JP2002261229A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method of manufacturing semiconductor device

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JP2002261229A
JP2002261229A JP2001058305A JP2001058305A JP2002261229A JP 2002261229 A JP2002261229 A JP 2002261229A JP 2001058305 A JP2001058305 A JP 2001058305A JP 2001058305 A JP2001058305 A JP 2001058305A JP 2002261229 A JP2002261229 A JP 2002261229A
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lead
positioning
lead group
leads
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Mikako Kimura
美香子 木村
Tamaki Wada
環 和田
Masachika Masuda
正親 増田
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Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely position two chips with reference to a lead frame. SOLUTION: The method of manufacturing the semiconductor device comprising a first chip and a second chip which are laminated, in a state such that their centers on respective main faces on one side are separated in X-direction comprises a process preparing the lead frame which is provided with a first lead group, a second lead group, a support, a first positioning mark used to position the first chip in the X-direction, a second positioning mark used to position the second chip in the X-direction and are arranged, so as to be separated in the X-direction with reference to the first positioning mark and a third positioning part used to position the first and second chips in Y-direction at right angles to the X-direction; and a process in which the first chip is fixed to the support after the first chip has been positioned, so as to be aligned with the first and third positioning marks and a process, in which after the second chip has been positioned so as to be aligned with the second and third positioning marks, the second chip is fixed to the first chip.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、2つの半導体チップを積層して1つ
の樹脂封止体で封止する半導体装置の製造技術に適用し
て有効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technology, and more particularly to a technology effective when applied to a semiconductor device manufacturing technology in which two semiconductor chips are stacked and sealed with one resin sealing body. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】記憶回路が内蔵された半導体チップの高
密度実装を目的として、同一容量の記憶回路が内蔵され
た2つの半導体チップを積層し、この2つの半導体チッ
プを1つの樹脂封止体で封止する積層型半導体装置が提
案されている。例えば、特開平7−58281号公報
(公知文献1)にはLOC(Lead On Chip )構造の
積層型半導体装置が開示されている。また、特開平4−
302165号公報(公知文献2)にはタブ構造の積層
型半導体装置が開示されている。
2. Description of the Related Art For the purpose of high-density mounting of a semiconductor chip with a built-in storage circuit, two semiconductor chips with a built-in storage circuit of the same capacity are stacked, and these two semiconductor chips are sealed with one resin. There has been proposed a stacked semiconductor device which is sealed with a semiconductor device. For example, Japanese Patent Laying-Open No. 7-58281 (Patent Document 1) discloses a stacked semiconductor device having a LOC (Lead On Chip) structure. In addition, Japanese Unexamined Patent Publication No.
Japanese Patent Publication No. 302165 (publicly known document 2) discloses a stacked semiconductor device having a tab structure.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、新しい
構造の積層型半導体装置を開発中である。この積層型半
導体装置は、回路形成面の互いに対向する第1辺及び第
2辺のうちの第1辺側にその第1辺に沿って複数の電極
が配列された第1半導体チップ及び第2半導体チップ
と、第1半導体チップの第1辺の外側に配置され、第1
半導体チップの電極に導電性のワイヤを介して電気的に
接続された複数の第1リードと、第1半導体チップの第
2辺の外側に配置され、第2半導体チップの電極に導電
性のワイヤを介して電気的に接続された複数の第2リー
ドと、第1又は第2半導体チップの回路形成面に固定さ
れた支持リードと、第1及び第2半導体チップ、第1及
び第2リードのインナー部、ワイヤ及び支持リード等を
封止する樹脂封止体とを有する構成となっている。第1
及び第2半導体チップは、第1半導体チップの第1辺に
対して第2半導体チップの第1辺が反対側に位置するよ
うに各々の裏面同志を向かい合わせた状態で、かつ第1
半導体チップの第1辺が第2半導体チップの第2辺より
も外側に位置し、第2半導体チップの第1辺が第1半導
体チップの第2辺よりも外側に位置するように夫々の中
心を一方向に離間させた状態で互いに接着固定されてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors are developing a stacked semiconductor device having a new structure. The stacked semiconductor device includes a first semiconductor chip having a plurality of electrodes arranged along a first side on a first side of a first side and a second side opposed to each other on a circuit forming surface. A first semiconductor chip and a first semiconductor chip,
A plurality of first leads electrically connected to the electrodes of the semiconductor chip via conductive wires; and a plurality of first leads disposed outside the second side of the first semiconductor chip, wherein the conductive wires are connected to the electrodes of the second semiconductor chip. A plurality of second leads which are electrically connected to each other via the first and second semiconductor chips, a support lead fixed to a circuit forming surface of the first or second semiconductor chip, and a plurality of first and second semiconductor chips and the first and second leads. It has a resin sealing body for sealing the inner part, the wires, the support leads, and the like. First
And the second semiconductor chip is in a state where the respective back surfaces face each other such that the first side of the second semiconductor chip is located on the opposite side to the first side of the first semiconductor chip, and
The center of each of the semiconductor chips is such that the first side is located outside the second side of the second semiconductor chip and the first side of the second semiconductor chip is located outside the second side of the first semiconductor chip. Are bonded and fixed to each other in a state where they are separated in one direction.

【0004】しかしながら、本発明者等は前述の積層型
半導体装置の開発中に新たな問題点を見出した。
However, the present inventors have found a new problem during the development of the aforementioned stacked semiconductor device.

【0005】積層型半導体装置は、1枚のリードフレー
ムを用いた組立プロセスによって製造される。リードフ
レームは、枠体で囲まれた領域内に、第1リード群、第
2リード郡及び支持リード等を配置した構成となってい
る。第1及び第2リード群は、X方向に互いに離間して
配置されている。支持リードは、第1リード群と第2リ
ード群との間に配置され、X方向と直交するY方向に沿
って延在している。
A stacked semiconductor device is manufactured by an assembly process using a single lead frame. The lead frame has a configuration in which a first lead group, a second lead group, a support lead, and the like are arranged in a region surrounded by a frame. The first and second lead groups are spaced apart from each other in the X direction. The support lead is disposed between the first lead group and the second lead group, and extends along a Y direction orthogonal to the X direction.

【0006】積層型半導体装置の製造では、リードフレ
ームの支持リードに第1半導体チップを接着固定し、そ
の後、第1半導体チップに第2半導体チップを接着固定
している。従って、第1半導体チップの第1辺(電極が
配列された側の辺)が第2半導体チップの第2辺(電極
が配列されていない側の辺)よりも外側に位置し、第2
半導体チップの第1辺(電極が配列された側の辺)が第
1半導体チップの第2辺(電極が配列されていない側の
辺)よりも外側に位置するように第1及び第2半導体チ
ップの夫々の中心をX方向に離間させるためには、チッ
プボンディング工程において、第1及び第2半導体チッ
プのX方向の位置決めを正確に行う必要がある。
In manufacturing a stacked semiconductor device, a first semiconductor chip is bonded and fixed to support leads of a lead frame, and then a second semiconductor chip is bonded and fixed to the first semiconductor chip. Therefore, the first side of the first semiconductor chip (the side on which the electrodes are arranged) is located outside the second side of the second semiconductor chip (the side on which the electrodes are not arranged), and
First and second semiconductors such that a first side (side on which electrodes are arranged) of the semiconductor chip is located outside a second side (side on which electrodes are not arranged) of the first semiconductor chip. In order to separate the centers of the chips in the X direction, it is necessary to accurately position the first and second semiconductor chips in the X direction in the chip bonding step.

【0007】しかしながら、第1及び第2半導体チップ
のX方向の位置決めは、X方向に互いに離間して配置さ
れた第1及び第2リード群を基準にして行なっていたた
め、第1及び第2半導体チップのX方向の位置決めを正
確に行うことが困難であった。
However, since the positioning of the first and second semiconductor chips in the X direction is performed with reference to the first and second lead groups which are arranged apart from each other in the X direction, the first and second semiconductor chips are positioned. It has been difficult to accurately position the chip in the X direction.

【0008】X方向における位置決めが不正確となった
場合、第1及び第2半導体チップの夫々の中心をX方向
に離間させる距離(位置ずれ)が予め設定された寸法よ
りも極端に大きくなったり、極端に小さくなったりする
といった不具合が発生し易くなるため、製造歩留まりの
低下につながる。
When the positioning in the X direction becomes inaccurate, the distance (position shift) between the centers of the first and second semiconductor chips in the X direction becomes extremely larger than a predetermined dimension. In such a case, a problem that the size becomes extremely small is likely to occur, which leads to a decrease in manufacturing yield.

