子部品用
モジュール1の側面に形成された外部電極8との間に、
シリカフィラーを含んだエポキシ封止樹脂を充填してい
るが、エポキシ封止樹脂が、シリカフィラーを含んでい
ることは必ずしも必要がなく、シリカに代えて、熱伝導
性にすぐれた窒化アルミニウムを充填材として含んでい
てもよく、さらには、エポキシ封止樹脂の耐湿性を向上
させ、硬度を調整する必要がないときは、エポキシ封止
樹脂がフィラーを含んでいることも必ずしも必要でな
い。
Further, in the above embodiment, the FBG
A22, a semiconductor bare chip 23, a semiconductor component such as a small substrate 25 on which a semiconductor component 24 is mounted, and an external electrode 8 formed on a side surface of the three-dimensional electronic component module 1.
Epoxy sealing resin containing silica filler is filled, but it is not necessary that epoxy sealing resin contains silica filler, and instead of silica, aluminum nitride with excellent thermal conductivity is filled. It may be included as a material. Further, when it is not necessary to improve the moisture resistance of the epoxy sealing resin and adjust the hardness, it is not always necessary that the epoxy sealing resin contains a filler.

【0158】また、三次元電子部品用モジュール1を製
造する第三の実施態様においては、FBGAに形成され
ているはんだボールを利用して、FBGAを三次元電子
部品用モジュール1の側面に形成された外部電極8に接
続しているが、三次元電子部品用モジュール1の側面の
フラックスに対応する位置に、はんだボールを転写し
て、FBGAを三次元電子部品用モジュール1の側面に
形成された外部電極8に接続するようにしてもよい。
In the third embodiment for manufacturing the three-dimensional electronic component module 1, the FBGA is formed on the side surface of the three-dimensional electronic component module 1 by using the solder balls formed on the FBGA. The FBGA is formed on the side surface of the three-dimensional electronic component module 1 by transferring the solder ball to a position corresponding to the flux on the side surface of the three-dimensional electronic component module 1 while being connected to the external electrode 8. It may be connected to the external electrode 8.

【0159】[0159]

【発明の効果】本発明によれば、半導体部品の冷却効率
を損なうことのない高密度の三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
を提供することが可能になる。
According to the present invention, it is possible to provide a high-density module for a three-dimensional electronic component, a three-dimensional electronic component module, and a method for manufacturing the same, without impairing the cooling efficiency of the semiconductor component.

【0160】また、本発明によれば、配線の自由度を大
幅に向上させることのできる三次元電子部品用モジュー
ル、三次元電子部品モジュールおよびそれらの製造方法
を提供することが可能になる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a module for a three-dimensional electronic component, a three-dimensional electronic component module, and a method for manufacturing the same, which can greatly improve the degree of freedom of wiring.

【0161】さらに、本発明によれば、電子部品の実装
密度が高くなるほど、電気検査用のプローブを電子部品
に接続させるスペースを確保することが困難となるにも
かかわらず、電子部品の高密度な実装を可能としつつ、
電気検査用の端子を提供することのできる三次元電子部
品モジュールおよびその製造方法を提供することが可能
になる。
Further, according to the present invention, the higher the mounting density of electronic components, the more difficult it is to secure a space for connecting an electrical inspection probe to the electronic components. While enabling a simple implementation
It is possible to provide a three-dimensional electronic component module capable of providing a terminal for electrical inspection and a method for manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品用モジュールの略分解斜視図である。
FIG. 1 is a schematic exploded perspective view of a module for a three-dimensional electronic component according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】図2は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品用モジュールの略斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view of a module for a three-dimensional electronic component according to a preferred embodiment of the present invention.

【図3】図3は、本発明の他の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品用モジュールの略分解斜視図である。
FIG. 3 is a schematic exploded perspective view of a module for a three-dimensional electronic component according to another preferred embodiment of the present invention.

【図4】図4は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品モジュールの略斜視図である。
FIG. 4 is a schematic perspective view of a three-dimensional electronic component module according to a preferred embodiment of the present invention.

【図5】図5は、本発明の別の好ましい実施態様にかか
る三次元電子部品モジュールの略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view of a three-dimensional electronic component module according to another preferred embodiment of the present invention.

【図6】図6は、本発明の実施態様にかかる三次元電子
部品モジュールを用いた電子部品の一例を示す略斜視図
である。
FIG. 6 is a schematic perspective view showing an example of an electronic component using the three-dimensional electronic component module according to the embodiment of the present invention.

【図7】図7は、本発明の実施態様にかかる三次元電子
部品モジュールを用いた電子部品の他の例を示す略斜視
図である。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing another example of an electronic component using the three-dimensional electronic component module according to the embodiment of the present invention.