【0009】本発明の目的は、リードフレームに対する
2つの半導体チップの位置決めを正確に行なうことが可
能な技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of accurately positioning two semiconductor chips with respect to a lead frame.

【0010】本発明の他の目的は、半導体装置の製造歩
留まりの向上を図ることが可能な技術を提供することに
ある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving the production yield of a semiconductor device.

【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0013】(1)各々の一主面の中心がX方向に離間
する状態で積層される第1半導体チップ及び第2半導体
チップを有する半導体装置の製造方法であって、前記X
方向において互いに離間して配置された第1リード群及
び第2リード群と、前記第1リード群と前記第2リード
群との間に配置された支持体と、前記X方向において前
記第1半導体チップの位置決めに用いられる第1位置決
め用マークと、前記X方向において前記第2半導体チッ
プの位置決めに用いられる第2位置決め用マークであっ
て、前記第1位置決め用マークに対して前記X方向に離
間して配置された第2位置決め用マークと、前記X方向
と直交するY方向において前記第1及び第2半導体チッ
プの位置決めに用いられる第3位置決め用マークとを有
するリードフレームを準備する工程と、前記第1及び第
3位置決め用マークに合わせて前記第1半導体チップを
位置決めした後、前記支持体に前記第1半導体チップを
固定する工程と、前記第2及び第3位置決め用マークに
合わせて前記第2半導体チップを位置決めした後、前記
第1半導体チップに前記第2半導体チップを固定する工
程とを含む。
(1) A method of manufacturing a semiconductor device having a first semiconductor chip and a second semiconductor chip stacked in a state where the center of each main surface is separated in the X direction.
A first lead group and a second lead group disposed apart from each other in a direction, a support disposed between the first lead group and the second lead group, and the first semiconductor in the X direction. A first positioning mark used for positioning the chip, and a second positioning mark used for positioning the second semiconductor chip in the X direction, wherein the second positioning mark is separated from the first positioning mark in the X direction. Preparing a lead frame having a second positioning mark arranged as described above, and a third positioning mark used for positioning the first and second semiconductor chips in a Y direction orthogonal to the X direction; Fixing the first semiconductor chip to the support after positioning the first semiconductor chip in accordance with the first and third positioning marks; After positioning the second semiconductor chip in accordance with the serial second and third positioning mark, and a step of fixing the second semiconductor chip to the first semiconductor chip.

【0014】(2)前記手段(1)に記載の半導体装置
の製造方法において、前記第1及び第2位置決め用マー
クは、前記第1及び第2リード群側に夫々2つずつ配置
され、前記第1及び第2リード群側に夫々配置された前
記2つの第1及び第2位置決め用マークは、前記Y方向
に離間して配置されている。
(2) In the method of manufacturing a semiconductor device according to the means (1), two first and second positioning marks are respectively arranged on the first and second lead group sides. The two first and second positioning marks respectively disposed on the first and second lead group sides are spaced apart in the Y direction.

【0015】(3)前記手段(2)に記載の半導体装置
の製造方法において、前記第1リード群側に配置された
前記2つの第1位置決め用マークは、前記第1リード群
側に配置された前記2つの第2位置決め用マークよりも
前記第1リード群側に位置し、前記第2リード群側に配
置された前記2つの第1位置決め用マークは、前記第2
リード群側に配置された前記2つの第2位置決め用マー
クよりも前記第1リード群側に位置している。
(3) In the method of manufacturing a semiconductor device according to the means (2), the two first positioning marks arranged on the first lead group side are arranged on the first lead group side. The two first positioning marks which are located on the first lead group side with respect to the two second positioning marks and which are disposed on the second lead group side are the second positioning marks.
It is located on the first lead group side with respect to the two second positioning marks arranged on the lead group side.

【0016】(4)前記手段(3)に記載の半導体装置
の製造方法において、前記第1及び第2リード群は、前
記Y方向に沿って配列された複数のリードからなり、前
記第1リード群側に配置された前記2つの第1及び第2
位置決め用マークは、前記第1リード群のリード配列の
初段及び終段に位置するリードに夫々1つずつ設けら
れ、前記第2リード群側に配置された前記2つの第1及
び第2位置決め用マークは、前記第2リード群のリード
配列の初段及び終段に位置するリードに夫々1つずつ設
けられている。
(4) In the method of manufacturing a semiconductor device according to the means (3), the first and second lead groups include a plurality of leads arranged along the Y direction, and The two first and second arranged on the group side
One positioning mark is provided for each of the leads located at the first stage and the last stage of the lead arrangement of the first lead group, and the two first and second positioning marks arranged on the second lead group side are provided. One mark is provided for each of the leads located at the first stage and the last stage of the lead arrangement of the second lead group.

【0017】(5)前記追段(3)に記載の半導体装置
の製造方法において、前記リードフレームは、前記第1
及び第2リード群のリード及び前記支持体が連結された
枠体を有し、前記第1及び第2位置合わせ用マークは前
記枠体に設けられている。
(5) In the method of manufacturing a semiconductor device according to the additional step (3), the lead frame may include the first frame.
And a frame in which the leads of the second lead group and the support are connected, and the first and second alignment marks are provided on the frame.

【0018】上述した手段によれば、第1半導体チップ
は第1及び第3位置決め用マークに合わせて位置決めさ
れ、第2半導体チップは第2及び第3位置決め用マーク
に合わせて位置決めされるので、リードフレームに対す
る2つの半導体チップの位置決めを正確に行うことがで
きる。
According to the above-described means, the first semiconductor chip is positioned according to the first and third positioning marks, and the second semiconductor chip is positioned according to the second and third positioning marks. The two semiconductor chips can be accurately positioned with respect to the lead frame.

【0019】また、第1及び第2半導体チップの夫々の
中心をX方向に離間させる距離(位置ずれ)が予め設定
された寸法よりも極端に大きくなったり、極端に小さく
なったりするといった不具合の発生を抑制できるので、
半導体装置の製造歩留まりの向上を図ることができる。
Further, there is a problem that the distance (positional deviation) for separating the respective centers of the first and second semiconductor chips in the X direction becomes extremely larger or smaller than a predetermined dimension. Because the occurrence can be suppressed,
The manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.

【0021】本実施形態では、TSOP(hin mall
ut-line ackage )型において、樹脂封止体の互い
に対向する2つの短辺側にリードを配列したタイプIの
半導体装置に本発明を適用した例について説明する。
[0021] In the present embodiment, TSOP (T hin S mall
In O ut-line P ackage) type, for example of applying the present invention to a semiconductor device of the type I having an array of leads on two short sides facing each other of the resin sealing body will be described.

【0022】図1は本発明の一実施形態である半導体装
置の樹脂封止体の上部を除去した状態の平面図であり、
図2は図1のA−A線に沿う断面図であり、図3は図1
のB−B線に沿う断面図である。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention in which an upper portion of a resin sealing body is removed.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG.
It is sectional drawing which follows the BB line of FIG.

【0023】図1、図2及び図3に示すように、本実施
形態の半導体装置1は、2つの半導体チップ(2,4)
と、複数のリード11からなる第1リード群と、複数の
リード12からなる第2リード群と、複数の導電性のワ
イヤ7と、支持体である例えば2本の支持リード14
と、これらを封止する樹脂封止体8とを有する構成にな
っている。半導体チップ(以下、単にチップと呼ぶ)2
及び4は、夫々の回路形成面(2A,4A)と対向する
夫々の裏面を向かい合わせた状態で積層されている。樹
脂封止8の平面形状は方形状で形成され、本実施形態に
おいては長方形で形成されている。
As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the semiconductor device 1 of this embodiment has two semiconductor chips (2, 4).
, A first lead group including a plurality of leads 11, a second lead group including a plurality of leads 12, a plurality of conductive wires 7, and two support leads 14 as a support, for example.
And a resin sealing body 8 for sealing them. Semiconductor chip (hereinafter simply referred to as chip) 2
And 4 are stacked with their respective back surfaces facing the respective circuit forming surfaces (2A, 4A) facing each other. The planar shape of the resin sealing 8 is formed in a square shape, and in this embodiment, is formed in a rectangular shape.

【0024】チップ2及び4は同一の外形寸法で形成さ
れている。また、チップ2及び4の平面形状は方形状で
形成され、本実施形態においては例えば長方形で形成さ
れている。チップ2及び4には、記憶回路として例えば
フラッシュメモリと呼称される64メガビットのEEP
ROM(lectrically rasable rogrammable ea
d nly emory )が内蔵されている。
The chips 2 and 4 have the same outer dimensions. The planar shape of the chips 2 and 4 is formed in a square shape, and in the present embodiment, is formed in, for example, a rectangular shape. Each of the chips 2 and 4 has, as a storage circuit, a 64-megabit EEP called a flash memory, for example.
ROM (E lectrically E rasable P rogrammable R ea
d O nly M emory) has been built.

【0025】チップ2の回路形成面(一主面)2Aにお
いて、その互いに対向する2つの短辺のうちの一方の短
辺2A1側には、この一方の短辺2A1に沿って複数の
電極(ボンディングパッド)3が配列されている。チッ
プ4の回路形成面4Aにおいて、その互いに対向する2
つの短辺のうちの一方の短辺4A1側には、この一方の
短辺4A1に沿って複数の電極(ボンディングパッド)
5が配列されている。
On the circuit forming surface (one main surface) 2A of the chip 2, a plurality of electrodes (on one short side 2A1 side) of the two short sides facing each other are arranged along one short side 2A1. Bonding pads) 3 are arranged. On the circuit forming surface 4A of the chip 4,
A plurality of electrodes (bonding pads) are formed along one short side 4A1 on one short side 4A1 side of the two short sides.
5 are arranged.

【0026】チップ2に内蔵されたフラッシュメモリの
回路パターンは、チップ4に内蔵されたフラッシュメモ
リの回路パターンと同一になっている。また、チップ2
の回路形成面2Aに形成された電極3の配置パターン
は、チップ4の回路形成面4Aに形成された電極5の配
置パターンと同一になっている。即ち、チップ2及び4
としては同一構造のものが用いられている。
The circuit pattern of the flash memory built in the chip 2 is the same as the circuit pattern of the flash memory built in the chip 4. Also, chip 2
The arrangement pattern of the electrodes 3 formed on the circuit formation surface 2A is the same as the arrangement pattern of the electrodes 5 formed on the circuit formation surface 4A of the chip 4. That is, chips 2 and 4
Have the same structure.

【0027】樹脂封止体8は、低応力化を図る目的とし
て、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及び
フィラー等が添加されたビフィニール系の熱硬化性樹脂
を用いたトランスファモールド法によって形成されてい
る。トランスファモールド法は、ポット、ランナー、注
入ゲート及びキャビティ等を備えたモールド金型を使用
し、ポットからランナー及び注入ゲートを通してキャビ
ティの内部に樹脂を注入して樹脂封止体を形成する方法
である。
The resin sealing body 8 is formed by, for example, a transfer molding method using a biphenyl-based thermosetting resin to which a phenol-based curing agent, silicone rubber, a filler and the like are added for the purpose of reducing the stress. ing. The transfer molding method is a method of using a mold having a pot, a runner, an injection gate, a cavity, and the like, and injecting a resin from the pot into the cavity through the runner and the injection gate to form a resin sealing body. .

【0028】複数のリード11からなる第1リード群及
び複数のリード12からなる第2リード群は、X方向
(本実施形態ではチップの長辺の延在方向)に互いに離
間して配置されている。第1リード群の複数のリード1
1は樹脂封止体8の互いに対向する2つの短辺のうちの
一方の短辺に沿って配列され、第2リード群の複数のリ
ード12は樹脂封止体8の他方の短辺に沿って配列され
ている。複数のリード11及び12は、樹脂封止体8の
内外に亘って延在し、樹脂封止体8の内部に位置するイ
ンナー部及び樹脂封止体8の外部に位置するアウター部
を有する構成となっている。複数のリード11の夫々の
インナー部は、チップ2の一方の短辺2A1の外側に配
置され、チップ2の各電極3に導電性のワイヤ7を介し
て電気的に接続されている。複数のリード12の夫々の
インナー部は、チップ2の他方の短辺2A2の外側に配
置され、チップ4の各電極5に導電性のワイヤ7を介し
て電気的に接続されている。複数のリード11及び12
の夫々のアウター部は、面実装型リード形状の1つであ
るガルウィング形状に折り曲げ成形されている。
A first lead group consisting of a plurality of leads 11 and a second lead group consisting of a plurality of leads 12 are spaced apart from each other in the X direction (in this embodiment, the direction in which the long side of the chip extends). I have. A plurality of leads 1 of the first lead group
1 is arranged along one of the two short sides of the resin sealing body 8 facing each other, and the plurality of leads 12 of the second lead group are arranged along the other short side of the resin sealing body 8. Are arranged. The plurality of leads 11 and 12 extend over the inside and outside of the resin sealing body 8 and have an inner part located inside the resin sealing body 8 and an outer part located outside the resin sealing body 8. It has become. Each inner part of the plurality of leads 11 is arranged outside one short side 2A1 of the chip 2 and is electrically connected to each electrode 3 of the chip 2 via a conductive wire 7. Each inner part of the plurality of leads 12 is arranged outside the other short side 2A2 of the chip 2 and is electrically connected to each electrode 5 of the chip 4 via a conductive wire 7. A plurality of leads 11 and 12
Are bent and formed in a gull wing shape, which is one of the surface mount type lead shapes.

【0029】チップ2及び4は、チップ2の一方の短辺
2A1に対してチップ4の一方の短辺4A1が反対側に
位置するように夫々の裏面同志を向かい合わせた状態で
積層されている。また、チップ2及び4は、チップ2の
一方の短辺2A1がチップ4の他方の短辺4A2よりも
外側に位置し、チップ4の一方の短辺4A1がチップ2
の他方の短辺2A2によも外側に位置するように夫々の
中心(2P,4P)をX方向に互いに離間させた状態で
積層されている。チップ2とチップ4との間には接着材
として例えば熱硬化性の樹脂からなる絶縁性の接着用樹
脂フィルム6が介在され、この接着用樹脂フィルム6に
よってチップ2及び4は互いに接着固定されている。
The chips 2 and 4 are stacked with their back surfaces facing each other such that one short side 4A1 of the chip 4 is located on the opposite side to one short side 2A1 of the chip 2. . In the chips 2 and 4, one short side 2A1 of the chip 2 is located outside the other short side 4A2 of the chip 4, and one short side 4A1 of the chip 4 is
Are stacked such that their centers (2P, 4P) are spaced apart from each other in the X direction so as to be located outside the other short side 2A2. An insulating adhesive resin film 6 made of, for example, a thermosetting resin is interposed between the chip 2 and the chip 4 as an adhesive, and the chips 2 and 4 are bonded and fixed to each other by the adhesive resin film 6. I have.

【0030】ここで、チップ2の中心2P及びチップ4
の中心4Pとは、夫々のチップの回路形成面における対
角線の交点を言う。なお、図1中の8Pは樹脂封止体8
の中心であり、中心8Pとは樹脂封止体8の平面におけ
る対角線の交点を言う。
Here, the center 2P of the chip 2 and the chip 4
4P means the intersection of diagonal lines on the circuit formation surface of each chip. In addition, 8P in FIG.
The center 8P is the intersection of diagonal lines in the plane of the resin sealing body 8.

【0031】2本の支持リード14は、接着材として例
えば熱硬化性の樹脂からなる絶縁性の接着用樹脂フィル
ム15を介在してチップ2の回路形成面2Aに接着固定
されている。また、2本の支持リード14は、X方向と
直交するY方向に沿って延在し、チップ2の2つ長辺を
横切っている。また、2本の支持リード14は、X方向
に互いに離間して配置されている。なお、2本の支持リ
ード14には、チップ2の回路形成面2A上を延在する
部分とチップ2の外側を延在する部分とで高低差を付け
るためのオフセット加工が施されている。
The two support leads 14 are adhesively fixed to the circuit forming surface 2A of the chip 2 with an insulating adhesive resin film 15 made of, for example, a thermosetting resin as an adhesive. Further, the two support leads 14 extend along the Y direction orthogonal to the X direction, and cross the two long sides of the chip 2. Further, the two support leads 14 are arranged apart from each other in the X direction. Note that the two support leads 14 are subjected to offset processing for providing a height difference between a portion extending on the circuit forming surface 2A of the chip 2 and a portion extending outside the chip 2.