【図8】図8は、本発明の実施態様にかかる三次元電子
部品モジュールの使用例を示す略斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view showing a usage example of the three-dimensional electronic component module according to the embodiment of the present invention.

【図9】図9は、本発明の好ましい実施態様にかかる三
次元電子部品モジュールの検査方法を示す略斜視図であ
る。
FIG. 9 is a schematic perspective view showing a method for inspecting a three-dimensional electronic component module according to a preferred embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 三次元電子部品用モジュール 2 銀配線 3 スルーホール 4 ガラス・セラミック基板 4a 最上ガラス・セラミック基板 4b 最下ガラス・セラミック基板 5 銀‐パラジウム配線 6、7、8 外部電極 10 三次元電子部品用モジュール 11 銅配線 12 スルーホール 13 ガラス基材エポキシ基板 13a 最上ガラス基材エポキシ基板 13b 最下ガラス基材エポキシ基板 14 プリプレグ樹脂 15、16、17 外部電極 18 共晶はんだ 20 三次元電子部品モジュール 21 プリント配線基板 22 FBGA 23 半導体ベアチップ 24 半導体部品 25 小型基板 30 三次元電子部品モジュール 31 プリント配線基板 32 FBGA 40、41、42 三次元電子部品モジュール 43、44 プリント配線基板 45 FBGA 50、51 三次元電子部品モジュール 52 プリント配線基板 53 FBGA 54 半導体部品 55 小型基板 60 三次元電子部品モジュール 61 フレキシブル配線板 65 三次元電子部品モジュール 66 プリント配線基板 67 FBGA 68 半導体ベアチップ 69 テストプローブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 3D electronic component module 2 Silver wiring 3 Through hole 4 Glass-ceramic substrate 4a Uppermost glass-ceramic substrate 4b Lowermost glass-ceramic substrate 5 Silver-palladium wiring 6,7,8 External electrode 10 Module for 3D electronic components DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Copper wiring 12 Through hole 13 Glass base epoxy board 13a Uppermost glass base epoxy board 13b Lowermost glass base epoxy board 14 Prepreg resin 15, 16, 17 External electrode 18 Eutectic solder 20 Three-dimensional electronic component module 21 Print wiring Substrate 22 FBGA 23 Semiconductor bare chip 24 Semiconductor component 25 Small substrate 30 Three-dimensional electronic component module 31 Printed wiring board 32 FBGA 40, 41, 42 Three-dimensional electronic component module 43, 44 Printed wiring board 45 FBGA 50, 51 3D electronic component module 52 Printed wiring board 53 FBGA 54 Semiconductor component 55 Small board 60 3D electronic component module 61 Flexible wiring board 65 3D electronic component module 66 Printed wiring board 67 FBGA 68 Semiconductor bare chip 69 Test probe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 1/18 H05K 1/18 T 5E346 3/34 507 3/34 507C 3/46 3/46 L N // H05K 3/40 3/40 K Fターム(参考) 4E351 AA03 AA04 AA07 AA13 BB01 BB21 BB31 BB33 BB35 BB47 BB49 CC01 CC05 CC12 CC22 DD04 DD05 DD06 DD10 DD20 EE01 GG04 GG07 GG11 5E317 AA04 AA22 AA24 BB02 BB03 BB04 BB12 BB13 BB14 BB18 CC22 CC25 CC31 CC52 CD21 CD27 CD32 CD34 GG11 GG14 5E319 AA03 AC01 BB05 CC33 GG01 5E336 AA04 AA09 AA14 BB01 BB16 BB18 BC15 BC31 BC34 BC36 CC31 CC43 CC58 DD01 EE01 GG03 GG30 5E344 AA01 AA08 BB04 CD21 DD01 EE02 EE13 5E346 AA42 AA43 CC04 CC08 CC09 CC16 CC32 CC34 CC37 CC38 CC39 CC40 DD23 EE09 EE29 FF07 FF09 FF18 FF19 GG09 GG17 GG22 GG28 HH07 HH31──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 1/18 H05K 1/18 T 5E346 3/34 507 3/34 507C 3/46 3/46 L N / / H05K 3/40 3/40 K F term (reference) 4E351 AA03 AA04 AA07 AA13 BB01 BB21 BB31 BB33 BB35 BB47 BB49 CC01 CC05 CC12 CC22 DD04 DD05 DD06 DD10 DD20 EE01 GG04 GG07 GG11 5E317 AA04 BB02 BB23 CC22 CC25 CC31 CC52 CD21 CD27 CD32. CC34 CC37 CC38 CC39 CC40 DD23 EE09 EE29 FF07 FF09 FF18 FF19 GG09 GG17 GG22 GG28 HH07 HH31

Claims (61)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 両面に、金属配線がパターニングされ、
前記金属配線を貫通する複数のバイアホールおよび/ま
たはスルーホールが形成された複数の基板が積層され
て、3以上の平坦な外表面が形成された立体構造体をな
し、前記外表面に、前記金属配線と接続された外部電極
が形成されたことを特徴とする三次元電子部品用モジュ
ール。
1. A metal wiring is patterned on both sides,
A plurality of substrates formed with a plurality of via holes and / or through holes penetrating the metal wiring are laminated to form a three-dimensional structure in which three or more flat outer surfaces are formed. A three-dimensional electronic component module, wherein an external electrode connected to a metal wiring is formed.