【0032】図1に示すように、第1リード群のリード
配列の初段及び終段に位置するリード11は、他のリー
ド11よりもインナー部の長さが長くなっている。ま
た、第2リード群のリード配列の初段及び終段に位置す
るリード12は、他のリード12よりもインナー部の長
さが長くなっている。この初段及び終段に位置するリー
ド11及び12のインナー部は、その先端部分がチップ
2及び4の長辺と対向するように引き伸ばされている。
As shown in FIG. 1, the lead 11 located at the first stage and the last stage of the lead arrangement of the first lead group has a longer inner portion than the other leads 11. Further, the length of the inner portion of each of the leads 12 located at the first stage and the last stage of the lead array of the second lead group is longer than those of the other leads 12. The inner portions of the leads 11 and 12 located at the first stage and the last stage are stretched so that the tips thereof face the long sides of the chips 2 and 4.

【0033】第1及び第2リード群の初段及び終段に位
置するリード11及び12のインナー部の先端部分に
は、位置決め用マーク16及び17が夫々設けられてい
る。第1リード郡のリード11に設けられた2つの位置
決め用マーク16は、第1リード郡のリード11に設け
られた2つの位置決め用マーク17よりも第1リード郡
側に位置し、第2リード郡のリード12に設けられた2
つの位置決め用マーク16は、第2リード郡のリード1
2に設けられた2つの位置決め用マーク17よりも第1
リード郡側に位置している。
Positioning marks 16 and 17 are provided at the tips of the inner portions of the leads 11 and 12 located at the first and last stages of the first and second lead groups, respectively. The two positioning marks 16 provided on the leads 11 of the first lead group are located closer to the first lead group than the two positioning marks 17 provided on the leads 11 of the first lead group. 2 on County Lead 12
One positioning mark 16 corresponds to the lead 1 of the second lead county.
2 is more than the two positioning marks 17 provided in
It is located on the Reed County side.

【0034】4つの位置決め用マーク16及び17は、
リードのインナー部の先端部分からチップに向かって突
出する突起で構成されている。4つの位置決め用マーク
16は、チップボンディング工程において、チップ2の
X方向の位置決めに用いられる。4つの位置決め用マー
ク17は、チップボンディング工程において、チップ4
のX方向の位置決めに用いられる。
The four positioning marks 16 and 17 are:
It is composed of a protrusion protruding from the tip of the inner part of the lead toward the chip. The four positioning marks 16 are used for positioning the chip 2 in the X direction in the chip bonding step. In the chip bonding step, the four positioning marks 17
Is used for positioning in the X direction.

【0035】2本の支持リード14には、2つの位置決
め用マーク18が夫々設けられている。2本の支持リー
ド14に夫々設けられた2つの位置決め用マーク18
は、Y方向に互いに離間して配置されている。第1リー
ド郡側の支持リード14に設けられた2つの位置決め用
マーク18は、支持リード14から第1リード郡に向か
って突出する突起で構成され、第2リード郡側の支持リ
ード14に設けられた2つの位置決め用マーク18は、
支持リード14から第2リード郡に向かって突出する突
起で構成されている。4つの位置決め用マーク14は、
チップボンディング工程において、チップ2及び4のY
方向の位置決めに用いられる。
Each of the two support leads 14 is provided with two positioning marks 18. Two positioning marks 18 respectively provided on the two support leads 14
Are arranged apart from each other in the Y direction. The two positioning marks 18 provided on the first lead group side support lead 14 are formed by protrusions protruding from the support lead 14 toward the first lead group, and are provided on the second lead group side support lead 14. The two positioning marks 18 provided are
It is configured by a projection projecting from the support lead 14 toward the second group of leads. The four positioning marks 14
In the chip bonding step, Y of chips 2 and 4
Used for directional positioning.

【0036】第1リード群の初段及び終段のリード11
に設けられた2つの位置決め用マーク16はY方向に沿
って延在する第1の仮想線上に位置し、第2リード群の
初段及び終段のリード12に設けられた2つの位置決め
用マーク16はY方向に沿って延在する第2の仮想線上
に位置している。この第1の仮想線と第2の仮想線との
離間距離はチップ2のX方向の長さとほぼ同一となって
いる。即ち、チップ2は、チップボンディング工程にお
いて、4つの位置決め用マーク16に合わせてX方向の
位置決めが行なわれる。
The first and last leads 11 of the first lead group
Are located on the first imaginary line extending along the Y direction, and the two positioning marks 16 provided on the first and last leads 12 of the second lead group. Are located on a second virtual line extending along the Y direction. The distance between the first virtual line and the second virtual line is substantially equal to the length of the chip 2 in the X direction. That is, the chip 2 is positioned in the X direction in accordance with the four positioning marks 16 in the chip bonding step.

【0037】第1リード郡の初段及び終段のリード11
に設けられた2つの位置決め用マーク17はY方向に沿
って延在する第3仮想線上に位置し、第2リード郡の初
段及び終段のリード12に設けられた2つの位置決め用
マーク17はY方向に沿って延在する第4の仮想線上に
位置している。この第3の仮想線と第4の仮想との離間
距離はチップ4のX方向の幅とほぼ同一となっている。
即ち、チップ4は、チップボンディング工程において、
4つの位置決め用マーク17に合わせてX方向の位置決
めが行なわれる。
The first and last leads 11 of the first lead county
Are located on the third imaginary line extending along the Y direction, and the two positioning marks 17 provided on the first and last leads 12 of the second lead group are It is located on a fourth imaginary line extending along the Y direction. The distance between the third virtual line and the fourth virtual line is substantially the same as the width of the chip 4 in the X direction.
That is, in the chip bonding process, the chip 4
Positioning in the X direction is performed according to the four positioning marks 17.

【0038】2本の支持リード14に夫々設けられた2
つの位置決め用マーク18のうち、チップ2の一方の長
辺側に位置する2つの位置決め用マーク18はX方向に
沿って延在する第5の仮想線上に位置し、チップの他方
の長辺側に位置する2つの位置決め用マーク18はX方
向に沿って延在する第6の仮想線上に位置している。こ
の第5の仮想線と第6の仮想線との離間距離はチップ2
及び4のY方向の幅とほぼ同一となっている。即ち、チ
ップ2及び4は、チップボンディング工程において、4
つの位置決め用マーク18に合わせてY方向の位置決め
が行なわれる。
The two support leads 14 are provided with two
Of the two positioning marks 18, two positioning marks 18 located on one long side of the chip 2 are located on a fifth imaginary line extending along the X direction, and the other long side of the chip. Are located on the sixth virtual line extending along the X direction. The distance between the fifth virtual line and the sixth virtual line is chip 2
And 4 are substantially the same as the width in the Y direction. That is, the chips 2 and 4 are 4 in the chip bonding process.
Positioning in the Y direction is performed according to the two positioning marks 18.

【0039】次に、半導体装置1の製造に用いられるリ
ードフレームについて、図4及び図5を用いて説明す
る。図4はリードフレームの平面図であり、図5は図4
の一部を拡大した要部平面図である。なお、実際のリー
ドフレームは、図4に向かって縦方向に配置された2つ
の製品形成領域からなる1ブロックを図4に向かって横
方向に複数配置した多連構造になっているが、図面を見
易くするため、図4は1つのブロックを示している。
Next, a lead frame used for manufacturing the semiconductor device 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view of the lead frame, and FIG.
FIG. 4 is an enlarged plan view of a part of the main part. The actual lead frame has a multiple structure in which one block composed of two product formation regions arranged vertically in FIG. 4 is arranged in a plurality in the horizontal direction as viewed in FIG. FIG. 4 shows one block to make it easier to see.

【0040】図4及び図5に示すように、リードフレー
ムLFは、枠体10で囲まれた製品形成領域の内部に、
複数のリード11からなる第1リード群、複数のリード
12からなる第2リード群、2本の支持リード14、4
つの位置決め用マーク(16,17,18)等を配置し
た構成となっている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the lead frame LF is placed inside a product forming region surrounded by the frame 10.
A first lead group including a plurality of leads 11, a second lead group including a plurality of leads 12, two support leads 14, 4
In this configuration, two positioning marks (16, 17, 18) and the like are arranged.

【0041】第1及び第2リード群はX方向に互いに離
間して配置されている。第1及び第2リード群の各リー
ド(11,12)はY方向に沿って配列され、各々のア
ウター部が枠体10と一体化されている。第1及び第2
リード群の各リード(11,12)は、タイバー13を
介して互いに連結されている。
The first and second lead groups are arranged apart from each other in the X direction. Each lead (11, 12) of the first and second lead groups is arranged along the Y direction, and each outer portion is integrated with the frame 10. First and second
The leads (11, 12) of the lead group are connected to each other via a tie bar 13.