【請求項2】 前記立体構造体が角柱構造をなしている
ことを特徴とする請求項1に記載の三次元電子部品用モ
ジュール。
2. The three-dimensional electronic component module according to claim 1, wherein the three-dimensional structure has a prismatic structure.
【請求項3】 前記立体構造体が六面体をなしているこ
とを特徴とする請求項2に記載の三次元電子部品用モジ
ュール。
3. The module for a three-dimensional electronic component according to claim 2, wherein the three-dimensional structure is a hexahedron.
【請求項4】 前記立体構造体が直方体をなしているこ
とを特徴とする請求項3に記載の三次元電子部品用モジ
ュール。
4. The three-dimensional electronic component module according to claim 3, wherein the three-dimensional structure is a rectangular parallelepiped.
【請求項5】 前記基板がガラス・セラミック基板によ
り構成されたことを特徴とする請求項1ないし4のいず
れか1項に記載の三次元電子部品用モジュール。
5. The three-dimensional electronic component module according to claim 1, wherein the substrate is formed of a glass-ceramic substrate.
【請求項6】 前記金属配線が、銀‐パラジウムおよび
銀よりなる群から選ばれた金属によって形成されたこと
を特徴とする請求項5に記載の三次元電子部品用モジュ
ール。
6. The three-dimensional electronic component module according to claim 5, wherein the metal wiring is formed of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver.
【請求項7】 前記金属配線が、銀によって形成された
ことを特徴とする請求項6に記載の三次元電子部品用モ
ジュール。
7. The module for a three-dimensional electronic component according to claim 6, wherein the metal wiring is formed of silver.
【請求項8】 前記金属端子が、銀‐パラジウムおよび
銀よりなる群から選ばれた金属によって形成されたこと
を特徴とする請求項5に記載の三次元電子部品用モジュ
ール。
8. The three-dimensional electronic component module according to claim 5, wherein the metal terminal is formed of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver.
【請求項9】 前記金属端子が、銀‐パラジウムによっ
て形成されたことを特徴とする請求項8に記載の三次元
電子部品用モジュール。
9. The module for a three-dimensional electronic component according to claim 8, wherein the metal terminal is formed of silver-palladium.
【請求項10】 前記バイアホールおよび/またはスル
ーホール内に、銀ペースト、銀‐パラジウムペーストお
よび金ペーストよりなる群から選ばれたペーストが充填
されたことを特徴とする請求項5ないし9のいずれか1
項に記載の三次元電子部品用モジュール。
10. The method according to claim 5, wherein the via hole and / or the through hole is filled with a paste selected from the group consisting of a silver paste, a silver-palladium paste and a gold paste. Or 1
Item 3. The module for a three-dimensional electronic component according to item 1.
【請求項11】 前記バイアホールおよび/またはスル
ーホール内に、銀ペーストが充填されたことを特徴とす
る請求項10に記載の三次元電子部品用モジュール。
11. The three-dimensional electronic component module according to claim 10, wherein a silver paste is filled in the via hole and / or the through hole.
【請求項12】 前記基板が有機基板により構成された
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記
載の三次元電子部品用モジュール。
12. The three-dimensional electronic component module according to claim 1, wherein the substrate is formed of an organic substrate.
【請求項13】 前記有機基板が、ガラス基材エポキシ
基板、ガラス基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラ
ス基材ポリイミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエー
テル基板およびガラス基材フッ素基板よりなる群から選
ばれた基板によって構成されたことを特徴とする請求項
12に記載の三次元電子部品用モジュール。
13. A substrate selected from the group consisting of a glass-based epoxy substrate, a glass-based bismaleimide triazine substrate, a glass-based polyimide substrate, a glass-based polyphenylene ether substrate, and a glass-based fluorine substrate. The three-dimensional electronic component module according to claim 12, wherein the module is configured by:
【請求項14】 前記バイアホールおよび/またはスル
ーホールの内面に金属めっきが施され、前記バイアホー
ルおよび/またはスルーホールの一部が縦に切断され
て、前記外表面に露出し、前記外部電極を形成している
ことを特徴とする請求項12または13に記載の三次元
電子部品用モジュール。
14. An inner surface of the via hole and / or the through hole is plated with metal, and a part of the via hole and / or the through hole is cut vertically to be exposed on the outer surface, and the external electrode is formed. 14. The three-dimensional electronic component module according to claim 12, wherein the module is formed.