【0042】2本の支持リード14は、第1リード群と
第2リード群との間において、Y方向に沿って延在し、
X方向に互いに離間している。2本の支持リード14
は、夫々の両端部分が枠体10と一体化されている。2
本の支持リード14には、チップとの接着に用いられる
接着用樹脂フィルム15が貼り付けられている。
The two support leads 14 extend along the Y direction between the first lead group and the second lead group,
They are separated from each other in the X direction. Two support leads 14
Each of both ends is integrated with the frame body 10. 2
An adhesive resin film 15 used for bonding to a chip is attached to the support leads 14 of the book.

【0043】リードフレームLFは、例えば鉄(Fe)
−ニッケル(Ni)系の合金又は銅(Cu)若しくは銅
系の合金からなる平板材にエッチング加工又はプレス加
工を施して所定のリードパターンを形成することによっ
て形成される。
The lead frame LF is made of, for example, iron (Fe).
-It is formed by subjecting a flat plate made of a nickel (Ni) -based alloy or copper (Cu) or a copper-based alloy to etching or pressing to form a predetermined lead pattern.

【0044】なお、位置決め用マーク(16,17,1
8)はリードフレームLFの段階においても前述で説明
した構成と同様なので、ここでの説明は省略する。
The positioning marks (16, 17, 1)
8) is the same as that described above at the stage of the lead frame LF, and the description is omitted here.

【0045】また、図5に示す8P1は樹脂封止体形成
領域の中心であり、樹脂封止体形成領域の中心8P1と
は、平面が方形状からなる樹脂封止体形成領域の対角線
の交点を言う。
Further, 8P1 shown in FIG. 5 is the center of the resin-sealed-body forming region, and the center 8P1 of the resin-sealed-body forming region is the intersection of the diagonal lines of the resin-sealed-body forming region having a square planar shape. Say

【0046】次に、半導体装置1の製造について、図6
乃至図13を用いて説明する。図6及び図9はチップボ
ンディング工程を説明するための図((a)はX方向に
沿う断面図,(b)はY方向に沿う断面図)であり、図
7及び図10はチップボンディング工程を説明するため
の平面図であり、図8及び図11はチップボンディング
工程を説明するための断面図であり、図12はワイヤボ
ンディング工程を説明するための図((a)及び(b)
は断面図)であり、図13はモールド工程を説明するた
めの断面図である。
Next, the manufacture of the semiconductor device 1 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS. 6 and 9 are views for explaining the chip bonding step ((a) is a cross-sectional view along the X direction, (b) is a cross-sectional view along the Y direction), and FIGS. 7 and 10 are chip bonding steps. 8 and 11 are cross-sectional views for explaining a chip bonding step, and FIGS. 12A and 12B are views for explaining a wire bonding step ((a) and (b)).
Is a cross-sectional view), and FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a molding step.

【0047】まず、リードフレームLFにチップ2を接
着固定する。リードフレームLFとチップ2との接着固
定は、図6に示すように、ヒートステージ20にチップ
2を装着し、その後、図7に示すように、位置決め用マ
ーク16及び18に合わせてチップ2を位置決めし、そ
の後、図8に示すように、チップ2の回路形成面2Aに
支持リード14をボンディングツール21で熱圧着する
ことによって行なわれる。チップ2は、その一方の短辺
2A1が第1リード群(リード11)側に位置する状態
で接着固定される(図7参照)。また、チップ2は、そ
の中心2Pが樹脂封止体形成領域の中心8P1からX方
向に沿って第1リード群側にずれた状態で接着固定され
る(図7参照)。
First, the chip 2 is bonded and fixed to the lead frame LF. The bonding between the lead frame LF and the chip 2 is performed by mounting the chip 2 on the heat stage 20 as shown in FIG. 6, and then aligning the chip 2 with the positioning marks 16 and 18 as shown in FIG. After that, as shown in FIG. 8, the support leads 14 are thermocompression-bonded to the circuit forming surface 2A of the chip 2 with a bonding tool 21. The chip 2 is bonded and fixed in a state where one short side 2A1 is located on the first lead group (lead 11) side (see FIG. 7). The chip 2 is bonded and fixed with its center 2P shifted from the center 8P1 of the resin-sealed body formation region toward the first lead group along the X direction (see FIG. 7).

【0048】チップ2の位置決めは、図6及び図7に示
すように、第1リード群(リード11)側の2つの位置
決め用マーク16を結ぶ第1の仮想線上にチップ2の一
方の短辺2A1が位置し、第2リード群(リード12)
側の2つの位置決め用マーク16を結ぶ第2の仮想線上
にチップ2の他方の短辺2A2が位置し、2本の支持リ
ード14の夫々の一端側の2つの位置決め用マーク18
を結ぶ第5の仮想線上にチップ2の一方の長辺が位置
し、2本の支持リード14の夫々の他端側の2つの位置
決め用マーク18を結ぶ第6の仮想線上にチップ2の他
方の長辺が位置するように、ヒートステージ20をX方
向及びY方向に移動させることによって行なわれる。ヒ
ートステージ20のX方向及びY方向の移動は、位置決
め用マーク16及び18の位置、並びにチップ2の位置
を画像認識装置で読み取り、この読み取ったデータに基
づいて行なわれる。従って、チップ2は位置決め用マー
ク16及び18に合わせてX方向及びY方向が位置決め
されるので、リードフレームLFに対するチップ2の位
置決めを正確に行なうことができる。
As shown in FIGS. 6 and 7, one of the short sides of the chip 2 is positioned on a first imaginary line connecting the two positioning marks 16 on the first lead group (lead 11) side, as shown in FIGS. 2A1 is located and the second lead group (lead 12)
The other short side 2A2 of the chip 2 is located on a second imaginary line connecting the two positioning marks 16 on the two sides, and the two positioning marks 18 on one end of each of the two support leads 14 are located.
One long side of the chip 2 is located on the fifth virtual line connecting the two, and the other of the chip 2 is placed on the sixth virtual line connecting the two positioning marks 18 on the other end sides of the two support leads 14. This is performed by moving the heat stage 20 in the X direction and the Y direction so that the long side is positioned. The movement of the heat stage 20 in the X and Y directions is performed based on the read data by reading the positions of the positioning marks 16 and 18 and the position of the chip 2 with an image recognition device. Therefore, since the chip 2 is positioned in the X direction and the Y direction according to the positioning marks 16 and 18, the chip 2 can be accurately positioned with respect to the lead frame LF.

【0049】なお、ヒートステージ20にチップ2を装
着する時、チップ2の各辺がこの各辺と対応する4つの
仮想線に対して傾斜する回転ずれが生じる場合がある。
このような場合は、チップ2の各辺がこの各辺と対応す
る4つの仮想線に対してほぼ平行となるように、ヒート
ステージ20をX方向及びY方向の移動と共に回動させ
て回転ずれの補正を行う。
When the chip 2 is mounted on the heat stage 20, a rotational displacement may occur in which each side of the chip 2 is inclined with respect to four virtual lines corresponding to each side.
In such a case, the heat stage 20 is rotated together with the movement in the X direction and the Y direction so that each side of the chip 2 is substantially parallel to the four virtual lines corresponding to the respective sides, and the rotational deviation is caused. Is corrected.

【0050】次に、チップ2の裏面が上向きとなるよう
にリードフレームLFを反転させた後、チップ2にチッ
プ4を接着固定する。チップ2とチップ4との接着固定
は、図9に示すように、チップ4の裏面に貼り付けられ
た接着用樹脂フィルム6がチップ2の裏面と向かい合う
状態でチップ2上にチップ4を搬送コレット23で搬送
し、その後、図10に示すように、位置決め用マーク1
7及び18に合わせてチップ4を位置決めし、その後、
図11に示すように、チップ2上にチップ4を搬送コレ
ット23で装着し、その後、チップ2にチップ4をボン
ディングツールで熱圧着することによって行なわれる。
チップ4は、その一方の短辺4A1が第2リード群(リ
ード12)側に位置する状態で接着固定される(図10
参照)。また、チップ4は、その中心4Pが樹脂封止体
形成領域の中心8P1からX方向に沿って第2リード群
側にずれた状態で接着固定される(図10参照)。
Next, after the lead frame LF is inverted so that the back surface of the chip 2 faces upward, the chip 4 is bonded and fixed to the chip 2. As shown in FIG. 9, the chip 2 and the chip 4 are bonded and fixed by transporting the chip 4 onto the chip 2 with the bonding resin film 6 attached to the back of the chip 4 facing the back of the chip 2. 23, and then, as shown in FIG.
Position the chip 4 according to 7 and 18 and then
As shown in FIG. 11, the chip 4 is mounted on the chip 2 by the transport collet 23, and thereafter, the chip 4 is thermocompression-bonded to the chip 2 with a bonding tool.
The chip 4 is bonded and fixed in a state where one short side 4A1 is located on the second lead group (lead 12) side (FIG. 10).
reference). The chip 4 is bonded and fixed with its center 4P shifted from the center 8P1 of the resin sealing body forming region toward the second lead group along the X direction (see FIG. 10).