【請求項15】 前記金属めっきが、銅めっきであるこ
とを特徴とする請求項14に記載の三次元電子部品用モ
ジュール。
15. The three-dimensional electronic component module according to claim 14, wherein the metal plating is copper plating.
【請求項16】 さらに、前記銅めっき上に、金めっ
き、銀めっきならびにニッケルめっきおよび金めっきと
よりなる群から選ばれた金属のめっきが施されたことを
特徴とする請求項15に記載の三次元電子部品用モジュ
ール。
16. The method according to claim 15, wherein the copper plating is further plated with a metal selected from the group consisting of gold plating, silver plating, nickel plating and gold plating. Module for three-dimensional electronic components.
【請求項17】 前記金属配線が、銅、アルミニウム、
銀、金、白金およびパラジウムから選ばれる金属によっ
て形成されたことを特徴とする請求項12ないし16の
いずれか1項に記載の三次元電子部品用モジュール。
17. The method according to claim 17, wherein the metal wiring is copper, aluminum,
The module for a three-dimensional electronic component according to any one of claims 12 to 16, wherein the module is formed of a metal selected from silver, gold, platinum, and palladium.
【請求項18】 前記金属配線が、銅をめっきすること
によって形成されたことを特徴とする請求項17に記載
の三次元電子部品用モジュール。
18. The module according to claim 17, wherein the metal wiring is formed by plating copper.
【請求項19】 請求項1ないし18に記載の三次元電
子部品用モジュールの前記外部電極に、半導体部品が接
続されたことを特徴とする三次元電子部品モジュール。
19. A three-dimensional electronic component module, wherein a semiconductor component is connected to the external electrode of the three-dimensional electronic component module according to claim 1. Description:
【請求項20】 前記半導体部品が、はんだによって、
前記外部電極に接続されたことを特徴とする請求項19
に記載の三次元電子部品モジュール。
20. The method according to claim 20, wherein the semiconductor component is formed by soldering.
20. The external electrode is connected to the external electrode.
3. The three-dimensional electronic component module according to 1.
【請求項21】 前記半導体部品が、共晶クリームはん
だによって、前記外部電極に接続されたことを特徴とす
る請求項20に記載の三次元電子部品モジュール。
21. The three-dimensional electronic component module according to claim 20, wherein the semiconductor component is connected to the external electrode by eutectic cream solder.
【請求項22】 前記半導体部品が、半導体ベアチッ
プ、FBGAおよび電子部品が実装された半導体基板よ
りなる群から選ばれた半導体部品によって構成されたこ
とを特徴とする請求項19または21に記載の三次元電
子部品モジュール。
22. The tertiary device according to claim 19, wherein the semiconductor component is constituted by a semiconductor component selected from the group consisting of a semiconductor bare chip, an FBGA, and a semiconductor substrate on which electronic components are mounted. Original electronic component module.
【請求項23】 前記3以上の平坦な外表面の少なくと
も一つの外表面に形成された外部電極にプリント配線基
板が接続されたことを特徴とする請求項19ないし22
のいずれか1項に記載の三次元電子部品モジュール。
23. A printed wiring board connected to external electrodes formed on at least one of the three or more flat outer surfaces.
The three-dimensional electronic component module according to any one of the above.
【請求項24】 複数のシートの各々に少なくとも1つ
のスルーホールを形成し、前記複数のシートの両面に金
属のパターンを形成し、さらに、2つのシートの各々に
少なくとも1つのスルーホールを形成し、前記2つのシ
ートの一方の面に両面に金属のパターンを形成し、前記
複数のシートおよび前記2つのシートを、前記2つのシ
ートの一方が最上に位置し、前記金属のパターンが形成
された面が下側を向き、前記2つのシートの他方が最下
に位置し、前記金属のパターンが形成された面が上側を
向くように、積層して、積層シートを形成し、前記2つ
のシートの一方の上面および他方の下面に、前記金属の
パターンと接続されるように、外部電極を形成し、前記
積層シートの少なくとも1つの側面を研磨して、平坦化
させるとともに、前記金属のパターンと接続された複数
の金属端子を露出させ、さらに、前記金属のパターンと
接続されるように、外部電極を形成することを特徴とす
る三次元電子部品用モジュールの製造方法。
24. A method comprising: forming at least one through hole in each of a plurality of sheets; forming a metal pattern on both surfaces of the plurality of sheets; and forming at least one through hole in each of the two sheets. Forming a metal pattern on both surfaces on one surface of the two sheets, forming the plurality of sheets and the two sheets, one of the two sheets being positioned at an uppermost position, and forming the metal pattern The two sheets are laminated so that the surface faces downward and the other of the two sheets is located at the bottom, and the surface on which the metal pattern is formed faces upward. External electrodes are formed on one upper surface and the other lower surface of the laminated sheet so as to be connected to the metal pattern, and at least one side surface of the laminated sheet is polished and flattened; A method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component, comprising: exposing a plurality of metal terminals connected to the metal pattern; and forming an external electrode so as to be connected to the metal pattern.
【請求項25】 前記積層シートの側面を研磨して、平
坦化させるとともに、複数の金属端子を露出させ、角柱
構造の積層シートを形成することを特徴とする請求項2
4に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
25. The laminated sheet having a prismatic structure, wherein the side surfaces of the laminated sheet are polished and flattened, and a plurality of metal terminals are exposed.
5. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to item 4.
【請求項26】 前記積層シートの側面を研磨して、平
坦化させるとともに、複数の金属端子を露出させ、六面
体構造の積層シートを形成することを特徴とする請求項
25に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
26. The three-dimensional electronic device according to claim 25, wherein a side surface of the laminated sheet is polished and flattened, and a plurality of metal terminals are exposed to form a laminated sheet having a hexahedral structure. Manufacturing method for component module.
【請求項27】 前記積層シートの側面を研磨して、平
坦化させるとともに、複数の金属端子を露出させ、直方
体構造の積層シートを形成することを特徴とする請求項
26に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
27. The three-dimensional electron device according to claim 26, wherein a side surface of the laminated sheet is polished and flattened, and a plurality of metal terminals are exposed to form a laminated sheet having a rectangular parallelepiped structure. Manufacturing method for component module.
【請求項28】 前記シートが、アルミナ粉、ガラス粉
および有機バインダを含んだグリーンシートによって構
成されたことを特徴とする請求項24ないし27のいず
れか1項に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方
法。
28. The three-dimensional electronic component module according to claim 24, wherein the sheet is formed of a green sheet containing alumina powder, glass powder, and an organic binder. Manufacturing method.
【請求項29】 前記グリーンシートを積層して、加圧
し、さらに、焼成して、ガラス・セラミック化し、前記
積層シートを形成することを特徴とする請求項28に記
載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
29. The module for a three-dimensional electronic component according to claim 28, wherein the green sheets are laminated, pressed, and fired to form a glass-ceramic to form the laminated sheet. Manufacturing method.
【請求項30】 前記金属のパターンを、銀‐パラジウ
ムおよび銀よりなる群から選ばれた金属を、前記グリー
ンシート上に、印刷、スパッタリング、めっきおよびエ
ッチングよりなる群から選ばれた手段によって形成する
ことを特徴とする請求項28または29に記載の三次元
電子部品用モジュールの製造方法。
30. The metal pattern is formed by forming a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver on the green sheet by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating and etching. 30. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 28, wherein:
【請求項31】 前記金属のパターンを、銀‐パラジウ
ムおよび銀よりなる群から選ばれた金属を前記グリーン
シート上に印刷することによって形成することを特徴と
する請求項30に記載の三次元電子部品用モジュールの
製造方法。
31. The three-dimensional electron according to claim 30, wherein the metal pattern is formed by printing a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver on the green sheet. Manufacturing method for component module.
【請求項32】 前記金属のパターンを、銀を前記グリ
ーンシート上に、印刷、スパッタリング、めっきおよび
エッチングよりなる群から選ばれた手段によって形成す
ることを特徴とする請求項30に記載の三次元電子部品
用モジュールの製造方法。
32. The three-dimensional pattern according to claim 30, wherein the metal pattern is formed on the green sheet by means of silver, by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating and etching. Manufacturing method of electronic component module.
【請求項33】 前記金属のパターンを、銀を前記グリ
ーンシート上に印刷することによって形成することを特
徴とする請求項32に記載の三次元電子部品用モジュー
ルの製造方法。
33. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 32, wherein the metal pattern is formed by printing silver on the green sheet.
【請求項34】 前記外部電極を、銀‐パラジウムおよ
び銀よりなる群から選ばれた金属を、前記2つのグリー
ンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前記積
層シートの前記少なくとも1つの研磨された側面上に、
印刷、スパッタリング、めっきおよびエッチングよりな
る群から選ばれた手段によって形成することを特徴とす
る請求項28ないし33のいずれか1項に記載の三次元
電子部品用モジュールの製造方法。
34. The external electrode is made of a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver, the upper surface of one of the two green sheets and the lower surface of the other, and the at least one of the laminated sheets being polished. On the side,
The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to any one of claims 28 to 33, wherein the module is formed by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating, and etching.