【0051】チップ4の位置決めは、図9及び図10に
示すように、第1リード群(リード11)側の2つの位
置決め用マーク17を結ぶ第3の仮想線上にチップ4の
他方の短辺4A2が位置し、第2リード群(リード1
2)側の2つの位置決め用マーク17を結ぶ第4の仮想
線上にチップ4の一方の短辺4A1が位置し、2本の支
持リード14の夫々の一端側の2つの位置決め用マーク
18を結ぶ第5の仮想線上にチップ4の一方の長辺が位
置し、2本の支持リード14の夫々の他端側の2つの位
置決め用マーク18を結ぶ第6の仮想線上にチップ4の
他方の長辺が位置するように、搬送コレット23をX方
向及びY方向に移動させることによって行なわれる。搬
送コレット23のX方向及びY方向の移動は、位置決め
用マーク17及び18の位置、並びにチップ4の位置を
画像認識装置で読み取り、この読み取ったデータに基づ
いて行なわれる。従って、チップ4は位置決め用マーク
17及び18に合わせてX方向及びY方向が位置決めさ
れるので、リードフレームLFに対するチップ4の位置
決めを正確に行なうことができる。
As shown in FIGS. 9 and 10, the position of the chip 4 is determined by placing the other short side of the chip 4 on a third virtual line connecting the two positioning marks 17 on the first lead group (lead 11) side. 4A2 is located in the second lead group (lead 1).
2) One short side 4A1 of the chip 4 is located on a fourth imaginary line connecting the two positioning marks 17 on the side, and connects the two positioning marks 18 on one end side of each of the two support leads 14. One long side of the chip 4 is located on the fifth imaginary line, and the other long side of the chip 4 is located on the sixth imaginary line connecting the two positioning marks 18 on the other end sides of the two support leads 14. This is performed by moving the transport collet 23 in the X direction and the Y direction so that the side is positioned. The transfer collet 23 is moved in the X and Y directions by reading the positions of the positioning marks 17 and 18 and the position of the chip 4 with an image recognition device, and based on the read data. Therefore, since the chip 4 is positioned in the X direction and the Y direction in accordance with the positioning marks 17 and 18, it is possible to accurately position the chip 4 with respect to the lead frame LF.

【0052】なお、チップ2上にチップ4を装着する
時、チップ4の各辺がこの各辺と対応する4つの仮想線
に対して傾斜する回転ずれが生じる場合がある。このよ
うな場合は、チップ4の各辺がこの各辺と対応する4つ
の仮想線に対してほぼ平行となるように、搬送コレット
23をX方向及びY方向の移動と共に回動させて回転ず
れの補正を行う。
When the chip 4 is mounted on the chip 2, there may be a case where a rotational displacement occurs in which each side of the chip 4 is inclined with respect to four virtual lines corresponding to each side. In such a case, the transport collet 23 is rotated together with the movement in the X direction and the Y direction so that each side of the chip 4 is substantially parallel to the four virtual lines corresponding to each side, and the chip 4 is rotated. Is corrected.

【0053】この工程により、チップ2及び4は、チッ
プ2の一方の短辺2A1に対してチップ4の一方の短辺
4A1が反対側に位置するように各々の裏面同志を向か
い合わせた状態で積層される。また、チップ2及び4
は、チップ2の一方の短辺2A1がチップ4の他方の短
辺4A2よりも外側に位置し、チップ4の一方の短辺4
A1がチップ2の他方の短辺2A2よりも外側に位置す
るように夫々の中心をX方向に離間させた状態で積層さ
れる。
According to this step, the chips 2 and 4 face each other with their back surfaces facing each other such that one short side 4A1 of the chip 4 is located on the opposite side to one short side 2A1 of the chip 2. It is laminated. Also, chips 2 and 4
Is that one short side 2A1 of the chip 2 is located outside the other short side 4A2 of the chip 4,
The chips are stacked with their centers separated in the X direction so that A1 is located outside the other short side 2A2 of the chip 2.

【0054】次に、チップ2の回路形成面2Aが上向き
となるようにリードフレームLFを反転させた後、チッ
プ2の電極3とリード11とを導電性のワイヤ7で電気
的に接続する。チップ2の電極3とリード11との接続
は、図12(a)に示すように、ヒートステージ24と
チップ4の回路形成面4Aとが向かい合う状態でヒート
ステージ24にチップ2及び4を装着して行う。ワイヤ
7としては例えばAuワイヤを用いる。ワイヤ7の接続
方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併用したボ
ールボンディング(ネイルヘッドボンディング)法を用
いる。
Next, after the lead frame LF is inverted so that the circuit forming surface 2A of the chip 2 faces upward, the electrodes 3 of the chip 2 and the leads 11 are electrically connected by conductive wires 7. The connection between the electrode 3 of the chip 2 and the lead 11 is performed by mounting the chips 2 and 4 on the heat stage 24 with the heat stage 24 and the circuit forming surface 4A of the chip 4 facing each other, as shown in FIG. Do it. For example, an Au wire is used as the wire 7. As a method for connecting the wires 7, for example, a ball bonding (nail head bonding) method using ultrasonic vibration in combination with thermocompression bonding is used.

【0055】この工程において、チップ2の一方の短辺
2Aがチップ4の他方の短辺4A2よりも外側に位置し
ているので、チップ2の裏面に接触するように突出部2
4Aをヒートステージ24に設けておくことにより、チ
ップ2の裏面をヒートステージ24に直に接触させるこ
とができる。この結果、ヒートステージ24の熱がチッ
プ2の電極3に有効に伝達されるので、チップ2の電極
3とワイヤ7との接続不良を低減することができる。
In this step, since one short side 2A of the chip 2 is located outside the other short side 4A2 of the chip 4, the protruding portion 2A comes into contact with the back surface of the chip 2.
By providing 4A on the heat stage 24, the back surface of the chip 2 can be brought into direct contact with the heat stage 24. As a result, the heat of the heat stage 24 is effectively transmitted to the electrode 3 of the chip 2, so that a poor connection between the electrode 3 of the chip 2 and the wire 7 can be reduced.

【0056】なお、この工程において、チップ4はその
回路形成面4Aがヒートステージ24と向かい合う状態
でヒートステージ24に装着されるので、チップ4の電
極5に損傷を与えないようにするため、ヒートステージ
24には窪み24Bが設けられている。
In this step, since the chip 4 is mounted on the heat stage 24 with the circuit forming surface 4A facing the heat stage 24, the chip 4 is heated to prevent the electrodes 5 of the chip 4 from being damaged. The stage 24 is provided with a depression 24B.

【0057】次に、チップ4の回路形成面4Aが上向き
となるようにリードフレームLFを反転させた後、チッ
プ4の電極5とリード12とを導電性のワイヤ7で電気
的に接続する。チップ4の電極5とリード12との接続
は、図12(b)に示すように、ヒートステージ25と
チップ2の回路形成面2Aとが向かい合う状態でヒート
ステージ25にチップ2及び4を装着して行う。
Next, after the lead frame LF is inverted so that the circuit forming surface 4A of the chip 4 faces upward, the electrodes 5 of the chip 4 and the leads 12 are electrically connected by conductive wires 7. As shown in FIG. 12B, the electrodes 5 of the chip 4 are connected to the leads 12 by mounting the chips 2 and 4 on the heat stage 25 with the heat stage 25 facing the circuit forming surface 2A of the chip 2. Do it.

【0058】この工程において、チップ4の一方の短辺
4A1がチップ2の他方の短辺2A2よりも外側に位置
しているので、チップ4の裏面に接触するように突出部
25Aをヒートステージ25に設けておくことにより、
チップ4の裏面をヒートステージ24に直に接触させる
ことができる。本実施形態では、チップ4の裏面全体が
接着用樹脂フィルム6で覆われているので、チップ4の
裏面は接着用樹脂フィルム6を介して間接的にヒートス
テージ25に接触される。この結果、ヒートステージ2
4の熱がチップ2の電極3に有効に伝達されるので、チ
ップ2の電極3とワイヤ7との接続不良を低減すること
ができる。
In this step, since the one short side 4A1 of the chip 4 is located outside the other short side 2A2 of the chip 2, the projecting portion 25A is brought into contact with the back surface of the chip 4 by the heat stage 25. By setting in
The back surface of the chip 4 can be brought into direct contact with the heat stage 24. In the present embodiment, since the entire back surface of the chip 4 is covered with the bonding resin film 6, the back surface of the chip 4 is indirectly contacted with the heat stage 25 via the bonding resin film 6. As a result, heat stage 2
Since the heat of No. 4 is effectively transmitted to the electrodes 3 of the chip 2, the connection failure between the electrodes 3 of the chip 2 and the wires 7 can be reduced.

【0059】なお、この工程において、チップ2はその
回路形成面2Aがヒートステージ25と向かい合う状態
でヒートステージ25に装着されるので、チップ2の電
極5とリード11とを電気的に接続したワイヤ7に損傷
を与えないようにするため、ヒートステージ25には窪
み25Bが設けられている。
In this step, since the chip 2 is mounted on the heat stage 25 with the circuit forming surface 2A facing the heat stage 25, the wires electrically connecting the electrodes 5 of the chip 2 and the leads 11 are formed. In order not to damage the heat sink 7, the heat stage 25 is provided with a depression 25B.

【0060】次に、チップ2の回路形成面2Aが上向き
となるようにリードフレームLFを反転させた後、図1
3に示すように、リードフレームLFをトランスファモ
ールド装置のモールド金型26の上型26Aと下型26
Bとの間に位置決めする。この時、上型26A及び下型
26Bによって形成されるキャビティ27の内部には、
チップ2及び4、リード11及び12のインナー部、支
持リード14及びワイヤ7等が配置される。
Next, after inverting the lead frame LF so that the circuit forming surface 2A of the chip 2 faces upward, FIG.
As shown in FIG. 3, the lead frame LF is transferred to the upper mold 26A and the lower mold 26 of the mold 26 of the transfer molding apparatus.
B. At this time, inside the cavity 27 formed by the upper mold 26A and the lower mold 26B,
The chips 2 and 4, the inner portions of the leads 11 and 12, the support leads 14, the wires 7, and the like are arranged.

【0061】次に、モールド金型26のポットからラン
ナー及び注入ゲートを通してキャビティ27の内部に流
動性の熱硬化性樹脂(溶融樹脂)を注入して樹脂封止体
8を形成する。この工程において、チップ2及び4、リ
ード11及び12のインナー部、支持リード14及びワ
イヤ7等は、樹脂封止体8で封止される。
Next, a fluid thermosetting resin (molten resin) is injected from the pot of the mold 26 through the runner and the injection gate into the cavity 27 to form the resin sealing body 8. In this step, the chips 2 and 4, the inner portions of the leads 11 and 12, the support leads 14, the wires 7, and the like are sealed with a resin sealing body 8.

【0062】次に、モールド金型26からリードフレー
ムLFを取り出し、その後、リード11及び12)に連
結されたタイバーを切断し、その後、リードフレームL
Fの枠体10からリード11及び12のアウター部を切
断し、その後、リード11及び12のアウター部をガル
ウィング形状に成形し、その後、リードフレームLFの
枠体10から支持リード14を切断することにより、図
1乃至図3に示す半導体装置1がほぼ完成する。
Next, the lead frame LF is taken out from the mold 26, and then the tie bar connected to the leads 11 and 12) is cut.
Cutting the outer portions of the leads 11 and 12 from the frame 10 of F, then forming the outer portions of the leads 11 and 12 into a gull wing shape, and then cutting the support leads 14 from the frame 10 of the lead frame LF. Thereby, the semiconductor device 1 shown in FIGS. 1 to 3 is almost completed.

【0063】このように、本実施形態によれば、以下の
効果が得られる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

【0064】半導体装置1の製造方法において、リード
フレームLFを準備する工程と、位置決め用マーク16
及び18に合わせてチップ2を位置決めした後、支持リ
ード14チップ2を固定する工程と、位置決め用マーク
17及び18に合わせてチップ4を位置決めした後、チ
ップ2にチップ4を固定する工程とを含む。
In the method of manufacturing the semiconductor device 1, the step of preparing the lead frame LF and the positioning mark 16
After positioning the chip 2 in accordance with the steps 18 and 18, the step of fixing the support lead 14 chip 2 and the step of positioning the chip 4 in accordance with the positioning marks 17 and 18 and then fixing the chip 4 to the chip 2 are performed. Including.

【0065】これにより、チップ2は位置決め用マーク
16及び18に合わせて位置決めされ、チップ4は位置
決め用マーク17及び18に合わせて位置決めされるの
で、リードフレームLFに対する2つのチップ(2,
4)の位置決めを正確に行うことができる。
As a result, the chip 2 is positioned in accordance with the positioning marks 16 and 18, and the chip 4 is positioned in accordance with the positioning marks 17 and 18, so that the two chips (2, 2
The positioning of 4) can be performed accurately.

【0066】また、チップ2及び4の夫々の中心(2
P,4P)をX方向に離間させる距離(位置ずれ)が予
め設定された寸法よりも極端に大きくなったり、極端に
小さくなったりするといった不具合の発生を抑制できる
ので、半導体装置1の製造歩留まりの向上を図ることが
できる。
The center (2) of each of chips 2 and 4
(P, 4P) in the X direction can be suppressed from being extremely large or extremely smaller than a predetermined dimension, so that the production yield of the semiconductor device 1 can be suppressed. Can be improved.

【0067】なお、本実施形態では、位置決め用マーク
18をY方向に延在する支持リードの一端側及び他端側
に夫々2つずつ設けた例について説明したが、位置決め
用マーク18はリード14の一端側及び他端側に夫々1
つずつ設けてもよい。
In the present embodiment, an example has been described in which two positioning marks 18 are provided at each of one end and the other end of the support lead extending in the Y direction. 1 at one end and at the other end
They may be provided one by one.

【0068】また、本実施形態では、図7に示すよう
に、第1及び第2リード群のリード(11,12)に位
置決め用マーク16及び17を設けた例について説明し
たが、本実施形態の変形例として、図14(ワイヤボン
ディング工程が施された状態のリードフレームの要部平
面図)に示すように、位置決め用マーク16及び17は
リードフレームLFの枠体10に設けてもよい。位置決
め用マーク16及び17は、枠体10から樹脂封止体形
成領域の内部に向かって突出する突起で構成されてい
る。突起は、画像認識装置での認識が可能で、かつ樹脂
封止体の内部に入り込まない程度に突出させることが望
ましい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, an example in which the positioning marks 16 and 17 are provided on the leads (11, 12) of the first and second lead groups has been described. As a modified example, as shown in FIG. 14 (a plan view of a main part of a lead frame in a state where a wire bonding step has been performed), positioning marks 16 and 17 may be provided on frame 10 of lead frame LF. The positioning marks 16 and 17 are formed by protrusions projecting from the frame body 10 toward the inside of the resin sealing body forming region. It is desirable that the projections be projected to such an extent that they can be recognized by the image recognition device and do not enter the inside of the resin sealing body.

【0069】近年、リード群のリードは、半導体装置の
多ピン化及び小型化に伴う微細化で機械的強度が低下
し、変形し易くなっている。従って、リードに位置決め
用マーク16及び17を設けた場合はリードの変形によ
って位置が変わってしまうといった不具合が発生し易
い。これに対して、枠体10の機械的強度はリードより
も強く、枠体10に変形が生じるようなことはまず起こ
らないので、位置決め用マーク16及び17の位置が変
わるといった不具合を抑制することができる。この結
果、半導体装置1を安定して製造することができる。
In recent years, the leads of the lead group have been reduced in mechanical strength due to miniaturization accompanying the increase in the number of pins and miniaturization of the semiconductor device, and the leads have been easily deformed. Therefore, when the positioning marks 16 and 17 are provided on the lead, a problem that the position is changed due to deformation of the lead easily occurs. On the other hand, the mechanical strength of the frame body 10 is stronger than that of the lead, and the frame body 10 is unlikely to be deformed. Therefore, it is necessary to suppress the problem that the positions of the positioning marks 16 and 17 change. Can be. As a result, the semiconductor device 1 can be manufactured stably.

【0070】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
As described above, the invention made by the present inventor is:
Although specifically described based on the embodiment, the present invention
It is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the scope of the invention.