【請求項35】 前記外部電極を、銀‐パラジウムおよ
び銀よりなる群から選ばれた金属を、前記2つのグリー
ンシートの一方の上面および他方の下面ならびに前記積
層シートの前記少なくとも1つの研磨された側面上に印
刷することによって形成することを特徴とする請求項3
4に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
35. The external electrode is formed by polishing a metal selected from the group consisting of silver-palladium and silver on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets and the at least one polished surface of the laminated sheet. 4. The printing method according to claim 3, wherein the printing is performed by printing on the side surface.
5. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to item 4.
【請求項36】 前記外部電極を、銀‐パラジウムを、
前記2つのグリーンシートの一方の上面および他方の下
面ならびに前記積層シートの前記少なくとも1つの研磨
された側面上に、印刷、スパッタリング、めっきおよび
エッチングよりなる群から選ばれた手段によって形成す
る請求項33に記載の三次元電子部品用モジュールの製
造方法。
36. The external electrode comprising silver-palladium,
34. Formed by means selected from the group consisting of printing, sputtering, plating and etching on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets and on the at least one polished side surface of the laminated sheet. 3. The method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component according to claim 1.
【請求項37】 前記外部電極を、銀‐パラジウムを、
前記2つのグリーンシートの一方の上面および他方の下
面ならびに前記積層シートの前記少なくとも1つの研磨
された側面上に印刷することによって形成することを特
徴とする請求項33に記載の三次元電子部品用モジュー
ルの製造方法。
37. The external electrode is made of silver-palladium,
The three-dimensional electronic component according to claim 33, wherein the two green sheets are formed by printing on one upper surface and the other lower surface of the two green sheets and the at least one polished side surface of the laminated sheet. Module manufacturing method.
【請求項38】 前記スルーホール内に、銀ペースト、
銀‐パラジウムおよび金ペーストよりなる群から選ばれ
たペーストを充填することを特徴とする請求項28ない
し37のいずれか1項に記載の三次元電子部品用モジュ
ールの製造方法。
38. A silver paste in the through hole,
38. The method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component according to claim 28, wherein a paste selected from the group consisting of silver-palladium and gold pastes is filled.
【請求項39】 前記スルーホール内に、銀ペーストを
充填することを特徴とする請求項38に記載の三次元電
子部品用モジュールの製造方法。
39. The method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component according to claim 38, wherein a silver paste is filled in the through holes.
【請求項40】 前記シートが有機基板によって構成さ
れたことを特徴とする請求項24ないし27のいずれか
1項に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
40. The method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component according to claim 24, wherein the sheet is formed of an organic substrate.
【請求項41】 前記有機基板が、ガラス基材エポキシ
基板、ガラス基材ビスマレイミドトリアジン基板、ガラ
ス基材ポリイミド基板、ガラス基材ポリフェニレンエー
テル基板およびガラス基材フッ素基板よりなる群から選
ばれた基板によって構成されたことを特徴とする請求項
40に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
41. A substrate selected from the group consisting of a glass-based epoxy substrate, a glass-based bismaleimide triazine substrate, a glass-based polyimide substrate, a glass-based polyphenylene ether substrate, and a glass-based fluorine substrate. The method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component according to claim 40, wherein:
【請求項42】 前記有機基板が、プリプレグ樹脂によ
って、接着されて、前記積層シートを形成することを特
徴とする請求項40または41に記載の三次元電子部品
用モジュールの製造方法。
42. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 40, wherein the organic substrate is bonded with a prepreg resin to form the laminated sheet.
【請求項43】 前記スルーホールの内面に金属めっき
を施し、前記積層シートの少なくとも1つの側面を研磨
して、前記スルーホールを縦に切断し、前記スルーホー
ルの内面を前記少なくとも1つの側面上に露出させて、
前記外部電極を形成することを特徴とする請求項40な
いし42のいずれか1項に記載の三次元電子部品用モジ
ュールの製造方法。
43. A metal plating is applied to an inner surface of the through hole, at least one side surface of the laminated sheet is polished, the through hole is vertically cut, and an inner surface of the through hole is placed on the at least one side surface. Exposed to
43. The method for manufacturing a module for a three-dimensional electronic component according to claim 40, wherein the external electrode is formed.
【請求項44】 前記少なくとも1つの側面上に露出さ
せた前記スルーホール内を共晶はんだによって充填する
ことを特徴とする請求項43に記載の三次元電子部品用
モジュールの製造方法。
44. The method according to claim 43, wherein the inside of the through hole exposed on the at least one side surface is filled with a eutectic solder.