【0071】例えば、本発明は、TSOP型において、
樹脂封止体の互いに対向する2つの長辺側にリードを配
置したタイプIIの半導体装置に適用することができる。
For example, the present invention provides a TSOP type
The present invention can be applied to a type II semiconductor device in which leads are arranged on two long sides facing each other of a resin sealing body.

【0072】[0072]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0073】リードフレームに対する2つの半導体チッ
プの位置決めを正確に行うことができる。また、半導体
装置の製造歩留まりの向上を図ることができる。
The positioning of the two semiconductor chips with respect to the lead frame can be performed accurately. Further, the production yield of the semiconductor device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態である半導体装置の樹脂封
止体の上部を除去した状態を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a state in which an upper portion of a resin sealing body of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention has been removed.

【図2】図1に示すA−A線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA shown in FIG.

【図3】図1に示すB−B線に沿う断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line BB shown in FIG.

【図4】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
用いられるリードフレームの概略構成を示す平面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a lead frame used for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図5】図4の一部を拡大した平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view of a part of FIG. 4;

【図6】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
おいて、チップボンディング工程を説明するための図
((a)はX方向に沿う断面図,(b)はY方向に沿う
断面図)である。
FIGS. 6A and 6B are views for explaining a chip bonding step in manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention (FIG. 6A is a cross-sectional view along the X direction, and FIG. 6B is a cross-sectional view along the Y direction); It is.

【図7】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
おいて、チップボンディング工程を説明するための平面
図である。
FIG. 7 is a plan view for explaining a chip bonding step in manufacturing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図8】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
おいて、チップボンディング工程を説明するための断面
図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a chip bonding step in manufacturing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図9】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
おいて、チップボンディング工程を説明するための図
((a)はX方向に沿う断面図,(b)はY方向に沿う
断面図)である。
FIGS. 9A and 9B are views for explaining a chip bonding step in manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention (FIG. 9A is a cross-sectional view along the X direction, and FIG. 9B is a cross-sectional view along the Y direction); It is.

【図10】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
において、チップボンディング工程を説明するための平
面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a chip bonding step in manufacturing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図11】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
において、チップボンディング工程を説明するための断
面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a chip bonding step in manufacturing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図12】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
において、ワイヤボンディング工程を説明するための図
((a)及び(b)は断面図)である。
FIGS. 12A and 12B are diagrams (FIGS. 12A and 12B are cross-sectional views) for explaining a wire bonding step in manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図13】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
において、モールド工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a molding step in the manufacture of the semiconductor device according to one embodiment of the present invention.

【図14】本発明の一実施形態の変形例である半導体装
置の製造において、ワイヤボンディング工程が施された
状態のリードフレームの要部平面図である。
FIG. 14 is a plan view of relevant parts of a lead frame in a state where a wire bonding step has been performed in the manufacture of a semiconductor device which is a modification of the embodiment of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体装置、2,4…半導体チップ、3,5…電
極、6…接着用樹脂フィルム、7…ワイヤ、8…樹脂封
止体、LF…リードフレーム、10…枠体、11,12
…リード、13…タイバー、14…持支リード、15…
接着用樹脂フィルム、20,22,24,25…ヒート
ステージ、21…ボンディングツール、23…搬送コレ
ット、26…モールド金型。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2, 4 ... Semiconductor chip, 3, 5 ... Electrode, 6 ... Adhesive resin film, 7 ... Wire, 8 ... Resin sealing body, LF ... Lead frame, 10 ... Frame body, 11, 12
… Lead, 13… tie bar, 14… support lead, 15…
Adhesive resin film, 20, 22, 24, 25: heat stage, 21: bonding tool, 23: transport collet, 26: mold.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 環 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 5F067 AA02 BA06 BB01 CB00  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tamaki Wada 5-22-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Inside Hitachi Super-LSI Systems Co., Ltd. (72) Inventor Masachika Masuda Tokyo 5-20-1, Josuihoncho, Kodaira-shi F-term (reference) in the semiconductor group, Hitachi, Ltd. 5F067 AA02 BA06 BB01 CB00

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 各々の一主面の中心がX方向に離間する
状態で積層される第1半導体チップ及び第2半導体チッ
プを有する半導体装置の製造方法であって、 前記X方向において互いに離間して配置された第1リー
ド群及び第2リード群と、前記第1リード群と前記第2
リード群との間に配置された支持体と、前記X方向にお
いて前記第1半導体チップの位置決めに用いられる第1
位置決め用マークと、前記X方向において前記第2半導
体チップの位置決めに用いられる第2位置決め用マーク
であって、前記第1位置決め用マークに対して前記X方
向に離間して配置された第2位置決め用マークと、前記
X方向と直交するY方向において前記第1及び第2半導
体チップの位置決めに用いられる第3位置決め用マーク
とを有するリードフレームを準備する工程と、 前記第1及び第3位置決め用マークに合わせて前記第1
半導体チップを位置決めした後、前記支持体に前記第1
半導体チップを固定する工程と、 前記第2及び第3位置決め用マークに合わせて前記第2
半導体チップを位置決めした後、前記第1半導体チップ
に前記第2半導体チップを固定する工程とを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device having a first semiconductor chip and a second semiconductor chip stacked such that centers of respective one main surfaces are separated in an X direction, wherein the semiconductor devices are separated from each other in the X direction. A first lead group and a second lead group arranged in a horizontal direction, and the first lead group and the second lead group.
A support disposed between the lead group and a first semiconductor chip used for positioning the first semiconductor chip in the X direction;
A positioning mark, and a second positioning mark used for positioning the second semiconductor chip in the X direction, wherein the second positioning mark is spaced apart from the first positioning mark in the X direction. Preparing a lead frame having a mark for use and a third mark for use in positioning the first and second semiconductor chips in a Y direction orthogonal to the X direction; The first according to the mark
After positioning the semiconductor chip, the first
Fixing a semiconductor chip; and aligning the second and third positioning marks with the second and third positioning marks.
Fixing the second semiconductor chip to the first semiconductor chip after positioning the semiconductor chip.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置の製造方法
において、 前記第1及び第2位置決め用マークは、前記第1及び第
2リード群側に夫々2つずつ配置され、 前記第1及び第2リード群側に夫々配置された前記2つ
の第1及び第2位置決め用マークは、前記Y方向に離間
して配置されていることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first and second positioning marks are arranged two each on the first and second lead group sides. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the two first and second positioning marks respectively disposed on the second lead group side are separated from each other in the Y direction.
【請求項3】 請求項2に記載の半導体装置の製造方法
において、 前記第1リード群側に配置された前記2つの第1位置決
め用マークは、前記第1リード群側に配置された前記2
つの第2位置決め用マークよりも前記第1リード群側に
位置し、 前記第2リード群側に配置された前記2つの第1位置決
め用マークは、前記第2リード群側に配置された前記2
つの第2位置決め用マークよりも前記第1リード群側に
位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the two first positioning marks arranged on the first lead group side are the two first positioning marks arranged on the first lead group side.
The two first positioning marks are located closer to the first lead group than the two second positioning marks, and the two first positioning marks are located closer to the second lead group.
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is located closer to the first lead group than two second positioning marks.
【請求項4】 請求項3に記載の半導体装置の製造方法
において、 前記第1及び第2リード群は、前記Y方向に沿って配列
された複数のリードからなり、 前記第1リード群側に配置された前記2つの第1及び第
2位置決め用マークは、前記第1リード群のリード配列
の初段及び終段に位置するリードに夫々1つずつ設けら
れ、 前記第2リード群側に配置された前記2つの第1及び第
2位置決め用マークは、前記第2リード群のリード配列
の初段及び終段に位置するリードに夫々1つずつ設けら
れていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the first and second lead groups include a plurality of leads arranged along the Y direction, and the first and second lead groups are arranged on the first lead group side. The two first and second positioning marks that are arranged are provided one each for the leads located at the first and last stages of the lead arrangement of the first lead group, and are arranged on the second lead group side. Wherein the two first and second positioning marks are respectively provided on leads located at the first and last stages of the lead arrangement of the second lead group, respectively. .
【請求項5】 請求項3に記載の半導体装置の製造方法
において、 前記リードフレームは、前記第1及び第2リード群のリ
ード及び前記支持体が連結された枠体を有し、 前記第1及び第2位置合わせ用マークは前記枠体に設け
られていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the lead frame has a frame body in which the leads of the first and second lead groups and the support are connected. And a second alignment mark is provided on the frame body.
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JP2012253390A (en) * 2012-09-24 2012-12-20 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor device

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