【請求項45】 前記金属めっきを、銅めっきによって
形成することを特徴とする請求項43または44に記載
の三次元電子部品用モジュールの製造方法。
45. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 43, wherein the metal plating is formed by copper plating.
【請求項46】 前記銅めっき上に、金めっき、銀めっ
きならびにニッケルめっきおよび金めっきとよりなる群
から選ばれた金属のめっきが施すことを特徴とする請求
項45に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方
法。
46. The three-dimensional electronic component according to claim 45, wherein the copper plating is plated with a metal selected from the group consisting of gold plating, silver plating, nickel plating and gold plating. Method of manufacturing a module for a vehicle.
【請求項47】 前記金属配線を、銅、アルミニウム、
銀、金、白金およびパラジウムから選ばれる金属により
形成することを特徴とする請求項40ないし46のいず
れか1項に記載の三次元電子部品用モジュールの製造方
法。
47. The method according to claim 47, wherein the metal wiring is made of copper, aluminum,
The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to any one of claims 40 to 46, wherein the method is formed of a metal selected from silver, gold, platinum, and palladium.
【請求項48】 前記金属配線を、銅をめっきすること
によって形成することを特徴とする請求項47に記載の
三次元電子部品用モジュールの製造方法。
48. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 47, wherein the metal wiring is formed by plating copper.
【請求項49】 請求項24ないし48に記載された方
法によって製造された前記三次元電子部品用モジュール
の前記外部電極に、半導体部品を接続することを特徴と
する三次元電子部品モジュールの製造方法。
49. A method of manufacturing a three-dimensional electronic component module, comprising connecting a semiconductor component to the external electrode of the three-dimensional electronic component module manufactured by the method according to claim 24. .
【請求項50】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化された前記積層シートの少なくとも1つ
の側面に、共晶クリームはんだをスクリーン印刷し、半
導体部品をマウントして、リフロー炉内で、前記共晶ク
リームはんだを溶融し、前記半導体部品と前記少なくと
も1つの側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉
内で、焼成することを特徴とする請求項49に記載の三
次元電子部品モジュールの製造方法。
50. A eutectic cream solder is screen-printed on at least one side of the polished and flattened laminated sheet of the three-dimensional electronic component module, the semiconductor component is mounted, and the semiconductor component is mounted in a reflow furnace. 50. The three-dimensional structure according to claim 49, wherein the eutectic cream solder is melted, the semiconductor component is connected to an external electrode formed on the at least one side surface, and firing is performed in a firing furnace. Manufacturing method of electronic component module.
【請求項51】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化さてた前記積層シートの少なくとも1つ
の側面の前記外部電極に対応する位置に、フラックス
を、スクリーン印刷し、前記外部電極に対応する位置
に、はんだボールを転写し、前記半導体部品を転写した
前記はんだボール上にマウントして、リフロー炉内で、
加熱して、前記はんだボールを溶融し、前記半導体部品
と前記少なくとも1つの側面に形成された外部電極とを
接続し、焼成炉内で、焼成することを特徴とする請求項
49に記載の三次元電子部品モジュールの製造方法。
51. A flux is screen-printed at a position corresponding to the external electrode on at least one side surface of the polished and flattened laminated sheet of the three-dimensional electronic component module, and the flux is applied to the external electrode. To a position where the solder ball is transferred, mounted on the solder ball to which the semiconductor component is transferred, and in a reflow furnace,
50. The tertiary according to claim 49, wherein the solder ball is heated to melt the solder ball, the semiconductor component is connected to an external electrode formed on the at least one side surface, and fired in a firing furnace. Original electronic component module manufacturing method.
【請求項52】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化さてた前記積層シートの少なくとも1つ
の側面の前記外部電極に対応する位置に、フラックスを
スクリーン印刷し、前記半導体部品の前記フラックスに
対応する位置に、はんだボールを転写し、前記半導体部
品を、前記少なくとも1つの側面に形成された前記外部
電極の位置に合致するように、前記外部電極上にマウン
トし、リフロー炉内で、加熱して、前記半導体部品と前
記少なくとも1つの側面に形成された外部電極とを接続
し、焼成炉内で、焼成することを特徴とする請求項49
に記載の三次元電子部品モジュールの製造方法。
52. A screen is printed with a flux at a position corresponding to the external electrode on at least one side surface of the polished and flattened laminated sheet of the three-dimensional electronic component module, and the flux of the semiconductor component is formed. In a position corresponding to the above, the solder ball is transferred, the semiconductor component is mounted on the external electrode so as to match the position of the external electrode formed on the at least one side surface, and in a reflow furnace, 50. Heating to connect the semiconductor component and the external electrode formed on the at least one side surface, and firing in a firing furnace.
3. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 1.
【請求項53】 前記三次元電子部品用モジュールの研
磨され、平坦化さてた前記積層シートの少なくとも1つ
の側面の前記外部電極に対応する位置に、フラックスを
スクリーン印刷し、前記半導体部品が備えているはんだ
ボールを利用して、前記半導体部品を、前記少なくとも
1つの側面に形成された前記外部電極の位置に合致する
ように、前記外部電極上にマウントし、リフロー炉内
で、加熱して、前記半導体部品と前記少なくとも1つの
側面に形成された外部電極とを接続し、焼成炉内で、焼
成することを特徴とする請求項49に記載の三次元電子
部品モジュールの製造方法。
53. A screen printing of a flux at a position corresponding to the external electrode on at least one side surface of the polished and flattened laminated sheet of the three-dimensional electronic component module, wherein the semiconductor component is provided. Utilizing a solder ball, the semiconductor component is mounted on the external electrode so as to match the position of the external electrode formed on the at least one side surface, and heated in a reflow furnace, 50. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 49, wherein the semiconductor component and an external electrode formed on the at least one side surface are connected and fired in a firing furnace.
【請求項54】 前記リフロー炉中で、リフローピーク
温度200〜250℃で、30ないし90秒間にわたっ
て、加熱することを特徴とする請求項50ないし53の
いずれか1項に記載の三次元電子部品モジュールの製造
方法。
54. The three-dimensional electronic component according to claim 50, wherein heating is performed in the reflow furnace at a reflow peak temperature of 200 to 250 ° C. for 30 to 90 seconds. Module manufacturing method.
【請求項55】 前記半導体部品と前記少なくとも1つ
の側面に形成された外部電極とを接続した後、さらに、
エポキシ封止樹脂を、前記半導体部品と前記少なくとも
1つの側面に形成された外部電極との間に充填し、硬化
炉中で、加熱して、前記エポキシ封止樹脂を硬化させ、
前記半導体部品と前記少なくとも1つの側面に形成され
た前記外部電極とを固定することを特徴とする請求項5
0ないし54のいずれか1項に記載の三次元電子部品モ
ジュールの製造方法。
55. After connecting the semiconductor component and an external electrode formed on the at least one side surface,
Filling an epoxy sealing resin between the semiconductor component and the external electrode formed on the at least one side surface, and heating in a curing furnace to cure the epoxy sealing resin;
6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the semiconductor component and the external electrode formed on the at least one side surface are fixed.
The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to any one of Items 0 to 54.
【請求項56】 前記エポキシ封止樹脂がフィラーを含
んだことを特徴とする請求項55に記載の三次元電子部
品モジュールの製造方法。
56. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 55, wherein said epoxy sealing resin contains a filler.
【請求項57】 前記フィラーがシリカフィラーである
ことを特徴とする請求項56に記載の三次元電子部品モ
ジュールの製造方法。
57. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 56, wherein the filler is a silica filler.
【請求項58】 前記硬化炉中で、130ないし180
℃で、1ないし4時間にわたって、前記エポキシ封止樹
脂を硬化させることを特徴とする請求項55ないし57
のいずれか1項に記載の三次元電子部品モジュールの製
造方法。
58. In the curing oven, 130 to 180.
58. The method of claim 55, wherein the epoxy encapsulating resin is cured at a temperature of 1 to 4 hours.
The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to any one of the above.
【請求項59】 前記焼成炉内で、550ないし650
℃で、1.5時間ないし3時間にわたり、加熱し、さら
に、800ないし880℃で、5ないし15分にわたっ
て、焼成することを特徴とする請求項50ないし58の
いずれか1項に記載の三次元電子部品モジュールの製造
方法。
59. 550 to 650 in said firing furnace
The tertiary substance according to any one of claims 50 to 58, wherein the tertiary substance is heated at 1.5C for 1.5 to 3 hours, and further calcined at 800 to 880C for 5 to 15 minutes. Original electronic component module manufacturing method.
【請求項60】 前記半導体部品が、半導体ベアチッ
プ、FBGAおよび電子部品が実装された半導体基板よ
りなる群から選ばれた半導体部品によって構成されたこ
とを特徴とする請求項49ないし59のいずれか1項に
記載の三次元電子部品モジュールの製造方法。
60. The semiconductor device according to claim 49, wherein the semiconductor component is constituted by a semiconductor component selected from the group consisting of a semiconductor bare chip, an FBGA, and a semiconductor substrate on which an electronic component is mounted. Item 13. The method for producing a three-dimensional electronic component module according to item 9.
【請求項61】 前記外部電極に、プリント配線基板を
接続することを特徴とする請求項49ないし60のいず
れか1項に記載の三次元電子部品モジュールの製造方
法。
61. The method for manufacturing a three-dimensional electronic component module according to claim 49, wherein a printed wiring board is connected to said external electrode.
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